Моделирование процессов в теплофизических микросенсорах тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.01, кандидат наук Козлов, Александр Геннадьевич
- Специальность ВАК РФ05.27.01
- Количество страниц 428
Оглавление диссертации кандидат наук Козлов, Александр Геннадьевич
ВВЕДЕНИЕ ................................................................................................7
1. ТЕПЛОФИЗИЧЕСКИЕ МИКРОСЕНСОРЫ.......................................................2 0
1.1. Особенности сенсоров как технических объектов, цели и
подходы к их моделированию......................................................................20
1.1.1. Особенности сенсоров как технических объектов........................... 20
1.1.2. Цели моделирования сенсоров..................................................... 22
1.1.3. Подходы к моделированию сенсоров............................................ 23
1.2. Теплофизические микросенсоры. Классификация
теплофизических микросенсоров................................................................. 26
1.2.1. Теплофизических микросенсоры. Особенности. Структура................ 26
1.2.2. Классификация теплофизических микросенсоров............................. 27
1.3. Функциональные модели теплофизических микросенсоров.......................... 34
1.3.1. Теплофизические микросенсоры прямого преобразования...................34
1.3.2. Микросенсоры с промежуточным тепловым преобразованием............ 36
1.3.3. Микросенсоры с управляемыми тепловыми потоками...................... 37
1.3.4. Микросенсоры с температурной активацией и управлением............... 39
1.3.5. Комбинированные теплофизические микросенсоры..........................42
1.4. Конструкции теплофизических микросенсоров и их особенности...................43
1.4.1. Особенности конструкции теплофизических микросенсоров
каждой группы................................................................................ 44
1.4.2. Особенности конструкции отдельных элементов теплофизических микросенсоров............................................................................... 48
1.4.3. Материалы, используемые в конструкции теплофизических микросенсоров............................................................................... 63
1.5. Задачи и особенности моделирования процессов в теплофизических
микросенсорах.................................................................................................... 64
1.5.1. Задачи моделирования процессов в теплофизических
микросенсорах............................................................................... 64
1.5.2. Особенности моделирования процессов в теплофизических микросенсорах............................................................................... 66
1.6. Выводы.......................................................................................... 67
2. МОДЕЛИРОВАНИЕ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ТЕМПЕРАТУРЫ В
ТЕПЛОФИЗИЧЕСКИХ МИКРОСЕНСОРАХ.........................................................69
2.1. Существующие модели для определения распределения
температуры в теплофизических микросенсорах........................................... 69
2.1.1. Численные модели................................................................... 71
2.1.2. Модели на основе электротепловой аналогии................................. 72
2.1.3. Аналитические модели.............................................................. 74
2.1.4. Сравнение методов моделирования распределения
температуры в теплофизических микросенсорах..................................... 77
2.2. Особенности моделирования распределения температуры
в теплофизических микросенсорах.............................................................. 77
2.3. Моделирование стационарного распределения температуры
в теплофизических микросенсорах (одномерный вариант)................................. 86
2.4. Моделирование стационарного распределения температуры
в теплофизических микросенсорах (двухмерный вариант)................................ 90
2.4.1. Общий подход.........................................................................90
2.4.2. Замена граничных условий при моделировании............................... 110
2.4.3. Моделирование распределения температуры в двухмерных косоугольных структурах...................................................................112
2.4.4. Моделирование распределения температуры в структурах с
высокой температурой...................................................................... 117
2.4.5. Сокращение вычислений. Усеченные структуры............................. 120
2.5. Моделирование нестационарного распределения температуры
в теплофизических микросенсорах...............................................................126
2.6. Погрешность и адекватность моделирования распределения
температуры............................................................................................ 132
2.6.1. Погрешность моделирования.......................................................133
2.6.2. Адекватность моделирования...................................................... 145
2.7. Выводы........................................................................................... 150
3. МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ В ТЕПЛОФИЗИЧЕСКИХ МИКРОСЕНСОРАХ ПРЯМОГО ПРЕОБРАЗОВАНИЯ........................................................................ 154
3.1. Задачи и особенности моделирования процессов в теплофизических микросенсорах прямого преобразования....................................................... 154
3.2. Моделирование распределения температуры в структуре
терморезистивного топкопленочного сенсора................................................ 156
3.2.1 Анализ структуры терморезистивного сенсора................................... 156
3.2.2 Распределение температуры в эквивалентной структуре
единичной подобласти терморезистивного сенсора................................... 159
3.2.3 Результаты моделирования.......................................................... 164
3.3 Выводы............................................................................................. 172
4. МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ В ТЕПЛОФИЗИЧЕСКИХ МИКРОСЕНСОРАХ
С ПРОМЕЖУТОЧНЫМ ТЕПЛОВЫМ ПРЕОБРАЗОВАНИЕМ................................. 173
4.1. Задачи и особенности моделирования процессов в теплофизических
микросенсорах с промежуточным тепловым преобразованием.......................... 173
4.2. Моделирование распределения температуры в
микроэлектронных тепловых приемниках излучения...................................... 178
4.2.1. Распределение температуры в консольном тепловом
приемнике излучения....................................................................... 179
4.2.2. Распределение температуры в мостовом тепловом
приемнике излучения....................................................................... 182
4.2.3. Распределение температуры в мембранном тепловом
приемнике излучения....................................................................... 186
4.3. Моделирование динамических процессов в
микроэлектронных тепловых приемниках излучения...................................... 187
4.3.1. Одномерная аналитическая модель для определения нестационарного распределения температуры в микроэлектронном консольном тепловом приемнике излучения............................................ 187
4.3.2. Двухмерная аналитическая модель для определения нестационарного распределения температуры в микроэлектронных
тепловых приемниках излучения и их частотных характеристик................ 197
4.4. Оптимизации конструкции микроэлектронных тепловых приемников излучения с консольными термически
изолированными структурами.................................................................... 210
4.4.1. Параметры микроэлектронных тепловых приемников излучения с консольными термически изолированными
структурами...................................................................................2 10
4.4.2. Оптимизация конструкции........................................................ 216
4.4.3. Численные результаты............................................................... 219
4.5. Моделирование распределения высокочастотного тока
в тонкопленочных электротеиловых преобразователях..................................... 228
4.5.1. Особенности электротепловых преобразователей............................. 228
4.5.2. Анализ конструкции пленочных электротепловых
преобразователей............................................................................. 229
4.5.3. Распределение высокочастотного тока в пленочном
электротепловом преобразователе (конструктивный вариант 2).................. 237
4.5.4. Распределение высокочастотного тока в пленочном
электротепловом преобразователе (конструктивный вариант 1).................. 245
4.5.5. Результаты моделирования.........................................................247
4.6. Выводы...........................................................................................258
5. МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ В ТЕПЛОФИЗИЧЕСКИХ МИКРОСЕНСОРАХ
С УПРАВЛЯЕМЫМИ ТЕПЛОВЫМИ ПОТОКАМИ..............................................261
5.1. Задачи и особенности моделирования процессов в теплофизических микросенсорах с управляемыми тепловыми потоками...................................... 261
5.2. Моделирование распределения температуры в тепловых
микроакселерометрах с инерционной массой.................................................. 264
5.2.1. Общие положения.................................................................... 265
5.2.2. Анализ конструкции теплового микроакселерометра с
инерционной массой.........................................................................266
5.2.3. Модель для определения распределения температуры в структуре теплового микроакселерометра с инерционной массой............................. 271
5.2.4. Результаты моделирования......................................................... 278
5.3. Выводы...........................................................................................283
6. МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ В МИКРОСЕНСОРАХ
С ТЕМПЕРАТУРНОЙ АКТИВАЦИЕЙ И УПРАВЛЕНИЕМ И В
КОМБИНИРОВАННЫХ ТЕПЛОФИЗИЧЕСКИХ МИКРОСЕНСОРАХ....................... 285
6.1. Задачи и особенности моделирования процессов в микросенсорах с температурной активацией и управлением и в
комбинированных теплофизических микросенсорах....................................... 285
6.2. Моделирование распределения температуры в теплофизических микросенсорах, работающих при высоких температурах.................................. 289
6.3. Оптимизация конструкции и режима питания
агломеративного термокаталитического газового сенсора................................ 295
6.3.1. Общие положения.................................................................... 295
6.3.2. Параметры сравнительного и чувствительного элементов термокаталитического газового сенсора.................................................297
6.3.3. Параметры термокаталитического газового сенсора,
включенного в мостовую схему........................................................... 301
6.3.4. Оптимизационная модель........................................................... 304
6.3.5. Результаты моделирования.........................................................306
6.4. Влияние напряжения питания и конструктивных особенностей
на погрешность агломеративного термокаталитического газового сенсора.......... 312
6.5. Выводы...........................................................................................316
7. ПРАКТИЧЕСКАЯ РЕАЛИЗАЦИЯ И ИСПОЛЬЗОВАНИЕ
МАТЕМАТИЧЕСКИХ МОДЕЛЕЙ ТЕПЛОФИЗИЧЕСКИХ МИКРОСЕНСОРОВ......... 318
7.1. Реализация математических моделей теплофизических микросенсоров в программных средах.............................................................................. 318
7.1.1. Реализация математических моделей теплофизических микросенсоров
в системах компьютерной математики................................................. 319
7.1.2. Реализация математических моделей теплофизических микросенсоров
в программной среде Pascal............................................................... 322
7.2. Программный комплекс для автоматизированного проектирования агломеративных термокаталитических газовых сенсоров................................. 324
7.3. Использование моделирования при комплексном исследовании многофункционального теплофизического мембранного микросенсора.............................. 336
7.4. Использование разработанных моделей теплофизических микросенсоров
при выполнении научно-исследовательских работ и в учебном процессе.............. 336
7.5. Использование разработанных методов и моделей теплофизических
микросенсоров в работах других исследователей............................................ 341
7.5. Выводы...........................................................................................346
ЗАКЛЮЧЕНИЕ.............................................................................................348
ЛИТЕРАТУРА.............................................................................................. 353
ПРИЛОЖЕНИЯ
Приложение 1. Свойства материалов, используемых в теплофизических микросенсорах.
Приложение 2. Основные уравнения, используемые при математическом моделировании распределения температуры в двухмерных структурах. Приложение 3. Аналитические выражения для распределения температуры в различных типах двухмерных прямоугольных зон.
Приложение 4. Аналитические выражения для средневзвешенной температуры в различных типах двухмерных прямоугольных зон.
Приложение 5. Данные о погрешности метода аналитического моделирования распределения температуры в двухмерных структурах с произвольными прямоугольными границами.
Приложение 6. Аналитические выражения для весовых коэффициентов, используемых в уравнениях распределения температуры в зонах теплового приемника излучения на мостовой термически изолированной структуре. Приложение 7. Коэффициенты рядов Фурье для функций, используемых при вычислении распределения высокочастотного тока в тонкопленочных электротепловых преобразователях.
Приложение 8. Модель газовой среды для теплофизических микросенсоров, работающих при высоких температурах.
Приложение 9. Акты об использовании результатов диссертационной работы.
Рекомендованный список диссертаций по специальности «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника на квантовых эффектах», 05.27.01 шифр ВАК
Теплофизические свойства микросистем на основе структур "карбид кремния на изоляторе"2002 год, кандидат наук Никитин, Илья Владимирович
Конструкция, технология и теплофизические свойства кристаллов датчиков газов в микроэлектронном исполнении2004 год, кандидат технических наук Викин, Олег Геннадьевич
Формирование газоаналитических мультисенсорных микроэлектронных систем на основе термокаталитических и хеморезистивных элементов2018 год, кандидат наук Лашков, Андрей Витальевич
Разработка тепловых приемников излучения на основе пьезоэлектрического кварца2012 год, кандидат технических наук Гошля, Роман Юрьевич
Разработка и исследование тепловых пожарных извещателей с чувствительными элементами на пленочных термоиндикаторных покрытиях и полупроводниковых термопарах1998 год, кандидат технических наук Фомин, Владимир Иванович
Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Моделирование процессов в теплофизических микросенсорах»
ВВЕДЕНИЕ
Основой жизнедеятельности человека является постоянное получение информации об окружающем мире. Опираясь на эту информацию, человек формирует адекватные действия, направленные на приспособление к окружающему миру или его трансформацию. Причем под окружающим миром здесь понимается как естественная, так и искусственно созданная самим человеком среда. До недавнего времени основным источником информации для человека являлись его органы чувств (sense). Однако с развитием науки и техники появились технические объекты, способные расширить возможности человека в получении информации об окружающем мире. Эти объекты получили общее название "сенсоры". Они являются первичными устройствами, которые подвергаются воздействию наблюдаемой физической величины и при этом формируют эквивалентный выходной сигнал (обычно электрической природы), являющийся функцией измеряемой величины [1-8].
В последние два десятилетия произошло значительное расширение интереса к исследованию и разработке сенсоров. Например, в США только при крупных университетах появилось более 40 научных центров (лабораторий, отделов, институтов) по исследованию, разработке и изготовлению сенсоров. Аналогичная ситуация прослеживается в Германии (14 научных центров), Франции (5 научных центров), Швейцарии (5 научных центров), Нидерландах (4 научных центра), Англии, Японии, Китае, Канаде, Южной Корее, Австралии. Кроме того, большой интерес к развитию исследований в области сенсоров подтверждает тот факт, что стали издаваться специализированные научные журналы по сенсорам: "Sensors and Actuators A. Physical", "Sensors and Actuators B. Chemical", "IEEE Journal on Sensors", "Sensors and Materials" "Sensor Review", "Biosensors and Bioelectronics", "Датчики и системы", "Сенсор". В ряде журналов по микроэлектронике, микро- и наносистемной технике ("Microelectronics Journal", "Journal of Micromechanics and Microengineering" "IEEE Journal of Microelectromechanical Systems", "Microsystem Technologies", "Нано- и микросистемная техника") публикации, посвященные сенсорам, занимают значительный объем.
Такой большой интерес к исследованию и созданию сенсоров обусловлен в основном двумя причинами:
1. В настоящее время отмечается большой рост потребности в современных средствах получения информации об окружающем мире вследствие значительных достижений в области обработки, хранения, передачи и представления информации (персональные компьютеры, интернет).
2. Использование технологических приемов микроэлектроники, а также нетрадиционных микротехнологий и материалов, при создании сенсоров позволяет значительно улучшить их эксплуатационные параметры и создавать качественно новые сенсорные устройства (матрицы сенсоров, сенсорные системы).
На современном этапе развития сенсоров широкое использование в конструкции и технологии изготовления сенсоров получили достижения нано- и микроэлектроники и нано- и микросистемной техники [9]. Кроме того, был разработан ряд технологических процессов (bulk micromachining, surface micromachining, LIGA), которые нашли непосредственное применение при создании миниатюрных сенсоров. Вся совокупность конструк-торско-технологических приемов, направленных на миниатюризацию сенсоров и примененных к различным типам сенсоров привела к появлению нового класса приборов - микроэлектронных сенсоров [10-13]. Эти сенсоры характеризуются тем, что их конструкция и технология изготовления взаимосвязаны и сильно коррелированы.
Микроэлектронные сенсоры имеют следующие преимущества перед объемными сенсорами, изготавливаемыми по традиционным технологиям.
1. Имея малые размеры, микроэлектронньте сенсоры характеризуются высокой чувствительностью, малой инерционностью, высоким пространственным разрешением и малым энергопотреблением.
2. Сенсоры изготавливаются по микроэлектронпой технологии, в которой используются групповые методы при формировании структуры сенсоров. Использование групповых методов повышает воспроизводимость параметров сенсоров и уменьшает их стоимость, позволяет изготавливать матрицы (массивы) сенсоров и легко осуществлять их коммутацию.
3. В целом, микроэлектронные системы характеризуются более высокой надежностью по сравнению с объемными системами. Это в полной мере относится и к микроэлектронным сенсорам, которые имеют более высокую надежность, чем объемные сенсоры. В конечном итоге это приводит к уменьшению эксплуатационных затрат при использовании микроэлектронных сенсоров.
