Молекулярные проводники в матрице эпоксидиановой смолы: формирование, исследование, приложения тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.01, кандидат технических наук Хартов, Станислав Викторович

• Хартов, Станислав Викторович
• кандидат технических наук
• 2008

Оглавление диссертации кандидат технических наук Хартов, Станислав Викторович

Оглавление.

Введение.

Глава X. Состояние вопроса по созданию элементной базы молекулярной электроники.

1.1. Одиночные молекулы в роли активных элементов электроники.

1.2. Подходы к интеграции молекулярных функциональных элементов.

1.3. Перспективные архитектуры молекулярной электроники.

1.3.1. Квантово-точечные клеточные автоматы.

1.3.2. Коммутированные массивы.:.

1.3.3. Архитектура NanoCell.

Выводы по главе 1.

Глава 2. Молекулярные проводники сформированные в матрице эпоксидиановой смолы.

2.1. Эпоксидиановая смола - хороший диэлектрик или прекрасный проводник?.

2.2. Численное моделирование молекулы эпоксидиановой смолы.

2.3. Условия организации молекулярного проводника.

2.4. Исследование туннельных зондов различных типов по критерию выполнения условий формирования молекулярного проводника.

2.4.1. Платино-иридиевые зонды приготовленные механическим методом.

2.4.2. Вольфрамовые зонды приготовленные электрохимическим методом.

2.4.3. «Гибридные» туннельные зонды.

2.5. Баллистический транспорт в молекулярных проводниках.

2.5.1. Термическое переключение проводимости молекулярного проводника.

2.5.1.1. Молекулярный проводник в отвержденной матрице.

2.5.1.2. Однородный нагрев матрицы.

2.5.1.3. Нагрев приэлектродных слоев матрицы.

2.5.2. Предельный ток проводимости молекулярного проводника и зависимость его сопротивления от длины.

Выводы по главе 2.

Глава 3. Пленарные молекулярные проводники.

3.1. Проблема получения молекулярного проводника между предварительно сформированными планарными электродами.

3.2. Преимущества углеродных нанотрубок в качестве электродов.

3.3. Создание структур с электродами на основе УНТ.

3.4. Формирование молекулярного проводника между

УНТ электродами.

3.5. Модуляция и выключение проводимости планарного молекулярного проводника электрическим полем затвора.

3.6. Модель электронного транспорта в молекулярном проводнике.

3.6.1. Применимость известных моделей.

3.6.2. Модель квантового провода.

3.6.2.1. Геометрические характеристики квантовых проводов.

2.5.1.2. Основные расчетные соотношения.

2.5.1.3. Типы статических вольтамперных характеристик квантовых проводов.

2.5.1.3. Сравнение расчётных вольтамперных характеристик с экспериментальными данными.

3.7. О возможности перехода к интегральному исполнению функциональных элементов на основе молекулярных проводников в полимерной матрице.

Выводы по главе 3.

Глава 4. Проводящий композитный материал на основе молекулярных проводников.

4.1. Концепция композитного материала.

4.2. Соблюдение условия отсутствия перколяции.

4.3. Переход композита в проводящее состояние.

4.4. Напряжённость структурирующего электрического поля.

4.5. Удельная проводимость композита.

4.5.1. Сравнение с удельной проводимостью дискретного элемента.

4.5.2. Механизмы ограничения проводимости.

4.5.3. Композит малой протяжённости.

4.6. Отверждённый композит.

4.7. Альтернативные способы обеспечения условий формирования молекулярных проводников.

4.8. Тонкоплёночный композит.

Выводы по главе 4.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Молекулярные проводники в матрице эпоксидиановой смолы: формирование, исследование, приложения»

Актуальность диссертационной работы

В основе сегодняшних успехов традиционной кремниевой электроники лежат колоссальные усилия, предполагающие миллионы человеко-часов работы и триллионы долларов инвестиций. В связи с этим внедрение принципиально новой технологии, предполагающей замещение сложившейся полупроводниковой' 1 индустрии, представляется задачей далёкой от практической реализации. С другой стороны, рассчитывать на то, что технология полувековой давности, уже сегодня испытывающая затруднения в удовлетворении возрастающих требований, будет и в будущем продолжать оставаться основной технологией, вряд ли возможно. Чтобы разрешить данное противоречие необходимо разработать новую технологию, которая, фокусируясь на слабых сторонах кремниевой технологии, будет использовать её сильные стороны. Такая технология обеспечит переход от «замещающей» стратегии проникновения к «дополняющей», при которой на начальном этапе будут создаваться продукты для отдельных ниш рынка, удовлетворяющие критерию совместимости с традиционными устройствами кремниевой микроэлектроники. По ходу совершенствования новой технологии данный процесс будет расширяться, вплоть до своего логического завершения - перехода к новой индустрии электроники. На настоящий момент существуют определённые предпосылки к тому, что это будет индустрия молекулярной электроники (значительную часть актива которой, безусловно, составят достижения традиционной микроэлектронной технологии).

