Оптический отклик открытых полупроводниковых квантовых точек тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат наук Королев, Никита Викторович

• Королев, Никита Викторович
• кандидат наук
• 2013

Оглавление диссертации кандидат наук Королев, Никита Викторович

Оглавление

Введение

1 Современное состояние физики и технологии коллоидных квантовых точек

1.1 Технологические методики синтеза квантовых точек

1.2 Теоретические подходы к описанию энергетической структуры квантовых точек

1.3 Открытые квантовые системы: квазистационарный спектр

1.4 Диэлектрическая проницаемость гетерогенных систем

Цель и задачи

2 Энергетическая структура открытой сферической квантовой точки

2.1 Дельта-потенциал и граница открытой квантовой точки

2.2 Квазистационарный спектр электрона

2.3 Дырочный спектр в квантовых точках со структурой цинковой обманки

2.4 Электронно-дырочное взаимодействие: формализм теории возмущений

2.5 Интеграл перекрытия и радиационные переходы: приближение медленных огибающих функций

Основные результаты и выводы

3 Стационарный оптический отклик слабо-упакованных ансамблей коллоидных квантовых точек

3.1 Поляризуемость полупроводниковой квантовой точки:

стационарный отклик в монохроматическом поле

3.1.1 Квазирезонансное взаимодействие двухуровневой системы в экситонном режиме с электрическим полем

3.1.2 Релаксация энергии в трехуровневой квантовой точке

типа «каскад»

3.2 Приведенная поляризуемость и диэлектрическая проницаемость гетерогенной системы «квантовая точка/матрица»

3.3 Линейные спектры поглощения ансамблей гомогенных коллоидных квантовых точек и систем типа «ядро-оболочка»

3.3.1 Исследуемые образцы: экспериментальная методика

синтеза

3.3.2 Интерпретация спектров поглощения ансамблей

квантовых точек CdS/ZnS

3.3.3 Оптический отклик монодисперсных ансамблей

квантовых точек CdSe: теория и эксперимент

Основные результаты и выводы

Заключение

Список литературы

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Оптический отклик открытых полупроводниковых квантовых точек»

Введение

Актуальность темы

Среди систем пониженной размерности уникальными свойствами обладают квантовые точки (КТ), занимающие положение в иерархии структур из промежуточных элементов между молекулярными или кластерными системами и «объемными» кристаллами. Уникальность свойств КТ связана с атомоподобным спектром и, как следствие, качественными квантово-размерными особенностями физических величин, определяющих оптический отклик и транспортные свойства КТ и их ансамблей.

Изучение КТ как самостоятельного объекта научных исследований, направленное на понимание квантово-размерных зависимостей в энергетической структуре, началось в начале 80-х годов совместно с развитием синтеза полупроводниковых нанокристаллов в стеклах. Наиболее информативным инструментом в исследовании энергетической структуры оказались методы оптической спектроскопии, которые выявили основные спектральные особенности рассматриваемых систем. Однако в течение продолжительного периода углубленное исследование спектра КТ сталкивалось с проблемой отсутствия доступных высококачественных образцов. Решение этой проблемы было дано в 1993 году с разработкой коллоидного синтеза монодисперсных ансамблей КТ CdSe в TOPO (триоктилфосфиноксид).

Теоретическое рассмотрение подобных систем проводилось в рамках различных методов: приближения эффективных масс, сильной связи и псев-

допотенциала. Наибольшее распространение получил метод эффективных масс, поскольку дает удовлетворительное согласование с экспериментом в широком диапазоне размеров КТ и наиболее ярко отражает изменение энергетической структуры при различных параметрах системы. Недавно было показано, что при строгом рассмотрении асимптотики волновых функций с учетом конечной высоты потенциального барьера на границе КТ, дискретные состояния представляют собой не стационарные, а квазистационарные уровни энергии. Таким образом, КТ рассматривается как открытая система, взаимодействующая с окружающей средой. Однако полученные выражения делают затруднительным рассмотрение оптического отклика по всем элементам ансамбля КТ с конечной дисперсией по размеру. Более того, при толщинах потенциального барьера порядка монослоя, применение эффективной массы, строго говоря, не корректно. Также в отечественной и зарубежной литературе наметился пробел в области изучения влияния квазистационарной природы электронного спектра на оптические переходы.

Таким образом, теоретическое исследование оптического отклика КТ является актуальной задачей физики полупроводников и востребовано в оптической спектроскопии квантовых систем. Исследованию квазистационарного спектра полупроводниковых коллоидных КТ, влияния его природы на оптические переходы и моделированию стационарного оптического отклика, наблюдаемого в эксперименте, посвящена данная работа.

Диссертационная работа выполнена согласно тематическим планам НИР Воронежского государственного университета по теме «Исследование транспортных и оптических свойств ансамблей полупроводниковых квантовых точек в различном окружении» (№ г/р 01201263931). Работа поддержана грантом в рамках Программы стратегического развития ВГУ для молодых ученых (№ПСР-МГ/09-12) «Исследование спектральных и кинетических закономерностей формирования и распада электронных возбуждений в коллоидных нанокристаллах СсШ и системах «ядро-оболочка» на их основе».

Цель работы

Целью работы являлось установление закономерностей в оптическом отклике полупроводниковых КТ и гетеросистем на их основе. Для достижения поставленной цели в диссертации решались следующие научные задачи:

1. В рамках предложенной модели открытой КТ расчет спектра квазистационарных состояний электрона при различных параметрах системы.

2. Расчет энергетического спектра дырочных состояний КТ с кристаллической структурой цинковой обманки для различной степени вырождения валентной зоны.

3. Исследование влияния квазистационарной природы электронного спектра на вероятность межзонных оптических переходов.

4. Расчет поляризуемости и диэлектрической проницаемости ансамбля слабо-упакованных коллоидных КТ при различных условиях возбуждения.

5. Интерпретация экспериментальных линейных спектров поглощения и спектров наведенной фотолюминесценции ансамблей однородных КТ Сс18е и СёБ, а также систем типа «ядро-оболочка» Сс18/2п8.

Объекты и методы исследования

Изучались КТ СёЭ, СсШ/гпЗ и Сс18е, заглубленные в полимерную матрицу, получаемые низкотемпературными методами коллоидного синтеза. Выбор КТ Сё8е связан с возможностью сравнения теоретически рассчитанных зависимостей с большим количеством экспериментальных данных. Исследование КТ Сс18 инициировано в виду недостаточной изученности свойств данных нульмерных систем, а также их потенциальными возможностями в области биологических приложений (биомаркеры, фотосенсибилизация). Гетерострук-туры на основе Сё8/^п8 исследуются с целью интерпретации экспериментальных данных о перестройке энергетической структуры и изменения интенсивности радиационных переходов в присутствии неорганической оболочки.

Научная новизна

Научная новизна работы определяется тем, что:

- построена теоретическая модель КТ с ¿^-потенциалом на границе, обеспечивающая последовательный расчет параметров квазистационарных состояний электрона;

- изучено влияние дополнительного канала релаксации энергии на вероятность межзонных оптических переходов;

- предложено развитие теории эффективных сред Максвелла-Гарнетта для оценки диэлектрической проницаемости гетерогенных систем с наноразмерной диспергированной фазой;

- на основе разработанной модели КТ проведен анализ экспериментальных линейных спектров поглощения ансамблей однородных КТ и систем типа «ядро-оболочка».

Теоретическая значимость работы

Полученные в работе результаты представляют самостоятельный интерес в исследованиях энергетической структуры полупроводниковых КТ и являются основой теоретического описания нестационарных явлений.

Практическая значимость работы

Разработанная модель открытой КТ является эффективным инструментом для интерпретации экспериментальных данных, получаемых методами оптической спектроскопии, и оптимизации процесса коллоидного синтеза КТ. Полученные результаты могут быть использованы в исследованиях оптических и транспортных свойств ансамблей КТ с различной степенью упорядоченности, в том числе метаматериалов.