4. Имея общий конструктивно-технологический базис, микроэлектронные сенсоры легко совмещаются с устройствами последующей обработки измерительных сигналов и устройствами управления, изготовленными по микроэлектронной технологии. Такое совмещение дает новый класс сенсорных устройств — так называемые умные сенсоры (smart sensors), которые формируют цифровой сигнал, удобный для представления и обработки, и, одновременно, легко адаптируются к условиям измерения. Среди объемных сенсоров такой класс приборов отсутствует.
Однако переход к микроэлектронному исполнению сенсоров создает ряд дополнительных трудностей, которые сдерживают развитие микроэлектронных сенсоров и препятствуют их широкому использованию. Среди этих трудностей можно выделить две основные группы.
1. Трудности, связанные с разработкой (конструированием) микроэлектронных сенсоров. Эти трудности обусловлены тем, что переход к микроэлектронным конструкциям сенсоров приводит к значительному уменьшению их размеров. В этом случае, во-первых, размеры чувствительного элемента сенсора становятся соизмеримыми с размерами других элементов сенсора (элементов крепления, элементов защиты, выводов, элементов питания). Из-за этого возрастает влияние данных элементов на характеристики микроэлектронного сенсора через различного рода взаимодействия между ними. Во-вторых, из-за малых размеров микроэлектронного сенсора, возрастает влияние на его характеристики различных фоновых (паразитных) воздействий и воздействий от питающих сигналов. Поэтому при разработке конструкции (при проектировании) микроэлектронных сенсоров необходимо учитывать (в отличие от объемных сенсоров) большее число параметров, чтобы спроектировать сенсор с заданными или оптимальными характеристиками. Это требование значительно усложняет процесс проектирования микроэлектронных сенсоров, возрастают временные и стоимостные затраты.
2. Трудности, связанные с эксплуатацией микроэлектронных сенсоров. Эти трудности обусловлены тем, что из-за сильного влияния фоновых (паразитных) воздействии и воздействий питающих сигналов при изменении условий эксплуатации изменяются выходные сигналы микроэлектронного сенсора. Данное влияние усложняет процесс эксплуатации сенсоров, так как при этом необходимо использовать методы, позволяющие учитывать и корректировать влияние изменения условий эксплуатации на выходной сигнал сенсора.
Для преодоления трудностей на этапе проектирования микроэлектронных сенсоров (сокращение временных затрат и стоимости) в настоящее время развиваются и начинают широко использоваться системы автоматизированного проектирования (САПР) микроэлектронных сенсоров [14, 15]. В зарубежной формулировке: CAD (Computer aided design) системы для микроэлектронных сенсоров. Исследования по разработке CAD систем для микроэлектропных сенсоров проводятся в ряде университетов и научных центров (Department of Electrical Engineering and Computer Science of Massachusetts Institute of Technology, USA; Physical Electronics Laboratory of Swiss Federal Institute of Technology, Switzerland; Department of Electrical and Computer Engineering of University of Illinois, USA; Department of Electron Devices in Budapest University of Technology and Economics, I-Iungary).
Возникло и успешно развивается большое количество фирм, специализирующихся на разработке, применении и продаже CAD систем для микроэлектронных сенсоров и родственным им MEMS (micro electromechanical systems). Среди этих фирм можно выделить: Coventor, USA; IntelliSense, USA; MEMSCAP, France; ISE Integrated Systems Engineering AG, Switzerland; MicReD, Hungary.
САПР (CAD системы) микроэлектронных сенсоров направлены на синтез и оптимизацию их структуры (конструкции) и на анализ их работы. Основу любой САПР (CAD системы) конкретного типа микроэлектронного сенсора составляют математические модели различных уровней, которые в определенной степени учитывают конструктивные особенности сенсора, свойства материалов, из которых изготовлены его элементы, условия эксплуатации сенсора, параметры входного воздействия, измеряемого сенсором, и характеристики устройств последующей обработки выходного сигнала сенсора.
Для снижения временных и стоимостных затрат на этапе эксплуатации микроэлектронных сенсоров в настоящее время широко используются системы автоматизации измерений, которые позволяют в автоматическом режиме определить погрешности измерений и режим измерения, исходя из конкретных условий эксплуатации и характеристик объекта измерения. В этом случае также существует потребность в математических моделях микроэлектронных сенсоров, учитывающих как особенности структуры сенсора, так и особенности его эксплуатации.
В связи с этим разработка математических моделей, которые позволяли бы проводить синтез и оптимизацию микроэлектронных сенсоров с помощью систем автоматизированного проектирования и автоматически определять режим и погрешности измерения при эксплуатации микроэлектронных сенсоров, является актуальной задачей для всех типов микроэлектронных сенсоров [15].
Среди микроэлектронных сенсоров большую группу составляют микроэлектронные тепловые сенсоры (другое название - теплофизические микросенсоры) [12, 16-20]. Эти сенсоры характеризуются тем, что в их функционировании важную роль играют тепловые процессы. В частности, микроэлектронные тепловые сенсоры либо применяются для измерения параметров тепловых процессов, либо тепловые процессы используются при преобразовании измеряемой величины в выходной (электрический) сигнал сенсора.
Обобщенные математические модели теплофизических микросенсоров, используемые для синтеза и оптимизации их конструкции и определения эксплуатационных параметров, должны в обязательном порядке включать модели тепловых процессов, протекающих в этих сенсорах. Указанное требование приводит к тому, что моделирование тепло-физических микросенсоров является чрезвычайно сложным процессом. До настоящего
времени не выработано основных подходов к моделированию теплофизических микросенсоров, которые учитывали бы особенности этих микросенсоров и позволяли бы осуществлять процесс моделирования быстро и корректно, с минимальной погрешностью. Разработанные к данному времени математические модели теплофизических микросенсоров (одномерные аналитические модели, численные модели, модели на основе электротепловой аналогии) характеризуются рядом существенных недостатков, которые подробно будут рассмотрены в разделе 2, и не позволяют их использовать в полной мере в САПР для синтеза и оптимизации теплофизических микросенсоров и для определения эксплуатационных параметров этих сенсоров путем моделирования.
Таким образом, разработка математических моделей теплофизических микросенсоров для ряда применений является актуальной задачей и составляет основное содержание представленной диссертационной работы.
Цель работы. Развитие научных основ и разработка методов математического моделирования процессов в теплофизических микросенсорах для обеспечения их исследования, автоматизированного проектирования и эксплуатации.
Задачи, решаемые в работе для достижения поставленной цели:
1). Изучение общих вопросов функционирования теплофизических микросенсоров, выделение основных групп теплофизических микросенсоров, разработка структурных функциональных моделей теплофизических микросенсоров.
2). Разработка метода моделирования распределения температуры в теплофизических микросенсорах, учитывающего особенности их конструкции.
3). Разработка математических моделей различных уровней и оптимизационных моделей для конкретных типов теплофизических микросенсоров.
4). Анализ и оценка предложенных математических моделей теплофизических микросенсоров и области их применения по ряду критериев (адекватность, точность);
5). Использование предложенных математических моделей для исследования процессов в конкретных типах теплофизических микросенсоров.
Методы исследований: методы теории цепей с распределенными и сосредоточенными параметрами; методы теории матриц; методы линейной алгебры; методы теории дифференциальных уравнений в частных производных; методы теории дифференциальных уравнений с периодическими коэффициентами (уравнений Матье и Хилла); методы теории рядов; методы вычислительной математики; методы оптимизации; методы теории систем; методы теории распределенных систем; методы теории электромагнитного поля;
методы теории тепломассообмена; методы спектрального исследования; методы интегральных преобразований; методы математической физики.
Достоверность и обоснованность.
Достоверность и обоснованность полученных результатов достигается использованием апробированных физических моделей и применением строгих математических методов, использованием при компьютерном моделировании тестовых задач, допускающих точное аналитическое решение; применением современных методов и вычислительных средств; сравнением результатов моделирования с экспериментальными данными.
Научная новизна.
1. Предложена классификация теплофизических микросенсоров, отличающаяся детальным учетом роли тепловых процессов при их функционировании.
2. Разработана точная аналитическая модель определения одномерного распределения температуры в двухзонных структурах теплофизических микросенсоров на основе решения одномерного уравнения теплопроводности в каждой зоне методом разделения переменных с использованием гиперболических функции, учитывающая параметры всех слоев, из которых сформированы элементы микросенсора.
3. Разработан аналитический метод моделирования стационарного и нестационарного распределения температуры в теплофизических микросенсорах, в котором используется разделение термически изолированной структуры микросенсора на ряд зон и учет параметры всех пленочных слоев микросенсора. Метод позволяет определять распределение температуры для всех типов термически изолированных структур (консоли, мосты, мембраны, подвешенные платы), для структур, закрепленных с помощью косоугольных консольных мостов, для структур имеющих теплогенерирующие границы, границы с конвективным теплообменом и границы с разными условиями теплообмена на линии.
4. Разработана модель для определения распределения температуры в структуре пленочного терморезистивного сенсора, учитывающая конвективный теплообмен с поверхности сенсора, разогрев сенсора измерительным током и изменение его сопротивления от температуры.
5. Разработаны модели для определения стационарного и нестационарного распределения температуры в тепловых микроэлектронных приемниках излучения консольного, мостового и мембранного типов, позволяющие учитывать неоднородность оптического излучения и определять комплексные частотные характеристики приемников излучения и их отклик на различного рода воздействия: ступенчатое, гармоническое, импульсное.
6. Разработана модель для определения распределения температуры в структуре теплового микроакселерометра с инерционной массой, в которой учитывается изменение сопротив-
ления нагревателя от температуры и которая позволяет определять влияние смещения элемента с инерционной массой на распределение температуры и выходной сигнал микроакселерометра.
7. Разработана модель оптимизации конструкции микроэлектронных тепловых приемников излучения, позволяющая определять значения длин зон занятых поглощающим слоем и пленочным термопреобразователем, при которых обеспечивается максимальное значение удельной вольт-ваттной чувствительности при заданной тепловой постоянной времени приемника излучения.
8. Разработан метод определения распределения высокочастотного тока в тонкопленочных электротепловых преобразователях, учитывающий шунтирующее действие батареи термопар и периодичность изменения погонного сопротивления батареи термопар, погонной емкости и погонной взаимной индуктивности между нагревателем и батареей термопар.
9. Разработана модель для определения распределения температуры в теплофизических микросенсорах, работающих при высоких температурах, позволяющая определять распределение температуры с учетом температурных зависимостей параметров материалов всех слоев, из которых сформированы элементы микросенсора, и условий охлаждения в каждой зоне микросенсора.
10. Разработан метод оптимизации конструкции и режима питания термокаталитических газовых сенсоров, позволяющий определять характерный размер элементов сенсора и напряжение питания мостовой схемы его включения, при которых обеспечивается максимальное отношение чувствительности сенсора к напряжению питания мостовой схемы при заданном значении рабочей температуры элементов сенсора.
Практическая значимость.
1. Разработанные модели теплофизических микросенсоров позволяют проводить параметрический синтез и оптимизацию различных типов данных сенсоров: микроэлектронных терморезистивных сенсоров, микроэлектронных тепловых приемников излучения, микроэлектронных электротепловых преобразователей, тепловых микроакселерометров, микроэлектронных газовых сенсоров на основе оксидных полупроводниковых материалов и твердых электролитов, микроэлектронных термокаталитических газовых сенсоров.
2. Разработанные модели теплофизических микросенсоров позволяют повысить эффективность применения и эксплуатации данных сенсоров путем более точной оценки и определения метрологических характеристик, учета влияния на метрологические характеристики конкретных условий эксплуатации.
3. Разработанный метод моделирования распределения температуры в двумерных структурах теплофизических микросенсоров может быть использован для определения и исследования теплофизических свойств пленочных слоев различных материалов: коэффициента теплопроводности; удельной теплоемкости; температурного коэффициента сопротивления; коэффициента термоэде.
4. Разработанные модели теплофизических микросенсоров могут быть использованы для построения систем сенсоров и оценки взаимного влияния сенсоров в этих системах.
5. Разработанные математические модели теплофизических микросенсоров служат основой для создания систем автоматизированного проектирования и эксплуатации этих мик-росепсоров, что позволит существенно снизить материальные и временные затраты при их проектировании и эксплуатации. В работе данное практическое применение показано на примере САПР агломеративного термокаталитического газового сенсора.
Научные положения, выносимые на защиту.
1. Стационарное и нестационарное распределение температуры в теплофизических микросенсорах эффективно определяется путем разделения двухмерной термически изолированной структуры микросенсора на ряд зон в зависимости от состава слоев и условий тепловыделения, замены каждой зоны эквивалентной зоной с однородными параметрами, нахождения условий теплообмена каждой зоны с окружающей средой и соседними зонами и определения распределение температуры в каждой зоне методом разделения переменных, при этом плотности тепловых потоков между соседними зонами представляются как суммы соответствующих ортогональных функций с неизвестными весовыми коэффициентами, значения которых находятся из граничных условий сопряжения между всеми соседними зонами.
2. Определение стационарного распределения температуры в структуре терморезистивно-го тонкоплепочного сенсора типа «меандр» осуществляется путем использования конструктивных особенностей сенсора (трансляционная симметрия единичной области, состоящей из полоски меандра и примыкающей к ней свободных участков подложки; значительное различие в толщине подложки и резистивного слоя сенсора), введением теплоге-нерирующей границы между окружающей средой и подложкой на участке подложки, занятом резистивным слоем, и нахождением распределения температуры в единичной области с учетом изменения сопротивления резистивного слоя от температуры.
3. Стационарное распределение температуры в тепловом микроакселерометре с инерционной массой может быть определено путем выделения в его структуре активной области, которая содержит термически изолированную структуру и два воздушных промежутка над и под структурой, где происходит основное изменение температуры от максимального
значения до температуры окружающей среды, введением теплогенерирующей границе между воздушной средой и термически изолированной структурой на участке, занятом нагревателем, и нахождением распределения температуры в активной области с учетом изменения сопротивления нагревателя от его температуры.
4. Стационарное распределение температуры в теплофизических микросенсорах с термически изолированными структурами, работающими при высоких температурах, определяется с использованием итерационного процесса, на каждом шаге которого значения параметров материалов пленочных слоев и условий охлаждения в каждой зоне термически изолированной структурно находятся в зависимости от текущей средневзвешенной температуры в зоне.
5. Оптимизация конструкции тепловых приемников излучения с термическими изолированными структурами консольного и мостового типов реализуется методом множителей Лагранжа с использованием двухзонной модели для определения распределения температуры в структуре приемника и с учетом параметров всех слоев, из которых сформированы элементы приемника излучения, при этом в качестве целевой функции при оптимизации используется удельная вольт-ваттная чувствительность; в качестве ограничения - уравнение для тепловой постоянной времени; в качестве независимых переменных — длина зоны, занятой поглощающим слоем, и длина зоны, занятой термоэлектрическим преобразователем.
6. Распределение высокочастотного тока в структуре пленочного микроэлектроппого электротеплового преобразователя, обусловленное шунтирующим действием батареи термопар, определяется периодичностью изменения погонного сопротивления батареи термопар, погонной емкости и погонной взаимной индуктивности между нагревателем и батареей термопар.
7. Оптимизации конструкции и режима питания термокаталитических газовых сенсоров реализуется на основе алгоритма, использующего уравнения теплового баланса элементов сенсора, включающие температурные зависимости характеристик этих элементов и характеристики мостовой схемы включения сенсора, при этом в качестве целевой функции при оптимизации используется отношение чувствительности сенсора к напряжению питания мостовой схемы его включения; в качестве ограничения — уравнение теплового баланса для элемента сенсора в газовой среде без горючего газа; в качестве независимых переменных - диаметр элемента сенсора и напряжение питания мостовой схемы его включения.
Реализация результатов работы. Результаты диссертационной работы были использованы:
1) при выполнении следующих научно-исследовательских работ и проектов:
- НИР "Исследование возможности создания и внедрения квадратирующего электротеплового преобразователя", государственный регистрационный № 80026634, заказчик -Электроточприбор, г. Омск.
