Модификация микроструктуры и функциональных свойств тонкопленочных материалов на основе оксида цинка с применением комплексного подхода к их синтезу тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 00.00.00, доктор наук Асваров Абил Шамсудинович

• Асваров Абил Шамсудинович
• доктор наук
• 2024

Оглавление диссертации доктор наук Асваров Абил Шамсудинович

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1 Прозрачные проводящие пленки на основе оксида цинка как

альтернативный материал для прозрачных электродов

1.1 Проблематика вопроса

1.1.1 Прозрачные электроды на основе широкозонных полупроводниковых оксидных соединений

1.1.2 Магнетронное распыление как базовый метод формирования прозрачных электродов

1.2 Керамические мишени на основе оксида цинка для магнетронного осаждения прозрачных проводящих пленок

1.2.1 Синтез керамических мишеней на основе ZnO методом высокотемпературного спекания

1.2.2 Синтез керамических мишеней на основе ZnO методом искрового плазменного спекания

1.3 Получение прозрачных проводящих пленок на основе 7пО методом магнетронного распыления керамических мишеней

1.3.1 Исследование процесса формирования прозрачных проводящих пленок ZnO:Ga

1.3.2 Сравнительные исследования функциональных характеристик прозрачных проводящих пленок ZnO:Ga и 1пв:Л1

Основные результаты и выводы к главе

ГЛАВА 2 Структура и свойства прозрачных проводящих пленок на основе оксида цинка, полученных в условиях избыточного содержания цинка в составе потока реагентов

2.1 Предыстория вопроса

2.2 Композитная система 7пО-7п

2.2.1 Исследование механоактивационного воздействия на

процесс диспергирования композитной системы ZnO-Zn

2.2.2 Оптимизация процесса искрового плазменного спекания механоактивированных композитных смесей ZnO-Zn

2.2.3 Получение прозрачных проводящих пленок на основе оксида цинка с использованием металлокерамических мишеней ZnO:Ga-Zn

2.3 Композитная система 7пО-графит

2.3.1 Исследование трансформации микроструктуры

композитной системы «оксид цинка-графит» в ходе механоактивационного диспергирования и искрового плазменного спекания

2.3.2 Получение прозрачных проводящих пленок на основе оксида

цинка с использованием композитной мишени 2п0^а-графит 126 Основные результаты и выводы к главе

ГЛАВА 3 Материалы для низкотемпературного осаждения прозрачных

электродов

3.1 Обоснование актуальности вопроса

3.2 Прозрачные проводящие трехслойные структуры «оксид/металл/оксид»

3.2.1 Низкотемпературный синтез высокопроводящих прозрачных электродов на основе трехслойных структур ОЮ/Л&ОЮ

3.2.2 Стабильность функциональных характеристик прозрачных электродов на основе трехслойной структуры 2пО:ва/Л2/2пО:Оа

3.3 Бинарная оксидная система 7п0-1п203 как материал для низкотемпературного осаждения прозрачных электродов

3.3.1 Искровое плазменное спекание керамических мишеней 2пО-1п2О3

3.3.2 Низкотемпературное осаждение прозрачных проводящих пленок на основе системы 2пО-1п2О3

Основные результаты и выводы к главе

ГЛАВА 4 Получение пористых слоистых структур на основе оксида

цинка с использованием двухстадийного подхода

4.1 Обоснование актуальности вопроса

4.2 Получение микропористых слоев оксида цинка из композитных слоев 7пО-7п на основе субтрактивного подхода

4.3 Получение пористых слоев 7п0 из металлических цинковых слоев-прекурсоров

4.3.1 Получение пористых слоев-прекурсоров 2п методом магнетронного распыления

4.3.2 Исследование процесса окисления пористых слоев цинка

4.4 Получение пористых слоев оксида цинка из композитных слоев 7п-7п0

4.5 Создание датчика ультрафиолетового излучения резонансного типа на базе структуры «пористый 7пО/а-кварц»

Основные результаты и выводы к главе

ГЛАВА 5 Исследование влияния микроструктуры и степени окисления ванадия на пьезоэлектрические свойства тонких пленок ZnO:V, полученных методом магнетронного распыления

5.1 Пьезоэлектрические материалы 7пО: краткий обзор современного состояния вопроса

5.2 Описание методик получения и характеризации тонких пленок 7пО:У

5.3 Влияние условий осаждения и отжига на микростуктуру и химический состав тонких пленок 7пО:У

5.4 Влияние условий осаждения и отжига на пьезоэлектрические свойства тонких пленок 7пО:У

Основные результаты и выводы к главе

ГЛАВА 6 Совершенствование методик синтеза объемных керамических

и тонкопленочных функциональных материалов

6.1 Лабораторная установка искрового плазменного спекания

6.1.1 Источник питания для установки ИПС

6.1.2 Пример синтеза керамической мишени на лабораторной установке ИПС

6.1.3 Оптимизация дизайна графитовых пресс-форм для ИПС

6.2 Технологические решения в области нанесения тонких пленок

6.2.1 Магнетронный распылительный узел

6.2.2 Узел нагрева и позиционирования подложек

6.2.3 Пример осаждение тонких пленок с применением разработанных технологических решений

Основные результаты и выводы к главе

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

СПИСОК СОКРАЩЕНИЙ И УСЛОВНЫХ ОБОЗНАЧЕНИЙ

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

Приложение А

Приложение Б

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Модификация микроструктуры и функциональных свойств тонкопленочных материалов на основе оксида цинка с применением комплексного подхода к их синтезу»

ВВЕДЕНИЕ

Стремительное развитие оптоэлектронных технологий, непрерывное совершенствование и разработка новых устройств прозрачной электроники, акусто - и магнитооптики неразрывно связаны со значительными успехами, достигнутыми исследователями в области материаловедения и технологий новых оптических материалов. Среди широкого ряда органических и неорганических материалов для оптоэлектронных применений достойную нишу занимают целый ряд металлооксидных соединений (In2O3, SnO2, ZnO, Ga2O3, TiO2) с далёким коротковолновым краем фундаментального поглощения. Эти материалы в зависимости от условий роста могут иметь как металлическую, так и полупроводниковую проводимости, а в некоторых случаях они могут проявлять и диэлектрические свойства. Поэтому довольно часто функциональное совершенствование многих современных оптоэлектронных устройств основывается на применении широкозонных металлооксидных материалов в составе устройств. В качестве примера можно привести переход с аморфного Si на прозрачный полупроводниковый материал на базе тройного оксида In, Ga и Zn (IGZO) в каналах тонкопленочных транзисторов активноматричных жидкокристаллических дисплеев. Из-за более высокой, чем в Si, дрейфовой подвижности электронов в IGZO, производителям дисплеев удалось добиться удвоения по разрешению, расширения диапазонов яркости и контрастности при значительном снижении энергопотребления. Еще одним классическим примером применения широкозонных оксидов в оптоэлектронике, безусловно, является их использование в качестве материала для прозрачных электродов в системах отображения информации (СОИ), светоизлучающих структурах и солнечных фотопреобразователях (СФП).

В свете наблюдающейся тенденции современного материаловедения, направленной на придание тому или иному материалу максимально большего числа различных функций, в ряду представителей широкозонных оксидов можно выделить оксид цинка, как один из самых доступных и высокоперспективных материалов, вызывающих большой интерес многих исследовательских групп.

Согласно данным базы Web of Science количество публикаций по поисковому запросу «ZnO» за период 2000-2023 г.г. составляет более 145000, из которых ~ 51000 публикаций была отнесена к категории «Materials Science Multidisciplinary», ~ 30000 публикаций - к категории «Physics Applied», ~ 24000 публикаций - к категории «Chemistry Physical», по ~ 20000 были отнесены к двум категориям «Chemistry Multidisciplinar^» и «Nanoscience Nanotechnology», ~ 17000 публикаций - к категории

«Physics Condensed Matter» и ~ 35000 были отнесены к 4-м инженерным категориям (Engineering Electrical Electronic; Engineering Chemical; Environmental Sciences; Energy Fuels). Можно заметить, что в указанный период наибольшее количество публикаций относится к областям прикладной физики, междисциплинарного материаловедения, нанотехнологий, а также к направлениям, тесно связанных с технологическими приложениями. Это подтверждает актуальность исследований оксида цинка и косвенно указывает на то, что ZnO можно рассматривать как универсальный ключевой материал для прозрачной (или оксидной) электроники.

Благодаря уникальному сочетанию в ZnO электрических, оптических и поверхностных свойств, а также из-за многообразия достигаемых в нем морфологических форм, тонкие пленки и наноструктуры на основе ZnO уже находят применение в электронике, оптоэлектронике, биомедицине, био- и газовой сенсорике, детекторах электромагнитного излучения, просветляющих и энергосберегающих функциональных покрытиях. На основе планарных наноструктур ZnO получены эффективные пьезоэлектрические наногенераторы, а также многочисленные разновидности «смарт»-покрытий, проявляющих, например, антибактериальный, антиобледенительный, антизапотевающий, самоочищающийся и многие другие эффекты.

Отдельно стоит отметить, что наблюдаемая взаимосвязь состояния поверхности ZnO с проявляемыми им электрофизическими свойствами, не только обеспечивает широкое применение ZnO в качестве газочувствительных структур и датчиков УФ-излучения, но и делает его своего рода модельным объектом при исследовании реакций адсорбции-десорбции и фотокаталических реакций.

В обычном состоянии ZnO является полупроводником n-типа проводимости, что объясняется отклонением состава от стехиометрического и/или наличием неконтролируемо вошедшего в структуру при синтезе водорода. Однако однозначно причина n-типа проводимости и природа донорных дефектов (вакансии кислорода, междоузельные атомы цинка, водород) не установлена. Названные дефекты в купе с дефектами поверхности значительно влияют на электропроводность ZnO. Особо отметим, что электрофизические свойства чистого ZnO, находящегося в наноразмерном поликристаллическом состоянии, в зависимости от условий синтеза изменяются от характерных для вырожденных полупроводников (с зонным механизмом проводимости и концентрацией свободных носителей ne > 2.5*1018 см-3) до типичных для диэлектриков (с активационной или прыжковой проводимостью). Однако стабильность электрических

свойств поликристаллических пленок чистого ZnO низка и его характеристики могут меняться при длительном контакте с окружающей средой и незначительных термических воздействиях. Это указывает на сильную зависимость транспорта носителей заряда от состояния потенциальных барьеров на границах зерен в ZnO.

Важно отметить, что легирование оксида цинка является эффективным инструментом модификации и стабилизации его микроструктуры и функциональных свойств (электропроводность, спектральные диапазоны прозрачности/поглощения, фоточувствительность, люминесценция, сегнетоэлектрическая поляризация, намагниченность и др.). Легированием оксида цинка можно также эффективно управлять энергетикой адсорбционных поверхностных центров.

В частности, для увеличения электропроводности прозрачных тонких пленок ZnO до значений б > 3x10 Ом см , оксид цинка легируют элементами III группы (Al, Ga, In), что позволяет рассматривать такие материалы в качестве основной альтернативы повсеместно используемым в настоящее время дорогостоящим прозрачным электродам на основе двойного оксида индия-олова (indium-tin oxide, ITO).

В свою очередь, введение меди в ZnO усиливает люминесценцию в «зеленой» области и уменьшает электропроводность до значений б <

10-5 Ом- см . Известно, что

примесь лития также уменьшает электропроводность ZnO, а в ряде случаев приводит к формированию ZnO c р-типом проводимости. Кроме того, введение Li может приводить к тому, что ZnO начинает проявлять сегнетоэлектрические свойства. При легировании ZnO переходными металлами (Co, Mn) достижимо состояние, когда в электронной полупроводниковой пленке ZnO высокая оптическая прозрачность сочетается с ферромагнитными свойствами, что представляет чрезвычайный интерес для создания нового поколения устройств спинтронники.

Таким образом, сочетание режимов выращивания пленок на основе ZnO и их легирования является эффективным инструментом модификации электрофизических свойств в широком диапазоне.

Тонкие пленки и наноструктуры ZnO получают методами химического газового транспорта, молекулярно-лучевой эпитаксии, пиролитического разложения, золь-гель синтеза, магнетронного распыления, ионно-лучевого распыления, атомно-слоевого осаждения и др. Разнообразие привлекаемых методов синтеза для получения наноразмерных планарных структур на основе ZnO обусловлено как различием целей исследований, так и функциональным назначением слоев, типом и площадью подложек, требованиями экономического характера. Наиболее существенной представляется

противоречивая задача поиска новых принципов синтеза при относительно низких температурах в условиях, приближенных к равновесным.

По сравнению с другими тонкопленочными методами магнетронное распыление имеет ряд преимуществ: относительно низкие температуры подложки, хорошая адгезия пленки к подложке, приемлемые скорости роста, хорошая однородность пленки, возможность распыления материалов сложного состава, хорошая управляемость и устойчивость процесса. Основное преимущество - это то, что данный метод уже широко применяется в электронной промышленности для нанесения функциональных покрытий.

В настоящее время производители функциональных оксидных покрытий предпочитают использовать такую разновидность магнетронного распыления, как распыление в инертной среде керамической мишени, состав которой близок к составу осаждаемой пленки. По сравнению с исторически более ранней процедурой осаждения оксидных слоев методом реактивного магнетронного распыления металлической мишени, данная разновидность отличается простотой задания и контроля условий осаждения, что повышает качество пленок и снижает вероятность выхода брака.

Ключевыми требованиями к распыляемым керамическим мишеням являются высокая однородность их состава (отсутствие вторичных непроводящих включений) и высокая относительная плотность (минимальная пористость). Также желательно, чтобы мишень была электропроводящей, что обеспечивает возможность ее магнетронного распыления на постоянном токе (direct current, dc). Данный режим предпочтителен по сравнению с режимом высокочастотного (ВЧ) магнетронного распыления, требующего более дорогостоящего оборудования и отличающегося меньшими скоростями роста и сложностью согласования систем питания.

Поскольку основным методом нанесения функциональных покрытий стала процедура магнетронного распыления, то значительная часть исследований по магнетронному синтезу тонких пленок ZnO направлена на разрешение проблем, связанных с их низким кристаллическим качеством. При этом низкая кристалличность пленок, напрямую влияющая на свойства, обусловлена протеканием процесса роста пленок ZnO названным методом в сильно неравновесных условиях. Дополнительным негативным фактором является бомбардировка растущей поверхности высокоэнергетичными заряженными частицами. Из-за таких недостатков магнетронного распыления в поликристаллических пленках ZnO, осаждаемых при температурах подложки до 300°С, формируется столбчатая структура, характеризующаяся наличием

значительного по толщине сильно дефектного переходного слоя. Столбчатая структура приводит к ухудшению условий для транспорта носителей заряда и способствует ускоренной диффузии газов по границам столбов. Градиентная столбчатая структура получаемых покрытий обуславливает то, что тонкие пленки Zn0 проявляют значительный размерный эффект, а удовлетворительные электрические характеристики и другие свойства (например, люминесцентные, пьезоэлектрические и др.) достигаются в них при существенно больших толщинах.

Таким образом, создание стабильных и надежных функциональных пленок Zn0 для последующей интеграции в современные устройства оптоэлектроники и сенсорики требует проведения детальных исследований, направленных на поиск путей совершенствования их кристаллической структуры при магнетронном синтезе.

По этой причине развитие новых способов и приемов, обеспечивающих при магнетронном распылении «квазиравновесные» условия для формирования однородных пленок Zn0 с улучшенными микроструктурой и функциональными свойствами, представляется весьма перспективной и актуальной задачей как с фундаментальной, так и с практической точки зрения.