Научные положения и результаты, выносимые на защиту:

1. Квантово-механическая модель открытой сферической КТ с ^■потенциалом на границе демонстрирует удовлетворительное согла-

сование теоретически рассчитанной энергетической структуры и экспериментальных данных.

2. Свойства полимерной матрицы оказывают влияние на локализацию электрона внутри КТ, что проявляется в перераспределении соответствующих вероятностей оптических межзонных переходов.

3. Модифицирована теория эффективных сред для оценки диэлектрической проницаемости гетеросистем с наноразмерной диспергированной фазой, в которой степень модификации оптического отклика заданной гетеросистемы определяется фактором заполнения полимерной матрицы.

4. Интерпретация спектров поглощения однородных КТ Сс18, Сс18е и гетероструктур типа «ядро-оболочка» на основе Сс18/2п8 при различных толщинах пассивирующего слоя в рамках предложенной модели открытой КТ.

Личный вклад автора

Основное содержание положений, выносимых на защиту, получено автором лично. Разработанная в диссертации модель отрытой КТ апробирована на экспериментально полученных образцах автором, обработка экспериментальных данных проведена с соавторами. Автор внес значительный вклад в написание статей, раскрывающих содержание работы.

Достоверность результатов

Достоверность результатов проведенных исследований подтверждается корректностью использованных методов квантово-механических расчетов, соответствием объекта исследования и его параметров, используемых при моделировании, экспериментально синтезируемым системам, а также согласием полученных результатов с экспериментальными данными.

Апробация работы

Основные положения и результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на следующих конференциях и семинарах: XIII Всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике, Санкт-Петербург, 2011 г.; XII Международной научно-технической конференции «Кибернетика и высокие технологии XXI века», Воронеж, 2011 г.; Conference on Laser and Electro-Optics/Pacific Rim, Sidney, 2011; Международной школе-конференции молодых ученых и специалистов «Современные проблемы физики», Минск, 2012 г.; Международной научной школе «Теоретическая физика», Воронеж, 2012 г.; Международном научно-методическом семинаре «Флуктуационные и деградационные процессы в полупроводниковых приборах», Москва, 2012 г.; V Всероссийской конференции «Физико-химические процессы в конденсированных средах и на межфазных границах», Воронеж, 2012 г.; International Conference "Nanomaterials: Applications and Properties", Alushta, 2012.

Публикации

По результатам диссертации опубликовано 13 работ, из которых 4 -статьи в реферируемых журналах перечня ВАК.

Объем и структура диссертационной работы.

Диссертация состоит из введения, 3 глав и заключения, изложенных на 119 страницах машинописного текста, включая 30 рисунков, 6 таблиц, списка литературы из 168 наименований.

Глава 1

Современное состояние физики и технологии коллоидных квантовых точек

1.1 Технологические методики синтеза квантовых точек

Полупроводниковые квантовые точки (КТ) могут быть получены различными физическими и химическими методами. С помощью высокоэнергетических методик, таких как молекулярно-лучевая эпитаксия (МВБ) [1], пиролиз металлоорганических соединений (OMCVD) [2, 3], капельная эпитак-сии (droplet epitaxy) [4, 5] получают массивы самоорганизованных КТ, формирование которых происходит по механизму Странски-Крастанова [1,6]. Подобный подход ориентирован на фундаментальные исследования в области физики конденсированного состояния, в частности нульмерных систем. В свою очередь, научные изыскания по решению прикладных задач, для которых требуются воспроизводимые упорядоченные массивы КТ, привели к разработке целой серии, так называемых, «top-down» методов, основанных на использовании литографии и химического или плазменного травления [7]. Среди них можно выделить методы роста на границе скола (cleaved edge overgrowth) [8] и гибридный метод самоорганизованной нуклеация КТ на искусственных дефектах (self-assembled nucleation in hole) [9]. Также к высокоэнергетическим методам можно отнести синтез КТ в стеклах [10-13].

Низкоэнергетические методы предполагают коллоидный синтез КТ (или наночастиц). В зависимости от методик получения, конечным продук-

том являются взвешенные частицы в матрице, роль которой выполняют полимеры или водные растворы [14-19]. Преимуществом такого подхода является значительное смягчение условий синтеза КТ, отсутствие подложки и связанных с ней эффектов и, как будет показано дальше, снижение требований к материалам эпитаксиальных слоев. Подобные системы составляют объект исследования данной работы.

К настоящему моменту количество разработанных низкоэнергетических методов синтеза КТ позволяет провести их классификацию. Остановиться подробнее на этом вопросе вынуждает тот факт, что особенности методик синтеза существенно влияют на свойства, в частности оптические свойства, получаемых ансамблей КТ. Этим обусловлены трудности в интерпретации экспериментальных данных и обоснования применяемых приближений и используемых параметров в теоретических моделях рассматриваемых систем.

Среди низкоэнергетических методов синтеза можно выделить следующие методики:

- высокотемпературные (high-T preparations, > 200 °С);

- с умеренными условиями синтеза (moderate preparations, -150 °С);

- низкотемпературный синтез в стабилизированных водных растворах (low-T aqueous preparation, ~ 30 °С).

Практически во всех методиках коллоидного синтеза процесс протекает в две основные стадии: стадия быстрого роста (образование зародыша) и стадия медленного роста или оствальдовского созревания [14, 20, 21]. Контролируемые изменения в ходе процесса синтеза путем вариации термодинамических условий, прерывания стадий роста (hot-injection method) [22], гомогенизация через насыщение растворов (heating-up method) [23] и другие, позволяют контролировать размер, форму и в некоторых случаях структуру получаемых нанокристаллов. При этом характерной особенностью низкоэнергетических методов является значительный разброс по размеру получаемых ансамблей КТ (от 10 до 20 % и более) [14, 17, 23]. Детально о современных представлениях кинетики процесса можно ознакомиться в [24].

Указанными методиками преимущественно получают КТ соединений П-У1 [19, 25-27], тогда как результаты для нанокристаллов Ш-У оказались менее успешными, поскольку относительно низкие температуры коллоидного синтеза оказываются недостаточными для формирования кристаллической структуры в соединениях с малой ионностью связей. Технологические решения для КТ на основе соединений Ш-У было найдено в середине 2000-х гг. Современные примеры представлены в [28-31].

Развитие методов синтеза в водных растворах позволило получить новые композиции нанокристаллов, а также менее доступные в высокотемпературном режиме аналоги [26], в частности соединения на основе [32]. Конечно, присутствие в таких системах большого числа локальных состояний, связанных с наличием оборванных связей, примесных дефектов и т. п., сдерживают их практическое применение, однако синтез при комнатных температурах делает перспективным его развитие. Например, альтернативным низкотемпературным методом является техника обращенных мицелл, заключающаяся в приготовлении микроэмульсий обращенных мицелл ПАВ / полярный растворитель / неполярный растворитель, где в спонтанно сгенерированные сферические фракции полярного растворителя вводятся прекурсоры катионов и анионов. Таким образом, размер КТ контролируется размером обратных мицелл («нанореакторов»), определяющийся, например, содержанием воды [33].

Помимо подготовки мицеллярных микроэмульсий существуют различные технологические этапы доводки, такие как осаждение, перерастворение в различных растворителях, центрифугирование, оптический отжиг [34, 35] и др., направленные на достижения монодисперсности готовых ансамблей коллоидных КТ. Наилучшие результаты данных технологических доводок достигают дисперсии по размеру ~ 4-7 %.

Интересная особенность коллоидных КТ состоит в зависимости их кристаллической структуры от размера. Так, например, КТ СсШ приготовленные техникой обратных мицелл, демонстрирует кубическую кристалли-

ческую структуру при размерах менее 4 нм, и гексагональную для КТ более 6 нм [36]. Диапазон перекристаллизации 4-5 нм. Аналогичный результат получен в [37].

