Оптимизация технологии формирования элементов интегральной электроники с пониженной дефектностью на структурах кремний на изоляторе тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.01, кандидат технических наук Мустафаев, Абдулла Гасанович

• Мустафаев, Абдулла Гасанович
• кандидат технических наук
• 2006

Оглавление диссертации кандидат технических наук Мустафаев, Абдулла Гасанович

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1. ОСОБЕННОСТИ ТЕХНОЛОГИИ ФОРМИРОВАНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛЕНОК КРЕМНИЯ НА ИЗОЛИРУЮЩИХ ПОДЛОЖКАХ.

1.1. Получения пленок кремния на сапфире.

1.2. Гетероэпитаксиальные структуры.

1.3. Имплантация ионов, образующих изолирующую прослойку.

1.4. Электрохимический подход.

1.5. Структуры кремний на сапфире.

1.6. Формирование структур кремний на изоляторе.

1.7. Изготовление КНИ структур методом прямого соединения пластин.

1.8. Применение КНИ-технологии.

ВЫВОДЫ.

ГЛАВА 2. МЕТОДИКИ ИССЛЕДОВАНИЯ ПАРАМЕТРОВ СИСТЕМЫ

МЕТАЛЛ- ДИЭЛЕКТРИК ПОЛУПРОВОДНИК.

2.1. Зарядовое состояние МДП- структур.

2.2. Определение параметров МДП- структур.

2.3. Методика исследования параметров диэлектрика в системе металл-диэлектрик-полупроводник

2.4. Электрофизические свойства системы Si- Si02.

2.5. Влияние зарядов на поверхностные состояния и пороговое напряжение МДП- структур.

ВЫВОДЫ.

ГЛАВА 3. ВЛИЯНИЕ ТЕХН0Л01 ИЧЕСКИХ ФАКТОРОВ НА

ДЕФЕКТНОСТЬ I I ПАРАМЕТРЫ КНИ- СТРУКТУР.

3.1. Особенности МДП- транзисторов изготовленных по КНИ-технологии.

3.2. Дефектность КНИ- структур.

3.3. Влияние дефектов на параметры приборов.

3.4. Влияние технологических факторов на дефектность КНИ-структур.

ВЫВОДЫ.

ГЛАВА 4. ОП ТИМИЗАЦИЯ. ТЕХНОЛОГИИ ФОРМИРОВАНИЯ КНИ

СТРУКТУР.

4.1. Формирование изолирующего слоя.

4.2. Ионная имплантация в КНИ- технологии.

4.3. Пленки Si, выращенные на изолирующих подложках, обработанные ионным пучком.

4.4. Улучшение структуры пленок кремния на сапфире методом ионной имплантации кремния с последующим отжигом.

4.5. Влияние термообработки на электрические свойства ионно-имплантированного кремния на сапфире.

4.6. Формирование пленок на сапфире с улучшенной структурой.!

4.7. Совершенствование структуры пленок кремния на изоляторе.!

4.8. Создание КНИ- структур с пониженной плотностью дефектов.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Оптимизация технологии формирования элементов интегральной электроники с пониженной дефектностью на структурах кремний на изоляторе»

Актуальность темы. Повышение степени интеграции, уменьшение размеров элементов интегральных схем (ИС) непосредственно связано с качественным изменением свойств соответствующих активных и пассивных элементов. Для этого требуется решение двух взаимосвязанных задач: поиск новых материалов, способных обеспечить все возрастающие требования к элементам ИС и совершенствование технологии их формирования.

Данное обстоятельство создало новую ситуацию в микроэлектронике, которая характеризуется тем, что вертикальные размеры активных областей элементов микросхемы становятся соизмеримыми с планарными размерами, т.е. транзисторные структуры элементов микросхем становятся «трехмерными». С другой стороны, резкое уменьшение планарных размеров конструкций элементов привело к возникновению новых проблем, среди которых наиболее важными являются: физические ограничения, связанные с предельно высокими электрическими полями в активных областях ИС; технологические, связанные со статическими флуктуациями легированных примесей и необходимостью выполнения огромного числа малонадежных межсоединений элементов микросхем; схемотехнические, связанные с увеличением энергопотребления и большим разрывом в быстродействии транзисторов сверхбольших ИС (СБИС); ограничения по стойкости СБИС к внешним воздействующим факторам (ВВФ), связанные с соизмеримостью вносимых дефектов с размерами активных областей структур и т.д.

