Оптические и электрические свойства монокристаллов фтористого кадмия, активированных редкоземельными ионами. тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 00.00.00, Дубовик, М. Ф.

• Дубовик, М. Ф.
• 1967

Оглавление диссертации Дубовик, М. Ф.

Введение . . I

Глава I. Общие закономерности и особенности доведения редкоземельных ионов в кристаллах типа флюорита . . . . . . 4

§1. Краткая характеристика кристаллов тина флюорита и способы их получения. 4

§2. Люминесценция редкоземельных ионов в кристаллах Мбр

§3. Типы оптических центров ТН и их термодинамика

§4. Центры окраски и изменение валентности редкоземельных ионов в кристаллах MeF& . . ♦ ♦ . 34

Глава П. Получение образцов CdFz-TR3+ и экспериментальные методы их исследования • . . . . . 4

§1. Методика получения образцов и их характеристика . ♦ 4

§2. Эффективность фторирующей атмосферы и устойчивость окислов редкоземельных элементов . . . *

§3. Экспериментальные методы исследования монокристаллов CdFg-TR*

Глава Ш. Люминесценция редкоземельных ионов в монокристаллах CdFs н типы оптических центров . ♦

§1. Общая характеристика спектров люминесценции редкоземельных ионов в монокристаллах CdFs

§2. Симметрия оптических центров 77? при различных способах компенсации избыточного заряда* Влияние термической обработки на симметрию опт тических центров • . . . • •

§3. Подтверждение нелокальной компенсации заряда TR3+ в случае кубических центров. Анализ формы линий

Глава 1У. Исследование аддитивного окрашивания,электропроводности и электролюминесценции монокристаллов CdF2-TR

§1. Исследование аддитивного окрашивания и электропроводности монокристаллов CdFs-TR.

§2. Двухзарядное состояние редкоземельных ионов в монокристаллах Cc/Fa . Влияние прогрева в парах Cd на симметрию оптических центров,

§3. Исследование электролюминесценции монокристаллов Cdfk'TR. .Д

Выводы.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Оптические и электрические свойства монокристаллов фтористого кадмия, активированных редкоземельными ионами.»

В настоящее время известно большое количество активированных редкоземельными ионами кристаллов, использующихся в качестве активно! среды для оптических квантовых генераторов Д/ . Наряду с расширением и углублением исследований физических свойств этих кристаллов продолжается поиск новых рабочих веществ. Спектроскопические исследования кристаллов, активированных редкоземельными ионами, позволили выяснить природу энергетических уровней редкоземельных ионов. Однако, многие вопросы физики таких кристаллов неясны* Это относится, прежде всего, к природе междуионных взаимодействий и взаимодействиям редкоземельных ионов с колебаниями решетки, к механизму захвата носителей.

Цель данной работы - установить особенности поведения редкоземельных ионов в новом кристаллическом соединении CdFa и объяснить их с единой точки зрения. Несмотря на определенные технологические трудности получения,, кристаллы CdFz являются хорошим объектом для исследований, так как кристаллическая структура их кубическая, типа флюорита, ионный радиус катиона близок к ионным радиусам редкоземельных ионов (соото ветственно 0.97 и 0.87*1.07 А /2Д благодаря чему имеется возможность сравнить полученные данные с результатами для других кристаллов этого типа.

Особый интерес к кристаллам фторидов со структурой флюорита проявился в связи с получением оптической генерации на кристаллах CaFzSm /3/, после чего началось интенсивное изучение спектроскопических свойств редкоземельных гонов г матрицах типа флюорита. Наиболее подробно изучены кристаллы

CaFz-TR3* » SrFz~TR3+ и BaFz-TR + . Кристаллы CdF2-~TR3+ мало изучены. Но имеющиеся сообщения о высокой электропроводности этих кристаллов /4»5/ и электролюминесценции TR3+ в них /6/, показывают, что матрица CdFz от л и* чается рядом интересных особенностей* Чтобы объяснить эти особенности с единой точки зрения, проведено комплексное исследование оптических и электрических свойств кристаллов CdFz , активированных редкоземельными ионами.

Содержанием работы являются: метод получения монокристаллов CdF2-TR , изучение особенностей люминесценции редкоземельных ионов г них при фото- и электровозбуждении, анализ оптических спектров и установление симметрии оптических центров TR3+ , их концентрационная зависимость и термическая устойчивость и исследование тесно связанных с этим аддитивного окрашивания, электропроводности и электролюминесценции. Предположение о возможности использования кристаллов CdFs~TR3+ в качестве основы для ОКГ /6,7/ свидетельствует об актуальности данных исследований*

Работа состоит из четырех глав, введения и заключения. В 1-й главе приведен литературный обзор, в котором дается краткая характеристика физико-химических свойств монокристаллов MeFz ( Me - Cq, Sr , За , Cd и РЬ ) и способов их получения и анализируются данные по люминесценции редкоземельных ионов, симметрии оптических центров TR3\ центрам окраски и валентности редкоземельных ионов в этих кристаллах.