Последующее усложнение структуры коллоидных КТ, вызванное попытками контролировать влияние поверхности на оптический отклик, в частности поверхностных дефектов, привело к получению многослойных систем или систем типа «ядро-оболочка» (core/shell structure), где в качестве пассивирующего слоя оболочки могут выступать как неорганические [17, 24, 38], так и органические соединения [18, 26, 39]. Металлоорганический синтез монодисперсных CdSe с эпитаксиальными слоями ZnS [26,40,41] или CdS [19, 40] на данный момент стал рутинной задачей, и позволяет повысить эффективность фотолюминесценции с 10-15 % до 30-70 % за счет насыщения оборванных связей.

В многослойных коллоидных КТ требования к параметрам решетки используемых материалов снижаются. Так, разница параметров решетки в полупроводниковых core/shell структурах, при которой получается равномерный эпитаксиальный монослой, варьируется от 3 до 12 % (CdSe/CdS-3.9 %, CdSe/ZnS-12 %) [19]. Наличие натяжений не приводит к изменению целостности и индивидуальности вещества слоя (с результатами исследований методами HR-TEM, широкоугольного рассеивания рентгеновских лучей и EXAFS спектроскопии можно ознакомиться в работах [19,40,42]). Это случай так называемой когерентной эпитаксии. Наращивание большего числа монослоев (как правило, более 2) деформирует нанокристаллы и приводит к формированию дислокаций - случай некогерентной эпитаксии. При этом направленная деформация нанокристаллов имеет свои преимущества, поскольку позволяет получать стабильные наноструктуры различной формы, такие как наностержни [43] или тетраподы [44].

Более общее рассмотрение и классификация с точки зрения технологии и композиции получаемых КТ, в том числе многослойных гетероструктур, может быть найдено в обзорах [17, 24, 45].

Таким образом, кратко рассмотрев технологию низкоэнергетического синтеза КТ, можно охарактеризовать предмет исследования данной работы как ансамбль полупроводниковых коллоидных сферических КТ на основе соединений II-VI с кристаллической решеткой типа цинковая обманка, находящихся в полимерной матрице с дисперсией по размеру от 5 до 25 % и значительной вариацией фактора заполнения матрицы. Гетероструктуры на основе данных КТ характеризуются когерентными эпитаксиальными слоями.

1.2 Теоретические подходы к описанию спектральных свойств квантовых точек

Как и в большинстве активно развивающихся отраслей науки, исследование энергетической структуры КТ проводилось в рамках различных формализмов, сложившихся в теории твердого тела. Основная цель настоящего раздела состоит в том, чтобы кратко охарактеризовать возможности наиболее используемых теоретических формализмов, ход развития соответствующих представлений о квантово-размерных особенностях в спектральных характеристиках КТ и прогресс в согласовании теоретических результатов и экспериментальных данных.

Первоначально, наиболее адекватные экспериментальным данным в области малых размеров КТ результаты демонстрировал метод сильно связи (tight-binding approximation). В [46] данный метод применялся для расчета оптических свойств КТ CdS и ZnS размером от 2 до 5 нм (20-2500 атомов). Основной задачей исследований было определение положения экситонного пика в рассматриваемых КТ. Авторы большинства работ ([46-48] и связанные с ними ссылки) проводили сравнение полученных результатов с энергетическим спектром, рассчитанным в рамках метода эффективных масс. Оказалось, что в случае CdS согласование двух методов по энергии эффективной ширины запрещенной зоны наблюдается до размера КТ 4.5 нм.

Позднее в рамках модели граничных орбиталей (effective-bond-orbital model), основанной на методе сильной связи, рассматривались КТ GaAs и

СёБ, содержащих до 4000 атомов [49]. Как и в [46], целью работы было определение положения экситонного пика, а также предела применимости метода эффективных масс. Получено согласование между результатами в рамках обсуждаемых моделей по взаимному расположению энергетических уровней электрона и дырки, а также пространственном поведении радиальной волновой функции. Однако метод эффективных масс показал завышенные значения энергий основного оптического перехода.

В рамках той же модели на основе вариационного метода с использованием итерационной процедуры Хартри определена энергия экситонного пика с учетом конечной высоты потенциальных барьеров для электрона и дырки [47]. При этом учитывалась сложная структура валентной зоны. Численно продемонстрирована слабая зависимость энергии основного оптического перехода на примере КТ С(18 от величины спин-орбитального расщепления А.

Расчет энергетической структуры и сил осциллятора перехода проведен для КТ СёБ и СёБе в работе [50]. На основе полученных параметров воспроизведен линейный спектр поглощения ансамблей указанных КТ. Это одна из первых работ, где сравниваются теоретически рассчитанные спектральные характеристики КТ с экспериментальными спектрами поглощения и возбуждения фотолюминесценции в широком диапазоне энергий. Однако некоторые используемые при моделировании параметры, в частности ширина запрещенной зоны объемного кристалла, не соответствуют кристаллической структуре рассматриваемых материалов.

Не вдаваясь в более углубленное описание достижений, связанных с уточнением используемых параметров, включением поверхностных состояний, донорно-акцепторных примесей и различных молекулярных комплексов на поверхности КТ, отметим, что последующее применение метода сильной связи определяется достижениями в коллоидном синтезе наногете-роструктур. Электронные и оптические свойства сферически симметричных

систем исследуются, например, в рамках полуэмпирической ярЗя* модели с

учетом спин-орбитального взаимодействия. Получен полный спектр одноча-стичных состояний, а также спектры поглощения гетероструктур ZnS/CdS, ZnS/CdS/ZnS размером до 2.5 нм [51]. Для подобных систем предсказывается рост стоксового смещения фотолюминесценции.

Моделирование распределения волновой функции и потенциала на границе эпитаксиальных слоев наногетероструктур выполнено в [52] в рамках метода сильной связи с использованием самосогласованной процедуры расчета для КТ с числом атомов ~ 75000. Важным результатом работы является демонстрация отклонения формы потенциала на границе эпитаксиальных слоев от ступенчатой функции. В аксиальных гетероструктурах форма энергетической зоны (уровня) может значительно варьироваться от слоя к слою, если наноструктура не покрыта гомогенной оболочкой.

Другим широко развиваемым теоретическим подходом к описанию энергетической структуры КТ является метод псевдопотенциала. Расчет плотности состояний и эффективной ширины запрещенной зоны с учетом спин-орбитального взаимодействия выполнен в [53] для КТ CdSe, включающей в себя -1000 атомов. Продемонстрировано квантово-размерное изменение диэлектрической проницаемости (ДП) с уменьшением радиуса КТ. Учет поправки на кулоновское взаимодействие с квантово-размерной ДП приводит к согласию рассчитанных значений первых экситонных состояний и соответствующих экспериментальных данных с точностью до 0.1 эВ.

В работе [54] проводится расчет поправок на кулоновское ЕСои1 и обменное взаимодействие Eexch в рамках приближения локальной плотности (local density approximation). В частности показано, что кулоновское взаимодействие отклоняется от линейной зависимости по параметру 1 /г0 (г0 - радиус КТ), в то время как обменное взаимодействие в случае CdSe не следует

_д

зависимости г0 , как предсказывает приближение эффективных масс. При этом имеет место соотношение между поправками ECoul » Eexch.

С использованием того же математического аппарата в базисе плоских

волн исследуется энергетическая структура дырочных состояний для КТ CdS малых размеров [48]. Выдвигается предположение о том, что существование «темнового» экситона (dark exciton state) может быть следствием не только расщепления дырочного состояния lS3/2 в результате обменного взаимодействия, но и инверсии LS3/2 и \Ръ/2 состояний. Также приводится граница применимости кр теории по эффективному радиусу КТ, при этом rejj- =3.0 нм. Однако однозначность такого утверждения вызывает сомнение. Во-первых, при сравнении кр метода и приближения локальной плотности использованы параметры полупроводников (например, ширина запрещенной зоны) отличающиеся от экспериментально полученных значений. Во-вторых, КТ рассматривается как закрытая система, что приводит к завышенным значениям стационарных энергий электрона (дырки).

