Нелинейно-оптическое ограничение инфракрасного лазерного излучения в полупроводниках тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.05, доктор физико-математических наук Сидоров, Александр Иванович

• Сидоров, Александр Иванович
• доктор физико-математических наук
• 2004

Оглавление диссертации доктор физико-математических наук Сидоров, Александр Иванович

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА

НЕЛИНЕЙНО-ОПТИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ

И КОМПОЗИТАХ И ИХ ИСПОЛЬЗОВАНИЕ ДЛЯ ОГРАНИЧЕНИЯ

ЛАЗЕРНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ. АНАЛИТИЧЕСКИЙ ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ.

1.1. Нелинейно-оптические эффекты в полупроводниках

Однофотонное межзонное поглощение.

Однофотонное внутризонное поглощение.

Однофотонное примесное поглощение.

Экситонное поглощение.

Оптическая нелинейность, связанная с непараболичностью зон.

- Двухфотонное межзонное поглощение.

Нелинейно-оптические эффекты при обратимом фазовом переходе полупроводник-металл.

1.2. Нелинейно-оптические эффекты в композитах.

Линейные оптические свойства композитов. Теоретические представления. 46 Нелинейно-оптические свойства композитов с наночастицами полупроводников.

Нелинейно-оптические свойства композитов с наночастицами металлов.

1.3. Выводы.

ГЛАВА 2.

ОГРАНИЧЕНИЕ ИЗЛУЧЕНИЯ БЛИЖНЕГО ИК ДИАПАЗОНА

ПРИ САМОДЕФОКУСИРОВКЕ В ШИРОКОЗОННЫХ

ПОЛУПРОВОДНИКАХ С ГЛУБОКИМИ ПРИМЕСНЫМИ УРОВНЯМИ.

2.1. Теоретическая модель формирования динамической линзы в полупроводнике с глубокими примесными уровнями.

Фотоиндуцированные процессы в примесном полупроводнике при низкой интенсивности излучения.

Формирование динамической линзы вблизи порога ограничения.

Фотоиндуцированные процессы в примесном полупроводнике при высокой интенсивности излучения.

2.2. Ограничение лазерного излучения при самодефокусировке в GaAs и ZnSe с глубокими уровнями.

Методика экспериментов и спектральные характеристики образцов GaAs и ZnSe.

Ограничение излучения в моноимпульсном режиме на длине волны 1.06 мкм. 97 Ограничение излучения в моноимпульсном режиме на длине волны 1.3 мкм. 104 Ограничение излучения в моноимпульсном режиме на длине волны 1.54-1.55 мкм.

Ограничение излучения в моноимпульсном режиме в спектральном интервале 3.8-4.2 мкм.

Ограничение излучения в импульсно-периодическом режиме на длине волны 0.65 и 1.55 мкм.

Восстановление начального пропускания после воздействия лазерного импульса.

2.3. Выводы.

ГЛАВА 3.

ОГРАНИЧЕНИЕ ИЗЛУЧЕНИЯ СРЕДНЕГО ИК ДИАПАЗОНА

ПРИ ФАЗОВОМ ПЕРЕХОДЕ ПОЛУПРОВОДНИК-МЕТАЛЛ

В ДИОКСИДЕ ВАНАДИЯ.

3.1. Тонкопленочные интерференционные системы с пленкой диоксида ванадия для ограничения излучения.

Интерференционные системы с модуляцией коэффициента отражения.

Тонкопленочные структуры на основе нарушения полного внутреннего отражения.

Интерференционные системы с модуляцией коэффициента отражения и пропускания.

Фазовые искажения прошедшего излучения при ограничении излучения интерферометром с модуляцией коэффициента отражения и пропускания.

- Дифракционные пленочные структуры с пространственной модуляцией излучения.

3.2. Динамика переключения ограничителей с пленкой диоксида ванадия под действием импульса излучения. Теоретическая модель.

- Тепловая модель слоистой структуры с пленкой диоксида ванадия.

- Динамика переключения интерферометра с пленкой диоксида ванадия при внутрирезонаторном управлении генерацией лазера.

- Динамика переключения интерферометра с пленкой диоксида ванадия при ограничении лазерного излучения.

3.3. Экспериментальное исследование взаимодействия излучения с ограничителями на основе диоксида ванадия.

- Внутрирезонаторное управление генерацией ТЕА-С02 лазера У02-зеркалами с dRJdt<0.

- Ограничение излучения среднего ИК диапазона интерференционными структурами с пленкой диоксида ванадия.

Лучевая стойкость ограничителей излучения на основе диоксида ванадия

Ф в среднем ИК диапазоне.

3.4. Выводы.

ГЛАВА 4.

ОПТИЧЕСКОЕ ОГРАНИЧЕНИЕ ИЗЛУЧЕНИЯ

НАНОЧАСТИЦАМИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ И ИЗОЛЯТОРОВ.

4.1. Ограничение видимого и ближнего ИК диапазонов наночастицами широкозонных полупроводников и изоляторов.

Экспериментальное исследование ограничения излучения наночастицами Р Ti02, MgO, А120з, ВаО, СаСОз, CaF2, BaF2 и BN.

- Модель ограничения излучения наночастицами широкозонных полупроводников с динамической поглощающей оболочкой.

- Двухкаскадный ограничитель излучения с наночастицами CaF для ^=1.06 мкм.

4.2. Ограничение излучения среднего ИК диапазона наночастицами галогенидов серебра с оболочкой из островковой пленки серебра.

Спектральные характеристики и нелинейно-оптические свойства наночастиц галогенидов серебра с включениями их металлического серебра в среднем ИК диапазоне. Экспериментальные результаты.

Возникновение плазмонных резонансов в среднем ИК диапазоне.

Теоретическая модель.

Модель нелинейно-оптических свойств наночастиц галогенидов серебра с оболочкой из островковой пленки серебра.

Ограничение 10-микронного излучения наночастицами хлорида серебра с оболочкой из островковой пленки серебра в матрице из иодида калия.

4.3. Оптическое ограничение излучения наночастицами диоксида ванадия.

- Поликристаллическая оксиднованадиевая пленка, как оптический композит.

Нелинейное поглощение и рассеяние излучения среднего ИК диапазона наночастицами диоксида ванадия в объемной непоглощающей среде.

- Нелинейно-оптические свойства диэлектрических наночастиц с оболочкой из диоксида ванадия.

Нелинейно-оптические свойства наночастиц диоксида ванадия с оболочкой из пленки металла.

Ограничение инфракрасного излучения наночастицами диоксида ванадия. Экспериментальные результаты.

4.4. Выводы.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Нелинейно-оптическое ограничение инфракрасного лазерного излучения в полупроводниках»

В настоящей диссертации представлены результаты исследований, проведенных в 1993-2003 годах в Институте лазерной физики. Диссертация посвящена экспериментальному и теоретическому исследованию нелинейно-оптических эффектов в полупроводниковых монокристаллах, пленках полупроводников и полупроводниковых наноструктурах, приводящих к низкопороговому оптическому ограничению инфракрасного излучения в спектральном диапазоне 1-11 мкм.

Актуальность темы. В настоящее время лазеры и лазерные системы находят применение практически во всех сферах человеческой деятельности -промышленности, медицине, науке, культуре и экологии. Чрезвычайно интенсивно развивается направление передачи и обработки информации оптическими методами. В многих из указанных областей актуальной является задача управления параметрами лазерных импульсов - амплитудой, длительностью, пространственным распределением и т. д. Во всех областях применения лазеров возникает проблема предохранения органов зрения и фотоприемных устройств от ослепления и разрушения интенсивным лазерным излучением.

Для решения данных задач используются оптические переключатели и модуляторы излучения. Оптические ограничители (лимитеры) являются частным случаем нелинейно-оптических переключателей. Данные устройства, в идеале, должны иметь высокий постоянный коэффициент пропускания при низкой интенсивности излучения и линейное уменьшение пропускания с ростом интенсивности, при превышении интенсивностью определенной пороговой величины. Ограничители могут быть использованы и для управления характеристиками лазерного излучения, в том числе, для внутрирезонаторного управления генерацией, однако, основное и наиболее важное их применение - защита глаз и фотоприемных устройств от воздействия интенсивного излучения.

Большинство нелинейно-оптических материалов и нелинейно-оптических эффектов могут быть использованы лишь в видимой области спектра и коротковолновой части ближнего ИК диапазона. Это связано, в первую очередь, с тем, что по мере увеличения длины волны, энергии фотона оказывается недостаточно для активирования процессов в веществе, приводящих к изменению его оптических характеристик. Кроме того, количество прозрачных материалов резко уменьшается при переходе из видимого и ближнего - в средний ИК диапазон. Так, если для видимой области спектра существуют сотни нелинейно-оптических материалов, то в 10-микронном диапазоне таких материалов единицы. В то же время, лазеры, широко используемые в промышленности, экологии, лазерной локации и системах передачи и обработки оптической информации, имеют длину волны генерации в спектральном диапазоне 1-11 мкм.

Ограничитель излучения, как защитное устройство, должен иметь низкий энергетический порог ограничения излучения, не превышающий порог повреждения защищаемого объекта. Нелинейно-оптические процессы, как правило, протекают при высокой интенсивности излучения. Поэтому эффективное управление параметрами излучения за счет этих процессов, при малой энергии управляющего оптического сигнала, может осуществляться лишь в пико- и фемтосекундном диапазоне длительности лазерного импульса. В то же время, для решения многих прикладных задач используются лазерные источники с нано- и микросекундной длительностью импульсов излучения. При этом, интенсивность излучения, необходимая для инициирования нелинейно-оптического эффекта, возрастает на порядки и может достигать порога разрушения нелинейно-оптического материала.

Таким образом, актуальной является задача поиска нелинейно-оптических материалов и эффектов, позволяющих получить эффективное низкопороговое ограничение лазерного инфракрасного излучения нано- и микросекундной длительности и создание на основе этих материалов и эффектов защитных оптических устройств - ограничителей излучения. Не менее актуальной является задача создания эффективных оптических переключателей для внутрирезонаторного управления генерацией лазеров среднего ИК диапазона.

