Оптоэлектронные свойства бирефрактивных кристаллов A2B5 и приборов на их основе тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат наук Стамов, Иван Григорьевич

• Стамов, Иван Григорьевич
• кандидат наук
• 2016

Оглавление диссертации кандидат наук Стамов, Иван Григорьевич

Оглавление

1 Свободные и связанные экситоны в кристаллах дифосфидов

и диарсенидов цинка и кадмия

1.1 Экситоны в ZnAs2

1.2 Экситоны в /3 - гпР2

1.3 Влияние электрического поля на экситоны в ZnP2(C25h)

1.4 Обратная серия линий поглощения

1.5 Спектры излучения свободных и связанных экситонов ъСё,Р2(и\)

1.6 Спектры излучения свободных и связанных экситонов в^пР2(^4)

2 Бирефракция и структура энергетических зон кристаллов А2В5.

2.1 Гиротропия тетрагональных дифосфидов цинка и кадмия

2.2 Двулучепреломление и структура энергетических зон в области края поглощения кристаллов САР2 и ZnP2(D^)

2.3 Двулучепреломление и структура зон в области края поглощения в кристаллах ZnP2(C5h) и ZnAs2(C5h)

2.4 Оптические свойства кристаллов Zn3P2 в глубине полосы поглощения.

2.5 Электронные переходы в глубине полосы поглощения 1 ^ 11 эВ кристаллов сар2

2.6 Электронные переходы в глубине полосы поглощения кристаллов гпР2(Р1)

2.7 Электронные переходы в глубине полосы поглощения и структура энергетических зон кристаллов ZnP2(C5h)

2.8 Электронные переходы в глубине полосы поглощения кристаллов

гпАв2

2.9 Особенности валентных зон полупроводниковых соединений А2В5. .

3 Фотоэлектронная эмиссия и фотоэлектронные явления в структурах металл — ZnAs2, ZnP2(C5h), ZnP2(D8),CdP2

3.1 Физико-химические свойства поверхности АВ5

3.2 Влияние ионной бомбардировки на свойства поверхности А2В5

3.3 Влияние ионной бомбардировки на свойства поверхности А2В5

3.4 Л — Модулированная фотоэмиссия с поверхности соединений А2В5

3.5 Спектральные характеристики фототока барьеров металл -CdP2. Влияние электрического поля

3.6 Фотоэлектрические свойства барьеров Шоттки на дифосфиде цинка тетрагональной модификации

3.7 Фотоэлектрические свойства барьеров Шоттки на дифосфиде цинка моноклинной модификации

3.8 Фотоэлектрические токи в активных структурах на диарсениде цинка

4 Контактные явления. Перенос заряда

4.1 Общие характеристики контактов металлов с дифосфидами цинка

и кадмия электронной проводимости

4.2 Перенос заряда в контактах Шоттки металл - А2В5 п — типа проводимости. Вольт амперные характеристики контактов

4.2.1 Вольт амперные характеристики (ВАХ) барьеров Шоттки металл — CdP2

4.2.2 Электрические характеристики барьеров Шоттки металл

а - ZnP2

4.2.3 Вольт амперные характеристики (ВАХ) барьеров Шоттки металл — ft — ZnP2

4.3 Характеристики комплексной проводимости барьеров металл —А2В5

4.3.1 Характеристики комплексной проводимости барьеров Шоттки металл — CdP2

4.3.2 Влияние компенсации глубоких доноров в слое объемного заряда контакта металл — CdP2, — ZnP2 на характеристики полной проводимости

4.3.3 Характеристики комплексной проводимости барьеров Шоттки металл — а — ZnP2

4.3.4 Характеристики комплексной проводимости структур металл

— гпР2

4.4 Долговременная релаксация проводимости в барьерах на моноклинном дифосфиде цинка. Эволюция электрического поля барьера

4.5 Характеристики контактов на кристаллах ZnAs2 и ZnP2 — типа проводимости. Влияние ТОПЗ на перенос заряда в тонких слоях

гпР2

5 Гетеропереходы на полиморфных модификациях ЕпР2. Применение дифосфидов и диарсенидов цинка и кадмия

5.1 Кристаллохимические основы образования гетеропереходов на полиморфных модификациях кристаллов

5.2 Электрические характеристики гетеропереходов о — @ — ZnP2

5.2.1 Вольт — амперные характеристики гетероперехода а(п) —

¡3 (р) — гпР2

5.2.2 Вольт фарадные характеристики и комплексная проводимость гетероперехода

5.3 Фотоэлектрические свойства гетеропереходов

5.3.1 Спектральные характеристики фототокар(0) — п(а) — ZnP2

5.3.2 Поляризационные характеристики фототока

5.3.3 Частотные характеристики фототока

5.4 Энергетическая диаграмма и спектральные характеристики фототока гетероперехода п\(Р) — п2(а) — ZnP2

5.5 Применение полупроводников А2В5 дырочной проводимости в качестве терморезисторов и термисторов

5.6 Фотоэлектронные эмиттеры

5.7 Применение моноклинных диарсенида и дифосфида цинка для анализа линейно поляризованного света

5.8 Селекторы мод на интерференции света в тонких слоях диарсенида цинка

5.9 Оптические фильтры на кристаллах дифосфидов и диарсенидов

цинка и кадмия

5.10Датчики температуры и модуляторы света на тетрагональных кристаллах дифосфидов и диарсенидов цинка и кадмия

5.10.Щатчики температуры на тетрагональных кристаллах дифосфидов и диарсенидов цинка и кадмия

5.10.2Модуляторы света и преобразователи частоты сигналов на тетрагональных кристаллах дифосфидов и диарсенидов цинка и кадмия

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Оптоэлектронные свойства бирефрактивных кристаллов A2B5 и приборов на их основе»

Введение

При исследовании и разработке полупроводниковой оптоэлектроники из года в год происходит привлечение все новых материалов и структур с широкими пределами вариации их свойств и характеристик [1]. Для развития поляризационной оптоэлектроники необходимы материалы с сильной анизотропией электронных и оптических свойств, на базе которых создаются активные элементы: р — п - переходы, гетеропереходы, контакты Шоттки. Такими свойствами обладают соединения группы А2В 5 которые имеют сильно выраженные бире-фрактивные свойства, отвечают многим требованиям, предъявляемым к полупроводникам, и являются высокотехнологичными материалами [2 5]. Физико-химические свойства этих материалов таковы, что кристаллы на их основе легко выращиваются . В группу входят полупроводники с широким диапазоном ширины запрещенной зоны: С(1Р2, ZnP2(D^), ZnP2(C¡5h) — (1.5 ^ 2.2) эВ, Zn3P2, ZnAs2, СйАв2, С(1Р4 « 0.9 эВ и Zn3As2 и С(13Р2 ~ 0.7. Эти материалы обладают большим разнообразием физических свойств, такими как высокая оптическая активность тетрагональных и значительный плеохроизм моноклинных кристаллов, полупроводниковые свойства и возможность инверсии типа проводимости, поперечный эффект Дембера и.т.д. Эти и другие физические свойства соединений А2В5 и явления в них представляются перспективными для создания различных приборов, в том числе и таких, параметрами которых можно управлять поляризованным излучением.

Исследования физико-химических, структурных и физических свойств соединении А2В5 проводились во многих странах - России (ФТИ им. А. Ф.Иоффе АН России, МГУ Москва, ВГУ Воронеж, ИОНХ Москва и др.), США, Японии и др.

Свойствам материалов этой группы посвящены монографии: W. Freyland, О.Madelung. Semiconductors. Physics of Non-tetrahedrally Bonded and Binary Compounds. Springer-Verlag Berlin Heidelberg New York Tokyo. 1983; Лазарева В.Б., Шевченко В.Я., Гринберг Я.Х., Соболева В.В. Полупроводниковые соединения группы А2В5.(Ш.: Наука, 1978.), Сырбу H.H. Опто-электронные свойства соединений группы А2В5 (Кишинев, Штиинца, 1983г), С.Ф.Маренкина, В.М.Трухина. Фосфиды, арсениды цинка и кадмия. Минск, изд. А.Н. Вараксин, 2010.

На основе результатов исследований, представленных в [2 5] сформулированы представления о возможностях применения этих материалов и приоритетные задачи, связанные с управлением их свойствами и свойствами активных структур на их основе. Таким образом, актуальность работы определяется огромным интересом исследователей к изучению свойств анизотропных материалов с научной точки зрения и существованием реальной перспективы создания и применения приборов, изготовленных на основе соединений А2В 5

Связь работы с научными программами, планами, темами.

В диссертационную работу включены результаты исследований и разработок выполненных на кафедре полупроводниковой микроэлектроники Технического университета Молдовы и в научно-исследовательской лаборатории «Полярой» Приднестровского государственного университета им. Т.Г.Шевченко. Некоторые разделы работы выполнена в рамках научно-технической программы «Физика твердотельных наноструктур» (грант №95-1001) и проектов, поддержанных Российским фондом фундаментальных исследований (гранты № 9602-16933 и № 97-02-18138).

Цель и задачи исследования:

Основной задачей диссертационной работы является экспериментальное исследование анизотропии оптоэлектронных свойств полупроводниковых кристаллов А2В5 с пониженной симметрией а именно, влияние понижения анизотропии на их оптические и фотоэлектронные свойства, изучение явлений на поверхности и на границах раздела таких кристаллов с металлами и другими полупроводниками, выяснение возможностей практического применения опти-

ческого и фотоэлектрического дихроизма и оптической активности этих полупроводников.

Решены следующие задачи:

1. Разработаны технологии получения совершенных нелегированных и легированных Мп, СЩ Бщ БЬ, Те, А1 кристаллов СйР2) ZnP2, ЕпАб2, в том числе твердых растворов в системах ZnP2 — ZnAs27 ZnP2 — Сё,Р2) структур металл — полупроводник с омическими контактами и барьерами Шоттки к кристаллам С(1Р2, ZnP2(D8).l ZnP2(C25h)) ZnAs2, С(1Р4.

2. Разработаны методы, сконструированы и созданы экспериментальные установки для измерения оптических, фотоэлектрических и эмиссионных характеристик кристаллов и поверхностно - барьерных структур в поляризованном свете, в том числе методом модуляции по длине волны света.

0. 2 —

1000

стеи кристаллов А2В 5 электрические, фотоэлектрические и др. характеристики поверхностно-барьерных и гетеропереходных структур.

4. Построены теоретические модели для интерпретации электронных переходов в оптических спектрах, электрических и фотоэлектрических процессов в структурах Шоттки и гетеропереходах.

Объект исследования.

Двулучепреломляюгцие кристаллы группы А2В5 и приборные структуры на их основе: диоды Шоттки, р — п^ переходы, гетеропереходы на полиморфных модификациях, фотоприемники и фотодетекторы линейно поляризованного излучения, фотокатоды с отрицательным электронным сродством, электронные и оптические переключатели и элементы памяти.

Предмет исследования.

Спектроскопия собственных и примесных состояний бирефрактивных полупроводниковых кристаллов группы А2В5, фотоэлектронные явления и явления переноса заряда в этих материалах и структурах на их основе.

Методы исследования.

Оптическая и фотоэлектронная спектроскопия на спектрометрах высокого разрешения и светосилы двойном люминесцентном спектрометре СДЛ 1, двойном рамановском спектрометре ДФС 32, спектрометрах МДР 2 и МДР

23, SPECORD М40, JASCO 670, Фурье спектрометре ЛАФС 1000, частотная, вольт ёмкостная, оптическая и фотоэмиссионная спектроскопии в цифровом формате с последующей математической обработкой в широком интервале температур (Низкотемпературные измерения выполнены преимущественно в жидком гелии при 2 К в Санкт-Петербурге и при 10 К в замкнутой гелиевой системе LTS-22 С 330 optical cryogenic system).

Научная новизна.

Научная новизна работы определяется новыми физическими результатами:

— В кристаллах ZnP2(C5h) впервые обнаружены водородоподобные состояния в области края фундаментального поглощения, детально исследовании син-глетные экситоны симметрии Г-(г), разрешенные в поляр изации Е || си ортоэкситоны симметрии 2Г-(у) + Г- (х) в поляризации Е ± с. Контуры отражения основного состояния экситонов Г-(г) изменяется от 5 до 95% и описываются классическим экситон-поляритонным эффектом. Обнаружены линии возбужденных состояний экситонов до п = 7.

— Экспериментально подтвержден вывод о значительной силе осциллятора экситонов Г-(г) в кристаллах ZnP2(С\h) и о значительной величине энергии связи биэкситонов в ZnP2j что расширяет перспективы экспериментальных исследований экситон биэкситонной конверсии в полупроводниках.

— В кристаллах ZnP2(С5h) обнаружена уникальная обратная водородоподоб-ная серия (ОВС) из 9 линий поглощения с длинноволновой стороны спектра экситонных состояний и прямые водородоподобные серии (ПВС) с длинноволновой стороны каждой линии ОВС. ОВС обусловлена взаимодействием электронов в зонах проводимости с противоположными эффективными массами тс\ > 0 и тс2 < 0 (биэлектрон) [ ], а ПВС обусловлены взаимодействием биэлектрона с положительно заряженным центром в запрещенной

зоне. Эти водородоподобные состояния представляют вместе биэлектронно-примесный комплекс (ВПК). Спектроскопия ОВС и ВПК стимулировали серию теоретических работ по ВПК (опубликовано более 15 теоретических исследований). К публикациям по ОВС имеются множество адресаций. Существование двух связанных электронов (2е) с противоположными массами подтверждено в книге М. Кардоны исследованиями трионов (связанное состояние двух электронов и одной дырки) в магнитных полях, а также в экспериментах по сильно возбужденным электронам BGaAs [ ]. Состояния по ОВС рассматриваются в отчетах венчурного фонда ВПК России.