С развитием техники измерения спектров возбуждения фотолюминесценции возросла актуальность теоретического моделирования высоко возбужденных состояний экситона в наноструктурах различной геометрии. Результаты расчета электронного спектра КТ и наностержней CdSe с пассивированной поверхностью в рамках метода псевдопотенциала продемонстрировали удовлетворительное согласие с экспериментом вплоть до первых пяти возбужденных энергетических уровней экситона [55].

Совместное рассмотрение энергетической структуры КТ InP и CdSe в рамках кр метода и метода направленной диагонализации псевдопотенциала (direct-diagonalization pseudopotential) проводится в [56]. Сравнительный анализ двух методов привел к ряду заключений. В методе (6 х 6)кр волновая функция различается по четности состояний, тогда как атомоподобная волновая функция в методе псевдопотенциала является смешанной. Полученный порядок чередования 8ъ/2 и Р3/2 состояний в рамках кр метода ошибочен — Р3/2 лежит выше S3/2 • Но в [57] получен обратный результат, подкрепленный экспериментальными данными линейных спектров поглощения и фотолюминесценции. Данный вопрос, по-видимому, упирается в корректность выбора

значений параметров Латтинжера и математического алгоритма решения трансцендентных уравнений на спектр, используемых при моделировании.

Результаты, полученные в рамках двух моделей для КТ CdSe, находятся в большем согласовании по сравнению с КТ InP. Авторы работы аргументируют этот результат различной степенью ионности двух материалов. К тому же для InP кр теория не может показать, что дно зоны проводимости определяется L областью зоны Брюллиэна, поскольку оперирует только Г подобными волновыми функциями. Анализ проекций волновых функций показывает, что принципиальной причиной, по которой кр метод дает

Список литературы диссертационного исследования кандидат наук Королев, Никита Викторович, 2013 год

Список литературы

[1] Farrow R. F. С. Molecular beam epitaxy: applications to key materials / R. F. C. Farrow. - New Jersey: Noyes Publications, 1995. - 703 p.

[2] Stringfellow G. B. Organometallic vapor-phase epitaxy: theory and practice / G. B. Stringfellow. - London: Academic Press, 1999. - 575 p.

[3] Few-particle effects in semiconductor quantum dots: observation and mul-ticharged excitons / A. Hartmann, Y. Ducommun, E. Kapon [et al.] // Physical Review Letters. - 2000. - V. 84. - № 24. - P. 5648-5651.

[4] Fabrication of self-assembled GaAs/AlGaAs quantum dots by low-temperature droplet epitaxy / C. D. Lee, C. Park, H. Lee [et al.] // Japanese Journal of Applied Physics. - 1998. - V. 37. - P. 7158-7160.

[5] Watanabe K. Fabrication of GaAs quantum dots by modified droplet epitaxy / K. Watanabe, N. Koguchi, Y. Gotoh // Japanese Journal of Applied Physics. - 2000. - V. 39. - P. 79.

[6] Michler P. Semiconductor quantum dots / P. Michler. - Berlin: Springer, 2009.-389 p.

[7] Bryant G. W. Optics of quantum dots and wires / G. W. Bryant, G. S. Solomon. - London: Artech House, 2005. - 547 p.

[8] Controlled synthesis of InAs wires, dot and twin-dot array configurations by cleaved edge over growth / E. Uccelli, M. Bichler, S. Nürnberger [et al.] // Nanotechnology. - 2008. - V. 19. - № 4. - P. 045303.

[9] Heidemeyer H. Higly ordered arrays of In(Ga)As quantum dots on patterned GaAs (001) substrates / H. Heidemeyer, C. Muller, O. G. Schmidt // Journal of Crystal Growth. - 2004. - V. 261. - № 4. - P. 444-449.

[10] Synthesis and characterization of PbSe quantum dots in phosphate glass /

A. Lipovskii, E. Kolobkova, V. Petrikov [et al.] // Journal of Applied Physics Letters. - 1997.-V. 71.-№23.-P. 3406-3411.

[11] Quantum dots in glass spherical microcavity / R. Jia, D.-S. Jiang, P. H. Tan [et al.] // Journal of Applied Physics Letters. - 2001. - V. 79. - № 2. -P. 153-156.

[12] Stability of CdS nanociystals in glass / T. M. Hayes, L. B. Lurio, J. Pant [et al.] // Physical Review B. - 2001. - V. 63. - № 15. - P. 155417.

[13] Ekimov A. Growth and optical properties of semiconductor nanocrystals in a glass matrix / A. Ekimov // Journal of Luminescence. - 1996. - V. 70. -P. 1-20.

[14] Murray C. B. Synthesis and characterization of nearly monodisperse CdE (E = S, Se, Te) semiconductor nanocrystallites / C. B. Murray, D. J. Norris, M. G. Bawendi // Journal of American Chemical Society. - 1993. - V. 115. -№ 19.-P. 8706-8715.

[15] Qu L. Alternative routes toward high quality CdSe nanocrystals / L. Qu, Z. A. Peng, X. Peng // Nano Letters. - 2001. - V. 1. - № 6. - P. 333-337.

[16] Synthesis and characterization of white-emitting CdS quantum dots stabilized with polyethyleimine / O. E. Rayevska, G. Ya. Grodzyuk, V. M. Dzhagan [et al.] // Journal of Physical Chemistry C. - 2010. - V. 114. — №51.-P. 22478-22486.

[17] Reiss P. Core/shell semiconductor nanocrystals / P. Reiss, M. Protiere, L. Li // Small. - 2009. - V. 5. - № 2. - P. 154-168.

[18] Sapra S. Phosphine-free of monodisperse CdSe nanocrystals in olive oil / S. Sapra, A. L. Rogach, J. Feldmann // Journal of Materials Chemistry. -2006.-V. 16.-P. 3391-3395.

[19] Epitaxial growth of highly luminescent CdSe/CdS core/shell nanocrystals with photostability and electronic accessibility / X. Peng, M. C. Schlamp, A. V. Kadavanich [et al.] // Journal of American Chemical Society. - 1997. - V. 119. - № 30. - P. 7019-7029.

[20] Voorhees P. W. The theory of Ostwald ripening / P. W. Voorhees // Journal

of Statistical Physics. - 1985. -V. 38. -№ 1-2. - P. 231-252.

[21] Smith A. L. Particle growth in suspensions / A. L. Smith. - London: Academic Press, 1983. - 229 p.

[22] Donega C. d. M. Physicochemical evaluation of the hot-injection method, a synthesis route for monodisperse nanocrystals / C. d. M. Donega, P. Liljeroth, D. Vanmaekelbergh // Small. - 2005. - V. 1. - № 12. - P. 1152-1162.

[23] Synthesis of monodisperse spherical nanocrystals / J. Park, J. Joo, S. G. Kwon [et al.] // Agnewandte Chemie International Edition. - 2007. - V. 46. -№30. -P. 4630-4660.

[24] Rogach A. L. Semiconductor nanocrystal quantum dots: synthesis, assembly, spectroscopy and applications / A. L. Rogach. - Wien: Springer, 2008. -372 p.

[25] Klimov V. I. Nanocrystal quantum dots: 2nd edition / V. I. Klimov. - Boca-Raton: CRC Press, 2010. - 453 p.

[26] Highly luminescent monodisperse CdSe and CdSe/ZnS nanocrystals synthesized in a hexadecylamine-trioctylphosphine oxide-trioctylphosphine mixture / D. V. Talapin, A. L. Rogach, A. Kornowski [et al.] // Nano Letters. - 2001. - V. 1. - № 4. - P. 207-211.

[27] Experimental determination of the extinction coefficient of CdTe, CdSe, and CdS nanocrystals / W. W. Yu, L. Qu, W. Guo [et al.] // Chemistry of Materials. - 2003. - V. 15. - № 14. - P. 2854-2860.