Во П-й главе опиеаны метода синтеза исходного сырья, выращивания монокристаллов CdFs~TR3+ и экспериментальные методики их исследований. Здесь же приведены теоретические расчеты по эффективности применяемой фторирующей атмосферы и устойчивости окислов ТЙ20з .

В Ш-й главе изложены результаты исследования люминесценции ионов TR** в монокристаллах CdFz , их оптических центрах при различных способах компенсации избыточного заряда ТЯ3+ { Ft , Op , Me , S* ), концентрационного уиире-ния линий в спектрах люминесценции монокристаллов CdFrEu-Ma и дается термодинамический расчет равновесных концентраций "кубических" и "тетрагональных" центров TR3+ в CdFz

В 17-й главе приведены результаты исследования аддитивного окрашивания, электропроводности и электролюминесценции монокристаллов CdF£-TR

В заключении изложены краткие выводы об основных результатах исследований*

Г л а в a I

ОБЩИЕ ЗАКОНОМЕРНОСТИ И ОСОБЕННОСТИ ПОВЕДЕНИЯ РЕДКОЗЕМЕЛЬНЫХ ИОНОВ В КРИСТАЛЛАХ ТИПА ФЛЮОРИТА

§1* Краткая характеристика кристаллов типа Флюорита и способы их получения

Среди фторидов двухвалентных металлов кристаллическую структуру флюорита имеют практически все наиболее важные соединения: CaFg , SrFi , Bq Fz , CdFz и PbF& /8/. Элементарная ячейка кристаллической решетки типа CaFe приведена на рис Л. Она состоит из двух подрешеток: кубической гране-центрированной, образованной катионами СеГ , и простой кубической, образованной анионами фтора F , каждый из которых расположен на 1/4 длины диагонали гранецентрированного куба от его вершины. Более наглядно эту решетку можно представить, как периодическое повторение через один промежуток простого куба, образованного ионами фтора, в центре которого находится катион Саг+. Координационное число этой структуры по фтору равно 4, по катионам С а - 8. Она принадлежит к точечной группе симметрии или Fmim пространственной (федоровской) группе*

В таблице I приведены параметры кристаллической решетки и основные физико-химические характеристики фтористых соединений. Из таблицы видно, что ионные радиусы катионов и постоянные решеток кристаллов CqFz и CdF& отличаются незнао чительно (соответственно 0,99 и 0,97, 5,45 и 5,38 А). Благодаря хорошему совпадению значений ионных радиусов Са2+, Cdz+ и о редкоземелышг ионов TR (0,87*1,07 А), которые отличаютф са ©f

Рис.1. Элементарная ячейка кристаллической решетки типа флюорита.

Таблица I

Физико-химические свойства фторидов MeF& типа флюорита

Сочинение Ffaguyc катим Постоянная ре- w лмтносп (i/ем*) Темпера-туропяА яеншгс) Знеегив обра- эовония! Актбц»-мость и Ширимо мпрпн зоны tf(*) jtojMWTp е И Г-ЮТЧ эямтвр •триш» КМИЖЦ OOUWfl

Vfpuj окисел

Ccf, О99 5W 1*1 зал 13601'1 m 831 аоабде ЮбЛ 69 ('1 10

SrFt из S78i'i 11901*1 589 784 Q17(Krt) 7331*1 10

Beik 135 6LI91*1 kB3i*i 1280 Л 553 7«i«i аагдо 769 [»1 09

UFt 097 5388Я 5367? 638(*] ю72 [") 662 903 438?5tJ «г* 85" t.5 pwi 127 59Ы*1 77614 жгл 596 662 ao(A&t) лбЛ 16

Примечание*4по нашим измерениям ся не более, чем на 15%, согласно известному принципу изоморфизма Голммидта /2/ редкоземельные ионы могут быть легко введены в эти матрицы*

Однако, несмотря на одинаковую кристаллическую структуру и сравнительно незначительное отличие в параметрах решеток, поведение редкоземельных ионов в кристаллах Mef2, как будет показано ниве, хотя и имеет много общего, различно, что обусловлено электрическими полями матриц, в которых находятся редкоземельные ионы. Само же электрическое поле определяется типом связи между ионами решетки. Теоретические расчеты электронных взаимодействий в кристаллах типа флюорита представляют значительные трудности и еще не выполнена, но некоторые особенности этих взаимодействий, а, следовательно, и качественные отличия в поведении редкоземельных ионов можно установить по экспериментальным данным о растворимости, температуре плавления, энергии образования решетки, ширине запрещенной зоны, диэлектрической проницаемости*

