Модуляционное отражение света от полупроводниковых гетероструктур при локальном электромагнитном воздействии тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Волков, Андрей Олегович

• Волков, Андрей Олегович
• кандидат физико-математических наук
• 2001

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Волков, Андрей Олегович

полупроводниковых

Введение.

1. Модуляционное отражение света от гетероструктур.

1.1. Отражение света от границы гетероструктуры.

1.2. Диэлектрическая проницаемость арсенида галлия обусловленная межзонными переходами.

1.3. Модуляция коэффициента отражения света.

1.4. Механизмы модуляции диэлектрической проницаемости полупроводника вблизи фундаментального края поглощения света.

1.4.1. Эффект Франца - Келдыша.

1.4.1.1. Волновые функции электрона и дырки в однородном электрическом поле.

1.4.2. Экранирование экситонов свободными электронами.

1.5. Оптическая модуляционная спектроскопия полупроводников.

1.6. Общие принципы измерений модуляционного отражения света.

1.7. Методы измерений модуляционного отражения света.

1.7.1. Фотоотражение.

1.7.2. Фотоотражение с пространственным отклонением возбуждающего светового луча.

1.7.3. Электроотражение.

1.7.4. Термоотражение.

1.7.5. Пьезоотражение.

1.7.6. Разностное модуляционное отражение.

1.7.7. Бесконтактное электроотражение.

1.8. Способы разделения вкладов в спектр модуляционного отражения света от разных слоев полупроводниковой структуры. 1.8.1. Дифференциальное фотоотражение.

- ?

1.8.2. Фототермическая диагностика полупроводниковых структур.

1.8.3. Фазоразрешенное фотоотражение.

1.8.4. Фурье - анализ спектров модуляционного отражения света. Радиочастотное модуляционное отражение света от полупроводников.

2.1. Влияние радиочастотного поля на оптические характеристики полупроводника.

2.2. Измерительная установка для экспериментального обнаружения радиочастотного модуляционного отражения света.

2.3. Особенности радиочастотного модуляционного отражения света. Модуляционное отражение света при двух конфигурациях радиочастотного поля.

3.1. Измерительная установка для экспериментального обнаружения зависимости радиочастотного модуляционного отражения света от конфигурации радиочастотного поля.

3.2. Исследуемая гетероструктура.

3.3. Спектры радиочастотного модуляционного отражения света от гетероструктуры при двух конфигурациях радиочастотного поля.

3.4. Модель воздействия радиочастотного электрического поля на носители заряда в гетероструктуре.

3.4.1. Статическое электрическое поле встречно-штыревого конденсатора.

3.4.2. Влияние статического электрического поля встречно-штыревого конденсатора на распределение свободных зарядов в образце.

3.4.3. Кинетика распределения свободных зарядов в образце под влиянием электрического поля встречно-штыревого конденсатора.

3.4.4. Разогрев электронов проводимости под действием радиочастотного электрического поля.

3.4.5. Разогрев решетки электронами проводимости. 3.5. Заключение.

4. Модуляционное отражение света в локализованном радиочастотном поле.

4.1. Измерительная установка для исследования пространственных зависимостей модуляционного отражения света в локализованном радиочастотном поле.

4.2. Спектры модуляционного отражения света от гетероструктуры в локализованном радиочастотном поле.

4.3. Модель распределения носителей заряда в гетероструктуре при локальном воздействии радиочастотного электрического поля.

5. Локальные измерения фотолюминесценции.

5.1. Модель распределения локально фотоиндуцированных неравновесных носителей заряда в плоскости гетероструктуры.

6. Отражение света от гетероструктуры, модулированное светом накачки с энергией квантов меньше ширины запрещенной зоны. 6.1. Локальные измерения отражения зондирующего света при локальном воздействии света накачки с энергий квантов меньше ширины запрещенной зоны полупроводника. Заключение.