Молекулы являются продуктом процессов самоорганизации. Сумев применить их в качестве функциональных элементов, можно получить идеальную воспроизводимость последних. Уже сейчас в небольшом реакторе может быть синтезирован один моль молекулярных переключателей, что больше, чем суммарное количество транзисторов, сделанных за всю историю. При этом данные переключатели будут обладать высокой идентичностью, вплоть до полной их неразличимости. Другое преимущество подхода использования молекул в качестве активных элементов заключается в их впечатляющем многообразии и функциональности. Существует чрезвычайно большое количество сложных молекул, и их разнообразные химические' и электронные функции открывают много новых возможностей.

Естественно, что решая краеугольные проблемы кремниевой микроэлектроники, молекулярная электроника ставит свои специфические задачи, такие как формирование выводов к молекулам, адресация отдельных молекул, обеспечение сохранения уровня сигнала и др. Однако следует отметить, что последние успехи в области молекулярной электроники, связанные с синтезом новых молекул, применением процессов самоупорядочивания, разработкой новых, адаптированных под молекулярную электронику, архитектур, послужили убедительным ответом на многие замечания скептиков. На рынок стали выходить start-up компании, специализирующиеся в области молекулярной электроники. Пока основное направление деятельности таких компаний заключается в привлечении средств инвесторов для осуществления НИОКР, а также в опережающем оформлении интеллектуальной собственности. Однако есть и такие, которые как, например компания Nantero, объявили о начале открытого лицензирования разработанной ими технологии [1]. В России в области молекулярной электроники также имеется ряд результатов мирового уровня. Отставание в ещё только формирующейся и акцентированно наукоемкой области далеко не столь значительно, как в случае традиционной кремниевой электроники. В свете сказанного актуальность исследований направленных на создание перспективной элементной базы молекулярной электроники представляется несомненной.

Цель работы и задачи

Целью диссертационной работы являлось установление свойств молекулярных проводников, выявление закономерностей их формирования в матрице эпоксидиановой смолы, исследование приложений структур данного типа в задачах электроники и материаловедения.

Для достижения данной цели были поставлены следующие задачи:

1. Провести численное моделирование молекулы эпоксидиановой смолы.

2. Выявить условия, при которых происходит формирование молекулярного проводника в матрице эпоксидиановой смолы.

3. Исследовать требования к электродам молекулярного проводника и найти подходы к формированию таких электродов.

4. Выявить механизм электронного транспорта в исследуемых молекулярных проводниках.

5. Разработать методы формирования экспериментальных структур, позволяющих исследовать поведение молекулярного проводника в поперечном электрическом поле.

6. Исследовать поведение структур на основе планарных молекулярных проводников в поперечном электрическом поле.

7. Разработать и реализовать концепцию композитного материала на основе молекулярных проводников.

Научная новизна работы

В ходе проведенных исследований впервые были получены следующие результаты:

1. Выявлена совокупность ключевых факторов, определяющих формирование молекулярного проводника в матрице эпоксидиановой смолы.

2. Рассчитана величина критического поля формирования молекулярного проводника на основе полученной методом численного моделирования поляризуемости молекулы эпоксидиановой смолы; показано согласие полученной величины критического поля с экспериментальным значением.

3. Предложена методика получения гибридных туннельных зондов для задачи формирования молекулярных проводников, позволяющая объединить преимущества вольфрамовых зондов, приготовленных методом электрохимического травления, и платино-иридиевых зондов, приготовленных механическим методом.

4. Предложена методика переключения сопротивления массива параллельных молекулярных проводников, основанная на нагреве приэлектродных слоев матрицы проходящим электрическим током высокой плотности.

5. Установлен предельный ток единичного молекулярного проводника и показано, что он совпадает с предельным током однослойных углеродных нанотрубок с баллистическим режимом проводимости.

6. Посредством теплового расчёта, выполненного на основе предельного тока молекулярного проводника, показано отсутствие диссипации энергии в молекулярных проводниках в пределах длин как минимум до 200 нм.

7. Разработана и экспериментально реализована концепция планарных молекулярных проводников в полимерной матрице между электродами на основе ориентированных углеродных нанотрубок.

8. Выявлены полевой эффект и эффект переключения сопротивления в структурах на основе планарного молекулярного проводника.

9. Разработана и экспериментально реализована концепция композитного материала на основе молекулярных проводников.

10. Показано, что формирование молекулярных проводников между частицами дисперсной фазы неперколированного композитного материала позволяет как минимум на 2-3 порядка повысить его проводимость относительно проводимости композитного материала с перколированной дисперсной фазой, характеризующейся как минимум в два раза большей концентрацией.

Достоверность научных положений, результатов и выводов

Полученные экспериментальные результаты и разработанные методики подтверждаются известными теоретическими моделями, а также согласуются с результатами опубликованных отечественных и зарубежных работ.