Сравнение этих данных для соединений MeFz показывает, что в кристаллах CaF& преобладают чисто ионные связи и ионность0 связей уменьшается от Cah к $rFz , BqF2, CdF& т г ядеЛ и РЬгг . Увеличение зарядачсатионов Cd ( Z «^8) и . л,

РЬ ( Z но сравнению с Са ; (<*= 20) указывает на возрастающую роль ковалентных связей в матрицах CdF2 и PbFz

Кристаллы типа флюорита обладают большой прозрачностью в области 0,2*15 мкм /9/ и первоначально нашли широкое применение в инфракрасной технике. Они хорошо кристаллизуются, поэтому можно получить кристаллы больших размеров. Обычно кристаллы

MeFz выращивают методами Стокбаргера, Степанова-Феофилова, Чохральского и зонной плавки в вакууме, инертной атмосфере или в смеси инертных газов со фтористым водородом /I/. Так как расплав фтористых соединений MeFs химически активен, то наилучшим материалом для контейнеров является графит.

Важнейшая задача при выращивании фторидов - удалить из расплава кислород, который способствует образованию дефектов структуры, в результате чего возрастает светорассеяние кристаллов /15/. При выращивании монокристаллов MeF& в качестве раокислителя широко использовался фтористый свинец. Он добавляется в расплав (2*5 ъ.%) и переводит окисные соединения во фториды по реакции

МеО + PbF&^~MeFz + РЬО. (I.I)

Образующаяся окись свинца и избыток фтористого свинца испаряются из расплава /I/.

Однако, как показал Веллер Дб/, этот метод раскисления нельзя применять, если необходимо получить двухвалентные редкоземельные ионы ввиду того, что свинец "окисляет" > К до трехзарядного состояния. Наиболее совершенная методика получения монокристаллов фторидов предложена Гуггенгеймом /15/, который производил очистку сырья и выращивание монокристаллов в атмосфере смеси газов Не и HF , Но из-за агрессивности образующейся плавиковой кислоты эта методика требует соблюдения определенных предосторожностей и довольно сложная.

В этом отношении некоторые преимущества имеет методика, предложенная Осико Д7/: выращивание монокристаллов CaFz любым методом) осуществляется во фторирующей атмосфере, создаваемой путем термического разложения фторопласта {при температуре 673*773°К). Образование CaFz из окиси кальция идет в этом случае по реакции: г%СаО +(C2FJx —2хСаГг+гхС021 а-2)

Первое сообщение о получении кристаллов фтористого кадмия и их физико-химических свойствах сделано Хэндером и Бернардом /18,19/. Кристаллы CdFs длиной £~30 мм были выращены ими в атмосфере аргона путем медленного охлаждения расплава в графитовом тигле и использовались для изготовления оптических окошек, В дальнейшем методика выращивания монокристаллов CdFz усовершенствовалась и расширялась область их применения. Они использовались в качестве сцинтил-ляторов жесткого jf -излучения и частиц больших энергий /10,20,25/, как объект для спектроскопических и твердотельных исследований /4,5,7,11,16,22,24/ и для мазеров Д5/. Монокристаллы CdFs. выращивались методом Стокбаргера Д5,25/, Сте-панова-Феофилова /21,22/, Бриджмена /23,24/, Бриджмена-Сток-баргера-Верфарена /26/ как в вакууме, так и в инертной < Л/2, fir, Не) и смешанной (Не-НГ) атмосфере. Авторы этих работ отмечают, что процесс выращивания монокристаллов CJFz связан с особыми трудностями, которые заключаются в следующем:

I) в результате гидролиза и обогащения расплава CdFz избыточным кадмием кристаллы приобретают желтую окраску ДО/. Такая же окраска возникает при наличии в исходной шихте ничтожных следов серы (С < 10 °ат.$) в виде сульфата кадмия

Д1,24/ и в результате образования оксифторидов /22,23/;

2) да слитках образуется мелкокристаллическая корка и, чтобы получить удовлетворительные кристаллы, необходимо создать градиент температуры значительно вше, чем для других фторидов ( jrad 7 >Ю0С/см) ДО/;

3) соединение CdF& обладает большой летучестью в рае-плаве, что обусловлено разложением гидроокисей и основного вещества ДО,26/.

О выращивании монокристаллов PbFz имеется всего несколько сообщений /27,28/. Кристаллы выращивались методом Стокбаргера и их особенностью является наличие двух модификаций: кубической типа флюорита выше температуры 588°К и ромбической ниже 588°К.

