Наноструктурированные пленки на основе аморфного гидрогенизированного кремния для оптоэлектроники тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.01, кандидат технических наук Селюженок, Надежда Андреевна

• Селюженок, Надежда Андреевна
• кандидат технических наук
• 2007

Оглавление диссертации кандидат технических наук Селюженок, Надежда Андреевна

Перечень условных обозначений и сокращений.

Введение.

Глава 1. Литературный обзор

1.1 Свойства аморфного гидрогенизированного кремния.

1.1.1 Структура и электронные свойства a-Si:H.

1.1.2. Оптические и фотоэлектрические свойства a-Si:H.

1.1.3.Электропроводность и транспорт носителей заряда в a-Si:H.

1.2. Получение пленок a-Si:H.

1.2.1 .Основные методы, используемые для формирования аморфных пленок.

- Метод распыления.

- Химическое осаждение из газовой фазы.

-Плазмохимическое осаждение.

1.2.2. Получение микрокристаллических и наноструктурированных пленок a-Si:H.

1.3. Люминесцентнтные свойства материалов на основе кремния.

1 АФотоприемные устройства на основе a-Si:H.

1.4.1. Фоторезисторы.

1.4.2. P-I-N фотодиод.

1.4.3. Фотодиоды с барьером Шоттки.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Наноструктурированные пленки на основе аморфного гидрогенизированного кремния для оптоэлектроники»

Монокристаллический кремний является основным материалом полупроводниковой микроэлектроники. Развитие тонкопленочной кремниевой технологии [1-4], в частности, разработка новых методов получения наноструктурированных тонких пленок аморфного гидрогенизированного кремния (a-Si:H), совместимых с технологией интегральных микросхем, открывает новые перспективы для создания более дешевых приборов и устройств с улучшенными параметрами для оптоэлектроники.

В настоящее время на основе a-Si:H изготавливают солнечные элементы, транзисторные матрицы управления в жидкокристаллических экранах, запоминающие устройства. При этом области применения a-Si:H непрерывно расширяются, что связано с возможностью создания на его основе фотоприемных и излучающих устройств, интегрированных в кремниевую технологию. Большой интерес вызывает явление люминесценции нанокристаллических включений кремния в инородной матрице [4,5] , в том числе в пленках a-Si:H. Спектр люминесценции нанокристаллитов кремния в видимой или ближней ИК областях зависит от размеров кристаллитов, что является прямым проявлением квантово-размерного эффекта. Кроме того, весьма перспективной представляется возможность использования наноструктурированных материалов в качестве матрицы для сенсибилизации люминесценции различных примесей, в частности эрбия [6,7]. Появляется возможность управлять эффективностью возбуждения эрбия, изменяя свойства матрицы, в которую он помещен, например, меняя ширину запрещенной зоны и плотность дефектов в ней, что достижимо при использовании структур с нановключениями. Вместе с тем, технологические способы формирования наноструктурированных пленок с возможностью контроля размеров и пространственного распределения нанокристаллических включений в полной мере не отработаны.

Известно, что более широкому использованию пленок a-Si:H препятствует их недостаточная временная стабильность при воздействии облучения. Одно из возможных решений этой задачи связано с применением новых подходов к технологии пленок a-Si:H суть которых в формировании нанопериодических слоистых структур с нанокристаллическими включениями. Установление взаимосвязи между условиями получения пленок a-Si:H, их структурными особенностями и электрофизическими свойствами имеет большой научный и практический интерес.

Таким образом, получение и исследование наноструктурированных тонких пленок аморфного гидрогенизированного кремния с нанокристаллическими включениями, обладающих высокой фоточувствительностью, стабильностью, излучательной способностью, является актуальной проблемой, решение которой позволит создать новые более эффективные оптоэлектронные приборы.

Научная новизна работы

1. Показано, что формирование наноструктурированных слоистых пленок a-Si:H методом циклического осаждения с периодом слоев менее 10 нм возможно при исключении переходных процессов, связанных с необходимостью замены газовой смеси и. обеспечении независимости этапов осаждения и промежуточного отжига.

2. Проведен анализ процессов образования и роста нанокристаллитов в пленках a-Si:H на стадии циклического осаждения и последующей термообработки в вакууме. Показано, что образцы с необходимой объемной долей и размером кристаллитов от 2 нм и более могут быть получены путем выбора режима термообработки слоистых пленок.

