Определение профиля концентрации основных носителей заряда в светоизлучающих и HEMT структурах с резко неоднородным легированием тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат наук Яковлев Георгий Евгеньевич

• Яковлев Георгий Евгеньевич
• кандидат наук
• 2018

Оглавление диссертации кандидат наук Яковлев Георгий Евгеньевич

ВВЕДЕНИЕ

1. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ ГЕТЕРОСТРУКТУР. АППАРАТНАЯ РЕАЛИЗАЦИЯ ЕМКОСТНЫХ МЕТОДОВ

1.1. Экспериментальные методы исследования полупроводниковых гетероструктур

1.1.1. Вольт-фарадное профилирование

1.1.2. Электрохимическое вольт-фарадное профилирование

1.1.3. Атомно-силовая микроскопия

1.1.4. Метод фотолюминесценции

1.2. Аппаратная реализация емкостных методов

1.2.1. Аппаратно-программный комплекс спектроскопии адмиттанса на базе криогенной зондовой станции Janis CCR-10-2

1.2.2. Установка электрохимического вольт-фарадного профилирования ECVPro

1.2.3. Модернизация установки ЕСУРго

Выводы по главе

2. ОСОБЕННОСТИ ТЕХНОЛОГИИ ПРОВЕДЕНИЯ ИЗМЕРЕНИЙ МЕТОДОМ ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКОГО ВОЛЬТ-ФАРАДНОГО ПРОФИЛИРОВАНИЯ

2.1. Предподготовка и требования к образцам, процесс измерения

2.2. Отработка режимов измерения методом ECV: картографирование подложечных структур

2.3. Контроль высоты барьера Шоттки на границе раздела полупроводник/электролит

2.4. АСМ верификация электрохимических измерений

Выводы по главе

3. СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ НА ОСНОВЕ GaAs. ИНТЕГРАЦИЯ ВОЛЬТ-ФАРАДНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК. СЛЕПАЯ ЗОНА ПРОФИЛИРОВАНИЯ

3.1. Современные светодиоды: классификация и приборные особенности

3.2. Исследуемые светоизлучающие гетероструктуры

3.3. Исследование изотипных светодиодных GaAs гетероструктур с КЯ: метод интеграции вольт-фарадных характеристик

3.4. Исследование анизотипных светоизлучающих GaAs гетероструктур с КЯ: «слепая зона» профилирования

3.5. Исследование светоизлучающих структур с массивом самоорганизованных КТ

Выводы по главе

4. HEMT ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ НА ОСНОВЕ GaAs. ОПТИМИЗАЦИЯ ГЕОМЕТРИИ ПОДЗАТВОРНОЙ ОБЛАСТИ

4.1. Классификация НЕМТ

4.2. История НЕМТ приборов

4.3. GaAs НЕМТ приборы и их особенности

4.4. Исследуемые GaAs HEMT гетероструктуры

4.5. Исследование односторонне легированных GaAs рНЕМТ структур: моделирование зонных диаграмм и спектров ФЛ

4.6. Изучение модификации концентрационного профиля в процессе ECV-травления. Оптимизация геометрии подзатворной области GaAs рНЕМТ структур

4.7. Разрешение концентрационных пиков КЯ и донорного слоя GaAs HEMT

4.8. Исследование двусторонне легированных GaAs рНЕМТ структур

4.9. Исследование дельта-легированных GaAs pHEMT структур

Выводы по главе

5. HEMT ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ НА ОСНОВЕ GaN. КОНТРОЛЬ КАЧЕСТВА АКТИВНЫХ И БУФЕРНЫХ СЛОЕВ

5.1. GaN НЕМТ приборы и их особенности

5.2. Особенности электрохимического травления гетероструктур на основе GaN

5.3. Исследуемые GaN HEMT гетероструктуры

5.4. Исследование нелегированных GaN dHEMT структур

5.5. Исследование объемно легированных GaN dHEMT структур

5.6. Расчет заряда ДЭГ в GaN HEMT структурах с учетом пьезоэлектической поляризации

Выводы по главе

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

СПИСОК СОКРАЩЕНИЙ И УСЛОВНЫХ ОБОЗНАЧЕНИЙ

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

ПРИЛОЖЕНИЕ А

А.1 Копия свидетельства о регистрации программы для ЭВМ

А.2 Копия акта об использовании результатов работы

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Определение профиля концентрации основных носителей заряда в светоизлучающих и HEMT структурах с резко неоднородным легированием»

ВВЕДЕНИЕ

Несмотря на растущий интерес, поиск и стремление к исследованию и использованию новых полупроводниковых материалов, таких как графен [1, 2], полупроводниковый алмаз [3], нитрид бора [4], оксид цинка [5] или поляризационно-легированные широкозонные полупроводники [6, 7], наноразмерные гетероструктуры на основе твердых растворов арсенида и нитрида галлия не теряют своих главенствующих позиций в ряде областей электроники.

В частности, в спиновой и оптической электронике наибольший интерес вызывают гете-роструктуры с квантовыми ямами и самоорганизованными квантовыми точками на основе пря-мозонных полупроводников А3В5. Высокая эффективность излучательной рекомбинации в ге-теропарах InGaAs/GaAs позволяет использовать их для создания светоизлучающих приборов. Структуры с КТ InAs/GaAs весьма привлекательны для волоконно-оптических линий связи в диапазоне длин волн 1.3 - 1.55 мкм [8, 9] благодаря ряду преимуществ, среди которых - высокая температурная стабильность люминесценции, сравнительно высокое время жизни и время сохранения спина носителей заряда.

Другим примером являются полевые рНЕМТ транзисторы с двумерным электронным газом на основе упруго напряженных КЯ AlGaAs/InGaAs/GaAs, широко применяемые в настоящее время для разработки и создания приборов СВЧ электроники частотного диапазона 4-18 ГГц (усилители, смесители, умножители частоты, управляющие устройства и т.д.) [10-12]. В данном частотном диапазоне отечественные НЕМТ разработки соответствуют зарубежным и решают проблему недоступности СВЧ приборов для разработчиков и производителей радиоэлектронной аппаратуры.

С недавнего времени НЕМТ начинают заполнять еще и нишу высокотемпературных и высокомощных приборов. Для этого класса приборов большее значение ширины запрещённой зоны и более высокое напряжение пробоя имеют приоритет над высоким значением подвижности носителей заряда [13]. Твердые растворы на основе GaN позволяют достичь большей мощности на единицу длины кристалла из-за более высокой плотности двумерного электронного газа. Нитрид галлия обладает более высоким импедансом по сравнению с арсенидом галлия, что упрощает согласование НЕМТ с другими элементами схемы. А высокое значение напряжение пробоя, в свою очередь, исключает необходимость преобразования напряжения, что обычно требуется при использовании НЕМТ на основе GaAs в коммерческих системах, таких как беспроводные базовые станции [14]. К тому же, большое значение ширины запрещенной зоны позволяет работать при высокой температуре и снижает стоимость систем охлаждения.

Толщины слоев таких приборных гетероструктур составляют десятки нанометров, и, как следствие, свойства образцов в целом сильно зависят даже от незначительного изменения параметров слоев (толщина, состав и уровень легирования) и технологических условий выращивания.

5

Поэтому разработка адекватных современных методов контроля формируемых структур, совместно с проведением численных расчетов, дающих представление об энергетическом строении и электронном спектре квантово-размерной структуры, является важной и актуальной задачей. Её решение позволяет оптимизировать технологические операции при производстве таких структур, повысить характеристики и увеличить процент выхода годных приборов.

Существует два распространенных метода контроля пространственного распределения концентрации: метод ВИМС и метод измерения вольт-фарадных характеристик. При этом метод ВИМС, в отличие от емкостных методов, позволяет получать информацию только о распределении примеси, а измерение таких важных областей как, квантовая яма и, соответственно, профиль распределения концентрации ОНЗ в ней остается недоступным. При этом распределение ОНЗ представляет первостепенную значимость, поскольку именно свободные носители заряда непосредственно «работают» в приборе.

Метод электрохимического вольт-фарадного (ECV) профилирования является модификацией классического метода измерения ВФХ и выделяется широким диапазоном измерения концентрации носителей заряда на глубинах от единиц нм до десятков мкм [15-17]. В основе ECV-метода лежит чередование процессов вольт-фарадных измерений и электрохимического травления, а отличительной чертой является отсутствие необходимости нанесения металлических контактов на образец. Измерение однородно-легированных полупроводниковых структур ECV методом не является достаточно трудоемкой задачей, однако для подавляющего числа современных приборных структур по-прежнему остается ряд нерешенных задач. Особенно остро эта проблема наблюдается при попытке исследования структур с резко неоднородным профилем легирования, где малейшая неточность в выборе рабочей точки вызывает появление артефактов, существенно искажающих наблюдаемый в эксперименте профиль распределения концентрации. При профилировании светоизлучающих структур актуальным является исследование «слепой зоны», где отсутствует или затруднена возможность измерения концентрации. В связи с этим в данной работе выполнена серия исследований на светоизлучающих структурах с различным количеством КЯ и различной геометрией активной области, что позволило получить количественные характеристики «слепой зоны» и выработать рекомендации по ее уменьшению.

Дизайн активной области современных НЕМТ структур предусматривает наличие квантовой ямы (ДЭГ канала) и донорного слоя, являющегося для нее эмиттером носителей заряда. Поэтому для практических задач важно контролировать концентрацию, местоположение и расстояние между этими двумя характерными участками активной области гетероструктуры. В существующих публикациях при измерении классическим вольт-фарадным методом наблюдается только один пик на концентрационном профиле НЕМТ структур, приписываемый области квантовой ямы (КЯ). Поскольку уровень легирования донорного слоя напрямую влияет на рабочие

6

характеристики прибора, расширение профилирования в область донорного слоя и возможность контроля положения и уровня легирования не только области канала, но и донорного слоя позволит получить важную для технологов информацию о качестве ростового процесса, отработать режимы роста НЕМТ гетероструктур, повысить качество и рабочие характеристики разрабатываемых НЕМТ приборов, сократить затраты при проведении проектных работ. Для выявления и анализа причин отмеченного явления в работе проводится количественное исследование влияния величины выпрямляющего барьера на границе раздела электролит/полупроводник, а также металл/полупроводник на наблюдаемый в эксперименте профиль распределения концентрации.

