Низкочастотные релаксационные процессы вблизи структурных фазовых переходов в кристаллических и полимерных сегнетоэлектриках тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Малышкина, Инна Александровна

• Малышкина, Инна Александровна
• кандидат физико-математических наук
• 2000

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Малышкина, Инна Александровна

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА I ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ.

§1.1 Диэлектрическая спектроскопия и пироэлектрический анализ как способы изучения твердых тел.

1.1.1 Диэлектрическая спектроскопия в современной физике твердого тела.

1.1.2 Пироэлектричество как способ изучения кристаллических структур.

§1.2 Объекты исследования.

1.2.1 Кристалл моноклинного фосфата аммония теллуриевой кислоты.

1.2.2 Поливинилиденфторид и родственные сополимеры.

ГЛАВА II ОБРАЗЦЫ И МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА.

§2.1 Приготовление образцов.

2.1.1 Кристалл моноклинного фосфата аммония теллуриевой кислоты.

2.1.2 Сополимер винилиденфторида с трифторэтиленом.

§2.2 Методы получения и обработки экспериментальных данных.5$

2.2.1 Методы анализа диэлектрических спектров.

2.2.2 Методы пироэлектрического и термодеполяризационного анализа.

§2.3 Методика эксперимента.

2.3.1 Экспериментальная установка.

-32.3.2 Методика измерений пирокоэффициента и токов термо депо ляризации.

2.3.3 Методика измерений диэлектрической проницаемости и тангенса угла диэлектрических потерь.

2.3.4 Методика измерения удельного сопротивления.

ГЛАВА III ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ.

§ 3.1 Особенности фазового перехода в кристалле моноклинного фосфата аммония теллуриевой кислоты.

§3.2 Влияние допирования на сегнетоэлектрический фазовый переход в сополимере винилиденфторида с трифторэтиленом.

ВЫВОДЫ.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Низкочастотные релаксационные процессы вблизи структурных фазовых переходов в кристаллических и полимерных сегнетоэлектриках»

В последнее время в физике твердого тела повышенное внимание уделяется изучению систем с неупорядоченными элементами и фазовых переходов в них. Примерами таких сред являются реальные кристаллы и полимеры. В рамках этой проблемы актуальным направлением является установление связи элементов структуры (особенности атомного строения, ассоциаты, надмолекулярные образования, межфазные границы) таких объектов с их электрофизическими свойствами.

Для наиболее актуальных практических применений при целенаправленном поиске активных сред важно выяснить, какие материалы имеют оптимальные параметры при минимальном уровне шумов. Большой интерес исследователей и разработчиков вызывают датчики, основанные на пиро- и пьезоэлектрических преобразователях. Для них требуется информация о таких параметрах, как диэлектрическая проницаемость £, проводимость сг, пироэлектрический коэффициент у, а также других величинах. Эмпирически установлено, что часто ничтожные добавки примесей (от 1 частицы на 2000 атомов) на порядки изменяют величины вышеперечисленных параметров, особенно вблизи температур фазовых или релаксационных переходов.

Важное место в физике структурных фазовых переходов и сопутствующих явлений занимает исследование сегнетоэлектриков. Это во многом обусловлено как разнообразием наблюдаемых в них явлений, так и сравнительной доступностью соответствующих экспериментальных методик. Большой интерес вызывает изучение динамических характеристик сегнетоэлектриков, так как они дают ценную информацию о характере фазового перехода, о типе динамики параметра порядка (резонансная, релаксационная), о временах его релаксации, энергиях активации и т.п.

Для использования в пьезо- и пироэлектрических преобразователях наиболее важны такие полярные диэлектрики, у которых в достаточно широком интервале температур пироэлектрический коэффициент у сохранял бы высокие значения, а частотные зависимости е и <т изменялись в нужных пределах. Однако многие сегнетоэлектрики, удовлетворяющие этому условию, деполяризуются из-за разбиения на домены. Для монодоменизации используют введение примесей в растущий кристалл, облучение под полем и т.п. При этом в сегнетоэлектриках возникают достаточно высокие внутренние поля, которые ведут к размытию фазовых переходов и увеличению интервала температур, где значение пирокоэффициента максимально. Поэтому изучение новых кристаллических и полукристаллических систем с дефектами представляет большой интерес с точки зрения управления их свойствами.