Теоретическая значимость исследования состоит в выявлении закономерностей формирования и электрической проводимости молекулярных проводников в матрице эпоксидиановой смолы. Основные положения и выводы, содержащиеся в диссертации, могут быть использованы при дальнейшем развитии теории электронного транспорта в квазиодномерных органических проводниках и теории микромеханики и химии молекул в сильно неоднородных электрических полях.

Практическая значимость исследования состоит в том, что полученные результаты могут быть применены для создания элементной базы молекулярной электроники, а также для создания композитных материалов нового типа. Кроме того, результаты исследования могут быть использованы в преподавании курсов «Основы наноэлектроники», «Основы зондовых нанотехнологий» и др.

Основные научные положения, выносимые на защиту

1. Организация молекулярного проводника в эпоксидиановой матрице происходит при выполнении условий превышения напряжённостью электрического поля критической величины, составляющей порядка п

3-10 В/м, и достаточной степени локализации электрического поля на оси формируемого проводника.

2. Предложенный метод переключения сопротивления массива параллельных молекулярных проводников, основанный на нагреве приэлектродных слоев матрицы, обеспечивает понижение количества одновременно переключаемых молекулярных проводников до 3-х и уменьшает деформацию переключаемых молекулярных проводников, что увеличивает точность измерения сопротивления единичного молекулярного проводника в его исходном, недеформированном состоянии.

3. В эпоксидиановой матрице могут быть сформированы молекулярные проводники, обеспечивающие баллистический транспорт электронов на длинах как минимум до 200 нм.

4. Предельный ток единичного молекулярного проводника совпадает с предельным током однослойных углеродных нанотрубок с баллистическим режимом проводимости.

5. Предложенный метод формирования электродов на основе ориентированных углеродных нанотрубок позволяет получать планарные молекулярные проводники.

6. Структуры на основе планарных молекулярных проводников проявляют полевой эффект и эффект переключения сопротивления.

7. Предложенный метод, основанный на формировании молекулярных проводников, позволяет получать композитный материал, обладающий существенной проводимостью при концентрации дисперсной фазы ниже порога перколяции.

8. Формирование молекулярных проводников между частицами дисперсной фазы неперколированного композитного материала позволяет как минимум на 2-3 порядка повысить его проводимость относительно проводимости композитного материала с перколированной дисперсной фазой, характеризующейся как минимум в два раза большей концентрацией.

Апробация работы

Материалы диссертации были представлены на следующих конференциях, семинарах и конкурсах научных работ:

•f XIV всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов «Микроэлектроника и информатика-2007» (М. 2007);

S Всероссийский конкурсный отбор инновационных проектов молодых ученых, аспирантов и студентов "Электроника 2006» (М. 2006);

•S Конференция инновационных проектов «Индустрия наносистем и материалы» (М. 2006);

S Международная научно-техническая школа-конференеция «Молодые учёные - науке, технологиям и профессиональному образованию в электронике» (М. 2006);

S XIII всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов «Микроэлектроника и информатика-2006» (М. 2006);

•S 1-я ежегодная Московско-Баварская студенческая научная школа MB-JASS (М. 2006);

S Конференция инновационных проектов «Индустрия наносистем и материалы» (М. 2005);

•S VII Международная научно-техническая конференция «Электроника и информатика - 2005» (М. 2005);

S XII всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов «Микроэлектроника и информатика-2005» (М. 2005);

Публикации

Основные результаты исследования, проведенного соискателем, изложены в 9 печатных источниках, опубликованных в отечественной литературе, включая журнал «Доклады Академии Наук». Кроме того, по теме работы соискателем поданы 2 заявки на патент РФ, а также опубликованы 7 работ и поданы 4 заявки на патент РФ, косвенно относящихся к тематике вынесенных на защиту положений.

Структура и объем диссертации

Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения, списка сокращений, списка литературы и приложения.

Заключение диссертации по теме «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника на квантовых эффектах», Хартов, Станислав Викторович

Основные результаты выполненных исследований могут быть сформулированы следующим образом:

1. Выполнено численное моделирование молекулы эпоксидиановой смолы и системы молекула - кластер металла; на основе полученной из модели величины поляризуемости рассчитана критическая напряжённость электрического поля формирования молекулярного проводника, получено согласие с экспериментом; показано, что верхние занятые и нижние свободные молекулярные орбитали относятся к л-орбиталям, причём их энергия и степень делокализации позволяют сделать вывод о возможности участия данных орбиталей в электронном транспорте.

2. Выявлено необходимое условие формирования молекулярного проводника в матрице эпоксидиановой смолы, связанное с пространственной конфигурацией внешнего электрического поля.

3. Предложена методика получения гибридных туннельных зондов для задачи формирования молекулярных проводников, позволяющая объединить преимущества вольфрамовых зондов, приготовленных методом электрохимического травления, и платино-иридиевых зондов, приготовленных механическим методом.