Цели и задачи работы

Основная цель работы - разработка физико-технологических основ для направленной модификации микроструктуры и функциональных свойств тонкопленочных материалов на основе Zn0 с применением комплексного подхода. Инструментами модификации свойств тонких пленок Zn0 были легирование и вариации условий магнетронного осаждения. Комплексность подхода состоит в том, что он охватывает всю цепочку процесса изготовления пленки «подготовка пресс-порошка -синтез мишени - магнетронное распыление - осаждение пленки» при изучении взаимосвязи микроструктуры и свойств тонких пленок и планарных структур на основе Zn0, перспективных для создания элементной базы оптоэлектроники (прозрачные электроды) и сенсорики (УФ-детекторы, пьезодатчики). Реализация поставленной комплексной задачи включала в себя несколько взаимосвязанных направлений:

• Изучение закономерностей спекания керамических и композитных систем на основе Zn0; разработка технологий спекания плотных однородных по составу керамических и композитных мишеней на основе Zn0, предназначенных для dc-магнетронного распыления;

• Изучение фундаментальных закономерностей роста тонких пленок Zn0 при осаждении методом магнетронного распыления; комплексное исследование

влияния легирования и нестехиометрии потока реагентов на микроструктуру, морфологию и физические свойства прозрачных проводящих пленок на основе гпО;

• Разработка методов синтеза пористых слоев 2пО из слоев-прекурсоров композитной системы «2п-2пО»; создание и исследование УФ-чувствительных структур на основе пористых слоев 2пО;

• Оптимизация процесса получения пьезоэлектрических пленок 2пО:У и изучение взаимосвязи структуры, химического состояния примеси ванадия и пьезоэлектрических свойств тонких пленок 2пО:У;

• Разработка оборудования для синтеза новых функциональных материалов на основе ZnO, обеспечивающего повышение воспроизводимости и качества лабораторных исследований при снижении энерго-, время- и трудозатрат на их выполнение.

Основными научными задачами являлись:

• на основе известных критериев эффективности применения материалов в функциональных устройствах подбор ряда перспективных легирующих элементов для оксида цинка, усиливающих в нем такие функциональные характеристики, как электропроводность и коэффициент оптического пропускания, газо- и УФ-чувствительность, пьезо- и сегнетоэлектрическое поведение;

• экспериментальное исследование фундаментальных закономерностей роста тонких пленок в системе Zn-O и изучение влияние технологических условий осаждения (состав и давление рабочего газа, температура подложки и др.) на морфологию, кристаллическое совершенство и физические свойства получаемых пленок;

/ и и и и \

• исследование влияния примеси замещения (алюминий, галлий, индий, ванадий) на микроструктуру, электрические, оптические и другие физические свойства тонких пленок оксида цинка;

• исследование влияния соотношения «цинк/кислород» в составе формирующегося при магнетронном распылении потока реагентов на состав, структуру, морфологию и функциональные характеристики осаждаемых пленок;

• изучение процессов консолидации керамических и композитных материалов на основе 2пО и использование полученных результатов для оптимизации технологий синтеза высокоплотных однородных мишеней для де-магнетронного распыления;

• разработка новых подходов к осаждению прозрачных проводящих слоев на основе Zn0 с использованием метода dc-магнетронного распыления, обеспечивающих увеличение их электропроводности;

• изучение взаимосвязей между микроструктурой, химическим состоянием примесных ионов и пьезоэлектрическим поведением тонких пленок Zn0:V, полученных методом магнетронного распыления керамической мишени;

• развитие двухстадийного метода получения пористых слоев Zn0 путем термической обработки композитных слоев-прекурсоров Zn-Zn0, предварительно сформированных методом магнетронного распыления; исследование особенностей процесса получения пористых и плотных композитных слоев Zn-Zn0 и изучение трансформации их структуры под действием термических отжигов;

• оценка возможности практического использования разработанных функциональных материалов и технологий их формирования.

Научная новизна

Основным итогом настоящей диссертации является решение фундаментальной задачи, заключающейся в контролируемой модификации микроструктуры и физических свойств тонких пленок на основе ZnO за счет подбора легирующей примеси и управления составом потока реагентов в условия используемого метода.

Научная новизна работы определяется следующими достигнутыми результатами:

1. Разработан и реализован способ синтеза плотной керамики ZnO:Ga с равномерным распределением примеси. Экспериментально показано, что внесение в Zn0 примеси галлия в жидком виде и последующая длительная механоактивация смеси приводят к равномерному распределению галлия по поверхности частичек ZnO. Экспериментально выявлено снижение температуры начала усадки и температуры фазовой трансформации «ZnGa204 + Zn0 ^ ZnПGa20П+з + Zn0:Ga» при модификации процесса спекания керамики Zn0:Ga активирующей добавкой В203, что в итоге обеспечивает высокую плотность и электропроводность получаемых керамик.

2. На примере материала ZnO:Ga впервые экспериментально установлена взаимосвязь количества легирующей примеси и времени формирования сплошного зародышевого слоя на гетерогенной подложке. Предложен способ формирования однородных слоев ZnO в результате модификации процесса зарождения пленки оксида цинка легирующей примесью.

3. Показано, что избыток цинка в потоке реагентов при высокотемпературном режиме осаждения (Гп > 200°С) способствует улучшению кристалличности тонких

пленок 2п0. Предложены методика и новые материалы для целенаправленного формирования потока с контролируемым избытком цинка, обеспечивающие формирование прозрачных проводящих пленок на основе 2п0 с улучшенными функциональными характеристиками.

4. Впервые получены ультрапористые рентгеноаморфные слои 2п. Экспериментально выявлен и обоснован механизм роста, связанный с газофазной кластеризацией материала с последующим его осаждением на подложке.

5. Экспериментально выявлены и обоснованы наблюдаемые взаимосвязи между условиями роста тонких пленок 2п0:У, их структурными свойствами, валентным состоянием примеси и пьезоэлектрическим поведением.

Научная и практическая значимость

В результате проделанной работы удалось наметить и получить ряд материалов на основе 2п0 со свойствами, которые делают их перспективными для применения в устройствах оксидной оптоэлектроники и сенсорики, а также в качестве энергосберегающих и солнцезащитных покрытий архитектурного стекла.

Разработан способ получения высокоплотной керамики ZnO:Ga, позволяющий использовать ее в качестве мишеней для де-магнетронного формирования прозрачных проводящих пленок высокого функционального качества. Получен международный патент на изобретение.

Разработаны и запатентованы новые типы мишеней для магнетронного распыления (композитные мишени ZnO:Ga-Zn и ZnO:Ga-C), при использовании которых обеспечивается формирование прозрачных проводящих пленок 2п0:0а е улучшенными функциональными характеристиками (р < ЗхЮ-4 Ом. см, Т > 90%).

Разработан и запатентован способ формирования (0001)-ориентированных пленок

Г7 и У У и

ZnO с улучшенной микроструктурой, характеризующейся униполярной направленностью нанокристаллитов 2п0 в пленке.

Разработаны дизайны графитовых пресс-форм для искрового плазменного спекания керамических изделий сложной формы и значительными линейными размерами, которые создают условия для существенного снижения температурных градиентов как в радиальной плоскости, так и по высоте спекаемого образца. На примере керамического материала ZnO:Ga показано, что предложенная концепция способствует формированию плотной керамики с высокой однородностью структуры и фазового состава.

Отработана двухэтапная технология получения слоев ZnO с однородной по толщине пористой структурой, адаптированная под использование в качестве подложки для пористого слоя пьезоэлектрических пластин а-8Ю2. Температурный режим изготовления пористого слоя 2п0, а также проявляемые им морфологические и физико-химические характеристики обеспечили возможность успешного применения данного пористого материала в качестве чувствительного слоя датчика УФ-излучения резонансного типа на основе кварцевых микровесов.

Результаты исследования влияния условий роста и примесного легирования ванадием на пьезоэлектрические свойства тонких пленок 2п0 могут стать основой для проведения в дальнейшем работ по созданию альтернативных безсвинцовых пьезоэлектрических материалов и экологически безопасных пьезоустройств нового поколения.

Основные положения, выносимые на защиту

1. Механизм влияния модифицирующей добавки В203 на процесс спекания керамики ZnO:Ga и связанное с этим улучшение электрических свойств тонких пленок, напыленных с использованием модифицированной керамики в качестве мишени для распыления.

2. Способ улучшения микроструктуры пленок ZnO, связанный с влиянием примеси Ga на кинетику формирования зародышевого слоя 2п0.

3. Методы, обеспечивающие формирование потока реагентов с контролируемым содержанием избыточного цинка из единого источника, позволяют выращивать качественные прозрачные проводящие пленки 2п0:0а с улучшенными функциональными свойствами.

4. Методы низкотемпературного формирования прозрачных проводящих материалов на основе оксида цинка оптимального состава и их использование в качестве прозрачных электродов.

5. Разработанный двухэтапный способ формирования рыхлых слоев ZnO с развитой поверхностью и однородной структурой пор, включающий:

- предварительное магнетронное формирование пористого композитного слоя 2п-2п0 в контролируемых условиях, способствующих интенсивной газофазной агрегации распыленного 2п и стабилизации неупорядоченных агрегатов 2п в газовой фазе и на подложке малым количеством окислителя в рабочей камере;

- последующее термоокисление пористого слоя Zn-ZnO в условиях,

способствующих сохранению исходной пористой структуры. Формирующиеся таким образом пористые слои ZnO испытаны в качестве активного слоя в УФ-чувствительных структурах «пористый ZnO/a-SiO2» резонансного типа.

6. Подход, основанный на легировании оксида цинка ванадием и управлении микроструктурой матрицы (ZnO) и валентным состоянием примеси (V) за счет вариации условий магнетронного осаждения и отжига, позволяет сформировать тонкие пленки ZnO с уникальными пьезоэлектрическими свойствами.

Степень достоверности и апробация результатов работы

Степень достоверности результатов, представленных в работе, определяется следующими факторами:

- применение современных методов анализа состава, структуры, электрических и оптических свойств материалов с использованием аттестованного аналитического и измерительного оборудования;

- воспроизводимость результатов и применение стандартных методик статистической обработки полученных данных;

- соответствие результатов, полученных различными методами исследований;

- отсутствием противоречий между сделанными выводами по работе и современными представлениями о природе процессов, протекающих при синтезе объемных керамических материалов на основе ZnO и при магнетронном осаждении тонких пленок ZnO.

Достоверность многих полученных экспериментальных результатов подтверждается также тем, что аналогичные результаты независимо были получены другими исследовательскими группами.

Основные результаты докладывались на всероссийских и международных конференциях: International Display Manufacturing Conference, Taipei, Taiwan, 2007; 27th International Displays Research Conference, Moscow, Russia, 2007; 13th International Conference on II-VI Compounds, Jeju, Korea, 2007; 15th International Conference on II-VI Compounds, St. Peterburg, Russia, 2009; 10-й и 11-й Международные Симпозиумы «Порядок, беспорядок и свойства оксидов», пос. Лоо, 2007 г. и 2008 г.; 5-я Международная научно-практическая конференция "Нанотехнологии - производству", г. Фрязино Московской области, 2008 г.; III и IV Международные форумы по нанотехнологиям RUSNANOTECH, Москва, 2010 г. и 2011 г.; VIII Международная конференции «Аморфные и

микрокристаллические полупроводники», Санкт-Петербург, 2012 г.; IX Всероссийская научная конференция «Физико-химические проблемы возобновляемой энергетики», Санкт-Петербург, 2013 г.; 11 и 12 Российско-Китайские симпозиумы «Advanced Materials and Technologies», Санкт-Петербург, 2012 г. и Kunming, Китай, 2013 г.; XXII AIMETA Congress 2015, Genoa, 2015; Международные научно-технические конференции «Вакуумная техника, материалы и технологии», Москва, 2008, 2013 г., 2014 г., 2016-2023 г.г.

Результаты, представленные в работе в главах с 1 по 4, докладывались в 2021 г. (главы 1, 2, 3) и 2023 г. (глава 4) на конкурсе научных работ, ежегодно проводимом ФНИЦ «Кристаллография и фотоника» РАН, и были отмечены дипломами 2-ой степени. Результаты, представленные в главе 1 и касающиеся вопроса разработки высокоплотных керамических мишеней ZnO:Ga, были внедрены в производство на предприятии ОАО «Полема», г.Тула. Результат, представленный в подразделе 1.3.1, был запатентован и вошел в список 100 лучших изобретений Российской Федерации за 2016 год. Результаты, представленные в разделах 2.2 и 6.1 вошли в 2010 и 2019 годах в Годовые отчеты РАН по Важнейшим научным результатам, полученным в ходе выполнения программы фундаментальных исследований РАН, готовых к практическому применению.

Личный вклад автора

В представленных в диссертации результатах личный вклад автора заключается в постановке задач и планировании экспериментов, личном участии в приготовлении большей части экспериментальных образцов, обработке полученных результатов, их анализе, интерпретации и обобщении совместно с соавторами.

В результатах, представленных в главе 5, личный вклад автора состоит в предложении объекта для исследований, планировании ростовых экспериментов, приготовлении экспериментальных образцов, интерпретации полученных результатов совместно с соавторами в части выяснения взаимосвязей между условиями приготовления, структурой и химическим составом. Измерения пьезоэлектрических характеристик и состава (методом РФЭС) образцов было проведено на оборудовании Университета Politecnico di Torino (г. Турин, Италия). Измерения проводили PhD G. Canavese и PhD M. Castellino соответственно.

Список литературы диссертационного исследования доктор наук Асваров Абил Шамсудинович, 2024 год

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ1

1 Mott N.F. Metal-Insulator Transition // Rev. Mod. Phys. 1968. - V. 40. - P. 677.

2 Imada M., Fujimori A., Tokura Y. Metal-insulator transitions // Rev. Mod. Phys. 1998. - V. 70. -P. 1039.

3 Lany S., Zunger A. Dopability, Intrinsic Conductivity, and Nonstoichiometry of Transparent Conducting Oxides // PRL. - 2007. - V. 98. - P. 045501.

4 Chopra K.L., Major S., Pandya D.K. Transparent conductors - a status review // Thin Solid Films.

- 1983. - V. 102.- P. 1-46.

5 Zunger A. Practical doping principles // Appl. Phys. Lett. 2003. - V. 83. - P. 57.

6 de Wit J. H.W. The high temperature behavior of In2O3 // J. Solid State Chem. 1975. - V. 13. - P. 192.

7 Halliburton L.E., Giles N.C., Garces N.Y., Luo M., Xu C., Bai L., Boatner L A. Appl. Phys. Lett. 2005. - V. 87. - P. 172108.

8 van de Walle C.G. Hydrogen as a Cause of Doping in Zinc Oxide // Phys. Rev. Lett. - 2000. - V. 85. - P. 1012.

9 Look D C., Hemsky J.W., Sizelove J.R. Residual Native Shallow Donor in ZnO // Phys. Rev. Lett.

- 1999. - V. 82. - P. 2552.

10 Крёгер, Ф. Химия несовершенных кристаллов. - М.: МИР, 1969. - 654с.

11 Smith J.M., Vehse W.E. ESR of electron irradiated ZnO confirmation of the F+ center // Phys. Lett. A. - 1970. - V. 31. - P. 147 (1970).

12 Hamberg I., Granqvist C.G. Evaporated Sn-doped In2O3 films: basic optical properties and applications to energy-efficient windows // J. Appl. Phys. - 1986. - V. 60. - P. R123.

13 Bikowski A., Ellmer K. Analytical model of electron transport in polycrystalline, degenerately doped ZnO films // J. Appl. Phys. - 2014. - V. 116. - P. 143704

14 Fraser D.B., Cook H.D. Highly conductive transparent films of sputtered In2-xSnxO3-y // J. Electrochem. Soc. - 1972. - V. 119. - P. 1368.

15 Frank G., Kostlin H. Electrical properties and defect model of tin-doped indium oxide layers // Appl. Phys. Solids Surf. - 1982. - V. 27. - P. 197.