— Обнаружены и впервые исследованы гетеропереходы на полиморфных модификациях дифосфида цинка, что расширило спектр гетерогенных систем и представления об их образовании на кристалло-геометрических приципах Руайе-Фриделя и псевдоморфизме Ван-дер Мерве, а также образования ост-ровковых зародышей по механизму Странского Крастанова не только на плоскости, но и в объеме. Анизотипные и изотипные гетероструктуры на полиморфных модификациях дифосфида цинка, составленные из дихро-ичных и гиротроиных фрагментов, представляют интерес для обработки сигналов в приборах поляризационной оптоэлектроники.

— Экспериментально доказана возможность создания состояния эффективного отрицательного электронного сродства (ЭОЭС) на поверхностях исследуемых соединений, что увеличило число фотоэмиссионных материалов и привело, в частности, к сдвигу красной границы фотоэлектронной эмиссии до 1.35 мкм за счет получения ЭОЭС на GaAs и созданию приборов эмиссионной фотоэлектроники, чувствительных к поляризации света.

— Исследованы оптические, фотоэлектрические и фотоэмиссионные явления в бирефрактивных кристаллах группы А2В 5 структурах металл полупроводник, гетеропереходах, а также явления переноса заряда в этих структурах. Результаты этих исследований позволили установить рамки возможностей применения материалов этой группы для задач поляризационной фотоэлектроники на анизотропных кристаллах. При этом, обнаружены долговременная релаксация проводимости в поверхностно - барьерных

и

структурах на С5h (эффект памяти), не имеющая аналогов в других материалах и структурах, токи, ограниченные объемным зарядом (ТОПЗ), в тонких слоях р — ZnP¿(С5h) и другие оптические, электрические и фотоэлектрические эффекты, свойственные этим материалам и структурам.

— Впервые обнаружены связанные экситоны на аксиальных центрах Cd., Sn7 Sb и Мп в кристаллах ZnR¿(D8) и CdP2(D8) и установлена связь между параметрами расщеплений состояний электрона кристаллическим полем (Дет) и спин-орбитальным взаимодействием (Д50) и природой центров, с которыми связан экситон и построены энергетические схемы электронных переходов.

— Обнаружены новые особенности оптической активности в кристаллах CdP2(D8), связанные с возможностью получения твердого раствора или доменов из энантиомерных фаз дифосфида кадмия вариацией технологии получения кристаллов.

— Установлено, что из-за значительных величин бирефракции в относительно тонких пластинах одноосных тетрагональных кристаллов дифосфидов цинка и кадмия и двухосных моноклинных кристаллов дифосфидов и диарсе-нидов цинка в определенных направлениях распространения поляризованного света проявляется ярко выраженная интерференции обыкновенных и необыкновенных лучей. Запрет на оптические переходы для определенных поляризаций света в зонной структуре кристаллов симметрии С^ обуславливает значительную бирефракцию в области края фундаментального поглощения и определяет природу линейного дихроизма.

Практическая значимость полученных результатов.

Разработана технология получения нелегированных и легированных монокристаллы группы Á2B5 высокого качества, а также омических и выпрямляющих контактов к ним (барьеров Шоттки,р — п — переходов и гетеропереходов на основе этих соединений).

Разработаны методики Л — модуляционной спектроскопии исследования поверхностных и объемных оптических, фотоэлектрических и фотоэмиссионных свойств полупроводников.

Разработана и изготовлена установка для комплексного исследования свойств поверхности полупроводников, фотоэмиссии, оже — спектров, масс — спектров с возможностью прогрева образцов, ионного травления поверхности, активирования и др.

Разработаны технологии получения атомарно чистой поверхности кристаллов ЕпР^С^), ZnP2(D8)^ ZnAs2(C25h), С(1Р2(Р\)^ С(1Р4 и снижения работы выхода для приборов фотоэмиссионной электроники.

Проведено комплексное исследование свойств поверхности соединений группы А2В5: гпР2(С5к), гпР2(^1\ 2пАз2(С2У)> СйР2(Р1), С<1Р±. Показана перспективность использования моноклинных материалов дырочной проводимости в качестве фотоэлектронных эмиттеров для ПК области спектра.

Впервые разработаны и созданы опытные образцы: инверторов тока, с характеристиками, управляемыми поляризацией излучения, поляризационно-чувствительных фотоприемников, фотоэмиттеров для ближней ПК — области спектра, узкополосных фотодетекторов, бистабильных электрических переключателей, реле времени и элементов памяти, оптических фильтров, в том числе для фильтрации импульсов лазерного излучения, несущих информацию в окнах прозрачности оптических волокон (1.3 и 1.5 мкм).

Положения выносимые на защиту:

1. Результаты экспериментальных исследований свойств экситонных состояний в кристаллах ЕпР2(С5у),%пР2ф8),ЕпР2(С^у) ^ ZnAs2. В кристаллах гпР2(С1}ъ) спектры экситонов обусловлены сильным экситон -фотонным взаимодействием. Экситоные переходы разрешены в поляризации Е || си обладают симметрией Г— (г). В поляризации Е ± с переходы в экситонные состояния слабо разрешены и образуют ортоэкситонную серию с симметрией 2Г— (у) + Г— (х). Синглетные экситоны Г— (г) и ортоэкситоны симметрии 2Г— + Г— происходят от одной и той же пары зон. Разные энергии связи

экситонов обусловлены различной эффективной массой дырок для различных направлений волнового вектора к.

2. В длинноволновой области экситонных спектров кристаллов ZnР2(С5h) с электронной проводимостью обнаружена и детально исследована обратная водородоподобная серия (ОВС) состоящая из 9 линий поглощения, обусловленная биэлектронно — примесным комплексом (ВПК). С увеличением концентрации свободных носителей заряда предел сходимости ОВС смещается в длинноволновую область. Энергия связи биэлектрона не зависит от концентрации носителей заряда, когда как с ростом величины электрического поля предел сходимости ОВС смещается в коротковолновую область.

3. В ZnAs2 С — синглетная экситоиная серия симметрии Г-(г), разрешенная в поляризации Е || с, характеризуется слабым экситон — фотонным взаимодействием. Продольно — поперечное расщепление и радиус Бора син-глетных экситонов Г-(г) в ZnAs2 меньше, чем в ZnP2(С\h)• В кристаллах ZnAs2 величина расщепления верхних валентных зон в центре зоны Брил-люэна из-за кристаллического поля (Дсг = 14.6 мэВ) меньше расщепления из-за спин-орбитального взаимодействия (Д50 = 19.3 мэВ).

4. В кристаллах CdP2 и ZnP2 доминирующую роль в люминесценции играют экситоны, связанные на аксиальных центрах примесей Мщ Cd, N7 Sn, Sb. Волны излучения свободных и связанных экситонов интерферируют. Излучение фононов при аннигиляции экситона в спектрах люминесценции приводит к резонансному возбуждению запрещенных состояний связанного экситона и усилению люминесценции с запрещенных уровней.

5. Спектральные зависимости оптических функций щ к, £\, 8% ^Jf для кристаллов Zn3P2,ZnP2(D4i),CdP2,ZnP2(С5h),ZnAs2 в области энергий (1-11)эВ, определенные из экспериментальных спектров отражения, обладают существенной анизотропией. Обнаруженные сингулярности оптических функций щ к, £2j d jj^f обусловлены электронными переходами между

Г

X, L и S зоны Бриллюэна.

6. Показана возможность создания и созданы гетеропереды на основе разных фаз одного и того же соединения — ^пР2. Изотипные а(п) — ¡3(р) и анизотипные а(п) — @(п) гетеропереходы ZnP2(C5h)/ZnP2(D4), полученные эпитаксиальным наращиванием ZnP2(Df) и ZnP2(C5h) фаз, являются элементами приборов поляризационной электроники.

7. Исследованиями методом Оже-спектроскопии поверхности кристаллов С<!Р4^пР2(В8),С<1Р2^пР2(С5}1)^пА82 показана возможность очиски поверхности и создания на ней отрицательного эффективного электронного сродства (ЭОЭС). Термообработка кристаллов при температурах (200 ^ 450)0 С приводит к росту концентрации основных носителей заряда в кристаллах р — типа проводимости и к инверсии знака проводимости в приповерхностной области в кристаллах п — типа проводимости. В системе р — ZnAs2 : С в — О реализуется состояние (ЭОЭС), устойчивое после прогрева до температур (160 ^ 180)0 С.

8. Контакты кристаллов п — типа проводимости с металлами и проводящим окислом 1ТО образуют запорные слон. Высота барьеров определяется работой выхода металла. Кристаллы дырочного типа проводимости с металлами образуются омические контакты или слабо выраженные запорные слои. В структурах на дифосфидах цинка и кадмия с выпрямляющими электрическими контактами полная проводимость имеет комплексный характер и ярко выраженную частотную зависимость, обусловленную перезарядкой глубоких уровней, определяющих проводимость полупроводника, на границах слоя объемного заряда.

Обоснованность и достоверность научных положений, выводов и рекомендаций.

Достоверность результатов экспериментальных исследований обеспечена адекватным выбором методик и научного оборудования, подтверждением полученных данных в работах российских и зарубежных ученых. Обоснованность научных положений и рекомендаций следует из удовлетворительного согласия

экспериментальных результатов с теоретическими описаниями явлений и процессов по разработанным для этих случаев физическим моделям.

Личный вклад соискателя.

Автором сформулированы основные цели и задачи работы, разработаны и реализованы методики исследований, выполнены основные экспериментальные исследования, разработаны модели и проведено компьютерное моделирование.

Апробация результатов диссертации.

Результаты диссертационной работы докладывались на международных конференциях и симпозиумах, в числе которых: Международная конференция «Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы», Ульяновск, 2003, 2005, 2007, 2009, 2011, 2012, 2013, 2014, 2015 г.; международная конференция «Optics of excitons in condens matter», St.-Peterburg, 14-18 sept., 1997; XVII Intern. Conf. on Coherent and Nonlinear Optics, Minsk, Belarus, June 26-july 1, 2001; Intern. Conf. "Materials science and condensed matter physics Chisliinau, Moldova, 2001,2004, 2006, 2008, 2010, 2012, 2014, 2016; International Conference "Physics of electronic materials Kaluga, Russia, 2005, 2008 г.; 2 Теренинская научно-практическая конференция, Калуга, 5-6 мая, 2006 г.; III М1жнарод-на науково-практична конференщя «Матер1али електронно1 техшки та су-часш шформацшш технологи» (METIT-3), Кременчук, 21-23 Травня, 2008; 7th Belarusian-Russian Workshop Semiconductor Lasers and Systems, 1-5 June 2009; Minsk, Belarus; The 33 rd ARA Congress Modernism and Progress in Arts and Sciences, Sibiu, June 02 - 07, 2009; Международная конференция «Математическое моделирование в образовании, науке и производстве» 1999, 2001, 2003, 2005, 2007, 2009, 2011, 2013, 2015 г., Международная конференция «Telecommunications, Electronics and Informatics», May 20-23, Chisinau, 2010 -2016 г. и др.

Глава 1

Свободные и связанные экситоны в кристаллах днфосфндов и днарсенндов цинка и кадмия.

1.1 Экситоны в ЕпАв2.

Первые исследования анизотропии оптических свойств в области фундаментального поглощения выполнены в [8, 9]. В этих работах показано, что край поглощения формируется прямыми поляризованными электронными переходами. В области прозрачности поглощение в поляризации Е || с больше, чем в поляризации Е ± с [ ]. Резкий подъем коэффициента поглощения при 300 К начинается с энергии 0.91 эВ, а в поляризации Е ± с — с энергии 0.93 эВ. При понижении температуры края поглощения смещаются в сторону больших энергий. Температурный коэффициент смещения [5 = ^ в интервале температур 300 ^ 77 К для поляриз ации Е || с раве н 3.1 • 10—4 эВ/град и для поляризации Е ± с равен 4.6 • 10—4 эВ/град. В интервале температур 10 ^ 77 К для поляризации Е || с коэффициент @ равен 3.5 • 10—4 эВ/град, для поляризации Е ± с — 2.06 • 10—4 эВ/град. Подобное различие температурных коэффициентов смещения края наблюдалось и в других кристаллах группы А2В5 [ , , ].

Экситонные состояния в области края поглощения в кристаллах ZnAs2 обсуждались в [ , ]. В этих работах обнаружены Б — состояния экситонов. Анализ экситонных спектров отражения линии п = 1 при 77 К проведен без учета поляритонных эффектов, наличия мертвого слоя и др.

В рамках теории Томаса Хопфидда [13,14], при учете дополнительных граничных условий Пекара [15], диэлектрическая проницаемость среды в окрестности экситонного резонанса имеет вид:

£{и,к) = еЕ + —- Н2к2-;--(1.1)

ш<2 — ш2 + и0 — г^ш

где ер — фоновая диэлектрическая проницаемость, обусловленная вкладом всех механизмов взаимодействия, кроме рассматриваемого осциллятора; ш0 — поперечная частота экситона, М = т* + т* — трансляционная масса экситоиа, к — волновой вектор, си^т = ^ь — продольно — поперечное расщепление, си^ — продольная частота экситона.