4. Предложена методика переключения сопротивления массива параллельных молекулярных проводников, основанная на нагреве приэлектродных слоёв матрицы проходящим электрическим током высокой плотности, позволяющая увеличить точность измерения сопротивления единичного молекулярного проводника в его исходном, недеформированном состоянии.

5. Показано, что сопротивление единичного молекулярного проводника соответствует кванту сопротивления к-h /е ~ 12,9 кОм.

6. Выявлен предел токовой нагрузки молекулярной структуры, на основании которого показано отсутствие диссипации энергии в молекулярном проводнике.

7. Показано, что предельный ток единичного молекулярного проводника совпадает с предельным током однослойных УНТ с баллистическим режимом проводимости.

8. Показано отсутствие зависимости сопротивления молекулярного проводника от его длины, что подтверждает вывод о баллистической природе электронного транспорта в рассматриваемых пределах длин.

9. Разработана и экспериментально реализована концепция планарного молекулярного проводника с электродами на основе ориентированных УНТ; разработана методика получения электродов на основе ориентированных УНТ.

10. Выявлены полевой эффект и эффект переключения сопротивления в структурах на основе планарного молекулярного проводника.

11. Проанализирована применимость различных теоретических моделей для описания электронного транспорта в структурах на основе планарного молекулярного проводника; показано, что наиболее корректным является описание в рамках модели латтинжеровской жидкости и модели квантового провода.

12. Разработана и экспериментально реализована концепция композитного материала на основе молекулярных проводников, сформированных в ^ диэлектрической матрице; выявлены факторы, ограничивающие удельную проводимость полученных образцов композитного материала; предложены методы по уменьшению влияния данных факторов.

13. Получены образцы неперколированного композитного материала на основе углеродных нанотрубок в эпоксидиановой матрице, удельная проводимость которых на 2-3 порядка превышает проводимость традиционных композитов на основе перколированных УНТ.

Таким образом, в результате проведенных автором исследований электрофизических свойств и закономерностей формирования молекулярных проводников в матрице эпоксидиановой смолы, создан существенный научно-технологический задел, обеспечивающий основу для дальнейших работ по исследованию и применению структур данного типа в рамках решения задач электроники и материаловедения.

БЛАГОДАРНОСТЬ

Автор выражает благодарность и искреннюю признательность своему руководителю профессору В.К. Неволину за проявленное понимание и помощь на всех этапах работы.

Также автор благодарит Э.Г. Ракова (РХТУ), А.В. Крестинина (ИПХФ РАН, Черноголовка) и А.Г. Ткачева (ТГТУ), предоставивших материал углеродных нанотрубок для исследований.

Автор искренне благодарит за полезные обсуждения и помощь на различных этапах работы И.И. Бобринецкого и М.М. Симунина.

За существенную помощь в проведении экспериментальных исследований автор благодарит А.В. Ромашкина, В.А. Петухова и С.В. Бараш.

СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ СОКРАЩЕНИЙ

СЗМ - сканирующая зондовая микроскопия;

СТМ - туннельная микроскопия;

АСМ - атомно-силовая микроскопия;

ОДС - отрицательное дифференциальное сопротивление;

ОФЭ - олигофениленэтинилен;

ВАХ - вольтамперная характеристика;

КЗ - короткое замыкание;

ВОПГ - высокоориентированный пиролитический графит;

КТР - коэффициент термического расширения;

УНТ - углеродная нанотрубка/нанотрубки;

ОУНТ - одностенные углеродные нанотрубки;

МУНТ - многостенные углеродные нанотрубки;

ПМД - перехода металл - диэлектрик;

ЛЖ - латтинжеровская жидкость;

ВК - вигнеровский кристалл;

ЭЭВ - электрон-электронное взаимодействие;

VRH - variable-range hopping (прыжковая проводимость с переменной длиной прыжка);

FIT - fluctuation-induced tunneling (флуктуационное туннелирование);

3D - three-dimensional (трёхмерный);

Q1D - quantum one-dimensional (квантовый одномерный);

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Хартов, Станислав Викторович, 2008 год

1. Feeney J. Nanotech Takes Aim at the Memory Market // NanoFile. 2006. Volume 2. Issue 1. p. 1-6.

2. Aviram A, Ratner M.A. Molecular Rectifiers // Chemical Physics Letters. 1974. 29(2): p. 277-283.

3. Petty, M.C., Bryce M.R., Bloor D. Introduction to Molecular Electronics. 1995, New York: Oxford.

4. Aviram A., Ratner M.A. Molecular Electronics: Science and Technology. 1998, New York: New York Academy of Sciences.

5. Fagan P.J., Ward M.D. Building Molecular-Crystals// Scientific American. 1992. 267(1): p. 48-54.

6. Joachim C., Vinuesa J.F. Length dependence of the electronic transparence of a molecular wire//Europhysics Letters. 1996. 33(8): p. 635-640.

