Осаждение пленок GaAs из абляционной плазмы, формируемой импульсным мощным ионным пучком тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.09.02, кандидат технических наук Ли Цзень Фень

• Ли Цзень Фень
• кандидат технических наук
• 2006

Оглавление диссертации кандидат технических наук Ли Цзень Фень

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1. ПОЛУЧЕНИЕ ПЛЕНОК АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ.

1.1. Свойства арсенида галлия.

1.2 Применение тонких плёнок в современной технике.

1.3 Метод выращивания GaAs.

1.4 Методы нанесения тонких пленок.

1.5 Импульсные методы осаждения тонких плёнок.

1.6 Особенности роста плёнок в условиях непрерывной и импульсной конденсации.

ГЛАВА 2. ОБОРУДОВАНИЕ И МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА.

2.1. Сильноточный импульсный ионный ускоритель «ТЕМП».

2.2 Методика эксперимента.

2.3 Диодные системы.

2.4. Методы анализа применяемые для полупроводниковых пленок.

2.5 Методы определения состава и профилей концентрации.

ГЛАВА 3. КОЭФФИЦИЕНТ ЭРОЗИИ МИШЕНИ ИЗ GAAS ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ ИМПУЛЬСНОГО МОЩНОГО ИОННОГО ПУЧКА.

3.1 Морфология поверхности мишени из GaAs при воздействии МИП.

3.2 Исследование стехиометрического состава мишени и размера кристаллитов при воздействии МИП.

3.3. Коэффициент импульсной эрозии GaAs при воздействии МИП.

3.4. Угловая зависимость распространения материала эрозии GaAs при воздействии МИП.

ГЛАВА 4. ОСАЖДЕНИЕ ПЛЕНОК GAAS ИЗ АБЛЯЦИОННОЙ ПЛАЗМЫ, ФОРМИРУЕМОЙ ИМПУЛЬСНЫМ МОЩНЫМ ИОННЫМ ПУЧКОМ.

4.1 .Морфология поверхности.

4.2. Стехиометрический состав пленок GaAs.

4.3. Анализ структуры пленок.

4.4. Исследование пленок GaAs на диэлектрической подложке методом Рамановской спектроскопии.ИЗ

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Осаждение пленок GaAs из абляционной плазмы, формируемой импульсным мощным ионным пучком»

Успехи в создании источников мощных ионных пучков (МИП) с плотностью мощности Р =106 —109 Вт/см2 открыли широкие возможности для изучения новых физических явлений, происходящих при взаимодействии концентрированных потоков энергии с конденсированными средами, и решения многих задач, имеющих большое научное и практическое значение. В связи с возрастающим интересом к практическому использованию тонких пленок и покрытий различного назначения, высокий интерес представляют исследования процессов осаждения тонких пленок из абляционной плазмы формируемой мощным ионным пучком на мишени. Среди различных видов импульсных концентрированных потоков энергии которые могут быть использованы для создания абляционной плазмы (импульсные электронные пучки, импульсное лазерное излучение, искровой пробой, импульсные плазменные потоки) импульсные мощные ионные пучки (МИП) обладают рядом объективных преимуществ. Пробег ионов и глубина поглощения энергии определяемая температуропроводностью материала и длительностью импульса сравнимы для металлов и полупроводников - это определяет коэффициент использования энергии переносимой ионным пучком. Сечение пучка имеет размеры в единицы и десятки квадратных сантиметров, что позволяет получать достаточно равномерные по толщине пленки без сканирования пучка. Существующие методы вакуумного осаждения тонких пленок имеют ряд проблем, связанных с низким коэффициентом использования материала мишени, сохранением стехиометрического состава мишени при получении пленок сложного химического состава, низкой скоростью осаждения. Многие из этих проблем могут быть решены при осаждении с помощью импульсного мощного ионного пучка (МИП). Особенностью данного метода осаждения о «л 7 является использование плотной (-10-10 см") абляционной плазмы, имеющей узкую направленность и высокую скорость (~105 см/с) распространения, что позволяет реализовать высокоскоростное осаждение с регулируемой толщиной осаждаемых пленок за один импульс от ~ 10"9 до 10"6м. Метод позволяет при использовании широкоапертурных МИП и сканировании пучка получать покрытия на значительных площадях, определяемых только размерами рабочей камеры.

