Нестехиометрия и дефекты структуры в монокристаллах и пленках ферритов-гранатов, легированных ионами Ca2+ тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат наук Читанов, Денис Николаевич

• Читанов, Денис Николаевич
• кандидат наук
• 2013

Оглавление диссертации кандидат наук Читанов, Денис Николаевич

СОДЕРЖАНИЕ

ОСНОВНЫЕ УСЛОВНЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ И АББРЕВИАТУРЫ

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1. Анализ современных представлений о влиянии неизовалентных замещений в формировании структурных особенностей, свойств и дефектности монокристаллического ЖИГ и эпитаксиальных монокристаллических пленок ферритов-гранатов (ЭМПФГ)

1.1 Особенности кристаллической и магнитной структуры, физические свойства монокристаллов ЖИГ и эпитаксиальных монокристаллических пленок ферритов-гранатов

1.2 Жидкофазная эпитаксия, как основной метод получения ЭМПФГ. Роль технологических параметров роста ЭМПФГ в формировании

основных физических свойств и дефектности

1.3 Использование неизовалентных замещений в катионной подрешетке для формирования требуемых свойств ЭМПФГ

-у,

1.4 Влияние некомпенсированных ионов Са на формирование дефектной подсистемы и свойства монокристаллического ЖИГ и ЭМПФГ разных составов. Реализующиеся механизмы зарядовой компенсации

1.5 Выводы по литературному обзору. Постановка задачи

исследований

ГЛАВА 2. Методики экспериментальных исследований и статистической обработки результатов измерений

2.1 Объекты исследований, особенности их выращивания и подготовка для исследований

2.2 Особенности применения ядерной гамма-резонансной спектроскопии для изучения магнитной микроструктуры объектов исследования

2.3 Рентгеноструктурный анализ и рентгеноспектральный

микроанализ объектов исследования

2.4 Экспериментальные методы исследования магнитных свойств феррогранатовых гетерокомпозиций

2.5 Спектрофотометрия объектов исследования и расчет основных оптических характеристик феррогранатовых гетерокомпозиций

2.6 Термоактивационная токовая спектроскопия объектов исследования

2.7 Разработка оборудования для изучения электрически активных дефектов в объектах исследования методами термоактивационной токовой спектроскопии

2.7.1 Автоматизированный блок регулировки температуры для установки термоактивационной токовой спектроскопии

2.7.2 Автоматизированная установка термоактивационной токовой спектроскопии для исследования электрически активных дефектов в

высокоомных полупроводниках и диэлектриках

ГЛАВА 3. Природа высококоэрцитивного состояния в эпитаксиальных пленках магнитных гранатов для термомагнитной записи информации

3.1 Природа высококоэрцитивного состояния в ЭМПФГ наиболее отработанных в технологическом плане составов

3.2 Разработка методов индуцирования высококоэрцитивного состояния в ЭМПФГ для термомагнитной записи информации

3.3 Выводы к главе 3

ГЛАВА 4. Нестехиометрия и свойства монокристаллического ЖИГ Y3Fe5012 и ЭМПФГ (BiTm)3(FeGa)50 12 при неизовалентном

замещении ионами Са2+

4.1 Обработка результатов рентгеноструктурного аназиза и рентгеноспектрального микроанализа

4.2 Особенности магнитной микроструктуры монокристаллического ЖИГ Y3Fe5Oi2 с содержанием кальция

4.3 Влияние неизовалентного замещения ионами Са на магнитные свойства объектов исследования

4.4 Особенности спектров поглощения эпитаксиальных монокристаллических пленок ферритов-гранатов (ВГГт)3(Ре0а)5012:

Са с различным содержанием ионов кальция

4.5 Термоактивационная токовая спектроскопия как метод контроля состава и дефектности в ЖИГ и ЭМПФГ и реализующиеся в

них механизмы зарядовой компенсации

4.6 Выводы к главе 4

ГЛАВА 5. Разработка высокоэффективных материалов на основе Вь содержащих пленок ферритов-гранатов для термомагнитной записи информации

5.1 Разработка магнитооптического материала на основе эпитаксиальных монокристаллических пленок ферритов-гранатов легированных двухвалентной примесью

5.2 Способ получения наноразмерных пленок В1-содержащих ферритов-гранатов

5.3 Выводы к главе 5

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ

ОСНОВНЫЕ УСЛОВНЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ И АББРЕВИАТУРЫ

ЖИГ - железо-иттриевый гранат;

ЭМПФГ - эпитаксиальная монокристаллическая пленка феррита-граната;

с-подрешетка - додекаэдрическая подрешетка граната;

а-подрешетка - октаэдрическая подрешетка граната;

ё-подрешетка - тетраэдрическая подрешетка граната;

ЦМД - цилиндрические магнитные домены;

РЗИ - редкоземельные ионы;

ЯГР - ядерный гамма-резонанс;

ТАТС - термоактивационная токовая спектроскопия;

ТСТ - термостимулированные токи;

ТСТП - термостимулированные токи проводимости;

ТСП - термостимулированные токи поляризации;

ТСД - термостимулированные токи деполяризации;

ТСТП КЗ - термостимулированные токи проводимости короткого замыкания; УКР - установка коронного разряда; ТМ - термомагнитная запись; МО-материал - магнитооптический материал;

Vе о " - (Р-центр) - нейтральная кислородная вакансия (кислородная вакансия, захватившая два электрона);

+

Уо'-О7- центр) - кислородная вакансия в зарядовом состоянии "+" (кислородная вакансия, захватившая электрон);

+ 2 +

V о "СЕ7 - центр) - кислородная вакансия в зарядовом состоянии "2+";

Е^-энергия активации;

а5 - параметр решетки подложки;

параметр решетки пленки; г - ионный радиус; Я - коэффициент отражения; Я - редкоземельный ион;

М8 - намагниченность насыщения; Ты - температура Кюри-Нееля; Нс - коэрцитивная сила;

Тт - температурное положение максимума тока ТСТ; Нк - поле эффективной анизотропии; Н0 - поле коллапса;

Н2 - поле эллиптической неустойчивости; п - показатель преломления материала; а - коэффициент оптического поглощения; 0Р - величина удельного фарадеевского вращения;

- магнитооптическая добротность; X - длина волны света; ДЕа - квадрупольное расщепление; У22 - компонента градиента электрического поля; НЭфф - эффективное магнитное поле на ядре; Г - ширина линии поглощения; 5 - изомерный сдвиг;

Н'п - эффективное магнитное поле на ядре; I - сила тока;

q - фактор качества материала;

Р0 - период и полупериод полосовой доменной структуры = Р0/2 (ширина одного полосового или серпантинного) домена; Ь - толщина пленки; Нсм - поле смещения;

К - коэффициент теплопроводности среды; пв - показатель преломления воздуха;

уср - среднее волновое число между максимальным и минимальным значением коэффициента пропускания (в интерференционном пике); Т мах и Ттш - значения коэффициента пропускания в максимуме и минимуме интерференционного пика соответственно

v0 - волновое число нулевого максимума; vN - волновое число N- го максимума; Ек - напряженность электрического поля;

^ 5

--относительная плотность воздуха при РаТм= ПО н/м , Т = 293К;

¿о

г0 - радиус коронирующего электрода; А и В - эмпирические параметры (А = 3,1; В = 0,308); К - подвижность ионов воздуха; 1 - расстояние между коронирующими электродами; VK - критическая разность потенциалов (для воздуха VK = 30 кВ/см); к - константа Больцмана, к=8,617><10~5 эВ К-1; S - площадь кривой под пиком ТСТ; Мх и MY - масштаб по осям X и Y соответственно; п - концентрация электрически активных центров; q - заряд центров; е - заряд электрона; S3 - площадь электродов;

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Нестехиометрия и дефекты структуры в монокристаллах и пленках ферритов-гранатов, легированных ионами Ca2+»

ВВЕДЕНИЕ

Актуальность. В последнее время наметилось новое направление -спинтроника с использованием ферритов-гранатов. Приборы нового поколения спиновой наноэлектроники на сверхвысоких частотах представляют собой гетерогенные структуры. Они характеризуются многофункциональностью (совмещают фильтрацию, задержку сигнала и другие функции), обладают высоким быстродействием при управлении параметрами прибора и легко интегрируются в радиотехнические устройства. Основной элемент спинволнового прибора - волноведущая линия, в качестве которой используется пленка железо-иттриевого граната (ЖИГ) состава УзРе5012.

Для управления свойствами монокристаллов и эпитаксиальных монокристаллических пленок ферритов-гранатов (ЭМПФГ) (в частности, для осуществления зарядовой компенсации ионов Ме4+) широко используется легирование ионами Са2+. При использовании легирования Са2+ - Ме4+ в кристаллической решетке пленки сложно достичь полного равенства концентрации ионов Са2+ и Ме4+, что приводит к нарушениям стехиометрии по составу, реализации различных механизмов зарядовой компенсации и, в результате - к понижению эксплуатационных параметров объектов исследований. Отклонение от стехиометрии при неизовалентном замещении в ферритах-гранатах, используемом для получения необходимых физических и магнитных свойств, также приводит к количественным и качественным изменениям присутствующих дефектов. Для пленок магнитных гранатов ввиду сложного химического состава и структуры, характерно наличие огромного разнообразия возможных видов дефектов, наименее изученными из которых остаются дефекты анионной подрешетки. Несмотря на наличие в научной литературе огромного количества публикаций по изучению поведения ионов Са2+ в магнитных гранатах, на сегодняшний день нет единого взгляда и понимания природы зарядовой компенсации кальция, структуры и свойств дефектов, образовавшихся в результате неизовалентного замещения в

номинально чистых кристаллах УзБезО^ и сложнозамещенных оксидах на его основе.

Несомненно, что использование магнитных гранатов, в частности эпитаксиальных пленок ферритов-гранатов в приборах микро- и наноэлектроники, предопределяет необходимость выяснения природы и понимания влияния неизовалетного замещения на кристаллохимическую структуру, энергетическое состояние дефектов и физические свойства данных материалов.