Перспективы развития метода радиочастотного модуляционного отражения света.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Модуляционное отражение света от полупроводниковых гетероструктур при локальном электромагнитном воздействии»

Успехи физики полупроводников во многом определяются развитием методов оптической спектроскопии, которые позволяют изучать зонную структуру полупроводников, состав полупроводниковых слоев, энергии размерного квантования в низкоразмерных структурах, кинетику рекомбинационных процессов и многое другое. Модуляционные методы спектроскопии, которые исследуют малые изменения в оптических спектрах под действием внешнего возмущения, являются наиболее точными. Среди методов оптической модуляционной спектроскопии особое место занимает фотоотражение света, которое является уникальным инструментом бесконтактного измерения внутренних электрических полей в простых полупроводниковых структурах. Метод фотоотражения основан на модуляции встроенного в полупроводнике электрического поля модулированным по интенсивности излучением с энергией квантов hv, превышающих ширину запрещенной зоны Е g. Величина внутреннего электрического поля определяется из спектра модуляционного отражения в энергетическом диапазоне зондирующего света Pico вблизи Е g.

Большинство планарных гетероструктур для современных полупроводниковых приборов состоят из разнообразных слоев, толщина каждого из которых может достигать нескольких нанометров. Сложные спектры фотоотражения от таких структур формируются всеми слоями, расположенными на глубине поглощения света в полупроводнике (~ 1 мкм). Интерпретация таких спектров не всегда однозначна. Разработка оптических спектральных методов с субмикронным пространственным разрешением, позволяющих экспериментально выделять слои полупроводниковых структур в настоящее время является актуальной научной задачей.

Для исследований структур с микро и наноразмерами в плоскости образца активно применяются методы, использующие сканирование поверхности полупроводника (туннельная и силовая микроскопии, микроскопия ближнего оптического поля). При исследовании полупроводниковых структур методами оптической модуляционной спектроскопии, возникает новая физическая задача локализации электромагнитного воздействия и пространственного сканирования отклика на такое воздействие.

Для демонстрации предлагаемых в диссертации методов выбрана гетероструктура

GaAs/Al xGa i. xAs. которая используется для создания как быстродействующих транзисторов, так и современных полупроводниковых источников света. Электронные и оптические свойства такой гетероструктуры хорошо изучены традиционными методами фотоотражения и фотолюминесценции.

Цель диссертационной работы.

1. Разработать экспериментальный метод исследования, позволяющий из сложного спектра модуляционного отражения гетероструктуры выделять спектральные особенности отдельных полупроводниковых слоев, отличающихся электрическими и оптическими свойствами.

2. Исследовать пространственное и энергетическое распределение свободных носителей заряда при локальном воздействии на гетероструктуру электромагнитным излучением радиочастотного, инфракрасного и видимого диапазонов.

Научная новизна работы.

1. Обнаружена сильная зависимость оптических спектров модуляционного отражения гетероструктуры GaAs/AlGaAs от конфигурации воздействующего радиочастотного поля.

2. Перенос радиочастотного возбуждения в плоскости гетероструктуры обнаружен оптическими спектральными методами на расстоянии, превышающем область локализации радиочастотного электрического поля более чем на два порядка.

3. Обнаружено влияние квантов излучения накачки с энергией h v существенно меньше Ех на коэффициент отражения зондирующего света с энергией квантов, frco~EgJ причем дефицит энергии -AE = hv-Ex на порядок больше энергии оптических фононов, Ьв h «АЕ.

4. Перенос возбуждения, вызванного инфракрасным воздействием на гетероструктуру, обнаружен на расстоянии, превышающем область локализации инфракрасного излучения более чем на порядок.

5. Перенос неравновесных фотовозбужденных носителей заряда в плоскости гетероструктуры обнаружен на расстоянии, превышающем длину диффузии свободных носителей в однородном арсениде галлия более чем на два порядка.

Научные положения, выносимые на защиту.

1. Использование радиочастотного поля двух конфигураций позволяет выделять в спектрах модуляционного отражения гетероструктур слои с толщиной < 100 н.м.