В случае GaN НЕМТ гетероструктур особенно важно проводить исследования и контроль не только активных, но и буферных слоев гетероструктур поскольку исходное наличие достаточно большого количества различного рода дефектов в нитридных структурах приводит к появлению ловушек захвата и так называемому эффекту коллапса тока или же к появлению паразитного канала проводимости, ухудшающих частотные и мощностные свойства прибора. Поэтому отработка механизмов борьбы с данными негативными явлениями, а также проведение мер по оптимизации параметров гетероструктур для увеличения крутизны, рабочих частот и мощности конечного прибора наиболее продуктивны в случае наличия и эффективного использования соответствующей диагностической базы для качественной и достоверной верификации параметров получаемых структур.

Основными объектами исследования являлись современные полупроводниковые гетерострук-туры на основе твердых растворов арсенида и нитрида галлия, используемые в светоизлучающих и HEMT приборах.

Целью данной работы являлись исследования, направленные на повышение разрешения метода ECV для гетероструктур с резко неоднородным профилем легирования, а также проведение систематических прецизионных измерений пространственного распределения концентрации ОНЗ в многослойных СИД и НЕМТ гетероструктурах, актуальных для современной полупроводниковой микроэлектроники.

Для достижения поставленной цели решались следующие задачи:

1. Исследовать образцы с предельными уровнями легирования и сделать оценку возможностей и ограничений метода ECV при измерении концентрации ОНЗ.

2. Исследовать высоту барьера Шоттки на границе раздела полупроводник/электролит разной концентрации, дать оценку слепой области вблизи поверхности и выработать методы ее уменьшения.

3. Провести модификацию установки ЕСУРш для увеличения разрешения метода ECV.

4. Выполнить систематические исследования серии светоизлучающих и НЕМТ гетероструктур с резко неоднородным профилем легирования, получить профили распределения концентрации ОНЗ по глубине.

5. Изучить особенности пространственного распределения ОНЗ в КЯ различной геометрии. Выполнить расчет и моделирование зонных диаграмм, профилей распределения концентрации ОНЗ и спектров ФЛ анализируемых гетероструктур.

Научная новизна выполненных исследований заключается в следующем:

1. Экспериментально подтверждена пониженная величина выпрямляющего барьера для арсенида галлия в случае электролитического контакта слабого раствора кислоты по сравнению с металлическим контактом.

2. Использование электролитического выпрямляющего контакта позволяет сузить «слепую» область профилирования вблизи поверхности, что по сравнению с литературными данными результатов измерений классическим CV-методом с использованием металлического контакта позволяет наблюдать на концентрационном профиле HEMT гетероструктур не только отклик от КЯ, но и отклик от вышележащего донорного слоя.

3. Для расширения диапазона ECV-профилирования и улучшения его разрешения предложен метод интеграции вольт-фарадных характеристик на этапах травления с последующим пересчетом в результирующий профиль распределения ОНЗ.

4. Обнаружена и проанализирована закономерность, заключающаяся в изменении амплитуды концентрационного пика, связанного с КЯ, по мере перманентного сдвига контакта Шоттки в процессе ECV-травления рНЕМТ структур. Предложена методика определения оптимальной глубины залегания затворного электрода, основанная на результатах ECV-измерений.

5. Показана эффективность метода ECV как метода диагностики параметров активных и буферных слоев GaN НЕМТ гетероструктур, а именно: положения гетерограницы AlGaN/GaN, плотности ДЭГ в КЯ, наличия или отсутствия паразитного канала проводимости, величины механических напряжений и плотности поверхностных состояний на гетерограницах.

6. Научно обоснована и дана количественная оценка «слепой» зоне в процессе профилирования анизотипных гетероструктур с КЯ, в частности приводящей к принципиальной невозможности измерения методом ECV отклика от КЯ, расположенной в максимуме напряженности электрического поля р-п-перехода.

7. Предложен метод диагностики НЕМТ образцов, основанный на объединении ECV-метода и фотолюминесценции совместно с численным моделированием электронного спектра, который позволяет получать всю необходимую информацию об электрофизических свойствах структур.

Научная и практическая значимость работы сводится к следующему:

1. Использование электролитического выпрямляющего контакта позволяет сузить «слепую» область профилирования вблизи поверхности, что для рНЕМТ структур дает возможность диагностики не только области КЯ, но и области донорного слоя.

2. Предложенный метод интеграции ВФХ позволяет повысить разрешение ECV метода по координате.

3. Обнаруженная закономерность изменения амплитуды концентрационного пика, связанного с КЯ, по мере травления вглубь образца может быть использована для контролируемого утонения подзатворной области НЕМТ структур с целью насыщения КЯ носителями заряда, увеличения проводимости канала и рабочего тока прибора.

4. Методом ECV получены рекордно низкие значения концентрации ОНЗ в полуизолирующем GaAs, достигающие ~2-3^1010 см-3.

5. Проведенные исследования GaN НЕМТ гетероструктур показывают эффективность ЕСУ метода для контроля качества как активных, так и буферных слоев.

6. ECV-профилирование квантовых ям, расположенных в максимуме напряженности электрического поля р-п-перехода, позволило оценить размер «слепой» области вблизи металлургической границы в случае низкого уровня легирования смежных с ней р- и п- областей.

7. Метод диагностики, основанный на объединении ECV-метода и метода ФЛ в паре с методами численного моделирования, позволяет получить комплексную информацию о электрофизических и оптических свойствах НЕМТ образцов. Получаемая информация представляет интерес как с практической точки зрения для совершенствования и улучшения параметров существующего класса электронных приборов и компонентов, так и с теоретической - для анализа физических свойств и явлений в полупроводниковых приборах электроники, использующих квантово-размерные слои.

Основные положения, выносимые на защиту:

Положение 1. Для уверенного разделения близкорасположенных пиков, связанных с квантовой ямой и дельта-слоем или квантовой ямой и донорным слоем, в гетероструктурах целесообразно использовать метод наложения вольт-фарадных характеристик на каждом этапе травления с последующей интеграцией в результирующий профиль распределения ОНЗ.

Положение 2. При электрохимических вольт-фарадных измерениях концентрации носителей заряда всегда имеет место «слепая зона», лимитирующая разрешение при профилировании активной области гетероструктуры. Размер «слепой зоны» определяется параметрами легирования близлежащих областей.

Положение 3. Пониженная величина выпрямляющего барьера в методе электрохимического вольт-фарадного профилирования уменьшает размер области объемного заряда под барьером и

9

тем самым обеспечивает расширение доступной области обзора концентрации по глубине. В частности, для HEMT структур это дает возможность наблюдать два близкорасположенных резких концентрационных пика - не только от квантовой ямы, но и от донорного слоя. Положение 4. Метод электрохимического вольт-фарадного профилирования может быть эффективно применен для оптимизации величины утонения подзатворного слоя HEMT приборов. Для повышения эффективности работы pHEMT приборов, а именно, увеличения проводимости канала pHEMT транзистора, рабочего тока и мощности устройства, необходимо располагать затвор на глубине, определяющей максимальную концентрацию носителей заряда в канале. Положение 5. Метод ECV может быть эффективно использован для контроля качества как активных так и буферных слоев GaN HEMT гетероструктур, а именно: положения гетерограницы AlGaN/GaN, плотности ДЭГ в КЯ, наличия или отсутствия паразитного канала проводимости. Достоверность полученных результатов подтверждается сопоставлением с результатами измерений независимыми методами, моделированием и литературными данными. Результаты работы использованы при выполнении: гос. контрактов ГЗП/РЦФТТ-1 на 20132015 гг., ГЗШРЦФТТ-2 на 2016-2018 гг., а также хоз. договоров № 795/13-69/РЦ ФТТ-3 от 23.12.2013 г. с ОАО ЦНИИ «Электрон», № Ф-248 между ИШФ РАН и СШбГЭТУ и др. Получен акт об использовании результатов диссертации АО «Светлана-Рост».

Апробация работы. Основные результаты диссертационной работы докладывались на: VI-й Ежегодной очной научно-технической конференции молодых специалистов «Техника и технология современной фотоэлектроники» (Санкт-Петербург, 13 - 14 мая, 2015); VIII Всероссийской школе-семинаре студентов, аспирантов и молодых учёных по направлению «Диагностика нано-материалов и наноструктур» (НАНОДИАГНОСТИКА 2015) (Рязань, 14 - 18 сентября, 2015); XXIII международной научной конференции студентов, аспирантов и молодых учёных «Ломо-носов-2016» (Москва, 11 - 15 апреля, 2016); V Всероссийской научно-технической конференции «Электроника и микроэлектроника СВЧ» (Санкт-Петербург, 30 мая - 2 июня, 2016); The 11th International Workshop on the Electromagnetic сompatibility of Integrated Circuits (Санкт-Петербург, 4 - 8 июля, 2017); VII Всероссийской научно-технической конференции «Электроника и микроэлектроника СВЧ» (Санкт-Петербург, 28 - 31 мая, 2018); а также школе-конференции с международным участием по Оптоэлектронике, Фотонике и Наноструктурам «Saint-Petersburg OPEN» в 2015 и 2018 гг.; Всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике, 2014-2017 гг.; Международной молодежной конференции «ФизикА.СПб» в 2015 и 2017 гг.; конференциях профессорско-преподавательского состава Санкт-Петербургского государственного электротехнического университета СПбГЭТУ «ЛЭТИ», Санкт-Петербург, 2015-2018 гг..

