Молекулярно-лучевая эпитаксия твердых растворов и гетероструктур на основе нитридов Al и Ga для интегральных газовых сенсоров тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.15, кандидат технических наук Залозный, Александр Николаевич

• Залозный, Александр Николаевич
• кандидат технических наук
• 2011

Оглавление диссертации кандидат технических наук Залозный, Александр Николаевич

Содержание

Введение

Глава I. Твердые растворы АП11Ч: применение, свойства, получение

1.1 Варианты исполнения газовых сенсоров на основе гетероперехода АЮаМЮаМ. Выбор материалов

1.1.1 Диодное исполнение

1.1.2 Транзисторное исполнение

1.2 Свойства твердых растворов А11^

1.2.1 Кристаллическая структура твердых растворов АШК

1.2.2 Поляризационные эффекты твердых растворов АШК

1.2.3 Зонная структура и электрофизические свойства твердых растворов АШМ

1.3 Дефекты в твердых растворах АШМ

1.4 Электронное ограничение гетероперехода АЮаМЮаК

1.5 Механизм газовой чувствительности гетероструктур АЮаТЧ/ОаМ

1.6 Основные методы получения газовых сенсоров на основе гетероперехода АЮа!Ч/СаК

1.6.1 Газофазная эпитаксия

1.6.2 Молекулярно-лучевая эпитаксия

1.7 Выводы по главе 1

Глава II. Синтез и методы исследования физических характеристик гетероструктур АЮа1Ч/ОаМ

2.1 Исходные материалы

2.1.1 Металлы III группы

2.1.2 Подложки

2.2 Установка молекулярно-лучевой эпитаксии

2.3 Другие технологические установки полного цикла

2.4 Основные методы измерения параметров исследуемой гетероструктуры

2.4.1 Система дифракции быстрых электронов

2.4.2 Система лазерной интерферометрии

2.4.3 Метод Ван-дер-Пау для определения параметров носителей в тонких эпитаксиальных слоях

2.4.4 Сканирующая зондовая микроскопия

2.5 Газодинамическая установка

2.6 Выводы по главе II

Глава III. Исследование условий роста, морфология поверхности и электрофизические свойства эпитаксиальных слоев AIN, GaN и AlGaN

3.1 Отработка условий роста зародышевого слоя A1N

3.1.1 Оптимизация кинетических параметров (Т, поток NH3) роста эпитаксиальных слоев A1N

3.1.2 Влияние толщины зародышевого слоя A1N

3.2 Отработка условий роста GaN

3.2.1 Отработка начальных стадий эпитаксиального роста GaN

3.2.2 Оптимизация кинетических параметров (Т, поток NH3) роста GaN

3.3 Отработка условий роста AlGaN

3.3.1 Оптимизация кинетических параметров (Т, поток NH3) роста эпитаксиальных слоев AlGaN

3.4 Отработка условий роста многослойных гетероструктур AinN для газовой сенсорики

3.4.1 Отработка переходов в буферной части многослойных гетероструктур AIN/AlGaN/GaN/AlGaN

3.5 Выводы по главе III

Глава IV. Электрофизические свойства и газовая чувствительность газовых сенсоров на основе гетероструктур AlGaN/GaN

4.1 Электрофизические свойства гетероструктур АЮаКГ/ОаМ

4.2 Газочувствительные свойства гетероструктур АЮаГ^ЛЗаК

4.2.1 Влияние кислородной составляющей на газовую чувствительность

4.2.2 Влияние гидроксильной составляющей на газовую чувствительность

4.2.3 Влияние температуры на газовую чувствительность к водороду

4.2.4 Стабильность и воспроизводимость параметров газовой чувствительности

4.3 Выводы по главе IV

Основные результаты и выводы

Список используемой литературы

Приложение

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Молекулярно-лучевая эпитаксия твердых растворов и гетероструктур на основе нитридов Al и Ga для интегральных газовых сенсоров»

ВВЕДЕНИЕ

Актуальность работы.

Благодаря большим значениям ширины запрещенной зоны, высокой термической и радиационной стойкости, высоким значениям пробивных полей и ярко выраженных поляризационных эффектов, нитриды металлов третьей группы (AinN), в частности AIN, GaN и AlGaN, являются перспективными материалами для создания высокочувствительных газовых сенсоров, потребность в которых испытывают практически все сферы жизнедеятельности человека.

Несмотря на представленные выше достоинства, материалы AmN широкого распространения в газовой сенсорике не получили. Это связано с рядом проблем, одной из которых является отсутствие дешевых подложек из AinN, что приводит к необходимости выращивать данные материалы на подложках, в той или иной мере рассогласованных по параметрам кристаллических решеток и коэффициентам термического расширения, из-за чего появляются трудности эпитаксиального роста качественных активных слоев AniN.

Между тем, при использовании технологических приемов (создание зародышевых слоев, и градиентных слоев), в зависимости от режимов процесса молекулярно-лучевой эпитаксии с применением аммиака в качестве источника азота можно получить высококачественные слои AmN, обладающие огромным потенциалом для создания высокочувствительных газовых сенсоров. Однако без проведения всесторонних исследований в области эпитаксии и изучения структурно-чувствительных свойств этих материалов не возможна оптимизация условий получения гетероструктур

с заданными характеристиками а, следовательно, и их массовое использование в газовой сенсорике.

В связи с этим целью диссертационной работы являлось установление влияния технологических факторов роста слоев AIN, GaN и AlGaN методом молекулярно-лучевой эпитаксии с применением аммиака в качестве источника азота и исследование путей снижения среднеарифметической шероховатости поверхности растущих слоев, влияющих на электрофизические свойства гетероструктур, применяемых в газовой сенсорике.

В соответствии с целью исследований были поставлены следующие задачи:

-определить влияние технологических параметров процесса роста зародышевых слоев A1N, выращенных на подложках А1203 методом молекулярно-лучевой эпитаксии с применением аммиака в качестве источника азота, на морфологию поверхности;

-определить влияние технологических параметров процесса роста эпитаксиальных слоев GaN, выращенных на зародышевых слоях A1N методом молекулярно-лучевой эпитаксии с применением аммиака в качестве источника азота, на морфологию поверхности;

-определить влияние технологических параметров процесса роста эпитаксиальных слоев AlGaN, выращенных на эпитаксиальных слоях GaN методом молекулярно-лучевой эпитаксии с применением аммиака в качестве источника азота, на морфологию поверхности;

-исследовать влияние градиентных слоев на подвижность электронов в двумерном электронном газе гетероструктуры AlGaN/GaN;

-определить влияние толщины активного слоя GaN в гетероструктуре AlGaN/GaN на электрофизические параметры двумерного электронного газа;

-исследовать электрофизические и газочувствительные свойства (чувствительность к Н2) разработанной гетероструктуры AlGaN/GaN и сравнить результаты с существующим аналогом.