Целью диссертационной работы являлось экспериментальное и теоретическое исследование нелинейно-оптических эффектов в полупроводниках, приводящих к низкопороговому оптическому ограничению ИК излучения нано- и микросекундной длительности, а также разработка, создание и исследование ограничителей излучения для спектрального диапазона 1-11 мкм.

Для достижения указанной цели, среди всего многообразия нелинейно-оптических эффектов, были выбраны три группы светоиндуцированных эффектов в полупроводниках:

- самодефокусировка излучения в монокристаллических полупроводниках с глубокими примесными уровнями,

- индуцированный излучением обратимый фазовый переход полупроводник-металл в поликристаллических пленках диоксида ванадия и

- светоиндуцированное поглощение и рассеяние в полупроводниковых наночастицах.

Исходя из поставленной цели работы и нелинейно-оптических эффектов, выбранных для исследования, было необходимо решить следующие задачи:

1. Теоретическое исследование процессов формирования динамической отрицательной линзы в полупроводнике при фотогенерации неравновесных носителей заряда с глубоких примесных уровней. Анализ влияния двухфотонного межзонного поглощения и тепловых процессов на пространственные характеристики динамической линзы.

2. Экспериментальное исследование низкопорогового ограничения при самодефокусировке излучения в полупроводниках с глубокими примесными уровнями в спектральном интервале 1-4 мкм для нано- и микросекундной длительности лазерных импульсов.

3. Разработка многослойных тонкопленочных структур с пленкой диоксида ванадия, в качестве управляющего элемента, для ограничения инфракрасного излучения.

4. Теоретическое исследование пространственной динамики переключения пленки диоксида ванадия под действием импульса инфракрасного излучения. Анализ динамических процессов в С02 лазере с внутрирезонаторным ограничителем излучения. Анализ эффективности процесса ограничения излучения среднего ИК диапазона в пленке диоксида ванадия.

5. Экспериментальное исследование динамики генерации ТЕА-СОг лазера с внутрирезонаторным ограничителем на основе диоксида ванадия.

6. Экспериментальное исследование ограничения излучения среднего ИК диапазона тонкопленочными структурами с пленкой диоксида ванадия.

7. Теоретическое исследование светомндуцированного поглощения и рассеяния в наночастицах широкозонных полупроводников и изоляторов с оболочкой, содержащей глубокие примесные уровни. Экспериментальное исследование ограничения излучения ближнего ИК диапазона наночастицами широкозонных полупроводников с оболочкой, содержащей глубокие примесные уровни.

8. Теоретическое исследование светоиндуцированного поглощения и рассеяния в наночастицах галогенидов серебра в условиях плазмонного резонанса. Экспериментальное исследование ограничения излучения среднего ИК диапазона наночастицами галогенидов серебра в условиях плазмонного резонанса.

9. Теоретическое и экспериментальное исследование светоиндуцированного поглощения и рассеяния, а также ограничения излучения среднего ИК диапазона в наночастицах диоксида ванадия.

10. Исследование светоиндуцированного поглощения и рассеяния, а также ограничения излучения среднего ИК диапазона в диэлектрических наночастицах с оболочкой из диоксида ванадия.

11. Теоретическое и экспериментальное исследование светоиндуцированного поглощения и рассеяния, а также ограничения излучения ближнего и среднего ИК диапазона в наночастицах диоксида ванадия в условиях плазмонного резонанса.

Научная новизна.

1. Впервые экспериментально получено и исследовано низкопороговое ограничение при самодефокусировке излучения в монокристаллах полупроводников с глубокими примесными уровнями.

2. Разработаны многослойные структуры на основе пленок диоксида ванадия с управляемыми оптическими характеристиками для ограничения излучения ближнего и среднего ИК диапазона. Теоретически исследована динамика переключения ограничителей с пленкой диоксида ванадия под действием импульса излучения, а также динамика генерации СОг лазера с внутрирезонаторным ограничителем.

3. Впервые экспериментально получено и исследовано управление генерацией ТЕА-СОг лазера, в том числе, управление диаграммой направленности излучения лазера, с помощью внутрирезонаторного ограничителя излучения с пленкой диоксида ванадия.

4. Впервые экспериментально исследовано ограничение импульсного излучения среднего ИК диапазона ограничителем с пленкой диоксида ванадия.

5. Теоретически исследованы нелинейно-оптические эффекты в наночастицах широкозонных полупроводников и изоляторов с оболочкой, содержащей глубокие примесные уровни. Впервые экспериментально получено и исследовано низкопороговое ограничение излучения видимого и ближнего ИК диапазона такими наноструктурами.

6. Теоретически исследованы нелинейно-оптические эффекты в наночастицах галогенидов серебра в условиях плазмонного резонанса в среднем ИК диапазоне. Впервые экспериментально получено и исследовано низкопороговое ограничение излучения среднего ИК диапазона наночастицами галогенидов серебра с оболочкой из островковой пленки серебра.

7. Теоретически исследовано светоиндуцированное поглощение и рассеяние в наночастицах диоксида ванадия, а также в наноструктурах с диоксидом ванадия в ближнем и среднем ИК диапазонах. Впервые экспериментально получено ограничение излучения ближнего и среднего ИК диапазона такими наноструктурами.

Практическая значимость работы. Проведенные исследования нелинейно-оптического ограничения излучения в полупроводниках, пленках с фазовым переходом полупроводник-металл и полупроводниковых наноструктурах послужили основой для разработки низкопороговых ограничителей излучения ближнего и среднего ИК диапазонов, предназначенных для защиты органов зрения и фотоприемных устройств от повреждения лазерным излучением. Результаты исследований были использованы при создании макетов ограничителей излучения ближнего и среднего ИК диапазонов, а также легли в основу ОКР по разработке и созданию опытных образцов ограничителей для спектральных областей 1-1.55 мкм и 3-12 мкм. Полученные результаты могут быть использованы при разработке и создании низкопороговых оптических переключателей излучения ближнего ИК диапазона для систем передачи и обработки оптической информации, а также для внутрирезонаторного управления генерацией лазеров среднего ИК диапазона.

Результаты работы защищены 3 патентами Российской Федерации.

На защиту выносятся следующие результаты и положения:

1. Предложены и изучены новые механизмы низкопорогового ограничения инфракрасного излучения в полупроводниках и на их основе созданы быстродействующие низкопороговые ограничители излучения.

2. Предложены и впервые реализованы низкопороговые ограничители излучения ближнего ИК диапазона на основе самодефокусировки излучения в полупроводниках с глубокими примесными уровнями. Исследованы основные закономерности формирования отрицательной динамической линзы, приводящей к ограничению излучения в примесном полупроводнике. Получено ограничение нано- и микросекундных лазерных импульсов с порогом 2-10 пДж и динамическим диапазоном 104-106.

3. Разработаны слоистые структуры с пленкой диоксида ванадия, обеспечивающие эффективное ограничение излучения среднего ИК диапазона и исследована динамика переключения таких структур под действием лазерного излучения. Впервые получено управление генерацией СОг лазеров и ограничение 10-микронного излучения с порогом менее 1 мДж и динамическим диапазоном до 104.

4. Предложены и реализованы новые композитные среды для низкопорогового ограничения излучения видимого, ближнего и среднего ИК диапазонов на основе светоиндуцированного поглощения и рассеяния в полупроводниковых наночастицах с оболочкой. Впервые в таких средах получено ограничение излучения видимого и ближнего ИК диапазонов с порогом менее 500 пДж/см2. Показано, что в наночастицах с оболочкой из островковой металлической пленки может быть реализован плазмонный резонанс в среднем ИК диапазоне. Впервые получено ограничение 10-микронного излучения такими наночастицами с порогом 10 мкДж/см2 и динамическим диапазоном 103.

Апробация работы. Основные результаты диссертации докладывались и обсуждались на конференции Photonics West (California, USA, 1998), IX международной конференции «Оптика лазеров» (С-Пб, Россия, 1998), конференции Photonics West (California, USA, 1999), X международной конференции «Оптика лазеров» (С-Пб, Россия, 2000), на международном симпозиуме ISOPL-3 (Venice, Italy, 2000), V международной конференции «Прикладная оптика» (С-Пб, Россия, 2002), на XI международной конференции «Оптика лазеров» (С-Пб, Россия, 2003) и на международном симпозиуме ISOPL-3 (Arizona, USA, 2003).

Макеты ограничителей излучения экспонировались на международных выставках в Мюнхене «Laser-2001» (Германия, июль 2001), в Шанхае (КНР, ноябрь 2001) и в Орландо «Aerospace-2002» (США, апрель 2002) и в Мюнхене «Laser-2003» (Германия, июнь 2003).

Публикации. Основные результаты диссертации изложены в 45 опубликованной автором работе.

Личный вклад автора. Содержание диссертации и основные положения, выносимые на защиту, отражают персональный вклад автора в опубликованные работы. Все представленные в диссертации экспериментальные результаты и теоретические расчеты получены и выполнены лично автором, либо при его непосредственном участии. Часть экспериментальных исследований выполнена совместно с аспиранткой О.П.Михеевой. Часть теоретических расчетов по динамике генерации ТЕА-СО2 лазера с внутрирезонаторным ограничителем излучения -совместно с Е.Н.Сосновым. Основные работы выполнены в соавторстве с сотрудниками НИИ ЛФ, ВНЦ «ГОИ им.С.И.Вавилова» и ФТИ им.А.Ф.Иоффе РАН.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и списка цитируемой литературы, включающего 246 наименования. Диссертация изложена на 327 страницах и содержит 113 рисунков и 15 таблиц.

Заключение диссертации по теме «Оптика», Сидоров, Александр Иванович

Основные результаты, полученные в работе, можно сформулировать следующим образом:

1. Установлено, что самодефокусировка излучения при фотогенерации носителей заряда с глубоких примесных уровней широкозонных полупроводников приводит к низкопороговому ограничению нано- и микросекундных импульсов излучения ближнего ИК диапазона. Впервые экспериментально получено ограничение нано- и микросекундных импульсов излучения ближнего ИК диапазона с порогом ограничения 2-10 пДж и динамическим диапазоном ограничения 104-10б.

