Моделирование процесса формирования объектов в иммерсионной ультрафиолетовой литографии тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.13.12, кандидат наук Костомаров Павел Сергеевич

• Костомаров Павел Сергеевич
• кандидат наук
• 2015

Оглавление диссертации кандидат наук Костомаров Павел Сергеевич

СПИСОК СОКРАЩЕНИЙ

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1. ОБЗОРНО-АНАЛИТИЧЕСКОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ В ОБЛАСТИ АВТОМАТИЗИРОВАННОГО ПРОЕКТИРОВАНИЯ ОБОРУДОВАНИЯ ДЛЯ ПРОЦЕССА ФОРМИРОВАНИЯ ОБЪЕКТОВ В ИММЕРСИОННОЙ УЛЬТРАФИОЛЕТОВОЙ ЛИТОГРАФИИ

1.1. Тенденции развития литографии при изготовлении топологии объекта с элементами, меньшими длины волны экспонируемого излучения

1.2. Применение метода иммерсии в ультрафиолетовой литографии

1.3. Методы машинного моделирования в иммерсионной ультрафиолетовой литографии

1.4. Выбор решения коллективом экспертов

1.5. Особенности и классификация современных литографических САПР для моделирования процессов ультрафиолетовой литографии

Постановка задачи исследования

ГЛАВА 2. ТЕОРЕТИЧЕСКИЙ ПОДХОД К РЕШЕНИЮ ЗАДАЧИ СОЗДАНИЯ ЭЛЕМЕНТОВ СИСТЕМЫ АВТОМАТИЗАЦИИ ПРОЕКТИРОВАНИЯ УСТРОЙСТВ ОБОРУДОВАНИЯ ДЛЯ ПРОЦЕССА ФОРМИРОВАНИЯ ОБЪЕКТОВ В ИММЕРСИОННОЙ УЛЬТРАФИОЛЕТОВОЙ ЛИТОГРАФИИ

2.1. Концептуальный анализ автоматизации проектирования устройств в иммерсионной ультрафиолетовой литографии

2.2. Задача синтеза объекта проектирования в иммерсионной ультрафиолетовой литографии

2.3. Непараметрическая статистика в задачах моделирования технико-технологических систем ультрафиолетовой литографии

2.4. Асимптотическая оценка применяемых ядер методом Лапласа

2.5. Общая задача математического программирования в иммерсионной ультрафиолетовой литографии

Выводы по главе

ГЛАВА 3. МЕТОДИКА ВЫБОРА РАЦИОНАЛЬНОГО ВАРИАНТА ТЕХНИЧЕСКОГО РЕШЕНИЯ УСТРОЙСТВ ОБОРУДОВНИЯ ДЛЯ ПРОЦЕССА ФОРМИРОВАНИЯ ОБЪКТОВ В ИММЕРСИОННОЙ УЛЬТРАФИОЛЕТОВОЙ ЛИТОГРАФИИ

3.1. Повышение качества ультрафиолетового светового потока в иммерсионной ультрафиолетовой литографии

3.2. Модель морфологической коррекции в ультрафиолетовой литографической технологии

3.3. Задача оптимизации объекта проектирования в иммерсионной ультрафиолетовой литографии

3.4. Обобщенный критерий оценки качества устройств ультрафиолетовой литографии

3.5. Синтез оптимального управления процессами обработки информации в ходе формирования САПР ультрафиолетовой литографии

Выводы по главе

ГЛАВА 4. СИНТЕЗ АЛГОРИТМОВ ПОИСКА ТЕХНИЧЕСКИХ РЕШЕНИЙ УСТРОЙСТВ ОБОРУДОВАНИЯ ДЛЯ ИММЕРСИОННОЙ УЛЬТРАФИОЛЕТОВОЙ ЛИТОГРАФИИ

4.1. Специфика морфологического анализа-синтеза при выборе технических решений устройств ультрафиолетовой литографии

4.2. Решение задачи оптимизации технологического процесса при создании объектов в иммерсионной ультрафиолетовой литографии

4.3. Алгоритм выбора технического решения в иммерсионной ультрафиолетовой литографии

4.4. Устройства для выполнения УФ-литографических операций

4.5. Применение литографических технологий в биомедицинских исследованиях на клеточно-молекулярном уровне

Выводы по главе

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

ПРИЛОЖЕНИЯ

Приложение 1. Программа для ЭВМ «Расчет параметров иммерсионной системы ультрафиолетовой литографической установки»

Приложение 2. Копии Патентов РФ и Свидетельств о государственной регистрации программ для ЭВМ

Приложение 3. Копии наградных Дипломов за участие в Международных научно-технических конференциях

Приложение 4. Акты внедрения результатов работы

СПИСОК СОКРАЩЕНИЙ

AAPSM - alternating aperture phase shift mask, чередующийся

фазосдвигающий шаблон BIM - binary intensive masks, бинарный шаблон

CD - critical dimension, минимальный критический размер

DOF - depth of focus, глубина фокусировки

EAPSM - embedded attenuated phase shift mask, полутоновый

фазосдвигающий шаблон ITRS - International Technology Roadmap for Semiconductors,

международный план по развитию полупроводниковой технологии

NA - numerical aperture, числовая апертура

MEEF - mask error enhancement factor, фактор усиления ошибки при

переносе с маски

ОРС - optical proximity correction, коррекция оптического эффекта

близости

PSM - phase shift mask, фазосдвигающий шаблон

(ФСШ)

RET - resolution enhancement techniques, методы повышения

разрешающей способности процесса литографии SEM - scanning electron microscope, растровая электронная

микроскопия ДНК - дезоксирибонуклеиновая кислота

ДП - динамическое программирование

ОВФ - обращение волнового фронта

ИС (ИМС) - интегральная (микро)схема ИТ - информационные технологии

ИУФЛ - иммерсионная ультрафиолетовая литография

КМ - концептуальная модель

КМОП - комплементарная металл - окисел - полупроводник технология

ЛПР - лицо, принимающее решение

ЛУ - литографическая установка

МГУА - метод группового учета аргументов

ОС - операционная система

ОУ - основные узлы

ПО - программное обеспечение

РНК - рибонуклеиновая кислота

САПР - система автоматизированного проектирования

СБИС - сверхбольшая интегральная схема

СППР - система поддержки принятия решений

ТЗ - техническое задание

ТМД - типизованная матрица доступа

ТО - технический объект

ТП - технологический процесс

УБИС - ультрабольшая интегральная схема

УИУФЛ - устройства иммерсионной ультрафиолетовой литографии

УФ - ультрафиолетовое излучение

УФТ - ультрафиолетовый тракт

ФШ - фотошаблон

ЭВМ - электронная вычислительная машина

ЭУФЛ - экстремальная ультрафиолетовая литография

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Моделирование процесса формирования объектов в иммерсионной ультрафиолетовой литографии»

ВВЕДЕНИЕ

Моделирование является наиболее мощным инструментом исследования и проектирования сложных систем. Оно позволяет произвести расчет возможных результатов исследований без прямой реализации эксперимента. Если цена вопроса реализации чрезмерно высока, как в случае с литографическими процессами и литографическим оборудованием, то данный метод призван сэкономить средства, что особо актуально для малых лабораторий и средних фирм, занимающихся разработками литографических процессов для создания интегральных схем (ИС).

