Низкоразмерные плазменные возбуждения в полупроводниковых туннельных структурах тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Фейгинов, Михаил Наумович

• Фейгинов, Михаил Наумович
• кандидат физико-математических наук
• 1999

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Фейгинов, Михаил Наумович

1 Введение

1.1 Общая характеристика работы.

1.2 Краткое описание работы.

2 Скин-эффект и отклик полупроводниковых барьерных структур

2.1 Введение .•.

2.2 Спектр БПП.

2.3 Динамический импеданс.

2.4 Малосигнальный нелинейный отклик.

2.5 Выводы.

3 Линейные и нелинейные 2В плазменные возбуждения в резонансно-туннельных диодах

3.1 Введение

3.2 Описание модели.

3.3 Общая нелинейная система уравнений для РТД и внешней цепи

3.4 Однородное статическое решение

3.5 20 плазмоны в РТД.

3.5.1 Спектр 2Б плазмонов.

3.5.2 Оценки

3.5.3 Нёустойчивость 2Б плазмонов и В АХ.

3.6 Нелинейные статические и бегущие решения.

3.6.1 Основные уравнения.

3.6.2 Механическая аналогия.

3.6.3 Различные типы решений. Качественный анализ.

3.6.4 Статические домены и особенности на ВАХ.

3.6.5 Аналитические выражения для оценок.

3.7 Устойчивость 2-х доменных решений.

3.7.1 Описание подхода.

3.7.2 Оценки

3.8 Выводы.

4 Влияние кулоновского взаимодействия на динамические свойства резонансно-туннельных диодов

4.1 Введение

4.2 Времена отклика.

4.3 Импеданс РТД.

4.4 Обсуждение результатов.

4.4.1 Область спада резонансно-туннельного тока.

4.4.2 Область нарастания резонансно-туннельного тока 4.5 Сравнение с экспериментом

4.5.1 Низкочастотная емкость в области ПДП, работа [15].

4.5.2 Низкочастотная емкость в области ОДП, работа [16].

4.5.3 Измерения высокочастотного импеданса, работа [3].

4.6 Выводы.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Низкоразмерные плазменные возбуждения в полупроводниковых туннельных структурах»

Актуальность темы. В настоящее время продолжает интенсивно развиваться физика полупроводниковых гетероструктур, особенно низкоразмерных. В немалой степени это продиктовано практическими применениями (и потенциальными возможностями таковых), которые находят структуры указанного типа. Есть ряд проблем при рассмотрении электронного транспорта в таких структурах, решение которых связано с учетом межэлектронных кулоновских эффектов, включая плазменные. В диссертации рассмотрены три такие теоретические проблемы. ' а) Влияние плазменных эффектов на отклик однобарьерных структур в режиме скин-эффекта.

Рассматривается структура конечного сечения типа проводник - плохо проводящий барьер - проводник, когда ток течет поперек барьера. Очевидно, что на высоких частотах далеко от барьера ток сосредоточен в боковом скин-слое проводника. Однако даже качественно непонятно, каково пространственное распределение тока вблизи барьера, в частности, потечет ли ток вдоль барьера или нет. Эта проблема возникает, например, при исследовании импеданса и нелинейного отклика полупроводниковых однобарьерных структур на частотах 100 ГГц и выше. Поэтому задача о скин-эффекте в барьерных структурах является актуальной как с точки зрения физики, так и ввиду ее практической ценности. Решение этой задачи связано с учетом возбуждения особой бесщелевой моды поверхностных плазменных поляритонов. б) Влияние кулоновских эффектов на быстродействие резонансно-туннельных диодов (РТД).