[28] Xu S. Rapid synthesis of high-quality InP nanocrystals / S. Xu, S. Kumar, T. Nann // Journal of the American Chemical Society. - 2006. - V. 128. -№4.-P. 1054-1055.

[29] A simple single-source precursor route to the nanostructures of A1N, GaN and InN / K. Sardar, M. Dan, B. Schwenzer [et al.] // Journal of Materials Chemistry. - 2005. - V. 15. - P. 2175-2177.

[30] Infrared-emitting colloidal nanocrystals: synthesis, assembly, spectroscopy, and applications / A. L. Rogach, A. Eycnhuller, S. G. Hickey [et al.] // Small - 2007. - V. 3. - № 4. - P. 536-557.

[31] Aqueous synthesis of III-V semiconductor GaP and InP exhibiting pronounced quantum confiment / S. Gao, J. Lu, Y. Zhao [et al.] // Chemistry Communications. - 2002. - P. 3064-3065.

[32] Colloidally prepared HgTe nanocrystals with strong room-temperature infrared luminescence / A. Rogach, S. Kershaw, M. Burt [et al.] // Advanced Matterials. - 1999. -V. 11. -№ 7. - P. 552-555.

[33] Surface derivation and isolation of semiconductor cluster molecules / M. L. Steigerwald, A. P. Alivisatos, J. M. Gibson [et al.] // Journal of American Chemical Society. - 1988. - V. 110. - № 10. - P. 3046-3050.

[34] Temperature dependence of photoluminescence dynamics in colloidal CdS quantum dots / D. Kim, T. Mishima, K. Tomihira [et al.] // Journal of Physics Chemistry C. - 2008. - V. 112. - № 29. - P. 10668-10673

[35] Kim D. Self-narrowing and photoetching effects on the size distribution of CdS quantum dots prepared by a reverse-micelle method / D. Kim, N. Tera-tani, M. Nakayama // Japanese Journal of Applied Physics. - 2002. - V. 41. -P. 5064-5068.

[36] Ricolleau C. Epitaxial growth of ZnS on CdS in CdS/ZnS nanostructures / C. Ricolleau, L. Audinet, M. Gandais [et al.] // Thin Solid Films. - V. 336. -№ 1-2.-P. 213-217.

[37] Spectral characteristic of CdS quantum dots and their associates with dye molecules dispersed in gelatin / O. V. Ovchinnikov, M. S. Smirnov, B. I. Shapiro [et al.] // Theoretical and Experimental Chemistry. - 2012. - V. 48. -№ l.-P. 48-53.

[38] Lad A. D. Effects of ZnS shell formation on the confined energy levels of ZnSe dots / A. D. Lad, S. Mahamuni // Physical Review B. - 2008. - V. 78. -№ 12.-P. 125421.

[39] X-ray photoelectron spectroscopy of CdSe nanocrystals with applications to stydies of the nanocrystals surface / J. E. Bowen Katari, V. L. Colvin, A. P. Alivisatos // Journal of Physical Chemistry. - 1994 - V. 98. - № 15. -P. 4109-4117.

[40] Malik M. A. A simple route to the synthesis of core/shell nanoparticles of chalcogenides / M. A. Malik, P. O'Brien, N. Revaprasadu // Chemistry of Materials. - 2002. - V. 14. - № 5. - P. 2004-2010.

[41] (CdSe)ZnS core-shell quantum dots: synthesis and characterization of a size series of highly luminescent nanocrystallites / B. O. Dabbousi, J. Rodriguez-Viejo, F. V. Mikulec [et al.] // Journal of Physical Chemistry B. -1997.-V. 101. -№46. -P. 9463-9475.

[42] MBE overgrowth of ex-situ prepared CdSe colloidal nanocrystals / M. Rashad, M. Paluga, A. Pawlis [et al.] // Physica Status Solidi C. - 2010. -V. 7.-№6.-P. 1523-1525.

[43] CdSe and CdSe/CdS nanorod solids / D. V. Talapin, E. V. Shevchenko, C. B. Murray [et al.] // Journal of American Chemical Society. - 2004. -V. 126.-№40.-P. 12984-12988.

[44] Electrical transport through a single nanoscale semiconductor branch point / Y. Cui, U. Banin, M. T. Bjork [et al.] // Nano Letters. - 2005. - V. 5. - № 7. -P. 1519-1523.

[45] Eychmuller A. Structure and photophysics of semiconductor nanocrystals / A. Eychmuller // Journal of Physical Chemistry B. - 2000. - V. 104. - № 28. -P. 6514-6528.

[46] Lippens P. E. Calculation of the band gap for small CdS and ZnS crysrallites / P. E. Lippens, M. Lannoo // Physical Review B. - 1989. - V. 39. - № 15. -P. 10935-10942.

[47] Nair S. V. Electron states in a quantum dot in an effective-bond-orbital model / S. V. Nair, L. M. Ramaniah, K. C. Rustagi // Physical Review B. -1992. - V. 45. - № 11. - P. 4969-5979.

[48] Einevoll G. T. Confinement of excitons in quantum dots / G. T. Einevoll // Physical Review B. - 1992. - V. 45. - № 7. - P. 3410-3417.

[49] Ramaniah L. M. Optical absorption in semiconductor quantum dots: A tight-binding approach / L. M. Ramaniah, S. V. Nair // Physical Review B. - 1993. - V. 47.-№ 12.-P. 7132-7139.

[50] Perez-Conde J. Electronic structure and optical properties of ZnS/CdS na-noheterostructures / J. Perez-Conde, A. K. Bhattacharjee // Physical Review B. - 2003. - V. 67. - № 23. - P. 235303.

[51] Niquet Y.-M. Band offsets, wells, and barriers at nanoscale semiconductor heterojunctions / Y.-M. Niquet, C. Delerue // Physical Review B. - 2011. -V. 84.-№7. -P. 075478.

[52] Wang L.-W. Pseudopotential calculations of nanoscale CdSe quantum dots / L.-W. Wang, A. Zunger // Physical Review B. - 1996. - V. 53. - № 15. -P. 9579-9582.

[53] Franceschetti A. Direct pseudopotential calculation of exciton coulomb and exchange energies in semiconductor quantum dots / A. Franceschetti, A. Zunger // Physical Review Letters. - 1997. - V. 78. - № 5. - P. 915-918.

[54] Demchenko D. O. Optical transitions and nature of Stokes shift in spherical CdS quantum dots / D. O. Demchenko, L.-W. Wang // Physical Review B. - 2006. - V. 73.-№ 15.-P. 155236.

[55] Li J. High energy excitations in CdSe / J. Li, L.-W. Wang // Nano Letters. -2003. - V. 3. - № 1. - P. 101-105.

[56] Fu H. Applicability of k-p method to the electronic structure of quantum dots / H. Fu, L.-W. Wang, A. Zunger // Physical Review B. - 1998. - V. 57. -№ 16.-P. 9971-9987.

[57] Absorption and intensity-dependent photoluminescence measurements on CdSe quantum dots: assignment of the first electronic transitions / A. I. Ekimov, F. Hache, M. C. Schanne-Klein [et al.] // Journal of Optical Society of America B.-V. 10.-№ l.-P. 100-107.

[58] Fleszar A. Electronic structure IIB-VI semiconductors in the GW approximation / A. Fleszar, W. Hanke // Physical Review B. - 2005. - V. 71. -№ ll.-P. 045207.

[59] Optimal size regime for oxidation-resistant silicon quantum dots / H. Li, M. T. Lusk, R. T. Collins [et al.] // ACS Nano. - 2012. - V. 6. - № 11. -P. 9690-9699.

[60] Structural and optoelectronic properties of unsaturated ZnO and ZnS nanoclusters / G. Malloci, L. Chiodo, A. Rubio [et al.] // Journal of Physical Chemistry C. - 2012. - V. 116. - № 15. - P. 8741-8746.

