Молекулярно-пучковая эпитаксия гибридных гетероструктур A2B6/InAs для лазеров среднего ИК-диапазона тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Кайгородов, Валентин Анатольевич

• Кайгородов, Валентин Анатольевич
• кандидат физико-математических наук
• 2004

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Кайгородов, Валентин Анатольевич

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1. ЛАЗЕРНЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ СРЕДНЕГО ИК-ДИАПАЗОНА, ГЕТЕРОВАЛЕНТНЫЕ ИНТЕРФЕЙСЫ (ОСОБЕННОСТИ ПОЛУЧЕНИЯ И КОНСТРУИРОВАНИЯ)

§1.1. Краткая характеристика узкозонных соединений А3В5 с параметром кристаллической решетки близким к ЬгАв.

§1.2. Лазерные гетероструктуры среднего ИК-диапазона на основе антимонидов металлов Ш-группы.

§1.3. Гетероэпитаксия соединений

А2В6 на подложках А В и особенности формирования гетеровалентных интерфейсов

ГЛАВА 2. АППАРАТНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ МОЛЕКУЛЯРНО-ПУЧКОВОЙ ЭПИТАКСИИ И МЕТОДЫ ДИАГНОСТИКИ ГЕТЕРОСТРУКТУР

§2.1. Основные принципы и аппаратное обеспечение молекулярно-пучковой эпитаксии.

§2.2. Методы in situ и ex situ диагностики.

ГЛАВА 3. СВОЙСТВА InAs/CdSe/M&Cd^e ГЕТЕРОСТРУКТУР, ВЫРАЩЕННЫХ МЕТОДОМ МОЛЕКУЛЯРНО-ПУЧКОВОЙ ЭПИТАКСИИ

§3.1. Свойства твердого раствора MgcCdi^Se кубической модификации.

§3.2. Молекулярно-пучковая эпитаксия твердого раствора

М&Сё^хБе на подложках 1пАз (001).

§3.3. Выращивание слоев М&Сд^Бе методом эпитаксии с повышенной миграцией атомов на поверхности.

• §3.4. Оптические, структурные и электрические свойства слабонапряженных гетероструктур СдБе/ М&Сё^Бе.

ГЛАВА 4. ОСОБЕННОСТИ ФОРМИРОВАНИЯ И СВОЙСТВА ГЕТЕРОВАЛЕНТНОГО ИНТЕРФЕЙСА InAs/A2B

§4.1. Формирование гетеровалентного интерфейса InAs/A В

§4.2. Гибридные гетероструктуры с гетеровалентным InAs/A2B интерфейсом.

§4.3. Электронные свойства гетеровалентного интерфейса

InAs/A*B6.

ГЛАВА 5. ГИБРИДНЫЕ AlxGaI.xAs>5bi.>/InAs/MgxCd1xSe ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ ДЛЯ ЛАЗЕРОВ СРЕДНЕГО ИК ДИАПАЗОНА

§5.1. Концепция лазерной гетероструктуры с асимметричными барьерами.

§5.2 Структурные и оптические свойства гибридных лазерных AlxGai.xAs^Sbi./biAs/MgrCdi-xSe гетероструктур, выращенных методом двухстадийной молекулярно-пучковой эпитаксии.

§5.3. Исследование свойств спонтанного и лазерного излучения гибридных гетероструктур AlxGai.xAs^Sbi.ybiAs/MgrCdi^Se лазерных диодов.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Молекулярно-пучковая эпитаксия гибридных гетероструктур A2B6/InAs для лазеров среднего ИК-диапазона»

АКТУАЛЬНОСТЬ ПРОБЛЕМЫ

Современное развитие науки и техники требует разработки дешевых и надежных источников когерентного излучения в широком диапазоне длин волн, начиная от ультрафиолетового и заканчивая инфракрасным (РЖ). Важное место занимает средний ИК диапазон (2.5—5 мкм), в котором лежат интенсивные линии молекулярного поглощения и важные атмосферные окна прозрачности. Перестраиваемые одномодовые лазеры данного спектрального диапазона идеально подходят для высокочувствительного контроля остаточных газов, а, соответственно, для контроля промышленного производства и мониторинга загрязняющих и токсичных газов [1]. К другим их применениям относятся эффективные источники ИК излучения для волоконных линий связи на основе флюоридных стекол, а также высокомощные лазеры для лазерных радаров и целеуказателей.

Полупроводниковые лазерные диоды вследствие их компактности, высокой эффективности, надежности и дешевизны наиболее привлекательны по сравнению с распространенными твердотельными и газовыми лазерами. Первые полупроводниковые лазерные диоды среднего ИК диапазона были реализованы на основе халькогенидов свинца [2]. Сейчас они активно используются в высокоразрешающей спектроскопии благодаря возможности перекрытия с их помощью широкого диапазона длин волн от 3 до 30 мкм. Однако малые выходные мощности таких лазеров из-за малой теплопроводности халькогенидов свинца, а также недостаточная надежность не позволили найти им более широкого применения.