Коэффициент отражения для изотропного кристалла при нормальном падении света на границу кристалл МС вакуум определяется следующим соотношением:

Я =

1—пр , пр—п* ^12кпо1 1+по п0+п*

1 + 1—по , по—п* ег2кп01

1+по по+п*

2

(1.2)

где п0 = 1/60, п* = I — глубина "мертвого слоя", к — волновой вектор

экситона, п1,п2 показатели преломления поперечных волн с учетом зависимости от фактора затухания 7.

На рис. 1.1 (А) представлены контуры измеренных и рассчитанных спектров отражения монокристаллов ZпAs2 полученных из газовой фазы в поляризации Е ^с при 10 К. В спектрах выявлены линии п = 1 при энергии 1.0402 эВ, п = 2 при 1.0497 эВ и п = 3 при 1.0515 эВ. Контур спектров отражения полосы п = 1 изменяется от 15% до 50%. Постоянная Ридберга свободных экситонов рассчитанная по энергетическому положений линийп = 1 и 2 равна 12.6 мэВ, а по положению линии п = 2 и п = 3 равна 12.9 мэВ. Приняв энергию связи экситона равной 12.9 мэВ определена ширина запрещенной зоны Ед = 1.0531 эВ. Энергия связи экситона 12.6 мэВ, полученная из расчетов по линиям п = 1 и 2 близка к величине 12.0 мэВ, полученной в работах [ , , , ] также по поп = 1 п = 2 п = 2 3 п = 1 2

Рисунок 1.1: Спектры отражения Д кристаллов ZnAs2 в поляризации Е || с (А, В) и спектры пропускания

Т в поляризации Е || с (В) толщиной 0.45 мкм.

Контуры спектров отражения рассчитаны по двух осциддяторной модели на основе дисперсионных соотношений. Расчеты контура спектров отражения дает удовлетворительное согласие эксперимента и теории для состояния п = 1 при следующих параметрах и0 = 1.0402 эВ, шьт = 1.7 мэВ, М = 1.15 • т0, е0 = 11,

о

7 = 1.1 мэВ и I = 15 А Для состояния п = 2 и0 = 1.0497 эВ, иьт = 0.5 мэВ, М = 1.0 • пю, 60 = 11 7 = 1.7.

На рис. 1.1 (В) сопоставлены спектры отражения массивных кристаллов (для сравнения) и пропускания кристаллов толщиной 0.45 мкм (кривая Т). Малая толщина кристалла позволила измерить спектры поглощения в максимуме эк-ситонного спектра {шт) в поляризации Е || с. Кристаллы таких

толщин были прозрачными в области энергий Е > Еп=\ вплоть до 1.12 эВ. В области энергий 0.9 ••• 1.12 эВ в спектрах пропускания Т обнаруживается ярко выраженная интерференционная картина. При приближении к энергии максимума спектров отражения шт(<^>0) со стороны меньших энергий интенсивность интерференционных спектров уменьшается. Интерференционные спектры практически полностью согласуются со спектрами отражения, имеют минимальное значение пропускания (максимальное значение поглощения) при энергии шт(<^>0). Одновременно, следует отметить, что интерференционные полосы наблюдаются и при энергиях превышающих шт(<^>0).

В спектрах отражения сколотых кристаллов ZnAs2, полученных из расплава и измеренных в поляризации Е || с при температуре 10 К также обнаруживаются экситонные максимумы. Контур спектров отражения линии п =1 изме-

Рисунок 1.2: А — Спектры отражения Д, пропускания Т кристаллов толщиной 0.45 мкм и поглощения К кристаллов 408 мкм в поляризацпн Е Т с, В — спектры отражения Д в поляризации Е || с и кривые а в

иеполяризованном свете.

няется в пределах от 15 до 45%. Максимум отражения п = 1 наблюдается при 1.0399 эВ, п = 2 при 1.0497 эВ и п = 3 при 1.0518 эВ. Возбужденное состояние п = 3 проявляются слабо. Величина энергии связи экситона, рассчитанная по положению линий п = 1 и 2, равна 13.3 мэВ, а по положению линий п = 2 и п = 3 равна 13.7 мэВ. Расчеты контура спектра отражения основного состояния экситона, выполненные на основе вышеприведенных соотношений дают удовлетворительное согласие эксперимента и теории при следующих параметрах ыо = 1.0402 эВ, = 1.7 мэВ, М = 1 • со = 10.9, 7 = 1.5 мэВ, I = 10 А, Ед = 1.0536 эВ. Из экспериментальных данных видно, что параметры эксито-нов для кристаллов выращенных разными методами практически совпадают.

Спектры отражения Д, пропускания Т в поляризации Е ± с кристаллов толщиной 0.45 ^^м и ^отлощения К кристаллов толщиной 408 мкм полученных из газовой фазы представлены на рис. 1.2(А). В спектрах пропускания кристаллов 0. 45 1 . 3

408 10

мум в области изменения интерференционной картины (рис.1.2(А)). В спектрах отражения Я в поляризации Е ± с наблюдается слабый максимум, положение которого смещается с повышением температуры в сторону меньших энергий. Разность максимального и минимального значения отражения в области экси-тонного резонанса составляет 4 • • • 5%.

Рисунок 1.3: Спектры интерференции пропускания Т при 10 К (А, В) нанокристаллов толщиной 0.45 мкм и спектральные зависимости показателя преломления п в поляризациях Е || си Е ± с нанокристаллов ZnAs2

(А, С).

Оптические свойства соединения ZnAs2 практически аналогичны свойствам моноклинных кристаллов ZnP2 [ - ]. В оптических спектрах кристаллов ди-фосфида цинка вблизи фундаментальной полосы поглощения наблюдается во-дородоподобная серия синглетного электрически диполыюго экситона и относительно слабые диполыю запрещенные три водородоподобные экситон-ные серии [ - ]. В группе симметрии С.5 к которой относятся соединения ZnAs2 и ^пР2 имеет место разрешенный в поляризации Е || с синглетный эк-ситон симметрии Г-( г)[]. В поляризации Е ± с в кристаллах симметрии С5^ обнаруживаются три состояния орто — экситона симметрии 2Г-(у) + Г-(ж). Следовательно обнаруженные особенности в спектрах отражения кристаллов ZnAs2 в поляризации Е || с (рис. ) обусловлены синглетным экситон симметрии Г-( г).

Список литературы диссертационного исследования кандидат наук Стамов, Иван Григорьевич, 2016 год

Список литературы

1. Л.А.Головань, В.Ю.Тимошенко, П.К.Кашкаров. Оптические свойства нанокомпозитов на основе сложных систем // Успехи физических наук.

2007. Vol. 177. Pp. 619 638.

2. Freyland W., O.Madelung. Semiconductors. Physics of Non- tetrahedrally Bonded and Binary Compounds. 1. Springer-Verlag Berlin Heidelberg New York Tokyo, 1983.

3. Полупроводниковые соединения группы A2B5. / В.Б.Лазарев, В.Я.Шевченко, Я.Х.Гринберг, В.В.Соболев. Москва: Москва: Наука, 1978. 256 с.

4. Н.Н.Сырбу. Оптоэлектронные свойства соединений А2В5 Кишинев: Штиинца, 1983. 155 с.

5. С.Ф.Маренкин, В.М.Трухан. Фосфиды, арсениды цинка и кадмия. Минск, изд. А. Н. Вараксин, 2010.

6. Е.Ф. Гросс. Магнито-электрические свойства биэлектрона в кристалле BiJ3 // Письма в ЖЭТФ,. - 1971. - Vol. 13. - Pp. 503-506.

7. Coherent Ballistic Motion of Electrons in a Periodic Potential / W. Kuehn, P. Gaal, K. Reimann et al. // Physical, Review Letters. 2010. april 9. Vol. 110(14). P. 146602.

8. W.J.Turner, A.S.Fischler, W.E.Reese. Physical Properties of Several II-V Semiconductors // Phys Rev. 1961. Feb. Vol. 121. Pp. 759 767. http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRev.121.759.

9. Н.Н.Сырбу. Автореферат кандидатской диссертации. Воронеж.: Ph.D. thesis. 1969.

10. V.V.Sobolev, N.N.Syrbu. Optical Spectra and Energy Band Structure of the Monoclinic Crystals ZnP2 and ZnAs2 11 Physica Status Solidi (b). — 1972.

Vol. 51, no. 2. Pp. 863 872. http://dx.doi.org/10.1002/pssb. 2220510244.

11. Оптическая спектроскопия экситонных состояний в диарсениде цинка / А.В.Мудрый, В. М. Тру хан, А.И.Патук et al. // ФТП. 1997. Vol. 31, no. 9. Pp. 1029 1032. http://journals.ioffe.ru/ftp/1997/09/ page-1029.html.ru.

12. Параметры экситонов моноклинного диарсенида цинка / А. 14.Козлов, С.Г.Козлова, А.В.Матвеев, В.В.Соболев // ФТП. 2002. Vol. 36, по. 7.

Pp. 809 811. http://journals.ioffe.ru/ftp/2002/07/page-809. html. ru.

13. J.J.Hopfield, D.G.Thomas. Theoretical and Experimental Effects of Spatial Dispersion on the Optical Properties of Crystals // Phys Rev. 1963. Oct. Vol.132. Pp.563 572. http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRev. 132.563.

14. В.М.Агранович, В.Л.Гинзбург. Кристаллооптика с учетом пространственной дисперсиии. Теория экситонов. Москва: Наука, 1986. 260 с.

15. С.И.Пекар. Дисперсия света в области экситонного поглощения в кристаллах. // ЖЭТФ. 1958. Vol. 34, по. 5. Pp. 1176 1188.

16. Excitonic Polaritons in ZnAs2 / N.N.Syrbu, I.G.Stamov, A.Dorogan, L.Nemerenco // Japanese Journal, of Applied Physics. 2006. Vol. 45, no. 11R. P. 8724. http: //stacks . iop . org/1347-4065/45/i=llR/a=8724

17. Energy band structure and optical constants of ZnAs2 crystals / I.G.Stamov, N.N.Syrbu, V.V.Ursaki, A.V.Dorogan // Optics Communications. 2012.

Vol. 285, no. 13-14. Pp.3104 3110. http://www. sciencedirect. com/ science/article/pii/S0030401812002003.

18. Свободные экситоны в ZnP2 черной модификации / А.Б.Певцов, С.А.Пермогоров, А.В.Седькин et al. // ФТП. 1982. Vol. 16, по. 8.

Рр. 1399 1405.

19. Н.Н.Сырбу, В.М.Мамаев. Свободные экситоны в дифосфиде цинка черной модификации // ФТП. 1983. Vol. 17, по. 4. Рр. 694 697.

20. Н.Н.Сырбу. Влияние нарушения стехиометрии на экситонные, электронные и колебательные состояния в дифосфиде цинка // ФТП. 1992. Vol. 26, по. 06. Рр. 1069 1087. http: //j ournals.ioffе.ru/ftp/1992/06/page-1069.html.ru

21. И.С.Горбань, А.П.Крохмадь, З.З.Янчук. Экситоны в моноклинном дифосфиде цинка. Продольный экситон и смешанная мода. // ФТТ. 1999. Vol. 41, по. 2. Рр. 193 202. http://journals . ioffe .ru/ftt/ 1999/02/page-193. html. ru.

22. И.С.Горбань, А.П.Крохмадь, З.З.Янчук. Экситоны в моноклинном дифосфиде цинка. Ортоэкситон и подяритонные эффекты на n—1 резонансе. // ФТТ. 2000. Vol. 42, по. 9. Рр. 1582 1589. http://j ournals.ioffe.ru/ftt/2000/09/page-1582.html.ru

23. А.П.Крохмадь, В.А.Губанов, З.З.Янчук. Экситоны в моноклинном дифосфиде цинка. А-экситонная серия и эффект Фано. // ФТТ. 2003.

Vol. 45, по. 7. Рр. 1177 1184. http://journals.ioffe.ru/ftt/2003/ 07/page-1177. html. ru.

24. Т.М.Сушкевич. Правила отбора диподьных и квадруподьных переходов для кристаллов моноклинной сингонии // Известия, вузов: Физика. 1971. Vol. 7. Р. 155159.

25. Серия линий свободного экситона в диарсениде цинка / В.А.Морозова, В.С.Вавилов, С.Ф.Маренкин et al. // ФТТ. 1998. Vol. 40, по. 5. Рр. 877 878. http://journals.ioffe.ru/ftt/1998/05/page-877.html. ru.

26. Н.Н.Сырбу, И.Г.Стамов, С.И.Радауцан. Тонкая структура линий поглощения в кристаллах ZnP2 моноклинной модификации. // Доклады АН СССР. 1982. Vol. 262, по. 5. Pp. 1138 1142.

27. Свободные экситоны в ZnP2 черной модификации / А.Б.Певцов, С.А.Пермогоров, А.В.Селькин et al. // ФТП. 1982. Vol. 16, no. 8.

Pp. 1399 1405.

28. Внутризонная и межзонная релаксация экситонных поляритонов / А.Б.Певцов, А.В.Селькин, Н.Н.Сырбу, А.Г.Уманец // ЖЭТФ. 1985.