16 Bright C.I. Chapter 21 - Transparent conductive thin films, Editor(s): Angela Piegari, François Flory, In Woodhead Publishing Series in Electronic and Optical Materials, Optical Thin Films and Coatings (Second Edition), Woodhead Publishing, 2018, Pages 741-788, https://doi.org/10.1016/B978-0-08-102073-9.00021-7.

17 Coutts T.J., Young D.L., Li X. Characterization of transparent conducting oxides // MRS Bull. -2000. - V. 25. - P. 59.

18 Burstein E. Anomalous optical absorption limit in InSb // Phys. Rev. - 1954. - V. 93. - P. 632.

19 Haacke G. New fgure of merit for transparent conductors //J. Appl. Phys. - 1976. - V. 47. - P. 4086-4089.

20 Minami T. Transparent conducting oxide semiconductors for transparent electrodes // Semicond. Sci. Technol. - 2005. - V. 20. - P. S35-S44

21 Gerhardinger P, Strickler D. Fluorine Doped Tin Oxide Coatings - Over 50 Years and Going Strong // Key Engineering Materials. - 2008. - V. 380. - P. 169.

❖

' Номера ссылок на работы автора в списке литературы выделены жирным шрифтом и помечены знаком *

22 Cornelius S., Vinnichenko M. Al in ZnO — From doping to alloying: An investigation of Al electrical activation in relation to structure and charge transport limits // Thin Solid Films. - 2016.

- V. 605. - P. 20-29.

23 Gordon R.G. Criteria for choosing transparent conductors // MRS Bulletin. - 2000. - V. 25. - P. 52.

24 Ae L., Kieven D., Chen J., Klenk R., Rissom T., Tang Y., Lux-Steiner M.C. ZnO nanorod arrays as an antireflective coating for Cu(In,Ga)Se2 thin film solar cells // Prog. Photovolt.: Res. Appl. -2010. - V. 18. - P. 209-213.

25 Fay S., Shah A. Zinc Oxide Grown by CVD Process as Transparent Contact for Thin Film Solar Cell Applications. In: Ellmer, K., Klein, A., Rech, B. (eds.) Transparent Conductive Zinc Oxide. Springer, Heidelberg. 2008.

26 Volintiru I., Creatore M., Kniknie B.J., Spee C.I.M.A., van de Sanden M.C.M. Evolution of the electrical and structural properties during the growth of Al doped ZnO films by remote plasma-enhanced metalorganic chemical vapor deposition // J.Appl. Phys. - 2007. - V. 102. - P. 043709.

27 An K.-S., Cho W., Lee B.K., Lee S.S., Kim C.G. Atomic Layer Deposition of Un-doped an Al-Doped ZnO Thin Films Using the Zn Alkoxide Precursor Methylzinc Isopropoxide // J. Nanosci. Nanotechnol. - 2008. - V. 8. - P. 4856.

28 Suzuki A., Matsushita T., Aoki T., Yoneyama Y., Okuda M. Pulsed Laser Deposition of Transparent Conducting Indium Tin Oxide Films in Magnetic Field Perpendicular to Plume // Jpn. J. Appl. Phys. - 2001. - V. 40. - P. L401.

29 Agura H., Suzuki A., Matsushita T., Aoki T., Okuda M. Low resistivity transparent conducting Al-doped ZnO films prepared by pulsed laser deposition // Thin Solid Films. - 2003. - V. 445. -P. 263-267.

30 Dong B.-Z., Fang G.-J., Wang J.-F., Guan W.-J., Zhao X.-Z. Effect of thickness on structural, electrical, and optical properties of ZnO:Al films deposited by pulsed laser deposition // J. Appl. Phys. - 2007. - V. 101. - P. 033713.

31 Берлин, Е. Б. Ионно-плазменные процессы в тонкопленочной технологии / Е. Б. Берлин, Л. А. Сейдман. - М.: Техносфера, 2010. - 528c.

32 Ellmer K. Magnetron sputtering of transparent conductive zinc oxide: relation between the sputtering parameters and the electronic properties // J. Phys. D: Appl. Phys. - 2000. - V. 33. - P. R17.

33 Ishibashi S., Higuchi Y., Oka Y., Nakamura K. Low resistivity indium-tin oxide transparent conductive films. II. Effect of sputtering voltage on electrical property of films // J. Vac. Sci. Technol. A. - 1990. - V. 8. - N. 3. - P. 1403.

34 Utsumi K. , Matsunaga O. , Takahata T. Low resistivity ITO film prepared using the ultra high density ITO target // Thin Solid Films. - 1998. - V. 334. - P. 30.

35 Gehman B.L., Jonsson S., Rudolph T., Scherer M., Weigert M., Werner R. Influence of manufacturing process of indium tin oxide sputtering targets on sputtering behavior // Thin Solid Films. - 1992. - V. 220. - P. 333.

36 Huang H.S., Tung H.C., Chiu C.H., Hong I.T., Chen R.Z., Chang J.T., Lin H.K. Highly conductive alumina-added ZnO ceramic target prepared by reduction sintering and its effects on the properties of deposited thin films by direct current magnetron sputtering // Thin Solid Films. -2010. -V. 518. - Pages 6071.

37 Minami T., Oda J., Nomoto J., Muyata T. Effect of target properties on transparent conducting impurity-doped ZnO thin films deposited by DC magnetron sputtering // Thin Solid Films. - 2010.

- V. 519. - P. 385.

38 Gupta T.K., Coble R.L. Sintering of ZnO: I, Densification and Grain Growth // J. Am. Ceram. Soc. - 1968. - V. 51. - P. 521.

39 Allsopp H J., RobertsJ.P. Non-stoichiometry of zinc oxide and its relation to sintering. Part 1. -Determination of non-stoichiometry in zinc oxide // Trans. Faraday Soc. - 1959. - V. 55. - P. 1386.

40 Gupta T.K., Coble R.L. Sintering of ZnO: II, Densification and Grain Growth // J. Am. Ceram. Soc. - 1968. - V. 51. - P. 525.

41 Neves N, Barros R, Antunes E, Ferreira I, Calado J, Fortunato E, Martins R. Sintering behavior of nano- and micro-sized ZnO powder targets for rf magnetron sputtering applications // J. Am. Ceram. Soc. - 2012. - V. 95. - P. 204.

42 Korsunska N., Markevich I., Stara T., Polishchuk Yu. , Ponomaryov S., Kozoriz K., Tsybrii Z., Melnichuk O., Melnichuk L., Venger E., Khomenkova L. Influence of compacting pressure on the electrical properties of ZnO and ZnO:Mn ceramics // Discov. Appl. Sci. - 2024. - V. 6. - P. 74.

43 Korsunska N, Markevich I, Ponomaryov S, Polishchuk Y, Tsybrii Z, Khmil D, Stara T, Melnichuk O, Melnichuk L, Venger Y, Kladko V, Khomenkova L. Effect of milling of ZnO and MgO powders on structural, optical, and electrical properties of (Mg, Zn)O ceramics // Phys. Stat. Sol. (A). - 2022. - V. 219. - P. 2200050.

44* Абдуев А.Х., Асваров А.Ш., Ахмедов А.К., Зобов М.Е., Крамынин С.П. Изменение структуры и стехиометрии керамики оксида цинка в процессе спекания в открытой атмосфере // Письма в ЖТФ. - 2015. - T. 41. - № 3. - C. 42.

45 Secco E.A.; p. 188 in Reactivity of Solids-Proceedings of the 4th Symposium, Amsterdam, 1960. Edited by J. H. de Boer, W. G. Burgers, E. W. Gorter, J. P. F. Huesse, and G.C.A. Schuit. Elsevier Publishing Co., Princeton, N. J., 1961.

46 Wriedt H.A. The O-Zn (Oxygen-Zinc) System // Bulletin of Alloy Phase Diagrams. - 1987. - V. 8. - N. 2. - P. 166.

47 Гегузин, Я. Е. Физика спекания. - М.: Наука, 1967. - 360 с.

48 Janotti A., Van de Wall C.G. Fundamentals of zinc oxide as a semiconductor // Rep. Prog. Phys. -2009. - V. 72. - P. 126501.

49 Chou Y.-H., Chau J.L., Wang W.L., Chen C.S., Wang S.H., Yang C.C. Preparation and characterization of solid-state sintered aluminum-doped zinc oxide with different alumina contents // Bull. Mater. Sci. - 2011. - V.34. - P. 477.

50 Sánchez-Rivera M.-J., Orts M.J., Pérez-Herranz V., Mestre S. Effect of type and amount of alumina as dopant over the densification and the electrical properties of zinc oxide ceramic electrodes // Boletín de la Sociedad Española de Cerámica y Vidrio. - 2021. - V. 60. - N. 1. - P. 53.

51 Han J., Mantas P.Q., Senos A.M.R. Densification and grain growth of Al-doped ZnO // J. Mater. Res. - 2001. - V. 16. - P. 459.

52 Neves N., Barros R., Antunes E., Calado J., Fortunato E., Martins R., Ferreira I. Aluminum doped zinc oxide sputtering targets obtained nanostructures powders: processing and application // J. Eur. Ceram. Soc. - 2012. - V. 32. - P. 4381.

53 Yang Y., Lan P., Wang M., Wei T., Tan R., Song W. Nearly full-dense and fine-grained AZO:Y ceramics sintered from the corresponding nanoparticles // Nanoscale Res Lett. - 2012 - V. 7. - P. 481.

54 Zhang J., Zhang W., Zhao E., Jacques H.J. Study of high-density AZO ceramic target // Mater. Sci. Semicond. Process. - 2011. - V. 14(3-4). - P. 189.

55 Kim H., Gilmore C.M., Horwitz J.S., Pique A., Murata H., Kushto G.P., Schlaf R., Kafafi Z.H., Chrisey D.B. Transparent conducting aluminum-doped zinc oxide thin films for organic light-emitting devices // Appl. Phys. Lett. - 2000. - V. 76. - P. 259.

56* Асваров А.Ш., Абдуев А.Х., Ахмедов А.К., Абдуллаев А.А. Влияние легирования алюминием на характеристики прозрачных электродов на основе оксида цинка // Перспективные материалы. - 2011. - № 13(2). - C. 826.

57 Куликов И.С. Раскисление металлов. - М.: Металлургия, 1975. - 504 с.

58 Похил П.Ф., Беляев А.Ф., Фролов Ю.Б., Логачев Б.С., Коротков А.И. Горение порошкообразных металлов в активных средах. - М.: Наука, 1972. - 294 с.

59 Данчевская М.Н., Торбин С.Н., Муравьева Г.П., Большаков А.М. Каталитические свойства легированного алюмината цинка // Бестник Московского Университета. Cер. 2. Химия. -2002. - Т. 43. - №5. - C. 288.

60 Wang R.P., Sleight A.W., Cleary D. High conductivity in gallium-doped zinc oxide powders // Chem. Mater. - 1996. - V. 8. - P. 433.

61 Roberts N., Wang R.P., Sleight A.W., Warren W.W.Jr. An impurity nuclear magnetic resonance in ZnO:Al and ZnO:Ga // Phys. Rev. B. - 1998. -V. 57. - P. 5734.

62 Abduev A.Kh., Akhmedov A.K., Asvarov A.Sh. The improved method of synthesis of high-density Ga doped ZnO ceramics // International Conference on Advances in Solidification Processes. - Stockholm - 2005. - P. 15.

63* Патент на изобретение № 2280015 Российская Федерация. Способ синтеза керамики : № 2004105169/03 : заявлен 20.02.2004 : опубликован 20.07.2006 / Абдуев А.Х., Асваров А.Ш., Ахмедов А.К., Камилов И.К. ; заявитель ОАО "Полема".

64 Gan T., Handschuh-Wang S., Shang W., Zhou X. GaOOH Crystallite Growth on Liquid Metal Microdroplets in Water: Influence of the Local Environment // Langmuir. - 2022. - V. 38. - No. 47. - P. 14475.

65 Colibaba G.V., Rusnac D., Fedorov V., Petrenko P., Monaico E.V. Low-temperature sintering of highly conductive ZnO:Ga:Cl ceramics by means of chemical vapor transport // J. Eur. Ceram. Soc. - 2021. - V. 41. - P. 443.

66 Liu C.P., Jeng G.R. Properties of aluminum doped zinc oxide materials and sputtering thin films // J. Alloys Compd. - 2009. - V. 468. - P. 343.

67 Jayathilake D.S.Y., Peiris T.A.N., Sagu J.S., Potter D.B., Wijayantha K.G.U., Carmalt C.J., Southee D.J. Microwave-Assisted Synthesis and Processing of Al-Doped, Ga-Doped, and Al, Ga Codoped ZnO for the Pursuit of Optimal Conductivity for Transparent Conducting Film Fabrication // ACS Sustain. Chem. Eng. - 2017. - V. 5. - P. 4820.

68 Zheng L., Liu M., Zhang H., Zheng Z., Wang Z., Cheng H., Wang P., Liu Y., Huang B. Fabrication of ZnO Ceramics with Defects by Spark Plasma Sintering Method and Investigations of Their Photoelectrochemical Properties // Nanomaterials.- 2021. - V. 11. - P. 2506.

69* Абдуев А.Х., Асваров А.Ш., Ахмедов А.К., Зобов Е.М., Зобов М.Е., Крамынин С.П. Мишени на основе ZnO для магнетронного формирования прозрачных электродов // Бестник Дагестанского научного центра РАН. - 2014. - № 53. - С. 22.

70* Абдуев А.Х., Асваров А.Ш., Ахмедов А.К. Керамические мишени и прозрачные электроды на основе ZnO:Ga // Наноинженерия. - 2014. - № 9(39). - С. 25.

71 Wu M.-W., Lai P.-H., Hong C.-H., Chou F.-C. The sintering behavior, microstructure, and electrical properties of gallium-doped zinc oxide ceramic targets // J. Eur. Ceram. Soc. - 2014. -V. 34. - P. 3715.

72 Alvarez -Ruiz D.T., Azough F., Hernandez-Maldonado D., Kepaptsoglou D.M., Ramasse Q.M., Day S.J., Svec P., Svec P.S., Freer R. Utilising unit-cell twinning operators to reduce lattice thermal conductivity in modular structures: Structure and thermoelectric properties of Ga2O3(ZnO)9 // J. Alloys Compd. - 2018. - V. 762. - P. 892.

73 Pham A.T.T., Luu T.A., Pham N.K., Ta H.K.T., Nguyen T.H., Van Hoang D., Phan T.B. Multi-scale defects in ZnO thermoelectric ceramic materials co-doped with In and Ga // Ceram. Int. -2020. - V. 46. - P. 10748.

74 Michiue Y., Mori T. Identification of a secondary phase Ga2O3(ZnO)m in Ga-doped ZnO thermoelectric materials by a (3 + 1)-dimensional superspace model // J. Appl. Cryst. - 2018. - V. 51. - P. 924.

75 Michiue Y., Kimizuka N., Kanke Y. Structure of Ga2O3(ZnO)6: A member of the homologous series Ga2O3(ZnO)m // Acta Cryst. - 2008. - V. B64. - P. 521.

76 Sato K., Mitsui A., Adachi K. Transparent conductive film consisting of zinc oxide and gallium. Patent USA, N 5458753. 17.10.1995

77 Афанасьев, В. П. Тонкопленочные солнечные элементы на основе кремния / В. П. Афанасьев, Е. И. Теруков, А. А. Шерченков. - 2-е изд. - СПб.: Изд-во СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2011. - 168 с.

78 Gao L., Zhang Y., Zhang J.-M., Xu K.-W. Boron doped ZnO thin films fabricated by RF-magnetron sputtering // Applied Surface Science. - 2011. - V. 257. - P. 2498.

79 Bhattacharya G., Zhang S., Jayaseelan D.D., Lee W.E. Mineralizing Magnesium Aluminate Spinel Formation With B2O3 // J. Am. Ceram. Soc. - 2006. - V. 89. - P. 3034.

