Оптические и структурные свойства квантовых точек (In,Ga,Al)As на подложках арсенида галлия для светоизлучающих приборов диапазона 1.3-1.55 мкм тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Гладышев, Андрей Геннадьевич

• Гладышев, Андрей Геннадьевич
• кандидат физико-математических наук
• 2006

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Гладышев, Андрей Геннадьевич

Введение.

Глава 1. Литературный обзор.

1.1. Получение массивов квантовых точек.

1.1.1. История создания квантовых точек и методы их формирования.

1.1.2. Влияние условий роста на параметры массивов квантовых точек.

1.2.Свойства самоорганизующихся квантовых точек InAs/GaAs.

1.2.1. Электронные и оптические свойства квантовых точек InAs/GaAs, полученных методом МПЭ.

1.2.2. Получение длинноволнового излучения (Л=1.3 - 1.55 мкм) в структурах с квантовыми точками InAs/GaAs. Влияние покрывающих слоев и материала матрицы на свойства квантовых точек.

1.2.3. Температурные зависимости фотолюминесценции квантовых точек.

1.2.4. Механизмы захвата и рекомбинации носителей заряда в квантовых точках.

1.3. Применение квантовых точек. Лазерные характеристики.

Глава 2. Экспериментальное оборудование и методы.

2.1. Рост гетероструктур методом молекулярно-пучковой эпитаксии.

2.2. Экспериментальные методы исследований гетероструктур.

Глава 3. Метаморфные квантовые точки получение излучения в диапазоне 1.3-1.55 мкм.

3.1. Метод уменьшения плотности дефектов.

3.2. Влияние количества осажденного InAs: оптические и структурные свойства.

3.3. Влияние состава матрицы и заращивающего слоя: оптические и структурные свойства.

3.4.Энергетическая диаграмма носителей заряда в квантовых точках InAs, сформированных в метаморфной матрице.

3.5.Температурные зависимости фотолюминесценции - сравнение с квантовыми точками InAs, сформированными в матрице GaAs.

Глава 4. Метод управления энергетическим спектром состояний носителей заряда в квантовых точках.

4.1. Влияние заращивающих слоев AlAs и InAlAs: оптические и структурные свойства.

4.2. Неравновесный характер распределения носителей заряда в квантовых точках InAs при комнатной температуре.

4.3. Исследование возможности длинноволнового сдвига максимума фотолюминесценции квантовых точек InAs/InAlAs.

4.3.1.Влияние состава заращивающего слоя InAlAs на длину волны излучения квантовых точек InAs/InAlAs.

4.3.2.Влияние количества осажденного InAs на длину волны излучения квантовых точек InAs/InAlAs.

Глава 5. Применение метода управления энергетическим спектром состояний носителей заряда для метаморфных квантовых точек.

5.1. Влияние состава матрицы и заращивающего слоя: оптические и структурные свойства.

5.2. Температурные зависимости интенсивности фотолюминесценции -сравнение с метаморфными квантовыми точками InAs/InGaAs.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Оптические и структурные свойства квантовых точек (In,Ga,Al)As на подложках арсенида галлия для светоизлучающих приборов диапазона 1.3-1.55 мкм»

В последние годы в мире наблюдается бурный рост объема передаваемой информации, требующий все большего расширения полосы частот обмена информации. Такое увеличение спроса на расширение полосы частот информационного обмена в мире не может обеспечить никакая другая физическая среда кроме оптического волокна. Это является причиной роста рынка оптического волокна и оборудования для волоконно-оптических линии связи (BOJIC), в частности, полупроводниковых лазеров диапазона 1.3-1.55 мкм, использующихся в BOJIC в качестве излучателей.

BOJIC имеют широкую полосу пропускания, что обусловлено чрезвычайно высокой частотой несущей 1014 Гц. Это позволяет передавать по одному оптическому волокну поток информации в несколько терабит в секунду. Большая полоса пропускания - это одно из наиболее важных преимуществ оптического волокна над медной или любой другой средой передачи информации. Кроме этого BOJIC обладают такими преимуществами, как малое затухание светового сигнала, неподверженность электромагнитным помехам, химическая стойкость, возможность увеличения плотности передаваемой информации за счет передачи разных сигналов на разных длинах волн и использования волн, перпендикулярных друг другу поляризаций.

Кварцевое оптическое волокно имеет четыре спектральных окна прозрачности вблизи длин волн 0.85 мкм, 1.3 мкм, 1.55 мкм и 1.6 мкм, соответствующих минимумам световых потерь. В современных BOJIC широко используются первые три окна прозрачности. Уровень световых потерь в оптоволокне определяет дальность передачи информации без дополнительного усиления сигнала. Кроме того, дальность передачи и, главное, скорость модуляции сигнала определяется дисперсией оптического волокна, приводящей к размытию импульсов передаваемого оптического сигнала. Минимуму потерь в кварцевом оптоволокне соответствует длина волны 1.55 мкм, а минимуму дисперсии - 1.31 мкм. На рис.1 представлена зависимость дальности передачи информации от частоты модуляции сигнала для различных полупроводниковых лазеров, использующихся в BOJIC. Видно, что использование лазеров, излучающих на длинах волн 1.3 мкм и 1.55 мкм, позволяет существенно w 100 s м ы л

5 ю

От о с

- 1 н и о S

2 0.1 ч я

0.01

0.1 1 10 100 1000 10000

Частота модуляции (Мбит/с) Ю-Гигабипшый

Ethernet Ethernet

Рис.1. Зависимость дальности передачи информации от частоты модуляции сигнала для различных полупроводниковых лазеров, использующихся в BOJIC (по данным из [1]). увеличить дальность и скорость передачи информации по сравнению с лазерами диапазона 0.85 мкм [1].

Наблюдающийся рост рынка оборудования для ВОЛС и преимущества использования в ВОЛС окон прозрачности вблизи длин волн 1.3 мкм и 1.55 мкм обусловливают необходимость создания недорогих и эффективных источников и усилителей когерентного излучения диапазона 1.3-1.55 мкм. На настоящий момент в качестве излучателей в этом диапазоне длин волн используются лазеры на основе InGaAsP/InP, которые имеют такие недостатки, как низкая температурная стабильность, трудности при создании вертикально-излучающих лазеров, высокая оптическая нелинейность, приводящая к искажению сигнала и др., что увеличивает их стоимость и повышает требования к условиям их работы [2]. В настоящее время усилия многих исследовательских групп сосредоточены на получении лазеров диапазона 1.3 - 1.55 мкм на подложках GaAs. Применение структур на подложках GaAs позволяет достигать более высокой температурной стабильности, благодаря большей энергии локализации носителей заряда в активной области, и использовать бездефектные AlGaAs/GaAs брэгговские зеркала, оксидированные GaAs-AlO зеркала, а также оксидированные АЮ апертуры при создании монолитных вертикально-излучающих лазеров. В качестве активной области таких лазеров наиболее перспективным представляется использование In(Ga)As квантовых точек (КТ), полученных методом самоорганизации. Дело в том, что переходы между уровнями в КТ, будучи аналогичными переходам между строго дискретными уровнями отдельного атома, представляются идеальными для генерации лазерного излучения [3], что повышает температурную стабильность основных характеристик приборов и позволяет кардинально уменьшить эффект оптической нелинейности в оптических усилителях и лазерах. Преимущества метода формирования КТ с помощью самоорганизации заключаются в высокой воспроизводимости, отсутствии дефектов, связанных с постростовой обработкой, а также возможности создания приборной структуры в едином эпитаксиальном процессе.