РТД на основе двухбарьерных гетероструктур исследуются уже 25-лет и считаются перспективными для сверхвысокочастотных применений. Так, в [1] было продемонстрировано, что они работают на частотах до 2.5 ТГц. Существуют сложные численные модели, позволяющие корректно описывать динамический отклик РТД [2, 3]. Тем не менее, до сих пор отсутствуют простой (желательно, аналитический) подход, позволяющий делать качественные (а тем более, количественные) предсказания поведения РТД на высоких частотах. Поэтому при анализе экспериментальных данных часто постулируются различные эквивалентные схемы, основанные на не всегда опревданных предположениях. Например, во многих работах предполагается, что времена отклика РТД не могут быть меньше туннельного времени жизни электрона в межбарьерной квантовой яме (КЯ). Это предположение становится сомнительным при самосогдасованном подходе к решению задачи. Проблема заключается в корректном учете накопления электронов в КЯ в процессе резонансного туннелирования на динамику РТД. в) 2ТУ плазмоны в РТД.

10 лет назад было обнаружено, что накопление 2Б электронов в КЯ в режиме резонансного туннелирования может приводить к трансформации вольт-амперной характеристики (ВАХ) от ]М-типа к 2-типу [4]-[8]. Недавно была предложена экспериментальная методика [9, 10], реализующая отрицательные нагрузочные сопротивления, что позволило измерить ВАХ Z-типa. Интерпретация результатов подобных измерений зависит от решения проблемы устойчивости однородного (вдоль КЯ) распределения тока и зарядов в РТД по отношению к неоднородным возмущениям (2Б плазмонам) на 2-образном участке ВАХ. Поскольку при определенных условиях однородное распределение тока оказывается неустойчивым, то появляется проблема описания неоднородного распределения в реалистичной

Цель работы состояла в теоретическом исследовании трех указанных выше проблем.

Научная новизна полученных результатов.

• Впервые вычислен линейный и нелинейный отклик однобарьерной структуры в режиме скин-эффекта с учетом возбуждения барьерных плазменных поляритонов.

• Показано, что накопление заряда в КЯ РТД может существенно влиять на времена отклика РТД. Получено простое аналитическое выражение, связывающее время отклика РТД, туннельные времена жизни электронов в КЯ, статическую дифференциальную проводимость и геометрическую емкость.

• Предсказан эффект самовозбуждения 2Б плазмонов в КЯ РТД.

Основные положения, выносимые на защиту.

1. Линейный и нелинейный отклик типичных полупроводниковых однобарьер-ных структур в ТГц диапазоне частот определяется возбуждением барьерных плазменных поляритонов.

2. Динамический импеданс РТД определяется не только туннельными временами, но и временем релаксации заряда электронов в квантовой яме (тгезр). В высококачественных РТД в области с большой величиной отрицательной дифференциальной проводимости время тгезр велико по сравнению с туннельными временами, при этом вещественная часть дифференциальной проводимости РТД сильно падает (по модулю) на частотах, больших 1 /ттезр.

3. Аналитическое выражение для линейного импеданса РТД, учитывающее эффекты накопления заряда в квантовой яме РТД.

4. Центральное плечо 2-образной ВАХ РТД может быть неустойчиво по отношению к возбуждению двумерных плазмонов в квантовой яме РТД. Развитие этой неустойчивости может приводить к образованию устойчивого двухдо-менного распределения тока и особенностям на ВАХ.

Научная и практическая ценность. Решена задача о скин-эффекте в одноба-рьерных структурах. Показано, что возбуждение барьерных плазменных поля-ритонов в режиме скин-эффекта приводит к неоднородному распределению тока в плоскости барьеров, что может существенно (на порядок) менять импеданс и выпрямляющие свойства таких структур.

Понимание механизмов, определяющих быстродействие РТД, необходимо для их оптимизации. В диссертации рассмотрено влияние накопления заряда в КЯ РТД на динамические свойства диода. Показано, что за счет этого эффекта время отклика РТД (тге$р) может быть как много меньше, так и много больше (в зависимости от участка на ВАХ) туннельного времени жизни электронов в КЯ. Получено простое аналитическое выражение, связывающее статическую дифференциальную проводимость РТД и тгеер. Это выражение позволяет извлекать тгезр из статических измерений. Выведено простое аналитическое выражение для импеданса РТД. Установлены пределы применимости часто используемых 11С и ЯЬС эквивалентных схем РТД.