В данной работе проведены исследования импульсной эрозии арсенида галлия и осаждения тонких пленок при последовательном воздействии серии импульсов тока ионного пучка. Работа имеет явно выраженную практическую направленность заключающуюся в возможности использования этого метода для создания в перспективе солнечных фотоэлементов на основе этого материала. Двухатомное химическое соединение (GaAs) в качестве материала мишени для импульсной эрозии представляет самостоятельное научное значение с целью обоснования параметров пучка для сохранения стехиометрического состава пленки.

С конца 50-х годов арсенид галлия привлек к себе внимание как полупроводниковый материал, способный в будущем в ряде специальных случаев заменить кремний в технологиях микроэлектроники и солнечной энергетики. Это объясняется таким его особенностями, как:

- почти идеальная для однопереходных солнечных элементов ширина запрещенной зоны 1,43 эВ;

- повышенная способность к поглощению солнечного излучения: требуется слой толщиной всего в несколько микрон;

- высокая радиационная стойкость, что совместно с высокой эффективностью делает этот материал чрезвычайно привлекательным для использования в космических аппаратах;

Главное достоинство арсенида галлия и сплавов на его основе — широкий диапазон возможностей для проектирования СЭ. Фотоэлемент на основе GaAs может состоять из нескольких слоев различного состава. Это позволяет разработчику с большой точностью управлять генерацией носителей заряда, что в кремниевых СЭ ограничено допустимым уровнем легирования.

Основной недостаток использования арсенида галлия в солнечных элементах — высокая стоимость, включающая и стоимость осаждения пленок. Развитие импульсных методов осаждения характеризующихся низкими удельными энергозатратами и потенциально высокой производительностью может в значительной степени снизить стоимость получения полупроводниковых пленок.

Необходимо отметить, что в научной литературе встречаются понятия как импульсной эрозии материала мишени, так и импульсной абляции включающей процесс удаления материала с поверхности мишени и формирование пароплазменного факела включающего конденсированные частицы. Эти понятия мы будем использовать в данной диссертационной работе.

Целью настоящей работы является исследование импульсной эрозии мишеней из GaAs, получение и исследование тонких пленок GaAs полученных методом осаждения из абляционной плазмы, образуемой на поверхности мишени из GaAs при воздействии МИЛ наносекундной длительности с л плотностью мощности 40—150 МВт/см .

Основными задачами данной работы являются:

1. Исследование коэффициента импульсной эрозии массивных мишеней из GaAs и угловой зависимости распространения абляционного материала.

2. Исследования морфологии поверхности мишени из GaAs и её влияние на коэффициент импульсной эрозии при воздействии МИЛ с варьируемым числом импульсов.

3. Исследование стехиометрического состава мишени и размера формируемых кристаллитов при воздействии МИЛ.

4. Исследование морфологии поверхности и определение структуры пленок GaAs.

5. Измерение стехиометрического состава пленок GaAs.

6. Исследование осаждения пленок GaAs на диэлектрические подложки.

Научная новизна работы заключается в том, что: Л

1. Впервые показано, что МИП с плотностью 40—150 МВт/см могут использоваться для осаждения пленок GaAs на диэлектрические и полупроводниковые подложки.

2. При воздействии МИП на монокристаллическую мишень из GaAs в поверхностном слое (5-6 мкм) формируется поликристаллическая структура, размер кристаллитов составляет величину 20 ±10 нм.

3. Показано, что при осаждении пленок GaAs на диэлектрические полимерные подложки формируется структура на основе наноразмерных кристаллитов со средним размером зерна приблизительно 20 нм и действием растягивающих усилий на кристаллиты.

4. Угол распространения абляционного материала (0/2), формируемого на поверхности мишени из GaAs значительно меньше, чем при импульсной эрозии металлических материалов и составляет величину 12° ± 2°.

Практическая ценность работы заключается в том, что на основе выполненных исследований разработан метод осаждения пленок GaAs на диэлектрические и полупроводниковые материалы, который позволяет значительно снизить себестоимость получения полупроводниковых пленок и создать в перспективе солнечные фотоэлементы. Пленки GaAs представляют практическую ценность для применения в полупроводниковой электронике.

Положения и результаты, выносимые на защиту:

1. Полупроводниковые пленки GaAs, получаемые путем импульсного осаждения из абляционной плазмы, формируемой на поверхности мишеней мощным ионным пучком наносекундной длительности с Л плотностью мощности 40—150 МВт/см , являются макросплошными объектами. На диэлектрических подложках формируются поликристаллические пленки со средним размером кристаллитов 20нм при растягивающих напряжениях, на кремниевых подложках с более высокой теплопроводностью формируются нанокомпозитные пленки на основе аморфной фазы с нанокристаллитами размером около 20 нм.

