Научные основы синтеза виртуальной реальности для объектов проектирования радиационно-стойкой электронной компонентной базы специального назначения тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.13.12, кандидат наук Лавлинский, Валерий Викторович

• Лавлинский, Валерий Викторович
• кандидат наук
• 2015

Оглавление диссертации кандидат наук Лавлинский, Валерий Викторович

СОДЕРЖАНИЕ

ВВЕДЕНИЕ

1. АНАЛИЗ МЕТОДОВ ОЦЕНКИ РАДИАЦИОННОЙ СТОЙКОСТИ ЭЛЕКТРОННОЙ КОМПОНЕНТНОЙ БАЗЫ СПЕЦИАЛЬНОГО НАЗНАЧЕНИЯ В СОВРЕМЕННЫХ САПР

1.1. Анализ задач оценки радиационной стойкости электронной компонентной базы специального назначения на современном этапе развития технологий

1.2. Основные проблемы методологии процессов проектирования ЭКБ специального назначения для оценки радиационной стойкости с использованием методов синтеза виртуальной реальности

1.3. Основные проблемы формирования воздействий тяжёлых ядерных частиц с использованием методов синтеза виртуальной реальности

1.4. Основные проблемы синтеза виртуальной реальности при формировании отдельных элементов электронной компонентной базы специального назначения для разработки САПР с учетом возможности прогноза оценки их радиационной стойкости

1.5. Основные проблемы синтеза виртуальной реальности при формировании совокупности элементов электронной компонентной базы специального назначения для разработки САПР с учетом возможности прогноза оценки их радиационной стойкости

1.6. Выводы

2. РАЗРАБОТКА МОДЕЛЕЙ, АЛГОРИТМОВ И МЕТОДОВ СИНТЕЗА И АНАЛИЗА ЭКБ СПЕЦИАЛЬНОГО НАЗНАЧЕНИЯ ДЛЯ ОЦЕНКИ РАДИАЦИОННОЙ СТОЙКОСТИ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ МЕТОДОВ СИНТЕЗА ВИРТУАЛЬНОЙ РЕАЛЬНОСТИ

2.1. Разработка моделей синтеза и анализа ЭКБ специального назначения для оценки радиационной стойкости с использованием методов синтеза виртуальной реальности

2.2. Разработка алгоритмов синтеза и анализа ЭКБ специального назначения для оценки радиационной стойкости с использованием методов синтеза виртуальной реальности

2.3. Разработка методов синтеза и анализа ЭКБ специального назначения для оценки радиационной стойкости с использованием методов синтеза виртуальной реальности

2.4. Выводы

3. РАЗРАБОТКА МОДЕЛЕЙ, АЛГОРИТМОВ И МЕТОДОВ ДЛЯ СИНТЕЗА И АНАЛИЗА ФОРМИРОВАНИЯ ВОЗДЕЙСТВИЙ ТЯЖЁЛЫХ ЯДЕРНЫХ ЧАСТИЦ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ МЕТОДОВ СИНТЕЗА ВИРТУАЛЬНОЙ РЕАЛЬНОСТИ

3.1. Разработка моделей синтеза и анализа формирования воздействий тяжёлых ядерных частиц с использованием методов синтеза виртуальной реальности

3.2. Разработка алгоритмов синтеза и анализа формирования воздействий тяжёлых ядерных частиц с использованием методов синтеза виртуальной реальности

3.3. Разработка методов синтеза и анализа формирования воздействий тяжёлых ядерных частиц с использованием методов синтеза виртуальной реальности

3.4. Выводы

4. РАЗРАБОТКА МОДЕЛЕЙ, АЛГОРИТМОВ И МЕТОДОВ СИНТЕЗА ВИРТУАЛЬНОЙ РЕАЛЬНОСТИ ПРИ ФОРМИРОВАНИИ ОТДЕЛЬНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ ЭЛЕКТРОННОЙ КОМПОНЕНТНОЙ БАЗЫ СПЕЦИАЛЬНОГО НАЗНАЧЕНИЯ ДЛЯ РАЗРАБОТКИ САПР С УЧЕТОМ ВОЗМОЖНОСТИ ПРОГНОЗА ОЦЕНКИ ИХ РАДИАЦИОННОЙ СТОЙКОСТИ

4.1. Разработка моделей синтеза виртуальной реальности при формировании отдельных элементов электронной компонентной

з

базы специального назначения для разработки САПР с учетом возможности прогноза оценки их радиационной стойкости

4.2. Разработка алгоритмов синтеза виртуальной реальности при формировании отдельных элементов электронной компонентной базы специального назначения для разработки САПР с учетом возможности прогноза оценки их радиационной стойкости

4.3. Разработка методов синтеза виртуальной реальности при формировании отдельных элементов электронной компонентной базы специального назначения для разработки САПР с учетом возможности прогноза оценки их радиационной стойкости

4.4. Выводы

5. РАЗРАБОТКА МОДЕЛЕЙ, АЛГОРИТМОВ И МЕТОДОВ СИНТЕЗА ВИРТУАЛЬНОЙ РЕАЛЬНОСТИ ПРИ ФОРМИРОВАНИИ СОВОКУПНОСТИ ЭЛЕМЕНТОВ ЭЛЕКТРОННОЙ КОМПОНЕНТНОЙ БАЗЫ СПЕЦИАЛЬНОГО НАЗНАЧЕНИЯ ДЛЯ РАЗРАБОТКИ САПР С УЧЕТОМ ВОЗМОЖНОСТИ ПРОГНОЗА ОЦЕНКИ ИХ РАДИАЦИОННОЙ СТОЙКОСТИ

5.1. Разработка моделей синтеза виртуальной реальности при формировании совокупности элементов электронной компонентной базы специального назначения для разработки САПР с учетом возможности прогноза оценки их радиационной стойкости

5.2. Разработка алгоритмов синтеза виртуальной реальности при формировании совокупности элементов электронной компонентной базы специального назначения для разработки САПР с учетом возможности прогноза оценки их радиационной стойкости

5.3. Разработка методов синтеза виртуальной реальности при формировании совокупности элементов электронной компонентной базы специального назначения для разработки САПР с учетом возможности прогноза оценки их радиационной стойкости

5.4. Выводы

4

6. АНАЛИЗ ЭФФЕКТИВНОСТИ ФУНКЦИОНИРОВАНИЯ ПРОЕКТНЫХ РЕШЕНИЙ ЭКБ СПЕЦИАЛЬНОГО НАЗНАЧЕНИЯ ДЛЯ ОЦЕНКИ РАДИАЦИОННОЙ СТОЙКОСТИ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ СИНТЕЗА ВИРТУАЛЬНОЙ РЕАЛЬНОСТИ

6.1. Результаты оценки радиационной стойкости ЭКБ СН с использованием синтеза виртуальной реальности

6.2. Обобщённая методология проектирования радиационно-стойкой электронной компонентной базы специального назначения с использованием научных основ формирования объектов и методов синтеза виртуальной реальности

6.3. Выводы

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

СПИСОК ИСПОЛЬЗУЕМОЙ ЛИТЕРАТУРЫ

ПРИЛОЖЕНИЕ

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Научные основы синтеза виртуальной реальности для объектов проектирования радиационно-стойкой электронной компонентной базы специального назначения»

ВВЕДЕНИЕ

В настоящее время при проектировании изделий микроэлектроники базируются на основных положениях «Базовой технологии прогнозирования, оценки и контроля радиационной стойкости изделий микроэлектроники» [1], кроме того в приложениях 1-7 Федеральной целевой программы (ФЦП) «Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники» на 20082015 г.г. [2] одним из основных направлений до 2009 года являлась разработка базовой технологии радиационно-стойких сверхбольших интегральных схем уровня 0,5 мкм [3, п.26], 0,35 мкм [3, п.27] на структурах «кремний на сапфире» диаметром 150 мм, что обеспечивало бы потребности в создании технологии изготовления микросхем на структурах «кремний на сапфире» диаметром 150 мм (2009 год), разработки правил проектирования базовых библиотек и блоков цифровых и аналоговых сверхбольших интегральных схем расширенной номенклатуры для организации производства радиационно-стойкой элементной базы, обеспечивающей выпуск специальной аппаратуры и систем, работающих в экстремальных условиях (атомная энергетика, космос, военная техника) согласно направлению 2 (Радиационно-стойкая электронная компонентная база) приложения №2 [3]. В этом же приложении [3, п.28] по планам до 2009 года разрабатывались технологии проектирования и конструктивно технологических решений библиотеки логических и аналоговых элементов, оперативных запоминающих устройств, постоянных запоминающих устройств, сложнофункциональных радиационно-стойких блоков контроллеров по технологии «кремний на изоляторе» с проектными нормами до 0,25 мкм, что позволило создать технологический базис (технологию проектирования, базовые технологии), радиационно-стойких сверхбольших интегральных схем на структурах «кремний на изоляторе» с проектной нормой до 0,25 мкм. Там же [3, п.ЗЗ] формулировались задачи по разработке

технологии структур с ультратонким слоем кремния на сапфире, результатом

б

которого в 2013 году должно быть создание технологии проектирования и изготовления микросхем и сложнофункциональных блоков на основе ультратонких слоев на структуре «кремний на сапфире», позволяющей разрабатывать радиационно-стойкие сверхбольшие интегральные схемы с высоким уровнем радиационной стойкости.

В настоящее время до 2015 года согласно Приложению №2 ФЦП «Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники» на 20082015 г.г. [3, п.31] стоят задачи по разработке технологии проектирования и конструктивно - технологических решений библиотеки логических и аналоговых элементов, оперативных запоминающих устройств, постоянных запоминающих устройств, сложнофункциональных радиационно-стойких блоков контроллеров по технологии «кремний на изоляторе» с проектными нормами до 0,18 мкм, что позволит создать технологический базис (технологию проектирования, базовые технологии), дающий возможность разрабатывать радиационно-стойкие сверхбольшие интегральные схемы на структурах «кремний на изоляторе» с проектной нормой до 0,18 мкм, а также [3, п.32] задача разработки технологии «кремний на сапфире» изготовления ряла лицензионно-независимых радиационно-стойких комплементарных полевых полупроводниковых сверхбольших интегральных схем цифровых процессоров обработки сигналов, микроконтроллеров и схем интерфейса, что позволит разработать расширенный ряд цифровых процессоров, микроконтроллеров, оперативных запоминающих программируемых и перепрограммируемых устройств, аналогово-цифровых преобразователей в радиационно-стойком исполнении для создания специальной аппаратуры нового поколения. Ещё одной задачей согласно Приложению №2 ФЦП «Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники» на 20082015 г.г. [3, п.37] является разработка библиотек стандартных элементов и сложнофункциональных блоков для создания радиационно-стойких сверхбольших интегральных схем, что позволит создать технологии

проектирования и изготовления микросхем и сложнофункциональных блоков

7

на основе ультратонких слоев на структуре «кремний на сапфире», дающие возможность разрабатывать радиационно-стойкие сверхбольшие интегральные схемы с высоким уровнем радиационной стойкости. Ещё одной немаловажной задачей согласно [3, п.40] является необходимость разработки и совершенствования базовых технологий и конструкций радиационно-стойких сверхбольших интегральных схем на структурах «кремний на сапфире» и «кремний на изоляторе» с топологическими нормами не менее 0,18 мкм, что позволит создавать технологический базис (технологию проектирования, базовые технологии), дающий возможность разрабатывать радиационно-стойкие сверхбольшие интегральные схемы на структурах «кремний на сапфире» с проектной нормой не менее 0,18 мкм с целью создания технологического базиса (технологии проектирования, базовых технологий), дающего возможность разрабатывать радиационно-стойкие сверхбольшие интегральные схемы на структурах «кремний на изоляторе» с проектной нормой не менее 0,18 мкм (2015 год).