Решение проблемы линейной устойчивости 2Б плазмонов в КЯ РТД, а также устойчивости неоднородного двухдоменного распределения концентрации электронов в КЯ позволяет интерпретировать измерения ВАХ на 2-образном участке. Результаты справедливы при произвольной внешней цепи.

Апробация работы. Материалы диссертации докладывались на международном симпозиуме "Физика и компьютерное моделирование приборов, основанных на низкоразмерных структурах" (Айзу-Вакамацу, Япония, 1995 г.), на международных симпозиумах "Наноструктуры: физика и технология" (С.-Петербург, Россия, 1997, 1998, 1999 г.), на международных симпозиумах по физике полупроводниковых приборов (Шарлоттесвиль, США, 1995, 1997 г.), на XXIII международном симпозиуме по сложным полупроводникам (С.-Петербург, Россия, 1996 г.), на II, III и IV Всероссийских конференциях по физике полупроводников (Зелено-горек, 1995 г.; Москва, 1997 г.; Новосибирск, 1999 г.), на 24-ой международной конференции по физике полупроводников (Иерусалим, Израиль, 1998 г.).

Часть результатов, представленных в диссертации, получена в рамках исследований, проводившихся в 1994-1999 гг. по грантам РФФИ (94-02-04913, 96-02-18811 и 99-02-17592), Миннауки РФ (проекты 96-1019 и 99-1124 МНТП "Физика твердотельных наноструктур" и проекты 95-3.1 и 3.1.99 подпрограммы "Поверхностные атомные структуры"), INTAS-RFBR (95-0849), INTAS (97-11475) и CRDF (RC1-220).

Публикации. Основные результаты диссертации опубликованы в 18 печатных работах: [19], [46]-[62].

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Фейгинов, Михаил Наумович

4.6 Выводы

Рассмотрено влияние эффектов накопления заряда в квантовой яме в процессе резонансного туннелирования электронов в РТД на динамический импеданс РТД. Показано, что время релаксации заряда в КЯ (тгеер) может определять времена отклика РТД.

• В области положительной дифференциальной проводимости, за исключением центрального плеча 2-образного участка ВАХ, тгезр всегда меньше (или даже много меньше) туннельного времени жизни электронов в квантовой яме (таюец). В том случае, если туниелирование происходит из 2Б подзоны в обогащенном слое со стороны эмиттера, тгезр может быть на порядки меньше

1~с1и)е11 ■

• В области отрицательной дифференциальной проводимости (ОДП) тгезр > талией и тге8р —»• оо, когда С°КТГ) —оо. В случае РТД с большой ОДП спад (по модулю) вещественной части проводимости РТД происходит на частотах порядка 1 /тге8р. Тем не менее, вещественная часть проводимости РТД может быть конечной и отрицательной на частотах, больших по сравнению с 1 ¡ТйтеИ

Получено простое аналитическое выражение, связывающее статическую дифференциальную проводимость РТД и тгезр (4.9). Выведено аналитическое выражение для импеданса РТД (4.10), которое самосогласованно учитывает эффект электростатической обратной связи. В низкочастотном пределе оно описывает особенности в емкости РТД. Найдены пределы применимости КС и ИХС эквивалентных схем РТД.