2. Разработаны интерференционные и слоистые структуры с пленкой диоксида ванадия, с уменьшением коэффициента отражения или пропускания при увеличении температуры и контрастом до 105. Установлено, что динамика ограничения излучения среднего ИК диапазона такими многослойными структурами определяется пространственной динамикой волны переключения на границе полупроводниковой и металлической фазы в пленке диоксида ванадия. Впервые экспериментально получено управление генерацией СОг лазера с помощью внутрирезонаторных ограничителей излучения на основе диоксида ванадия. Впервые экспериментально получено ограничение микросекундных импульсов излучения с длиной волны 10.6 мкм с порогом ограничения 800 мкДж и динамическим диапазоном ограничения до 104.

3. Проведено экспериментальное и теоретическое исследование лучевой стойкости многослойный структур с пленкой диоксида ванадия в спектральном диапазоне 2.6-10.6 мкм дли длительностей лазерного импульса 0.5-50 мке. Показано, что разрушение пленок диоксида ванадия излучением ИК диапазона микросекундной длительности вызвано тепловыми процессами, а лучевая стойкость слоистых структур с пленкой диоксида ванадия может л достигать 20 Дж/см для импульсов длительностью в десятки микросекунд.

4. Установлено, что увеличение рассеяния излучения при фотогенерации носителей заряда с глубоких примесных уровней в оболочках наночастиц широкозонных полупроводников и изоляторов приводит к низкопороговому ограничению наносекундных импульсов излучения видимого и ближнего ИК диапазона. Впервые экспериментально получено ограничение наносекундных импульсов излучения видимого и ближнего ИК диапазона такими наностурктурами с порогом ограничения 0.05-10 нДж/см2 и динамическим диапазоном ограничения до 2- 103.

5. Установлено, что для полупроводниковых наночастиц с оболочкой из островковых пленок серебра может быть реализован плазмонный резонанс в среднем ИК диапазоне. Показано, что увеличение поглощения и рассеяния наночастицами галогенидов серебра с оболочкой из островковой пленки серебра, в результате пьезооптического эффекта в условиях локального усиления электромагнитного поля при плазмонном резонансе, приводит к низкопороговому ограничению микросекундных импульсов излучения среднего ИК диапазона. Впервые экспериментально получено ограничение микросекундных импульсов излучения среднего ИК диапазона такими наноструктурами с порогом ограничения 10 мкДж/см и динамическим диапазоном ограничения доЮ3.

6. Проведены экспериментальные и теоретические исследования нелинейно-оптических свойств нано- и микрочастиц диоксида ванадия, в том числе, с металлической оболочкой, а также диэлектрических частиц с оболочкой из диоксида ванадия в ИК области спектра. Показано, что, благодаря вкладу нелинейного рассеяния излучения на таких частицах, они являются более эффективными структурами для ограничения излучения, чем пленки диоксида ванадия. Впервые экспериментально получено ограничение микросекундного излучения среднего ИК диапазона в средах с такими частицами с порогом

У "У ограничения -100 мкДж/см и динамическим диапазоном ограничения до 10 , а также наносекундного излучения ближнего ИК диапазона с порогом ограничения 15 мкДж/см2 и динамическим диапазоном ограничения до 102.

Основные экспериментальные результаты по ограничению излучения, полученные в диссертационной работе, приведены в таблице.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В диссертации проведено теоретическое и экспериментальное исследование нелинейно-оптических процессов в монокристаллах, пленках и наноструктурах полупроводников, приводящих к оптическому ограничению инфракрасного излучения нано- и микросекундного диапазона.

Исследованы следующие нелинейно-оптические эффекты: самодефокусировка излучения ближнего ИК диапазона в монокристаллах полупроводников с глубокими примесными уровнями, светоиндуцированное поглощение излучения среднего ИК диапазона в поликристаллических пленках диоксида ванадия с фазовым переходом полупроводник-металл, светоиндуцированное поглощение и рассеяние излучения видимого и ближнего ИК диапазона наночастицами широкозонных полупроводников и изоляторов с динамической поглощающей оболочкой, содержащей глубокие примесные уровни, светоиндуцированное поглощение и рассеяние излучения среднего ИК диапазона наночастицами галогенидов серебра с оболочкой из оетровковой пленки серебра в условиях плазмонного резонанса, светоиндуцированное поглощение и рассеяние излучения ближнего и среднего ИК диапазона наночастицами диоксида ванадия.

Список литературы диссертационного исследования доктор физико-математических наук Сидоров, Александр Иванович, 2004 год

1. И.Р.Шен Принципы нелинейной оптики М.: Наука, 1989, 560 с.

2. D.H.Auston, S.V.Shank Picosecond ellipsometry of transient electron-hole plasmas in germanium. Phys. Rev. Lett., 32, N 20, P. 1120-1123, 1974.

3. T.A.Wiggins, J.A.Bellay, A.H.Carrieri Refraction index changes in germanium due to intense radiation. Appl. Opt., 17, N 4, P.526-530, 1978.

4. A.Miller, C.T.Seaton, M.E.Prise et al Band-gap-resonant nonlinear refraction in Ш-V semiconductors. Phys. Rev. Lett., 47, N 3, P. 197-200, 1981.

5. S.A.Samison, A.V.Nurmikko Generation of picosecond pulses of variable duration at 10.6 Mm. Appl. Phys. Lett., 33, N 7, P.598-600, 1978.

6. A.J.Alcock, P.B.Corkum Ultra-fast switching of infrared radiation by laser-produced carriers in semiconductors. Canad. J. of Phys., 57, P.1280-1290, 1979.

7. T.Mocc, Г.Баррел, Б.Эллис Полупроводниковая оптоэлектроника. М.:Мир, 1976,431 с.

8. P.B.Corcum, AJ.Alcock, K.E.Leopold Electron-beam-controlled transmission of 10-цт radiation in semiconductors // J. Appl. Phys., 50, N5, P.3079-3082, 1979.

9. A. V.Nurmikko, G. W.Pratt Fast infrared optical shutter // Appl. Phys. Lett., 27, N5, 83-84, 1975.

10. P. Vincent, N.Paraire, M.Neviere et al. Gratings in non-linear optics and optical bistability //JOSAB, 2, N7, P.l 106-1116, 1985.

11. M.Адаме Введение в теорию оптических волноводов. М.:Мир, 1984, 512 с.

12. G.Assanto, R.M.Fortenberry, C.T.Seaton Theory of pulsed excitation of nonlinear distributed prism couples // JOSA B, 5, N2, P.432-442,1988.

13. H.Saner, N.Paraire, A.Koster et al. Optimization of a silicon-on-sapphire waveguide device for optical bistable operation // JOSA B, 5, N2, P.443-451, 1988.

14. G.Assanto, M.B.Marques, G.I.Stegeman Grating coupling of light pulses into third-order nonlinear waveguides // JOSA B, 8, N3, P.553-561, 1991.

15. D.F.Perlewits, T.G.Brown Optical limiting and free-carrier dynamics in a periodic semiconductor waveguide // JOSA B, 11, N2, P.304-312, 1994.

16. В.И.Гавриленко, А.М.Грехов, Д.В.Корбутяк и др. Оптические свойства полупроводников. Справочник. Киев: Наукова думка, 1987, 607 с.

17. Е.М.Воронкова, Б.Н.Гречушников, Г.И.Дистлер и др. Оптические материалы для инфракрасной техники. М.: Наука, 1965, 335 с.

18. R.K.Jain Degenerate four-wave mixing in semiconductors: application to phase conjugation and to picosecond-resolved studies of transient carrier dynamics. // Opt. Eng., 21, N2, P. 199-218, 1982.

19. И.М.Несмепова Оптические свойства узкощелевых полупроводников, Новосибирск: Наука, 1982, 157 с.

20. Г.Н.Галкин Междузонные процессы рекомбинации в полупроводниках при высоких уровнях возбуждения // Труды ФИ АН, 128, С.3-64, 1981.

21. A.F.Gibson,С.A.Rosito, C.A.Rajfo et al Absorption saturation in germanium, silicon an gallium arsenide at 10.6 ц // Appl. Phys. Lett., 21, N 8, P. 356-357, 1972.

22. A.F.Gibson, M.F.Kimmett, B.Norris // Appl. Phys. Lett., 24, P.306-308, 1974.

23. F.Keilmann Infrared saturation spectroscopy in p-type germanium // IEEE J. of Quant. Electr., QE-12, N 10, P.592-597, 1976.

24. P.J.Bishop, A.F.Gibson, M.F.Kimmett Absorption saturation in p-type germanium // J. Phys. D, 9, P.L101-L103, 1976.

25. R.S.Taylor, B.G.Garside, E.A.BallikH IEEE J. of Quant. Electr., QE-14, P.532-538, 1978.

26. В.Виттеман С02-лазер, М.:Мир, 1990, 360 с.

27. G.C.Valley, A.L.Smirl Theory of energy transfer in gallium arsenide // IEEE J. of Quant. Electr., QE-24, N 2, P.304-310, 1988.

28. A.L.Smirl, G.C.Valley, K.M.Bohnert Picosecond photorefractive and free-carrier transient energy transfer in GaAs at 1 цт //IEEE J. of Qua t. Electr., QE-24, N 2, P.289-303,1988.

29. A.Chantre, G.Vincent, D.Bois Deep-level optical spectroscopy in GaAs // Phys. Rev. B, 23, N 10, P.5335-5358,1981.

30. Н.К.Морозова, В.А.Кузнецов, В.Д.Рыжиков и др. Селенид цинка. Получение и оптические свойства, М.: Наука, 1992, 95 с.

31. Арсенид галлия. Получение, свойства и применение. Под ред. Ф.П.Кесаманлы и Д.И.Наследова, М.: Наука, 1978, 471 с.

32. Оптические свойства полупроводников. Под ред. Р.Уиллардсона и А.Бира, М.: Мир, 1970, 488 с.

33. M.J.Lederer, B.Luther-Davies, Н.Н.Тап et al Nonlinear optical absorption and temporal response of arsenic- and oxygen-implanted GaAs // Appl. Phys. Lett., 74, N 14, P. 19931995, 1999.

