Научные основы управления свойствами композиционных пленок для электролюминесцентных устройств тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 02.00.21, кандидат наук Сычев, Максим Максимович

• Сычев, Максим Максимович
• кандидат наук
• 2013

Оглавление диссертации кандидат наук Сычев, Максим Максимович

СОДЕРЖАНИЕ

ВВЕДЕНИЕ

1 ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР

1.1 Электролюминесцентные источники света на основе порошковых люминофоров

1.2 Физико-химические взаимодействия между компонентами и структура полимерных композитов

1.3 Электропроводящие полимерные композиты

1.4 Диэлектрические полимерные композиты

1.5 Поверхность твердого тела и методы ее модифицирования

1.6 Латексные композиты

1.7 Синтез и свойства цинксульфидных люминофоров

1.8 Заключение

2 ОБЪЕКТЫ И МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ

2.1 Исходные материалы

2.2 Методики синтеза люминофоров

2.3 Методики модифицирования материалов

2.4 Методики исследования светотехнических характеристик люминофоров

2.5 Методика формирования и исследования свойств

полимерных композиций

2.6 Методики исследования физико-химических характеристик

3 ПОЛИМЕРНЫЕ КОМПОЗИТЫ НА ОСНОВЕ ЦИАНЭТИЛОВОГО ЭФИРА ПОЛИВИНИЛОВОГО СПИРТА

3.1 Пленки ЦЭПС

3.2 Модифицирование поверхности титаната бария

3.3 Подход ядро-оболочка

4 ВЗАИМОСВЯЗЬ СОСТАВА И СВОЙСТВ СУСПЕНЗИЙ И КОМПОЗИТОВ НА ОСНОВЕ КАУЧУКОВ И ЛАТЕКСОВ

4.1 Диэлектрические композиты на основе каучуков

4.2 Диэлектрические композиты на основе латексов

4.3 Люминесцентные композиты

4.4 Электропроводящие латексные композиты

4.5 Электропроводящие композиты на основе растворов каучуков

5 СИНТЕЗ И НАПРАВЛЕННОЕ РЕГУЛИРОВАНИЕ СВОЙСТВ А2В6 ЭЛЕКТРОЛЮМИНОФОРОВ

5.1 Взаимосвязь структуры, свойств поверхности и люминесценции цинк-сульфидных электролюминофоров

5.2 Новые методы модифицирования в технологии люминофоров

5.2.1 Модифицирование шихты

5.2.2 Радиационное модифицирование готовых люминофоров

2 г

5.2.3 Плазмохимическое модифицирование А В люминофоров

6 РАЗРАБОТКА НИЗКОВОЛЬТНЫХ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ КАТОДОЛЮМИНОФОРОВ

6.1 Тонкопленочные люминофоры У2Оз:Еи

6.2 Нанесение, морфология и катодолюминесценция Y202S:Eu

6.3 Тонкопленочный УФ люминофор Y203:Gd

6.4 Тонкопленочный люминофор SrGa2S4:Eu

7 МОДЕЛИРОВАНИЕ УСТРОЙСТВ И ПРАКТИЧЕСКОЕ ИСПОЛЬЗОВАНИЕ РЕЗУЛЬТАТОВ

7.1 Оптимизация макроструктуры ЭЛИС

7.2 Цветовые характеристики ЭЛИС

7.3 Преобразование частоты лазерного излучения

7.4 Применение синтезированных образцов

в качестве катод о- и радиолюминофоров

ВЫВОДЫ

СПИСОК СОКРАЩЕНИЙ

ЛИТЕРАТУРА

ПРИЛОЖЕНИЯ

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Научные основы управления свойствами композиционных пленок для электролюминесцентных устройств»

ВВЕДЕНИЕ

Актуальность темы связана с необходимостью разработки научных основ управления свойствами диэлектрических, проводящих и люминесцентных композиционных пленок для устройств электронной техники с высокими характеристиками, в частности электролюминесцентных источников света.

В развитие физико-химических основ синтеза и применения электролюминесцентных материалов существенный вклад внесли работы М.В. Фока, А. Вехта, А.Н. Георгобиани, И.К. Верещагина, О.Н. Казанкина, A.M. Гурвича, Б.М. Синельникова, Н.И. Каргина, С.М. Кокина, А.О. Дмитриенко, В.М. Ищенко, М.К. Самохвалова, В.А. Воробьева и ряда других. В настоящее время важной задачей является поиск новых технологических решений, позволяющих существенно повысить яркость и стабильность электролюминофоров и источников света на их основе.

Управление свойствами композитов, входящих в состав электролюминесцентных устройств, возможно регулированием как объемных характеристик компонентов, так и межфазных процессов с участием поверхности твердого тела, которое в рамках научной школы чл.-корр. В.Б. Алесковского, развитой профессорами С.И. Кольцовым, В.Г. Корсаковым, A.A. Малыгиным, В.М. Смирновым, А.П. Нечипоренко и другими, можно представить как совокупность остова и активных центров различной природы. В работах Ю.С. Липатова, H.H. Симонова-Емельянова, Е.Е. Бибика, С.Н. Степина, О.В. Стоянова, И.А. Старостиной, С.С. Глазкова, С.Н. Толстой, М.А. Рязанова и др. рассмотрены различные аспекты создания композиционных материалов. В частности показано, что кислотно-основные взаимодействия на поверхности твердого тела существенно влияют на адгезию, прочность, совместимость в гетерогенных системах. Актуальной задачей является учет этого фактора в рассмотрении электрофизических и электрооптических свойств композитов. Это связано с тем, что с одной стороны, кислотно-основные активные центры отражают несовершенство структуры поверхности твердого тела и можно

предположить наличие взаимосвязи между их количественными и качественными характеристиками и люминесцентных свойствами материалов, чувствительными к состоянию поверхности. С другой стороны, можно предполагать взаимосвязь кислотно-основных характеристик поверхности твердого тела с межфазными взаимодействиями в процессе формирования полимерных композитов и соответственно их структурой и электрическими свойствами. Выявление таких взаимосвязей позволит расширить возможности управления свойствами функциональных материалов электронной техники методами химии твердого тела.

С точки зрения более широкого внедрения современных источников света и дисплеев, актуальной задачей является использование тонкопленочных люминесцентных материалов, что позволяет повысить разрешение и уменьшить размеры пикселей. Для этого необходимо научно обосновать условия формирования пленок, обеспечивающие эффективную катодолюминесценцию в условиях низковольтного возбуждения.

Работа выполнялась в соответствии с планами научно-исследовательских работ Санкт-Петербургского государственного технологического института по темам 0120.0411086 «Научные основы создания низкоразмерных и светоуправляемых молекулярных систем» и 3.2536.2011 «Физико-химические основы создания функциональных наноразмерных систем и нанокомпозитов на их основе», при поддержке грантов Минобрнауки РФ (соглашение 14.В37.21.1644), Министерства торговли США (SABIT 1999), Комитета по науке и высшей школе Администрации Санкт-Петербурга (М99-3.6П-266, 3.6/0406/019), Международного научно-технического центра (№3913 и №3920), Фонда содействия развитию малых форм предприятий в научно-технической сфере (5871р/8276) и в рамках хозяйственных договоров с компаниями DooSung Tech (Корея), Showa Denko (Япония) и ООО «ЭЛИСАР».

Цель работы заключалась в разработке научных основ и обосновании технологических решений, позволяющих управлять свойствами композиционных пленок для электролюминесцентных устройств с повышенными

характеристиками. Для ее реализации решались следующие задачи:

• Установить взаимосвязи электрофизических и электрооптических характеристик композитов с кислотно-основными свойствами поверхности твердотельных компонентов.

• Научно обосновать технологические решения, позволяющие регулировать кислотно-основные свойства поверхности углеродных, сегнетоэлектрических и люминесцентных материалов и повысить характеристики композитов на их основе.

• Разработать методы синтеза люминофоров, позволяющие существенно повысить яркость и стабильность их свечения за счет направленного регулирования состава и структуры.

• Разработать технологические решения изготовления эффективных низковольтных пленочных излучателей для дисплеев и источников света нового поколения.

® С использованием установленных закономерностей разработать композиционные пленки и электролюминесцентные устройства на их основе с высокими характеристиками.

Научная новизна работы

Предложена и обоснована концепция управления электрическими и электрооптическими характеристиками композитов для функциональных слоев электролюминесцентных устройств путем модифицирования кислотно-основных свойств поверхности твердотельных компонентов, а также регулирования состава и структуры люминесцентных материалов нетепловыми методами воздействия (радиационным, ударно-волновым и плазмохимическим).

Выявлена количественная взаимосвязь между кислотно-основными свойствами поверхности проводников, диэлектриков и люминофоров и электрическими и люминесцентными свойствами композитов на их основе (электропроводность, порог перколяции, тангенс угла диэлектрических потерь, диэлектрическая проницаемость, яркость свечения).

Предложено для прогнозирования диэлектрической проницаемости композитов ввести в формулу Лихтенеккера параметр, отражающий интенсивность межфазных взаимодействий. Показано, что при использовании растворов полимеров таким параметром является концентрация активных центров, по которым происходит кислотно-основное взаимодействие со связующим. В случае латексных композитов в качестве такого параметра предложено использовать А - разность величин рН латекса и Но поверхности наполнителя. Установлено, что снижение величины А приводит к возрастанию диэлектрической проницаемости латексных композитов (для изолирующих материалов) и увеличению порога перколяции (для проводящих).

Выявлены изменения распределений активных центров поверхности проводящих (технические углероды ПМ-80Э, КЗ 54, П324, графит С-1), диэлектрических (сегнетоэлектрики ВаТЮ3, ВС-1, БЦН, ТБСК и ТБЦН) и люминесцентных (легированный 2пБ) материалов при модифицировании золь-гель методом, путем гидратации, термической, плазмохимической и электроннолучевой обработки, а также при адсорбции ПАВ и диспергировании.

Достигнуто существенное повышение яркости электролюминесцентных устройств регулированием содержания и равномерности распределения активатора (медь) в люминесцентной матрице (2пБ) путем радиационной, плазмохимической и ударно-волновой обработки исходного сырья.

Установлены механизмы дополнительного увеличения яркости и изменения спектра свечения цинксульфидных электролюминофоров при радиационном модифицировании. При облучении среднеэнергетическими электронами происходит распад твердого раствора меди в сульфиде цинка и увеличение количества гетеропереходов 2п8-Сих8 и содержания центров свечения (СигСи2п). При облучении гамма-квантами происходит диссоциация центров свечении,

связанных с вакансиями и междоузельными атомами (СигСи2п, Вг8-У2п).

2 6

Показано, что плазмохимическое капсулирование А В люминофоров легированных медью обеспечивает наряду с увеличением стабильности возрастание яркости свечения за счет встраивания междоузельной меди в

подрешетку цинка и образования соответствующих центров свечения (С^п-Об для 2пБ:Си,С1 люминофоров).

Предложена и обоснована модель поверхности микро- и нанодисперсных цинксульфидных люминофоров, отражающая взаимосвязь ее кислотно-основных свойств с химическим составом и наличием структурных дефектов. Показана возможность использования корреляции интенсивности свечения люминофоров с интегральной характеристикой поверхности, суммарным содержанием активных центров ЕяРка, для прогнозирования характеристик электролюминесцентных устройств.

Практическая значимость

Показано, что увеличение содержания на поверхности сегнетоэлектриков активных центров, участвующих в межфазных взаимодействиях, варьированием состава, термической, плазмохимической, электронно-лучевой и золь-гель обработкой позволяет в 1,5-2,0 раза повысить диэлектрическую проницаемость их композитов, полученных из растворов полимеров.

Получены излучающие, диэлектрические и электропроводящие композиты на основе латексов и опытные образцы электролюминесцентных устройств, что обеспечивает использование в их производстве технологий «зеленой химии».

Разработаны технологии синтеза цинксульфидных и тиогаллатных люминофоров, обладающих повышенной яркостью за счет использования радиационной, плазмохимической и ударно-волновой обработки исходных компонентов и готового люминофора. Установлены технологические режимы, позволяющие до 2-х раз повысить яркость и стабильность свечения люминофоров и регулировать цвет излучения.

Разработана методика более точного регулирования цветовых характеристик электролюминесцентных устройств, учитывающая дисперсию поглощения излучения в композиционном слое.

Благодаря повышенной яркости низковольтной катодолюминесценции и хорошим цветовым характеристикам синтезированные в работе люминофоры

состава 2п8:Си, У203:Еи, У203:0с1, У2028:Еи и 8г2Оа284:Еи могут быть использованы в современных дисплеях и источниках света.

На основании полученных результатов реализована технология изготовления гибких электролюминесцентных источников света, внедренная на предприятии ЭЛИСАР, г. Саров.

Научная новизна и практическая значимость результатов работы подтверждена 7 патентами РФ, актами испытаний и внедрения. Результаты работы отражены в 6 методических указаниях и используются в учебном процессе Санкт-Петербургского государственного технологического института и Петербургского государственного университета путей сообщения.

Автор защищает

Концепцию управления электрофизическими и электрооптическими характеристиками полимерных композиционных пленок направленным регулированием кислотно-основных свойств поверхности твердого тела и технологические решения ее реализации.

Научные основы регулирования состава, структуры и повышения свойств люминесцентных материалов нетепловыми методами воздействия (радиационным, ударно-волновым и плазмохимическим).

Технологические решения синтеза электро- и катодолюминофоров, позволяющие повысить яркость свечения на 30-100%.

Модель поверхности цинксульфидных люминофоров отражающую кислотно-основные свойства структурных дефектов.

Экспериментальные результаты исследования кислотно-основных свойств поверхности дисперсных диэлектриков, полупроводников и проводников, а также электрофизических, электрооптических и эксплуатационных характеристик композитов и изделий на их основе.

Личный вклад автора состоит в формулировании концепции, постановке цели и задач работы, выборе объектов и методов исследования, непосредственном участии в проведении основных экспериментов, анализе и интерпретации

полученных результатов, формулировании научных положений и выводов. Вклад автора является решающим во всех разделах работы.

Автор бесконечно признателен научному консультанту профессору Владимиру Георгиевичу Корсакову за ценные советы и соавторам за помощь при выполнении работы.