Целью работы было изучить влияние структурного несовершенства на протекание сегнетоэлектрического фазового перехода в твердом теле в рамках новейших представлений о природе диэлектрического отклика, пироэлектрического и термодеполяризационного анализа. Это влияние изучалось на примере двух систем: кристалла, содержащего элементы, сходные со структурой дигидрофосфата калия (КОР), и полукристаллической пленки на основе широко изученного полимера поливинилиденфторида (ПВДФ). Объектами исследования были выбраны кристалл моноклинного фосфата аммония теллуриевой кислоты (ТААР) и сополимер винилиден-фторида с трифторэтиленом, содержащий полярную примесь родамин 6Ж (Р6Ж). Основной особенностью структуры ТААР является одновременное существование в кристаллической решетке двух различных атомных анионных групп ТеОё и РО4, что усложняет ее. В кристалле установлено существование неупорядоченной сетки водородных связей (ВС), которая должна оказывать значительное влияние на электрофизические свойства кристалла. Структура сегнетоэлектрического сополимера ВДФ/ТрФЭ представляет собой кристаллиты, перемешанные с областями аморфной фазы. Введение Р6Ж в сополимер приводит к появлению ряда фотоэлектрических свойств, механизм которых берет начало из взаимодействий протонной и электронной подсистем введенных молекул допанта с сегне-тоэлектрической полимерной матрицей [Верховская, 1994]. Есть основания ожидать сходность характеристик диэлектрического отклика таких различных по своей структуре объектов, что является важным с точки зрения установления общих закономерностей поведения систем с неупорядоченными элементами в переменном электрическом поле.

В работе использовались методы пироэлектрического анализа и диэлектрической спектроскопии, которые, будучи чувствительными к близ-кодействию, позволяют обнаружить и исследовать различные структурные изменения в материалах, в том числе и фазовые переходы.

В последние годы для описания релаксационных явлений в сложных твердых системах привлекаются фрактальные модели. Особенно плодотворны эти подходы для описания диэлектрических спектров в низкочастотных и инфранизкочастотных областях.

Современные представления о механизмах диэлектрического отклика были обобщены и проанализированы Йоншером /!/отскег, 1983]. В результате анализа большого количества экспериментальных данных им было показано, что диэлектрический отклик твердых тел характеризуется не-дебаевскими универсальными фрактально-степенными законами с дробными показателями степеней. При этом у дипольных материалов и у систем, в которых преобладают малоподвижные носители заряда, частотные зависимости диэлектрических потерь сильно различаются, что позволяет уже на первых шагах анализа экспериментальных результатов выявить природу диэлектрического отклика в веществе.

В результате проведенных экспериментов получены следующие утверждения:

1. В кристалле ТААР в окрестности температуры Кюри фазовый переход размыт и максимум пирокоэффициента у смещен в область сегнето-фазы. Обнаружены дополнительные аномалии электрофизических свойств в районе 0°С, обусловленные изменением энергетических характеристик ВС. В поведение электрических свойств в области фазового перехода вносит значительный вклад низкочастотная проводимость.

2. Введение полярной примеси Р6Ж в сополимер ВДФ/ТрФЭ сильно изменяет величину диэлектрической проницаемости, ее температурное поведение и другие характеристики сегнетоэлектрического фазового перехода. Установлено, что примесь преимущественно внедряется в аморфную фазу сополимера.