[61] Эфрос Ал. JI. Межзонное поглощение в полупроводниковом шаре / Ал. Л. Эфрос, А. Л. Эфрос // Физика и техника полупроводников. -1982. - Т. 16. - Вып. 7. - С. 1219-1216.

[62] Brus L. Е. Electron-electron and electron-hole interactions in small semiconductor crystallites: the size dependence of the lowest excited electronic state / L. E. Brus // Journal of Chemical Physics. - 1984. - V. 80. - № 9. -P. 4403-4410.

[63] Band-edge exciton in quantum dots of semiconductors with a degenerate valence band: Dark and bright exciton states / Al. L. Efros, M. Rosen, M. Kuno [et al.] // Physical Review B. - 1996. - V. 54. - № 5. - P. 4843-4856.

[64] Photoluminescence of spherical quantum dots / V. M. Fomin, V. N. Gladi-lin, J. T. Pokatilov [et al.] // Physical Review B. - 1998. - V. 57. - № 4. -P. 2415-2425.

[65] Pellegrini G. Finite depth square well model: Applicability and limitations / G. Pellegrini, G. Mattei, P. Mazzoldi // Journal of Applied Physics. - 2005. -V. 97.-№7.-P. 073706.

[66] Effect of size dispertion on the optical absorbtion of an ensemble of semiconductor quantum dots / M. Vasilevskiy, E. Akinkina, A. de Pauls, [et al.] // Semiconductors. - 1998. - V. 32. - № 11. - P. 1229-1233.

[67] Ткач H. В. Свойства электронного спектра в двухъямной закрытой сферической квантовой точке и его эволюция при изменении толщины внешней ямы / Н. В. Ткач, Ю. А. Сети // Физика и техника полупроводников. - 2006. - Т. 40. - Вып. 9. - С. 1111-1119.

[68] Anomalous first-order Raman scattering in iii-v quantum dots: Optical deformation potential interaction / A. G. Rolo, M. I. Vasilevskiy, M. Hamma [et al] // Physical Review B. - 2008. - V. 78. - № 8. - P. 081304.

[69] Kayanuma Y. Incomplete confinement of electrons and holes in microcrys-

tals / Y. Kayanuma, H. Momiji // Physical Review B. - 1990. - V. 41. -№ 14.-P. 10261-10263.

[70] Tran Troai D. B. Influence of the confinement potential on the electron-hole-pair states in semiconductor microcrystallites / D. B. Tran Troai, Y. Z. Hu, S. W. Koch // Physical Review B. - 1990. - V. 42. - № 17. -P. 11261-11266.

[71] Квантование дырки и край поглощения в сферических микрокристаллах полупроводников со сложной структурой валентной зоны / Г. Б. Григорян, Э. М. Казарян, Ал. Л. Эфрос [и др.] // Физика твердого тела. - 1990. - Т. 32. - № 6. - С. 1772-1779.

[72] Xia J.-B. Electronic structures of zero-dimensional quantum wells / J.-B. Xia // Physical Review B. - 1986. - V. 40. - № 12. - P. 8500-8507.

[73] Coulomb effects and optical properties of semiconductor quantum dots / S. W. Koch, Y. Z. Hu, B. Fluegel [et al.] // Journal of Crystal Growth. -1992. - V. 117. - №1-4. - P. 592-597.

[74] Efros Al. L. Optical properties of semiconductor nanocrystals with degenerate valence band / Al. L. Efros // Supperlattices and Microstructers. -1992. - V. 11. -№ 2. - P. 167-169.

[75] Quantum confinement effects of CdS nanocrystals in a sodium borosilicate glass prepared by the sol-gel process / H. Mathieu, T. Richard, J. Allegre [et al.] / Journal of Applied Physics. - 1995. - V. 77. - № 1. - P. 287-292.

[76] Kane E. O. Band structure of indium antimonide / E. O. Kane // Journal of Physics Chemistry of Solids. - 1957. - V. 1. - № 4. - P. 249-261.

[77] Vahala K. J. Application of a total-angular-moment basis to quantum-dot band structure / K. J. Vahala, P. C. Sercel // Physical Review Letters. -1990. - V. 65. - № 2. - P. 239-242.

[78] Sercel P. C. Analytical formalism for determining quantum-wire and quantum-dot band structure in the multiband envelop-fimction approximation / P. C. Sercel, K. J. Vahala // Physical Review B. - 1990. - V. 42. - № 6. -P. 3690-3710.

[79] Norris D. J. Measurement and assignment of the size-dependent optical spectrum in CdSe quantum dots / D. J. Norris, M. G. Bawendi // Physical Review B. - 1996. - V. 53. - № 24. - P. 16338-16346.

[80] Flory С. C. Quantum dot properties in the multiband envelop-function approximation using boundary conditions based upon first-principles quantum calculations С. C. Flory, С. C. Musgrave, Z. Zhang // Physical Review B. -2008.-V. 77.-№20.-P. 1-13.

[81 ] Surface-functionalization-dependent optical properties of II-VI semiconductor nanocrystals / O. Chen, Y. Yang, H. Wu [et al.] // Journal of American Chemical Society.-2011.-V. 133.-P. 17504-17512.

[82] Менский M. Б. Диссипация и декогеренция квантовых систем (обзор) / М. Б. Менский // Успехи физических наук. - 2003. - Т. 173. - № 11.— С. 1199-1219.

[83] Resonance states of open quantum dots / Y. Wang, N. Zhu, J. Wang [et al.] // Physical Review B. - 1996. - V. 53. - № 24. - P. 16408-16413.

[84] Racec E. C. Fano regime of transport through open quantum dots / E. C. Racec, U. Wulf, P. N. Racec // Physical Review B. - 2010. - V. 82. - № 8. -P. 085313.

[85] Effects electro-electron interaction on the conductance of open quantum dots / P. W. Brouwer, I. L. Aleiner // Physical Review Letters. - 1999. -V. 82.-№2.-P. 390-393.

[86] Crossover from "mesoscopic" to л universal" phase for electron transmission in quantum dots / M. Avinun-Kalish, M. Heiblum, O. Zarchin [et al.] // Nature. - 2005. - V. 436. - P. 529-533.

[87] Датта С. Квантовый транспорт: от атома к транзистору / С. Датта; под ред. В. Я. Демиховского. - Москва: Ижевск, 2009. - 532 с.

[88] Ткач Н. В. Эволюция квазистационарных состояний электрона в открытой сферической квантовой точке / Н. В. Ткач, Ю. А. Сети // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51. - Вып. 5. - С. 979-985.

[89] Ткач Н. В. Электронные свойства открытых полупроводниковых кван-

товых точек / Н. В. Ткач, Ю. А. Сети, Г. Г. Зегря // Письма в журнал теоретической физики. - 2007. - Т. 33. - Вып. 1. - С. 70-80.

[90] Петров Ю. И. Физика малых частиц / Ю. И. Петров. - Москва: Наука, 1982.-360 с.

[91] Woggon U. Optical properties of semiconductor quantum dots / U. Wog-gon. - Berlin: Springer-Verlag, 1997. - 251 p.

[92] Landauer R. The electrical resistance of binary metallic mixtures / R. Landauer // Journal of Applied Physics. - 1952. - V. 23. - № 7. - P. 779-784.

[93] Elliott R. J. The theory and properties of randomly disordered crystals and related physical systems / R. J. Elliott, J. A. Krumhanst, P. L. Leath // Reviews of Modern Physics. - 1974. - V. 46. - № 3. - P. 465-543.

[94] Wachniewski A. New approach to electromagnetic wave propagation in composite materials: Application to electromagnetic properties / A. Wachniewski, H. B. McClung // Physical Review B. - 1986. - V. 33. - № 12. -P. 8053-8059.

[95] Light scattering by nonspherical particles: theory, measurements, and applications / M. I. Mishchenko [et al.]. - San Diego: Academic Press, 2000. - 673 p.