Также очень важно, что в пленках можно реализовать структурные состояния, которые трудно или невозможно получать в обычных (массивных или объемных) магнитных образцах. Это существенно расширяет возможности исследования связи между структурными характеристиками и физическими свойствами магнитных материалов. Изучение физических свойств ферромагнитных пленок также актуально с точки зрения их практического применения в микроэлектронике и вычислительной технике. Одним из важных применений пленок остается их использование в качестве магнитной среды для записи и хранения информации.

Цели и задачи работы.

Исходя из проведенного анализа литературных источников, цели диссертационной работы состояли в следующем:

1 Разработать методы наведения высококоэрцитивного состояния в плёнках магнитных гранатов для термомагнитной записи информации;

2 Изучить изменения структуры и свойств в монокристаллах и пленках ферритов-гранатов при неизовалентном замещении ионами Са2+;

Для достижения поставленной цели решались следующие задачи:

- изучение природы высококоэрцитивного состояния в плёнках магнитных гранатов наиболее отработанных в технологическом плане составов;

- изучение оптических, магнитных и электрофизических характеристик и

процесса перемагничивания эпитаксиальных пленок висмут-содержащих ферритов-гранатов, легированных неизовалентной примесью Са .

- выяснение природы и структуры дефектов, в том числе образовавшихся в результате роста, в имеющихся образцах монокристаллов У3Ре5012: Са и эпитаксиальных монокристаллических пленок ферритов-гранатов (В1Тт)3(Ре0а)5012: Са2+, методами термоактивационной токовой спектроскопии;

- разработка установки термоактивационной токовой спектроскопии, способной фиксировать термостимулированные токи в широком диапазоне значений в режиме линейного нагрева, скорость которого можно регулировать;

- определение энергии активации и других электрофизических параметров дефектов по спектрам ТСТ и установление механизмов зарядовой компенсации сверхстехиометрических ионов Са2+ в железо-иттриевом гранате У3Ре5012 и эпитаксиальных монокристаллических пленках ферритов-гранатов (В1Тт)3(Ре0а)50]2.

Научная новизна работы:

1. Установлена природа высококоэрцитивного состояния в пленках магнитных

2+

гранатов при их легировании ионами Са , формировании напряжений рассогласования, а также при обработке в отрицательном коронном разряде.

2. Впервые методами ТСТП и ТСТП КЗ изучен энергетический спектр электрически активных центров в монокристалле железо-иттриевого граната (ЖИГ) состава У3Ре50]2: Са2+, выращенного методом управляемой кристаллизации и ЭМПФГ (ВГГт)3(Ре0а)5012: Са , выращенных методом ЖФЭ из раствора в расплаве на подложках 0ё30а5012 кристаллографической ориентации <111> при использовании бессвинцового В1-содержащего флюса.

3. Впервые в монокристаллах У3Ре5012: Са обнаружена группа пиков с

температурным положением 342-422 К, что соответствует уровням захвата с энергетическим положением 0,67 - 0,83 эВ. 4. Впервые экспериментально установлено, что спектр термостимулированных токов феррит-гранатовых пленок (В1Тт)3(РеСа)50|2: Са2+ формируется 36-ю локальными центрами, создающими в запрещенной зоне глубокие уровни захвата с энергетическим положением от 0,69 эВ до 1,25 эВ.

Практическая значимость работы:

Полученные в работе результаты имеют важное практическое значение для спиновой микро- и наноэлектроники, прикладной магнитооптики, СВЧ-электроники, материаловедения ферритов, магнитной микроэлектроники, физики полупроводников и диэлектриков. Конкретно практическая значимость заключается в следующем:

1 Разработана, изготовлена и используется на кафедре ТМЭ автоматизированная установка термоактивационной токовой спектроскопии для исследования электрически активных дефектов в высокоомных полупроводниках и диэлектриках.

2 Разработаны методы наведения высококоэрцитивного состояния в плёнках магнитных гранатов при их легировании ионами Са2+, формировании напряжений рассогласования, а также при обработке в отрицательном коронном разряде;

3 Разработан магнитооптический материал с содержанием 0,1 - 0,4 формульных единиц ионов Са (Патент РФ № 2431205) или ионов (Заявка на патент № 2012157705/090921), имеющий высокую магнитооптическую добротность (56 - 60) град/дБ при X = 0,8 мкм, (350 — 380) град/дБ при X = 1,3 мкм, коэрцитивную силу ~ (2,5 - 15,3) Э и позволяющий получать методом термомагнитной записи высококонтрастные изображения.

4 Предложен способ получения наноразмерных пленок Вьсодержащих ферритов-гранатов (Заявка на патент РФ № 2013143532/067006),

И

позволяющий повысить качество получаемых наноразмерных пленок Вь содержащих ферритов-гранатов, а также величину удельного фарадеевского вращения.

Основные положения, выносимые на защиту:

- природа наведенного высококоэрцитивного состояния в пленках магнитных гранатов для термомагнитной записи информации;

- результаты комплексного исследования структуры и свойств

2+

монокристаллов У3Ре5012: Са и эпитаксиальных монокристаллических пленок ферритов-гранатов (В1Тт)3(Ре0а)5012: Са ;

- результаты изучения энергетического спектра электрически активных центров в монокристаллах У3Ре5012'- Са , выращенного методом управляемой кристаллизации и ЭМПФГ (В1Тт)3(РеСа)5012: Са2+, выращенных методом ЖФЭ из раствора в расплаве на подложках 0ё30а5012 кристаллографической ориентации <111> при использовании бессвинцового В {-содержащего флюса;

- механизмы зарядовой компенсации сверхстехиометрических ионов Са2+ в монокристаллах У3Ре5012 и эпитаксиальных монокристаллических пленках ферритов-гранатов (ВПГт)3(Ре0а)5012.

Личный вклад автора:

Автор принимал участие в постановке задач и выборе объектов исследования.

При его активном участии разработана, изготовлена и используется на кафедре

ТМЭ автоматизированная установка термоактивационной токовой

спектроскопии, а также получены и обработаны результаты исследований

оптических, магнитных, электрофизических свойств железо-иттриевого граната

У3Ре5012.' Са и эпитаксиальных монокристаллических пленок ферритов-

2+

гранатов (ВПлп)3(РеСа)5012: Са . Читанов Д.Н. принимал непосредственное

участие при обработке результатов для представления научных публикаций в печать. Отдельные результаты работы получены и опубликованы в печати в соавторстве с сотрудниками НИТУ МИСиС, Львовского Hill LMM HAH Украины, Астраханского государственного университета, НПО «Карат», ГО «НПЦ HAH Беларуси по материаловедению».

Апробация работы:

Результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на следующих конференциях: Eurodim 2010 11th Europhysikal Conference on Defects in Insulating Materials (PECS, Hungary, 12-16 July 2010); X Юбилейная международная конференция «Химия твердого тела: наноматериалы, нанотехнологии» (г. Ставрополь, 17-22 октября 2010 г.); XIV Национальная конференция по росту кристаллов и IV Международная конференция по физике кристаллов «Кристаллофизика XXI века» (объединенная) (г. Москва, 17-22 октября 2010 г.); V Всероссийская конференция ФАГРАН-2010 «Физико-химические процессы в конденсированных средах и на межфазных границах» (г. Воронеж, 3-8 октября 2010 г.); Труды VIII международной конференции «Перспективные технологии, оборудование и аналитические системы для материаловедения и наноматериалов» (г. Алматы, 9-10 июня 2011 г.); 66-ые дни науки студентов МИСиС: международные, межвузовские и институтские научно-технические конференции (г. Москва, 11-15 апреля 2011 г.); 67-ые дни науки студентов МИСиС: международные, межвузовские и институтские научно-технические конференции (г. Москва, 9-13 апреля 2012 г.); 68-ые дни науки студентов МИСиС: международные, межвузовские и институтские научно-технические конференции (г. Москва, 8-12 апреля 2013 г.); Труды X международной конференции «Перспективные технологии, оборудование и аналитические системы для материаловедения и наноматериалов» (г. Алматы, 5-7 июня 2013 г.); 19th International Symposium on Metastable Amorphous and Nanostructured Materials ISMANAM-2012 (Moscow, 18-22 June 2012).

Результаты работы использовались при выполнении Государственного контракта № 11.519.11.4026 от 14 марта 2012 г. «Разработка нового класса наноразмерных материалов на основе пленочных магнитных электретов и мультиферроиков для сверхплотной магнитной и магнитооптической записи информации» в рамках федеральной целевой программы «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2007-2013 годы»

Публикации:

По материалам диссертации опубликовано 23 научные работы, в том числе 2 статьи в журналах, рекомендованных ВАК РФ по специальности, 1 статья в зарубежном журнале, входящем в базы РИНЦ и 15 статей в сборниках

материалов и докладов международных конференций, 2 тезисов в сборниках материалов и докладов всероссийских конференций. По теме диссертации получен 1 патент, 2 заявки на патенты находятся на рассмотрении.

Структура и объем работы:

Диссертация содержит список сокращений, введение, 5 глав, общие выводы, список публикаций по теме диссертации, список используемой литературы. Работа изложена на 181 странице машинописного текста, содержит 22 таблицы, 54 рисунка. Список используемой литературы включает 237 наименований.