- НИР "Создание высокоэффективных сенсорных элементов, чувствительных к составу газовой среды", договор №17-94 от 30.12.93 г., заказчик СНПВП "Экотоп", г. Омск.
- НИР "Повышение уровня контроля производственных процессов, показателей качества и надежности ТЧЭ газовых сенсоров на базе твердого электролита (для разовых заказов)", договор №3-96/ЭКТ/07-96 от 12.01.96 г., заказчик СНПВП "Экотоп", г. Омск.
- Научно-исследовательский проект "Создание высокоэффективных сенсорных элементов, чувствительных к температуре и составу газовой среды" в рамках Региональной научно-технической программы "Сибирь", утвержденной Министерством науки и технической политики Российской Федерации, Президиумом Сибирского отделения Российской академии наук, Межрегиональной ассоциацией "Сибирское соглашение", 1994-1995 гг..
- Комплексный проект "Исследование физических процессов и разработка физико-химических основ создания материалов и приборных структур для интеллектуальной сенсорной и силовой микроэлектроники", выполняемый в рамках основного научного направления Института сенсорной микроэлектроники СО РАН "Физико-химические основы микросенсорики: материалы и элементная база интеллектуальных интегрированных сенсоров для систем управления, робототехники, контроля жидких и газообразных сред и экологического мониторинга", 1996-2003 гг..
- Проект № И0267/1291 "Интегрированные сенсорные системы для экологического мониторинга" в рамках федеральной целевой программе "Интеграция науки и высшего образования России на 2002 - 2006 годы", 2002-2004 гг..
- Проект № 9.3.5 "Разработка и исследование физико-химических основ создания нано-структурированпых материалов и приборных структур для интегрированных микросенсоров. Исследование физических процессов в сенсорных гетероструктурах" в рамках программы СО РАН № 9.3 "Твердотельные устройства и приборы для микро- и наноэлектро-ники, медицины и экологии", 2004-2006гг..
Похожие диссертационные работы по специальности «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника на квантовых эффектах», 05.27.01 шифр ВАК
Разработка тонкопленочных сорбентов и микроэлектронных химических сенсоров на их основе для контроля содержания вредных и токсичных газов в атмосфере1998 год, кандидат технических наук Сорокин, Святослав Игоревич
Разработка и исследование устройства контроля концентрации паров синильной кислоты на основе каталитического сенсора2001 год, кандидат технических наук Вадова, Лариса Юрьевна
Математическое моделирование и оптимизация тепловых процессов в микроэлектронных структурах2006 год, доктор физико-математических наук Мельников, Александр Александрович
Разработка программно-алгоритмического метода обработки характеристик термокаталитических сенсоров для контроля и анализа многокомпонентных горючих смесей в воздухе2024 год, кандидат наук Осипова Татьяна Владиславовна
Разработка эксплозиметра для контроля интегральной взрывоопасности атмосферы2016 год, кандидат наук Карелин Алексей Павлович
Список литературы диссертационного исследования кандидат наук Козлов, Александр Геннадьевич, 2015 год
ЛИТЕРАТУРА
1. Measurement, Instrumentation, and Sensors Handbook: Ed. J. G. Webster. - CRC Press LLC, 1999.- 1000 p.
2. Датчики измерительных систем: В 2 книгах. Кн. 1. / Ж. Аш [и др.] Пер. с франц.. -М.: Мир, 1992.-480 с.
3. Датчики измерительных систем: В 2 книгах. Кн. 2. / Ж. Аш [и др.] Пер. с франц.. -М.: Мир, 1992.-424 с.
4. Фрайден, Дж. Современные датчики. Справочник / Дж. Фрайден. - М.: Техносфера, 2005. - 592 с.
5. Middelhoek, S. Silicon Sensors / S. Middelhoek, S. A. Audet. - London: Academic Press, 1989.-392 p.
6. Алейников, А. Ф. Датчики. Перспективные направления развития / А. Ф. Алейников, В. А. Гридчин, М. П. Цапенко- Новосибирск: Изд-во НГТУ, 2003. - 285 с.
7. Джексон, Р. Г. Новейшие датчики / Р. Г. Джексон. — М.: Техносфера, 2007. - 384 с.
8. Козлов, А. Г. Сенсоры - основа современной жизнедеятельности человека / А. Г. Козлов // Микросенсорика (материалы и элементная база): Сб. научн. статей/ Под ред. В.В.Болотова. - Омск: Изд-во ОмГПУ.- 2000. - С. 110-112.
9.The MEMS Handbook / Ed. M. Gad-el-IIak. - New York: CRC Press, 2002. - 1368 p.
10. Middelhoek, S. Silicon Sensors / S. Middelhoek, A. A. Bellekom, U. Dauderstadt, P. J. French, S. R. in 4 Hout, W. Kindt, F. Riedijk, M. J. Vellekoop // Measurement Science and Technology. - 1995,- Vol . 6. - P. 1641-1658.
11. Гридчин, В. А. Физика микросистем: В 2 ч. Ч. 1 / В. А. Гридчин, В. П. Драгунов. -Новосибирск: Изд-во НГТУ, 2004.-416 с.
12. Гридчин, В. А. Физика микросистем: В 2 ч. Ч. 2 / В. А. Гридчин, И. Г. Неизвестный, В. Н. Шумский. — Новосибирск: Изд-во НГТУ, 2006. - 496 с.
13. Kovacs, G. Т. A. Micromachined Transducer Sourcebook / G. Т. A. Kovacs. - New. York: McGraw-Hill, 1998 .- P. 213.
14. Senturia, S. D. Simulation and design of microsystems: a 10-year perspective / S. D. Senturia // Sensors and Actuators A. Physical. - 1998. - Vol. 67 - P. 1-7.
15. Senturia, S. D. CAD challenges for microsensors, microactuators, and microsystems / S. D. Senturia//Proceedings of the IEEE. - 1998. - Vol. 86.-P. 1611-1626.
16. Meijer, G. С. M. Thermal sensors / G. С. M. Meijer, A. W. van Herwaarden. - Bristol: Institute of Physics Publishing, 1994.-320 p.
17. Baltes, H. Micromachined thermally based CMOS microsensors / H. Baltes, O. Paul, O. Brand//Proceedings of the IEEE.- 1998.-Vol. 86.-P. 1660-1678.
18. van Herwaarden, S. Physical principles of thermal sensors /S. van Herwaarden // Sensors and Materials. - 1996. - Vol. 8. - P. 373-387.
19. van Herwaarden, A. W. Integrated thermopile sensors /А. W. van Herwaarden, D. C. van Duyn, B. W. van Oudheusden, P. M. Sarro // Sensors and Actuators A. Physical. - 1989. - Vol. 21-23.-P. 621 -630.
20. Akin, T. CMOS-based thermal sensors / T. Akin // Advanced micro and nanosystems. Edited by II. Baltes et all. - Weinheim: Wiley-VCII, 2005. - Vol. 2. CMOS-MEMS. - P. 479-512.
21. Middelhoek, S. Three-dimensional representation of input and output transducers / S. Middelhoek,D J .W .No orlag // Sensors and Actuators.- 1981. - Vol.2. - P.29 -41.
22. Middelhoek, S. Signal conversion in solid-state transducers / S. Middelhoek, D. J. W. Noorlag // Sensors and Actuators.- 1982. - Vol.2 . - P.211 -228.
23. Middelhoek,S. Classif ying solid-state sensors: the 'sensor effect cube' / S.Middelhoek , A. C. Hoogerwerf// Sensors and Actuators- 1986. - Vol.10. - P.l -8.
24. Макги, Дж. Наука о сенсорах - основа измерительной техники / Дж. Макги, И. А. Хендерсон, П. X. Сиденхем //Приборы и системы управления- 1996. -№1. - С. 41-45.
25. Краснощеков, П. С. Принципы построения моделей / П. С. Краснощекое, А. А. Петров. - М.: Изд-во МГУ, 1967. - 264 с.
26. Пашель, М. Моделирование сигналов и систем / М. Пашель. - М.: Мир, 1981. - 300
с.
27. Советов, Б. Я. Моделирование систем / Б. Я. Советов, С. А. Яковлев. - М.: Высшая школа, 1985.-271 с.
28. Зарубин, В. С. Математическое моделирование в технике / В. С. Зарубин. - М.: Изд-во МГТУ им. Н. Э. Баумана, 2001. - 496 с.
29. Самарский, А. А. Математическое моделирование: Идеи. Методы. Примеры / А. А. Самарский, А. П. Михайлов.- М.: ФИЗМАТЛИТ, 2002. - 320 с.
30. Гилл, Ф. Практическая оптимизация / Ф. Гилл, У. Мюррей, М. Райт. - М.: Мир, 1985.-509 с.
31. Ногин, В. Д. Основы теории оптимизации / В. Д. Ногин, И. О. Протодьяконов, И. И. Евлампиев. - М.: Высшая школа, 1986. - 384 с.
32. Реклейтис, Г. Оптимизация в технике: В 2 книгах. Кн. 1. / Г. Реклейтис, А. Рейвиндран, К. Рэгсдел. - М.: Мир, 1986. - 350 с.
33. Реклейтис, Г. Оптимизация в технике: В 2 книгах. Кн. 2. / Г. Реклейтис, А. Рейвиндран, К. Рэгсдел. - М.: Мир, 1986. - 320 с.
34. Черноруцкий, И. Г. Оптимальный параметрический синтез: Электротехнические устройства и системы / И. Г. Черноруцкий. - Л.: Энергоатомиздат, 1987. - 128 с.
35. Finkclstein, L. Mathematical models of instruments - fundamental principles / L. Finkelstein, R. D. Watts//Journal of Physics E: Scientific Instruments. - 1978. - Vol. 11- P. 841855.
36. Millea, A. A systems approach to the evaluation of measuring-instrument performance / A. Millea//Measurement.- 1984.- Vol.2.- P. 6-10.
37. Ваганов, В.И. Основные направления и задачи развития сенсоэлектроники и системный подход к созданию сенсоров и актыоаторов / В. И. Ваганов // в кн.: Датчики на основе технологии микроэлектроники. Материалы конференции. — М.: МДНТП, 1986. — С. 316.
38. Barwicz, A. A system approach to electrical measurement / A. Barwicz // Measurement. -1996.- Vol. 19,- P. 131-138.
39. Zerrik, E. Sensors and regional boundary state reconstruction of parabolic systems / E. Zerrik, L. Badraoui, A. El Jai // Sensors and Actuators A. Physical. - 1999. - Vol. 75. - P. 102— 117.
40. Al-Saphory, R. Sensors characterizations for regional boundary detectability in distributed parameter systems / R. Al-Saphory, A. El Jai, // Sensors and Actuators A. Physical. - 2001. - Vol. 94.-P. 1-10.
41. E. Zerrik, E. Flux reconstruction: sensors and simulations / E. Zerrik, H. Bourray // Sensors and Actuators A. Physical. - 2003. - Vol. 109. - P.34 -46.
42.Ylilammi ,M. Thermod ynamics of sensors / M. Ylilammi // Sensors and Actuators-1989.-Vol. 18,- P. 167-178.
43. van Duyn, D. C. Information transduction in solid-state transducers: a general thermodynamic systems approach / D. C. van Duyn, S. Middelhoek // Sensors and Actuators A. Physical. - 1990. - Vol. 21-23,- P. 25-32.
44. Wachutka, G. Tailored modeling: a way to the 'virtual microtransducer fab'? / G. Wachutka // Sensors and Actuators A. Physical. - 1995.- Vol. 46^17. - P. 603-612.
45. Цирлин, A. M. Методы усредненной оптимизации и их приложения / A.M. Цирлин. - М.: Наука. Физматлит, 1997. - 304 с.
46. Вунш, Г. Теория систем / Г. Вунш.- М.: Советское радио, 1978. - 288 с.
47. Хубка, В. Теория технических систем / В. Хубка. - М.: Мир, 1987. - 208 с.
48. Дитрих, Я. Проектирование и конструирование: Системный подход / Я. Дитрих. -М.: Мир, 1981.-456 с.
49. Бутковский, А. Г. Методы управления системами с распределенными параметрами / А. Г. Бутковский. - М.: Наука, 1975.- 568 с.
50. Бутковский, А. Г. Характеристики систем с распределенными параметрами / А. Г. Бутсковский. - М.: Наука, 1979 - 224 с.
51. Левич, В. Г. Курс теоретической физики. В 2 томах. Т. 2. / В. Г. Левич, 10. А. Вдовин, В. А. Мямлин. - М.: Наука, 1971 - 936 с.
52. Базаров, И. П. Термодинамика / И. П. Базаров - М.: Высшая школа, 1983 - 344 с.
53. Пелецкий, В. Э. Электрическое сопротивление тугоплавких металлов / В. Э. Пелецкий, Э. А. Бельская. - М.: Энергоиздат, 1981 - 96 с.
54. Гольцман, Б. М. Пленочные термоэлементы: физика и применение / Б. М. Гольцман, 3. М. Дашевский, В. И. Кайданов, II. В. Коломоец. - М.: Наука, 1985. - 232 с.
55. Басс Ф. Г. Электроны и фононы в ограниченных полупроводниках / Ф. Г. Басс, В. С. Бочков, Ю. Г. Гуревич. - М.: Наука, 1984. - 288 с.
56. Козлов, А. Г. Тепловые микросенсоры: Классификация. Основные типы / А. Г. Козлов // Нано- и микросистемная техника. - 2006. - № 4. - С. 2-13.
57. Klaassen, Е. Н. Micromachined thermally isolated circuits / E. II. Klaassen, R. J. Reay, C. Storment, G. T. A. Kovacs // Sensors and Actuators A. Physical. - 1997. - Vol. 58. - P. 43-50.
58. Mityakov, A.V. Gradient heat flux sensors for high temperature environments / A.V. Mityakov, S.Z. Sapozhnikov, V.Y. Mityakov, A.A. Snarskii, M.I. Zhenirovsky, J.J. Pyrhonen // Sensors and Actuators A. Physical. - 2012.- V. 176.- P. 1-9.
59. Сапожников, С.З. Градиентные датчики теплового потока на основе искусственно анизотропных термоэлементов / С.З. Сапожников, А.А. Снарский, В.Ю. Митяков, М.И. Женировский, А.В. Митяков // Термоэлектричество. - 2010. - № 4. - С. 42-56.
60. Paul, О. Determination of the thermal conductivity of CMOS 1С polysilicon / O. Paul, J. Korvink, H. Baltes // Sensors and Actuators A. Physical. - 1994. - Vol. 41^12. - P. 161-164.
61. Dillner, U. Thermal simulation and realization of micromachined thermal sensor arrays / U. Dillner // Proceedings of 5th NEXUSPAN workshop on thermal aspects in microsystem technology "Nexuspan 1998".- Budapest. - 1998. - P. 133-141.
62. Elbel, T. Miniaturized thermoelectric radiation sensors / T. Elbel // Sensors and Materials. - 1991.-Vol. 3.-P. 97-109.
63. Elbel, T. Model of thermoelectric radiation sensors made by CMOS and micromachining / T. Elbel, R. Lenggenhager, H. Baltes // Sensors and Actuators A. Physical. - 1992. - Vol. 35. - P. 101-106.
64. Volklein, F. Optimization tool for the performance parameters of thermoelectric microsensors / F. Volklein, II. Baltes // Sensors and Actuators A. Physical. - 1993. - Vol. 36. - P. 65-71.
65. Lee, J.-B. Optimization and fabrication of a dual thermopile sensor based on the BEM / J.B. Lee, I.-S. Kim, Y.-C. Sim, T.-C. Kim // Sensors and Actuators A. Physical. - 1998. - Vol. 64. -P. 179-184.
66. Socher, E. Optimal design and noise considerations of CMOS compatible IR thermoelectric sensors / E. Socher, O. Degani, Y. Nemirovsky // Sensors and Actuators A. Physical. - 1998.-Vol. 71.-P. 107-115.
67. Zhou, H. Development of a thermopile infrared sensor using stacked double polycrystalline silicon layers based on the CMOS process / II. Zhou, P. Kropelnicki, J. M. Tsai, C. Lee // Journal of Micromechanics and Microengineering. - 2013. - Vol. 23. - 065026 (14p).