2. При микроскопической локализации радиочастотного и фото возбуждений, высокая электропроводность двумерного электронного газа вдоль слоев гетероструктуры приводит к макроскопическим величинам переносов этих возбуждений.

Практическая ценность результатов.

Предложены и разработаны три новых бесконтактных метода модуляционного отражения света от полупроводниковой структуры.

1. Радиочастотное модуляционное отражение света при двух конфигурациях радиочастотного поля.

2. Модуляционное отражение света при локальном воздействии на полупроводниковую структуру радиочастотным полем.

3. Отражение света с энергией квантов hco вблизи Е g, модулированное излучением накачки с энергией квантов hv существенно меньше Е g.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Волков, Андрей Олегович

Заключение.

Обнаружены новые оптоэлектронные эффекты в полупроводниковых гетероструктурах. На основе обнаруженных эффектов предложены три новых бесконтактных метода модуляционного отражения от полупроводников, расширяющие возможности для исследований современных структур: ИК - отражение, радиочастотное модуляционное отражение при двух конфигурациях радиочастотного поля,

Рисунок 5.4: Зависимость амплитуды ИК- отражения от мощности излучения накачки и линейный участок, выбранный для исследования пространственных зависимостей (пунктирная прямая). радиочастотное модуляционное отражение в локализованном радиочастотном поле.

Измерительная установка ИК - отражения полностью идентична применяемой в методе традиционного фотоотражения. Таким образом, простая замена в широко распространенном методе фотоотражения лазера с h v > Е g на лазер с hv< Е g позволяет воспользоваться преимуществами метода РМО, такими как применимость при низких и сверхнизких температурах, а также значительное ослабление замороженной фото - ЭДС.

Метод модуляционного ИК - отражения позволяет измерять спектры модуляционного отражения полупроводников, используя излучение накачки с энергией квантов меньшие ширины запрещенной зоны. Таким образом, ИК - отражение избавлено, от необходимости применять лазер синего, фиолетового и ультрафиолетового диапазонов для исследования современных широкозонных полупроводников

Большой ассортимент современных мощных полупроводниковых и волоконных инфракрасных лазеров, мощностью до нескольких ватт в непрерывном режиме, позволяет проводить исследования ИК - отражения в очень широком динамическом диапазоне воздействующих интенсивностей.

С другой стороны, возможность применения в методе РМО нескольких конфигураций радиочастотной электромагнитной волны остается преимуществом РМО при исследованиях полупроводниковых структур с анизотропией электропроводности.

Большой уровень сигнала в методе локального РМО может быть использован для спектральной микро - и наноскопии низкоразмерных полупроводниковых структур. Интенсивность света отраженного от таких структур обычно очень мала, так как мала их геометрическая площадь, а доля "полезного" модулируемого сигнала в традиционных методах модуляционного отражения еще меньше и обычно составляет ~ 10 "4 от интенсивности отраженного света. Поэтому работ, посвященных модуляционному отражению от наноструктур, насколько нам известно, к настоящему времени не выполнено.

Зависимость длины латерального распространения фото - и ИК - возбуждений от проводимости полупроводниковых слоев может быть использована для бесконтактной диагностики электрических свойств структур. В работе [65] длина распространения фотовозбуждения феноменологически связана с подвижностью двумерного электронного газа. В работе [85] показано, что величина латерального эффекта в гораздо большей степени зависит от подвижности дырок у противоположной границы буферного слоя гетероструктуры. Однако эти утверждения не противоречат друг другу. Электроны и дырки располагаются в одном и том же слое. Подвижность как тех, так и других зависит от качества структуры, наличия дефектов, примесей и дислокаций в слое, которые определяются условиями роста и качеством подложки. Таким образом, большая подвижность дырок соответствует большей подвижности двумерного электронного газа. При этом тот факт, что фотоотражение наблюдается на меньшем расстоянии, чем ИК - отражение является скорее преимуществом, чем недостатком. Слои с низкой проводимостью лучше изучать методом локального ИК - отражения, в то время как слои с высокой проводимостью - методом локального фотоотражения. Владение обоими методами расширяет диапазон измеряемых проводимостей полупроводниковых слоев более, чем на два порядка.