Глава 5

Заключение

1. Решена задача о скин-эффекте в барьерной структуре конечной ширины типа проводник (металл или полупроводник) - барьер (в частности, туннельный) - полупроводник. Указано на возможность возбуждения в этом режиме особых "барьерных" плазменных поляритонов (БПП), которые локализованы в барьере и прибарьерной области и имеют 2D спектр. Выявлена аналитическая связь между спектром БПП и линейным динамическим импедансом структуры, а также ее выпрямляющими характеристиками. Возбуждение БПП существенно увеличивает нелинейный отклик структуры. Показано, что линейный и нелинейный отклик типичных полупроводниковых однобарьерных туннельных структур в ТГд диапазоне частот определяется возбуждением БПП.

2. Найден спектр и исследованы свойства экранированных 2Б плазмонов в квантовой яме РТД в режиме резонансного туннелирования. В структурах высокого качества "затравочная" статическая ВАХ имеет Z-oбpaзный участок, центральное плечо которого неустойчиво к возбуждению 2Б плазмонов с любыми или достаточно малыми волновыми векторами (в зависимости от толщины барьеров). В РТД с мезой в форме узкой полосы реализуется один из трех случаев:

• Структуры низкого качества (уширение резонансных переходов велико):

ВАХ имеет ]М-образный вид, 2Б плазмоны устойчивы.

• Структуры высокого качества (уширение резонансных переходов мало) с толстыми туннельными барьерами: ВАХ имеет 2-образный участок, и 2Б плазменная неустойчивость развивается лишь в РТД больших размеров. При малой длине полосы эта неустойчивость подавляется рассеянием электронов.

• Структуры высокого качества с тонкими барьерами: центральное плечо Z-oбpaзнoгo участка на ВАХ неустойчиво при любых размерах РТД.

В реалистичной модели найдены нелинейные бегущие и статические решения для неоднородного (в плоскости барьеров) распределения 2D электронного газа в квантовой яме РТД. Предсказан новый тип волн переключения, которые переводят РТД из состояния с однородным распределением тока на центральном плече Z-oбpaзнoгo участка ВАХ в высокотоковое и низкотоковые состояния. Показано, что статическое двухдоменное распределение 2Б электронного газа является устойчивым при определенном выборе параметров внешней цепи. Это приводит к характерным особенностям на ВАХ.

Рассмотрено влияние эффектов накопления заряда в квантовой яме в процессе резонансного туннелирования электронов в РТД на динамический импеданс РТД. Показано, что время релаксации заряда в КЯ (тгезр) может определять времена отклика РТД.

• В области положительной дифференциальной проводимости, за исключением центрального плеча Z-oбpaзнoгo участка ВАХ, тгеер всегда меньше (или даже много меньше) туннельного времени жизни электронов в квантовой яме (т^еи)- В том случае, если туннелирование происходит из 2Б подзоны в обогащенном слое со стороны эмиттера, ттевр может быть на порядки меньше

• В области отрицательной дифференциальной проводимости (ОДП) тге5р > т<1ь)е11 и Гге«р 00 > когда СдТ£) —> — оо. В случае РТД с большой ОДП спад (по модулю) вещественной части проводимости РТД происходит на частотах порядка 1 ¡тгезр. Тем не менее, вещественная часть проводимости РТД может быть конечной и отрицательной на частотах, больших по сравнению с Х/т^ц.

5. Получено простое аналитическое выражение, связывающее статическую дифференциальную проводимость РТД и тте8р (4.9). Выведено аналитическое выражение для импеданса РТД (4.10), которое самосогласованно учитывает эффект электростатической обратной связи. В низкочастотном пределе оно описывает особенности в емкости РТД. Найдены пределы применимости ИС и 11ЬС эквивалентных схем РТД.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Фейгинов, Михаил Наумович, 1999 год

1. Sollner Т. С. L. G., Goodhue W. D., Tannenwald P. E., Parker C. D., Peck D. D., Resonant tunneling through quantum wells at frequencies up to 2.5 THz // Appl. Phys. Lett. — 1983. — V. 43. — No. 6. — P. 588-590.