За последнее десятилетие большой прогресс был достигнут в технологии роста квантовых точек InAs/InGaAs, излучающих в диапазоне 1.3 мкм, на подложках GaAs [4]. При этом эффективного излучения на длине волны 1.55 мкм от КТ получить не удавалось вследствие большого рассогласования по постоянным решетки GaAs и InAs. Поэтому нами был предложен новый метод получения длинноволнового излучения от структур с КТ InAs на подложках GaAs, основанный на метаморфной концепции роста. Данный метод основан на получении низкодефектных зародышевых слоев InxGai.xAs (0<х<30%) на подложках GaAs при низкотемпературном выращивании [5] и методах дефектоубирания в метаморфных слоях и КТ [6] и позволяет получать метаморфные слои InxGai.xAs с КТ с высоким структурным совершенством [7, 8].

Применение метаморфных слоев InxGaixAs в качестве матрицы, окружающей КТ InAs, является весьма перспективным подходом для сдвига длины волны излучения КТ в длинноволновую сторону. Такие КТ являются объектом новым и еще практически не изученным, что делает весьма актуальным исследование их структурных и оптических свойств.

Другой актуальной задачей современной физики полупроводников, как с точки зрения детального изучения процессов самоорганизации при росте КТ, так и для применения КТ в современных полупроводниковых лазерах, является разработка методов и способов управления процессами формирования массивов самоорганизующихся КТ, позволяющих контролировать параметры КТ. Например, для повышения температурной стабильности характеристик полупроводниковых лазеров на КТ существенным является сохранение условий неравновесного распределения носителей по состояниям массива КТ, в частности, с помощью увеличения энергетического интервала между основным и первым возбужденным состояниями [9]. Поэтому разработка методов, позволяющих контролировать энергетический спектр КТ, а также исследования механизмов релаксации носителей в основное состояние КТ и зависимости оптических свойств КТ от температуры являются актуальными для улучшения характеристик приборов на их основе.

Основная цель работы заключается в исследовании оптических и структурных свойств InAs/InGa(Al)As квантовых точек, сформированных в метаморфных матрицах InxGaixAs на подложках GaAs, в оптимизации их свойств для использования в качестве активной области излучателей диапазона 1.3-1.55 мкм и разработке метода управления энергетическим спектром состояний носителей заряда в квантовых точках.

Научная новизна работы:

1. Впервые исследованы оптические и структурные свойства КТ InAs/InGaAs, сформированных в метаморфных матрицах InxGai.xAs на подложках GaAs.

2. Предложен метод управления длиной волны люминесценции КТ InAs, сформированных в метаморфных матрицах InxGai.xAs на подложках GaAs, позволяющий варьировать ее значение в диапазоне 1.35-1.6 мкм.

3. Впервые продемонстрирована высокая эффективность фотолюминесценции на длине волны 1.5 мкм при комнатной температуре от КТ InAs, сформированных в метаморфной матрице InGaAs на подложке GaAs.

4. Методами возбуждения люминесценции и резонансной фотолюминесценции впервые исследовано влияние покрывающих слоев AlAs/InAIAs на транспорт носителей в КТ InAs, сформированных в матрице Ga(Al)As.

5. Впервые показано, что в КТ InAs/AlAs/InAlAs реализуется неравновесное распределение носителей по состояниям ансамбля КТ вплоть до комнатной температуры.

6. Впервые исследованы оптические и структурные свойства КТ InAs/InAlAs, сформированных в метаморфных матрицах InxGai.xAs различного состава.

7. Методами возбуждения люминесценции и фотолюминесценции впервые исследовано влияние покрывающих слоев InyAl|.yAs на транспорт носителей в КТ InAs, помещенных в метаморфную матрицу InxGai.xAs различного состава.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Длина волны излучения структур с квантовыми точками InAs/InGaAs в метаморфной матрице InxGai.xAs может быть контролируемым образом изменена в диапазоне 1.35-1.59 мкм путем вариации состава материала матрицы и параметров осаждения КТ.

2. В квантовых точках InAs/InGaAs при изменении состава метаморфной матрицы InxGai.xAs от 0 до 30% происходит уменьшение энергии локализации носителей и энергетического зазора между уровнями размерного квантования вследствие увеличения латерального размера квантовых точек.

3. В квантовых точках InAs/InGaAs при изменении состава матрицы InxGai.xAs от 0 до 30% происходит уменьшение скорости изменения длины волны излучения квантовых точек с температурой от 0.37 до 0.27 мэВ/К, соответственно, в диапазоне температур от 200 до 480К.

4. В структурах с квантовыми точками InAs/AlAs/InAlAs в матрице Ga(Al)As, благодаря высокой энергии локализации основного состояния относительно состояний матрицы, реализуется неравновесное распределение носителей в ансамбле квантовых точек в широком диапазоне температур, включая комнатную температуру.

5. Заращивание квантовых точек InAs тонкими слоями AlAs/InxAli.xAs и InxAli.xAs различного состава позволяет целенаправленно изменять энергетическое расстояние между основным и первым возбужденными уровнями размерного квантования от 80 мэВ до 135 мэВ для квантовых точек в матрице GaAs и от 38 мэВ до 48 мэВ для квантовых точек в метаморфной матрице InGaAs, соответственно.

Апробация работы.

Основные результаты диссертации докладывались на:

- 10 Международном симпозиуме «Наноструктуры: Физика и Технология» (Санкт Петербург, 2002г), 12 Международном симпозиуме «Наноструктуры: Физика и Технология» (Санкт Петербург, 2004г), 13 Международном симпозиуме «Наноструктуры: Физика и Технология» (Санкт Петербург, 2005г),

- VII Российской конференции по физике полупроводников (Звенигород, 2005г),

- на международной конференции "Trends in Nanotechnology", (Барселона, 2005), а также на научных семинарах Физико-Технического Института им. А.Ф.Иоффе

РАН.