Перспективы приложений радиочастотного модуляционного отражения.

Представленный метод РМО в двух конфигурациях в перспективе можно расширить использованием третьей независимой конфигурации. Для этого потребуется применить более сложную геометрию конденсатора, чем приведенный выше трехэлектродный конденсатор, например, конструкцию из двух скрещенных встречно-штыревых конденсаторов, показанную на рисунке 3.5.1. Целесообразность применения такого метода видится в исследовании одномерных квантовых проволок. При воздействии сверхвысокочастотным электромагнитным полем на образец, помещенный в резонатор [87], ориентацию поля можно менять, механически вращая образец в резонаторе.

Большой интерес вызывает возможность исследования полупроводниковых структур непосредственно во время роста, in situ [25,10]. Наиболее качественные на сегодняшний день современные структуры производятся по технологии молекулярной пучковой эпитаксии. Температура, при которой происходит рост~ 700°С. Однако, при повышении температуры от комнатной до 600°С сигнал фотоотражения уменьшается

AR более, чем в 25 раз [25], что затрудняет измерение и количественный анализ зашумленного" спектра. Большой уровень сигнала в методе локального РМО (5%) при комнатной температуре, который приблизительно на два порядка превышает сигнал фотоотражения, делает этот метод перспективным для измерений in situ. При этом большое латеральное распространение радиочастотного возбуждения в плоскости гетероструктуры предоставляет возможность располагать электроды вдали от области роста, не нарушая технологии производства.

Большое изменение коэффициента отражения света от гетероструктуры при локальном радиочастотном воздействии может быть использовано для создания новых быстродействующих электрооптических модуляторов. Пространственный профиль интенсивности светового пучка, отраженного от такого модулятора можно контролировать радиочастотным полем (рисунок 5.5).

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Волков, Андрей Олегович, 2001 год

1. Adachi S. Excitonic effects in the optical spectrum of GaAs // Physical Review B. 1990. -V41.-N2.-PP1003 - 1013

2. Adachi S. Optical properties of AlGaAs alloys// Physical Review B. 1988. - V38. - N17. -P12345 - 12352

3. Alperovich V. L., Jaroshevich A. S., Scheibler H. E. and Terekhov A. S. Elucidation of photoreflectance mechanisms by phase resolution spectroscopy: Application to delta doped GaAs // Physical Status Sol. B. - 1993. - V175. - PPK35 - K38

4. Aspnes D. E. Direct verification of the third derivative nature of electroreflectance spectra

5. Physical Review Letters 1972. V28. - N3. - P168 - 17

6. Aspnes D. E. Electric field effects on the dielectric constant of solids // Physical Review.1967,-V153.-PP972 982

7. Aspnes D. E. Handbook on Semiconductors. North Holland Publishing Company 1980. -vol 2

8. Aspnes D. E. and Bottka N. Semiconductors and Semimetals. 1972. - vol 9. - №6.1. PP457 544

9. Aspnes D. E. and Frova A. Influence of spatially dependent perturbations on modulated reflectance and absorption of solids // Sol State Comm. 1969. - V7. - P155 - 159

10. Aspnes D. E. and Studna A. A. Schottky barrier electroreflectance: Application to GaAs//

11. Physical Review B. 1973. - V7. - N10. - P4605 - 4625

12. Aspnes D. E., Harbison J. P., Studna A. A. and Florez L. T. Application of reflectance difference spectroscopy to molecular beam epitaxy growth of GaAs and AlAs // Journal of Vacuum Science Technology A. - 1988. - V6. -N3. - PP1327 - 1332

13. Batz B. Thermal and Wavelength Modulation Spectroscopy // Semiconductors and Semimetals 1972, Edited by Albert C. Beer, Modulation Techniques, Academic Press, New York and London, PP316 402