Решение данных проблем связано с совершенствованием технологии формирования и разработкой СБИС с повышенной устойчивостью к ВВФ на основе использования кремний- на- изоляторе (КНИ) - структур.

Разработка па основе КНИ- структур для СБИС с уровнем эиергодинамики и стойкости к ВВФ, существенно превышающий аналогичные параметры интегральных схем на основе традиционной элементной базы, является актуальной проблемой.

Применение КИИ- структур позволяет уменьшить влияния паразитных эффектов и повысить надежность изоляции рабочего объема прибора от остальной схемы и подложки, а так же исключает нежелательные эффекты, в частности, устраняет взаимовлияние между элементами схемы и повышает быстродействие приборов, уменьшается потребляемая мощность. Все это позволяет увеличить интегральную плотность элементов.

Недостатком такой структуры является низкое качество границы раздела кремний- изолятор, которое обусловливается рассогласованием кристаллических решеток кремния и подложки. Последнее приводит к генерации дефектов кристаллической решетки, возникновению механических напряжений в эпитаксиальном слое и к ухудшению электрофизических параметров структур.

Среди КИИ- структур существенный объем по различным областям применения занимают структуры кремний на сапфире (КНС). Однако, высокая стоимость сапфирового основания и низкое кристаллографическое совершенство формируемых кремниевых эпитаксиальных пленок являются препятствием для их широкого применения. Одним из выходов в сложившейся ситуации является разработка новых и перспективных технологии, с помощью которых станет возможным формирование совершенных КНИ- структур с требуемым набором структурных и электрофизических параметров.

Настоящая работа выполняется в соответствии с федеральной целевой, программой «Электронная Россия» на 2002-2006гг.

Целью работы является исследование возможности оптимизации технологии формирования КНИ- структур для управляемого изменения свойств границы раздела диэлектрик- полупроводник.

Для достижения указанной цели были сформулированы и решены следующие задачи:

• разработка способов совершенствования технологии создания КНИ-структур с улучшенными электрофизическими параметрами;

• определение механизмов образования дефектности в процессе формирования КНИ- структур;

• выявления связи между конструктивно- технологическими особенностями КНИ- структур и их параметрами; совершенствование и оптимизация конструкции КНИ- структур с целыо повышения их радиационной стойкости (PC);

• оценка эффективности использования ионной имплантации для управления зарядовым состоянием КНИ- структур и их электрофизическими параметрами.

Методы исследования. В работе использованы метод эллипсометрии, вольт- фарадный, инжекционный, электрографии и электронно-микроскопические методы.

Научная новизна работы заключается в следующем:

• показана возможность применения обработки структур КНИ ионным пучком для управляемого изменения свойств границы раздела диэлектрик- полупроводник и электрофизических параметров приборов на их основе;

• установлены общие закономерности воспроизводимого формирования КНИ- структур с заданными электрофизическими параметрами;

• исследовано влияние условий формирования КНИ- структур на электрические и структурные свойства границы раздела эпитаксиальная пленка- подложка;

• установлена взаимосвязь между конструктивными особенностями

КНИ- структур и их параметрами, определены пути оптимизации конструкции;

• впервые предложены и защищены патентами России конструктивно- технологические методы снижения дефектности и токов утечки в КИИ- структурах. Практическая значимость работы:

Установленные теоретические и экспериментальные закономерности поведения свойств границы раздела диэлектрик -полупроводник и параметров КНИ- структур могут быть использованы при разработке новых и оптимизации существующих технологических процессов создания изделий твердотельной электроники с улучшенными х ар актер и сти ками.

Разработан и предложен для практического применения совмещенный в едином технологическом цикле способ создания полупроводниковых приборов на КНИ- структурах с использованием процессов обработки высокоэнергетичными электронами и ионами бора.

Полученные и систематизированные данные по изучению влияния ионного легирования и облучения на параметры КНИ- структур апробоваиы и используются в ОАО СКБ «Элысор» при разработке радиационно-стойких интегральных схем и изготовлении маломощных высокочастотных транзисторов с улучшенными электрическими параметрами. Положения, выносимые на защиту

1. Использование преимущественного проявления одного или совокупности эффектов воздействия попов низкой энергии, позволяющее обеспечить улучшение параметров границы раздела полупроводник-диэлектрик.