68. Klaassen, E. II. Diode-based thermal r.m.s. converter with on-chip circuitry fabricated using CMOS technology / E. H. Klaassen, R. J. Reay, G. T. A. Kovacs // Sensors and Actuators A. Physical. - 1996. - Vol. 52. - P. ЗЗ^Ю.
69. Kim, J.-S. A Planar Bi-Sb multijunction thermal converter with small AC-DC transfer differences / J.-S. Kim, II.-C. Lee, J.-H. Lee, J.-II. Lee, S. I. Park, S.-W. Kwon // IEEE Transactions on Instrumentation and Measurement. - 2002. - Vol. 51. - P. 115-119.
70. van Herwaarden, A. W. Liquid and gas micro-calorimeters for (bio)chemical measurements / A. W. van Herwaarden, P. M. Sarro, J. W. Gardner, P. Bataillard // Sensors and Actuators A. Physical. - 1994. - Vol. 43. - P. 24-30.
71. Ischzuya, T. Optically readable Bi-material infrared detector / T. Ischzuya, J. Suzuki, K. Akagawa, T. Kazama // Infrared technology and applications XXVII. Proceedings of SPIE. - 2001. -V. 4369.-P. 342-349.
72. Фетисов, E. А. Наноэлектромеханические термочувствительные элементы / E. A. Фетисов, В. А. Федирко, P. 3. Хафизов, В. И. Золотарёв, Д. А. Зешок, Г. А. Рудаков // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем - 2010. Сборник трудов,- М.: ИППМ РАН, 2010. - С. 638-641.
73. Lin, I.-K. The deformation of microcantilever-based infrared detectors during thermal cycling / I.-K. Lin, Y. Zhang, X. Zhang // Journal of Micromechanics and Microengineering. -2008.-Vol. 18.-075012 (9p).
74. Huang, S. Development of double-cantilever infrared detectors: Fabrication, curvature control and demonstration of thermal detection / S. Huang, H. Tao, I.-K. Lin, X. Zhang // Sensors and Actuators A. Physical. - 2008. - Vol. 145-146. - P. 231-240.
75. Elwenspoek, M. Mechanical microsensors / M. Elwenspoek, R. Wiegerink. - Berlin: Springer.-2001.-295 p.
76. Parameswaran, M. A CMOS thermally isolated gas flow sensor / M. Parameswaran, A. M. Robinson, L. Ristic, K. Chau, W. Allegretto // Sensors and Materials. - 1990. - Vol. 2. - P. 1726.
77. Moser, D. A high sensitivity CMOS gas flow sensor on a thin dielectric membrane / D. Moser, H. Baltes // Sensors and Actuators A. Physical. - 1993. - V. 37-38. - P. 33-37.
78. Kersjes, R. A fast liquid flow sensor with thermal isolation by oxide filled trenches / R. Kersjes, W. Mokwa // Sensors and Actuators A. Physical. - 1995. - Vol. 46 -47. - P. 373-379.
79. Neda, T. A polysilicon flow sensor for gas flow meters / T. Neda, K. Nakamura, T. Takumi // Sensors and Actuators A. Physical. - 1996. - Vol. 54. - P. 626-631.
80. Sun, J. Fabrication and characterization of a double-heater based MEMS thermal flow sensor / J. Sun, D. Cui, L. Zhang, X. Chen, H. Cai, H. Li // Sensors and Actuators A. Physical. -2013.-Vol. 193.-P. 25-29.
81. Volklein, F. A vacuum microsensor for the low-vacuum range / F. Volklein, W. Schnelle // Sensors and Materials. - 1991. - Vol. 3. - P. 41-48.
82. Weng, P. K. Micro-Pirani vacuum gauge / P. K. Weng, J.-S. Shie // Review of Scientific Instruments. - 1994. - Vol. 65. - P. 492-499.
83. Paul,0 .Novel full y CMOS-compatible vacuum sensor / O. Paul, II. Baltes // Sensors and Actuators A. Physical. - 1995. - Vol. 46^17. - P. 143-146.
84. Klaassen, E. II. Integrated thermal-conductivity vacuum sensor IE. I I. Klaassen, G. T. A. Kovacs // Sensors and Actuators A. Physical. - 1997. - Vol. 58. - P. 37-42.
85. Mailly, F. Pirani pressure sensor for smart wafer-level packaging / F. Mailly, N. Dumasa, N. Pous, L. Latorre, O. Garel, E. Martincic, F. Verjus, C. Pellet, E. Dufour-Gergam, P. Nouet // Sensors and Actuators A. Physical. - 2009. - Vol. 156. - P. 201-207.
86. Gajda, M. A. Applications of thermal silicon sensors on membranes / M. A. Gajda, II. Ahmed // Sensors and Actuators A. Physical. - 1995. - Vol. 49. - P. 1-9.
87. Simon, I. Thermal and gas-sensing properties of a micromachined thermal conductivity sensor for the detection of hydrogen in automotive applications / I. Simon, M. Arndt // Sensors and Actuators A. Physical. - 2002. - Vol. 97-98. - P. 104-108.
88. Yazdi, N. Micromachined inertial sensors / N. Yazdi, F. Ayazi, K. Najafi // Proceedings of the IEEE. - 1998. - Vol.86. - P. 1640-1659.
89. Dauderstadt, U. A. Silicon accelerometer based on thermopiles /U. A. Dauderstadt, P. II. S. de Vries, R. Iliratsuka, P. M. Sarro // Sensors and Actuators A. Physical. - 1995. - Vol. 46-47. -P.201-204.
90. Dauderstadt, U. A. Temperature dependence and drift of a thermal accelerometer / U. A. Dauderstadt, P. M. Sarro, P. J. French // Sensors and Actuators A. Physical. - 1998. - Vol. 66. - P. 244-249.
91. Luo, X. B. An optimized micromachined convective accelerometer with no proof mass / X. B. Luo, Y. J. Yang, F. Zheng, Z. X. Li, Z. Y. Guo // Journal of Micromechanics and Microengineering. - 2001. - Vol. 11. - P. 504-508.
92. Luo, X. B. Thermal optimization on micromachined convective accelerometer / X. B. Luo, Z. X. Li, Z. Y. Guo, Y. J. Yang // Heat and Mass Transfer. - 2002. - Vol. 38,- P. 705-712.
93. Mailly, F. Micromachined thermal accelerometer / F. Mailly, A. Giani, A. Martinez, R. Bonnot, P. Temple-Boyer, A. Boyer // Sensors and Actuators A. Physical. - 2003. - Vol. 103. - P. 359-363.
94. Mailly, F. Effect of gas pressure on the sensitivity of a micromachined thermal accelerometer / F. Mailly, A. Martinez, A. Giani, F. Pascal-Delannoy, A. Boyer // Sensors and Actuators A. Physical. - 2003. - Vol. 109. - P. 88-94.
95. Mailly, F. Design of a micromachined thermal accelerometer: thermal simulation and experimental results / F. Mailly, A. Martinez, A. Giani, F. Pascal-Delannoy, A. Boyer // Microelectronics Journal. - 2003. - Vol. 34. - P. 275-280.
96. Billat, S. Micromachined inclinometer with high sensitivity and very good stability / S. Billat, II. Glosch, M. Kunze, F. Hedrich, J. Freeh, J. Auber, H. Sandmaier, W. Wimmer, W. Lang // Sensors and Actuators A. Physical. - 2002. - V. 97-98. - P. 125-130.
97. Courteaud, J. Thermal simulation and experimental results of a micromachined thermal inclinometer / J. Courteaud, P. Combette, N. Crespy, G. Cathebras, A. Giani // Sensors and Actuators A. Physical. - 2008.- V. 141,- P. 307-313.
98. Simon, I. Micromachined metal oxide gas sensors: opportunities to improve sensor performance / I. Simon, N. Barsan, M. Bauer, U. Weimar // Sensors and Actuators B. Chemical. -2001.-Vol. 73.-P. 1-26.
99. Semancik, S. Microhotplate platforms for chemical sensor research / S. Semancik, R. E. Cavicchi, M. C. Wheeler, J. E. Tiffany, G. E. Poirier, R. M. Walton, J. S. Suehle, B. Panchapakesan, D. L. DeVoe // Sensors and Actuators B. Chemical. - 2001. - Vol. 77. - P. 579591.
100. Dubbe, A. Fundamentals of solid state ionic micro gas sensors / A. Dubbe // Sensors and Actuators B. Chemical. - 2003. - Vol. 88. - P. 138-148.
101. Козлов, А. Г. Газовые сенсоры на основе высокотемпературных протонпроводящпх твердых электролитов: состояние и перспективы развития / А. Г. Козлов,
A. Н. Удод // Сенсор. - 2004. - № 3. - С. 2-21.
102. Udrea, F. Design and simulations of SOI CMOS micro-hotplate gas sensors / F. Udrea, J. W. Gardner, D. Setiadi, J. A. Covington, T. Dogaru, С. C. Lu, W. I. Milne // Sensors and Actuators
B. Chemical. - 2001. - Vol. 78. - P. 180-190.
103. Lammerink, T. S. F. Thermal actuation of clamped silicon microbeams / T. S. I7. Lammerink, M. Elwenspoek, J. H. J. Fluitman // Sensors and Materials. - 1992. - Vol. 3. - P. 217238.
104. Berger, R. Micromechanics: A toolbox for femtoscale science: toward a laboratory on a tip / R. Berger, C. Gerber, II. P. Lang, J. K. Gimzewski // Microelectronic Engineering. - 1997. -Vol. 35. - P. 373-379.
105. Zanini, M. Fabrication and properties of a Si-based high-sensitivity microcalorimetric gas sensor / M. Zanini, J. H. Visser, L. Rimai, R. E. Soltis, A. Kovalchuk, D. W. Hoffman, E. M. Logothetis, U. Bonne, L. Brewer, O. W. Bynum, M. A. Richard // Sensors and Actuators A. Physical. - 1995.-Vol. 48.-P. 187-192.
106. Lee, S. M. Design and optimisation of a high-temperature silicon micro-hotplate for nanoporous palladium pellistors / S. M. Lee, D. C. Dyer, J. W. Gardner // Microelectronics Journal. - 2003. - Vol. 34. - P. 115-126.
107. Sun, J. Design, modeling, microfabrication and characterization of novel micro thermal conductivity detector / J. Sun, D. Cui, X Chen, L. Zhang, H. Cai, II. Li // Sensors and Actuators B. Chemical.-2011.-Vol. 160.-P. 936-941.
108. Козлов, А. Г. Тепловые микросенсоры: Конструктивные особенности / А. Г. Козлов//Нано-и микросистемная техника. - 2008 - № 1— С. 16-28.
109. Васильев, А. А. Новый подход к микромашиной технологии изготовления сенсоров: микроэлектронные чипы с тонкой мембраной из оксида алюминия / А. А. Васильев, С. Ю. Гогиш-Клушин, Д. 10. Харитонов, М. Паранджапе, В. Г. Певгов, А. В. Писляков // Сенсор. - 2002. - № 3. - С. 23-29.
110. Dehe, A. Infrared thermopile sensor based on AlGaAs-GaAs micromachining / A. Dehe, K. Fricke, H. L. Hartnagel // Sensors and Actuators A. Physical. - 1995. Vol. 46-47. - P. 432^136.
111. Chou, B. S. C. Micromachining on (11 l)-oriented silicon / B. S. C. Chou, C.-N. Chen, J.-S. Shie // Sensors and Actuators A. Physical. - 1999.- Vol. 75. - P. 271-277.
112. Baltes, H. Future of 1С microtransducers / H. Baltes // Sensors and Actuators A. Physical. - 1996,- Vol. 56. - P. 179-192.
113. van Herwaarden, A. W. Thermal sensors based on the Seebeck effect / A. W. van Herwaarden, P. M. Sarro // Sensors and Actuators. - 1986. - Vol. 10. - P. 321-346.
114. Sarro, P. M. An iategrated thermal infrared sensing array / P. M. Sarro, II. Yashiro, A. W. van Herwaarden, S. Middelhoek // Sensors and Actuators. - 1988. - V. 14. - P. 191-201.
115. van Herwaarden, A. W. Perfomance of integrated thermopile vacuum sensors / A. W. van Herwaarden, P. M. Sarro // Journal Physics E: Scientific Instruments. - 1988. -Vol. 21. - P. 1162-1167.
116. van Baar, J. J. Micromachined structures for thermal measurements of fluid and flow parameters / J. J. van Baar, R. J. Wiegerink, T. S. J. Lammerink, G. J. M. Krijnen, M. Ehvenspoek // Journal of Micromechanics and Microengineering. - 2001. - Vol. 11. -P .311-318.
117. van Baar, J. J. Pirani pressure sensor with distributed temperature sensing / J. J. van Baar, R. J. Wiegerink, T. S. J. Lammerink, G. J. M. Krijnen, M. Ehvenspoek // Proceedings of IMECE'01 2001 ASME International Mechanical Engineering Congress and Exposition. - New York.- 2001,- P. 1-8.
118. Paul, O. Thermal conductivity of CMOS materials for the optimization of microsensors / O. Paul, II. Baltes // Journal of Micromechanics and Microengineering. - 1993. - Vol. 3. - P. 110112.
119. Schneeberger, N. CMOS microsystems for thermal presence detection /N. Schneeberger // Ph.D. thesis no 12675. - ETII Zurich, Switzerland. - 1998. - 138 p.
120. Schieferdecker, J. Infrared thermopile sensors with high sensitivity and very low temperature coefficient / J. Schieferdecker, R. Quad, E. Ilolzenkampfer, M. Schulze // Sensors and Actuators A. Physical. - 1995. - V. 46-47. - P. 422-427.
121. Lee, M. Detectivity of thin-film NTC thermal sensors / M. Lee, M. Yoo // Sensors and Actuators A. Physical. - 2002. - Vol. 96,- P. 97-104.
122. Ko, J. S. Substrate effects on the properties of the pyroelectric thin film IR detectors / J. S. Ko, W. Liu, W. Zhu // Sensors and Actuators A. Physical. -2001. - Vol. 93,- P. 117-122.
123. Chung, W.-Y. Thermal and gas-sensing properties of planar-type micro gas sensor / W.Y. Chung, J.-W. Lim, D.-D. Lee, N. Miura, N. Yamazoe // Sensors and Actuators B. Chemical. -2000.-Vol. 64,- P. 118-123.
124. Aigner, R. Si-planar-pellistor: designs for temperature modulated operation / R. Aigner, M. Dietl, R. Katterloher, V. Klee // Sensors and Actuators B. Chemical. - 1996. - Vol. 33. - P. 151-155.
125. Hung, S.-T. The development and application of microthermal sensors with a mesh-membrane supporting structure / S.-T. Hung, S.-C. Wong, W. Fang // Sensors and Actuators A. Physical. - 2000. - Vol. 84,- P. 70-75.
126. Sedky, S. IR bolometers made of polycrystalline silicon germanium / S. Sedky, P. Fiorini, M. Gaymax, A. Verbist, C. Baert// Sensors and Actuators A. Physical. - 1998. - Vol. 66-P. 193-199.
127. Cavicchi, R. E. Spin-on nanoparticle tin oxide for microhotplate gas sensors / R. E. Cavicchi, R. M. Walton, M. Aquino-Class, J. D. Allen, B. Panchapakesan // Sensors and Actuators B. Chemical.-2001.-Vol. 77.- P. 145-154.
128. Qian, X. Self-heating cancellation circuits for microbolomctcr / X. Qian, Y. P. Xua, G. Karunasiri // Sensors and Actuators A. Physical. - 2004. - Vol. 111.- P. 196-202.
129. Dong, L. An uncooled microbolometer infrared detector based on poly-SiGe thermistor / L. Dong, R. Yue, L. Liu // Sensors and Actuators A. Physical. - 2003. - V. 105,- P. 286-292.
130.Zha ng, L. Design, simulation and testing on a light modulating thermal image device / L. Zhang, G.Yan g // Journal of Micromechanics and Microengineering. - 2001. -Vol. 11. - P. 85-93.
