Омические контакты металл-карбид кремния тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат технических наук Растегаева, Марина Геннадьевна

• Растегаева, Марина Геннадьевна
• кандидат технических наук
• 1999

Оглавление диссертации кандидат технических наук Растегаева, Марина Геннадьевна

ОГЛАВЛЕНИЕ.

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1.ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР.

1.1.Введени е.

1.2.Методы измерения удельного переходного сопротивления омических контактов.

1.3.Технология изготовления омических контактов к широкозонным полупроводникам.

1.4.Выводы к главе 1.

ГЛАВА 2. ТЕХНОЛОГИЯ ФОРМИ^ВАНЙЯ ОМИЧЕСКИХ

КОНТАКТОВ К КАРБИДУ КРЕМНИЯ.

ОБОРУДОВАНИЕ И ОБЪЕКТЫ

ИССЛЕДОВАНИЯ.

2.1 .Формирование омических контактов к п-и р-бН-БЮ.

2.2.0борудование, используемое для изготовления омических контактов к карбиду кремния.

ГЛАВА 3. ИССЛЕДОВАНИЕ ОМИЧЕСКИХ

КОНТАКТОВ, ИЗГОТОВЛЕННЫХ НА ОСНОВЕ № К п-бН-БЮ.

3.1.Исследование зависимости удельного сопротивления омических контактов, изготовленных к полярным граням 6Н-8Ю, от температуры отжига.

3.2.Влияние температуры отжига на состав переходной области структур №/п-6Н-81С.

3.3.Исследование влияния концентрации некомпенсированной донорной примеси на удельное ^ сопротивление омических контактов.

3.4.Исследование влияния температуры окружающей среды и высоких плотностей тока на величину удельного контактного сопротивления.

3.5.Дополнительные преимущества использования омических контактов на основе никеля в технологии полупроводниковых приборов.

3.6.Выводы к главе 3.

ГЛАВА 4. ИССЛЕДОВАНИЕ ОМИЧЕСКИХ КОНТАКТОВ К р-бН-SiC.

4.1.Исследование омических контактов к p-SiC, изготовленных на основе однокомпонентных контактных систем.

4.2.Исследование омических контактов на основе кремнийсодержащих систем к p-SiC.

4.3.0мические контакты кр-бН-SiC, изготовленные на основе контактных систем, содержащих алюминий.

4.4.Исследование зависимости удельного сопротивления омических контактов на основе Ti-Al от температуры отжига и концентрации нескомпенсированной акцепторной примеси в р-бН-SiC.

4.5.Исследованне состава контактного покрытия и переходной области структур Ti-Al/p-6H-SiC.

4.6.Влияние температуры окружающей среды и высоких плотностей тока на величину удельного сопротивления Ti-Al/p-6H-SiC омических контактов.

4.7.Выводы к главе 4.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Омические контакты металл-карбид кремния»

Актуальность темы. В настоящее время технология выращивания карбида кремния (81С) достигла высокого уровня, позволяющего получать на основе 81С приборные структуры для силовой высокотемпературной электроники [1-4}. Одним из важнейших этапов изготовления приборных структур является формирование омических контактов. К омическим контактам предъявляют ряд требований, от выполнения которых во многом зависят электрические и механические свойства изготавливаемых полупроводниковых приборов, а также их стабильность. Основными требованиями являются следующие:

1. Переходное сопротивление омических контактов (гс) должно быть мало по сравнению с последовательным сопротивлением приборной структуры.

2. Технология изготовления омического контакта должна быть совместима с технологией изготовления прибора в целом, в том числе с операциями формирования необходимой для приборной структуры топологии и последующей корпусировки прибора. Процедура изготовления омического контакта не должна вести к деградации приборной структуры, например, вследствие глубокого проникновения материала контакта в полупроводник.

3. Омический контакт должен обладать хорошей адгезией к полупроводнику, представлять собой стабильную металлургическую систему.

4. С практической точки зрения необходимо обеспечить высокую воспроизводимость электрических, механических и др. свойств омических контактов, включая высокую однородность характеристик по площади образца. * 5. Изготовленный омический контакт должен обеспечивать функционирование приборной структуры без существенного изменения ее характеристик во всем диапазоне рабочих параметров. Следует отметить, что приборы на основе карбида кремния способны функционировать при высоких температурах окружающей среды. В связи с этим повышаются требования к омическим контактам, изготавливаемым к карбидкремниевым приборам.

Актуальность проводимых в настоящей работе исследований обуславливается необходимостью воспроизводимого изготовления омических контактов с низким значением удельного контактного сопротивления, работоспособных при повышенных температурах 1 окружающей среды и больших плотностях тока.