2. Влияние легирования ионами на параметры КНИ- структур и новые технологические маршруты получения полупроводниковых структур, обладающих улучшенными параметрами и повышенной надежностью.

3. Оригинальные технологические решения, включающие радиациоино- термический процесс, повышающий надежность приборов на основе КНИ- структур.

4. Конструктивно- технологические варианты исполнения КНИ-структур, обеспечивающие наилучшие сочетания электрических параметров приборов.

5. Взаимосвязь между электрофизическими параметрами и зарядовым состоянием областей КНИ- структур.

Обоснованность и достоверность научных положений и выводов сформулированных в диссертации, подтверждается согласованностью полученных результатов и следствий из них с известными литературными, теоретическими и экспериментальными данными, результатами апробирования и внедрения в технологии изготовления полупроводниковых приборов и ИС.

Личный вклад автора. Диссертация представляет итог самостоятельной работы автора, обобщающей полученные лично им результаты, а также в соавторстве с сотрудниками КБГУ и СКБ «Элькор». В цитируемых автором работах ему принадлежит выбор основных направлений и методов решения задач, трактовка и обобщение 11 о л у ч енных результатов.

Апробация работы. Основные результаты докладывались на: Второй Всероссийской научной internet- конференции «Компьютерное и математическое моделирование в естественных и технических науках», Тамбов, 2001; Международном симпозиуме «Фазовые превращения в твердых растворах и сплавах», ОМА-2002, Сочи, 2002; Российских конференциях по материаловедению и физико- химическим основам технологии получения легированных кристаллов кремния и приборных структур на их основе, Москва, 2003, 2005; Международном симпозиуме

Порядок, беспорядок и свойства оксидов», ОДРО- 2003, Сочи, 2003; Всероссийских научных конференциях студентов, аспирантов и молодых ученых «Перспектива- 2005; 2006», Нальчик, 2005, 2006; V международной научной конференции «Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии», Кисловодск, 2005; научных семинарах факультета микроэлектроники и компьютерных технологий КБГУ, Нальчик (20042006гг).

Публикации. Основные результаты диссертационной работы опубликованы в 11 печатных работах. По материалам диссертации получены 3 патента РФ.

Объем и структура работы. Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и списка цитируемой литературы. Работа содержит 149 страниц машинописного текста, 40 рисунков, 8 таблиц и список литературы из 116 наименований.

Заключение диссертации по теме «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника на квантовых эффектах», Мустафаев, Абдулла Гасанович

выводы:

1. Проведены исследования влияния имплантации ионов на границу раздела кремниевая пленка- подложка. Предварительная обработка ионами Si', 0+, Аг+ дозой (5-10|2-4-1014) см"2 с энергией (10-65) кэВ в подложку до эпитаксиального роста уменьшает несоответствие решеток между эиитаксиальной пленкой кремния и подложкой и улучшает структуру пленок кремния, за счет образования тонкой и слабо разоупорядоченной переходной области в поверхностном слое подложки.

2. Плотность дефектов в верхнем слое кремния в КНИ- структурах зависит от температуры подложки при проведении имплантации и дозы имплантации кислорода. Установлено, что оптимальными технологическими параметрами, обеспечивающими получение

2 2 минимальной плотности дефектов (до ~10 см" ), являются: температура

18 ^ подложки 550-600°С, доза имплантации 1,2-10 см"".

3. Впервые разработан способ создания полупроводникового прибора на КНИ- структурах с пониженной дефектностью, основанный па формировании изолирующей подложки под слоем кремниевой пленки слоя диоксида кремния, со скоростью осаждения 0,02 мкм/мин, толщиной 0,2- 0,4 мкм, при температуре подложки 700- 1080°С, за счет снижения несоответствия решеток между пленкой кремния и подложкой. Способ защищен патентом РФ.

4. Показано, что между эпитаксиальным слоем кремния и сапфировой подложкой имеется переходной слой (порядка 30 им), представляющий собой область переменного состава, включающая кремний и алюмосиликатные соединения, которая оказывает влияние на электрофизические процессы в структурах КНИ и приводит к появлению в кремнии области пространственного заряда эквивалентной наличию на границе раздела сосредоточенного заряда. Установлено, что процесс двойной эпитаксии в твердой фазе обеспечивает снижение плотности дефектов и улучшения качества структуры поверхностных слоев кремния за счет подавления генерации на границе раздела кремний- подложка.