Большой интерес представляют соединения А3В5 с параметром кристаллической решетки близким к а = 6.1 А, поскольку электронные и оптические свойства гетероструктур на их основе могут варьироваться в широком диапазоне. Уже в начале 1960-х годов появились первые публикации, в которых сообщалось о возможности применения данной группы соединений для получения лазерных диодов, излучающих в среднем ИК-диапазоне. К началу выполнения диссертационной работы (2000 г.) благодаря новым представлениям в области конструирования и технологии получения гетероструктур был сформирован значительный задел в развитии полупроводниковых лазеров на их основе. Однако лазерная генерация в диапазоне длин волн 2.5—5 мкм при инжекционной накачке в непрерывном режиме при комнатной температуре в А3В5 лазерах до сих пор не реализована. Наилучшие результаты получены в антимонидных структурах с гетеропереходами П типа с \¥-образным расположением квантовых ям (КЯ), которые показали генерацию при температуре 200 К на длине волны X = 3.25 мкм при непрерывной инжекционной накачке [3]. Однако вследствие специфики зонной структуры узкозонных соединений А3В5 существует ряд проблем, препятствующих достижению высоких рабочих температур и больших мощностей в лазерах среднего ИК диапазона, среди которых основными являются безызлучательные потери на Оже-рекомбинацию и внутризонное поглощение [4], а также токовые утечки через р—п-переход, возникающие вследствие недостаточного электронного ограничения дырок в активной области гетероструктур.

Настоящая диссертационная работа посвящена разработке технологии и конструкции, а также комплексному исследованию гибридных лазерных двойных гетероструктур на основе согласованных по параметру кристаллической решетки соединений А3В5 и А2В6, в которых благодаря новым конструктивным решениям возможно, в частности, подавление токовых утечек носителей из активной области.

ЦЕЛИ И ЗАДАЧИ РАБОТЫ.

Цель работы заключалась в проведении зонного конструирования лазерных гетероструктур среднего ИК диапазона на основе системы материалов ч г

А1,Оа,1п)(Аз,8Ь) и соединений А В , с параметром кристаллической решетки близким к ГпАб (М§Сс18е, ХпХо), а также в разработке и оптимизации технологических режимов молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ) этих соединений А2В6 с основным акцентом на проблеме формирования когерентного гетеровалентного интерфейса А3В5/А2В6.

Для достижения поставленной цели, в ходе работы решались следующие основные задачи:

• апробирование различных способов подготовки ЬгАв (001) подложек (или ЬгАв поверхности в случае гибридных гетероструктур) для дальнейшей МПЭ соединений (Сё, М§, гп)(Бе, Те);

• достижение воспроизводимости процесса отжига подготовленной поверхности ТпАб (001) и получение требуемой реконструкции поверхности;

• отработка различных режимов инициации роста соединений А2В6 на поверхности МАв, включая исследование закономерностей эпитаксии с повышенной миграцией атомов (ЭПМ) слоев М^Сф-дЗе и внедрение туннельно-прозрачного буферного слоя 2пТе;

• определение разрывов зон на гетеровалентном интерфейсе 1пАз/А2В6 в зависимости от способа его формирования посредством исследования:

- транспортных свойств двумерного электронного газа в тонкой КЯ ЬгАэ с гетеровалентным интерфейсом 1пАз/А2В6;

- фото- и электролюминесцентных свойств гибридных гетероструктур с 1пАз активной областью, в том числе и проявляющей эффекты размерного квантования;

• отработка режимов МПЭ твердого раствора М&Сф-гБе кубической модификации, обеспечивающих получение эпитаксиалъных слоев высокого структурного качества;

• исследование закономерностей встраивания атомов кадмия и магния в твердый раствор М&Сс^-хЗе при варьировании режимов роста;

• исследование зависимости ширины запрещенной зоны и разрывов зон на гетерогранице Сс^е/М^Сё^Бе от состава твердого раствора М^Сё^е в области малых концентраций магния (х < 0.3);

• изучение оптических свойств гетероструктур с псевдоморфными КЯ СёБе между барьерами М^СсЬ^е;

• разработка конструкции и технологии гибридных лазерных гетероструктур, излучающих в среднем ИК диапазоне.

НАУЧНАЯ НОВИЗНА И ПРАКТИЧЕСКАЯ ЗНАЧИМОСТЬ работы состоит в применении принципиально новой конструкции двойной лазерной гетероструктуры на основе систем материалов (А1, ва, 1п)(Аз, БЬ) и (Сё, гпХБе, Те) для получения лазерной генерации в среднем РЖ-диапазоне. Среди значимых результатов диссертационной работы следует отметить:

• Впервые методом МПЭ выращены слои твердых растворов М^Сс^^е (0 <л; < 0,3) кубической модификации на подложках ЬъАб (001) и исследованы их структурные, оптические и электронные свойства.

• Впервые получены гетероструктуры с КЯ из кубического СёБе между барьерами М^Сс^дЗе с интенсивной фотолюминесценцией (ФЛ) в диапазоне энергий 1.8—1.9эВ. Проведенные ФЛ и рентгеновские исследования подтверждают наличие квантового ограничения носителей заряда в слое Ссйе, заключенном в барьерах М^Сс^Бе, и позволяют экспериментально измерить разрывы валентной зоны (ВЗ) и зоны проводимости (ЗП) на М^Сс^Зе/СёБе гетерогранице.

• Предложена методика серной пассивации поверхности подложки ГпАб (001) с последующим отжигом в условиях сверхвысокого вакуума, позволяющая получать атомарно гладкую поверхность ГпАб с реконструкцией (2*4)А8, пригодную для формирования методом МПЭ структурно совершенного гетероинтерфейса А2В6/1пАз.

• Впервые получена лазерная генерация в среднем ИК диапазоне при инжекционной накачке КЯ в двойной гибридной гетероструктуре рвыращенной методом двухстадиинои МПЭ. Длина волны излучения при 77 К составила X = 2.775 мкм, а г* пороговая плотность тока Зпор = 3—4 кА/см .