Научная новизна работы: - исследована зависимость кинетики роста слоев AIN, GaN и AlGaN от технологических параметров синтеза методом молекулярно-лучевой эпитаксии с использованием аммиака в качестве источника азота, и установлены оптимальные условия роста для этих материалов;

-впервые предложена конструкция гетероструктуры AlGaN/GaN для применения в газовой сенсорике, включающая в себя градиентные слои;

-установлено влияние конструкции гетероструктуры AlGaN/GaN на подвижность электронов в канале с двумерным электронным газом.

Практическая значимость работы: -установлены режимы процесса роста эпитаксиальных слоев GaN, AIN и AlGaN методом молекулярно-лучевой эпитаксии с использованием аммиака в качестве источника азота для получения слоев с минимальной среднеарифметической шероховатостью поверхности;

-разработана оптимальная конструкция гетероструктуры на основе гетероперехода AlGaN/GaN для применения в газовой сенсорике;

-получены гетероструктуры, работающие в широком диапазоне температур (от 0 до 800 °С), обладающие высокой чувствительностью к Н2 (концентрация 0,5 -f-10000 ppm) и временем отклика 4 с, что не менее, чем в 2 раза меньше времени отклика аналога.

Основные положения, выносимые на защиту:

-характер влияния технологических параметров процесса молекулярно-лучевой эпитаксии с использованием NH3 в качестве источника азота на рост слоев AIN, GaN, AlGaN;

-характер влияния градиентных слоев на подвижность носителей заряда в канале с двумерным электронным газом гетероструктур AlGaN/GaN;

-характер влияния толщины слоя GaN в гетероструктуре AlGaN/GaN на подвижность и концентрацию электронов в двумерном электронном газе;

-статические и динамические газочувствительные характеристики разработанных гетероструктур AlGaN/GaN, а также сравнительный анализ полученных образцов с существующим аналогом.

Реализация результатов работы.

Тематика данной работы соответствует перечню приоритетных направлений фундаментальных исследований, утвержденных президиумом РАН.

Работа является частью комплексных исследований, проводимых на кафедре «Нанотехнологии и технологии материалов электронной техники» ФГБОУ ВПО «Северо-Кавказский государственный технический университет» в рамках гранта: Мин. Образования РФ, РНП 1.2.08 «Исследование физических свойств тонких пленок нитрида галлия и карбида кремния, полученных методами магнетронного распыления и вакуумного лазерного испарения».

Результаты диссертационной работы легли в основу проекта, поддержанного фондом содействия развитию малых форм предприятий в

научно-технической сфере по программе У.М.Н.И.К. проект №7963 (3) от 01.01.2008 г.

Результаты диссертационной работы легли в основу проекта, поддержанного фондом содействия развитию малых форм предприятий в научно-технической сфере по программе Старт № 6472р/8626 от 01.12.2011 г.

Апробация результатов исследований.

Результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на следующих конференциях: международной научной конференции «Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии» (Кисловодск 2009, Ставрополь, 2010 г.); всероссийской научно-практической конференции «Перспективные системы и задачи управления» (Домбай, 2010 г.); международной научной студенческой конференции «Научный потенциал студенчества - будущему России» (Ставрополь, 2010 г.).

Достоверность полученных результатов.

Достоверность и обоснованность научных положений и выводов обусловлена непротиворечивостью и соответствием полученных результатов современным научным представлениям и эмпирическим данным, применением стандартной измерительной аппаратуры, комплексным и корректным использованием общепризнанных методик, метрологическим обеспечением измерительной аппаратуры, согласованностью полученных результатов с результатами других исследователей, практической реализацией результатов исследований.

Публикации.

По результатам диссертации опубликовано 11 работ (из них 3 - в журналах, рекомендованных ВАК РФ), в том числе: 1 патент РФ и 7 тезисов докладов на международных, российских научно-технических

конференциях и семинарах, где полностью изложены основные положения диссертации.

Структура и объем работы.

Диссертация состоит из введения, 4 глав, основных результатов и выводов по работе. Материал диссертации представлен на 137 страницах машинописного текста, включающий 43 рисунка, 3 таблицы, список литературы в количестве 142 наименований, 1 приложения.

Заключение диссертации по теме «Молекулярная физика», Залозный, Александр Николаевич

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

1. Исследования морфологии поверхности эпитаксиальных слоев A1N, выращенных на сапфировых подложках показали, что оптимальными условиями процесса эпитаксии A1N являются: FNH3 = 60 см /мин, ТПОдл = 1200 °С;

2. Исследования морфологии поверхности эпитаксиальных слоев GaN, выращенных на зародышевых слоях A1N показали, что оптимальными условиями процесса эпитаксии GaN являются FNH3 = 400 см3/мин, Тподл = 970 °С;

3. Исследования морфологии поверхности эпитаксиальных слоев AlGaN, выращенных на эпитаксиальных слоях GaN показали, что оптимальными условиями процесса эпитаксии A^GaojN являются FNH3 = 400 см3/мин, ТШдл = Ю10 °С;

4. Установлено, что эффективным решением проблемы, связанной с захватом электронов из канала с ДЭГ на глубокие ловушки, является увеличение барьера для электронов в ДЭГ, по средствам создания двойного ограничения AlGaN/GaN/AlGaN; а снижение плотности прорастающих дислокаций достигается путем введения градиентных слоев, что позволило увеличить подвижность от 579 до 1300 см /Вхс. Также показано, что использование вставки A1N толщиной 1 нм, между слоями GaN и AlGaN оказывает существенное влияние на подвижность носителей заряда, обусловленную эффектом туннелирования электронов в канале с ДЭГ, таким образом подвижность увеличилась от 1300 до 1600 см2/Вхс;

5. Исследовано влияние толщины активного слоя ОаК в гетероструктуре АЮаГЧ/ОаК на электрофизические свойства ДЭГ. Установлено, что минимальной толщиной слоя ваИ является 100 нм;

6. На основании проведенных исследований разработана конструкция гетероструктуры ЛЮаРЧ/ваМ с подвижностью 1600 см /Вхс и лт /ч концентрацией носителей заряда 1,4x10 см" в канале с ДЭГ, обладающая высокой газовой чувствительностью (до 0,5 ррш) и работающая в широком диапазоне температур от 0 до 800 °С.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Залозный, Александр Николаевич, 2011 год

СПИСОК ИСПОЛЬЗУЕМОЙ ЛИТЕРАТУРЫ

1. AlGaN films grown by chloride-hidride chemical vapour deposition (CH CVD) / A. M. Tsaregorodtsev, A. N. Efimov, A. N. Pikhtin, I. G. Pichugin // Inst. Phys. Conf. Ser. - 1997. - V. 155. - № 3. - P. 243-246.