Публикации. Основные результаты по теме диссертации изложены в 25 печатных изданиях, 7 из которых изданы в журналах, рекомендованных ВАК, 18 — в материалах конференций. Получено свидетельство №2017661428 от 12.10.2017 о государственной регистрации программы для ЭВМ.

Объем и структура работы. Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения. Полный объем диссертации составляет 151 страницу со 112 рисунками. Список литературы содержит 178 наименований.

1. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ ГЕТЕРОСТРУКТУР.

АППАРАТНАЯ РЕАЛИЗАЦИЯ ЕМКОСТНЫХ МЕТОДОВ

В данной главе проведен анализ основных современных методов исследования полупроводниковых приборных гетероструктур: вольт-фарадное профилирование и его модификации, измерение эффекта Холла, ВИМС, РЭМ, АСМ, фотолюминесценция и тд. Представлена информация о физических явлениях, лежащих в основе предлагаемых экспериментальных методов, преимуществах и недостатках, возможности применения того или иного метода диагностики, его метрологические характеристики и интерпретация измеряемых параметров. Обосновывается выбор метода электрохимического вольт-фарадного профилирования для получения информации о пространственном распределении концентрации основных носителей заряда. Отдельное внимание уделяется используемой измерительной аппаратуре, ее технической сложности и трудоемкости проведения исследований, а также чувствительности и погрешности измеряемых сигналов.

1.1. Экспериментальные методы исследования полупроводниковых гетероструктур

В данном параграфе проведен обзор основных методов исследования и контроля полупроводниковых гетероструктур в лаборатории и на различных технологических этапах производства конечного прибора. Поскольку большая часть настоящей работы посвящена исследованию HEMT гетероструктур, результаты исследований в данном параграфе приведены примительно к этапам их диагностики. При исследовании светоизлучающих структур, как правило, используются те же методы диагностики.

Современные НЕМТ гетероструктуры представляют собой набор эпитаксиальных слоев из неоднородно легированных материалов различного состава. Типичная последовательность слоев одно- и двусторонне легированной GaAs рНЕМТ гетероструктуры приведена на рисунке 1.1 [18]. Совершенствование таких приборов с целью увеличения рабочих частот и токов неуклонно приводит к ужесточению требований к точности воспроизводства последовательности слоев, их состава и степени легирования. Кроме того, для удовлетворения определенных приборных требований возникает необходимость создания резких скачков концентрации примеси, в том числе за счет использования дельта-легирования. Наряду с этим, в НЕМТ особенно важно соблюдать баланс между концентрацией примеси в донорном слое, определяющем концентрацию ДЭГ в канале, и толщиной нелегированного слоя, определяющего подвижность носителей заряда и быстродействие прибора. В противном случае существует вероятность шунтирования канала. Все это требует тщательного контроля параметров гетероструктур на различных стадиях технологического процесса.

Среди ряда методов диагностики гетероструктур структур на различных стадиях технологического процесса в литературе наиболее часто встречаются: метод фотолюминесценции, метод

измерения вольт-фарадных характеристик (ВФХ), измерение эффекта Холла, растровая электронная микроскопия (РЭМ), вторично-ионная масс-спектрометрия (ВИМС). Реже применяются катодолюминесценция (КЛ), просвечивающая электронная микроскопия (ПЭМ), рентгеновские методы и измерение осцилляций Шубникова-де-Гааза [19].

50 A GaAs 500 А Al0 22Gao 7eAs

140 А 100.21030.79^® GaAs Butter

AlGaAs/GaAs SL

51 GaAs Substrate Single Heterostructure Double Heterostructure

Рисунок 1.1 - Типичная последовательность слоев одно- и двусторонне легированных GaAs

pHEMT гетероструктур [18]

Метод ФЛ дает оценку кристаллического качества гетероструктуры и позволяет получить информацию о составе выращенных слоёв. Анализ положения пиков ФЛ, сопровождаемый соответствующим квантово-механическим расчетом вероятности оптических переходов, позволяет уточнить информацию о зонной структуре полупроводниковых гетероструктур, энергии электронных и дырочных состояний и степени их заполнения. Просвечивающая растровая электронная микроскопия используется на том же этапе технологического процесса что и измерение спектров ФЛ, так как не требует нанесения контактов. Таким образом, измерения проводятся сразу после процедуры роста структуры и позволяют уточнить толщины выращенных слоев и качество поверхности. Иногда дополнительно используется атомно-силовая микроскопия (АСМ). Типичный вид спектра ФЛ [20] и ПЭМ последовательности слоев HEMT структуры [21 ] представлены на рисунке 1.2.

Для получения информации о пространственном распределении концентрации используются либо метод ВИМС либо метод измерения вольт-фарадных характеристик. Как правило, выбор делается в пользу последнего ввиду высокой дороговизны ВИМС метода, а также высокого порога чувствительности (~1016см-3). Дополнительным преимуществом в выборе в сторону емкостных методов является тот факт, что они, в отличие от ВИМС, где измеряется пространственное распределение примеси, позволяют получить информацию об основных носителях заряда, непосредственно «работающих» в конечном приборе. Стандартные, полученные методами ВИМС и вольт-фарадного профилирования, пространственные зависимости концентрации приведены на рисунке 1.3 [21].

Со)

Е„ I '

1200 иоо 1400 1500

Е11 |Е21 Сь)

11 воДа 1

1200 иоо 1400 1500

Ег,У\ (=)

\ 1

1200 1300 1400 1500 Епегду (тв\/)

а) б)

Рисунок 1.2 - Типичный вид спектра ФЛ (а) и ПЭМ последовательности слоев (б) НЕМТ

структуры

а)

б)

Рисунок 1.3 - Стандартные профили распределения концентрации в GaAs НЕМТ гетероструктурах, полученные методами ВИМС (а) и вольт-фарадного профилирования (б).

Измерение ВФХ классическим методом требует наличия омического и выпрямляющего (Шоттки) контактов. В качестве данных контактов выступают сток/исток и затвор, соответственно. Измерения проводятся после нанесения соответствующих металлических контактов, т.е. фактически уже на работающем НЕМТ приборе. Существует разновидность вольт-фарадного метода - метод электрохимического вольт-фарадного (БСУ) профилирования. Здесь в качестве контакта Шоттки выступает жидкий электролитический раствор, а в качестве омического контакта - прижимной металлический электрод с использованием жидкой эвтектики для уменьшения контактного сопротивления. Таким образом, при использовании метода ECV измерения можно проводить до операции нанесения слоев металлизации на НЕМТ структуру. Помимо концентрации и положения донорной области, определяемой ВИМС, емкостные методы также позволяют получить информацию о положении и уровне заполнения носителями заряда квантовой ямы.

Измерения эффекта Холла также требуют наличия металлических контактов к образцу и позволяют получить информацию о концентрации двумерного электронного газа и подвижности носителей заряда (рисунок 1.4 (а)) в канале транзистора [22]. Отметим, что метод Холла не является локальным методом измерения концентрации и не позволяет определять концентрацию носителей заряда разноименного типа. Растровая электронная микроскопия позволяет измерить топографию поверхности транзистора после нанесения контактов и проверить правильность расположения затвора, его совмещения с остальной топологией. Типичное РЭМ изображение НЕМТ транзистора после операции нанесения контактов представлено на рисунке 1.4 (б).

— calculated на I Tictlllry

KflB&Mree h 511 [Г ЭЫ1.1У

1И»1-1-1-J-J-i-1-i-1-i-1

•cc '2C 140 1ПЭ ISO 30C 120 №3 ЗЙЭ ЭШ

Temperature (K)

a) 6)

Рисунок 1.4 - Зависимость подвижности HEMT от температуры (а) и РЭМ изображение сечения HEMT гетероструктуры после этапа металлизации (б).

1.1.1. Вольт-фарадное профилирование

Вольт-фарадные методы основаны на определении зависимости емкости структуры, обусловленной наличием объемного заряда в некоторой области полупроводника, от приложенного к ней напряжения [23]. На изменение емкости, кроме напряжения, могут оказывать влияние и другие факторы, такие как облучение и температура [16].

Физические основы вольт-фарадного метода состоят в следующем. При контакте металла с полупроводником (в случае барьера Шоттки) или двух полупроводников различного типа проводимости друг с другом происходит диффузия носителей заряда из одной половины контакта в другую. Ушедшие из приконтактной области носители заряда оставляют оголенный решеточный потенциал, формируя область объемного заряда (ООЗ). Ее ширина зависит от концентрации носителей заряда в менее легированном полупроводнике. В ООЗ появляется электрическое поле, препятствующее дальнейшей диффузии и создающее потенциальный барьер для электронов и дырок, определяемый контактной разностью потенциалов. При прикладывании к такому контакту внешнего напряжения основная его часть будет падать именно на ООЗ. В случае отрицательной полярности внешнего напряжения («-» на ^-области или металле и «+» на и-области)

Список литературы диссертационного исследования кандидат наук Яковлев Георгий Евгеньевич, 2018 год

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

[1] Geim, A.K. The rise of graphene [Text] / A.K. Geim, K.S. Novoselov // Nature Materials. — 2007.

— Vol. 6, no. 3. — P. 183-191.

[2] Geim, A.K. Graphene: status and prospects [Text] / A.K. Geim // Science. — 2009. — Vol. 324, no. 5934. — P. 1530-1534.

[3] Temperature admittance spectroscopy of boron doped chemical vapor deposition diamond [Text] / V.I. Zubkov, O.V. Kucherova, A.V. Zubkova [et al.] // J. Appl. Phys. — 2015. — Vol. 118, no. 14. — P. 145703.

[4] Gassabois, G. Graphene: status and prospects [Text] / G. Cassabois, P. Valvin, B. Gil // Nature Photonics. — 2016. — Vol. 10, no. 4. — P. 262-266.

[5] Bound exciton and donor-acceptor pair recombinations in ZnO [Text] / B.K. Meyer, H. Alves, D.M. Hofmann [et al.] // Phys. Status Solidi B. — 2004. — Vol. 241, no. 2. — P. 231-260.