Перспективность исследований в области моделирования подходов к созданию устройств оборудования для формирования микро- и нанобъектов в иммерсионной ультрафиолетовой литографии (ИУФЛ) объясняется тем, что данный метод актуален для полупроводникового производства с проектными нормами от 65 нм и меньше. По прогнозам International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS), метод ИУФЛ будет актуален в ближайшее десятилетие.

Таким образом, моделирование подходов к созданию устройств оборудования для формирования объектов в иммерсионной ультрафиолетовой литографии - задача актуальная и своевременная.

Целью диссертационной работы является моделирование подходов к проектированию устройств оборудования для формирования объектов в иммерсионной ультрафиолетовой литографии. Специально разработанные модели позволяют сократить время проектных работ, повысить качество литографического процесса путем выбора наилучших конфигураций основных параметров технологического процесса (ТП), таких как: длина волны источника излучения, использование методик уменьшения длины волны и использование иммерсионных жидкостей.

В целом, специальная разработка подходов к проектированию оборудования иммерсионной литографии должна привести к оптимизации процесса формирования объектов, производимого данным методом, в

промышленных масштабах с тем, чтобы получаемая продукция отвечала всем требованиям, предъявляемым к современным полупроводниковым изделиям, таким как: длина волны источника излучения, доза экспонирования и размер конечного элемента топологии.

Для достижения цели диссертационного исследования следует выполнить следующий комплекс действий:

1. Выполнить обзорно-аналитические исследования отечественной и зарубежной литературы в области автоматизированного проектирования процесса формирования объектов в ИУФЛ.

2. Разработать теоретическое обоснование решения задачи моделирования подходов к созданию устройств оборудования для формирования объектов в ИУФЛ.

3. Применить схему непараметрических решающих правил в условиях малых выборок для моделирования подходов к созданию устройств оборудования для формирования объектов в ИУФЛ.

4. Создать физико-математическую модель оптимального управления процессом формирования объектов в ИУФЛ.

5. Разработать алгоритмы синтеза технических решений для процесса формирования объектов методом ИУФЛ и на их основе разработать технические предложения устройств создания электронных объектов, в том числе с использованием систем обращения волнового фронта.

6. Разработать модельно-алгоритмический комплекс и специальные программы для формирования основ системы поддержки принятия решений (СППР) для оказания помощи разработчикам оборудования литографических процессов в неструктурируемых или слабоструктурируемых ситуациях выбора.

7. Выполнить оценку эффективности применения созданной СППР на стадиях предварительной разработки подходов к созданию устройств оборудования ИУФЛ.

Объектом исследования являются устройства иммерсионной ультрафиолетовой литографии (УИУФЛ) нового поколения и процессы формирования объектов с их использованием.

Предметом исследования является разработка подходов к созданию устройств оборудования для формирования объектов в ИУФЛ с использованием современных методик сбора и обработки исходной информации в области ультрафиолетовой литографии и создание на их основе СППР, которая составляет основу автоматизации проектирования в данной области знаний.

Для решения представленных в работе задач используются непараметрические системы обработки информации, а также положения теории принятия решений, теории систем, теории алгоритмов, теории автоматического управления, теории вероятностей и математической статистики с последовательным анализом уже известных процессов формирования электронных объектов. Выполнение теоретико-экспериментальных исследований и практических расчетов базируется на использовании методов компьютерного моделирования и объектно-ориентированного

программирования для ЭВМ, а также методов вычислительной математики. Основой для объединения всех вышеперечисленных методов служит системный подход.

Научная новизна обусловлена:

1. Моделью применения непараметрических решающих правил в условиях малых выборок для моделирования подходов к созданию устройств формирования объектов в ИУФЛ, позволяющей, в отличие от известных моделей, заменять операции над множествами случайных величин операциями с вероятностными законами распределения их элементов, что особо актуально в тех случаях, когда не представляется возможным выполнить большое число практических экспериментов.

2. Моделью оптимального управления процессом формирования объектов в ИУФЛ, позволяющей, в отличие от существующих моделей, управлять ТП в соответствии с необходимыми проектными нормами (длина волны 193 нм, минимальный размер элемента 32 нм).

3. Предложением синтеза алгоритмов поиска технических решений для процесса формирования объектов методом ИУФЛ, обеспечивающих, в отличие от известных алгоритмов, возможность модернизации ближайшего прототипа для эффективного выполнения литографических операций с соблюдением технологических и проектных норм.

4. Выполненной оценкой технической и экономической эффективности применения предложенной СППР при разработке подходов к созданию устройств оборудования ИУФЛ, которая учитывает технические, технологические, структурные, экономические и экологические локальные критерии качества.

Практическая значимость заключается в том, что:

1. Предложен метод применения непараметрических решающих правил в условиях малых выборок для моделирования подходов к созданию устройств оборудования формирования объектов в ИУФЛ, позволяющий наиболее эффективно обрабатывать результаты экспериментов.

2. Разработана система поддержки принятия рациональных решений на этапе предварительной разработки моделирования подходов к созданию устройств оборудования для формирования объектов в ИУФЛ, что имеет существенное значение для изготовления интегральных схем и других полупроводниковых изделий.

3. Выполнен синтез технических решений процесса формирования объектов методом ИУФЛ, соответствующий проектным нормам, предъявляемым к точности выполнения элементов топологии, а также соответствующий требованиям патентоспособной новизны, текущему

изобретательскому уровню и технологической доступности для отечественной промышленности.

4. Разработан программный продукт по расчету параметров иммерсионной системы ультрафиолетовой литографической установки.

Достоверность выполненных теоретико-экспериментальных

исследований обосновывается строгими математическими положениями перечисленных теорий, известных и разработанных методов и подходов, а также соответствием теоретическим и практическим результатам, которые приводятся в литературе по САПР ультрафиолетовой литографии.

Теоретические и практические результаты работы использованы в научно-исследовательском процессе Научно-исследовательского института предельных технологий при проектировании оборудования и процессов формирования объектов методом ИУФЛ, а также в учебном процессе МИЭМ НИУ ВШЭ департамента электронной инженерии при чтении лекций по курсам: «Технология производства электронных средств», «Технология производства технических систем», «Физические основы микро- и наноэлектроники», «Физические основы электронной техники», «Методы математического моделирования», «Элементная база персональных компьютеров и компьютерное моделирование устройств микроэлектроники», «Моделирование полупроводниковых приборов и элементов микро- и наноэлектроники» и «Системы автоматизированного управления оборудованием», что подтверждается соответствующими актами внедрения.

Основные положения, выносимые на защиту.

1. Модель применения непараметрических решающих правил в условиях малых выборок для моделирования подходов к созданию устройств оборудования для формирования объектов в ИУФЛ, которая особо актуальна в тех случаях, когда не представляется возможным поставить большое число практических экспериментов.

2. Модель оптимального управления процессом формирования электронных объектов, позволяющая, в отличие от существующих моделей, управлять процессами в соответствии с необходимыми проектными нормами при заявленных используемых материалах.

3. Синтез алгоритмов поиска технических решений процесса формирования объектов в ИУФЛ для обеспечения наивысшей эффективности выполнения технологических и проектных норм.