2. AlGaN-GaN double-channel HEMTs / R. Chu, Y. Zhou, J. Liu, D. Wang, K. J. Chen, К. M. Lau // IEEE Transactions on electron devices. -2005. - V. 52. - № 4. - P. 438-446.

3. AlGaN-GaN HEMTs on patterned silicon (111) substrate / S. Jia, Y. Dikme, D. Wang, K. J. Chen, К. M. Lau, M. Heuken // IEEE Electron device letters. - 2005. - V. 26. - № 3. - P. 130-132.

4. AlGaN/GaN HEMTs on SiC with over 100 GHz and low microwave noise. / W. Lu, J. Yang, A. Khan, I. Adesida // IEEE Transactions on electron devices. - 2001. - V. 48. - P. 581-590.

5. AlGaN/GaN heteroj unction field effect transistors grown by nitrogen plasma assisted molecular beam epitaxy / M. Micovic, A. Kurdoghlian, P. Janke, P. Hashimoto, W. S. Wong, S. J. Moon, L. McCray, C. Nguyen // IEEE Transactions on electron devices. - 2001. - V. 48. - № 3. - P. 591-596.

6. AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors with backdoping design for high-power applications: high current density with high transconductance characteristics / N. Maeda, K. Tsubaki, T. Saitoh, T. Tawara, N. Kobayashi // Mat. Res. Soc. Symp. Proc. - 2003. - V. 743. - P. L9.3.1-L9.3.6.

7. AlGaN/InGaN/GaN double heterostructure field-effect transistor / G. Simin, X. Hu, A. Tarakji, J. Zhang, A. Koudymov, S. Saygi, J. Yang, A. Khan, M. S. Shur, R. Gaska // Jpn. J. Appl. Phys. - 2001. - V. 40. P. L1142-L1144.

8. Ambacher, O. Growth and applications of group Ill-nitrides / O. Ambacher // J. Phys. D: Appl. Phys. - 1998. - V. 31. - P. 2653-2710.

9. A new field effect transistor with selectively doped GaAs/n-AlGaAs heterojunctions / M. Devre, R. Westerman, G. Muir, L. Bellon, C. Unaxis, S. Mimura, T. Hiyamizu // Jpn. Appl. Phys. - 1980. - V. 19. - P. L225-L227.

10. Arbab, A. Evaluation of gas mixtures with high-temperature gas sensors based on silicon carbide / A. Arbab, A. Spetz, I. Lundstrom // Sensors and Actuators. - 1994. - V. 18/19. - P. 562-565.

11. Atomic scale characterization of GalnN/GaN layers grown on sapphire substrates with low-temperature deposited A1N buffer layers / M. Tabuchi, H. Kyouzu, Y. Takeda, S. Yamaguchi, H. Amano, I. Akasaki // Journal of Crystal Growth. - 2002. - V. 237. - P. 1133-1138.

12. Bard, A. J. Double-Layer Structure and Adsorption / A. J. Bard, L. R. Faulkner // Electrochemical Methods: Fundamentals and Applications. -2001.-V. 13.-P. 534-577.

13. Blue InGaN-based laser diodes with an emission wavelength of 450 nm / S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Matsushita, T. Mukai // Appl. Phys. Lett. - 2000. - V. 76. - № 1. - P. 3-5.

14. Broadening of nearbandgap photoluminescence in n-GaN films / E. Iliopoulos, D. Doppalapudi, H. M. Ng, T. D. Moustakas // Appl. Phys. Lett. -1999. - V.73. - № 3. - P.375-377.

15. Catalytic metals and field-effect devices-a useful combination / A. Spetz, F. Winquist, U. Ackelid, H. Sundgren, I. Lundstrom // Sensors and Actuators. - 1990. - V. 75. - P. 345-348.

16. Characterization of an AlGaN/GaN two-dimensional electron gas structure / A. Saxler, P. Debraz, R. Perrin, S. Elhamri, W. C. Mitcel, C. R. Elsass and all // J. Appl. Phys. - 2000. - V.87. - P. 369-374.

17. Cho, N. GaN based heterostructure growth and application to electronic devices and gas sensors / N. Cho, D. Pavlidis, K. Najafi // Sensors and Actuators. - 2002. - V. 5. - P. 55-63.

18. Chu, K. Two-dimensional electron gases induced by spontaneous and piezoelectric polarization in undoped and doped AlGaN/GaN heterostructures / K. Chu O. Ambacher, B. Foutz, // J. Applied Phys. - 2000. -V.87. - P. 334-344.

19. Competition between band gap and yellow luminescence in undoped GaN grown by MOVPE on sapphire substrate. / H. Z. Xu, Z. G. Wang, Y. Okada, M. Kawabe, I. Harrison // Journal of Crystal Growth. - 2001, - V. 222, - P.96-103.

20. Current collapse and the role of carbon in AlGaN/GaN high electron mobility transistors grown by metalorganic vapor-phase epitaxy / P. B. Klein, S. C. Binari, K. Ikossi, A. E. Wickenden, D. D. Koleske, R. L. Henry // Appl. Phys. Lett. - 2001. - V. 79. - P. 3527.

21. Design of gas inlets for the growth of gallium nitride by metalorganic vapor phase epitaxy / C. Theodoropoulos, T. J. Mountziaris, H. K. Moffat, J. Han // J. Cryst. Growth. -2000. - V. 217. - P. 65.

22. Dislocation generation in GaN heteroepitaxy / X. H. Wu, P. Fini, E. J. Tarsa, B. Heying, S. Keller, U. K. Mishra, S. P. DenBaars, J. S. Speck // J. Cryst. Growth. - 1998. - V. 190 - P. 231.

23. Doping behavior of Ino.1Gao.9N codoped with Si and Zn / C. R. Lee, J. Y. Leem, S. K. Noh, S. J. Son, K. Y. Leem // J. Crystal Growth. - 1999. -V. 197. - P.78-83.