Vol. 89, по. 4. Pp. 1155 1167. http://www.jetp.ac.rU/cgi-bin/r/ index/e/62/4/p665?a=list.

29. Н.Н.Сырбу, С.Б.Хачатурова. Оптическая анизотропия линий экситонных серий в дифосфиде цинка // Доклады АН СССР. 1986. Vol. 286, по. 2.

Pp. 345 347.

30. O.Arimoto, S.Okamoto, K.Nakamura. Polariton Luminescence in Monoclinic ZnP2 Crystal. // Journal of the Physical Society of Japan. — 1990. — Vol. 59, no. 10. Pp.3490 3493. http://dx.doi.org/10.1143/JPSJ.59.3490.

31. Triplet-to-Singlet Conversion in the Exciton System in /3 — ZnP2-Anti-Stokes Exciton Luminescence / K.Nakamura, M.Shigoku, K.Kondo, O.Arimoto // Journal, of the Physical, Society of Japan, 1998. Vol. 67, no. 6. Pp. 1890

1893. http: //dx. doi . org/10 .1143/JPSJ . 67.1890.

32. M.Sugisaki, O.Arimoto, K.Nakamura. Intersystem Conversion between Singlet and Triplet Exciton States in ZnP2 // Journal of the Physical Society of Japan.

1995. Vol. 65, no. 1. Pp.23 26. http://dx. doi . org/10.1143/JPSJ. 65.23.

33. O.Arimoto, H.Takeuchi, K.Nakamura. Resonant scattering of exciton polaritons in ZnP2 crystals // Phys Rev B. - 1992. - Dec. - Vol. 46. - Pp. 15512 -15515. http: //link. aps . org/doi/10 .1103/PhysRevB . 46 .15512.

34. O.Arimoto, M.Tachiki, K.Nakamura. Temperature Dependence of Exciton Reflection Spectrain Monoclinic Zinc Diphosphide // Journal, of the Physical

Society of Japan. 1991. Vol. 60, no. 12. Pp. 4351 4356. http: //dx. doi . org/10.1143/JPS J. 60 .4351.

35. Magneto-Optical Effect of the Wannier Exciton in a Biaxial ZnP2 Crystal. Ill / T.Goto, S.Taguchi, K.Cho et al. // Journal of the Physical Society of Japan,

1990. Vol. 59, no. 2. Pp. 773 778. http://dx.doi.org/10.1143/ JPS J. 59.773.

36. Magneto-Optical Effects of the Wannier Exciton in a Biaxial ZnP2 Crystal. I / S.Taguchi, T.Goto, M.Takeda, G.Kido // Journal of the Physical Society of Japan, 1988. Vol. 57, no. 9. Pp. 3256 3261. http://dx.doi.org/ 10.1143/JPS J . 57.3256.

37. N.N.Syrbu, V.V.Ursaki. Exciton Quasiparticles: Theory, Dynamics and Applications / Ed. by Randy M. Bergin. Physics Research and Technology. Technical University of Moldova, Chisinau, MD, Moldova: Nova Science Publishers, 2011. https://www.novapublishers.com/catalog/product_infо.php? products_id=21200.

38. M.E.Fleet, T.A.Mowles. Structure of monoclinic black zinc diphosphide ZnP2 ¡I Acta Crystallographica C. — 1984. — Nov. — Vol. 40, no. 11. — Pp. 1778 1779. http://dx.doi.org/10.1107/S0108270184009513.

39. R.S.Berg, P.Y.Yu, T.Mowles. Exciton polaritons in monoclinic zinc diphosphide. // Solid State Communications. 1983. Vol. 46, no. 2. Pp. 101 104. http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/ 0038109883905872.

40. И.М.Цидильковский. Электроны и дырки в полупроводниках. Энергетический спектр и динамика. Москва: Наука, Москва, 1972. 640 с.

41. Э.Х.Родерик. Контакты металл-полупроводник. / Ed. by Г.В.Степанов. Москва: Радио и связь, 1982. 208 с.

42. В.А.Киселев, Б.В.Новиков, А.Е.Чередниченко. Экситонная спектроскопия приповерхностной области полупроводников. Ленинград: Издательство ЛГУ, 1987.

43. L.Schultheis, K.Kohler, C.W.Tu. Energy shift and line broadening of three-dimensional excitons in electric fields // Phys Rev B. 1987. Oct. Vol. 36.

Pp. 6609 6612. http: //link. aps . org/doi/10 .1103/PhysRevB . 36.6609.

44. Аномальный эффект Штарка на экситонных состояниях в предыонизациошюм электрическом поле. / А.Б.Новиков, Б.В.Новиков, Г.Роппишер at al. // Письма в ЖЭТФ. 1996. Vol. 64, no. 1. Pp. 38

42. http: //dx. doi . org/10 .1134/1.567156.

45. А.В.Селькин. Экситонное отражение света от планарных пространственно неоднородных структур // Вестник Санкт-Петербургского университета Серия: Физика, Химия. 1996. Vol. 2, no. 11. Pp. 87 90.

46. R.J.Damburg, V.V.Kolosov. A hydrogen atom in a uniform electric field // Journal of Physics B: Atomic and Molecular Physics. 1976. Vol. 9, no. 18. P. 3149. http : //stacks . iop. org/0022-3700/9/i=18/a=006.

47. Н.Н.Ахмедиев, М.И.Сажин, А.В.Селькин. Inhomogeneous boundary conditions for Wannier-Mott excitons. // ЖЭТФ. 1989. Vol. 96, no. 2. Pp. 720 734. http://www.jetp.ac.ru/cgi-bin/r/index/e/69/2/p408?a= list.

48. С.И.Радауцан, Н.Н.Сырбу, И.Г.Стамов. Тонкая структура уровней поглощения в кристаллах ZnP2 // Известия АН МССР: сер физ-техн и матем наук. 1981. Vol. 3. Pp. 85 86.

49. Экситоны в кристаллах ZnP2 в электрическом поле барьера Шоттки / С.О.Романовский, А.В.Селькин, И.Г.Стамов, Н.А.Феоктистов // ФТТ.

1998. Vol. 40, по. 5. Pp. 884 886. http://journals . ioffe .ru/ftt/ 1998/05/page-884. html. ru.

50. Н.Н.Сырбу, С.Б.Хачатурова, И.Г.Стамов. Влияние концентрации свободных носителей заряда на водородоподобные спектры в дифосфиде цинка // ФТП. 1984. Vol. 18, по. 8. Pp. 1498 1500.

51. Экситонные и биэлектрнные состояния кристаллов ZnP2 в электрическом поле барьеров Шоттки / А.Воронов, А.В.Селькин, 14.Г.Стамов, др. // Тезисы докладов / Ф14АН. Москва, Россия: 1997. Р. 203.

52. Е.Ф.Гросс, В.И.Перель, Р.И.Шехмаметьев. Inverse Hydrogenlike Series in Optical Excitation of Light Charged Particles in a Bismuth Iodide (Bil3) Crystal // Писълш в ЖЭТФ. 1971. Vol. 13, no. 6. Pp. 320 325. http://www.j etpletters.ac.ru/ps/1572/article_24094.shtml

53. Обратная водородоподобная серия в оптических спектрах кристаллов ZnP2. / А.В.Селькин, И.Г.Стамов, Н.Н.Сырбу, А.Г.Уманец // Письма в ЖЭТФ. 1982. Vol. 35, по. 2. Pp. 51 53. http://www. j etpletters. ас. ru/ps/1312/article_19818. shtml.

54. Оптические свойства биэлектрнно-примесных комплексов / В.А.Коварский, Э.П.Синявский, Н.Н.Сырбу, Л.П.Черныш // Труды IV Всесоюзной конференции по физике полупроводников. Vol. 1. Баку, АССР: 1982. с.191.

55. Безизлунательный распад биэлектрона и биэлектронно-примесного комплекса в полупроводниках / В.А.Коварский, Э.П.Синявский, В.Н.Чеботарь, Л.П.Черныш // ФТП. 1984. Vol. 18, по. 9. Pp. 1637 1641.

56. V.A.Kovarskii, E.P.Sinyavskii, L.V.Chernysh. Optical Properties of Bielectron-Impurity Complexes j j Physica Status Solidi (b). 1984. Vol. 123, no. 2.

Pp. 671 677. http://dx.doi.org/10.1002/pssb.2221230234.

57. Э.П.Синявский, Н.Н.Сырбу, В.H.Чеботарь. Обратная водородоподобная серия в примесных полупроводниках // ФТП. 1986. Vol. 20, по. 8.

Pp. 1481 1484.

58. Е.П.Синявський, Л.В.Черыиш, И.Г.Стамов. Дослщження фоношшх мехашзм1в утворення б1електронних систем в напшпрошдниках // Тези доповщей У Всеукра1нська наукова конференщя "Фундаментальна та професпша шдготовка фах1вщв з ф1зики.". Киев, 2000. Pp. 12 16.

59. Н.Н.Сырбу, С.Б.Хачатурова, И.Г.Стамов. Влияние электрического поля на оптические спектры дифосфиде цинка // ФТП. 1984. Vol. 26, по. 8.

Pp. 2468 2471.

60. И.Г.Стамов, Д.В.Ткаченко. Фотоэлектронные явления и перенос заряда в поверхностно-барьерных структурах на основе п - типа дифосфидов цинка и кадмия. II // Вестник Приднестровского университета Серия: Физ-тех и лштнауки. 2008. Vol. 3(32). Pp. 14 21.

61. Transient reflectivity changes of /3 — ZnP2 exciton bands by pump-probe spectroscopy using a femtosecond laser / O.Arimoto, Y.Imai, S.Nakanishi, H.Itoh // Journal of Luminescence. 2004. Vol. 108, no. 1-4. Pp. 201

204. Proceedings of the Fourteenth International Conference on Dynamical Processes in Excited States of Solids, http://www.sciencedirect.com/ science/article/pii/S0022231304000456.

62. Н.Н.Сырбу, И.Г.Стамов. Фотоприемники линейно поляризованного излучения // ФТП. 1991. Vol. 25, по. 12. Pp. 2115 2125. http://journals.ioffе.ru/ftp/1991/12/page-2115.html.ru

63. K.Nakamura, K.Ohya, O.Arimoto. Magnetic field effects on the triplet excitons in (3 — ZnP2 II Journal of Luminescence. — 2001. — Vol. 94-95, no. 0. — Pp. 393 396. International Conference on Dynamical Processes in Excited States of Solids, http://www.sciencedirect.com/science/article/ pii/S0022231301003118.

64. Fine structured low temperature luminescence of CdP2 / R.Bindemann, H.Fischer, K.Kreher, N.N.Syrbu // Physica Status Solidi (b). 1975.

Vol. 69, no. 1. Pp. K79 K84. http://dx.doi.org/10.1002/pssb. 2220690153.

65. Energy band structure of Zn3P2, ZnP2 and CdP2 crystals on wavelength modulated photoconductivity and photoresponse spectra of Shottky diodes investigation / N.N.Syrbu, I.G.Stamov, V.I.Morozova et al. // Proceedings International Symposium on «Physics and Chemistry of II-V Compounds» / Ed. by M.Gelten, L.Zdanowicz. Mogilany, Poland: Eindhoven Univ., Netherdland, 1980. Pp. 237 242.

66. И.Г.Стамов, В.Ф.Баранов. Температурная зависимость края поглощения CdP2. // Журнал прикладной спектроскопии. — 1986. — Vol. 26, no. 1. — Pp. 154 155.

67. Application of the method of projective representations to the analysis of exciton-phonon transitions in enantiomorphous tetragonal crystals ZnP2 and CdP2 / S.V.Koryakov, V.O.Gubanov, M.M.Biliy et al. // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 2005. Vol. 8, no. 1. Pp. 19 24.

68. W.Wardzynski, A.Wojakowski, W.Zdanowicz. Pair spectra in tetragonal zinc diphosphide (ZnP2) and cadmium diphosphide (CdP2) single crystals // Physics Letters A. 1969. Vol. 29, no. 9. Pp. 547 548. http: //www.sciencedirect.com/science/article/pii/0375960169904290.

69. O.Arimoto, S.Umemoto, K.Nakamura. Photocalorimetric spectroscopy of excitons in /3 — ZnP2 // Journal of Luminescence. — 2000. — Vol. 87-89, no. 0.

Pp. 284 286. http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/ S0022231399003166.

70. M.Rubenstein, P.J.Dean. Preparation of Zinc Diphosphides and the Low-Temperature Luminescence and Absorption of the Tetragonal Polymorph // Journal of Applied Physics. 1970. Vol. 41, no. 4. Pp. 1777

1786. http://scitation.aip.org/content/aip/journal/jap/41/4/10. 1063/1.1659103.

71. Люминесценция кристаллов дифосфида цинка возбужденная электронным пучком / И.С.Горбань, А.К.Ткаченко, 14.14.Тычина, М.В.Чукичев // ФТП. 1978. Vol. 12, по. 9. Pp. 1801 1806.

72. Н.Н.Сырбу, В.Pl.Морозова, Г.И.Стратан. Тонкая структура спектров связанного экситона в тетрагональном дифосфиде цинка // ФТП. 1989.

Vol. 23, по. 10. Pp. 1771 1777. http://journals.ioffe.ru/ftp/ 1989/ 10/page-1771. html. ru.