2. Genoe J., Van Hoof C., Van Roy W., Smet J. H., Fobelets K., Mertens R. P., Borghs G. Capacitance in double-barrier tunneling structures // IEEE Trans. Elect. Dev. — 1991. — V. 38. — No. 9. — P. 2006-2012.

3. Sheard F. W., Toombs G. A. Space-charge buildup and bistability in resonant-tunneling double-barrier structures // Appl. Phys. Lett. — 1988. — V. 52. — No. 15. — P. 1228-1230.

4. Goldman V. J., Tsui D. C., Cunningham J. E. Observation of intrinsic bistability in resonant tunneling structures // Phys. Rev. Lett. — 1987. — V. 58. — No. 12. — P. 1256-1259.

5. Zaslavsky A., Goldman V. J., Tsui D. C., Cunningham J. E. Resonant tunneling and intrinsic bistability in asymmetric double-barrier heterostructures // Appl. Phys. Lett. — 1988. — V. 53. — No. 15. — P. 1408-1410.

6. Mains R. К., Sun J. P., Haddad G. I. Observation of intrinsic bistability in resonant tunneling diode modeling // Appl. Phys. Lett. — 1989. — V. 55. — No. 4. — P. 371-373.

7. Berkowitz H. L., LuxR. A. Hysteresis predicted in IV curve of heterojunction resonant tunneling diodes sumulated by a self-consistent quantum method //J. Vac. Sci. Technol. В — 1987. — V. 5. — No. 4. — P. 967-970.

8. Martin A. D., Lerch M. L., Simmonds P. E., Eaves L. Observation of intrinsic tristability in a resonant tunneling structure // Appl. Phys. Lett. — 1994. — V. 64. — No. 10. — P. 1248-1250.

9. Zhang C., Lerch M. L. F., Martin A. D., Simmonds P. E., Eaves L. Plasmon assisted resonant tunneling in a double barrier heterostructure // Phys. Rev. Lett. — 1994. — V. 72. — No. 21. — P. 3397-3399.

10. Тальянский В. И. О неустойчивости поверхностных плазменных волн в структурах с резонансным туннелированием через двойной барьер // ЖЭТФ — 1992. — Т. 101. — Вып. 6. — С. 1846-1852.

11. Luryi S. Frequency limit of double-barrier resonant-tunneling oscillators // Appl. Phys. Lett. — 1985. — V. 47. — No. 5. — P. 490-492.

12. Sheard F. W., Toombs G. A. Space-charge effects and AC response of resonant tunneling double-barrier diodes // Solid-State Electronics — 1989. — V. 32. — No. 12. — P. 1443-1447.

13. Brown E. R., Sollner Т. C. L. G., Goodhue W. D., Parker C. D. Millimeterband oscillations based on resonant tunneling in a double-barrier diode at room temperature // Appl. Phys. Lett. — 1987. — V. 50. — No. 2. — P. 83-85.

14. Jo J., Li H. S., Chen Y. W., Wang K. L. Observation of a large capacitive current in a double barrier resonant tunneling diode at resonance // Appl. Phys. Lett. — 1994. — V. 64. — No. 17. — P. 2276-2278.

15. Szentirmay Z. Surface plasmon assisted electron-photon interaction in metal-oxide-metal layered structures // Progr. Quant. Electr. — 1991. — V. 15. — P. 175-194.

16. Savost'yanova N. A., Sandomirsky V. B. Control of the dispersion law of an interface polariton in a metal-semiconductor Schottky-barrier // Semic. Sci. Technol.1993. — V. 8. — N. 2. — P. 185-190.

17. Feiginov M. N., Mikhailov S. A., Volkov V. A. Tunnel junction plasmons in hy-drodynamic approximation // Phys. Low-Dim. Struct. — 1994. — V. 9. — P. 1-9.

18. Михайлов С. А., Волков В. А. Квантовая емкость туннельной структуры, обусловленная конечностью туннельных времен // Письма в ЖЭТФ — 1995.