2. Коэффициент импульсной эрозии мишени из GaAs и его разброс от импульса к импульсу тока МИЛ зависят от шероховатости её поверхности и уменьшаются с увеличением параметра шероховатости (Rz). Область шероховатости поверхности мишени - Rz более 30 мкм является областью с наименьшим разбросом коэффициента эрозии от импульса к импульсу и значением коэффициента импульсной эрозии за импульс 0,2 мГ/см2.

3. При воздействии МИП на мишень из GaAs и числе импульсов более 10 формируется регулярная волнистая структура рельефа поверхности мишени в виде чередующихся выступов и впадин.

4. Пространственный угол распространения абляционного материала при воздействии МИП составляет 24° ± 4°.

5. Стехиометрический состав пленки идентичен составу мишени, при средней скорости осаждения до 5 нм за импульс из абляционной плазмы, получаемой на поверхности мишени при воздействии МИП с плотностью энергии 3.8 Дж/см2.

Заключение диссертации по теме «Электротехнические материалы и изделия», Ли Цзень Фень

Основные результаты и вывод:

1. Пленки полупроводникового GaAs, осаждаемые из абляционной плазмы, полученной при облучении массивной мишени GaAs импульсным мощным ионным пучком с плотностью мощности 40—150 МВт/см , обладают нанокристаллической структурой с размерами кристаллитов в диапазоне от 20 до 600 нанометров. Осаждаемые пленки являются макросплошными объектами и имеют зеркально-гладкую поверхность.

2. Стехиометрический состав мишени в пределах ошибки измерения методами Оже-спектроскопии и обратного резерфордовсного рассеяния сохраняется при количестве импульсов воздействия МИП до 200.

3. При воздействии МИП на монокристаллическую мишень из GaAs в поверхностном слое (5-6 мкм) формируется поликристаллическая структура, размер кристаллитов составляет величину 20 ± 10 нм.

4. Угол распространения абляционного материала (0/2), формируемого на поверхности мишени из GaAs, при воздействии пучка с плотностью энергии 5 Дж/см2, составляет величину 24° ± 4°. Низкое значение угла распространения абляционного материала при числе импульсов МИП более 10. может быть связано с формированием развитого рельефа поверхности мишени.

5. При увеличении числа импульсов осаждения абляционного материала на подложку средняя толщина слоя пленки, осажденного за один импульс, снижается, и при значениях плотности энергии МИП 5 дж/см составляет приблизительно 4,5 - 4.9 нм за импульс.

6. Шероховатость поверхности пленки с увеличением (до 200) числа импульсов осаждения абляционного материала на подложку уменьшается, достигая значения Ra 18,9 нм при шероховатости подложки Ra равной 8,6 нм.

7. Пленки GaAs при разных толщинах пленки: 50 - 500 нм сохраняют стехиометрическое отношение к составу мишени и включают примеси элементов остаточного газа — кислород и углерод.

8. На полимерном материале (лавсан) сформированы пленки GaAs, имеющие наноразмерную структуру со средним размером кристаллитов 20 ± 10 нм. I t

ЗАКЛЮЧЕНИЕ.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Ли Цзень Фень, 2006 год

1.Welker Н., Z. Hall Effect and Conductivity of 1.Sb Single Crystals //Naturforsch. 7a-1952.-PP. 744.

2. Арсенид галия. Получение, свойства и применение. Под ред. Ф. П. Кесаманлы и Д. Н. Наследова, монография. Главная редакция физико -математической литературы изд ва "Наука", 1973. с.471.

3. Jones М.Е., Wurst Е. С., Jr., Historical perspective on radiation effects in III-V devices -. 1961. -IRE Conv. Rec., 9. pp.26.

4. Jones M.E., Doerbeck F.H., частное сообщение . -1984.

5. Von Munch W., Diffusion of tin in n-type GaAs . IBM J. Res. Dev., 10, pp.438 (1966).

6. Yuan H. Т., Doerbeck F. H., McLevige W. V., GaAs bipolar integrated circuit technology . Electron. Lett., 16, pp.637(1980).