-83. В системах с неупорядоченными элементами значительный вклад в диэлектрический отклик вносит релаксация низкочастотной проводимости.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Малышкина, Инна Александровна

выводы

1. В широком интервале температур изучены температурные зависимости электрофизических свойств: диэлектрической проницаемости е (на частоте 1 кГц), токов термодеполяризации j и удельного сопротивления р кристалла моноклинного фосфата аммония теллуриевой кислоты (ТААР). В районе 48°С наблюдался размытый сегнетоэлектрический фазовый переход. Обнаружено исчезновение тока j при 7М)°С. По данным j(T) и р(Т) были рассчитаны энергии активации и определены концентрации носителей заряда, которые согласуются с данными для KDP и изоморфных ему кристаллов.

2. Исследовано пироэлектрическое поведение кристалла ТААР. Показано, что хотя пирокоэффициент обращается в ноль при температуре Кюри (48°С), размытый максимум пирокоэффициента (утах =7 ед-CGSE) приходится на область температур -20ч-20°С, т.е. сдвинут относительно точки Кюри в область полярной фазы. Для приращения спонтанной поляризации в интервале температур -100-ь20°С выполняется закон у

APS (T)~(T-Tj, при этом значение коэффициента наклона данной прямой гораздо ниже, чем для идеальных кристаллов. По данным зависимостей APS (Т) и l/s'(T) были рассчитаны коэффициенты а и ß в разло

-5 С жении Ландау по степеням поляризации: cf=4.8-10" , ß=2.2-№' (в системе единиц CGSE).

-1123. В широком интервале частот внешнего электрического поля (10 Гц - 20 кГц) вдали от Тк были получены фрактально-степенные зависимости комплексной диэлектрической проницаемости от частоты. Полученные температурные зависимости степенных параметров позволили определить характер проводимости в кристалле: вдали от критических точек (0°С и Тк) это диффузия носителей заряда (возможно, протонов) на дефектах, а вблизи этих критических температур - дрейф.

4. Протекание фазового перехода в сополимере ВДФ/ТрФЭ в присутствии Р6Ж сильно зависит от количества примеси. Значения диэлектрической проницаемости в точке Кюри максимальны для 0.5 вес. % Р6Ж и при дальнейшем увеличении количества допанта спадают. Диэлектрический гистерезис указывает на фазовый переход I рода и выглядит по-разному в зависимости от количества примеси: уже при наличии 0.5 вес. % Р6Ж максимум при Тк перекрывается потерями проводимости. Увеличение содержания Р6Ж также приводит к возрастанию ас-проводимости в точке Кюри с 10"6 (Ом-м)"1 для чистого ВДФ/ТрФЭ до Ю"4(Ом-м)"' для сополимера с 1.5 вес. % Р6Ж.

5. Для частотных зависимостей диэлектрической проницаемости и потерь всех исследованных составов сополимера ВДФ/ТрФЭ с Р6Ж вдали от температуры Кюри выполняется фрактально-степенной закон диэлектрического отклика, который является универсальным для твердых тел.

6. Вид диаграмм Коула-Коула, построенных для всех исследованных сополимеров, позволяет говорить о существенном влиянии сквозной проводимости на низкочастотные диэлектрические спектры ВДФ/ТрФЭ,

-113допированного Р6Ж. Времена релаксации проводимости принимают значения порядка 10"5-г10"4 сек для допированных сополимеров и 10"3 для чистого и уменьшаются с ростом температуры. При этом чем больше родамина находится в составе полимера, тем время релаксации выше, что может быть связано с появлением макродиполей или увеличением их размера.