Заключение диссертации по теме «Другие cпециальности», Дубовик, М. Ф.

Выводы

1. Разработан метод получения совершенных монокристаллов CdFz с контролируемыми свойствами. Дано теоретическое обоснование применяемой фторирующей атмосферы.

2. Установлено, что в отличие от кристаллов CaFz в кристаллах CdFz независимо от окислительно-восстановительных условий люминесцируют только трехзарядные редкоземельные ионы и их спектры люминесценции отличаются от спектров в CaFz по распределению энергии в группах линий при одинаковом способе компенсации избыточного заряда.

3-Ь -Г-г-3 +

3. На примере спектров люминесценции ионов Ей и 'ь и ЭПР &d доказано, что при малых концентрациях TR (с ^ 0,01 ат.%) и введении их в виде фторидов преобладает нелокальная компенсация заряда и образуются центры кубической симметрии. При введении в кристаллы ионов Ме+ нелокальная компенсация заряда имеет место при концентрациях TR3+ .с < 2 ат.%. Нелокальная компенсация заряда доказана путем исследования концентрационного уширения линий в спектрах люминесценции кристаллов CdFz "Еи—Л/а*",

Оценки равновесных концентраций кубических и тетрагональных центров, выполненные с помощью термодинамического расчета, находятся в хорошем согласии с экспериментом.

4. Существенные изменения в спектрах люминесценции TR3* при введений их в виде окислов наблюдаются для редкоземельных ионов подгруппы эрбия, что связано с различной устойчивостью TR203 к фторированию расплавом CdFz я согласуется с термодинамическим расчетом.

5. Высокая электропроводность монокристаллов CdFz~~FR3+ обусловлена примесью кислорода и свойственна кристаллам, в которые вводились окислы тяжелых редкоземельных элементов.

Электропроводность кристаллов CdFz~TR О возрастает с увеличением заряда ядра TRJ+ ионов, причем, так же изменяето ся и термодинамический потенциал Гиббеа д(тт реакции типа то '

SCdFs * TR203 —' 3CdO + г TRF3.

Зависимость удельной электропроводности от температуры описывается законом б= d>0 £ Энергия активации д Е s0,2 эв. Знак носителей электронный.

6. Аддитивно окрашиваются в парах С<У только те кристаллы CdFz - TR3* , в которые были введены окислы TR2O3 . Наличие полосы поглощения в окрашенных кристаллах в области X =2 мкм предполагает образование в них центров окраски, связанных с локализацией электронов в анионных вакансиях.

7. Установлено, что электролюминесценция TR3*в кристал-ч лах CdFs наблюдается при приложении к диоду как переменного, так и постоянного напряжения и имеет место в образцах о удельной электропроводностью 6 ^1СГ^ом~*см""*.

Исследование кинетики электролюминесценции TR3* при возбуждении прямоугольными импульсами показало, что кинетика электролюминесценции определяется вцутрицентровыми процессами.

Из данных кинетики электролюминесценции определены вероятности излучательных и безызлучательных переходов. Найдено, что вес 3* р3+ роятность излучательных переходов для tu и £r npg электровозбуждении почти на два порядка больше, чем при фотовозбужi дении. td3+

9. Спектры электролюминесценции i " отличаются от их спектров фотолюминесценции только интенсивностью компонент тонкой структуры и соответствуют некубической симметрии оптических центров. Наиболее вероятный механизм возбуждения электролюминесценции - ударное возбуждение.

В заключение выражаю глубокую благодарность моему руководителю Б.С.Скоробогатову за выбор темы и руководство работой, С.А.Сазоновой и БД.Тяману за полезные советы, старшим инженерам: Н.К.Агеевой, В.В.Азарову, Л.Б.Кольнеру, А.ИЛромоскалю, Н.Н.Смирнову и другим сотрудникам лаборатории, помогавшим мне в экспериментальной работе.

Результаты диссертации изложены в докладах:

1) М.Ф.Дубовик, А.И.Промоскаль и Б.С.Скоробогатов, Люминесценция и симметрия оптических центров редкоземельных ионов в монокристаллах фтористого кадмия, 1-й Всесоюзный симпозиум по спектроскопии кристаллов (Москва, 3-6 февраля,1965 г.]

2) М.Ф.Дубовик, Н.Н.Смирнов и Б.С.Скоробогатов, Аддитивное окрашивание и электропроводность монокристаллов фтористо- < го кадмия, активированных редкоземельными ионами, ХУ Совещание по люминесценции (Тбилиси, 17-23 ноября, 1966 г.