Разработке технологии изготовления омических контактов к карбиду кремния посвящено большое количество работ. Показана возможность использования в качестве контактных покрытий целого ряда материалов. Однако, вплоть до настоящего времени, наблюдаются существенные различия в экспериментальных результатах, полученных разными авторами даже при использовании одинаковых контактных систем. Так например, наиболее низкие значения удельного сопротивления (Л 10"6 Ом см2) приведены в работе [5] для омических контактов на основе никеля к п-бН-БЮ. В то же время авторы [6] сообщают о существенно более высоких сопротивлениях контактов, изготовленных с использованием такой же системы. Аналогичная ситуация наблюдается и при формировании омических контактов к р-бН-БЮ [7, 8, 9].

Такие различия свидетельствуют о существенном влиянии технологических условий на процессы формирования невыпрямляющих контактов к карбиду кремния, что обуславливает * необходимость оптимизации технологии и выявления факторов, влияющих на величину удельного сопротивления контактов.

Цель работы. Целью настоящей работы является разработка и оптимизация технологии воспроизводимого получения омических контактов к карбиду кремния п- и р-типа проводимости на основе выявления факторов, влияющих на формирование омического контакта.

Задачи диссертационной работы.

1 .Выбор контактных систем, наиболее перспективных с точки зрения возможности получения омических контактов с удельным сопротивлением < 10"4 Ом-см2 к карбиду кремния п-и р-типа 1 проводимости.

2.Исследование влияния технологических условий (методов предварительной обработки поверхности перед нанесением металлической пленки, температуры отжига и др.) на состав и структуру контактного покрытия и переходной области контактное покрытие-карбид кремния с целью выявления факторов, влияющих на электрические характеристики омических контактов.

3.Исследование влияния параметров полупроводника (концентрации легирующей примеси, технологии выращивания эпитаксиальных слоев и подложек и т.п.) на величину удельного переходного сопротивления изготавливаемых омических контактов.

4.Исследование работоспособности омических контактов при температурах окружающей среды до 500°С и высоких плотностях тока.

5. Оптимизация технологии формирования омических контактов с учетом проведенных исследований и требований ее совместимости с операциями изготовления приборных структур в целом (создание топологии прибора, защита периферии, корпусировка чипов).

Новые научные результаты.

1 .На основе никеля могут быть изготовлены омические контакты с удельным сопротивлением < 10"4 Ом-см2 к карбиду кремния п-типа проводимости в широком диапазоне концентраций нескомпенсированной примеси.

2.Зависимость удельного переходного сопротивления омических контактов на основе никеля, изготовленных к п-БЮ, от температуры отжига имеет минимум, причем для контактов, сформированных к полярным граням (0001)С и (0001)81 минимальная величина гс достигается при разных температурах отжига 1000°С и 1200°С соответственно.

3.В результате отжига структур №/п-81С, необходимого для формирования омического контакта, происходит образование силицидов никеля в контактном покрытии и вблизи границы контактное покрытие-карбид кремния формируется область, существенно обогащенная углеродом.

4.Введение кремния в состав контактного покрытия предотвращает образование углеродной прослойки вблизи границы контактное покрытие-карбид кремния и позволяет сформировать омический контакт к р-типа проводимости.

5.Контактное покрытие на основе никеля может быть использовано в качестве маски при проведении процессов плазмохимического травления карбида кремния в плазме фторсодержащих газов.

6.На основе системы ТьА1 могут быть изготовлены омические контакты с удельным сопротивлением < 10^ Ом-см2 к карбиду кремния р-типа проводимости в широком диапазоне концентраций нескомпенсированной примеси., выращенному различными технологическими методами.

7.Установлено, что в результате отжига структур ТьАУр-ЗЮ, необходимого для формирования омического контакта, происходит образование карбида титана в контактном покрытии, и в приповерхностной области 81С наблюдается избыточное содержание алюминия по сравнению с объемом.

Основные научные положения, выносимые на защиту. 1.В диапазоне температур отжига (800-1000)°С, обеспечивающих формирование невыпрямляющих контактов на основе никеля к карбиду кремния п-типа проводимости, кривая зависимости удельного переходного сопротивления от температуры отжига немонотонна и имеет минимум.

2. Положение минимума кривой зависимости удельного переходного сопротивления от температуры отжига различно для омических контактов на основе никеля, сформированных на поверхности полярных граней п-бН-БЮ: для контактов, изготовленных на (0001)С-грани минимум достигается при более низких температурах отжига и соответствует меньшим значениям удельного переходного сопротивления.

3. Контактное покрытие на основе никеля не требует дополнительного маскирования в процессах профилирования приборных структур на основе карбида кремния посредством плазмохимического травления в плазме фторсодержащих газов.

4. В диапазоне температур отжига (800-1400)°С, * обуславливающих формирование невыпрямляющих контактов на основе системы ТьА! к р-6Н-8Ю, величина удельного переходного сопротивления не зависит от температуры отжига. Практическая ценность работы.