Достоверность научных положений, результатов и выводов подтверждена результатами современных методов исследования химического состава (атомно-абсорбционная и рентгенофлюоресцетная спектроскопия), структуры (оптическая и электронная микроскопия, дифракция нейтронов и рентгеновских лучей, малоугловое рассеяние нейтронов, нанотомография), физических свойств (электрических, оптических и люминесцентных) и свойств поверхности (Оже-спектроскопия, атомная силовая микроскопия, спектроскопия распределения центров адсорбции), а также хорошей воспроизводимостью результатов.

Апробация работы. Результаты работы представлены на конференциях «Химия высокоорганизованных веществ и научные основы нанотехнологии» (СПб., 1996), «Перспективные материалы и технологии для средств отображения информации» (Кисловодск, 1996), Ibausil (Weimar 1997), «Актуальные проблемы электронного приборостроения» (Саратов, 2000), Electronics Display Conference (Nagasaki, 2002), JSPS meeting (Kanazawa, 2002), International Display Workshop (2002, Hiroshima; 2007, Hokkaido), IMID (Daegu, 2003), «Химические нанотехнологии и функциональные наноматериалы» (СПб., 2003), «Физика полупроводников и полупроводниковая опто- и наноэлектроника» (СПб., 2003), «Физика диэлектриков» (СПб., 2004, 2008), «Аморфные и микрокристаллические полупроводники» (СПб., 2004, 2006, 2010), ICSFS-12 (Hamamatsu, 2004), American Ceramics Society Annual Meeting (Indianapolis, 2004), «Display optics» (СПб., 2004), «Physics and Control» (St. Petersburg, 2005), «Nanovision» (Hamamatsu, 2005), American Chemical Society Annual Meeting (San Francisco, 2006), «Передовые технологии для дисплеев и освещения» (Москва 2003, 2006, 2013; Раубичи 2004; Симеиз 2009), Eurodisplay (2007, Москва), ISDLPM Meeting (Tokyo, 2007), ФАГРАН (2008, Воронеж), «Химия твердого тела:

наноматериалы, нанотехнологии» (Ставрополь, 2010), SID international symposium (2010, Seattle), ISTC Seminar (Almaty, 2011), «Crossing boundaries with science and technology", (Shizuoka, 2011), International Nanotechnology Forum (СПб., 2012), Workshop on Inonorganic and Organic Electroiuminescence (Hamamatsu, 2000; Gent, 2002; Rome 2008; St. Petersburg, 2010; Hong Kong, 2012), а также приглашенных лекциях в Eastern Illinois University (USA), Shizuoka University (Japan) и Hong Kong University of Science and Technology (HK). Образцы разработанных электролюминесцентных изделий представлялись на выставках "Технические средства и техпроцессы для обеспечения безопасности движения" (Щербинка, 1997), "Санкт-Петербургу 300 лет" (Санкт-Петербург, 1999), «Технохимия» (Санкт-Петербург, 2003), «Высокие технологии XXI века» (Москва, 2008, 2009) и др.

Публикации. По теме диссертации опубликовано 4 монографии, 52 статьи, в том числе 29 в журналах из списка ВАК РФ и 11 в зарубежных журналах, получено 7 патентов.

Структура работы. Диссертация изложена на 281 стр., состоит из введения, 7 глав, выводов, списка цитируемой литературы из 362 наименований, 5 приложений, содержит 123 рисунка и 20 таблиц.

1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР

1.1 Электролюминесцентные источники света на основе порошковых

люминофоров

Электролюминесцентные источники света находят широкое применение в науке и технике, дизайне и быту. ЭЛИС - это современное высоконадежное твердотельное устройство - плоский источник холодного света, в котором энергия электрического поля непосредственно преобразуется в излучение, что

л

определяет его низкую потребляемую мощность, менее ста Вт/м . К другим достоинствам электролюминесцентных источников света относятся безвакуумная конструкция.

Конструкция ЭЛИС представляет собой конденсатор (Рисунок 1.1.1), состоящий из электролюминесцентного (3) и диэлектрического защитного (2) функциональных слоев, расположенных между прозрачным (4) и непрозрачным (1) электродами [1,2].

5

4 3 2 1

Рисунок 1.1.1 - Конструкция ЭЛИС: 1 — непрозрачный электрод; 2 — защитный диэлектрический слой; 3 — электролюминесцентный слой; 4 — прозрачный электрод; 5 — подложка

Функциональные слои могут изготавливаться как по тонкопленочной технологии, так и по толстопленочной, т.е. в форме полимерных композитов [1-3]. В первом случае устройства имеют существенно более высокую яркость

излучение

свечения, что позволяет использовать их в качестве дисплеев при сравнительно больших значениях яркости засветки. Также возможно изготовление прозрачных дисплеев. Такие устройства имеют высокую радиационную и термическую стабильность и производятся например компанией Lumineq (бывшая Planar). Компания использует разработанную в Технологическом институте под руководством чл.-корр. В.Б. Алесковского и проф. С.И. Кольцова технологию молекулярного наслаивания, за рубежом называемую atomic layer deposition (ALD). К недостаткам тонкопленочных устройств можно отнести сложность получения цветов отличных от желтого, небольшие площади свечения, необходимость использования дорогостоящего оборудования и соответственно более высокую стоимость по сравнению с толстопленочными устройствами. Последние имеют малые габариты и массу, низкую вероятность катастрофических отказов, площадь свечения может быть несколько квадратных метров. Производством электролюминесцентых источников света и материалов для них занимаются такие всемирно известные фирмы, как TDK, Nemoto (Япония), DuPont, Westinghouse (С.Ш.А.), ряд корейских, китайских и тайваньских компаний.

Если подложка ЭЛИС изготовлена из эластичного полимера, то возможно создание гибкого электролюминесцентного источника света (ГЭЛИС) [3]. В настоящее время ГЭЛИС, отличающиеся повышенной механической стойкостью и позволяющие существенно расширить сферу применения данного типа изделий, является наиболее перспективным направлением в области технологии электролюминесцентных источников света. Одной из основных технологических сложностей создания ГЭЛИС является формирование прозрачного электрода, так как при напылении тонкой пленки полимерная подложка не должна нагреваться до высоких температур [4].

При конструкции ЭЛИС в виде плоского конденсатора высоких значений яркости можно добиться в режиме 50 Гц, 220 В - т.е. при работе непосредственно от сети. Время полуспада яркости при этом составляет величины до 10 ООО ч. Таким образом, наиболее перспективным представляется создание ГЭЛИС с

использованием тонкопленочного прозрачного электрода. Назначение электродов в конструкции ЭЛИС заключается в создании при подаче на них напряжения переменного электрического поля в излучающем слое. В качестве прозрачного электрода обычно используют полупроводниковые тонкие пленки — 8п02,1п2Оз, 2пО, РЬО, а непрозрачного - тонкие металлические пленки (А1, Си). Для увеличения электропроводности и стабильности характеристик полупроводники легируют: диоксид олова - фтором и сурьмой, оксид индия - сурьмой и оловом, оксид цинка - галлием, алюминием, фтором [6, 7, 8, 9, 10, 11]. Возможно также применение в качестве прозрачного электрода проводящих полимеров а также композитов, наполненных светопропускающим электропроводящим наполнителем (легированные 8п02, 1п2Оз) [12, 13], однако такие композиты обладают достаточно низким светопропусканием. В качестве непрозрачного электрода также возможно использование полимерных композиционных материалов. Наполнителями в этом случае служат порошки металлов, графит, технический углерод, углеродные нанотрубки, шунгит и пр. [14, 15, 16, 17].

В излучающем слое происходит преобразование энергии электрического поля в электромагнитное излучение за счет переходов между различными электронными уровнями в кристалле электролюминофора. В настоящее время наиболее широко на практике употребляются электролюминофоры на основе сульфида цинка, легированного медью, серебром, алюминием, марганцем, хлором. Введение примесей (активаторов и соактиваторов) приводит к локальным нарушениям в решетке кристаллов и создает условия для образования энергетических уровней в запрещенной зоне. Умножение носителей в барьере происходит за счет ударной ионизации, электроны движутся в сторону анода, а дырки - катода. Дырки могут быть захвачены у поверхности или перейти в кристалл, соприкасающийся с данным, а после выключения напряжения -вернуться в область возбуждения и быть захваченными центрами свечения. Возвращающиеся электроны рекомбинируют с этими дырками, давая вспышку в области катода [1,2, 18, 19, 20, 21].

В качестве связующего для излучающего слоя используются различные полимеры - эпоксидная смола ЭП-96, лак ВС-530, нитроцеллюлоза, цианэтиловый эфир поливинилового спирта и др. При этом важно, чтобы связующее было прозрачным и обладало высокой относительной диэлектрической проницаемостью (далее - диэлектрическая проницаемость), что способствует увеличению доли напряжения, падающей на зерне электролюминофора [19]. Известно также, что использование сильно полярных связующих сообщает люминофорам дополнительную яркость [22]. Данный факт может быть связан с образованием поверхностных электронных состояний на кристалле люминофора вследствие специфической адсорбции связующего. С другой стороны, чем выше диэлектрическая проницаемость связующего ед, тем выше диэлектрическая проницаемость люминесцентного слоя 81 и тем меньшая доля общего напряжения и, приложенного к ЭЛИС падает на излучающем слое [23. Поэтому, при данных толщине и диэлектрической проницаемости защитного слоя существует некоторое оптимальное значение 81 связующего [24].

Основной функцией диэлектрического защитного слоя в составе ЭЛИС является придание изделию необходимой электрической прочности и предохранение его от пробоя. Кроме того, этот слой должен иметь высокую диэлектрическую проницаемость для того чтобы напряжение прикладываемого электрического поля падало в основном на излучающем слое и его энергия расходовалась на излучение света. В работах [25, 26] показано, что обеспечить высокую яркость свечения ЭЛИС можно если полимер обладает электретными или полупроводниковыми свойствами. Важным требованием к защитному слою является низкая величина тангенса угла диэлектрических потерь что

способствует снижению мощности, потребляемой изделием. Желательно также, чтобы диэлектрический слой обладал хорошей светоотражающей способностью, увеличивающей яркость свечения ЭЛИС за счет отражения света в сторону прозрачного электрода. В качестве связующего для диэлектрического защитного слоя используют те же полимеры, что и для излучающего, а в качестве наполнителей — ТЮ2, ВаТЮз и керамики на его основе [1, 2, 3].

Для изготовления функциональных слоев ЭЛИС по толстопленочной технологии используют методы пульверизации, литья и сеткотрафаретной печати [1, 19]. Во всех этих методах используются суспензии, приготовленные смешением раствора полимера и дисперсного наполнителя. Метод пульверизации заключается в распылении суспензии на подложку при помощи пульверизатора.

Данный метод характеризуется большим количеством отходов и недостаточной равномерностью получаемых слоев. Литьевой метод является в этом смысле более предпочтительным и состоит в нанесении пленок на подложку при помощи фильеры [27]. Сеткотрафаретный метод применяется при необходимости создания фигурных изображений, в том числе и многоцветных [28].

Основными техническими характеристиками ЭЛИС являются следующие: цвет свечения (спектральный состав излучения, координаты цветности), зависимость яркости от частоты и напряжения электрического поля, потребляемая мощность, светоотдача, а также срок службы изделия. Цвет свечения люминофора зависит от применяемого активатора, его концентрации, а так же от режима возбуждения [29, 38]. С повышением частоты спектр свечения обычно смещается в коротковолновую область [31].

В процессе эксплуатации цветовые характеристики ЭЛИС изменяются вследствие процессов старения люминофора [32]. При необходимости получения цвета свечения, для которого отсутствует соответствующий люминофор, используются смеси люминофоров, рассчитанные с использованием теории аддитивного смешения цветов [33,34].

Яркость свечения ЭЛИС и ее зависимость от напряжения и частоты определяются свойствами люминофора и конструкцией изделия, В зависимости от состава и конструкции изделия, величина возбуждающего напряжения может лежать в интервале от десятков до сотен вольт, а величина частоты - от десятков Гц до десятков кГц. Зависимость яркости (Ь) от частоты (/) является линейной до частот в несколько кГц (до тех пор, пока не достигаются частоты, соответствующие времени жизни возбужденных состояний центров свечения), т.е. при этих частотах за каждый импульс напряжения создается примерно одинаковое число возбужденных центров.

Для аппроксимации зависимостей яркости ЭЛИС Ь от напряжения и и частоты { электрического ноля известны следующие эмпирические формулы:

Ь=Ь!ехр(-и/Ь) (1.1.1)

Ь = Ь/ (1.1.2)

где Ьь Ь2, Ь, к — коэффициенты, зависящие от свойств люминофора и параметров ЭЛИС [1,35]. Потребляемую ЭЛИС мощность Р при данных частоте и напряжении электрического поля можно рассчитать по следующей формуле [36]:

Р = 2тгК;и2, (1.1.3)

где С - емкость электролюминесцентного конденсатора; - тангенс угла его диэлектрических потерь.

Таким образом, подбирая состав и толщину функциональных слоев ЭЛИС, можно значительно увеличить его яркость. Основным ограничением срока службы изделия является старение (деградация) электролюминофора в процессе работы, приводящая к снижению яркости. В значительной мере старение обусловлено воздействием паров воды на поверхность люминофора, приводящее к образованию фаз Ъп, ХпО и 7п(ОН)2. Кроме того, под действием электрического поля происходит дрейф положительно заряженных доноров в области сильного поля, что приводит к снижению напряженности поля в барьере, и следовательно, к ухудшению условий возбуждения. Старение ускоряется с увеличением частоты и напряжения электрического поля, а также температуры и влажности окружающей среды [37,38]. Поэтому, важно качественно герметизировать готовое изделие.

Список литературы диссертационного исследования кандидат наук Сычев, Максим Максимович, 2013 год

ЛИТЕРАТУРА

1. Верещагин, И.К. Электролюминесцентные источники света / И.К. Верещагин, Б.А. Ковалев, Л.А. Косяченко, С.М. Кокин // Под ред. И.К. Верещагина. - 1990. - М., Энергоатомиздат. - 168 с.

2. Shionoya, S. Phosphor handbook / Shigeo Shionoya et. al. // CRC Press LLC, New-York. - 1999. - 921 p.

3. Vij, R. Handbook of electroluminescent materials / D.R. Vij et. al. // IOP Publishing Ltd., Bristol. - 2004. - 533p.

4. Carvalho, C. ITO films deposited by rf-PERTE on unheated polymer substrates— properties dependence on In-Sn alloy composition / C. Nunes de Carvalho, G. Lavareda, E. Fortunato, P. Vilarinho, A. Amaral // Materials Science and Engineering B. - 2000. - Iss. 109. - P.245-248.