7. Chen J. Large on-off ratios and negative differential resistance in a molecular electronic device// Science. 1999. 286(5444): p. 1550-1552.

8. Collier C.P. Electronically configurable molecular-based logic gates // Science. 1999. 285(5426): p. 391-394.

9. Picciotto A., EKlare J., Nuckolls C., et al. Prevalence of Coulomb blockade in electro-migrated junctions with conjugated and non-conjugated molecules // Nanotechnology. 2005. 16. p. 3110-3114.

10. Pearson D.L., Tour J.M. Rapid Syntheses of 01igo(2,5-thiophene-ethynylene)s with Thioester Termini: Potential Molecular Scale Wires With Alligator Clips // J. Org. Chem. 1997. 62. 1376-1387.

11. Adams R.D., Barnard Т., Rawlett A., et al. The Coordination of a Thiolate Terminated Molecular Scale Wire' Linked to a Triosmium Cluster // Eur. J. Inorg. Chem. 1998. 429-431.

12. Seminario J.M., Zacarias A.G., Tour J.M., et al. Theoretical Interpretation of Conductivity Measurements of a Thiotolane Sandwich // J. Am. Chem. Soc. 1998. 120. 3970-3974.

13. Tour J.M., Kozaki M., Seminario J.M., et. al. Molecular Scale Electronics: A Synthetic/Computational Approach to Digital Computing // J. Am. Chem. Soc. 1998. 120. 8486-8493.

14. Gribble G.W., Nutaitis C.F. Paracyclophane and Paracyclophane // Tetrahedron Lett. 1985. 6023.

15. Jones L., Schumm J.S., Tour J.M. Rapid Solution and Solid Phase Syntheses of 01igo(l,4-phenylene-ethynylene)s With Thioester Termini: Molecular Scale Wires With Alligator Clips//J. Org. Chem. 1997. 62. 1388-1410.

16. Schon J.H., Meng H., Bao Z. Field-Effect Modulation of the Conductance of Single Molecules // Science. 2001. 294. 2138.

17. Bumm L.A., et al. Are single molecular wires conducting? // Science. 1996. 271(5256): p. 1705-1707.

18. Joachim C., Gimzewski J.K. An electromechanical amplifier using a single molecule. Chemical // Physics Letters. 1997. 265(3-5): p. 353-357.

19. Reed M.A., et al. Conductance of a molecular junction // Science. 1997. 278(5336): p. 252-254.

20. Datta S., et al. Current-voltage characteristics of self-assembled monolayers by scanning tunnelling microscopy // Physical Review Letters. 1997. 79(13): p., 25302533.

21. Porath D., et al. Tunneling spectroscopy of isolated C60 molecules in the presence of charging effects // Physical Review B. 1997. 56(15): p. 9829-9833.

22. Stipe B.C., Rezaei M.A., W. Ho. Single-molecule vibrational spectroscopy and microscopy // Science. 1998. 280(5370): p. 1732-1735.

23. Park H., et al. Nanomechanical oscillations in a single-C60 transistor // Nature. 2000. 407(6800): p. 57-60.

24. Park J., et al. Coulomb blockade and the Kondo effect in single-atom transistors // Nature. 2002. 417(6890): p. 722-725.

25. Rakov E.G. Preparation of thin-walled carbon nanotubes by catalytic pyrolysis on a support // Uspekhi Khimii (Russian Chemical Reviews). 2007. Volume 76. Number 1. p. 3-26.

26. Бобринецкий И.И. Сенсорные свойства структур на основе углеродных нанотрубок // Российские Нанотехнологии. 2007. Том 2. № 5-6. С. 90- 94.

27. Park J. W., McEuen P.L. Formation of a p-type quantum dot at the end of an n-type carbon nanotube // Applied Physics Letters. 2001. 79(9): p. 1363-1365.

28. Rosenblatt S., et al. High performance electrolyte gated carbon nanotube transistors // Nano Letters. 2002. 2(8): p. 869-872.

29. Lee H.J., Jin Z.X., Aleshin A.N. et al. Dispersion and current-voltage characteristics of helical polyacetylene single fibers // Chem. Soc. 2004. 126. 16722-16723.

30. Aleshin A.N., Lee H.J., Park Y.W., et al. One-dimensional transport in polymer nanofibers // Phys Rev. Lett. 2004. 93. 196601.

31. Aleshin A.N., Lee H.J., Park Y.W., et al. Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) and Its Derivatives: Past, Present, and Future // Microelectr. Eng. 2005. 81. 420.

32. Aleshin. A.N. Polymer Nanofibers and Nanotubes: Charge Transport and Device Applications // Adv. Mater. 2006. V. 18.1. 1. P. 17-27.

33. Duan X., Huang Y., Cui Y., et al. Molecular nanoelectronics // Eds M.A. Reed, T. Lee. ASP, California. 2003. Ch. 2. P. 199.

