Моделирование процесса пленкообразования на стадиях предварительной разработки оборудования электронной техники тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.06, кандидат технических наук Прусаков, Евгений Викторович

• Прусаков, Евгений Викторович
• кандидат технических наук
• 2001

Оглавление диссертации кандидат технических наук Прусаков, Евгений Викторович

ВВЕДЕНИЕ.

1 СОВРЕМЕННОЕ СОСТОЯНИЕ ВОПРОСА МОДЕЛИРОВАНИЯ ПРОЦЕССА ПЛЕНКООБРАЗОВАНИЯ В ОБОРУДОВАНИИ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ.

1.1 Принципы моделирования технологических процессов.

1.2 Особенности моделирования технологических процессов тонкопленочной технологии.

1.3 Структура модели сложных процессов в исполнительных устройствах.

1.4 Модель пленкообразования на основе управляемого энерго,-массопереноса.

1.5 Обзор экспериментальных исследований и сопоставление с теоретическими моделями процессов.

1.6 Математическая модель магнетронных распылительных систем для нанесения пленок в оборудовании непрерывного действия.

1.7 Постановка задачи исследований.

2 ТЕОРЕТИЧЕСКОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ПЛЕНКООБРАЗОВАНИЯ ПРИ СОЗДАНИИ МИКРОСТРУКТУР ОБОРУДОВАНИЯ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ.

2.1 Математическая модель пленкообразования при использовании

I -координатных устройств.

2.2 Математическая модель осаждения вещества при плоскопараллельном перемещении подложки

2.3 Определение скорости осаждения вещества на подложку.

2.4 Взаимодействие технологических частиц с поверхностями вакуумной камеры.

2.5 Влияние погрешности ^-координатного привода на погрешность пленкообразования.

Выводы по главе 2.

3 РЕЗУЛЬТАТЫ МАШИННОГО ЭКСПЕРИМЕНТА ПРОЦЕССА

ПЛЕНКООБРАЗОВАНИЯ.

3 .1 Анализ результатов машинного эксперимента при использовании математической модели пленкообразования с использованием

I - коодинатных исполнительных устройств.

3 .2 Анализ результатов машинного эксперимента при использовании математической модели пленкообразования при плоскопараллельном перемещении подложки.

3 .3 Сравнительный анализ результатов машинного эксперимента при использовании математической модели пленкообразования с использованием I - коодинатных исполнительных устройств и при использовании математической модели пленкообразования при плоскопараллельном перемещении подложки.

Выводы по главе 3.

4 РАЗРАБОТКА ПЕРСПЕКТИВНЫХ ИСПОЛНИТЕЛЬНЫХ УСТРОЙСТВ ДЛЯ РЕАЛИЗАЦИИ ПРОЦЕССА ОСАЖДЕНИЯ ВЕЩЕСТВА.

4.1 Устройство нанесения тонких пленок.

4.2 Устройство перемещения подложкодержателя.

4.3 Исполнительный орган манипулятора.

Выводы по главе 4.Щ

5 СОЗДАНИЕ ИНЖЕНЕРНОЙ МЕТОДИКИ РАСЧЕТА ГЕОМЕТРИЧЕСКИХ И КИНЕМАТИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ИСПОЛНИТЕЛЬНЫХ УСТРОЙСТВ ПРИ МОДЕЛИРОВАНИИ

ПРОЦЕССА ОСАЖДЕНИЯ ВЕЩЕСТВА.

5.1 Алгоритм расчета толщины напыленного слоя.

5.2 Оценка выхода годных изделий электронной техники с учетом вероятности их поражения микрочастицами износа.

5.3 Аддитивный критерий оценки качества исполнительных устройств.

5.4 Газовыделение в условиях проведения процесса пленкообразования.

Выводы по главе 5.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Моделирование процесса пленкообразования на стадиях предварительной разработки оборудования электронной техники»

Электронная техника- новое и интенсивно развивающееся научное направление, вызванное к жизни повышением эффективности современного производства. Тонкопленочная технология - это физические и химические процессы, протекающие на поверхности твердых тел, подвергающейся воздействию ионов, атомов и отдельных заряженных или нейтральных частиц, взаимодействующих как с самой поверхностью, так и между собой. Результат тонкопленочной технологии определяется характеристиками обрабатываемой поверхности (ее чистотой, историей предварительной обработки, величиной'шероховатости, активностью атомов, формирующих эту поверхность, и т.д.); плотностью поступающих на нее частиц; энергией этих частиц и средой, в которой происходит это взаимодействие.