3. В полученных наноструктурированных пленках аморфного гидрогенизированного кремния обнаружена фотолюминесценция в видимой и ближней ИК областях спектра.

4. Проведен анализ механизмов переноса носителей заряда в наноструктурированных пленках a-Si:H. Показано, что уменьшение темновой проводимости, характерное для слоистых пленок a-Si:H, связано с большей концентрацией водорода в слоях, сформированных при обработке в водородной плазме.

Практическая ценность работы

1. Разработана конструкция и создана установка для формирования наноструктурированных пленок a-Si:H методом циклического осаждения, обеспечивающая проведение процессов осаждения и отжига в двух квазизамкнутых объемах и позволяющая получать пленки с периодом слоев от 2 нм и более.

2. Продемонстрирован способ формирования пленок a-Si:H с возможностью контроля размера нанокристаллических включений кремния от 2 нм и выше, что представляет интерес для создания источников излучения в видимой и ближней ИК областях спектра, а также для дальнейших научных исследований наноразмерных объектов на основе кремния и построения модельных представлений об их поведении.

3. Сформированы и исследованы фотоприемные устройства на основе наноструктурированных пленок a-Si:H, обладающие повышенной фоточувствительностью и большей стойкостью к воздействию внешних факторов. Показаны возможности улучшения стабильности свойств аморфного гидрогенизированного кремния при использовании метода циклического осаждения в сочетании с дополнительной термообработкой в вакууме.

4. Рассмотрена возможность использования люминесцентных свойств пленок a-Si:H с нанокристаллическими включениями и наноструктурированных пленок, легированных эрбием, в качестве материала для полупроводниковых излучателей.

5. Результаты диссертационной работы были использованы при подготовке отчетов по следующим НИР, выполнявшимся на кафедре микроэлектроники:

- Т02 - 02.2 - 1424 «Нанокристаллический гидрогенизированный кремний для фоточувствительных и люминесцентных структур», 2003-2004 гг;

- Грант Санкт-Петербурга в сфере научной и научно-технической деятельности «Синтез наноструктурированных тонкопленочных систем с новыми фундаментальными свойствами», 2004 г;

- ВНП «Развитие научного потенциала высшей школы» Рособразования: код проекта №75112 «Развитие технологии и диагностики нанокомпозитов и наноструктур с целью создания телекоммуникационных информационных и сенсорных устройств нового поколения», 2005 г;

- ВНП «Развитие научного потенциала высшей школы» Федерального агентства по образованию РФ: код проекта РНП.2.1.2.1716, «Исследование квантово-размерных эффектов в широкозонных полупроводниковых материалах и наноструктурах», 2006-2007 гг;

Научные положения, выносимые на защиту

1. Формирование нанокристаллитов размером 2 нм и более в пленках наноструктурированного аморфного гидрогенизированного кремния достигается за счет уменьшения периода слоистой структуры при использовании двух квазизамкнутых объемов в циклическом методе осаждения и последующей термообработки в вакууме.

2. Повышение эффективности эрбиевой фотолюминесценции в пленках a-Si:H, содержащих нанокристаллиты, по сравнению со стандартным аморфным гидрогенизированным кремнием, легированным эрбием достигается за счет подавления эффектов девозбуждения ионов эрбия и уменьшения безызлучательной рекомбинации в нанокристаллитах

3. Высокая фоточувствительность пленок аморфного гидрогенизированного кремния, полученных методом циклического осаждения, связана с уменьшением темновой проводимости за счет формирования высокоомных областей, а также с уменьшением плотности состояний в щели подвижности.