19. Т. 61. — Вып. 6. — 508-513.

20. Вайнштейн JI. А. Электромагнитные волны. — М.: Радио и связь, 1988. — С. 440.

21. Mizuta Н., Tanoue Т. The physics and applications of resonant tunneling diodes

22. Cambridge University Press, 1995. — P. 239.

23. Sollner Т. C. L. G., Brown E. R., Goodhue W. D., Le. H. Q. Microwave and millimiter-wave resonant-tunneling devices // Physics of Quantum Electron Devices (Springer Series in Electronics and Photonics): Vol. 28 / edited by Capasso F.

24. Springer-Verlag, New York, 1989. — P. 147-182.

25. Chaplik A. V. Possible crystalization of chrge carriers in low-debsity inversion layers // JETP — 1972. — V. 35. — P. 395-398.

26. Glavin B. A., Kochelap V. A., Mitin V. V. Patterns in bistable resonant-tunneling structures // Phys. Rev. В — 1997. — V. 56. — No. 20. — P. 13346-13359.

27. Мельников Д. В., Подливаев А. И. Латеральная бегущая волна как форма переходного процесса в резонансно-туннельной структуре // ФТП — 1998. — Т. 32. — No. 2. — С. 227-234.

28. Glavin В. A., Kochelap V. A., Mitin V. V. New type of electric oscillations in bistable resonant tunneling diodes //J. Appl. Phys. — 1999. — V. 85. — No. 6.1. P. 3359-3363.

29. Meixner M., Rodin P., Scholl E., Wacker A. Lateral current density fronts in globally coupled bistable semiconductors with S- or Z-shaped current voltage characteristics // to be published in European Physical Journal.

30. Datta S. Electronic transport in mesoscopic systems — Cambridge University Press, 1995. — P. 320.

31. Казаринов P. Ф., Сурис P. А. К теории электрических и электромагнитных свойств полупроводников со сверхрешеткой // ФТП — 1972. — Т. 6. — Вьйг. 1. — С. 148-162.

32. Васько Ф. Т., Райчев О. Э. Резонансная туннельная релаксация фотовозбужденных электронов в двойных квантовых ямах // ЖЭТФ — 1995. — Т. 108.1. Вып. 6. — С. 2103-2124.

33. Raichev О. Е., Vasko F. Т. Electron transport in double quantum wells under the longitudinal siza-effect regime // Phys. Rev. В — 1997. — V. 55. — No. 4. — P. 2321-2330.

34. Tsu R., Esaki L. Tunneling in a finite superlattices // Appl. Phys. Lett. — 1973.

35. V. 22. — No. 11. — P. 562-564.

36. Chang L. L., Esaki L., Tsu R. Resonant tunneling in semiconductor double barriers // Appl. Phys. Lett. — 1974. — V. 24. — P. 593-595.

37. Hu Y., Stapleton S. Quantum capacitance of resonant tunneling diodes // Appl. Phys. Lett. — 1991. — V. 58. — No. 2. — P. 167-169.

38. Wei Т., Stapleton S., Berolo E. Equivalent circuit and capacitance of double barrier resonant tunneling diode // J. Appl. Phys. — 1993. — V. 73. — No. 2. — P. 829834.

39. Wei Т., Stapleton S. Effect of spacer layers on capacitance of resonant tunneling diodes // J. Appl. Phys. — 1994. — V. 76. — No. 2. — P. 1287-1290.

40. Gering J. M., Crim D. A., Morgan D. G., Coleman P. D., Kopp W., Morkoc H. A small-signal equivalent-circuit model for GaAs-AlxGalxAs resonant tunneling heterostructures at microwave frequencies //J. Appl. Phys. — 1987. — V. 61. — No. 1. — P. 271-276.

41. Joosten H. P., Noteborn H. L. M. F., Kaski K., Lenstra D. The stability of the self-consistently determined current of a double-barrier resonant-tunneling diode // J. Appl. Phys. — 1991. — V. 70. — No. 6. — P. 3141-3147.