[6] Солнечно-слепые AlxGa1-xN (x>0.45) p-i-n-фотодиоды с поляризационно-легированным p-эмиттером [Текст] / Н.В. Кузнецова, Д.В. Нечаев, Н.М. Шмидт [и др.] // ПЖТФ. — 2016. — Т. 42, № 12. — С. 57-63.

[7] Frolov, D.S. Frequency dispersion of capacitance-voltage characteristics in wide bandgap semiconductor-electrolyte junctions [Text] / D.S. Frolov, V.I. Zubkov // Semicond. Sci. Technol. — 2016. — Vol. 31, no. 12. — P. 125013

[8] Tuning the Energy Spectrum of the InAs/GaAs Quantum Dot Structures by Varying the Thickness and Composition of a Thin Double GaAs/InGaAs Cladding Layer [Тех^ / I.A. Karpovich, B.N. Zvonkov, N.V. Baidus [et al.] // Trends in Nanotechnology Research. - New York: Nova Science Publishers, 2004. - P.173-208.

[9] Growth and characterization of In1-xMnxAs diluted magnetic semiconductors quantum dots [Text] / J.L. Primus, K-H. Choi, A. Trampert [et al.] // J. Cryst. Growth. — 2005. — Vol. 280, no. 1-2.

— P.32-43.

[10] Mimura, T. Development of High Electron Mobility Transistor [Text] / T. Mimura // Jpn. J. Appl. Phys. — 2005. — Vol. 44, no. 12. — P. 8263-8268.

[11] Golio, M. RF and Microwave Passive and Active Technologies [Text] / M. Golio, J. Golio — Boca Raton: CRC Press, 2007. — 736 p.

[12] Pejovic, M.M. Different Types of Field-Effect Transistors - Theory and Applications [Text] / Momcilo. M. Pejovic, Milic. M. Pejovic — Rijeka: InTech, 2017. — 182 p.

[13] Breakdown Voltage Enhancement of AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors via Selective-Area Growth for Ohmic Contacts over Ion Implantation [Text] / L. Pang, H.C. Seo, P. Chapman [et al.] // J. Electron. Mater. — 2010. — Vol. 39, no. 5. — P. 499-503.

[14] Mishira, U.K. AlGaN/GaN HEMTs-an overview of device operation and applications [Text] / U.K. Mishira, P. Parikh, Y.F. Wu. // Proc. IEEE — 2002. — Vol. 90, no. 6. — P. 1022-1031.

[15] Ambridge, T. An automatic carrier concentration profile plotter using an electrochemical technique [Text] / T. Ambridge, M. Faktor // J. Appl. Electrochem. — 1975. — Vol. 5, no. 4. — P. 319-328.

[16] Зубков, В.И. Диагностика полупроводниковых наногетероструктур методами спектроскопии адмиттанса [Текст] / В.И. Зубков. — СПб.: Элмор, 2007. — 220 с.

[17] Исследование ионно-имплантированных фоточувствительных кремниевых структур методом электрохимического вольт-фарадного профилирования [Текст] / Г.Е. Яковлев, Д.С. Фролов, А.В. Зубкова [и др.] // ФТП. — 2016. — Т. 50, № 3. — С. 324-330.

[18] Photoluminescence Characterization of MBE Grown AlGaAs/GaAs/InGaAs Pseudomorphic HEMT [Text] / M. Wojtowicz, D. Pascua, A.-C. Han // J. Cryst. Growth. — 1997. — Vol. 175176, no. 2. — P. 930-934.

[19] Экспериментальное определение эффективных масс и подвижностей электронов в каждой из подзон размерного квантования в квантовой яме InxGa1-xAs со вставками InAs [Текст] /

B.А. Кульбачинский, Л.Н. Овешников, Р.А. Лунин [и др.] // ФТП. — 2015. — Т. 49, № 2. —

C. 204-213.

[20] Room and low-temperature assessment of pseudomorphic AlGaAs/InGaAs/GaAs high-electron-mobility transistor structures by photoluminescence spectroscopy [Text] / J.M. Gilpérez, J.L. Sánchez-Rojas, E. Muñoz // J. Appl. Phys. — 1994. — Vol. 76, no. 10. — P. 5931-5944.

[21] Электрохимическое вольт-емкостное профилирование концентрации свободных носителей заряда в HEMT-гетероструктурах на основе соединений InGaAs/AlGaAs/GaAs [Текст] / П.Н. Брунков, А.А. Гуткин, М.Э. Рудинский [и др.] // ФТП. — 2011. — Т. 45, № 6. — С. 829-835.

[22] Yu, T.H. Theoretical study of the two-dimensional electron mobility in strained III-nitride hetero-structures [Text] / T.H. Yu, K.F. Brennan // J. Appl. Phys. — 2001. — Vol. 89, no. 7. — P. 38273834.

[23] Зубков, В.И. Емкостная спектроскопия - эффективный метод нанодиагностики квантово-размерных структур [Текст] / В.И. Зубков // Петерб. журн. Электроники. — 2006. — № 4. — С. 52-61.

[24] Берман, Л.С. Введение в физику варикапов [Текст] / Л.С. Берман. — Л.: Наука, 1968. — 180 с.

[25] Константинов, О.В. Вольт-фарадные характеристики поверхностно-барьерных структур Me-GaP [Текст] / О.В. Константинов, О.А. Мезрин // ФТП. — 1983. — Т. 17, № 2. — С. 305311.

[26] Влияние последовательного сопротивления на характеристику емкость-напряжение поверхностно-барьерной структуры [Текст] / Ю.А. Гольдберг, О.В. Иванова, Т.В. Львова, Б.В. Царенков // ФТП. — 1983. — Т. 17, № 6. — С. 1068-1072

[27] Зубков, В.И. О емкостном профилировании вблизи изотипного перехода [Текст] / В.И. Зубков, М.А. Мельник, А.В. Соломонов // ФТП. — 1998. — Т. 32, № 1. — С. 61-62.

[28] Holmes, P.J. Electrochemistry of semiconductors [Text] / P.J. Holmes. — London: Academic Press, 1962. — 396 p.

[29] Helmholtz, H. Ueber Einige Gesetze Der Vertheilung Elektrischer Ströme in Körperlichen Leitern Mit Anwendung Auf Die Thierisch Elektrischen Versuche [Text] / H. Helmholtz // Ann. Phys. — 1853. — Vol. 165, no. 6. — P. 211-233.

[30] Kohlrausch, R. Theorie Des Elektrischen Rückstandes in Der Leidener Flasche [Text] / R. Kohlrausch // Ann. Phys. — 1854. — Vol. 167, no. 2. — P. 179-214.

[31] Антропов, Л.И. Теоретическая электрохимия [Текст] / Л.И. Антропов. — 4-е изд. — М.: Высш. шк., 1984. — 519 с.

[32] Дамаскин, Б.Б. Электрохимия [Текст] / Б.Б. Дамаскин, О.А. Петрий, Г.А. Цирлина. — 2-е изд. — М.: Химия, КолосС, 2006. — 672 с.

[33] Memming, R. Semiconductor Electrochemistry [Text] / R. Memming. — 2nd edition. — Weinheim: WILEY-VCH, 2015. — 484 p.

[34] Stern, O. Zur Theorie Der Elektrolytischen Doppelschicht [Text] / O. Stern // Z. Electrochem. — 1924. — Vol. 30, no. 2122. — P. 508-516.

[35] Grahame, D.C. The Electrical Double Layer and the Theory of Electrocapillarity [Text] / D.C. Grahame // Chem. Rev. — 1947. — Vol. 41, no. 3. — P. 441-501.

[36] Grahame, D.C. Effects of Dielectric Saturation upon the Diffuse Double Layer and the Free Energy of Hydration of Ions [Text] / D.C. Grahame // J. Chem. Phys. — 1950. — Vol. 18, no. 7. — P. 903-909.

[37] Grahame, D.C. Discreteness of Charge Effects in the Inner Region of the Electrical Double Layer [Text] / D.C. Grahame // Zeitschrift für Elektrochemie. — 1958. — Vol. 62, no. 3. — P. 264-274.

[38] Батенков, В.А. Электрохимия полупроводников [Текст] / В.А. Батенков. — 2-е изд. — Барнаул: Изд-во Атл. ун-та, 2002. — 162 с.

[39] Томилов, А.П. Прикладная электрохимия [Текст] / А.П. Томилов. — 3-е изд. — М.: Химия, 1984. — 520 с.

[40] Beranek, R. (Photo) Electrochemical Methods for the Determination of the Band Edge Positions of TiO2-Based Nanomaterials [Text] / R. Beranek // Advances in Physical Chemistry. — 2012. — Vol. 2011. — P. 786759(20).

[41] Ambridge, T. Electrochemical Capacitance Characterization of N-Type Gallium Arsenide [Text] / T. Ambridge, MM. Faktor // J. Appl. Electrochem. — 1974. — Vol. 4, no. 2. — P. 135-142.

[42] Blood, P. Capacitance-Voltage Profiling and the Characterisation of III-V Semiconductors Using Electrolyte Barriers [Text] / P. Blood // Semicond. Sci.Technol. — 1986. — Vol. 1. — P. 7-27.

[43] Определение профиля концентрации носителей заряда в слабосвязанных сверхрешетках GaAs/AlGaAs [Текст] / П.Н. Брунков, С.О. Усов, Ю.Г. Мусихин [и др.] // ФТП. — 2004. — Т. 38, № 4. — С. 469-472.

[44] Califano, F.P. An Automatic Test Set for Measuring the Doping Profile of Semiconductor Epitaxial Layers [Text] / F.P. Califano, A. Luciano // Rev. Sci. Instrum. — 1970. — Vol. 41, no. 6. — P. 865.