1.На основе разработанной технологии изготовлены омические контакты с удельным сопротивлением < 10"4 Ом-см2 к карбиду кремния 11-и р-типа проводимости, работоспособные при температурах окружающей среды ~ 500°С и токах плотностью не менее 104 А/см2.

2.Разработанная технология совместима с технологией изготовления приборов на основе карбида кремния и позволяет, в частности:

1) изготавливать омические контакты к карбиду кремния в широком диапазоне концентраций нескомпенсированной примеси (11017 -МО20 см"3)

2) изготовление омических контактов к р- и п-области прибора в одном процессе отжига при одинаковой температуре отжига;

3) использование относительно низких температур отжига 800°С, позволяющее применять термический окисел для защиты периферии приборной структуры;

4) применение контактного покрытия на основе никеля в качестве маски при проведении процессов плазмохимического травления карбида кремния во фторсодержащих газах для профилирования т приборных структур.

Апробация работы.

Материалы работы были представлены на международных конференциях:

-6th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (Japan, Kyoto, 1995);

- 3rd International Conference on High Temperature Electronics (USA, Albuquerque, 1996);

- EMRS-96 Spring Meeting (France, Strasbourg, 1996);

- Международный семинар "Полупроводниковый карбид кремния и приборы на его основе" (Новгород, 1995);

-Международный семинар "Карбид кремния и родственные материалы" (Новгород, 1997);

International Semiconductor conference (Romania, Sinaia, 1998). Публикации

По материалам диссертации опубликовано более 20 печатных работ. Объем работы: объем диссертации составляет 157 страниц, включая 56 рисунков и список литературы.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Растегаева, Марина Геннадьевна

4.7.Выводы к главе 4.

1.Ha основе системы Si-Ti изготовлены омические контакты к p-6H-SiC с Na-Nd~ 21018 см"3, имеющие удельное сопротивление (3ь 10)10"3 Ом-см2.

2.Показано, что введение кремния в состав контактного покрытия позволяет предотвратить формирование в процессе отжига области вблизи границы контактное покрыте-карбид кремния, существенно обогащенной углеродом, и способствует формированию омического контакта к р-81С.

3.Разработана технология воспроизводимого получения омических контактов с удельным переходным сопротивлением ~ 10"4 Ом-см2 к р-бН-БЮ на основе системы ТьА1.

4.Величина удельного сопротивления омических контактов, изготовленных на основе системы ТьА1 к р-БЮ, не зависит от температуры отжига структуры в диапазоне Тотж=(800-1400)оС.

5.Исследована зависимость удельного сопротивления омических контактов ТьАУр-БЮ от концентрации некомпенсированных акцепторов (НтКа- 21017 - 1-Ю19 см"3) и

10 О установлено, что увеличение до 1-10 см приводит к уменьшению величины гс до (1-2)'10^ Ом-см2.

6.Показано, что в результате отжига структур ТьА1/р-6Н-81С, необходимого для формирования омического контакта, происходит образование карбида титана в контактном покрытии и в приповерхностной области р^С наблюдается избыточное содержание алюминия (по сравнению с объемом).

7. Установлено, что формирование омического контакта происходит вследствие дополнительного легирования приповерхностной области р-8Ю алюминием, входящим в состав контактного покрытия, происходящего в процесе отжига структур ТьАУр^С.

8. Установлено, что омические контакты ТьАУр-бН^С работоспособны при температурах окружающей среды (20-500)°С и при пропускании токов плотностью до 104 А/см2.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ.

По результатам работы можно сделать следующие выводы: 1 .Разработана и оптимизирована технология воспроизводимого получения низкоомных омических контактов на основе № и системы ТьА] к карбиду кремния п- и р-типа соответственно, работоспособных при повышенных температурах окружающей среды (не менее 500°С) и плотностях тока не менее 104А/см2.

2.Разработанная технология совместима с технологией изготовления приборов на основе карбида кремния и позволяет, в частности:

1) изготавливать омические контакты к карбиду кремния в широком диапазоне концентраций некомпенсированной примеси (1-10

МО20 см"3)

2) изготовление омических контактов к р- и п-области прибора в одном процессе отжига при одинаковой температуре отжига;

3) использование относительно низких температур отжига 800°С, позволяющее применять термический окисел для защиты периферии приборной структуры;

4) применение контактного покрытия на основе никеля в качестве маски при проведении процессов плазмохимического травления карбида кремния во фторсодержащих газах для профилирования приборных структур.

3.В результате отжига структур Шп-БЮ, необходимого для формирования омического контакта, происходит образование силицидов никеля в контактном покрытии и вблизи границы контактное покрытие-карбид кремния формируется область, существенно обогащенная углеродом.

4. Зависимость удельного сопротивления омических контактов на 4 основе никеля, изготовленных к п-БЮ, от температуры отжига имеет минимум, причем для контактов, сформированных к полярным граням Б1С (0001)С и (0001)81 минимальная величина гс достигается при разных температурах отжига 1000°С и 1200°С соответственно.