4. Технологическая и экономическая эффективности применения созданной СППР при проектировании процесса формирования объектов в ИУФЛ на этапе предварительной разработки, которая рассматривает технические, технологические, структурные, экономические и экологические локальные критерии качества.

Основные положения о научной новизне и практической значимости, приведенные в диссертационной работе, были доложены и обсуждены на Международных, Всероссийских научно-технических и научно-практических конференциях:

- Международной научно-технической конференции INTERMATIC «Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения», МИРЭА, Москва, в 2009, 2010, 2012, 2013 годах;

- XV Международной научно-технической конференции «Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы», УлГУ, Ульяновск, в 2012 году;

- IX, X и XI Международной научно-практической конференции «Инновации на основе информационных и коммуникационных технологий», МИЭМ НИУ ВШЭ, Сочи, в 2012, 2013 и 2014 годах;

- Научно-технической конференции студентов, аспирантов и молодых специалистов, посвященная 50-летию МИЭМ, Москва, 2012 год;

- II Международной научно-практической конференции «Инновационные информационные технологии», Прага, Чехия, 2013 год;

- Научно-технической конференции студентов, аспирантов и молодых специалистов МИЭМ НИУ ВШЭ, Москва, 2013 год;

- Научно-технической конференции студентов, аспирантов и молодых специалистов НИУ ВШЭ, Москва, 2014 год;

- Научно-технической конференции студентов, аспирантов и молодых специалистов НИУ ВШЭ им. Е. В. Арменского, Москва, 2015 год.

Общее количество докладов на Международных, Всероссийских научно-технических и научно-практических конференциях, выполненных за период обучения, составляет 35.

По теме диссертации опубликовано 20 печатных работ, среди которых: 4 патента РФ на полезные модели, 1 свидетельство РФ об официальной регистрации программ для ЭВМ, 5 работ, изданы в журналах, входящих в перечень периодических изданий, рекомендованных ВАК Минобрнауки РФ для публикации результатов научно-технической и научно-практической деятельности на соискание ученой степени кандидата и доктора наук.

Кандидатская диссертация содержит введение, четыре главы, общие выводы, список используемой литературы и серию приложений, в которых представлены: программа расчета параметров иммерсионной системы ультрафиолетовой литографической установки, копии Патентов РФ и Свидетельств о государственной регистрации программ для ЭВМ, копии наградных Дипломов за участие в Международных научно-технических конференциях и акты внедрения результатов работы.

Общий объем работы изложен на 231 странице, включая приложения на 52 страницах.

ГЛАВА 1. ОБЗОРНО-АНАЛИТИЧЕСКОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ В ОБЛАСТИ АВТОМАТИЗИРОВАННОГО ПРОЕКТИРОВАНИЯ ОБОРУДОВАНИЯ ДЛЯ ПРОЦЕССА ФОРМИРОВАНИЯ ОБЪЕКТОВ В ИММЕРСИОННОЙ УЛЬТРАФИОЛЕТОВОЙ ЛИТОГРАФИИ

1.1. Тенденции развития литографии при изготовлении топологии объекта с элементами, меньшими длины волны экспонируемого излучения

Для различных технологий, таких как флеш-память (NAND), оперативная память (DRAM) и микросхемы логики (микроконтроллеры, микропроцессоры и др.), показанных на рис. 1.1.1, размерные параметры элементов КМОП СБИС в основном зависят от типа процессов проекционной литографии.

Длина волны излучения, числовая апертура, применяемые материалы и многие другие факторы оказывают влияние на разрешение в проекционной литографии. Стандартная проекционная система, осуществляет перенос изображения, при этом фокусное расстояние объектива (/) является функцией диафрагмы (D), как известно из оптики. Для вычисления числовой апертуры объектива (NA) в среде у которой показатель преломления п используется формула (1.1.1):

где sin 0 - синус апертурного угла [1].

Важный параметр проекционной оптической системы - числовая апертура - во многом определяется значением ее разрешения и глубиной фокуса. Фундаментальный закон проекционной литографии - критерий Релея, в котором разрешающая способность проекционной системы R определяется через предел (NA) (1.1.2):

D

NA = п • sin 0 =

2f

(1.1.1)

_ Кг • Я

(1.1.2)

где Я - длина волны А г F эксимерного лазера (Я = 193 нм), а коэффициент Кг ( 0 < Кг < 1 ) определяет уровень конкретного технологического производства.

90

Рис. 1.1.1. Зависимость размерных параметров КМОП СБИС от типа процессов проекционной литографии

Современный уровень развития литографической технологии для производства КМОП СБИС определяется минимальным достигаемым значением коэффициента К± ~ 0,25 - 0,35, т. е. для ЫАтах = 1 , 44 значение

R

min

34 - 47 нм. Обеспечение данного Rmin достигается одновременным

применением таких методов улучшения разрешающей способности (Resolution Enhancement Techniques, далее RET), как:

- методика коррекции оптического эффекта близости,

- фазосдвигающие шаблоны,

- внеосевое освещение,

- двойне впечатывание,

применение метода иммерсии [2].

При использовании ИУФЛ установки с N А тах = 1 , 44 , согласно критерию Релея Я, требуемое разрешение 32 нм достигается при Кг < 0,4 (К± ~ 0,35 - 0,3). Увеличения разрешения можно достичь, используя коротковолновое экспонирующее излучение и объектив с большей числовой апертурой. Но увеличение разрешения будет сопровождаться сокращением глубины фокуса , это объясняется зависимостью обратно

пропорциональной квадрату числовой апертуры (1.1.3):

+ Я К2

0 ор = щ^ф ■ (113)

здесь - коэффициент технологического процесса ( ), отличный от .

Для технологического процесса с Я 32 нм минимальное допустимое значение 0 О F составляет 0,08 - 0,1 мкм, которое обуславливают условия стабильного процесса ИУФЛ при известном уровне , на который влияет: неравномерное нанесение слоев стекла, неплоскостность пластин полупроводника и изменения прочих технологических параметров.

Основной тенденцией литографический процессов последних 15 лет является снижение Ят ¿п КМОП СБИС на порядок, то есть с субмикронных значений ( ЯтIп < 0 , 5 мкм) до глубоко субмикронных ( ЯтIп < 0 , 0 6 мкм). На протяжении этого времени подвергалась сомнениям сама возможность использования проекционной литографии в процессе производства СБИС с такими размерными параметрами, так как расстояния, на которых расположены элементы фотошаблонов, меньше длины волны излучения , что приводит к дифракции света. Данная проблема является основной для производства субмикронных СБИС.

Рис. 1.1.2. Методы, повышающие разрешающую способность ИУФЛ

Если речь идет о проектных нормах порядка 30 - 32 нм, то сама по себе иммерсионная литография без методов повышения разрешающей способности не даст нужных результатов. Но разработка перечисленных выше методов RET (рис. 1.1.2) позволила повысить разрешающую способность проекционной литографии до необходимого технологического уровня, и, вопреки пессимистичным прогнозам, Rmin для элементов СБИС варьируются на уровне менее 1/6 длины волны излучения Я [3].