3) М.Ф.Дубовик, Ю.Б.Петренко и Б.С.Скоробогатов, Исследование электролюминесценции редкоземельных ионов в монокристаллах фтористого кадмия, П-й Всесоюзный симпозиум по спектроскопии кристаллов (Харьков, 9-14 октября, 1967 г.) и опубликованы в работах:

1) Н.Е.Агеева, М.Ф.Дубовик, Ю.Ф.Рыбкин, С.А.Сазонова, Б.С.Скоробогатов и О.М.Смирнова, Метод получения и люминесценция кристаллов фтористого кадмия, активированных редкоземельными ионами, Опт, и спектр., 20, 96, 1966;

2) М.Ф.Дубовик, А.Й.Промоскаль и Б.С.Скоробогатов, Люс3+ минесценция tu в кристаллах фтористого кадмия, Опт. и спектр., 20, 371, 1966;

3) Б.С.Скоробогатов, М.Ф.Дубовик и Н.К.Агеева, Концентрационное уширение линий в спектрах Ей в CdFz . Опт. и спектр., 22, 665, 1967;

4) Б.С.Скоробогатов, М.Ф.Дубовик, В.В.Азаров и Л.БДояьнер, Электролюминесценция и полупроводниковые свойства монокристаллов CdFz » активированных редкоземельными ионами, Опт. и спектр., 22, 981, 1967;

5) М.Ф.Дубовик, А.Й.Промоскаль и Н.Н.Смирнов, Эффективность фторирующей атмосферы при выращивании кристаллов фторидов щелочно-земельных элементов на примере CdFz ш CqFq и поведение редкоземельных элементов в расплаве CdFz , Изв.

АН СССР, серия "Неорганические материалы"^ I96&;

6) Б.С.Скоробогатов, М.Ф.Дубовик, А.Й.Промоскаль и

Н.Н.Смирнов, Аддитивное окрашивание и электропроводность кристаллов CdFz » активированных редкоземельными ионами, Оптика и спектроскопия (Сб. статей, т.4), Издательство "Наука", 1968.

Список литературы диссертационного исследования Дубовик, М. Ф., 1967 год

1. А.А.Каминский, В.В.Оеико. Изв. АН СССР, серия "Неорганические материалы", 1. 2049, 1965.

2. Г.Б.Бокий, Кристаллохимия. Из-во МГУ, М., I960.

3. RP. Sorotftn , m.J. Steoenson . 1вт Journ. Res. Deu., 5 , £6 , /961.

4. J.J). KirtgsBey and J.S.Prener. Pkys.Reu betters, £ , 3/SJ962; J. Chem. Pkys., 38 , 667,1963.

5. RF. Wetter. Inorganic Chem., , /965V

6. J.gam&e, J). K. Donatd, W.C. Waiset, T.Cote . QPf>£. Ptys. getters, 16, 1966.

7. J. D Kingstzy crncl J. S. Prener. Phys. 7?ei<,/26 Ц5&. /962. ,e

8. Сб."Полупроводниковые вещества". Из-во ИЛ, M., стр.75, I960.

9. Е.М.Воронкова, Б.Н.Гречушников, Г.И.Дистлер, ИЛ.Петров. Оптические материалы для инфракрасной техники. Из-во "Наука", М., 1965.

10. D. о. Jones and R.v. Jone.s. Proc. Phys. Soc.,79t Pt. г, 35/, /962.11. №. RuSenstein and вап«$ . / ££ectrochem. Soc. />06 , 40k, /959.

11. F Pony . / Chem. Ph^ys. ,4/, 24 ,1964.

12. Г.Б.Бокий, С.С.Бацанов. Изв. АН СССР, № 10 , 63, 1959.

13. Б.Бьюб. Фотопроводимость твердых тел, Из-во ИЛ, стр.37, 1962.

14. H.Gufyenheim . J. dPP£. PJvys., 44, г4&г/1963.

15. PF Wetter and Q. Scardefietd. J. Seectrochem. Soc., m, /2/, /964.

16. Ю.К.Воронько, В.В.Оеико, В.Т.Удовенчик, М.М.Фурсиков. ФТТ, 7, 1800, 1965.

17. H.m.Haendter and W. J. Bernard. J. Qmer. Chem. Soc., 73, 53/8, /95/.

18. H. m. Haendter , C.m. Wkeeter t j.R. and W.J.Bernard J. Opt. бос. Qmer. , г/5, 1953.

19. D.a. Jones , R.V. Jones and R.W.N. Steoenson. Proc. Ptys. Soc., 365 , , *

20. Б.И.Максаков. Оптико-механическая промышленность, Jte 2, 57, 1957.

21. Б.И.Максаков и Н.ДДндреева. Сб. докладов технической информации, Из-во Дома Техники, ГКОТ, 1958.