5.Величина удельного сопротивления омических контактов на основе № к п-8Ю определяется соотношением углерода и кремния в переходной области контактное покрытие-карбид кремния, сформировавшейся в результате отжига.

6.Показано, что введение кремния в состав контактного покрытия позволяет предотвратить формирование в процессе отжига области, обогащенной углеродом вблизи границы контактное покрытие* карбид кремния и способствует формированию омического контакта к карбиду кремния р-типа проводимости.

7.Показано, что в результате отжига структур Т1-А1/р-6Н-81С, необходимого для формирования омического контакта, происходит образование карбида титана в контактном покрытии и в приповерхностной области р-8Ю наблюдается избыточное содержание алюминия (по сравнению с объемом).

8. Формирование омического контакта на основе системы ТьА1 к р-8Ю происходит вследствие дополнительного легирования приповерхностной области 8Ю алюминием, входящим в состав контактного покрытия.

9. Величина удельного сопротивления омических контактов ТьА1/р-БЮ не зависит от температуры отжига в диапазоне температур (800-1400)°С, обуславливающих формирование невыпрямляющих контактов.

Благодарности

Автор благодарит за большую помощь, оказанную при проведении работы, полезные обсуждения и интересные идеи сотрудников Физико-технического института им А.Ф.Иоффе РАН: Андреева А.Н., Стрельчука А.М., Лебедева А.А., Бабанина А.И., Евстропова В.В., Савкину Н.С., Рендакову С.А., Василевского К.В., Зеленина В.В., Краснянскую Л.Н. и многих других, а также сотрудников СПбГЭТУ: Петрова А.А., Растегаева В.П., Решанова С.А. 145

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Растегаева, Марина Геннадьевна, 1999 год

1. Выпрямительный диод на основе карбида кремния./Аникин М.М., Попов И.В., Севастьянов В.Е., Сыркин А.Л., Суворов А.В., Челноков

2. B.Е., Шпынев Г.П.//Письма в ЖТФ. 1984. Т.10. В.7. С.1058-1056.

3. Высокотемпературные диоды на основе карбида кремния./ Аникин М.М., Попов И.В., Стрельчук А.М. и др.//Тез.докл. Всесоюзн.Совещ. по СПП, Белая церковь. 1985. С.128.

4. Дмитриев В.А., Иванов П.А., Попов И.В., Стрельчук А.М., Сыркин А.Л., Челноков В.Е.//Письма в ЖТФ. 1986. Т.12. В.13. С.773-776.

5. SiC-6H полевой транзистор с рекордной для карбидкремниевых транзисторов крутизной./ Аникин М.М., Иванов П.А., Сыркин А.Л., Царенков Б.В., Челноков В.Е.//Письма в ЖТФ. 1989. Т.15. В.16.1. C.36-42.

6. Crofton J., McMullin P.G., Williams J.R., Bozack M.J./High-temperature ohmic contact to n-type 6H-SiC using nickel. J. Appl. Phy s., v.77, p.1317 (1995).

7. Liu S., Smith S.R., Adams S., Severt C., Leonard J.//Second Intem. Higb Temperature Electron. Conf., Noth Carolina, USA, XIII-9, (1994).

8. Crofloo J., Barnes P.A., Williams J.R., Edmond J.A. Contact resistance measurements on p-type 6H-SiC.//Appl.Phys.Lett. 1993. V.62, P.384.

9. Improved ohmic contacts to p-type 6H-SiC./ Spie L., Nennewitz О Pezoldt J.//Silicon Carbide and Related Mat. Proc.Conf. Kyoto. Japan. 1995. Ser.N142. P.585.

10. Ohmic contacts to p-type 6H-silicon carbide/Nennewitz O., Breternitz V.// Abstr. of conf. European workshop or materials for advanced metallization's. 1995. Radebeul, Gemany.

11. Mott N.F. //Proc.CambridgePM.Soc. 1938. V.34. P.568. ф ll.Crowell C.R., Sze S.M. Curent Transport in Metal-Semiconductor

12. Baniers.//Solid State Electron. 1966. 9. P.1035.12.3и С. Физика полупроводниковых приборов: 1 том/ Пер.с англ. В.АХергеля и В.В.Ракитина. Под ред.Р.А.Суриса. М: Мир, 1984.

13. Chang C.Y., Fang Y.K., Sze S.M. Specific Contact Resistance of Metal-Semiconductor Barriers.//Solid State Electron. 1971.14. P.541.

14. Yu A.Y.C.Electron Tunneling and Contact Resistance of Metal-Silicon Contact Barriers//Solid State Electron. 1970. V.13. P.239.

15. Нисков В.Я.Измерение переходного сопротивления омических контактов к тонким слоям полупроводников./ЛТГЭ. 1971. №1. С.235.