Для повышения разрешения и глубины фокусировки D О F в проекционной системе изменяют форму источника излучения, создавая так называемое внеосевое освещение, которое может быть: частично когерентным, анулярным, квадрупольным, дипольным или другой, сложный формы (рис. 1.1.3). Для создания анулярного освещения (рис. 1.1.4) используют пару оптических элементов, один из которых неподвижен, второй - подвижен относительно первого, а движение управляется электроникой в соответствии с программой установки.

Частично когерентное Анулярное Квадрупольное Дипольное Сложное

ОО©ФФв в

Рис. 1.1.3. Форма источника излучения определяет тип внеосевого освещения

Особенности разработки и применения фазосдвигающих шаблонов.

При использовании бинарных шаблонов - BIM (Binary Intensive Masks) - происходит интерференция синфазных волн после их дифрагирования на соседних элементах, что приводит к частичному засвечиванию резиста между элементами топологии (рис. 1.1.5.а). Если размеры элементов будет необходимо уменьшать, плотность элементов топологии будет расти, что не позволит качественно выполнить дубление из-за отсутствия должной его проработки резиста. Поэтому, управление освещенностью в резисте приходится

осуществлять за счет подбора необходимых интенсивности и формы источника электромагнитного излучения.

а) обычное освещение

б) внеосевое анулярное освещение

Рис. 1.1.4. Отличие обычного освещения от внеосевого анулярного освещения

а) BIM бинарные б) EAPSM полутоновые в) AAPSM чередующиеся

шаблоны шаблоны шаблоны

Рис. 1.1.5. Принципы работы бинарных и фазосдвигающих шаблонов

Введение в проекционную систему иммерсионной ультрафиолетовой литографии фазосдвигающих шаблонов - PSM (Phase Shift Mask) - дает возможность контролировать фазу электромагнитного пучка [4], улучшая разрешение до 40%.

Фазосдвигающие шаблоны в зависимости от принципов работы делятся на типы: EAPSM - полутоновые (Embedded Attenuated PSM) рис. 1.1.5.6 [5] и AAPSM - чередующиеся (Alternating Aperture PSM) рис. 1.1.5.в.

Для упрощения производства чередующихся фазосдвигающих шаблонов применяют сдвиг фаз только в тех областях, где элементы топологии меньше остальных. Использование специализированного программного обеспечения (ПО) позволяет упростить введение фазосдвигающих областей и фигур коррекции оптического эффекта близости - OPC (Optical Proximity Correction), за счет автоматического использования оптимизационных алгоритмов [6]. Топология считывается и разделяется ПО на отдельные шаблоны, причем смежные области создаются со сдвигом в 180° по фазе, чтобы между ними не возникало конфликтов.

Метод введения фазосдвигающих элементов, наряду с иммерсированием [2], обеспечивает значительное уменьшение габаритов топологической схемы, а в случае, когда разность фаз составляет полпериода, значение сигнала становится нулевым.

На рис. 1.1.6 продемонстрировано округление прямых углов объекта в случае отсутствия упреждающих компенсирующих элементов на фотошаблоне (пунктиром показаны реально получаемые линии).

Однако такой эффект возможен и в случае применения обращателей волнового фронта (ОВФ), например, газообразного метана под большим давлением [7].

При экспонировании наноизображения, размеры которого, равные или меньшие по отношению к предельному размеру по Рэлею-Аббе, изображение будет претерпевать искажения, связанные с дифракционными явлениями.

л 71 з-гг

а) с углами порядка - б) с углами порядка —

^ 2

Рис. 1.1.6. Округление прямых углов объекта, в случае отсутствия упреждающих компенсирующих элементов на фотошаблоне

Устранение таких дефектов обеспечивается введением упреждающих компенсирующих элементов на фотошаблоне (рис. 1.1.7).

Явление дифракции указывает на нарушение законов геометрической

и2

оптики и наблюдается на расстоянии I от препятствия I ~ —- где О - линейные

4 Я

размеры препятствия, Я - длина волны [7].

На рис. 1.1.6. показаны упреждающие компенсирующие элементы на фотошаблоне. Усиление или ослабление света при огибании волнами видимого диапазона встреченных препятствий наблюдается при дифракции под углами р, удовлетворяющему условиям (1.1.4) и (1.1.5)

Я

Ь бтр = (2т+1) Я т = 0;1 ;2 ;. . . (1.1.4)

(дифракционные максимумы), Я

Ь б тр = 2 т — , т= 1 ;2 ;3 ;. . . (1.1.5)

2

(дифракционные минимумы).

Число т называется порядком дифракционного максимума или минимума.

л 71 3-гг

а) с углами порядка - б) с углами порядка —

^ 2

Рис. 1.1.7. Упреждающие компенсирующие элементы на фотошаблоне, пунктиром показаны реально получаемые линии

Чем дальше от видимого излучения сдвигаемся в глубокий ультрафиолетовый диапазон длин волн, тем больше сокращается перечень прозрачных материалов, пока вовсе не сведется к 5 ¿0 2 и С а Р2. В существующих литографических установках используется излучение с длиной волны нм, для которого прозрачными материалами является и

сапфир А120з [8], 5 ¿02 активно используют в просвечивающих шаблонах. Для литографических установок с длиной волны источника излучения нм прозрачным материалом является .

Отражательный шаблон представляет собой структуру, содержащую отражающие и не отражающие участки, которые эквивалентны действию традиционного, просвечивающего шаблона (рис. 1.1.8).

Алюминиевые участки отражают падающее излучение с коэффициентом отражения ЯА г = 0 , 9 2 на длине волны Я = 1 9 3 нм. Темные участки выполнены

из подрезистивного антиотражающего покрытия ARC DUV 42/42P фирмы Brewer Scienc обладающего коэффициентом отражения Rar с = 0 , 0 9.

а) отражательный шаблон б) просвечивающий шаблон

Рис. 1.1.8. Действие отражательного и просвечивающего шаблона

В более коротковолновом - экстремальном ультрафиолетовом и мягком рентгеновском диапазонах отсутствуют оптически прозрачные материалы (Я < 1 3 ,5 нм).

Поэтому, наиболее целесообразно использовать эксимерный лазер А^ с длиной волны Я = 1 9 3 нм, а шаблоны дополнить компенсирующими элементами.

Под «объектами» в работе понимаются элементы рисунка литографических слоев в резисте, который представляет собой кварцевую подложку с нанесенными слоями хрома и/или силицида молибдена. В литографическом оборудовании с фотошаблонов производится перенос уменьшенного изображения в слой резиста на кремниевой пластине с целью дальнейшего создания активных, коммутационных, изолирующих и прочих элементов интегральной схемы. Для изготовления одного вида изделия требуется комплект, состоящий, как правило, из нескольких десятков шаблонов различного уровня сложности.

Двойное впечатывание.

Двойное впечатывание применяют для преодоления дифракционных ограничений, возникающих при переносе групп линий с малым периодом в критических слоях топологии СБИС: топологический рисунок разбивают на два набора линий с большим периодом и печатают один за другим. Таким образом, происходит экспонирование первого набора линий с последующим переносом зоны экспозиции до проведения других этапов технологического процесса в смежную область и экспонирование второго набора линий с травлением промежуточного слоя.