Кроме того, ещё одним направлением исследований согласно направлению №5 (Электронные материалы и структуры) Приложения №2 [3, п.95] является исследование и разработка перспективных гетероструктурных и наноструктурированных материалов с экстремальными характеристиками для перспективных электронных приборов и радиоэлектронной аппаратуры специального назначения, что позволит создавать базовые технологии производства гетероструктур, структур и псевдоморфных структур на подложках 1пР для перспективных полупроводниковых приборов и сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем диапазона 60 - 90 ГГц (2012 год), создание технологии получения алмазных полупроводниковых наноструктур и наноразмерных органических покрытий (2013 год), алмазных полупроводящих пленок для конкурентоспособных высокотемпературных и радиационно-стойких устройств и приборов двойного назначения, создание технологии изготовления гетероструктур и эпитаксиальных структур на основе нитридов (2015 год).

Таким образом, на современном этапе развития технологам, связанных с микроэлектроникой, происходит резкое уменьшение проектных норм для разработки электрорадиоизделий (ЭРИ), возрастает степень интеграции элементов на кристалле, внедряются нанотехнологии и расширяются области их применения. В таких условиях, как правило, появляются новые свойства для отдельных элементов микроэлектроники, связанных с внешними и внутренними воздействиями на них. В связи с изменениями соотношений геометрических размеров отдельных элементов электронной компонентной базы и размерами частиц, воздействующих в условиях космического пространства, возрастает влияние радиационных эффектов от воздействия тяжёлыми ядерными частицами (ТЯЧ). К внешним воздействиям относятся воздействия тяжёлых ядерных частиц, которые обладают различными характеристиками отдельных видов излучений: корпускулярных, альфа, бета, нейтронных, электромагнитных, рентгеновских, гамма, что в свою очередь приводит к различной степени воздействиям и деструкциям проектируемых устройств. Такого рода внешние воздействия могут определять одиночные события в виде отказов ячеек памяти, восстанавливаемого (временного) функционального отказа, возникновения тиристорного эффекта, а также проявления необратимого отказа. Ввиду этого необходимо развивать и использовать системы автоматизированного проектирования и методы проектирования, учитывающие особенности современных нанотехнологии, а также базирующиеся на использовании современных информационных технологий. Это, в свою очередь, требует разработки методов и алгоритмов для научных основ проектирования радиационно-стойкой (РС) электронной компонентной базы (ЭКБ) специального назначения (СН) с использованием современных систем автоматизированного проектирования (САПР).

Кроме того, спректированные с помощью методов и алгоритмов

оценки радиационно-стойкие компоненты электронной базы подвергаются

проверке на стойкость к реальным внешним воздействиям в виде тяжёлых

ядерных частиц. Это приводит к значительному росту затрат при их

9

проектировании, что принципиально отличает от проектирования без учёта факторов воздействий тяжёлых ядерных частиц. Ввиду этого одним из способов повышения эффективности проектирования радиационно-стойких изделий (и снижения как времени, так и финансовых затрат) для достижения заданных техническим заданием параметров, является синтез виртуальной реальности (СВР) для проектируемой радиационно-стойкой электронной компонентной базы специального назначения. Однако такой подход определяет необходимость решения проблемы формирования научных основ синтеза виртуальной реальности воздействий тяжёлых ядерных частиц на проектируемые радиационно-стойкие изделия электронной компонентной базы специального назначения.

Для решения этой проблемы необходимо разработать методы моделирования проектируемых объектов электронной компонентной базы на основе сшггеза виртуальной реальности, методы (в виде моделей и алгоритмов) учёта отдельных видов воздействий тяжёлых ядерных частиц с применением структуры и размеров материалов проектируемой в САПР электронной компонентной базы специального назначения и методы представления виртуальной реальности для проведения модельных экспериментов с использованием современных информационных технологий ЗЭ моделирования.

В исследованиях А. Ставцева и А. Сурма осуществлялась идентификация основных причин отказов для силовых полупроводниковых приборов в процессе эксплуатации, где рассматривались электрические и тепловые режимы эксплуатации, выходящие за пределы области безопасной работы полупроводниковых приборов, определенной производителем, нештатные и аварийные режимы работы оборудования, учёт возможности выработанного ресурса. Однако в их работах не рассматриваются нештатные и аварийные режимы работ применительно к воздействиям тяжёлых ядерных частиц в условиях дальнего космического пространства.

Такого рода исследования проводились Л. Л. Акатовым, А. Н. Авериным, В. Г. Малининым, В. В. Маркеловым, Г. В. Милошевским, Г. К. Платоновым. Их исследования посвящены тиристорным эффектам в больших интегральных схемах (БИС) под воздействием одиночных частиц с высокой энергией, где ими было выполнено моделирование воздействия высокоэнергетичного ионизирующего излучения космического пространства (КП) на БИС по тиристорному эффекту (ТЭ) с применением излучения изотопа Cf и импульсного лазерного излучения. Эксперименты проводились с помощью разработанного физико-математического программного комплекса «MONSOL» для трехмерного моделирования взаимодействия проникающих излучений со сложными слоистыми структурами, а результаты сводились к линейной потере энергии падающих частиц на поверхности кристалла и на любой заданной глубине, то есть ими проводились натурные эксперименты с дальнейшим сбором и обработкой статистически полученных в ходе эксперимента данных. Такой подход обладает достаточно высокой точностью получения результатов эксперимента и их обработке, однако довольно много времени уходит на подготовку к проведению эксперимента. Тем не менее, такое решение задачи не позволяет разрабатывать и модифицировать модели синтеза виртуальной реальности для внедрения их в САПР при проектировании радиационно-стойкой электронной компонентной базы специального назначения.

Подробный сравнительный анализ результатов исследований электронной компонентной базы при испытании на стойкость по одиночным событиям на лазерных имитаторах и ускорителях ионов был выполнен Васильевым А.Л., Печенкиным A.A., Чумаковым А.И., Савченковым Д.В., Тарараксиным A.C., Яненко A.B. Эти авторы совместно с P.P. Нигматуллиным и С.А. Соловьевым предложили методики исследования и предотвращения возникновения одиночного тиристорного эффекта, тем не менее, возможность применения синтеза виртуальной реальности в данных методиках ими не рассматривалась.

Вопросами управления разработкой и производством микросхем нового поколения двойного назначения занимался Фортинский Ю.К., однако в данных исследованиях не рассматривалась возможность использования подходов, реализованных на СВР в САПР для проектирования радиационно-стойкой электронной компонентной базы специального назначения.

П.Н. Осипенко осуществлял анализ отечественных и зарубежных микропроцессоров для оценки стойкости их к воздействию радиационных факторов космического пространства, где указывал на необходимость перехода к исследованиям на уровень 0,15 мкм для микросхем, используемых в космическом пространстве, и 0,032 мкм для микросхем, используемых в коммерческих целях. Его работы подтверждают необходимость теоретических исследований поведения СБИС, использующих такого рода технологии проектирования.

Исследованиями моделирования МОП - транзисторов занимался В.В. Денисенко, который одним из основных видов моделирования предлагает полунатурное. Однако возможность использования подходов, ориентированных на технологии моделирования синтеза виртуальной реальности им не рассматривалась.

Применением тестовых структур для контроля технологического процесса БИС занимались С.С. Булгаков, Д.Б. Десятов, С.А. Еремин, В.В. Сысоев. Тем не менее основные исследования были направлены на тестирование технологического процесса СБИС, а не на синтез виртуальной реальности для тестирования микросхем в радиационной среде.

В.В.Ракитиным описаны физико-технологические и конструктивно-топологические особенности КМОП — изделий, однако без учёта внешних воздействий на них и без учёта дополнительных параметров устройств для уровня 0,15 мкм.

В работах К.И. Таперо, В.Н Улимова, В.В. Емельянова (ФГУП

«НИИП») исследовались модели интегральных ионизационных эффектов в

12

КМОГТ - изделиях, однако возможность применения этих моделей для

синтеза виртуальной реальности этих процессов не рассматривалась. «

Вопросами повышения достоверности и точности оценки радиационной стойкости для радиоэлектронной аппаратуры на этапах проектирования и с использованием расчетных методов занимались С. Полесский, В. Жаднов, М. Артюхова, В. Прохоров. Тем не менее, исследования в области возможности использования предлагаемых расчётных методов при синтезе виртуальной реальности ими не проводились.

Исследования для разработки средств автоматизации проектирования применительно к радиационно - стойкой микроэлементной базе проводились В.Н. Ачкасовым, В.П. Крюковым, И.П. Потаповым, М.В. Конаревым, В.А. Смерек (ФГУП «НИИЭТ»). Однако возможность адаптации процессов, описываемых математическими моделями и физическими экспериментами, ими не предлагались.

С учётом возможностей современных информационных ЗО технологий и анализа существующих методов, алгоритмов и моделей проектировать на основе физических процессов, происходящих при воздействиях тяжёлых ядерных частиц, появляется возможность решения проблемы по формированию научных основ для синтеза виртуальной реальности проектируемой радиационно-стойкой электронной компонентной базы специального назначения.

При этом также возникает необходимость формирования методов и алгоритмов разработки компонентов САПР, позволяющих синтезировать различные среды проектирования в виде интегральных ионизационных эффектов для ЭРИ, и их оценки в виде статистических зависимостей, аналогичных проводимым натурным испытаниям.

К особенностям предлагаемой методологии автоматизированного проектирования, определяющей проблему формирования методов и алгоритмов для научных основ проектирования РС ЭКБ СН относятся:

1. Использование современных САПР Cadence, Synopsys (США, Маунтин Выо, Калифорния), SIMetrix , Electronics Workbench, CST Studio Suit:

- отсутствие возможности учёта проектирования PC компонентов современной электронной базы специального назначения в открытом пользовании;

- отсутствие возможности адаптации в процессе проектирования к изменению параметров проектируемых СБИС нового поколения с учётом радиационной стойкости (для 100 нм и менее);

- отсутствие возможности учитывать прогноз воздействия тяжёлых ядерных частиц на электрические и структурные параметры связей для электронной компонентной базы специального назначения на этапе проектирования.

2. Уменьшение размеров проектируемых СБИС нового поколения и их межкомпонентных связей, что приводит к возрастанию влияния ТЯЧ на электронную компонентную базу полупроводниковых элементов (в отличие от ламповых элементов).

3. Возрастание количества новых материалов, используемых при проектировании и создании новых СБИС, что приводит к изменению структурных особенностей кристаллических решёток.

4. Развитие современных компьютерных технологий 3D моделирования с использованием языков 3D MAX, UNITY3D, VRML, С++.

5. Возрастание стоимости и значимости последнего этапа проектирования электронной компонентной базы СИ в виде натурного эксперимента по воздействию на неё ТЯЧ (то есть оценка эффективности радиационной стойкости проектируемой электронной компонентной базы СИ при современной методологии проектирования осуществляется на заключительном этапе).

Таким образом, актуальность решения данной проблемы определяется

необходимостью устранять имеющиеся недостатки современных САПР и

14

совершенствовать методологию для повышения эффективности оценки РС ЭКБ СН на ранних этапах проектирования за счёт методов синтеза виртуальной реальности.

Таким образом, актуальность и своевременность темы исследований определяется необходимостью интегрированного объединения методов оценки радиационной стойкости и методов синтеза виртуальной реальности проектируемой электронной компонентной базы от воздействий тяжёлыми ядерными частицами.