16. Berger Н.Н. Model for Contacts to Planar Devices.//Solid State

17. Electron. 1972. V.15. P.145.

18. Reeves G.K. Specific Contact Resistance using a Circular Transmission Line Model.//Solid State Electron. 1980. V.23. P.487.

19. Boberg G., Stolt L., Tove P.A., Norde H. Contact resistance measurements of platinum-siliside and chromium contacts to highly doped n- and p-silicon.//Physica Scripta. 1981. V.24. P.405.

20. Marlow G.S., Das M.B. The effects of contact size and non-zero metal resistance on the determination of specific contact resistance.//Solid State Electron. 1982. V.25. P.91.

21. Mak L.R., Rogers C.M., Northrop D.C. Specific contact resistance measurements on semiconductors.//J.Phys.E:Sei.Instrum. 1989. V.22, P.317.

22. Models for high temperature SiC-metal contact resistanceinvestigation./Rastegaev V.P., Reshanov S., Andreev A.N., Rastegaeva M.G.//Trans.of the Third Intern. High Temperat. Conf. USA. 1996. P. 149.

23. Rideout V.L. Review of the Theory -and Technology for Ohmic Contacts to Group IH-Y Compound Semiconductors .//Solid State Electron. 1975.V.18. P.541.

24. Piotrowska A., Guivarc'h A., Pelous G. Ohmic contacts to LII-Y 4 compaund semiconductors: a zeview of fabrication technoloques.//Solid

25. State Electron. 1983. V.26. P.179-197.

26. Zettlemoyer A.C.Ohmic contacts to semiconductors.//Solid State Electron. 1969. V.18. P.48.28.11iadis A., Singer K.E. The role of germanium in evaporated Au-Ge ohmic contacts to GaAs.//Solid State Electron. 1983. V.26. P.7.

27. Robinson G.Y. Metallurgical and electrical properties of allowed Ni/Au-Ge films on n-typeGaAs.//Solid State Electron. 1975. V.18. P.331.

28. Gyulai J., Mayer J.W., Rodriquer V., Yu A.Y.C., Gopen H.J. Alloying Behavor of Au and Au-Ge on GaAs.//J.Appl.Phys. 1971. V.42. P.3578.

29. Wittmer M., Finstad Т., Nicolet M.-A. Investigation of the Au-Ge-Ni and Au-Ge-Pt system used for allowed contacts to GaAs.//J.Vac.Sci.Technol. 1977. V.214. P.935.

30. Tiwari S., Kuan T.S.,Tiereney E.//Proc.Int.Electron. Device Meeting 1983. V.83. P. 115.

31. Agjns В., Collot P., Hugon C., Dubon-Chevallier C., Daoud-Ketata K., p Ladan F.R., Besson J.//In 6-th Int.Colloquium on Plasma and Sputtering1987.

32. Dubon-Chevallier C., Blanconnier P., Besombes C., Mayeux C., Bresse J.F., Gao Y. GeMoW Refractory Ohmic Contact for GaAs/GaAlAs Self-Aligned Hetrojunction Bipolar Transistors.//J.Electrochem.Soc. 1990. V.137. P.1514.

33. Murakami M., Price W.H., Shin Y.C., Childs K.D., Furman B.K., Tiwari S. ThermaUy stable ohmic contacts to n-GaAs. 1 .MoGaW contact metal.//J.AppLPhys. 1987. V.62. P.3288.

34. Murakami M., Rice W.H., Shin Y.C., Childs K.D., Parks C.C. Thermally stable obmic contacts to GaAs.IT.MoGelnW contactmetal.//J.Appl.Phys. 1987. V.62. P.3295.

35. Murakami M., Shin Y.C., Price W.H., Wilkie E.L., Childs K.D., Parks C.C. Thermally stable ohmic contacts to GaAs.LLI.GelnW and NihiW contact metal.//J.Appl,Phys. 1988. V.64. P.1974.

36. Hugon M.C., Agius В., Dubon-Chevallier C., Blanconnier P., Bresse J.F.//Extended Abstr.N43, 178-th Meeting of the Electrochem.Soc. Seattle 1990.

37. Hugon M.C., Agius В., Varniere F. Highly stable sputtered NilnW refractory ohmic contact to n-type GaAs.//J.Appl.Phys. 1992. V72(8). P.3570.

38. Tanahashi K., Takata H.J., Otuki A., l&ftrakami M. Thermally stable non-gold Ohmic contacts to n-type GaAs.//J.Appl.Phys. 1992. V.72(9). P.4183.

39. Арсенид галлия в микроэлеоронике./Под ред.Айнспрука Н., Уиссмена У. М.: Мир 1988.

40. Melnik Yu.V,, Nikitina I.P., Zubrilov A S., Sitnikova A.A., Dmitriev 0 V.A. High-quality GaN grown directly on SiC by halide vapor phaseepitaxy//Inst.Phys.Conf. 1996.Ser.142. P.863.