80 Tsukuma K. Transparent MgAl2O4 spinel ceramics produced by HIP post-sintering // J. Ceram. Soc. Jpn. - 2006. - V. 114. - P. 802.

81 Huang C.-L., Lin R.-J., Wang J.-J. Effect of B2O3 additives on sintering and microwave dielectric behaviors of CuO-Doped ZnNb2O6 ceramics // Jpn. J. Appl. Phys. - 2002. - V. 41. - P. 758.

82 Rhim S.M., Hong S., Bak H., Kim O.K. Effects of B2O3 Addition on the Dielectric and Ferroelectric Properties of Ba0.7Sr03TiO3 Ceramics // J. Am. Ceram. Soc. - 2000. - V. 83. - P. 1145.

83 Miyazaki H., Ando J., Nose A., Suzuki H., Ota T. Effects of a B2O3 additive on the sintering properties of WO3 ceramics // Mat. Res. Bull. - 2015. - V. 64. - P. 233.

84* Асваров, А.Ш. Механизмы синтеза и структура слоев оксида цинка: дис. ... канд. физ.-мат. наук 01.04.07 / А.Ш. Асваров. - Махачкала, 2006. - 150 с.

85* Abduev A., Akhmedov A., Asvarov A. The structural and electrical properties of Ga-doped ZnO and Ga, B-codoped ZnO thin films: The effects of additional boron impurity // Solar Energy Materials & Solar Cells. - 2007. - V. 91. - P. 258.

86* Pat. US 20080283802 - Ceramic Target, Film Consisting of Zinc Oxide, Gallium and Boron, and Method for Preparing the Film / A.K. Abduev, A.S. Asvarov, A.K. Akhmedov, I.K. Kamilov, заявитель Otkrytoe Aktsyonernoe Obshchestvo "POLEMA". - № 12063464, заяв. 16.08.2006, опубл. 20.11.2008

87 Пивкина А.Н., Мееров Д.Б., Моногаров К.А., Фролов Ю.В., Муравьев Н.В. Перспективы использования порошков бора в качестве горючего. II. Влияние добавок алюминия, магния и их соединений на термическое поведение оксида бора // Физика горения и взрыва. - 2020.

- T. 56. - № 2. - С. 28.

88 Medvedovski E., Alvarez N., Yankov O., Olsson M.K. Advanced indium-tin oxide ceramics for sputtering targets // Ceram. Int. - 2008. - V. 34. - P. 1173.

89 Liu J., Zhang W., Song D., Ma Q., Zhang L., Zhang H., Ma X., Song H. Comparative study of the sintering process and thin film sputtering of AZO, GZO and AGZO ceramics targets. Ceram. Int.

- 2014. - V. 40. - P. 12905.

90 Kalvani P.R., Shapouri S., Jahangiri A.R., Jalili Y.S. Microstructure evolution in high density AZO ceramic sputtering target fabricated via multistep sintering // Ceram. Int. - 2020. - V. 46. - P. 5983.

91 Mei F., Yuan T., Li R., Qin K., Huang J. Improving the densification of indium tin oxide targets via secondary cold isostatic pressing and oxygen exchange treatments // Scr. Mater. - 2018. - V. 155. - P. 109.

92 Gao M., Zhang H., Xie Y., Miao L., Yao W., Zhang F., Wang T., Zhang H. Characteristics of ultra-high density Al:ZnO sputtering targets prepared by hot isostatic pressing // Ceram. Int. -2018. - V. 44. - P. 5486.

93 Lee J.-R., Chung T.-J., Yang S.-H., Hong G.-S., Oh K.-S. Prevention of tapering in the tube-shaped sputtering target via initial heat treatment under external pressure // Ceram. Int. - 2015. -V. 41. - P. 3677.

94 Kelly J.P., Graeve O.A. Spark Plasma Sintering as an Approach to Manufacture Bulk Materials: Feasibility and Cost Savings // JOM. 2015. - V. 67. - P. 29.

95 Guillon O., Gonzalez-Julian J., Dargatz B., Kessel T., Schierning G., Rathel J., Herrmann M. Field-assisted sintering technology/spark plasma sintering: Mechanisms, materials, and technology developments // Adv. Eng. Mater. - 2014. - V. 16. - P. 830.

96 Gao L., Li Q., Luan W., Kawaoka H., Sekino T., Niihara K. Preparation and Electric Properties of Dense Nanocrystalline Zinc Oxide Ceramics// J. Am. Ceram. Soc. - 2002. - V. 85. - P. 1016.

97 Chen H., Sun Q., Tian T., Zheng L., Barré M., Monot-Laffez I., Makowska-Janusik M., Li G., Kassiba A.H. Defects and microstructure of highly conducting Al-doped ZnO ceramics obtained via spark plasma sintering // J. Eur. Ceram. Soc. - 2020. - V. 40. - P. 5529.

98 Sharma S., Bayikadi R., Swaminathan P. Spark plasma sintering route to synthesize aluminium doped zinc oxide // RSC Adv. - 2016. - V. 6. - P. 86586.

99 Ma N., Li J.-F., Zhang B.P., Lin Y.H., Ren L.R., Chen G.F. Microstructure and thermoelectric properties of Zn1-xAlxO ceramics fabricated by spark plasma sintering // J. Phys. Chem. Solids. -2010. - V. 71. - P. 1344.

100 Kunikata T., Kato T., Shiratori D., Kantuptim P., Nakauchi D., Kawaguchi N., Yanagida T. Annealing Temperature Dependence of Scintillation Properties of Ga-doped ZnO Translucent Ceramics // Sens. Mater. - 2023. - V. 35. - P. 491.

101* Асваров А.Ш., Муслимов А.Э., Ахмедов А.К., Абдуев А.Х., Каневский В.М. Лабораторная установка искрового плазменного спекания керамических и композиционных материалов // ПТЭ. - 2019. - № 5. - С. 138.

102* Akhmedov A.K., Asvarov A.Sh., Makhmudov S.Sh., Kanevsky V.M. Fabrication of segments for ZnO-based tube ceramic targets by the spark plasma sintering method // Ceramics. - 2023. -V. 6. - No. 3. - P. 1302.

103 Jood P., Peleckis G., Wang X., Dou S. Effect of gallium doping and ball milling process on the thermoelectric performance of n-type ZnO // J. Mater. Res. - 2012. - V. 27. - P. 2278.

104 Alvarez-Ruiz D.T., Azough F., Slater T., Day S.J., Freer R. The effect of nano-twins on the thermoelectric properties of Ga2O3(ZnO)m (m = 9, 11, 13 and 15) homologous compounds // J. Eur. Ceram. Soc. - 2020. - V. 40. - P. 5549.

105* Abduev A., Akhmedov A., Asvarov A. ZnO-based TCO material for displays: Ceramic targets, deposition methods, and TCO thin films development // SID Conference Record of the International Display Research Conference. Moscow, Russia. - 2007. - P. 393-395.

106* Abduev A., Akhmedov A., Asvarov A. ZnO-based TCO materials for LCD // Proceedings of International Display Manufacturing Conference and Exhibition, IDMC 2007 Taipei, Taiwan. -2007. - P. 625-626.

107 Zhang L., Huang J., Yang J., Tang K., Ren B., Hu Y., Wang L., Wang L. The effects of thickness on properties of B and Ga co-doped ZnO films grown by magnetron sputtering // Materials Science in Semiconductor Processing. - 2016. - V. 42(3). - P. 277.

108 Zhang L., Huang J., Yang J., Tang K., Ren B., Zhang S., Wang L. The effects of substrate temperature on properties of B and Ga co-doped ZnO thin films grown by RF magnetron sputtering // Surf. Coat. Technol. - 2016. - V. 307(B). - P. 1129.

109 Huang J., Hu Y., Ma Y., Li B., Tang K., Shi H., Gou S., Zou T., Wang L., Lu Y. B-doping and annealing on the properties of B and Ga co-doped ZnO films // Surf. Coat. Technol. - 2019. - V. 358. - P. 223.

110 Kang H.-I., Lee K.-I. Optical and Electrical Properties of Aluminum and Boron Co-doped Zinc Thin Films as Functions of the Substrate Temperature // Journal of the Korean Physical Society. - 2010. - V. 57. - P. 260.

111 Lee K., Kang H., Lee T-Y., Lee J., Song J. Structural and electrical properties of Al-doped ZnO and Al, B codoped ZnO films deposited on flexible substrate // Journal of the Korean Physical Society. - 2008. - V. 53. - P. 2407.

112 Gultepe O., Atay F. Al and B co-doped ZnO samples as an alternative to ITO for transparent electronics applications // J. Mater. Sci: Mater. Electron. - 2022. - V. 33, - P. 15039.

113 Miyazaki M., Sato K., Mitsui A., Nishimura H. Properties of Ga-doped ZnO films // J. Non-Cryst. Solids. - 1997. - V. 218. - P. 323.

114 Shirakata S., Sakemi T., Awai K., Yamamoto T. Electrical and optical properties of large area Ga-doped ZnO thin films prepared by reactive plasma deposition // Superlattices and Microstructures. - 2006. - V. 39. - P. 218.

115 Song P.K., Watanabe M., Kon M., Mitsui A., Shigesato Y. Electrical and optical properties of gallium doped zinc oxide films deposited by dc magnetron sputtering // Thin Solid Films. -2002. - V. 411. - P. 82.

116 Kon M., Somg P.K., Mitsui A., Shigesato Y. Crystallinity of Gallium-Doped Zinc Oxide Films Deposited by DC Magnetron Sputtering Using Ar, Ne or Kr Gas // Jpn. J. Appl. Phys. - 2002. -V. 41. - P. 6174.

117 Assuncao V., Fortunato E., Marques A., Aguas H., Ferreira I., Costa M.E.V., Martins R. Influence of the deposition pressure on the properties of transparent and conductive ZnO:Ga thin-film produced by r.f. sputtering at room temperature // Thin Solid Films. - 2003. - V. 427. -P. 401.

118 Fortunato E., Assuncao V., Marques A., Goncalves A., Aguas H., Pereira L., Ferreira I., Fernandes F.M.B., Silva R.J.C., Martins R. ZnO:Ga Thin Films Produced by RF Sputtering at Room Temperature: Effect of the Power Density // Materials Science Forum. - 2004. - V. 455456. - P. 12.

119* Абдуев А.Х., Асваров А.Ш., Ахмедов А.К., Абдуллаев А.А., Билалов Б.А., Сафаралиев Г.К. Влияние состава керамических мишеней на структуру и проводимость слоев ZnO, легированных галлием // Вестник Дагестанского научного центра РАН. - 2010. - № 37. - С. 17.

120* Абдуев А.Х., Ахмедов А.К., Асваров А.Ш., Абдуллаев А.А., Сульянов С.Н. Влияние температуры роста на свойства прозрачных проводящих пленок ZnO, легированных галлием // ФТП. - 2010. - Т. 44. - № 1. - С. 34.

121 Li C., Furuta M., Matsuda T., Hiramatsu T., Furuta H., Hirao T., Effects of substrate on the structural, electrical and optical properties of Al-doped ZnO films prepared by radio frequency magnetron sputtering // Thin Solid Films. - 2009. - V. 517. - P. 3265.

122 Ramos R., Chaves M., Martins E., Durrant S.F., Rangel E.C., da Silva T.F., Bortoleto J.R.R. Growth Evolution of AZO thin Films Deposited by Magnetron Sputtering at Room Temperature // Materials Research. - 2021. - V. 24(suppl. 1). - P. e20210052

123 Huang C., Wang M., Cao Y., Liu Q., Huang Z., Liu Y., Guo W., Huang Q. Growth kinetics of three-dimensional ZnO islands on various substrates // Journal of Physics D: Applied Physics. 2009. - V. 42. - P. 165306.

124 Zhang Z., Bao C., Ma S., Hou S. Effect of crystallinity of ZnO buffer layer on the properties of epitaxial (ZnO:Al)/(ZnO:Ga) bi-layer films deposited on c-sapphire substrate // Appl. Surf. Sci. 2011. - V. 257. - P. 7893.

125 Lee G.-H. Effect of growth interruption on the crystalline quality and electrical properties of Ga-doped ZnO thin film deposited on quartz substrate by magnetron sputtering // Thin Solid Films. - 2013. - V. 534. - P. 282.

126 Nomoto J.-i., Oda J.-i., Miyata T., Minami T. Effect of inserting a buffer layer on the characteristics of transparent conducting impurity-doped ZnO thin films prepared by dc magnetron sputtering // Thin Solid Films. 2010. - V. 519. - No.5. - P. 1587.

127 Kusayanagi M., Uchida A., Oka N., Jia J., Nakamura S.-i., Shigesato Y. Al-doped ZnO films deposited on a slightly reduced buffer layer by reactive dc unbalanced magnetron sputtering // Thin Solid Films. - 2014. - V. 555. - P. 93.

128 Hsu Ch.-Y., Tsang Ch.-H. Effects of ZnO buffer layer on the optoelectronic performances of GZO films // Sol. Energy Mater. Sol. Cells. 2008. - V. 92. - No. 5. - P. 530.

129 Chen Y., Ma S.Y. Preparation and photoluminescence studies of high-quality AZO thin films grown on ZnO buffered Si substrate // Mater. Lett. 2016. - V. 162. - P. 75.

130 Li Q.K., Wang J.B., Li B., Zhong X.L., Wang F., Tan C.B. The influence of homo-buffer layer on structural optical and electrical properties of ZnO:Al films // Appl. Surf. Sci. - 2013. - V. 283. - P. 623.

131 Lu L., Shen H., Jiang F., Yang C., Lin L. The enhanced conductivity of AZO thin films on soda lime glass with an ultrathin AhO3 buffer layer // Physica B. 2010. - V. 405. - P. 3320.

132 Gil B.W., Lee S.E., Lee H.C. Effect of Oxide Buffer Layers on the Optical and Electrical Properties of Ga-Doped Zinc Oxide Thin Film // Advanced Materials Research. - 2011. - V. 287. - P. 1837.

133* Abduev A., Akhmedov A., Asvarov A., Omaev A. Preferred oriented ZnO films growth on non-

oriented substrates by CVD // J. Phys. Conf. Ser. - 2012. - V. 345. - No. 1. - P. 012046. 134* Абдуев А.Х., Ахмедов А.К., Асваров А.Ш., Муслимов А.Э., Каневский Б.М. Блияние условий зарождения на структуру слоев оксида цинка // Кристаллография. - 2020. - Т. 65.

- № 3. - С. 489.

135 Adachi Y., Ohashi N., Ohgaki T., Ohnishi T., Sakaguchi I., Ueda S., Yoshikava H., Kobayashi K., Williams J.R., Ogino T., Haneda H. Polarity of heavily doped ZnO films grown on sapphire and SiO2 glass substrates by pulsed laser deposition // Thin Solid Films. 2011. - V. 519. - No.18.

- P. 5875.

136 Ogino T., Williams J.R., Watanabe K., Sakaguchi I., Hishita S., Haneda H., Adachi Y., Ohgaki T., Ohashi N. Effect of crystalline polarity on microstructure and optoelectronic properties of gallium-doped zinc oxide films deposited onto glass substrates // Thin Solid Films. - 2014. - V. 552. - P. 56.

137* Abduev A., Akhmedov A., Asvarov A., Chiolerio A. A revised growth model for transparent conducting Ga doped ZnO films: improving crystallinity by means of buffer layers // Plasma Process. Polym. - 2015. - V. 12. - No. 8. -P. 725.

138 Mackus A.J.M., Verheijen M.A., Leick N., Bol A.A., Kessel W.M.M. Influence of Oxygen Exposure on the Nucleation of Platinum Atomic Layer Deposition: Consequences for Film Growth, Nanopatterning, and Nanoparticle Synthesis // Chem. Mater. - 2013. - V. 25. - P. 1905.