НА ЗАЩИТУ ВЫНОСЯТСЯ СЛЕДУЮЩИЕ ПОЛОЖЕНИЯ:

1. При молекулярно-пучковой эпитаксии слоев твердых растворов М^Сс^Бе коэффициент встраивания магния оспри температурах Тп — 250—350°С и соотношении потоков «ЛУ-Л/ ^ 1 практически равен единице и не зависит от давлений в падающих пучках. В этих же условиях атомы Сс1 частично десорбируются с поверхности роста, причем скорость десорбции уменьшается с увеличением соотношения потоков Лт/У//.

2. Твердые растворы М^Сё^е, формируемые на подложках ЬъАв (001) в условиях сохранения псевдоморфизма в области составов х<0.3, обладают кристаллической структурой сфалерита и прямой структурой энергетических зон.

3. Псевдоморфные гетероструктуры СёБе/М&Сс^-хЗе с решеткой сфалерита проявляют свойства гетеропереходов I типа. Увеличение содержания Ъ^Бе в твердом растворе до х<0.3 сопровождается монотонным возрастанием ширины запрещенной зоны и разрывов ВЗ и ЗП, причем разрыв ВЗ можно описать уравнением АЕу= О.ббх (эВ).

4. Инициация роста слоев М&Сё^е на (2х4)А5-стабилизированной поверхности ЬхАв (001), пассивированной в водном растворе Ыа25, как с использованием режима низкотемпературной (200°С) ЭПМ, так и при внедрении ультратонкого буферного слоя ZnTe в режиме обычной

МПЭ при 300°С приводит к уменьшению плотности протяженных дефектов на гетероинтерфейсе InAs/A2B6 до уровня ниже 106 см-2.

5. Гетеропереход InAs/CdSe, сформированный при начальной выдержке поверхности InAs под потоком Cd, является переходом П рода, в котором зона проводимости InAs лежит выше, чем у CdSe, в то время как внедрение атомов магния в матрицу CdSe, либо использование туннельно-прозрачного слоя ZnTe, выращенного в Те обогащенных л / условиях, приводит к трансформации гетероперехода InAs/A В в тип I, т. е. к изменению знака разрыва зоны проводимости.

6. Гибридные AlGaAsSb/InAs/(ZnTe)/MgCdSe р—i—п гетероструктуры с гетеровалентным интерфейсом вблизи активной области обеспечивают эффективное ограничение электронов и дырок и пригодны для создания гетероструктур инжекционных лазеров, излучающих в среднем ИК диапазоне.

Материалы диссертационной работы докладывались и обсуждались на Всероссийских и международных конференциях и симпозиумах:

• XI International Conference on МВЕ, Beijing, China, 2000;

• XXX International School on the Physics of Semiconducting Compounds, Jaszowiec, Poland, 2001;

• International Workshop "Middle Infrared Coherent Sources", St. Petersburg, Russia, 2001;

• X International Conference on П-VI Compounds, Bremen, Germany, 2001;

• Material Research Society Symposium, Boston, USA, 2001;

• International Conference on MBE, San Francisco, USA, 2002;

• 11th International Symposium "Nanostructures: Physics and Technology", Saint-Petersburg, Russia, 2003;

• 3rd International Conference on Physics of Light-Matter Coupling in Nanostructures, Acireale, Italy, 2003.

XI International Conference on П-VI Compounds, Niagara Falls, USA, 2003;

VI Всероссийская конференция по физике полупроводников, Санкт-Петербург, Россия, 2003.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Кайгородов, Валентин Анатольевич

Основные результаты работы заключаются в следующем:

1. Предложена оригинальная методика подготовки подложек 1пАз (001), заключающаяся в обработке поверхности в водном растворе ИагБ, в результате которой отожженная поверхность характеризуется высокой степенью планарности. С помощью ДБЭ на отражение детально исследована температурная зависимость реконструкции поверхности ¡пАб (001) в ходе отжига.

2. Осаждение сверхтонкого пассивирующего слоя толщиной 15 А в режиме обычной МПЭ (Тп «300°С) на поверхность ЬгАб, пассивированной в водном растворе ИагБ, приводит к снижению плотности дислокаций, прорастающих с гетерограницы ГпАб/А2!}6, до уровня ниже 106 см-2.

3. Гибридные КЯ А1(Оа)8Ь/1пАз/2пТе/М§Сё8е с гетеровалентным интерфейсом ГпАБУ^пТе, полученным с помощью серной пассивации, демонстрируют наличие ДЭГ при толщине 20 нм с достаточно высокой подвижностью носителей заряда \хе« 9900 см^Вс) при электронной плотности около 2x1012 см"2 (4.2 К), а также низкотемпературную ФЛ с уровней размерного квантования при толщине 6.7 нм.

4. Экспериментально и теоретически показано, что тип гетероперехода ГпАзЛУ^СёБе, сформированного в режиме ЭГГМ с предварительным осаждением Сё, зависит от состава твердого раствора: при возрастании мольной доли М§8е происходит трансформация типа с П в I. Из ФЛ измерений установлено также, что при использовании буферного слоя Zn^e гетеропара ГпАв/^^СёЗе также характеризуется сопряжением зон I типа.

5. На подложках ЬгАб (001) впервые методом МПЭ получены структурно совершенные слои твердого раствора М^Сё^е кубической модификации в диапазоне концентраций магния до х = 0.3. Определены и уточнены параметры квадратичной зависимости ширины запрещенной зоны твердого раствора М&Сё^дЗе от содержания магния х.