41. Huang J.W., Kuech T.F., Lu H., Bhat I. Electrical characterization of Mg-doped GaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy.//Appl.Phys.Lett. 1996. V.68. P.2392.

42. Cheng T.S., Foxon C.T., Ren G.B., Orton J.W., Melnik Yu.V., Nikitina I.P., Nikolaev A.E., Novikov S.V., Dmitriev V.A. Effects of substrate typeon the characteristics of GaN epitaxy .//Semicond.Sci.Technol. 1997. V.12.1. P.917-920.

43. Asif Khan M., Kuznia J.N., Bhattarai A.R., Olson D.T. Metal-Semiconductor field-effect transistor based on single crystal GaN.//Appl.Phys.Lett. 1993. V.62. P.1786.

44. Nakamura S., Mokia Т., Senoh M. Candela-class high-brightness m InGaN/AlGaN double-heterostructure blue-emittingdiodes.//Appl.Phys.Lett. 1994. V.64. P.1689.

45. Nakamura S., Senoh M., Nagahama S., Iwara M., Yamada Т., Marsushita Т., Kiyoku H., Sugimoto Y. InGaN-Based Multi-Quantum-Well-Structure Laser Diodes.//Jpn.J.Appl.Phys. 1996. V.35. L74.

46. Guo J.D., Feng M.S., Guo R.S., Pan F.M., Chang C.Y. Study of Schottky barriers on n-type GaN grown by low-pressure metalorganic chemical vapor deposition.//Appl.Phys.Lett. 1995. v.67. P.2657.

47. Kalinina E.V., Kuznetsov N.I., Dmitriev V.A., Irvine K.G., Carter C.H. Schottky Barriers on n-GaN Grown on SiC.//J.ofElectron.Materials. 1996. V.25.P.142.9 53. High Barrier Height GaN Schottky Diode: Pd/GaN and Pt/GaN./ Lei

48. Wang, Tian-noe Lim, Marshall I.N., Philip I.C., Ruden P.P., Asif Khan M., Chen O.// Conf. -EMS-37 1995.

49. Mori Т., Korawa Т., Ohwaki Т., Taga Y., Nagai S., Yamasaki S.s Asami S., Shibata N., Koike M. Schottky barriers and contact resistance on p-type GaN.//Appl.Phys Lett. 1996. V.69. P.3537.

50. Foresi J.S., Moustakas T.D. Metal contacts to gallium nitride.//Appl.Phys.Lett. 1993. V.62. P.2859.

51. Lin M.E., Ma Z., Huang F.Y., Fan Z.F., Allen L.H., Morkoc H. Low resistance ohmic contacts on wide band-gap GaN.//Appl.Phys.Lett. 1994. V.64. P.1003.

52. Fan Z., Monamad S.N., Kim W., Aktas O., Botchkarev A.E., Suzue K., Morkoc H., Duxstad K., Haller E.E. Ohmic contacts and Schottky Barriers to n-GaN.//J.Electron.Mater. 1996. V.25. N11. P. 1703.

53. Miller S., Holloway P.H. Ohmic contacts to n-type GaN.//J.of ф Electron.Matenals. 1996.V.25. N11. P.1709.

54. Ellis R.S. Growth of Silicon Carbide from solution.//Silicon Carbide, Proc.of the Conf. Boston. 1960. Perg.Press. P. 124-133.

55. Brander R. Silicon Carbide Electrol Devices.//Electrol Record. 1969. V.116. P.329-333.

56. Brander R., Sutton R. Solution growth SiC p-n-junctions.//Brit.J.Appl.Phys. 1969. V.2. N3. P.309-319.

57. Brander R. The fabrication of SiC electroluminescent displayers.//Proc.of Int.Conf. on Silicon Carbide. 1968. Perg.Press. P. 187198.

58. Карбидкремниевые р-п-структуры, полученные жидкостной 0 эпитаксией/Дмитриев В.А., Иванов П.А., Коркин И.В. и др.//Письмав ЖТФ. 1985. Т.П. В.4. С.238-241.

59. Dmitriev V.A. et al.// USSR Author Certificate N1726571, December 15. 1991.

60. Muench W., Шеек P. Silicon Carbide Bipolar Transistor.//Solid State Electron. 1978. V.21. P.479-480.

61. Shibahara H., Kuroda N., Nishina H., Matsunami H. Fabrication of p-n-junction diodes using homoepitaxielly grown 6H-SiC at low temperature by CVD.//SpnJ.Appl.Phys. 1987. V.26. P.1815-1817.

62. Muench W., Pfaffender J. Epitaxial deposition of silicon carbide from SiC14 and C6H8.//Thin.Sol.Films. 1976. N31. P.39.

63. Иванова Л.И., Плетюшкнн A.A. Кинетика образования из газовой фазы.//Изв.АН СССР. Сер.Неорг.Мат. 1967. Т.З. №10. С.1817-1822.