[45] Baxandall, P.J. An Instrument for the Rapid Determination of Semiconductor Impurity Profiles [Text] / P.J. Baxandall, D.J. Colliver, A.F. Fray // J. Phys. E. — 1971. — Vol. 4, no. 3. — P. 213221.

[46] Effects of Surface States on Electrical Characteristics of InN and In1-xGaxN [Text] / J.W.L. Yim, RE. Jones, K.M. Yu [et al.] // Phys. Rev. B. — 2007. — Vol. 76, no. 4. — P. 041303.

[47] Application of Nonlinear A.C. Methods in the Investigation of the Electrical Double Layer Properties [Text] / V.V. Elkin, V.N. Alekseev, E.A. Solomatin [et al.] // J. Electroanal. Chem. Interfacial Electrochem. — 1975. — Vol. 65, no. 1. — P. 11-20.

[48] Ambrozy, A. A Simple dC/dV Measurement Method and Its Applications [Text] / A. Ambrozy // Solid State Electronics. — 1970. — Vol. 13, no. 3. — P. 347 - 353.

[49] Binning, G. Atomic force microscope [Text] / G. Binnig, C.F. Quate, C. Gerber // Phys. Rev. Lett. — 1986. — Vol. 56, no. 9. — P. 930-933.

[50] Зубков, В.И. Методы диагностики структур наноэлектроники и фотоники: учеб. пособие [Текст] / В.И. Зубков, О.В. Кучерова, А.В. Зубкова. — СПб.: Изд-во СПбГЭТУ«ЛЭТИ», 2015. — 120 с.

[51] Атомно-силовая микроскопия для исследования наноструктурированных материалов и приборных структур: учеб. пособие [Текст] / В.А. Мошников, Ю.М. Спивак, П.А. Алексеев, Н.В. Пермяков. — СПб.: Изд-во СПбГЭТУ«ЛЭТИ», 2014. — 144 с.

[52] Schroder, D. Semiconductor Material and Device Characterization [Text] / D. Schroder. — 3 edition. — Hoboken, New Jersey: Wiley, 2006. — 800 p

[53] Epitaxy of High-Power Diode Laser Structures [Text] / M. Weyers, A. Bhattacharya, F. Bugge, A. Knauer // Topics Appl. Phys. — 2000. — Vol. 78 — P. 83-120.

[54] MOVPE growth of highly strained InGaAs/GaAs quantum wells [Text] / F. Bugge, U. Zeimer, M. Sato [et al.] // J. Cryst. Growth. — 1998. — Vol. 183, no. 4. — P. 511-518.

[55] Koichi, A. Analysis of indium surface segregation in molecular beam epitaxy of InGaAs/GaAs quantum wells [Text] / Y. Koichi, O. Tetsuya, H. Fumito // Appl. Surf. Sc. — 1997. — Vol. 117118 — P. 700-704.

[56] Dehaese, O. Kinetic model of element III segregation during molecular beam epitaxy of III-III'-V semiconductor compounds [Text] / O. Dehaese, X. Wallart, F. Mollot // Appl. Phys. Lett. — 1995.

— Vol. 66, no. 1. — P. 52-54.

[57] Optical Characterization of Single Quantum Wells Fabricated Under Conditions of Interrupted Growth [Text] / B S. Elman, E S. Koteles, C. Jagannath [et al.] // Proc. SPIE — 1987. — Vol. 794

— P. 44-49.

[58] Ferguson, I.T. The Optical Properties of Thin Ab.3Ga0.7As-GaAs Quantum Wells on Misoriented Substrates with [110] Terraces. A Study of Interface Roughness Using Photoluminescence [Text] / I.T. Ferguson, C M S. Torres, T.M. Kerr // Semicond. Sci. Technol. — 1992. — Vol. 7, no. 7. — P. 892-899.

[59] Zubkov, V.I. Voltage-capacitance and admittance investigations of electron states in self-organized InAs/GaAs quantum dots / Zubkov V.I., Kapteyn C.M.A., Solomonov A.V., Bimberg D. // J. of Physics: Condens. Matter. - 2005. - Vol. 17. - P. 2435-2442.

[60] Зубков, В.И. Нестационарная емкостная спектроскопия глубоких уровней в твердых растворах: донорный уровень в GaAs1-xPx [Текст] / Зубков В.И., Пихтин А.Н., Соломонов А.В. // ФТП. - 1989. - Т. 23, № 1. - С. 64-67.

[61] Kapteyn, C.M.A. Electron escape from InAs quantum dots [Тех^ / Kapteyn C.M.A., Heinrichsdorff F., Stier O., Heitz R., Grundmann M., Zakharov N.D., Bimberg D., Werner P. // Phys. Rev. B. - 1999. - Vol. 60, no. 20. - P. 14265-14268.

[62] McMahon, H O. A New Low-Temperature Gas Expansion Cycle [Тех^ / H.O. McMahon, W.A. Gifford // Advances in Cryogenic Engineering 5. - New York: Plenum Press, Inc, 1960. - Vol. 5

— P.354-372.

[63] Петровская, А.Н. Вольт-фарадные измерения гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs/GaAs в диапазоне температур от 10 до 320 К [Текст] / Петровская А.Н., Зубков В.И. // ФТП. - 2009. - Т. 43, № 10. - С. 1368-1373.

[64] Барановский, М.В. Фотоэлектрический метод диагностики гетероструктур InGaN/GaN c множественными квантовыми ямами [Текст] // Барановский М.В., Глинский Г.Ф., Миронова М.С. // ФТП - 2013. - Т. 47, №1. - С. 60-64.

[65] Agilent Technologies Impedance Measurements Handbook: A guide to Measurement Technology and Techniques, Agilent, 2006.

[66] Зубков, В.И. Технология виртуальных инструментов в научных исследованиях: учеб. пособие / Зубков В.И., Соломонов А.В. - СПб.: Изд-во СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2001. - 66 с.

[67] SEMI M461101 Test Method for Measuring Carrier Concentrations in Epitaxial Layer Structures by ECV Profiling [Text]. — CA: SEMI, 2009. — 8 p.

[68] Mayes, I. Accuracy and Reproducibility of the Electrochemical Profiler [Text] / I. Mayes // Mater. Sci. Eng. B. — 2001. — Vol. 80, no. 13. — P. 160-163.

[69] Synthetic Semiconductor Diamond Electrodes: Determination of the Acceptor Concentration by the Linear and Nonlinear Impedance Methods [Text] / Y.V. Pleskov, V.Y. Mishuk, M. Abaturov [et al.] // Russian journal of electrochemistry. — 1997. — Vol. 33, no. 1. — P. 61-68.

[70] Pleskov, Y.V. Electrochemistry of Diamond: A Review [Text] / Y.V. Pleskov // Russ. J. Electro-chem. — 2002. — Vol. 38, no. 12. — P. 1275-1291.

[71] Программа обработки и представления результатов ECV-измерений: Свид-во о регистрации программы для ЭВМ. Рос. Федерация / Яковлев Г.Е.; заявитель и правообладатель Г.Е. Яковлев. - №2017661428; выд. 12.10.2017.

[72] Лукомский, Ю. Я. Физико-химические основы электрохимии [Текст] / Лукомский Ю.Я., Гамбург Ю.Д. — Долгопрудный: Интеллект, 2008. — 424 с.

[73] Electrochemical Profiling of Heterostructures with Multiple Quantum Wells InGaN/GaN [Text] / V. Zubkov, O. Kucherova, D. Frolov, A. Zubkova // Phys. Status Solidi C. — 2013. — Vol. 10, no. 3. — P. 342-345.

[74] Дамаскин, Б.Б. Электрохимия [Текст] / Б.Б. Дамаскин, О.А. Петрий, Г.А. Цирлина. — 2-е изд. — М.: Химия, КолосС, 2006. — 672 с.

[75] Ambridge, T. Applications of Electrochemical Methods for Semiconductor Characterization [Text] / T. Ambridge, J.L. Stevenson, R.M. Redstall // J. Electrochem. Soc. — 1980. — Vol. 127, no. 1. — P. 222-228.

[76] Clawson, A.R. Guide to references on III-V semiconductor chemical etching [Text] / A.R. Claw-son // Mater. Sci. Eng. R Rep. — 2001. — Vol. 31, no. 1-6. — P. 1-438.

[77] Bard, A. J. Encyclopedia of Electrochemistry [Text] / A.J. Bard, M. Stratman. — Vol. 6 — Weinheim: WILEYVCH, 2007. — 587 p.

[78] Amron, I. Errors in Dopant Concentration Profiles Determined by Differential Capacitance Measurements [Text] / I. Amron // Electrochem. Technol. — 1967. — Vol. 5. — P. 94-97.

[79] Rhoderick, E.H. Metal-Semiconductor Contacts [Text] / E.H. Rhoderick, R.H.Williams. — Oxford: Clarendon Press, 1988. — 252 p.

[80] Norde, H. A modified forward I-V plot for Schottky diodes with high series resistance [Text] / H. Norde // J. Appl. Phys. — 1979. — Vol. 50, no. 7. — P. 5052-5053.

[81] Cheung, S.K. Extraction of Schottky diode parameters from forward current-voltage characteristics [Text] / S.K. Cheung, N.W. Cheung // Appl. Phys. Lett. — 1986. — Vol. 49, no. 2. — P. 8587.

[82] Lien, C.D. An improved forward I-V method for nonideal Schottky diodes with high series resistance [Text] / C.D. Lien, F.C.T. So, M.A. Nicolet // IEEE Trans. Electron. Devices. — 1984.

— Vol. 31, no. 10. — P. 1502-1503.

[83] Aubry, V. Schottky diodes with high series resistance: Limitations of forward I-V methods [Text] / V. Aubry, F. Meyer // J. Appl. Phys. — 1994. — Vol. 76, no. 12. — P. 7973-7984.

[84] Sato, K. Study of the forward I-V plot for Schottky diodes with high series resistance [Text] / K. Sato, Y. Yasumura // J. Appl. Phys. — 1985. — Vol. 58, no. 9. — P. 3655-3657.