Настоящее диссертационное исследование посвящено решению именно этих вопросов и выполнено в Федеральном государственном бюджетном образовательном учреждении высшего профессионального образования «Воронежская государственная лесотехническая академия» в рамках госбюджетной НИР по теме «Разработка средств проектирования микросхем в части моделирования радиационного воздействия и разработка первого варианта радиационно-стойких библиотек элементов» в соответствии с договором №19/13/66-64/2013 и участием в проведении испытаний на специальных воздействующих факторах для аналогового ключа с полосой частот 1 ..2 ГГц.

Целью диссертационного исследования является повышение эффективности функционирования систем автоматизированного проектирования на основе совершенствования методологии проектирования радиационно-стойкой ЭКБ СН уже на ранних этапах проектирования за счёт применения методов синтеза виртуальной реальности в виде воздействий тяжёлых ядерных частиц на отдельные составные материалы субмикронных интегральных схем.

Достижение цели предполагает решение следующих научных задач: 1. проанализировать методы синтеза виртуальной реальности в САПР сквозного проектирования радиационно-стойкой электронной компонентной базы специального назначения и методы оценки их радиационной стойкости;

2. разработать модели, алгоритмы и методы синтеза и анализа ЭКБ специального назначения для оценки радиационной стойкости с использованием методов синтеза виртуальной реальности;

3. разработать модели, алгоритмы и методы для синтеза и анализа формирования воздействий тяжёлых ядерных частиц с использованием методов синтеза виртуальной реальности;

4. разработать модели, алгоритмы и методы синтеза виртуальной реальности при формировании отдельных элементов электронной компонентной базы специального назначения для разработки САПР с учетом возможности прогноза оценки их радиационной стойкости;

5. разработать модели, алгоритмы и методы синтеза виртуальной реальности при формировании совокупности элементов электронной компонентной базы специального назначения для разработки САПР с учетом возможности прогноза оценки их радиационной стойкости;

6. разработать обобщённую методологию проектирования радиационно-стойкой электронной компонентной базы специального назначения с использованием научных основ формирования объектов и методов синтеза виртуальной реальности;

7. провести анализ эффективности функционирования проектных решений ЭКБ специального назначения для оценки радиационной стойкости с использованием синтеза виртуальной реальности.

Объект исследования. Методология САПР при проектировании радиационно-стойкой электронной компонентной базы специального назначения.

Предмет исследования. Методы геометрического моделирования

проектируемых объектов и синтеза виртуальной реальности для

проектирования радиационно-стойкой электронной компонентной базы

специального назначения.

Методы исследования. Выполненные теоретические и

экспериментальные исследования базируются на использовании основных

16

положений теории элементарных частиц, ядерной теории, теории ядра, электротехнической теории, теории дифференциальных уравнений в частных производных, теории систем, теории автоматизации проектирования, теории оптимизации, общей теории взаимодействий, теории ЗЭ моделирования, методов синтеза виртуальной реальности.

Научная новизна заключается в разработке моделей, алгоритмов и методов проектирования радиационно-стойких изделий электронной компонентной базы специального назначения для повышения эффективности технологической подготовки таких изделий на основе сшггеза виртуальной реальности.

В диссертации получены следующие результаты, характеризующиеся научной новизной:

1) модели синтеза проектных решений электронной компонентной базы специального назначения, отличающиеся учётом построения кристаллических решёток материалов из которых выполнены

1 элементы, что обеспечивает возможность формирования структуры для оценки их радиационной стойкости;

2) алгоритмы синтеза проектных решений электронной компонентной базы специального назначения, отличающиеся использованием интегрированного подхода с методами синтеза виртуальной реальности;

3) модели отдельных элементов электронной компонентной базы специального назначения, отличающиеся возможностью учёта особенностей строения материалов, энергетических уровней химических элементов с использованием методов синтеза виртуальной реальности;

4) модели и алгоритмы воздействий тяжёлых ядерных частиц на

отдельные элементы электронной компонентной базы специального

назначения, отличающиеся возможностью оценивать радиационную

стойкость элементов на энергетическом уровне и определять

17

напряжённые связи с использованием методов синтеза виртуальной реальности;

5) модели и алгоритмы воздействий тяжёлых ядерных частиц на совокупность элементов электронной компонентной базы специального назначения, отличающиеся возможностью оценивать радиационную стойкость элементов на энергетическом уровне и определять напряжённые связи с использованием методов синтеза виртуальной реальности;

6) методы оценки радиационной стойкости электронной компонентной базы, отличающиеся формализованными критериями для использования их при синтезе виртуальной реальности;

7) методы синтеза виртуальной реальности, отличающиеся возможностью моделирования отказов в отдельных областях структур при воздействиях тяжёлыми заряженными частицами с учётом формирования напряжённых связей в ЗЭ моделях отдельных элементов электронной компонентной базы специального назначения для учёта результатов проектного эксперимента по предварительной оценке радиационной стойкости изделия в целом.

На защиту выносятся:

1. Теоретические основы для решения проблемы формирования методов ЗО моделирования проектируемых объектов электронной компонентной базы на основе синтеза виртуальной реальности.

2. Модели и алгоритм синтеза кристаллической структуры материалов при формировании электронной компонентной базы специального назначения.

3. Модели и алгоритмы формирования потоков воздействия ТЯЧ.

4. Модели формирования отдельных элементов ЭКБ СН.

5. Модель формирования напряжённых связей в структурах кристаллов при воздействии тяжёлых ядерных частиц.

6. Метод и алгоритм оценки радиационной стойкости электронной компонентной базы специального назначения на основе напряжённых связей.

7. Обобщённая методология проектирования радиационно-стойкой электронной компонентной базы специального назначения с использованием научных основ формирования объектов и методов синтеза виртуальной реальности.

Достоверность научных результатов. Научные положения, теоретические и практические результаты и рекомендации к применению, полученные в диссертации, обоснованы натурными экспериментами, проверкой адекватности моделей с имеющимися статистическими данными, подтверждены математическими расчётами и численными методами решения систем дифференциальных уравнений в частных производных, многократной их проверкой и результатами внедрения в процесс проектирования электронной компонентной базы для ЭРИ со степенью интеграции до 100 нм, стойких к ионизационным потерям и структурно-топологическим дефектам.

Список литературы диссертационного исследования кандидат наук Лавлинский, Валерий Викторович, 2015 год

СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННОЙ ЛИТЕРАТУРЫ

1. Постановление Правительства РФ от 26 ноября 2007 г. №809 «О федеральной целевой программе «Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники» на 2008-2015 годы» (с изменениями и дополнениями).

2. Федеральная целевая программа «Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники» на 2008-2015 годы (утв. Постановлением правительства РФ от 26 ноября 2007 г. №809). http://base.garant.rn/l92396/

3. Перечень мероприятий федеральной целевой программы «Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники» на 2008-2015 годы. Приложение №2 к федеральной целевой программе «Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники» на 2008-2015 ( в редакции постановления Правительства РФ от 19 августа 2014 г. №829). http://base.garant.ru

4. Малюдин С.А. Прогнозирование и оценка радиационной стойкости и электрической прочности полузаказных интегральных схем для специальных радиоэлектронных устройств / С.А. Малюдин // диссертация на соискание уч. ст. канд. техн. наук, М.: Московский технич. ун-т связи и информатики, 2000. 178с.

5. Никифоров АЛО. Базовая технология прогнозирования, оценки и контроля радиационной стойкости изделий микроэлектроники /

A.Ю.Никифоров, П.К.Скоробогатов, М.Н.Стриханов, А.И.Чумаков, Ю.И.Борисов, Л.А.Синегубко, И.Б.Яшанин, А.А.Борисов, В.А.Телец,

B.Н.Улимов // www.rg.ru/2009/10/28/oremii-dok.html

6. Никифоров А.Ю. Базовая технология прогнозирования, оценки и контроля радиационной стойкости изделий микроэлектроники /А.Ю. Никифоров, П.К. Скоробогатов, М.Н. Стриханов, А.И. Чумаков, Ю.И. Борисов, Л.А. Синегубко, И.Б. Яшанин, A.A. Борисов, В.А. Телец,

В.Н. Улимов // М/.ФГБОУ ВПО «НИЯУ МИФИ» www.yandex.ru/clck/jsredir

7. Тарараксин A.C. Рациональный состав испытаний электронной компонентной базы на стойкость к воздействию отдельных ядерных частиц / A.C. Тарараксин, A.B. Яненко, А.И. Чумаков // Известия высших учебных заведений. Электроника. 2012. № 97. С. 78-84.

8. Афонин A.B. Влияние характеристик микрообъемов элементов СБИС на энерговыделение от протонного воздействия / А.В.Афонин, Л.А.Гришанцева, В.А.Полунин, А.И.Чумаков // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Математическое моделирование физических процессов. 2012. №4. С. 70-73.

9. Никифоров А.Ю. Радиационная стойкость электронной компонентной базы систем специальной техники и связи / А.Ю.Никифоров, В.А.Телец // Спецтехника и связь. 2011. № 4-5. С.2-4.

10. Елесин В.В. Комплекс методических, аппаратных и программных средств для автоматизированных исследований параметров полупроводниковых СВЧ ИС в условиях испытаний на радиационную стойкость / В.В.Елесин, А.Ю.Никифоров, В.А.Телец, Г.В.Чуков // Спецтехника и связь. 2011. № 45. С.28-32.

11. Никифоров А.Ю. Развитие базовой технологии прогнозирования, оценки и контроля радиационной стойкости изделий микроэлектроники / А.Ю.Никифоров, П.К.Скоробогатов, М.Н.Стриханов, В.А.Телец, А.И.Чумаков // Известия высших учебных заведений. Электроника. 2012. №97. С. 18-23.

12. Артамонов A.C. Особенности экспериментальных исследований доминирующих механизмов деградации параметров функциональных узлов изделий микросистемной техники при радиационных воздействиях / А.С.Артамонов, Д.В.Бойченко, А.Ю.Никифоров, А.В.Согоян, В.А.Телец, И.Б.Яшанин// Авиакосмическое приборостроение. 2010. № 12. С. 13-17.

13. Скоробогатов П.К. Лазерное имитационное моделирование объемных ионизационных эффектов в субмикронных СБИС / П.К.Скоробогатов // М.: Спецтехника и связь. №4-5, 2011. С.39-48

14. Стенин В.Я. Моделирование пороговых параметров, ограничивающих сбоеустойчивость 45- и 65-нм двухфазных КМОП-инверторов при воздействии отдельных ядерных частиц / В.Я.Стенин // М.: Спецтехника и связь. №4-5,2011.С.49-54

15. Кессаринский Л.Н. Модель реакции импульсных стабилизаторов напряжения при воздействии космических радиационных факторов / Л.Н.Кессаринский, Д.В.Бойченко, А.Ю.Никифоров // М.:Спецтехника и связь. №4-5,2011.С.55-59

16. Егоров А.Н. Моделирование эффектов воздействия отдельных заряженных частиц космического пространства на изделия микроэлектроники и твердотельной СВЧ - электроники с использованием пикосекундного лазера / А.Н.Егоров, В.А.Телец, А.И.Чумаков, О.Б.Маврицкий, А.А.Печенкин, А.В.Яненко, Д.О.Кольцов // М.: Спецтехника и связь. №4-5,2011. С.60-65

17. Чумаков А.И. Прогнозирование локальных радиационных эффектов в ИС при воздействии факторов космического пространства / А.И.Чумаков, А.Л.Васильев, А.А.Козлов, Д.О.Кольцов, А.В.Криницкий, А.А.Печенкин, А.С.Тарараксин, А.В.Яненко//Микроэлектроника. 2010. Т.39. №2.С.85-90.