5. Плотность дефектов в КНИ- структурах при ионной имплантации снижается, если набор дозы имплантированного кислорода проводить в несколько этапов с промежуточными отжигами при 1300°С в течении 6ч в атмосфере смеси аргона и кислорода.

6. Определено, что в структурах кремний- на- изоляторе однородный сплошной скрытый слой диоксида кремния образуется при имплантации ионов кислорода дозой 0,4-1018см"2, который обеспечивает получение КНИ- структур с напряжением пробоя 40В, а подбор дозы позволяет регулировать толщину скрытого слоя Si02 и ее параметры.

I ? 9

7. Показано, что при имплантации ионов бора дозой (1-6)10 "см"" с энергией 25-35кэВ на КНИ- структуры токи утечки снижаются за счет компенсирующих действий отрицательных ионов бора на положительный заряд на границе раздела кремний- изолятор и достигают насыщения при дозе (2-ьЗ)1012см~2.

8. Впервые разработан способ создания интегральных МДП- транзисторов на КНИ- структурах с улучшенными параметрами путем обработки высокоэнергетичными электронами дозой 2-1014 -f-8-lО16 см"2 с энергией 4 МэВ. Способ защищен патентом РФ.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

По результатам проведенных исследований можно сделать следующие

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Мустафаев, Абдулла Гасанович, 2006 год

1. Haond М. Recrystallization of Si on insulating substrates by using incoherent light sources // J. Phys, 1984, 44, N10, p. 327-336

2. Colinge J.-P. Silicon-on-insulator MOS devices for integrated circuit applications. «Hewlett-Packard J.», 1988, 39, №1, p. 87-93

3. Vasudev P.K. Recent advances in solid-phase epitaxial recrystallisation of SOS with applications to CMOS and bipolar devices // "IEEE Circuits and Devices Mag.", 1987,3, N4, p. 17-19

4. Tseng W., Rep асе I, Hughes IT, Christou A. Silicon on sapphire films with negative and positive interfacial charges. "Thin Solid Films", 1981, 82, N3, p. 213-216.

5. Carey K.W., Ponce F.A., Amano J., Azanovich J. Structural characterisation of low- defect- density silicon on sapphire. "J.Appl Phys"; 1983, 54, №8, p. 44144420.

6. Smith D., Freeman L., MeMahon R., Ahmed IT., Pitt M., Peters T. Characterization of Si-implanted and electron-beam annealed silicon on sapphire using high-resulation electron microscopy. "J. Appl. Phys., 1984, 56, N8, p. 2207- 2212

7. Lam H.W. SIMOX SOI for integrated circuit fabrication. "IEEE Circuits and Devices Mag", 1987, 3,N4, p. 6-11.

8. Stoemenos I., Laussand C., Bruel M., Margail J. New conditions for synthesizing SOT structures by high dose oxygen implantation. "J. Cryst. Growth," 1985, 73, N3, p. 546- 550.

9. Elewa Т., Balstra F., Cristoloveany S., Hafez I.M. Performance and physical mechanisms in SIMOX MOS transistors operated at very low temperature. «IEEE Trans. Electron. Devices.», 1990, 37, №4, p. 1007-1019.

10. Aoni Т., Tomizawa M., Yoshii A. Design considerations for thin-film SOI/CMOS device structures. «IEEE Trans. Electron. Devices.», 1989, 36, №9, p. 1725-1731.

11. Til lack В, Richter H.H., Hunger В., Shiller V., Adam A., Gyulai L On the characteristics of CMOS transistors in thick films. «Phys. status solidi», 1989, 112, №2, p. 721-726.

12. Maclver B.A., Jain K.C. MOS transistors fabricated in oxygen-implanted silicon-on-insulator. «IEEE Trans/ on Electron Dev.», 1986, 33, №12, p. 1953-1955.

13. Possum I.G., Choi J.-Y., Sundaresan R. SOI design for competitive CMOS VLSI. ««IEEE Trans. Electron. Devices.», 1990, 37, №3, p. 724-729.

14. Diantong L., Wuxing L., Huaide Z., Dang M., Zhongning L. Properties of SOI structures formed by high dose oxygen implantation into silicon. «Vacuum», 1989, 39, №2-4, p. 219-221.

15. Scanlon P.S., Hemmenet P.L., Robinson A.K., Charter R.J., Harbeke G. Oxygen rich SIMOX. «Semicond. Soi. Technol.», 1991, 6, №8, p. 730-734.