7. Проведенное комплексное исследование релаксационных диэлектрических и электрофизических свойств в области сегнетоэлектрического фазового перехода для кристаллических и полимерных систем с неупорядоченной фазой или примесями показало, что явление низкочастотной проводимости оказывает существенное влияние не только на релаксационные параметры сегнетоэлектрического фазового перехода, но и на протекание самого перехода в целом.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Электрофизические свойства сегнетоэлектрических систем, содержащих в своей структуре водородные связи, несомненно представляют значительный интерес с точки зрения определения роли ВС в процессах упорядочения, а также в установлении характера проводимости в области структурных фазовых переходов. Аномалии таких физических свойств, как пирокоэффициент, токи термодеполяризации, удельное сопротивление, наблюдаемые в различных кристаллах и полимерах при температурах, значительно более низких, чем точка Кюри, возможно, связаны с перезасе-ляемостью протонных уровней на ВС. Наиболее часто в биологических и кристаллических системах встречаются аномалии при 0, 20 и 100°С, а также в районе -160°С. В качестве примеров такого поведения можно привести поверхностный фазовый переход при 20°С в сегнетоэлектрических пленках Ленгмюра-Блоджетт сополимера ВДФ/ТрФЭ, упорядочение протонной подрешетки в области 0°С в пленках Ленгмюра-Блоджетт на основе азосоединений [Гаврилова и др., 1992], дополнительные аномалии ниже Тк в кристаллах диметиламмонийалюминийсульфата гексагидрата при -160°С [Кирпичникоеа и др., 1991].

В ходе исследований установлено, что в системах, содержащих ионы водорода или ВС, при повышении температуры, особенно в районе этих названных точек, часто значительный вклад в диэлектрический отклик вносит транспорт протонов или прыжковая проводимость, что сильно изменяет вид характеристик диэлектрического отклика (например, диаграм

-115мы е'Хе') вместо полуокружности имеют вид отрезка прямой линии). В связи с этим необходимо при анализе экспериментальных данных учитывать вклад проводимости по переменному току, в том числе и токи термодеполяризации.

В заключении автор выражает искреннюю благодарность своему научному руководителю - доктору физико-математических наук Гавриловой Надежде Дмитриевне за постановку задачи и помощь в интерпретации полученных результатов, а также доктору физ.-мат. наук Новику Виталию Константиновичу, кандидату физ.-мат. наук Лотонову Александру Михайловичу за участие в обсуждении экспериментального материала. Также хотелось бы поблагодарить научного сотрудника ИК РАН Верховскую К.А. и научного сотрудника Тверского ГУ Большакову H.H. за предоставленные образцы, и всех сотрудников кафедры физики полимеров и кристаллов за поддержку и интерес, проявленный к работе.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Малышкина, Инна Александровна, 2000 год

1. ШБерман Р.Н. Теплопроводность твердых тел. М.: Мир, 1979. 286 с.

2. ШБольшакова H.H., Рудяк В.М., Черешнева М.Н., Чапла С. "Комплексное исследование физических свойств кристаллов моноклинного фосфата аммония теллуриевой кислоты" // Известия РАН (серия физическая). 1993. 57. №9. С.59-62.

3. Браун В. Диэлектрики. М., Изд. иностр. лит., 1961. 326 с.

4. ШВайнштейн Б.К./ в сб.: Современная кристаллография Т.1. М.: Наука, 1971. С. 380.

5. ШВерховская К.А., Фридкин В.М. "Структурнохромный эффект в оптически сенсибилизированных полимерных сегнетоэлектриках'У/ Докл. Акад. Наук. 1990. 35. №5. С. 1105-1107.

6. ШВерховская К.А., Бунэ A.B. "Спектральная сенсибилизация сегнето-электрических полимеров"//ФТТ. 1991.33. №6 С. 1659-1664.

7. ШВерховская К. А. "Допированные сегнетоэлектрические полимеры"// Кристаллография, 1994. 39. №5. С.939-957.

8. ШВерховская К. А. "Допированные сегнетоэлектрические полимеры". Дисс. д.ф.-м.н. М.: ЖРАН, 1996. 278 с.

9. ШГаврилова Н.Д., Белугина Н.В., Мелешина В.А., Новик В.К., Анкудинов М.А., Юрин В.А. "Пироэлектрический эффект и доменная структура у-облученных кристаллов триглицинсульфата"// Электронная техника. Сер. "Материалы". 1975. №1. С.69-74.

10. Ш| Гаврилова Н.Д. "Пироэлектричество монокристаллов с водородными связями". Дисс. д.ф.-м.н. М.: МГУ, 1988. 303 с.