В современной технике тонкие пленки являются неотъемлемой частью целого ряда самых различных приборов.

Вакуумные приборы используют пленки материалов, активно взаимодействующих с остаточной газовой средой в герметичном баллоне прибора, и тем самым обеспечивают необходимое для работы прибора давление. Здесь же широко применяются тонкопленочные покрытия из материалов, уменьшающих вторичную эмиссию и распыление электродов прибора под воздействием ионной бомбардировки и др.

Многообразие инструментов, воздействующих на обрабатываемое изделие электрбнной техники, определяется параметрами и требованиями к этим изделиям, характеристиками материалов, формирующих конструкцию изделия, конструктивными особенностями и принципом действия данного конкретного изделия.

Технологический процесс - это сложная система взаимозависимых параметров, которые влияют на характеристики изделия. На технологический процесс оказывает влияние большое количество факторов, учесть которые трудно. Для анализа технологических процессов создаются модели, которые действуют при определенных ограничениях и обеспечивают доскональное изучение при этих ограничениях влияния различных параметров технологического процесса на характеристики изделия.

Математическое моделирование основано на принципе аналогий различных явлений, которые лежат в основе работы аналоговых ЭВМ. Полная математическая модель технологического процесса включает характеристику основных технологических факторов процесса, связи между этими факторами, ограничения на процесс, критерии оптимальности, функции оптимальности связи между основными технологическими факторами в динамике.

Основной задачей теоретических и экспериментальных исследований явилось создание математической модели процесса пленкообразования, теоретическое обобщение вопросов расчета толщины и равномерности напыляемого слоя, разработка рекомендаций по движению подложкодержателя.

В соответствии с поставленной целью на защиту выносится:

1. Математическая модель пленкообразования с использованием точечного и плоского источников при плоскопараллельном перемещении подложки.

2.Математическая модель пленкообразования для точечного источника при использовании е-координатного исполнительного устройства перемещения подложки.

3. Математическая модель пленкообразования для плоского источника при использовании ^-координатного исполнительного устройства перемещения подложки.

4. Результаты теоретических исследований толщины напыленного на подложку слоя материала

Теоретические исследования проводились на основе использования кинематики твердого тела с использованием аналитических и численных методов решения, теории точности и модели энерго,-массопереноса Ковалева JT.K.

Теоретически обоснована и получена математическая модель процесса пленкообразования с использованием I- координатного исполнительного устройства перемещения подложкодержателя и при плоско - параллельном его перемещении для двух типов источников испарения: точечного и плоского.

Выявлена взаимосвязь между скоростью движения молекул испаренного вещества и скоростью роста пленки на подложке.

Впервые выявлена взаимосвязь между точностью позиционирования подложкодержателя и равномерностью образованного слоя вещества на подложке.

Теоретически обоснована и разработана новая форма приемного свода выполненного в виде степенной косинусоидальной функции с показателем степени одна вторая. Разработано новое устройство нанесения тонких пленок с использованием приемного свода, профиль которого выполнен по кривой в виде степенной косинусоидальной функции с показателем степени - одна вторая.

Достоверность проведенных теоретических исследований обеспечивается строгим математическим обоснованием предлагаемых подходов и методов, а также сравнением с теоретическими и экспериментальными данными, известными в литературе.

Разработан пакет прикладных программ для моделирования процесса пленкообразования. На основе разработанной математической модели проведен машинный эксперимент, все результаты эксперимента обрабатываются, и подбирается наиболее рациональное уравнение движения подложки для получения наиболее равномерного слоя пленки заданной толщины. Процесс пленкообразования наглядно виден на экране монитора компьютера, дана возможность контролировать процесс пошагово с любым заданным временным интервалом. Модели8 рование процессов пленкообразования на стадиях предварительной разработки позволяет существенно снизить стоимость разработки, так как нет необходимости создавать опытный образец

Основные результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на научно- технической конференции "Вакуумная наука и техника"; на научно- технической конференции "Датчики и преобразователи информации систем измерения, контроля и управления" в 1997,1998,1999 годах.

Совместные изобретения и публикации автор использовал лишь в той степени, которая соответствует его личному творческому вкладу в указанные работы.

По теме диссертации имеется 13 печатных работ, в том числе 4 патента на изобретение.