Аппробация результатов работы

Основные результаты докладывались и обсуждались на следующих конференциях и семинарах:

IV-ой и V-ой Международных конференциях «Аморфные и микрокристаллические полупроводники» ( Санкт-Петербург, 5-7 июля 2004г), Санкт-Петербург, 19-21 июня 2006г);

Всероссийском совещании по температуроустойчивым функциональным покрытиям. (Санкт-Петербург, 15-17 апреля 2003 года);

Всероссийской межвузовской научно-технической конференции студентов и аспирантов «Микроэлектроника и информатика - 04» (Зеленоград, 21-23 апреля , 2004г.);

Международной научно-технической конференции «Молодые ученые 2005» (Москва, МИРЭА-2005);

Юбилейной 60-ой научно технической конференции, посвященной Дню радио (Санкт-Петербург, апрель 2005 г.);

4. 6, 8 и 9 научных молодежных школах по твердотельной электронике: «Наноматериалы, нанотехнологии, наноструктуры и методы их анализа.» (Санкт-Петербург, 20-22 ноября 2001 г.), «Микро и нанотехнология» (Санкт-Петербург, 17-18 мая 2003 г.), Актуальные аспекты нанотехнологии» (Санкт-Петербург, 27-29 мая 2005 г.), «Нанотехнология и нанодиагностика» (Санкт-Петербург, 27-28 мая 2006 г.); ежегодных научно-технических конференциях профессорско-преподавательского состава СПбГЭТУ «ЛЭТИ» (2001-2007 гг.).

Заключение диссертации по теме «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника на квантовых эффектах», Селюженок, Надежда Андреевна

Основные выводы работы сводятся к следующему:

1. Разработан модифицированный метод циклического осаждения, обеспечивающий возможность получения наноструктурированных пленок с периодом слоистой структуры от 2 нм и более.

2. Отработана технология управляемого получения наноструктурированных пленок a-Si:H определенного периода слоистой структуры в диапазоне 2 - 30 нм.

3. Показано, что объемная доля и размер нанокристаллитов зависит от периода слоистой структуры и режима последующей термообработки в вакууме, так как рост нанокристаллических включений в слоистых пленках a-Si:H сдерживается интерфейсами с повышенным содержанием водорода.

4. Установлено, что наноструктурированные пленки на основе a-Si:H проявляют фотолюминесцентные свойства в видимой и ближней ИК областях спектра. Положение пика фотолюминесценции зависит от размера нанокристаллитов, а его сдвиг в диапазоне 0,7-0,8 мкм может быть обеспечен путем изменения периода слоистой структуры при формировании пленок циклическим методом.

5. Эффективность эрбиевой люминесценции в пленках a-Si:H, содержащих нанокристаллические включения, по сравнению со стандартным a-Si:H, возрастает за счет подавления эффекта девозбуждения ионов эрбия, находящихся вблизи нанокристаллов, а также большего структурного совершенства, приводящего к уменьшению безызлучательной рекомбинации носителей.

6. Исследованы электрофизические свойства полученных пленок а-Si:H. Показано, что повышенные значения фоточувствительности достигаются за счет уменьшения темновой проводимости.

7. Выбор оптимального режима термообработки в вакууме позволяет повысить временную стабильность параметров структуры, и, следовательно, качество фотоприемных устройств на основе наноструктурированных пленок a-Si:H.

8. Показана возможность изготовления на основе нанослоистых пленок a-Si:H фотоприемников с высокой фоточувствительностью и излучателей при температурных режимах, обеспечивающих совместимость с кремниевой технологией.

5. Заключение

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Селюженок, Надежда Андреевна, 2007 год

1. Murday, J.S. Nanoscience and its relationship to the AVS/ J.S. Murday//J.Vac.

2. Sci.Technol. 2003. - A.21(5). -P. 191-193.

3. Bonnell, D.A. Materials in nanotechnology: New structures, new properties,new complexity/ D.A.Bonnell // J.Vac. Sci.Technol. 2003. - A.21(5). -P. 194-206.

4. Marrian, C.R. Nanofabrication/ Christie R. K. Marrian, Donald M. Tennant //

5. J.Vac. Sci.Technol. -2003. A.21(5). -P. 207-215.

6. Itoh, T. Characterization and role of hydrogen in nc-Si:H/ T. Itoh,

7. K.Yamamoto, K. Ushikoshi, S. Nonomura, S. Nitta // J. Non-Crystalline Solids.- 2000,- V. 266-269.- P. 201-205.

8. Heitman, J. Si-doped luminescence gratings/ J. Heitman, J.C. McCallum, J.

9. Meijer, A. Stephan, T. Butz, M. Zacharias // Nuclear instruments and methods in physics researsh, B. 2001. -V. 181. - P.263-267.