64. Campbell R., Chy T.L./Epitaxial grown of SiC by the termal Reduction Technique.-J.Electr.Soc., v. 113, N8, p.825-828 (1966).

65. Suzuki A., Purukaeva K., Higashigaki Y. Epitaxial growth of SiC-4 single crystals by succesiv two-step CVD.//J.Cryst.Growfh. 1984. N70.1. P.287-290.

66. Книппенберг В.Ф., Верспьюн Г. Влияние примесей на рост кристаллов карбида кремния, получаемых из газовой фазы.//Карбид кремния. Под ред.Хениша Г., Роя Р. М.: Мир. 1972. С.111-116.

67. Nishino S., Suhara Н., Ono Н., Matsunami Н. Epitaxial growth and electric characteristics of cubic SiC on silicon.//! Appl.Phys. 1987. V.61. P.4889-4893.

68. Получение чистых слоев карбида кремния./Мохов Е.Н., Рамм М.Г., Веренчикова Р.Г., Ломакина Г.А.//П Всесоюзн.совещ. по пшрокозонным полупроводникам.Тез. докл. Л.: ЛЭТИ. 1979. С.51.

69. Ш 74.Vodakov Yu.A., Mokhov E.N., Ramm M.G., Roenkov A.D. Epitaxialgrowth of silicon carbide layers by sublimation "sandvich"-method.//Krist. undTechnik. 1979. V.14. P.729-740.

70. Рамм М.Г., Мохов E.H., Веренчикова P.Г. О кинетической зависимости растворимости азота в карбиде кремния.//Изв.АН СССР. Сер. Неорг.мат. 1979. Т.15. №12. С.2233-2234.

71. Tairov Yu.M., Tsvetkov V.F. Investigation of kinetic and thermal conditions of silicon carbide epitaxial layers growth from the vapor phase.//J.Cryst.Growth. 1979. V.46. P.403-409.

72. Vodakov Yu.A., Mokhov E.N./Patent of Great Britain N1458445, 21.02.1974.

73. Аникин M.M., Гусева Н.Б., Дмитриев B.A., Сыркин А.Л. Рост и структурное совершенство эпитаксиальных слоев SiC при ихвыращивании "сэндвич"-методом в открытой ростовой системе.//Изв.АН СССР. Сер.Неорг.мат. 1984. №10. С. 1768-1770.

74. Аникин М.М., Попов И.В., Челноков В.Е., Шпынев Г.П.//Технология полупроводниковых приборов., Таллин: Валгус. 1984. С.177-181.

75. Miyarava Т., Yoshida S., Misava S., Gonda S. Summaiy Abstract: Growth of 3C-SiC on silicon by molecular and ion beam epitaxy .//J. Vac.Sci.Technol.B. 1985. V.3. P.730-731.

76. Miyarawa Т., Yoshida S., Misava S., Gonda S. Molecular and ion beam epitaxy of 3C-SiC.//J.Appl.Phys.Lett. 1984. V.45. P.380-382.

77. Kaneda S., Sakamoto Y., Nishi С., Kanaya M., Hannai S. The growth of single crystal of 3C-SiC on Si substrate by MBE method using multi electron beam heating.//Jpn.J.Appl.Phys. 1986. V.25. P. 1307-1311.

78. Kando Y., Takahashi Т., Ishii K., Hayashi Y., Sakuma E., Daimon H., Yamanaka M., Yoshida S. High Temperature Operation of Silicon Carbide MOSFET.//Jpn.J.Appl.Phys. 1987. V.26. P.310-311.

79. Васильев Й.Г., Боева Г.Г., Рыжиков И.В. Напыленные контакты к карбиду кремния.//Электр.Техника.Сер,2. Полупр.Приборы.В. 1970. Т.3(53). С.63-66.

80. Васильев И.Г., Боева Г.Г.ДСмита Т.Г., Рыжиков И.В./Омические контакты к карбиду кремния n-типа.-Обмен опытом в электронной промышленности, в.7, с.27-32 (1969).

81. Высота барьера в диодах Шоттеи, сформированных на основе п-« SiC-бН./Андреев А.Н., Лебедев А.А., Растегаева М.Г. и др.//ФТП.1995. Т.29. В.10. С. 1833-1843.

82. Hall R. Electrical contacts to silicon carbide.//J.Appl.Phys. 1958. V.29. P.914-917.

83. Пихтин A.H., Попов В.А., Яськов Д.А. Омические контакты к полупроводникам, полученные с помощью лазера.//ФТП. 1969. Т.З В.11. С.1646-1648.

84. Пихтин А.Н., Попов В.А., Яськов Д.А. Получение омических контактов к полупроводникам.//ПТЭ. 1970. №2. С.238-239.