Данные подход к формированию топологического рисунка достаточно дорог и длителен, но с технической точки зрения он сравнительно прост, хотя и требует точности совмещения ~2 нм. Основной его недостаток -необходимость применения нелинейного резиста, химические свойства которого позволяли бы поглощать слабое излучение соседней зоны экспонирования без формирования рисунка.

Использование двойного впечатывания и иммерсионной литографии должны обеспечивать наибольшее снижение уровня определяемого

технологическим производством.

Применение методов коррекции оптического эффекта близости.

Приемы коррекции оптического эффекта близости стали необходимыми условиями реализации технологического процесса формирования сверхбольших (СБИС) и ультрабольших (УБИС) интегральных схем (рис. 1.1.9).

Значение разрешающей способности в проекционной литографии определяется минимальной толщиной линии , полученной на фоторезисте, которая выражается в соответствии с формулой (1.1.5)

k-i 1А

hm = 0.1.5)

где п - показатель преломления среды; кг- коэффициент пропорциональности, зависящий от типа фоторезиста и технологического процесса ( кг = 0 ,4 — 0 ,8 ); N А - числовая апертура [7].

а) отражательный шаблон б) просвечивающий шаблон

Рис. 1.1.9. Коррекция эффектов оптической близости на шаблонах

Использование приемов коррекции оптического эффекта близости позволяет наиболее эффективно преодолевать дифракционные ограничения на штатном литографическом оборудовании без внесения изменений в его конструктивную схему и технологический процесс ультрафиолетовой литографии. Коррекция оптического эффекта близости применима также в литографических установках, использующих эффект обращения волнового фронта и отражательную оптику, что делает этот метод универсальным, широко применимым и экономически эффективным.

1.2. Применение метода иммерсии в ультрафиолетовой литографии

Для повышения разрешающей способности фотолитографии широко применяется метод иммерсии, основанный на заполнении воздушного зазора между проекционным оптическим объективом и резистом иммерсионной жидкостью, показатель преломления которой n > 1, для достижения большей глубины фокуса (при числовой апертуре объектива ниже 1). При получении проекционной системы с эффективной числовой апертурой более 1 разрешающую способность улучшается [9].

Список литературы диссертационного исследования кандидат наук Костомаров Павел Сергеевич, 2015 год

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

1. Валиев К. А. Физика субмикронной литографии. М.: Наука, 1990. 527с.

2. Баканов Г. Ф., Петрова Г. Ф. Фотолитография / СПб.: Изд-во СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2002. 35 с.

3. Маркосов Г. Ф. EUVL, или литография по-ультрафиолетовски // Окно в микромир. СПб. 2002. Том. 2, №1 (5). С. 30-36.

4. Types of Phase-Shifting Mask (PSM) // http://maltiel-consulting.com/. URL: http://maltiel-consulting.com/Phase-Shifting_Mask_PSM_semiconductor_ maltiel.htm (дата обращения 01.09.2015 г.)

5. Ham Y. Why EAPSM? // Photronics Technology Review. 2003. Vol. 1, Is. 4. January. 14 p.

6. Pierre S. Optical Proximity Correction (OPC) // Technology Review. 2003. Vol. 1, Is. 7. 21 p.

7. Ивашов Е. Н., Корпачев М. Ю., Костомаров П. С. Коррекция эффектов оптической близости в литографии // В кн.: Инновационные информационные технологии: Материалы международной научно-практической конференции / Отв. ред.: И. А. Иванов; под общ. ред.: С. У. Увайсов. Т. 3. М.: МИЭМ НИУ ВШЭ, 2013. С. 436-440.

8. Золотарев В. М. и др. Оптические постоянные природных и технических сред. Л.: Химия, 1984. 216 с.

9. Балан Н. Н., Васин В. А., Ивашов Е. Н., Костомаров П. С., Степанчиков С. В. Моделирование процессов иммерсионной ультрафиолетовой литографии на этапе аванпроектирования // Нелинейный мир. 2012. Т. 10. № 7. С. 454-459.

10. Chris A. Mack. Field guide to optical lithography. - Bellingham, Washington USA, ISBN-10: 0819462071, ISBN-13: 9780819462077, SPIE Vol. No.: FG06, 2006. Pg. 68 - 77.

11. ASML Announces TWINSCAN XT:1400 for Dry or Wet Lithography // http://www.asml.com/. URL: http://www.asml.com/asml/show.do?ctx= 5869&rid= 7388 (дата обращения 01.09.2015 г.).

12. Ивашов Е. Н., Костомаров П. С. Информационная технология моделирования процессов иммерсионной ультрафиолетовой литографии // В кн.: Инновации на основе информационных и коммуникационных технологий: материалы международной научно-технической конференции (2012) / Отв. ред.: И. А. Иванов; под общ. ред.: С. У. Увайсов. М.: МИЭМ НИУ ВШЭ, 2012. С. 394-400.

13. Советов Б. Я., Яковлев С. А. Моделирование систем (3-е изд.). - М.: Высшая школа, 2001.

14. Швецов А. Н., Яковлев С. А. Распределенные интеллектуальные информационные системы. - СПб.: Изд-во СПбГЭТУ, «ЛЕТИ», 2003.

15. Костомаров П. С. Моделирование сложных систем иммерсионной ультрафиолетовой литографии // В кн.: Инновации на основе информационных и коммуникационных технологий: Материалы международной научно-практической конференции, 2014 / Отв. ред.: И. А. Иванов; под общ. ред.: С. У. Увайсов; науч. ред.: А. Н. Тихонов. М.: НИУ ВШЭ, 2014. С. 211-213.

16. Sen A. Collective Choice and Social Welfare. San Francisco: Holden Day; 1970. 225 gp.

17. Вилкас Э. Й. Оптимальность в играх и решениях. М.: ФИЗМАТЛИТ, 1990. С. 225-227.

18. Катулев А. Н. Математические методы в системах поддержки принятия решений / А. Н. Катулев, Н. А. Северцев. - М.: Высш. шк., 2005. - 311 с.: ил.

19. Саати Т. Принятие решений. Метод анализа иерархий. - М.: Радиосвязь, 1993 г. - 320 с., илл.

20. Глушко A.A., Родионов И.А., Макарчук B.B. Моделирование технологии изготовления субмикронных КМОП СБИС с помощью систем TCAD // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. 2007. №4. С.32-34.

21. Sawicki J.D. DFM: What is it and what will it do? // Mentor Graphics. 2004. April. 6 p.

22. Born M., Wolf. E. Principles of Optics: 6th ed. / Pergamon Press. Oxford, United Kingdom. 1993.986 р.

23. Львов Б. Г. Основы теории технических систем. - М.: МИЭМ, 1991.- 136 с.

24. Арменский Е. В., Львов Б. Г., Митрофанов С. А. Стратегия построения концептуальной модели технического объекта. / Межвузовский сборник «Методы моделирования и оптимизации в САПР конструкторско-технологических работ». - М.: МИЭМ, 1989. - с. 3 - 6.

25. Половинкин А. И. Основы инженерного творчества: Учебное пособие для студентов втузов. - М.: Машиностроение, 1988. - 368 с.