11. ШГаврилова Н.Д., Лотонов A.M., Щагина Н.М. "Метастабильное температурное поведение пирокоэффициента и удельного сопротивления кристаллов диглициннитрата и тригидроселената натрия ниже точки Кюри"// Неорганические материалы, 1991. 27. №7. С. 1517-1521.

12. ШГаврилова Н.Д., Павлов С.В "Водородные связи и аномальные диэлектрические свойства в диглициннитрате'7/ Известия РАН. Сер. Неорганические материалы, 1991. 27. №3. С. 566-570.

13. ШГаврилова Н.Д., Лазарев В.В., Новик В.К, Фролова Т.Е. "Пироэлектрические и диэлектрические свойства ленгмюровских пленок на основе азосоединений при -5-ь40°С"//Биологические мембраны, 1992. 9. №9. С.977-983.

14. ШГаврилова Н.Д., Новик В.К., Малышкина H.A. Мукина О.В. "Пироэлектричество кристаллов, содержащих неупорядоченную фазу'7/ Неорганические материалы, 1998. 34. №9. С. 1101-1104.

15. Ш Галиярова Н.М. "Эмпирическое описание областей диэлектрической дисперсии с линейной зависимостью между проницаемостью и потерями"/ в сб. "Сегнетоэлектрики и пьезоэлектрики" Тверь, 1991. С.98-104.

16. ШГороховатский Ю.А. Основы термодеполяризационного анализа. М., 1981. 173 с.

17. ШГуревич В.М. Электропроводность сегнетоэлектриков. М.: Мир, Госстандарт, 1969. 265 с.

18. ШДухин С.С., Шилов В.Н. Диэлектрические явления и двойной слой в дисперсных системах и полиэлектролитах. Киев: "Наукова думка", 1972.206 с.

19. Ш Забродский Ю.Р., Кошкин В.Н., Решетняк Ю.Б. "Сегнетоэлек-трическое упорядочение динамических диполей в суперионных кристаллах"// Изв. АН СССР. Сер. Физ. 1990. 54. № 6. С. 1207 1211.

20. ШЗацепина Г.Н. Физические свойства и структура воды. М.: МГУ, 1987. 171 с.

21. ШКирпичникова Л.Ф., Иванов Н.Р., Гаврилова Н.Д., Долбинина В.В., Слаб-кая Г.Л., Шувалов Л.А. "Электрические свойства кристаллов диметиламмонийалюминийсульфата гексагидрата"// Кристаллография, 1991. 36. С. 1241-1245.

22. ШКременчугский Л.С., Ройцина О.В. Пироэлектрические приемные устройства. Киев: "Наукова думка", 1982. 364 с.

23. ЩЛайнс М., Гласс А. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы. -М.: Мир, 1981.736 с.

24. ШЛандау Л.Д., Лифшиц Е.М. Электродинамика сплошных сред. М., 1982. 623 с.

25. ШЛотонов A.M., Гаврилова Н.Д., Зацепина Г.Н. "Аномалии электрических свойств пиро-сегнетоэлектриков с водородными связями'7/ Известия АН СССР. Сер. Неорганические материалы, 1990. 26. №10. С. 21562159.

26. ШЛотонов A.M., Медведев КН., Гаврилова Н.Д., Новик В.К. "Водородная связь и электрофизические свойства кристаллов группы дигидрофосфа-та калия и триглицинсульфата при температурных воздействиях"// Неорганические материалы, 1993. 29. №6. С. 816-819.

27. ШЛьвов Ю.М., Фейгин Л.А. "Рентгеновское малоугловое исследование структур молекулярных пленок"// Кристаллография, 1986. 31. №4. С. 751-756.

28. ШНовик В.К., Гаврилова Н.Д., Фельдман Н.Б. Пироэлектрические преобразователи. М.: Сов. Радио, 1979. 182 с.

29. ШПешиков Е.В. Радиационные дефекты в сегнетоэлектриках. Изд. ФАН Узб. ССР. 1986. 140 с.