6. Коэффициент встраивания магния aMg в диапазоне температур Тп = 250— 350°С остается постоянным и равен единице. В тоже время коэффициент встраивания кадмия при единичном соотношении атомов на ростовой поверхности (Jyi/Ju= 1) и Тп = 290°С составляет ctcf = 0.83. С уменьшением температуры роста Тп и/или увеличением отношения потоков элементов VI и П группы происходит возрастание коэффициента встраивания кадмия а о/.

7. В приближении эффективной массы рассчитаны энергетические уровни в КЯ CdSe, ограниченной барьерами MgCdSe, с использованием косвенно определенных данных по разрывам ЗП АЕс(х) и ВЗ АЕу{х). Хорошее соответствие расчета и эксперимента свидетельствует о двумерной природе размерного квантования в тонком слое CdSe, заключенном в барьеры MgCdSe.

8. Гетероструктуры Al(Ga)Sb/biAs/MgCdSe, выращенные методом двухстадийной МПЭ, продемонстрировали интенсивное спонтанное и когерентное излучение при инжекционной накачке. Длина волны лазерной генерации и пороговая плотность тока при 77 К составили X = 2.775 мкм и Jth — 3—4 кА/см2, соответственно Выходная мощность спонтанного излучения при 300 К составила не менее 0.3 мВт для светодиодов с круглой мезой.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Кайгородов, Валентин Анатольевич, 2004 год

1. Vurgaftman 1., Felix C.L., AiferE.H., Meyer J.R., in Vol. 2: Semiconductor Optical and Electro-Optical Devices, Handbook of Thin Film Devices, M.H. Francombe (ed.) (Academic Press, 2000), P. 171.

2. Shliessl U.P., J. Rohr High temperature laser based on lead chalcogenide alloys // Infr. Phys. Tech.- 1999.- V.40.- P.325.

3. Zegrya G. G., Andreev A. D. Mechanism of suppression of Auger recombination processes in type-П heterostructures // Appl. Phys. Lett- 1995.- V.67, N.18-P.2681-2683.

4. Wang M.W., Swenberg J.F., Phillips M.C., Yu E.T., McCaldin J.O., Grant R.W., McGillT.C., X-ray photoelectron spectroscopy measurement of valence-band offsets for Mg-based semiconductor compounds // Appl. Phys. Lett.- 1994-V.64.-P.3455.

5. V. Pelegrini, R. Atamasov, A. Tredicucci, F. Beltram, C. Amzulini, L. Sobra, L. Vanzetti, A. Francioso, Excitonic properties of Zni.xCdxSe/ZnSe strained quantum wells//Phys. Rev. В.- 1995.-V.51.-P.5171-5175.

6. Chris G. Van de Walle Band lineups and deformation potentials in the modelsolid theory//Phys. Rev. В.- 1989.-V.39, N.3.-P.1871-1883.

7. H. Kitabayashi, T. Waho, M. Yamamoto. Resonant interband tunneling current in InAs/AlSb/GaSb/AlSMnAs diodes with extremely thin AlSb barrier layers // Appl. Phys. Let. 1997. - V. 71. - P. 512-514.

8. V.G. Mokerov, Yu.V. Fedorov, A.V. Hook. High density 2DEG in AmBv-semiconductor heterostructures and high electron mobility transistors on their basis // Semicondustors. 1999. - V. 33. -P.1064.

9. H. Kromer, G.Griffiths. Staggered-line-up heterojunctions as sources to tunable bellow-gap radiation: Operation principle and semiconductor selection // ШЕЕ Electron device.- 1983.- V.8.- P.20-22.

10. McGill T.C. and Collins D.A. Prospect for the future of narrow bandgap materials // Semicond. Sci. Technol.- 1993.- V.8.- P.S1-S5.

11. A. Sasaki, M. Nishiuma, Y. Takeda Energy band structure and lattice constant chart of ПТ-V mixed semiconductor lasers on GaSb substrates // Jap. J. of Appl. Phys. 1980. - V.19. -P. 1695-1702.

12. Sorokin V S, Sorokin S V, Semenov A N, Meltser В Ya, Ivanov S V Novel approach to the calculation of instability regions in GalnAsSb alloys // J. Cryst. Growth.- 2000.- V.216.-P.97.

13. Sadao Adachi. Band gaps and refractive indices of AlGaAsSb, GalnAsSb, and InPAsSb: Key properties for a variety of the 2-4|im optoelectronic device applications // J. of Appl. Phys. 1987. - V.61. - P. 4869-4876.

14. L Vurgaftman, J. R. Meyer, L. R. Ram-Mohan Band parameters for III-V compound semiconductors and their alloys // J. of Appl. Phys.- 2001.- V.89, N.ll -P.5815-5875.

15. G.H. Dohler, K. Ploog, Periodic doping structures in GaAs // in Progress in crystal growth and characterization. Ed. B.R. Pamplin (Permagon Press, Oxford, 1981)

16. A. Furukawa and M.Mizuta. Heterojunction bipolar transistor utilizing the AlGaSb/GaSb alloy system //Electron. Lett.- 1988.- V.24.- P.l378.

17. J.D. Sheng, Y. Makita, K. Ploog, H.J. Queisser, Electrical properties and photoluminescence of Te-doped GaAs grown by molecular beam epitaxy // J. of Appl. Phys.- 1982.- V.53 — P.999.