26. Костомаров П. С. Концептуальный анализ проектирования устройств иммерсионной литографии на примере ультрафиолетового тракта // В кн.: INTERMATIC - 2013. Материалы Международной научно-технической конференции "Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения", 2-6 декабря 2013 г., Москва / Отв. ред.: А. С. Сигов. Ч. 3. М.: МГТУ МИРЭА - ИРЭ РАН, 2013. С. 212-216.

27. Лазарев Л. П., Колючкин В. Я., Метелкин А. Н. Автоматизация проектирования оптико-электронных приборов: учеб. пособие для вузов / Лазарев Л. П., Колючкин В. Я., Метелкин А. Н. ; общ. ред. Лазарева Л. П. - М. : Машиностроение, 1986. - 216 с.

28. Родионов С. А. Автоматизация проектирования оптических систем. Л.: Машиностроение, Ленинград, отд-ние. 1982. 268 с.

29. Солодовников В. В., Плотников В. Н., Яковлев А. В. Теория автоматического управления техническими системами - М.: Изд-во МГТУ им. Н. Э. Баумана, 1993. - 492 с.

30. Костомаров П. С. Формализация процесса проектирования устройств иммерсионной ультрафиолетовой литографии // В кн.: Научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых специалистов НИУ ВШЭ. Материалы конференции / Под общ. ред.: А. Н. Тихонов, В. Н. Азаров, У. В.

Аристова, М. В. Карасев, В. П. Кулагин, Ю. Л. Леохин, Б. Г. Львов, Н. С. Титкова. М.: МИЭМ НИУ ВШЭ, 2014. С. 235-236.

31. Солодовников В. В. Теория автоматического регулирования. В 3-х кн. М.: Машиностроение. Кн. 1, 1967. 768 с.

32. Лапко А. В. Непараметрические системы обработки неоднородной информации / А. В. Лапко, В. А. Лапко - Новосибирск: Наука, 2007. - 174 с.

33. Ивашов Е. Н., Костомаров П. С. Автоматизированное проектирование систем на этапе предварительной разработки // В кн.: Инновации на основе информационных и коммуникационных технологий: Материалы международной научно-практической конференции (2013) / Отв. ред.: И. А. Иванов; под общ. ред.: С. У. Увайсов; науч. ред.: А. Н. Тихонов. М.: МИЭМ НИУ ВШЭ, 2013. С. 207-210.

34. Parzen E. On the estimation of a probability density function and mode // Ann. Math. Statist. - 1962. - P. 1065.

35. Епанечников В.А. Непараметрическая оценка многомерной плотности вероятности // Теория вероятности и ее приенения. - 1969. - Т. 14, вып. 1. - С. 156 - 161.

36. Болнокин В. Е., Ивашов Е. Н., Костомаров П. С., Корпачев М. Ю. Проектирование технологического оборудования в случае малых выборок на основе опорных точек // Успехи современного естествознания. 2014. № 5. С. 132-136.

37. Оливер Ф. Введение в асимптотические методы и специальные функции -М.: Наука 1978 - 357 с.

38. Ивашов Е. Н., Князева М. П., Костомаров П. С., Анисимова Н. Т. Применение асимптотических методов в автоматизированном проектировании технических объектов // Международный журнал экспериментального образования. 2014. Т. 2. № 1. С. 105-108.

39. Садыхов В. Э. Элементы асимптотических методов - Баку: АЗПИ им. Ч. Ильдрыма, 1985 г., 141 с.

40. Балан Н. Н., Васин В. А., Ивашов Е. Н., Костомаров П. С., Степанчиков С. В. Оптимизация процессов иммерсионной ультрафиолетовой литографии в условиях малых выборок // В кн.: Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения. Материалы Международной научно-технической конференции «INTERMATIC - 2012», 3-7 декабря 2012 г., Москва / Отв. ред.: А. С. Сигов. Ч. 3: Материалы и технологии. М.: МГТУ МИРЭА -ИРЭ РАН, 2012. С. 112-116.

41. Банди Б. Методы оптимизации. Вводный курс: Пер. с англ. - М.: Радио и связь, 1988. - 128 с.: ил. ISBN 5-256-00052-7.

42. Бельков В.Н., Ланшаков В. Л. Автоматизированное проектирование технических систем: Учебное пособие // Издательство «Академия Естествознания», 2009 год. ISBN 978-5-91327-056-6.

43. Жилинискас А., Шалтянис В. Поиск оптимума: компьютер расширяет возможности. - М.: Наука, 1989, с. 76, ISBN 5-02-006737-7.

44. Зельдович Б. Я. Обращение волнового фронта - М.: Наука, 1985 г., 247 с.

45. Дмитриев В. Г. Нелинейная оптика и обращение волнового фронта фронта - М.: ФИЗМАТЛИТ, 2001 г., 256 с.

46. Розанов Л. Н. Вакуумная техника - М.: Высшая школа, 1982 г., 207 с.

47. Ивашов Е. Н., Костомаров П. С., Лучников П. А. Повышение качества светового потока в литографии // В кн.: INTERMATIC - 2013. Материалы Международной научно-технической конференции «Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения», 2-6 декабря 2013 г., Москва / Отв. ред.: А. С. Сигов. Ч. 2. М.: МГТУ МИРЭА - ИРЭ РАН, 2013. С. 200-203.

48. Визильтер Ю.В. Обобщенная проективная морфология / Компьютерная оптика. - Том 32, № 4 - 2008 С. 384 - 399.

49. Визильтер Ю.В., Желтов С.Ю. Сравнение и локализация фрагментов изображений с использованием проективных морфологий. // Вестник компьютерных и информационных технологий, - №2, - 2008, С. 14 - 22.

50. Ивашов Е. Н., Корпачев М. Ю., Костомаров П. С. Задача морфологической коррекции в литографической технологии для опто- и наноэлектроники // В кн.: Опто-, наноэлектроника, наноматериалы и микросистемы: Труды XV международной конференции. Ульяновск: УлГУ, 2012. С. 54-55.

51. Ивашов Е. Н., Костомаров П. С. Модель морфологической коррекции в литографической технологии // В кн.: Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения. Материалы Международной научно-технической конференции «ГNTERMATIC - 2012», 3-7 декабря 2012 г., Москва / Отв. ред.: А. С. Сигов. Ч. 1. М.: МГТУ МИРЭА, 2012. С. 163-166.

52. Родионов И.А. Методы коррекции оптических эффектов близости // Наукоемкие технологии и интеллектуальные системы 2007: Сборник трудов 9-ой Всероссийской научно-технической конференции. М. 2007. С. 174 - 178.

53. Родионов И.А. Исследование влияния параметров технологического процесса литографии на минимальные критические размеры элементов, получаемых на кремниевой пластине // Наукоемкие технологии и интеллектуальные системы 2007: Сборник трудов 9-ой Всероссийской научно-технической конференции. М. 2007. С. 219 - 224.

54. Норенков И. П. Введение в автоматизированное проектирование технических устройств и систем. М.: Высшая школа, 1980. 384 с.

55. Аоки М. Введение и методы оптимизации. М.: Наука, 1977. 343 с.

56. Родионов С. А. Автоматизация проектирования оптических систем. Л.: Машиностроение, Ленинград, отд-ние, 1982. 268 с.