34. U.Keller, K.Weingarten, I.Kirtner//IEEE J.Sel.Top. Quant. Electr., 2, P.435, 1996.

35. В.С.Вавилов Действие излучений на полупроводники М.: ГИФМЛ, 1963, 264 с.

36. D.D.Nolte Metastable optical gratings in compound semiconductors // J. Appl. Phys., 79, N 10, P.7514-7522, 1996.

37. P.Delaye, L.Bastiene, K.Jarasiunas et al Laser-induced free carrier and photorefractive nonlinearities in semiconductors with deep traps. Conf. Laser Optics, Summaries of papers, 2, P.369, 1993.

38. A.V.Kir'yanov, V.N.Filippov, A.N.Starodumov CW-pumped erbium fiber laser passively Q-switched with Co2+:ZnSe crystal. Proc. of ICONO-2001, P.S13, 2001.

39. Х.Гиббс Оптическая бистабильность. Управление светом с помощью света. М.: Мир, 1988,518 с.

40. S.Ovadia, H.M.Gibbs, J.L.Jewell et al Evidence that room temperature optical bistability is excitonic in both bulk and multiple-quantum-well gallium arsenide. // Opt. Eng., 24, N4, P.565-568, 1985.

41. X.B.Mei, K.K.Loi, H.H. Weider et al Strain-compensated InAsP/GalnP multiple quantum wells for 1.3 цт waveguide modulators // Appl. Phys. Lett., 68, N 1, P.90-92, 1996.

42. C.Knorr, U. Wilhelm, V.Harle et al A mechanism for low-power all-optical switching in multiple-quantum-well structures // Appl. Phys. Lett., 69, N 27, P.4212-4214, 1996.

43. A.Kost, T.C.Hasenberg, L.West et al Nonlinear semiconductor mirrors at 1.5 цт with application to laser mode locking. Proc. of CLEO-95, P. 156, 1995.

44. A.Adinolfi, M.C.Netti, M.Lepore et al Measurements of multiphoton absorption coefficients in ZnSe/ZnxSei.x strained superlattices. //NLO, 21, N 1-4, P.317-325, 1999.

45. R.Takahashi, Y.Kawamura, H.Iwamura Ultrafast 1.55 цт all-optical switching using low-temperature-grown multiple quantum wells. // Appl. Phys. Lett., 68, N 2, P. 153-155, 1996.

46. Н.Г.Басов, В.И.Ковалев, М.А.Мусаев и др. Обращение волнового фронта излучения импульсного С02 лазера. // Труды ФИАН, 172, С.116-179, 1986.

47. Б.Я.Зельдович, Н.Ф.Пилипецкий, В.В.Шкунов Обращение волнового фронта, М.: Наука, 1985, 247 с.

48. Н.Н.Розанов Оптическая бистабильность и гистерезис в распределенных нелинейных системах, М.: Наука, 1997, 334 с.

49. J.M.Ralston, R.K.Chang Optical limiting in semiconductors // Appl. Phys. Lett., 15, N 4, P. 164-166, 1969.

50. K.G.Svantesson Determination of the interband and the free carrier absorption constants in silicon at high-level photoinjection // J. Phys. D: Appl. Phys., 12, P. 425-436, 1979.

51. Ф.Г.Акманов, Б.В.Жданов, Б.Г.Шакиров Двухфотонное поглощение и оптическое ограничение ИК излучения в антимониде галлия п-типа // Квантовая электроника, 23, №4, С.905-906, 1996.

52. G.C.Valley, T.F.Boggess, J.Dubard et al Picosecond pump-probe technique to measure deep-level, free-carier, and two-photon cross-sections in GaAs // J. Appl. Phys., 66, N 6, P.2407-2413, 1989.

53. A.K.Kar, J.G.H.Mathew, S.D.Smith et al Optical bistability in InSb at room temperature with two-photon excitation // Appl. Phys. Lett., 42, N 4, P.334-336,1983.

54. J.G.H.Mathew, D.Craig, A.Miller Optical switching in a CdHgTe etalon at room temperature // Appl. Phys. Lett., 46, N 2, P. 128-130, 1985.

55. S.Y.Auyang, P.A. Wolf Free-carrier-induced thrid-order optical nonlinearities in semiconductors // J. Opt. Soc. Am. B, 6, N 4, P.595-605, 1989.

56. T.F.Boggess, A.L.Smirl, S.C.Moss et al Optical limiting in GaAs // IEEE J. of Quant. Electr., QE-21, N 5, P.488-494, 1985.

57. M.Sheik-Bahae, A.A.Said, E. W. Van Stryland High-sensitivity, single-beam n2 measurements // Opt. Lett., 14, N 17, P.955-957, 1989.

58. E. W. Van Stryland, H. Vanherzeele, M.A. Woodal et al Two photon absorption, nonlinear refraction and optical limiting in semiconductors // Opt. Eng., 24, N 4, P.613-623,1985.

59. T.F.Boggess, S.C.Moss, J.W.Boyd et al Nonlinear-optical energy regulation by nonlinear refraction and absorption in silicon // Opt. Lett., 9, N 7, P.291-293, 1984.

60. E. W. Van Stryland, Y. Y. Wu, D.J.Hagan et al Optical limiting with semiconductors // J. Opt. Soc. Am B, 5, N 9, P.1980-1988,1988.

61. M.Sheik-Bahae, A.A.Said, D.J.Hagan et al Nonlinear refraction and optical limiting in thick media // Opt. Eng., 30, N 8, P.1228-1235,1991.

62. D.I.Kovsh, S. Yang, D.J.Hagan et al Nonlinear optical beam propagation for optical limiting // Appl. Opt., 38, N 24, P.5168-5180, 1999.

63. T.F.Boggess, A.L.Smirl, J.Dubard et al Single-beam and multiple-beam optical limiters using semiconductors // Opt. Eng., 30, N 5, P.629-634, 1991.

64. TXia, DJ.Hagan, E. V. Van Stryland et al Origin of self-focusing of nanosecond pulses in ZnSe. Proc. of CLEO-95, P. 112,1995.

65. Патент № 4.846.561 (USA), от 11.07.89.

66. M.Belousova, V.P.Belousov, O.B.Danilov et al Peculiarities of optical limiting mechanism in liquid, polymer and solid-state fullerene-containing media. // NLO B, 27, N1-4, P.219-232,2000.

67. M.Belousova, V.P.Belousov, O.B.Danilov, V. V.Danilov, A.I.Sidorov, I.L. Yachnev Photodynamics of optical limiting of power laser radiation // NLO B, 27, N1-4, P.233-248, 2000.

68. J.D.Swaleu, F.Kajzar Nonlinear absorption in optical limiting // NLO B, 27, N1-4, P. 1332, 2000.

69. KM.Nashold, A.Sher, R.L.Shsrpless et al Comparing of optical limiting in small colloidal suspensions with optical limiting in carbon suspensions // NLO B, 27, N1-4, P. 101-120, 2000.

70. С.А.Тулъский, И.Л.Ячнев Газовый ограничитель энергии мощного лазерного излучения // Оптический журнал, 69, №5, С. 16-19,2002.

71. А.А.Бугаев, Б.П.Захарченя, Ф.А. Чудновский Фазовый переход полупроводник-металл и его применение. JL: Наука, 1979, 183 с.

72. W.Bruckner, H.Opperman, W.Reichelt et al Vanadiumoxide. Akademie-Verlag, Berlin, 1983,252 р.

73. H.W.Verleur, A.S.Barker, C.N.Berglund Optical properties of VO2 between 0.25 and 5 eV // Phys. Rev., 172, N 3, P.788-798, 1968.

74. В.И.Беляков, В.А.Дмитриев, В.Н.Корнетов и др. Оптические константы двухфазных пленок на основе диоксида ванадия // Автометрия, № 5, С.114-116,1981.

75. J.C.Parker, U.W.Geiser, DJ.Larn et al Optical properties of vanadium oxides VO2 and V205 // J. Amer. Ceram. Soc., 73, N 11, P.3206-3208, 1990.

76. E.E. Chain Optical properties of vanadium dioxide and vanadium pentoxide thin films // Appl. Opt., 30, N 19, P.2782-2787, 1991.

77. F.C.Case An improved VO2 thin films for infrared switching // Appl. Opt., 30, N 28, P.4119-4123, 1991.

78. А.С.Олейник Оптические параметры пленочных реверсивных сред AI-VO2-AK-11308 и AI-VO2-AI2O3 //ЖТФ, 61, В.1, С.97-103,1993.

79. M.Tazawa, P.Jin, S.Tanemura Optical constants of Vi.xWx02 films // Appl. Opt., 37, N 10, P.1858-1861, 1998.

80. Д.О.Кикалов, В.П.Малиненко, А.Л.Пергамент и др. Оптические свойства тонких пленок аморфного диоксида ванадия // ПЖТФ, 25, В.8, С.81-87,1999.

81. Г.А.Березовский, Е.И.Лукащук Термодинамические свойства диоксида ванадия в интервале 6-360 К. Препринт, Новосибирск, 1990,20 с.

82. C.H.Griffiths, H.K.Eastwood Influence of stoichiometry on the metal-semiconductor phase transition in vanadium dioxide I I J. Appl. Phys., 45, N 5, P.2201-2206, 1974.

83. E.E. Chain Characterization of vanadium oxide optical thin films by x-ray diffractometry // Appl. Opt., 28, N 4, P.713-715, 1989.

84. Е.Б.Шадрин Оптика фазовых превращений и электретных состояний в оксидах переходных металлов. Автореферат докт. дисс., ФТИ им. А.Ф.Иоффе РАН, СПб, 1997, 32 с.

85. Е.Б.Шадрин, А.В.Ильинский О природе фазового перехода металл-полупроводник в диоксиде ванадия // ФТТ, 42, № 6, С. 1092-1099, 2000.

86. Н.Ф.Мотт Переходы металл-изолятор М.: Наука, 1979, 342 с.

87. Г.В.Лосева, С.Г.Овчинников, Г.А.Петраковский Переход металл-диэлектрик в сульфидах 3d-MeTaimoB. Новосибирск, Наука, 1989,144 с.

88. M.F.Becker, A.B.Buckman, R.M. Walser et al Femtosecond laser excitation of the semiconductor-metal phase transition in V02 // J. Appl. Phys., 79, N 5, P.2404-2408, 1996.