Заключение диссертации по теме «Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники», Прусаков, Евгений Викторович

В соответствии с результатами, полученными при выполнении настоящей работы, можно сформулировать ОСНОВНЫЕ ВЫВОДЫ: 1. На базе проведенных обзорно - аналитических работ по современному состоянию вопроса моделирования процесса пленкообразования в оборудовании электронной техники намечены пути научных исследований, выбраны наиболее перспективные модели, на базе которых будут проводиться исследования: точечный и плоский источники, плоскопараллельное и сложное перемещение подложки с использованием £- координатных исполнительных устройств.

2. Теоретическое исследование процессов пленкообразования показало, что применение £ - координатных исполнительных устройств позволяет воспроизвести любой закон движения подложкодержателя, что существенно повышает равномерность нанесения пленок, расчет влияния погрешности координатного привода на погрешность пленкообразования доказал, что точность £ - координатных исполнительных устройств выше, чем у других.

3. Сравнительный анализ машинного эксперимента с результатами натурного эксперимента, выполненного на различных предприятиях электронной техники (НИИ "Полюс", НИИТМ, НИТИ) позволяет сделать вывод о сходимости теоретических и экспериментальных данных на уровне 7%

4. Разработанная инженерная методика расчета толщины напыляемого слоя позволяет не только автоматизировать процесс проектирования, но и снизить себестоимость единицы продукции в расчете на единицу капитальных затрат.

121

5. Разработанные технические решения исполнительных устройств отвечают критерию работоспособности по привносимой дефектности т.к. все узлы трения находятся вне зоны напыления, проведенные исследования показали целесообразность применения устройств планетарного типа, использование планетарного свода, выполненного в виде степенной косинусоидальной функции с показателем степени 1\2.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Прусаков, Евгений Викторович, 2001 год

1. Ивашов Е.Н. Теория и проектирование I- координатных исполнительных устройств оборудования электронной техники на стадиях предварительной разработки. Дисс. на соиск. Ученой степени д.т.н. М.: МИЭМ, 1993.-420с. ил.

2. Ковалев Л.К. Теоретические основы проектирования, создание и освоение вакуумного напылительного оборудования для производства изделий квантовой электроники. Дисс. на соискание ученой степени д.т.н., ДСП М.: НИИ ПОЛЮС, 1985- 546с., ил.

3. Ковалев Л.К. Вакуумное оборудование для производства тонкопленочных структур квантовой электроники: Обзоры электронной техники: Сер.2. Лазерная техника и оптоэлектроника. М.: ЦНИИ Электроника, 1982, вып.2 (886).- 83с., ил.

4. Парфенов О.Д. Технология микросхем. М.: Высш. шк., 1986.-320с

5. Минайчев В.Е. Теоретические основы разработки функциональных устройств и систем и создание комплекта вакуумного оборудования для производства тонкопленочных структур интегральных схем: Дисс. . .д.т.н. М. 1984. -с.44

6. Панфилов Ю.В. Проектирование вакуумного технологического оборудования для производства СБИС по критерию минимума привносимой дефектности // Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника. 1990. Вып. 1(135).-С. 51-59

7. Ю.Малыгин С.Н., Панфилов Ю.В Кластерное оборудование в микроэлектронике / Обзор 1 по электронной технике. Серия 7. ТОПО. -1994.-Вып. 1 (1701). 120 с.

8. П.Панфилов Ю.В. Основы теории формирования и распределения потоке микродисперсных частиц в вакууме / Вестник МГТУ. Машиностроение. Вып. 2- 1993,- С. 87 - 94.

9. Панфилов Ю.В. Научные основы уменьшения привносимой дефектности при проектировании и эксплуатации вакуумно-технологического обррудования // Экспресс-информация. Криогенное и вакуумное машиностроение. Серия ХМ-6. ЦИНТИхимнефте-маш, 1991.-18 с.

10. Панфилов Ю.В., Булыгина Е.В. Анализ методов удаления микроvдисперсных частиц с поверхности полупроводниковых пластин в вакууме / Тонкие пленки в электронике: Материалы V Международной науч. техн. конф. - Йошкар-Ола. - 1994. - С. 106.

11. Одинокое В. В., Панфилов Ю. В., Булыгина Е. В. Устройство для вакуумного нанесения тонких пленок. Патент РФ на изобретение № 2096521 от 20.11.97 г.