18. Чумаков А.И. Методика оценки параметров чувствительности ИС к тиристорному эффекту при воздействии отдельных ядерных частиц / А.И.Чумаков, А.А.Печенкин, А.Н.Егоров, О.Б.Маврицкий, С.В.Баранов, А.Л.Васильев, А.В.Яненко // Микроэлектроника. 2008. Т.37. № 1. С.45-51.

19. Никифоров АЛО. Экспериментальные исследования адекватности лазерного имитационного моделирования объемных ионизационных эффектов в интегральных схемах и полупроводниковых приборах / А.Ю.Никифоров, П.К.Скоробогатов, А.И.Чумаков, А.В.Киргизова,

A.Г.Петров, П.П.Куцько, А.В.Кузьмин, А.А.Борисов, В.А.Телец,

B.Т.Пунин, В.С.Фигуров // Микроэлектроника. 2009. Т. 38. № 1. С. 4-20.

20. Чумаков А.И. Физико-математическое моделирование эффектов от отдельных ядерных частиц в элементах ИС / А.И.Чумаков, А.ВЛненко, Ю.И.Сыцько, А.С.Артамонов, А.Г.Баврин, Н.В.Еремин, С.И.Майоров,

C.А.Малюдин, АЛО.Никифоров, Ю.В.Помазан // Инженерная физика. 1999. №2. С. 68.

21. Чумаков А.И. Особенности энерговыделения в микрообъемах элементов СБИС при воздействии нейтронного излучения / А.И. Чумаков, А.В.Афонин, В.А.Полунин // Известия высших учебных заведений. Электроника. 2012. № 97. С. 5-10.

22. Киргизова A.B. Моделирование ионизационной реакции элементов КМОП КНС микросхем при импульсном ионизирующем воздействии /

A.В.Киргизова, П.К.Скоробогатов, А.Ю.Никифоров, Л.Н.Кессаринский, Г.Г.Давыдов, А.Г.Петров // Микроэлектроника. 2008. Т. 37. № 1. С. 28-44.

23. Никифоров А.Ю. Выбор оптимальных параметров лазерного излучения для моделирования ионизационных эффектов в кремниевых микросхемах объемной технологии / А.Ю.Никифоров, П.К.Скоробогатов, А.Н.Егоров, Д.В.Громов // Микроэлектроника. 2014. Т. 43. № 2. С. 127.

24. Егоров А.Н. Моделирование эффектов воздействия отдельных заряженных частиц космического пространства на изделия микроэлектроники и твердотельной СВЧ-электроники с использованием пикосекундного лазера / А.Н.Егоров, В.А.Телец, А.И.Чумаков, О.Б.Маврицкий, А.А.Печенкин, А.ВЛненко, Д.О.Кольцов // Известия высших учебных заведений. Электроника. 2012. № 97. С. 60-66.

25. Бетелин В.Б. Перспективы использования субмикронных КМОП СБИС в сбоеустойчивой аппаратуре, работающей под воздействием атмосферных нейтронов / В.Б Бетелин., С.Г.Бобков, А.А.Краснюк, П.Н.Осипенко,

B.Я.Стенин, И.Г.Черкасов, А.И.Чумаков, А.В.Яненко // Всероссийская

научно-техническая конференция «Проблемы разработай перспективных

227

микро- и наноэлектроииых систем (МЭС)». Сборник трудов. 2008. № 1. С. 256-259.

26. Данилов И.А. Метод автоматизированного схемотехнического моделирования эффектов воздействия тяжелых заряженных частиц на современные КМОП ИМС / И.А.Данилов, Б.В.Василегин, П.Н.Осипенко// Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. 2011. № 4. С. 13-16.

27. Горбунов М.С. Моделирование радиационно-шщуцированной утечки в элементах КНИ КМОП-технологии / М.С.Горбунов, Г.И.Зебрев, П.Н.Осипенко // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. 2009. № 4. С. 6-10.

28. Научно-технический отчет на тему «Разработка модели потоков тяжёлых заряженных частиц солнечных космических лучей (СКЛ) в межпланетном пространстве. Усовершенствование моделей, алгоритмов и программно-математического обеспечения для расчёта радиационных условий и показателей стойкости РЭА КА в межпланетном пространстве» www.pandia.org/text/77/484/1 Q57.php

29. Лавлинский В.В. Подход для проектирования СВЧ - устройств в САПР CST Studio Suite 2009 / B.B. Лавлинский, И.В.Попов, Ю.С.Сербулов // Вестник Воронежского института высоких технологий. Воронеж, 2009, №5, —С. 190-194.

30. Лавлинский В.В. Метод конечных интегралов в САПР CST Studio Suite 2009 / В.В. Лавлинский, И.В.Попов, Ю.С.Сербулов // Вестник Воронежского института высоких технологий. Воронеж, 2009, №5. -С. 194-197.

31. Лавлинский В.В. Исследование возможностей САПР SIMETRIX для проектирования генератора с параметрами Е-класса / В.В. Лавлинский, Шит Амер Фархан // Моделирование систем и процессов. Научно-технический журнал - Вып. 1. - Воронеж : ВГЛТА, 2012. С.51-56

32. Лавлинский В.В. Проектирование аппаратной реализации генератора состояния Е класса на основе пакета САПР SIMETRIX / В.В. Лавлинский, Шит Амер Фархан // XVIII Международная научно-техническая конференция Радиолокация, навигация, связь. Том 2. Воронеж: НПФ «САКВОЕЕ», 2012. - С.1067-1075.

33. Лавлинский В.В. Анализ функциональных возможностей САПР SIMETRIX на примере схемы МОП-транзистора / В.В. Лавлинский, Жвад А.Х.Х. // Моделирование систем и процессов. Научно-технический журнал - Вып. 1. - Воронеж: ВГЛТА, 2014. С. 38-43.

34. Лавлинский В.В. Анализ функциональных возможностей САПР MICROCAP на примере схемы МОП-транзистора / В.В. Лавлинский, Жвад А.Х.Х. // Моделирование систем и процессов. Вып. 1. - Воронеж: ВГЛТА, 2014. С.30-37.

35. Lavlinskiy V.V. Analysis of class E power amplifies by using Micro-cap program / V.V. Lavlinskiy, Sheet Amer Farhan // Моделирование систем и информационные технологии. Межвуз. сб. науч. тр. - Вып.7. — Воронеж: Научная книга, 2010. - С.289-293.

36. Лавлинский В.В. Анализ функциональных возможностей САПР WORKBENCH на примере схемы МОП-транзистора / В.В. Лавлинский, Жвад А.Х.Х. // Моделирование систем и процессов. Научно-технический журнал - Вып. 1. - Воронеж: ВГЛТА, 2014. С. 43-54.

37. Буров Р.Б. Проектирование физической модели генератора и усилителя мощности Е класса на основе методики с использованием различных САПР / Р.Б.Буров, В.В. Лавлинский, Шит Амер Фархан // Моделирование систем и процессов. Научно-технический журнал — Вып. 2. - Воронеж: ВГЛТА, 2012. С.27-34

38. Лавлинский В.В. Особенности САПР для полосковых элементов СВЧ -устройств / В.В. Лавлинский, А.ЮЛанговой // Моделирование систем и информационные технологии. Межвуз. сб. науч. тр. - Вып.7. — Воронеж: Научная книга, 2010. - С.206-211.

39. Lavlinskiy V.V. The multiplying of the frequencies of the fluctuations at analog circuit / V.V. Lavlinskiy, Sheet Amer Farhan // Вестник Воронежского института высоких технологий. Воронеж, 2010, №6. -С.270-273.

40. Зольников В.К. Обзор средств САПР для субмикронных СБИС /

B.К.Зольников, В.В. Лавлинский, И.В.Нагорный, В.А.Скляр // Моделирование систем и процессов. Научно-технический журнал — Вып. 1. - Воронеж : ВГЛТА, 2012. С.60-64

41. Скляр В.А. Обзор программ для САПР субмикронных СБИС / В.А.Скляр, К.В.Зольников, В.ВЛавлинский, В.И.Анциферова, С.А.Евдокимова // Моделирование систем и процессов. - Вып. 2. - Воронеж: ВГЛТА, 2013.

C.72-76.

42. Скляр В.А. Виды и этапы верификационных процедур систем на кристалле / В.А.Скляр, В.ВЛавлинский // Моделирование систем и процессов. Научно-технический журнал - Вып.4. - Воронеж : ВГЛТА, 2011.-С.61-63.

43. Уткин Д.М. Математическая модель сложных функциональных блоков, функционирующих в условиях воздействия радиации/ Д.М.Уткин, В.А.Скляр, В.В.Лавлинский // Моделирование систем и процессов. Научно-техничес-кий журнал - Вып.З - Воронеж: ВГЛТА, 2013. С. 55-58.

44. Ожегин Ю.А. Информационные технологии мониторинга радиационных испытаний электронной компонентной базы /Ю.А.Ожегин, Д.С.Уваркин// М.:Спецтехника и связь. №4-5,2011.С.66-73

45. Боруздина А.Б. Выявление многократных сбоев в микросхемах СОЗУ от воздействия отдельных заряженных частиц космического пространства /А.Б.Боруздина, А.И.Чумаков, А.В.Уланова, А.Ю.Никифоров, А.Г.Петров// Известия высших учебных заведений. Электроника. 2012. №97. С. 44-48.

46. Чумаков А.И. Оценка многократных сбоев в интегральных схемах от воздействия тяжелых заряженных частиц / А.И. Чумаков // Микроэлектроника. 2014. Т. 43. № 2. С. 83.

47. Печенкин А.А. Расчетно-экспериментальная оценка сбоеустойчивости ИС в условиях космического пространства / А.А.Печенкин, А.И.Чумаков, А.Л.Васильев, А.А.Козлов, Д.О.Кольцов, А.С.Тарараскин, А.В.Яненко, А.А.Орлов // Всероссийская научно-техническая конференция «Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС)». Сборник трудов. 2010. № 1. С. 269-274.

48. Боруздина А.Б. Влияние угла падения тяжелых заряженных частиц и записанного кода на кратность сбоев в микросхемах СОЗУ / А.Б.Боруздина, А.В.Уланова, М.С.Горбунов, А.И.Чумаков // Всероссийская научно-техническая конференция «Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС)». Сборник трудов. 2014. №3. С. 181-184.

49. Давыдов Г.Г. Методика оперативного неразрушающего контроля дозовой стойкости КМОП БИС на КНС - структурах / Г.Г.Давыдов, А.В.Согоян,

A.Ю.Никифоров, А.В.Киргизова, А.Г.Петров, А.Ю.Седаков, И.Б.Яшанин // Микроэлектроника. 2008. Т. 37. № 1. С. 67-77.

50. Бетелин В.Б. Перспективы использования субмикронных КМОП СБИС в сбоеустойчивой аппаратуре, работающей под воздействием атмосферных нейтронов / В.Б.Бетелин, С.В.Баранов, С.Г.Бобков, А.А.Красшок, П.Н.Осипенко, В.Я.Стенин, И.Г.Черкасов, А.И.Чумаков, А.В.Яненко // Микроэлектроника. 2009. Т. 38. № 1. С. 48-52.

51. Катунин Ю.В. Моделирование эффектов локальных воздействий ядерных частиц на 65 нм КМОП элементы двухфазной логики / Ю.В.Катунин,

B.Я.Стенин // Микроэлектроника. 2012. Т. 41. № 4. С. 262.