ГЛАВА 1

АНАЛИЗ СОВРЕМЕННЫХ ПРЕДСТАВЛЕНИЙ О ВЛИЯНИИ НЕИЗОВАЛЕНТНЫХ ЗАМЕЩЕНИЙ В ФОРМИРОВАНИИ СТРУКТУРНЫХ ОСОБЕННОСТЕЙ, СВОЙСТВ И ДЕФЕКТНОСТИ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО ЖИГ И ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛЕНОК ФЕРРИТОВ-ГРАНАТОВ

(ЭМПФГ)

1.1 Особенности кристаллической и магнитной структуры, физические свойства монокристаллов ЖИГ и эпитаксиальных монокристаллических пленок ферритов-гранатов

Ферриты-гранаты описываются общей кристаллоструктурной формулой

Я, | \FeMe\j {Рей)3 Оп 5 где элементы в фигурных скобках соответствуют

додекаэдрической, в квадратных - октаэдрической и в круглых -тетраэдрической подрешеткам граната (с-, а- и ё - подрешетки соответственно). Я - иттрий, кальций, висмут, свинец, редкоземельные элементы; Ме - элементы,

замещающие железо в а-подрешетке (скандий, индий, титан, алюминий, галлий, свинец, редкоземельные элементы с малым ионным радиусом); Э - элементы, замещающие железо в ё-подрешетке (ванадий, кремний, германий, галлий,

алюминий) [1]. Ферриты-гранаты обладают структурой с кубической

ю

симметрией и принадлежат к пространственной группе О - 1аЗё. Анионы

2-

кислорода образуют кубическую плотную упаковку (ионный радиус О - 1,65 А), пустоты в которой заполняют меньшие по размерам катионы (например,

3+ 3+ 2+

ионный радиус У - 1,02 А, Бе - 0,65 А, - РЬ - 1,29 А [2]). Тетраэдрическую, октаэдрическую и додекаэдрическую подрешетки составляют катионы, окруженные четырьмя, шестью и восемью анионами кислорода соответственно (Рисунок 1). Элементарная ячейка содержит восемь формульных единиц, т.е.

160 ионов. В среднем в 1 см3 содержится 5,0x1022 ионов кислорода, 2,1.1022 ионов в октаэдрической и тетраэдрической позициях, 1,3.1022 ионов в додекаэдрических позициях. Благодаря наличию трех катионных позиций различных размеров возможно введение в состав пленок в процессе выращивания путем изоморфных замещений более половины химических элементов таблицы Менделеева [3]. Как многокомпонентный металлоксид монокристаллический ЖИГ и ЭМПФГ относятся к высокоомным полупроводникам. Магнитные свойства пленок обусловлены магнитными подрешетками, связанными ферримагнитным взаимодействием и наведенной в процессе роста магнитной анизотропией.

Рисунок 1 - Структура гранатов

Железо-иттриевый гранат является инконгруэнтно плавящимся соединением и обладает узкой областью гомогенности ~ 1 мольн. % [4].

Температура плавления на воздухе составляет 1550 °С и повышается до 1582 °С при давлении кислорода 1 атм. Парциальное давление кислорода в газовой фазе является ключевым фактором, определяющим степень стехиометрии. При давлениях Р02 ~ 600 атм. железо-иттриевый гранат плавится конгруэнтно [5].

В настоящее время более широкое применение находят монокристаллические пленки твердых растворов на основе железо-иттриевого граната, которые получают методом жидкофазной эпитаксии из раствора окислов в расплаве РЬ0-В203 на монокристаллических подложках с близким параметром решетки (0ё30а5012, 8ш30а5012, СазОагвезО^ и др.) [6]. Такие пленки с осью легкого намагничивания перпендикулярной поверхности являются носителями цилиндрических магнитных доменов (ЦМД) [7] и служат основой для создания логических и запоминающих устройств. Частично или полностью замещая иттрий комбинацией тех или иных редкоземельных ионов можно в широких пределах изменять статические и динамические магнитные параметры [8]. Величину магнитного момента железных подрешеток регулируют частичным замещением Ре3+ в «а»-позициях ионами ва3+ или Ре3+ в

«(¿»-позициях ионами Ое4+ или 814+ с одновременным введением такого же

2+

количества двухвалентных катионов Са в додэкаэдрическую подрешетку [9].

Строго говоря, соотношение катионов и анионов в гранатах в той или иной степени отличается от стехиометрического по ряду причин: нарушение баланса концентраций Са и Ое при неизовалентном замещении, присутствие нетрехвалентных примесей, попадающих в пленку из расплава и газовой фазы (РЬ, С и др.), а также несоответствие парциального давления кислорода над расплавом равновесному. Поэтому в твердой фазе могут сочетаться различные типы, электрически активных точечных дефектов. Эти дефекты создают локализованные состояния, т.е. могут связывать и высвобождать носители заряда, тем самым оказывая влияние на оптические, электротранспортные, фотомагнитные и другие свойства. В гранатах, как и в большинстве оксидных соединений с низкой упругостью пара металлического компонента, доминирующим типом собственных точечных дефектов при парциальном

давлении кислорода 1 атм. и ниже являются анионные вакансии [10, 11].

Кислородные вакансии представляют собой многозарядные донорные дефекты: У°о, У+о, У++о> создающие спектр глубоких уровней в запрещенной зоне. Экспериментально установлена лишь энергия ионизации У+0: Ес-ЕУ+о = 0,86 эВ (300 К) [12].

Наряду с собственными точечными дефектами в гранатах всегда присутствуют неконтролируемые примеси с отличной от трех валентностью, основными из которых выступают РЬ и Р1. При выращивании эпитаксиальных пленок и монокристаллов главным источником платины служит оснастка (держатель подложек) и тигель. Ионы Р14+ занимают октаэдрические позиции и проявляют донорные свойства, но положение уровней Р1:4+ примеси неизвестно. Это, видимо, обусловлено трудностями выделения вклада в проводимость этой примеси в связи с компенсирующим действием РЬ или влиянием примеси ванадия при росте из ванадий-содержащих расплавов. Концентрация Р1 в

19 3

пленках, не содержащих Са и ве (Б!) обычно порядка 10 см" или менее. Повышение концентрации платины наблюдается при легировании акцепторной примесью [13].

Свинец попадает в твердую фазу вследствие захвата компонентов флюса РЬ0-В203 в процессе выращивания. При температурах выше 940°С коэффициент распределения РЬ близок к нулю, но резко возрастает с понижением температуры роста. Свинец занимает особое место среди нетрехвалентных примесей по ряду причин: он является одной из немногих примесей способных в значительной концентрации растворяться в гранате -вплоть до 1021 см"3 [13, 14]; имеет две устойчивых валентности РЬ2+ и РЬ4+; ввиду большой величины ионного радиуса оказывает сильное влияние на параметр решетки и константу анизотропии [15].

Больший интерес представляют собственные структурные неоднородности пленок. Из-за строгой предпочтительности катионов с близкими значениями ионного радиуса к определенному типу позиций в решетке, их коэффициенты распределения становятся взаимозависимыми.

Снижение или повышение концентрации одного из компонентов может частично или полностью компенсироваться изменением концентрации других катионов в данной подрешетке. Этот вид разупорядочения не всегда приводит к регистрируемым изменениям параметра решетки [16], но влияет на магнитные и электрофизические свойства. В частности, переменные по составу переходные слои подложка-пленка, не выявляемые обычным двухкристальным рентгендифракционным методом, могут быть обнаружены по изменению коэрцитивной силы и электросопротивления при послойном химическом травлении [17, 18].

Проблема однородности стоит особенно остро для эпитаксиальных пленок Вь-замещенных гранатов, выращиваемых при относительно низких температурах ~ 800 °С и ниже. Постепенная деградация раствора-расплава в процессе выращивания пленок толщиной в несколько микрометров служит причиной неконтролируемой слоистости [19]. Концентрационные неоднородности и условия их фондирования в микронных и субмикронных эпитаксиальных слоях в настоящее время мало изучены, что обусловлено трудностями получения надежных количественных данных традиционным методом травления. В то же время, эти слои имеют слишком большую толщину для использования эффективных методов количественного анализа поверхности Оже- и фотоэлектронной спектроскопии.

Намагниченность насыщения ферритов-гранатов К3Ре5012 определяется намагниченностью додекаэдрической подрешетки и разностью намагниченностей тетра- и октаэдрической подрешеток железа, магнитные моменты которых направлены антипараллельно. Ориентация магнитного момента в редкоземельной подрешетке определяется типом редкоземельного элемента, например, для Рг3+ и Ыё3+ он параллелен магнитному моменту ё-подрешетки, а для Оё3+ и УЬ3+ - магнитному моменту а-подрешетки. Намагниченность ЖИГ определяется только разностью намагниченностей тетра- и окта- подрешеток железа (ион У3+ - немагнитен) и равна 140,6 кА/м (1760 Гс).

Критерием стабильности структур КзРе5012 является соотношение

ионных радиусов г I г <\,1 [20]. Это условие выполняется для

редкоземельных элементов, расположенных в Периодической таблице Д.И.Менделеева правее N<1, а более крупные Ьа, Се, Рг - могут лишь частично замещать додекаэдрические позиции. Для заполнения а- и ё- подрешеток кроме соответствующей величины ионного радиуса, катион должен обладать сферической симметрией электронных оболочек в основном состоянии. Из трех ё-элементов только Ре3+ может полностью занимать обе подрешетки, поскольку в основном состоянии имеет равный нулю орбитальный момент в кристаллическом поле и окта- и тетраэдрической симметрии [21]. Каждый ион Ре3+ находится в Зё5 электронной конфигурации и имеет момент 5цб, так что разница в моментах подрешетки железа составляет 5цБ [22].