14. Blossey D. F. Wanier exciton in an electric field I: Optical absorption by bound and continuum states // Physical Review B. 1970. - V2. - N10. - PP3976 - 3990

15. Blossey D. F. Wanier exciton in an electric field II: electroabsorption in direct band - gap solids // Physical Review B. - 1971. -V3. - N4. - PP1382 - 1391

16. Blossey D. F. and Handler P. Semiconductors and Semimetals. 1972. - vol 9. - №3. -257 - 402

17. Casella R. C. A criterion for exciton binding in dense electron hole systems: Application to line narrowing in GaAs // Journal of Applied Physics. - 1963. - V34. - N6. -PP1703 - 1705

18. Chan С. H., Chen M. C., Lin H. H., Chen Y. F. and Jan G. L. Characterization of piezoelectric InGaAs/GaAs p i - n quantum well structures using photoreflectance spectroscopy .// Applied Physics Letters. - 1998. - V72. - N10. - PP1208 - 1210

19. Christofides C., Diakonos F., Seas A., Christou C., Nestoros M. and Mandelis A. Two layer model for photomodulated thermoreflectance of semiconductor wafers // Journal of Applied Physics. - 1996. - V80. -N3. - PP1713 - 1725

20. Don' J. D. and Redjield D. Electroabsorption in semiconductors: The excitonic absorptionedge // Physical Review B. 1970. -VI. - P3358 - 3371

21. Elliot R. J. Intensity if optical absorption by excitons// Physical Review. 1957. - V108. -N6. - PP1384 - 1389

22. Semiconductors and Semimetals. 1992. - vol 36. - PP221 - 292 26. Gribnikov Z. S. Nonlocal and nonlinear transport in semiconductors: Real - space transfer effects // Journal of Applied Physics. - 1995. - V77. - N4. - PP1337 - 1373

23. Hall D. C. and Goldberg L. Technoque for lateral temperature profiling in optoelectronic devices using a photoluminescence microprobe // Applied Physics Letters. 1992. - V61. -N4. -PP384 - 386

24. Hohimer J. P., Hadley G. R. and Owyoung A. Mode control in broad area diode lasers by thermally induced lateral index tailoring // Applied Physics Letters. - 1988. - V52. - N4. -PP260 - 262

25. Huang Y. S., Sun W. D. and Pollak F. H. Contactless electroreflectance characterization of GalnP/GaAs heterojunction bipolar transistor structures // Applied Physics Letters. 1998. - V73.-N2.-PP214-216

26. Hwang C. J. Lifetimes of free and bound excitons in high purity GaAs // Physical Review В. - 1973. - V8. - PP646

27. Kukushkin I. V., v Klitzing K. and Ploog K. Optical spectroscopy of two-dimensional electrons in GaAs/AlGaAs single heterojunctions// Physical Review B. 1988. - V37. -N14. - PP8509 - 8512

28. ЪА.Китапо H., Nashiki H., Suemnne /., Suzuki H. Uesugi К He A Q and Otsuka N Intrinsic and extrinsic, excitonic features in MgS/ZnSe superlattices Reviewealed by microspectroscopy 11 Japan Journal of Applied Physics. 2000. - V39. - PP501 - 504

29. Lu N. H. and Hsu Т. M. Electromodulation spectra of a single AlGaAs/GaAs modulation doped heterojunction: Experiment and theory // Physical Review B. - 1995. -V52. - PP8191 - 8197

30. Moss T. S. Optical absorption edge in GaAs and its dependence on electric field 11 Journal of Applied Physics. 1961. - V32. - N10. - PP2136 - 2139

31. Nahory R. E. and Shay J. L. Reflectance modulation by the surface field in GaAs //

32. Physical Review Letters. 1968. - vol 21. - PP1569 - 1571

33. Pond S. F. and Handler P. Flatband electroreflectance of gallium arsenide II: Comparison of teory and experiment // Physical Review B. 1973. - V8. - N6. - PP2869 - 2879