85. Васильев И.Г., Боева Г.Г. Омические контакты к широкозонным полупрводникам арсениду галлия, фосфиду галлия и карбидукремния./Юбзоры по электронной технике. Сер.Технол. и орг.

86. Производства. 1070. В.19. С.212.

87. Наумов А.В., Никитин С.В., Остроумов А.Г., Водаков Ю.А. Ni и Au-Та контакты к n-SiC(6H).//<DTn. 1987. Т.21. В.2. С.377-378.

88. Growth of Large Silicon Carbide Boules./Avrov D.D., Bakin A.S., Dorozhkin S.I. et aI//The Twelfth Int.Conf.on Cryst.Growth. Israel. 1988. P.37

89. McDonald J.A./-III-Ys Res.-6, p.77 (1993).

90. Kordina O., Bergman J.P., Henry A., Janzen E., Savage S., Andre J., Ramberg L.P., Lindefelt U., Hermansson W., Bergman К. A 4,5 kV 6H silicon carbide rectifier.//Appl.Piiys.Lett. 1995. V.67. P.1561.

91. NMOS and PMOS high temperature enhancement-mode devices and circuits in 6H-SiC/Slater D.B., Lipkin L.A., Jonson G.M., Suvorov A.V. and Palmour J.W. //Proc. of 6th Int. Conf. Silicon Carbide and Related Mat. 1995. P.805.

92. M.G., Syrian A.L., Chuiko I.V.//Abstr.of 3-rd Int.Conf. of Amorph, and 0 Crystalline SiC. USA. Washington. 1990. P.53.

93. Ohmic contacts to silicon carbide devises /Anikin M.M., Rastegaeva M.G., Syrian A.L., Chuiko I.V.//Proc.of 3-rd Int.Conf. of Amorph, and Ciystalline SiC, ed.by G.L.Harris et al, Springer-Verlag. Berlin. 1992. P.183-189.

94. Low contact resistivity W ohmic contacts to n-type 6H-SiC./Baud L., Billon T., Lassagne O., Jaussaud C., MadarR.//Süicon Carbide and Related Mat. Conf. Kyoto Japan. 1996.Ser.N142. P.597.

95. Nickel and molibdenum ohmic contacts on silicon carbide./ Arnodo C., Tyc S., Wyczisk F., Brylinski CM Silicon Carbide and Related Mat. Conf. Kyoto Japan. 1996. Ser.N142. P.577.

96. Chaddha A.K., Parsons J.D., Kruavul G.B. Termally stable, lowspecific resistance (1,310 5 Ohm cm2) TiC Ohmic contacts to n-type 6H-SiC.//Appl.Phys.Lett. 1995. V.66. P.760.

97. Uemoto T. Reduction of Ohmic Contact Resistance on n-type 6H-SiC by Heavy Doping.//Jap.j.Appl.Phys. 1995. V.34. P.L7-L9.

98. Specific contact resistance as function of doping for n-type 4H and 6H-SiC./Crofton J., Luckowski E.D., Wilhams J.R., Isaacs-Smith T., Bozack M.J., Siergiej R.// Silicon Carbide and Related Mat. Conf. Kyoto Japan. 1996. Ser.N142. P.569.

99. Long-term thermal stability of Ni/Cr/W ohmic contacts on n-type SiC/Liu S., Reinhardt K., Severt C., Scofield J.,Ramalingam M., Tunstall

100. C.//Trans.of Ш Int.Hight Temperat.Electron. Conf. (HiTEC). ц Albuquerque. New Mexico. USA. 1996. P.YII-9.

101. Andrews S.M., Phillips J.C. Chemical Bonding and Structure of Metal-Semiconductor 1970)Jnterface.//Phys.Rev.Lett. 1975. V.35. P.56.

102. Interface chemistry and electrical properties of annealed Ni and Ni/Al-6H-SiC structures./ Hallin C., Yakimova R., Krastev V., Marinova Ts., Janzen E.// Inst.Phys.Conf. £er.N142, SiHcon Carbide and Related Mat. Kyoto Japan. 1995. P.601.

103. Lundberg N., Osfling S. Cobalt Silicide Ohmic Contacts to 6H-SiC.//Mat.Res.Soc.Proc. 1994. V.339. P.229.

104. Lundberg N. Termally Stable Electrical Contacts to 6H SiUcon Carbide.//Mat.Proc. Departament of Electronics. Solid State Electron. P.O.Box E229, S-164 40 Stockholm 1996

105. Muehlhoff L., Bozak M.J., Choice W.J., Yates J.T.//Appl.Phys. 1986. V.60. P.2558.

106. Semicond. SiUcon Carbide and SiC-based Devices. Novgorod. 1995. P.4647.

107. Muehlhoff L., Bozak M.J., Choyke W.J., John T.Yates. Comparative ф electron spectroscopic studies of surface segregation on SiC (OOOl)Si and0001)C.//J.Appl.Phys. 1986. V.60. P.2842.