12. Sleptsov V. V., Kyzin A. A., Baranov А. М., Elinson V. М. Optical absortion in (-С:Н multilayer periodic structures. Diamond and Related Materials, 1992, v. I, p. 570 571.

13. Sleptsov V. V., Kyzin A. A., Baranov A. M., Elinson V. M. Electrical and optical properties of carbon films. In Book "Physics and Technology of Diamond Materials", Poland Publishers, Moscow, 1994, p. 80 87.

14. Sleptsov V.V., Elinson V.M., Potraysay V.V/ Sufface Modification of Polymers for Medical Application by Means of Plasma- ion Deposited Carbon Films. Chemical Vapour Deposition, 1997, v.5,№4.

15. Мелехин Ю.Я., Минайчев B.E, Одиноков В.В. Вакуумная установка непрерывного действия для нанесения пленок магнетронным распылением./Электронная промышленность.-1985. Вып.2. с.51-52.

16. Слепцов В. В., Елинсон В. М. Инженерия поверхности новое направление в технологии Технологическое оборудование и материалы 1997 г., №7, стр. 22 -23.

17. Ивашов Е.Н. Степанчиков С.В. Прусаков Е.В. Взаимодействие технологических частиц с поверхностями вакуумной камеры.//" Вакуумная наука и техника": Тезисы доклада на научно технической конференции, Гурзуф 1997.

18. Патент РФ №2115764 Устройство перемещения подложкодержателя. /Василенко Н.В. Ивашов Е.Н. Прусаков Е.В. Степанчиков С.В. Опубл. 20.07.98 // Б.И.№20.

19. Патент РФ № 2114931 Устройство нанесения тонких пленок. / Василенко Н.В Ивашов Е.Н. Прусаков Е.В. Степанчиков С.В. Опубл. 10.07.98// Б.И.№19.

20. Патент РФ №. 2119423 Исполнительный орган манипулятора /Майборода И.В. Рогов А.А. Ивашов Е.Н. Прусаков Е.В. Степанчи-ков С.В. 0публ.27.09.98 // Б.И.№27.

21. Патент РФ №. 2125254 Датчик разности давлений /Майборода И.В. Рогов А.А. Ивашов Е.Н. Прусаков Е.В. Степанчиков С.В. -Опубл.20.01.99 // Б.И.№2.

22. Ивашов Е.Н. Прусаков Е.В. Определение скорости осаждения вещества на подложку.// "Датчики и преобразователи информации систем измерения контроля и управления": Тезисы доклада на научно -технической конференции, Гурзуф 1998.

23. Ивашов Е.Н. Прусаков Е.В. Математическое моделирование процессов пленкообразования в электронике.//" Вакуумная наука и техника": Тезисы доклада на научно технической конференции, Гурзуф 1998.

24. Ивашов Е.Н. Степанчиков С.В. Прусаков Е.В. Оценка выхода годных изделий электронной техники с учетом вероятности их поражения микрочастицами износа.// "Вакуумная наука и техника": Тезисы доклада на научно технической конференции, Гурзуф 1998.

25. Прусаков Е.В. Пленкообразование на подложке с использованием 1-координатного привода перемещения подложкодержателя: НТК студентов, аспирантов и молодых специалистов МГИЭМ

26. Прусаков Е.В. Модель осаждения материала на плоскую подложку.// "Вакуумная наука и техника", Тезисы доклада на научно технической конференции, Гурзуф 1999.

27. Василенко Н.В., Ивашов Е.Н., Ковалев Л.К. и др. Вакуумное модульное оборудование для экологически чистых и ресурсосберегающих технологий./ Монография. Красноярск НИИ СУВПТ, 1999. С.95.

28. Бернацкий И.П., Василенко Н.В., Головенкин Е.Н. и др. Механические системы вакуумно-космических роботов и манипуляторов.// Учебное пособие для вузов в 2-х томах. Т1 Красноярск НИИ СУВПТ, 1998. С.465.

29. Бернацкий И.П., Василенко Н.В., Головенкин Е.Н. и др. Механические системы вакуумно-космических роботов и манипуляторов.// Учебное пособие для вузов в 2-х томах. Т2 Красноярск НИИ СУВПТ, 1998. С.377.

30. Львов Б.Г. Основы теории технических систем.// Учебное пособие. М. МИЭМ, 1991. С.135., ил.