5. Полян, P.А. Гибкие источники света - электролюминесцентные излучатели нового типа/ Р.А. Полян, С.Л. Серегин, С.М. Кокин // Электронная промышленность. - 1993. -N11-12. - С.66...68.

6. Zhu, F. Indium tin oxide anode modification for enhanced polymer light-emitting devices / F. Zhu // Journal of the SID. - 2003. - V. 11, #4. - P. 605.

7. Огурцов, K.A. Прозрачное проводящее покрытие на основе оксида цинка / К.А. Огурцов, В.В. Бахметьев, А.А. Ерузин, И.Б. Гавриленко, М.М. Сычев // Новые исследования в материаловедении и экологии: сб. науч. тр. - СПб., 2008.-с. 27-31.

8. Kim, S. Preparation of Al doped ZnO/Ag/Al doped ZnO multilayer thin films by using Facing Target Sputtering / S.M. Kim, Y.S. Rim, H.W. Choi, S.J. Park and K.H. Kim // Proceedings of International Display Workshop. - 2007. - P.237.

9. Оскомов, K.B. Характеристики пленок ZnO:Al, полученных методом реактивного магнетронного распыления Zn:Al мишени / К.В.Оскомов, С.В.Работкин, Н.ССочугов // Физика и химия обработки материалов. -2004. - №5. - С.56-60.

10.Т. Yamamoto, Т. Yamada, A. Miyake, Т. Morizane, Т. Arimitsu, Н. Makino and N. Yamamoto Tansparent Conductive Ga-Doped ZnO Films Properties on Glass, PMMA and COP Substrates // Proceedings of International Display Workshop, Japan, 2007. - P.2044.

11.Kityk, V. Anomalously Large Pockels Effect in ZnO-F Single Crystalline Films Deposited on Bare Glass / V. Kityk, A. Migalska, J. Ebothe, A. Elchichou // Cryst. Res. Technol. - 2002. - V.37, #4. - P.340-352.

12.Сычев М.М., Степанова H.A., Мякин М.С., Бентахар Т., Куприянов В.Д., Корсаков В.Г. Получение электропроводящего наполнителя на основе SnC>2 для прозрачного электрода ЭЛИС // Тез. докл. н.-т. конф. Перспективные материалы и технологии для средств отображения информации. - Кисловодск, 1996. - С.51.

13.Сычев М.М., Черемисина O.A., Никифоров М.В., Иванова Т.Г. Электропроводящая полимерная композиция для непрозрачного электрода ЭЛИС// Тез. докл. н.-т. конф. Неделя науки - 98. - СПб., ПГУПС. - 1998. -С.143.

14.Singha, I. Optical and electrical characterization of conducting polymer-single walled carbon nanotube composite films / Singha I., Bhatnagara P.K., Mathura P.C., Kaurb I., Bharadwajb L.M., P. Ravindra // Carbon. - 2008. - V. 46, № 8. -P. 1141-1144.

15.M. M. Сычев, О. А. Черемисина, M. В. Никифоров, Т. Г. Иванова. Электропроводящая полимерная композиция для непрозрачного электрода ЭЛИС //Тез. докл. н.-т. конф. Неделя науки — 98. - СПб., ПГУПС. - 1998. -С.143.

16.Галашина, Н.М. Особенности свойств полимеризационно наполненных электро- и теплопроводящих композиий полипропилен—графит /Н. М. Галашина, П. М. Недорезова, В. Г. Шевченко, В. И. Цветкова // Высокомолек. соед. - 1993. - Т. 35, № 8. - С. 1315—1319.

17.Рожкова, H.H. Наноуглерод шунгитов / H.H. Рожкова. - Петрозаводск: Карельский научный центр РАН, 2011. - 100с.

18.Гурвич, A.M. Введение в физическую химию кристаллофосфоров / A.M. Гурвич. - М.: В.Ш., 1971.-336 с.

19.Прикладная электролюминесценция / Под ред. М.В. Фока. - М.: Советское радио, 1974. - 416 с.

20.Марковсвкий, Л .Я. Неорганические люминофоры / Л.Я.Марковсвкий, Ф.М.Пекерман, Л.Н.Петошина. - Л.: Химия, 1975. - 282 с.

21.Мешков, В.В. Основы светотехники / В.В. Мешков. - М.: Энергия, 1979. -368 с.

22.Солодкин, Е.Е. О влиянии связующего на яркость свечения электролюминесценции порошковых ZnS-фосфоров / Е.Е.Солодкин, Э.К. Тальвисте // Изв. вузов СССР, Физика. - 1968. - №3. - С.12...21.

23.Тареев, Б.М. Физика диэлектрических материалов / Б.М. Тареев. - М.: Энергия, 1973.-328с.

24.Кюльмоя, Т.Х. Особенности характеристик электролюминесцентных конденсаторов с несколькими диэлектриками / Т.Х.Кюльмоя, Э.К.Тальвисте, А.А.Таммик // Уч. зап. Тарт. ун-та. - 1971. - Вып. 271. - С.6.

25.Виткевич Л.И., Русалович А.И., Садковская Н.К. Исследование электролюминесцентных источников переменного тока с электретным связующим // VI Всес. сов. по физике, химии и технологии люминофоров: Тез. док. - Ставрополь: Ротапринт ВНИИЛ, 1989. - С. 34.

26.Веревкин Ю.Н. Исследование ЭЛК с органическими полупроводниками // Там же, с.42

27.Richard Е. Таре Casting. Theory and Practice / R. Mistler, E. Twiname. - New York, CRC press, 2000. - 300p.

28.Куприянов В.Д., Степанова H.A., Лейко B.B. Получение электролюминесцентных панелей методом сеткотрафаретной печати // Межд. конф. по люминесценции: тез. док. - М.: Изд. ФИАН, 1994. - С.93.

29.Люминесцентные материалы и химические вещества. Каталог. - Черкассы: НИИТЭХИМ, 1983 .- 520 с.

30.Куприянов В.Д., Степанова H.A., Синельников Е.М. Химическая сборка люминесцентных структур цинксульфидного типа на поверхности дисперсного диоксида кремния // Направ. синтез тв. Веществ : сборник статей. - СПб.: Изд. СПб. ун-та, 1992. - С.95...105.

31.Тищенко, С.М. Новые электролюминофоры переменного поля на основе сульфида цинка, активированного медью и марганцем : автореф. дис. ... канд. тех. Наук : 02.00.21 ; СГТУ. - Ставрополь, 2008. - 20 с.

32.Антипов В.Л., Изумрудов O.A., Лазарева Н.П. Стабильность цветовых характеристик порошковых люминофоров нового поколения // VI Всес. сов. по физике, химии и технологии люминофоров: Тез. док. - Ставрополь: Ротапринт ВНИИЛ, 1989. - С. 34.

33.Луизов, A.B. Цвет и свет / A.B. Луизов. - Л.: Энергоатомиздат, 1989. -256с.

34.Михайлов, О.М. Теория цвета. Колориметрия / О.М. Михайлов, К.А. Томский. - СПб. : ФГОУ ВПО «СПб ГУКиТ», 2011. - 176 с.

35.Хениш, Г. Электролюминесценция / Г. Хениш. - М.: Мир, 1964. - 456 с.

36.Хавруняк, В.Г. Яркость, поглощаемая мощность и светоотдача электролюминесценции / В.Г. Хавруняк // Светотехника. - 1984. - №10. -с.15.

37.Верещагин, И.К. Старение электролюминофоров / И.К. Верещагин, С.М. Кокин, В .А. Селезнев // Изв. АН СССР, сер. Физ. - 1985. - т.49, №10. -С.1941.

38.Куприянов, В.Н. Влага и миграционные процессы в электролюминесцентных устройствах / В.Н. Куприянов // Петербург, ж. электроники. - 1987. - №1. - С.38...40.

39.Todda, M. Characterizing the interphase dielectric constant of polymer composite materials: Effect of chemical coupling agents / M G. Todda, F.G. Shi // J. Applied Physics. - 2003. - V.94, № 7. - P.4551-4557.

40.Корсаков, В.Г. Прогнозирование свойств материалов / В.Г. Корсаков. - Д.: РТПЛТИ, 1988.-92 с.

41.Алесковский, В.Б. Физико-химические основы рационального выбора активных металлов / В.Б. Алесковский, В.Г. Корсаков. - Л.: Наука, 1980. -52с.

42.Гуревич, Л.А. Токопроводящие лакокрасочные покрытия и области их применения / Л.А. Гуревич, Б.Л. Агранат, Н.В. Штоколова. - Л.: Знание, 1975.- 150с.

43.Сажин, Б.И. Электрические свойства полимеров / Сажин Б.И., Лобанов A.M., Романовская О.С. - Л.: Химия, 1986. - 192 с.

44.Гуль, В.Е. Электропроводящие полимерные композиции / В.Е. Гуль, Л.З. Шенфиль. - М.: Химия, 1984. - 240 с.

45.Каверинский, B.C. Электрические свойства лакокрасочных материалов и покрытий / B.C. Каверинский, Ф.М. Смехов. - М.: Наука, 1990. - 160 с.

46.Балусов, В.А. Кластерные материалы - новый класс пластмасс с ультрадисперсным наполнителем / В.А. Балусов, А.Н. Тихонов. - Л.: ЛДНТП, 1988.-28 с.

47.Базарова, Ф.Ф. Клеи в производстве радиоэлектронной аппаратуры / Ф.Ф. Базарова, A.C. Колесов. - М.: Энергоатомиздат, 1975. - 112 с.

4 8. Горелов, В.П. Низкотемпературные нагреватели из композиционных материалов в промышленности и быту / В.П. Горелов - М.: Энергоатомиздат, 1995. - 208 с.

49.Дринберг, С.А. Растворители для лакокрасочных покрытий / С.А. Дринберг, Э.Ф. Ицко. - Л.: Химия, 1986. - 208 с.

50.Липатов Ю.С. Исследование толщины адсорбционных слоев олигомеров на твердой поверхности / Ю.С. Липатов, Т.Т. Тодосийчук, В.Ф. Шумский // ВМС. - 1973, Т. 15А, №10. - С.2243...2247.

51.Яминский, В.В. Коагуляционные контакты в дисперсных системах /В.В. Яминский, В.А. Пчелин, Е.А. Амелина. - М.: Химия, 1982. - 185 с.

52.Лейко, В.В. Физико-химическое обоснование составов наполненных полимерных композиций для функциональных слоев электролюминесцентных источников света : дис. к.х.н. : 02.00.04 / В.В. Лейко ; СПбГТИ(ТУ). - СПб, 1996. - С. 95.

53.Курочкин, В. Е. Исследование функционально-химического состава поверхности кварцевого стекла, обработанного воздействием ускоренных электронов / В. Е. Курочкин, А. Н. Красовский, И. В. Васильева, С. В. Мякин, А. Л. Заграничек, А. Ю. Шмыков // Научное приборостроение. -2008.-Т. 18, № 1. - С. 98-103.

54.Корсаков, В.Г. Энергетические характеристики активных центров поверхности в рядах дисперсных твердых соединений / Корсаков В.Г., Онгарбаев Е.С., Мякин C.B. // 6 межд. шк. по хим. Физике: материалы. -Туапсе, 1994. - С.56...76.

55.Нечипоренко, А.П. Кислотно-основные свойства поверхности твердых веществ: Методические указания. - Л. : ЛТИ им. Ленсовета, 1989. - 23 с.

56.Vasiljeva, I.V. Electron beam induced modification of poly(ethylene terephthalate) films / I.V. Vasiljeva, S.V. Mjakin, A.V. Makarov, A.N. Krasovsky // Applied Surface Science. - 2006. - № 252, P.8768-8775.

57.3аплешко H.H., Белый Г.В. Электролюминесцентнвя панель комбинации приборов автомобиля // 1 Межд. Сов. по физике, химии и технологии люминофоров: тез. док., Ставрополь. - 1992. - С.222.

58.Мануэль, Т. Расширение применений индикаторных панелей / Т. Мануэль // Электроника. - 1987.-№11.-С. 19.

59.Вуколов, Н.И. Знакосинтезирующие устройства / Н.И.Вуколов, А.Н.Михайлов. - М.: Р. и С., 1987. - 589 с.

60.Наполнители для полимерных композиционных материалов. Пер. с англ. Под ред. Г.С. Каца и Д.В. Милевски. - М.: Химия, 1981. - 182с.

61.Симонов-Емельянов, И.Д. Наполнители / И.Д. Симонов-Емельянов и др. // Пласт. Массы. - 1974. - № 2. - С. 46.

62.Кандырин, Л.Б. Новые наполнители для пластмасс / Л.Б. Кандырин и др. // Пласт. Массы. - 1985. - № 12. - С. 30.

63.Сычев М.М., Степанова Н.А., Мякин М.С., Бентахар Т., Куприянов В.Д., Корсаков В.Г. Получение электропроводящего наполнителя на основе Sn02 для прозрачного электрода ЭЛИС// Перспективные материалы и технологии для средств отображения информации, н.т. конференция: Тез. докл. - Кисловодск, 1996. - С.51.

64.Ишков, А.В. Электропроводность композитов с нестехиометрическими соединениями титана / А.В. Ишков, A.M. Сагалаков // Письма в ЖТФ. -2006. - Т. 32, №9. - С. 18-22.

65.Singha, I. Optical and electrical characterization of conducting polymer-single walled carbon nanotube composite films / I.Singha, P.K.Bhatnagara, P.C.Mathura, I.Kaurb, L.M.Bharadwajb, P. Ravindra // Carbon. - 2008. - V. 46, №8.-P. 1141-1144.

66.Вовченко, Л.Л. Поглощение электромагнитных волн в композитах графит-эпоксидная смола / Л.Л. Вовченко, Л.Ю. Мацуй, В.В. Олейник, В.Л. Лаунец. // Пластические массы. - 2008. - № 9. - С. 30-33.

67.Крикоров, B.C. Электропроводящие полимерные материалы /

B.С.Крикоров, Л.А.Колмакова. -М.: Энергия, 1984. - 176 с.

68.Рогайлин, М.И. Справочник по углеграфитовым материалам / М.И.Рогайлин. - Л.: Химия, 1974. - 208 с.