18. Effects of antimonide growth in Ш-V MBE system // EPI Application Note. -1995.-№6

19. A.H. Семенов, B.C. Сорокин, B.A. Соловьев, Б.Я. Мельцер, C.B. Иванов Особенности встраивания молекул Sb2 и Sb4 при молекулярно-пучковойэпитаксии твердых растворов AlGaAsSb // ФТП- 2004.- Т.38, В.З.- С.278-284.

20. G. Bauer, М. Kriechbaum, Z. Shi, M. Tacke IV-VI Quantum Wells for Infrared Lasers // J. Nonlinear Opt. Phys. Mat.- 1995.- V.4.- P.283.

21. B. Spanger, U. Shliessl, A. Lambreht, H. Bottner, M. Tacke, Near-room-temperature operation of PbixSrxSe infrared diode lasers using molecular beam epitaxy growth techniques // Appl. Phys. Lett.- 1988.- V.53.- P.2582-2583.

22. Z. Feit, M. McDonald, R.J. Woods, V. Archambault, P. Mak, Low threshold PbEuSeTe/PbTe separate confinement buried heterostructure diode lasers // Appl. Phys. Lett.- 1996.-V.68, N. 6.-P.738-740.

23. Dolginov L., Druzhinina L., Eliseev P., Kryukova I., Leskovich V., Milvidskii M., Sverdlov B. Multicomponent solid-solution semiconductor lasers // Physica E.- 1977.- V.13, N.8.— P.609-611.

24. Dolginov L., Drakin A., Druzhinina L., Eliseev P., Milvidsky M., Skripkin V., Sverdlov B. Low threshold heterojunction AlGaAsSb/GaSb lasers in the wavelength range of 1.5—1.8 \im II Physica E.- 1981.- V.17, N.5.- P.593- 597.

25. N. Kobayashi, Y. Hiroshi, C. Uemura Room Temperature Operation of the InGaAsSb/AlGaAsSb DH Laser at 1.8 цт Wavelength // Jpn. J. of Appl. Phys.-1980.-V. 19, P.L30-L32.

26. A. E. Bochkarev, L. M. Dolginov, A. E. Drakin, P. G. Eliseev, B. N.Sverdlov, and P. N. Lebedev Injection lasers operating continuously atroom temperature at 2.33 im II 11th IEEE Int. Semiconductor Laser Conf., Boston, USA.- 1988-PD8.

27. A.N.Baranov, P.E.Dyshlovenko, A.A.Kopylov, V.V.Sherstnev. Long-wavelength optical absorption in p-GaSb // Sov. Tech. Phys. Lett.- 1988-V.14.-P.798

28. Т.Н. Chiu, W.T. Tsang, J.P. Ditzenberger and. Van der Zeil Room-temperature of InGaAsSb/AlGaSb double heterostructure lasers near 2.2 цт prepared by molecular beam epitaxy // J. Appl. Phis. Lett. 1986. - V. 49 - P. 1051-1052.

29. H. K. Choi and S. J. Eglash, Room-temperature cw operation at 2.2 |im of GalnAsSb/AlGaAsSb diode lasers grown by molecular beam epitaxy // Appl. Phys. Lett.- 1991, V.59, N. 10.-P. 1165-1167

30. H. Lee, P.K. York, R.J. Menna et al. Room-temperature 2.78 }im AlGaAsSb/InGaAsSb quantum well lasers // Appl. Phys. Lett. 1995. V.66. - P. 1942-1944.

31. D.Z. Garbuzov, R.U. Martinelli, R.J. Menna. 2.7-^m AlGaAsSb/InGaAsSb laser diodes with continuous-wave operation up to -39°C // Appl. Phys. Lett. 1995. -V. 67.-P. 1346-1348.

32. D.Z. Garbuzov, R.U. Martinelli, H. Lee. Ultralow-loss broadened-waveguide high power 2 |im AlGaAsSb/InGaAsSb/GaSb separate-confinement quantum well lasers // Appl. Phys. Lett. 1996. V. 69. - P. 2006-2008.

33. G.B. Stringfellow. Miscibility gaps in quatrnary III/V alloys // J. of Cryst. Growth. 1982. - V. 58 - P. 194-202.

34. T.H. Chiu W.T. Tsang, S.N.G. Chu, J. Shah, and J.A. Ditsrenberger. Molecular-beam epitaxy of GaSbo.5Aso.5 and AlxGai.xSbyAsiy lattice mathed to InP // Appl. Phys. Lett. -1985. V. 46. - P. 408-410.

35. H.K Choi, S.J. Eglash, and G.W. Turner. Double-heterostructure diode lasers emitting at 3 |im with a metastable GalnAsSb active layer and AlGaAsSb cladding layers // Appl. Phys. Let. -1994. V. 64. - P. 2474-2476.

36. S.J. Eglash, and H.K Choi. InAsSb/AlAsSb double-heterostructure diode lasers emitting at 4 fim // Appl. Phys. Let. 1994. - V. 64. - P. 833-835.

37. H.K Choi, and G.W. Turner. InAsSb/InAlAsSb strained quantum-well diode lasers emitting at 3.9 pm // Appl. Phys. Let. 1995. - V. 67. - P. 332-334.

38. H.K Choi, G.W. Turner, M.J. Manfra, and M.K. Konnors. 175K continuous operation of InAsSb/InAlAsSb quantum-well diode lasers emitting at 3.5 pirn // Appl. Phys. Let. 1996. - V. 68. - P. 2936-2938.