10. Емельянов, В.И. Сверхлюминесценция Ег3+ в матрице аморфного кремния

11. Емельянов В.И., Каменев Б.В., Кашкаров П.К., Константинова Е.И., Тимошенко В.Ю., Теруков Е.И., Бреслер М.С., Гусев О.Б.// ФТП. 2000. -Т.42, вып. 8.-С.1372-1375.

12. Fujii, М. 1.54 jim photoluminescence of Er3+ doped into Si02 films containing

13. Si nanocrystals: Evidence for energy transfer from Si nanocrystals to Er3+ /М. Fujii, M. Yoshida, Y. Kanzava, S. Hayashi, K. Yamamoto,//Appl. Phys. Lett. -1997.-V. 71.-P. 1198-1200.

14. Меден, А. Физика и применение аморфных полупроводников/ А. Меден,

15. М. Шо. М.: Мир, 1991.-410 с.

16. Забродский, А.Г. Электронные свойства неупорядоченных систем/

17. А.Г.Забродский, С.А. Немов, Ю.И.Равич. СПб.: Наука, 2000г. - 72 с.

18. Хохлов, А.Ф. Аллотропия кремния/ А.Ф. Хохлов, А.И. Машин // монография-Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, 2002г.

19. Айвазов, А.А. Неупорядоченные полупроводники: учебное пособие / А.А. Айвазов, Б.Г. Будагян, С.П. Вихров, А.И. Попов. М.: МЭИ, 1995.-352с.

20. Андреев, А.А. Фотоэлектрические явления в аморфном гидрогенизированном кремнии и преобразователи солнечной энергии/ А.А. Андреев, И.С. Шлимак //Фотоприемники и фотопреобразователи. -Л.: Наука, 1986.-С. 222- 252.

21. Хохлов, А.А. Проводимость и край поглощения аморфного силицина/ А.А. Хохлов, А.П. Машин // ФТП.- 1999. Т. 33, вып.11.- С. 1384-1387.

22. Cavalcoli, D. Micro- and nano-structures in silicon studied by DLTS and scanning probe methods D. Cavalcoli, A. Cavallini, M. Rossi, S. Pizzini // ФТП. 2007. - T. 41, вып.4. - C.435-440.

23. Belkhir, M.A. Structure and electronic property of medium-sized silicon clusters / M.A. Belkhir, S. Mahtout, I. Belabbas, M. Samah //Physica E. -2006.-V. 31.- P. 86-92.

24. Галашев, A.E. Компьютерное изучение физических свойств наноразмерных кремниевых структур/ А.Е. Галашев, И.А. Измоденов А.Н. Новрузов, О.А. Новрузова // ФТП.- 2007. Т.41, вып.2. -С. 196202.

25. Физика гидрогенизированного кремния/ под ред. Дж. Джоунопулоса, Дж. Люковски. -М.: Мир, 1988. 363 с.

26. Аморфные полупроводники/ Под ред. М.Бродски. М: Мир, 1982. -414 с.

27. Стриха, В.И. Солнечные элементы на основе контакта металл -полупроводник/ В.И. Стриха, С.С. Кильчицкая. СПб.: Энергоатомиздат, 1991.- 136с.

28. Атаев, Ж. Фоточувствительность p-i-n структур и структур с барьером Шоттки на основе a-Si:H в УФ области излучения/ Ж. Атаев, В.А. Васильев, А.С. Волков, М.М. Мездрогина, Е.И. Теруков // ЖТФ. -1990.-Т.16, вып.1.-С. 47-50.

29. Атаев, Ж. Фотоэлектрические свойства пленок a-Si:H и структур на их основе в УФ области спектра/ Ж. Атаев, В.А. Васильев, А.С. Волков// ФТП.-1991. -Т.25, вып 8. С.1350-1354.

30. Аморфный кремний и родственные материалы: Пер. с англ./ Под ред. X. Фридше.-М.: Мир, 1991.-544 с.

31. Su, Т. A hydrogen-related defect and the Staebler-Wronski effect in hydrogenated amorphous silicon/T. Su , P.C. Taylor, G. Ganguly, D.E. Carlson // J. Non-Crystalline Solids. 2004. - V. 338-340.- P. 357-360.

32. Shimizu, S. Fabrication of hydrogenated amorphous silicon films exibiting higher stability against light soaking/ S. Shimizu, H. Miyahara , M. Kondo, A. Matsuda // J. Non-Crystalline Solids. -2004,- V.338-340.- P. 47-50.