24. Duxstad, K. J. High temperature behavior of Pt and Pd on GaN / K. J. Duxstad, E. E. Haller, K. M. Yu // J. Appl. Phys. - 1997. - V. 81. - P. 31343137.

25. Eastman, L. F. The toughest transistor yet / L. F. Eastman, U. K. Mishra // IEEE Spectrum. - 2002. - V. 5. - P. 28-33.

26. Effect of growth temperature on the properties of p-type GaN grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy / J. M.Myoung, K. H.Shim, O. Gluschenkov, C. Kim, K. Kim, S. Kim, S. G. Bisho // Journal of Crystal Growth. - 1997. - V. 182. - P.241-246.

27. Effect of A1N buffer layer deposition conditions on the properties of GaN layer / T. Ito, K. Ohtsuka, K. Kuwahara, M. Sumiya,Y. Takano, S. Fuke // Journal of Crystal Growth. - 1999. - V. 205. - P. 20-24.

28. Effects of A1N buffer layer on crystallographic structure and on electrical and optical properties of GaN and GaAIN (0 < x < 0.4) films grown

on sapphire substrate by MOVPE / I. Akasaki, H. Amano, Y. Koide, H. Hiramatsu, N. Sawak // J. Cryst. Growth. - 1989. - V. 98. - P. 209.

29. Effect of A1N nucleation layer growth conditions on buffer leakage in AlGaN/GaN high electron mobility transistors grown by molecular beam epitaxy (MBE) / C. Poblenz, P. Waltereit, S. Raj an, U. K. Mishra, J. S. Speck, P. Chin, I. Smorchkova, B. Heying, // J. Vac. Sei. Technol. - 2005. - V. 23. -№4. -P. 1562-1567.

30. Effects of initial thermal cleaning treatment of a sapphire substrate surface on the GaN epilayer / J. H. Kim, S. C. Choi, J. Y. Choi, K. S. Kim, G. M. Yang, C. H. Hong, K. Y. Lim, H. J. Lee. // Jpn. J. Appl. Phys. - 1999. -V.38. - № 5. - P.2721-2724.

31. Effect of in-situ thermal treatment during growth on crystal quality of GaN epilayer grown on sapphire substrate by MOVPE. / H. Z. Xu, K. Takahashi, C. X. Wang, Y. Okada, M. Kawabe// Journal of Crystal Growth. -2001.-V. 222. - P.110-117.

32. Effects of SiN passivation and high-electric field on AlGaN-GaN HFET degradation / H. Kim, R. M. Thompson, V. Tilak, T. R. Prunty, J. R. Shealy, L. F. Eastman // IEEE Electron device letters. - 2003. - V. 24. - № 7. -P. 421-423.

33. Effect of surface passivation of AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistor / A. V. Vertiatchikh, L. F. Eastman, W. J. Schaff, T. Prunty // Electronics Letters. - 2002. - V. 38. - № 8. - P. 388.

34. Electron mobility in modulation-doped AlGaN-GaN-heterostructures / R. Gaska, M. S. Shur, A. D. Bykhowski, A. O. Orlov, G. L. Snider // Appl. Phys. Lett. - 1999. - V.74. - P. 287-289.

35. Fabrication of native, single-crystal A1N substrates / L. J. Schowalter, G. A. Slack, J. B. Whitlock, K. Morgan, S. B. Schujman, B. Raghothamachar, M. Dudley, K. R. Evans // phys. stat. sol. - 2003. - P. 1-4.

36. Fast chemical sensors for emission control / A. L. Spetz, P. Tobias, L. G. Ekedahl, P. Martensson, I. Lundstrom // Electrochem. Soc. Interface. -1998.-V. 7.-P. 34-38.

37. From spiral growth to kinetic roughening in molecular-beam epitaxy of GaN(OOOl) / S. Vezian, F. Natali, F. Semond, J. Massies // Physical Review B. - 2004. - V. 69. - P. 125329.

38. Fundamentals material properties and device performances in GaN MBE using on-surface cracking of ammonia markus kamp / M. Mayer, A. Pelzmann, K. J. Ebeling // MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. - 1997. -V. 2.-P. 26.

39. Gallium nitride based high power heterojunction field effect transistors: process development and present status at UCSB / S. Keller, W. Y. Feng, G. Parish, N. Ziang, J. J. Xu, B. P. Keller, S. P. Den-Baars, U. K. Mishra // IEEE Trans. Electron Device Lett. - 2001. - V. 48. - P 552-559.

40. GaN-based diodes and transistors for chemical, gas, biological and pressure sensing / S. J. Pearton, B. S. Kang, S. Kim, F. Ren, B. P. Gila, C. R. Abernathy, J. Lin, S. N. Chu // J. Phys.: Condens. - 2004. - V. 16. -P. R961-R994.

41. GaN HBT: toward an RF device / L. S. McCarthy, I. P. Smorchkova, H. Xing, P. Kozodoy, P. Fini, J. Limb, D. L. Pulfrey, J. S. Speck, M. J. Rodwell, S. P. DenBaars, U. K. Mishra // IEEE Trans. Eleclectron Device Lett-2001.-V. 48.-P. 543.

42. GaN optical system for CO and NO gas detection in the exhaust manifold of combustion engines / M. Mello, B. Poti. A de Risi, A. Passaseo, M. Lomascolo, M. De Vittorio // J. Opt. A : Pure Appl. Opt. - 2006. -V. 8.-P. S545.

43. Gas sensitive GaN/AlGaN-heterostructures. / J. Schalwig, G. Muller, M. Eickhoff, O. Ambacher, M. Stutzmann // Sensors and Actuators. -2002. - V. 87. - P. 425-430.

44. Gas sensors for high temperature operation based on metal oxide silicon carbide device / A. Arbab, A. Spetz, I. Lundstrom // Sens. Actuators. -1993.-V. 15/16.-P. 19-23.

45. Goano, M. Simulation of electron transport in the Ill-nitride wurtzite phase materials system: binaries and ternaries maziar farahmand / M. Goano, E. Ghillino, G. Ghione // IEEE Transactions on electron devices. -2001.-V. 48. -№ 3. - P. 535.

46. Grandjean, N. GaN/GalnN-based light emitting diodes grown by molecular beam epitaxy using NH3 / N. Grandjean, J. Massies // Journal of Crystal Growth. - 1999. - V. 201/202. - P. 323-326.

47. Group III nitride based gas sensing devices / J. Schalwig, G. Muller, O. Ambacher, M. Stutzmann // Phys. Stat. Sol. - 2001. - V. 1851. - P. 39-45.