Публикации. Основные результаты работы опубликованы в 11 печатных работах, в том числе 6 в научных статьях и 5 в материалах конференций.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Гладышев, Андрей Геннадьевич

Основные результаты диссертации опубликованы в работах:

1. D. S. Sizov, N. V. Kryzhanovskaya, A. G. Gladyshev, Yu В. Samsonenko, G. E. Cirlin, N. K. Polyakov, V. A. Egorov, A. A. Tonkih, Yu G. Musikhin, Anrei F. Tsatsul'nikov, N. N. Ledentsov, and Victor M. Ustinov, «Investigation of the formation of InAs QDs in a AIGaAs matrix», Proceedings of SPIE, Vol. 5023, 10th International Symposium on Nanostructures: Physics and Technology, Zhores I. Alferov, Leo Esaki, Editors, June 2002, pp. 52-55.

2. А.Е.Жуков, А.Р.Ковш, С.С.Михрин, Е.С.Семенова, Н.А.Малеев, А.П.Васильев, Е.В.Никитина, Н.В.Крыжановская, А.Г.Гладышев, Ю.М.Шерняков, Ю.Г.Мусихин, М.В.Максимов, Н.НЛеденцов, В.М.Устинов, Ж.И.Алферов, «Метаморфные лазеры спектрального диапазона 1.3 мкм, выращенные методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках GaAs», Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, выпуск 9 11431147

3. А.Е.Жуков, А.П.Васильев, А.Р.Ковш, С.С.Михрин, Е.С.Семенова, А.Ю.Егоров, В.А.Одноблюдов, Н.А.Малеев, Е.В.Никитина, Н.В.Крыжановская, А.Г.Гладышев, Ю.М.Шерняков, М.В.Максимов, Н.НЛеденцов, В.М.Устинов, Ж.И.Алферов, «Лазерная генерация на длине волны 1.5 мкм в структурах с квантовыми точками на подложках GaAs», Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, выпуск 12 1461-1464.

4. М.В.Максимов, Ю.М.Шерняков, Н.В.Крыжановская, А.Г.Гладышев, Ю.Г.Мусихин, Н.НЛеденцов, А.Е.Жуков, А.П.Васильев, А.Р.Ковш, С.С.Михрин,Е.С.Семенова, Н.А.Малеев, Е.В.Никитина, В.М.Устинов, Ж.И.Алферов, «Мощные лазеры на квантовых точках InAs—InGaAs спектрального диапазона 1.5 мкм, выращенные на подложках GaAs», Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, выпуск 6, стр. 763-766.

5. N. V. Kryzhanovskaya, A. G. Gladyshev, S.A.Blokhin,Yu.G.Musikhin, A.E.Zhukov, M.V.Maximov, N.D.Zakharov, A.F.Tsatsul'nikov, N.N.Ledentsov, P.Werner, F.Guffart, and D.Bimberg «Optical and structural properties of InAs quantum dot arrays grown in InGaAs matrix on GaAs substrate», Proceedings 12h International Symposium on Nanostructures: Physics and Technology, June 2004, pp. 227-228.

6. Н.В.Крыжановская, А.Г.Гладышев, С.А.Блохин, Ю.Г.Мусихин, А.Е.Жуков, М.В.Максимов, Н.Д.Захаров, А.Ф.Цацульников, Н.НЛеденцов, P.Werner, F.Guffart,

D.Bimberg «Оптические и структурные свойства массивов InAs квантовых точек, осажденных в матрицу InxGai.xAs на подложке GaAs», Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, выпуск 7, стр.867-871.

7. А.Г.Гладышев, Н.В.Крыжановская, С.С. Михрин, А.Е. Жуков, М.В. Максимов, Н.НЛеденцов, В.М.Устинов «Зависимости интенсивности фотолюминесценции InAs квантовых точек от плотности оптического возбуждения и температуры», Тезисы докладов VI Российской конференции по физике полупроводников, 19-25 сентября 2005 года, Звенигород,стр. 250

8. Н.В.Крыжановская, А.Г.Гладышев, С.А.Блохин, М.В.Максимов, Е.С.Семенова, А.П.Васильев, А.Е.Жуков, Н.НЛеденцов, В.М.Устинов, Д.Бимберг «Неравновесный характер распределения носителей при комнатной температуре в квантовых точках InAs, покрытых тонкими слоями AlAs/InAIAs», Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, выпуск 10, стр.1230-1235.

9. A. G. Gladyshev, А. V. Savelyev, N. V. Kryzhanovskaya, S. A. Blokhin, А. P. Vasil'ev, E.S. Semenova, A.E. Zhukov, R.P.Seisyan, M.V.Maximov, N.N.Ledentsov, V.M.Ustinov, «Modeling of excitation dependences of the photoluminescence from InAs quantum dots», Proceedings 13th Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology" St. Petersburg, Russia, June 20-25,2005, 14-15.

10. N. V. Kryzhanovskaya, A. G. Gladyshev, S. A. Blokhin, A. P. Vasil'ev, E. S. Semenova, A.E. Zhukov, M.V.Maximov, V.M.Ustinov, N.N.Ledentsov, D.Bimberg, «Temperature stability of optical properties of InAs quantum dots overgrown by AlAs/InAIAs layers» Proceedings 13th Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology" St. Petersburg, Russia, June 20-25, 2005, 18-19.

11. A. G. Gladyshev, N. V. Kryzhanovskaya, A.M. Nadtochy, E. S. Semenova, A.E. Zhukov, A. P. Vasil'ev, V.S.Mikhrin, Yu.G. Musikhin, M.V. Maximov, N.N.Ledentsov, V.M.Ustinov, «Comparative study of GaAs-based 1.5micron-range InAs/InGaAs and InAs/InAlAs self-assembled quantum dots», Phys.Stat.Sol (a), 2006, 203, No. 6, pp. 1359-1364.

Заключение

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Гладышев, Андрей Геннадьевич, 2006 год

1. Список цитированной литературы:

2. J.S. Harris Jr. «GalnNAs long-wavelength lasers: progress and challenges», Semicond. Sci. Technol. 17, pp. 880-891, (2002).

3. D.I.Babic, K.Streubel, R.P.Mirin, N.M.Margalit, J.E.Bowers, E.L.Hu, D.E.Mars, L.Yang, K.Carey «Room-temperature continuous-wave operation of 1.54 pm vertical-cavity lasers», IEEE photon. Technol. Lett., 7, pp. 1225-1227, (1995).

4. JI.B. Асрян, P.A. Сурис «Теория пороговых характеристик полупроводниковых лазеров на квантовых точках. Обзор», ФТП 38(1), стр. 3-25, (2003).