16. Tsaur B.-Y. Zone-melting-recrystallization silicon-in-insulator technology. «IEEE Circuits and Devices mag.», 1987, 3, №4, p. 12-16.

17. Haond M., Yu D.-P., Aguerre A.M., Perret S. Electrical performances of devices made in SOI films obtained by lamp ZMR. «IEEE Circuits and Deviccs Mag.», 1987, 3, №4, p. 27-31.

18. Arnold E., Baumgart H., Khan В., Ramesh S. Laser-beam-indused recrystallization of silicon and it's application to silicon-on-insulator technology. «Philips J.Res.», 1987, 42, №3, p. 253-280.

19. Alestig G., Holmen G., Einnros J. Electrical properties of ion beam recrystallized and laser beam annealed arsenic-implanted silicon on sapphire. «J.Appl.Phys.», 1987, 62, №2, p. 409-413.

20. Maszara W. P., Goetz G., Cavigilia A. Mc.Kitterick J. B. Bonding of silicon wafers for silicon- on- insulator. J. Appl. Phis., 1986, v.64, № 10, p. 1943-1950.

21. Sensor Technology Devices. Ed. Ejubisa Rustic. Boston London: Artech House, 1994, p. 157- 201.22. long Q. Y., Gusele U. A Model of Low- Temperature Wafer Bonding And Its Applications. - J. Electrochem. Soc., 1996, v.143, № 5, p. 1773-1779.

22. Tong Q. Y., Gusele U. Wafer Bonding and Layer Splitting for Microsystems. -Adv. Mater. 1999, v.ll,№ 17, p. 1409-1425.

23. Tong Q. Y., Gusele U. Semiconductor Wafer Bonding: Science, Technology. New York, 1988, p.326.

24. Timoshenkov S.P., Prokopfiev E. P. Possibility of silicon wafers bonding with chemical assembling of surface by molecular layers arrangement method. -Abstracts on NATO Advanced Research Workshop (NATO ARW). Ukraine. Kyiv, October 2-5, 2000, p. 23-24.

25. Take Т., Nakazato Y., Yoshizawa K., Uchiyama A. Silicon wafer bonding mechanism for silicon-on-insulator structures. «JapJ.Appl.Phys.», 1990, 29, №12, p. 2311-2314.

26. Furukava K., Nakagava A. Application of the silicon wafer direct-bonding rechuique to electron devices. «Appl.Surf.Sci.», 1989, 41/42, №14, p. 627-632.

27. Прокопьев Е.П., Тимошенков СЛ., Калугин В.В. Технология КНИ структур. Петербургский журнал электроники, 2000, №1, с. 8-26.

28. Тимошенков С.П., ТГрокопьев ЕЛ. Особенности процесса прямого соединения кремния. Материаловедение, 1999, №5. с. 43-45.

29. Прокопьев ЕЛ., Тимошенков СЛ., Калугин В.В., Григорьев Д.К., Тимошенков А.С. Научные основы технологии структур «кремний на изоляторе». Петербургский журнал электроники, 2002, №2, с. 15-27.

30. Тимошенков СЛ., Прокопьев ЕЛ., Калугин В.В., Тимошенков А.С., Талесников МЛ. SMART-CUT технологии изготовления КНИ структур. Петербургский журнал электроники, 2003, №2, с. 31-39.

31. Прокопьев ЕЛ., Тимошенков С.П. Возможность прямого соединения пластин кремния с использованием химической сборки поверхности методом молекулярного наслаивания, Материаловедение, 1999, №4. с. 49-51.

32. Тимошенков С.П., Прокопьев Е.П., Дягилев В.В. Движение и залечивание пор и полостей вблизи границы сращивания стандартных пластин кремния. Известия вузов. Электроника, 1998, №5, с. 39-44.

33. Schott J.T., Shedd W.M. Silicon- on- insulator technologies. "IEEE Trans. Nucl. Sci.", 1986, 33, №6, p.p. 1366- 1371.

34. Giddings A.E., Hewlett F.W, Trcece R.K. "IEEE Trans. Nucl. Sci.", 1985, 32, №6, p.p 4159-4163.

35. Аксенов А.И., Гребенников Г.И., Савченко A.M. Состояние и перспективы развития микроэлектроники по программам вооружения. Зарубежная электронная техника 1990, №4, с. 53-67.