34. MacDiarmid A.G. Synthetic metals: A novel role for organic polymers // Rev. I Mod. Phys. 2001 73. 701-712.

35. Chiang C.K., Fincher C.R., Park Y.W. et al. Solitons in Polyacetylene // Phys. Rev. Lett. 1977. 39. 1098.

36. Heeger A.J., Kivelson S., Schrieffer J.R. et al. Solitons in conducting polymers // Rev. Mod. Phys. 1988. 60. 781-850.

37. Heeger A.J. Semiconducting and metallic polymers: The fourth generation of polymeric materials // Rev. Mod. Phys. 2001. 73. 681-700.

38. Tour J. Molecular electronics, commercial insights, chemistry, devices, architecture and programming // World scientific publishing Co. Pte. Ltd. 2002.

39. Cai L., Yao Y., Yang J. et al. Chemical and Potential Assisted Assembly of Thioacetyl-Terminated 01igo(phenylene ethynylene)s on Gold Surfaces // Chem. Mater. 2002. 14.2905-2909.

40. Zhou C., Deshpande M.R., Reed M.A. et al. Nanoscale Metal/Self-Assembled Monolayer/Metal Heterostructures //Appl. Phys. Lett. 1997. 71. 611-613.

41. Shea J J. Molecular Imprinting-From Fundamentals to Applications // Electrical Insulation Magazine. 2003. V. 19.1. 5. P. 74.

42. Snider G.L., Orlov A.O., Amlani I. et al. Quantum-dot cellular automata: Line and majority gate logic // Jpn. J. of Applied Physics. 1999. 38. 7227-7229.

43. Lent C.S., Tougaw P.D. Architecture for Computing with Quantum-Dots // Proceedings of the IEEE. 1997. V. 85. No 4. P. 541-547.

44. Hu J., Odom T.W., Lieber C.M. Chemistry and Physics in One-Dimension: Synthesis and Properties of Nanowires and Nanotubes // Acc. Chem. Res. 1999. 32. 435.

45. Bahr J.L., Tour J.M. Covalent Chemistry of Single-Wall Carbon Nanotubes // J. Mater. Chem. 2002. 12. 1952-1958.

46. Gittins D.I., Bethell D., Schiffrin D. A nanometre-scale electronic switch consisting of a metal cluster // Nature. 200. V. 408.1. 6808. P.67-69.

47. Huang Y., Duan X., Wei Q. Directed assembly of one-dimensional nanostructures into functional networks // Science 2001. 291. 630-633.

48. Пакен A.M. Эпоксидные соединения и эпоксидные смолы // Пер. с нем. под ред .Л.С.Эфроса. Д.: Госхимиздат, 1962. - 964 с.

49. Неволин В.К. Нанотехнология (конкурсный проект) // Электронная техника. Сер.З, Микроэлектроника. 1988. Вып.4(128). С.81.

50. Неволин В.К. Проводимость полимерных микропроводников // Электронная техника. Сер. 3. Микроэлектроника. 1989. №3. С.58-59.

51. Канер Б.Р. Макдайрмид Э.Г. Электропроводящие полимеры // В мире науки. 1988. №4. С. 50-56.

52. Davydov A.S. Excitons and Solitons in Quasi-one-dimensional Molecular Structures // Phys. Stat. Sol., 1978, v. 90, p. 457.

53. Tsukagoshi K., Yagi I. Pentacene nanotransistor with carbon nanotube electrodes // Appl. Phys. Lett. 2004. V.85. N6. P.1021-1023.

54. Yang Z., Norton D. L., Ventra M.D. Effects of geometry and doping on the operation of molecular transistors // Applied physics letters. V. 82. N 12. 2003.

55. Chen Y., Ohlberg A. A., Li X. et al. Nanoscale molecular-switch devices fabricated by imprint lithography // Applied physics letters. V. 82. N 10. 2003.

56. Li C., Fan W., Lei B. et al. Multilevel memory based on molecular devices // Applied physics letters. V. 84. N 11. 2004.

57. Неволин В.К., Бессольцев В.А. Температурные переключения сопротивлений полимерных микропроводников II Электронная техника. Сер. 3. Микроэлектроника. 1989. №3. С.59-61.

58. Волков А.Б. Электрофизические свойства микромостиков, формируемых туннельным зондом II Тезисы диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук. Москва. 1994.

59. Grutter. P. Preparation and characterization of tungsten tips suitable for molecular electronics studies // A thesis submitted to McGill University in partial fulfillment of the requirements of the degree of Master of Science. Montreal. Canada. 2004.

60. Miller M. K., Cerezo A., Hetherington M. G., et al. Atom Probe Field Ion microscopy // Oxford University Press. 1996.

61. Javey A., Qi P., Wang Q., et al. // Proceedings of the National Academy of Sciences. 2004. Vol. 101. No. 37. P. 13408-13410.