31. Ивашов Е.Н. Критерий оптимальности исполнительных устройств промышленных роботов.// М.: ВНИИТЭМР. Деп. Рук. №410 мш-85 Деп.1985. С.5., ил.

32. Ивашов Е.Н. Коэффициент работоспособности исполнительного устройства промышленного робота.// М.: ВНИИТЭМР. Деп. Рук. №412 мш-85 Деп.1985. С.6.

33. Ивашов Е.Н. Применение i координатных исполнительных устройств в напылительном оборудовании.// Автоматическое оборудование и технология производства изделий электронной техники. М.: МИЭМ, 1991. С.33-37.

34. Ивашов Е.Н.^- координатные исполнительные устройства в оборудовании производства электронной техники. М.: МИЭМ, 1991. С.З-12.

35. Черняев В.А. Технология производства интегральных микросхем и микропроцессоров.//Учебник для вузов. М.: Радио и связь, 1987. 464с.

36. Технология тонких пленок: Справочник/ Под ред. JI. Майссела, Р. Гленга; Пер. с англ. под. Ред. М.И. Еленсона, Г.Г. Смолко. М.: Сов. Радио, 1977. Т.1. 664с.

37. Технология тонких пленок: Справочник/ Под ред. JI. Майссела, Р. Гленга; Пер. с англ. под. Ред. М.И. Еленсона, Г.Г. Смолко. М.: Сов. Радио, 1977. Т.2. 768с.

38. Антонов В.А. Технология производства электровакуумных и полупроводниковых приборов./ М.: Высш. школа, 1979. 327с.

39. Данилин Б.С., Долинский В.А. Получение пленок равномерной толщины при массовом изготовлении тонкопленочных элементов интегральных схем.// Зарубежная электронная техника. 1971 .№12. С.60-93.

40. Данилин Б.С., Киреев В.Ю. Получение пленок равномерной толщины при ионном распылении.// Зарубежная электронная техника. 1972.М23. С.36-55.

41. Данилин Б.С., Долинский В.А, Шинкаренко Ю.А. Получение тонкопленочных слоев равномерной толщины на подложках сложного профиля./Зарубежная электронная техника. 1973.№3. С.20-44.

42. Ивашов Е.Н. Разработка манипуляционных систем для сверхвысо-ковакуумного оборудования на базе I координат./ Тезисы научно-технического семинара "Современное состояние и перспективы развития электронного машиностроения". - М.: МИЭТ, 1990.

43. Ивашов Е.Н., Некрасов М.И., Степанчиков С.В. Проблемы вакуумной экологии в производстве изделий микроэлектроники./ Тезисы доклада на 3- ей НТК "Экология микроэлектроники- 90". М.: МИЭТ, 1990.

44. Карапетян С.С., Коростелин Ю.И. Адгезионная модель трения./ ДАН, Машиноведение,№6, 1980, с.100-105.

45. Киттель Ч. Введение в физику твердого тела./ М.: Мир, 1969, 681с.,ил.

46. Черняк Ю.И. Системный анализ в управлении экономикой./ М.: Экономика, 1975; 374с., ил.

47. Павленко А.И. Системный анализ в задачах проектирования АСУ./ Учебное пособие. М.: МАИ, 1982.

48. Уолт А. Опыт методологии для системотехники./ М. Советское радио, 1975,-254с., ил.

49. Ковалев JI. К. Особенности создания вакуумного оборудования гибкой производственной системы для изделий микроэлектроники. -"Электронная промышленность", вып. 1 (169), 1988. с. 3-14.

50. Фетисов В.Е. Электронное машиностроение на современном этапе развития. / Электронная промышленность. 1989. Вып.7с.3-6.

51. Бернацкий И. П., Василенко Н. В., Галибей Н. И. и др. Прикладная механика космических систем связи. Томск: МГП "РАСКО" при изд-ве "Радио и связь", 1996. - 576 с.

52. Коротков В.П., Тайц Б.А. Основы метрологи и теории точности измерительных устройств./ М.: Изд-во стандартов, 1978- 352с., ил

53. Бусиленко Н.П. Моделирование сложных систем./ М.: Наука, 1978. 399с.

54. Вакуумная техника: Справочник/ Фолов Е.С., Минайчев В.Е., Александрова А.Т. и др. -М.: Машиностроение, 1985,- ЗбОс.ил.