73. Н.Н.Сырбу, В.Pl.Морозова, Г.И.Стратан. Поглощение на связанных и свободных экситонах в ZnP2 — Df // ФТП. — 1992. — Vol. 26, по. 01. — Pp. 74 82. http://journals.ioffe.ru/ftp/1992/01/page-74.html.ru

74. H.H.Sobotta, H.Neumann, N.N.Syrbu. Infrared lattice vibration spectra of tetragonal ZnP2 // Solid State Communications. — 1983. — Vol. 48, no. 3.

Pp. 297 299. http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/ 0038109883902910.

75. Н.Н.Сырбу, В.Э.Львин. Рассеяние света оптическими фононами в тетрагональных кристаллах ZnP2 // ФТП. — 1991. — Vol. 25, по. 10.

Pp. 1765 1773. http://journals.ioffe.ru/ftp/1991/10/page-1765. html. ru.

76. Н.Н.Сырбу, В.Э.Львин. Спектры комбинационного рассеяния света дифосфида кадмия вблизи фазовых переходов второго рода // ФТП. 1991. Vol. 25, по. 02. Pp. 238 244. http ://journals . ioffe .ru/ftp/ 1991/02/page-238. html. ru.

77. Н.Н.Сырбу, В.Э.Львин. Колебательные спектры кристалловCdP2 // ФТП.

1990. Vol. 24, no. И. Pp. 1911 1918. http://journals.ioffe.ru/ ftp/1990/Il/page-1911.html .ru.

78. J.J.Hopfield, P.J.Dean, D.G.Thomas. Interference between Intermediate States in the Optical Properties of Nitrogen-Doped Gallium Phosphide // Phys Rev.

1967. Jun. Vol.158. Pp.748 755. http ://link, aps. org/doi/ 10.1103/PhysRev. 158.748.

79. J.G.White. The crystal structure of the tetragonal modification of ZnP2 // Acta Crystallographies 1965. Feb. Vol. 18, no. 2. Pp. 217 220. http://dx.doi.org/10.1107/S0365110X6500049X.

80. Колебательные состояния в кристаллахZnP2 / И.С.Горбань, В.А.Горыня, В.И.Луговой, А.П.Маковецкая // ФТП. 1975. Vol. 17, по. 6. Pp. 1638

1641.

81. Н.Н.Сырбу, И.Г.Стамов, А.Ю.Камерцель. Свойства поверхности и структура энергетических зон соединений AIIBV симметрий D\ и С^ // ФТП. 1992. Vol. 26, по. 07. Pp. 1191 1224. http://journals. ioffe.ru/ftp/1992/07/page-1191.html.ru.

82. Superposition of free and bound exciton emission spectra in ZnP2 — D\ / N.N.Syrbu, I.G.Stamov, V.V.Ursaki, Yu.Ivanenko // Moldavian Journal, of the Physical Sciences. 2011. Vol. 10, no. 3-4. Pp. 247 253. http: //sfm.asm.md/moldphys/2011/voll0/n3-4/index.htmL

83. В.А.Кизель, В.14.Бурков. Гиротропия кристаллов. Москва: Москва: Наука, 1980.

84. Birefringence and optical activity of CdP2 / V.V.Borshch, V.S.Koval, I.V.Potykevich, I.V.Fekeshgazi // Physica Status Solidi (a). 1977. Vol. 44, no. 1. Pp. K15 K19. http://dx.doi.org/10.1002/pssa.2210440148.

85. Естественная оптическая активность кристаллов ZnP2 / И.С.Горбань, В.А.Горыня, В.14.Луговой et al. // ФТП. 1976. Vol. 10, no. 7. Pp. 1410 1411.

86. Дисперсия двулучепреломления и оптической активности дифосфида цинка. / В.В.Борщ, В.Д.Влас, М.П.Лисица et al. // Оптика и спектроскопия. 1977. Vol. 42, по. 4. Pp. 766 767.

87. И.Г.Стамов, В.Ф.Баранов. Гиротропия CdP2, связанная с флуктуацией структуры кристаллической решетки // Вестник Приднестровского университета. 1995. по. 1(3). Pp. 138 142.

88. Г.П.Чуйко. Материалы для полупроводниковой электроники. Кишинев: Штиинца, 1984. 128 с.

89. А.У.Шелег, В.П.Новиков. Фазовые переходы в тетрагональном CdP2. // ФТТ. 1982. Vol. 24. Pp. 3508 3511.

90. И.Г.Стамов. Подавление оптической активности кристаллов CdP2) связанное с нанарушениями стехиометрического состава и кристаллической структуры на наноразмерном уровне // Материалы VI Международной научно - практической конференции «Математическое моделирование в образовании, науке и производстве», 7-10 июня. Тирасполь: изд-во ПГУ, 2009. Р. 94.

91. Birefringence and band structure of CdP2 crystals / S.I.Beril, I.G.Stamov, N.N.Syrbu, V.V.Zalamai // Physica B: Condensed Matter. 2013. Vol. 422, no. 0. Pp.12 19. http://www.sciencedirect.com/science/article/ pii/S0921452613002408.

92. А.Б.Певцов, З.М.Хашхожев, В.М.Трухан. Вращение плоскости поляризации света в кристаллах ZnP2 тетрагональной модификации. // ФТТ. 1978. Vol. 20, по. 4. Pp. 1246 1248.

93. И.Г.Стамов. Влияние облучения гамма - квантами CdP2 и ZnP2 на оптические свойства // Материалы VI Международной научно

практической конференции «Математическое моделирование в образовании, науке и производстве», 7-10 июня. Тирасполь: изд-во ПГУ, 2009. Р. 95.

94. И.Г.Стамов. Влияние гамма - излучения на оптические свойства CdP2 и ZnP2 // Труды XII Международной конференции «Опто, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы». Ульяновск, Россия: 2009. Р. 55.

95. И.Г.Стамов, В.В.Панасенко. Подавление оптической активности кристаллов дифосфида кадмия, связанное с нарушениями стехиометрического состава и кристаллической структуры на наноразмерном уровне // Труды XII Международной конференции «Опто, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы». Ульяновск, Россия: 2010. Р. 170.

96. И.Г.Стамов. Метод определения характеристик оптической активности гиротропных кристаллов // Материалы республиканской научно-

практической конференции «Пути совершенствования физического образования в ПМР», 26 марта. Тирасполь: изд-во ПГУ, 2015. Pp. 193 195.

97. Temperature dependence of optical activity and circular dichroism in a — ZnP2 crystals. / O.S.Kushnir, O.A.Bevz, I.I.Polovinko, S.A.Sveleba // Physica Status Solidi (b). 2003. Vol. 238, no. 1. Pp. 92 101. http://dx. doi . org/10.1002/pssb.200301756.

98. И.Г.Стамов. О возможностях прецизионного контроля процесса травления CdP2 и ZnP2 // Материалы VI Международной научно - практической конференции «Математическое моделирование в образовании, науке и производстве», 7-10 июня. Тирасполь: изд-во ПГУ, 2009. Р. 96.

99. И.Г.Стамов. Влияние гамма - излучения на оптические свойства кристаллов CdP2 и ZnP2 // Труды школы молодых ученых «Современные проблемы наноэлектроники, нанотехнологий, микро- и наносистем». Ульяновск, Россия: 2010. Р. 200.

100. В.В.Зарецкий, А.У.Шелег. Фазовые переходы и модуляция кристаллической решетки а — ZnP2 // ФТТ. — 1986. — Vol. 28. — Pp. 63 71.

101. В.Г.Федотов, В.М.Трухан, Т.В.Шёлковая. Модель длиннопериодических модуляций в тетрагональном дифосфиде цинка. // Неорганические материалы,. 2013. Vol. 49, по. 11. Pp. 1153 1156.

102. Ф. 14.Федоров. Теория гиротропии. Минск: Наука и техника, 1976. 456 с.

103. Peculiarities of temperature behaviour of the optical birefringence in о — ZnP2 crystals. / O.A.Bevz, O.S.Kushnir, V.B.Kapustianik et al. // Ukrainian Journal of Physical Optics. 2001. Vol. 2, no. 4. Pp.203 210.

104. Дисперая ашзотропних властивостей ашзотропних кристал1в CdP2 / В.А.Гнатюк, В.В. Борщ, М.Г.Кузьменко et al. // OisuKa i хлмля твердого

тгла. 2004. Vol. 5, no. 2. Pp.256 259. http ://www .pu. if .ua/inst/ phys_che/start/pcss/.

105. И.Г.Стамов. Исследование хроматической поляризации света в дифосфидах цинка и кадмия // Математическое моделирование в образовании, науке и производстве, материалы VIII Международной научно-практической конференции, 3-5 октября / ИГУ. Тирасполь: изд-во ИГУ, 2013. Р. 99.

106. Birefringence in Me - CdP2 photodiodes / N.N.Syrbu, I.G.Stamov, V.V.Zalamai, L.L.Nemerenco // Materials Science. An Indian Journal. 2015. Vol. 13, no. 8. Pp. 237 248.

107. Н.Н.Сырбу. Автореферат докторской диссертации. Зонная структура и водородоподобные состояния в кристаллах А2В5.: Ph.D. thesis / Кишинев.

1984.

108. Н.Н.Сырбу, В.Э.Львин. Инфракрасные колебательные моды и характер химической связи в кристаллах ZnP2 и CdP2 // ФТП. — 1991. — Vol. 25, по. 07. Pp. 1136 1145. http://journals.ioffe.ru/ftp/1991/07/ page-1136. html. ru.

109. Строение валентной полосы тетрагонального ZnP2 / М.А.Бунин, А.И.Гусатинский, В.14.Минин et al. // ФТП. 1981. Vol. 15, no. 8.

Pp. 1617 1619.

110. Энергетическая зонная структура тетрагонального CdP2 / В.Е.Тупицын, Ю.И.Полыгалов, А.С.Поплавной, А.М.Ратнер // ФТП. 1981. Vol. 15, no. 12. Pp. 2414 2416.

111. Энергетическая зонная структура тетрагонального CdP2 / Ю.И.Полыгалов, А.С.Поплавной, В.Е.Тупицын, А.М.Ратнер // ФТП. 1981. Vol. 15, no. 12. Pp. 2422 2424.

112. V.V.Sobolev, N.N.Syrbu, T.N.Sushkevich. Energy Band Structure of the Tetragonal Crystals ZnP2 and CdP2. // Physica Status Solidi (b). — 1971.

Vol. 43, no. 1. Pp. 73 81. http://dx.doi.org/10.1002/pssb. 2220430107.

113. I.G.Stamov, N.N.Syrbu, V.V.Zalamai. Optical properties and band structure of ZnP2 — D8 // Journal of Luminescence. — 2014. — Vol. 149, no. 0.

Pp. 19 27. http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/ S0022231313008090.

114. Testing of birefringence in ZnAs2 crystals and application of the interleaving operation / I.G.Stamov, N.N.Syrbu, A.Dorogan, V.Trofim//Transactions on metrology and analytical methods of research / Ed. by Ion Geru. Chisinau: Publishing house of the Academy of Sciences of Moldova, 2010. P. 192 211.

115. P.J.Lin-Chung. Energy band structures of Cd3P2 and Zn3P2 // Physica Status Solidi (b). 1971. Vol. 47, no. 1. Pp.33 39. http ://dx. doi . org/10. 1002/pssb.2220470103.

116. M.E.Fleet. The crystal structure of ZnAs2. // Acta Crystallographica B. — 1974. Jan. Vol. 30, no. 1. Pp. 122 126. http://dx.doi.org/10. 1107/S0567740874002329.

117. R.Braunstein, E.O.Kane. The valence band structure of the III-V compounds // Journal, of Physics and Chemistry of Solids. 1962. Vol. 23, no. 10. Pp. 1423 1431. http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/ 0022369762901956.

118. Interband critical points of GaAs and their temperature dependence / P.Lautenschlager, M.Garriga, S.Logothetidis, M.Cardona // Phys Rev B.

1987. Jun. Vol.35. Pp.9174 9189. http ://link, aps. org/doi/ 10.1103/PhysRevB.35.9174.

119. J.E.Jaffe, A.Zunger. Electronic structure of the ternary chalcopyrite semiconductors CuAIS2, CuCaS2, CuInS2, CuAlSe2, CuCaSc2 and CuInSe2 // Phys Rev B. 1983. Nov. Vol. 28. Pp. 5822 5847. http: //link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.28.5822.

120. J.E.Jaffe, A.Zunger. Theory of the band-gap anomaly in ABC2 chalcopyrite semiconductors // Phys Rev B. 1984. Feb. Vol. 29. Pp. 1883 1906. http: //link. aps . org/doi/10 .1103/PhysRevB . 29 .1882.

121. M.Cardona. Modulation spectroscopy. New York: Academic Press, New York, 1969. http://dx.doi.org/10.1007/BFb0108433.

122. E.A.Fagen. Optical properties oiZn3P2 // Journal of Applied Physics. — 1979.

Vol. 50, no. 10. Pp.6505 6515. http://scitation.aip.org/content/ aip/j ournal/j ар/50/10/10.1063/1.325746.

123. Photoelectric properties of Zn3P2 / J.M.Pawlikowski, N.Mirowska, P.Becla, F.Krolicki // Solid-State Electronics. 1980. Vol. 23, no. 7. Pp. 755 758. http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/ 0038110180901331.