33. Hazar, S. Nanocrystalline silicon as intrinsic layer in thin film solar cells S. Hazar, S. Ray // Solid State Comunications. -1998. V. 109.- P. 125-128.

34. Longeaud, C. Properties of a new a-Si:H-like material: hydrogenated polymorphous silicon/ C. Longeaud, J.P. Kleider, P. Roca i Cabarrocas, S. Hamma, R. Meaudre, M. Meaudre // J. Non-Crystalline Solids. 1998. -V.96.- P. 227-230.

35. Голикова, O.A. Пленки аморфного гидрогенизированного кремния с повышенной фоточувствительностью/ О.А. Голикова, М.М. Казанин //ФТП- 1999,-Т. 33, вып. 1.-С. 110-113.

36. Concari, S.B. Hopping mechanism of electric transport in intrinsic and p-doped nanocrystalline silicon thin films/ S.B. Concari , R.H. Buitrago // J. Non-Crystalline Solids.-2004. V. 338-340. - P. 331-335.

37. Аржанникова, C.A. Особенности электропролводности легированных пленок a-Si:H с нанокристаллитами кремния/ С.А. Аржанникова, М.Д. Ефремов, Г.Н. Камаев, А.В. Вишняков, В.А. Володин // ФТП.- 2005. Т. 39, вып. 4. - С.472-478.

38. Рябчиков, Ю.В. Перенос носителей заряда в структуре с кремниевыми нанокристаллитами внедренными в оксидную матрицу/ Ю.В. Рябчиков, П.А. Форш, Э.А. Лебедев, В.Ю. Тимошенко// ФТП. -2006. Т. 40, вып. 9. - С. 1079-1081.

39. Кукушкин, С.А. Процессы конденсации тонких пленок/ С.А. Кукушкин, А.В. Осипов // Успехи физических наук,-1998. Т. 168, вып. 10.-С. 1083-1116.

40. Кукушкин С.А., Слезов В.В. Дисперсные системы на поверхности твердых тел: механизмы образования тонких пленок (эволюционный подход)/ С.А. Кукушкин, В.В. Слезов. -СПб.: Наука, 1996.

41. Мильвидский, М.Г. Полупроводниковый кремний на пороге XXI века / М.Г. Мильвидский // МЭТ.- 2000.- Вып. 1. С. 3-10.

42. Niikura, С. Preparation of microcrystalline silicon films at ultra high-rate of lOnm/s using high-density plasma/ C. Niikura, M. Kondo, A. Matsuda// J. Non-Crystalline Solids. 2004. - V. 338-340. - P. 42-46.

43. Hu, Z. Hydrogenated p-type nanocrystalline silicon in amorphous silicon solar cells/ Z. Hu , X. Liao, H. Diao, Yi Cai, S. Zhang, E. Fortunato, R. Martins// J. Non-Crystalline Solids.- 2006.- V. 352, iss. 9. P. 1900-1903.

44. Fujiwara, H. Nucleation mechanism of microcrystalline silicon from the amorphous phase / H. Fujiwara, M. Kondo, A. Matsuda//J. Non-Crystalline Solids.-2004. V. 338-340. - P. 97-101.

45. Kasouit, S. Contribution of plasma generated nanocrystals to the growth of microcrystalline silicon thin films/ S. Kasouit , J. Damon-Lacoste, R. Vanderhaghen, P. Roca i Cabarrocas // J. Non-Crystalline Solids. 2004. - V. 338-340. P. 86-90.

46. Kail, F. Hydrogen diffusion and induced-crystallization in intrinsic and doped hydrogenated amorphous silicon films/ F. Kail, T, A. Hadjadj, P. Roca i Cabarrocas //Thin Solid Films. -2005. V. 487. - P. 126- 131.

47. Trofimov, V.I. The effect of finite film thickness on the crystallization kinetics of amorphous film and microstructure of crystallized film/ V.I. Trofimov, I. V. Trofimov, Jong-Il Kim //Thin Solid Films. 2006. -V. 495. -P.398 -403.

48. Bailat, J. Simulation of the growth dynamics of amorphous and microcrystalline silicon/ J. Bailat, E. Vallat-Sauvain, A. Vallat, A. Shah. //J. Non-Crystalline Solids. 2004. - V. 338-340. - P. 32-36.