Для регулирования намагниченности ионы железа замещают немагнитными ионами Оа3+, А13+, Бс34", Се4+, У5+ [23-25]. Любой

немагнитный ион, замещающий ион железа в тетраэдрической подрешетке, уменьшает полную намагниченность, замещение в окта- подрешетке приводит к увеличению М§. При замещении ионов Ре3+ на Оа3+ примерно 90% ионов Оа3+ занимают тетраэдрические позиции и 10% - октаэдрические. То есть, ионы ва3+ обладают лишь 80%-ной эффективностью по отношению к уменьшению М§. При замещении Ре3+ на ве4+ уже примерно 98% ионов Ое4+ занимают тетрапозиции, а компенсирующие заряд ионы Са2+ - додекаэдрические узлы [26]. Замещение магнитных ионов на немагнитные приводит к ослаблению основного а- ё-взаимодействия и уменьшению температуры Кюри-Нееля Тм [23-25, 27]. При диамагнитном замещении в ё-подрешетке Тм уменьшается значительно меньше, чем при замещении в а-подрешетке. Это объясняется тем, что согласно статистической модели Джиллео [28] при тетразамещении образуется в пять, раз меньше ионов Ре3+ со слабыми обменными связями, чем в случае октаэдрического замещения. Так, для получения той же намагниченности при германиевом замещении Тм , как правило, на (70-100) К выше, чем при ва3+ - замещении [29]. Именно эти обстоятельства (низкие

температурные коэффициенты магнитных параметров), а также высокая подвижность доменных границ феррит-гранатовых пленок (Са,Ое (81)) -системы по сравнению с ва-замещенными ЭМПФГ при той же комбинации ионов в додекаэдрической подрешетке обеспечили широкое применение первых в производстве логических и запоминающих устройств на ЦМД [24, 30,

Для стабильного существования ЦМД в магнитных пленках, необходимо, чтобы последние характеризовались анизотропией с четко выраженной осью легкого намагничивания, перпендикулярной плоскости пленки [23]. Это условие можно записать следующим образом:

где: С) - так называемый фактор качества, Нк - поле эффективной анизотропии, М§- намагниченность насыщения пленки.

Одноосная анизотропия в ЭМПФГ может быть обусловлена механизмом

роста или упругими напряжениями [23]. При величине предела прочности для

8 2

магнитных грантов порядка 3><10 н/м и значениях константы магнитострикции ?чп = Ю"5 - 10'6 энергия анизотропии, обусловленная

2 3 3

упругими напряжениями, может достигать (5x10 -5x10) Дж/м , в то время как индуцированная ростом энергия анизотропии равна (103 - 104) Дж/м3. Упругие напряжения, вызывающие появление одноосной анизотропии, возникают в пленке в процессе ее выращивания за счет несоответствия параметров решетки пленки и подложки. Величина и знак этих напряжений определяются следующим образом:

31].

0 = нк/м5>1,

(О

Е а8 - а

/

(1 -у) а

(2)

где: Е - модуль Юнга,

V - коэффициент Пуассона, а8- параметр решетки подложки, а(- параметр решетки пленки.

Возникновение ростовой анизотропии, не связанной с упругими напряжениями, объясняется несколькими физическими моделями. Согласно [32] причиной возникновения одноосной анизотропии является обусловленное величиной ионного радиуса предпочтение каждого из двух типов редкоземельных ионов (РЗИ) к занятию тех или иных додекаэдрических позиций (в решетке граната существует 12 различных типов неэквивалентных додекаэдрических позиций). Такое упорядочение РЗИ и является, по-видимому, основной причиной возникновения одноосной анизотропии. При этом пары ионов сильно отличающиеся величиной ионных радиусов, действительно обуславливают высокое значение анизотропии [33].

Возникновение наведенной ростом анизотропии в гранатах рассматривается также как следствие парного упорядочения РЗИ и ионов Ре3+ в а- и с1- узлах [34]. В работе [35] из детального рассмотрения геометрии неэквивалентных додекаэдрических узлов получили в первом приближении квадратичную зависимость константы ростовой анизотропии К0 от концентрации редкоземельной добавки С:

Кс ~ С (1-С) (3)

Такого же вида концентрационная зависимость Кс от РЗИ получена и в [36].

В решетке магнитного граната часть ионов У и РЬ, а также ионы Ре могут замещать ионы Ре3+ в октаэдрических позициях [37], причем при уменьшении температуры роста эти ионы могут распределяться по октаэдрическим узлам различной пространственной ориентации, приводя к возникновению однонаправленной анизотропии. В этом случае индуцированная ростом анизотропия может быть интерпретирована как

одноионная анизотропия ионов железа в четырех неэквивалентных октаэдрических позициях с энергией:

Список литературы диссертационного исследования кандидат наук Читанов, Денис Николаевич, 2013 год

СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ

1. Рандошкин В.В., Червоненкис А.Я. Прикладная магнитооптика. - М.: Энергоатомиздат, - 1990, - 320 с.

2. Stroska В., Hoist P., Tolksdorf W. Empirial Formula for Calculation of Lattice Constants Oxide Garnets Based on Substituted Yttrium- and Gadolinium-Iron Garnets // Phil. J. Res. - 1978, - v. 33, - p. 166-202.

3. Элементы и устройства на цилиндрических магнитных доменах: Справочник / под ред. Н.Н.Евтихиева, Б.Н.Наумова. - М.: Радио и связь, -1987,-488 с.

4. Левин Б.Е., Третьяков Ю.Д., Летюк Л.М. Физико-химические основы получения, свойства и применение ферритов - М.: Металлургия, - 1979, -471 с.

5. H.J. van Hook. Influence of oxygen pressure on incongruent melting temperature of yttrium iron garnet // J. Amer.Ceram.Soc. -1983, - v.46, 5 - p. 248-252.

6. Blank S.L., Hewitt B.S., Shick L.K., Nielsen J.W. Kinetics of LPE growth and its influence on magnetic properties of garnet films // AIP Conf. Proc. - 1973, -v.10, - p. 256-270.

7. Tabor W.J., Boreck A.H., Vella-Coleiro G.P., Rosenzwaig A. A new type of cylindrical magnetic domains (bubble isomers) // Bell Syst. Techn. Rep. - 1972,

- v.51, - №.6, - p. 1427-1431.

8. Tolksdorf W. Growth and properties of garnet films for storage application // Digests Intrmag Conf. - 1875, - v. 10, - p. 271-285.

9. Hibiya Т., Makino H., Hidaka Y. Ca-Ge-substituted Rare Earth Iron Garnet Primary Phase Region from РЬО-В2Оз fluxed melts // Jap. J. Appl. Phys - 1976,

- 15,-№.10,-p. 1871-1875.

10. Rotman S.R., Tandon R.P., Tuller H.L. Defect-property correlations in garnet crystals: The electrical conductivity and defect structure of luminescent cerium-doped yttrium alluminium garnet // J. Appl. Phys. - 1984, - v.57, - №. 6, - p.

1951-1955.

11. Metselaar R., Huyberts M.A.H. Nonstoichiometry and Electronic defects in yttrium iron garnet // J. Sol. St. Chem. - 1977, -v. 22, - p. 309-319.

12. Larsen P.K., Metselaar R. Electric and Dielectric properties of plycrystalline yttrium iron garnet: Space-Charge-Limited Currents in an Inhomogenous Solid // Phys.Rev.B - 1973, -v.8, -№.5, - p. 2016-2025.

13. Ршенфельдер А., Физика и техника цилиндрических магнитных доменов -М.: Мир,- 1983,-496 с.

14. Roode W.H., Van de Pavert С. Annealing effects and charge compensation mechanism in calcium-doped Y3Fe50i2 films // J. Appl. Phys. - 1984, - V.55, -№ 8,-p. 3115-3124.

15. Scott G.B., Page J.L. Pb valenoe in iron garnets // J. Appl. Phys.- 1977, - v.48, -№ 3, - p. 1342-1349.

16. Hennry R.D., Witcomb E.C. An optical investigation of transient layers in magnetic garnet films // Mat. Res. Bull. - 1975, -v. 10, - p. 681-686.

17. Бажажин Г.А., Ильичева E.H., Котов В.А., Телеснин Р.В., Шишков А.Г. Магнитостатическая жесткость доменных границ и коэрцитивная сила ферригранатовых пленок различной толщины // ФТТ, - 1987, - т. 29, - №1, -с. 257-260.

18. Ткалич А.К. Влияние точечных дефектов и концентрационных неоднородностей на свойства монокристаллических пленок магнитных гранатов: Дис. канд. физ.-мат. наук. - Москва, - 1992, - 153 с.

19. Черкасов А.П., Червоненкис А.Я., Чепарин В.П., Шупегин И.Л. Синтез многослойных пленок в системе (YBi)3(FeGa)5Oi2 и исследование в них несквозной доменной структуры // Труды МЭИ, - 1980, - с. 115-127.

20. Крупичка С. Физика ферритов и родственных им магнитных окислов. - М.: Мир. - Т. 1,- 1976,-354 с.

21. Омельяновский Э.М., Фистуль В.И. Примеси переходных металлов в полупроводниках. - М.: Металлургия, - 1983, - 192 с.

22. Gilleo A.M. Ferromagnetic insulator: garnets-ferromagnetic materials, v.2. Ed.

by Wohlfarth, North - Holland Publishing Company, - 1980, - p. 1-53.

23. Балбашов A.M., Червоненкис А.Я. Магнитные материалы для микроэлектроники. - М.: Энергия, - 1979, - 216 с.

24. Балбашов A.M., Лисовский Ф.В., Раев В.К. и др. Элементы и устройства на цилиндрических магнитных доменах: Справочник / Под ред. Н.Н. Евтихеева, Б.Н. Наумова. - М.: Радио и связь, - 1987, - 488 с.

25. Костишин В.Г. Модификация свойства эпитаксиальных монокристаллических пленок ферритов-гранатов (YSmLuCa)3(FeGe)50i2 воздействием у-квантов Со60. Дис. канд. физ.-мат. наук. - Москва, -1995, - 196 с.

26. Nielsen J.W. Domain memon materials // IEEE Trans. Magn. - 1976. - v. MAG -12,-№4,-p. 327-345.

27. Любутин И.С., Макаров Е.Ф., Павлицкий B.A. Эффект Мессбауэра на ядрах Fe57 в соединениях Y3_xCaxFe5_xSnxOi2 // ЖЭТФ. - 1967, - т.53, - №1, -с. 65-69.

28. Gilleo М. A. Superexchange interaction in ferrimagnetic garnets and spinels with contain random incomplete linkages // The Phys. and Chem. of Solids. -1960, - v.13, -№ 1/2,-p. 33-39.

29. Davies I.E., Giess E.A., Kuptsis J.D. Ca-Ge substituted Fe-garnet films for magnetic bubble applications // J. Mater. Sci. - 1975, - v. 10, - №4. - p.589-592.