48. Group Ill-nitride based gas sensors for combustion monitoring / J. Schalwig, G. Muller, U. Karrer, M. Eickhoff, O. Ambacher, M. Stutzmann // Mat. Sci. Eng. - 2002. - V. 93. - P. 207-214.

49. Growth and characterization of graded AlGaN conducting buffer layers on n-SiC substrates / B. Moran, M. Hansen, M. D. Craven, J. S. Speck, S. P. Denbaars // Journal of Crystal Growth. - 2000. - V. 221. - P. 301-304.

50. Growth pressure dependence of residual strain and threading dislocations in the GaN layer / S. Lee, J. K. Son, H. S. Paek, T. Sakong, W. Lee, K. H. Kim, S. S. Kim, Y. J. Lee, D. Y. Noh, E. Yoon, O. H. Nam, Y. Park // phys. stat. sol.(c). - 2004. - V. 1. - P. 2458.

51. Grzegory, I. High pressure growth of bulk GaN from solutions in gallium /1. Grzegory // J. Phys. Condens. Matter. - 2001. - V. 13. - P. 6875.

52. Higashiwaki, M. Cat-CVD SiN-Passivated AlGaN-GaN HFETs with thin and high A1 composition barrier layers / M. Higashiwaki, N. Hirose, T. Matsui // IEEE Electron device letters. - 2005. - V. 26. - № 3. - P. 139-141.

53. High-electron-mobility AlGaN/GaN transistors (HEMTs) for fluid monitoring applications / R. Neuberger, G. Muller, O. Ambacher, M. Stutzmann // Phys. Stat. Sol. - 2001. - V. 185. - № 1. - P. 85-89.

54. High performance 0,14 mkm gate-length AlGaN/GaN power HEMTs on SiC / G. H. Jessen, R. C. Fitch, J. K. Gillespie, G. D. Via, N. A. Moser, M. J. Yannuzzi, A. Crespo, J. S. Sewell, R. W. Dettmer, T. J. Jenkins, R. F. Davis, J. Yang, M. Asif Khan, S. C. Binari // Electron device letters. - 2003. - V. 24. - №. 11. - P. 677-679.

55. High reflectivity and crack-free AlGaN/AIN ultraviolet distributed bragg reflectors / A. Bhattacharyya, S. Iyer, E. Iliopoulos, A. V. Sampath, J. Cabalu, T. D. Moustakas, I. Friel // J. Vac. Sci. Technol. - 2002. - V. 20. - P. 1229.

56. High-resistivity GaN buffer templates and their optimization for GaN-Based HFETs / S. M. Hubbard, G. Zhao, D. Pavlidis, W. Sutton, E. Cho // J. Cryst. Growth. - 2005. - V. 284. - P.297.

57. High-resolution X-ray diffraction strain-stress analysis of GaN/Sapphire heterostructures / V. S. Harutyunyan, A. P. Aivazyan, E. R. Weber, Y. Kim, Y. Park, S. G. Suburamanya / J. Phys. D, Appl. Phys. - 2001. -V. 34. - P. A37.

58. High speed growth of device quality GaN and InGaN by RF-MBE / K. Kouichi, S. Hajime, S. Daisuke, N. Shinichi, K. Akihiko, K. Katsumi // Materials Science and Engineering B. - 1999. - V. 59. - P. 65-68.

59. High temperature catalytic metal field effect transistors for industrial applications / L. Spetz, A. Tobias, P. Uneus, L. Svenningstorp, H. Ekedahl, L. G. Lundstrom / Sensors and. Actuators. - 2000. - V. 70. - P. 6776.

60. High temperature sensors based on metal-insulator-silicon carbide devices / A. L. Spetz, A. Baranzahi, P. Tobias, I. Lundstrom // Phys. Stat. Sol. -1997.-V. 162.-P. 493-510.

61. Hole compensation mechanism of p-type GaN films / S. Nakamura, N. Iwasa, M. Senoh, T. Mukai // Jpn. J. Appl. Phys. - 1992. - V. 31. - P. 1258.

62. Hydrogen in GaN / N. M. Johnson, W. Götz, J. Neugebauer, C. G. Van de Walle // MRS Symp. Proc. - 2000. - V 395. -P. 723-732.

63. Hydrogen response mechanism of Pt-GaN Schottky diodes / J. Schalwig, G. Muller, U. Karrer, M. Eickhoff, O. Ambacher, M. Stutzmann, L. Gorgens, G. Dollinger // Appl. Phys. Lett. - 2002. - V. 80. - P. 1222-1224.

64. Hydrogen sensing with GaN-based Schottky diodes / M. Eickhoff, J. Schalwig, O. Ambacher, M. Stutzmann // Phys. Stat. Solidi. - 2003. - V. 6. -P. 1908-1913.

65. Hydrogen sensitive MOS field-effect transistor / I. Lundstrom, M. S. Shivaraman, C. Svensson, I. Lundkvist // Appl. Phys. Lett. - 1975. - V. 26.-P. 55-57.

66. Ibbetson, J. Polarization effects, surface states, and the source of electrons in AlGaN/GaN heterostructure field effect transistors / J. Ibbetson // Appl. Phys. Lett. - 2000. - V. 77. - P. 250-252.

67. Influence of A1N nucleation layer on the epitaxy of GaN/AlGaN high electron mobility transistor structure and wafer curvature / A. Torabi, W. E Hoke, J. J. Mosca, J. J. Siddiqui, R. B. Hallock, T. D. Kennedy // J. Vac. Sci. Technol. - 2005. - V. 23. - № 3. - P. 1194-1198.

68. Influence of dopants and substrate material on the formation of Ga vacancies in epitaxial GaN layers / J. Oila, V. Ranki, J. Kivioja, K. Saarinen, P. Hautojaevi, J. Likonen, J. M. Baranowski, K. Pakula, T. Suski, M. Leszczynski, I. Grzegory // Phys. Rev. B. - 2001. - V. 63. - P. 045205.

69. Insulated gate III-N heterostructure field-effect transistors simin / G. Asif, M. Khan, M. S. Shur, R. Gaska / International Journal of High Speed Electronics and Systems. - 2004. - V. 14. - № 1. - P. 197-224.

70. Investigation of Ta/Ti/Al/Ni/Au Ohmic contact to AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistor / K. H. Kim, C. M. Jeon, S. H. Oh, J. L. Lee, C. G. Park // J. Vac. Sci. Technol. - 2005. - V. 23. - P. 322-326.