69.В.В. Авдеев, Ионов С.Г., Литвиненко А.Ю. Электрофизические свойства углеграфитовых материалов в зависимости от плотности // Школа-семинар по химии пов-ти дисп. тв. Тел: Сб. тез. док. - Славско. - 1989. - С.4.

70.Парфентьева, Ю.Н. Модификация поверхности углерода: дис. к.х.н. : 02.00.04 / Ю.Н. Парфентьева; СПГТИ. - СПб., 1996. - 120 с.

71.Савинова, М.Е. Исследование электрофизических свойств углеродсодержащих композиций на основе полиолефинов / М.Е. Савинова, Н.А. Коваленко // Пластмассы. - 2007. - № 7. - С. 4-7.

72.Савинова, М.Е. Физико-механические и электрофизические свойства графитонаполненной алкидной смолы / М.Е. Савинова, Н.А. Коваленко // Пластмассы. - 2007. - №10. - С. 22-25.

73.Образцова, И.И. Получение ультрадисперсных порошков меди / И.И. Образцова, Г.Ю. Сименюк, Н.К. Еременко // ЖПХ. - 2006. - Т.79, №8. -

C.717-720.

74.Чмутин, И. А. Электропроводящие полимерные композиты: структура, контактные явления, анизотропия (обзор) / Чмутин И. А., Летягин С. В.,

Шевченко В. Г., Пономаренко А. Т. // Высокомолекулярные соединения, сер. А. - 1994. - Т. 36, № 4. - С. 699-713.

75.Robert, F.E. Surface Groups / F.E. Robert at al.// Chem. Comm. - 1977. - №1. -P.389.

76.Рогайлин, М.И. Справочник по углеграфитовым материалам / М.И. Рогайлин. - Л. : Химия, 1974. - 208 с.

77.Горелов, В.П. Резистивные композиционные материалы и мощные резисторы на их основе / Горелов В.П., Пугачева Г.А. - Новосибирск: СО АН СССР, 1987.- 180 с.

78.Boehm, Н.Р. Chemical Identification of Surface Groups / H.P. Boehm // Adv. Catal. Subj. - 1966. -№16. - P. 179-221.

79.Чередник, E.M. Зависимость реакционоспособности углеграфитовых материалов от структуры и содержания примесей / Е.М. Чередник, Т.А. Бовина // ХТТ. - 1980. - №2. - С. 84-87. 80.Черныш, И.Г. Физико-химические свойства графита и его соединений / И.Г. Черныш, И.И. Карпов, Г.П. Приходько. - К.: Н.Д., 1990. - 200 с.

81.Хольм, Р. Электрические контакты/ Р. Хольм. - М. : И.Л., 1961. - 464 с.

82.Гальперин, Б.С. Непроволочные резисторы / Б.С. Гальперин. - Л.: Энергия, 1968.-284 с.

83.Гусев, А.П. К вопросу о физической структуре и температурном коэффициенте пленочных резисторов / Гусев А.П., Камышников Д.М. Киль И.Д. /У Труды МРЭА: Механика. - 1973. - №68. - С.232...239.

84.Лазарев, В.Б. Электропроводность окисных систем и плёночных структур / В.Б.Лазарев, В.Г.Красов, И.С.Шаплыгин. -М.: Наука, 1978. - 168с.

85.Козлов, Г.В. О температурном коэффициенте электрического сопротивления гетерогенных проводящих систем / Г.В. Козлов // ДАН СССР. - 1987. - Т.292, №2. - С.398...400.

86.Рожкова, H.H. Влияние модифицирования ПАВ дисперсных шунгитов на физико-механические свойства наполненных ими полимерных композиционных материалов : дисс. ... к.т.н. : 02.00.04 / H.H. Рожкова ; Карельский науч. центр АН СССР. - Петрозаводск, 1991. - 154с.

87.Sheng, P. Fluctuation-induced tunneling conduction in disordered materials / P.

Sheng // Phys. Rev. - 1980. -, V.B21. -P.2180. 88.Sichel, E.K. Conductivity of composites / E.K. Sichel // Appl. Phys. Comm. -1981. -№.1. -P.23.

89.Рудь Б.М., Анулова JI.T. К механизму электропроводности композиционных тонких пленок / Б.М. Рудь, JI.T. Анулова // Порошк. мет. - 1981. - №7. - С.50-52.

90.Ахмедов, У.Х. Описание свойств саженаполненных композиционных материалов с помощью теории электрических свойств гетерогенных систем/ У.Х.Ахмедов, М.А.Магрупов, А.Р. Файзиев // Пласт. Массы. -1984. -№12. - С.50-51.

91.0делевский, В.И. Расчет обобщенной проводимости гетерогенных систем / В.И. Оделевский // ЖТФ. - 1951. - Т.23, №6. - С.1001.

92.Скал, А.С. Топология бесконечного кластера в теории протекания и теория прыжковой проводимости / А.С. Скал, Б.И. Шкловский // Физ. и тех. полупр. - 1974. - Т.8, №8. - С. 1586-1592.

93.Эфрос, A.JL Физика и геометрия беспорядка / A.JI. Эфрос. - М.: Наука, 1982.- 176 с.

94.Шевченко, В.Г. Процессы переноса в электропроводящих дисперсно-наполненных полимерных композитах / В.Г.Шевченко, А.Т. Пономаренко // Успехи химии. - 1983. - Т.52, №8. - С.1336...1349.

95.Kirkpatrik, S. Percolation and conduction / S. Kirkpatrik // Rev. of modern phys. - 1973. - V.45, N4. - P.574-588.

96.Шкловский, Б.И. Теория протекания и проводимость сильно неоднородных сред / Б.И. Шкловский, A.JI. Эфрос // Успехи физических наук. - 1975- -Т.И 7, №3. -С.401-435.

97.Колосова, Н.Н. Электропроводность бинарных композиционных материалов с сильно неоднородными свойствами компонентов / Н.Н. Колосова, К.А. Бойцов // ФТТ. - 1979. - №8. - С.2314-2317.

98.Vind, K.S. An Introduction in Percolation Theory / K.S. Vind // Adv. Phys. -1979. - V.20, №85. - P.325-359.

99.Aneli, J.N. Structuring and conductivity of polymer composites / J.N. Aneli, L.M. Khananasvili, G.E. Zaikov. - NY : Nova science publishers Inc., 2007. - P.37.

100. Прямова, Т.Д. Проводимость металлонаполненных полимерных пленок вблизи порога протекания / Т.Д. Прямова, В.И. Ролдугин // Колл. Ж. - 1992. - Т.54, №5. - С. 109-113.

101. Springett, В.Е. Conductivity of a system of metallic particles dispersed in an insulating medium / B.E. Springett // J. Appl. Phys. - 1973. - V.44, №6. -P.2925-2926.

102. Тихомиров, А.Ф. Электропроводность композиций СЭВ А с ТУ / А.Ф. Тихомиров, С.В. Козаков // Пласт. Массы. - 1989. - №4. - С. 17.

103. Высоцкий, В.В. Структура и перколяционные свойства металлонаполненных пленочных полимерных материалов /В.В. Высоцкий,

B.И. Ролдугин // Колл. Ж. - 1996. - №1. - С.40.

104. Василенок, Ю.И. Предупреждение статической электризации полимеров / Ю.И. Василенок. - Д.: Химия, 1981. - 208 с.

105. Василенок, Ю.И. Защита полимеров от статического электричества / Ю.И. Василенок. - Л.: Химия, 1975.-192 с.

106. Кучинский, К.С. Силовые электрические конденсаторы / К.С. Кучинский, Н.И. Назаров. - М.: Энергоатомиздат, 1992. - 320 с.

107. Лущейкин, Г. А. Полимерные композиционные эластичные пьезоэлектрические материалы / Г.А. Лущейкин // Пласт. Массы. - 1995. -№5. - С.27-29.

108. Лущейкин, Г.А. Влияние химического строения и структуры на пьезоэффект полимерных и композиционных пьезоэлектриков / Г.А. Лущейкин, М.К. Полевая, Л.И. Войтешонок // Пласт. Массы. - 1988. - №6. -

C.14-17.

109. Горохов, А.В. Применение пьезоэлектриков в электронной технике / А.В. Горохов, В.И. Закржевский, И.М. Соколова // Пласт, массы. - 1988. -№6.-С. 29-31.

ПО. Kim, P. Phosphonic Acid-Modified Barium Titanate Polymer Nanocomposites with High Permittivity and Dielectric Strength / P. Kim, S.C. Jones, P.J. Hotchkiss, J.N. Haddock, B.Kippelen, S.R. Marder, J.W. Perry // Adv. Mater. - 2007. - №19. - P. 1001-1005.

111. Пономаренко, A.T. Полимерные композиты с комплексом электрофизических свойств / А.Т. Пономаренко, В.Г. Шевченко // Ж. ВХО. - 1989. - Т. 34, №4-6. - С. 507-514.

112. Dang, Z. Dependence of dielectric behavior on the physical property of fillers in the polymer-matrix composites / Z. Dang, Y. Zhang, S.-C. Tjong // Synthetic Metals. - 2004. - №146. - P. 79-84.

113. Whan, J. Characterization and properties of hybrid composites prepared from poly(vinylidene fluoride-tetrafluoroethylene) and Si02 / J. Whan Cho, K. Sul // Polymer. - 2001. - №42. - P.727-736.

114. Борисова, М.Э. Физика диэлектриков / М.Э. Борисова, С.Н. Койкова. - Л.: Изд. Лен. ун-та, 1979. - 240с.

115. Ротенберг, Б.А. Керамические конденсаторные диэлектрики / Б.А. Ротенберг. -СПб.: Типография ОАО НИИ «Гириконд», 2000. - 245с.

116. Иманов, Г.М. Технлогия керамических конденсаторов / Г.М. Иманов, JI.B. Козловский, Б.А. Ротенберг. - СПб. : ОМ-Пресс, 2004. - 232с.

117. MacKinnon R.J, Blum J.B. Particle Size Distribution Effects on Tape Casting Barium Titanat // 85th Ann.Meet. Amer. Chem.Soc.: proc., Chicago. Apr. 24-27.-1983.-P.150-157.

118. Waser, R. Dielectric analysis of integrated ceramic thin film capacitors / R. Waser // Integrated Ferroelectrics. - 1997. - №15. - P. 39-51.

119. Yamashita, Y. Dielectric Properties of ВаТЮЗ Thin Films Derived from Clear Emulsion of Well-Dispersed Nanosized ВаТЮЗ Particles/ Y. Yamashita, H. Yamamoto, Y. Sakabe // Japanese Journal of Applied Physics. - 2004. - Vol. 43, No. 9B. - p. 6521-6524.

120. Emelyanov, A. Yu. Increase in Reprodicibility of Obtaining Solid Residual of Sample for Atomic Absorption / A. Yu. Emelyanov, N. A. Pertsev, S. Hoffmann-Eifert, U. Bottger, R. Waser // J. Electroceram. - 2002. - №9. - P.5.

121. Справочник резинщика. - M. : Химия, 1971. - 608 с.

122. Тагер, А.А. Физикохимия полимеров / А.А. Тагер. - М.: Химия, 1978.- 544 с.

123. Поклонский, Н.А. Основы импендансной спектрометрии композитов / Н.А. Поклонский, Н.И. Горобчук. - Минск: БГУ, 2005. - 130с.

124. Арамян, М.А. Уточнение процесса в теории расчета диэлектрической проницаемости Максвелла-Вагнера / М.А. Арамян // Колл.Ж. - 1997. - Т.54, №5. - С.24-32.

125. Яковлева Е.Н., Яковлев В.Б.,. Лавров И.В. Сравнительный анализ методов для вычисления динамических характеристик композиционных диэлектриков // Международная научно-техническая конференция INTERMATIC: Материалы. - 3 - 7 декабря 2012 г. Москва. МИРЭА. часть 3. - С.93-95.

126. Rao, Y. A precise numerical prediction of effective dielectric constant for polymer-ceramic composite based on effective-medium theory / Y. Rao, J. Qu, T. Marinis, C.P. Wong // IEEE Transactions on Components and Packaging Technologies. - 2000. - V.23, № 4. -P.21.

127. Todd, M.G. Validation of a novel dielectric constant simulation model and the determination of its physical parameters / M.G. Todd, F.G. Shi // Microelectronics Journal. - 2002. - № 33. - P.627-632.

128. Chao, F. Dielectric properties of polymer/ceramic composites based on thermosetting polymers / F. Chao, G. Liang, W. Kong, Z. Zhang, J. Wang // Polymer Bulletin. - 2008. - № 60. - P. 129-136.

129. Huang, C. High-dielectric-constant all-polymer percolative composites / C. Huang, Q. M. Zhang // J. Appl. Phys. Lett. - 2003. - №82. - P. 3502.

130. Qi, L. Three-Phase Percolative Silver-ВаТЮЗ - Epoxy Nanocomposites with High Dielectric Constants / L. Qi, B.I. Lee, W.D. Samuels, G.J. Exarhos, S.G. Parler, Jr. // Journal of Applied Polymer Science. - 2006. - Vol. 102. -P.967-971.

131. Мамуня, Е.П. Влияние геометрических параметров каркаса, образованного дисперсным наполнителем, на свойства наполненных полимерных систем / Е.П. Мамуня, В.В. Давиденко, Е.В. Лебедев // Колл. ж. - 1990.-№1.-С.145-150.

132. Стухляк, П.Д. Электрические свойства оксидсодержащих эпоксидных композиционных материалов / П.Д.Стухляк, O.K. Шкодзинский, Н.М. Мытник // Пласт. Массы. - 1995. - №4. - С.27-29.

133. Наполнителя для полимерных композиционных материалов. Справочное пособие. Под ред. П.Г. Бабаевского. - М.: Химия, 1981. - 190 с.

134. Соболев, В.В. Слюдопласты и их применение / В.В. Соболев. - Л.: Энергоатомиздат, 1985. - 122 с.

135. Бабаев, А.Е. Стеклопластики технического назначения / А.Е. Бабаев, И.Г. Гуртовник, В.И. Спортсмен. -М.: Химия, 1987. - 164 с.

136. Трофимов, Н.Н. Физика композиционных материалов. Т.2 / Н.Н. Трофимов, М.З. Канович, Э.М. Карташов, И.Д. Симонов-Емельянов. - М. : Мир, 2005. - С. 289.

137. Беев, А. А. Свойства межфазного слоя наполненных полигидроксиэфирных композиций / А.А. Беев, Д.А. Беева, A.M. Абаев, Г.В. Козлов, А.К. Микитаев // Современные наукоемкие технологии. -2006. - № 3. — С.206.