30. Gonzalez-Calbet J.M., Vallet-Regi M. and Alonso J. Mikrodomains in the CaFexMni_ x03 y Ferrites. III. 0,5 < x < 0,9 // Journal of Solid State Chemistry -81,- 1989, - p. 18.

31. Jonker H.D., W. van Erk. Segregation of Ca and Ge in LPE growth of magnetic YSmCaFeGe garnet films // J. Cryst. Growth. - 1988, - v.48, -Nl, - p. 131140.

32. Calien H. Growth-induced anisotropy by preferential site ordering in garnet crystals//J. Appl. Phys. Lett. - 1971, - v.18, - N7, - p. 311-313.

33. E. M. Gyorgy, M. D. Sturge, L. G. van Uitert et all. Growth-induced anisotropy of some mixed rare-earth iron garnets // J. Appl Phys. - 1973. - v.44, - N1, - p.

438^443.

34. Rosencwaig A., Tabor W. J. Noncubic garnet anisotropy from growth indused pair ordering // J. Appl. Phys. -1971,- v.42, - №4, - p. 1643-1644.

35. Callen H. On growth-indused anisotropy in garnet films // Materials Research Bulletin. - 1971, -v.6, - №10, - p. 931-938.

36. Hageborn F. В., Tabor W. J., Van Uitert L. G. Growth induced magnetic anisotropy in seven different mixed rare - rarth iron garnets // J. Appl. Phys. -1973, - v.44, - № 1, - p. 432^37.

37. Popma T.J., Van Diepen A.M., Robertson J.M. Lead substitution in ittrium iron garnet // Mat. Res. Bull. - 1974, - v.9, - №5, - p. 699-704.

38. Marycko M., Pust L., Paces J. et. Magnetic properties of Ca doped YIG // Acta Phys. Slov. - 1990, - v.40, - N 4, - p. 202-204.

39. Cimca Z., Cimcova J., Zemek J. et all. Search for Fe4+ in YIG: Ca garnet films // J. Phys. - 1988, - v.49, - N 12, suppl. N 2, - C8, - p. 975- 976.

40. Гуменюк-Сычевская Ж.В., Коваленко В.Ф., Ляхимец C.H. Магнитоанизотропные примесные центры в ЖИГ: Si (Ge) // УФЖ. - 1987, -т.32, -N 3, - с. 447-454.

41. Hunt R.P. Magnetic anneling in silicon-doped garnets // J. Appl. Phys. - 1967, -v.38, - N 7, - p. 2826-2836.

42. Dillon J.F., Photoinduced uniaxial magnetic anisotropy and optical dichroism in silicon-doped yttrium iron garnet YIG (Si) Gyorgy E.M., Remeika J.P. // Ibid. -

1970, - v.41, - N 3, - p. 1211-1217.

43. Hansen P., Tolksdorf W., Schuldt J. Anisotropy and magnetostriction of germanium - substituted yttrium iron garnet // Ibid. - 1972, - v.43, - N 11, - p. 4740-4746.

44. Linares R.C. // J. Cryst. Growth. - 1968, - 3/4, - 443.

45. Giess E.A., Calhoun B.A., Kloicholm E., McGuire T.R. Rosier L.L. // Mat. Res. Bull.-1971, -6,-317.

46. Levinstein H.J., Licht S.J., Landfort R.W., Blame S.L. // Appl. Phys. Lett. -

1971,- 19,-486.

47. Robbins M., Licht S., Levinstein H.J. // AIP Conf. Proe. - 1972, -5,- 101.

48. Blank S.L., Nielsen J.W. // J. Cryst. Growth. - 1972, - 17, - 302.

49. Bonner W.A., Geusic J.E., Smith D.H., Rosso 1 F.C., L.G. Van Uitert, Vella-Coleiro G.P. // J. Appl. Phys. - 1972, - 43, - 3226.

50. Hiskes R. // Intermag Conf., - 1972, - p. 2-8.

51. Brandle C.D., Miller D.C., Nielsen J.W. // J. Cryst. Growth. - 1972, - 12,- 195.

52. Лодиз P., Паркер P. Роет монокристаллов, M.: «Мир», - 1974.

53. Hiskes R. // J. Cryst. Growth - 27, - p. 287

54. Генделев C.M., Титов А.Г. Кристаллизация ферритов и ортоферритов из раствора в расплаве // Обзоры по электронной технике, сер. «Ферритовая техника», вып. 15, М., ЦНИ «Электроника», - 1970.

55. Титова А.Г. // ФТТ. - 1959, - 1,- 1871.

56. Laudise R.A., Linares R.C., Dearborn E.F. // J..Appl. Phys. Suppl. - 1962, - 33, - 1362.

57. Linares R.C, McGraw R.B., Schroeder J.B. // J. Appl. Phys. - 1965, - 36, -2884.

58. Luares R.C., Sloan E.L. // J. Cryst. Growth. - 1974, - 27, - 249.

59. Kestigian M. // J. Am. Ceram. Soc. - 1967, -50,- 165.

60. Linares R.C. // Ibid. - 1962, - 45, - 307.

61. Quon H.H., Sadler A.G.// J. Can. Ceram. Soc. - 1967, - 36, - 33.

62. Титова А.Г., Сапожников Ю.Л. // Изв. АН СССР, сер. «Неорганические материалы». - 1969, - 5, - 569.

63. L.G. Van Uitert, Bonner W.A., Grodkiewicz W.H., Zydzik G.J. // Mat. Res. Bull. - 1970,-5,-455.

64. L.G. Van Uitert, Bonner W.A., Grodkiewicz W.H., PistrosKi L., Zydzik G.J. // ibid. - 1970,-6-p. 325.

65. Tabor W.J., Vel la-Coleiro G.P., Hagedorn F.B., L.G. Van Uitert // J. Appl. Phys. - 1974,-45,-3617.

66. Gornert P., Hergt P. // Phys. Stat. Sol. - 1973, - 20, - 577.

67. Gornert P., D'Ambly C.G. // Ibid. - 1975, - 29, -95.

68. Hiskes R., Burmeister R.A. // AIP Conf. Proc. - 1973, - 10, - 304.

69. Hiskes R., Felmlee T.L., Burmeister R.A. // J. Electron. Mat. - 1972, - 1,-458.

70. Suemune Y., Inoue N. // Japan J. Appl. Phys. - 1974, - 13, - 204.

71. Suemune Y., Inoue N. // IEEE Trans. Magnet. Mag. - 1974, -10,-477.

72. Tolksdorf W., Bartels G.P., Espinosa G.P., Hoist P., Mateika D., Welz F. // Ibid. - 1972,-17,-322.

73. Knight S., Hewitt B.S., Rode D.L., Blank S.L. // Ibid. - 1974, - 9, - 895.

74. Nielsen J.W, Dearborn E.F. // J. Phys. Chem. Sol. - 1958, - 5, - 202.

75. Jonker H.D. // J. Cryst. Growth. - 1975, - 28, - 321.

76. Han Z.Q., Pardavi-Horvath M., Wigen P.E.. Ferromagnetic resonance spectra in reduced Ca-rich CaGe: YIG film // J. Appl. Phys. - 1987, - 61, - 4256.

77. Ghez R., Giess E.A. // J. Cryst. Growth. - 1974, -27,-221.

78. Davies J.E., White E.A.D., Wood J.D.C. // J. Cryst. Growth. - 1974, - 27, - 227.

79. White E.A.D., Wood J.D.C. // Ibid. - 1972, - 17,-315.

80. Телеснин P.B., Дудоров B.H. // Изв. АН СССР, сер. физ. - 1974, - 38, - 2475

81. Дудоров В.Н., Милль Б.В., Телеснин Р.В. // ПТЭ. - 1974, -№ 2, - 245.

82. Morgan А. Е. // Ibid. - 1974, - 27, - 226.

83. Ghez R., Giess E.A. // Mat. Res. Bull. - 1973,-8,-31.

84. Шефталь P.H. В кн. Рост кристаллов, -М.: «Наука», - 1974. - т. 10, - с. 35.

85. Палатник JI.C., Папиров И.И., Эпитаксиальные пленки, - М., «Наука», -1971,-т. 5,-с. 86.

86. Чернов A.A. // УФН. - 1961, - 73, - 277.

87. Бартон В., Кабрера Н., Франк Ф., В кн. Элементарные процессы роста кристаллов, М., ИЛ. - 1959.

88. Тимофеева В.А. Кристаллография. - 1960, - 5, - 476.

89. Elwell D., Dawson R. // J. Cryst. Growth. - 1972, - 13/14, - 555.

90. Elwell D., Neate R.W. // J. Mat. Sei. - 1971, - 6, - 1499.

91. Gelmer G.H., Ghez R., Cabrera N. // J. Cryst. Growth. - 1971,-8,-79.

92. Burton J.A., Prim R.C., Slichter E.P. // Chem. Phys. Soc. J. - 1953, - 21, - 1987.

93. Haisma J., Bartels G.P., Tolksdorf W. // Phil. Res. Rept. - 1974, - 29, - 493.

94. Телеснин Р.В., Дудоров В.Н., Козлов В.И. // ФТТ. - 1975, - 17, - 2072.

95. Телеснин Р.В., Дудоров В.Н., Морченко А.Т., Кристаллография. - 1976, -21,-189.

96. Лисовский Ф.В. Физика цилиндрических магнитных доменов. - М.: Сов. радио, - 1979,-92 с.

97. Гласс Х.Л. Ферритовые пленки для СВЧ-устройств // ТИИЭР. - 1988, -т.76, - № 2. - с. 64-72.

98. Васильчиков А.С., Русаков В.А., Нам Б.П. и др. Исследование вариации состава по толщине эпитаксиальных пленок висмуто-замещенных феррит-гранатов // XII Всесоюзная шк.-сем. «Новые магн. мат. микроэлек.» - Тез. докл. - ч. 1. - Новгород. - 1990, - с. 9.