89. A.Cavallieri, C.Toth, C.W.Siders et al Femtosecond structural dynamics in VO2 during ultrafast solid-solid phase transition // Phys. Rev. Lett., 87, N 23, P.237401-1 237401-4, 2001.

90. А.А.Бугаев, В.В.Гудялис, А.В.Клочков Индуцированная оптическая анизотропия пленки двуокиси ванадия при пикосекундном возбуждении // ФТТ, 25, № 6, С. 18901892, 1983.

91. M.Fukuruma, S.Zembutsu, S.Miyazawa Preparation of VO2 thin film and its direct optical bit recording characteristics // Appl. Opt., 22, N 2, P.265-270, 1983.

92. P.Zhu, S.Yamamoto, A.Miyashita et al Semiconductor-metal phase transition in VO2 films sinthesized on а-А^Оэ by oxygen-reactive deposition using neodymium-doped yttrium aluminium garnet laser // Phylosoph. Mag. Lett., 79, N 8, P.603-608, 1999.

93. F.A.Chudnovskii, A.L.Pergament, D.A.Schaefer et al Effect of laser irradiation on the properties of transition metal oxides // J. Sol. State Chem., 118, P.416-417, 1995.

94. А.А.Бугаев, Б.П.Захарченя Окисная пленка ванадия как регистрирующая среда для голографии // Квантовая электроника, 6, В.7, С. 1459-1465, 1979.

95. М.И.Григорьев, А.С.Олейник, В.Ф.Смоляное Термохромные индикаторы на основе материала ФТИРОС // Электронная промышл., В.5-6, С. 108-111, 1982.

96. J.C.Chivian, M.W.Scott, W.E.Case An improved scan laser with a VO2 programmable mirror//IEEE J. of Quant. Electr., QE-21, N 4, P.383-390, 1985.

97. Н.Ф.Бочоришвили, В.Д.Введенский, Ю.М.Гербштейн и др. Использование фазового перехода полупроводник-металл в двуокиси ванадия для внутрирезонаторного управления излучением С02 лазера // ЖТФ, 59, В. 10, С.83-87, 1989.

98. J.C.C.Fan, H.R.Fetterman, F.J.Backer et al Thin-film VO2 submillimeter-wave modulators and polarizers // Appl. Opt. Lett., 31, N 1, P.l 1-13, 1977.

99. И.А.Сербанов, Ю.Д.Калафати, Л.А.Рябова Диссипативные структуры при фазовом переходе полупроводник-металл // ПЖТФ, 6, В.4, С. 196-200,1980.

100. Д.И.Биленко, В.А.Лодгауз Термооптическая бистабильность и нелинейные волны переключения в пленках двуокиси ванадия // Квантовая электроника, 12, № 1, С.177-179, 1985.

101. D.Auvergne, J.Camassel, H.Mathieu et al Temperature dependence of the band structure of germanium- and zinc-blende-type semiconductors // Phys. Rev. В., 9, N 12, P.5168-5177, 1974.

102. О.П.Коновалова, А.И.Сидоров, И.И.Шаганов Управляемые VO2 зеркала для среднего ИК диапазона на основе интерферометра с «необращенными» полосами отражения // Оптический журнал, 65, № 4, С.20-23, 1998.

103. C.T.Seaton, Xu Mai, G.I.Stegeman et al Nonlinear guided wave applications // Opt. Eng., 24, N 4, P.593-599, 1985.

104. J.P.Segauld, O.Giraudo, C.Indrigo et al V02 and Au-V02 thin films prepared by sputtering and sol-gel for infrared optical power limiting // NLO, 21, N 1-4, P.211-224, 1999.

105. T. Altanhan, // J.Phys. C: Sol. St.P hys, V.20, P. L949, 1987.

106. G.Assanto, M.B.Marques, G.I.Stegeman Grating coupling of light pulses into third-order nonlinear waveguides // J. Opt. Soc. Am. B, 8, N 3, P.553-561, 1991.

107. С.О.Гладков Физика композитов. Термодинамические и диссипативные свойства. М.: Наука, 1999, 330 с.

108. K.M.Leung Optical bistability in the scattering and absorption of light from nonlinear microparticles // Phys. Rev. A, 33, N 4, P.2461-2464,1986.

109. S.Schmitt-Rink, D.A.Miller, D.S.Chemla Theory of linear and nonlinear optical properties of semiconductor microcrystalites // Phys.Rev. B, 35, N 15, P.8113-8125, 1987.

110. Y.Q.Li, C.C.Sung, RJnguva et al Nonlinear-optical properties of semiconductor composite materials // J. Opt. Soc. Am. B, 6, N 4, P.814-817,1989.

111. D.Stroud, Van E.Wood Decoupling approximation for the nonlinear-optical response of composite media // J. Opt. Soc. Am. B, 6, N 4, P.778-786, 1989.

112. Y.Wang, N.Herron, W.Mahler et al Linear and nonlinear-optical properties of semiconductor clasters // J. Opt. Soc. Am. B, 6, N 4, P.808-813,1989.

113. N.Finlayson, W.C.Banyai, C.T.Seaton et al Optical nonlinearities in CdSxSeix-doped glass waveguides // J. Opt. Soc. Am. B, 6, N 4, P.675-684,1989.

114. G.Assanto Thermal and band-filling effects in prism coupling to CdSSe-doped glass waveguides // J. Mod. Opt., 36, N 3, P.305-316,1989.

115. S.Ohtsuka, T.Koyama, K.Tsunetomo et al Nonlinear optical property of CdTe microcrystalites-doped glasses fabricated by laser evaporation method // Appl. Phys. Lett.,61, N 25, P.2953-2954, 1992.

116. M.Y.Han, W.Huang, C.H.Chew et al Large nonlinear absorption in coated Ag2S/CdS nanoparticles by inverse microemulsion // J. Phys. Chem.B, 102, P.1884-1887,1998.

117. И.А.Акимов, И.Ю.Денисюк, А.М.Мешков Классические (не квантовые) нанокристаллы полупроводников в органических матрицах // Оптический журнал, 68, № 1, С. 18-24,2001.

118. Я.С.Бобович Нанофизика диэлектрических сред и ее место в оптоэлектронике. Часть I. // Оптический журнал, 68, № 1, С.6-18, 2001. Часть П: // Оптический журнал, 68, № 3, С.3-18,2001.

119. S.Vijayalakshmi, J.Sturmann, H.Grebel Linear and nonlinear properties of laser-ablated Si films in the 9.0-9.6 fim wavelength region // J. Opt. Soc. Am. B, 16, N 8< P. 1286-1291, 1999.

120. S.CJain, N.D.Arora, K.L.Chaudhary Electron microscope study of silver colloids in KCl:Ag // J. Appl. Phys., 45, N 5, P.2368-2369,1974.

121. J.G.Bergman, D.S.Chemla, P.F.Liao et al Relationship between surface enhanced Raman scattering and the dielectric function of aggregated silver films // Opt. Lett., 6, N l,P.33-35, 1981.

122. L.-C.Chu, S. Wang Simple treatment of the enhanced Raman scattering due to a two-dimensional array of metallic spheroids // Phys. Rev. B, 31, N 2, P.693-699,1985.

123. W.H.Weber, G.W.Ford Optical electric-field enhancement at a metal surface arising from surface-plasmon excitation // Opt. Lett., 6, N 3, P.122-124,1981.

124. T.Yamaguchi, H.Takahashi, A.Sudoh Optical behavior of a metal island film // J. Opt. Soc. Am. 68, N 8, P.1039-1044,1978.

125. И.Н.Шкляревский, А.П.Сшков, Н.А.Макаровский Фактор заполнения гранулярных пленок серебра при котором исчезает дипольное взаимодействие между гранулами // Опт. спектр., 70, В. 6, С.1349-1351, 1991.

126. И.Н.Шкляревский Ю.Ю.Бондаренко, Н.А.Макаровский Плазменный резонанс в гранулярных пленках галлия, осажденных на шероховатые поверхности монокристаллов NaCl и КС1 // Опт. спектр., 88, №4, С.607-610,2000.

127. G.Iadonisi, V.Marigliano, G.P.Zucchelli Electromagnetic modes and plasmons at the surface of spatially dispersive metals // Phys. Rev. В., 23, N 10, P.5163-5175, 1981.

128. F.Hache, D.Ricard, C.Flytzanis Optical nonlinearities of small metal particles: surface-mediated resonance and quantum size effects // J. Opt. Soc. Am. B, 3, N 12,1. Ф P.1647-1655, 1986.

129. М.Борн, Э.Вольф Основы оптики, М.: Наука, 1973, 719 с.

130. J.W.Haus, N.Kalyaniwalla, R.Inguwa et al Nonlinear-optical properties of conductive spheroidal particle composites // J. Opt. Soc. Am. B, 6, N 4, P.797-807, 1989.

131. A.E.Neeves, M.H.Birnboim Composite structures for the enhancement of nonlinear-optical susceptibility// J. Opt. Soc. Am. B, 6, N 4, P.787-796, 1989.

132. J.W.Haus, H.S.Zhou, S.Takami et al Enhanced optical properties of metal-coated nanoparticles // J. Appl. Phys., 73, N 3, P.1043-1048, 1993.

133. H.S.Zhou, I.Honma, H.Komiyama et al Controlled synthesis and quantum-size effect f* in gold-coated nanoparticles // Phys. Rev. B, 50, N 16, P. 12052-12056, 1994.

134. Y.Hamanaka, A.Nakamura, S.Omi et al Ultrafast response of nonlinear refractive index of silver nanocrystals embeded in glass // Appl. Phys. Lett., 75, N 12, P.1712-1714, 1999.

135. M.Kyoung, M.Lee Nonlinear absorption and refractive index measurements of silver nanorods by Z-scan technique // Opt. Comm., 171, N 11, P. 145-148, 1999.

136. R.D.Averitt, S.L.Westcott, NJ.Halas Ultrafast optical properties of gold nanoshells // J. Opt. Soc. Am. B, 16, N 10, P.1814-1823, 1999.