55. Колискор А.Ш. Исследование точности функционирования промышленных роботов на основе £- координат. /В кн.: Диагностирование оборудования комплексно- автоматизированного производства, М.: Наука 1984, с.78-82.

56. Колискор А.Ш. Определение положения твердого тела в пространстве на основе I-координат./ В кн.: Внедрение прогрессивных средств и методов размерного контроля точных измерений длин и углов. Л.: ВНИИМ, 1984, с.183-184.

57. Колискор А.Ш. Разработка и исследование промышленных роботов на основе I- координат./ Станки и инструменты,№12,1982. с.21-24.

58. Решетов Д.Н. Детали машин./ М.: Машиностроение, 1974,- 655с.,21-24.

59. Дубошин Г.Н. и др./ Справочное руководство о небесной механике и астродинамике. М.: Наука, 1976. - 486с., ил.

60. Медников М.И. Вводы движения в вакуум./ М.: Машиностроение, 1974, 184с.

61. Крагельский И.В. и др. Трение и износ в вакууме./ М.: Машиностроение , 1973, с.216.

62. Фролов С. и др. Вакуумные системы и их элементы./ М.: машиностроение, 1968. 189с.

63. Разберн Ф. Справочник по вакуумной технологии./ Пер. с англ. под ред. проф. Никлондра Р.А. -М.Энергия, 1972. 441с

64. Данилин Б.С., Минайчев В.Е. Некоторые вопросы вакуумной техники при напылении тонких пленок./ Физика металлических пленок. Киев, 1969., с.77-87.

65. Ивашов Е.Н. Модели трения, изнашивания и газовыделения для вакуумного машиностроения./Вестник машиностроения, №12, 1990, с. 17-20.

66. Глазунов В.А. Синтез пространственных рычажных механизмов параллельной структуры и разработка методов их анализа./ Дисс. на соиск. уч. ст. д.т.н. М.: ИМАШ им. А.А. Благонравова, 1991. 315с., ил.

67. Ковалев Л.К. Осаждение конденсата на поверхность подвижного держателя образцов при некосинусоидальном законе распределения./Оптико-механическая промышленность. 1984 №3. с.34-37.

68. Холленд Л. Нанесение тонких пленок в вакууме. М. Л.: Госэнерго-издат, 1963. 608с.

69. Грищенко А.Ф. Ионное легирование в микроэлектронике. М.: Высш. школа, 1985ю48с.

70. Назаров Л.Н., Лавыгин В.А. Оптимизация конструкций оборудования вакуумной техники./Электронная техника. Сер.7, Технология, организация производства и оборудование. М.: ЦНИИ "Электроника", 1981. Вып. 6 (109).с.38-40.

71. Pieter Burgraff. Integrated Processing: The 1990s Trends/ Semiconductor International. 1989, v.12 №6, p.65-69/

72. Mc.-Jeown. Sputter deposition via Single-Wafer, Multi-chamber System/ Microelectronic Manufacturing and testing/1989, v. 12, №8, p. 11 -13.

73. Electronic News. 1987, v.33, №1662,p.34.

74. Electronic News. 1988, v.34, №1736,p.30.

75. Electronic News. 1989, v.35, №1748,p.27-28.

76. Pool M.A., Atherton L.F. Cluster Tools Need Performance Analysis. Semiconductor International. 1990, №10,p.98-99.

77. Electronic Engineering Times. 1990, №579,p.31-32.

78. Проспект фирмы "Varian Associates", США. 1986.

79. Проспект фирмы "Balzers", Лихтенштейн. 1987.

80. Проспект фирмы "Varian Associates", США. 1989.

81. Semiconductor International. 1990, v,13№6,p.248-250.

82. Cluster Tools. Semiconductor International. 1991, v,14№>6,p.28-30.

83. Hanlan J.F.O Contamination reduction in vacuum processing systems/ Journal of Vacuum Science and Technology/ 1989, v.A7№3,p.2500-2503.

84. Папцов Г.М., Ган К.Г., Ивашов E.H. Методика расчета вакуумных сильфонных вводов движения: Стандарт СТП Мб.0.012.015-83 ОКБ ИКИ АН СССР. Фрунзе: ОКБ ИКИ, 1983.23с.

85. Александрова А.Т. Оценка работоспособности механизмов перемещения в вакууме./Электронная техника. Сер.7, Технология, организация производства и оборудование. М.: ЦНИИ "Электроника", 1977. Вып.3(82). с.57-60.