62. Javey A., Guo J., Paulsson M., et. al. High-Field Quasiballistic Transport in Short Carbon Nanotubes // Phys. Rev. Lett. 2004. 92. 106804.

63. Park J.H. // Ph.D. thesis. Seoul National University. Seoul. 2004.

64. Бобринцкий И.И:, Неволин B.K., Петрик В:И., и др. Вольтамперные характеристики двухэлектродных элементов с углеродными нанотрубками. // Микроэлектроника. 2003. Том 32. N2. С. 102-104.

65. Krestinin A.V., Kiselev N.A., Raevskii A.V., et. al. Perspectives of single-wall carbon nanotube production in the arc discharge process // Eurasian ChemTech Journal. 2003.5.7- 18.

66. Park J.Y., Yaish Y., Brink M., et al. Electrical cutting and nicking of carbon nanotubes using an atomic force microscope // Applied physics letters. 2002. V. 80. N23. P. 4446-4448.

67. Гомбоев Р.И., Симаков И.Г. Низкочастотная диэлектрическая проницаемость воды в адсорбционном слое // http://www.bsfp.media-security.ru/science/index.htm.

68. Бобринецкий И.И. Формирование и исследование электрофизических свойств планарных структур на основе углеродных нанотрубок // Тезисы диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук. Москва. 2004.

69. Булатов А.Н., Хартов С.В. Исследование адсорбата воздуха на твердотельных подложках методами атомно-силовой микроскопии. Известия ВУЗов // Электроника. 2004. №.4. С. 9-16.

70. Menon R., Yoon С.О., Moses D., et al. Handbook of conducting polymers / Eds Skotheim T.A., et al. N.Y. 1997. P.27.

71. Алёшин A.H., Миронков Н.Б., Суворов A.B. Электронный транспорт в проводящих полимерных пленках // ФТТ. 1996. 38. 133.

72. Kohlman R.S., Joo J., Epstein A.J. Physical properties of polymers handbook // Ed. Mark J. American Institute of Physics Press. Woodbury. CT (1996). Ch. 34. P. 453.

73. Kozub V.I., Aleshin A.N. Transport anomalies in highly doped conjugated polymers at low temperatures // Phys. Rev. 1999. В 59. 11322-11327.

74. Mott N.F., Davis E.A. Electronic processes in non-crystalline materials // Clarendon Press. Oxford (1979). P. 604.

75. Khmelnitskii D.E., Larkin A.I. Mobility edges shift in external magnetic field // Solid State Commun. 1981. 39. 1069.

76. Sheng P. Electronic Properties of Conjugated Polymers // Phys. Rev. 1980. B21. 2180.

77. Voit J. One-dimensional Fermi liquids // Rep. Prog. Phys. 1995. 58. 977.

78. Schulz HJ. Wigner crystal in one dimension // Phys. Rev. Lett. 1993. 71. 1864.

79. Mukhopadhyay R., Kane C.L., Lubensky T.C. Derealization in coupled Luttinger liquids with impurities // Phys. Rev. 2001. B64. 45120.

80. Balents L. Egger R. Spin-dependent transport in a Luttinger liquid. Cond-mat/0012192 (2000).

81. Bockrath M., Cobden D.H., Lu J. et al. Luttinger-liquid behaviour in carbon nanotubes //Nature (London). 1999. 397. 598.

82. Bachtold A., Jonge M., Grove-Rasmussen K., et al. Suppression of Tunneling into Multiwall Carbon Nanotubes //Phys. Rev. Lett. 2001. 87. 166801.

83. Slot E„ Hoist M.A., van der Zant H.S.J., et al. One-Dimensional Conduction in Charge-Density-Wave Nanowires // Phys. Rev. Lett. 2004. 93. 176602.

84. Chang A.M., Pfeiffer L.N., West K.W. Observation of Chiral Luttinger Behavior in Electron Tunneling into Fractional Quantum Hall Edges // Phys. Rev. Lett. 1996. 77. 2538.

85. Lee H.J., Jin Z.X., Aleshin Z.N., et al. Dispersion and current-voltage characteristics of helical polyacetylene single fibers // Chem. Soc. 2004. 126. 16722.

86. Aleshin A.N., Lee H.J., Park Y.W., et al. One-Dimensional Transport in Polymer Nanofibers // Phys Rev. Lett. 2004. 93. 196601. ^

87. Aleshin A.N., Lee H.J., Park Y.W., et al. One-dimensional transport in polymer nanowires // Microelectr. Eng. 2005. 81. 420. „

88. Park J.G., Kim G.T., Krstic V., et al. Field effect conductance of conducting polymer nanofibers // Synth. Met. 2001. 119. 53.