138. Дульнев, Г.Н. Метод расчета тангенса угла диэлектрических потерь бинарных систем/ Г.Н. Дульнев, Д.П. Волков, М.В. Доброчасов // Инженерно-физический журнал. - 1987. - Т. 52, Вып. 3. - С. 425.

139. Берлинер, М. Измерения влажности / М. Берлинер. - М. : Энергия, 1973.-400 с.

140. Пащенко, В.А. Влияние полярности поверхности органических пигментов на адсорбцию водорастворимых олигоэфиров / В.А. Пащенко, Ю.П. Курдюков // Лакокрасочные материалы и их применение. - 1997. -№9.-С. 16—18.

141. Вершинина, О. В. Взаимодействие растворов катионоактивных ПАВ с поверхностью оксидов металлов в условиях статистического и динамического смачивания: автореф. дис. ... канд. хим. наук. : 02.00.04 / О.В. Вершинина ; СПбГУ. - СПб., 1999. - 16 с.

142. Заикин, А.Е. Оценка эффективности взаимодействия полимеров с поверхностью частиц наполнителя / А.Е. Заикин, P.C. Бикмуллин, И.А. Горбунова // ЖПХ. - 2007. - Т.80, №6. - С. 988-993.

143. Ермилов, П. И. Диспергирование пигментов (физико-химические основы) / П. И. Ермилов. - М.: Химия, 1971. - 300 с.

144. Танабе, К. Твердые кислоты и основания / К. Танабе. - М.: Мир, 1973.- 183 с.

145. Сафонов, В.В. Электронная теория адсорбции красителей на текстильных волокнах / В. В. Сафонов, Н. К. Лаворова // Хим. пром. -1991.-№ 7.-С. 400—403.

146. Фролов, Ю. Г. Курс коллоидной химии (поверхностные явления и дисперсные системы): учебник для вузов / Ю. Г. Фролов. - М.: Химия, 1982.-400 с.

147. Ермилов, П. И. Адсорбционно-дисперсионное равновесие в красочных системах / П. И. Ермилов, Л. А. Цветкова, Е. А. Индейкин //Лакокрасочные материалы и их применение. - 1994. - №6. -С. 24—26.

148. Моррисон, С. Химическая физика поверхности твердого тела / С. Моррисон. - М.: Мир, 1980. - 488 с.

149. Давыдов, А. А. ИК-спектроскопия в химии поверхности окислов / А. А. Давыдов. - Новосибирск: Наука, 1984. - 246 с.

150. Комаров, В. С. ИК-спектроскопическое исследование кислотных свойств поверхности оксида циркония, модифицированного сульфат-ионами / В. С. Комаров, Н. Ф. Синило //Кинетика и катализ. - 1988. - Т.29, вып. З.-С. 701—704.

151. Кустов, Л.М. Изучение кислотных центров цеолитов методом ИК-спектроскопии в диффузно-рассеянном свете / Л.М. Кустов, И. В. Мишин,

B. Ю. Боровков, В. Б. Казанский // Кинетика и катализ. - 1984. - Т.25, вып. З.-С. 724—739.

152. Степин, С.Н. Регулирование межфазных взаимодействий в пигментированных лакокрасочных системах с целью оптимизации их свойств: дис. ... д-ра хим. наук.: 05.17.06 / С.Н. Степин ; СПбГТИ(ТУ). -СПб., 1995.-433 с.

153. Гранкин, В.П. Электронные состяния на поверхности цинк-сульфидных кристаллофосфоров / В.П. Гранкин, В.Ю. Шаламов // ЖПС. -1999. - Т.66, №6. - С.809 - 812.

154. Страхов, В. И. Физико-химические исследования тугоплавких и силикатных материалов: Учеб. Пособие / В. И. Страхов, А. П. Зубехин, В. Г. Чеховский. - СПб.: Изд. компания «Синтез», 1995. - 189 с.

155. Рязанов, М.А. Об индикаторном методе изучения кислотно-основных свойств частиц суспензий / М.А. Рязанов // ЖФХ. - 2008. - Т.82, №10. -

C. 1999-2000.

156. Алесковский, В.Б. Химия твердых веществ / В.Б. Алесковский. - М.: Высшая школа, 1978. - 255 с.

157. Стоянов, О.В. Современные возможности оценки кислотно-основных свойств полимерных покрытий / О.В. Стоянов, Е.В. Бурдова, Я.И. Алеева // Вестник Казанского технологического университета. - 2008. - № 5 - С. 1320.

158. Басов, C.B. Топография активных центров на поверхности желатиновых слоев для кинофотоматериалов: автореф. дисс. к.т.н. : 05.17.06 / C.B. Басов ; ГУКИТ. - СПб., 1997. - 20с.

159. Либрович, Н. Б. Сольваты протона с сильной симметричной водородной связью и функция кислотности / Н. Б. Либрович // Химическая физика. - 1992. - Т. 11, № 5. - С. 627-631.

160. Иванов, В.М. Цветометрические и кислотно-основные характеристики пирогаллового красного и бромпирогаллового красного / В.М. Иванов, A.M. Мамедова // Вестник МГУ. - 2002. - Т.43, № 3. - С. 167-171.

161. Васильева, И.В. Электронно-лучевое модифицирование поверхности

оксидных материалов (Si02, ВаТЮз) / И.В. Васильева, C.B. Мякин, Е.В. Рылова, В.Г. Корсаков // Журнал физической химии. - 2002. - Т. 76, № 1. -С. 84-89.

162. Апанович, H.A. Исследование поверхности цинксульфидного люминофора / H.A. Апанович, Т.Н. Фомичева, Г.М. Цейтлин // Химическая промышленность. - 2000. - № 6. - С. 31 - 34.

163. Сычев, М.М. Влияние диспергирования на донорно-акцепторные свойства поверхности сегнетоэлектриков / O.A. Черемисина, М.М. Сычев, C.B. Мякин, В.Г. Корсаков, В.В. Попов, Н.Ю. Арцутанов // Журнал физической химии. - 2002. - Т.76, Вып. 9. - С. 1625-1628.

164. Степин, С. Н. Методы исследования свойств поверхности пигментов (обзор литературы) / С. Н. Степин, Ф. Р. Богатов, Т. Н. Куевцов // Лакокрасочные материалы и их применение. - 1991. - № 2. - С. 35-38.

165. Дайбова, Е.Б. Кислотно-основное состояние поверхности порошкообразных образцов / Е.Б. Дайбова, Т.С. Минакова // Известия ВУЗов. - 2011. - №12/2. - С. 27 - 30.

166. Корсаков, В. Г. Прогнозирование свойств материалов: Учеб. Пособие / Корсаков В. Г. - Л. : ЛТИ им. Ленсовета, 1988. - 91 с.

167. Фадеева, Л. Д. Исследование поверхностных свойств модифицированного технического углерода потенциометрическим методом / Л. Д. Фадеева, А. И. Демидова, В. Г. Корсаков, А. А. Мясникова // Журн. прикл. химии. - 1990. - Т. 63, вып. 8. - С. 1705—1708.

168. Нечипоренко, А.П. Кислотно-основные свойства поверхности твердых веществ: Метод. Указания / А.П. Нечипоренко, В.Г. Корсаков, М.Н. Цветкова, O.A. Черемисина. - СПб. : СПбГТИ(ТУ), 2003. - 11с.

169. Глазнева, Т. С. Кислотно-основные свойства поверхности оксидных катализаторов: от изучения водных суспензий к исследованиям in situ / Т. С. Глазнева, H. С. Коцаренко, Е. А. Паукштис // Кинетика и катализ. - 2008. -Т. 49, №6.-С. 906-915.

170. Нечипоренко, А.П. Получение покрытий из порошковых эпоксидных красок с улучшенной адгезионной прочностью к поверхности стали / И. Го, А.П. Нечипоренко, Г.Н. Гаринова // Лакокрасочные материалы и их применение. - 1997. - № 3. - С. 6-8.

171. Fowkes, F.M. / Fowkes F .M. et al. // Colloids Surf. - 1990. - V 43. - P. 367-387.

172. Gutmann, V. The Donor-Acceptor Approach to Molecular Interactions/ V. Gutmann. - New York: Plenum Press, 1978.-P. 101.

173. Глазков, С.С. Поверхностные энергетические характеристики композитов на основе природных полимеров / С.С. Глазков, В.А. Козлов, А.Е. Пожидаева, О.Б. Рудаков // Сорбционные и хроматографические процессы. - 2009. - Т. 9, Вып. 1. - С.58.

174. Старостина, И.А. Связь приведенного параметра кислотности с адгезионными свойствами эпоксидных покрытий / И.А. Старостина и др. // Лакокрасочные материалы и их применение. - 2007. - № 5. - С. 32 - 36.

175. Алеева, Я.И. Кислотно-основные и адгезионные свойства эпоксидных покрытий, отвержденных комплексными соединениями на основе кислот льюиса и (галоген)алкилфосфатов / И.А. Старостина и др. // Вестник Казанского технологического университета. - 2008. - № 6. - С. 179- 185.

176. Кольцов, Ю. С. Применение индикаторного метода для анализа процессов, протекающих на границе раздела фаз в многокомпонентных системах / Ю. С. Кольцов, С. И. Кольцов // Межвуз. сб. научных трудов. -СПб., 1992.-С. 196-199.

177. Старостина, И.А. Влияние состава эпоксидной грунтовки на ее кислотно-основные и адгезионные свойства / И.А. Старостина, О.В. Стоянов, P.M. Гарипов, В.А. Кустовский // Вестник Казанского технологического университета. - 2006. - № 1. - С. 140 - 145.

178. Van Ooij, W.J. Wetting method / W.J. Van Ooij // Rubber Chem. and Techn. - 1985. - V. 57.-P. 421.

179. Баранова, H.B. Взаимосвязь химической структуры поверхности бутадиен-нитрильных каучуков с поверхностными энергетическими и кислотно-основными характеристиками / Н.В. Баранова, Л.А. Пашина, A.B. Косточко // Вестник Казанского технологического университета. - 2012.-№ 15.-С. 172- 176.

180. Толстая, С. Н. Применение поверхностно-активных веществ в лакокрасочной промышленности / С. Н. Толстая, С. А. Шабанова. - М.: Химия, 1976.- 176 с.

181. Кисилев, A.B. Инфракрасные спектры поверхностных соединений / A.B. Кисилев, В.И. Лыгин. - М.: Наука, 1972. - 459 с.

182. Глазков, С.С. Модель термодинамической совместимости наполнителя и полимерной матрицы в композите / С.С. Глазков // ЖПХ. -2007. - Т.80, №9. - С. 1562 - 1565.

183. Xiaoliang, D. Improved dielectric strength of barium titanate-polyvinylidene fluoride nanocomposites / D. Xiaoliang, L. Xiaolin, Z. Yong, F. Huan, C. Jian-Feng, D. Song // Applied Physics Letters. - 2009. - V. 95. - P.95.

184. Rao, Y. Di-block copolymer surfactant study to optimize filler dispersion in high dielectric constant polymer-ceramic composite / Y. Rao, A. Takahashi, C.P. Wong // Composites: Part A. - 2003. - V. 34. - P.l 113 - 1116.

185. Абрамзон, A.A. Поверхностно-активные вещества. Синтез, анализ, свойства, применение: Учеб. пособие для вузов / А. А. Абрамзон, JI. П. Зайченко, С. И. Файнгольд; под ред. А. А. Абрамзона. - JL: Химия, 1988. -200 с.

186. Поверхностные явления и поверхностно-активные вещества: Справочник / Под ред. А. А. Абрамзона и Е. Д. Щукина. - Л.: Химия, 1984.-392 с.

187. Дорохов, И.Н. Математическое моделирование воздействия ПАВ на процесс диспергирования ЛКМ в бисерной мельнице / И.Н. Дорохов, В.В. Меньшиков, В.В. Тарасенко // Лакокрасочные материалы и их применение. - 1996. - № 7. - С. 22—23.

188. Симонов-Емельянов, И. Д. Влияние размера частиц наполнителя на некоторые характеристики полимеров / И. Д. Симонов-Емельянов // Пласт, массы. - 1989. - № 5. - С. 61—64.

189. Еркова, Л. Н. Латексы / Л. Н. Еркова, О. С. Чечик. - Л.: Химия, 1983. -224 с.

190. Нейман, Р. Э. Очерки коллоидной химии синтетических латексов / Р. Э. Нейман. - Воронеж: Из-во ВГУ, 1980. - 236 с.

191. Аверко-Антонович, И.Ю. Особенности наполнения водной дисперсии СКИ-3 / И.Ю. Аверко-Антонович, Л.А. Аверко-Антонович // Лакокрасочные материалы и их применение. - 1991. - № 2. - С. 54—56.

192. Nobst, Р. Das Foliengießverfahren mit wäßrig dispergierten Bindemittelu / P. Nobst, S. Spauszus // Silikattechnik. - 1987. - V. 38, No 8. - P. 258—262.

193. Малкин, А .Я. Реология: концепции, методы, приложения / А.Я. Малкин, А.И. Исаев. - СПб.: Профессия, 2010. - 560с.

194. Ермилов, П. И. Пигменты и пигментированные лакокрасочные материалы / П. И. Ермилов, Е. А. Индейкин, И. А. Толмачев. - Л.: Химия, 1987.-200 с.

195. Каплан, Ф.С. Реологические и коллоидно-химические свойства керамических дисперсных систем / Ф.С. Каплан, Ю.Е. Пивинский. -J1. : Наука, 1989.- 141с.

196. Севере, Э. Т. Реология полимеров / Э. Т. Севере. - М.: Химия, 1966. -198 с.

197. Мосин, Ю.М. Реология в технологии керамики и огнеупоров. Реотехнологические свойства пластифицированных ВКВС кремнеземистого состава / Ю.М. Мосин, А.Ф. Кривощепов, Г.Г. Шихиева // Огнеупоры и техническая керамика. - 1999. - №5- С. 23 - 26.

198. Урьев, Н.Б. Реологическая характеристика структурированных дисперсий, проявляющих дилатантные свойства / Н.Б. Урьев, С.В. Чой // Колл. Журнал. - 1996. - Т.58, №6. - С. 862 - 864.