124. V.V.Sobolev, N.N.Syrbu. Optical Properties and Energy Band Structure of Zn3P2 and Cd3P2 Crystals // Physica Status Solidi (b). — 1974. — Vol. 64, no. 2. Pp.423 429. http://dx.doi.org/10.1002/pssb.2220640202.

125. 14. В.Кудрявцев, Л.В.Тихонов. Теоретико-групповые расчеты зон в тетрагональных кристаллах D\ // Известия вузов: Физика. — 1971. — по. И. Pp. 93 99.

126. Д.М.Верна, Н.Н.Сырбу. Полупроводниковые материалы и приборы. Структура энергетических зон кристаллов Zn3P2 / Ed. by академик С.И.Радауцан. Штиинца, 1973. Vol. Полупроводниковые материалы и приборы.

127. Электронная и кристаллическая структура изоморфных ZnP2 и CdP2 / К.Б.Алейникова, А.14.Козлов, С.Г.Козлова, В.В.Соболев // ФТТ. 2002.

Vol. 44, по. 7. Pp. 1206 1210. http://journals.ioffe.ru/ftt/2002/ 07/page-1206. html. ru.

128. P.J.Lin-Chung. Energy-Band Structures of Cd3As2 and Zn3As2 // Phys Rev.

1969. Dec. Vol.188. Pp.1272 1280. http://link.aps.org/doi/ 10.1103/PhysRev. 188.1272.

129. D.O.Scanlon, A.Walsh. Bandgap engineering of ZnSnP2 for high-efficiency solar cells j j Applied Physics Letters. 2012. Vol. 100.

P. 251911. http://scitation.aip.org/content/aip/j ournal/apl/100/ 25/10.1063/1.4730375.

130. P.O.Gentsar, O.I.Vlasenko, O.V.Stronski. OpticaL and physical phenomena in subsurface layers a-ZnP2 // Physics and chemistry of solid state. — 2007. — Vol. 8, no. 1. Pp. 48 52.

131. Excitons and Energetic Bands Structure of ZnP2 — \h Crystals. / I.G.Stamov, A.V.Dorogan, N.N.Syrbu, V.V.Zalamai. j j American Journal, of Materials Science and Application, 2014. Vol. 2, no. 6. Pp. 96 107. http://www.openscienceonline.com/journal/archive2?journalId= 730&paperld=1392.

132. Reflectivity Spectra and Band Structure of the Zinc and Cadmium Diphos-phides / V.V.Sobolev, A.I.Kozlov, Yu.I.Polygalov et al. j j Physica Status Solidi (b). 1989. Vol. 154, no. 1. Pp. 377 388. http: //dx.doi.org/10.1002/pssb.2221540139.

133. В.В.Соболев, A.14.Козлов, С.Г.Козлова. Расчеты оптических функций и параметров дифосфида цинка // Оптика и спектроскопия. 1994. Vol. 77, по. 5. Pp. 787 792.

134. Н.А.Соболева. Новый класс электронных эмиттеров // Успехи физических наук. 1973. Vol. 111, по. 10. Pp. 331 353. http://ufn.ru/ru/ articles/1973/10/f/.

135. В.Е.Кондратов. Оптика фотокатодов. Москва: Москва: Наука, 1976. 86-101.

136. Р.Л.Белл. Эмиттеры с отрицательным электронным сродством. Москва: Москва: Энергия, 1978. 192 с.

137. R.E.Weber, A.L.Johnson. Determination of Surface Structures using LEED and Energy Analysis of Scattered Electrons. j j Journal, of Applied Physics. 1969.

Vol. 40, no. 1. Pp. 314 318. http://scitation.aip.org/content/ aip/j ournal/j ар/40/1/10.1063/1.1657051.

138. G.Dearnaley. Ion implantation j j Nature. 1975. Vol. 256. Pp.701 705. http://www.nature.com/nature/journal/v256/n5520/abs/ 256701a0.html.

139. R.Shimizu, S.Ishimuza. Backscattering correction for quantitative Auger analysis: I. Monte Carlo calculations of backscattering factors for standard materials j j Toyota Foundation Research Report. 1981. Vol. 1-006, no. 76. Pp. 175 181.

140. S.Ichimura, R.Shimizu. Backscattering correction for quantitative Auger analysis: I. Monte Carlo calculations of backscattering factors for standard materials // Surface Science. 1981. Vol. 112, no. 3. Pp.386 408. http: //www.sciencedirect.com/science/article/pii/0039602881903824

141. W.M.Mularie, W.T.Peria. Deconvolution techniques in Auger electron spectroscopy j j Surface Science. 1971. Vol. 26, no. 1. Pp. 125 141. http: //www.sciencedirect.com/science/article/pii/003960287190118X

142. van Cittert P.H. "Zum emfluss der spaltbneite auf die intensit atswerteilung in spektrallinien IF// Zeitsclift Fur Physik. 1931. Vol.69. Pp.298 308.

143. М.Кардоыа. Модуляционная спектроскопия. Под ред. А.А.Каплянского edition. Москва: Мир, 1972. 416 с. http://dx.doi.org/10.1007/ BFb0108433.

144. Э.П.Домашевская, Я.А.Угай, О.Я.Гуков. Химическая связь в кристаллах // ФТТ. 1970. Vol. 12, по. 6. Pp. 1652 1655.

145. A study by {XPS} and {XRS} of the participation in chemical bonding of the 3d electrons of copper, zinc and gallium / V.I.Nefedov, Ya.V.Salyn, E.P.Domashevskaya et al. // Journal, of Electron Spectroscopy and Related Phenomena. 1975. Vol. 6, no. 3. Pp. 231 238. http://www. sciencedirect.com/science/article/pii/0368204875800181.

146. E.P.Domashevskaya, V.A.Terenkhov, Ya.A.Ugai. Valence-level stracture of Phosphides of 3d-metals on the basis of XRS and ESCA data // Proceedings International Symposium on «Physics and Chemistry of II-V Compounds» / Ed. by M.Gelten, L.Zdanowicz. Mogilany, Poland: Eindhoven Univ., Netherdland, 1980. Pp. 225 234.

147. W.E.Spicer. Negative affinity 3-5 photocathodes: Their physics and technology // Applied physics A. 1977. Vol. 12, no. 2. Pp. 115 130. http://dx.doi.org/10.1007/BF00896137.

148. Электрические и оптические свойства диарсенидов цинка и кадмия. / С.Ф.Маренкин, А.М.Раухман, Д.14.Пищиков, В.Б.Лазарев // Известия АН СССР: сер Неорганические ,материалы 1992. Vol. 28. Pp. 1813

1828.

149. Г.В.Жабеев, А.П.Кудш, В.П.Тартачник. Електрично-активш власш дефекти у дифосф1д1 цинку тетрагонально!" модифжащ!" // Фгзика i хл.мля твердого тлла. 2002. Vol. 3, по. 3. Pp. 404 412. http: //www.pu.if.ua/inst/phys_che/start/pcss/vol3/anotu0303.html

150. C.C.Chang. Auger electron spectroscopy // Surface Science. 1971. Vol. 25, no. 1. Pp.53 79. http://www. sciencedirect .com/science/article/ pii/003960287190210X.

151. Анализ поверхности методом оже- и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. / Ed. by Д.Бриге, М.П.Сих. Москва: Мир, 1987.

152. И.Г.Стамов. Автореферат кандидатской диссертации.: Ph.D. thesis / Кишинев. 1981.

153. Н.Ю.Камерцель. Автореферат кандидатской диссертации.: Ph.D. thesis / Фрязино. 1989.

154. Физические явления в диодах Шоттки металл- А2В5 / А.Ю.Камерцель, Г.А.Кудинцева, И.Г.Стамов, Н.Н.Сырбу // ФТН. 1985. Vol. 19, no. 1.

Pp. 28 32.

155. R.L.Bell. Negative Electron Affinity Devices. Oxford: Clarendon Press, 1973.

156. Спектры отражения диарсенида цинка / В.В.Соболев, А.И.Козлов, С.Г.Кройтору et al. // ФТП. 1981. Vol. 15, no. 8. Pp. 1428 1430.

157. Н.Н.Сырбу, И.Г.Стамов, С.Б.Хачатурова. Электрические и фотоэлектрические свойства диодов Шоттки на диарсенидах и дифосфидах цинка // ФТП. 1979. Vol. 13, по. 9. Pp. 1734 1738.

158. А-модулированная фото эмиссия полупроводников ZnAs2 и CdP4 / А.Г.Кудинцева, А.М.Камерцель, С.И.Радауцан et al. // Доклады АН СССР. 1978. Vol. 241, по. 5. Pp. 1073 1075.

159. Crystal chemistry and optical properties of monoclinic zinc diphosphide / K.B.Aleynikova, A.I.Kozlov, S.G.Kozlova, V.V.Sobolev // Moldavian Journal, of the Physical Sciences. 2004. Vol. 3, no. 2. Pp. 137 148.

160. Optical spectra and electroabsorption of CdP2 and CdP4 single crystals / S.I.Radautsan, N.N.Syrbu, V.E.Tezlevan, I.V.Chumak // Physica Status Solidi (b). 1973. Vol. 60, no. 1. Pp. 415 425. http://dx.doi.org/ 10.1002/pssb.2220600145.

161. С.И.Радауцан, Н.Н.Сырбу, И.Г.Стамов. Свободные экситонные состояния и обратная водородоподобная серия линий поглощения в дифосфиде цинка // Известия АН МССР: сер физ-техн и матем наук. 1982. Vol. 1. Pp. 27 34.

162. Влияние нарушения состава дифосфида цинка на спектры свободных экситонов / С.И.Радауцан, Н.Н.Сырбу, С.Б.Хачатурова et al. // Доклады, АН СССР. 1990. Vol. 311, по. 4. Pp. 866 869.

163. Н.Н.Сырбу, С.Б.Хачатурова, С.И.Радауцан. Оптическая анизотропия линий экситонных серий в дифосфиде цинка // Доклады, АН СССР. 1986. Vol. 286, по. 2. Pp. 345 347.

164. Влияние нарушения стехиометрии на динамику кристаллической решетки в дифосфиде цинка черной модификации / Н.Н.Сырбу, Х.Нойман,

Л.Г.Пеев et al. // ФТТ. 1990. Vol. 32, no. 4. Pp. 1260 1263. http://j ournals.ioffe.ru/ftt/1990/04/page-1260.html.ru

165. Н.Н.Сырбу, С.Б.Хачатурова. Экситоы-фоыоыыые спектры в дифосфиде цинка. // ФТТ. 1985. Vol. 27, по. 9. Pp. 2687 2690.

166. Vibrational properties of CdCa2S4 / H.Neumann, H.Sobotta, V.Riede et al. j j Crystal Research and Technology. 1984. Vol. 19, no. 5. Pp. 709

714. http : //dx. doi . org/10.1002/crat. 2170190523.

167. Инфракрасные колебательные моды в кристаллах моноклинной модификации ZnР2) ZnAs2 и CdP4 / Н.Н.Сырбу, С.Б.Хачатурова, И.Б.Заднипру, Г.14.Стратан // ФТП. 1991. Vol. 25, по. 05. Pp. 783

791. http://journals.ioffe.ru/ftp/1991/05/page-783.html.ru

168. V.V.Sobolev, N.N.Syrbu. Anisotropy of Edge Absorption and Photoluminescence of Tetragonal ZnP2 and CdP2 Single Crystals // Physica Status Solidi (b). 1971. Vol. 43, no. 1. Pp. K87 K91. http://dx.doi.org/10. 1002/pssb.2220430168.

169. И.С.Горбань, В.А.Губанов, М.В.Чукичев, З.З.Янчук // ФТП. 1985.

Vol. 19, по. 7. Pp. 1312 1315.

170. И.В.Потыкевич, А.В.Любченко, В.С.Коваль. Электропроводимость и фотопроводимость монокристаллов CdP2 р -типа // Украинский физический журнал. 1972. Vol. 17, по. 4. Pp. 607 611.

171. Current sign inverter guided by polarization / I.G.Stamov, N.N.Syrbu, A.V.Dorogan, L.L.Nemerenco j j Optics Communications. 2008. Vol. 281, no. 9. Pp. 2459 2466. http://www.sciencedirect.com/science/ article/pii/S0030401807013971.

172. Ю.В.Рудь, Г.А.Медведкин. Детектор линейно-поляризованного излучения. Авторское свидетельство СССР №671634. 1980.

173. С. 14.Радаудан, И.Г.Стамов, Н.Н.Сырбу. Фотоэлемент. Авторское свидетельство №762658. 1980.

174. Ю.В.Рудь, В.Ю.Рудь, И.В.Боднарь. Выращивание монокристаллов CdP2 тетрагональной модификациии и свойства барьеров на их основе // ЖТФ.

1980. Vol. 80, по. 4. Pp. 84 88.

175. S.I.Radautsan, N.N.Syrbu, V.K.Kiosev. Optical Modulation Spectra of CdP2 Crystals and Ni — CdP2 Schottky Barriers // Physica Status Solidi (b). — 1974. Vol. 64, no. 2. Pp.459 465. http://dx. doi . org/10.1002/pssb. 2220640206.

176. Фотоэлектрические свойства барьеров Шоттки Ni-CdP2 / Д.М.Верча, 14.14.Небола, С.И.Радауцан et al. // ФТП. 1974. Vol. 8, по. 11. Pp. 2065 2075.