57. Балан Н. Н., Васин В. А., Ивашов Е. Н., Костомаров П. С., Степанчиков С. В. Критерий качества в автоматизированном проектировании устройств

оборудования иммерсионной литографии // Оборонный комплекс - научно-техническому прогрессу России. 2012. № 3. С. 69-77.

58. Балан Н. Н., Васин В. А., Ивашов Е. Н., Костомаров П. С., Степанчиков С. В. Обобщенный критерий оценки качества оборудования иммерсионной ультрафиолетовой литографии // В кн.: Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения. Материалы Международной научно-технической конференции «INTERMATIC - 2012», 3-7 декабря 2012 г., Москва / Отв. ред.: А. С. Сигов. Ч. 7: Проблемы надежности и качества. М.: МГТУ МИРЭА - ИРЭ РАН, 2012. С. 88-92.

59. Балан Н. Н., Васин В. А., Ивашов Е. Н., Костомаров П. С., Степанчиков С. В. Стратегия технического обслуживания оборудования иммерсионной ультрафиолетовой литографии // В кн.: Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения. Материалы Международной научно-технической конференции «INTERMATIC - 2012», 3-7 декабря 2012 г., Москва / Отв. ред.: А. С. Сигов. Ч. 3: Материалы и технологии. М.: МГТУ МИРЭА -ИРЭ РАН, 2012. С. 117-121.

60. Ивашов Е. Н., Костомаров П. С. Обобщенный критерий качества в информационной технологии проектирования оборудования иммерсионной ультрафиолетовой литографии // В кн.: Инновации на основе информационных и коммуникационных технологий: материалы международной научно-технической конференции (2012) / Отв. ред.: И. А. Иванов; под общ. ред.: С. У. Увайсов. М.: МИЭМ НИУ ВШЭ, 2012. С. 182-188.

61. Васин В. А., Ивашов Е. Н., Корпачев М. Ю., Костомаров П. С., Степанчиков С. В. Многокритериальная задача принятия решения при проектировании УФ-литографического модульного оборудования // Автоматизация и современные технологии. 2013. № 4. С. 19-24.

62. Карлик Е.М. и др. Экономика машиностроения / Е.М. Карлик, К.М. Великанов, В.Ф. Власов, А.П. Градов и др.; Под общ. ред. Е.М.Карлика. 2-е изд., перераб. и доп. - Л.: Машиностроений, 1985. - 392 с.

63. Болнокин В. Е. Адаптивное управление на базе нечетких регуляторов и нейросетевой технологии: Монография / В. Е. Болнокин, Хо Д. Лок. - Воронеж: Издательство «Научная книга», 2012. - 280 с.

64. Васин В. А., Ивашов Е. Н., Степанчиков С. В. Защищенные структуры для систем кодирования и криптографии // Вопросы защиты информации. 2012.- № 4, с. 38 - 46.

65. Harrison M., Ruzzo W., Uhlman J. Protection operating systems // Communications of the ACM, 1976.

66. Костомаров П. С. Выбор варианта управления защищенной системой // В кн.: INTERMATIC - 2013. Материалы Международной научно-технической конференции «Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения», 2 - 6 декабря 2013 г., Москва / Отв. ред.: А. С. Сигов. Ч. 2. М.: МГТУ МИРЭА - ИРЭ РАН, 2013. С. 204-208.

67. Ravi S. Sandhu The Typed Acess Matrix Model // Proceedings of IEEE Symposium on Security and Privacy. - Oakland, California, May 4-6, 1992. - Р. 122-136.

68. Ciaran Bryce Lattice-Based Enforcement of Access Control Policies // Arbeitspapiere der GMD (Research Report), N. 1020, August 1996.

69. Болнокин В. Е., Ивашов Е. Н., Костомаров П. С., Яговцев В. О. Стратегия технического обслуживания систем управления // Вестник машиностроения. 2015. № 7. С. 3-5.

70. Ивашов Е. Н., Корпачев М. Ю., Костомаров П. С. Техническое обслуживание автоматизированных систем управления // В кн.: Инновации на основе информационных и коммуникационных технологий: Материалы международной научно-практической конференции (2013) / Отв. ред.: И. А. Иванов; под общ. ред.: С. У. Увайсов; науч. ред.: А. Н. Тихонов. М.: МИЭМ НИУ ВШЭ, 2013. С. 439-441.

71. John McLean. The Specification and Modeling of Computer Security // Computer, 23(1) pg. 9-16, January 1990.

72. Быков В. П. Методическое обеспечение САПР в машиностроении. - Л.: Машиностроение. Ленингр. отд-ние, 1989. - 255 с.

73. Норенков И. П., Маничев В. Б. Основы теории проектирования САПР. -М.: Высшая школа, 1990. - 335 с.

74. Болнокин В. Е., Ивашов Е. Н., Корпачев М. Ю., Костомаров П. С. Методика разработки комплексных производственных модулей в современном микроэлектронном производстве // Успехи современного естествознания. 2014. № 5. С. 137-145.

75. Ханзен Ф. Основы общей методики конструирования. - Л.: Машиностроение, 1969. Л.: Машиностроение. 164 с.

76. Теория и методы автоматизации вычислительных систем / Под ред. М. Бреиера. - М.: Мир, 1977. - 282 с.

77. Петренко А. И., Семенков О. И. Основы проектирования систем автоматизированного проектирования. - 2-е изд., сетр. - К. Вище шк. Головное издательство, 1985 г. - 294 с.

78. Семенкин Е. С., Семенкина О. Э., Терсков В. А. Методы оптимизации в управлении сложными системами: Учебное пособие. - Красноярск: Сибирский юридический институт МВД России, 2000. - 254 с.

79. Корячко В. П. и др. Теоретические основы САПР / Корячко В. П., Курейчик В. М., Норенков И. П. - М.: Энергоатоиздат, 1987. - 400 с.

80. Беллман Р. Динамическое программирование. ИИЛ. М.: Изд-во Иностранная литература, 1960 г. 400 стр.

81. Кротов В. Ф., Гурман В. И. Методы задачи оптимального управления. М.: «Наука», 1973 г.

82. Понтрягин Л. С. и др. Математическая теория оптимальных процессов. М.: «Наука», 1971 г.

83. Слободин М. Ю., Царёв Р. Ю. Компьютерная поддержка многоатрибутивных методов выбора и принятия решения при проектировании

корпоративных информационно-управляющих систем // СПб.: Инфо-да, 2004. С. 85 - 91.

84. Борисов А. Н., Алексеев А. В., Меркурьева Г. В. и др. Обработка нечеткой информации в системах принятия решений. - М.: Радио и связь, 1989. 304 с.

85. Костомаров П. С. Автоматизированная подсистема выбора устройства иммерсионной ультрафиолетовой литографии // В кн.: Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения. Материалы Международной научно-технической конференции «INTERMATIC - 2014», 1-5 декабря 2014 г., Москва / Отв. ред.: А. С. Сигов. Ч. 3. М.: МГТУ МИРЭА - ИРЭ РАН, 2014. С. 121-124.

86. Васин В. А., Вишневский А. С., Ивашов Е. Н., Степанчиков С. В. Информационная технология в проектировании пластин плотной записи для накопителей на жёстких магнитных дисках. - М.: Издательство НИИ ПМТ, 2010. - 227с.