139 Wacogne B., Roe M.P., Pattinson T.J., Pannell C.N. Effective piezoelectric activity of zinc oxide films grown by radio-frequency planar magnetron sputtering // Appl. Phys. Lett. - 1995. - V. 67.

- P. 1674.

140 US Pat. 7943527 B2. Surface preparation for thin film growth by enhanced nucleation / N. Kumar, A. Yanguas-Gil, G.S. Girolami, J.R. Abelson., заявитель и патентообладатель The Board of Trustees of the University of Illinois, Urbana, IL (US). - № US2010/0048029 A1, заяв. May 21, 2009, опубл. May 17, - 2011. - 19 p.

141 Gardeniers J., Rittersma Z., Burger J. Preferred orientation and piezoelectricity in sputtered ZnO films // J. Appl. Phys. - 1988. - V. 83. - P. 7844.

142 Liu Y., Yang S., Wei G., Song H., Cheng C., Xue C., Yuan Y. Electrical and optical properties dependence on evolution of roughness and thickness of Ga:ZnO films on rough quartz substrates //Surf. Coat. Technol. - 2011. - V. 205. - P. 3530.

143 Kim Y.H., Jeong J., Lee K.S., Cheong B., Seong T.-Y., Kim W.M. Effect of composition and deposition temperature on the characteristics of Ga doped ZnO thin films // Applied Surface Science, - 2010. - V. 257. - No. 1. - P. 109.

144 Zhu B.L., Zhu S.J., Wang J., Wu J., Zeng D.W., Xie C.S. Thickness effect on structure and properties of ZAO thin films by RF magnetron sputtering at different substrate temperatures // Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures. - 2011. - V. 43. - No. 9. - P. 1738.

145 Yu C.-F., Chen S.-H., Sun S.-J., Chou H. Influence of the grain boundary barrier height on the electrical properties of Ga-doped ZnO thin films // Appl. Surf. Sci. - 2011. - V. 257. - P. 6498.

146 Fang L., Zhou K., Wu F., Huang Q.L., Yang X.F., Kong C.Y. Effect of Ga Doping Concentration on Electrical and Optical Properties of Nano-ZnO:Ga Transparent Conductive Films // J. Supercond. Nov. Magn. - 2010. - V. 23. - P. 885.

147 Huang Q., Wang Y., Wang S., Zhang D., Zhao Y., Zhang X. Effect of Ga Doping Concentration on Electrical and Optical Properties of Nano-ZnO:Ga Transparent Conductive Films // Thin Solid Films. - 2012. - V. 520. - P. 5960.

148 Lee Y.E., Norton D.P., Budai J.D. Enhanced photoluminescence in epitaxial ZnGa2O4:Mn thin-film phosphors using pulsed-laser deposition // Appl. Phys. Lett. - 1999. - V. 74. - P. 3155.

149* Abduev A.Kh., Akmedov A.K., Asvarov A.Sh., Abdullaev A., Sulyanov S. Investigations of synthesis mechanisms of ZnO thin films in DC magnetron sputter processes // J. Korean Phys. Soc. - 2008. - V. 53. - No. 1. - P. 59.

150 Sim K.U., Shin S.W., Moholkar A.V., Yun J.H., Moon J.H., Kim J.H. Effects of dopant (Al, Ga, and In) on the characteristics of ZnO thin films prepared by RF magnetron sputtering system // Curr. Appl. Phys. - 2010, - V. 10, - P. S463.

151 Kobayashi J., Ohashi N., Sekiwa H., Sakaguchi I., Miyamoto M., Wada Y., Adachi Y., Matsumoto K., Haneda H. Properties of gallium- and aluminum-doped bulk ZnO obtained from single-crystals grown by liquid phase epitaxy // J. Cryst. Growth. - 2009. - V. 311. - P. 4408.

152 Owen J.I., Zhang W., Kohl D., Hupkes J. Study on the in-line sputtering growth and structural properties of polycrystalline ZnO:Al on ZnO and glass // J. Cryst. Growth. - 2012. - V. 344. - P. 12.

153 Sohn J., Hong W.-K., Lee S., Lee S., Ku J., Park Y., Hong J., Hwang S., Park K., Warner J., Cha S., Kim J. Surface energy-mediated construction of anisotropic semiconductor wires with selective crystallographic polarity // Scientific Reports. - 2014. - V. 4. - P. 5680.

154 Kohl D., Natarajan G., Wuttig M. Structure control of sputtered zinc oxide films by utilizing zinc oxide seed layers tailored by ion beam assisted sputtering // J. Phys. D. - 2012. - V. 45. - P. 245302.

155 Adachi Y., Ohashi N., Sakaguchi I., Haneda H., MRS Proceedings "2012 MRS Fall Meeting -Symposium F - Oxide Semiconductors and Thin Films" - 2013. - V. 1494. - P. 133.

156* Патент на изобретение № 2531021 Российская Федерация. Способ формирования слоев на основе оксида цинка : № 2013109779/02 : заявлен 05.03.2013 : опубликован 20.10.2014 / Абдуев А.Х., Абдуев М.Х.М., Асваров А.Ш., Ахмедов А.К., Камилов И.К.

157 Ben Ayadi Z., El Mir L., Djessas K., Alaya S. The properties of aluminum-doped zinc oxide thin films prepared by rf-magnetron sputtering from nanopowder targets // Mater. Sci. Eng. C. -2008. - V. 28. No. 5-6.- P. 613.

158 Bazzani M., Neroni A., Calzolari A., Catellani A. Optoelectronic properties of Al:ZnO: Critical dosage for an optimal transparent conductive oxide // Appl. Phys. Lett. - 2011. - V. 98. - P. 121907.

159* Асваров А.Ш., Абдуев А.Х., Ахмедов А.К. Прозрачные электроды на основе ZnO: оптимизация состава, условий синтеза и исследование свойств // Краткие сообщения по физике ФИАН. - 2010. - № 1. - С. 31.

160* Asvarov A., Abduev A., Akhmedov A., Abdullaev A. Effects of a high humidity environment and air anneal treatments on the electrical resistivity of transparent conducting ZnO-based thin films // Phys. Status Solidi (c). - 2010. -V. 7. - No. 6. - P. 1553.

161* Abduev A., Asvarov A., Akhmedov A. and Belyaev V. 48.2: Formation of potential barriers at grain boundaries in multicomponent ZnO-based transparent thin films // SID Symposium Digest of Technical Papers. - 2022. - V. 53. - P. 482.

162* Asvarov A.S., Abduev A.K., Akhmedov A.K., Kanevsky V.M. On the effect of the co-introduction of Al and Ga impurities on the electrical performance of transparent conductive ZnO-based thin films // Materials. - 2022. - V. 15. - No. 17. - P. 5862.

163 Khuili M., Fazouan N., El Makarim H.A., El Halani G., Atmani E.H. Comparative first principles study of ZnO doped with group III elements // J. Alloys Compd. - 2016. - V. 688. - P. 368.

164 Noh J.-Y., Kim H., Kim Y.-S., Park C.H. Electron doping limit in Al-doped ZnO by donor-acceptor interactions // J. Appl. Phys. - 2013. - V. 113. - P. 153703.

165 Lee M.-H., Peng Y.-C., Wu H.-C. Effects of intrinsic defects on electronic structure and optical properties of Ga-doped ZnO // J. Alloys Compd. - 2014. - V. 616. - P. 122.

166 Sabioni A.C.S. About the oxygen diffusion mechanism in ZnO // Solid State Ion. - 2004. - V. 170. - P. 145.

167 Gabas M., Torelli P., Barrett N.T., Sacchi M., Barrado J.R.R. Electronic structure of Al- and Ga-doped ZnO films studied by hard X-ray photoelectron spectroscopy // APL Mater. - 2014. - V. 2. - P. 012112.

168 Horwat D., Mickan M., Chamorro W. New strategies for the synthesis of ZnO and Al-doped ZnO films by reactive magnetron sputtering at room temperature // Phys. Status Solidi C. - 2016. - V. 13. - P. 951.

169 Zhang Y., Zhao W., Wu Q., Lin X., Zhu Z., Li R., Liu Y., Huang K., Liu X. The impact of oxygen on Ga doped ZnO film // RSC Adv. - 2023. - V. 13. - P. 9503.

170 Lee M.H., Peng Y.C., Wu H.C. Effects of intrinsic defects on electronic structure and optical properties of Ga-doped ZnO // J. Alloys Compd. - 2014. - V. 616. - P. 122.

171 P. Liley, R. Reid, and E. Buck, in CRC Handbook of Chemistry and Physics, edited by R. Weast and M. Astle (CRC Press, Florida, 1982), p. 147.

172 Новодворским О.А., Горбатенко Л.С., Панченко Б.Я., Храмова О.Д., Черебыло Е.А., Бенцель К., Барта Й.Б., Бублик Б.Т., Щербачев К.Д. Оптические и структурные характеристики пленок оксида цинка, легированных галлием // ФТП. - 2009. - Т. 43. -№ 4. - С. 439.

173 Bright C. Alternative Transparent Conductive Oxides (TCO) to ITO // 51st Annual Technical Conference Proceedings, Chicago, IL, April 19-24, 2008. - P. 840.

174 Shin S.W., Pawar S.M., Kim T.W., Moon J.H., Kim J.H. Effect of film thickness on the structural and electrical properties of Ga-dopped ZnO thin films prepared on glass and Al2O3 (0001) substrates by RF magnetron sputtering method // J. Mater. Res. - 2009. - V. 24. - N. 2. -P. 441.

175 Petrov I., Barna P. B., Hultman L., Greene J. E. Microstructural evolution during film growth // J. Vac. Sci. Technol. A. 2003. - V. 21. - P. 117.

176* Abduev A., Akhmedov A., Asvarov A. The formation of nanoparticles, ceramics, and thin films of ZnO in the environment of zinc vapor // J. Phys.: Conf. Ser. - 2011. - V. 291. - P. 012039.

177* Abduev A.K., Asvarov A.Sh., Akhmedov A.K., Kamilov I.K., Sulyanov S.N. Growth Mechanism of ZnO Layers // Zinc Oxide -A Material for Micro-and Optoelectronic Applications / Ed. by N.H. Nickel, E. Terukov. - Springer Netherlands, 2005. - P. 15-24.

178 Ковтуненко, П. Б. Физическая химия твердого тела. Кристаллы с дефектами. - П. Б. Ковтуненко. - Москва: Бысшая школа, 1993. — 352 с.

179* Патент на изобретение № 2307713 Российская Федерация. Способ нанесения оксидных пленок : № 2004121656/12 : заявлен 14.07.2004 : опубликован 10.10.2007 / Абдуев А.Х., Асваров А.Ш., Ахмедов А.К., Камилов И.К. ; заявитель ОАО "Полема".

180* Абдуев А.Х., Асваров А.Ш., Ахмедов А.К., Эмиров Р.М., Беляев В.В. УФ-ассистирование процесса роста прозрачных проводящих слоев на основе оксида цинка // Письма в ЖТФ. -2017. - Т. 43. - № 22. - С. 40.

181* Абдуев А.Х., Ахмедов А.К., Асваров А.Ш. Роль поверхностных нестехиометричных фаз на синтез слоев на основе ZnO // Инженерная физика. - 2017. - № 8. - С. 94.

182* Асваров А.Ш., Ахмедов А.К., Абдуев А.Х., Муслимов А.Э., Киолерио А. Трансформация структурного состояния металлокерамической смеси ZnO-Zn в ходе механического активационного воздействия // Кристаллография. - 2017. - Т. 62. - № 1. - С. 143.

183* Асваров А.Ш., Ахмедов А.К., Мурлиев Э.К., Каневский В.М. Искровое плазменное спекание композитной металлокерамической системы ZnO-Zn // Прикладная физика. -2022. - № 3. - С. 73.

184* Абдуев А.Х., Ахмедов А.К., Асваров А.Ш., Муслимов А.Э., Каневский В.М. Прозрачные проводящие слои на основе ZnO, полученные магнетронным распылением композитной металлокерамической мишени ZnO:Ga-Zn: Часть 1 // Поверхность. - 2021. - № 1. - С. 87.

185* Абдуев А.Х., Ахмедов А.К., Асваров А.Ш., Муслимов А.Э., Каневский В.М. Прозрачные проводящие слои на основе ZnO, полученные магнетронным распылением композитной металлокерамической мишени ZnO:Ga-Zn: Часть 2 // Поверхность. - 2021. - № 2. - С. 27.

186* Абдуев А.Х., Асваров А.Ш., Ахмедов А.К., Беляев В.В., Скворцов А.Ю., Пленцова Д.С. Методы совершенствования характеристик прозрачных электродов на основе оксида цинка // Вестник МГОУ. Серия: Физика-математика. - 2019. - № 1. - С. 74.

187* Ахмедов А.К., Асваров А.Ш., Муслимов А.Э., Каневский В.М. Получение прозрачных проводящих пленок на основе оксида цинка с улучшенными функциональными свойствами // Российские нанотехнологии. - 2023. - Т. 18. - № 6. - С. 754.

188* Абдуев А.Х., Ахмедов А.К., Асваров А.Ш., Рабаданов К.Ш., Эмиров Р.М. Образование композита ZnO-C с нанокристаллической структурой // ЖТФ. - 2019. - Т. 89. - № 5. - С. 717.

189* Абдуев А.Х., Ахмедов А.К., Асваров А.Ш., Рабаданов К.Ш., Муслимов А.Э., Каневский В.М. Трансформация структуры порошков ZnO-C в процессах механической активации и искрового плазменного спекания // Кристаллография. - 2018. - Т. 63. - № 4. - С. 642.

190* Абдуев А.Х., Ахмедов А.К., Асваров А.Ш. Прозрачные проводящие тонкие пленки на основе ZnO, полученные магнетронным распылением композитной мишения ZnO:Ga-C // Письма в ЖТФ. - 2014. - Т. 40. - № 14. - С. 71.

191* Патент на изобретение № 2491252 Российская Федерация. Способ изготовления мишени на основе оксида цинка : № 2011146090/03 : заявлен 14.11.2011 : опубликован 27.08.2013 / Абдуев А.Х., Абдуев М.Х.М., Асваров А.Ш., Ахмедов А.К., Камилов И.К.

192* Патент на изобретение № 2382014 Российская Федерация. Способ синтеза керамики на основе оксида цинка : № 2008131000/03 : заявлен 29.07.2008 : опубликован 20.02.2010 / Абдуев А.Х., Асваров А.Ш., Ахмедов А.К., Камилов И.К.

193* Патент на изобретение № 2568554 Российская Федерация. Мишень для ионно-плазменного распыления : № 2013135515/02 : заявлен 30.07.2013 : опубликован 20.11.2015 / Абдуев А.Х., Абдуев М.Х.М., Асваров А.Ш., Ахмедов А.К., Камилов И.К.

194 Кузьмичев А. И. Магнетронные распылительные системы. — Киев: Аверс, 2008.

195 Диденко А.Н., Лигачев А.Е., Куракин И.Б. Воздействие пучков заряженных частиц на поверхность металлов и сплавов. М.: Энергоиздат, 1987.

196 Kharanzhevskiy E.V., Pisareva T.A. Dispersity of materials obtained by mechanical activation and laser sintering of Al-C systems and used for production of electrochemical capacitors // Colloid Journal. - 2012. - V. 74. - P. 373.

197 Kosova N.V., Devyatkina E.T. Synthesis of nanosized materials for lithium-ion batteries by mechanical activation. Studies of their structure and properties // Russian Journal of Electrochemistry. - 2012. - V. 48. - P. 320.

198 Mote V.D., Purushotham Y., Dole B.N. Williamson-Hall analysis in estimation of lattice strain in nanometer-sized ZnO particles // Journal of Theoretical and Applied Physics. - 2012. - V. 6. - P. 6.