22. Х.С.Багдасаров, Г.Ф.Добржанский и Н.П.Ильин. Сб.Рост крис- таллов, 3, 254, Из-во АН СССР, М., 1961.

23. J.S.Prener and J.J). KcngsUy. J. С he. т. Phys.,§f, 2256, 1961.

24. R.V.Jones and J. H Pottard. Proc. Phys. Soc., 79, 358 , /962.

25. K. RecKer , JcCieSerts. A/aturu>lssenscho/ten , 49 , 391, /962.

26. D.Q.Jones. Proc PAys. Soc., B6& , Pt. 5,/65, /955.

27. Л.М.Беляев, М.В.Кошуашвили, К.СДернышев, Г.И.Герштейни В.С.Нечаева. Сб. гост кристаллов, 3, 338, Из-во АН СССР, М., 1961.

28. П.П.Феофилов. Изв. АН СССР, сер.физическая, 26, 435, 1962.

29. А.А.Каплянский и П.П.Феофилов. Опт. и спектр, 12, 493, 1962#

30. А.А.Каплянский и П.П.Феофилов. Опт. и спектр, 13, 235, 1962.

31. М.А.Ельяшевич. Спектры редких земель, ГИТТЛ, М., 1953.

32. C-.H.DieKe .„ Qdvances i-n Quantum £€ectronics", ed. iyJ.R.Singe* А/ем; У or к London , p./64,/96/.

33. Перевод: Лазеры, Из-во ИЛ, М., стр.27, 1963).

34. Ф.З.Гильфанов, Л.Д.Ливанова и А.Л.Столов. Тезисы докладов

35. ХУ Совещания по люминесценции, Тбилиси, 17-23 ноября 1966 р., Из-во "Наука", 1966.

36. Ф.З.Гильфанов, Л.Д.Ливанова и АЛ.Столов. ФТТ, 9, 427, 1967.

37. П.П.Феофилов. Опт. и спектр., 6, 234, 1959.

38. А.А.Каплянский, В.Н.Медведев и П.П.Феофилов. Опт. и спектр. 14, 664, 1963.

39. Johnson. J. appC. P/iys.,34 , 897, / 963.

40. Я.Э.Карисс, М.Н.Толстой и ПЛ.Феофилов. Опт. и спектр., 18, 440, 1965.

41. Я.Э.Карисс и ПЛ.Феофилов. Опт. и спектр., 14, 169, 1963.

42. Z. Kiss . J. Chem. Pkys. , 38 , M76, /963.

43. П.П.Феофилов. Proceeding о/ the internat. congress. On Quantum itectronics , Ports, p. 1079, /96b.

44. Я.Э.Карисс и ПЛ.Феофилов. Опт. и спектр., 15 , 572, 1963.

45. П.П.Феофилов и М.Н.Толстой. Опт. и спектр., 13, 294, 1962.47. .).<£.Wood and W. Kaiser. Ptys. Rev. J26, 2079, /96&.

46. БЛ.Захарченя и А.Я.Рыскин. Опт. и спектр., 13, 875, 1962.

47. А.А.Каплянский и А.Н.Пржевуский. Опт. и спектр., 13,882,1962,

48. P. Gortick, H.Karras and R. £ehmann . Pkys. Stat. Sot., 1 , 389, 1961.

49. И.В.Степанов и П.П.Феофилов. ДАН СССР, 108, 615, 1956.

50. N.RaSSiner. Phys. Rev. 1 /50, soa, /963.

51. T.F. twanizKy, P.J.Captan and JR. Paster. J. Chem. Ph,ys., jj, /v/г, 435Г/, /965.

52. P.Z. Brauer. Naturforchung, 6a , 56B , /95/.

53. ПЛ.Феофилов. Опт. и спектр., I, 992, 1956.

54. ПЛ.Феофилов. Изв. АН СССР, сер.физическая, 21, 779, 1957.

55. Ф.З.Гильфанов, Ж.С.Добкина. А.Л.Столов и Л.Д.Ливанова. Опт. и спектр., 20, 283, 1966.

56. П.П.Феофилов. Опт. и спектр., 10, 142, 1961.

57. N. RaSiiner . J. Opt. Soc. йтег., 55, ±36, /965.60. <£. i. Johnson. Proc. IRE , 50, /73//, /962.

58. ZJ. Kiss and R.C.Duncan. In Proc. IRE, 50 , /53/,/962

59. О-.УагЫ. Proc. IRE, 50, /71/3, /96Z.