52. Стенин В.Я. Влияние топологии субмикронных КМОП ячеек памяти DICE на чувствительность ОЗУ к воздействию отдельных ядерных частиц

/ В.Я.Стенин, И.Г.Черкасов // Микроэлектроника. 2011. Т.40. №3. С. 184190.

/

53. Степанов П.В. Особенности проектирования DICE элементов 65-нм КМОП статических запоминающих устройств с учетом эффекта кратного воздействия отдельных ядерных частиц / В.Я.Стенин, Ю.В.Катунин, П.В.Степанов // Вестник Национального исследовательского ядерного университета МИФИ. 2013. Т. 2. № 3. С. 363.

54. Катунин Ю.В. Моделирование характеристик триггерных элементов КМОП двухфазной логики с учетом разделения заряда при воздействии отдельных ядерных частиц / Ю.В.Катунин, В.Я.Стенин, П.В.Степанов // Микроэлектроника. 2014. Т. 43. № 2. С. 104.

55. Стенин В.Я. Моделирование локального воздействия ядерных частиц на 65 нм КМОП ячейки памяти DICE / В.Я.Стенин, П.В.Степанов // Микроэлектроника. 2012. Т. 41. № 4. С. 253.

56. Ольчев С.И. Моделирование характеристик субмикронных двухфазных КМОП логических элементов при воздействии отдельных ядерных частиц / В.Я.Стенин, С.И.Ольчев // Ядерная физика и инжиниринг. 2011. Т. 2. №6. С. 510.

57. Стенин В.Я. Моделирование пороговых параметров, ограничивающих сбоеустойчивость 45- и 65-нм двухфазных КМОП-инверторов при воздействии отдельных ядерных частиц / В.Я.Стенин // Известия высших учебных заведений. Электроника. 2012. № 97. С. 49-54.

58. Стенин В.Я. Моделирование переходных характеристик суб-100-нм КМОП двухфазных инверторов при локальном воздействии ядерной частицы / В.Я.Стенин // Известия высших учебных заведений. Электроника. 2013. № 2 (100). С. 23-32.

59. Данилов И.А. Разработка программных средств моделирования ИМС с повышенной стойкостью к внешним воздействующим факторам космического пространства / И.А.Данилов, М.С.Горбунов, Г.И.Зебрев,

П.Н.Осипенко, А.А.Ивлев // Информационные системы и технологии. 2011.№ 1.С. 30-38.

60. Горбунов М.С. Сравнение различных вариантов топологии КНИ МОП-транзисторов для проектирования радиационно-стойких ИС / М.С.Горбунов, Г.И.Зебрев, П.Н.Осипенко, Б.В.Василегин, В.Н.Ильягуев // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. 2010. № 1. С. 39-43.

61. Баранов C.B. Моделирование локальных радиационных эффектов при воздействии высокоэнергетичных нейтронов в тестовых образцах СБИС, изготовленных по различным технологиям / С.В.Баранов, Б.В.Васелегин, П.Н.Осипенко, А.И.Чумаков, А.В.Яненко // Микроэлектроника. 2008. Т.37. № 1. С. 52-59.

62. Лавлинский В.В. Применение метода Саати для решения задачи оценки стойкости современных радиоэлектронных систем к воздействию мощных электромагнитных полей / В.В.Лавлинский, Е.В.Кравцов // Воронеж: Вестник ВГТУ, №4, Серия САПР, 2006.

63. Лавлинский В.В. Координационный способ обеспечения антикризисного режима функционирования современного комплекса комплексного технического контроля в условиях воздействия на него мощных СВЧ импульсов / В.В.Лавлинский, Е.В.Кравцов // Воронеж: Теория конфликта и ее приложения: Материалы IV-й Всерос. науч. - техн. конференции, 2006.

64. Лавлинский В.В. Модель воздействия мощных электромагнитных полей и импульсов сверхвысокочастотных излучений на радиоэлектронные системы / В.В.Лавлинский, Е.В.Кравцов // Воронеж: труды ФГНИИЦ РЭБ и ОЭСЗ, 2006.

65. Лавлинский В.В. Проблемы испытания радиоэлектронных систем на стойкость к воздействию мощных электромагнитных полей / В.В.Лавлинский, Е.В.Кравцов // М.: Телекоммуникации, 2007. №1. С.45-48.

66. Лавлинский В.В. Модель формирования навыков-умений по обнаружению, измерению параметров и определению местоположения радиоэлектронных средств и выявлению технических каналов утечки информации с применением современных информационных технологий / В.ВЛавлинский, Е.В.Кравцов, В.Н.Севальнев // Моделирование систем и информационные технологии. Межвуз. сб. науч. тр. - Вып.5. - Воронеж: Научная книга, 2008. - С. 115-122.

67. Лавлинский В.В. Исследование подходов проектирования фильтров и сумматоров в СВЧ - диапазоне (шифр «Проект - ФС») по договору №8/06/324 от 19 мая 2009 года (отчет о НИР) / Сербулов Ю.С., Лавлинская О.Ю., Акамсина Н.В., Лемешкин А.В., Коровина О.В. // Воронеж: ВИВТ, 2009. - 182с.

68. Lavlinskiy V.V. Problems of testing radioelectronic systems for their resistance to powerful electromagnetic fields /V.V.Lavlinskiy, E.V.Kravtsov // Telecommunications and Radio Engineering. 2009. T. 68. № 5. C. 445-450.

69. Лавлинский В.В. Разработка алгоритмического обеспечения для расчета топологии микрополосковых элементов / В.ВЛавлинский, А.Ю.Ланговой // Вестник Воронежского института высоких технологий. Воронеж, 2010, №6. -С.248-251.

70. Лавлинский В.В. Метод синтеза схем для проектирования микрополосковых СВЧ-фильтров с заданными параметрами / В.ВЛавлинский, А.Ю.Ланговой // Вестник Воронежского института высоких технологий. Воронеж, 2010, №6. - С.251-255.

71. Молекулярная физика. Строение и превращение вещества. http://lib.sernam.ru/book phis 9 fac.php?id=14

72. Взаимосвязь между строением и реакционной способностью химических веществ.

http://ido.tsu.ru/schools/chem/data/res/neorg/uchpos/text/g2 1 8.html

73. Китгель Ч. Введение в физику твёрдого тела / Ч.Киттель // М.:Наука, 1978. 792с.

74. Новиков И.И. Дефекты кристаллического строения металлов / И.И.Новиков // М. ¡Металлургия, 2008.254с.

75. Еремин И.Е. Стереометрическая модель коэффициента компактности кубических кристаллических решёток / И.Е.Еремин, А.С.Бартошин // Информатика и системы управления. 2013. №3(37). С.24-32.

76. Еремин И.Е. Опосредованная визуализация наноструктуры алмаза / Еремин И.Е., Остапенко A.A., Назаренко Н.В. // Вестник Тихоокеанского государственного университета. 2013. № 4 (31). С. 031-042.

77. Сычева М.П. Моделирование частотных спектров электронной поляризации щелочных фторидов / Еремин И.Е., Сычева М.П. // Вестник Тихоокеанского государственного университета. 2013. №1(28). С.069-076.

78. Колтыгин С.А. Моделирование упругой ионной поляризации кристаллических оксидов типа / AB Еремин И.Е., Колтыгин С.А. // Ученые заметки ТОГУ. 2013. Т. 4. № 3. С. 053-059.

79. Еремин И.Е. Кибернетическое моделирование поляризации кристаллов в слабых электромагнитных полях / Еремин И.Е. // автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора технических наук / Комсомольск-на-Амуре государственный технический университет. Комсомольск-на-Амуре, 2012

80. Щербань Д.С. Кибернетическая модель упругой ионной поляризации кристалла бромида калия / Еремин И.Е., Щербань Д.С. // Вестник Саратовского государственного технического университета. 2012. Т. 1. № 2с (64). С. 62-65.

81. Бартошин A.C. Опосредованная визуализация наноструктуры кубических оксидных кристаллов / Еремин И.Е., Бартошин A.C. // Информатика и системы управления. 2012. № 34. С. 56-63.

82. Плутенко А.Д. Метод опосредованной визуализации наноструктур /Плутенко А.Д., Еремин И.Е., Еремина В.В. // Информатика и системы управления. 2012. № 3. С. 83-96.

83. Сычев М.С. Моделирование постоянной Маделунга кристаллов кубической сингонии. II / Еремин И.Е., Сычев М.С. // Вестник Тихоокеанского государственного университета. 2012. № 2. С. 037-044.

84. Сычев М.С. Моделирование постоянной Маделунга кристаллов кубической сингонии. I / Еремин И.Е., Сычев М.С. // Вестник Тихоокеанского государственного университета. 2012. № 1. С. 043-050.

85. Сычев М.С. Компьютерная реализация прямого расчета постоянной Маделунга сложных решеток кубической сингонии / Еремин И.Е., Сычев М.С. // В мире научных открытий. 2012. № 8. С. 140-151.

86. Еремин И.Е. Кибернетическое моделирование поляризации кристаллов в слабых электромагнитных полях / Еремин И.Е.// диссертация доктора технических наук : 05.13.18 / Комсомольск-на-Амуре государственный технический университет. Благовещенск, 2011

87. Сычев М.С. Совреме1шая компьютерная реализация прямого расчета постоянной Маделунга кристаллов типа АВ / Еремин И.Е., Сычев М.С.// Вестник Саратовского государственного технического университета. 2011. Т. 4. №4 (62). С. 83-87.

88. Сычева М.П. Компьютерная визуализация электронной конфигурации кристалла хлорида натрия / Еремин И.Е., Сычева М.П. // Вестник Саратовского государственного технического университета. 2011. Т. 4. №4 (62). С. 87-91.

89. Жилиндина О.В. Компьютерное моделирование частотных диэлектрических спектров керамики ГБ-7 / Еремин И.Е., Жилиндина О.В., Бартошин А.С. // Вестник Саратовского государственного технического университета. 2011. Т. 4. №4(62). С.91-95.

90. Еремин И.Е. Кибернетическое моделирование поляризации кристаллов в слабых электромагнитных полях / Еремин И.Е. // Информатика и системы управления. 2011. № 2. С. 117-125.

91. Уляхина Д.А. Метод расчета динамических параметров поляризационных процессов / Еремин И.Е., Еремина В.В., Уляхина Д.А. // Информатика и системы управления. 2011. № 3. С. 60-69.

92. Бартошин A.C. Моделирование электронных свойств оксидных кристаллов кубической сингонии / Еремин И.Е., Бартошин A.C. // Информатика и системы управления. 2011. № 4. С. 79-88.

93. Костюков Н.С. Упругая электронная поляризация конденсированных диэлектриков / Еремин И.Е., Еремина В.В., Костюков Н.С., Моисеенко В.Г. // Доклады Академии наук. 2010. Т. 432. № 5. С. 612-615.

94. Лапина С.Ю. Устранение катастрофы мосотти с позиций системного подхода / Еремин И.Е., Еремина В.В., Ланина С.Ю. // Вестник Челябинского государственного педагогического университета. 2010. № 2. С. 284-297.

95. Сычева М.П. Альтернативный способ визуализации электронной структуры ионного кристалла / Еремин И.Е., Сычева М.П. // Вестник Тихоокеанского государственного университета. 2010. № 3. С. 073-080.

96. Еремин И.Е. Кибернетическая теория поляризации щелочно-галоидных кристаллов. I / Еремин И.Е. // Информатика и системы управления. 2009. № 1.С. 40-45.

97. Еремин И.Е. Кибернетическая теория поляризации щелочно-галоидных кристаллов. II / Еремин И.Е. // Информатика и системы управления. 2009. №2. С. 50-59.