34. Ralph H. I. On the theory of the Franz Keldysh effect // Journal of Physics C. - 1968. -S2. - VI. - P378 - 386

35. Rehn V. and Kyser D. S. Transverse electroreflectance /7 Physical Review Letters. 1967. -VI8. - N20. - PP848 - 851

36. Ryabushkin O. A. Radio frequency modulated reflectance in semiconductor heterostructures with 2D electron gas // Proceeding of Nanostructures: Physics and Technology, St.Petersburg. - 1997. -PP270 - 273

37. Ryabushkin O. A., Sablikov V. A., Meleshkevich M. P. and Pershikov A. N. Microwave modulated reflectance as a method of novel modulation spectroscopy of semiconductor heterostructures // Inst Physical Conf Ser. 1996. -N155. - Ch2. - PP93 - 96

38. Seeger K. Semiconductor physics: An introduction 1989 Springer Verlag Berlin Heidelberg New - York London Paris Tokyo 475p

39. Sell D. D. and Lawaetz P. New analysis of direct exciton transitions: Application to GaP // Physical Review Letters. 1971. - V26. - N6. - PP311 - 314

40. Seraphin В. O. Electroreflectance // Semiconductors and Semimetals. 1972. - vol 9. -№ 1. - PP 1 - 149

41. Seraphin В. O. Modulated reflectance // Optical Properties of Solids. 1972. - №4. -PP167 - 276

42. Physical Review. 1966. - V145. - PP628 58.Shen H. and Dutta M. Franz - Keldysh oscillation in modulation spectroscopy // Journal of

43. Applied Physics. 1995. - vol 78. - №4. - 2151 -2176 59. Shen H. and Dutta M. Sweeping photoreflectance spectroscopy of semiconductors //

44. Applied Physics Letters. 1990. - V57. - N6. - PP587 - 589 60.Shen H., Dutta M., Fotiadis L. Photoreflectance study of surface Fermi level in GaAs and

45. Physical Review. 1964. - V133. - A165364 .Sydor M., Badakhshan A., Engholm J. R. and Dale D. A. Differential photoreflectance frommodulation doped heterojunctions // Applied Physics Letters. -. 1991. - vol 58. - №9. -948 - 950

46. Tanguy Ch. Temperature dependence of the refractive index of direct band gap semiconductors near the absorption threshold: Application to GaAs// Journal of Applied Physics. 1996. - V80. - N8. - P4626 - 4631

47. Tharmalingam K. Optical absorption in the presence of a uniform field // Physical Review. 1963. - V130.-N6.-PP2204 - 2206

48. Ulbrich R. Energy relaxation of photoexcited hot electrons in GaAs // Physical Review B. -1973. V8. -N12. - PP5719 - 5727

49. Velicky B. and Sak J. Excitonic effects in the interband absorption of semiconductors П

50. Phys. Stat. Sol. 1966. - V16. - P147 - 157

51. Wang Y. C., Chou W. Y., Hwang W. C. and Hwang J. S. Electric field separation by phase selection in modulation spectroscopy of photoreflactance // Solid State Communication. -1997. V104. -N12. -PP717 - 721

52. Ашмонтас С. Электроградиентные явления в полупроводниках. 1984. - Вильнюс Мокслас. - 183с

53. Бонн бруевич В. Л. и Калашников С. Г. Физика полупроводников. - Наука. -Москва. - 1990. - СС622 - 625

54. Келдыш Л.В. О влиянии сильного электрического поля на оптические характеристики непроводящих кристаллов// Журнал Экспериментальной и Технической Физики. 1958. - 34. - №5. - 1138- 1141

55. Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Квантовая механика. -М.: Физматгиз. 1963. - 704с.81 .Пихтин А. Н. и Яськов А. Д. Рефракция света в полупроводниках // Физика и Техника Полупроводников. 1988. - V22. - N6. - Р969 - 991

56. Поволоцкий М. С. Дипломная работа. Московский физико-технический институт. -2000

57. Рябушкин О. А. и Сабликов В. А. Модулированное радиочастотным полем отражение света в полупроводниковых гетероструктурах // Письма в Журнал Экспериментальной и Технической Физики. 1998. - том 67. - вып.З. - стр.217 - 221

58. Рябушкин О. А., Сабликов В. А., Поволоцкий М. С., Лонская Е. И. и Волков А. О.