99. Tolksdorf W., Klages С.Р. The Growth of Bismuth Iron Garnet Layers by Liquid Phase Epitaxy//Thin Solid Films. - 1990, - v. 114,-N 1-2.-p. 33-43.

100. Богуш A.K., Бычков Г.Д., Гесь А.П. и др.. Особенности распределения элементов в эпитаксиальных пленках Y3(FeGaSc)50i2 // XII Всесоюзн. шк.-сем. «Новые магн. мат. микроэлек.» - тез. докл.- ч.1. - Новгород. - 1990, -с. 13-14.

101. Yakovlev Ju.M., Schilnikov Ju.R., Galaktionova G.M., and Titova G.A. - Izv. Akad. Nauk SSSR, Ser. Fiz. - 1970, - 34 (5), - 995.

102. R.C.Le Craw and R.I. Comstock // In Physical Acoustics (Academic, New York, 1965),-V. 3,-P.B.

103. Temerov V.L., Sokolova N.A. and Petrov V.V. // Phys. Status Solidi. - 1991, -A 124,-351.

104. Spenser E.G., Denton R.T. and Chambers R.P. // Phys. Rev. - 1962, -125, -1950.

105. Temerov V.L. and Shestakov N.P. Dissipative Properties of Yttrium Iron Garnet Single Crystals with Heterovalent Impurity Substitutions // The Physics of Metals and Metallography,- 2005, - Vol. 99, Suppl. 1, - p. 42^15.

106. Wood D.L. and Remeika J.P. // J. Appl. Phys. - 1966, - 37, - 1232.

107. Graczyk J.F., Thesis M.S. // Mass. Inst, of Tech., - 1965, - 3, - 123.

108. Nassau K. A Model for the Fe2+ - Fe4+ Equilibrium un flux-grown Yttrium iron garnet // Journal of Crystal Growth, - 1968, - 2, - p. 215-221.

109. LeCraw R.C., Gyorgy E.M., Wolfe R., Bonner W.A., Blank S.L., Grodkiewicz W.H. Magnetoresistance in yttrium iron garnet // Appl. Phus. Lett. - 33 (5), -1978,-p. 379-380.

110. Yuan S.H., Pardavi-Horvath M., Wigen P.E., Gasperis P.De. The mechanism of the high conduction state in the Ca2+ Ge4+: YIG system // J. Appl. Phys. - 1988. - V.63. - №8. - p. 3306-3308.

111. Wigen P.E. and Pardavi-Horvath M. // Proc. 3rd. Int. Conf. on Phys. Magn. Materials, - 1986,- 128.

112. Antonini Abraham, Jan Germak, Lubomir Kalivoda, Milos Nevriva and Zdenek Simsa. Valence control of Fe and Co ions in LPE garnet films by substitution of Ca or Ge // IEEE Transactions on Magnetics, - March 1988, - Vol. 24, - No. 2, -p. 1853-1855.

113. Wood D.L. and Remeika J.P. // J. Chem. Phys. - 1967, - 46, - 3595.

114. Simsa Z. // Intermag'87 Conf., FG-04 , Tokyo - 1987, - 55.

115. Taketoshi Hibiya, Yasuharu Hidaka and Kozaburo Suzuki. Electrical properties and charge imbalance for Ca, Ge-substituted garnet films grown by liquid-phase epitaxy from Pb0-B203 flused melts // J. Appl. Phys.,- 1979, - 49(5), - p. 2765-2769.

116. Bonner W.A., Geusic J.K., Smith D.H., L.G. Van Uitert, and G.P. Vella-Coleiro // Mater. Res. Bull. - 1973,-8,- 1223.

117. Nielsen J.W., Blank S.L., Smith D.H., Vella-Coleiro G.P., Hagedorn F.B., Barns B.L., and Biolsi W.F. // J. Electron. Mater. - 1974, -3,-93.

118. Bonner W.A. // Mater. Res. Bull. - 1975, -10, - 15.

119.Avgin, D.L. Huber. Exchange stiffness of Ca-doped YIG // J. Appl. Phys. -1994,-v. 75, -№ 10,-p. 5517-5519.

120. Blank S.L., Nielsen J.W., and Biolsi W.A. // J. Electrochem. Soc. - 1976, - 123, -856.

121. Thavendrarajah A., Pardavi-Horvath M., Wigen P.E. Photoinduced absorption

in calcium-doped yittrium iron garnet // J. Appl. Phys. - 1990, - V. 67, - № 9, -p. 4941—4943.

122. Nakayama Y. and Watanabe Y. // Jpn. J. Appl. Phys. Suppl. - 1976, - 15,-81.

123. Obokata Т., Tominaga H., Mori T. and Inoue H. // AIP Conf. Proc. - 1976, - 29, - 103.

124. Sumner G.G. and Cox W.R. // AIP Conf. Proc. - 1976, - 34, - 157.

125. Mikami V., Suzuki K., Makino H. Annealing effects on uniaxial magnetic anisotropy for Ca-Ge-garnet epitaxial films grown by LPE // J. Ctist. Growth. - 1980, - v. 49, -N2.-p. 381-386:

126. Lui L.Y., Marinelli M., Paoletti A. et all. Generation of «type 2» Fe ions in Ca2+ and doped ytrium iron garnet // J. of Magn. And Magn. Mater. - 1989, - v. 78, - N1, - p. 67-72.

127. Larsen P.K. and Robertson J.M., Appl. Phys. - 1976, - 11, - 259.

128. Грошенко H.A., Прохоров A.M., Рандошкин B.B., Шапошников A.H., Широков А.В. О зарядовой компенсации в пленках феррит-гранатов, содержащих двух- и четырехвалентные ионы // Письма в ЖТФ, - 1985, - т. 11,-вып. 7,-с. 416^420.

129. Телеснин Р.В., Балбашов A.M., Мартынов А.Ф. и др. Аномальная магнитная вязкость в эпитаксиальных пленках ферритов-гранатов // Письма в ЖТФ, - 1981,-т. 7,-вып, 16,-с. 1001-1004.

130. Larsen Р.К., Robertson J.M. Electrical properties of thin films of Pb2+ and Si4+ doped YIG prodused by liguid phase epitaxy // J. Appl. Phys., - 1975, - v. 45, -No 7,-p. 2867-2873.

131. De Roode W.H., Van de Pavert C.A.P.V. Annealing effects and charge compensation mechanism in calcium doped Y3Fe5Oi2 films // J. Appl. Phys., -1984,-v. 55,-No 8,-p. 3115-3124.

132. Hansen P., Witter K., Tolksdorf W, Temperature dependence of the Faraday rotation of lead and bismuth-substituted gadolinium iron garnet films at 663 nm // Phys. Rev., В, - 1981, - v. 23, - No 11, - p. 6085-6097.

133. Рандошкин B.B., Червоненкис А.Я. Влияние зарядовой компенсации на

оптические, магнитные и электрические свойства феррогранатов // Тезисы IX Всесоюзной школы-семинара, «Новые магнитные материалы для микроэлектроники». Саранск, - 1984, - с. 142-143.

134. Рандошкин В.В., Шапошников А.Н., Шапошникова Г.В., Ширков А.В. Исследование пленок железо-иттриевого граната методом рентгено-фотоэлекттронной спектроскопии // Письма в ЖТФ, - 1984, - т. 10, - вып. 4, - с. 224-227.

135. Булатов М.Ф. Состояние ионов переходных металлов и природа нелинейных явлений в ферримагнитных полупроводниках // Материалы электронной техники,- 2005, - № 2, - с. 58-64.

136.Карпасюк В.К., Булатов М.Ф. Микронеоднородности распределения концентрации кислорода в феррогранатовых пленках // Физика твердого тела, - 1999, - том. 41, - вып. 11, - с. 2016-2019

137. Булатов М.Ф. Влияние состояния ионов и дефектов нестехиометрии на электромагнитные явления в ферримагнитных полупроводниках: Дис. докт. физ.-мат. наук. - Москва, - 2005. - 280 с.

138. В. Antonini, S. Blank, S. Lagomarsino, e. a. Stability and site occupancy ofFe4+ in Ca-doped YIG films // IEEE Trans. Magn. - 1981. - Vol. MAG-17, - N. 6. -p. 3220-3222.

139. Gyorgy E.M., LeCraw R.C., Luther L.C. // J. Appl. Phys. - 1982. - v. 53. - №3. - Pt.2. - p. 2492-2494.

140. Gyorgy E.M., LeCraw R.C., Blank S.L., Pierce R.D., Johnson D.W. Dependence of oxygen in epitaxial YIG:Ca on defect concentration // J. Appl. Phys - 1981, -v.49, -№ 3, - p.1885-1887.

141.Гареева 3.B., Дорошенко P.A. Оптическое поглощение октаэдрических ионов Fe2+, Fe4+ и фотоиндуцированный эффект в монокристаллах ЖИГ // Электронный журнал «Исследовано в России», http://zhurnal.ape.relarn.ru/articles/2002/144.pdf, - с. 1609-1619.

142. Antonini, S. Blank, S. Lagomarsino, e. a. Oxidizing effects of high temperature annealing in reducing atmosphere in Ca-doped YIG films // J. Magn. and Magn.

Mater. - 1980. - vol. 20. - p. 216-219.

143. Рандошкин В. В., Червоненкис А. Я. // ЖТФ. - 1985. - т.55. - в.7. - с. 1382.

144. Bullock D.C., Epstein D.J. Negative resistance, conductive switching, and memory effect in silicon-doped yttrium iron garnet crystals // Applied physics letters-1970,-V. 17,-N. 5,-p. 199-201.

145. Балбашов A. M., Бахтеузов В. E., Цветкова Jl. А. и др. // ЖПС. - 1981, - Т. 34,-Вып. 3,-С. 537.