131. Fung, S. K. II. Thermal analysis and design of a micro-hotplate for integrated gas-sensor applications / S. K. II. Fung, Z. Tang, P. C. II. Chan, J. K. O. Sin, P. W. Cheung // Sensors and Actuators A. Physical. - 1996. - Vol. 54.- P. 482^187.
132. Mailly, F. Anemometer with hot platinum thin film / F. Mailly, A. Giani, R. Bonnot, P. Temple-Boyer, F. Pascal-Delannoy, A. Foucaran, A. Boyer // Sensors and Actuators A. Physical. -2001.-V. 94,- P. 32-38.
133. Bruschi, P. A double heater integrated gas sensor with thermal feedback /P. Bruschi, A. Diligenti, D. Navarrini, M. Piotto // Sensors and Actuators A. Physical. - 2005. -Vol. 123-124. - P. 210-215.
134. Socher, E. A novel spiral CMOS compatible micromachined thermoelectric IR microsensor / E. Socher, O. Bochobza-Degani, Y. Nemirovsky // Journal of Micromechanics and Microengineering. - 2001. - V. 11. - P. 574-576.
135. Cavicchi, R. E. Micro-differential scanning calorimeter for combustible gas sensing / R.
E. Cavicchi, G. E. Poirier, N. H. Tea, M. Afridi, D. Berning, A. Hefner, J. Suehle, M. Gaitan, S. Semancik, C. Montgomery // Sensors and Actuators B. Chemical. - 2004. - Vol. 97,- P. 22-30.
136. Furjes, P. Thermal effects by the sensitive coating of calorimetric gas sensors / P. Furjes, M. Adam, Cs. Diicso, J. Zettner, I. Barsony // Sensors and Actuators B. Chemical. - 2005. -Vol. 111-112.- P. 96-101.
137. Rossi, C. Realization and performance of thin Si02/SiNx membrane for microheater applications /C. Rossi, P. Temple-Boyer, D. Esteve // Sensors and Actuators A. Physical. -1998. -Vol. 64,- P. 241-245.
138. Moler, S. Material and design considerations for low-power microheater modules for gas-sensor applications / S. Moler, J. Lin, E. Obermeier // Sensors and Actuators B. Chemical. -1995.-Vol. 24-25,- P. 343-346.
139. Eminoglu, S. Low-cost uncooled infrared detectors in CMOS process / S. Eminoglu, D. S. Tezcan, M. Y. Tanrikulu, T. Akin // Sensors and Actuators A. Physical. - 2003. - Vol. 109. - P. 102-113.
140. Dusco, Cs. Porous silicon bulk micromachining for thermally isolated membrane formation / Cs. Diisco, E. Vazsonyi, M. Adam, I. Szabo, I. Barsony, J. G. E. Gardeniers, A. van den Berg // Sensors and Actuators A. Physical. - 1997. -Vol. 60.- P. 235-239.
141. Nguyen, C.-A. Characterization of uncooled bolometer with vanadium tungsten oxide infrared active layer / C.-A. Nguyen, H.-J. Shin, K. T. Kim, Y.-H. Han, S. Moon // Sensors and Actuators A. Physical. - 2005.-Vol. 123-124.- P. 87-91.
142. Ashauer, M. Thermal flow sensor for liquids and gases based on combinations of two principles / M. Ashauer, H. Glosch, F. Iledrich, N. Hey, H. Sandmaier, W. Lang // Sensors and Actuators A. Physical. - 1999. - Vol. 73,- P. 7-13.
143. Glaninger, A. Wide range semiconductor flow sensors / A. Glaninger, A. Jachimowicz,
F. Kohl, R. Chabicovsky, G. Urban // Sensors and Actuators A. Physical. - 2000. - Vol. 85. - P. 139-146.
144. Grudin, О. M. Thermal microsensor with a.c. heating for gas-pressure measurements / O. M. Grudin, G. A. Frolov, I. I. Katsan, В. I. Lupina // Sensors and Actuators A. Physical. -1997. -Vol. 62.- P. 571-575.
145. Kaltsas, G. Novel C-MOS compatible monolithic silicon gas flow sensor with porous silicon thermal isolation. / G. Kaltsas, A. G. Nassiopoulou // Sensors and Actuators A. Physical. -1999.-Vol. 76,- P. 133-138.
146. Pagonis, D. N. Fabrication and testing of an integrated thermal flow sensor employing thermal isolation by a porous silicon membrane over an air cavity / D. N. Pagonis, G. Kaltsas, A. G. Nassiopoulou // Journal of Micromechanics and Microengineering. - 2004. - Vol. 14. - P. 793797.
147. Tsamis, C. Thermal properties of suspended porous silicon micro-hotplates for sensor applications / C. Tsamis, A. G. Nassiopoulou, A. Tserepi // Sensors and Actuators B. Chemical. -
2003.-Vol. 95,- P. 78-82.
148. Lysenko, V. Thermal isolation in microsystem with porous silicon / V. Lysenko, S. Perichon, B. Remaki, D. Barbier // Sensors and Actuators A. Physical. - 2002. - Vol. 99. - P. 1324.
149. Kim, S. A circular-type thermal flow direction sensor free from temperature compensation / S. Kim, S. Kim, Y. Kim, S. Park // Sensors and Actuators A. Physical. - 2003. -Vol. 108,- P. 64-68.
150. Liua, S.-J. Thermal-sensitive BST thin film capacitors for dielectric bolometer prepared by RF magnetron sputtering / S.-J. Liua, X.-B. Zeng, J.-H. Chua // Microelectronics Journal. -
2004.-Vol. 35.-P. 601-603.
151. Chung, G.-S. Fabrication and characterization of micro-heaters with low-power consumption using SOI membrane and trench structures / G.-S. Chung // Sensors and Actuators A. Physical. - 2004. - Vol. 112.- P. 55-60.
152. Kinard, J. R. Development of thin-film multijunction thermal converters at NIST / J. R. Kinard, D. B. Novotny, Т. E. Lipe, D.-X. Huang // IEEE Transactions on Instrumentation and Measurement. - 1997. - Vol. 46. - P. 347-351.
153. Wiche, G. Thermal analysis of silicon carbide based micro hotplates for metal oxide gas sensors / G. Wiche, A. Berns, H. Steffes, E. Obermeier // Sensors and Actuators A. Physical. -
2005.-Vol. 123-124,- P. 12-18.
154. Корляков, А. В. Применение SiC-микронагревательных систем в микросистемной технике / А. В. Корляков, В. В. Лучинин, И. В. Никитин // Микросистемная техника. - 2000. - № 2- С. 27-31.
155. Sheng, L. A low-power CMOS compatible integrated gas sensor using maskless tin oxide sputtering /L. Sheng, Z. Tang, J. Wu, P. C. II. Chan, J. K. O. Sin // Sensors and Actuators B. Chemical. - 1998. - Vol. 49,- P. 81-87.
156. Klonz, M. Accurate thin film multijunction thermal converter on a silicon chip / M. Klonz, T. Weimann // IEEE Transactions on Instrumentation and Measurement. - 1989. - Vol. 38. -P. 335-337.
157. Creemera, J. F. Microhotplates with TiN heaters / J. F. Creemera, D. Briand, II. W. Zandbergen, W. van der Vlist, C. R. de Boer, N. F. deRooij, P. M. Sarro // Sensors and Actuators A. Physical. -2008. - Vol. 148. - P. 416-421.
158. Lang, W. Absorbing layers for thermal infrared detectors / W. Lang, K. Kiihl, II. Sandmaier // Sensors and Actuators A. Physical.- 1992. - Vol.3 4,- P. 243-248.
159. Lee, J. S. Fabrication of a micro catalytic gas sensor using thin film process and Si anisotropic etching techniques / J. S. Lee, J. W. Park, S. M. Shin // Sensors and Actuators B. Chemical. - 1997. - Vol. 45,- P. 265-269.
160. Gouda, G. M. Preparation and characterization of thin film thermistors of metal oxides of manganese and vanadium (Mn-V-O) / G. M. Gouda, C.L. Nagendra // Sensors and Actuators A. Physical. - 2013. - Vol. 190.-P. 181-190.
161. Jiang, L. Micromachined polycrystalline thin film temperature sensors / L. Jiang, M. Wong, Y. Zohar // Measurement Science and Technology. - 1999. - Vol. 10. - P. 653-664.
162. Graf, A. Review of micromachined thermopiles for infrared detection / A. Graf, M. Arndt, M. Sauer, G. Gerlach // Measurement Science and Technology. - 2007. - Vol. 18. - P. R59-R75.
163. Baer, W. G. A 32-element micromachined thermal imager with on-chip multiplexing / W. G. Baer, K. Najafi, K. D. Wise, R. S. Toth // Sensors and Actuators A. Physical. - 1995. - Vol. 48,- P. 47-54.
164. Thapa, S. The thermopile: An anisotropic temperature sensor / S. Thapa, S. M. Tangutooru, E. J. Guilbeau, N. D. Crews // Sensors and Actuators A. Physical. - 2012. - Vol. 187. -P. 132-140.
165. Saul, C. K. Diode-based microfabricated hot-plate sensor / C. K. Saul, J. N. Zemel // Sensors and Actuators A. Physical. - 1998. - Vol. 65,- P. 128 -135.
166. Briand, D. Thermally isolated MOSFET for gas sensing applications / D. Briand, H. Sundgren, B. van der Schoot, I. Lundstrom, N. F. de Rooij // IEEE Electron Device Letters. - 2001. -Vol.22.- P. 11-13.
167. Puers, R. The NanoPirani - an extremely miniaturized pressure sensor fabricated by focused ion beam rapid prototyping / R. Puers, S. Reyntjens, D. De Bruyker // Sensors and Actuators A. Physical. - 2002. - V. 97-98,- P. 208-214.
168. Paul, О. Process-dependent thermophysical properties of CMOS 1С thin films / O. Paul, M. von Arx, H. Baltes // Proceedings of the 8th International Conference on Solid-State Sensors and Actuators and Eurosensors IX - Stockholm, Sweden- 1995 - P. 178-181.
169. Физические величины: Справочник / А. П. Бабичев [и др.]; Под ред. И. С. Григорьева, Е. 3. Мейлихова. - М.: Эиергоатомиздат, 1991. - 1232 с.
170. Справочник по электротехническим материалам: В 3 томах. Т. 3. / Под ред. Ю. В. Корицкого, В. В. Пасынкова, Б. М. Тареева. — JL: Эиергоатомиздат, 1988. - 728 с.
171. Физико-химические свойства окислов: Справочник / Г. В. Самсонов [и др.]; Под ред. Г. В. Самсонова. - М.: Металлургия, 1969. - 456 с.
172. Платина, ее сплавы и композиционные материалы / Е. В. Васильева [и др.]. - М.: Металлургия, 1980. — 296 с.
173. Сегерлинд, JI. Применение метода конечных элементов / JI. Сегерлинд. - М.: Мир, 1979.-392 с.
174. Зарубин, В. С. Инженерные методы решения задач теплопроводности / В. С. Зарубин. - М.: Эиергоатомиздат, 1983. - 328 с.
175. Дульнев, Г. Н. Методы расчета теплового режима приборов / Г. II. Дульнев, В. Г. Парфенов, А. В. Сигалов. - М.: Радио и связь, 1990. - 312 с.
176. Самарский, А. А. Вычислительная теплопередача / А. А. Самарский, П. II. Вабишевич.- М.: Едиториал УРСС, 2003. - 784 с.
177. Вержбицкий, В. М. Основы численных методов / В. М. Вержбицкий. - М.: Высшая школа, 2002. - 840 с.
178. Бенерджи, П. Методы граничных элементов / П. Бенерджи, Р. Баттерфилд. - М.: Мир, 1984.-494 с.
179. Коваль, В. А. Автоматизация теплового проектирования микроэлектронных устройств средствами САПР / В. А. Коваль, Д. В. Федасюк, В. В. Маслов, В. Ф. Тарновский. -Львов: Выща школа. Изд-во при Львов, ун-те, 1988. -256 с.
180. Мельников, А. А. Расчет температурных полей в многослойных фотоприемных структурах / А. А. Мельников // Микросистемная техника. - 2000. - № 2. - С. 21-26.
181. Мельников, А. А. Математическое моделирование и оптимизация тепловых процессов в микроэлектронных структурах: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук: 05.27.01. / А. А. Мельников. — М., 2006. — 42 с.
182. Dillner, U. Low power consumption thermal gas-flow sensor based on thermopiles of highly effective thermoelectric materials / U. Dillner, E. Kessler, S. Poser, V. Baier, J. Mtiller // Sensors and Actuators A. Physical.- 1997. - Vol. 60 - P. 1-4.
183. Laiz,II. D ynamic non-linear electro-thermal simulation of a thin-film thermal converter / 1-1. Laiz,M. Klonz // Microelectronics Journal.- 1999. - Vol. 30.- P. 1155-1162.
184. Astie S. Optimizatiom of an integrated SnC>2 gas sensor using a FEM simulator / S. Astie, A. M. Gue, E. Scheid, L. Lescouzeres, A. Cassagnes // Sensors and Actuators A. Physical. -1998.- Vol. 69. - P.205 -211.
185. Chung W.-Y., Studies on thermal properties of a micro gas sensing element array with central single heater / W.-Y. Chung, J.-W. Lim, D.-D. Lee // Sensors and Actuators B. Chemical. -2002.-Vol. 83.-P. 281-284.
186. Puigcorbe, J., Thermo-mechanical analysis of micro-drop coated gas sensors / J. Puicorbe, A. Vila, J. Cerda, A. Cirera, I. Cracia, C. Cane, J. R. Morante //Sensors and Actuators A. Physical. - 2002. - Vol. 97-98. - P. 379-385.
187. Puigcorbe, J. Thermal fatigue modeling of micromachined gas sensors / J. Puigcorbe, A. Vila, J. R. Morante // Sensors and Actuators B. Chemical. - 2003. - Vol. 95. - P. 275-281.
188. Singh, I. 3D simulations and electro-ehermal analysis of micro-hotplate designs using CoventorWare for gas sensor applications / I. Singh, S. Mohan // Proceedings of International Conference on Smart Materials Structures and Systems "ISSS 2005". - Bangalore, India, 2005. - P. SE56-SE63.
189. Vizvary, Zs. Thermomechanical analysis of hotplates by FEM / Zs. Vizvary, P. Fiirjes, I. Barsony // Microelectronics Journal. - 2001. - Vol. 32. - P. 833-837.
190. Dumitrescu, M. Thermal simulation of surface micromachined polysilicon hot plates of low power consumption / M. Dumitrescu, C. Cobianu, D. Lungu, D. Dascalu, A. Pascu, S. Kolev, A.van den Berg // Sensors and Actuators A. Physical. - 1999. - Vol. 76. - P. 51-56.
191. Sinha, S. Design & Electro-Thermal Analysis of Microheater for Low Temperature MEMS based Gas Sensor / S. Sinha, S. Roy, C. K. Sarkar // Proceedings of International Symposium on Devices MEMS, Intelligent Systems & Communication (ISDMISC). - Majhitar, Sikkim, India, 2011. - P. 26-31.
192. Kolev, S. D. Mathematical modelling of a porous silicon-based pellistor-type catalytic flammable gas sensor / S. D. Kolev, M. Adam, I. Barsony, A. van den Berg, C. Cobianu, S. Kulinyi // Microelectronics Journal.- 1998. - Vol. 29. - P. 235-239.
193. Kolev, S. D. Thermal modelling of a porous silicon-based pellistor-type catalytic flammable gas sensor with two supporting beams / S.D. Kolev, M. Adam, C. Diicso, I. Barsony, C. Cobianu, A. van den Berg // Microelectronics Journal. - 2000. - Vol. 31. - P. 339-342.
194. Kriegl, W. MICROTHERM: a program for thermall modeling of microstructures / W. Kriegl, P. Steiner, B. Folkmer, W. Lang // Sensors and Actuators A. Physical. - 1995. - Vol. 46-47. -P. 637-639.