71. Jena, D. Dislocation scattering in a two-dimensional electron gas // D. Jena, A. Gossard, U. Mishra // Appl. Phys. Lett.- 2000. - V.76. - P. 17071710.

72. Kapolnek, D. Structural evolution in epitaxial metalorganic chemical vapor deposition grown GaN films on sapphire / D. Kapolnek // Appl. Phys. Lett. - 1995. -V. 67. - P. 1541.

73. Karmalkar, S. A simple yet comprehensive unified physical model of the 2D electron gas in delta-doped and uniformly/ S. Karmalkar, G. Ramesh// IEEE Transactions on Electron Devices. - 2000. - V. 47. - P. 11-14.

74. Karrer, U. Influence of the crystal polarity on the properties of Pt/GaN Schottky diodes / U. Karrer, O. Ambacher, M. Stutzmann // Appl. Phys. Lett. - 2000. - V. 77. - P. 2012-2014.

75. Katayama-Yoshida, H. New valence control and spin control method in GaN and A1N by codoping and transition atom doping / H. Katayama-Yoshida, R. Kato, T. Yamamoto // Journal of Crystal Growth. -2001.-V. 231.-P. 428-436.

76. Khan, M.A. AlGaN/GaN HEMT by MOCVD on sapphire / M.A. Khan // Appl. Phys. Lett. - 1991. - V. 58. - P. 2408-2410.

77. Khan, M.A. AlGaN/GaN HEMT by MOCVD on sapphire / M. A. Khan// Appl. Phy. Lett. - 1994. - V.65. - P. 1121-1123.

78. Kikkawa, T. Surface charge controlled AlGaN/GaN power HFET without current collapse and Gm dispersion / T. Kikkawa, M. Nagahara // IEDM Tech. Dig. - 2001. - V. 10. - P. 25.4.1-25.4.4.

79. Kim, K. S. Effects of growth rate of a GaN buffer layer on the properties of GaN on a sapphire substrate / K. S. Kim // J. Appl. Phys. - 1999. -V. 85.-P. 8441.

80. Kim, K. S. Nitridation mechanism of sapphire and its influence on the growth and properties of GaN overlayers / K. S. Kim, K. B. Kim, S. H. Kim // Journal of Crystal Growth. - 2001. - V. 233. - P 167-176.

81. Kinetic modeling of hydrogen adsorption/absorption in thin film on hydrogen-sensitive field-effect devices: observation of large hydrogen- induced dipoles at the Pd-Si02 interface / J. Fogelberg, M. Eriksson, H. Dannetun, L. G. Petersson // J. Appl. Phys. - 1995. - V. 78. - P. 988-996.

82. Koleske, D. D. Growth model for GaN with comparison to structural, optical, and electrical properties / D. D. Koleske, A. E. Wickenden, R. L. Henry // J. Appl. Phys. - 1998. - V. 48. - № 4. - P. 1998-2009.

83. Korotkov R. Y. Electrical properties of p-type GaN:Mg codoped with oxygen / R. Y.Korotkov, J. M Gregie, B. W. Wessels // Appl. Phys. Lett. -2001. - V.78. - № 2. - P. 222-224.

84. Kowalczyk, S. P. Rreactivity with GaAs(100) having native oxide layers / S. P. Kowalczyk, J. R. Waldrop // Vac. Sci. Technol. - 1981. - V. 19. -P. 611-612.

85. Koyama, Y. Formation processes and properties of Schottky and Ohmic contacts on n-type GaN for field effect transistor application/ Y. Koyama, T. Hashizume, H. Hasegawa // solid state electronics. - 1999. - V. 43. -P. 1483-1488.

86. Krasovitsky D. M. Field-effect transistors based on AlGaN/GaN/AlGaN double-heterostructures grown by MBE / D. M. Krasovitsky, S. B. Aleksandrov, V. P. Chaly // Phys. stat. sol. - 2005. - V.7. -P. 2688-2691.

87. Krey, D. An integrated CO-sensitive MOS transistor / D. Krey, K. Dobos, G. Zimmer // Sens. Actuators. - 1983. - V.3. - P. 169-177.

88. Lanford, W. AlGaN-InGaN HEMTs for RF current collapse suppression / W. Lanford, V. Kumar // Electronics letters. - 2004. - V. 40. - № 12.-P. 412-417.

89. Lee, H. Reactive Ion Etching of GaN / H. Lee, D. B. Oberman, J. S. Harris // Appl. Phys. Lett. - 1995. - V. 67. - P. 1754-1756.

90. Lin, C. F. The dependence of the electrical characteristics of the GaN epitaxial layer on the thermal treatment of the GaN buffer layer / C. F. Lin, G. C. Chi // Appl. Phys. Lett. -1996. - V. 68. - P. 3758.

91. Link, A. Scattering mechanisms and higher subbands of 2DEG confined in GaN / A. Link, O. Ambacher // In: Annual Report of Munich Technical University. - 2001. P. 48-50.

92. Look D. C. Predicted Maximum Mobility in Bulk GaN / D. C. Look, J. R. Sizelove // Appl. Phys. Lett. - 2001. - V. 79. - P. 1133.

93. Lundstrom, I. Chemical sensors with catalytic metal gates / I. Lundstrom, L. G. Petersson // J. Vac. Sci. Technol. - 1996. - V. 14. - P. 1539-1545.

94. Luther, B. P. Investigation of the mechanism for Ohmic contact formation in A1 and Ti/Al contacts to n-type GaN / B. P. Luther, S. E. Mohney // Appl. Phys. Lett. - 1997. - V. 70. - №1. - P. 57-59.

95. Manasevit, H. M. Single-crystal gallium arsenide on insulating substrates / H. M. Manasevit // Appl. Phys. Lett. - 1968. - V. 12. - P. 156-157.

96. Maruska, H. P. The preparation and properties of vapor deposited single crystalline GaN / H. P. Maruska, J. J. Tietjen // Appl. Phys. Lett. - 1969. - V.15. - P. 327.

97. Material optimization for AlGaN/GaN HFET applications / Z. Bougrioua, I. Moerman, N. Sharma, R. H. Wallis, J. cheyns, K. Jacobs, E. J. Thrush, L. Considine, R. Beanland, J. L. Farvacque, C. Humphreys // J. Cryst. Growth. - 2001. - V. 230. - P. 573.