49. Binetti, S. Nanocrystalline silicon films grown by low energy plasma enhanced chemical vapor deposition for optoelectronic applications/ S. Binetti, M. Acciarri, M. Bollani, L.Fumagalli, S. Pizzini // Thin Solid Films. -2005. -V. 487.-P. 19-25.

50. Chaabane, N. Trapping of plasma produced nanocrystalline Si particles on a low temperature substrate/ N. Chaabane, P. Roca i Cabarrocas, H. Vach // J. Non-Crystalline Solids. 2004. - V. 338-340. - P. 51-55.

51. Foncuberta i Morral, A. In situ investigation of polymorphous silicon deposition/ A. Foncuberta i Morral, R. Brenot, E.A.G. Hamera, R. Vanderhaghen, P. Roca i Cabarrocas // J. Non-Crystalline Solids. 2000. - V. 266-269.-P. 48-53.

52. Ferreira, G.M. Kinetics of silicon film growth and the deposition phase diagram/ G.M. Ferreira, A.S. Ferlauto, C. Chen, R.J. Koval, J.M. Pearce, C. Ross, C.R. Wronski, Robert W. Collins. // J. Non-Crystalline Solids.-2004. -V. 338-340.-P. 13-18.

53. Shim, J.-H. Nanostructural and optical features of hydrogenated nanocrystalline silicon films prepared by aluminium-induced crystallization/ J.-H. Shim , Seongil Im, Youn Joong Kim, N.-H. Cho//Thin Solid Films. -2006.-V. 503.-P. 55 -59.

54. Won Chel Choi. Role of Hydrogen in the Photoluminescence and the Formation of Nanocrystalline Silicon/ Won Chel Choi, Chun Keun Kim, Eun Kyu Kim.//J. Korean Physical Society.- 2000. V. 36, iss. 1. - P. 23-28.

55. Geohegan, D.B. Photoluminescence from gas-suspended SiOx nanoparticles synthesized by laser ablation/ D.B. Geohegan , A.A. Puretzky, G. Duscher, S.J. Pennycook //Appl. Phis. Lett. V. 73, iss. 4. - P 438-440.

56. Sameshima, T. Pulsed laser crystallization of very thin silicon film/ T. Sameshima, H. Watakabe, N. Andoh, S. Higashi // Thin Solid Films. 2005. -V. 487.-P. 63-66.

57. Sameshima, T. Pulsed laser crystallization of silicon-germanium films/ T. Sameshima, H. Watakabe, N. Andoh, S. Higashi // Thin Solid Films. 2005. -V. 487.-P. 67-71.

58. Park, S. J. Selective crystallization of amorphous silicon thin film by a CW green laser/ Seong Jin Park, Yu Mi Ku, Eun Hyun Kim, Jin Jang, Ki Hyung Kim, Chae Ok Kim. // J. Non-Crystalline Solids. 2006. - V. 352, iss. 9-20. -P. 993-997.

59. Качурин, Г.А. Роль азота в формировании люминесцентных кремниевых нанопреципитатов при отжиге слоев Si02, имплантированных ионами Si/ Г.А. Качурин, С.Г. Яновская, К.С. Журавлев, М.О. Rualt // ФТП. -2001. Т. 35, вып. 10. - С. 1235-1239.

60. Качурин, Г.А. Влияние имплантации ионов Р на фотолюминесценцию нанокристаллов Si в слоях SiC>2 / Г.А. Качурин, С.Г. Яновская, Д.И. Тетельбаум, А.Н. Михайлов//ФТП. 2003ю - Т. 37, вып. 6. - С.738-742.

61. Kai Chen, Kunji Chen *, Lin Zhang, Xinfan Huang. The constrained growth of uniform nc-Si grains from a-SiNx/a-Si:H/a-SiNx: mechanism and experiments//Journal of Non-Crystalline Solids 338-340 (2004) 131-134

62. Блонский, И. В. Влияние неоднородности структуры на люминесцентные свойства кремниевых нанокристаллитов/ И. В. Блонский, М.С. Бродин, А.Ю. Вахнин, А.Я. Жугаевич, В.Н. Кадан, А.К. Кадащук// Физика низких температур, 2002.- Т. 28, вып. 8.- С. 978-987.