195. Lee, S. S. Electrothermal Simulation of Integrated Circuits / S. S. Lee, D. J. Allstot // IEEE Journal of Solid-State Circuits. - 1993. - Vol. 28,- P. 1283-1293.
196. Tiirkes, P. Electro-thermal simulation of power electronic systems / P. Tiirkes, J. Sigg // Microelectronics Journal. - 1998. - Vol. 29. - P. 785-790.
197. d'Alessandro, V. A critical review of thermal models for electro-thermal simulation / V. d'Alessandro, N. Rinaldi // Solid-State Electronics.- 2002. - Vol. 46.- P. 487-496.
198. Petrosyants, К. O. Multi-level Thermal Design of Electronic Components: from Submicron Devices and ICs to Systems on a Board / К. O. Petrosyants, P. A. Kozynko, I. A. Kharitonov, N. I. Rjabov // Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium, EWDTS' 10. - Kharkov, Ukraine.-2010. - P. 330-333.
199. Петросянц, К. О. Моделирование тепловых режимов электронных компонентов / К. О. Петросянц // Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА. Материалы XII Научно-технической конференции. - М. : МПТОРЭС им. А. С. Попова. — 2013.-С. 229-232.
200. Дульнев, Г. Н., Семяшкин Э.М. Теплообмен в радиоэлектронных аппаратах / Г. Н. Дульнев, Э. М. Семяшкин,- JL: Энергия, 1968. - 360 с.
201. Szekely, V. TIIERMODEL: a tool for compact dynamic thermal model generation / V. Szekely // Microelectronics Journal.- 1998. - Vol. 29. - P. 257-267.
202. Pike, A. Thermal modelling and characterisation of micropower chemoresistive silicon sensors / A. Pike, J. W. Gardner // Sensors and Actuators B. Chemical. - 1997. - Vol. 45. - P. 1926.
203. Dauderstadt, U. A. Simulation aspects of a thermal accelerometer / U. A. Dauderstadt, P. H. S. de Vries, R. Iliratsuka, J. G. Korvink, P. M. Sarro, H. Baltes, S. Middelhoek // Sensors and Actuators A. Physical. - 1996. - Vol. 55. - P. 3-6.
204. Lu, C.-C. 3D thermo-electro-mechanical simulations of gas sensors based on SOI membranes / C.-C. Lu, D. Sctiadi, F. Udrea, W. I. Milne, J. A. Covington, J. W. Gardner // Proceedings of International Conference on Modeling and Simulation of Microsystems "MSM 2000".- San Diego, 2000. - P. 297-300.
205. Chariot, B. Fault simulation of MEMS using HDLS / B. Chariot, S. Mir, B. Courtois // Journal of Modeling and Simulation of Microsystems - 2001. - Vol. 2. - P. 35-42.
206. Карслоу, Г. Теплопроводность твердых тел / Г. Карслоу, Д. Егер - М.: Наука, 1964. -488 с.
207. Лыков, А.В. Теория теплопроводности / А. В. Лыков. - М.: Высшая школа, 1967. —
599 с.
208. Беляев, Н. М. Методы нестационарной теплопроводности / П. М. Беляев, А. А. Рядно - М.: Высшая школа, 1978. -328 с.
209. Теория тепломассообмена / С. И. Исаев [и др.] Под ред. А. И. Леонтьева. - М.: Высшая школа, 1979 - 495 с.
210. Фарлоу, С. Уравнения с частными производными для научных работников и инженеров / С. Фарлоу. - М.: Мир, 1985. - 384 с.
211. Карташов, Э. М. Аналитические методы в теории теплопроводности твердых тел / Э. М. Карташов - М.: Высшая школа, 2001. - 550 с.
212. Gerstenmaier, Y. С. Time dependent temperature fields calculated using eigenfunctions and eigenvalues of the heat conduction equation / Y. C. Gerstenmaier, G. Wachutka // Microelectronics Journal. - 2001. - Vol. 32. - P. 801-808.
213. Pesare, M. Optimized electrothermal design of integrated devices through the solution to the non-linear 3-D heat flow equation / M. Pesare, A. Giorgio, A. G. Perri // Microelectronics Journal. - 2001. - Vol. 32. - P. 823-831.
214. Iervolino, E. Resonance frequency of locally heated cantilever beams / E. Iervolino, M. Riccio, F. Santagata, J. Wei, A. W. van Herwaarden, A. Irace, G. Breglio, P. M. Sarro // Sensors and Actuators A. Physical.-2013.-Vol. 190.-P. 6-12.
215. Mayyas, M. Thermal cycle modeling of electrothermal microactuators / M. Mayyas, P. S. Shiakolas, W. H. Lee, H. Stephanou // Sensors and Actuators A. Physical. - 2009. - Vol. 152. -P.192-202.
216. Csendes, A. An efficient thermal simulation tool for ICs, microsystem elements and MCMs: the mS-THERMANAL / A. Csendes, V. Szekely, M. Rencz // Microelectronics Journal. -1998.-Vol. 29.-P. 241-255.
217. Kokkas, A. G. Thermal analysis of multiple-layer structures / A.G. Kokkas // IEEE Transactions on Electron Devices- 1974. - Vol. 21. - P. 674-681.
218. Jain, A. Theoretical and experimental investigation of spatial temperature gradient effects on cells using a microfabricated microheater platform / A. Jain, K. Ness, К. E. Goodson // Sensors and Actuators B. Chemical. - 2009. - Vol. 143. - P. 286-294.
219. Giberti, A. A study of heat distribution and dissipation in a micromachined chemoresistive gas sensor / V. Guidi, D. Vincenzi // Sensors and Actuators B. Chemical. - 2011. -Vol. 153.-P. 409-414.
220. Блох, А. Г. Теплообмен излучением: Справочник / А. Г. Блох, Ю. А. Журавлев, Л. Н. Рыжков. - М.: Энергоатомиздат, 1991. - 432 с.
221. Kozlov, A. G. Optimization of thin-film thermoelectric radiation sensor with comb thermoelectric transducer / A. G. Kozlov // Sensors and Actuators A. Physical. - 1999. - Vol. 75. -P.139-150.
222. Титчмарш, Э. Ч. Разложение по собственным функциям, связанные с дифференциальными уравнениями второго порядка: В 2 томах. Т. 2. / Э. Ч. Титчмарш. - М.: Изд-во иностранной литературы, 1961.- 424 с.
223. Kozlov, A. G. Analytical modelling of steady-state temperature distribution in thermal microsensors using Fourier method. Part 1. Theory / A. G. Kozlov // Sensors and Actuators A. Physical.-2002,- Vol. 101.- P. 283-298.
224. Kozlov, A. G. Analytical modelling of steady-state temperature distribution in thermal microsensors using Fourier method. Part 2. Practical application / A. G. Kozlov // Sensors and Actuators A. Physical. - 2002,- Vol. 101- P. 299-310.
225. Козлов, А. Г. Математическое моделирование распределения температуры в тепловых микросенсорах / А. Г. Козлов // Датчики и преобразователи информации систем измерения, контроля и управления (Датчик-2004): Материалы XVI науч.-техн. конф. с участием зарубежных специалистов. - М.: МГИЭМ. - 2004. - С. 71-73.
226. Козлов, А. Г. Аналитическое моделирование стационарного распределения температуры в двумерных структурах с произвольными прямоугольными границами / А. Г. Козлов // Инженерная физика. - 2004. - № 3. - С. 11-19.
227. Козлов, А. Г. Математическое моделирование распределения температуры в тепловых микросенсорах / А. Г. Козлов // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем - 2010. Сборник трудов.- М.: ИППМ РАН, 2010. - С. 76-79.
228. Бронштейн, И. Н. Справочник по математике для инженеров и учащихся втузов / И. Н. Бронштейн, К. А. Семендяев. - М.: Наука, 1986. - 544 с.
229. Воеводин, В. В. Матрицы и вычисления / В. В. Воеводин, Ю. А. Кузнецов. - М.: Паука, 1984.-320 с.
230. Деммель, Дж. Вычислительная линейная алгебра. Теория и приложения: Пер. с англ. /Дж. Деммель. - М.: Мир, 2001. - 430 с.
231. Козлов, А. Г. Замена граничных условий при решении двумерных задач стационарной теплопроводности методом разделения переменных / А. Г. Козлов // Инженерная физика. - 2005. - № 3. - С. 2-7.
232. Ректорис, К. Вариационные методы в математической физике и технике: Пер. с англ. / К. Ректорис - М.: Мир, 1985. - 590 с.
233. Анго, А. Математика для электро- и радиоинженеров / А. Анго. - М.: Наука, 1964. - 772 с.
234. Корн, Г. Справочник по математике для научных работников и инженеров / Г. Корн, Т. Корн. - М.: Наука. Главная ред. физ.-мат. лит-ры, 1974. - 832 с.
235. Kozlov, A. G. Frequency response model for thermal radiation microsensors / A. G. Kozlov // Measurement Science and Technology. - 2009. - Vol. 20. - 045204 (11 p).
236. Kozlov, A. G. Frequency response model for thermal converter / A. G. Kozlov // Proceedings of the 2010 IEEE Region 8 International Conference on Computational Technologies in Electrical and Electronics Engineering, SIBIRCON 2010. - Irkutsk/Listvyanka, Russia. - 2010. — Vol. I.-P. 561-566.
237. Kozlov, A. G. Analytical modeling of transient processes in thermal microsensors / A. G. Kozlov, D. Randjelovic, Z. Djuric // Proceedings of the 12th International Conference on Thermal, Mechanical and Multi-Physics Simulation and Experiments in Microelectronics and MicroSystems, "EuroSimE 2011". - Linz, Austria. - 2011. - P. 493-499.
238. Козлов, А. Г. Моделирование нестационарных режимов работы теилофизических микросенсоров // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем -2012. Сборник трудов. - М.: ИППМ РАН. -2012. - С. 662-667.
239. Kozlov, A. G. Modelling of Non-stationary Processes in Optomechanical Thermal Microsensors / A. G. Kozlov // Proceedings of the 15th International Conference on Thermal, Mechanical and Multi-Physics Simulation and Experiments in Microelectronics and MicroSystems, "EuroSimE 2014". - Ghent, Belgium. - 2014. - P. 1-7.
240. Козлов А.Г. Погрешность и адекватность аналитического моделирования распределения температуры в тепловых микросистемах / А. Г. Козлов // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем - 2014. Сборник трудов. - М.: ИППМ РАН, 2014.-Часть П.- С. 167-172.
241. Imran, М. Thermal response of an on-chip assembly of RTD heaters, sputtered sample and microthermopiles / M. Imran, A. Bhattacharyya // Sensors and Actuators A. Physical. - 2005. -Vol. 121.-P. 306-320.
242.www.hone ywell-sensor.com.cn/prodinfo/sensor_temperature/technical/cl5_141.pdf
243. Гридчин, В. А. Тепловая модель сенсора плотности теплового потока / В. А. Гридчин, О. В. Лобач // Материалы 1-й международной Школы-семинара по фундаментальным проблемам микро- и наносистемной техники MNST2008. — Новосибирск, Россия. -2008.-С. 55-58.
244. Gridchin, V. A. Modeling of Silicon Micromachined Heat Flux Sensor / V. A. Gridchin, О. V. Lobach, R. P. Dikareva, E. L. Bakaleynik // Proceedings of 11th International Conference and Seminar on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices, EDM'2010. - Erlagol, Russia. - 2010. -P. 117-120.
245. Гридчин, В. А. Численное моделирование микроэлектронного сенсора теплового потока / В. А. Гридчин, О. В. Лобач, Р. П. Дикарева // Нано- и микросистемная техника. -2010-№4,-С. 13-16.
246. Гридчин, В. А. Калибровка термопар сенсора плотности теплового потока / В. А. Гридчин, О. В. Лобач // Нано- и микросистемная техника. - 2012. - № 9. - С. 22-25.
247. Петросянц, К. О. Моделирование датчиков температуры мощных интеллектуальных ИС / К. О. Петросянц, II. И. Рябов // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем - 2010. Сборник трудов. - М.: ИППМ РАН.-2010.-С. 80-85.
248. Petrosyants, К. О. Temperature Sensors Modeling for Smart Power 1С/ К. O. Petrosyants, N. I. Rjabov // Proceedings of 27th IEEE Semiconductor Thermal Measurement and Management Symposium. - San Jose, USA. -2011.-P. 161-165.
249. Kozlov, A. G. Analytical modelling of temperature distribution in resistive thin-film thermal sensors / A. G. Kozlov // International Journal of Thermal Sciences. - 2006. - Vol. 45. - P. 41-50.
250. Виглеб, Г. Датчики / Г. Виглеб.- М.: Мир, 1989. - 196 с.
251. Chen, Y.-M. Parameter extraction of resistive thermal sensors / Y.-M. Chen, J.-S. Shic, T. Hwang // Sensors and Actuators A. Physical. - 1996. - Vol. 55. - P. 43-47.
252. Козлов, А. Г. Моделирование зависимости температуры пленочного преобразователя Холла от конструктивных параметров и режимов работы / А. Г. Козлов // Методы и средства измерений физических величин: Тез. докл. III Всероссийск. науч.-техн. конф.. - Нижний Новгород, 1998. - Часть IX- С. 24-25.
253. Козлов, А. Г. Оптимизация конструкции пленочных преобразователей Холла / А. Г. Козлов // Методы оптимизации и их приложения: Труды 11-й Байкальской международной школы-семинара. - Иркутск, 1998. - Т. 3. - С. 103-104.
254. Козлов, А. Г. Проектирование оптимальных конструкций пленочных терморезистивных преобразователей / А. Г. Козлов // Датчики и преобразователи информации систем измерения, контроля и управления (Датчик-96): Тез. докл. VIII науч,-техн. конф. с участием зарубежных специалистов. - Крым, 1996. - Т. 1. - С. 116-117.
255. Козлов, А. Г. Оптимальный параметрический синтез пленочных терморезистивных преобразователей / А. Г. Козлов // Сенсор. -2002. -№ 3. - С. 41-46.
256. Пономарев, М. Ф. Конструкции и расчет микросхем и микроэлементов ЭВА / М. Ф. Пономарев. - М.: Радио и связь, 1982. - 288 с.
257. Матсон, Э. А. Справочное пособие по конструированию микросхем / Э. А. Матсон, Д. В. Крыжановский. - Минск: Вышэйшая школа, 1982. -244 с.
258. Ефимов, И. Е. Микроэлектроника: Проектирование, виды микросхем, функциональная микроэлектроника / И. Е. Ефимов, И. Я. Козырь, 10. И. Горбунов. - М.: Высшая школа, 1987. -416 с.
259. Kozlov, A. G. Optimal parametric synthesis of thin-film thermoresistive sensors / A. G. Kozlov // Joint International Symposium on Temperature, Humidity, Moisture and Thermal
Measurements in Industry and Science, TEMPMEKO & ISHM 2010. - Book of Abstracts. - Vol. A. - Portoroz, Slovenia, 2010. - P. 88.
260. Козлов, А. Г. Оптимальный параметрический синтез терморезистивных микросенсоров / А. Г. Козлов // Материалы V Всероссийской конф. «Проблемы оптимизации и экономические приложения». - Омск, 2012. - С. 208.
261. Анатычук, JI. И. Термоэлементы и термоэлектрические устройства / JI. И. Анатычук. - Киев: Наукова думка, 1979. - 768 с.
262. Ишанин, Г. Г. Источники и приемники излучения / Г. Г. Ишанин, Э. Д. Панков, А. JI. Андреев, Г. В. Полыциков.- СПб.: Политехника, 1991 - 240 с.
263. Jacquot. A. Modeling of on-membrane thermoelectric power supplies / A. Jacquot, G. Chen, II. Scherrer, A. Dauscher, B. Lenoir // Sensors and Actuators A. Physical. - 2004 - Vol. 116. -P. 501-508.
264. Escriba, C. Complete analytical modeling and analysis of micromachined thermoelectric uncooled IR sensors /С. Escriba, E. Campo, D. Esteve, J. Y. Fourniols // Sensors and Actuators A. Physical. - 2005. - Vol. 120,- P. 267-276.