5. N.N.Ledentsov «Long-wavelength quantum-dot lasers on GaAs substrates: from media to device concepts», IEEE J. Select. Topics Quant. Electron., 8, pp. 1015-1017, (2002).

6. А.Е.Жуков, А.П.Васильев, A.P. Ковш, C.C. Михрин, E.C. Семенова, А.Ю.Егоров, В.А.Одноблюдов, Н.А.Малеев, Е.В.Никитина, Н.В.Крыжановская, А.Г.Гладышев, Ю.М.Шерняков, М.В.Максимов, Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов, Ж.И.Алферов,

7. Лазерная генерация на длине волны 1,5 мкм в структурах с квантовыми точками на подложках GaAs» ФТП 37(12), стр. 1461-1464, (2003).

8. O.B.Shchekin, P. Gyoungwon, D.L.Huffaker, D.G.Deppe, «Discrete energy level separation and the threshold temperature dependence of quantum dot lasers», Appl.Phys.Lett. 77, pp. 466468, (2000).

9. W.J.Schaffer, M.D.Lind, S.P.Kowalczyk, R.W.Grant «Nucleation and strain relaxation at the InAs/GaAs(100) heterojunction», J.Vac.Sci.Technol. В 1,688 (1983).

10. B.F.Lewis, F.J.Grunthaner, A.Madhukar, R.Fernandez, J.Maserjian «RHEED oscillation studies of MBE growth kinetics and lattice mismatch strain-induced effects during InGaAs growth on GaAs(100)», J.Vac.Sci.Technol., В 2, p. 419, (1984).

11. M.Y.Yen, A.Madhukar, B.F.Lewis, R.Fernandez, L.Eng, F.J.Grunthaner «Cross-sectional transmission electron microscope studies of GaAs/InAs(100) strain layer modulated structures grown by molecular beam epitaxy», Surf. Sci., 174, p. 606, (1986).

12. L.Goldstein, F.Glas, J.Y.Martin, M.N.Charasse, G.Le Roux, «Growth by molecular beam epitaxy and characterization of InAs/GaAs strained-layer superlattices», Appl.Phys.Lett., 47, pp. 1099-1101,(1985).

13. R. Dingle and C.H. Henry, "Quantum effects in heterostructure lasers" U.S. Patent No. 3982207, 21, September 1976.

14. Y. Arakawa, H. Sakaki «Multidimensional quantum well laser and temperature dependence of its threshold current», Appl.Phys.Lett., 40, pp. 939-941, (1982).

15. G.L.Snider, I.H. Tan, E.L.Hu, «Electron states in mesa-etched one-dimentional quantum well wires», J.Appl.Phys., 68, pp. 2849-2853, (1990).

16. D.Leonard, M.Krishnamurthy, C.M.Reaves, S.P.Denbaars, P.M.Petroff «Direct formation of quantum-sized dots from uniform coherent islands of InGaAs on GaAs surfaces», Appl.Phys.Lett., 63, pp. 3203-3205, (1993).

17. F.Glas, C.Guille, P.Henoc, F.Houzay, Inst. Phys. Conf. Ser. 87, Sect. 2, p.71 (1987).

18. S.Guha, A.Madhukar, K.C.Rajkumar «Onset of incoherency and defect introduction in the initial stages of molecular beam epitaxical growth of highly strained InxGaixAs on GaAs(100)», Appl. Phys. Lett., 57, pp. 2110-2112, (1990).

19. J.M.Moison, F.Houzay, F.Barthe, L.Leprince, E.Andre, O.Vatel «Self-Organized growth of regular nanometer-scale InAs dots on GaAs», Appl. Phys. Lett. 64, pp. 196-198, (1994).

20. M.Tabuchi, S.Noda, A.Sasaki: In Science and Technology of Mesoscopic Structures, ed. By S.Namba, C.Hamaguchi, and T.Ando (Springer, Tokyo 1992) p.379.

21. J.Y.Marzin, J.M.Jerard, A.Izrael, D.Barrier «Photoluminescence of single InAs quantum dots obtained by self-organized growth on GaAs», Phys. Rev. Lett. 73, pp. 716-719, (1994).

22. V.A.Shchukin, N.N.Ledentsov, P.S.Kop'ev, D.Bimberg «Spontaneous ordering of coherent strained islands», Phys.Rev.Lett., 75, pp.2968-2971, (1995).

23. I.Daruka, A.-L.Barabasi «Dislocation-Free Island Formation in Heteroepitaxial Growth: A Study at Equilibrium», Phys. Rev. Lett. 79, p. 3708 (1997).

24. V.A.Shchukin, D.Bimberg «Spontaneous ordering of nanostructures on crystal surfaces», Rev. Mod. Phys., 71,1125 (1999).

25. C.Ratsch, A.Zangwill «Equilibrium theory of the Stranski-Krastanov epitaxial morphology», Surf. Sci., 293, p. 123 (1993).

26. C.Priester, M.Lannoo «Origin of Self-Assembled Quantum Dots in Highly Mismatched Heteroepitaxy» Phys. Rev. Lett., 75, pp. 73-76, (1995).

27. A.Madhukar, P.Chen, Q.Xie, A.Konkar, T.R.Ramachandran, N.P.Kobayashi, R.Viswanathan: In Low Dimensional Structures Prepared by Epitaxial Growth or Regrowth on Patterned Substrates, Proceedings of the NATO Advanced Workshop, February 20-24, 1995,

28. Ringberg Castle, Germany, ed. By K.Ebern, P.Petroff, and P.Demeester (Kluwer, Dordrecht 1995) p. 19.

29. N.Kobayashi, T.R.Ramachandran, P.Chen, A.Madhukar «In situ, atomic force microscope studies of the evolution of InAs three-dimensional islands on GaAs(OOl)», Appl. Phys. Lett. 68, pp. 3299-3301, (1996).

30. G.Cirlin, G.M.Gurianov, A.O.Golubok, S.Ya, Tipissev, N.N.Ledentsov, P.S.Kop'ev, M.Grundmann, D.Bimberg «Ordering phenomena in InAs strained layer morphological transformation on GaAs (100) surface», Appl.Phys.Lett., 67, pp. 97-99, (1995).

31. Q. Xie, P. Chen, A. Madhukar, «InAs island induced strain-driven adatom migration during overlayer growth», Appl. Phys. Lett. 65, pp. 2051-2053, (1994).

32. J.M.Garcia, G.Medeiros-Ribeiro, K.Schmidt, T.Ngo, J.L.Feng, A.Lorke, J.Kotthaus, P.M.Petroff «Intermixing and shape changes during the formation of InAs self-assembled quantum dots», Appl.Phys.Lett, 71, pp. 2014-2016, (1997).