30. Ш|Рез И.М., Поплавко Ю.М. Диэлектрики. М.: "Радио и связь", 1989. 288 с.

31. Ш Струков Б.А., Леванюк А.П. Физические основы сегнетоэлектрических явлений в кристаллах. -М.: Наука. Физматлит, 1995. 304 с.

32. Щ Усманов С.М. Релаксационная поляризация диэлектриков. Расчет спектров времен электрической релаксации. М.: Наука, 1996. 144 с.

33. Щ Фролова Т.Б. "Пироэлектрические и диэлектрические свойства полукристаллических пленок". Дисс. к.ф.-м.н. М.: МГУ, 1997. 119 с.

34. ШХиппель А.Р. Диэлектрики и волны. М.: "Иностранная литература", 1960.438 с.

35. SiAverbuch-Pouchot M. T, Durif A. "Crystal structure of ammonium phosphate tellurate TeCOH^^NH^PO^CNH^HPC^ (TAAP). Crystal data for two isotypic salts."//Ferroelectrics 1984. 52. P. 271-279.

36. CQ Bergman J.G., McFee J.G., Crane G.R. "Pyroelectricity and optical second harmonie generation in polyvinylidene fluoride"// Appl. Phys. Lett., 1971. 18. №5. P. 203-205.

37. CQBottcher C.J.F., Bordewijk P. Theory of electric polarization. V.2. Oxford: Elsevier, 1978. 492 c.

38. GàDeng Z.G., Mauritz K.A. "Dielectric relaxation studies of Acid-containing Short-Side-Chain Perfluorosulfonate ionomer membranes"// Macromole-cules. 1992. 25. P. 2369-2380.

39. Dissado LA., Hill R.M. "A cluster approach to the structure of imperfect materials and their relaxation spectroscopy"// Proc. Royal Soc. London, 1983. A390. P. 131-180.

40. Dyre J.C. "The random free-energy barrier model for AC conduction in disordered solids"// J. Appl. Phys. 1988. 64. №5. P. 2456-2498.

41. C3Furukawa T., Johnson G.E., Bair H.E., Taitsu Y., Chiba A., Fukada E. "Ferroelectric phase transition in a copolymer of vinyliden fluoride and trifluoroethylene"//Ferroelectrics. 1981.32. №1-4. P.61-67.

42. CQ Galyarova N.M. "To the fractal models of the dielectric fractional-power response"// IX European Meeting on Ferroelectricity, Praha, 12-17 July 1999. Abstract book, p. 174.

43. Gijot Gauthier S., Peizin J.C., Oliver M., Rolland G. "Monoclinic Tellurium acid Ammonium Phosphate (TAAP) a new ferroelectric compound. III. Dielectric and related properties"// Ferroelectrics. 1984. 52. P.293-306.

44. Glass A.M, McFee J.H., Bergman J.G. "Pyroelectric properties of polyvi-nylidene fluoride and its use for infrared detection"// J. Appl. Phys. 1971. 42. №13. P. 5219-5222.

45. CQGroth P. Chemicsche Kristallographie, 2 Teil. Leipzig.: Verlag von Wilhelm Engelmann, 1908.

46. Ql Guy I.L., Das-Gupta D.K. "Polarization reversal and thermally stimulated discharge current in a vinylidene fluoride trifluorethylene copolymer"// J. Appl. Phys., 1991. 70. №10. P. 5691-5693.

47. WtHasegawa R., Kobayashi Y., Tadakoro H. "Molecular conformation and packing of poly(vinyliden fluoride)"//Polym. J. 1972. 3. P. 591-599.

48. GQHermann J.P., Ducuing J. "Dispersion of the two-photon cross section in rhodamine dyes"// Optics Commun. 1972. 6. №2. P. 101 -105.

49. QHunt A. "Transport in ionic conducting glasses"// J. Phys.: Condens. Matter. 1991.3. №40. P. 7831-7842.

50. QIanoshek R., Weidemann E.G., Pfeifer H., Zundel G. "Extremly high polari-zability of hydrogen bonds"// J. Amer. Chem. Soc., 1972. 94. №7. P. 23872396.