199. Урьев, Н.Б. Текучесть суспензий и порошков / Н.Б. Урьев, A.A. Потанин. - М. : Химия, 1992. - 264 с.

200. Хаппель, Дж. Гидродинамика при малых числах Рейнольдса / Дж. Хаппель, Г. Бреннер. - М.: Мир, 1976, с. 367.

201. Урьев, Н. Б. Структурообразование и реология неорганических дисперсных систем и материалов / Н. Б. Урьев, Я. П. Иванов. - София: Изд. Болг. Акад. Наук, 1991. - с. 210.

202. Урьев, Н. Б. Высококонцентрированные дисперсные системы / Н. Б. Урьев. - М.: Химия, 1980. - с. 319.

203. Пивинский, Ю. Е. Теоретические аспекты керамики и огнеупоров. Избранные труды. Тома 1, 2 / Ю. Е. Пивинский. - Санкт-Петербург: Стройиздат СПб. - 2003. - 544 е., 688 с.

204. Пивинский, Ю. Е. О концентрационной зависимости вязкости керамических суспензий. В кн.: «Синтез, технология производства и методы испытаний жаропрочных неорганических материалов» / Ю. Е. Пивинский, А. Н. Яборов. - М.: НИТС, 2003. - С. 22-28.

205. Rutgers, J. R. Rheology / J. R. Rutgers // Rheol. Acta. - 1962. - V. 2, №3.- p.305 -348.

206. Майкле, А. С. Реологические свойства водных систем глин. Пер. с англ.: Под ред. П. П. Будникова. - М.: Изд-во иностр. лит., 1960. - С. 36-44.

207. Пивинский, Ю.Е. Реология дилатантных и тиксотропных ситем / Ю.Е. Пивинский. СПб. : СПбГТИ(ТУ), 2001. - 174с.

208. Бибик, Е.Е. Реология дисперсных систем / Е.Е. Бибик. - JI. : Изд-во лен-го ун-та, 1981. - 172с.

209. Пивинский, Ю. Е. Основы регулирования реологических и технологических свойств керамических литейных систем: автореф. дис. Д-ра тех. наук : 02.00.02 / Ю.Е. Пивинский ; МХТИ. - М., 1981. - 40 с.

210. Пантелеев, В. Компьютерная микроскопия / В. Пантелеев, О. Егорова, Е. Клыкова / М.: Техносфера, 2005. - 304с.

211. Минозов, В.Е. Прогнозирование формы и размеров частиц в продуктах измельчения / В.Е. Минозов, В.П. Жуков, П.В. Фомичев // Хим. пром. - 1995. - № 8. - С. 71—73.

212. Лакокрасочные материалы и покрытия. Теория и практика: Пер. с англ. / Под ред. Р. Ламбурна. - СПб.: Химия, 1991. - 512 с.

213. Байвель, Л. П. Измерение и контроль дисперсности методами светорассеяния под малыми углами / Л. П. Байвель, А. С. Лагунов. - М.: Энергия, 1977. - 87 с.

214. Расчеты и задачи по коллоидной химии: Учеб. пособие для хим.-технолог. спец. Вузов / Под ред. В. И. Барановой. - М.: Высш. шк., 1989. -288 с.

215. Тараканова, Е.Е. Оптический метод оценки диспергируемости пигментов / Е. Е. Тараканова, К. У. Конотопчик, Н. Б. Люлин, Е. А. Быков // Лакокрасочные материалы и их применение. - 1997. - № 11. - С. 20—21.

216. Долматов, Ю. Д. Определение размеров частиц пигментных порошков и их распределения методом суспензионной турбодиметрии / Ю. Д. Долматов // Лакокрасочные материалы и их применение. - 1965. — № 5. — С. 5—7.

217. Ищенко, В.М. Твердофазные химические реакции с участием халькогенидов цинка и разработка электролюминесцентных материалов на их основе: дис. ... д-ра хим. наук : 02.00.21 / В.М. Ищенко ; Ставропольский государственный университет. - Ставрополь, 2002. - 339 с.

218. Вишняков, A.B. Фазовые равновесия в системах, образованных соединениями AB и элементами I и III групп периодической системы / A.B. Вишняков, Г.А. Дворецков, В.Н. Зубковская, O.A. Тюрин, П.В. Ковтуненко // Сб. научн. тр. / МХТИ. Вып. 120. - М.: Изд-во МХТИ, 1981. -С. 87- 103.

219. Георгобиани, А.Н. Электролюминесценция полупроводников и полупроводниковых структур / А.Н. Георгобиани // Соросовский образовательный журнал. - 2000. - Т. 6, № 3. - С. 105 - 111.

220. Ковальков, В.И.. Гетерогенные процессы и синтез люминофоров // Химия поверхности и нанотехнология высокоорганизованных веществ: сб. научн. трудов. - СПб.: СПбГТИ(ТУ), 2007. - с. 200.

221. Милославский, А.Г. Дефектная структура и центры свечения цинксульфидных люминофоров / А.Г. Милославский, Н.В. Сунцов // Физика и техника высоких давлений. - 1997. - Т. 7, № 2. - С. 94 - 103.

222. Илюхина, З.П. Приготовление кристаллов сульфида цинка и природа центров голубого свечения самоактивированного ZnS / З.П. Илюхина, Е.И. Панасюк, В.Ф. Туницкая, Т.Ф. Филина // АН СССР: Труды ФИАН им. П.Н.Лебедева. - 1972. - Т. 59. - С. 38 - 63.

223. Фок, М.В. Прикладная электролюминесценция / М.В. Фок. - М.: Сов. радио, 1974. - 414 с.

224. Данилов В.П., Заплешко Н.Н., Миронов К.Е. Механизм твердофазных реакций на границе фаз ZnS-Cu2S // Технология производства и исследование люминофоров: Сб. науч. тр. - Ставрополь. : ВНИИ люминофоров, 1981. - Вып. 20. - С. 78 - 83.

225. Гурвич A.M. Введение в физическую химию кристаллофосфоров. -М.: Высш. шк., 1982. - 376 с.

226. Казанкин, О.Н. Неорганические люминофоры / О.Н. Казанкин, Л .Я. Марковский, И.А. Миронов. - Л.: Химия, 1975. - 192 с.

227. Иконникова, Л.Ф. Взаимосвязь поверхностных и структурных свойств сульфида цинка с оптическими характеристиками изделий на его основе: дис. ... канд. хим. наук ; 02.00.04 / Л.Ф. Иконникова ; ТГУ. - Томск, 2002. -138 с.

228. Морозов В.В., Путинцева С.Н., Олешко В.И. Влияние технологических условий изготовления на импульсную рентгенолюминесценцию ZnSe(Te) // 5 всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и полупроводниковой опто- и наноэлектронике: Тез. докл., 1-5 декабря 2003 г. - СПб., 2003. - С. 98.

229. Мохов, С.Н. Синтез и люминесценция гетерофазной системы на основе сульфидов цинка и меди: дисс. канд. т. н. ; 02.00.21 / С.Н. Мохов . -СГТУ. - Ставрополь, 2005. - 210с.

230. Марковский, Л.Я. Изучение роста частиц люминофоров ZnS:Cu,Al в процессе прокаливания / Л.Я. Марковский, Л.Б. Таушканова, H.H. Заплешко, В.А. Красноперов // Химия и технология люминофоров: Сб. статей / ГИПХ. - Л., 1975. - С. 3 - 7.

231. Пат. 5643496 США, МПК С 09 К 011/54; С 09 К 011/56; С 09 К 011/58. Small size electroluminescent phosphor / Brese Nathaniel E., Reilly Kenneth T. (США). - № 09/628213; Заявл. 04.04.1996; Опубл. 01.07.1997; НПК 252/301.6 S. Англ.

232. Кокин, С.М. Распределение центров голубого и зеленого свечения в барьерных областях зерен цинксульфидных электролюминофоров / С.М. Кокин, С.Н. Миков, И.П. Пузов // Журн. прикл. спектроскопии. - 2001. - Т. 68, №6.-С. 738-741.

233. Шахмалиева, С.Ш. Синтез и физико-химические исследования электролюминесцентных материалов на основе сульфида цинка: дис. ... канд. хим. наук : 02.00.21 / С.Ш. Шахмалиева ; Северо-Кавказский государственный технический университет. - Ставрополь, 2001. - 146 с.

234. Дмитриенко, O.A. Свойства поверхности и низковольтная люминесценция цинк-кадмий-сульфидных кристаллофосфоров / O.A. Дмитриенко, С.А. Букесов, В.В. Михайлова // Неорганические материалы. -1993. - Т.29, №6. - С. 834 - 837.

235. Пикаев, А.К. Современная радиационная химия. Твердое тело и полимеры. Прикладные аспекты / А.К. Пикаев. - М.: Наука, 1987. - 448 с.

236. Вавилов, B.C. Механизм образования и миграции дефектов в полупроводниках / B.C. Вавилов, А.Е. Кив, О.Р. Ниязова. - М.: Наука, 1981 -368 с.

237. Суржиков, А.П. Исследование диффузии кислорода в Li-Ti ферритах / А.П .Суржиков, A.M. Притулов, С.А. Гынгазов, E.H. Лысенко // Перспективные материалы. - 1999. - № 6. - С. 90 - 94.

238. Суржиков, А.П. Исследование радиационно-стимулированной диффузии иновалентных примесей в ионных кристаллах / А.П.Суржиков, С.А.Гынгазов, А.В.Чернявский, А.М.Притулов // Перспективные материалы. - 2000. - № 1. - С. 30 - 34.

239. Бойко В. М., Бублик В. Т., Воронова М. И., Колин Н. Г., Меркурисов Д. И., Щербачев К. Д. Влияние облучения реакторными нейтронами и температуры на структуру монокристаллов InP // 6-й Международный

Уральский Семинар "Радиационная физика металлов и сплавов»: Труды. -Снежинск, 2005. - с. 117.

240. Kaneko, К. Precipitation of Mg0nAl203 in Mg-doped a-Al203 under electron irradiation / K. Kaneko, T. Kato, M. Kitayama, Y. Tomokiyo // J. Amer. Ceram. Soc.-2003.-Vol. 86, Iss. 1.-P. 161 - 168.

241. Вотинов C.H., Колотушкин В. П. Особенности структурно-фазовых превращений в материалах при облучении // 6-й Международный Уральский Семинар "Радиационная физика металлов и сплавов»: Труды. — Снежинск, 2005. - с. 61.

242. Мак, В.Т. Влияние гамма-облучения на ширину запрещенной зоны ZnSe / В.Т. Мак, B.C. Манжара, В.И. Бейзым, В.И. Хиврич // Письма в ЖТФ. - 2002, Т. 28, № 18. - С. 13-15.

243. Ищук, В.П. Образование дефектов в полупроводниковых соединениях CdxHg!.xTe под действием облучения : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / В.П. Ищук ; МАИ. - Москва, 1983. - 20 с.

244. Мак, В.Т. Дефекты в полупроводниковых соединениях / В.Т. Мак, В.Е. Буковский, М.Я. Рахлин // ФТТ. - 1989. - Т. 34, В. 9. - С. 251-253.

245. Кононец, Я.Ф. Улучшение характеристик тонкопленочных электролюминесцентных структур на основе пленок ZnS:Mn после облучения их маломощным лазером / Я.Ф. Кононец // Письма в ЖТФ. -1998.-Т. 24, №4.-С. 1-6.

246. Беляев, А.П. Влияние лазерного излучения на формирование ориентированных слоев сульфида кадмия в резко неравновесных условиях / А.П. Беляев, В.П. Рубец, В.В. Антипов // Физика и техника полупроводников. - 2005. - Т. 39,. № 2. - С. 204-207.

247. Oosthuizen, L. ZnS:Cu,Al,Au phosphor degradation under electron excitation / L.Oosthuizen, H.C. Swart, P.E.Viljoen, P.H.Holloway, G.L.P.Berning // Applied Surface Science. - 1997. - Iss. 120. - P. 9 - 14.

248. Hillie, K.T. Low temperature effect on the electron beam induced degradation of ZnS:Cu,Al,Au phosphor powders / K.T.Hillie, H.C. Swart // Applied Surface Science. - 2002. - Iss. 193. - P. 77 - 82.

249. Swart, H.C. Degradation effect of a ZnO layer on ZnS: comparison between a Monte Carlo simulation and experimental Auger and CL

measurements / H.C. Swart // Surface and Interface Analysis. - 2001. - Vol. 32, Iss. l.-P. 84-87.

250. Abrams, B.L.Electron beam-induced degradation of zinc sulfide-based phosphors / B.L.Abrams, W.Roos, P.H.Holloway, H.C.Swart // Surface Science. - 2000. - Iss. 451.-P. 174-181.

251. Igarashi, T. A thermoluminescence study on the state of CI in ZnS:Ag by electron beam / T.Igarashi, T.Kusunoki, K.Ohno, T.Isobe, M.Senna // Materials Research Bulletin. - 2002. - Vol. 37, №. 3. - P. 533 - 539.

252. Черепин, B.T. Методы и приборы для анализа поверхности материалов / В.Т. Черепин, М.А. Васильев // Киев: Наукова думка, 1982. -400 с.

253. Нечипоренко, А.П. Донорно-акцепторные свойства поверхности оксидов и халькогенидов: дис. ... д-ра хим. наук : 02.00.04 / А.П. Нечипоренко ; СПбГТИ(ТУ). - СПб., 1995. - 500 с.

254. Хоружий, В.Д. Превращение центров свечения на поверхности ZnS-Cu-фосфоров / В.Д.Хоружий, В.В.Стыров, В.А. Соколов // Журн. прикл. спектроскопии. - 1976. - Т. XXIV, вып. 5. - С. 845 - 850.

255. Гурвич, A.M. Люминесцентные материалы и особо чистые вещества / А.М.Гурвич, М.И.Томбак, А.А.Михалев // Сб. науч. тр.: ВНИИ люминофоров. — Ставрополь, 1971. - Вып. 5. - С. 133 - 144.

256. Постнова A.M. Исследование протонной кислотности титаносодержащих силикагелей, полученных методом молекулярного наслаивания / Постнова A.M., Пак В.П., Кольцов С.И. // Журн. физич. химии. - 1981. - Т. 55, вып. 8. - С. 2140 - 2142.

257. Семенова, Ф.Н. Исследование поверхности сульфида цинка и электролюминофоров / Ф.Н.Семенова, В.И.Ковальков, Т.А.Витковская, Л.Н.Харечкина // Исследования люминофоров и технология их производства: Сб. науч. тр. / ВНИИ люминофоров. - Ставрополь, 1987. -Вып. 32. - С. 57 - 62.