36. Баранов Ю.Л. Состояние и перспективы использования КНС- технологии. ЗЭТ, 1989, №11, с. 19-33.

37. Кравченко В.М., Будько М.С. Современное состояние КНД- технологии. ЗЭТ, 1989, №9, с. 3-54.39. . Генкин В.И., Грачева 'Г.Г., Калякина Т.М., Макарова А.В. Наивысшие параметры основных классов изделий электронной техники. ЗЭТ, 1987, №4, с. 3-81.

38. Согоян А.В., Никифоров А.Ю., Мордкович В.Н. Дозовые эффекты в КНИ МОП структурах. В сб. «Радиационная стойкость электронных систем», М, 1989, с. 53-54.

39. Cavigla A. Linear- dynamic self- heating in SOI- MOSFETs.- IEEE Electron Device Lett, 1993, v 14, p.133.

40. Brodsky J.S., Fox R.M., Zweidinger D.T. Physical- Based, Dynamic Thermal impedance Model for SOI MOSFETs. IEEE Trans., 1997, NS-44, №6, p.p. 957963.

41. Никифоров A.10., Скоробагатов П.К. Моделирование объемных ионизационных эффектов в приборах технологии кремний на изоляторе. Микроэлектроника, 1998, т. 27, №1, с. 7-13.

42. Никифоров А.Ю., Телец В.А., Чумаков А.К. Радиационные эффекты в КМОПИС.М, 1994, 164 с.

43. Агаханян Т.М., Астравацатурьян Е.Р., Скоробагатов Г1.К. Радиационные эффекты в интегральных схемах. М, 1989, 256 с.

44. Свойства структур металл диэлектрик - полупроводник. Под ред. А.В. Ржанова. М., «Наука», 1976, 277с.

45. Зи. С. М. Физика полупроводниковых приборов.-М.:Мир, 1984, 455 с.

46. Ржанов А.В. Электронные процессы на поверхности полупроводников. М., «Наука», 1971,480с.

47. Коноров ГШ., Тарантов Ю.А., Касъяненко Е.В. Электронные и ионные процессы в системе кремний диэлектрик - электролит. Под ред. А.В. Ржанова, Новосибирск, «Наука», 1978, с. 247.

48. Колешко В. М., Каплан Г. Д. C-V-методы измерения параметров МОП-структур. Обзоры по электронной технике, сер.З, Микроэлектроника, вып. 2, 1977, 51с.

49. Арсланбеков В.А., Сафаров А. Некоторые особенности механизма и кинетики окисления кремния. Микроэлектроника, т. 6, вып. 1, М., "Наука", 1977, с. 86-92.

50. Арсланбеков В.А., Проблемы физической химии поверхности полупроводников. Под ред. А.В. Ржанова, Новосибирск, «Наука». 1978, с. 107.

51. Гуртов В. А. Радиационные процессы в структурах металл-диэлектрик-полупроводник.-Петрозаводск: 1988, 117с.

52. Toshio Y., Shinji Т., Tomoyasu L, Hiroyuki Т. Improvement of SOS devices perfomance by solid-phase epitaxy. Proc. Of the 13th Conference on Solid State Devices, Tokio, 1981. Jap. J. Appl. Phys., 1982, p.21

53. Dowsett M., Parker E., Mole P. Quantification of dopant implants in oxidized Silicon on Sapphire using secondary-ion mass spectrometry. J. Appl. Phys., 1983, 54, N11, p. 6340- 6342.

54. Коэн Ч. Окисленный пористый кремний как изолятор, превосходящий сапфир. Электроника, 1981, №2, с. 15- 16.

55. Picraux S. Ion channeling studies of the crystalline perfection of epitaxial layers. J. Appl. Phys., 1973, 44, p. 587- 593.

56. Tomoyasu I., Tochio Y. Crystalline quality improvement of SOS films by Si implantation and subsequent annealing. Nucl. Instrum. and Meth., 1981, 2, p. 683690.

57. Ham W., Abrahams M., Duiocchi C., Blanc J. Direct observation of the structure of thin, commercially useful silicon on sapphire films by cross section transmission electron microscopy. J. Electrochem. Soc., 1977, 124, N4, p. 634.

58. Ishida M., Sasaki Sh. et al. Epitaxial growth of SOS films with amorphous Si buffers layer. Jap. J. Appl. Phys., 1981, N7, p. 541- 544.