39. H.K Choi, G.W. Turner, and. H.Q. Lee. InAsSb/InAlAs strained quantum-well lasers emitting at 4.5 |im // Appl. Phys. Let. 1995. - V. 66. - P. 3543-3545.

40. В. Brar, J. Ibbetson, H. Kroemer, J. H. English Effects of the interface bonding type on the optical and structural properties of InAs-AlSb quantum wells // Appl. Phys. Lett.-1994.- V.64, N.25.-P.3392-3394

41. I. Sela, C. R. Bolognesi, L. A. Samoska, and H. Kroemer Study of interface composition and quality in AlSb/InAs/AlSb quantum wells by Raman scattering from interface modes // Appl. Phys. Lett.- 1992 V.60, N.26.- P.3283

42. S. J. Eglash and H. K. Choi High-power multiple-quantum-well GalnAsSb/AlGaAsSb diode lasers emitting at 2.1 pm with low threshold current density // Appl. Phys. Lett.- 1992,- V.61.-P.l 154-1156

43. G. Tuttle, H. Kroemer, and J.H. English. Effects of interface layer sequencing on the transport properties of InAs/AlSb quantum wells: Evidence for antisite donors at the InAs/AlSb interface // Appl. Phys. Lett 1990. - V. 67. - P. 30323037

44. B. Brar, J. Ibbetson, H. Kroemer, and J.H. English. Effects of the interface bonding type on the optical and structural properties of InAs-AlSb quantum wells // Appl. Phys. Lett. 1994. - V. 64. - P. 3392-3394

45. M. Yano, M. Okuizumi, Y. Twai, and M.Inou. Molecular-beam-epitaxial growth and optical analysis of InAs/AlSb strained-layer superlattices // Appl. Phys. Lett.-1993.- V.74.— P.7472-7480

46. Grein C.H. Theoretical performance of InAs/ InxGaixSb superlattice-based midwave infrared lasers // J. of Appl. Phys 1994 - V.76 - P. 1940

47. Youngdale E.R., Auger lifetime enhancement in InAs-GaixInxSb superlattices // Appl. Phys. Lett.- 1994.- V.64.-P.3160

48. В. Баранов, Б.Е Джуртанов, A.H. Именков и др. Генерация когерентного излучения в квантово размерной структуре на одном гетеропереходе // ФТП.- 1986.- Т.20,— С.2217-2221

49. T.C.Hasenberg, D.H. Chow, A.R. Kost, Miles R.H., and West L. Demonstration of 3.5 jim GaixInxSb/InAs superlattice diode laser // Electronics Letters 1995 — V.31- P.275-276

50. W.W Bewley, E.H. Aifer, C.L. Felix, et. al. High-temperature type-II superlattice laser at X=2.9 nm // Appl. Phys. Lett 1997 - V.71.- P.3607-3609

51. J.I. Malin, J.R. Meyer, C.L. Felix, et. al. Type II mid-infrared quantum well lasers // Appl. Phys. Lett.- 1996.- V.68.- P.2976-2978

52. J.R. Meyer, C.A. Hoffman, F.J. Bartoli and L.R. Ram-Mohan. Type II quantum well lasers for the mid-wavelength // Appl. Phys. Lett- 1995.- V.67.- P.757-759

53. Chih-Hsaing Lin, S.S. Pei, H.Q. Lee et. al. Low-threshold quasi-cw type II quantum well lasers at wavelengths beyond 4 fim // Appl. Phys. Lett.— 1997.-V.71- P.3281-3283

54. H.Q. Lee C.H. Lin, and S.S. Pei. Low-loss high-efficiency and high-power diode-pumped mid-infrared GalnSb/InAs quantum well lasers // Appl. Phys. Lett.- 1998.-V.72.-P.3434-3436

55. Malin J.I., Felix C.I., Meyer J.R. Type II mid-IR lasers operating above room temperature//Electron. Lett.- 1996.-V.32.-P. 1593-1595

56. R. Q. Yang, B.H. Zhang, C.-H. Lin. High power mid-infrared interband cascade lasres based on type-II quantum wells // Appl. Phys. Lett- 1997.- V.71-P.2409-2411

57. L.J. Olafsen, E.H. Aifer, I. Virgaftman. Near room-temperature mid-infrared interband cascade lasers // Appl. Phys. Lett 1998.- V.72 - P.2370-2372

58. M.A. Haase, J. Qiu, J.M. DePuydt, H. Cheng Blue-green laser diodes // Appl. Phys. Lett.- 1991.- V.59.-P.1272

59. H. Okuayma, T. Miyajima, Y. Morinaga, F. Hiei, M. Ozawa, K. Akimoto, ZnSe/ZnMgSSe blue laser diodes // Electron. Lett 1992 - V.28 - P. 1798

60. Cho A.Y., Arthur J.R. Molecular beam epitaxy // in Progress in solid state chemistry, ed. by G. Somoijaj, J. McCaldin, Pergamon 1975.- V.10.- P. 157

61. R. Heckingbottom, G.J. Davies, K.A. Prior Growth and doping of gallium arsenide using molecular beam epitaxy (MBE), Thermodynamic and kinetic aspects // Surf. Sei.- 1983.- V.l32, N.2.-P.375.