51. Q Jonscher A.K., Dissado L.A., Hill R.M. "Comments on many-body dielectric relaxation in solids"// Phys. Stat. Sol. (b). 1980.102. №1. P. 351-356.

52. Jonscher A.K. "A new understanding of the dielectric relaxation of solids"// Journal of material science. 1981.16. P. 2037-2060.iSkJonscher A.K. Dielectric relaxation in solids. London: Chelsea Dielectric Press, 1983. 380 p.

53. Q Jonscher A.K. Universal relaxation law. London: Chelsea Dielectric Press, 1996. 415 p.

54. CQKawai H. "The piezoelectricity of poly(vinilydenfluoride)"// Jpn. J. Appl. Phys. 1969. 8. P. 975-976.

55. GQl Kepler R.G. "Ferroelectric, pyroelectric and piezoelectric properties of poly(vinylidene fluoride)"/ in "Ferroelectric polymers. Chemistry, physicsand applications". Ed. by H. Singh. Nalwa Academic Press, 1995. P. 183232.

56. Q3Legrand J.F., Lajzerowicz J., Berge B., Delzenne P., Macchi J., Bourgaux-Leonard C., Wicker A., Kruger J.K. "Ferroelectricity in VF2 based copolymers"//Ferroelectrics. 1998. 78. P. 151-157.

57. U^Moreira R.L., Lobo R.P.S.M., Medeirow-Ribeiro G., Rodrigues W.N. "The diffuse behaviour of ferroelectric transition in poly(vinylidene fluoridetrifluorethylene) copolymers"// J. Polym. Sci. B., Polym. Phys. 1984. 32. №5. P. 953-959.

58. QlMott N.F., Davis E.A. Electronic Processes in Non-crystalline Materials.

59. Oxford: Clarendon press, 1979. 590 p. 03 Nicolau Y.F. "Single crystal growth of telluric acid ammonium phosphate

60. Q Takahashi N. "X ray study of ferroelectric twin in polyvinyliden fluoride"// Appl. Phys. Lett. 1987. 51. №1. P. 970-972.

61. Q Tamura M., Ogasawara K., Ono N. Hagiwara S. "Piezoelectricity in unaxially stretched poly(vinylidenfluoride)"// J. Appl. Phys. 1980. 51. P. 1135-1141.

62. B3l Tashiro K., Tadokoro H., Kobayashi M. "Structure and piezoelectricity of poly(vinylidene fluoride)// Ferroelectrics. 1981. 32. №1-4. P. 167-175.

63. Q Tashiro K., Takano K., Kobayashi M., Chatani Y., Tadokoro H. "Structure and ferroelectric phase transition in vinylidene fluoride-trifluorethylene copolymers: 2. VDF 55% copolymer"// Polymer, 1984. 25. №2. P. 195-208.

64. Q Tashiro K ."Crystal structure and phase transition of PVDF and related copolymers"/ in "Ferroelectric polymers. Chemistry, physics and applications". Ed. by H. Singh. Nalwa Academic Press, 1995. P. 63-181.

65. Q Terentjev E.M., Pikin S.A. "On the possibility of ferroelectricity in liqiud crystalline polymers"//Ferroelectrics, 1984. 59. P. 11-21.

66. CO' Valdes-Aguilere O., Neckers D.C. "Aggregation phenomena in Xanthene Dyes"//Acc. Chem. Res. 1989. 22. P.171-177.

67. Q Wang T. T. et al The Applications of Ferroelectric Polymers. Glasgow London, 1998.387 p.ffl WeinlandR.F., PrauseH.II Z. anorg. Chem., 1901. 28. P. 45.

68. GQ Weron K. "A probabilistic mechanism hidden behind the universal power law for dielectric relaxation: general relaxation equation'7/J. Phys: Condensed Matter, 1991.3. P. 9151-9162.