177. Photoelectric properties of In — CdP2 surface barrier structures / I.V.Bodnar', M.A.Osipova, V.Yu.Rud' at al. // Journal, of Applied Spectroscopy. 2010. Vol. 77, no. 1. Pp. 148 151. http://dx.doi .org/10.1007/ s 10812-010-9307-7.

178. R.H.Fowler. The Analysis of Photoelectric Sensitivity Curves for Clean Metals at Various Temperatures // Phys Rev. 1931. Jul. Vol. 38. Pp. 45 56. http : //link. aps . org/doi/10.1103/PhysRev. 38.45.

179. А.А.Гуткин, Н.Мирзамахмудов, Д.Н.Наследов. Фотоэффект, обусловленный эмиссией дырок из металла, в выпрямляющих контактах Аи- n-GaP // ФТП. - 1974. - Vol. 8, по. 10. - Pp. 1888-1894.

180. В.И.Стриха. Теоретические основы работы контакта металл-полупроводник. Киев: Высшая школа, 1974. 224 с.

181. S.M.Sze, C.R.Crowell, D.Kahng. Photoelectric Determination of the Image Force Dielectric Constant For Hot Electrons in Schottky Barriers // Journal, of Applied Physics. 1964. Vol. 35, no. 8. Pp. 2534

2536. http://scitation.aip.org/content/aip/journal/jар/35/8/10. 1063/1.1702894.

182. Фотопроводимость монокристаллов CdP2 при возбуждении рубиновым и неодимовым ОКГ / Д.Велецкас, Р.Балтрамеюнас, Ю.Вайткус et al. // ФТП. 1975. Vol. 9, no. 9. Pp. 1752 1756.

183. Свойства поверхностно-барьерных структур металл-n-GaP / Б.В.Царенков, Ю.А.Гольдберг, А.П.Изергин et al. // ФТП. 1972. Vol. 6, no. 4. Pp. 710 714.

184. И.Г.Стамов, Д.В.Тканенко. Особенности долговременной релаксации емкости в выпрямляющих структурах на основе моноклинного ZnP2 п -типа проводимости // ФТП. 2008. Vol. 42, по. 6. Pp. 679 685. http ://j ournals.ioffe.ru/ftp/2006/10/page-1196.html.ru

185. Н.Л.Дмитрук, А.К.Терещенко. К определению диффузионной длины неосновных носителей заряда в диодах Шоттки // Электронная техника.

1973. Vol. Серия 2, по. 4. Pp. 68 72.

186. F.Stockmann. Lifetimes in photoconductors // RCA Review. 1975. sept.

Vol. 36. Pp. 499 507.

187. И.Г.Стамов, Д.В.Тканенко. Влияние уровней собственных дефектов в запрещенной зоне CdP2 на электрические свойства структур с барьером Шоттки на его основе // ФТП. 2006. Vol. 40, по. 10. Pp. 1196 1203. http ://journals.ioffe.ru/ftp/2008/06/page-679.html.ru

188. И.Г.Стамов, Д.В.Тканенко. Фотоэлектронные явления и перенос заряда в поверхностно-барьерных структурах на основе п - типа дифосфидов цинка и кадмия. I // Вестник Приднестровского университета Серия: Физ-тех и лштнауки. 2007. Vol. 3(29). Pp. 18 24.

189. В.Ю.Рудь, Ю.В.Рудь, И.В.Боднарь. Выращивание монокристаллов CdP2 тетрагональной модификации и свойства барьеров на их основе // ЖТФ.

2010. Vol. 80, по. 4. Pp. 84 88. http ://journals . ioff e .ru/jtf/ 2010/04/page-84. html. ru.

190. Особенности фотоэффекта в выпрямляющих структурах MeT'ànn-CdP2. / С.14.Верил, И.Г.Стамов, В.В.Панасенко, А.С.Старчук // Труды V

Международной конференции «Оптика, оитоэлектроника и технологии».

Ульяновск, Россия: 2003. Р. 105.

191. Поляризационные исследования тетрагональных кристаллов ZnP2 / А.А.Вайполин, Ю.А.Валов, Р.В.Масагутова et al. // ФТП. 1980. Vol. 14. Pp. 133 136.

192. Фоточувствительные структуры на монокристаллах ZnP2 моноклинной и тетрагональной модификаций: получение и свойства / В.Ю.Рудь, Ю.В.Рудь, А.А.Вайполин et al. // ФТП. 2009. Vol. 43, no. 7. Pp. 890 896.

193. И.Г.Стамов, С.14.Верил, В.В.Панасенко. Электрические и фотоэлектрические свойства контактов Шоттки на тетрагональном дифосфиде цинка // В сб. «Социогуманитарные и естественнонаучные проблемы устойчивого развития: Приднестровье». изд.ПГУ, 2010. Pp. 84 92.

194. Birefringence in ZnP2(Df) / I.G.Stamov, V.V.Zalamai, L.L.Nemerenco, N.N.Syrbu // The 4rd International conference «Telemmmunications, Electronics and Informatics». Chisinau, Moldova: 2015. May 20-23. Pp. 220

224.

195. C.14.Верил, И.Г.Стамов, Д.В.Ткаченко. Исследование туннельных процессов в выпрямляющих структурах на дифосфидах цинка и кадмия. // Материалы 2-ой Теренинской научно-практической конференции, 5-6 мая / КГПУ. Калуга, Россия: Изд-во КГПУ, 2006. Pp. 66 69.

196. И.Г.Стамов, др. Разработка и исследование эмиссионных узкозонных полупроводников и п/п ЭС для фото- и холодных катодов // Сборник рефератов НИР и СКР № 78018067. 1978. Р. 3.

197. H.V.Kanel, R.Hauger, P.Wachter. Photoelectrochemistry of monoclinic ZnP2: A promising new solar cell material // Solid State Communications. 1982. Vol. 43, no. 8. Pp. 619 621. http://www.sciencedirect.com/science/ article/pii/0038109882904768.

198. I.G.Stamov, N.N.Syrbu, A.V.Dorogan. Photodetectors and birefringence in ZnP2 — C5h crystals. // Physica B: Condensed Ma,tier. — 2013. — Vol. 412, no. 0. Pp.130 137. http://www.sciencedirect.com/science/article/ pii/S0921452612010290.

199. T.Mowles. High efficiency solar photovoltaic cells produced with inexpensiv materials by processes suitable for large volume production, US Patent №6,541,695 Bl. 2003.

200. С.И.Радауцан, Н.Н.Сырбу, И.Г.Стамов. Фотоэлектрические свойства гетеропереходов ZnP2(D8)-ZnP2(C5h)• // Доклады АН СССР. — 1977. — Vol. 236, no. 1. Pp. 72 74.

201. Разработка и исследование кристаллов и монокристаллических слоев для создания на их основе фото- и холодных катодов. / Н.Н.Сырбу, И.Г.Стамов, В.К.Киосев et al. // Сборник «Рефераты HI4P и ОКР № 76015407». 1978. Р. 58.

202. Схема фотоэлектронных переходов и параметры локальных центров в а-ZnP2 / И.С.Горбань, А.В.Любченко, А.К.Ткаченко, И.И.Тычина // ФТП. 1979. Vol. 13, по. 8. Pp. 1502 1511.

203. В.К.Киосев, А.Г.Уманец, Л.Ф.Буга. Легирование CdP2 и разработка диодных структур на его основе // Тезисы докладов Всесоюзной конференции «Тройные полупроводники и их применение». Кишинев: Штиинца, 1979. 8 - 10 октября. Pp. 190 192.

204. Electrical properties of ZnP2 single crystals of tetragonal and monoclinic modifications / I.S.Gorban, G.A.Grishchenko, A.P.Sakalas et al. // Physica Status Solidi (a). 1978. Vol. 48, no. 2. Pp. 329 334. http: //dx. doi . org/10 .1002/pssa. 2210480209.

205. Ф.П.Кудин. Радиационные изменения экситонных спектров монокристаллов черного дифосфида цинка // Украинский физический журнал. 2000. Vol. 45, по. 3. Pp. 322 327.

206. Некоторые свойства поверхностно-барьерных и гетеропереходных структур на основе дифосфида цинка / Н.Н.Сырбу, И.Г.Стамов, В.К.Киосев, С.Б.Хачатурова // Фотоэлектрические свойства гетеропереходов / Ed. by С.И.Радауцан. — Штиинца, 1980. — Р. 122. — АН МССР: Ин-т прикл. физики.

207. N.N.Syrbu, I.G.Stamov, A.G.Umanetz. Diode structures electrical characteristics on the basis of CdP2, ZnP2 and ZnAs2 // Proceedings International Symposium on «Physics and Chemistry of II-V Compounds» / Ed. by M.Gelten, L.Zdanowicz. — Mogilany, Poland: Eindhoven Univ., Netherdland, 1980. — P. 247.

208. Влияние термообработки на свойства поверхностно-барьерных диодов металл-А2В5 / Н.Н.Сырбу, И.Г.Стамов, Г.А.Кудинцева, др. // Тезисы докладов Всесоюзной конференции «Физические основы надежности и деградации полупроводниковых приборов». — Кишинев: 1982. — 25 - 27 мая. — Pp. ч.2, с.44.

209. Электрические характеристики барьеров Шоттки металл- А2В5 / Н.Н.Сырбу, И.Г.Стамов, Г.А.Кудинцева, др. // Материалы для твердотельной электроники. — Штиинца, 1982. — Pp. 854-859.

210. Электрические характеристики барьеров Шоттки In-ZnP2 / Г.А.Григценко, В.П.Радзивилл, А.С.Содейко, др. / / Физика конденсированного состояния. — Киев: изд-во КГПИ, 1978. — Pp. 74-75.

211. И.Г.Стамов, В.В.Панасенко. Исследование токов ограниченных объемным зарядом (ТОПЗ) в тонких слоях дифосфида цинка моноклинной модификации // Тезисы докладов международной научной конференции «Актуальные проблемы теоретической физики, физики конденсированных сред и астрофизики», 23-24 сентября. — Брест, Беларусь: 2010. — Р. 18.

212. И.Г.Стамов, В.Ю.Дубашевский. Электрические и фотоэлектрические характеристики структур па основе f3-ZnP2 / / Материалы IV Международной научно-практической конференции "Математическое

моделирование в образовании, науке и производстве" 17-20 сентября 2003 г. / ПГУ. Тирасполь: изд-во ПГУ, 2003. Р. 80.

213. Влияние уровней собственных дефектов в запрещенной зоне дифосфида кадмия на фотоэффект и электрические свойства структур Шоттки на его основе / И.Г.Стамов, Е.И.Брусенская, А.В.Воронов, Д.В.Ткаченко // Вестник Приднестровского университета. 1999. Vol. 11. Р. 8.

214. I.Balberg. Relation between distribution of states and the space - charge -region capacitance in semiconductors // Journal, of Applied, Physics. 1985.

Vol. 58, no. 7. Pp.2603 2616. http://scitation.aip.org/content/ aip/journal/jap/58/7/10.1063/1.335890.

215. G.I.Roberts, C.R.Crowell. Capacitance Energy Level Spectroscopy of Deep -Lying Semiconductor Impurities Using Schottky Barriers // Journal, of Applied, Physics. 1970. Vol. 41, no. 4. Pp.1767 1776. http://scitation. aip.org/content/aip/journal/jap/41/4/10.1063/1.1659102

216. E.H.Rhoderick, R.H.Williams. Metal-Semiconductor Contacts. Clarendon Press Oxford, 1988.

217. Компенсация доноров в обедненном слое кристаллов CdP2 с барьером Шоттки. / А.С.Щеулин, А.К.Купчиков, А.Е.Ангервакс, А.И.Рыскин // ФТИ 2004. Vol. 38, no. 1. Pp. 72 78. http://journals.ioffe.ru/ ftp/2004/01/page-72. html.ru.

218. И.Г.Стамов, Д.В.Ткаченко. Фотоэлектронные явления и перенос заряда в поверхностно-барьерных структурах на основе п - типа дифосфидов цинка и кадмия. III // Вестник Приднестровского университета. Серия: Физ.-тех. и мат.науки. 2008. Vol. 3(32). Pp. 22 29.

219. О.В.Константинов, О.А.Мезрин. Влияние последовательного сопротивления диода Шоттки на его эффективную емкость // ФТП.

1983. Vol. 17, по. 2. Pp. 305 311.

220. Влияние последовательного сопротивления на характеристику емкость-напряжение поверхностно-барьерной структуры / Ю.А.Гольдберг,

О.В.Иванова, Т.В.Львова, Б.В.Царенков // ФТП. 1983. Vol. 17, по. 6. Pp. 1068 1072.

221. А.Н.Король, В.И.Стрнха, Д.И.Шека. Туннельный резонансный ток в контакте металл-нолунроводник. // ФТП. 1980. Vol. 14, по. 6. Pp. 1180 1184.

222. С.14.Верил, И.Г.Стамов, В.В.Панасенко. Влияние электрического поля на характеристики выпрямляющих контактов металл- CdP2, a-ZnP2 // Материалы IV Международной научно-практической конференции "Математическое моделирование в образовании, науке и производстве 11 17-20 сентября / ИГУ. Тирасполь: изд-во ИГУ, 2003. Р. 78.