7. Yuan H. Т., Simplified Thermodynamic Functions for Vapor-Liquid Phase Separation and Fountain Effect Pumps. Proc. Cryogenic Process and Equipment, ASME, New Orleans, Louisiana, Dec. 1984, pp. 169. (1984).

8. Gunn j.B., Spin Gunn Effect .Solid State Commun.,1, pp.88(1963).

9. Gunn j.B., Nonlinear Analysis of the Gunn Effect. Plasma Effect in Solid, Paris 1964, PP.199.Dound,Paris,1965.

10. Irvin J.C., Electrical properties of epitaxial silicon films on a-alumina. IEEE Trans. Electron Devices, ED-15, pp.938(1966).

11. Mead C.A., Schottky Barrier Gate Field-Effect Transistor. Proc IEEE, 54, pp.307(1966).

12. Van Tuyl R., Liechti C.A., GaAs MESFET logic with 4-GHz clock rate. ISSCC Dig. Tech. Pap.,20(1974).

13. Eden R.C., Welch В. M., Zucca R., Gallium arsenide MIS integrated circuits. ISSCC Dig. Tech. Pap., pp.68(1978).

14. Lee F.S., Shen E., Kaelin G. R., Welch В. M., Eden R. C., Long S. I., The Historical Development of GaAs FET Digital 1С Technology .GaAs 1С Symp., Las Vegas(Nov.l980).

15. Ishikawa H., Kusakawa H., Suyama K., Fukuta M., Normally-off type GaAs MESFET for low power, high speed logic circuits. ISSCC Dig. Tech. Pap., pp.200(1977).

16. Pengelly R. S., Turner J.A., The Development of Phased-Array Radar Technology. Electron. Lett., 12, pp.251 (1976).

17. Solokov V., Williams R. E., Shaw D. W., ISSCC Dig. Tech. Pap., pp.118(1979).

18. Аксенов А.И., Гребенщиков Г.И., Нефедов A.B., Феоктистов Ю.Ф. Технологические программы, достижения и возможности микроэлектроники. //Зарубежная электронная техника, № 1, 1992, с. 3 -17.

19. Лабунов В.А., Борисенко В.Д., Воеводов Ю.Э., Грибковский В.В. Получение, свойства, применение тонких пленок керамических высокотемпературных сверхпроводников. //Зарубежная электронная техника, 1989, №3, с. 3-57.

20. Жданович СВ., Лыньков Л.И., Прищепа С.А. Селективное осаждение тонких пленок YBaCuO на различные подложки для создания высокотемпературных сверхпроводниковых микроэлементов. // Зарубежная электронная техника, 1992, № 2, с. 9 -11.

21. Тесленко В.В. Ионно-плазменные алмазные покрытия. //Атомная техника за рубежом, 1990, № 8, с. 14 20.

22. Kumar N., Schmidt Н., Xie С. Diamond-based field emission flat panel displays. //Solid State Technology, N 5, 1996, pp. 71 75

23. Oh J. E. , Lomb J. D. Cubic boron nitride. //Solid State Electronics, 1986, vol. 29, N 9, pp. 933 940.

24. Antell G.R., Effer D.,J. Purification of Arsenic.Electrochem, Soc.106, pp.509(1959).

25. Shaw D.W., Growth Dynamics of Chemical Vapor Deposition . in: Epitaxial Growth, Part A, PP.89, Academic Press, NewYork,1975.

26. Shaw D.W., Model dielectric function for semiconductors: Si. J.Phys,Chem.Solids, 36, pp.111(1975).

27. Cho A.Y., Arthur J,R., Molecular Beam Epitaxy, in: Progress in Solid-State Chemistry, Vol.10,Part3, PP.157, Pergamon, New York,1975.

28. Cho A.Y., J.Vac, Film deposition by molecular-beam techniques. Sci,Technol.,16, pp.275(1975).

29. Proceedings of the International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy, in J.Cryst. Growth, pp.55,(1981).

30. Данилин Б.С. Применение низкотемпературной плазмы для нанесения тонких пленок. М.: Энергоатомиздат, 1989, с .327.

31. Курносов А.И., Юдин В.В. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. М.: Высшая школа, 1986, с .368.

32. Бубнов Ю.З., Пурье М.С., Старое Ф.Г., Филаретов П.А. Вакуумное нанесение пленок в квазизамкнутом объеме. М.: Сов. Радио, 1975, с. 160

33. Плешивцев Н.В. Катодное распыление. М.: Атомиздат, 1968, 348 с.