[96] Strognienko R. Optical properties of coagulated particles / R. Strognienko, T. Henning, V. Ossenkopf // Astronomy & Astrophysics. - 1995. - V. 296. - P. 799-809.

[97] Bohren С. Absorption and scattering of light by small particles / C. Bohren, D. Huffman. - New York: Wiley, 1983. - 545 p.

[98] Bussemer P. Optical properties of inhomogeneous media: T-matrix approach (Review) / P. Bussemer // Astronomical Notes. - 1989. - V. 310. -№ 4. - P. 311-314.

[99] Chylek P. Dielectric constant of a composite inhomogeneous medium / P. Chylek, V. Srivastava // Physical Review B. - 1983. - V. 27. - № 8. -P. 5098-5105.

[100] Климов В. В. Наноплазмоника / В. В. Климов; 2-е изд., испр. - Москва, Физматлит, 2010. - 480 с.

[101] Yokoyama E. Sol-gel synthesis and characterization of Ag nanoparticles in Zr02 thin films / E. Yokoyama, H. Sakata, M. Wakaki // Journal of Materials Research. - 2009. - V. 24. - № 8. -P. 2541-2546.

[102] Kawata S. Nanoplasmonics: From fundamentals to applications / S. Kawata, H. Masuhara. - Amsterdam: Elsevier, 2006. -316 p.

[103] Laser-induced deposition of gold nanoparticles onto glass substrates in cy-clohexane / Y. Niidome, A. Hori, H. Takahashi [et al.] // Nano Letters. -2001 -V. 1. - № 7. - P. 365-369.

[104] Diem M. Introduction to modern vibrational spectroscopy / M. Diem. -New York: Wiley-Interscience, 1993. - 285 p.

[105] Nie S. Probing single molecules and single nanoparticles by surface enhanced Raman scattering / S. Nie, S. R. Emory // Science. - 1997. - V. 275. -P. 1102-1106.

[106] Frances G. C. Fluorescent resonant energy transfer in the optical near field / G. C. Frances, C. Girard, O. J. F. Martin // Physical Review A. - 2003. -V. 67.-№5.-P. 053805.

[107] Stroud D. Self-consistent approach to electromagnetic wave propagation in composite media: application to model granular metals / D. Stroud, F. P. Pan // Physical Review B. - 1978. - V. 17. - № 4. - P. 1602-1610.

[108] Looyenga H. Dielectric constants of heterogeneous mixtures / H. Looyenga // Physica. - 1965. - V. 31. - № 3. - P. 401-406.

[109] Moulson A. Electroceramics: materials, properties and applications / A. J. Moulson, J. M. Helbert. - New York: Wiley, 2003. - 576 p.

[110] Schmitt-Rink S. Theory of the linear and nonlinear optical properties of semiconductor microcrystallites // S. Schmitt-Rink, D. A. B. Miller, D. S. Chemla // Physical Review B. - 1987. - V. 35. - № 15. - P. 8113-8125.

[111] Tsu R. Simple model for the dielectric constant of nanoscale silicon particle / R. Tsu, D. Babic, L. Jr. Ioriatti // Journal of Applied Physics. - 1997. -V. 82. -№ 3. - P. 1327-1329.

[112] Wang L.-W. Dielectric constant of silicon quantum dots / L.-W. Wang,

A. Zunger // Physical Review Letters. - 1994. - V. 73. - № 7. - P. 1039-1042.

[113] Lannoo M. Screening in semiconductor nanocrystallites and its consequence for porous silicon / M. Lannoo, C. Delerue, G. Allan // Physical Review Letters. - 1995. - V. 74. - № 17. - P. 3415-3418.

[114] Theory of dielectrically induced surface excitonic states in spherical quantum dots / F. Rajadell, J. L. Movilla, M. Royo [et al.] // Physical Review B.

- 2007. - V. 76.-№ 11.-P. 115312.

[115] Alves-Santos M. Dielectric functions of semiconductor nanoparticles from the optical absorption spectrum: The case of CdSe and CdS / M. Alves-Santos, R. D. Felice, G. Goldoni // Journal of Physics Chemistry C. - 2010.

- V. 114. - № 9. - P. 3776-3780.

[116] Delerue C. Concept of dielectric constant for nanosized systems / C. Dele-rue, M. Lannoo, G. Allan // Physical Review B. - 2003. - V. 68. - № 11. -P. 115411.

[117] Cartoxia X. Microscopic dielectric response functions in semiconductor quantum dots / X. Cartoxia, L.-W. Wang // Physical Review Letters. -2005. - V. 94. - № 25. - P. 236804.

[118] Draine B. T. User guide for the discrete dipole approximation code DDSCAT-6.0 / B. T. Draine, P. J. Flatau// arXiv:astro-ph/0309069vl. - 2003.

[119] Garcia de Abajo F. J. Retarded field calculation of electron energy loss in inhomogeneous dielectrics / F. J. Garcia de Abajo, A. Howie // Physical ReviewB. -2002. -V. 65. -№ 11.-P. 115418.

[120] Hohenester U. Surface plasmon resonances of single and coupled metallic nanoparticles: A boundary integral method approach / U. Hohenester, J. Krenn // Physical Review B. - 2005. - V. 72. - № 19. - P. 195429.

[121] Optical response of layers of embedded semiconductor quantum dots / C. M. J. Wijers, J.-H. Chu, J. L. Liu [et al.] // Physical Review B. - 2006. -V. 74. -№ 3. - P. 035323.

[122] Theory of dielectrically induced surface excitonic states in spherical quantum dots / F. Rajadell, J. L. Movilla, M. Rojo [et. al] // Physical Review B.

-2007. - V. 76.-№ 11.-P. 115312.

[123] Особенности электронного спектра открытой сферической квантовой точки с дельта-потенциалом / Н. В. Королев, С. Е. Стародубцев, Е. Н. Бормонтов, А. Ф. Клинских // Конденсированные среды и межфазные границы.-2011.-Т. 13.-№ 1.-С. 67-71.

[124] Правила отбора для радиационных переходов в открытых квантовых точках / Н. В. Королев, С. Е. Стародубцев, Е. Н. Бормонтов, А. Ф. Клинских // Конденсированные среды и межфазные границы. — 2013. — Т. 15.-№2.-С. 133-138.

[125] Zwillinger D. Standard Mathematical tables and formulae / D. Zwillinger // New York: CRC Press Taylor & Francis Group, 2012. - 819 p.

[126] Reduced polarizability and local-field effect in self-assembled ensemble of nanoparticles / S. E. Starodubtcev, N. V. Korolev, A. F. Klinskikh [et al.] // Journal of Nano- and Electronic Physics. - 2013. - V. 5. - № 1. - P. 01001.

[127] Бейтмен Г. Высшие трансцендентные функции: в 3-х томах / Г. Бей-тмен, А. Эрдейи; 2-е изд. - Москва: Наука, 1966. -Т. 2: Функции Бесселя, функции параболического цилиндра, ортогональные многочлены. -296 с.

[128] Quantum-dot quantum well CdS/HgS/CdS: Theory and experiments / D. Schoss, A. Mews, A. Eychmuller [et al.] // Physical Review B. - 1994. -V. 49.-№24.-P. 17072-17078.

[129] Klimov V. I. Optical nonlinearities and ultrafast carrier dynamics in semiconductor nanocrystals / V. I. Klimov // Journal of Physical Chemistry B. -2000. - V. 104. - № 26. - P. 6112-6122.

[130] On the theory of exciton states polarizability in open spherical quantum dot / N. V. Korolev, S. E. Starodubtcev, P. A. Meleshenko [et al.] // Conference on Lasers and Electro-Optics/Pacific Rim. - Sidney, 2011. - P. 4700-РО-Ю4.

[131] Baldereschi A. Direct exciton spectrum in diamond and zinc-blende semiconductors / A. Baldereschi, N. O. Lipary // Physical Review Letters. -1970. - V. 25. - № 6. - P. 373-376.