98. Костюков Н.С. Моделирование диэлектрического спектра кварца в области установления процессов электронной поляризации / Костюков Н.С., Еремин И.Е. // Известия высших учебных заведений. Физика. 2008. Т. 51. № 11. С. 32-38.

99. Еремин И.Е. Моделирование упругой электронной поляризации композиционных электрокерамик / Еремин И.Е. // Информатика и системы управления. 2008. № 1 (15). С. 28-38.

100. Жилиндина О.В. Моделирование упругой электронной поляризации композиционных электрокерамик. II / Еремин И.Е., Жилиндина О.В. // Информатика и системы управления. 2008. № 3 (17). С. 3.

101. Цаплина С.А. Моделирование характеристик упругой электронной поляризации флюорита. II / Еремин И.Е., Цаплина С.А. // Информатика и системы управления. 2007. № 1 (13). С. 3-11.

102. Цаплина С.А. Моделирование электронной поляризации кристаллических соединений фтора / Еремин И.Е., Цаплина С.А. // Информатика и системы управления. 2007. № 2(14). С. 67-78.

103. Подолько Е.А. Модель ионной поляризации диэлектрика с выделением перекрестных связей / Еремин И.Е., Подолько Е.А. // Информатика и системы управления. 2006. № 1 (11). С. 32-41.

104. Цаплина С.А. Моделирование характеристик упругой электронной поляризации флюорита / Еремин И.Е., Цаплина С.А. // Информатика и системы управления. 2006. № 2 (12). С. 7-16.

105. Еремина В.В. Моделирование поляризационных свойств конденсированных диэлектрических сред / Еремин И.Е., Еремина В.В. // Информатика и системы управления. 2005. № 1 (09). С. 41-55.

106. Коваленко Е.А. Модель ионной поляризации диэлектрика с выделением перекрестных связей. I / Еремин И.Е., Коваленко Е.А. // Информатика и системы управления. 2004. № 2 (08). С. 26-32.

107. Костюков Н.С. Построение модели процесса поляризации диэлектриков с помощью обратных связей / Еремин И.Е., Костюков Н.С.// Информатика и системы управления. 2001. № 1 (01). С. 45-53.

108. Еремин И. Е. Модифицированный алгоритм расчета постоянной Маделунга / Еремин И. Е., Сычев М. С. // Информатика и системы управления. - 2010. - № 3 (25). С.27-34.

109. Еремин И. Е. Модифицированный алгоритм улучшения сходимости решёточных сумм / Еремин И. Е., Еремина В.В., Ланина С.Ю. // вестник

Челябинского государственного педагогического университета. — 2010. — №2. С.284-297.

110. Harrison W. A. Simple calculation of Madelung constant // Physical Review

B.-2006.-Vol. 73.

111. Колпащикова Ж.В. Зависимость диэлектрических характеристик электротехнического фарфора от частоты электрического поля / Костюков Н.С., Соколова С.М., Демчук В.А., Колпащикова Ж.В. // Перспективные материалы. 2010. № 4. С. 83-87.

112. Костюков Н.С. Описание поведения диэлектриков в переменных электрических полях с использованием теории вынужденных колебаний / Костюков Н.С., Соколова С.М., Демчук В.А. // Электричество. 2010. № 6.

C. 59-62.

113. Демчук В.А. Расчет эффективной структуры переходной зоны при пайке металлокерамических соединений / Демчук В.А., Костюков Н.С., Калиниченко Б.Б. // Информатика и системы управления. 2008. № 1 (15). С. 16-21. '

114. Демчук В.А. Поведение анодного оксида алюминия в условиях радиационного облучения / Демчук В.А. // автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / Благовещенск, 1993

115. Костюков Н.С. Связь технологических параметров стеатитовой керамики с ее диэлектрическими характеристиками / Ерёмина Н.В., Костюков Н.С. // Вестник Северного (Арктического) федерального университета. Серия: Естественные науки. 2011.№ 1. С. 112-117.

116. Еремин И.Е. Моделирование электронно-атомной структуры конденсированных диэлектриков / И.Е.Еремин, В.В.Еремина, Н.С.Костюков // Федеральное агентство по образованию, Амурский гос. ун-т. Благовещенск, 2006. 118с.

117. Колпащикова Ж.В. Изменение диэлектрических свойств

электротехнического фарфора при облучении нейтронами /

239

Колпащикова Ж.В., Щербакова Е.В., Костюков Н.С. // Атомная энергия. 2003. Т. 95. №2. С. 134-139.

118. Костюков Н.С. Пути повышения радиационной стойкости композиционных материалов / Костюков Н.С., Астапова Е.С. // -Перспективы материалов, 1997, вып. 4, с. 41-45.

119. Астапова Е.С. Структурные изменения керамических материалов в результате нейтронного облучения / Астапова Е.С., Ванина Е.А., Костюков Н.С., Пивченко Е.Б. // Препринт АНЦ ДВО РАН, Благовещенск, 1999. 50 с.

120. Еремин И.Е. Построение модели процесса поляризации диэлектриков с помощью обратных связей / Еремин И.Е., Костюков Н.С.// Информатика и системы управления. 2001. № 1 (01). С. 45-53.

121. Костюков Н.С. Оценка роли продуктов ядерных реакций (трансмутантов) на свойства неорганических (керамика и стекла) диэлектриков при их использовании в установках атомной и термоядерной энергетики и разработка новых радиационно стойких материалов / Костюков Н.С. // отчет о НИР № 94-02-06178 (Российский фонд фундаментальных исследований)

122. Балабеков А.И. Метод испытаний твёрдых электроизоляционных материалов при импульсном воздействии внешних факторов. /КостюковН.С., Балабеков А.И. // Электротехника. 1974. № 9. С. 39.

123. Костюков Н.С. Влияние облучения на керамические материалы / Костюков Н.С. // Журнал всесоюзного химического общества им. Д.И. Менделеева. 1968. Т. XIII. С. 193.

124. Соколова С.М ЧАСТОТНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ДИЭЛЕКТРИКОВ /Костюков Н.С., Соколова С.М. // Электричество. 2009. № 4. С. 2-11.

125. Шунков В.Е. Проектирование элементов КМОП — микросхем, выполненных по технологии «кремний на изоляторе» с проектными нормами 0,5-0,35 мкм с повышенной стойкостью к воздействию тяжёлых

заряженных частиц / В.Е.Шунков // автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук / М., 2012.22с.

126. Основные положения теории электропроводности. Примесная электропроводность, http://alnam.ru/book elct.php

127. Князев A.B. Основы рентгенофазового анализа / А.В.Князев, Е.В.Сулейманов // Учебно-методическое пособие. Нижний Новгород: Нижегородский гос. ун-т им. H.H. Лобачевского, 2005. 23с.

128. Зольников, В.К.Проблемы создания проектной среды разработки микроэлектронных систем [Текст] / В.К.Зольников, В.Е. Межов, П.Р.Машевич, В.Н.Ачкасов // Материалы международной научно-практической конференции «Наука и образование» - Воронеж, 2005. — С. 216-219.

129. Ачкасов A.B. Автоматизация проектирования комплементарных микросхем с учетом статических видов радиации [Текст]: монография / A.B. Ачкасов, В.К.Зольников, К.И.Таперо - Воронеж: Воронеж, гос. ун-т, 2006.- 165 с.

130. Colinge J.P. Hardening Integrated Circuits against Radiation Effects [Text] // RADECS 97 Short Course. 1997.

131. Чумаков А.И. Действие космической радиации на интегральные схемы. [Текст] / А.И. Чумаков — М.: Радио и связь, 2004.

132. The Radiation Environment Outside and Inside a Spacecraft [Text] // Radiation Effects — From Particles to Payloads. IEEE NSREC Short Course, 2002. P. II-1-11-69.

133. Weatherford T. From Carriers to Contacts, a Review of SEE Charge Collection Processes [Text] // Radiation Effects — From Particles to Payloads. IEEE NSREC Short Course, 2002. P. IV-1 - IV-53.

134. Pickel J.C. Single-Event Rate Calculations [Text] // IEEE Trans. Nucl. Sei. 1996. Vol. 43, N2. P. 483.

135. Petersen E.L. Approaches to Proton Single-Event Rate Calculations [Text] // Ibid. P. 496.

136. Никифоров А.Ю. Радиационные эффекты в КМОП ИС [Текст] / А.Ю.Никифоров, В.А.Телец, А.И.Чумаков - М.: Радио и связь, 1994

137. Gordon G. Geostationary communications satellites [Text] // Practical Considerations in Applying Electronics to Space Systems. IEEE NSREC Short Course. 1993. P. I-1-I-52.

138. ГОСТ 25645.150-90. Лучи космические галактические. Модель изменения потоков частиц. Госкомитет СССР по стандартам, 1991.

139. Barth J. Applying Modeling Space Radiation Environments [Text] // Applying Computer Simulation Tools to Radiation Effects Problems. IEEE NSREC Short Course. 1997.

140. ГОСТ 25645.104-84. Лучи космические. Термины и определения. Госкомитет СССР по стандартам, 1984.

141. Koga R. et al. On the Suitability of Non-Hardened High Density SRAMs for Space Applications [Text] // Ibid. 1991. Vol. 38. P. 1507.

142. Dufour C. et al. Heavy-Ion Induced Single Hard Errors on Submicronic Memories [Text] // Ibid. 1992. Vol. 39. P. 1693.

143. Test Procedures for the Measurement of Single-Event Effects in Semiconductor Devices from Heavy Ion Irradiation, Electronic Industries Association, Engineering Department, Standard EIA/JESD57, December 1996.

144. Ronald J.L. et al. Circuit-Level Model for Single Event Burnout in N-channel Power MOSFEET's [Text] // RADECS'99 Proceedings. 2000. P. 173.

145. Waskiewics A.E., Groninger J.W., Strahan V.H. Burnout of Power MOS Transistors with Heavy Ions of Californium-252 [Text] // IEEE Trans. Nucl. Sei. 1986. Vol. 33. P. 1710.

146. Carley D.R., Wheatley C.F., Titus J.L., Burton D.I. Power MOSFET's Hardened for Single Event Effects in Spase [Text] // RADECS'96 Proceedings. 1997. P. 253.

147. Johnson G.H., Palau J.M., Dachs С. et al. A Review of the Techniques Used for Modeling Single-Event Effects in Power MOSFET's [Text] // IEEE Trans. Nucl. Sei. 1996. Vol. 43, N 2. P. 546.

148. Titus J.L., Weatley C.F. Experimental Studies of SEGR and SEB in Vertical Power MOSFETs [Text] // IEEE Trans. Nucl. Sei. 1996. Vol. 43, N 2. P. 533.

149. Mouret I., Allenspach M., Schrimpf R.D. et al. Temperature and Angular Dependence of Substrate Response in SEGR [Text] // Ibid. 1994. Vol. 41, N 6. P. 2216.

150. Потапов И.П. Автоматизация проектирования комплементарных микросхем с учетом одиночных событий [Текст]: монография / И.П.Потапов, В.М.Антимиров, К.И.Таперо - Воронеж: Воронеж, гос. унт, 2007.- 165 с.

151. Ачкасов, В.Н. Создание промышленной и научной инфраструктуры корпоративной разработки, производства и испытания элементной базы, модулей и вычислительных комплексов для систем управления [Текст] / Ачкасов В.Н., Антимиров В.М., Машевич П.Р., Фортинский Ю.К.// Вопросы атомной науки и техники. Сер.: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. 2005. Вып. 3-4. С. 3-5.