265. Galeazzi, M. Microcalorimeter and bolometer model / M. Galeazzi, D. McCammon // Journal of Applied Physics. - 2003. - Vol. 93. - P. 4856^1869.
266. Reyes-Romero, D. F. Measurement and simulation of the frequency response of a thermal flow sensor at different flow speeds / D. F. Reyes-Romero, A. S. Cubukcu, G. A. Urban // Sensors and Actuators A. Physical.-2013.-Vol. 189.-P. 168-176.
267. Kwon, B. Dynamic Thermomechanical Response of Bimaterial Microcantilevers to Periodic Heating by Infrared Radiation / B. Kwon, M. Rosenberger, R. Bhargava, D. G. Cahill, W. P. King // Review of Scientific Instruments. -2012. - Vol. 83. - 015003 (7p).
268. Bijster, R. Dynamic Characterization of Bi-material Cantilevers / R. Bijster, J. de Vreugd, II. Sadeghian // Proceedings of 4th International Conference on Sensor Device Technologies and Applications, SENSORDEVICES 2013. — Barcelona, Spain, 2013. - P. 1-8.
269. Козлов, А. Г. Математические модели процессов в микроэлектронных тепловых приемниках излучения / А. Г. Козлов // Фотоника-2008: Тез. докл. Российского совещания по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники. — Новосибирск, 2008. — С. 77.
270. Козлов, А. Г. Моделирование нестационарного режима работы микроэлектронного теплового приемника излучения консольного типа / А. Г. Козлов // Нано- и микросистемная техника. -2005. -№ 12. - С. 16-25.
271. Michalski, L. Temperature Measurement / L. Michalski, К. Eckersdorf, J. Kucharski, J. McGhee. - Chichester: John Wiley & Sons, 2001. - 514 p.
272. Козлов, А. Г. Оптимизация конструкции пленочных термоэлектрических сенсоров / А. Г. Козлов // Актуальные проблемы электронного приборостроения: Тр. Второй
Междунар. науч.-техн. конф. АПЭП-94. Т. 5. Сенсорная электроника. - Новосибирск, 1994. -С. 103-105.
273. Козлов, А. Г. Оптимизация конструкции пленочных термоэлектрических преобразователей / А. Г. Козлов // Датчики и преобразователи информации систем измерения, контроля и управления ("Датчик-95"): Тез. докл. VII Вссрос. науч.-техн. конф. с участием зарубежных специалистов. - Крым, 1995. - Т. 2. - С. 304-305.
274. Козлов, А. Г. Оптимизация конструкции пленочных термоэлектрических преобразователей / А. Г. Козлов // Методы оптимизации и их приложения: Тез. докл. 10-й Байкальской школы-семинара. — Иркутск, 1995. — С. 308-309.
275. Козлов, А. Г. Оптимизация конструкции пленочного термоэлектрического преобразователя типа "звездочка" / А. Г. Козлов // Датчики электрических и неэлектрических величин ("Датчик-95"): Докл. Второй Междунар. конф.. - Барнаул, 1995. - С. 159-160.
276. Kozlov, A. G. Simulation and optimization of structure of microelectronic film thermoelectric transducers / A. G. Kozlov // Simulation of devices and technologies (ICSDT'96): Proceeding of the fifth international conferencc. - Obninsk, 1996. - P. 42.
277. Козлов, А. Г. Математическое моделирование конфигурации структур с пленочными термоэлектрическими преобразователями / А. Г. Козлов // Роль геометрии в искусственном интеллекте и системах автоматизированного проектирования: Сб. докл. Всероссийск. науч.-техн. конф.. - Улан-Удэ, 1996. - С. 124-127.
278. Козлов, А. Г. Математические модели оптимизации структур с пленочными термопреобразователями / А. Г. Козлов // Проблемы оптимизации и экономические приложения: Тез. докл. Междунар. конф.. - Омск, 1997. - С. 93.
279. Kozlov, A. G. Optimization of thin-film thermoelectric radiation sensor with separate disposition of absorbing layer and comb thermoelectric transducer / A. G. Kozlov // Sensors and Actuators A. Physical. - 2000.- Vol. 84,- P. 259-269.
280. Козлов, А. Г. Оптимизация конструкциии микроэлектронных термоэлектрических приемников излучения: современное состояние и перспективы развития / А. Г. Козлов // Микросенсорика (материалы и элементная база): Сб. научн. статей/ Под ред. В.В.Болотова. -Омск: Изд-во ОмГПУ. - 2000. - С. 119-130.
281. Вельдер, Д. Р. Некоторые особенности конструирования пленочных термоэлектрических преобразователей для РИА // Техника средств связи. Серия. Радиоизмерительная техника. - 1984. - Вып. 5. - С. 90-98.
282. Аринштейн, В. J1. Некоторые рекоменданции по проектированию пленочных термоэлекрических преобразователей / В. JI. Аринштейн, А. X. Славин // Микроэлектроника в электроприборостроении. - Л.: ЛИАП, 1989. - С. 51-56.
283. Козлов, А. Г. Анализ погрешностей пленочных электротепловых преобразователей на высоких частотах / А. Г. Козлов // Динамика систем, механизмов и машин: Тез. докл. II Междунар. науч.-техн. конф.. - Омск, 1997. - Кн. 1. - С. 119.
284. Kozlov, A. G. Thin-film comb thermal converter: influence of shunt effect of thermopile on high-frequency current distribution / A. G. Kozlov // 1999 high power microwave electronics: measurements, identification, applica-tions. MIA-ME'99: Proceedings of the IEEE-Russia conference. - Novosibirsk, 1999. - P. III.6-III.8.
285. Козлов, А. Г. Распределение высокочастотного тока в пленочном термоэлектрическом преобразователе типа "гребенка" с раздельным расположением нагревателя и батареи термопар / А. Г. Козлов // Радиотехника и электроника. - 2000. - Т. 45,-№9.-С. 1129-1138.
286. Kozlov, A. G. Thin-film comb thermal converter: influence of design parameters on high-frequency current distribution/ A. G. Kozlov // 2001 Microwave electronics: Measurements, Identification, Applications. MEMIA'2001: Proceedings of third IEEE-Russia international conference.-Novosibirsk,2001. - P. 135-140.
287. Kozlov, A. G. High-frequency current distribution in thin-film comb thermal converter / A. G. Kozlov // Sensors and Actuators A. Physical. - 2005. - Vol. 121. - P. 352-363.
288. Козлов, А. Г. Распределение высокочастотного тока в микроэлектронном электротепловом преобразователе / А. Г. Козлов // Труды Международной научно-технической конференции "Радиотехника, электроника и связь", РЭиС-2011. - Омск, 2011. — С.418-429.
289. Бери, Р. Тонкопленочная технология / Р. Бери, П. Холл, М. Гаррис. - М.: Энергия, 1972.- 356 с.
290. Wen, С. P. Coplanar waveguide: a surface strip transmission line suitable for nonreciprocal gyromagnetic device applications / C. P. Wen // IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques. - 1969. - Vol. 17. - P. 1087-1090.
291. Гвоздев, В. И. Объемные интегральные схемы СВЧ / В. И. Гвоздев, Е. И. Нефедов. - М.: Наука, 1985. - 256 с.
292. Калантаров, П. JI. Расчет индуктивностей / П. J1. Калантаров, JI. А. Цейтлин. - JL: Энергия, 1970.-416 с.
293. Мак-Лахлан, Н. В. Теория и приложение функций Матье / Н. В. Мак-Лахлан. - М.: ИЛ, 1953.-474 с.
294. Справочник по специальным функциям / Под ред. М. Абрамовиц, И. Стиган. - М.: Наука, 1979.-832 с.
295. Simon, I. Thermal and gas-sensing properties of a micromachined thermal conductivity sensor / I. Simon, M. Arndt // Proceedings of 11th International Conference on Solid-State Sensors
and Actuators "TRANSDUCERS '01, EUROSENSORS XV". - Munich, Germany, 2001. - P. 1492-1495.
296. Svetovoy, V. B. Model of the [x-flown microphone / V. B. Svetovoy, I. A. Winter // Sensors and Actuators A. Physical. - 2000. - Vol. 86.-P. 171 -181.
297. Berlicki, Т. M. Thermal vacuum sensor with compensation of heat transfer / Т. M. Berlicki // Sensors and Actuators A. Physical. - 2001. - Vol.93. - P.27 -32.
298. Berlicki, Т. M. Ambient temperature effect in thin film vacuum sensor / Т. M. Berlicki, K. J. Urbanski // Vacuum.- 2003. - Vol. 68.- P. 303-309.
299. Zhang, F. T. A micro-Pirani vacuum gauge based on micro-hotplate technology / F. T. Zhang, Z. Tang, J. Yu, R. C. Jin // Sensors and Actuators A. Physical. - 2006. - Vol. 126. - P. 300305.
300. Бохов, О. С. Микросенсор для контроля остаточного давления па основе периодического теплового режима / О. С. Бохов, А. П. Бройко, А. В. Корляков, В. В. Лучинин // Напо- и микросистемная техника. - 2010. -№ 2. - С. 14-17.
301.Zhu, R. Micromachined gas inertial sensor based on convection heat transfer / R. Zhu, H. Ding, Y. Su, Z. Zhou // Sensors and Actuators A. Physical. - 2006. - Vol. 130-131,- P.68 -74.
302. Allen, H. Accelerometer system with self-testable features / H. Allen, S. Terry, D. De Bruin // Sensors and Actuators.- 1989. - Vol. 20,- P. 153-161.
2303. Reithmuller, W. A smart accelerometer with on-chip electronics fabricated by a commercial CMOS process /W. Reithmuller, W. Benecke, U. Schnakenberg, B. Wagner // Sensors and Actuators A. Physical. - 1992. - Vol. 31,- P. 121-124.
304. Kim, К. H. A skew-symmetric cantilever accelerometer for automotive airbag applications / К. II. Kim, J. S. Ко, Y. H. Cho, K. Lee, В. M. Kwak // Sensors and Actuators A. Physical. - 1995.-Vol. 50.- P. 121-126.
305. Dai, G. Thermal drift analysis using a multiphysics model of bulk silicon MEMS capacitive accelerometer / G. Dai, M. Li, X He, L. Du, B. Shao, W. Su // Sensors and Actuators A. Physical. - 2011. - Vol. 172. - P. 369-378.
306. Nemirovsky, Y. Design of a novel thin film piezoelectric accelerometer / Y. Nemirovsky, A. Nemirovsky, P. Muralt, N. Setter // Sensors and Actuators A. Physical. - 1996. -Vol.56. - P. 239-249.
307. Rocksatd, H. K. A miniature high-sensitivity broad-band accelerometer based on electron tunneling transducers / H. K. Rocksatd, T. W. Kenny, J. K. Reynolds, W. J. Kaiser, Т. B. Gabrielson // Sensors and Actuators A. Physical. - 1994. - Vol.43. - P. 107-114.
308. Kubena, R. L. A new miniaturized surface micromachined tunneling accelerometer / R. L. Kubena, G. M. Atkinson, W. P. Robinson, F. P. Stratton // IEEE Electron Device Letters. - 1996. -Vol.17. - P. 306-308.
309. Козлов, А. Г. Моделирование распределения температуры в структуре теплового микроакселерометра с инерционной массой / А. Г. Козлов // Нано- и микросистемная техника. - 2005. - № 6. - С. 22-33.
310. Hildenbrand, J. Design and fabrication of a novel low cost hotplate micro gas sensor / J. Ilildenbrand, J. Wollenstein_, E. Spiller, G. Kiihner, II. Bottner, G. Urban, J. G. Korvink // Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering. - 2002. - Vol. 4755. - P. 191-198.
311. Козлов, А. Г. Моделирование стационарного распределения температуры в газовых микросенсорах на термически изолированных структурах / А. Г. Козлов // Микросистемная техника. -2004. -№ 2. - С. 8-13 (+1с. обложки).
312. Kozlov, A. G. Analytical Modeling of Thermal Processes in Gas Microsensors Operating at High Temperature / A. G. Kozlov, A. N. Udod // Proceedings of the 29th International Conference on Microelectronics, "MIEL 2014". - Belgrade, Serbia. -2014. - P. 167-170.
313. Jones, E. The pellistor catalytic gas detector / E. Jones // Solid State Gas Sensors: Eds.: P. T. Moseley, В. C. Tofield. - Adam Hilter, Bristol, 1987. - P. 17-31.
314. Тарасевич, В. II. Металлические терморезисторные преобразователи горючих газов / В. Н. Тарасевич. - Киев: Наукова Думка, 1988. - 282 с.
315. Карпов, Е. Ф. Контроль проветривания и дегазации в угольных шахтах / Е. Ф. Карпов, Б. И. Басовский. - М.: Недра, 1994. - 336 с.
316. Miller, J. В. Catalytic sensors for monitoring explosive atmospheres / J. B. Miller // IEEE Sensors Journal. - 2001. - Vol. 1. - P. 88-93.
317. Козлов, А. Г. Оптимизация конструкции и режима питания термокаталитического газового сенсора/ А. Г. Козлов // Сенсоры и микросистемы: Тез. докл.Всероссийской конф. с международным участием "Сенсор 2000". - Санкт-Петербург, 2000. - С. 119.
318. Kozlov, A. G. Optimization of structure and power supply conditions of catalytic gas sensor / A. G. Kozlov // // Sensors and Actuators B. Chemical. - 2002. - Vol. 82. - P. 24-33.
319. Козлов, А. Г. Математическая модель термокаталитического газового сенсора для синтеза и оптимизации его структуры и режима работы / А. Г. Козлов // Микросенсорика (материалы, элементная база): Сб. научи, статей/ Под ред. В.В.Болотова. - Омск: Изд-во ОмГПУ. - 2002. - С. 91-98.
320. Козлов, А. Г. Оптимизация конструкции термокаталитическог газового сенсора / А. Г. Козлов // Датчики и преобразователи информации систем измерения, контроля и управления (Датчик-2003): Материалы XV науч.-техн. конф. с участием зарубежных специалистов. - Крым. - 2003. - С. 45-47.
321. Козлов, А. Г. Математическая модель для оптимизации термокаталитического газового сенсора / А. Г. Козлов // Проблемы оптимизации и экономические приложения: Материалы Всероссийской конф.. - Омск. - 2003. - С. 171.
322. Джалурия, Й. Естественная конвекция. Тепло- и массообмен / Й. Джалурия. - М.: Мир, 1983.-400 с.
323. Себиси, Т. Конвективный теплообмен: физические основы и вычислительные методы / Т. Себиси, П. Брэдшоу. - М.: Мир, 1987. - 592 с.
324. Козлов, А. Г. Влияние особенностей конструкции и питающего напряжения на погрешность термокаталитических датчиков / А. Г. Козлов, А. А. Щербакова // Датчики и системы.-2006,-№ 10-С. 9-13.
325. Калиткин II. II. Численные методы / Н. Н. Калиткин. - М.: Наука, 1978. - 512 с.
326. Самарский, А. А. Численные методы / А. А. Самарский, А. В. Гулин. - М.: Наука, 1989.-432 с.
327. Бахвалов, Н. С. Численные методы / Н. С. Бахвалов, Н. П. Жидков, Г. М. Кобельков. -М.: Наука, 1987.-600 с.
328. Программа оптимизации конструкции микроэлектронных тепловых приемников излучения (Оптимизация ТПИ): Свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ № 2011612927. / А.Г. Козлов (RU). - зарегистрировано 13.04.2011.
329. Козлов, А. Г. Математическое моделирование влияния конструктивных параметров на выходные характеристики агломеративпых термокаталитических сенсоров / А. Г. Козлов // Датчики и преобразователи информации систем измерения, контроля и управления (Датчик-97): Тез. докл. IX науч.-техн. конф. с участием зарубежных специалистов. - Крым, 1997. - С. 49-51.
330. Козлов, А. Г. Влияние конструктивных параметров на работу термокаталитических сенсоров в нестационарных режимах / А. Г. Козлов // Динамика систем, механизмов и машин: Тез. докл. II Междунар. науч.-техн. конф.. - Омск, 1997. - Кн. 1.-С. 122.