98. Matocha, K. Positive flat band voltage shift in MOS capacitors on n-type GaN / K. Matocha, T. P. Chow, R. J. Gutmann // Electron device letters. - 2002. - V. 23. - № 2. - P. 120-122.

99. Matsuo, K. Pt schottky diode gas sensors formed on GaN and AlGaN/GaN heterostructure / K. Matsuo, N. Negoro, J. Kotani // Applied Surface Science. - 2005. - V. 244. - P. 273-276.

100. MBE growth of (In)GaN for LED applications / H. Riechert, R. Averbeck, A. Graber, M. Schienle, U. Strauss, H. Tews // Mat.Res.Soc.Symp.Proc. - 1997. - V. 449. - P.149-159.

101. MBE growth of (In)GaN for LED applications / H. Riechert, R. Averbeck, A. Graber, M. Schienle, U. Strauss, H. Tews // Mat.Res.Soc.Symp.Proc. - 1997. - V. 449. - P. 149-159.

102. Metal contactes to n-Type GaN / A. C. Schmitz, A. T. Ping, M. Khan, Q. Chen // J. of electronic, materials. - 1998. - V. 27. - № 4. - P. 255260.

103. Microstructure of Ti/Al and Ti/Al/Ni/Au Ohmic contacts for n-GaN / S. Ruvimov et al. // Applied Physics Letters. - 1996. - V.69. - № 11. - P. 1556-1558.

104. Minko, A. AlGaN-GaN HEMTs on Si with power density performance of 1,9 W/mm at 10 GHz / A. Minko, V. Hoel // Electron device letters. - 2004. - V. 25. - № 7. - P. 98-99.

105. Mishra, U. K. AlGaN-GaN HEMTs and HBTs for microwave power / U. K. Mishra, R. Ventury // 58th IEEE Device Research Conference. -2000.-P. 35-36.

106. Mishra, U. K. AlGaN/GaN HEMTs an overview of device operation and applications / U. K. Mishra, P Parikh., Y. F. Wu // Proc. IEEE. -2002. -V. 90,-№6.-P. 1022-1031.

107. Mittereder, J. A. Current collapse induced in AlGaN-GaN high-electron-mobility transistors by bias stress / J. A. Mittereder, S. C. Binari // Applied physics letters. -2003. - V. 83. - № 8. - P. 131-132.

108. Mittereder, J. Current collapse induced in AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors by bias stress / J. A. Mittereder, S. C. Binari // Appl. Phys. Lett. - 2003. - V. 83. - P. 25-27.

109. Miyoshia, M Structural characterization of strained AlGaN layers in different A1 content AlGaN/GaN heterostructures and its effect on two-dimensional electron transport properties / M. Miyoshia, T. Egawab, H. Ishikawa // J. Vac. Sci. Technol. - 2005. - V. 23. - № 4. - P. 1527-1531.

110. Mohammad, S. N. Progress and prospects of group-Ill nitride semiconductors / S.N. Mohammad, H. Morkoc // Prog. Quant. Electr. - 1996. -V.20. - № 5/6. - P. 361-525.

111. Molecular beam epitaxy of GaN under N-rich conditions using NH3 / N. Grandjean, M. Leroux, J. Massies, M. Mesrine, M. Laugt // Jpn. J. Appl. Phys. - 1999. - V.38. - №. 2. - P. 618-621.

112. Monemar, B. Group III- nitride based hetero and quantum structures / B. Monemar, G. Pozina // Progress in Quantum Electronics. - 2000. -V. 24.-P. 239-290.

113. Modeling of threading dislocation reduction in growing GaN layers / S. K. Mathis, A. E. Romanov, L. F. Chen, G. E. Beltz, W. Pomoe, J. S. Speck // Phys. Stat. Sol.(a). - 2000. - V. 179. - P. 125.

114. Morkoc, H. Polarization effects in nitride semiconductors and device structures / H. Morkoc, R. Cingolani // Naval Research Review. - 1999. -V. 26.-P.51.

115. Nakamura, S. Candela-class high-brightness In-GaN/AlGaN double-heterostructure blue-light-emitting diodes / S. Nakamura, T. Mukai, M. Senoh // Appl. Phys. Lett. - 1994. - V. 64. - P. 1687.

116. Nakamura, S. III-V nitride based light-emitting devices / S. Nakamura // Sol.St.Comm. - 1997. - V.102. - №.2/3. - P.237-248.

117. Narayan, J. Characteristics of nucleation layer and epitaxy in GaN/sapphire heterostructures / J. Narayan // J. Appl. Phys. - 2006. - V. 99. -P. 054313.

118. Newman, N. The energetics of the GaN MBE reaction: a case study of meta-stable growth / N. Newman // J. Crystal Growth. - 1997. - V. 178. - P. 102-112.

119. Ng, H. M. A1N high reflectivity and broad bandwidth AIN/GaN Distributed Bragg Reflectors Grown by Molecular-Beam Epitaxy / H. M. Ng, T. D. Moustakas, S. N. Chu // Appl. Phys. Lett. - 2000. - V. 76. - P. 2818.

120. Nguyen, C. Drain current compression in GaN MODFET's under large-signal modulation at microwave frequencies / C. Nguyen et al // Electron. Lett. - 1999. - V. 35. - P. 1380-1382.

121. Nitridation process of sapphire substrate surface and its effect on the growth of GaN / K. Uchida, A. Watanabe, F. Yano, M. Kouguchi, T. Tanaka, S. Minagawa // J. Appl. Phys. - 1996. - V. 79. - P. 3487.

122. Nitride-based HFETs with carrier confinement layers / Y. K. Su, S. J. Chang, T. M. Kuan, C. H. Ko, J. B. Webb, W. H. Lan, Y. T. Cherng, S. C. Chen // Materials Science and Engineering. - 2004. - V. 110. - P. 172176.

123. Nonalloyed Ti/Al Ohmic contacts to n-type GaN using high-temperature premetallization anneal / L. F. Lester, J. M. Brown, J. C. Raner, L. Zhang // Appl. Phys. Lett. - 1996. - V. 69. - №18. - P. 2737-2739.

124. Observation of a two-dimensional electron gas in low pressure metal-organic chemical vapor deposited GaN-AlxGai_xN heterojunctions / M. A. Khan, J. N. Kuznia, J. M. Van Hove, N. Pan, J. Carter // Appl. Phys. Lett. -1992. - V.60. - P. 3027-3029.

125. Ohba, Y. Growth of A1N on sapphire substrates by using a thin A1N buffer layer grown two-dimensionally at a very low V/III ratio / Y. Ohba, R. Sato // Journal of Crystal Growth. - 2000, - V. 221. - P. 258-261.