[85] Energy Diagram of Semiconductor/Electrolyte Junctions [Text] / J. Bisquert, P. Cendula, L. Ber-toluzzi, S. Gimenez // J. Phys. Chem. Lett. — 2014. — Vol. 5, no. 1. — P. 205-207.

[86] Band structure and carrier concentration of Gallium Arsenide (GaAs) [Электронный ресурс]. — 2018. — Режим доступа: http://www.ioffe.ru/SVA/NSM/Semicond/GaAs/bandstr.html (дата обращения: 22.01.2018).

[87] Photoelectrochemical Hydrogen Production [Text] / Ed. by R. van de Krol, M. Gratzel. — NY: Springer US, 2012. — Vol. 102 of Electronic Materials: Science Technology. — 321 p.

[88] Зи, С. Физика полупроводниковых приборов: В 2-х книгах. Кн. 1. Пер. с англ. — 2-е пере-раб. и доп. изд. [Текст] / С. Зи. — М.: Мир, 1984. — 456 с.

[89] Иванова, Я.В. Эмиссионные процессы взаимодействия квантовой ямы с донорным дельта-слоем в pHEMT гетероструктурах [Текст] / Я.В. Иванова, Г.Е. Яковлев, В.И. Зубков // Электроника и микроэлектроника СВЧ. — Т. 1. — СПб.: Изд-во СПБГЭТУ «ЛЭТИ», 2018. — С. 611-615.

[90] Двойной слой и электродная кинетика [Текст] / А.Н. Фрумкин, В.Н. Андреев, Л.И. Богуславский [и др.]; Под ред. В.Е. Казаринов. — М.: Наука, 1981. — 376 с.

[91] Gratzel, M. Photoelectrochemical Cells [Text] / M. Gratzel // Nature. — 2001. — Vol. 414, no. 6861. — P. 338-344.

[92] Li, J. Semiconductor Based Photocatalysts and Photoelectrochemical Cells for Solar Fuel Generation: A Review [Text] / J. Li, N. Wu // Catal. Sci. Technol. — 2015. — Vol. 5, no. 3. — P. 13601384.

[93] Zhu, H. Wavefunction Engineering in Quantum Confined Semiconductor Nanoheterostructures for Efficient Charge Separation and Solar Energy Conversion [Text] / H. Zhu, T. Lian // Energy Environ. Sci. — 2012. — Vol. 5, no. 11. — P. 9406-9418.

[94] Lindgren, T. Photoelectrochemical Characterisation of Indium Nitride and Tin Nitride in Aqueous Solution [Text] / T. Lindgren, M. Larsson, S.E. Lindquist // Sol. Energy Mater. Sol. Cells. — 2002.

— Vol. 73, no. 4. — P. 377-389.

[95] Waldrop, J.R. Refractory metal contacts to GaAs: Interface chemistry and Schottky-barrier formation [Text] / J. R. Waldrop, S. P. Kowalczyk, R. W. Grant // J. Vat. Sci. Technol. — 1982. — Vol. 21, no. 2. — P. 607-610.

[96] Cola, A. Ti/GaAs Schottky barriers prepared by ion beam sputtering [Text] / A. Cola, M. G. Lupo, Vasanelli // J. Appl. Phys. — 1992. — Vol. 71, no. 10. — P. 4966-4971.

[97] Диагностика морфологии и электронного спектра pHEMT-гетероструктур [Текст] / Д.С. Фролов, Г.Е. Яковлев, В.И. Зубков [и др.] // Изв. СПбГЭТУ "ЛЭТИ". — 2016. — № 2. — С. 6-1.

[98] Шуберт, Ф.Е. Светодиоды [Текст] / Шуберт Ф.Е. — М.: ФИЗМАТЛИТ, 2008. — 496 с.

[99] Пихтин, А.Н. Квантовая и оптическая электроника [Текст] / Пихтин А.Н. — М.: Абрис, 2012. — 655 с.

[100] Бугров, В. Е. Оптоэлектроника светодиодов: учеб. пособие [Текст] / Бугров В.Е., Виноградова К.А. — СПб.: НИУ ИТМО, 2013. — 174 с.

[101] Анализ электростатического взаимодействия зарядов в множественных квантовых ямах In-GaAs/GaAs методами спектроскопии адмиттанса [Текст] / В.И. Зубков, И.Н. Яковлев, В.Г. Литвинов // ФТП. — 2014. — Т. 48, № 7. — С. 944-950.

[102] Алфёров, Ж.И. История и будущее полупроводниковых гетероструктур [Текст] / Ж.И. Алфёров // ФТП. — 1998. — Т. 32, № 1. — С. 4-7.

[103] LED Fundamentals - Tools & Service • OSRAM Opto Semiconductors | OSRAM Opto Semiconductors [Электронный ресурс]. — 2018. — Режим доступа: https://www.osram.com/os/prod-ucts/led-general-lighting/tools-and-service/led-fundamentals/index.jsp (дата обращения: 23.06.2018).

[104] Российские светодиодные системы [Электронный ресурс]. — 2018. — Режим доступа: http://www.sopteLm/Шes/download/filesШа%o20сайт%o20Презентация0/o20о0/o20компании.pdf (дата обращения: 23.06.2018).

[105] LED Light-Emitting Diode (LED) Design Guide, Littelfuse, Inc., 2016.

[ 106] Панкрашкин, А. Датчики уровня освещенности, приближения и цвета от компании Avago Technologies [Текст] / А. Панкрашкин // Компоненты и технологии — 2006. — № 7. — С. 68-72.

[107] Панкрашкин, А. Высокоэффективные светодиодные модули Zenigata от Sharp [Текст] / А. Панкрашкин, Р. Велеславов // Полупроводниковая светотехника — 2009. — № 1. — С. 1419.

[108] LED Chips | SemiLEDs [Электронный ресурс]. — 2018. — Режим доступа: http://www.semileds.com/LED_Chips_SemiLEDs.htm (дата обращения: 23.06.2018).

[109] Светлана-Оптоэлектроника: светодиодное освещение, светодиодные светильники и производство продажа светодиодных ламп [Электронный ресурс]. — 2018. — Режим доступа: http://soptel.ru/ (дата обращения: 23.06.2018).

[110] Vurgaftman, I. Band parameters for III-V compound semiconductors and their alloys [Text] / I. Vurgaftman, R. J.R. Meyer, L.R. Ram-Mohan // J. Appl. Phys. — 2001. — Vol. 89, no. 11. — P. 5815-5875.

[111] Инжекционная электролюминесценция в квантоворазмерных структурах InGaAs/GaAs с контактом металл/полупроводник и металл/оксид/полупроводник [Текст] / М.В. Дорохин, П.Б. Демина, Н.В. Байдусь [и др.] // Поверхность. — 2010. — № 5. — С. 34-39.

[112] Karpovich, I.A. Trends in nanotechnology research [Text] / I.A. Karpovich, B.N. Zvonkov, N.V. Baidus [et al.]. — NY.: Nova science publishers, 2004. — 273 p.

[113] Особенности формирования методом газофазной эпитаксии квантовых точек InAs/GaAs, легированных атомами Mn [Текст] / М.В. Дорохин, А.В. Здоровейщев, Е.И. Малышева [и др.] // Поверхность. — 2012. — № 6. — С. 55-58.

[114] Гетероструктуры с квантовыми точками InGaAs / GaAs, легированными атомами переходных элементов. II. Исследование циркулярно-поляризованной люминесценции [Текст] / М.В. Дорохин, С.В. Зайцев, А.В. Рыков [и др.] // ЖТФ. — 2017. — Т. 87, № 10. — С. 15391544.

[115] Применение лазерного распыления для получения полупроводниковых наногетерострук-тур [Текст] / Б.Н. Звонков, О.В. Вихрова, Ю.А. Данилов [и др.] // Оптич. Журнал. — 2008. — Т. 75, № 6. — С. 56-61.

[116] Morphology and photoelectronic properties of InAs/GaAs surface quantum dots grown by metal-organic vapour-phase epitaxy [Text] / I.A. Karpovich, N.V. Baidus', B.N. Zvonkov [et al.] // Nanotechnology. — 2001. — Vol. 12, no. 4. — P. 425-429.

[117] Shestakova, L. Electrochemical capacitance-voltage measurements and modeling of GaAs nanostructures with delta-doped layers [Text] / L. Shestakova, G. Yakovlev, V. Zubkov // J. Phys. Conf. Ser. — 2017. — Vol. 816, no. 1. — P. 012022.

[118] Особенности электрохимического вольт-фарадного профилирования арсенидгаллиевых светоизлучающих и pHEMT структур с квантоворазмерными областями [Текст] / Г.Е. Яковлев, М.В. Дорохин, В.И. Зубков [и др.] // ФТП. — 2018. — Т. 52, № 8. — С. 873-880.

[119] Determination of band offsets in strained InxGa1-xAs/GaAs quantum wells by capacitance-voltage profiling and Schrodinger-Poisson self-consistent simulation [Text] / V.I. Zubkov, M.A. Melnik, A.V. Solomonov [et l.] // Phys. Rev. B. — 2004. — Vol. 70, no. 7. — P. 075312.

[120] Зубков, В.И. Диагностика гетероструктур с квантовыми ямами InxGa1-xAs/GaAs методом вольт-фарадных характеристик: разрывы зон, уровни квантования, волновые функции [Текст] / В. И. Зубков. — 2007. — Т. 41, № 3. — С. 331-337.

[121] Yakovlev, G. Investigation of delta-doped pHEMT InGaAs/GaAs/AlGaAs structures by the electrochemical capacitance-voltage technique [Text] / G. Yakovlev, D. Frolov, V. Zubkov // J. Phys. Conf. Ser. — 2016. — Vol. 690, no. 1. — P. 012015.