199 Dhara S., Giri P.K. Size Dependent Anisotropic Strain and Optical Properties of Strained Si Nanocrystals// J. Nanosci. Nanotechnol. - 2011. - V.11. - P. 9215.

200 Streletskii A.N. , Kolbanev I V. , Leonov A.V. , Dolgoborodov A.Yu. , Vorob'eva G.A. , Sivak M.V. , Permenov D.G. Defective structure and reactivity of mechanoactivated magnesium/fluoroplastic energy-generating composites // Colloid Journal. - 2015. - V. 77. - P. 213.

201 Fiori G., Bonaccorso F., Iannaccone G., Palacios T., Neumaier D., Seabaugh A., Banerjee S.J., Colombo L. Electronics based on two-dimensional materials // Nature Nanotechnol. - 2014. - V. 9. - P. 768.

202 Lomayeva S.F. Structural and phase transformations, thermal stability, and magnetic and corrosive properties of nanocrystalline iron-based alloys obtained by mechanoactivation in organic media // Phys. Met. Metallogr. - 2007. - V. 104. - P. 388.

203 Uzunova-Bujnova M., Dimitrov D., Radev D., Bojinova A., Todorovsky D. Effect of the mechanoactivation on the structure, sorption and photocatalytic properties of titanium dioxide // Mater. Chem. Phys. - 2008. - V. 110. - P. 291.

204 Zhang Zh., Chen Y., Tade M. O., Hao Y., Liu Sh., Shao Z. Tin-doped perovskite mixed conducting membrane for efficient air separation // J. Mater. Chem. A. - 2014. - V. 2. - P. 9666.

205 Lin S. T., Thirumavalavan M., Jiang T. Y, Lee J. F. Synthesis of ZnO/Zn nano photocatalyst using modified polysaccharides for photodegradation of dyes // Carbohydr. Polym. - 2014. - V. 105. - P. 1.

206 Zhang Y., Wang Y., Deng Y., Li M., Bai J. Enhanced Dielectric Properties of Ferroelectric Polymer Composites Induced by Metal-Semiconductor Zn-ZnO Core-Shell Structure // ACS Appl. Mater. Interfaces. - 2012. - V. 4. - P. 65.

207 Gusev A.I., Kurlov A.S. Production of nanocrystalline powders by high-energy ball milling: model and experiment // Nanotechnology. - 2008. - V. 19. - P. 265302.

208 Gancheva M.N., Iordanova R.S., Dimitriev Y.B., Avdeev G.V., Iliev T.Ch. Effects of mechanical activation on structure and photocatalytic properties of ZnO powders // Cent. Eur. J. Chem. - 2013. - V. 11. - P. 1780.

209 Salah N., Habib S.S., Khan Z.H., Memic A., Azam A., Alarfaj E., Zahed N., Al-Hamedi S. High-energy ball milling technique for ZnO nanoparticles as antibacterial material // Int. J. Nanomedicine. - 2011. - V. 6. - P. 863.

210 Guo M., Dong Q., Xie H., Wang C., Zhao Y., Wang X., Zhong W., Li Zh., Wang R., Wang Y., Hao L., He S., Chen G., Xiong W., Zhao J.-C., Hu L. Ultrafast high-temperature sintering to avoid metal loss toward high-performance and scalable cermets // Matter. - 2022. - V. 5. - No. 2. - P. 594.

211 Wang R.-H., Wang X.-Q., Song J.-G., Xu M.-H., Li Y.-Q., Liu J.-Q., Xia T.-T., Wu Ch., Yan H.-X. Effect of Sintering Temperature on Properties of Al2O3/Al Cermets // Materials Science and Engineering. - 2017. - August. - P. 494.

212 Кузин Б.Б., Григорьев С.Н., Фёдоров С.Ю., Болосова М.А., Солис Пинарготе Н.Б. Искровое плазменное спекание заготовок Al2Oз-керамики для мелкоразмерных концевых фрез // Новые огнеупоры. - 2018. - № 11. - С. 65.

213 Zhang W., Tian Y., Liu D.-Ch., Wang F., Yang B.,. Xu B.-Q Experimental study on the thermal volatilization and condensation of zinc at 10 Pa and 200 Pa // J. Mater. Research Technol. -2020. - Vol. 9. - No. 3. - P. 3590.

214 Брус В.В., Ковалюк З.Д., Марьянчук П.Д. Оптические свойства тонких пленок TiO2-MnO2, изготовленных по методу электронно-лучевого испарения // ЖТФ. - 2012. - Т. 82. - № 8. - С. 110.

215 Rao T.P., Kumar M.C.S. Physical properties of Ga-doped ZnO thin films by spray pyrolysis // J. Alloys Compd. - 2010. - V. 506. - P. 788.

216 Afre R.A., Sharma N., Sharon M., Sharon M. Transparent Conducting Oxide Films for Various Applications: A Review // Rev. Adv. Mater. Sci. - 2018. - V. 53. - P. 79.

217 Thornton J.A. High Rate Thick Film Growth // Ann. Rev. Mater. Sci. - 1977. - V. 7. - P. 239.

218 Langford J.I., Wilson A.J.C. Scherrer after sixty years: A survey and some new results in the determination of crystallite size // J. Appl. Cryst. - 1978. - V. 11. - P. 102.

219 Meng L.-J., Gao J., Silva R.A., Song Sh. Effect of the oxygen flow on the properties of ITO thin films deposited by ion beam assisted deposition // Thin Solid Films. - 2008. - V. 516. - P. 5454.

220 Казенас, Е.К., Цветков, Ю.В. Испарение оксидов. - М.: Наука, 1997. - 543с.

221 Международный стандарт ISO 9277:2010. Determination of the specific surface area of solids by gas adsorption - BET method. (а также ГОСТ 23401-90. Порошки металлические. Катализаторы и носители. Определение удельной поверхности. - М.: Изд-во стандартов, 1991. - 11 с.)

222 Барнаков Ч.Н., Хохлова Г.П., Малышева В.Ю., Попова А.Н., Исмагилов З.Р. Рентгенофазовый анализ кристаллической структуры графитов разной природы // Химия твердого топлива. - 2015. - № 1. - С. 28-32.

223 Reich S., Thomsen C. Raman spectroscopy of graphite // Phil. Trans. R. Soc. Lond. A. - 2004. -V. 362. - P. 2271.

224 Cancado L.G., Pimenta M.A., Neves B.R.A., Dantas M.S.S., Jorio A. Influence of the Atomic Structure on the Raman Spectra of Graphite Edges // Phys. Rew. Lett. - 2004. - V. 93. - P. 247401.

225 Грег, С., Синг, К. Адсорбция, удельная поверхность, пористость. 2-е изд. - М.: Мир, 1984. - 306с.

226 Kakazey M.G., Melnikova V.A., Sreckovic T., Tomila T.V., Ristic MM. Evolution of the microstructure of disperse Zinc-oxide during tribophysical activation // J. Mater. Sci. - 1999. -V. 34. - P. 1691.

227 Dib K., Trari M., Bessekhouad, Y. (S,C) co-doped ZnO properties and enhanced photocatalytic activity // Appl. Surf. Sci. - 2020. - V. 505. - P. 144541.

228 Shinde K.P., Pawar R.C., Sinha B.B., Kim H.S., Oh S.S., Chung K.C. Study of effect of planetary ball milling on ZnO nanopowder synthesized by co-precipitation // J. Alloys Compounds. - 2014. - V. 617. - P. 404.

229 Torchynska T., Millan B.P., Polupan G., Kakazey M. Surface modification in mixture of ZnO + 3%C nanocrystals stimulated by mechanical processing // AIMS Mater. Sci. - 2016. - V. 3. -No. 1. - P. 204.

230 Sreckovic T., Bernik S., Cen M., Vojisavljevic K. Microstructural characterization of mechanicallyactivated ZnO powders // J. Microscopy. - 2008. - V. 232. - P. 639.

231 Кайдашев В.Е., Лянгузов Н.В., Юзюк Ю.И., Кайдашев Е.М. Усиление комбинационного рассеяния локализованными плазмонами в наночастицах серебра на поверхности наностержней оксида цинка // ЖТФ. - 2012. - Т. 82. - № 10. - С. 85- 89

232 Giri P.K., Bhattacharyya S., Singh D.K., Kesavamoorthy R., Panigrahi B.K., Nair K.G.M. Correlation between microstructure and optical properties of ZnO nanoparticles synthesized by ball milling // J. Appl. Phys. - 2007. - V. 102. - P. 093515.

233 Scepanovic M., Sreckovic T., Vojisavljevic K., Ristic M.M. Modification of the structural and optical properties of commercial ZnO powder by mechanical activation // Sci. Sinter. - 2006. -V. 38. - P. 169.

234 Ferrari A.C. Raman spectroscopy of graphene and graphite: Disorder, electron-phonon coupling, doping and nonadiabatic effects // Solid State Communications. - 2007. - V. 143. - P. 47.

235 Tuinstra F., Koenig J.L. Raman Spectrum of Graphite // J. Chem. Phys. - 1970. - V. 53. - P. 1126.

236 Shen TD., Ge W.Q., Wang K.Y., Quan M.X., Wang J.T., Wei W.D., Koch C.C. Structural disorder and phase transformation in graphite produced by ball milling // Nanostructured Materials. - 1996. - V. 7. - P. 393.

237 Сорокин П.Б., Чернозатонский Л.А. Полупроводниковые наноструктуры на основе графена // УФН. - 2013. - Т. 183. - С. 113.

238 He T., Li J., Wang L., Zhu J., Jiang W. Preparation and Consolidation of Alumina/Graphene Composite Powders// Mater. Transactions. - 2009. - V. 50. - No. 4. - P. 749.

239 Gao Zh.-M., Jin H.-Zh., Li X.-Sh., Hua Zh. Phase Transformation Mechanism of Graphite-Turbostratic Graphite in the Course of Mechanical Grinding // Chem. Res. Chinese U. - 2003. - V. 19. - No. 2. - P. 216.

240 Shiau F.-Sh., Fang T.-T., Leu T.-H. Effects of milling and particle size distribution on the sintering behavior and the evolution of the microstructure in sintering powder compacts // Mater. Chem. Phys. - 1998. - V. 57. - P. 33.

241 Ma Q.-B., Ye Zh.-Zh., He H.-P., Zhu L.-P., Huang J.-Y., Zhang Y.-Zh., Zhao B.-H. Influence of annealing temperature on the properties of transparent conductive and near-infrared reflective ZnO:Ga films // Scripta Materialia. - 2008. - V. 58. - P. 21.

242 Swanapoel R. Determination of the thickness and optical constants of amorphous silicon // J. Phys. E: Sci. Instrum. - 1983. - V. 16. - P. 1214.

243 Horwat D., Jullien M., Capon F., Pierson J.-F., Andersson J., Endrino J.L. On the deactivation of the dopant and electronic structure in reactively sputtered transparent Al-doped ZnO thin films // J. Phys. D: Appl. Phys. - 2010. - V. 43. - P. 132003.

244 Addonizio M.L., Fusco L., Antonaia A., Cominale F., Usatii I., Optimization of surface morphology and scattering properties of TCO/AIT textured glass front electrode for thin film solar cells // Appl. Surf. Sci. - 2015. - V. 357. - P. 651.

245 Lee Y.-Ch., Juang J.-Y. Single-step process for transparent conductive ZnO:Ga films with uniform ultrahigh haze by oblique angle deposition // J. Eur. Ceram. Soc. - 2022. - V. 42. - No. 7. - P. 3234.

246 Sakharov Yu.V. Structure and properties of nanoporous oxide dielectrics modified by carbon // Materials Physics and Mechanics. - 2020. - V. 44. - P. 110.

247 Zhang C., Ji C., Park Y.-B., Guo L.J. Thin-Metal-Film-Based Transparent Conductors: Material Preparation, Optical Design, and Device Applications // Adv. Optical Mater. - 2020. - V. 9. - P. 2001298.

248 Morales-Masis M., De Wolf S., Woods-Robinson R., Ager J.W., Ballif C. Transparent Electrodes for Efficient Optoelectronics // Adv. Electron. Mater. - 2017. - V. 3. - P. 1600529.

249 Meyer J., Hamwi S., Kröger M., Kowalsky W., Riedl T., Kahn A. Transition Metal Oxides for Organic Electronics: Energetics, Device Physics and Applications // Adv. Mater. - 2012. - V. 24. - 5408.

250 Liao L.S., Hung L.S., Chan W.C., Ding X.M., Sham T.K., Bello I., Lee C.S., Lee S T. Ion-beam-induced surface damages on tris-(8-hydroxyquinoline) aluminum // Appl. Phys. Lett. - 1999. -V. 75 - P. 1619.

251 Xu Y., Wang J., Sun L., Huang H., Han J., Huang H., Zhai L., Zou C. Top transparent electrodes for fabricating semitransparent organic and perovskite solar cells // J. Mater. Chem. C. - 2021. -V. 9. - P. 9102.

252 Park H., Kim Y., Oh D., Pham D.P., Song J., Yi J. Current Status of Low-temperature TCO Electrode for Solar-cell Application: A Short Review // New Renew. Energy. - 2021. - V. 17. - P. 1.

253 Hong J.S., Kim S.M., Park S.J., Choi H.W., Kim K.H. Preparation of In2O3-ZnO (IZO) Thin Film on Glass Substrate for Organic Light Emitting Device (OLED) // Mol. Cryst. Liq. Cryst. -2010. -V. 520. - P. 19.

254 Goncalves G., Grasso V., Barquinha P., Pereira L., Elamurugu E., Brignone M., Martins R., Lambertini V., Fortunato E. Role of Room Temperature Sputtered High Conductive and High Transparent Indium Zinc Oxide Film Contacts on the Performance of Orange, Green, and Blue Organic Light Emitting Diodes // Plasma Process. Polym. - 2011. - V. 8. - P. 340.

255 Cairns D.R., Witte R.P., Sparacin D.K., Sachsman S.M, Paine D.C., Crawford G.P., Newton R.R. Strain-dependent electrical resistance of tin-doped indium oxide on polymer substrates // Appl. Phys. Lett. - 2000. - V. 76. - P. 1425.

256 Nasr Saleh M., Lubineau G. Understanding the mechanisms that change the conductivity of damaged ITO-coated polymeric films: A micro-mechanical investigation // Sol. Energy Mater. Sol. Cells. - 2014. - V. 130. - P. 199.

257 Park J.W., Kim G., Lee S.H., Kim E.H., Lee G.H., The effect of film microstructures on cracking of transparent conductive oxide (TCO) coatings on polymer substrates // Surf. Coat. Technol. - 2010. - V. 205. - P. 915.

258 Kim E.H., Yang C.W., Park J.W. The crystallinity and mechanical properties of indium tin oxide coatings on polymer substrates // J. Appl. Phys. - 2011. - V. 109. - P. 043511.

259 Kim JH., Seok HJ., Seo HJ., Seong T.Y., Heo JH., Lim S.H., Ahn K.J., Kim H.K. Flexible ITO films with atomically flat surfaces for high performance flexible perovskite solar cells // Nanoscale. - 2018. - V. 10. - P. 20587.

260* Akhmedov A., Abduev A., Murliev E., Asvarov A., Muslimov A., Kanevsky V. The ZnO-In2O3 Oxide System as a Material for Low-Temperature Deposition of Transparent Electrodes // Materials. - 2021. - V. 14. - P. 6859.

261 Vosgueritchian M., Lipomi D. J., Bao Z. Highly Conductive and Transparent PEDOT:PSS Films with a Fluorosurfactant for Stretchable and Flexible Transparent Electrodes // Adv. Funct. Mater.

- 2012. - V. 22. - P. 421.