59. Sorin C., Lee J-H., Chovet A. Thin Solid Films, 1982, N1, p. 13- 18.

60. Phillips D. Silicon-sapphire devicc photoconduction prediction. IEEE Trans., 1974, N6, p. 217- 220.

61. Jastrrebski L., Smeltrer R., Cullen G., Lagowski J. Effects of heat-treatment on electrical properties of ion-implanted silicon sapphire. J. Electrochem Soc., 1984, 131, N6, p. 1375- 1378.

62. Reedy R., Sigmon Т., Christel L. Suppressing A1 outdiffusion in implantation amorphized and recrystallized silicon on sapphire films. Appl. Phys. Lett., 1983, 42, N8, p. 707- 709.

63. Golecki I. Moudy L., Yang J. Heteroepitaxial Si films on ultra-stabilized, cubic zircon substrates. Appl. Phys. Lett., 1983, 42, N6, p. 501- 503.

64. Skorobogatov P., Nikiforov A, Poljakov I. CMOS/SOS 1С Transient radiation response. Proceedings of the Third Workshop on Electronics for LHC Experiments, London, 1997, p. 541- 545.

65. Kimuta M., Kanamori M. Epitaxial films transfer technique for producing single crystal Si film on insulating substrates. Appl. Phys. Lett., 1983, 43, N3, p. 263265.

66. Antoniadis D. Three-dimensional integrated circuit technology. Energy beam-solid interact, and. Transient therm. Proceeding. Boston, 1983, p. 587- 595.

67. Partridge S.L. Silicon- on- insulator and device applications // The GEC J. of Research.- 1986. -Vol.4, N3. p. 165-173.

68. Cole C.B. Ulradense chips: the drive quickens // Electronics. 1986. -Vol. 59, №17.-p. 37-42.

69. Schott J.T., Shedd W.M. Silicon- on- insulator technology- are we converging on a technology of choice // IEEE Trans, on NS. -1986. Vol. 33, №6. -p. 1366-1371.

70. Hon Wai Lam. SIMOX SOI for integrated circuit fabrication // IEEE Circuits and Dev. Mag. -1987. -Vol.3. №4. -p. 6-11.

71. Weaver H. Overview // IEEE Circuits and Dev. Mag. -1987. -Vol.3, № 4. -p. 3-5.

72. SIMOX- based SRAMs enter at 16 kbit // Electronic Engng. -1988. -Vol.60. № 737. -p. 38.

73. Imai K. A new dielectric isolation method using porous silicon // Sol.- St. Electronics. -1981. -Vol.24, -p. 159-164.

74. Benjamin J., Keen J., Large area, uniform silicon- on- insulator using buried layer of oxidised porous silicon // Appl. Phys. Lett. -1986. -Vol. 49. -p. 716-718.

75. Imai К., Unno H. FIPOS technology and its application to LSIs // IEEE Trans, on ED. -1984. -Vol. 31, №3. -p. 297-302.

76. Institutions active in SOI development // IEEE Circuits and Dev. Mag. -1987.-Vol. 3, № 4. -p. 32-35.

77. Tsao S. Porous silicon techniques for SOI structures // IEEE Circuits and Dev. Mag.-1987.-Vol.3, №6.-p. 3-7.

78. Barla K., et al. SOI technology using buried layers of oxidised prous Si// IEEE Circuits and Dev. Mag. -1987. -Vol. 3, № 6. -p. 11-15.

79. Bambrick R. Role of SOI techniques in 3D VLSI emerges // Electronics News. 1986, Vol.32, №1. -p. 131.

80. Halle L.F. Zietlow T.C., Balnes C.E., IFET/SOS devices part II: Gamma-radiation-induced effects. «IEEE Trans. Electron Devices», 1988, 35, №3, p. 359364.

81. Krull W.A., Buller J.F., Rouse G.V., Cherne R.D. Electrical and radiation characterization of three SOI material technologies. «IEEE circuits and devices mag», 1987, 3, №4, p. 20-26.

82. Hisamoto D., Kaga Т., Takeda E. Impact of the vertical SOI structure on planar device technology. «IEEE Trans. Electron devices», 1991, 38, №6, p. 1419-1424.

83. Itoh Tadatsuqu, Takai Hiroshi. Jap., Characteristics of Si films grown on ion processed Sapphire substrates by plasma dissociation of Silane. J. Appl. Phys., 1983, Pt. 1,22, №4, p. 597-602.