331. Козлов, А. Г. Моделирование нестационарных режимов работы термокаталитических газовых сенсоров / А. Г. Козлов // Новые методы, технические средства и технологии получения измерительной информации: Материалы Всероссийск. науч.-техн. конф.. - Уфа, 1997. - С. 38-39.
332. Программный комплекс по проектированию термокаталитических газовых сенсоров (ПКП ТКС): Свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ № 2011614253. / А.Г. Козлов (RU). - зарегистрировано 30.05.2011.
333. Kozlov, A. G. Modelling of Temperature Distribution in Thermal Microsensors on Sandwich Thermally Isolated Structures / A. G. Kozlov, D. Randjelovic // Proceedings of the 13th
International Conference on Thermal, Mechanical and Multi-Physics Simulation and Experiments in Microelectronics and Micro-Systems, "EuroSimE 2012". - Cascais, Portugal. - 2012. - P. 433437.
334. Kozlov, A. G. Account of the package features in modelling of thermal microsensors / A. G. Kozlov, D. Randjelovic // Proceedings of 14th International Conference on Thermal, Mechanical and Multi-Physics Simulation and Experiments in Microelectronics and Microsystems, "EuroSimE 2013". - Wroclaw, Poland. - 2013. - P. 202-209.
335. Козлов, А. Г. Агломеративные термокаталитические сенсоры горючих газов / А. Г. Козлов, В. Д. Ольшанский, Н. Б. Придании, Е. П. Разгуляев // Актуальные проблемы электронного приборостроения: Тр. Второй Междунар. науч.-техн. конф. АПЭП-94. Т. 5. Сенсорная электроника. - Новосибирск, 1994.-С. 106-108.
336. Kozlov, A. G. Ol'shansky V.D.,Pridachin N.B.,Razgulyiev Е.Р. Investigation of thermocatalytical sensors of combustible gases / A. G. Kozlov, V. D. Ol'shansky, N. B. Pridachin, E. P. Razgulyiev // Measurement '95. 4th International Workshop: Abstracts of lectures- Slovakia, Smolenice, 1995.-P. 37.
337. Козлов, А. Г. Сенсоры метана на основе твердого электролита для газового мониторинга / А. Г. Козлов, В. Д. Ольшанский, Е. П. Разгуляев, А. А. Щербакова // Датчики и преобразователи информации систем измерения, контроля и управления (Датчик-96): Тез. докл. VIII науч.-техн. конф. с участием зарубежных специалистов. - Крым, 1996. - Т. 1. — С. 136-137.
338. Козлов, А. Г. Сенсоры метана на основе твердого электролита / А. Г. Козлов, В. Д. Ольшанский, Е. П. Разгуляев // Актуальные проблемы электронного приборостроения: Тр. Третьей Междунар. науч.-техн. конф. АПЭП-96. Т. 2. Сенсорная электроника. -Новосибирск, 1996.-С. 101-102.
339. Козлов, А. Г. Тонкопленочный газовый сенсор на основе полупроводниковых оксидов Sn02-In203-Ga203 / А. Г. Козлов, В. А. Флорин // Динамика систем, механизмов и машин: Материалы III Междунар. науч.-техн. конф.. - Омск: ОмГТУ, 1999. - С. 351-352.
340. Козлов, А. Г. Агломеративный сенсор метана на основе твердого протонпроводящего электролита / А. Г. Козлов, А. И. Удод // Функциональные материалы и структуры для сенсорных устройств: Тез. докл. Всероссийской конф.. - Новосибирск, 1999. — С. 52-53.
341. Козлов, А. Г. Сенсор метана на основе твердого протонпроводящего электролита / А. Г. Козлов, А. Н. Удод // Микросенсорика (материалы и элементная база): Сб. научи, статей/ Под ред. В.В.Болотова. - Омск: Изд-во ОмГПУ. - 2000. - С. 113-118.
342. Козлов, А. Г. Оптимальный структурный синтез газовых сенсоров на основе твердых протонпроводящих электролитов / А. Г. Козлов, А. II. Удод // Динамика систем,
механизмов и машин: Материалы IV Междунар. науч.-техн. конф.. - Омск: ОмГТУ. - 2002. - Кн.2. - С. 264-267.
343. Козлов, А. Г. Газовые сенсоры на основе смеси оксидов индия и галлия / А. Г. Козлов, С. А. Перепеча, В. А. Флорин // Датчики и преобразователи информации систем измерения, контроля и управления (Датчик-2004): Материалы XVI науч.-техн. конф. с участием зарубежных специалистов. - М.: МГИЭМ. - 2004. - С. 111 -112.
344. Козлов, А. Г. Измерительные системы для газовых сенсоров на твердых электролитах и их анализ / А. Г. Козлов, А. II. Удод // Динамика систем, механизмов и машин: Материалы V Междунар. науч.-техн. конф.. - Омск: ОмГТУ. - 2004. - Кн.1. - С. 281284.
345. Козлов, А. Г.. Сравнительный анализ метрологических характеристик различных типов газовых датчиков на твердых электролитах / А. Г. Козлов, А. И. Удод // Датчики и системы. - 2006. - № 1. - С. 55-62.
346. Козлов, А. Г. Высокотемпературные протонпроводящие твердые электролиты для газовых сенсоров / А. Г. Козлов, А. Н. Удод // Перспективные материалы. - 2007. - № 1. - С. 35-45.
347. Козлов, А. Г. Анализ метрологических характеристик газовых датчиков на твердых электролитах / А. Г. Козлов, А. Н. Удод, А. А. Щербакова // Динамика систем, механизмов и машин: Материалы V Междунар. науч.-техн. конф.. - Омск: ОмГТУ. - 2007. -Кн.1.-С. 284-288.
348. Козлов, А. Г. Конструирование и технология микроэлектронных сенсорных структур. Методические указания к практическим работам по курсу "Сенсорная микроэлектроника"/ А. Г. Козлов. - Омск: ОмГТУ, 1996 - 36 с.
349. Козлов, А. Г. Математическое моделирование сенсорных структур. Методические указания к практическим работам / А. Г. Козлов. - Омск: ОмГУ, 2002. - 63 с.
350. Конденсатор переменной емкости: а. с. 1003163 СССР, МКИ3 H 01 G 7/04. / А. Г. Козлов А.Г., И. И. Миллер, Н. В. Шепелев (СССР) - № 3227356; заявл. 31.12.80; опубл. 07.03.83, Бюл.№ 9.-3 е.: ил.
351. Термоэлектрический преобразователь: а. с. 1126145 СССР, МКИ3 H 01 L 35/28. / А. Г. Козлов, Н. В. Шепелев (СССР). - № 3575630; заявл. 20.03.83; опубл. 23.07.84. - 4 е.: 2 ил.
352. Термохимический датчик: Патент РФ 2483297 Cl, МПК G01N 27/16 / А.Г. Козлов, А.II. Удод. - Бюл. № 15, 27.05.2013. - 5 е.: ил.
353. Escriba, С. Conception, realization et caractérisation de capteurs infrarouges à thermopiles: Application à la détection de presence passive dans l'habitat / C. Escriba // These du Doctorat. - L'universite Paul-Sabatier Toulouse III, France. - 2005. - 170 p.
354. Jacquot, A. Fabrication and modeling of an in-plane thermoelectric micro-generator/ A. Jacquot, W. L. Liu, G. Chen, J.-P. Fleurial, A. Dauscher, B. Lenoir // Proceeding of the 22th International Conference on Thermoelectrics. - Long Beach, USA, August 26-29, 2002. - P. 561 — 564.
355. Jacquot, A. Ingénierie des Matériaux et des Microgénérateurs Thermoélectriques Planaires / A. Jacquot // These pour obtenir le grade de Docteur de L'inpl. - L'institut National Polytechnique de Lorraine, France. - 2003. - 248 p.
356. Dashevsky, Z. Development of thermal sensor based on PbTe thin films in MEMS design / Z. Dashevsky, E. Rabih, M. Dariel // Proceedings of SPIE -The International Society for Optical Engineering. -2005. - Vol. 5946.- P. 1-7.
357. Dashevsky, Z. Development of thin film thermoelectric sensors for a wide spectral range in the MEMS configuration / Z. Dashevsky, E. Rabih, V. Kasiyan, A. Halfin, M. Dariel, // Proceedings of International Conference on Thermoelectrics 2006. - Vienna, Austria, 2006. - P. 180-183.
358. Kusakabe, R. Fabrication of (Bi2Te3)o.25(Sb2Te3)o.75 thermoelectric film by radio frequency sputtering target prepared by MA-PCS process / R. Kusakabe, A. Yamaguchi, K. Kobayashi, A. Matsumoto // Journal of the Japan Society of Powder and Powder Metallurgy. -2002. - Vol. 49. -№ 5. - P. 412-416.
359. Markowski, P. Modelling and analysis of thick-film thermoelectric microgenerators / P. Markowski, A. Dziedzic // Proceedings of SPIE - The International Society for optical Engineering. - 2006. - Vol. 6348. - Article number 634801.
360. Markowski, P. Thick-film thermoelectric microgenerators based on nickel-, silver- and PdAg-based compositions / P. Markowski, W. Pinczakowski, L. Straszewski, A. Dziedzic // Proceedings of IEEE 30th International spring Seminar on Electronics Technology. - 2007. - P. 223-228.
361. Markowski, P. Planar and three-dimensional thick-film thermoelectric microgenerators / P. Markowski, A. Dziedzic // Microelectronics Reliability. - 2008. - Vol.48. - P.890 -896.
362. Han, L. A microwave power sensor based on GaAs MMIC technology / L. Han, Q.-A. Huang, X.-P. Liao // Journal of Micromechanics and Microengineering. - 2007. - Vol. 17. - P. 2132-2137.
363. Han, L. Optimization of a thermoelectric microwave power sensor / L. Flan, Q.-A. Huang, X.-P. Liao // China Journal of Semiconductors. - 2008. - Vol. 29. - № 4.- P. 789-793.
364. Randjelovic, D. Multipurpose MEMS thermal sensor based on thermopiles / D. Randjelovic, A. Petropoulos, G. Kaltas, M. Stojanovic, Z. Lazic, M. Matic // Sensors and Actuators A. Physical.-2008.-Vol. 141.- P. 404-413.
365. Huang, II. Micro hydrogen gas sensor based on Bi-Te film couples and Pt/ACC / IT. Huang, J.-S. Zhang, W. Luan, S.-N. Tu, S.-K.Yang // Proceedings of the International Conference on Integration and Commercialization of Micro and Nanosystems. - 2007. - Vol. A. - P. 615-619.
366. Ben-Yehuda, O. Development of thermoelectric thin films based on Bi2Te3 / O. BenYehuda, Y. Sasson, Y. Gelbstein, G. Kimmel, Z. Dashevsky // Proceedings of 6th European Conference on Thermoelectrics, ECT-2008. - Paris, France, 2008. - P. P2-22-1 - P2-22-4.
367. Markowski, P. Wlasciwosci termoelektryczne kompozytôw grubowarstwowych / P. Markowski // Rozprawa doktorska. - Politechnika Wroclavvska, Wydzial Electroniki Mikrosystemôw i Fotoniki,Wroc law,Polska .- 2008. - 183 p.
368. Huang, H. Effect of material properties of feedback part on thermoelectric gas sensor / H. Huang, W.L. Luan, S.J. Mao, S.T. Tu // Journal of Functional Materials and devices. - 2008. -Vol. 14.- № 5,- P. 883-888.
369. Xu,Y . L.D esign and fabrication of a terminating type MEMS microwave power sensor / Y. L. Xu,X .P. Liao//Journal of Semiconductors. - 2009. - Vol. 30(4).- 044010 (4 p).
370. Xu, Y. L. Thermal time constant of a terminating type MEMS microwave power sensor / Y. L. Xu, Liao X. P. // Journal of Semiconductors. - 2009. - Vol. 30 (10). - 104006 (4 pp).
371. Wang, D.-B. A terminating-type MEMS microwave power sensor and its amplification system / D.-B. Wang, X.-P. Liao // Journal of Micromechanics and Microengineering. - 2010. -Vol. 20.-075021 (8 pp).
372. Garampon, C. G. Réalisation et étude des propriétés thermoélectriques de couches minces et nanofils de types Bi2-xSbxTe3 et Bi2Te3-xSex / C. G. Garampon // These pour obtenir le grade de Docteur de l'Université de Grenoble. - L'Université de Grenoble, France. - 2011. - 215 p.
373. Wu, II. MEMS-based Linear Thermopile Detector Arrays fo IR Microspectrometers /H . Wu // PhD Thesis.- Delft University of Technology, Netherlands.- 2011. - 170 p.
374. Wang, D.B. A 35 GHz wireless millimeter-wave power sensor based on GaAs micromachining technology / D.B. Wang, X.P. Liao, //Journal of Micromechanics and Microengineering. - 2012. - Vol. 22. - 065025.
375. Liu, T. Simulation of characteristic of a thermoelectric power sensor based on MEMS technology / T. Liu, X. Liao // Key Engineering Materials. - 2012. - Vol. 503. - P. 91-96.
376. Zhang, Z. A three-channel thermoelectric RF MEMS power sensor for GaAs MMIC applications / Z. Zhang, X. Liao, // Sensors and Actuators A. Physical. - 2012. - Vol. 182. - P. 6871.
377. Wang, D.B. A novel MEMS double-channel microwave power sensor based on GaAs MMIC technology / D.B. Wang, X. Liao, // Sensors and Actuators A. Physical. - 2012. - Vol. 188. -P. 95-102.
378. Yi, Z. 2-D model of the indirectly-heated type microwave power sensor based on GaAs MMIC process / Z. Yi, X. Liao, II. Wu // Proceedings of IEEE Sensors 2013 Conference. -Baltimore, USA, 2013. - P. 1-4.
379. Elsheikh, M. II. A review on thermoelectric renewable energy: Principle parameters that affect their performance / M. II. Elsheikh, D. A. Shnawah, M. F. M. Sabri, S. В. M. Said, M.II. Hassan, M. B. A. Bashir, M. Mohamad // Renewable and Sustainable Energy Reviews. - 2014. -Vol. 30.- P. 337-355.
380. Yi, Z. Modeling of the terminating-type power sensors fabricated by GaAs MMIC process / Z. Yi, X. Liao, II. Wu // Journal of Micromechanics and Microengineering. - 2013. - Vol. 23.-085003.
381. Hu, D. Modeling of Front-etched Micromachined Thermopile IR Detector by CMOS Technology / D. Hu, B. Xiong, Y. Wang // Journal of Microelectromechanical Systems. - 2010. -Vol. 19. -№. 6.-P. 1331-1340.
382. Liu, T. Sensitivity of MEMS microwave power sensor with the length of thermopile based on Fourier equivalent model / T. Liu, X.-P. Liao, D.-B. Wang // Journal of Semiconductors. -2011. - Vol. 32. - №. 7. - 074009 9 (5 p).
383. Wang, D.B. Optimization of indirectly-heated type microwave power sensors based on GaAs micromachining / D.B. Wang, X.P. Liao, T. Liu // IEEE Sensors Journal. - 2012. - Vol . 12. - № 5. - P. 1349-1355.
384. Wang, D.B. A thermoelectric power sensor and its package based on MEMS technology / D.B. Wang, X.P. Liao, T. Liu // Journal of Microelectromechanical Systems. - 2012. - Vol . 21. -№ 1.- P. 121-131.
385. Chen, FI.-X. Numerical Calculation of Steel-Concrete Composite Beam Specimen in its Temperature Dropping and Rising Process / H.-X. Chen, W.-W. Liu, F-Z. Liu // Journal of Central South University (Science and Technology). - 2005. - Vol. 36.- No. 2. - P. 335 -339.
Обратите внимание, представленные выше научные тексты размещены для ознакомления и получены посредством распознавания оригинальных текстов диссертаций (OCR). В связи с чем, в них могут содержаться ошибки, связанные с несовершенством алгоритмов распознавания. В PDF файлах диссертаций и авторефератов, которые мы доставляем, подобных ошибок нет.