[122] Яковлев, Г.Е. Электрохимическое вольт-фарадное профилирование неоднородно-легированных арсенидгаллиевых светоизлучающих гетероструктур [Текст] / Г.Е. Яковлев, В.И. Зубков // Изв. СПбГЭТУ "ЛЭТИ". — 2018. — № 4 — С. 13-20.

[123] Johnson, W.C. The Influence of Debye Length on the C-V Measurement of Doping Profiles [Text] / W.C. Johnson, P.T. Panousis // IEEE Trans. Electron Dev. — 1971. — Vol. 18, no. 10. — P. 965-973.

[124] Wilson, C.L. Correction of Differential Capacitance Profiles for Debye-Length Effects [Text] / C.L. Wilson // IEEE Trans. Electron Dev. — 1980. — Vol. 27, no. 12. — P. 2262-2267.

[125] Schubert, J.M. Theory and Experiment of Capacitance-Voltage Profiling on Semiconductors with Quantum Confinement [Text] / E.F. Schubert, J.M. Kuo, R.F. Kopf // J. Electron. Mat. — 1990.

— Vol. 19, no. 6. — P. 521-531.

[126] Zucca, R. Electrical compensation in semi-insulating GaAs [Text] / R. Zucca // J. Appl. Phys. — 1977. — Vol. 48, no. 5. — P. 1987-1994.

[127] Cooke, M. Transcending frequency and integration limits [Text] / M. Cooke // Semicond. Today.

— 2006. — Vol. 1, no. 3. — P. 28-31.

[128] Dingle, R. New high-speed III-V devices for integrated circuits [Text] / R. Dingle // IEEE Trans. Electron Devices. — 1994. — Vol. 31, no. 11. — P. 1662-1667.

[129] Electron mobilities in modulation-doped semiconductor heterojunction superlattices [Text] / R. Dingle, H L. Stormer, A.C. Gossard, W. Wiegmann // Appl. Phys. Lett. — 1978. — Vol. 33, no. 7. — P. 665-667.

[130] A new field-effect transistor with selectively doped GaAs/nAlGaAs heterojunctions [Text] / T. Mimura, S. Hiyamizu, T. Fujii, K. Nanbu // Jpn. J. Appl. Phys. — 1980. — Vol. 19, no. 5. — P. L225-L227.

[131] Low noise normally on and normally off two-dimensional electron gas field-effect transistors [Text] / M. Laviron, D. Delagebeaudeuf, P. Delescluse [et al.] // Appl. Phys. Lett. — 1982. — Vol. 40, no. 6. — P. 530-532.

[132] Modulation-doped (Al,Ga)As/GaAs FETs with high transconductance and electron velocity [Text] / S.L. Su, R. Fischer, T.J. Drummond [et al.] // Electron. Lett. — 1982. — Vol. 18, no. 18. — P. 794-796.

[133] Material and device considerations for selectively doped heterojunction transistors [Text] / J.V. DiLorenzo, R. Dingle, M. Feuer [et al.] // IEEE IEDM Tech. Dig. — 1982. — Vol. 25, no. 1. — P. 578-581.

[134] Realization of sub-10 picosecond switching times in selectively doped (Al, Ga)As/GaAs hetero-structure transistors [Text] / RH. Hendel , S.S. Pei , C.W. Tu [et al.] // IEEE IEDM Tech. Dig. — 1984. — Vol. 27, no. 1. — P. 857-858.

[135] High transconductance InGaAs/AlGaAs pseudomorphic modulation-doped field-effect transistors [Text] / A. Ketterson, M. Moloney, W.T. Masselink [et al.] // IEEE Electron Device Lett. — 1985.

— Vol. 6, no. 12. — P. 628-630.

[136] Leuther, A. Metamorphic HEMT technology for submillimeter-wave MMIC applications [Text] / A. Leuther, A. Tessmann, I. Kallfass [et al.] // Indium Phosphide and Related Materials. 31 May-4 June. 2010. IPRM. 22nd Int. Conf. — NJ: IEEE, 2010. — P. 1-6.

[137] Развитие неразрушающего метода диагностики pHEMT структур с квантовыми ямами Al-GaAs/InGaAs/GaAs на основе анализа спектров фотолюминесценции [Текст] / Миронова М.С., Яковлев Г.Е., Зубков В.И., Глинский Г.Ф. // Электроника и микроэлектроника СВЧ.

— Т. 1. — СПб.: Изд-во СПБГЭТУ «ЛЭТИ», 2016. — С. 27-31.

[138] Физика низкоразмерных систем [Текст] / А.Я. Шик, Л.Г. Бакуева, С.Ф. Мусихин, С.А. Рыков — СПб.: Наука, 2001. — 156 с.

[139] Исследование PHEMT-структур с квантовыми ямами AlGaAs/InGaAs/GaAs, выращенных молекулярно-пучковой эпитаксией [Текст] / А. Л. Дудин, М. С. Миронова, Г. Е. Яковлев [и др.] // Прикладная физика. — 2017. — № 3. — С. 78-84.

[140] The control of electrophysical properties of GaAs pHEMT heterostructures [Text] / G. Yakovlev, M. Mironova, V. Zubkov, A. Dudin // J. Phys. Conf. Ser. — 2018. — Vol. 1038, no. 1. — P. 012034

[141] Self-Consistent Simulation of GaAs/InGaAs/AlGaAs Heterostructures Photoluminescence Spectra and Its Application to pHEMT Structures Diagnostics [Text] / M. S. Mironova, V. I. Zubkov, A. L. Dudin, G. F. Glinskii// Semiconductors — 2018. — Vol. 52, no. 4. — P. 507-510.

[142] Simulation and characterization of AlGaAs/InGaAs/GaAs pHEMT structures with quantum wells for SHF integrated circuits [Text] / A. Dudin, I. Kogan, G. Yakovlev [et al.] // Proc. of 2017 11th Int. Workshop on the Electromagnetic Compatibility of Integrated Circuits (EMCCompo). — no. 7998092. — St. Petersburg.: IEEE, 2017. — P. 108—111.

[143] Козловский, Э.Ю. Малошумящий полевой транзистор на основе гетероструктуры (Al, In)GaAs/GaAs : автореф. дис. ... канд. тех. наук : 05.27.01 / Козловский Эдуард Юрьевич.

— СПб., 2013. — 18 с.

[144] Теоретические и экспериментальные исследования вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик HEMT структур и полевых транзисторов [Текст] / Е.А. Тарасова, Е.С. Оболенская, А.В. Хананова [и др.] // ФТП. — 2016. — Т. 50, № 12. — С. 1599-1604.

[145] Электрофизические и структурные свойства двусторонне delta-легированных PHEMT-гетероструктур на основе AlGaAs/InGaAs/AlGaAs [Текст] / И.С. Васильевский, Г.Б. Галиев, Е.А. Климов [и др.] // ФТП. — 2008. — Т. 42, № 9. — С. 1102-1109.

[146] Self-consistent simulation of GaAs/InGaAs/AlGaAs heterostructures photoluminescence spectra and its application to pHEMT structures diagnostics [Text] / M.S. Mironova, V.I. Zubkov, A.L. Dudin, G.F. Glinskii [et al.] // Nanostructures: physics and technology. 27 June-1 July. 2017. 25th Int. Symp. — NJ: IEEE, 2017. — P. 118.

[147] Яковлев, Г.Е. Электрохимическое вольт-фарадное профилирование арсенид- и нитридгал-лиевых HEMT гетероструктур [Текст] / Г.Е. Яковлев, В.И. Зубков // Изв. СПбГЭТУ "ЛЭТИ". — 2017. — № 10. — С. 5-12.

[148] Майская, В. Освоение терагерцовой щели. Полупроводниковые приборы вторгаются в субмиллиметровый диапазон [Текст] / В. Майская // Электроника. — 2011. — № 8. — С. 7487.

[149] Stevenson, R. GaN HEMTs: faster, more capable and better understood [Text] / R. Stevenson // Compd. Semicond. — 16th February 2011. — P. 21-23.

[150] Xiao-Guang, H. Formation of two-dimensional electron gas at AlGaN/GaN heterostructure and the derivation of its sheet density expression [Text] / H. Xiao-Guang, Z. De-Gang, J. De-Sheng // Chin. Phys. B. — 2015. — Vol. 24, no. 6. — P. 067301.

[151] Two-Dimensional Electron Gases Induced by Spontaneous and Piezoelectric Polarization Charges in N- and Ga-face AlGaN/GaN Heterostructures [Text] / O. Ambacher, B. Foutz, J. Smart [et al.] // J. Appl. Phys. — 1999. — Vol. 85, no. 6. — P. 32227-3233.

[152] King-Smith R. D. Theory of polarization of crystalline solids [Text] // R.D. King-Smith, D. Van-derbilt // Phys. Rev. - 1993. - Vol. B 47, no. 3. - P. 1651-1654.

[153] Яковлев, И.Н. Исследования светоизлучающих гетероструктур с квантовыми ямами, ориентированными в полярных и неполярных направлениях : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. Наук : 01.04.10 / Яковлев Илья Николаевич. — СПб., 2014. — 20 с.

[154] Electron mobility in modulation-doped AlGaN-GaN heterostructures [Text] / R. Gaska, M.S. Shur, A.D. Bykhovski [et al.] // Appl. Phys. Lett. — 1999. — Vol. 74, no. 2. — P. 287-289.

[155] Ibbetson, J.P. Polarization effects, surface states and the source of electrons in AlGaN/GaN heterostructure field effect transistors [Text] / J.P. Ibbetson, P.T. Fini, K.D. Ness [et al.] // Appl. Phys. Lett. — 2000. — Vol. 77, no. 2. — P. 250-252.

[156] Bernardini, F. Spontaneous polarization and piezoelectric constants of III-V nitrides [Text] / F. Bernardini, V. Fiorentini, D. Vanderbilt // Phys. Rev. B. — 1997. — Vol. 56, no. 16. — P. R10024-R10027.