137. R.D.Averitt, S.L.Westcott, NJ.Halas Linear optical properties of gold nanoshells // J. Opt. Soc. Am. B, 16, N 10, P.1824-1832,1999.

138. W.S.Faun, R.Storz, H.W.K.Tom et al Electron thermalisation in gold // Phys. Rev. B, 46, N 20, P.13592-13595,1992.

139. R.H.M.Groeneveld, R.Sprik, A.Lagendijk Femtosecond spectroscopy of electron-electron and electron-phonon energy relaxation in Ag and Au // Phys. Rev. B, 51, N 17, P.l 1433-11444, 1995.

140. D.Steinmiller-Nethl, R.A.Hopfel, E.Gornik et al Femtosecond relaxation of localized plasma excitations in Ag islands // Phys. Rev. Lett., 68, N 3, P.389-392, 1992.

141. R.Philip, S.Mujumdar, H.Ramachandran et al Comparative features of limiting in monolayer protected gold, silver and alloy nanoclusters under picosecond and nanosecond laser excitation // NLO, 27, N 1-4, P.357-365, 2001.

142. L.Francois, M.Mostafavi, J.Belloni et al Size-dependent efficiency of optical limiting induced by gold clusters 11 NLO, 27, N 1-4, P.319-329,2001.

143. X.Zang, D.Straud Numerical studies of the nonlinear properties of composites // Phys. Rev. B, 49, N 2, P.944-955,1994.

144. V.A.Markel, V.M.Shalaev, E.B.Stehel et al Small-particle composites. I. Linear optical properties // Phys. Rev. B, 53, N 5, P.2425-2436, 1996.

145. V.M.Shalaev, E.Y.Poliakov, V.A.Markel Small-particle composites. П. Nonlinear optical properties // Phys. Rev. B, 53, N 5, P.2437-2449,1996.

146. S.Manickavasagam, M.P.Menguc Scattering matrix elements of fractal-like soot agglomerates // Apl. Opt., 36, N 6, P.1337-1356,1997.

147. D. W.Mackowski Calculation of total cross section of multiple-sphere clusters // J. Opt. Soc. Am. A, 11, N 11, P.2851-2861,1994.

148. П.В.Литвинов, В.П.Тишковец Коэффициенты поглощения света хаотически ориентированными кластерами сферических частиц в приближении двукратного рассеяния // Опт. спектр., 86, № 1, С.98-101, 1999.

149. Н.Г.Хлебцов Приближенный метод расчета рассеяния и поглощения света фрактальными агрегатами // Опт. спектр., 88, № 4, С.656-663, 2000.

150. D.Narayana Rao, P.Prem Kiran Optical limiting studies of BSO crystal using a nanosecond Nd:YAG laser source // NLO, 27, N 1-4, P.347-355, 2000.

151. D.Wolfersberger, N.Fressengeas, J.Maufoy et al Self-focusing in photorefractive materials for optical limiting // NLO, 27, N 1-4, P.405-412, 2000.

152. M.R.V.Sahyun, S.E.Hill, N.Serpone et al Optical limiting characteristics and mechanism of silver bromide nanosols // J. Appl. Phys., 79, N 10, P.8030-8037,1996.

153. Y.-P.Sun, J.E.Riggs, H.W.Rollins et al Strong optical limiting of silver-containing nanocrystalline particles in stable suspension // J. Phys. Chem. B, 103, P.77-82,1999.

154. K.Akamatsu, S.Takei, M.Mizuhata et al Preparation and characterization of polimer thin films containing silver and silver sulfide nanoparticles // Thin Sol. Films, 359, P.55-60,2000.

155. А.И.Гусев, А.А.Ремпелъ Нанокристаллические материалы М.: Физматлит, 2001, 222 с.

156. G.I.Petrov, V.V.Yakovlev, J.A.Squier Nonlinear optical microscopy analysis of ultrafast phase transformation in vanadium dioxide // Opt. Lett., 27, N 8, P.655-657, 2002.

157. F.I. Garcia-Vidal, J.M.Pitarke, J.B.Pendry Silver-filled carbon nanotubes used as spectroscopic enhancers // Phys. Rev. В., 58, N 11, P.6783-6786, 1998.

158. J.-H.Klein-Wiele, P.Simon, H.-G.Rubahn Size-dependent plasmon lifetimes and electron-phonon coupling time constants for surface bound Na clusters // Phys. Rev. Lett., 80, P.45-48, 1998.

159. И.Н.Шкляревский, Ю.Ю.Бондаренко, Н.А.Макаровский Собственные колебания электронов в гранулярных пленках индия, осажденных на шероховатые поверхности монокристаллов NaCl и КС1 // Опт. Спектр., 88, № 4, С.601-605,2000.

160. MJ.Bloemer, M.C.Buncick, RJ.Warmack et al Surface electromagnetic modes in prolate spheroids of gold, aluminum and copper I I J. Opt. Soc. Am. B, 5, P.2552-2560, 1988.

161. M.Kaminska, M.Skowronski, J.lagovski et al Intracenter transitions in the dominant deep level (EL2) in GaAs // Appl. Phys. Lett., 43, N 3, P.302-304, 1983.

162. А.И.Сидоров Механизм низкопорогового ограничения излучения в компенсированном арсениде галлия // Оптический журнал, 69, №1, С.7-10, 2002.

163. A.Yariv, P.Yeh The application of Gaussian beam formation to optical propagation in nonlinear medium // Opt. Comm., 27, N 2, P.295-298,1978.

164. А.М.Гончаренко Гауссовы пучки света. Минск: Наука и техника, 1977, 132 с.

165. Ю.А.Ананьев Оптические резонаторы и лазерные пучки. М: Наука, 1990,264 с.

166. А.И.Сидоров Динамика поглощения импульсного лазерного излучения в широкозонном примесном полупроводнике // Оптический журнал, 69, №10, С. 1520, 2002.

167. А.И.Сидоров Динамика фотоиндуцированной линзы в примесном полупроводнике вблизи порога оптического ограничения // Письма в ЖТФ, 29, В. 7, С.77-80, 2003.

168. Технологические лазеры. Справочник. Под ред. Г.А.Абильсиитова. Т.2. М.: Машиностроение, 1991, 544 с.

169. A.Lietoila, J.F. Gibbons Computer modeling of the temperature rise and carrier concentration induced in silicon by nanosecond laser pulses // J.Appl.Phys., 53, P.3207-3213,1982.

170. D.Agassi Phenomenological model for picosecond pulse laser annealing of semiconductors //J.Appl.Phys., 55, P.4376-4383, 1984.

171. Акустические кристаллы. Справочник. Под ред. М.П.Шаскольской. М.: Наука, 1982, 632 с.

172. MJ.Lederer, D.Luther-Davies Nonlinear optical absorption and temporal response of arsenic- and oxygen-implanted GaAs // Appl.Phys.Lett., 74, N 14, P.1993-1995,1999.

173. H.G.Grimmeiss, C.Ovren Identification of deep centers in ZnSe // J. Appl. Phys., 48, N 12, P.5122-5126,1977.

174. M.Yamaguchi, A.Yamamoto, M.Kondo Photoluminescence of ZnSe single crystal diffused with a group-Ш element // J. Appl. Phys., 48, N 12, P.5237-5244, 1977.

175. А.Г.Калинцев, О.П.Михеева, А.ИСидоров Ограничение излучения с длиной волны 1.06 мкм в компенсированном арсениде галлия // Письма в ЖТФ, 27, В.24, С.90-94,2001.

176. И.В.Багров, А.П.Жевлаков, А.ИСидоров Ограничение лазерных импульсов нано-и микросекундного диапазона в компенсированном арсениде галлия // Письма в ЖТФ, 27, В. 10, С. 26-30,2001.

177. И.В.Багров, А.П.Жевлаков, О.П.Михеева, А.И.Сидоров, В.В.Судариков Низкопороговое ограничение инфракрасного излучения в примесных полупроводниках // Оптический журнал, 69, № 2, С. 15-20,2002.

178. О.П.Михеева, А.И.Сидоров, А.С.Хайкина, Е.В. Чугуевец Особенности оптического ограничения импульсно-периодического лазерного излучения в примесном GaAs и ZnSe // Письма в ЖТФ, 28, В.2, С.21-24, 2002.

179. О.П.Михеева, А.И.Сидоров Ограничение излучения с длиной волны 0.65 мкм в примесном селениде цинка // Оптический журнал, 68, № 12, С. 115-116,2001.

180. Э.Камке Справочник по обыкновенным дифференциальным уравнениям. М.: Наука, 1976, 576 с.

181. О.Б.Данилов, А.И.Сидоров Оптический ограничитель. Пат. №2001126690 от 1.10.2001.

182. A.I.Sidorov Self-defocusing and nonlinear limiting of radiation in wide-band semiconductors with deep levels. XI Conf. on Laser Optics, SPb, June 2003.

183. В.М.Золотарев, В.Н.Морозов, Е.В.Смирнова Оптические постоянные природных и технических сред. Справочник. JL: Химия, 1984,216 с.

184. ИА.Хахаев Синтез и исследование оптических свойств управляемых интерференционных структур на основе диоксида ванадия. Дисс. канд. физ.-мат. наук. Ленинград, ФТИ им. А.Ф.Иоффе РАН, 1991,155 с.

185. О.П.Коновалова, А.ИСидоров, И.И.Шаганов Трансформация спектров отражения при переключении управляемых У02-зеркал для среднего инфракрасного диапазона // Опт. и спектр., 85, № 6, С.1051-1054,1998.

186. О.П.Коновалова, А.И.Сидоров, И.И.Шаганов Интерференционные системы управляемых зеркал на основе диоксида ванадия для спектрального диапазона 0.610.6 мкм // Оптический журнал, 66, № 5, С.13-21, 1999.

187. O.B.Danilov, V.V.Danilov, V.V.Lubimov, N.N.Rosanov, A.I.Sidorov C02 lasers with flexible parameters and their use in technological applications. NATO ASI Series, Kluwer Acad. Publ., 1996, S.3: High Technology, V.10, P.301-322.

188. A.B.Welch, B.Burzlaff, W.Cunningham Electronically scanned coherent C02 laser radar techniques I ISPIE, 300, P. 153-160, 1981.