33. A.Lorke, R. Johannes Luyken, A. O. Govorov, J. P. Kotthaus, J. M. Garcia, and P. M. Petroff «Spectroscopy of Nanoscopic Semiconductor Rings», Phys. Rev. Lett., 84, pp. 22232226, (2000).

34. Y.W.Mo, D.E.Savage, B.S.Swartzentruber, M.G.Lagally «Kinetic pathway in Stranski-Krastanov growth of Ge on Si(001)», Phys. Rev.Lett. 65, pp.1020-1023, (1990).

35. S. Fafard, R. Leon, D. Leonard, J.L. Merz, P.M. Petroff, «Visible photopuminescence from N-dot ensembles and the linewidth of ultrasmall AlInAs/AlGaAs quqntum dots», Phys. Rev. В 50, pp. 8086-8089,(1994).

36. A. Kurtenbach, K. Eberl, T. Shitara «Nanoscale InP islands embedded in GalnP», Appl. Phys. Lett., 66, pp. 361-363, (1995).

37. G.X.Qian, R.M.Martin, D.J.Chadi «First-principles study of the atomic reconstructions and energies of Ga- and As-stabilized GaAs(lOO) surfaces», Phys.Rev.B, 38, pp. 7649-7663, (1988).

38. J.Oshinowo, M.Nishioka, SJshida, Y.Arakawa, «Highly Uniform InGaAs/GaAs quantum dots (~15 nm) by metalorganic chemical vapor deposition», Appl. Phys. Lett. 65, pp.1421-1423, (1994).

39. H.Saito, K.Nishi, S.Sugou, «Shape transformation of InAs quantum dots by growth at high temperature», Appl. Phys. Lett. 74, pp. 1224-1226, (1999).

40. G.S.Solomon, J.A.Trezza, J.S.Harris Jr. «Substrate temperature and monolayer coverage effects on epitaxial ordering of InAs and InGaAs islands on GaAs», Appl. Phys. Lett. 66, pp. 991-993,(1995).

41. Y.Nakata, K.Mukai, M.Sugawara, K.Othsubo, H.Ishikawa, N.Yokoyama, «Molecular beam epitaxial growth of InAs self-assembled quantum dots with light emission at 1.3 pm», J. Cryst. Growth, 208, pp.93-99, (2000).

42. R.Murray, D.Childs, S.Malik, P.Siverns, C.Roberts, J.M.Hartmann, P.Stavrinou, «1.3 pm room temperature emission from InAs/GaAs self-assembled quantum dots», Jpn. J. Appl. Phys. 38, pp. 528-530,(1999).

43. Ю.Г. Мусихин, Г.Э. Цырлин, В.Г. Дубровский, Ю.Б. Самсоненко, А.А. Тонких, Н.А. Берт, В.М. Устинов «Переход от термодинамического режима формирования квантовых точек в системе InAs/GaAs(100) к кинетическому», ФТП 39(7), стр. 853-858, (2005).

44. J. X. Chen, U. Oesterle, A. Fiore, R. P. Stanley, М. Ilegems, and Т. Todaro «Matrix effects on the structural and optical properties of InAs quantum dots», Appl. Phys. Lett., 79, pp. 3681-3683,(2001).

45. Q. Xie, A. Madhukar, P. Chen, N.P. Kobayashi, «Vertically Self-Organized InAs Quantum Box Islands on GaAs (100)», Phys. Rev. Lett. 75, pp. 2542-2545, (1995).

46. I. Mukhametzhanov, R.Heitz, J.Zeng, P.Chen, and A.Madhukar «Independent manipulation of density and size of stress-driven self-assembled quantum dots», Appl.Phys.Lett., 73, pp. 1841-1843,(1998).

47. Д.Г. Васильев, В.П. Евтихиев, В.Е. Токранов, И.В. Кудряшов, В.П. Кочерешко «Влияние разориентации подложки на распределение квантовых точек по размерам в системе InAs/GaAs», ФТТ 40(5), (1998).

48. Т. Suzuki, Y. Temko, and К. Jacobi «Shape, size, and number density of InAs quantum dots grown on the GaAs(113)B surface at various temperatures», Phys. Rev. B, 67, 045315-0453157, (2003).

49. S. P. Guo, H. Ohno, A. Shen, F. Matsukura, and Y. Ohno «InAs self-organized quantum dashes grown on GaAs (211)B», Appl. Phys. Lett. 70, pp. 2738-2740, (1997).

50. S. Anders, C. S. Kim, B. Klein, Mark W. Keller, and R. P. Mirin «Bimodal size distribution of self-assembled InxGal AxAs quantum dots», Phys. Rev В 66, pp. 125309-125309-5, (2002).

51. H. Lee, R.R. Lowe-Webb, W. Yang, and P. C. Sercel «Formation of InAs/GaAs quantum dots by molecular beam epitaxy: Reversibility of the islanding transition», Appl. Phys. Lett. 71, pp. 2325-2327,(1997).

52. H. Lee, R. Lowe-Webb, Т. J. Johnson, W. Yang, and P. C. Sercel «Photoluminescence study of in situannealed InAs quantum dots: Double-peak emission associated with bimodal size distribution», Appl. Phys. Lett. 73, pp. 3556-3558, (1998).

53. M.Grundmann, O.Stier, D.Bimberg «InAs/GaAs quantum pyramids: strain distribution, optical phonons and electronic structure», Phys.Rev.B, 52, pp. 11969-11978, (1996).

54. G.Medeiros-Ribeiro, D.Leonard, P.M.Petroff, «Electron and hole energy levels in InAs self-assembled quantum dots», Appl.Phys.Lett 64, pp. 1767-1769, (1995).

55. M.A.Cusack, P.R.Briddon, and M.Jaros «Electronic structure of InAs/GaAs self-assembled quantum dots», Phys. Rev. В 54 (4), pp. R2300-R2303, (1996).

56. O.Stier, M.Grundmann, D.Bimberg, «Electronic and optical properties of strained quantum dots modeled by 8-band к-p-theory», Phys. Rev. В 59, pp. 5688-5701, (1999).

57. R. Heitz, H. Born, F. Guffarth, O. Stier, A. Schliwa, A. Hoffmann, and D. Bimberg «Existence of a phonon bottleneck for excitons in quantum dots», Phys.Rev.B, 64, pp. 241305241305-4, (2001).

58. R.Heitz, M.Veit, N.N.Ledentsov, A.Hoffmann, D.Bimberg, V.M.Ustinov, P.S.Kop'ev, Zh.I.Alferov, «Energy relaxation by multiphonon processes in InAs/GaAs quantum dots», Phys.Rev.B, 56, pp. 10435- 10445, (1997).