63. Dolgova, T.V. Second-harmonic spectroscopy of electronic structure of Si/Si02 multiple quantum wells/ T.V. Dolgova, V.G. Avramenko, A.A. Nikulin, G. Marowsky, A.F. Pudonin// Appl. Phys. B. 2002. - V. 74. - P. 671-675.

64. Yanga, Y. Photoluminescence and growth mechanism of amorphous silica nanowires by vapor phase transport/ Y. Yanga, B.K. Taya, X.W. Suna,, H.M. Fanb, Z.X. Shenc //Physica E. 2006. - V. 31. - P. 218-223.

65. Голубев, В.Г. Фотолюминесценция тонких пленок аморфно-нанокристаллического кремния/ В.Г. Голубев, А.В. Медведев, А.Б. Певцов, А.В. Селькин, Н.А. Феоктистов.// ФТТ. 1999. - Т. 41, вып. 1. -С. 153-158.

66. Liu, X.-N. Phooluminescence of nanocrystallites embedded in hydrogenated amorphous silicon films/ X.-N. Liu, S. Njng, L.-C.Wang, G.-X. Chen, X.-M. Bao.// J.Appl.Phys. 1995. - V. 78. - P. 6193-6198.

67. Hasra S. Nanocrystalline silicon as intrinsic layer in thin film solar cells/ S.Hasra, S.Ray. // Solid State Communications. 1999. - V.109, iss. 2. - P. 125-128.

68. Zacharias, M. Nanocrystalline silicon superlattices: fabrication and characterization/ M. Zacharias, L. Tsybeskov , K.D. Hirschman, P.M. Fauchet, J. Biasing, P. Kohlert, P. Veit //. J. Non-Crystalline Solids. 1998. -V. 227-230.-P. 1132-1136.

69. Chen, K. Comparison between light emission from Si/SiNx and Si/SiC>2 multilayers: role of interface states/ K. Chen, Z. Ma, X. Huang, J. Xu, W. Li,Y. Sui, J. Mei, D, Zhu //J. Non-Crystalline Solids. 2004. - V. 338-340. -P. 448-451.

70. Ternon, C. Si/SiCb multilayers: synthesis by reactive magnetron sputtering and photoluminescence emission/ C. Ternon, F. Gourbilleau, R. Rizk, C. Dufour // Physica E. 2003. - V. 16, iss. 3-4. - P. 517-522.

71. Wang, L. Preparation and time resolution photoluminescence of a-SiCx:H/nc-Si:H multi-layers at room temperature/ L. Wang , Y.E. Zhaoa, F.L. Zhao, M.M. Wu, D. Chen // Thin Solid Films. 2006. - V. 496. - P. 566 -570.

72. Мездрогина, M.M. Формирование оптически активных центров в аморфном гидрогенезированном кремнии при легировании эрбием/ М.М. Мездрогина, М.П. Аннафезова, Е.И. Теруков, И.Н. Трапезникова// ФТП. 1999. - Т. 33, вып. 10. - С. 1260-1263.

73. Terukov, E.I. Erbium incorporation in plasma-deposited amorphous silicon/ E.I. Terukov, O.I.Konkov, V.Kh. Kudoyarova, K.V. Koughia, G. Weiser, H.Kuhne, J.P. Kleider, C. Longeaud //J. Non-Crystalline Solids.2000.-V. 266-269.-P. 614-618.

74. Bresler, M.S. Simulated emission in erbium doped silicon structures under optical pumping/M.S. Bresler, O.B.Gusev, E.I. Terukov, I.N.Yassievich, B.P. Zakharchenya, V,Yu. Timoshenko// Materials Science and Engineering.2001.-V.81.-P. 52-55

75. Теруков, Е.И. Фотолюминесценция эрбия в аморфном гидрогенизированном кремнии, легированном фосфором/ Е.И. Теруков, А.Н. Кузнецов, Е.О. Паршин, G. Weiser, Н. Kuehne // ФТП. 1997. - Т. 31, вып. 7.-С. 869-871.

76. Коньков, О.И. Проводимость и структура пленок аморфного гидрогенизированного кремния, легированного эрбием/ О.И. Коньков, Е.И. Теруков, Л.С. Границына// ФТП. 2002. - Т.36, вып.11. - С Л 3321336.