262 Wang Y., Zhu C., Pfattner R., Yan H., Jin L., Chen S., Molina-Lopez F., Lissel F., Liu J., Rabiah N.I., Chen Z., Chung J.W., Linder C., Toney M.F., Murmann B., Bao Z. A highly stretchable, transparent, and conductive polymer // Sci. Adv. - 2017. - V. 3. - P. e1602076.

263 Gupta D., Wienk M.M., Janssen R.A.J. Efficient Polymer Solar Cells on Opaque Substrates with a Laminated PEDOT:PSS Top Electrode // Adv. Energy Mater. - 2013. - V. 3. - P. 782.

264 Xu Y., Liu J., Graphene as Transparent Electrodes: Fabrication and New Emerging Applications // Small. - 2016. - V. 12. - P. 1400.

265 Hecht D.S., Hu L., Irvin G. Emerging Transparent Electrodes Based on Thin Films of Carbon Nanotubes, Graphene, and Metallic Nanostructures // Adv. Mater. - 2011. - V. 23. - P. 1482.

266 Jiang S., Hou P.X., Chen M.L., Wang B.W., Sun D.M., Tang D.M., Jin Q., Guo Q.X., Zhang D.D., Du J.H., Tai K.P., Tan J., Kauppinen E.I., Liu C., Cheng H.M. Ultrahigh-performance transparent conductive films of carbon-welded isolated single-wall carbon nanotubes // Sci. Adv.

- 2018. - V. 4. - P. eaap9264.

267 Park J H., Lee D.Y., Kim Y.-H., Kim J.K., Lee J H., Park J H., Lee T.W., Cho J.H. Flexible and Transparent Metallic Grid Electrodes Prepared by Evaporative Assembly // ACS Appl. Mater. Interfaces. - 2014. - V. 6. - P. 12380.

268 Zhang C., Khan A., Cai J., Liang C., Liu Y., Deng J., Huang S., Li G., Li W.D., Stretchable Transparent Electrodes with Solution-Processed Regular Metal Mesh for an Electroluminescent Light-Emitting Film // ACS Appl. Mater. Interfaces. - 2018. - V. 10. - P. 21009.

269 Lu H., Ren X., Ouyang D., Choy W.C.H. Emerging Novel Metal Electrodes for Photovoltaic Applications // Small. - 2018. - V. 14. - P. 1703140.

270 Lee J.Y., Connor S.T., Cui Y., Peumans P. Solution-Processed Metal Nanowire Mesh Transparent Electrodes // Nano Lett. - 2008. - V. 8. - P. 689.

271 Zhang C., Cai J., Liang C., Khan A., Li W.D. Flexible Electronics: Scalable Fabrication of Metallic Nanofiber Network via Templated Electrodeposition for Flexible Electronics // Adv. Funct. Mater. - 2019. - V. 29. - P. 1903123.

272 Gao J., Xian Z., Zhou G., Liu J.M., Kempa K. Nature-Inspired Metallic Networks for Transparent Electrodes // Adv. Funct. Mater. - 2018. - V. 28. - P. 1705023.

273 Bi Y.G., Liu Y.F., Zhang X.L., Yin D., Wang W.Q., Feng J., Sun H.B. Ultrathin Metal Films as the Transparent Electrode in ITO-Free Organic Optoelectronic Devices // Adv. Opt. Mater. -2019. - V. 7. - P. 1800778.

274 Lemasters R., Zhang C., Manjare M., Zhu W., Song J., Urazhdin S., Lezec H.J., Agrawal A., Harutyunyan H. Ultrathin Wetting Layer-Free Plasmonic Gold Films // ACS Photonics. - 2019.

- V. 6. - P. 2600.

275 Yun J. Ultrathin Metal films for Transparent Electrodes of Flexible Optoelectronic Devices // Adv. Funct. Mater. - 2017. - V. 27. - P. 1606641.

276 Wang Y., Tong S.W., Xu X.F., Ozyilmaz B., Loh K.P. Interface Engineering of Layer-by-Layer Stacked Graphene Anodes for High-Performance Organic Solar Cells // Adv. Mater. - 2011. -V. 23. - P. 1514.

277 Wassei J.K., Kaner R.B., Graphene, a promising transparent conductor // Mater. Today. - 2010.

- V. 13. - No. 3. - P. 52.

278 Kosuga S., Suga R., Hashimoto O., Koh S. Graphene-based optically transparent dipole antenna // Appl. Phys. Lett. - 2017. - V. 110. - P. 233102.

279 Kang M.G., Xu T., Park H.J., Luo X., Guo L.J. Efficiency Enhancement of Organic Solar Cells Using Transparent Plasmonic Ag Nanowire Electrodes // Adv. Mater. - 2010. - V. 22. - P. 4378.

280 Wu H., Kong D., Ruan Z., Hsu P.-C., Wang S., Yu Z., Carney T.J., Hu L., Fan S., Cui Y. A transparent electrode based on a metal nanotrough network // Nat. Nanotechnol. - 2013. - V. 8. - P. 421.

281 Morgenstern F.S.F., Kabra D., Massip S., Brenner T.J.K., Lyons P.E., Coleman J.N., Friend R.H. Ag-nanowire films coated with ZnO nanoparticles as a transparent electrode for solar cells // Appl. Phys. Lett. - 2011. - V. 99. - P. 183307.

282 Ando E., Miyazaki M. Moisture degradation mechanism of silver-based low-emissivity coatings // Thin Solid Films. - 1999. - V. 351. - P. 308.

283 Ando E., Suzuki S., Aomine N., Miyazaki M., Tada M. Sputtered silver-based low-emissivity coatings with high moisture durability // Vacuum. - 2000. - V. 59. - P. 792.

284 Mohelnikova J. Materials for reflective coatings of window glass applications // Constr. Build. Mater. - 2009. - V. 23. - P. 1993.

285 Selvakumar N. , Barshilia H.C. Review of physical vapor deposited (PVD) spectrally selective coatings for mid- and high-temperature solar thermal applications // Sol. Energy Mater. Sol. Cells. - 2012. - V. 98. - P. 1.

286 Zhang C., Huang Q., Cui Q., Ji C., Zhang Z., Chen X., George T., Zhao S., Guo L.J. HighPerformance Large-Scale Flexible Optoelectronics Using Ultrathin Silver Films with Tunable Properties // ACS Appl. Mater. Interfaces. - 2019. - V. 11. - P. 27216.

287 Zhang C., Zhao D., Gu D., Kim H., Ling T., Wu Y.K.R., Guo L.J. An Ultrathin, Smooth, and Low-Loss Al-Doped Ag Film and Its Application as a Transparent Electrode in Organic Photovoltaics // Adv. Mater. - 2014. - V. 26. - P. 5696.

288 Hosono H., Kikuchi N., Ueda N., Kawazoe H., Shimidzu K. Amorphous transparent electroconductor 2CdOGeO2: conversion of amorphous insulating cadmium germinate by ion implantation // Appl. Phys. Lett. - 1995. - V. 67. - P. 2663.

289 Narushima S., Orita M., Hirano M., Hosono H. Electronic structure and transport properties in the transparent amorphous oxide semiconductor 2CdOGeO2 // Phys. Rev. B. - 2002. - V. 66. -P.035203.

290 Hosono H. Ionic amorphous oxide semiconductors: material design, carrier transport, and device application // J. Non-Cryst. Solids. - 2006. - V. 352. - P. 851.

291 Nomura K., Ohta H., Takagi A., Kamiya T., Hirano M., Hosono H. Room-temperature fabrication of transparent flexible thin-film transistors using amorphous oxide semiconductors // Nature. - 2004. - V. 432. - P. 488.

292 Ellmer K. Past achievements and future challenges in the development of optically transparent electrodes // Nature Photonics. - 2012. - V. 6. - P. 809.

293 Dingle R., Stormer H.L., Gossard A.C., Wiegmann W. Electron mobilities in modulation- doped semiconductor heterojunction superlattices // Appl. Phys. Lett. - 1978. - V. 3. - P. 665.

294 Rauf I.A. Low resistivity and high mobility tin-doped indium oxide films // Mater. Lett. - 1993. - V. 18. - P. 123.

295 Cohen D.J., Barnett S.A. Predicted electrical properties of modulation-doped ZnO-based transparent conducting oxides // J. Appl. Phys. - 2005. - V. 98. - P. 053705.

296* Akhmedov A.K., Abduev A.K., Murliev E.K., Belyaev V.V., Asvarov A.S. Transparent Conducting Amorphous IZO Thin Films: An Approach to Improve the Transparent Electrode Quality // Materials. - 2023. - V. 16. - P. 3740.

297 Sondheimer E.H. The mean free path of electrons in metals // Adv. Phys. - 1952. - V. 1. - P. 1.

298 Mayadas A.F., Shatzkes M. Electrical-Resistivity Model for Polycrystalline Films: the Case of Arbitrary Reflection at External Surfaces // Phys. Rev. B. - 1970. - V. 1. - P. 1382.

299* Akhmedov A., Abduev A., Kanevsky V., Muslimov A., Asvarov A. Low-Temperature Fabrication of High-Performance and Stable GZO/Ag/GZO Multilayer Structures for Transparent Electrode Applications // Coatings. - 2020. - V. 10. - N 3. - P. 269.

300 Stefaniuk T., Wrobel P., Gorecka E., Szoplik T. Optimum deposition conditions of ultrasmooth silver nanolayers // Nanoscale Res. Lett. - 2014. - V. 9. - P. 153.

301 Alvarez R., Gonzalez J.C., Espinos J.P., Gonzalez-Elipe A.R., Cueva A., Villuendas F. Growth of silver on ZnO and SnO2 thin films intended for low emissivity applications // Appl. Surf. Sci. - 2013. - V. 268. - P. 507.

302 Arbab M. The base layer effect on the d.c. conductivity and structure of dc magnetron sputtered thin films of silver // Thin Solid Films. - 2001. - V. 381. - P. 15.

303 Yamada T., Nebiki T., Kishimoto S., Makino H., Awai K., Narusawa T., Yamamoto T. Dependences of structural and electrical properties on thickness of polycrystalline Ga-doped ZnO thin films prepared by reactive plasma deposition // Superlattices Microstruct. - 2007. - V. 42. - P. 68.

304 Yuan Z.S., Wu C.C., Tzou W.C., Yang C.F., Chen Y.H. Investigation of high transparent and conductivity of IGZO/Ag/IGZO sandwich structures deposited by sputtering method // Vacuum. - 2019. - V. 165. - P. 305.

305 Yang H., Shin S., Park J., Ham G., Oh J., Jeon H. Effect of Au interlayer thickness on the structural, electrical, and optical properties of GZO/Au/GZO multilayers // Curr. Appl. Phys. -2014. - V. 14. - P. 1331.

306 Sahu D.R., Huang J.-L. High quality transparent conductive ZnO/Ag/ZO multilayer films deposited at room temperature // Thin Solid Films. - 2006. - V. 515. - P. 876.

307 Yu S., Li L., Lyu X., Zhang W. Preparation and investigation of nano-thick FTO/Ag/FTO multilayer transparent electrodes with high figure of merit // Sci. Rep. - 2016. - V. 6. - P. 20399.

308 Zhao Z., Alford T.L. The optimal TiO2/Ag/TiO2 electrode for organic solar cell application with high device-specific Haacke figure of merit // Sol. Energy Mater. Sol. Cells. - 2016. - V. 157. - P. 599.

309* Асваров А.Ш., Ахмедов А.К., Муслимов А.Э., Каневский Б.М. Стабильность функциональных характеристик прозрачных электродов на основе трехслойной структуры ZnO: Ga/Ag/ZnO: Ga // Письма в ЖТФ. - 2022. - Т. 48. - № 2. - С. 51.

310 Liu C.-H., Yu X. Silver nanowire-based transparent, flexible, and conductive thin film // Nanoscale Res. Lett. - 2011. - V. 6. - No. 1. - P. 75.

311 Liu L., Ma S., Wu H., Zhu B., Yang H., Tang J., Zhao X. Effect of the annealing process on electrical and optical properties of SnO2/Ag/SnO2 nanometric multilayer film // Mater. Lett. -2015. - V. 149. - P. 43.

312 Sannicolo T., Lagrange M., Cabos A., Celle C., Simonato J., Bellet D. Metallic Nanowire-Based Transparent Electrodes for Next Generation Flexible Devices: A Review // Small. - 2016. - V. 12. - P. 6052.

313 Bush K.A., Bailie C.D., Chen Y., Bowring A.R., Wang W., Ma W., Leijtens T., Moghadam F., McGehee M.D. Thermal and Environmental Stability of Semi-Transparent Perovskite Solar Cells for Tandems Enabled by a Solution-Processed Nanoparticle Buffer Layer and Sputtered ITO Electrode // Adv. Mater. - 2016. - V. 28. - P. 3937.

314 Akazawa H. Characterization of transparent conductive ZnO and Ga-doped ZnO films on polyethylene naphthalate sheets aged for six years in ambient atmospheric // J. Vac. Sci. Technol. A. - 2017. - V. 35. - P. 041515.

315* Abduev A., Akhmedov A., Asvarov A., Belyaev V. Improved ZnO based materials for to-date flat panel displays // SID Symposium Digest of Technical Papers. - 2019. - V. 50. - P. 977.

316 ГОСТ Р МЭК 60068-2-78. Испытания на воздействие внешних факторов. Часть 2-78. Испытания. Испытание Cab: Блажное тепло, постоянный режим: Издание официальное. -М. : СТАНДАРТИНФОРМ, 2010. - 4 с.

317 Международный стандарт IEC 61646:2008 «Модули фотоэлектрические тонкопленочные наземные. Порядок проведения испытаний для подтверждения соответствия функциональным характеристикам».

318 Guillen C., Herrero J. Stability of sputtered ITO thin films to the damp-heat test // Surface and Coatings Technology. - 2006. - V. 201. - P. 309.

319 El Mel A.-A., Stephant N., Molina-Luna L., Gautron E., Haik Y., Tabet N., Tessier P.-Y., Gautier R. Kirkendall effect vs corrosion of silver nanocrystals by atomic oxygen: from solid metal silver to nanoporous silver oxide // J. Phys. Chem. C. - 2017. - V. 121. - No. 35. - P. 19497.

320 Cho S.-H., Lee W.-J. Effect of added metallic elements in Ag alloys on the durability against heat and humidity of indium zinc oxide/Ag alloy/indium zinc oxide transparent conductive multilayer system // Jpn. J. Appl. Phys. - 2010. - V. 49. - P. 111102.

321 Gao X.-Y., Wang S.-Y., Li J., Zheng Y.-X., Zhang R.-J., Zhou P., Yang Y.-M., Chen L.-Y. Study of structure and optical properties of silver oxide films by ellipsometry, XRD and XPS methods // Thin Solid Films. - 2004. - V. 455-456. - P. 438.

322 Wang P., Zhang D., Kim D.H., Qiu Z., Gao L., Murakami R., Song X. Enhancement of light transmission by coupling to surface plasmon polaritons of a layer-plus-islands silver layer // J. Appl. Phys. - 2009. - V. 106. - P. 103104.

323 Holder C.F., Schaak R.E. Tutorial on Powder X-ray Diffraction for Characterizing Nanoscale Materials // ACS Nano. - 2019. - V. 13. - P. 7359.

324 Miyata T., Ohtani Y., Kuboi T., Minami T. Stability of nano-thick transparent conducting oxide films for use in a moist environment // Thin Solid Films. - 2008. - V. 516. - P. 1354.

325 Xu L., Miao J., Chen Y., Su J., Yang M., Zhang L., Zhao L., Ding S. Characterization of Ag-doped ZnO thin film for its potential applications in optoelectronic devices // Optik. - 2018. - V. 170. - P. 484.

326 Zhang C., Zhao J., Wu H., Yu S. The enhancement of thermal endurance in doped low emissive ZnO/Ag/ZnO multilayer thin film // J. Alloys Compd. - 2020. - V. 832. - P. 154983.