189. O.B.Danilov, O.P.Konovalova, A.I.Sidorov, I.I.Shaganov. Interference systems for wide-band V02-mirrors. IX Conf. on Laser Optics, SPb, 1998.

190. Ю.В.Троицкий Многолучевые интерферометры отраженного света. Новосибирск,: Наука, 1985, 207 с.

191. А.И.Сидоров Управляемые спектральные селекторы на основе отражающего интерферометра с пленкой диоксида ванадия // Оптический журнал, 66, № 1, С.49-53,1999.

192. А.И.Сидоров Управляемые У02-зеркала на основе трехзеркального интерферометра для спектрального диапазона 0.5-2.5 мкм // Оптический журнал, 67, № 6, С.39-44, 2000.

193. F.Gires, P.Tournois An interferometer useful for pulse compression of a frequency modulated light pulse // C. R. Acad. Sci. 258, P.6112-6115,1964.

194. А.И.Сидоров Модуляция коэффициента отражения при НПВО в слоистых системах с пленкой диоксида ванадия // Оптический журнал, 67, № 2, С.53-596 2000.

195. Н.Харрик Спектроскопия внутреннего отражения, М.: Мир, 1970, 335 с.

196. G.T.Sincerbox, J.C.Gordon Small fast large-aperture light modulator using attenuated total reflection // Appl. Opt., 20, N 8, P.1491-1497,1981.

197. A.H.Рубинов, ИМ.Корда, А.И.Бибик Управление формой и длительностью лазерного импульса при нелинейном полном внутреннем отражении // ЖПС, 64, № 3, С.325-328, 1997.

198. С.Ф.Кинтеро, А.Д.Гутенко, Ю.П.Удоев Некоторые особенности НПВО-интерференции света в тонких пленках // Опт. и спектр., 73, В. 4, С.795-799, 1992.

199. А.Д.Солер, Ю.П.Удоев Оптическая бистабильность и модуляция света в тонкопленочных резонаторах на основе эффекта полного внутреннего отражения // ЖТФ, 67, № 12, С.36-42,1997.

200. О.Б.Данилов, В.А.Климов, О.П.Михеева, А.И.Сидоров, С.А.Тульский, Е.Б.Шадрин, И.Л.Ячнев Оптическое ограничение излучения среднего ИК диапазона в пленках диоксида ванадия // ЖТФ, 73 , В.1, С. 79-83, 2003.

201. О.П.Коновалова, А.И.Сидоров, ИИШаганов Фазовая модуляция излучения среднего ИК диапазона при отражении от УОг-зеркала // Оптический журнал, 65, №4, С.24-27, 1998.

202. А.И.Сидоров Изменение фазы излучения при отражении от управляемого УОг-зеркала// Оптический журнал, 66, № 3, С.81-85, 1999.

203. А.И.Сидоров Особенности управления генерацией СОг-лазеров с помощью модуляторов на основе двуокиси ванадия // Оптический журнал, 64, № 1, С.25-31, 1997.

204. О.П.Михеева, А.И.Сидоров Минимизация фазовых искажений при оптическом переключении пленки диоксида ванадия // Письма в ЖТФ, 29, В.4, С.28-32,2003.

205. О.Б.Данилов, А.И.Сидоров Управляемые дифракционные оптические элементы с пленкой диоксида ванадия // :ЖТФ, 69, В.11, С.91-96,1999.

206. L.Li A modal analysis of lamellar diffraction grating in conical mountings // J. of Mod. Optics, 40, N 4, P.553-573,1993.

207. L.Li Multilayer modal method for diffraction gratings of arbitrary profile, depth, and permittivity//J. Opt. Soc. Am. A, 10, N 12, P.2581-2591,1993.

208. L.Li Multilayer-coated diffraction gratings: differential method of Chandezon et al. revisited// J. Opt. Soc. Am. A, 11, N И, P.2816-2828, 1994.

209. L.Li Bremmer series, R-matrix propagation algorithm, and numerical modeling of diffraction gratings // J. Opt. Soc. Am. A, 11, N 11, P.2829-2836, 1994.

210. Г.Карслоу, Д.Егер Теплопроводность твердых тел. М.: Наука, 1964,487 с.

211. M.Mansuripur, G.A.N.Connel, J.W.Goodman Laser induced local heating of multilayers // Appl. Opt., 21, N 6, P.l 106-1114, 1982.

212. Б.А.Григорьев Импульсный нагрев излучениями. М.: Наука, 1974, Т.2, 727 с.

213. О.Б.Данилов, А.П.Жевлаков, А.И.Сидоров и др. Воздействие интенсивного лазерного излучения на управляемые УОг-зеркала // Оптический журнал, 67, № 6, С.31-38,2000.

214. А.И.Сидоров, Е.Н.Соснов Формирование фронта импульса генерации в лазере с УОг-зеркалом // Квантовая электроника, 25, № 6, С.522-524,1998.

215. А.И.Сидоров Динамика переключения УОг-зеркал в лазере с сопряженным резонатором // Оптический журнал, 65, № 1, С.27-30, 1998.

216. А.И.Сидоров, Е.Н.Соснов Пространственная динамика мод в СОг-лазере с V02-зеркалами, имеющими dR/dT разного знака // Оптический журнал, 66, № 7, С.48-55, 1999.

217. A.I.Sidorov, E.N.Sosnov Spatial and temporal characteristics of ТЕА-СОг laser action with intracavity vanadium dioxide mirrors // Intern. Conf. "Photonics West", California, USA, 1999.

218. О.Б.Данилов, О.П.Коновалова, А.И.Сидоров и др. Токоуправляемые пространственные модуляторы света на основе УОг для среднего ИК- диапазона // Приборы и техника эксперимента, №4, С.121-125,1995.

219. Ю.Г.Агалаков, Р.Ш.Исламов, Ю.А.Рубинов и др. Расчет характеристик ТЕА-С02 лазера по уточненной температурной модели // Квантовая электроника, 16, № 4, С.737-741, 1989.

220. О.П.Михеева, А.И.Сидоров Особенности ограничения лазерного излучения зеркалами на основе диоксида ванадия // Оптический журнал, 68, № 4, С.48-52, 2001.

221. O.B.Danilov, V.P.Belousov, I.M.Belousova, A.I.Sidorov et al Nonlinear optical limiters of laser radiation on base of reverse saturable absorption and stimulated reflection //Proc. SPEE, 3263, P.214-130, 1998.

222. O.P.Micheeva, A.I.Sidorov. The dynamics of laser action of TEA-CO2 laser with vanadium dioxide mirrors // X Conf. on Laser Optics, SPb, Russia, 2000.

223. О.Б.Данилов, А.И.Сидоров, В.А.Климов, Е.Б.Шадрин, О.П.Михеева Ограничитель инфракрасного излучения. Пат. № 2002108931, приоритет 8.04.2002.

224. Е.А.Коленко Технология лабораторного эксперимента. СПб: Политехника, 1994, 751 с.

225. Вакуумная техника. Справочник. Под ред. Е.С.Фролова и В.Е.Минайчева М.Машиностроение, 1985, 359 с.

226. Физико-химические свойства окислов. Справочник. Под ред. Г.В.Самсонова. М.: Металлургия, 1978,472 с.

227. К Борен, Д.Хафмен Поглощение и рассеяние света малыми частицами М.: Мир, 1986, 664 с.

228. О.П.Михеева, А.И.Сидоров Ограничение излучения СОг лазера в композитном материале с наночастицами серебра // Письма в ЖТФ, 27, В. 18, С.50-53, 2001.

229. И.В.Багров, А.П.Жевлаков, О.П.Михеева, А.И.Сидоров, В.В.Судариков Оптическое ограничение лазерных импульсов в спектральной области 3.8-4.2 мкм композитом с наночастицами серебра // Письма в ЖТФ, 28, В. 13, С.40-43,2002.

230. А.И.Сидоров Оптические свойства композита с наночастицами серебра в диапазоне 8-12 мкм // Оптический журнал, 70, №2, С.9-14,2003.

231. О.Б.Данилов, А.И.Сидоров Инфракрасный нелинейно-оптический материал. Пат. №2002101741, приоритет 17.01.2002.

232. О.П.Михеева, А.И.Сидоров Нелинейно-оптические свойства композитов с наночастицами Ag и VO2 в среднем ИК диапазоне. Сборник трудов V международной конф. «Прикладная оптика», СПб, 2, С.178-180,2002.

233. Yamaguchi Т., Takahashi Н., Sudoh A. Optical behavior of a metal island film // J. Opt. Soc. Am., 68, N 8, P.1039-1044,1978.

234. Делоне Н.Б. Взаимодействие лазерного излучения с веществом. М.: Наука, 1989, 278 с.

235. Aggarwal K.G., Szigeti В. Photoelastic constants and the Clausius-Mossotti field in the alkali halides // J. of Phys. C, 3, N 5, P. 1097-1 111, 1970.

236. Каплан M.C., Смушков И.В., Сумин В.И. Температурная зависимость фотоупругих постоянных монокристаллов хлористого серебра // ФТТ, 18, С.3146-3148, 1976.

237. Goyal S.C., Bakhshi P.S., Shanker J. Photoelastic constants of silver and thallium halides // Sol. State Comm., 23, P.329-331,1977.

238. О.П.Михеева, А.И.Сидоров, Е.Б.Шадрин. Модификация оптических параметров поликристаллической пленки диоксида ванадия при высокотемпературном окислении. // Оптический журнал, 68, №7, С.30-35, 2001.

239. О.П.Михеева, А.И.Сидоров Поглощение и рассеяние инфракрасного излучения наночастицами диоксида ванадия с металлической оболочкой. // ЖТФ, 73, В.5, С.75-78, 2003.

240. R.Lopez, L.A.Boather, T.E.Haynes et al Synthesis and characterization of size-controlled vanadium dioxide nanocrystals in a fused silica matrix // J.Appl. Phys., 92, N 7, P.4031-4036, 2002.

241. Б.А.Сечкарев Кристаллизация и формирование светочувствительности микрокристаллов AgHal различной структуры в фотографическом процессе. Автореферат докт. диссертации, Кемерово, 1999,44 с.