152. Машевич, П.Р. Инструментальные средства автоматизации проектирования дизайн центра [Текст]: монография / П.Р. Машевич, В.К. Зольников; ВГУ.-Воронеж, 2006.- 284с.

153. Антимиров, В.М. Совремештые вычислительные комплексы для бортовых систем управления [Текст] / Антимиров В.М., Ачкасов В.Н., Машевич П.Р. // Полет. 2005. - №8. - С.23 - 26.

154. Норенков, И.П. Системы автоматизированного проктирования электронной и вычислительной аппаратуры [Текст] / И.П. Норенков, В.Б. Маничев - М.: Высш. шк. 1983. -272 с.

155. Зольников В.К. Создание отечественной проектной среды разработки микроэлектронных систем [Текст] / В.К.Зольников, В.Н.Ачкасов, П.Р.Машевич, И.П.Потапов // Вестник ВГТУ. Системы автоматизации проектирования. 2006. Вып.2. - №3. -С.9 - 11.

156. Зольников В.К. Создание микроэлементной базы двойного назначения

[Текст] / В.К.Зольников, И.П.Потапов, А.Н.Золышкова, В.И.Анциферова

243

// Материалы X Международной конференции «Системные проблемы надёжности, качества, информационных и электронных технологий. — М: Издательство «Радио и связь». - 2006. Часть 1 - С.26.

157. Агаханян Т.М., Радиационные эффекты в интегральных микросхемах [Текст] / Т.М.Агаханян, Е.Р.Аствацатурьян, П.К.Скоробогатов. М.: Энергоатомиздат, 1989.

158. Першенков, B.C. Поверхностные радиационные эффекты в элементах интегральных микросхем. [Текст] / Першенков B.C., Попов В.Д., Шалыюв Г.М. - М.: Энергоатомиздат, 1988.

159. Коршунов Ф.П. Радиационные эффекты в полупроводниковых приборах. [Текст] / Ф.П.Коршунов, Г.В.Гатальский, Г.М.Иванов - Минск: Науки и техника, 1978.

160. Таперо К.И. Моделирование воздействия тяжелых заряженных частиц [Текст] / К.И.Таперо, И.П.Потапов // Труды российской конференции «Стойкость-2007». Москва СПЕЛС. - 2007. -С. 63-64.

161. Крюков В.П. Проектирование радиационно-стойких изделий в САПР ИЭТ [Текст] / В.П.Крюков, А.В.Ачкасов, И.П.Потапов, Д.Г.Хорюшин, В.К.Зольников// Материалы Российской конференции «Стойкость-2006». - Москва: МИФИ. - 2006.- С. 127-128.

162. Яньков А. И. Методы оценки стойкости СБИС, применяемых для систем контроля безопасности [Текст] / И.П.Потапов, А.И.Яньков // Материалы международной научно-практической конференции «Современные проблемы борьбы с преступностью. Радиотехнические науки». - Воронеж: Воронежский институт МВД. - 2006. Выпуск 2.- С.97.

163. Золыппсов, В.К. Моделирование работоспособности радиациошю-стойких микросхем [Текст] / В.К.Зольников, П.Р.Машевич // Материалы X Международной конференции «Системные проблемы надёжности, качества, информационных и электронных технологий». — М: Издательство «Радио и связь». - 2005. Часть 1 - С.77.

164. Ачкасов В.Н. Библиотека элементов для проектирования радиационно-стойких изделий [Текст] / В.Н.Ачкасов, В.П.Крюков, И.П.Потапов// Материалы Российской конференции «Стойкость-2006». - Москва: МИФИ. -2006.- С. 123-124.

165. Потапов И.П. Средства автоматизации проектирования радаиционно-стойкой элементной базы [Текст] / И.П.Потапов, А.В.Ачкасов, В.К.Зольников // Вопросы атомной науки и техники. Серия 8. 2006. -Вып. 1-2. - С. 147 - 149.

166. Таперо К.И. Кинетика накопления и отжига радиационных дефектов в активных областях кремниевых МОП и КМОП структур. Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. 1997.

167. Потапов, И.П. Моделирование статических радиационных эффектов в КМОП приборах [Текст] / И.П.Потапов, В.Н. Ачкасов, П.Р.Машевич // Межвузовский сборник научных трудов «Моделирование систем и информационные технологии».- Воронеж: Издательство «Научная книга» -2006. Вып.3.4.2. - С. 221 - 223.

168. Зольников В.К. Разработка математических моделей расчета радиационной стойкости параметров типовых элементов и определение адекватности схемотехнических и конструктив! ю-технологических решений / Зольников В.К., Крюков В.П., Ачкасов В.Н., Смерек В.А. // Моделирование систем и процессов. 2011. № 1-2. С. 24-26.

169. Зольников В.К. Разработка схемотехнического и конструктивно-технологического базиса ЭКБ / Зольников В.К., Стоянов A.A. // Моделирование систем и процессов. 2011. № 1-2. С. 28-30.

170. Зольников В.К. Моделирование сбора заряда при воздействии тяжелых заряженных частиц в КМОП элементах микросхем / Зольников В.К., Потатов И.П., Таперо К.И. // Всероссийская научно-техническая конференция "Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС)". Сборник трудов. 2010. № 1. С. 275-278.

171. Смерен B.K. Модель физических процессов в элементах СБИС при воздействии тяжелых заряжешгых частиц / Смерек В.К., Зольников В.К., Таперо К.И. // Моделирование систем и процессов. 2010. № 1-2. С. 41-48

172. Яньков А.И. Сравнительный анализ процессов возникновения ионизационного тока в транзисторных ключах КМОП и КМОП КНИ-технологиях / Яньков А.И., Зольников В.К.// Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектрош!ую аппаратуру. 2010. № 3. С. 40-41.

173. Зольников В.К. Формирование библиотек типовых элементов и СФ блоков / Зольников В.К. // Моделирование систем и процессов. 2011. № 3. С. 27-29.

174. Яньков А.И. Методы обеспечения сбоеустойчивости к одиночным событиям в процессе проектирования для микропроцессоров К1830ВЕ32УМ и 1830ВЕ32У / Яньков А.И., Смерек В.А., Крюков В.П., Зольников В.К. // Моделирование систем и процессов. 2012. № 1. С. 92-95.

175. Соболев С.С. Автоматизация проектирования устройств генерации комбинаторных перестановок / Зольников В.К., Соболев С.С. // Политематический сетевой электронный научный журнал Кубанского государственного аграрного университета. 2012. № 77. С. 474-484.

176. Ачкасов A.B. Архитектура, структура и методы защиты от сбоев радиационного характера для восьми разрядного микроконтроллера / Смерек В.А., Зольников В.К., Ачкасов A.B. // Фундаментальные и прикладные проблемы техники и технологии. 2012. № 2. С. 136-141.

177. Ачкасов В.Н. Методы обеспечения стойкости микросхем к одиночным событиям при проектировании радиациошю-стойких микросхем / Ачкасов В.Н., Смерек В.А., Уткин Д.М., Зольников В.К. // Всероссийская научно-техническая конференция «Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС)». Сборник трудов. 2012. № 1. С.634-637.

178. Зольников В.К. Проектирование современной микрокомпонентной базы с учетом одиночных событий радиациошюго воздействия / Зольников В.К. // Моделирование систем и процессов. 2012. № 1. С. 27-30.

179. Бекман И.Н. Ядерные реакции / Бекман И.Н. // http://profbeckman.narod.ru/YadFiz.files/Ll 9.pdf

180. Василепш Б.В. Исследование чувствительности микропроцессоров к одиночным сбоям при воздействии осколков деления радионуклида калифорний-252 / Василегин Б.В., Емельянов В.В., Таперо К.И., Озеров А.И., Каменский М.В., Осипенко П.Н. // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. 2006. № 3-4. С.59-63.

181. Gorbunov M.S. Verilog-A modeling of radiation-induced mismatch enhancement / Gorbunov M.S., Danilov I.A., Osipenko P.N., Zebrev G.I. // IEEE Transactions on Nuclear Science. 2011. T. 58. № 3 PART 2. P.785-792.

182. Zebrev G.I. Multi-scale modeling of low dose-rate total dose effects in advanced microelectronics / Zebrev G.I., Gorbunov M.S., Osipenko P.N.// В сборнике: Сер. "2008 26th International Conference on Microelectronics, Proceedings, MIEL 2008" sponsors: IEEE, IEEE Electron Devices Society, EDS. Nis, 2008. P. 591-594.

183. Osipenko P.N. Radiation-hardening-by-design with circuit-level modeling of total ionizing dose effects in modern CMOS technologies / Gorbunov M.S., Osipenko P.N., Zebrev G.I. // В сборнике: Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering International Conference on Micro- and Nano-Electronics 2009. Сер. "International Conference on Micro-and Nano-Electronics 2009" sponsors: Russian Academy of Sciences, Russian Foundation for Basic Research, Carl Zeiss AG, Technolnfo Ltd., JSC Mikron. Zvenigorod, 2010. P. 7521 IF.

184. Антонов А.А. Исследование архитектурной чувствительности к сбоям с использованием метода статистического внесения сбоев / Осипенко П.Н.,

Антонов A.A., Левадскнй С.А. // Программные продукты и системы. 2010. №4. С.З.

185. Василегин Б.В. Исследование влияния конструктивно-технологических параметров КНИ СОЗУ на чувствительность к воздействию тяжёлых заряженных частиц / Василегин Б.В., Емельянов В.В., Таперо К.И., Озеров А.И., Каменский М.В., Осипенко П.Н., Зуев А.Л., Долотов П.С. // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. 2008. № 1. С. 133-138.

186. Краснюк A.A. Особенности помехоустойчивого кодирования в радиационно-стойких ОЗУ / Краснюк A.A., Петров К.А. // Научная сессия Московского инженерно-физического института. 2010. Т. 1. С. 184.

187. Краснюк A.A. Особенности применения помехоустойчивого кодирования в суб-100 нм микросхемах памяти для космических систем /Краснюк A.A., Петров К.А. // Микроэлектроника. 2012. Т. 41.№6. С. 450.

188. Петров К.А. Особенности применения методов помехоустойчивого кодирования в суб-100-нм микросхемах памяти для космических систем / Краснюк A.A., Петров К.А. // Всероссийская научно-техническая конференция "Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС)". Сборник трудов. 2012. № 1. С. 638-641.

189. Ольчев С.И. Двухфазные КМОП логические элементы с повышенной сбоеустойчивостыо к воздействию отдельных ядерных частиц / Ольчев С.И., Стенин В.Я. // Микроэлектроника. 2011. Т. 40. № 3. С. 170183.

190. Стенин В.Я. Особенности проектирования субмикронных КМОП статических ОЗУ с повышенной сбоеустойчивостыо к воздействию высокоэнергетических частиц / Стенин В.Я., Черкасов И.Г. // Микроэлектроника. 2010. Т. 39. № 2. С. 91-101.

191. Стенин В.Я. Моделирование воздействия отдельных ядерных частиц на

КМОП цифровые схемы по параметрам импульсов воздействующего тока

248

/ Стенин В.Я. // Известия высших учебных заведений. Электроника. 2011. №3(89). С. 50-57.

192. Ольчев С.И. Характеристики чувствительности субмикронных двухфазных КМОП инверторов к воздействию отдельных ядерных частиц / Ольчев С.И., Стенин В.Я. // Микроэлектроника. 2012. Т. 41. № 2. С. 146.

193. Стенинг В.Я. Моделирование сбоеустойчивости 65 им шеститранзисторных КМОП ячеек памяти к локальному воздействию импульса тока / Стенинг В.Я., Степанов П.В. // Всероссийская научно-техническая конференция «Проблемы разработки перспективных микро-и наноэлектронных систем (МЭС)». Сборник трудов. 2012. № 1. С.423-426.