[132] Luttinger J. M. Quantum theory of cyclotron resonance in semiconductors: general theory / J. M. Luttinger // Physical Review. - 1956. - V. 102. -№4.-P. 1030-1041.

[133] Baldereschi A. Spherical model of shallow acceptor states in semiconductors / A. Baldereschi, N. O. Lipari // Physical Review B. - 1973. - V. 8. -№ 6. - P. 2697-2709.

[134] Собельман И. И. Введение в теорию атомных спектров / И. И. Собель-ман. - Москва: Наука, 1977. - 320 с.

[135] Ландау Л. Д. Теоретическая физика: учебное пособие для вузов в Ют./ Л. Д. Ландау, Е. М. Лифшиц; 2-е изд. - Москва: Наука, 1982. - Т. 3: Квантовая физика. - 624 с.

[136] Гельмонт Б. Л. Акцепторные уровни в полупроводнике со структурой алмаза / Б. Л. Гельмонт, М. И. Дьяконов // Физика и техника полупроводников. - 1971.-Т. 5.-Вып. 11.-С. 2191-2193.

[137] Effects on finite spin-orbit splitting on optical properties of spherical semiconductor quantum dots / T. Richard, P. Lefebvre, H. Mathieu [et al.] // Physical Review B. - 1996. - V. 53. - № 11. - P. 7287-7298.

[138] Tomasulo A. Quantum confinement effects in semiconductor clusters. II / A. Tomasulo, M. V. Ramakrishna // Journal of Chemical Physics. - 1996. -V. 109.-№9.-P. 3612-3626. .

[139] Kayanuma Y. Quantum-size effects of interacting electrons and holes in semiconductor microcrystals with spherical shape / Y. Kayanuma // Physical Review В. - V. 38. - № 14. - P. 9797-9805.

[140] Покутний С. И. Теория экситонов в квазинульмерных полупроводниковых системах / С. И. Покутний. - Одесса: Астропринт, 2003. - 168 с.

[141] Давыдов А. С. Теория твердого тела / А. С. Давыдов. - Москва: Наука, 1976.-640 с.

[142] Елютин П. В. Квантовая механика (с задачами) / П.В.Елютин, В. Д. Кривченков. - Москва: Наука, 1976. - 336 с.

[143] Ни Y. Z. Theory of optically excited intrinsic semiconductor quantum dots /

Y. Z. Ни, M. Linberg, S. W. Koch // Physical Review B. - 1990. - V. 42. -№ 3. - P. 1713-1723.

[144] Characterization of ultrasmall CdS nanoparticles prepared by the size-selective photoetching technique / T. Torimoto, H. Kontani, Y. Shibutani [etal.] // Journal of Physical Chemistry B. - 2001. - V. 105. - № 29. -P. 6838-6845.

[145] Wang Y. Quantum size effects on the exciton energy of CdS cluster / Y. Wang, N. Herron // Physical Review B. - 1990. - V. 42. - № Ц. -P. 7253-7255.

[146] Tagahara T. Effects of dielectric confinement and electron-hole exchange interaction in excitonic states in semiconductor quantum dots / T. Tagahara // Physical Review B. - 1993. - V. 47. - № 8. - P. 4569-4583.

[147] Bastard G. Wave mechanics applied to semiconductor quantum heterostruc-tures / G. Bastard. - Paris: Les Editions de Physique, 1988. - 357 p.

[148] Burt M. G. The evaluation of the matrix element for interband optical transitions in quantum wells using envelop functions / M. G Burt // Journal of Physics: Condensed Matter. - 1993. - V. 5. - P. 4091-4098.

[149] Королев H. В. Декогеренция и поляризуемость открытой сферической квантовой точки / Н. В. Королев // Материалы Международной школы-конференции «Современные проблемы физики - 2012». - Минск, 2012.-С. 149-152.

[150] Природа спектров фотостимуляции вспышки люминесценции в квантовых точках CdS / О. В. Овчинников, М. С. Смирнов, А. Н. Латышев [и др.] // Оптический журнал. - 2013. - Т. 80. - № 7. - С. 13-20.

[151] Астапенко В.А. Взаимодействие излучения с атомами и наночастица-ми / В.А. Астапенко. - Долгопрудный: Интеллект, 2010. - 496 с.

[152] Новотный Н. Основы нанооптики: [пер. с англ.] / Н. Новотный, Б. Хехт; под ред. В. В. Самарцева. - Москва: Физматлит, 2009. - 484 с.

[153] Борн М. Основы оптики / М. Борн, Э. Вольф. - Москва: Наука, 1970. -720 с.

[154] Haug H. Quantum theory of the optical and electronic properties of semiconductors / H. Haug, S.W. Koch. - Singapore: World Scientific Publishing, 2004. - 445 p.

[155] Scully M. O. Quantum optics / M. O. Scully, M. S. Zubairy. - Cambridge: University Press, 1997. - 630 p.

[156] Polarizabilities of isolated semiconductor clusters / R. Schafer, S. Schlecht, J. Woenckhaus, J. A. Becker // Physical Review Letters. - 1996. - V. 76. -№ 3. - P. 471-474.

[157] Absorptive and dispersive optical responses of excitons in a single quantum dot / B. Alen, A. Hogele, M. Kroner [et al.] // arXiv:cond-mat/ 0509114v2.-2007.

[158] Распад электронных возбуждений в коллоидных квантовых точках CdS и CdS/ZnS: спектральные и кинетические исследования / М. С. Смирнов, Д. И. Стаселько, О. В. Овчинников [и др.] // Оптика и спектроскопия. - 2013. - Т. 115. - № 5. - С. 751-759.

[159] Ландау Л. Д. Теоретическая физика: учебное пособие. В 10 т. / Л. Д. Ландау, Е. М. Лифшиц; 4-е изд. - Москва: Физматлит, 2003. - Т. 8: Электродинамика сплошных сред. — 656 с.

[160] Размерное квантование экситонов и определение параметров их энергетических спектров в CuCl / А. Е. Екимов, А. А. Онущенко, А. Г. Плюхин [и др.] // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 1985.-Т. 88.-Вып. 4.-С. 1490-1501.

[161] Лифшиц И. М. О кинетике диффузионного распада пересыщенных твердых растворов // И. М. Лифшиц, В. В. Слезов // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 1958. - Т. 35. - Вып. 2. -С. 478-492.

[162] Spectral characteristics of CdS quantum dots and their associates with dye molecules dispersed in gelatin / О. V. Ovchinnikov, M. S. Smirnov, В. I. Shapiro [et al.] // Theoretical and Experimental Chemistry. - 2012. - V. 48. -№ l.-P. 48-53.

[163] Бостанджиян В. А. Распределение Пирсона, Джонсона, Вейбулла и обратное нормальное. Оценивание их параметров / В. А. Бостанджиян. -Черноголовка: ИПФХ РАН, 2009. - 240 с.

[164] Энциклопедия технологии полупроводниковых материалов / Пер. с англ. под ред. Э. П. Домашевской. - Воронеж: Водолей, 2004. - Т. 1: Электронная структура и свойства полупроводников. - 982 с.

[165] General boundary conditions for the envelope function in the multiband k-p model / A. Rodina, A. Alekseev, A. Efros [et al.] // Physical Review B. -2002. - V. 65. - № 12. - P. 1-12.

[166] Structure of capped cadmium selenide clusters by EXAFS / M. A. Marcus, W. Flood, M. Stiegerwald [et al.] // Journal of Chemical Physics - 1991. -V. 95.-№4.-P. 1572-1576.

[167] EXAFS studies of Cd chalcogenide nanocrystals / M. A. Marcus, L. E. Brus, C. Murray [et al.] // Nanostructured Materials. - 1992. - V. 1. - № 4. -P. 323-325.

[168] Qu L. Control of photoluminescence properties of CdSe nanocrystals in growth / L. Qu, X. Peng // Journal of American Chemical Society. - 2002. -V. 106.-№41.-P. 10634.