34. Плешивцев Н.В. Физические проблемы катодного распыления. Обзор. -М.: Изд-во Института атомной энергии им. ИВ. Курчатова, 1979, 87 с.

35. Технология тонких пленок. Справочник. Под ред. Л. Майссела, Р. Глэн-га. М.: Сов. Радио, 1977, т. 1, 662 с, т. 2, 768 с.

36. Погребняк А.Д., Ремнев Г.Е., Чистяков С.А., Лигачев А.Е. Модификация свойств металлов под действием мощных ионных пучков. //Известия ВУЗов. Физика, 1987, № 1, с. 52 65.

37. Омаров Ф.Ф., Новиков А.П. Новые методы йонно-лучевой обработки полупроводниковых кристаллов. //Итоги науки и техники. Сер. Физические основы лазерной и пучковой технологии. Т. 5, М., ВИНИТИ, 1989, с. 113 161.

38. Richer A. Characteristic features of laser produced plasmas for thin film deposition. //Thin solid films, 1990, vol. 188, N 2, p. 275-292.

39. Cheung J., HorwitzJ. Pulsed laser deposition history and laser-target inter actions. //MRS Bulletin, 1992, Vol. XVII, N 2, pp. 30 36.

40. Muller К. -H. Cluster-beam deposition of thin films: a molecular dynamics simulation. //J. Appl. Phys., vol. 61, N 7,1987, pp. 2516-2521.

41. Быковский Ю.А., Неволин В.Н. Лазерная масс-спектрометрия. М.: Энергоатомиздат, 1985, 128 с.

42. Takagi Т. Cd-Te layer deposition using ionized cluster beam technique. Ionized cluster beam technique. //Vacuum, vol. 38, Nos. 1-3, 1986, pp. 27-31.

43. Гревцев H.B., Кашурников Ю.М., Летягин B.A., Махорин Б.И. Некоторые особенности движения и конденсации продуктов электрического взрыва проводников. //Журнал прикладной механики и технической физики, 1974, №2, с. 92-97.

44. Гревцев Н.В., Кашурников Ю.М., Махорин Б.И., Петухов Л.П. Получение металлических пленок методом электрического взрыва. //Электронная промышленность, 1975, № 1, с. 81 84.

45. Петросян В.И., Дагман Э.И. Эпитаксиальная кристаллизация в вакууме при больших пересыщениях. //В кн.: Проблемы эпитаксии полупроводниковых пленок. Новосибирск, «Наука», 1972, с. 136-193.

46. Бурцев В.А., KaMtfflm Н.В., Лучинский А.В. Электрический взрыв и его применение в электрофизических установках. М., 1990, 288 с.

47. Комник Ю.Ф. Физика металлических пленок. Размерные и структурные эффекты. М.: Атбмиздат, 1979,264 с.

48. Броудай И., Мерей Дж. Физические основы микротехнологии. Пер с англ., М.: Мир, 1985, 496 с.

49. Хирс Д., Паунд Г. Испарение и конденсация. Пер. с англ., М.: Металлургия, 1966, 196 с.

50. Палатник Л.С, Быковский Ю.А., Панчеха П.А., Дудоладов А.Г., Верченко В.И., Марунько СВ. О механизме вакуумной койдбнсацйи при высокоскоростных методах испарения. //ДАН, 1980, т. 254, № 3, с. 632 635

51. Isakov I.F., Kolodii V.N., Opekunov M.S., Matvienko V.M., Pechenkin S.A., Remnev G.E. and Usov Yu.P. Sources of high power ion beams for technological applications. //Vacuum, 1991, v. 42, N 1/2/, PP. 159 162.

52. Isakov I.F., Kolodii V.N., Opekunov M.S., Matvienko V.M., Pechenkin S.A., Remnev G.E. and Usov Yu.P. Sources of high power ion beams for technological applications. //Vacuum, 1991, v. 42, N 1/2/, PP. 159 162.

53. Пападичев В.А.Получение, транспортировка и фокусировка ионных пучков1.мощностью 10 Вт//Атомная техника за рубежом, 1978, №12, с.З- 13.

54. Логачев Е.И.,Ремнев Г.Е.,Усов Ю.П.Ускорение ионов из взрыво-эмиссионной плазмы. //Письма в ЖТФ, 1980, т. 6, в. 22, с. 1404 1406.