194. Катунин Ю.В. Сравнительное моделирование сбоеустойчивости суб-100-нм двухфазных КМОП инверторов с разными проектными нормами к воздействию локальных импульсов тока / Катунин Ю.В., Стенин В.Я. // Всероссийская научно-техническая конференция «Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС)». Сборник трудов. 2012. № 1. С. 427-430.

195. Таперо К.И. Особенности радиационных испытаний аналоговых биполярных микросхем с учетом эффекта ELDRS / Таперо К.И., Петров A.C., Улимов В.Н., Членов A.M. // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. 2013. № 4. С. 5-10.

196. Улимов В.Н. Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения. Монография / Таперо К.И., Улимов В.Н., Членов A.M. // Москва, 2012. 123с.

197. Скляр В.А. Развитие технологии и платформ проектирования при топологических нормах менее 90 нм / Скляр В.А., Зольников К.В., Лавлинский В.В., Таперо К.И., Озеров А.И. // Моделирование систем и процессов. 2012. Т. 4. С. 72-76.

198. Стоянов A.A. Моделирование радиационных эффектов на физико-технологическом уровне в САПР ИЭТ / Стоянов A.A., Скляр В.А., Зольников К.В., Озеров А.И., Таперо К.И. // Моделирование систем и процессов. 2012. Т. 4. С. 92-97.

199. Таперо К.И. Влияние структурных повреждений на кинетику накопления зарядов в структуре SI/SI02 / Таперо К.И. // Вестник Воронежского государственного технического университета. 2011. Т. 7. № 6. С. 209.

200. Беляева Т.П. Модель радиационных эффектов воздействия тяжелых заряженных частиц в КМОП-элементах микросхем / Беляева Т.П., Зольников К.В., Таперо К.И., Смерек В.А. // Программные продукты и системы. 2011. № 3. С. 4.

201. Демидась Г.В. Исследование деградации GAAS/GE солнечных элементов вследствие радиационно-индуцированных эффектов структурных повреждений / Таперо К.И., Демидась Г.В., Щемеров И.В. // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. 2011. № 3. С. 46-51.

202. Потапов И.П. Исследование воздействия тяжелых заряженных частиц на микросхемы / Таперо К.И., Потапов И.П. // Моделирование систем и процессов. 2008. № 3-4. С. 85-88.

203. Ачкасов A.B. Проектирование комплементарных микросхем с учетом статических видов радиации космического пространства. Монография / Ачкасов A.B., Зольников В.К., Таперо К.И. // Воронеж, 2006. 146с.

204. Емельянов В.В. Разработка и апробация методики испытаний мощных МДП-транзисторов на чувствительность к одиночным необратимым событиям при воздействии тяжелых заряженных частиц и протонов / Таперо К.И., Емельянов В.В., Удалов A.B. // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. 2004. № 3-4. С. 65.

205. Петросянц К.О. Макромодель EKV-RAD для КНИ/КНС МОП -транзисторов, учитывающая радиационные эффекты / Петросянц К.О. , Харитонов И.А., Самбурский Л.М., Адонин А.С. // Ьйр://пиет.Ь5е.ги/аа1а/2013/01/23/1306490252/8_Петрося1щ_ЕКу_гас1.раГ

206. Petrosyants К. Si BJT and SIGE НВТ performance modeling after neutron radiation exposure / Petrosyants K., Kozhukhov M., Vologdin E., Smirnov D., Torgovnikov R. // В сборнике: Proceedings of IEEE East-West Design and Test Symposium, EWDTS'2011 2011. C. 267-270.

207. Petrosyants K.O. SOI/SOS MOSFET compact macromodel taking into account radiation effects / Petrosyants K.O., Sambursky L.M., Kharitonov I.A., Yatmanov A.P. // Russian Microelectronics. 2011. T. 40. № 7. C. 457-462.

208. Самбурский Л.М. Компактная макромодель КНИ/КНС МОП -транзистора, учитывающая радиационные эффекты / Петросянц К.О., Самбурский Л.М., Харитонов И.А., Ятманов А.П. // Известия высших учебных заведений. Электроника. 2011. № 1(87). С. 20-28.

209. Орехов Е.В. Трехмерное моделирование радиационных токов утечки в субмикронных МОП - транзисторах со структурой Кремний - На -Изоляторе / Петросянц К.О., Орехов Е.В., Самбурский Л.М., Харитонов И. А., Ятманов А.П. // Известия высших учебных заведений. Электроника. 2010. №2(82). С. 81-83.

210. Ходош Л.С. Проблемы моделирования элементов БИС с субмикронными размерами / Петросянц К.О., Ходош Л.С. // Микроэлектроника. 1981. Т. 10. № 5. С. 387.

211. MIS and BIPOLAR transistor models for LSI circuitry calculations with regard for radiation effects / Petrosyants K.O., Kharitonov I.A. // Микроэлектроника. 1994. T. 23. № 1. С. 21-34.

212. Петросянц К.О. Моделирование работы цифровых устройств с помощью программы PSPICE. Учеб. пособие / К.О.Петросянц, И.А.Харитонов, А. Ю. Стародубов // М-во образования и науки Российской Федерации, Федеральное агентство по образованию,

Московский . гос. ин-т электроники и математики (технический ун-т). Москва, 2006.

213. Rjabov N.I. Quasi - 3D approach for BGA package thermal modeling / Petrosyants K.O., Rjabov N.I. // В сборнике: 18th International Workshop on Thermal Investigation of ICs and Systems, THERMINIC. 2012. C.l58-161.

214. Kharitonov I.A. Account for radiation effects in signal integrity analysis of PCB digital systems / Petrosjanc K.O., Kharitonov I.A. // В сборнике: Proceedings - 16th Euromicro Conference on Digital System Design, DSD. 2013. C. 479-482.

215. Bogatyrev V.N. Simulation of total dose influence on analog-digital SOI/SOS CMOS circuits with EKV-RAD macromodel / Petrosyants K.O., Kharitonov I.A., Sambursky L.M., Bogatyrev V.N., Povarnitcyna Z.M., Drozdenko E.S. // В сборнике: Proceedings of IEEE East-West Design and Test Symposium, EWDTS 2013. C. 667.

216. Торговников P.А. Особенности моделирования SIGE:C гетеропереходного биполярного транзистора / Петросянц К.О., Торговников Р.А. // Известия высших учебных заведений. Электроника.

2009. № 2 (76). С. 30-34.

217. Ширабайкин Д.Б. Анализ времени отказа межсоединений субмикронных СБИС / Петросянц К.О., Ширабайкин Д.Б. // Известия высших учебных заведений. Электроника. 2009. № 3 (77). С. 87-89.

218. Ятманов А.П. BSIMSOI-RAD - макромодель КНИ/КНС МОП -транзистора для схемотехнического расчета КМОП БИС с учетом радиационных эффектов / Петросянц К.О., Самбурский JI.M., Харитонов И.А., Ятманов А.П. / Известия высших учебных заведений. Электроника.

2010. № 5(85). С. 64-66.

219. Попов Д.А. Учет влияния температуры на радиационный сдвиг порогового напряжения МОП - транзистора в системе TCAD / Петросянц К.О., Попов Д.А. // Известия высших учебных заведений. Электроника. 2013. № 4 (102). С. 96-97.

220. Кожухов М.В. Влияние изохронного и изотермического отжига на процесс восстановления коэффициента усиления по току кремниевого биполярного транзистора, подвергнутого воздействию радиации /Петросянц К.О., Кожухов М.В., Смирнов Д.С. // Известия высших учебных заведений. Электроника. 2013. № 6 (104). С. 85-86.

221. Петросянц К.О. Математические модели, встроенные в систему TCAD, для учета влияния гамма- и нейтронного излучения на полупроводниковые приборы / Петросянц К.О., Кожухов М.В., Попов Д.А., Орехов Е.В. // Известия Южного федерального университета. Технические науки. 2012. № 6 (131). С. 77-82.

222. Петросянц К.О. Влияние различных видов радиации на характеристики кремний-германиевых гетеропереходных транзисторов / Петросянц К.О., Самбурский JI.M., Харитонов И.А. // Электронная техника. Серия 2: Полупроводниковые приборы. 2014. № 1 (232). С. 3-18.

223. Зависимость ширины запрещенной зоны в кремнии от температуры http://knowledge.a11best.ru/phvsics/2c0a65635b3bd68b5d43a89521206c26 O.h tml

224. Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия http://phvsic.kemsu.ru/ pub/librarv/learn_pos/Udin/xps.pdf

225. Космические лучи http://dic.academic.ru/dic.nsf/ruwiki/72440

226. Википедия http.7/ru.wikipedia.org/wiki

227. Приборно-технологическое моделирование эффекта саморазогрева в GaN НЕМТ htto://nanolab.gu-unpk.ru/regiona1/4/lectures/MNEiMS 2012

Turin GaN HEMT.pdf

228. Turin V.O. Electrothermal simulation of the self-heating effects in gan-bascd field-effect transistors / Turin V.O., Balandin A.A. // Journal of Applied Physics. 2006. T. 100. № 5. C.57-59.

229. Balandin A.A. Simulation of self-heating and temperature effect in gan-based metal-semiconductor field-effect transistor / Turin V.O., Balandin A.A.// Materials Research Society Symposium - Proceedings.2006.T.892. C. 289-294.

253

230. Turin V.O. Performance degradation of gan field-effect transistors due to thermal boundary resistance at gan/substrate interface / Turin V.O., Balandin A.A. // Electronics Letters. 2004. T. 40. № 1. C. 81-83.

231. Liu W.L. The ambient temperature effect on current-voltage characteristics of surface-passivated gan-based field-effect transistors / Liu W.L., Turin V.O., Balandin A.A., Chen Y.L., Wang K.L. // MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research. 2004. T. 9. C.37-41.

232. Татаршщев A.B. Воздействие ионизирующих излучений и импульсных магнитных полей на поверхностные свойства полупроводников. Автореферат дисс. на соиск. уч. ст. д.т.н. М.:ВГУ. 2006. 34с.

233. Christian С. Charge-based MOS Transistor Modeling The EKV model for low-power and RF 1С design / Christian C. Enz Eric A. Vittoz // John Wiley & Sons, Ltd. P.328.

234. Киргизова A.B. Расчётная оценка модуляции проводимости кремниевых резисторов на подложке А1203 / Киргизова А.В., Скоробогатов П.К., Поляков И.В. // Радиационная стойкость электронных систем. - «Стойкость-2005», вып.8. М. 2005. С.59-60.

235. Киргизова А.В. Экспериментальное исследование эффекта радиационно-индуцированной модуляции кремниевых резисторов на подложке А1203 / Киргизова А.В., Поляков И.В. // Радиационная стойкость электронных систем. -«Стойкость-2005»,вып.8.М.2005.С.60-61.

236. Ошаровская Е.В. Методы построения сеток в трёхмерных областях / Е.В. Ошаровская, Н.А. Патлаенко, В.И. Солодкая // ВосточноЕвропейский журнал передовых технологий 5/4 (53). 2011. С.8-11.

237. http://vandex.ru/clck/isredir?from=vandex.ru%3Bvandscarch%3Bwcb%3B %3B&text=&etext=577.se JKmluuUUqZLLsXbG3-4MGQ6ciZ6V15v3Nl kZ3 BjfrD-B4n6Kgc The EPFL-EKV MOSFET model equations for simulation.

238. Проектирование полосковых устройств. Учебное пособие. Ульяновск. 2001. http://electronix.ru/forum