62. C.T. Foxon Molecular beam epitaxy // Acta Electrónica.- 1978.- V.21, N.2.— P.139

63. T. Yao, Y. Miyoshi, Y. Makita, S. Maekawa Growth rate and sticking coefficient of ZnSe and ZnTe grown by molecular beam epitaxy // Japan. J. of Appl. Phys.-1977.-V.16, N.2.- P.369

64. Z. Zhu, T. Nomura, M. Miyao, M. Hagino MBE growth mechanism of ZnSe: growth rate and surface coverage // J. of Crystal Growth.- 1989 V.96 - P.513.

65. Zhu, T. Nomura, M. Miyao, M. Hagino MBE growth mechanism of ZnSe: flux ratio and substrate temperature // J of Crystal Growth 1989 - V.96 - P.529

66. S.V. Ivanov, S.V. Sorokin, P.S. Kop'ev, J.R. Kim, H.D. Jung, H.S. Park Composition, stoichiometry and growth rate control in MBE of ZnSe based ternary and quaternary alloys // J. of Cryst. Growth 1996.- V. 159.- P.16

67. И.В.Седова, Т.В.Львова, В.П.Улин, С.В.Сорокин, А.В.Анкудинов, В.Л.Берковиц, С.В.Иванов, П.С.Копьев, Сульфидные пассивирующие покрытия поверхности GaAs(100)B условиях молекулярно-пучковой эпигаксии AWGaAs // ФТП.- 2002.- Т.36, Вып. 1С.59

68. R. L. Gunshor, L. A. Kolodziejski, M. R. Melloch, M. Vaziri, C. Choi and N. Otsuka Nucleation and characterization of pseudomorphic ZnSe grown on molecular beam epitaxially grown GaAs epilayers // Appl. Phys. Lett- 1987-V.50, N.4.— P.200-202

69. S.Itoh, A.Ishibashi ZnMgSSe based laser diodes // J. Cryst. Growth.- 1995-V.150.— P.701-706

70. C. C. Chu, T. B. Ng, J. Han, G. C. Hua, and R. L. Gunshor, E. Ho, E. L. Warlick, and L. A. Kolodziejski, A. V. Nurmikko Reduction of structural defects in II-VI blue green laser diodes // Appl. Phys. Lett.- 1997.- V.69, N.5.- P.602-604

71. AC Wright, J O Williams, A Krost, W Richter and D R T Zahn High resolution and conventional transmission electron microscopy of Ga2Se3 thin films grown by vapour phase epitaxy // J. Crystal Growth.- 1992 V. 121, N. 1/2 - P. 111

72. J.M. Gaines, J. Peruzzello, B. Greenberg, Structural properties of ZnSe films grown by migration enhanced epitaxy // J. Appl. Phys- 1993- V.73, N.6.-P.2835-2840

73. J.M. Gaines Molecular beam epitaxy of II-VI wide bandgap semiconductors // Philips J. Res.- 1995.- V.49.- P.245-265

74. J. Qiu, D. R. Menke, M. Kobayashi, R. L. Gunshor, D. Li, Y. Nakamura, and N. Otsuka Characterization of Ga2Se3 at ZnSe/GaAs heterovalent interfaces // Appl. Phys. Lett.- 1991.- V.58, N.24.- P.2788

75. A. Ohtake, T. HanadaT. Yasuda, K. Arai, T. Yao Strucrure and composition of the ZnSe(OOl) surface during atomic-layer epitaxy // Phys. Rev. B.- 1999 — V.60, N.11.-P.8326

76. L Kassel, J W Garland, P M Raccah, M A Haase and H Cheng Effects of Zn and Ga interdiffusion on ZnSe/n+GaAs interfaces // Semicond. Sci. Technol.- 1991-V.6.— P. A146-A151

77. L Kassel, J W Garland, P M Raccah, M C Tamargo and H H Farrell Electroreflectance determination of the band profile of ZnSe/n+GaAs heterojunction//Semicond. Sci. Technol.- 1991.- V.6.- P.A152-A156

78. A. D. Raisanen L. J. Brillson L. Vanzetti, A. Bonanni, and A. Franciosi Atomic diffusion-induced deep levels near ZnSe/GaAs(100) interfaces // Appl. Phys. Lett.- 1995.-V.66, N.24.-P.3301

79. H. Katayma-Yoshida, K. Sato Materials design for semiconductor spinotronics ab initio electronic-structure calculation // Physica B 2003.- V.327.- P.337-343

80. F. C. Farrow, G. R. Jones, G. M. Williams, and I. M. Young Molecular beam epitaxial growth of high structural perfection, heteroepitaxial CdTe films on InSb (001) // Appl. Phys. Lett.- 1981.- V.39, N.12.- V.954

81. Y. Rajakarunanayake, B. H. Cole, J. O. McCaldin, D. H. Chow, J. R. Soderstrom, and T. C. McGill C. M. Jones Growth and characterization of ZnTe films grown on GaAs, InAs, GaSb, and ZnTe // Appl. Phys. Lett.- 1989.- V.55, N.12- P.1217-1219

82. M.T. Litz, M. Korn, H. Ress, U. Lunz, W. Ossau, A. Waag, G. Landwehr, K. Watanabe, T. Walter, B. Neubauer, D. Gerthsen, U. Schussler, Epitaxy of ZnMgSeTe on (100)InAs // J. of Crystal Growth.- 1996.- V.159, N.l-4.- P.54-57

83. V.V. Preobrazhenskii, M.A. Putyato, O.P. Pchelyakov, B.R. Semyagin, Experimental determination of the incorporatio factor of AS4 during molecular beam epitaxy GaAs //J. of Crystal Growth.- 1999.- V.202.- P. 170-173