55. Измерено по спектрограммам спектрометра Томсона.

56. Произведение интегралов диодного напряжения и плотности тока на мишени за время импульса.

57. Prono D.S., Shearer J.W., Briggs R.J. Pulsed Ion Diode Experiment. //Phys. Rev. Lett., 1976, v. 37, N 1, P. 21 25.64 Габович М.Д. Физика и техника плазменных источников ионов. М.: Атомиздат, 1972, 304с. ,

58. Китайгородский А.И. Теория структурного анализа. М., Наука, 1957.284с.

59. Кривоглаз М.А. Теория рассеяния рентгеновских лучей и тепловых нейтронов реальными кристаллами. М.Наука,1967. 337с.

60. Ковалев В.П. Ускорители в неразрушающем контроле. М., Энергоатомиздат, 1983,104 с.

61. Perriere T.Rutherford backscattering spectrometry. //Vacuum, 1987,vol. 37, N 56, pp.429-432.

62. Метод анализа поверхностей. Под ред. А. Зандерны. Пер. с англ., М., Мир,1979.528 с.

63. Электронная и ионная спектроскопия твердых тел. Под ред. Л. Фирмэнса и др. Пер. с англ., М., Мир, 1981, 467 с.

64. Нефедов В.И., Черепин В.Т. Физические методы исследования поверхности твердых тел. М.,Наука, 1983, 296 с.

65. Карсон Т.А. Фотоэлектронная и оже-спектроскопия .Пер. с англ., JL, Машиностроение, 1981,431 с.

66. Распыление твердых тел ионной бомбардировкой. Вып.1 Под ред. Р. Бериша, Пер. с англ., М., Мир, 1984,336с.

67. Применение электронной спектроскопии для анализа поверхности. Под ред. Х.Ибаха. Пр. Совр. Физики Рига, Зинатне, 1980,315 с.

68. Кузнецов Р.А. Активационный анализ. М., 1967, Атомиздат, 343 с.

69. Вандекастеле К. Активационный анализ с использованием заряженных частиц. М., Мир, 1991, 208 с.

70. G.E. Remnev at all High-power ion beam sources for industrial application. J. Surface and Coating Technology, 1997, No.96, pp. 103-109.

71. A.D. Korotaev, A.N. Tyumentsev, Yu.P. Pinzhin, G.E. Remnev Features of the morphology, defect substructure, and phase composition of metal and alloy surfaces upon high-power ion beam irradiation. Surface and Coating Technology. 2004, No. 185, pp. 38-49

72. Анисимов С.И. и др. Действие излучения большой мощности на металлы., М. Наука, 1970.

73. Ремнев Г.Е., Закутаев А.Н., Иванов Ю.Ф., Матвиенко В.М., Потемкин А.В. Осаждение тонких пленок при воздействии мощных ионных пучков на металлы //Письма в ЖТФ, 1996, т. 22, в. 8, с. 68 72.

74. Ельшевич М.А. и др. Разрушение металлов под действием излучения оптического квантового генератора. Отчет института физики АН БССР №КЭ-14. Минск 1963.

75. Анисимов С.И. и др. Действие излучения большой мощности на металлы., М. Наука, 1970.

76. Ready J.F. Effects of High-Power Laser Radiation, New York: Academick Press,1971.

77. C.A. Анисимов, Б.С. Лукьянчук Избранные задачи теории лазерной абляции. Успехи физических наук, 2002г., т.172, №3, с.301-333.

78. Ремнев Г.Е., Закутаев А.Н., Иванов Ю.Ф., Матвиенко В.М., Потемкин А.В. Осаждение тонких пленок при воздействии мощных ионных пучков на металлы //Письма в ЖТФ, 1996, т. 22, в. 8, с. 68 72.

79. S.M.Sze,Semiconductor Devices Physics and Technology Chapter 1, Wilay, New York,1985 P.5.

80. В. Л. Бонч-бруевича .Проблемы физики полупроводников.- 1957.-С.631.

81. В. Л. Бонч-бруевича .Проблемы физики полупроводников.- 1957.-С.631.-с.254.

82. Г.Р. Уилкинсон. Спектры комбинационного рассеяния ионных, ковалентных и металлических кристаллов. В книге Применение спектров комбинационного рассеяния под ред. А. Андерсона перевод с английского, под ред. К.И. Петрова, Изд-во «МИР», М. 1977, с 408-578