89. Hausler W., Kecke L., MacDonald A.H. Tomonaga-Luttinger Parameters For Quantum Wires. Cond-mat/0108290.

90. Gornyi I.V., Mirlin A.D., Polyakov D.G. Dephasing and Weak Localization in Disordered Luttinger Liquid // Phys. Rev. Lett. 2005. 95. 046404.

91. Алёшин A.H. Квазиодномерный транспорт в проводящих полимерных нанопроводах // Физика твёрдого тела. 2007. Том 49. Вып. 11. С. 1921-1940.

92. Long Y., Zhang L., Ma Y., et al. Electrical conductivity of a single Au/polyaniline microfiber // Macromol. Rapid Commun. 2003. 24. 938.

93. Long Y., Zhang L., Chen Z. Electronic transport in single polyaniline and polypyrrole microtubes //Phys. Rev. 2005. B71. 165412.

94. Yao Z., PostmaH.W. Ch., Balents L. Carbon nanotube intramolecular junctions // Nature (London). 1999. 402. 273.

95. Apel W., Rice T.M. Combined effect of disorder and interaction on the conductance of a one-dimensional fermion system // Physical Review B. 1982. V. 26. N. 12. P. 7063-7065.

96. Tanatar В., Ceperley D.M. Ground state of the two-dimensional electron gas // Phys.Rev. 1989. В 39. 5005.

97. Jeon G.S., Choi M.Y., Yang S.-R.E. Coulomb gaps in one-dimensional spin-polarized electron systems // Phys. Rev. 1996. B54. R 8341.

98. Sze S.M. Semiconductor devices physics and technology. Wiley. N.Y. 1985.

99. Неволин B.K. Двухэлектродные элементы наноэлектроники на основе квантовых проводов // Микроэлектроника. 1999. Т.28. №4. С.293-300.

100. Aleshin A.N., Lee J.Y., Chu S.W. Hopping conduction in polydiacetylene single crystals //Phys. Rev. 2004. B69. 214203.

101. Афанасьев A.B., Афанасьев В.П., Глинский Г.Ф., и др. Нанотехнология: физика, процессы, диагностика, приборы // Под ред. Лучинина В.В., Таирова Ю.М. М.: Физматлит. 2006. 551 с.

102. Глазман Л.И., Лесович Г.Б., Хмельницкий Д.Е., Шехтер Р.И. Безотражательный квантовый транспорт и фундаментальные ступени баллистического сопротивления в микросужения // Письма в ЖЭТФ. 1988. Т. 48. В. 4. С. 218-220.

103. Левинсон И.Б. Квантовая проводимость баллистического микроконтакта // Письма в ЖЭТФ. 1988. Т. 48. В. 5. С. 273 275.

104. Драгунов В.П., Неизвестный И.Г., Гридчин В.А. Основы наноэлектроники // Под ред. Вострикова А.С., Пустового Н.В. Новосибирск: НГТУ. 2004. 496 с.

105. Неволин В.К. Вольтамперные характеристики квазиодномерных микропроводников // Письма в ЖТФ. 1996. Т. 22. В. 21. С. 57 60.

106. Неволин В.К. Вольтамперные характеристики квазиодномерных контактов S-типа//Известия ВУЗов. Электроника. 1997. №5. С. 37-41.

107. Сабликов В.А., Ченский Е.В. Отрицательная динамическая проводимость квантовых баллистических каналов // ЖЭТФ. 1996. Т. 109. В. 5. С. 1671 -1686.

108. Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Квантовая механика // М.: Наука, 1989. 105 с.

109. Лихарев> K.K. О1 возможности создания аналоговых и цифровых интегральных схем на основе эффекта дискретного туннелирования // Микроэлектроника. 1987. Т. 16 №3. С. 195-209.

110. Li S., Yu Z., Burke P.J. Synthesis of Aligned Arrays of Millimeter Long Straight Single-Walled Carbon Nanotubes // Chem: Mater. 2004. № 16(18). P. 3414-3416.

111. Li S., Yu Z., Yen S.F., et al. Carbon Nanotube Transistor Operation at 2.6 GHz // Nano letters. 2004. V. 4. № 4. P.' 753 756.

112. HayashifY., KanamorrH., Yamada I., et. al. Facile fabrication method for p /n-type and ambipolar transport polyphenylenevinylene-based thin-film field-effect transistors by blending C60 fullerene //App. Phys. Lett. 2005. 86. 052104. ,

113. Wanga C., Guob Z.X., Fua. S. Polymers containing fullerene* or carbon nanotube structures // Prog.- Polym. Sci. 2004. 29. 1079-1141.

114. Хартов С.В., Ромашкин А.В., Петухов В.А. Проводимость композитного материала углеродные нанотрубки полимерная1 матрица в условиях отсутствия перколяции // Тезисы,докладов конференции «Микроэлектроника и информатика - 2007». М.: МИЭТ. 2007. С.22.

115. Тарасевич Ю.Ю. Перколяция: теория, приложения, алгоритмы. УРСС. 2002. 112 с.