84. Lau S.S., Mattecon S., Mayer J.W., Revcr P., Gyulai J., Roth J., Sigmon T.W. and Cass Т. Appl. Phys. Lett. 34, 1979, p. 76.

85. Inone T. and Yoshte Т. Appl. Phys. Lett. 36, 1980, p. 64.

86. Yamamoto Y., Wilson I.H. and Itoh T. Appl. Phys. Lett. 34, 1979, p. 403.

87. Nesbit L., Stiffler S., Iusser G., Vinton H. Formation of silicon-on-insulator structures by implanted nitrogen. «J.Electrochem.Soc», 1985, 132, №11, p. 27132721.

88. Roulet M.E., Schwob P., Affolter K., Luthy W., Von Allmen M., Fallavier M., Mackowski J.M., Nicolet M.A. and Thomas J.P. J. Appl. Phys. 50, 1979, p. 5536.

89. Roulet M.E., Schwob P., Golecki I., and. Nicolet M.A. Electron. Lett. 15, 1979, 527.

90. Picrauk S.T., Rimini E., Foti G. and Campisano S.U., Phys. Rev. В18, 1978, 2078.

91. Алябьев И.В., Блецкан Н.И., Папков B.C., Суровиков М.В., Чумак В.Д. Состояние и проблемы KPIC-технологии. «Электронная промышленность». 1983, вып. 1(118), с. 47-51.

92. Druminski М. Optimisation of the deposition conditions for epitaxial Silicon films on Crochraiski Sapphire in the Silane- hydrogen. System Electrochem. Soc , 1980, 127, №4, p. 957.

93. Ishida M., Ohuama FI., Sasaki Sh. et al. Epitaxial growth of SoS films with amorphous Si buffer layer Jap. J. Appl. Phys., 1981, 20, №7, p.541 -544.

94. Reedy R.E., Sigmon T.W., Christel L., A. Suppressing Al out diffusion in implantation amorphized and recrystallized Silicon on Sapphire films. Appl. Phys. Lett., 1983, 42(8), p. 707-709.

95. Asano Т., Ishiwara FI., Orihara K., Furukawa S. Improvement of crystal line quality of Si films on CaF2 / Si Structures by ion implantation and Solid phase recrystallization. Jap. J. Appl. Phys., 1983, 22, №2, p.l 18-120.

96. Weitzel C.E., Smith R.T. Sapphire substrate disorientation and SOS /MOS transistor performance "J. Electrochem. Soc." 1977, 1.24, №7, p.l 080-1086.

97. Yoshic T. Electron. Mater. Conf., Dig. Tech. Pap. 1981, p. 50.

98. Tseng W.F., Repace J.L., Flughes PI.L., Chistou A. Silicon-on-Sapphire films with negative and positive interfacial charges. "Thin Solid Films", 1981, 82, №3, p. 213-216.

99. Bussmann U., Hemment P.L.F. Layer, thickness calculations for silicon-on-insulator structures formed by oxygen implantation. «Appl.Phys.Lett.», 1990, 57, №12, p. 1200-1202.

100. Jastrebski L. Comparison of different SOI technologies: assets and liabilities. «RCA Rev.», 1983, 44, №2, p. 250-269.

101. Pennycook S J., Namavar F., Karam N.FI. Formation of low dislocation density silicon-on-insulator by a single implantation and annealing. «Appl.Phys.Lett.», 1990, 57, №2, p. 156-158.

102. Мустафаев Г.А., Саркаров Т.Э., Мустафаев А.Г. Влияние излучений на МДП-структуры. Зарубежная электронная техника, №4, 2001, с. 81-102.

103. Мустафаев А.Г., Мустафаев А.Г. Формирование радиационно- стойких КНД- структур //Труды молодых ученых, РАН Владикавказский научный центр, Владикавказ, 2004, вып.З, С. 18-21.

104. Мустафаев А.Г., Кумахов A.M., Мустафаев А.Г. Основные процессы, происходящие при воздействии ионизирующего излучения на полупроводниковые структуры, и способы повышения их радиационной стойкости //Вестник ДНЦ РАН. 2003, №13, С. 22-28.

105. Внедрение результатов научных исследований в производстве полупроводниковых приборов и ИС обеспечило повышение процента выхода годных изделий на 6% и экономический эффект составил 375 тыс.рублей.

106. Начальник отдела, к.т.н. Инженер технолог

107. В.А. Панченко Т.Н. Половнева