[157] Yakovlev, G. ECV profiling of GaAs and GaN HEMT heterostructures [Text] / G. Yakovlev, V. Zubkov // J. Phys. Conf. Ser. — 2018. — Vol. 993, no. 1. — P. 012038.

[158] Zhuang, D. Wet Etching of GaN, AlN, and SiC: A Review [Text] / D. Zhuang, J. Edgar // Mater. Sci. Eng. R Reports. — 2005. — Vol. 48, no. 1. — P. 1-46.

[159] Youtsey, C. Highly Anisotropic Photoenhanced Wet Etching of N Type GaN [Text] / C. Youtsey, I. Adesida // Appl. Phys. Lett. — 1997. — Vol. 71, no. 15. — P. 2151-2153.

[160] Youtsey, C. Gallium Nitride Whiskers Formed by Selective Photoenhanced Wet Etching of Dislocations [Text] / C. Youtsey, L.T. Romano, I. Adesida // Appl. Phys. Lett. — 1998. — Vol. 73, no. 6. — P. 797.

[161] Weyher, J.L. Defect Selective Etching of Semiconductors [Text] / J.L. Weyher, J.J. Kelly // Springer Handb. Cryst. Growth / Ed. by G. Dhanaraj, K. Byrappa, V. Prasad, M. Dudley. — [S. l.] : Springer Berlin Heidelberg, 2010. — P. 1453- 1476.

[162] Jackson, N.F. Pulsed Anodic Etching of III-V Semiconductors for Carrier Concentration Profiling [Text] / N.F. Jackson // Semicond. Sci. Technol. — 1992. — Vol. 7. — P. 686-690.

[163] Wolff, T. Electrochemical CV Profiling of GaN [Text] / T. Wolff, M. Rapp, T. Rotter // Phys. status solidi. — 2004. — Vol. 1, no. 10. — P. 2491-2494.

[164] Osenbach, J.W. Temperature Humidity Bias Behavior and Acceleration Model for InP Planar PIN Photodiodes [Text] / J.W. Osenbach, T.L. Evanosky // J. Light. Technol. — 1996. — Vol. 14, no. 8. — P. 1865-1881.

[165] Chemical Etchant Dependence of Surface Structure and Morphology on GaN(0001) Substrates [Text] / A.N. Hattori, F. Kawamura, M. Yoshimura [et al.] // Surf. Sci. — 2010. — Vol. 604, no. 15-16. — P. 1247-1253.

[166] Wolff, T. Photoelectrochemical Wet Etching and CV Profiling of Nitride Semiconductors [Text] / T. Wolff, M. Rapp, T. Rotter // Semicond. Insul. Mater. 20-25 Sept. 2004. SIMCXIII2004. 13th Int. Conf. — NJ: IEEE, 2005. — P. 230-233.

[167] AlN/GaN-гетероструктуры для нормально закрытых транзисторов [Текст] / К.С. Журавлев, Т В. Малин, В.Г. Мансуров [и др.] // ФТП. — 2017. — Т. 51, № 3. — С. 395-402.

[168] Impact of barrier thickness on transistor performance in AlN/GaN high electron mobility transistors grown on free-standing GaN substrates [Text] / D.A. Deen, D.F. Storm, D.J. Meyer [et al.] // Appl. Phys. Lett. — 2014. — Vol. 105, no. 18. — P. 093503.

[169] Kokorev, M.F. A new approach to the determination of gate length and other parameters of GaAs MESFETs and MODFETs [Text] / M.F. Kokorev, N.A. Maleev // Solid-State Electron. — 1996.

— Vol. 39, no. 2. — P. 297-302.

[170] Deep traps analysis in AlGaN/GaN heterostructure transistors [Text] / W. Chikhaoui, J M. Bluet, C. Bru-Chevallier [et. al] // Phys. Status Solidi C — 2010. — Vol. 7, no. 1. — P. 92-95.

[171] Trapping Effect and Microwave Power Performance in AlGaN/GaN HEMTs [Text] / S.C. Binari, K. Ikossi, J A. Roussos [et. al] // IEEE Trans. Electron Devices — 2001. — Vol. 48, no. 3. — P. 465-471.

[172] Influence of Carrier Supply Doping on the RF Properties of AlGaN/GaN/SiC High-Electron-Mobility Transistors [Text] / M. Marso, J. Bernat, P. Javorka [et. al] // Phys. Status Solidi C — 2005.

— Vol. 2, no. 7. — P. 2611-2614.

[173] The Impact of Surface States on the DC and RF Characteristics of AlGaN/GaN HFETs [Text] / R. Vetury, N.Q. Zhang, S. Keller, U.K. Mishra // IEEE Trans. Electron Devices — 2001. — Vol. 48, no. 3. — P. 560-566.

[174] Scanning Capacitance Microscopy Imaging of Threading Dislocations in GaN Films Grown on (0001) Sapphire by Metalorganic Chemical Vapor Deposition [Text] / P.J. Hansen, Y.E. Strausser, A.N. Erickson [et al.] // Appl. Phys. Lett. — 1998. — Vol. 72, no. 18. — P. 2247-2249.

[175] Romanov A.E. Strain-induced polarization in wurtzite III-nitride semipolar layers / Romanov A.E., Baker T.J., Nakamura S., Speck J.S. // J. Appl. Phys. - 2006. - Vol. 100(2). - P. 023522023522-10.

[176] Nye J. F. Physical Properties of Crystals / Nye J. F. - New York.: Oxford University Press, 1985.

— 329 p.

[177] Bernardini, F. Spontaneous polarization and piezoelectric constants of III-V nitrides [Text] / F. Bernardini, V. Fiorentini// Phys. Status Solidi B. — 1999. — Vol. 216, no. 1. — P. 391- 398.

[178] Si Delta-Doped m-Plane AlGaN/GaN Heterojunction Field-Effect Transistors [Text] / T. Fuji-wara, S. Keller, M. Higashiwaki [et al.] // J. Appl. Phys. Exp. — 2009. — Vol. 2, no. 6. — P. 061003.

ПРИЛОЖЕНИЕ А А.1 Копия свидетельства о регистрации программы для ЭВМ

ЗРТС€Ш®«АЖ ФВДШРАЩШШ

ЖЖЖ

ж ж

ж ж ж ж ж

ж т ш ж

да

Ж $

Ж Ж

КЗ $

ж

ж -к

ж ж

ж

т *

ж ж ж

жжжжжж ж ж ж ж

СВИДЕТЕЛЬСТВО

о государственной регистрации программы для ЭВМ

№ 2017661428

Программа обработки и представления результатов ЕСУ-измерений

Правообладатель. Яковлев Георгий Евгеньевич (1III)

Автор: Яковлев Георгий Евгеньевич (Я11)

Заявка № 2017618214

Дата поступления 15 августа 2017 Г.

Дата государственной регистрации в Реестре программ для ЭВМ 12 октября 2017 г.

Руководитель Федеральной службы по интеллектуальной собственности

Г.П. Ивлиев

Ж

ж

ж ж ж ж ж ж ж ж

АО

ж ж ж

ж ж

ж

ж ж ж ж ж ж ж ж ж ж ж

жжжжжжжжжжжжжжжжжжжжжжжжжжжжжжжжж^

А.2 Копия акта об использовании результатов работы

3. Анализа экспериментальных данных концентрационных профилей и спектров фотолюминесценции, а также результатов моделирования зонных диаграмм, энергетического спектра и спектров фотолюминесценции транзисторных гетероструктур на основетвердых растворов ^ба^Аэ и АМЗа,.хМ.

4. Рекомендаций по оптимизации глубины залегания затворного электрода в транзисторах на основе твердых растворов ^ба^Аэ.

Использование указанных результатов позволяет: отработать режимы роста НЕМТ гетероструктур, повысить качество и рабочие характеристики разрабатываемых НЕМТ приборов; сократить затраты при проведении проектных работ.

Результаты внедрялись при выполнении соглашения № 14.582.21.0010 от 14.10.2015 в рамках ФЦП ИР 2014-2020, уникальный идентификатор проекта РРМЕР158215X0010.

Результаты совместной работы опубликованы в:

1. Диагностика морфологии и электронного спектра рНЕМТ-гетероструктур [Текст] / Д.С. Фролов, Г.Е. Яковлев, В.И. Зубков [и др.] // Изв. СПбГЭТУ "ЛЭТИ". — 2016. — № 2. —

2. Simulation and characterization of AIGaAs/lnGaAs/GaAs pHEMT structures with quantum wells for SHF integrated circuits [Text] /A- Dudin, I. Kogan, G. Yakovlev [et al.] // Proc. of 2017 11th Int. Workshop on the Electromagnetic Compatibility of Integrated Circuits (EMCCompo). — no. 7998092. — St. Petersburg.: IEEE, 2017. — P. 108—111

3. Исследование РНЕМТ-структур с квантовыми ямами AIGaAs/lnGaAs/GaAs, выращенных молекулярно-пучковой эпитаксией [Текст] / А. Л. Дудин, М. С. Миронова, Г. Е. Яковлев [и др.] // Прикладная физика. — 2017. — № 3. — С. 78-84.

4. Управление правление электрофизическими свойствами арсенидгаллиевых транзисторных рНЕМТ-гетероструктур [Текст] / Г.Е. Яковлев, М.С. Миронова, В.И. Зубков, АЛ. Дудин // Международная молодежная конференция ФизикА.СПб/2017: сборник тезисов докладов. — СПб: Изд-во СПбПУ, 2017. — С. 285—287.

5. Особенности электрохимического вольт-фарадного профилирования арсенидгаллиевых светоизлучающих и рНЕМТ структур с квантоворазмерными областями [Текст] / Г.Е. Яковлев, М.В. Дорохин, В.И. Зубков [и др.] // ФТП. — 2018. — Т. 52, № 8. — С. 873-880.

С. 6-11.

Председатель комиссии

Члены комиссии

Дудин А.Л.

Филаретов А.Г.

Чалый В.П.