59. Y.Toda, O.Moriwaki, M.Nishioka, Y.Arakawa, «Efficient carrier relaxation mechanism in InGaAs/GaAs self-assembled quantum dots based on the existence of continuum states», Phys.Rev.Lett., 82, pp. 4114-4117, (1999).

60. K.Mukai, N.Ohtsuka, M.Sugawara, S.Yamazaki «Self-fromed InGaAs quantum dots on GaAs substrates emitting at 1.3 pm», Jpn.J.Appl.Phys, 33, L1710-1712, (1994).

61. D.L.Huffaker, D.G.Deppe, «Electroluminescence efficieny of 1.3 (im wavelength InGaAs/GaAs quantum dots», Appl.Phys.Lett, 73, pp. 520-522, (1998).

62. K.Nishi, H.Saito, S.Sugou, J.-S.Lee, «А narrow photoluminescence linewidth of 21 meV at 1.35 urn from strain-reduced InAs quantum dots covered by Ino.2Gao.8As grown on GaAs substrates», Appl.Phys.Lett., 74, pp. 1111-1113, (1999).

63. F.Guffarth, R.Heitz, , A.Schliwa, O. Stier, N.N.Ledentsov, A.R. Kovsh, V.M. Ustinov, D.Bimberg «Strain engineering of self-organized InAs quantum dots», Phys. Rev. В., 64(15), 085305-085305-7,(2001).

64. Ustinov V.M. and Zhukov A.E. "GaAs-long-wavelength lasers", Semicond. Sci. Technol., 15, pp. R41-R54, (2000).

65. N.N. Ledentsov «Dcfect-free semiconductor templates for epitaxial growth and method of making same», United States Patent 6784074.

66. K.Mukai, Nakata Y., Otsubo K., Sugawara M., Yokoyama N., Ishikawa H., «1.3-|im CW Iasing of InGaAs-GaAs quantum dots at room temperature with a threshold current of 8 mA», IEEE Photonics Technol.Lett., 11, pp. 1205-1207, (1999).

67. D. I. Lubyshev, P.P. Gonza' lez-Borrero, E. Marega, Jr., E. Petitprez, N. La Scala, Jr.,and P. Basmaji «Exciton localization and temperature stability in self-organized InAs quantum dots» Appl. Phys. Lett. 68(2), pp. 205-207, (1996).

68. S. Fafard, S. Raymond, G. Wang, R. Leon, D. Leonard, S. Charbonneau, J. L. Merz, P. M. Petroff, and J. E. Bowers «Temperature effects on the radiative recombination in self-assembled quantum dots», Surf. Sci., 361, pp. 778-782, (1996).

69. S.Sanguinetti, M.Henini, M.Grassi Alessi, M.Capizzi, P.Frigeri, S.Franchi «Carrier thermal escape and retrapping in self-assembled quantum dots», Phys. Rev. B, 60, pp.8276-8283, (1999).

70. A.Patane, M.G.Alessi, F.Intonti, A.Polimeni, M.Capizzi, F.Martelli, M.Geddo, A.Bosacchi, S.Franchi «Evolution of the Optical Properties of InAs/GaAs Quantum Dots for Increasing InAs Coverages», Phys. Status Solidi A, 164, pp. 493-497, (1997).

71. Y. Tang, D. H. Rich, I. Mukhametzhanov, P. Chen, and A.Madhukar, «Self-assembled InAs/GaAs quantum dots studied with excitation dependent cathodoluminescence», J. Appl. Phys. 84, pp. 3342-3348, (1998).

72. Z.Y.Xu, Z.D.Lu, X.P.Yang, Z.L.Yuan, B.Z.Zheng, J.Z.Xu, W.K.Ge, Y.Wang, L.L.Chang, «Carrier relaxation and thermal activation of localized excitons in self-organized InAs multilayers grown on GaAs substrates», Phys.Rev. B, 54, pp. 11528-11531, (1996).

73. A.Polimeni, A.Patane , M.Henini, L.Eaves, and P.C.Main «Temperature dependence of the optical properties of InAs/AlyGal2yAs self-organized quantum dots», Phys. Rev. B, 59, pp. 5064-5068,(1999).

74. W.-H. Chang, T.M. Hsu, N.-T. Yeh, and J.-I. Chyi «Carrier transfer effect and thermal activation behaviors in the photoluminescence of In(Ga)As self-assembled quantum dots», Chinese J. Phys., 40(5), pp.548-559, (2002).

75. K. Akiba, N. Yamamoto, V. Grillo, A. Genseki, and Y. Watanabe «Anomalous temperature and excitation power dependence of cathodoluminescence from InAs quantum dots», Phys. Rev. В 70, pp. 165322-165322-9, (2004).

76. D.P.Popescu, P.G. Eliseev, A.Stintz and K.J. Malloy, «Temperature dependence of the photoluminescence emission from InAs quantum dots in a strained Gao.85Ino.15As quantum well», Semicond.Sci.Technol., 19, pp. 33-38, (2004).

77. A.Rosenauer, U.Fisher, D.Gerthsen, and A.Forster «Composition evaluation of In,Gai *As Stranski-Krastanow-island structures by strain state analysis », Appl.Phys.Lett. 71, pp. 3868-3870,(1997).

78. A.Lemaitre, G.Patriarche, F.Glas, «Composition profiling of InAs/GaAs quantum dots», Appl. Phys.Lett., 85, pp. 3717-3719, (2001).

79. H.Lee, W.Yang, P.C.Sercel, «Temperature and excitation dependence of photoluminescence line shape in InAs/GaAs quantum-dot structures», Phys. Rev. B, 55, pp. 9757-9762,(1996).

80. K. Mukai, N. Ohtsuka, and M. Sugawara, «High photoluminescence efficiency of InGaAs/GaAs quantum dots self-formed by atomic layer epitaxy technique», Appl. Phys. Lett. 70, pp. 2416-2418,(1997).

81. R. P. Mirin, J. P. Ibbetson, K. Nishi, A. C. Gossard, and J. E.Bowers, «1.3 fim photoluminescence from InGaAs quantum dots on GaAs», Appl. Phys. Lett. 67, pp. 3795-3797, (1995).

82. C. Lobo, R. Leon, S. Marcinkevicius, W. Yang, P. C. Sercel, X. Z. Liao, J. Zou, D. J. H. Cockayne, «Inhibited carrier transfer in ensembles of isolated quantum dots», Phys. Rev. B, 60, pp. 16647-16651,(1999).