77. Бирюков, А.В. Плотность состояний в щели подвижности аморфного гидрированного кремния, легированного эрбием/ А.В. Бирюков, А.Г.Казанский, Е.И.Теруков, К.Ю. Хабарова.// ФТП. 2005. - Т. 39, вып. 3. - С.369-371.

78. Теруков, Е.И. Электролюминесценция эрбия в p-i-n структурах на основе аморфного гидрогенизированного кремния/ Е.И. Теруков, О.Б. Гусев, О.И. Коньков, Ю.К. Ундалов, М. Stutzmann, A. Janotta, Н. Mell, J.P. Kleider // ФТП. 2002.-Т. З6,вып.5.-С. 1323-1326.

79. Мастеров, В.Ф. Примесные атомы эрбия в кремнии/ В.Ф. Мастеров, Ф.С. Насрединов, П.П. Серегин, М.М. Мездрогина, Е.И. Теруков // ФТП. 1998. - Т. 32, вып. 6. - С. 708-711.

80. Xu, F. Photoluminescence of erbium-oxygen-codoped silicon multilayers prepared by molecular beam epitaxy/ F. Xu, Y. Fan, Z. Jiang. // Thin Solid Films. 2006. - V. 496.- P. 500 - 504.

81. Аморфные полупроводники и приборы на их основе: Пер. с англ./ Под ред. Хамакавы И. М.: Металлургия. - 1986. - 376 с.

82. Анисимова, И.Д. Полупроводниковые фотоприемники: УФ , видимый и ближний ИК диапазон спектра/ И.Д. Анисимова, И.М. Викулин, Ф.А. Заитов.- М.: Радио и связь. 1984. - 276 с.

83. Средин, В.Г. Полупроводниковые приемники ультрафиолетового излучения/ В.Г. Средин, В.М. Укроженко// ЗЭТ. 1983. - Т.261, вып.З. -С. 96-114.

84. Зи, С. Физика полупроводниковых приборов. В 2-х книгах. Кн. 2. Пер. с англ./ С. Зи. М.: Мир. - 1984. - 455 с.

85. Афанасьев, В.П. Формирование фотопреобразовательных структур на основе a-Si:H/ В.П. Афанасьев, А.А. Лязгунов, А.П. Сазанов //Петербургский журнал электроники. 1995. - вып. 2. - С. 7-16.

86. Raniero, L. Study of nanostructured/amorphous silicon solar cell by impedance spectroscopy technique/ L. Raniero, E. Fortunato, I. Ferreira, R. Martins// J. Non-Crystalline Solids. 2006. - V. 352, iss. 9-20. - P. 18801883.

87. Santos, P.V. Trap-limited hydrogen diffusion in a-Si:H/ P.V. Santos, W.B. Jackson // Phys. Rev. B. 1992. - V. 46. - P. 4595-4606.

88. Jackson, W.B. Hydrogen transport in amorphous silicon / W.B. Jackson C.C. Tsai // Phys. Rev. B. 1992. - V. 45. - P. 6564-6579.

89. Афанасьев, В.П. Формироване наноструктурированных пленок аморфного гидрогенизированного кремния для оптоэлектроники/ В.П. Афанасьев, НА. Селюженок // Известия СПбГЭТУ "ЛЭТИ", Сер. Физика твердого тела и электроника.- 2006.- Вып. 2- С. 20-25.

90. Takeoka, S. Size-dependent photoluminescence from surface-oxidized Si nanocrystals in a weak confinement regime/ S. Takeoka, M. Fujii, S. Hayashi // Phys. Rev. В 2000. - V. 62. - P. 16820-16825.

91. Toyama, T. Optical transitions in light-emitting nanocrystalline silicon thin films/ T.Toyama, Y.Kotani, A. Shimode, S. Abo, H. Okamoto // Mat.Res.Soc.Symp.Proc. 1999.-V.-557.-P. 469-474

92. Афанасьев, В.П., Исследование механизмов токопереноса в слоистых пленках a-Si:H/ В.П. Афанасьев, Н.А. Селюженок // Юбилейная 60-я научно техническая конференция, посвященная Дню радио: Сб. матер, конференции, Санкт-Петербург, апрель 2005.-С.-169