84. H.H. Farrell, J.L. deMiguel, M.C. Tamargo, Reflection high-energy electron diffraction electron-stimulated desorption from ZnSe(100) (2x1) surfaces // J. of Appl. Phys.- 1989.-V.65, N.10.-P.4084-4086

85. N. Matsumura, K. Senga, J. Kakuta, J. Saraie, Reflection high energy electron diffraction study on adatom desorption from ZnSe surface under electron beam irradiation and light irradiation // J. Crystal Growth- 1992.- V.117, N.l-4.-P. 129-133

86. Y. Guo, G. Aizin, Y. C. Chen, L. Zeng, A. Cavus, M.C. Tamargo Photo-pumped ZnCdSe/ZnCdMgSe blue-green quantum well lasers grown on InP substrates // Appl. Phys. Lett.- 1997.-V.70, N.11.-P.1351-1353

87. M. C. Phillips, M. W. Wang, J. F. Swenberg, J. O. McCaldin, and T. C. McGill Proposal and verification of a new visible light emitter based on wide band gap II-VI semiconductors // Appl. Phys. Lett.- 1992.-V.61, N.16.- P.1962-1964

88. F. Firszt, S. Legowski, H. Meczynska, J. Szatkowski, W. Paszkowicz, M. Marczak Photoluminescence and structural properties of selected wide-gap n-VI solid solutions // J. of Crystal Growth.- 1998.- V. 184/185.- P. 1053

89. K.N. Shreekanthan, B.V. Rajendra, V.B. Kasturi, G.K. Shivakumar Growth and characterization of semiconducting cadmium selenide thin films // Cryst. Res. Technol.- 2003.- V.38, N.l.-P.30-33

90. N. Samarth, H. Luo, J. K. Furdyna, S. B. Qadri, Y. R. Lee, A. K. Ramdas, N. Otsuka, Growth of cubic (zinc blende) CdSe by molecular beam epitaxy // Appl. Phys. Lett.- 1989.-V.54, N.26.-P.2680-2682

91. S. Ivanov, A.A. Toropov, T.V. Shubina, S.V. Sorokin, R.N. Kyutt, A.A. Sitnikova, D.D. Solnyshkov, and O.V. Nekrutkina, CdSe-based nanostructures: growth, properties, lasers // Phys. Stat. Sol. (b).- 2004.- V.241, N.3.- P.531-537

92. H. Okuyama, Y. Kishita, A. Ishibashi, Quaternary alloy ZnMgSSe // Phys. Rev. B.-1998.-V.57, N.4.- P.2257-2263

93. R.C. Tu, Y.K. Su, W.H. Lan, F.R. Chien Structural and optical studies of ZnCdSe/ZnSe/ZnMgSSe separate confinement heterostructures with different buffer layers grown by molecular beam epitaxy // J. of Crystal Growth — 1999-V.201/202- P.961

94. J. W. Matthews and A. E. Blakeslee, Defects in epitaxial multilayers // J. Cryst. Growth.- 1974.- V.27 — P. 118

95. R. People and J. C. Bean, Calculation of critical layer thickness versus lattice mismatch for GexSiix/Si strained-layer heterostructures // Appl. Phys. Lett-1985.- V.47, N.3.- P.322-324

96. B. Jobst, D. Hommel, U. Lunz, T. Gerhard, G. Landwehr E0 band-gap energyand lattice constant of ternary ZnixMgxSe as functions of composition // Appl. Phys. Lett.- 1996.-V.69, N.1.-P.97-99

97. M.C. Phillips, M.W. Wang, J.F. Swenberg, J.O. McCaldin, T.C. McGill

98. Proposal and verification of a new visible light emitter based on wide band gapn-VI semiconductors // Appl. Phys. Lett.- 1992.- V.61, N. 16.- P. 1962-1964 i

99. J. Gutowski, P. Baume, K. Hauke, in: R.Bargava (Ed.), Properties of Wide

100. Bandgap II-VI Semiconductors, Inspec IEE, London.- 1997 P.37

101. S. Permogorov, A. Reznitzky, Effect of disorder on the optical spectra of wide-gap n-VI semiconductor solid solutions // J. of Luminescence- 1992 V.52, N.l-4- P.201-223

102. W.H. Strehlow and E.L.Cook Electronic structure calculation of lead and magnesium chalcogenides // J. of Phys. Chem. Ref. Data 1973.- V.2.- P. 163

103. S.-H. Wei, A. Zunger Calculated natural band offsets of all II-VI and III-V semiconductors: Chemical trends and the role of cation d orbitals // Appl. Phys. Lett.- 1998.- V.72, N.16.-P.2011-2013.

104. M.W. Wang, J.F. Swenberg, M.C. Phillips, E.T. Yu, J.O. McCaldin, R.W. Grant, T. C. McGill X-ray photoelectron spectroscopy measurement of valence-band offsets for Mg-based semiconductor compounds // Appl. Phys. Lett.- 1994.-V.64, N.25.- P.3455

105. J. Lilja, J. Keskinen, M. Hovinen, M. Pessa, A comparative study of growth of ZnSe films on GaAs by conventional molecular-beam epitaxy and migration enhanced epitaxy // J. Vac. Sei. Technol. B-1989.- V.7, N.4.- P.593-598

106. General Chemical Handbook, ed. by N.S. Zefirov (BRE, Moscow).- 1995-V.4.-P.311

107. T. Ando, A. B. Fowler, and F. Stern, Electronic properties of two-dimensional systems // Rev. Mod. Phys.- 1982.- V.54.- P.437