83. Y.T.Dai, J.C.Fan, Y.F.Chen, R.M.Lin, S.C.Lee, H.H.Lin, « Temperature dependence of photoluminescence spectra in InAs/GaAs quantum dot superlattices with large thicknesses», Journal of Applied Physics, 82, pp. 4489-4492, (1997).

84. Y. Wu, K. Arai, and T. Yao, «Temperature dependence of the photoluminescence of ZnSe/ZnS quantum-dot structures», Phys. Rev. В 53, pp. R10485- R10488, (1996).

85. M. Vening, D.J. Dunstan, and K.P. Homewood «Thermal quenching and retrapping effects in the photoluminescence of In^Gai.^As/GaAs/AUGai^As multiple-quantum-well structures», Phys. Rev. B, 48, pp. 2412-2417, (1993).

86. P.G. Eliseev, H. Li, G.T. Liu, A. Stintz, T.C. Newell, L.E. Lester and K.J. Malloy « Optical gain in InAs/InGaAs quantum-dot structures: Experiments and theoretical model», Quantum Electron.30, pp. 664-668,(2000).

87. E. C. Le Ru, P. D. Siverns, and R. Murray «Luminescence enhancement from hydrogen-passivated self-assembled quantum dots», Appl. Phys.Lett.,77, pp. 2446-2448, (2000).

88. S.J.Pearton, J.W.Corbett, T.S.Shi «Hydrogen in crystalline semiconductors», Appl.Phys. A, 43, 153 (1987).

89. Е. С. Le Ru, J. Fack, and R. Murray «Temperature and excitation density dependence of the photoluminescence from annealed InAs/GaAs quantum dots», Phys. Rev. В 67, pp. 245318-245318-12(2003).

90. A.Patane, A.Polimeni, P.C.Main, M.Henini, L.Eaves, «High-temperature light emission from InAs quantum dots», Appl.Phys.Lett., 75, pp. 814-816, (1999).

91. S. Sanguinetti, Т. Mano, М. Oshima, Т. Tateno, М. Wakaki, N. Koguchi, «Temperature dependence of the photoluminescence of InGaAs/GaAs quantum dot structures without wetting layer», Appl. Phys. Lett., 81, pp. 3067-3069, (2002).

92. T. Mano, K.Watanabe, S.Tsukamoto, N. Koguchi, H.Fujioka, M.Oshima, C.-D. Lee, Jae-Y. Leem, H. J. Lee, S. K. Noh «Nanoscale InGaAs concave disks fabricated by heterogeneous droplet epitaxy», Applied Physics Letters, 76, pp. 3543-3545, (2000).

93. T.Muller, F.F.Schrey, G.Strasser, K.Unterrainer «Ultrafast intraband spectroscopy of elecron capture an relaxation in InAs/GaAs quantum dots», Appl.Phys.Lett., 83, pp. 3572-3574, (2003).

94. F.Adler, M.Geiger, A.Bauknecht, D.Haase, P.Ernst, A.Dornen, F.Scholz, H.Schweizer, «Self-assembled InAs/GaAs quantum dots under resonant excitation», J.Appl.Phys., 83, pp. 1631-1636,(1998).

95. A. Ohnesorge, M. Albrecht, J. Oshinovo, A. Forchel, Y. Arakawa «Rapid carrier relaxation in self-assembled InxGai.xAs/GaAs quantum dots», Phys. Rev. В 54, pp. 11532-11538,(1996).

96. D.Morris, N.Perret, S.Fafard «Carrier energy relaxation by means of Auger processes in InAs/GaAs self-assembled quantum dots», Appl.Phys.Lett. 75, pp. 3593-3595, (1999).

97. H.Yu, S.Lycett, C.Roberts, R.Murray «Time resolved study of self-assembled InAs quantum dots», Appl.Phys.Lett. 69, pp. 4087-4089, (1996).

98. T.F.Boggess, L.Zhang, D.G.Deppe, D.L.Huffaker, C.Cao, «Spectral engineering of carrier dynamics in In(Ga)As self-assmbled quantum dots», Appl.Phys.Lett., 78, pp. 276-278, (2001).

99. S.A.Maksimenko, G.Ya.Slepyan, N.N.Ledentsov, V.P.Kalosha, A.Hoffmann, D.Bimberg, «Light confinement in quantum dot», Semicond. Sci.Technol., 15, pp. 491-496, (2000).

100. L. Zhang, T.F.Boggess, D.G.Deppe, D.L.Huffaker, O.B.Shchekin, C.Cao, «Dynamic response of 1.3-pm-wavelength InGaAs/GaAs quantum dots», Appl.Phys.Lett., 76, pp. 12221224, (2000).

101. A.Fiore, P.Borri, W.Langbein, J.M.hvam, U.Oesterle, R.Houdre, R.P.Stanley and M.Ilegems, «Time-resolved optical characterization of InAs/InGaAs quantum dots emitting at 1.3 pm», Appl.Phys.Lett, 76, pp. 3430-3432, (2000).

102. A.Yu.Egorov, D.Bernklau, D.Livshits, V.Ustinov, Zh.I.Alferov, H.Riechert, «CW operation of InGaAsN lasers», Proc. of the 26th Int. Symp. on Compound Semiconductors (ISCS1999), Berlin, Germany, 22-26 August, 1999.

103. A.Yu.Egorov, D.Bernklau, D.Livshits, V.Ustinov, Zh.I.Alferov, H.Riechert «High power CW operation of InGaAsN lasers at 1.3 pm», Electron. Lett. 35, pp.1643-1644, (1999).

104. D.Livshits, A.Yu.Egorov, H.Riechert «8W continious wave operation of InGaAsN lasers at 1.3 pm», Electron. Lett., 36, 1381 (2000).

105. B.Borchert, A.Yu.Egorov, S.Illek, M.Komainda, H.Riechert «1.29 pm GalnNAs multiple quantum well ridge waveguide laser diodes with improved performance», Electron. Lett. 36, pp. 2204-2206, (2000).

106. D.Golub, M.Fischer, A.Forhel «Towards high performance GalnAsN/GaAsN laser diodes in 1.5 //m range», Electronics Letters, 39, p. 20, (2002).

107. X.Yang, J.Jurkovic, J.B.Heroux, W.I. Wang «Molecular beam epitaxial growth of InGaAsN:Sb/GaAs quantum wells for long-wavelength semiconductor lasers», Appl. Phys. Lett., 75, pp. 178-180,(1999).

108. Gambin V., Ha W., Wistley M., Yuen H., Bank S.R., Kim S.M., Harris J.S., IEEE J. Select. Top. Quantum Electronics, 8, p. 785, (2002).

109. Yamada M., Anan Т., Tokutome K., Kamei A., Nishi K., Sugou S., IEEE Photonics Technology Letters, 12, pp. 774-776, (2000).