327 Zhou L., Chen X., Zhu F., Sun X.X., Sun Z. Improving temperature-stable AZO-Ag-AZO multilayer transparent electrodes using thin Al layer modification // J. Phys. D: Appl. Phys. -2012. - V. 45. - P. 505103.

328 Lee S.H., Kim G., Lim J.W., Lee K.-S., Kang M.G. High-performance ZnO:Ga/Ag/ ZnO:Ga multilayered transparent electrodes targeting large-scale perovskite solar cells // Sol. Energy Mater. Sol. Cells. - 2018. - V. 186. - P. 378.

329 Kuprenaite S., Murauskas T., Abrutis A., Kubilius V., Saltyte Z., Plausinaitiene V. Properties of In-, Ga-, and Al-doped ZnO films grown by aerosol-assisted MOCVD: Influence of deposition temperature, doping level and annealing // Surf. Coat. Technol. - 2015. - V. 271. - P. 156.

330 Nomoto J., Makino H., Tsuchiya T., Yamamoto T. Chemical trends of n-type doping of Al, Ga, In, and Ti donors for ZnO polycrystalline films deposited by direct-current magnetron sputtering // J. Appl. Phys. - 2020. - V. 128. - No. 14. - P. 145303.

331 Sun H., Jen Sh.-U., Chen Sh.-Ch., Ye Sh.-Sh., Wang X. The electrical stability of In-doped ZnO thin films deposited by RF sputtering //J. Phys. D Appl. Phys. - 2017. - V. 50. - P. 045102.

332 Edinger S., Bansal N., Bauch M., Wibowo R.A., Ujvari G., Hamid R., Trimmel G., Dimopoulos T. Highly transparent and conductive indium-doped zinc oxide films deposited at low substrate temperature by spray pyrolysis from water-based solutions //J. Mater. Sci. - 2017. - V. 52. - P. 8591.

333 Nunes de Carvalho C., Lavareda G., Parreira P., Valente J., Amaral A., Botelho do Rego A.M. Influence of oxygen partial pressure on the properties of undoped InOx films deposited at room temperature by rf-PERTE // J. Non-Cryst. Solids. - 2008. - V. 354. - P. 1643.

334 Nunes de Carvalho C., Lavareda G., Amaral A., Conde O., Ramos A.R. InOx semiconductor films deposited on glass substrates for transparent electronics // J. Non-Cryst. Solids. - 2006. -V. 352. - P. 2315.

335 Yaglioglu B., Yeom H.Y., Beresford R., Paine D.C. High-mobility amorphous In2O3-10wt%ZnO thin film transistors // Appl. Phys. Lett. - 2006. - V. 89. - P. 062103.

336 Minami T., Kakumu T., Takeda Y., Takata S. Highly transparent and conductive ZnO-In2O3 thin films prepared by DC magnetron sputtering // Thin Solid Films. - 1996. - V. 290-291. - P. 1.

337 Jen S.-U., Sun H., Chiang H.-P., Chen S.-C., Chen J.-Y., Wang X. Optoelectronic Properties and the Electrical Stability of Ga-Doped ZnO Thin Films Prepared via Radio Frequency Sputtering // Materials. - 2016. - V. 9. - P. 987.

338 Sundaram M., Natarajan S., Dikundwar A.G., Bhutani H. Quantification of solid-state impurity with powder X-ray diffraction using laboratory source //Powder Diffr. - 2020. - V. 35. - P. 226.

339 Labegorre J.-B., Lebedev O.I., Bourges C., Re'cnik A., Kosir M., Bernik S., Maignan A., Le Mercier T., Pautrot-d'Alen9on L., Guilmeau E. Phonon Scattering and Electron Doping by 2D Structural Defects in In/ZnO //ACS Appl. Mater. Interfaces - 2018. - V. 10. - P. 6415.

340 Jantzena T., Hacka K., Yazhenskikh E., Müller M. Thermodynamic assessment of oxide system In2O3-SnO2-ZnO //Chim. Techno Acta - 2018. - V. 5. - P. 166.

341 Muktepavela F., Maniks J., Grigorjeva L., Zabels R., Rodnyi P., Gorokhova E. Effect of In Doping on the ZnO Powders Morphology and Microstructure Evolution of ZIO Ceramics as a Material for Scintillators //Latv. J. Phys. Tech. Sci. - 2018. - V. 6. - P. 35.

342 Medvedovski E., Alvarez N.A., Szepesi C.J., Yankov O., Lippens P. Advanced indium tin oxide ceramic sputtering targets (rotary and planar) for transparent conductive nanosized films //Adv. Appl. Ceram. - 2013. - V. 12. - P. 243.

343 Heintze M., Luciu I. Nodule formation on sputtering targets: Causes and their control by MF power supplies //Surf. Coat. Technol. - 2018. - V. 336. - P. 80.

344 Sahoo B., Behera D., Pradhan S.K., Mishra D.K., Sahoo S.K., Nayak R.R., Sekhar K.P.C. Analysis of structural, optical and electrical properties of nano-particulate indium doped zinc oxide thin films //Mater. Res. Express - 2019. - V. 6. - P. 1150a6.

345 Shinde S.S., Shinde P.S., Bhosale C.H., Rajpure K.Y. Optoelectronic properties of sprayed transparent and conducting indium doped zinc oxide thin films //J. Phys. D Appl. Phys. - 2008. -V. 41. - P. 105109.

346 Bharath S.P., Bangera K.V., Shivakumar G.K. Enhanced gas sensing properties of indium doped ZnO thin films //Superlattices Microstruct. - 2018. - V. 124. - P. 72.

347 Jain A., Sagar P., Mehra R.M. Band gap widening and narrowing in moderately and heavily doped n-ZnO films //Solid State Electron. - 2006. - V. 50. - P. 1420.

348 Sernelius B.E., Berggren K.-F., Jin Z.-C., Hamberg I., Granqvist C.G. Band-gap tailoring of ZnO by means of heavy Al doping //Phys. Rev. B - 1988. - V. 37. - P. 10244.

349 Lu J.G., Fujita S., Kawaharamura T., Nishinaka H., Kamada Y., Ohshima T., Ye Z.Z., Zeng Y.J., Zhang Y.Z., Zhu L.P. Carrier concentration dependence of band gap shift in n-type ZnO:Al films //J. Appl. Phys. - 2007. - V. 101. - P. 083705.

350 Tang G., Liu H., Zhang W. The Variation of Optical Band Gap for ZnO:In Films Prepared by Sol-Gel Technique //Adv. Mater. Sci. Eng. - 2013. - V. 2013. - P. 348601.

351 Khalfallah B., Chaabouni F., Abaab M. Some physical investigations on In-doped ZnO films prepared by RF magnetron sputtering using powder compacted target //J. Mater. Sci. Mater. Electron. - 2015. - V. 26. - P. 5209.

352 Torchynska T., El Filali B., Gomez J.A.J., Polupan G., García J.L.R., Shcherbyna L. Raman scattering, emission, and deep defect evolution in ZIO thin films //J. Vac. Sci. Technol. A -2020. - V. 38. - P. 063409.

353 Potter D.B., Bhachu D.S., Powell M.J., Darr J.A., Parkin I.P., Carmalt C.J. Al-, Ga-, and In-doped ZnO thin films via aerosol assisted CVD for use as transparent conducting oxides //Phys. Status Solidi A - 2016. - V. 213. - P. 1346.

354 Benzitouni S., Zaabat M., Mahdjoub A., Benaboud A., Boudine B. High transparency and conductivity of heavily In-doped ZnO thin films deposited by dip-coating method //Materials Science-Poland - 2018. - V. 36. - P. 427.

355 Txintxurreta J., G-Berasategui E., Ortiz R., Hernández O., Mendizábal L., Barriga J. Indium Tin Oxide Thin Film Deposition by Magnetron Sputtering at Room Temperature for the Manufacturing of Efficient Transparent Heaters //Coatings - 2021. - V. 11. - P. 92.

356 Álvarez-Fraga L., Jiménez-Villacorta F., Sánchez-Marcos J., de Andrés A., Prieto C. Indium-tin oxide thin films deposited at room temperature on glass and PET substrates: Optical and electrical properties variation with the H2-Ar sputtering gas mixture //Appl. Surf. Sci. - 2015. -V. 344. - P. 217.

357 Morales-Masis M., Dauzou F., Jeangros Q., Dabirian A., Lifka H., Gierth R., Ruske M., Moet D., Hessler-Wyser A., Ballif C. An Indium-Free Anode for Large-Area Flexible OLEDs: Defect-Free Transparent Conductive Zinc Tin Oxide //Adv. Funct. Mater. - 2016. - V. 26. - P. 384.

358 Liu H., Liu Y.-F., Xiong P.-P., Chen P., Li H.-Y., Hou J.-W., Kang B.-N., Duan Y. Aluminum-Doped Zinc Oxide Transparent Electrode Prepared by Atomic Layer Deposition for Organic Light Emitting Devices //IEEE Trans. Nanotechnol. - 2017. - V. 16. - P. 634.

359 Vitrey A., Alvarez R., Palmero A., González M.U., García-Martín J.M. Fabrication of black-gold coatings by glancing angle deposition with sputtering // Beilstein J. Nanotechnol. - 2017. - V. 8. - P. 434.

360 Melikhova O., Cízek J., Hruska P., Lukáca F., Novotny M., More-Chevalier J., Fitl P., Liedke M.O., Butterling M., Wagner A. Microstructure and Nanoscopic Porosity in Black Pd Films // Acta Phys. Pol. A. - 2020. - V. 137. - P. 222.

361 Hruska P., More-Chevalier J., Novotny M., Cízek J., Melikhova O., Fekete L., Poupon M., Bulír J., Volfová L., Butterling M. Effect of roughness and nanoporosity on optical properties of black and reflective Al films prepared by magnetron sputtering // J. Alloys Compd. - 2021. - V. 872. -P.159744.

362 Zhao, W., Xiao, L., He, X., Cui, Z., Fang, J., Zhang, C., Li, X., Li, G., Zhong, L., Zhang, Y. Moth-eye-inspired texturing surfaces enabled self-cleaning aluminum to achieve photothermal anti-icing // Opt. Laser Technol. - 2021. - V. 141. - P. 107115.

363 More-Chevalier J., Yudin P.V., Cibert C., Bednyakov P., Fitl P., Valenta J., Novotny M., Savinov M., Poupon M., Zikmund T. Black aluminum-coated Pt/Pb(Zr0.56Ti0.44)O3/Pt thin film structures for pyroelectric energy harvesting from a light source // J. Appl. Phys. - 2019. - V. 126. - P. 214501.

364 Kim S.-J., Jung P.-H., Kim W., Lee H., Hong S.-H. Generation of highly integrated multiple vivid colours using a three-dimensional broadband perfect absorber // Sci. Rep. - 2019. - V. 9. -P. 14859.

365 Alazzam A., Alamoodi N., Abutayeh M., Stiharu I., Nerguizian V. Fabrication of Porous Gold Film Using Graphene Oxide as a Sacrificial Layer // Materials. - 2019. - V. 12. - P. 2305.

366 Jiang D., Xu S., Gao M., Lu Y., Liu Y., Sun S., Li D. Synergistically Integrating Nickel Porous Nanosheets with 5d Transition Metal Oxides Enabling Efficient Electrocatalytic Overall Water Splitting // Inorg. Chem. - 2021. - V. 60. - P. 8189.

367 Tahir A., Arshad F., ul Haq T., Hussain I., Hussain S.Z., ur Rehman H. Roles of Metal Oxide Nanostructure-Based Substrates in Sustainable Electrochemical Water Splitting: Recent Development and Future Perspective // ACS Appl. Nano Mater. - 2023. - V. 6. - P. 1631.

368 Wang S., Lan B., Gao Y., Xie Y., He H., Xiong D., Tian G., Yang T., Huang J., Ao Y. Versatile MXene integrated assembly for piezoresistive micro-force sensing // View. - 2022. - V. 3. - P. 20220031.

369 Park J.Y., Kim H.-h., Rana D., Jamwal D., Katoch A. Surface-area-controlled synthesis of porous TiO2 thin films for gas-sensing applications // Nanotechnology. - 2017. - V. 28. - P. 095502.

370 Li H., Li H., Wei P., Wang Y., Zang Y., Gao D., Wang G., Bao X. Tailoring acidic microenvironments for carbon-efficient CO2 electrolysis over a Ni-N-C catalyst in a membrane electrode assembly electrolyzer // Energy Environ. Sci. - 2023. - V. 16. - P. 1502.

371 Zeng J., Wang B., Zhang Y., Zhu H., Guo Z. Strong Amphiphobic Porous Films with Oily-self-cleaning Property beyond Nature // Chem. Lett. - 2014. - V. 43. - P. 1566.

372 Muslimov A.E., Gadzhiev M.K., Kanevsky V.M. Influence of Plasma Treatment Parameters on the Structural-Phase Composition, Hardness, Moisture-Resistance, and Raman-Enhancement Properties of Nitrogen-Containing Titanium Dioxide // Materials. - 2022. - V. 15. - P. 8514.

373 Dai B., Gao C., Xie Y. Flexible wearable devices for intelligent health monitoring // View. -2022. - V. 3. - P. 20220027.

374 Laurenti M., Cauda V. Porous Zinc Oxide Thin Films: Synthesis Approaches and Applications // Coatings. - 2018. - V. 8. - P. 67.

375 Qin L., Mawignon F.J., Hussain M., Ange N.K., Lu S., Hafezi M., Dong G. Economic Friendly ZnO-Based UV Sensors Using Hydrothermal Growth: A Review // Materials. - 2021. - V. 14. -P. 4083.

376 Gupta P.K., Khan Z.H., Solanki P.R. One-Step Electrodeposited Porous ZnO Thin Film Based Immunosensor for Detection of Vibrio cholerae Toxin // J. Electrochem. Soc. - 2016. - V. 163. -P. B309.

377 Qin N., Xiang Q., Zhao H., Zhang J., Xu J. Evolution of ZnO microstructures from hexagonal disk to prismoid, prism and pyramid and their crystal facet-dependent gas sensing properties. // Cryst. Eng. Comm. - 2014. - V. 16. - P. 7062.

378 Hirschwald W., Bonasewicz P., Ernst L., Grade M., Hofmann D., Krebs S., Littbarski R., Neumann G., Grunze M., Kolb D., Schulz H.J. Zinc Oxide. Properties and Behaviour of the Bulk, the Solid/Vacuum and Solid/Gas Interface, in: Current Topics in Materials Science, - V. 7, edited by E. Kaldis, Amsterdam: North-Holland Publishing Company, - 1981, 143-409 pp.

379 Смирнов Б.М. Металлические наноструктуры: от кластеров к нанокатализу и сенсорам // Успехи физ. наук. - 2017. - Т. 187. - С. 1329.

380 Смирнов Б.М. Фрактальные кластеры // Успехи физ. наук. - 1986. - Т. 149. - С. 177.

381 Witten T.A.Jr., Sander I.M. Diffusion-Limited Aggregation, a Kinetic Critical Phenomenon // Phys. Rev. Lett. - 1981. - V. 47. - P. 1400.

382 Бeзнocюк C.A., Лepx ЯЗ., Жyxoвицкaя T.M. Компьютерное моделирование самоорганизации фрактальных кластерных нанодендритов // Пoлзyнoвcкий вecтн. - 2005. - T. 41. - C. 143.

383 Каштанов П.Б., Смирнов Б.М., Хипплер Р. Магнетронная плазма и нанотехнология // УФН. - 2007. - Т. 177. - С. 473.

384 Абдуев А.Х., Асваров А.Ш., Ахмедов А.К., Барышников Б.Г., Теруков Е.И. Газофазный синтез структур ZnO // Письма в ЖТФ. - 2002. - Т. 28. - № 22. - С. 59.