86. Денисов А.Г., Дорждин Г.С., Кессельман JI.A. и др. Получение эпи-таксиальных слоев на установке молекулярно- лучевой эпитаксии./ Электронная промышленность. 1978. Вып.11-12.с.115-118.

87. Слепцов В. В., Елинсон В. М. Инженерия поверхности новое направление в технологии - Технологическое оборудование и материалы 1997 г., № 7, стр. 22 - 23.

88. Василенко Н. В., Ивашов Е. Н., Ковалев Л. К., Степанчиков С. В. и др. Расчет и конструирование механических систем оборудования аэрокосмической и электронной техники. Красноярск: Красноярск, книжн. изд-во, 1996. - 337 с.

89. Василенко Н. В., Никитин К. Д., Пономарев В. П., Смолин А. Ю. Основы робототехники. Томск: МГП "РАСКО" при изд-ве "Радио и связь", 1993. -480 с.

90. Панфилов Ю. В., Рябов В. Т., Цветков Ю. Б. Оборудование производства интегральных микросхем и промышленные роботы. М.: "Радио и связь", 199S. - 320 с.

91. Справочник конструктора точного машиностроения/ Под общ. ред. К.Н. Явленского, Б.П. Тимофеева , Е.Е. Чаадаевой. Л.: Машиностроение, 1989. 792с.

92. Ю5.Базров Б. М. Концепция модульного построения технологических средств механосборочного производства. "Вестник машиностроения", №2, 1996.-с. 28-33.

93. Юб.Механика промышленных роботов:/ Под ред. К.В. Фролова, Е.И. Воробьева. Кн.1: Кинематика и динамика/ Е.И. Воробьев, С. А. Попов, Г.И. Шевелева. М.: Высшая школа, 1988- 304с., ил.

94. Механика промышленных роботов:/ Под ред. К.В. Фролова, Е.И. Воробьева. Кн.2: Расчет и проектирование механизмов/ Е.И. Воробьев, О.Д. Егоров, С.А. Попов.- М.: Высшая школа, 1988,367с., ил.

95. Механика промышленных роботов:/Под ред. К.В. Фролова, Е.И. Воробьева. КнЗ: Основы конструирования/ Е.И. Воробьев, А.В. Бабич, К.П. Жуков и др. М.: Высшая школа, 1989,383с., ил.

96. Ю9.Вышлов В.А Анализ и синтез точности функционально- ориентированных подсистем и элементов систем управления ГПС механообработки на предварительных этапах проектирования. Дисс. на со-иск. уч. ст. д.т.н., ДСП- М.: МИЭМД990- 375с.,ил.

97. ПО.Бешелев С.Д., Гурвич Ф.Г. Математико-статистические методы экспертных оценок./ М.: Статистика, 1980 263с., ил.

98. Ш.Бункин В.А., Курицкий Б.Я., Сокуренко Ю.А. Решение задач оптимизации в управлении машиностроительным производством./ -Л.: машиностроение, 1976-232с., ил.

99. Деулин Е.А. Основы теории проектирования механизмов автоматизированного оборудования/ Дисс. на соиск. уч. ст. д.т.н., ДСП- М.: МГТУ им Н.Э. Баумана, 1987- 637с., ил.

100. Измерения в промышленности. Справ, изд. в 2-х кн. Кн.1. Теоретические основы. Пер*с нем./ Под ред. Профоса П.- 2-е изд., перераб. и доп.- М.:Металлургия,1990-492с.,ил.

101. ГОСТ 8.009-84. Нормируемые метрологические характеристики средств измерений. Издательство стандартов, 1988.-151 с.

102. Полищук Е.С. Измерительные преобразователи./ Киев: Вица Школа, 1985.-298с.,ил.

103. Аналитическое приборостроение/ Каталог ЦНИИ Электроника. -М.:ЦНИИ Электроника ,1983.75с.-ДСП.

104. Розанов J1.H. Вакуумные машины и установки. Л.: Машиностроение, 1975.-336с.

105. Гаранский Г.К., Бендерова Е.И. Технологическое проектирование в комплексных автоматизированных системах подготовки производства. М.: Машиностроение, 1981. 455с.

106. Розанов J1.H. Вакуумная техника: Учебник для вузов- М.: Высшая школа, 1982- 207с., ил.