110. G. W. Bryant «Excitons in quantum boxes: Correlation effects and quantum confinement», Phys. Rev. В 37, pp. 8763-8772, (1988).

111. M. Sugawara, N. Okazaki, T. Fujii, and S. Yamazaki «Diamagnetic shift and oscillator strength of two-dimensional excitons under a magnetic field in Ino.53Gao.47As/InP quantum wells», Phys. Rev. В 48, pp. 8848-8856, (1993).

112. I.R.Sellers, H.Y.Liu, K.M.Groom, D.T.Childs, D.Robbins, T.J.Badcock, M.Hopkinson,

113. D.J.Mowbray, M.S. Skolnick, «1.3 pm InAs/GaAs multiplayer quantum -dot laser with extremely low room-temperature threshold current density», Electron.Lett., 40, 1412 (2004).

114. R.L.Sellin, C.Ribbat, D.Bimberg, F.Rinner, H.Konstanzer, M.T.Kelemen, M.Mikulla, «High-reliability MOCVD-grown quantum dot laser», Electron. Lett., 38, p. 883 (2002).

115. A.E. Zhukov, A.R.Kovsh, V.M.Ustinov, Yu.M.Shernyakov, S.S.Mikhrin, N.A. Maleev,

116. S.Deubert, Debusmann, J.P.Reithmaier, A.Forchel, «High-power quantum dot lasers with improved temperature stability of emission wavelength for uncooled pump sources», Electron. Lett, 41, p. 1125 (2005).

117. Liu G.T., Xu В., Wei Y.Q.,Ding D., Qian J.J., Han Q., Liang J.B., Wang Z.G., «High-power and long-lifetime InAs/GaAs quantum-dot laser at 1080 nm», Appl. Phys.Lett.,79, pp. 2868-2870, (2001).

118. D.Bimberg, M.Grundmann, N.N. Ledentsov «Quantum dot heterostructures», John Wiley and Sons, (1999).

119. H. Saito, K. Nishi, I. Ogura, S. Sugou, Y. Sugimoto «Room-temperature lasing operation of a quantum-dot vertical-cavity surface-emitting laser», Appl. Phys. Lett. 69, pp. 3140-3142, (1996).

120. J.A. Lott, N.N. Ledentsov, V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, and D. Bimberg « Vertical cavity lasers based on vertically coupled quantum dots», Electronic. Lett. 33, pp. 1150-1151, (1997).

121. D.Bimberg, N.N Ledentsov., J.A.Lott, «Quantum-dot vertical-cavity surface-emitting lasers», MRS Bull., 27, p. 531, (2002).

122. Park G., Shchekin O.B., Huffaker D.L.,Deppe D.G., «InGaAs quantum dot laser with sub-milliamp thresholds und ultra-low threshold current density below room temperature», Electron.Lett., 36, pp. 1283-1284, (2000).

123. Shchekin О.В., Ahn J., Deppe D.G., «High temperature performance of self-organized quantum dot laser with stacked p-doped active region», Electron. Lett., 38, pp. 712-713, (2002).

124. В.М.Устинов «Технология получения и возможности управления характеристиками структур с квантовыми точками», ФТП 38(8), стр. 963-970, (2004).

125. R. Hull, J. С. Bean, R. Е. Leibenguth, and D. J. Werder «Role of strained layer superlattices in misfit dislocation reduction in growth of epitaxial Geo.sSio.s alloys on Si(100) substrates», J.Appl. Phys., 65(12), pp. 4723-4729, (1989).

126. Matthews and Blakeslee «Defects in epitaxial multilayers -I. Misfit dislocations», J. Cryst. Growth, 27,118 (1974).

127. L.V. Asryan, M. Grundmann, N.N. Ledentsov, O. Stier, R. A. Suris, D. Bimberg «Effect of excited-state transitions on the threshold characteristics of a quantum dot laser», IEEE J. of Quantum Electronics, 37(3), pp. 418-425, (2001).

128. R.Heitz, O.Stier, I.Mukhametzhanov, A.Madhukar, D.Bimberg «Quantum size effect in self-organized InAs/GaAs quantum dots», Phys.Rev.B, 62(16), pp. 11017-11028, (2000).

129. M. V. Maximov, I.L.Krestnokov, Yu. M. Shernyakov, A. E. Zhukov, N.A.Maleev, Yu.G.Musikhin, V. M. Ustinov, Zh. I. Alferov, A.Yu. Chernyshov, N. N. Ledentsov, D. Bimberg, T.Maka, and C.M.Sotomayor Torres, J. El. Matt., 29, 487 (2000).

130. S.Ghosh, S.Pradhan, P.Bhattacharya «Dynamic characteristics of high-speed Ino.4Gao.6As/GaAs self-organized quantum dot lasers at room temperature», Appl.Phys.Lett., 81, pp. 3055-3057, (2002).

131. D.KIotzkin, K.Kamath, K. Vineberg, P.Bhattacharya, R.Murty, J. Laskar «Enhanced Bandwidth of Self-Organized Quantum Dot Lasers at Cryogenic Temperatures: Role of Carrier Relaxation and Differential Gain», IEEE Phot.Tech. Lett., 10, p. 932, (1998).

132. V. Tokranov, M. Yakimov, A. Katsnelson, M. Lamberti, and S. Oktyabrsky «Enhanced thermal stability of laser diodes with shape-engineered quantum dot medium», Appl.Phys.Lett., 83 (54), pp. 833-835, (2003).

133. Z.Y.Zhang, B.Xu, P.Jin, X.Q.Meng, Ch.M.Li, X.L.Ye, D.B.Li, Z.G.Wang «Effect of InAlAs/InGaAs cap layer on optical properties of self-assembled InAs/GaAs quantum dots», J.Cr.Gr., 241, pp. 304-308, (2002).

134. I.R.Sellers, H.Y.Liu, M.Hopkinson, D.J.Mowbray and M.S.Skolnik «1.3 pm lasers with AlInAs-capped self-assembled quantum dots», Appl.Phys.Lett., 83, pp. 4710-4712, (2003).

135. M.Arzberger, U. Kasberger, G. Bohm, and G. Abstreiter «Influence of a thin AlAs cap layer on optical properties of self-assembled InAs/GaAs quantum dots», Appl.Phys.Lett., 75, pp. 3968-3970,(1999).

136. B.Jusserand, and M.Cardona «Light Scattering Solids V», Topics in Appl.Phys., 66, p. 49, (1994).

137. M. Ilegems, in «The Technology and Physics of Molecular Beam Epitaxy», edited by E. H. C. Parker, Plenum, New York, p. 83, (1985).