42. Казаринов P. Ф., Сурис P. А. О возможности усиления электромагнитных волн в полупроводнике со сверхрешеткой // ФТП — 1971. — Т. 5. — Вып. 4.1. С. 797-800.

43. Faist J., Capasso F., Sirtori C., Sivco D. L., Hutchinson A. L., Cho. A. Vertical transition quantum cascade laser with Bragg confined excited state // Appl. Phys. Lett. — 1995. — V. 66. — No. 5. — P. 538-540.

44. Buttiker M., Thomas H. Current instability and domain propagation due to Bragg scattering // Phys. Rev. Lett. — 1977. — V. 38. — No. 2. — P. 78-80.

45. Scott J. S., Kaminski J. P., Wanke M., Allen S. J., Chow D. H., Lui M., Liu T. Y. Terahertz frequency response of an InO.53GaO.47As/AlAs resonant-tunneling diode // Appl. Phys. Lett. — 1994. — V. 64. — No. 15. — P. 1995-1997.

46. Feiginov M. N., Volkov V. A. The resonance behavior of the AC impedance of the one-barrier and two-barrier semiconductor tunnel structures // 23rd Int. Symp. on Compound Semiconductors: Program and Summaries St .-Petersburg, Russia, 1996. - P. 5.

47. Фейгинов M. H., Волков В. А. Влияние плазменных поляритонов на динамический импеданс туннельных структур в режиме скин-эффекта // Ш-яя всероссийская конференция по физике полупроводников: Тезисы докладов -Москва, Россия, 1997. С. 161.

48. Feiginov М. N., Volkov V. A. THz Impedance of Tunnel Diodes: Skin Effect Influence // the 1997 International Semiconductor Device Research Symposium: Proceedings Charlottesville, VA, USA, 1997. - P. 155-158.

49. Feiginov M. N., Volkov V. A. AC response of the tunnel junctions substantiated by the junction plasmons // Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology": Proceedings St.-Petersburg, Russia, 1997. - P. 505-507.

50. Feiginov M. N., Volkov V. A. Enhancement of the nonlinear response of the semiconductor tunnel structures in the skin-effect regime // Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology": Proceedings St.-Petersburg, Russia, 1998. -P. 503-506.

51. Feiginov M. N., Volkov V. A. The domain-like structure of the current distribution in the double barrier structures with resonant tunneling // 24th Int. Conference on the Physics of Semiconductors: Proceedings Jerusalem, Israel, 1998.

52. Фейгинов М. Н., Волков В. А. Самовозбуждение 2D плазмонов в резонансно-туннельных диодах // Письма в ЖЭТФ — 1998. — Т. 68. — Вып. 8. — С. 633-638.

53. Feiginov М. N., Volkov V. A., Maan J. С. The lateral inhomogeneity of current in the resonant tunneling regime // Phys. Low-Dim. Struct. — 1999. — V. 1/2. — P. 67-73.

54. Фейгинов M. H., Волков В. А. Скин-эффект и отклик полупроводниковых барьерных структур // Письма в ЖЭТФ — 1999. — Т. 69. — Вып. 4. — С. 307-312.

55. Feiginov M. N., Volkov V. A., Eaves L., Maan J. C. Quantum-well plasma instability in the resonant tunneling regime // Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology": Proceedings St.-Petersburg, Russia, 1999. - P. 259-262.

56. Feiginov M. N. Space-Charge Effects and Dynamic Properties of Resonant-Tunneling Diodes// Preprint IRE RAS Moscow, Russia, 1999. - P. 10.

57. Фейгинов M. H., Волков В. A. 2D плазменные неустойчивости в резонансно-туннельных гетероструктурах // IV-яя всероссийская конференция по физике полупроводников: Тезисы докладов Новосибирск, Россия, 1999.