146. LeCraw R.C., Gyorgy Е.М., Pierse R.D., Nielsen J.W., Blank S.L., Miller D.C., Wolfe R. Rapid oxygen diffusion in Ca-doped yttrium iron garnet films at 25 to 250 °C // Applied Physics Letters, - 1977, - Vol. 31, - N.4, - p. 243-244.

147. L.C. Hsia and P.E. Wigen. Enhancement of uniaxial anisotropy constant by introducing oxygen vacancies in Ca-doped YIG // J. Appl. Phys. - 1981, - V.53, -No3, - p. 2261-2263.

148.Mateika D., Lauren R., Rusche Ch. Lattice parameters and distribution coefficients as function of Ca, Mg and Zr concentrations in Chochralski grown rare earth gallium garnets // J. Cryst. Growth. - 1982. - Vol. 56. - p. 677-689.

149.Еськов H.A., Островский И.В., Крутиков А.Г. и др. / Кальций-галлиевые гранаты - новые подложечные материалы магнитных пленок // XVII Всесоюзная конференция по физике магнитных явлений. Тезисы докладов. Донецк, - 1985. - с. 87-88.

150. Antonini В., Blank S., Lagomarsino S., Paroli A. and Tucciarone A.. Multiple types of Fe4+ centers in Ca-doped YIG films // Journal of Applied Physics, -1982, - Vol. 53, - p. 2495-2497.

151. Kucera M., Berankova P., Matyas M., Marysko M., Nitsch K. Magnetooptics of charge uncompensated Ca2+:YIG // - 1996, - 3 C3, - p 47.

152. Nekvasil V. // Phys. Stat. Solid, - 1979, (b) - 94, - K41.

153. Pauthent R. // Anal. Phys. (Paris) - 1958, - 3, - 424.

154. Миначев X.M., Антошин Г.В., Шпиро E.C. Фотоэлектронная спектроскопия и ее применение в катализе, М. Наука, - 1981, - с. 214.

155. Булатов М.Ф., Убизский С.Б., Булатова А.Н. Влияние ионов Са2+ на

магнитные и оптические свойства эпитаксиальных пленок (BiTm)3(FeGa)50i2 при их росте // Вестник Воронежского государственного технического университета. Серия «Материаловедения» - Выпуск 2004. -1.15.-с. 29-33.

156. Pardavi-Horvath М., Wigen Р.Е. and Vertesy G. Photomagnetism in Ca2+ Fe4+ -doped yittrium iron garnet // J. Appl. Phys. - 1988, - V.63, - №8, - p. 31103112.

157. Pardavi-Horvath M., Wigen P.E. The Role of Fe4+ in the Magnetic properties of Charge-Uncompensated YIG // 9 th International conference on microwave ferrites ICMF 88. Proceedings, September 19 - 23, - 1988. Esztergom -Hungary, - p. 227-231.

158. Pardavi-Horvath M., Thavendrarajah A., Wigen P.E. ar. Gasperis P.De.

94-

Magnetization anomalies and temperatute-dependent hole localization I the Ca Fe4+ Ga3+ yittrium iron garmet system // J. Appl. Phys. - 1988, - v.63, - №8, -p. 3107-3109.

159. Yuan S.H., Pardavi-Horvath M., Wigen P.E. and Gasperis P.De. Exitation effects in excess Ca-doped epitaxial Ca Ge: YIG garnets. Magnetization anomalies and temperatute-dependent hole localization I the Ca2+ Fe4+ Ga3+ yittrium iron garmet system // J. Appl. Phys. - 1987, - v.61, - №8, - p. 35523554.

160. Pardavi-Horvath M., Thavendrarajah A., Wigen P.E. and Gasperis P.De // 4th Joint MMM-lntermag Conf, Vancouver, - 1988, - Paper EQ-07.

161. Pardavi-Horvath M., Wigen P.E., Vertesy G. and Gasperis P.De // IEEE Trans. Mag, - MAG-23, - 1978, - 3730.

162. Bezmaternykh L.N., Maschenko V.G., Sokolova N.A. and Temerov V.L. // J. of Crystal Growth - 1984, - v. 69, - 407.

163. Фабричный П.Б., Похолок K.B. Мессбауэровская спектроскопия и ее применение для химической диагностики неорганических материалов. Конспект курса лекций для студентов старших курсов и аспирантов химического факультета МГУ. - М.: МГУ, - 2012, - 142 с.

164. Введение в мессбауэровекую спектроскопию конверсионных электронов: Учебно-методическое пособие для студентов Института физики / Н.Г. Ивойлов, E.H. Дулов. - Казань: Издательство Казанского федерального университета, -2012,-45 с.

165.Sawicki J. A. Status of conversion electron Mossbauer spectroscopy in ion implantation studies // Mater. Sei. and Eng. - 1985, - v. 69, - p. 501-517.

166. Иркаев C.M., Кузьмин P.H., Опаленко A.A. Ядерный гамма-резонанс в кристаллах. - М.: МГУ, - 1970, - 270 с.

167. Вертхейм Г. Эффект Мессбауэра. - М.: Мир, - 1966. - 172 с.

168. Химические применения Мессбауэровской спектроскопии / Под ред. Гольданского В. И. - М.: Мир, - 1970, - 502 с.

169. Мессбауэровская спектроскопия. Необычные применения метода. / Под ред. Гонзера У. - М.: Мир, - 1983, - 248 с.

170.Башкиров Ш.Ш., Либерман А.Б., Синявский В.И. Магнитная микроструктура ферритов. - Казань: Изд-во Казанского Университета, -1978,- 181 с.

171. Литвинов B.C., Каракишев С.Д., Овчинников В.В. Ядерная гамма-резонансная спектроскопия сплавов. -М.: Металлургия, - 1982, - 144 с.

172. Морозов В.В. Регистрация мессбауэровских спектров по вторичному излучению // Журнал технической физики. - 1985, - т. 55, № 11,- с. 2196— 2206.

173. Катаев A.A., Ущаповский Л.В., Ильин А.Г. Электронографическое и рентгенографическое исследование окислов редкоземельных металлов в тонких пленках. - Кристаллография, - 1975, - т. 20, - №1, - с. 192-194.

174.Уманский Я.С., Скаков Ю.А., Иванов А.Н., Расторгуев Л.Н., Кристаллография, рентгенография и электронная микроскопия. - М.: Металлургия, - 1982, - 632 с.

175. Хейкер Д.М., Зевин Л.С., Рентгеновская дифрактометрия. - М.: Физматгиз, - 1963,-с. 380.

176. Матковский А.О., Сугак Д.Ю., Убизский С.Б. и др. Воздействие

ионизирующих излучений на материалы электронной техники // Под. ред. профессора А.О. Матковского. - Львов: Свит. - 1994.-212 с.

177. Барьяхтар В.Г., Ганн В.В., Горобец Ю.И. Цилиндрические магнитные домены // УФН. - 1977, - т. 121, - вып. 4, - 202 с.

178.Летюк Л.М., Ануфриев А.Н., Морченко А.Т. Физика магнитных явлений; Лабораторный практикум. - М. - 1986, - 142 с.

179.Yokoyama Y., Koshizuka N., Takeda N. Treatment effect of reducing environment on magneto-optical properies of Ca-doped Bi-substituted iron garnet films // IEEE Trans, on Magnetics. - 1985, - V.MAG-21, - № 5, - p. 1666-1668.

180. Балбашов A. M., Червоненкис А. Я., Антонов А. В. Магнитооптические свойства материалов, обладающих цилиндрической доменной структурой // Физика Твердого Тела. - 1973, - т. 15, - № 9.

181.Berkowotz А.Е., Meiklejohn. Thermomagnetic Recording: Physics and Materials. - IEEE Trans.Magn., - 1975, - 6.

182. Кринчик Г.С. Физика магнитных явлений, изд. МГУ, - 1976.

183. Уханов Ю. И. Оптические свойства полупроводников. - М.: Наука, - 1977, -366 с.

184.Атабекян P.P., Винецкий В.Л., Геворкян P.A. и др. Оптический эффект малых доз в радиационной физике твердого тела // Письма в ЖТФ, - 1983, -т. 9,-вып. 23,-с. 1448-1451.

185. Тимошин И.А., Пантелеев Г.В. Методика определения показателя преломления пленочных покрытий // ОМП. - 1976, - № 5, - с. 65-66.

186. Черемухин Г.С., Кириенко Б.В., Гурдин Е.К. Расчет оптических характеристик пленки // ОМП. - 1976, - № 6, - с. 13-15.

187. Коновалова О.П., Шаганов И.И. Определение оптических констант слабопоглощающих диэлектрических слоев на прозрачной подложке // ОМП. - 1988, - № 8, - с. 39-41.

188. Балабанова С.А., Жариков Е.В., Лаптев В.В. и др. Показатели преломления редкоземельных галлиевых гранатов // Препринт ФИАН, - 1983, - № 231ю,

-7 с.

189. Гороховатский Ю.А., Бордовский Г.А. Термоактивационная токовая спектроскопия высокоомных полупроводников и диэлектриков. - М.: Наука: Главная редакция физико-математической литературы, - 1991, -248 с.

190. Вертопрахов В.Н., Сальман Е.Г., Термостимулированные токи в неорганических веществах. Новосибирск, Наука, - 1979, - 336 с.

191.Костишин В.Г., Читанов Д.Н., Медведь В.В. Особенности электрофизических свойств и спектров термоактивационной токовой спектроскопии эпитаксиальных Bi-содержащих феррогранатовых гетерокомпозиций с содержанием «паразитных» ионов Са // X Юбилейная международная конференция «Химия твердого тела: наноматериалы, нанотехнологии» 17-22 октября, Ставрополь 2010, - с. 56.

192. Гороховатский Ю.А. Основы термодеполяризационного анализа. М.: Наука, - 1981,- 176 с.

193. Читанов Д.Н., Гомарева Е.А., Величкина Н.С. Термоактивационная токовая спектроскопия эпитаксиальных пленок Bi-содержащих гранатов // 66-е дни науки студентов МИСиС: международные, межвузовские и институтские научно-технические конференции, Москва - 2011, - с. 585.