242. Б.А.Сечкарев, М.И.Рябова, Л.В.Сотникова и др. Кристаллизация и химическая сенсибилизация фотографических эмульсий типа ядро-оболочка с глубинными центрами светочувствительности // Ж. прикладной химии, № 7, С. 1188-1193, 1998.

243. A.I.Sidorov, O.P.Mikheeva, E.B.Shadrin Low-threshold optical nonlinearity with the nanoparticles of wide-band semiconductors. XI Conf. on Laser Optics, SPb, June 2003.

244. О.П.Михеева, А.И.Сидоров Низкопороговое оптическое ограничение излучения наночастицами фторида кальция // Оптический журнал, 70, № 12, С.82-84,2003.

245. O.P.Mikheeva, A.I.Sidorov Nonlinear-optical processes for low-threshold optical limiting of visible, near and mid IR radiation. Intern. Symp. ISOPL-3, USA, Sept., 2003.

246. Основные результаты диссертации опубликованы в следующих работах:

247. А.И.Сидоров Механизм низкопорогового ограничения излучения в компенсированном арсениде галлия // Оптический журнал, 69, №1, С.7-10,2002.

248. А.И.Сидоров Динамика поглощения импульсного лазерного излучения в широкозонном примесном полупроводнике // Оптический журнал, 69, №10, С. 1520,2002.

249. А.И.Сидоров Динамика фотоиндуцированной линзы в примесном полупроводнике вблизи порога оптического ограничения // Письма в ЖТФ, 29, В.7, С.77-80,2003.

250. А.Г.Калинцев, О.П.Михеева, А.И.Сидоров Ограничение излучения с длиной волны 1.06 мкм в компенсированном арсениде галлия // Письма в ЖТФ, 27, В.24, С.90-94, 2001.

251. И.В.Багров, А.П.Жевлаков, А.И.Сидоров Ограничение лазерных импульсов нано- и микросекундного диапазона в компенсированном арсениде галлия // Письма в ЖТФ, 27, В. 10, С. 26-30, 2001.

252. И.В.Багров, А.П.Жевлаков, О.П.Михеева, А.И.Сидоров, В.В.Судариков Низкопороговое ограничение инфракрасного излучения в примесных полупроводниках // Оптический журнал, 69, № 2, С. 15-20,2002.

253. О.П.Михеева, А.И.Сидоров, А.С.Хайкина, Е.В.Чугуевец Особенности оптического ограничения импульсно-периодического лазерного излучения в примесном GaAs и ZnSe // Письма в ЖТФ, 28, В.2, С.21-24, 2002.

254. О.П.Михеева, А.И.Сидоров Ограничение излучения с длиной волны 0.65 мкм в примесном селениде цинка // Оптический журнал, 68, № 12, С. 115-116, 2001.

255. О.Б.Данилов, А.И.Сидоров Оптический ограничитель. Пат. №2001126690 от 1.10.2001.

256. B.Danilov, V.V.Danilov, V.V.Lubimov, N.N.Rosanov, A.I.Sidorov C02 lasers with flexible parameters and their use in technological applications. NATO ASI Series, Kluwer Acad. Publ., S.3: High Technology, 10, P.301-322. 1996.

257. O.B.Danilov, O.P.Konovalova, A.I.Sidorov, I.I.Shaganov. Interference systems for wideband V02-mirrors. IX Conf. on Laser Optics, SPb, 1998.

258. А.И.Сидоров Управляемые спектральные селекторы на основе отражающего интерферометра с пленкой диоксида ванадия // Оптический журнал, 66, № 1, С.49-53,1999.

259. А.И.Сидоров Управляемые УОг-зеркала на основе трехзеркального интерферометра для спектрального диапазона 0.5-2.5 мкм // Оптический журнал, 67, № 6, С.39-44, 2000.

260. А.И.Сидоров Модуляция коэффициента отражения при НПВО в слоистых системах с пленкой диоксида ванадия // Оптический журнал, 67, № 2, С.53-596 2000.

261. I.M.Belousova, V.P.Belousov, O.B.Danilov, V. V.Danilov, A.I.Sidorov, I.L. Yachnev Photodynamics of optical limiting of power laser radiation // NLO B, 27, N1-4, P.233-248,2000.

262. О.П.Коновалова, А.И.Сидоров, И.И.Шаганов Управляемые V02 зеркала для среднего ИК диапазона на основе интерферометра с «необращенными» полосами отражения // Оптический журнал, 65, № 4, С.20-23, 1998.

263. О.Б.Данилов, В.А.Климов, О.П.Михеева, А.И.Сидоров, С.А.Тульский, Е.Б.Шадрин, И.Л.Ячнев Оптическое ограничение излучения среднего ИК диапазона в пленках диоксида ванадия // ЖТФ, 73, №1, С.79-83, 2003.

264. О.П.Коновалова, А.И.Сидоров, И.И.Шаганов Фазовая модуляция излучения среднего ИК диапазона при отражении от УОг-зеркала // Оптический журнал, 65, №4, С.24-27, 1998.

265. А.И.Сидоров Изменение фазы излучения при отражении от управляемого УОг-зеркала // Оптический журнал, 66, № 3, С.81-85, 1999.

266. О.П.Михеева, А.И.Сидоров Минимизация фазовых искажений прошедшего излучения при оптическом переключении пленки диоксида ванадия // Письма в ЖТФ, 29, В.4. С.28-32,2003.

267. О.Б.Данилов, А.И.Сидоров Управляемые дифракционные оптические элементы с пленкой диоксида ванадия // :ЖТФ, 69, В.11, С.91-96,1999.

268. А.И.Сидоров Особенности управления генерацией С02 лазера с помощью модуляторов на основе двуокиси ванадия // Оптический журнал, 64, № 1, С.25-31, 1997.

269. А.И.Сидоров Динамика переключения УОг-зеркал в лазере с сопряженным резонатором // Оптический журнал, 65, № 1, С.27-30,1998.

270. А.И.Сидоров, Е.Н.Соснов Пространственная динамика мод в С02-лазере с V02-зеркалами, имеющими dR/dT разного знака // Оптический журнал, 66, № 7, С.48-55, 1999.

271. A.I.Sidorov, E.N.Sosnov Spatial and temporal characteristics of ТЕА-СОг laser action with intracavity vanadium dioxide mirrors // Intern. Conf. "Photonics West", California, USA, 1999.

272. О.Б.Данилов, А.П.Жевлаков, А.И.Сидоров и др. Воздействие интенсивного лазерного излучения на управляемые УОг-зеркала // Оптический журнал, 67, № 6, С.31-38, 2000.

273. О.П.Михеева, А.И.Сидоров Особенности ограничения лазерного излучения зеркалами на основе диоксида ванадия // Оптический журнал, 68, № 4, С.48-52, 2001.

274. O.B.Danilov, V.P.Belousov, I.M.Belousova, A.I.Sidorov et al Nonlinear optical limiters of laser radiation on base of reverse saturable absorption and stimulated reflection // Proc. SPIE, 3263, P.214-130, 1998.

275. O.P.Micheeva, A.I.Sidorov. The dynamics of laser action of TEA-C02 laser with vanadium dioxide mirrors // X Conf. on Laser Optics, SPb, Russia, 2000.

276. О.Б.Данилов, В.А.Климов, О.П.Михеева, А.И.Сидоров, С.А.Тульский, Е.Б.Шадрин, И.Л.Ячнев Оптическое ограничение излучения среднего ИК диапазона в пленках диоксида ванадия // ЖТФ,73, №1, С.79-83,2003.

277. О.Б.Данилов, А.И.Сидоров, В.А.Климов, Е.Б.Шадрин, О.П.Михеева Ограничитель инфракрасного излучения. Пат. № 2002108931, приоритет 8.04.2002.

278. О.П.Михеева, А.И.Сидоров Ограничение излучения С02 лазера в композитном материале с наночастицами серебра // Письма в ЖТФ, 27, В.18, С.50-53,2001.

279. И.В.Багров, А.П.Жевлаков, О.П.Михеева, А.И.Сидоров, В.В.Судариков Оптическое ограничение лазерных импульсов в спектральной области 3.8-4.2 мкм композитом с наночастицами серебра // Письма в ЖТФ, 28, В. 13, С.40-43,2002.

280. А.И.Сидоров Оптические свойства композита с наночастицами серебра в диапазоне 8-12 мкм // Оптический журнал, 70, №2, С.9-14, 2003.

281. О.Б.Данилов, А.И.Сидоров Инфракрасный нелинейно-оптический материал. Пат. №2002101741, приоритет 17.01.2002.

282. О.П.Михеева, А.И.Сидоров Нелинейно-оптические свойства композитов с наночастицами Ag и V02 в среднем ИК диапазоне. Сборник трудов V международной конф. «Прикладная оптика», СПб, Т.2, С.178-180,2002.

283. О.П.Михеева, А.И.Сидоров, Е.Б.Шадрин. Модификация оптических параметров поликристаллической пленки диоксида ванадия при высокотемпературном окислении. // Оптический журнал, 68, №7, С.30-35,2001.

284. О.П.Михеева, А.И.Сидоров Поглощение и рассеяние инфракрасного излучения наночастицами диоксида ванадия с металлической оболочкой. // ЖТФ, 73, В.5, С.75-78, 2003.

285. A.I.Sidorov, O.P.Mikheeva, E.B.Shadrin Low-threshold optical nonlinearity with the nanoparticles of wide-band semiconductors. XI Conf. on Laser Optics, SPb, June 2003.

286. I.M.Belousova, O.B.Danilov, V.P.Belousov, V. V.Danilov, A.I.Sidorov, I.L.Yachnev Optical limiting of laser radiation. XI Conf. on Laser Optics, SPb, June 2003.

287. О.П.Михеева, А.И.Сидоров Низкопороговое оптическое ограничение излучения наночастицами фторида кальция // Оптический журнал, 70, № 12, С.82-84, 2003.

288. O.P.Mikheeva, A.I.Sidorov Nonlinear-optical processes for low-threshold optical limiting of visible, near and mid IR radiation. Intern. Symp. ISOPL-3, USA, Sept., 2003.