223. S.I.Beril, I.G.Stamov, D.V.Tkachenko. Влияние электрического поля на фотоэффект в барьерах Шоттки на электронном дифосфиде кадмия // The book of abstracts of International conference "Physics of low-dimensional structures" in honour of the 80-th anniversary of Professor Evghenii Petrovich Pokatilov Doctor of Sciences, 27-28 June / Academy of Sciences of Moldova. Chisinau, Moldova: 2007. P. 73.

224. О.В.Курносова, И.Н.Яссиевич. Туннелирование с глубоких примесных центров в сильном электрическом поле // ФТП. 1984. Vol. 26, по. 11.

Pp. 3307 3315.

225. С.И.Верил, А.С.Старчук. Проявление квантовых сил изображения электрона в авто- и термоэлектронной эмиссии на границе металл-диэлектрик. // Вестник Московского университета. Серия, 3: Физика, Астрономия. 2002. Vol. 5. Pp. 46 49. http://vmu.phys.msu. ru/abstract/2002/5/02-5-46.

226. E.Schibli, A.G.Milnes. Effects of deep impurities on n-p junction reverse-biased small-signal capacitance // Solid-State Electronics. 1968. Vol. 11, no. 3.

Pp. 323 334. http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/ 0038110168900440.

227. Л.С.Бермаы, А.А.Лебедев. Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках. Ленинград: Наука, 1981. 176 с.

228. Электрические и оптические свойства диарсенидов цинка и кадмия. / С.Ф.Маренкин, А.М.Раухман, Д.Pl.Пищиков, В.Б.Лазарев // Известия вузов: Неорганические .материалы 1992. Vol. 28. Pp. 1813 1828.

229. I.G.Stamov, Tkachenko D.V. Light absorption and emission peculiarities of CdP2 - crystal lattice // Proceedings Physics of electronic materials 2nd International Conference. Vol. 1. Kaluga, Russia,: Р1зд-во КГПУ, 2005.

P. 131.

230. С.В.Булярский, Н.С.Грушко. Генерационно-рекомбинационные процессы в активных элементах. Москва: Р1здательство МГУ, 1995.

231. С.В.Булярский. Инновационные методы диагностики наноэлектронных элементов. Ульяновск: Р1здательство УлГУ, 2006.

232. C.R.Crowell, K.Nakano. Deep level impurity effects on the frequency dependence of Schottky barrier capacitance // S olid-State Electronics. 1972. Vol. 15, no. 6. Pp. 605 610. http://www.sciencedirect.com/science/ article/pii/0038110172900020.

233. D.H.Seib. Photoresponse characteristics of extended surface - barrier diodes. // Applied Physics Letters. 1971. Vol. 18, no. 10. Pp. 422

424. http://scitation.aip.org/content/aip/journal/apl/18/10/10. 1063/1.1653478.

234. Н.Т.Баграев. Symmetry and metastability of an EL2 center in GaAs // ЖЭТФ. 1991. Vol. 100, no. 4. Pp. 1378 1391. http://www.jetp. ac.ru/cgi-bin/r/index/e/73/4/p764?a=list.

235. N.T.Bagraev, V.A.Mashkov. Tunneling negative-U centers and photo-induced reactions in solids // Solid State Communications. 1984. Vol. 51, no. 7.

Pp. 515 520. http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/ 003810988491024X.

236. Свойства мелких D - центров в полярных полупроводниках / Н.И.Каширина, В.Д.Лахно, В.В.Сычев, М.К.Шейкман // ФТП. — 1992. - Vol. 37, по. 3. - Pp. 318-322.

237. Behaviour of manganense impurity in f3-ZnP2 / M.Kakazej, A.Kudin, M.Pinkovs'ka, V.Taranchyk // SQO. - 2001. - Vol. 4, no. 4. - Pp. 264 - 272.

238. М.П.Ламперт, П.Марк. Инжекционные токи в твёрдых телах. — Москва: Мир, 1973.

239. К.Б.Алейникова, М.М.Афанасьев, И.Е.Занин. Исследование природы эпитаксиального роста красной и черной модификаций дифосфида цинка // Журнал структурной химии. — 2009. — июль-август. — Vol. 50, по. 4. - Pp. 723-725.

240. М.Е.Fleet, J.White. Rwinning and crystal slip in black monoclinic ZnP2 //J. materi. res. — 1986. — Vol. 1, no. 1. — Pp. 187-192.

241. Хирс Дж.П., Моазед К.Л. Физика тонких пленок. — М.: Мир, 1970. — Vol. 4.

242. В.Д.Кузнецов. Кристаллы и кристаллизация. — Москва: Госуд. изд - во техн. - теорет. литературы, 1954.

243. Влияние примесей на политипизм в карбиде кремния / Ю.А.Водаков, Е.Н.Мохов, А.Д.Роенков, М.М.Аникин // Письма в ЖТФ. — 1979. — Vol. 5. - Pp. 367-370.

244. И.Е.Занин, К.Б.Алейникова, М.Ю.Антипин. Анализ химической связи в а— и ¡3 — модификациях дифосфида цинка по рентгенографическим данным. // Кристаллография. — 2003. — Vol. 48, по. 2. — Pp. 232 -237.

245. Б.Л.Шарма, Р.К.Пурохит. Полупроводниковые гетеропереходы. — Москва: «Мир», 1979.

246. I.G.Stamov, V.V.Panasenko. Temperature influenceon tunnel charge transfer in the Shottky- structures of CdP2 // 2rd International conference on materials

science and condensed matter physics, September 21 - 26. — Moldova, Chisinau: 2004. - P. 137.

247. И.Г.Стамов. Особенности свойств гетеропереходов на структурных модификациях дифосфида цинка. // The 4th International conference «Telecommunications, Electronics and Informatics», May 17- 20, v.l. — Moldova, Chisinau: 2012. - Pp. 303 - 308.

248. Crystal chemistry and optical properties of monoclinic zinc diphosphide. / K.B.Aleynikova, A.I.Kozlov, S.G.Kozlova, V.V.Sobolev // Moldavian Journal of the Physical Sciences. - 2004. - Vol. 3, no. 2. - Pp. 137 - 148.

249. В.Б.Квасков. Полупроводниковые приборы с биполярной проводимостью.

— Москва: Энергоатомиздат, 1988. — 130 с.

250. В.В.Пасынков, Л.К.Чиркни, А.Д.Шинков. Полупроводниковые приборы.

— Москва: Высшая школа, 1981.

251. В.И.Морозова, Н.Н.Сырбу, И.Г.Стамов. Полупроводниковый переключатель. Авторское свидетельство СССР №775370. — 1980.

252. В.И.Морозова, Н.Н.Сырбу, И.Г.Стамов. Бистабильный симметричный переключатель. Авторское свидетельство СССР №735133. — 1980.

253. С.И.Радауцан, Н.Н.Сырбу, И.Г.Стамов, В.И.Морозова. Полупроводниковый переключатель. Авторское свидетельство СССР №730233. - 1979.

254. Н.Н.Сырбу, В.И.Морозова. Полупроводниковый переключатель. Авторское свидетельство СССР №890886. — 1981.

255. С.И.Радауцан, Н.Н.Сырбу, И.Г.Стамов. Полупроводниковый переключатель. Авторское свидетельство СССР №599674. — 1977.

256. С.И.Радауцан, Н.Н.Сырбу, И.Г.Стамов, М.И.Головей. Инфракрасный фотоэмиттер. Авторское свидетельство СССР №733487. — 1980.

257. Н.Н.Сырбу, И.Г.Стамов, В.М.Мамаев, М.И.Головей. Полупроводниковый переключатель. Авторское свидетельство СССР №776441. — 1980.

258. Н.Н.Сырбу, И.Г.Стамов, В.М.Мамаев, М.И.Годовей. Полупроводниковый переключатель. Авторское свидетельство СССР №776438. 1980.

259. W.E.Spicer. Photoemissive, Photoconductive and Optical Absorption Studies of Alkali-Antimony Compounds // Phys.Rev. 1958. Oct. Vol. 112. Pp. 114 122. http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRev.112.114.

260. Одноэлектроппые фотоприемники. / С.С.Ветохин, 14.Р.Гулаков,

A.Н.Перцев, 14.В.Резников. Москва: Энергоатомиздат, 1986. 160 с.

261. Полупрозрачный р — GaN(Cs,0) - фотокатод: происхождение избыточного темпового тока и поперечное распределение эмитированных фотоэлектронов. / Д.В.Горшков, С.А.Рожков, Г.Э. Шайблер, др. // XXIII Международная научно - техническая конференция и школа по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 28-30 мая. Россия, Москва: Москва: «НПО «Орион», 2014. Pp. 222 226.

262. Обзор направлений использования УФ фотоэмиссионных приемников излучения на основе разработанного GaN фотокатода. / Л.М.Балясный,

B.Чистов, Д.А.Широков et al. // XXII Международная научно -техническая конференция и школа по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 28-30 мая. Россия, Москва: 2012. Pp. 333 335.

263. С.П.Радауцан, П.Г.Стамов, Г.А.Кудинцева, А.Ю.Камерцель. Инфракрасный фотоэмиттер. Авторское свидетельство СССР №791087. 1980.

264. И.Г.Стамов. Особенности фотоэмиссии электронов с поверхности (001) CdP2 - Cs(O) ¡I Тезисы докладов Всесоюзной конференции «Тройные полупроводники и их применение», 15 - 16 мая. Кишинев: 1987. Р. 193.

265. Г.А.Кудинцева, А.Ю.Камерцель, С.И.Радауцан et al. Фотоэлектронный эмиттер. Авторское свидетельство СССР №950080. 1982.

266. Н.Н.Сырбу, И.Г.Стамов. Холодный катод. Авторское свидетельство СССР №860165. 1981.

267. Г.А.Кудинцева, Н.Н.Сырбу, И.Г.Стамов, А.Г.Уманец. Фотоэмиттер. Авторское свидетельство СССР №865040. — 1981.

268. Н.Н.Сырбу, И.Г.Стамов, Г.А.Кудинцева, А.Ю.Камерцель. Фотоэлектронный эмиттер. Авторское свидетельство СССР №878094.

_ 1981.

269. Г.А.Кудинцева, А.Ю.Камерцель, Н.Н.Сырбу et al. Фотоэмиттер на горячих электронах. Авторское свидетельство СССР №878095. — 1981.

270. Н.Н.Сырбу, И.Г.Стамов, Л.Г.Пеев. Холодный катод. Авторское свидетельство СССР №880156. — 1981.

271. N.N.Syrbu, I.G.Stamov, A.V.Dorogan. Photoreceivers sensible to polarized radiation // 7th Belarusian - Russian Workshop «Semiconductor lasers and systems», 1 - 5 June. - Belarus, Minsk: 2009. - Pp. 247 - 249.

272. И.Г.Стамов, Н.Н.Сырбу. Полупроводниковой фотоприемник. Авторское свидетельство СССР №795352. — 1980.

273. В.Ю.Рудь. Автореферат докторской диссертации. Фотоплеохроизм алмазоподобных полупроводников и поляриметрические структуры на их основе.: Ph.D. thesis / УлГУ. — 2005.

274. Polarization-selective devices for fiber optic communication systems / A.Dorogan, I.G.Stamov, N.N.Syrbu, V.Trofim // 2nd International Conference „Telecommunications, Electronics and Informatics" ICTEI, 15-18 May, Vol. II. - Moldova, Chisinau: 2008. - Pp. 49 - 52.

275. A.Dorogan, I.G.Stamov, N.N.Syrbu. Modes separator based on the birefringence of ZnAs2 crystals // Proceedings The 33rd Annual Congress of the American Romanian Academy of Arts and Sciences (ARA), June 02 - 07,. — 2009. - Pp. v.2, 349 - 352.

276. В.М.Трухан, А.У.Шелег, И.В.Фекешгази. Способ получения монокристаллов дифосфида кадмия тетрагональной модификации // Тезисы докладов 1ой Украинской научной конференции по физике полупроводников, 10 - 14 сентября. — Одесса: 2002. — Pp. т.1, 157 - 158.

277. Ю.В.Ворошилов, В.Ю.Сливка. Аиоксидиые материалы для электронной техники. — Львов: Высшая школа, 1989.

278. М.Л.Сусликов, В.Ю.Сливка, М.П.Лисица. Твердотельные оптические фильтры на гиротропных кристаллах. — Киев: Интерпрес ЛТД, 1998.

279. В.П.Новиков, А.У.Шелег, В.М.Трухан, др. Устройство для измерения температуры. Авторское свидетельство СССС №917004. — 1981.

280. В.Г.Федотов, В.М.Трухан, Т.В.Шёлковая. Чувствительные термометры на основе оптически активных кристаллов дифосфидов кадмия и цинка. // Вестник Гродненского государственного университет,а. Серия 2: Математика, Физика, Информатика и выч. техника, Биология, — 20Ю. - но. 3(102). - Рр. 72 - 75.

281. К.Е.Румянцев. Волоконно - оптическая сенсорика. — Таганрог: изд-во ТРТУ, 1996. - 108 с.

282. Г.Виглеб. Датчики. — Москва: Мир, 1989. — 196 с.

283. Ю.И.Уханов. Оптика полупроводников. — Москва: Наука, 1977. — 366 с.

284. Ф.И.Федоров. Оптика анизотропных сред. — Москва: Едиториал УРСС, 2004. - 384 с.