60. А.А.Каминский, Л.С.Корниенко, А.М.Прохоров. Докл. АН СССР, 161, 1063, 1965: А.А.Каминский, Л.С.Корниенко, Д.М.Латвак, Ю>.Осико, А.М.Прохоров. 1.прикл.спектр., 2, 138, 1965.

61. N. RoBSiner. Pfbys. Rev. £eit. ,.11, A7 t /963.

62. N.Ra66iner. Pkys. Re.v., /зг , гг4, /963.

63. S.Q.PoeeacK. J.Chem. Phys. , 3J, <252/, /963.

64. SM РобСос*. J.Chem. Phys., 40 } 275/ t/964.

65. В.В.Овсянкин и ПЛ.Феофилов. ЖЭТФ, Письма в редакцию,3, вш.12, 494, 1966.

66. В.В.Овсянкин и П.П.Феофилов. ЖЭТФ, Письма в редакцию,4, вып.II, 471, 1966.в70. д£. tsterou>Ltz and J. Noonan. QppC. Phys. £ett. , 7, л/О, 28/, /965.

67. I.J. Hiss and R.C. Duncan. In Proc. IRE , 50 f 1532, /962.

68. В.К.Конюхов, П.П.Пашинин и А.М.Прохоров. ФТТ, 4, 246, 1962.73. i.BanKS and P. Wagner. / Chem. . Phys. , , 7/3, /966.

69. В.В.Осико. Сб. Рост кристаллов, 5, 373,#зд-во АН СССР, М., 1965.

70. В.В.Осико. ФТТ, 7, 1294, 1965.76. i.ZLnie and Q.Udyand. Z.Clnorg. chemt г 4 о, /so, /9зд.

71. R.W. Ure . J.Chem. Phys., gG, /363, /957

72. Я. ^ and f. S. martin. J. С hem. Soc. , /^7, /957.

73. B.eteony , P.m. Xteuieeeyn. and D.Q.Jones. Proc. Pkys, Soc., 869 , 858,1956.

74. J.M. Вакег t W. Haeyes and m. C.m. O'Brien. Proc. Roy. joc. , /3254 т 273, I960.

75. П.П.Феофилов. Поляризованная люминесценция атомов, молекул и кристаллов, ГИФМЛ, М., 1959.

76. А.А.Каплянский. Опт. и спектр., 16, 602, 1964.

77. S3, т.J. и/еёег anol R Rieria. Phys. Rev.,

78. B.M.Винокуров, M.M.ЗаринOB, Ю.Е.Польский, В.Г.Степанов, Г.КЛиркин и Л.Я.Шекун. ФТТ, 5, 599, 1963.

79. Л.Д.Ливанова. Автореферат диссертации, Казань, 1966.

80. Н.Е.Каек. Л.С.Корниенко и А.С.Рыбалтовский. ФТТ, 7, 3234, 1965. ""

81. Р О- Forrester and J.D. mctauakten. . •1. Л£, А/б&г, /965.88. 5 Ь YYlctouah^en and P. CI. Forrester, ^^s. Re\/. , /£6 f /966.

82. Н.Е.Каек, Л.С.Корниенко и М.Факир. ФТТ, 6, 549, 1964.

83. Н.Е.Каек. Автореферат диссертации, Из-во МГУ, М., 1967.

84. G-.Vi.ncou/ and W. £ow. Phys.Rev., /22 , /390, /961.

85. S. PrLdman and US. £otV. Л С hem. Ptys., 33f 1375", I960.

86. J. Sierro. Phy*. £ett.f A , , /963.

87. J. mctKOvsKy. Ptyt £ett., /9f 64 7, /966.

88. Ф.З.Гильфанов, Л.Д.Ливанова и А.Л.Столов. Кристаллография, II, 245, 1966.

89. Ю.К.Воронько, А.А.Каминский и В.В.Осико. ЖЭТФ, 49,724,1965.

90. Ю.К.Воронько, А.А.Каминский, В.В.Осико и А.МЛрохоров. ЖЭТФ, Письма в редакцию, I, Ш 4 , 33, 1965.

91. Ю.К.Воронько, А.А.Каминский и В.В.Осико. ЖЭТФ, 49,420,1965.

92. Ю.К.Воронько. Автореферат диссертации, М., 1966.

93. J.m. Batier and F.I. В. WitBioms. Proc. Phys Зое. , 78, Pt. 6CL) , /ЗЬО, /96/.

94. Г .M.Зверев, Л.С.Корниенко, А.М.Прохоров и А.И.Смирнов. ФТТ, 4, 392, 1962.

95. Г.М.Зверев и А.И.Смирнов. ФТТ, 6, 96, 1964.

96. Г.М.Зверев, Т.М.Смирнов и А.И.Смирнов. ФТТ, 8, 1379, 1965.