126. Oh, E. Influence of potential fluctuation on optical and electrical properties in GaN / E. Oh, H. Park, Y. Park // Appl. Phys. Lett. - 1998. - V. 72. -P. 1848.

127. Optimization of the MOVPE growth of GaN on sapphire / O. Briot, J. P. Alexis, M. Tchounkeu, R. L. Aulombard // Mater. Sci. Eng. -1997.-V. 43.-P. 147.

128. Palacios, T. High power AlGaN/GaN HEMTs for ka-band applications / T. Palacios // IEEE Trans. Electron Device Lett. - 2005. - V. 11 -P. 781-783.

129. Pankove, J. I. Photoemission from GaN / J. I. Pankove, H. Schade // Appl. Phys. Lett. - 1971. - V. 53. - P. 25.

130. Petrov, S.I. Multilayer AIN/AlGaN/GaN/AlGaN heterostructures with quantum well channel for high power microwave field effect transistors / S.I. Petrov, A. N. Alekseev, S. B Aleksandrov // Proceedings of 14th International Symposium «Nanostructures: Physics and Technology». 2006. -P. 246.

131. Polarization effects surface states, and the source of electrons in AlGaN/GaN-heterostructure field effect transistors / J. P. Ibbertson, P. T. Fini, K. D. Ness, S. P. DenBaars, J. S. Speck, U. K. Mishra // Appl. Phys. Lett. -2000. - V. 77. - P. 250-252.

132. Polarisation-induced charge and electron mobility in AlGaN/GaN heterostructures grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy / P. Smorchkova, C. R. Elsass, J. P. Ibbetson et. al. // J. Appl. Phys. - 1999. - V. 86.-№8.-P. 4520-4526.

133. Polyimide passivated AlGaN-GaN HFETs with 7,65 W/mm at 18 GHz / M. D. Hampson, S. C. Shen, R. S. Schwindt, R. K. Price, U. Chowdhury, M. M. Wong, T. G. Zhu, D. Yoo, R. D. Dupuis / IEEE Electron device letters. - 2004. - V. 25. - № 5. - P. 238-240.

134. Polymer coated capacitive microintegrated gas sensor / F. P. Steiner, A. Hierlemann, C. Cornila, G. Noetzel, M. Bachtold, J. G. Korvink, W. Gopel, H. Baltes // Proc. Transducers'95, Stockholm, Sweden. -1995.-P. 814-817.

135. Porowski, S. Bulk and homoepitaxial GaN-growth and characterization / S. Porowski // Journal of Crystal Growth. - 1998. - V. 189/190.-P. 153-158.

136. Properties and applications of MBE grown AlGaN / M. Stutzmann, O. Ambacher, A. Cros, M. S. Brandt, H. Angerer, R. Dimitrov, N. Reinacher, T. Metzger, R. Hopler, D. Brunner, F. Freudenberg, R. Handschuh, C. Deger // Materials Science and Engineering. - 1997. - V. 50. - P. 212-218.

137. Ramakrishna, V. The impact of surface states on the DC and RF characteristics of AlGaN/GaN HFETs / V. Ramakrishna, Q. Z. Naiqain // IEEE Transactions on Electron Devices. - 2001. - V. 48. - № 3. - P. 34-38.

138. Reduction of buffer layer conduction near plasma-assisted molecular-beam epitaxy grown GaN/AIN interfaces by beryllium doping / D. F. Storm, D. S. Katzer, S. C. Binari, E. R. Glaser, В. V. Shanabrook, J. A. Roussos // Appl. Phys. Lett. - 2002. - V. 81. - № 20. - P. 3819-3821.

139. Влияние температуры и потока NH3 на рост эпитаксиальных слоев A1N методом молекулярно-лучевой эпитаксии с использованием аммиака в качестве источника азота / А.Н. Залозный, М.Д. Бавижев, Л.М. Баязов // Вестник СевКавГТУ. - 2011. - Т.4. №29. - С. 14-19.

140. Исследование электрофизических свойств газочувствительной гетероструктуры AlGaN/GaN с платиновым затвором для детектирования малых концентраций водорода / А.Н. Залозный, М.Д. Бавижев // Вестник СевКавГТУ. - 2010. - Т.З. №24. - С. 50-54.

141. Особенности кинетики молекулярно-пучковой эпитаксии соединений в системе СаМ-АШ / А.Н. Алексеев, А.Э. Бырназ, Д.М. Красовицкий [и др.] // ФТП. - 2007. - Т. 41. № 9. - С. 1025-1030.

142. Сенсорный датчик водорода на основе гетероструктуры АЮаМЛлаК с Р1 затвором для использования в экспремальных условиях / А.Н.Залозный, М.Д. Бавижев [и др.] // Известия ЮФУ. Технические науки. - 2010. - Т.2. №103. - С. 168-176.

ОБЩЕСТВО С ОГРАНИЧЕННОЙ О ГВ ETCТВЕННОСТЬЮ НАУЧНО-ПРОИЗ ВОДСТВЕИ11АЯ ФИ РМА

«экситон»

Для представления в диссертационный совет

ИНН 2635063350

КПП 263501001

ОГРН 1022601930834

355035 г.Ставрополь, ул. 1-я Промышленная 13, Тел/факс <8652) 56-09-73, тел. [phone], www.npf-eKtton.nl. [e-mail]- exiginc8tii.ni

* Р/СЧ- 4 0702810060240101932 в Северо-Кавказском банке СБ РФ в г, Ставрополе КУсч. -30101810600000000660 БИК - 040702660

Исх №_/_

от «21» ноября 2011 г.

Комиссия в составе:

председателя, генерального директора ООО НПФ «Экситон» Борис Г.В.; членов комиссии:

- зам. генерального директора ООО НПФ «Экситон» Свириденко С. А.;

- начальника ЭМС ООО НПФ «Экситон» Ядерца В.И.

составила настоящий акт о том, что результаты диссертационной работы Залозного А. Н. «Молекулярно-лучевая эгштаксия твердых растворов и гетероструктур на основе нитридов А1 и Оа для интегральных газовых сенсоров» внедрены в практику производственной деятельности ООО НПФ «Экситон» при создании системы мониторинга технологических помещений, что позволило повысить уровень безопасности обслуживающего персонала

АКТ О ВНЕДРЕНИИ результатов диссертационной работы Залозного Александра Николаевича

Борис Г.В.

Свириденко С. А. Ядерец В.И.