107. ОСТ 11.091.005-78. . Оборудование для производства электронной техники. Надежность. Общие технические требования и методы определения. Введен 01.01.80. 43с.

108. Бекетова З.П., Гапонов С.В., Каверин Б.С. и др. Особенности роста пленок веществ, испаренных излучением импульсных лазеров/ Электронная техника. Сер.10 Квантовая электроника. М.:ЦНИИ "Электроника", 1975. Вып. 1. с.81 -84.135

109. Денисов А.Г., Кузнецов Н.А., Макаренко В.А. Оборудование для молекулярно- лучевой эпитаксии/ Обзоры по электронной технике. Сер.7, Технология, организация производства и оборудование. М.: ЦНИИ "Электроника", 1981. Вып. 17(828). 52с.

110. Гапнов С.В., Салащенко Н.Н. Вакуумное напыление пленок с помощью импульсных лазеров/ Электронная промышленность. 1976. Вып. 1(49), с. 11-20.

111. Kovalev L.K. Process and Equipment for Micron Technologies. Journal of Advanced Materials. 1994,1(2),№2, p. 195-204.

112. Корсаков B.A., Минайчев B.E., Одиноков В.В. Вакуумная установ ка непрерывного действия с магнетронной системой распыления./ Электронная промышленность, 1981. Вып.9,- .44-45.

113. Меляхин Ю.Я., Минайчев В.Е., Одиноков В.В. Развитие вакуумно го оборудования для нанесения пленочных структур ИС/ Электронная техника: Научн. техн. сб. /ЦНИИЭ.-М.,1987, с.151-161.130.ASM News. March 1990,р.4

114. Пример расчета газового потока из зоны напыления Исходные данные по расчету:- остаточное давление в вакуумной камере: р = Ю-4 Па;- температура 300 К;- газовыделение оценить по' водороду. Находим скорость конденсации по формуле:1. ОДР од-ю-4 1Л1п1Ь/7

115. JU = , = . = 2,9 • 10'71/мс

116. V2ятКТ р • 3,14 • 4,65 • 1 026 • 1,37 • 10-23 • 300где та время адсорбции; ,

117. Находим время адсорбции по формуле:12546 ^та = ц ехр(-%) = 10-3 • е^.зьооJ = j 4gj4.} 0-з с R.Tздесь т0 минимальное время пребывания молекулы вадсорбированном состоянии т0 ~ Ю-13 с;

118. Q -энергия активации при адсорбции;

119. R универсальная газовая постоянная; Т- температура.

120. Определяем параметр В по формуле: В = —+—-1/148,4* Ю'3+2,9*1017/9,6*1018=6,16 1/с

121. Начальник УМУ н Капырин В. В.1. НИИ Перспективныхматериалов и технологии АКТ1. ОТ //■ с 92000с

122. НИИ СУВПТ (систем управления, волновых процессов и технологий) АКТот О* 2ООО г.

123. АССОЦИАЦИЯ ТЕХНИЧЕСКИХ УНИВЕРСИТЕТОВ ВЫСТАВКА « ДОСТИЖЕНИЯ ТЕХНИЧЕСКИХ УНИВЕРСИТЕТОВ РОССИИ >>

124. Московский государственный институт электроники и математикитехнический университет )

125. ВЫСОКОЭКОЛОГИЧНЫЙ ВАКУУМНЫЙ1. МАНИПУЛЯТОР1. Назначение

126. Предназначен для прецизионной ориентации объектов внутри вакуумных камер кластерногооборудования электронного производства.

127. Технические характеристики

128. Число степеней подвижности.6

129. Воспроизводимость положения объекта ,мм.5

130. Допускаемая температура прогрева ,°с.400

131. Габаритные размеры, мм.180 х 1601. Вес, кг.6,31. Область применения

132. Может применяться в технологическом и аналитическом оборудовании производства изделий электронной техники, точном машиностроении и аэрокосмической технике.1. Преимущества

133. В вакуумной части манипулятора полностью устранены узлы внешнего трения источники знерации загрязненных микрочастиц износа. Прецизионная часть манипулятора имеет возможность отсоединятьсяво время высокотемпературного прогрева.

134. Разработка защищена авторским свидетельством СССР № 1495111 Авторы разработки: Григорьев И.Ю., Ивашов Е.Н., Прусаков Е.В., Стаканчиков С.В.

135. Отпечатано в типографии МГИЭМ . . 98. Тираж 50 экз. Заказ №