194.Костишин В.Г., Читанов Д.Н., Савицкий Г.В., Бончик А.Ю. Автоматизированный блок регулировки температуры для установки термоактивационной токовой спектроскопии // Перспективные технологии, оборудование и аналитические системы для материаловедения и наноматериалов: Труды VIII международной конференции. Алматы 9-10 июня 2011 года, - с. 533-542.

195.Костишин В.Г., Читанов Д.Н., Медведь В.В. Особенности электрофизических свойств и спектров термоактивационной токовой спектроскопии эпитаксиальных феррогранатовых гетерокомпозиций с содержанием сверхстехиометрических и «паразитных» ионов Са2+ // XIV Национальная конференция по росту кристаллов, IV Международная

конференция по физике кристаллов «Кристаллофизика XXI века» (объединенная), 17-22 октября 2010 г, - т.2, - с. 114.

196.Костишин В.Г., Читанов Д.Н., Медведь В.В. Термоактивационная токовая спектроскопия эпитаксиальных пленок Bi-содержащих гранатов // V Всероссийская конференция ФАГРАН-2010 «Физико-химические процессы в конденсированных средах и на межфазных границах» (Воронеж 3-8 октября 2010 г.), - с. 170-173.

197. Савицкий Г.В., Костишин В.Г., Читанов Д.Н. и др. Автоматизированная установка термоактивационной токой спектроскопии для исследования электрически активных дефектов в диэлектрических оксидных пленках// Материалы Х-й Юбил. Междунар. науч. конф. «Химия твердого тела: наноматериалы, нанотехнологии». Ставрополь: СевКавГТУ, - 2010, - с. 194-196.

198. Савицкий Г.В., Костишин В.Г., Читанов Д.Н. и др. Установка термоактивационной токовой спектроскопии для исследования электрически активных дефектов в феррогранатовых гетерокомпозициях // Тез. докл. IV-й Междунар. конф. По физике кристаллов «Кристаллофизика XXI века», посвященной памяти М.П. Шаскольской. М.: НИТУ «МИСиС», -2010,-т. 2.-с. 361-362.

199. Костишин В.Г., Читанов Д.Н., Савицкий Г.В., Бончик А.Ю. Атоматизированная установка термоактивационной токовой спектроскопии // V Всероссийская конференция ФАГРАН-2010 «Физико-химические процессы в конденсированных средах и на межфазных границах» (Воронеж 3-8 октября 2010 г.), - с. 107-109.

200.Zvezdin А К, Kotov V А 1997 Modern Magnetooptics and Magnetooptical Materials (Taylor & Francis) (DOI: 10.1201/9781420050844.chl4).

201. Berzhansky V N, Nedviga A S, Vishnevskii V G, Prokopov A R Solid State Phenomena. - 2009, - 152-153, - 11-14.

202. Vishnevskii V, Nesteruk A, Nedviga A, Dubinko S, Prokopov A - 2007 Sens. -Lett. 5,-29.

203. Jaakkola A, Shevchenko A, Lindfors K, Hautakorpi M, Il'yashenko E, Johansen T H, Kaivola M Eur. Phys. J. - 2005 - D 35, - 81.

204. Berzhansky V N, Vishnevskii V G, Milyukova H T, Nedviga A S, Nesteruk A G, Danishevskaya H V Acta Physica Polonica - 2010, - A 118, - 864-866.

205.Tierno P, Sague F, Johansen T H, Fischer T M Phys. Chem. Chem. Phys. -2009,- 11,-9615.

206. Skidanov V A, Vetoshko P M, Stempkovskiy A L. J.Phys. - 2011 - 266, -012125.

207. Pavlov V V, Pisarev R V, Fiebig M, and D Fröhlich. Phys. Solid State - 2003, -45,-66.

208. Randoshkin V Gusev, M Yu, Kozlov, Yu F, Neustroev N S. Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki (Technical Physics. Russian J.Appl.Phys.) - 2000, - 70 118-124.

209. Mikherskii R M, Dubinko S V, Vishnevskii V G, Nedviga A S, Prokopov A R Functional Materials. - 2002, - 9, - 115-118.

210. Jatau J A, Pardavi-Horvath M, Delia Torre E. J. Appl. Phys. - 1994, - 75, -6106-6108.

211. Eshenfelder A H. Magnetic Bubble Technology (Berlin-Heidelberg-New York: Springer-Verlag). - 1981,-655.

212. Bazhazhin G A, Ilyicheva E H, Kotov V A, Telesnin R V, Shishkov A G. Fizika Tverdogo Tela (Physics of the Solid State(Russia)). - 1987, - 29, - 257-260.

213. Balbashov A M, Chervonenkis A Ya, Shupegin M L et al. Mikroelectronika (Russian Microelectronics). - 1982, - 11, - 126-133.

214. Gualtieri D M, Tumelti P F. J. Appl. Phys. - 1985, - 57, - 3879-3881.

215. Dovbnya LA, Naumov D E, Khramov B V. Pis'ma v Zhurnal Eksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki (JETP Letters). -2001,-73,-410-413.

216. Dubinko S V, Nedviga A S, Vishnevskii VG, Shaposhnikov A N, Yagupov V S, Nesteruk A G, Prokopov A R. Pis'ma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki (Technical Physics Letters (Russia)). - 2005, - 31, - 68-73.

217.Logunov M V, Gerasimov M G. Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki

(Technical Physics Letters (Russia)). - 1999, - 25, - 39-43.

218.Vertesy G, Pardavi-Horvath M, Bodis L, Pinter I. J. Magn. Magn. Mater. -1988,-75,-389-396.

219. Vertesy G, Tomas I. Phys.Stat.Sol. -2004, -N 1, - 1800.

220. Костишин В.Г., Костюк B.X., Летюк Л.М. и др. Влияние коронного разряда на энергетический спектр глубоких уровней захвата в феррит-гранатовых пленках. Электронная техника. Серия 6 (Материалы), - 1987, - вып. 4 (225),-С. 32-34.

221. Костюк В.Х., Костишин В.Г., Летюк Л.М. и др. Исследование активных центров в феррит-гранатовых пленках с цилиндрическими доменами методом термостимулированных токов. УФЖ, - 1988, - Т. 33, - № 2. - С. 32-34.

222. Горелик С.С., Скаков Ю.А., Расторгуев Л.Н. Рентгенографический и электронно-оптический анализ: Учебное пособие для вузов. - 3-е изд. доп. и перераб. - М.: МИСиС. - 1994. - 328 с.

223. Kostishyn V.G., Letyuk L.M. Role of Ca ions uncompensated with isovalent ions in the formation of magnetic properties in (YSmLuCa)3(FeGe)5Oi2, (YYbBi)3(FeGa)5Oi2 and (YBi)3(FeGa)5012 epitaxial films. J. of Magn. And Magn. Mater. - 2003. - V. 254-255. - P. 559-561.

224. Костишин В.Г., Летюк Л.М. Влияние обработки в коронном разряде на форму петли гистерезиса эпитаксиальных пленок Bi-содержащих ферритов-гранатов. ЖТФ, - 1995, - Т. 65, - вып. 7. - С. 179-183.

225. Kostishyn V.G., Letyuk L.M., Shipko M.N., Kirpenko A.G. Influence of corona discharge on the hysteresis loop of magnetic garnet films. J. of Magn. and Magn. Mater., - 1996, - 160. - P. 363-364.

226. Kostishyn V.G., Letyuk L.M. Use of corona electret state in Bi-containing ferrite-garnet heterokompositions for thermomagnetic data recording. J. of Magn. and Magn. Mater., - 2003, - 254-255. - P. 556-558.

227. Малаховский А.И., Соколов А.Э., Тамаров Л.В., Безматерных Л.Н., Суханов А.Л., Середкин В.А., Гнатченко С.П., Кочур И.С., Пирятинская

В.Г., Физика твердого тела. - 2008, - вып.7, - с. 1237 - 1242.

228. Кустов Е.Ф., Бандуркин Г.А., Муравьев Э.Н., Орловский В.П., Электронные спектры соединений редкоземельных элементов, - М. Наука, - 1981,-с. 157.

229. Fujimoto Y. and Nakatsuka М., Jpn. J. Appl. Phys.Part. - 2001, - 2, - 40, -L279.

230. Peng M., Qiu J., Chen D., Meng X., and Zhu C., Opt.Lett. - 2005, - 30, - 2433.

231. Dvoyrin V.V., Mashinsky V.M., Bulatov L.I., Bufetov I. A., Shubin A.V., Melkumov M.A., Kustov E.F., Dianov E.M., Umnikov A.A., Khopin V.F., Yashkov M.V., and Guryanov A.N., Opt. Lett. - 2006, - 31, - 2966.

232. Sokolov V.O., Plotnichenko V.G., and Dianov E.M., Opt. Lett. - 2008, - 33, -1488.

233. Костишин В.Г., Кожитов JI.В., Морченко А.Т., Медведь В.В., Читанов Д.Н. Магнитооптический материал. Патент № 2431205 от 10.10.2011 г.

234. Костишин В.Г., Читанов Д.Н. Магнитооптический материал. Заявка на патент № 2012157705/090921 от 28.12.2012 г.

235. Костишин В.Г., Читанов Д.Н., Комлев A.C., Юданов H.A., Трухан В.М., Шелковая Т.В. Способ получения наноразмерных пленок Bi-содержащих ферритов-гранатов. Заявка на патент № 2013143532/067006 от 26.09.2013.

236. Старостин Ю.В., Николаев E.H., Песин B.C., Кочетков В.В. и др. Напыление и параметры пленок ферритов-гранатов для магнитооптических дисков. Неорганические материалы. - 1993, - Т. 32, - №7. - С. 988-991.

•237. Прокопов А.Р., Шапошников А.Н., Каравайников A.B. Способ получения наноразмерных пленок феррита-граната, содержащих Bi. Патент Украины №66219. Бюл. №24, 2011 г.