258. Вавилов, B.C. Действие излучений на полупроводники / Вавилов B.C., Кекелидзе Н.П., Смирнов Л.С. // 1988. - М.: Наука. - 264 с.

259. Коджеспиров, Ф.Ф. Изменение фотолюминесценции монокристаллов ZnS в результате облучения в реакторе / Коджеспиров Ф.Ф., Андрианов А.А., Можаровский Л.А. // Журнал прикладной спектроскопии. - 1973. - Т. 19, вып. 4.-С. 636-640.

260. Фиалковская О.М. Радиационные дефекты неметаллических кристаллов. - 1967. - М.: Ан. СССР. - 187 с.

261. Кораблев, Н.М. Исследование влияния электронного облучения и термической обработки на стабильность цинк-кадмийсульфидных люминофоров / Кораблев Н.М., Тимофеева Т.М, Михайлик В.В. и др. // Синтез и свойства особо чистых веществ. - 1990- Ставрополь, ВНИИ люминофоров. - Вып. 39. - С. 38-45.

262. Fitz-Gerald, J.M. Significant reduction of cathodoluminescent degradation in sulfide-based phosphors / J.M. Fitz-Gerald, T.A. Trottier, R.K. Sigh, Р. H. Holloway // Applied physics letters - 1998. - Vol. 72, Iss. 15 - P. 1838-1839

263. Радиационные процессы в технологии материалов и изделий электронной техники / И.В. Васильева, Г.А. Ефремов, В.В. Козловский и др - М.: Энергоатомиздат, 1981. - 387 с.

264. Рыбкин, В.В. Низкотемпературная плазма как инструмент модификации поверхности полимерных материалов / В.В. Рыбкин // Соросовский образовательный журнал. - 2000. - Т. 6. - № 3. - С. 58-63.

265. Спичкин, Г.Л. Модификация поверхности материалов обработкой в плазме низкотемпературного объемного разряда / Г.Л. Спичкин, Е.К, Чистов, Н.С. Пщелко, А.Г. Сырков // Цветные металлы. - 2009. - № 12. - С. 61-66.

266. Гильман, А.Б. Воздействие низкотемпературной плазмы как эффективный метод модификации поверхности полимерных материалов / А.Б. Гильман // Химия высоких энергий. - 2003. - Т. 37, № 1. - С. 20-26.

267. Ерузин, A.A. Синтез углеродистых пленок в неизотермической плазме на подложках различных типов: дис. ... канд. техн. наук: 05.17.01 / A.A. Ерузин ; СПбГТИ(ТУ). - СПб., 2004. - 179 с.

268. Surface and Coatings Technology // Containing Papers Presented at V Intern. Conf. Plasma Surface Engineering, Garmisch-Partenkirchen, Germany. -1998. Vol. 98. Sept. 9-13.

269. Ефремов, A.M. Вакуумно-плазменные процессы и технологии: Учеб. пособие / А.М. Ефремов, В.И. Светцов, В.В. Рыбкин; ГОУВПО Иван. гос. хим.-технол. ун-т. Иваново, 2006. - 260 с.

270. Крапивина, С.А. Плазмохимические технологические процессы. -1981. - Л.: Химия.- С. 46-53.

271. Мак-Таггарт Ф. Плазмохимические реакции в электрических разрядах. - 1972. - М.: Атомиздат. - 264 с.

272. Зеленский В.Ф., Неклюдов И.М., Черняева Т.П. Радиационные дефекты и распухание металлов. - 1988. - Киев: Наукова думка - 296 с.

273. Patent 153747 Japan. Production of high pressure phase substance. - Ito Kenji, Hatake Tomoaki, Sakakibara Ikuo, Takahashi Katsuhiko. 2002.

274. Patent 243205 Japan. Production of compressed body of metal powder. -Chiba Takashi, Yamaguchi Takashi, Nishida Minoru. 2003.

275. Бацанов, С.С. Действие взрыва на вещество. Фотолюминесценция сульфида цинка после динамического сжатия / С.С. Бацанов, А.И. Лапшин // Физика горения и взрыва. - 1967. - № 3. - С. 441 - 448.

276. Лапшин, А.И. О возможности активирования кристаллофосфоров цинк-сульфидного типа методом взрывного нагружения / А.И. Лапшин, Т.П. Лазаренко, С.С. Бацанов // Журнал прикладной спектроскопии. - 1971.

- T. XIV, Вып. 6. - С. 1020 - 1026.

277. Лапшин, А.И. О некоторых особенностях щелочногалоидных фосфоров, активированных ионами Еи2+ методом взрывного нагружения / А.И. Лапшин, В.В. Курникова // Журнал прикладной спектроскопии. - 1978.

- T. XXVIII, Вып. 1. - С. 95 - 100.

278. Сычев, М.М. Влияние состава и структуры на диэлектрические характеристики пленок цианового эфира поливинилового спирта / С.А. Алексеев, М.М. Сычев, В.Г. Корсаков, А.Г. Родионов, Л. Л. Еженкова. // Высокомолекулярные соединения, Серия А. - 2009. - Т.51, № 8. -С.1626- 1631.

279. Пат. 2436803 Российская Федерация, МПК МПК C08F 8/30, С07С 69/01. Способ получения цианэтиловых эфиров полимеров винилового спирта / Родионов А.Г., Еженкова Л.Л., Сычёв М.М., Корсаков В.Г., Дорофеев A.A., Бочкарёва H.H.; заявитель и патентообладатель ОАО "Пластполимер. - №2010104072/04; заявл. 01.02.2010; опубл. 20.12.2011, Бюл. № 35. - 10 с.

280. Пат. 2436805 Российская Федерация, МПК C08F 216/06, C08F 16/06, C08J 3/28, C08J 5/18. Способ получения плёночных материалов на основе цианэтиловых эфиров поливинилового спирта / Родионов А.Г., Сычёв М.М., Мякин C.B., Еженкова Л.Л., Васильева И.В., Заграничек А.Л.; заявитель и патентообладатель ОАО "Пластполимер. - № 2010127022/04; заявл. 24.06.2010; опубл. 20.12.2011, Бюл. № 35. - 5 с.

281. Сычев, М.М. Влияние проводимости на диэлектрические характеристики цианэтилового эфира поливинилового спирта /

B.Ф.Бородзюля, С.В.Мякин, Н.Т.Сударь, Н.Б.Шейко, А.Г.Родионов, М.М.Сычев // Физика твердого тела. - 2013. - Т. 55, № 8, С. 1536 - 1539.

282. Сычев, М.М. Электрические свойства перспективного полимерного связующего для электролюминесцентного конденсатора / В.Т. Аванесян, A.JI. Заграничек, М.К. Коршунова, Н.М. Михайловская, М.М. Сычев // Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения. - 2009. -Т. 9, № 1. - С.223 -226.

283. Сычев, М.М. Повышение диэлектрической проницаемости цианового эфира поливинилового спирта и его композита с титанатом бария электронно-лучевой обработкой / М.М. Сычев и др. // Известия высших учебных заведений. Химия и химическая технология. - 2010. - Т. 53, № 2. -

C. 120-124.

284. Fowkes, F.M. The Donor-Acceptor Approach to Molecular Interactions / F.M. Fowkes et al. // Colloids Surf. - 1990. V 43, #2.- P.367-387.

285. Сычев, М.М. Влияние донорно-акцепторных центров поверхности титаната бария на свойства композитов на основе цианового эфира ПВС / С.А. Алексеев, В. Г. Корсаков, М. М. Сычев, О. В. Лихачева, А. Г. Родионов, Л. Л. Еженкова // Журнал физической химии. - 2006, Т.80, Вып. 4. - С.700 - 703

286. Сычев, М.М. Прогнозирование диэлектрических свойств полимерных композитов на основе термодинамической модели/ М.М. Сычев [и др.] // Журнал прикладной химии. - 2007. - Т.80, №11. - С. 1908 - 1912.

287. Lu, S. A Carbonation of barium titanate powders studied by FT-IR technique / Song Wei Lu, Burtrand I. Lee, Larry // Materials Letters. - 2000. -#43 .-P. 102-105.

288. Сычев, М.М. Синтез и исследование диэлектрических композиционных материалов на основе цианового эфира поливинилового спирта и титаната бария с модифицированным поверхностным слоем / М.М. Сычев [и др.] // Физика и химия стекла. - 2011 - Т.37, Вып.6. - С.624 - 628.

289. Сычев, М.М. Теоретические основы материаловедения композиционных материалов на уровне регулирования состава поверхностных функциональных групп / М.М. Сычев // Новые исследования в материаловедении и экологии: сб. науч. трудов. Вып. 11. -СПб., 2011.- С.42-46.

290. Sychov, М.М. Dielectric constant of barium titanate/cyanoethyl ester of polyvinyl alcohol composite in comparison with the existing theoretical models /

R. Kota, A.F. Ali, B.I. Lee, М.М. Syehov // Microelectronic Engineering. - 2007. - № 84. - P.2853 - 2858.

291. Сычев, М.М. Регулирование диэлектрических свойств цианэтилового эфира поливинилового спирта и композитов на его основе / Н.Б. Шейко, C.B. Мякин, А.Г. Родионов, J1.JI. Еженкова, М.М. Сычев // Новые исследования в материаловедении и экологии: Сб. науч. статей, вып. 12. -СПб., 2012.-С. 46-51.

292. Шангина, H.H. Прогнозирование физико-механических характеристик бетонов с учетом донорно-акцепторных свойств поверхности наполнителей и заполнителей: дис. ... докт. тех. наук. : 05.23.05 / H.H. Шангина ; ПГУПС. -СПб., 1998.-387с.

293. Направленное регулирование свойств диэлектрических полимерных композиций / М.М. Сычев, O.A. Черемисина, Ю.А. Калентьева // Труды мол. уч., асп. и докт. : сб. ст. - СПб., 1999, С. 110-111.

294. Черемисина, O.A. Регулирование свойств функциональных латексных композитов для электролюминесцентных источников света / Черемисина O.A., Сычев М.М., Попов В.В., Корсаков В.Г. // Редк. ЖПХ. - СПб., 1999, Деп. в ВИНИТИ 30.12.99 №3960-В99. - 20с.

295. Сычев, М.М. Влияние диспергирования на донорно-акцепторные свойства поверхности сегнетоэлектриков / O.A. Черемисина, М.М. Сычев, C.B. Мякин, В.Г. Корсаков, В.В. Попов, Н.Ю. Арцутанов // Журнал физической химии. - 2002. - Т.76, Вып. 9. - С. 1625-1628.

296. Sychov, М.М. Study of surface donor-acceptor active centers distributions during ceramics ball milling / M.M. Sychov [et al.] // Optoelectronics - Materials & Technology in the Information Age / Ed. K.M. Nair. - Ohio, 2002.-P. 4556.

297. Сычев, М.М. Наполненные латексные композиции с высокой диэлектрической проницаемостью на основе дисперсных сегнетоэлектриков / Черемисина O.A., Сычев М.М., Сиротинкин Н.В., Свиридова Т.Л., Попов В.В. // Журнал прикладной химии. - 2010 - Т.86, Вып.4. - 630 - 634.

298. Сычев, М.М. Полимерные композиции на основе латексов и дисперсных диэлектриков / O.A. Черемисина, М.М. Сычев, Н.В. Сиротинкин, В.Г. Корсаков // Известия СПбГТИ(ТУ). - 2009. - №5. - С.62 -64.

299. Эволюция донорно-акцепторных центров поверхности сегнетоэлектриков при диспергировании / Н.В. Захарова, М. М. Сычев, В. Г.

Корсаков, С. В. Мякин // Конденсированные среды и межфазные границы. -2011.-Т. 13, № 1,С. 56-62.

300. Sychov, М.М. Effect of milling on the surface functionality of ВаТЮЗ -CaSn03 ceramics / M.M. Sychov, N.V. Zakharova, S.V. Mjakin // Ceramics International. - 2013. - № 39. - P.6821 - 6826.

301. Сычев, М.М. Люминесцентный композит на основе латекса / О.А. Черемисина, В.В. Попов, М.М. Сычев, В.Г. Корсаков, Н.В. Сиротинкин // Известия СПбГТИ(ТУ). - 2011. - №10. - С.85 - 88.

302. Корсаков, В.Г. Химия поверхности и нанотехнология вы-сокорганизованных веществ / В.Г. Корсаков, М.М. Сычев // 2007. - СПб: СПбГТИ(ТУ).- С.56.

303. Сычев, М.М. Электропроводящие полимерные композиты на основе бутадиен-нитрильного латекса / О.А. Черемисина, М. М. Сычев, В.В. Попов, Н.В. Сиротинкин, В.Г. Корсаков // Журнал прикладной химии. -2010 - Т.83, Вып.4. - С.666 - 670

304. Сычев, М.М. Перколяционное поведение углероднаполненных полимерных композиций / М.М. Сычев [и др.] // Современные инженерно-химические основы материаловедения : сб. ст. - СПб., 1999. - С.91-95.

305. Lu, Н. The mechanism and characteristics of ZnS-based phosphor powders / Hao-Ying Lu, Sheng-Yuan Chu. // Journal of Crystal Growth. - 2004. - V.265.-P.476-481.

306. Каргин, Н.И. О сложном характере люминесценции люминофора ZnS:Mn / Каргин Н.И., Михнев Л.В., Гусев А.С. // Сб. науч. тр. СевКавГТУ: серия «Физико-химическая». - 2002. - Ставрополь: СевКавГТУ - С.3-4.

307. В Сычев, М.М. Оптимизация электрооптических свойств люминофоров для электролюминесцентных панелей / М.М. Сычев [и др.] // Оптический журнал. - 2003. - Т.70, № 7. - С.74 - 77.

308. Sychov, М.М. Surface properties of ZnS and AC powder electroluminescent phosphors / M.M. Sychov [et al.] // Journal of the SID. -2003.-V. 11, №. 1. - P. 33-38.

309. Sychov, M.M. Study of active surface centers in electroluminescent ZnS:Cu,Cl / M.M. Sychov [et al.] // Applied Surface Science. - 2005. - №244. -P.461 -464.

310. Sychov, M.M. Enhancement of the Electroluminescent Phosphor Brightness and Stability / M.M. Sychov // Advances in Photonic Materials and Devices / Ed. S. Bhandarkar. - Ohio., 2005. - P.49-60.