97. В. Herman and S. Siioerman . j. Opt. Soc. -O-mer., 37, 87/, /947.

98. Q.Smaxuea . Ptys. Re»., 77, 40&, 1950.

99. SQarite. J. Che т. Ph.ys., го, г97, /95г.

100. F. Zs. Ptys. , /34 / 59, /953.

101. П.П.Феофилов. ДАН СССР, 92, 545, 1953; 1ЭТФ, 26, 609, 1954.

102. W- I Scouier anal CXSmaKuZa. Phys. Rev., 120, //54, i960110. 2). mossen and Q. SmaKuia . Phys. Rev., /го t пег, i960.

103. P J. O'Connor and H. Chen. Phys. Reo., /ЗО, /790, /963.

104. F К Pong and P.N. Уосот. J. Che т. 4/ , /333, /963.

105. H. К arras and H. mother. Z.f. Pfvys. (&5, 375, /965.

106. H. S. Bennett and Q. в. &idiard. Phyy & , 253, /965.

107. J Chen and JR. O'Connor. д0Клад на симпозиуме "Центры окраски в щелочно-галоидных кристаллах11, иллинойский институт, II-13 октября 1965 г., США.

108. В.А.Архангельская, Я.Э.Карисс и П.П.Феофилов. Опт. и спектр, 18, 330, 1965.

109. У. Sierro. Ph.ys. Rev. , /J8, A64&, 1965.

110. В.А.Архангельская и П.П.Феофилов. Опт. и спектр. 20. 169, 1966.

111. Н. J. G€a$ser and в. &еest. Z. /Vaturforschunot 20 , 342, /965.

112. Р. К. Fong. Bui в. Qmer. Pkys. Soc., JO, 306, /<965.

113. J.R. O'Connor. аррв. Phys.jCett., L4,i2b, /964.

114. Z.J. Kiss and J). StaeZEer . Phus. Re.o £ett 14, 69/, /96 5. d123. 2. J. Kiss and P. /V Уосот . J.Chem. Рку*.,Щ.,151\,/96V.

115. F-K. Fong. PCQ ReuUu} , g£, ЗОз, /964.

116. F.K.Fong. J. С he т. Phys>. , 4/, 22 9/ ,19 6Q.

117. П.П.Феофилов. Опт. и спектр., 12, 531, 1961.

118. В. Wet&er. J. Chern. Phys., Ьг , Ь2вг, /965.

119. В.А.Архангельская и ПЛ.Феофилов. Международно совещание по люминесценции. Будапешт, 1966. Раздел 9„ Rare drtk

120. CLctiOQted jturriinophors "t стр. 90. "

121. Ю.Б.Перковская, Н.П.Анохина, И.1.Суханова, Пром.хим.реак-тивов, Инф.бюлл., № 2, стр.28, Госхимкомитет, М., 1,963.

122. М.Лазар, Р.Радо, Н.Климан. Фторопласты, стр.34, из-во "Энергия", М.-Л., 1965.

123. Краткий справочник физико-химических величин. Под редакцией К.П.Мищенко и А.А.Равделя, М.-Л., Из-во "Химия",1965,

124. Курс ф изической химии. Под общей редакцией чл.-корр. АН СССР проф. Е.И.Герасимова, том I, стр.ЗП, ГНТЙХЛ, М., 1963.

125. М.Х.Карапетьянц, М.Л.Карапетьянц. Таблицу некоторых термодинамических свойств различных веществ, I., Труды 1ХТ1 им.Д.И.Менделеева, вып.31, 1961.

126. К.Е.Уикс, Ф.Е.Блок, Термодинамические свойства 65 элементов, их окислов, галогенидов, карбидов и нитридов, М., Из-во "Металлургия", 1965.

127. Термодинамические свойства неорганических веществ. Под редакцией А.А.Зефирова, М., Атомиздат, 1965.

128. М.Х.Карапетьянц. Методы сравнительного расчета физико-химических свойств, М., Из-во "Наука", 1965.137. .). W. Ро$епег. Qustratcan J. Pkyb.,J2 f 1&Ч, 1959.

129. D.cC.Dexter . J. Chem. Ptys., gt, 836, /953.

130. W- Т. У en , P. V. Graen , W- C. Scott, D.Нитёег. Ph-ys. Reo., /I/O , Z7//&& , 1965.

131. С.И.Пекар. Исследования по электронной теории кристаллов, Гос. из-во технико-теор. литературы, М.-Л., 1951.

132. С.С.Шалыт. Сб. Полупроводники в науке и технике, т.1, стр.41, из-во АН СССР, 1957.

133. Г.Е.Пикус. Основы теории полупроводникошх приборов, Из-во "Наука", М., 1965.