59. Спектроскопия электроотражения полупроводниковых гетероструктур при воздействии радиочастотным полем и током // Микросистемная техника. 2000. -№2.-20 - 23

60. Сабликов В. А., Поляков С. В. и Рябушкин О. А. Эффект латерального переноса фотоиндуцированных носителей заряда в гетероструктуре с двумерным электронным газом // Физика и Техника Полупроводников. 1997. - Т31. - №4. -СС393 - 399

61. Тягай В. А., Снитко О. В. Электроотражение света в полупроводниках. Киев Наукова Думка, 1980.-301с.

62. Черников М. А., Рябушкин О. А. Микроволновое модуляционное отражение светаполупроводников // Письма в Журнал Технической Физики. 2001. - Т. 27. - Вып. 24.-С. 29 - 34.

63. Шик А. Я. Электродинамика двумерных электронных систем // Физика и Техника Полупроводников, 1-995. -Т29.-В8.- 1345 - 1381

64. Шур М. Современные приборы на основе арсенида галлия. 1991. - Москва Мир. -632с

65. Кардона М. Модуляционная спектроскопия. 1972. - Москва Мир. - 416с

66. Franz W. Einflusseines electrischen felden auf eine optische absorption skante // Z. Naturforschung. 1958. - Y13. - N5. - PP484 - 489

67. Frova A., Handler P. Shift of optical absorption edge by an electric field. Modulation of light in the space charges region of a Ge p n junction // Applied Physics Letters. - 1964. - V5.-N1.-PP11 - 13

68. Вавилов В. С., Брицын К. И. Влияние сильного электрического поля на поглощение света кремнием // Физика твердого тела. 1960. - Т2. -№8. - СС1937 - 1939

69. Ryabushkin О. A., Sablikov V. A., Volkov А. О., Mokerov V. G. New effects due to local illumination of semiconductor heterostructures with two dimensional electron gas // Inst. Phys. Conf. Ser.- 1997.-N. 155.-Ch. 2,- P. 137 - 140.

70. Volkov A. O., Ryabushkin O. A. Near field radio - frequency modulated light reflectance of a semiconductor structure // Proceeding of 6th International Symposium Nanostructures: Physics and Technology. St. Petersburg, Russia. - 1998. - P. 421 - 423.

71. Volkov A. O., Ryabushkin O. A. Near field radio - frequency modulated reflectance of a semiconductor structure // Proceeding of 16th International Conference on Coherent and Non - linear Optics. Moscow, Russia. - 1998. - P. 124.

72. Volkov А. О., Ryabushkin О. A. Near field radio - frequency modulated light reflectance of a semiconductor structure // Proceeding of Quantum Electronics Conference, Glasgow, United Kingdom. - 1998. - P. 137.

73. Volkov A. O., Ryabushkin O. A. Spatial distribution of light reflectance modulated by-near field radio - frequency excitation in semiconductor structures // Inst. Phys. Conf. Ser. - 1999.-N. 162. - Ch. 4. - P. 137 - 142.

74. Волков А. О., Рябушкин О. А. Модуляционное отражение света полупроводниковой структурой в ближнем радиочастотном поле // Тезисы докладов Всероссийской научно технической конференции Микро - и Наноэлектроника, Звенигород. - 1998. -Т. 1.-С.З -6.

75. Волков А. О., Рябушкин О. А., Поволоцкий M. С. Модуляция радиочастотным полем двух поляризаций отражения света от полупроводниковых гетероструктур // Письма в журнал технической физики. 2001. - Т. 27. - Вып. 18. - С. 8 - 13.