311. Сычев, М.М. Модель активных кислотно-основных центров на поверхности цинк-сульфидных электролюминофоров / В.В. Бахметьев, М.М. Сычев, В.Г. Корсаков // Журнал прикладной химии. - 2010 - Т.83, Вып.11.-С.1170-1177.

312. Сычев, М.М. Влияние активатора и соактиватора на электрооптические свойства ZnS:Cu,Hal люминофоров / Е.В.Комаров, В.В.Бахметьев, В.А. Люторович, М.М.Сычев // Известия СПбГТИ(ТУ). -2011.-№10.- С.81 - 84.

313. Сычев, М.М. Синтез и свойства нанодисперсных полупроводников А2В6 и нанолюминофоров. Обзор / В.Г. Корсаков, М.М. Сычев, В. В. Бахметьев // Конденсированные среды и межфазные границы. - 2012. - Т. 14, № 1.-С. 41 -52.

314. Сычев, М.М. Исследование поверхностных и люминесцентных свойств нанолюминофоров ZnS:Mn2+ / В.В. Бахметьев, С.В. Мякин, В.Г. Корсаков, A.M. Абызов, М.М. Сычев // Физика и химия стекла. - 2011. - Т. 37, №5.-С. 734-743.

315. Сульфид цинка / Морозова Н.К., Кузнецов В.А.: под ред. Фока М.В.-1987.- М.: Наука.-200с.

316. Свистунов, И.В. Параметры электродиффузионных процессов при формировании гетероперехода в ЭЛПП на основе ZnS / И.В. Свистунов, А.В. Штаб, Э.В. Штаб, А.С. Ростовцева // Вестник СевКавГТУ. Серия «Физико-химическая», №1 (8). - 2004. - С. 67-73.

317. Patent 20070080327 US. Tadashi U., Seikoh Y., Kanamori J., Yoshisada, H. Luminescent material. - 2007.

318. Patent W02007043676 European Union. - Tadashi U., Seikoh Y., Kanamori J., Yoshisada, H.. A luminous body. - 2007.

319. Kennedy, G.B. Processing ZnS based electroluminescent precursor powder mixtures with TNT / Kennedy G.B., Itoh S. // Proc. of IX International Symposium on Explosive Production of New Materials: Science, Technology, Business, and Innovations (EPNM-2008). - 2008. - Lisse, Netherlands. - P.2008.

320. Sychov, M.M. Effect of Electron-Beam Treatment of Zinc Sulfide on Electroluminescent Phosphor Properties. / M.M. Sychov [et al.] // Journal of the SID. - 2003. - V. 13, №. 4. - P.269 -272.

321. Электронно-лучевое модифицирование функциональных материалов / М.М. Сычев [и др.]; под.ред. С.В. Мякин, М.М. Сычев, И.В. Васильева. -СПб.: Изд-во ПГУПС, 2006. - 104с.

322. Сычев, М.М. Физическая химия твердого тела / В.Г.Корсаков, М.М. Сычев, C.B. Мякин. - СПб.: Изд-во ПГУПС, 2008, - 176с.

323. Electron beam modification of solids: mechanisms, common features and promising applications / M.M. Sychov [et al.]. Ed. S.V. Mjakin, M.M. Sychov, I.V. Vasiljeva. - NY: Nova Science Publishers, 2009. - 120p.

324. Пат. 2390534 Российская Федерация, МПК С09К 11/54, С09К 11/56. Способ получения цинксульфидного электролюминофора / Сычев М.М., Комаров Е.В., Огурцов К.А. и др.; заявитель и патентообладатель ФБГОУ ВПО «Санкт-Петербургский государственный технологический институт (технический университет)». - №2007145891/15; заявл. 10.12.2007; опубл. 27.05.2010, Бюл. № 26. - 6 с.

325. Сычев, М.М. Влияние концентрации меди и обработки ZnS на характеристики синтезированных электролюминофоров ZnS:Cu,Cl / M. M. Сычев [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, Вып. 5.-С. 714-718.

326. Сычев, М.М. Влияние ударно-волновой обработки на свойства ZnS и люминофоров на его основе / M. М. Сычев [и др.] // Неорганические материалы. - 2012. - Т. 48, № 9. - С. 1002 - 1006.

327. Сычев, М.М. Влияние ударно-волновой обработки сульфида цинка на свойства электролюминофора ZnS:Cu,Mn / M. M. Сычев [и др.] // Журнал прикладной химии. - 2012. - Т.85, № 6, С.849 - 855.

328. Сычев, М.М. Формирование нанослоев Cu2S на поверхности ZnS:Cu,Mn электролюминофоров / C.B. Мякин, A.JI. Заграничек, A.A. Романов, В.А. Люторович, М.М. Сычев // Известия СПбГТИ(ТУ). -2011.-№10.- С.89 - 90.

329. Пат. 2429271 Российская Федерация, МПК С09К 11/54, С09К 11/56. Способ получения порошкового цинксульфидного электролюминофора / Сычев М.М., Комаров Е.В., Огурцов К.А. и др.; заявитель и патентообладатель ГОУ ВПО «Санкт-Петербургский государственный технологический институт (технический университет)». - № 2010112088/05; заявл. 29.03.2010; опубл. 20.09.2011, Бюл. № 26. - 6 с.

330. Пат. 2425085 Российская Федерация, МПК С09К 11/54, С09К 11/56. Способ получения порошкового цинксульфидного электролюминофора / Сычев М.М., Огурцов К.А., Ерузин A.A. и др.; заявитель и патентообладатель ГОУ ВПО «Санкт-Петербургский государственный

технологический институт (технический университет)». - № 2009143191/05; заявл. 23.11.2009; опубл. 27.07.2011, Бюл. №21.-5 с.

331. Сычев, М.М. Гамма- и электронно-лучевое модифицирование цинкосульфидных люминофоров / Сычев М.М. [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2006. - Т.40, Вып. 9. - С. 1042 - 1046.

332. Сычев, М.М. Модифицирование электролюминофора в плазме / М.М. Сычев [и др.] // Физика и химия обработки материалов. - 2007. - №4. - С.37 -40.

333. Сычев, М.М. Влияние ударно-волновой обработки сульфида цинка на свойства электролюминофора ZnS:Си,Мл / М. М. Сычев [и др.] // Журнал прикладной химии. - 2012. - Т.85, № 6, С.849 - 855.

334. Сычев, М.М. Повышение яркости электролюминофоров плазмохимическим модифицированием сырья / К.А. Огурцов, М.М. Сычев, А.А. Ерузин, В.В. Бахметьев, И.Б. Гавриленко, Е.А. Соснов // Неорганические материалы. - 2010. - Т. 46, № 11. - С. 1290 - 1295.

335. Lou, L. luminescence / L. Lou, W. Zhang, A. Brioude, C. L. Luyer, and J. Mugnie // Opt. Mater. - 2001. - #2. - P. 18

336. Bae, J. S. Luminescence / J. S. Bae, K. S. Shim, S. B. Kim, J. H. Jeong, S. S. Yi, and J. C. Park: J. Cryst. // J. Cryst. Growth. - 2004.- #264. - P.290.

337. Cho, S. Crystallinity of inorganic films grown by atomic layer deposition: Overview / S. Cho, J. Yoo, and J. Lee // J. Electrochem. Soc. -1998. - #145. -P.1014.

338. Ozawa, L. Cathodoluminescence. - 1998. - Kodansha, Tokyo. - 201p.

339. Sychov, M.M. Properties and Cathodoluminescence of Y202S:Eu Thin Films / M.M. Sychov [et al.] // Journal of the SID. - 2003. - V. 11, № 3. -P.499-503.

340. Silver, J. A New Advanced Technology for Flat-Panel Displays / J.Silver, N.Wilstead, D.M.Nicholas, A.Vecht // Proc. 1st Int. Conf. Science and Technology of Emissive Displays and Lighting. - 2001, p. 244.

341. Cho, K. G. / K. G. Cho, R. K. Singh and D. Kumar// Proc. Mater. Res. Soc. Symp. - 2000. - P.Q2.10.1. 621.

342. Kottaisami, M. Zn effect on CI of Y203:Eu powder / M.Kottaisami et. Al. // Proc. of Electronics Display Conference. - 2000. - Nagasaki. - P.45.

343. Ohmi, K. Electroluminescent devices with (Y202S:Tb/ZnS)n Multilayered Phosphor thin film / K. Ohmi, S. Tanaka, H. Kobayashi and T. Nire // J. Appl. Phys. - 1992. — V. 31. -P.L1366-1369.

344. Kukli, К. Controlled growth of yttrium oxysulfide thin films by atomic layer deposition / K. Kukli, M. Peussa, L.-S. Johansson, E. Nykanen and L. Niinisto // Mat. Sc. Forum. - 1999. - V.31, #314. - P.216.

345. Arai, Y. Thin film phosphor / Y. Arai, H. Kominami, Y.Nakanishi, Y.Hatanaka // Appl. Surf. Sci. - 2005. - 244. - P.473

346. Сычев, M.M. Влияние толщины на свойства тонкопленочного оксид-иттриевого люминофора для эмисионно-полевых дисплеев высокого разрешения / М.М. Сычев // Петербургский журнал электроники. - 2003. -№3. - С.40-45.

347. Сычев, М.М. Улучшение катодолюминесцентных свойств тонких пленок Y203:Eu легированием цинком и лазерным отжигом / М.М.Сычев; Y. Nakanishi, Н. Kominami, Y. Hatanaka // Оптический журнал. - 2005. -Т.72, Вып. 9.-С.37-40.

348. Sychov, М. Effect of the Thickness on Morphology and Low-Voltage Cathodoluminescence of Y203:Eu,Zn Thin Films / M. Sychov, Y. Nakanishi, H. Nakajima, H. Kominami, Y. Hatanaka // J. J. Appl. Phys. - 2006, V.45, № (1A). -P.141 - 145.

349. Sychov, M. Optimization of Low-Voltage Cathodoluminescence of Electron-Beam-Evaporated Y203:Eu Thin Film Phosphor / M. Sychov, Y. Nakanishi, H. Kominami, Y. Hatanaka, and К. Hara. // Jap. J. of Appl. Phys. -2008. - V.47, № 9. - P.7206 - 7210.

350. Сычев, M.M. Тонкопленочный люминофор ультрафиолетового свечения / М.М. Сычев, Е. Наканиши, X. Коминами // Новые исследования в материаловедении и экологии: сб. ст., вып.7. - СПб., 2007, С. 19 - 22.

351. Sychov, М.М. Effect of annealing atmosphere and electron beam pre-irradiation on the properties of SrGa2S4:Eu phosphor films / M.M. Sychov [et. al.] // Optical Materials. - 2013, №35. -P.l 109 - 1111.

352. Сычев, M.M. Источники света на основе цинк-сульфидного электролюминофора и цианового эфира ПВС / С.А. Алексеев, В.Г. Корсаков, А.Г. Родионов, JT.JI. Еженкова, О.В. Лихачева, М.М. Сычев // Петербургский журнал электроники. - 2005. - №3. - С.55 - 61

353. Сычев, М.М. Электрооптическая модель электролюминесцентного источника света / М.М. Сычев, Н.В. Екимова, Б.Л. Антонов, О.А. Изумрудов, В.Г. Корсаков, Н.А. Степанова // Современные инженерно-химические основы материаловедения: сб.ст. - СПб., 1999. - С.114-117.

354. Сычев, М.М. Электрофизические свойства полимерных композиций на основе бутадиен-нитрильного каучука и акрилово-амидной смолы с полупроводниковым наполнителем / Сычев, М.М. Лейко В.В., Степанова Н.А., Корсаков В.Г., Куприянов В.Д., Бентахар Т. // Журнал прикладной химии. - 1998. -Т.71, Вып.З. - С.488-491.

355. Сычев, М.М. Прозрачные проводящие покрытия на основе оксида цинка/ К.А.Огурцов, В.В.Бахметьев, А.А.Ерузин, И.Б.Гавриленко, Е.А.Соснов, М.М.Сычев // Физика и химия обработки материалов. - 2012. -№ 6, С. 54 -57.

356. Пат. 2419887 Российская Федерация, МПК G09F11/00. Система для идентификации объекта экспозиции / Н.Н. Бочкарева, А.А. Дорофеев, А.Г. Родионов, М.М. Сычев; заявитель и патентообладатель Общество с ограниченной ответственностью "ЭЛИСАР" (ООО "ЭЛИСАР"). -№2009114333/12; заявл. 16.04.2009; опубл. 10.11.2010, Бюл. №28.-7 с.

357. Пат. 2126372 Российская Федерация, МПК С04В41/70, В28В19/00. Способ изготовления бетонных изделий / Шангина Н.Н., Сычев М.М., Комохов П.Г. и др.; заявители Шангина Н.Н., Сычев М.М., Комохов П.Г. и др.; патентообладатели Шангина Н.Н., Сычев М.М., Комохов П.Г. и др. -№97110020/03; заявл. 17.06.1997; опубл. 20.02.1999, Бюл. № 5. - 4 с.

358. Sychov, М.М. Color Modeling of Phosphor Mixtures / M.M. Sychov et. // Proc. of the 10th Int. Workshop on Inorganic and Organic Electroluminescence. -Hamamatsu, Japan. - 2000. - P. 65-68.

359. Sychov, M.M. Nonlinear properties of aluminum-doped zinc sulfide under IR excitation / M.M. Sychov [et al.] // Journal of the SID. - 2006. - V.14, № 7. -P.653 - 655.

360. Sychov, M.M. Conversion of radioactive decay energy to electricity /A.G. Kavetsky, S.P. Meleshkov, M.M. Sychov // Polymers, Phosphors and Voltaics for Radioisotope Microbatteries/ M.M. Sychov [et.al.]. - CRC Press, 2002. Chap.l. -P. 1-38.

361. Patent 8,134,275 US. High efficiency 4-pi negatron beta- particle emission source fabrication and its use as an electrode in a self-charged high-voltage capacitor/ Kavetsky A., Yakubova G., Yousaf Sh., Walter G., Chan D., Sychov M., Bower K. - #12/275,974; Appl. 21.11.2008.

362. Sychov, M.M. Alpha indirect conversion radioisotope power source / M.M. Sychov [et al.] // Appl. Radiat. Isotopes. - 2008. - №66. - P. 173 - 177.

275