87. Ивашов Е. Н., Корпачев М. Ю., Костомаров П. С. Алгоритм выбора технологического решения в ультрафиолетовой литографии // В кн.: Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения. Материалы Международной научно-технической конференции «INTERMATIC - 2012», 3-7 декабря 2012 г., Москва / Отв. ред.: А. С. Сигов. Ч. 7: Проблемы надежности и качества. М.: МГТУ МИРЭА - ИРЭ РАН, 2012. С. 82-87.

88. Вишневский А. С., Домась К. И., Тхань Н. Д., Бинь Л. Т. Математическая модель и алгоритм принятия решения для недоминируемых альтернатив // Системы управления и информационные технологии, 2008, № 2.3 (32). С. 336-339.

89. Васин В. А., Домась К. И., Ивашов Е. Н., Степанчиков С. В. Информационная технология в проектировании объектов лазерной обработки. -М.: Издательство НИИ ПМТ, 2011. - 211с.

90. Ивашов Е. Н., Корпачев М. Ю., Костомаров П. С. Свидетельство РФ 2012615832 об официальной регистрации программы для ЭВМ. Расчет параметров иммерсионной системы ультрафиолетовой литографической установки № 2012613387. Заявл. 26.04.2012; зарег. 26.06.2012.

91. Костомаров П. С. Алгоритм выбора технологического решения для иммерсионной ультрафиолетовой литографии // В кн.: Научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых специалистов МИЭМ НИУ ВШЭ. Тезисы докладов / Под общ. ред.: А. Н. Тихонов, В. Н. Азаров, М. В. Карасев, В. П. Кулагин, Ю. Л. Леохин, Б. Г. Львов, У. В. Аристова, Н. С. Титкова. М.: МИЭМ НИУ ВШЭ, 2013. С. 253-254.

92. Лазарев Л. П., Колючкин В. Я., Метелкин А. Н. Автоматизация проектирования оптико-электронных приборов: учебное пособие для вузов / Лазарев Л. П., Колючкин В. Я., Метелкин А. Н.; общ. ред. Лазарева Л. П. - М. : Машиностроение, 1986. - 216 с.

93. Половинкин А. И., Вершинин Н. И., Зверева Т. И. Функционально-физичский метод поискового конструирования / Учебно-методическое пособие. Иваново: ИЭИ, 1983. 83с.

94. Богданов Г. М., Половинкин А. И. Об одном подходе к задаче компоновки технических систем // Управляющие системы и машины, 1983, № 2, с. 24 - 27.

95. Костомаров П. С. Концептуальный анализ проектирования устройств иммерсионной литографии на примере УФТ // В кн.: Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения. Материалы Международной научно-технической конференции «INTERMATIC - 2013», 2-6 декабря 2013 г., Москва / Отв. ред.: А. С. Сигов. Ч. 3. М.: МГТУ МИРЭА - ИРЭ РАН, 2013. С. 212-216.

96. Костомаров П. С. Патент РФ на полезную модель №97864. Устройство для формирования нанообъектов на подложке / Ивашов Е. Н., Корпачев М. Ю.,

Костомаров П. С., Степанчиков С. В. - № 2010119551/07. Заявл. 17.05.2010; опубл. 20.09.2010, Бюл. № 26.

97. Костомаров П. С. Патент РФ на полезную модель №104508. Устройство для формирования нанодорожек на подложке / Ивашов Е. Н., Корпачев М. Ю., Костомаров П. С., Степанчиков С. В., Якункин М. М. - № 2010146414/07. Заявл. 15.11.2010; опубл. 20.05.2011, Бюл. № 14.

98. Нанотехнология в ближайшем десятилетии. Прогноз направления исследований. / Под ред. М. К. Роко, Р. С. Уильямса и П. Аливисатоса. Пер. с англ. - М.: Мир, 2002. - 292 с., ил.

99. Ивашов Е. Н., Корпачев М. Ю., Костомаров П. С., Лучников П. А. Формирование изображения на подложке в иммерсионной литографии // В кн.: INTERMATIC - 2010. Материалы Международной научно-технической конференции «Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения», 23-27 ноября 2010 г., Москва / Под общ. ред.: А. С. Сигов; науч. ред.: А. С. Сигов. Ч. 1. М.: Энергоатомиздат, 2010. С. 306-307.

100. Костомаров П. С. Патент РФ на полезную модель №106969. Устройство формирования изображения на подложке / Ивашов Е. Н., Корпачев М. Ю., Костомаров П. С., Кузнецов П. С., Лучников П. А. - № 2010146413/28. Заявл. 15.11.2010; опубл. 27.07.2011 Бюл. № 21.

101. Ивашов Е. Н., Корпачев М. Ю., Костомаров П. С., Лучников П. А. Устройство формирования топологической структуры микрочипа для снабжения организма лекарственными препаратами // В кн.: Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения. Материалы Международной научно-технической конференции «INTERMATIC - 2012», 3-7 декабря 2012 г., Москва / Отв. ред.: А. С. Сигов. Ч. 4., 2012. С. 164-165.

102. Васин В. А., Ивашов Е. Н., Костомаров П. С. Применение литографических технологий в биомедицинских исследованиях на клеточном и молекулярном уровнях // Биомедицинская радиоэлектроника. 2013. № 2. С. 59-62.

103. Ивашов Е. Н., Корпачев М. Ю., Костомаров П. С. Формирование нанообъектов литографическим методом // В кн.: INTERMATIC - 2010. Материалы Международной научно-технической конференции «Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения», 23-27 ноября 2010 г., Москва / Отв. ред.: А. С. Сигов. Ч. 2. М.: Энергоатомиздат, 2010. С. 302-303.

104. Костомаров П. С. Патент РФ на полезную модель №104509. Устройство для формирования нанодорожек / Ивашов Е. Н., Корпачев М. Ю., Костомаров П. С., Кузнецов П. С., Лучников П. А. - № 2010146415/07. Заявл. 15.11.2010; опубл. 20.05.2011, Бюл. № 14.

105. Ивашов Е. Н., Корпачев М. Ю., Костомаров П. С. Фотомозаика чипа для фракционирования ДНК на основе литографических технологий // В кн.: Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения. Материалы Международной научно-технической конференции «INTERMATIC - 2012», 3-7 декабря 2012 г., Москва / Отв. ред.: А. С. Сигов. Ч. 2. М.: МГТУ МИРЭА, 2012. С. 112-113.

106. Turner, S. W., A. M. Perez, A. Lopez and H. G. Graidhead. 1998. Monolithic nanofluid sieving structures for DNA manipulation. J. Vac. Technol. B 16(6): 38353840 (Nov/Dec 1998).

ПРИЛОЖЕНИЯ

Приложение 1. Программа для ЭВМ «Расчет параметров иммерсионной системы ультрафиолетовой литографической установки»

Настоящая программа позволяет выполнять расчет параметров иммерсионной системы: числовую апертуру проекционной системы, длину волны излучения после прохождения проекционной системы, длину волны после прохождения иммерсионной системы, минимальный размер элемента будущей топологии и соотнести его с проектными нормами, под которые подходит данный технологический процесс.

Блок-схема программы расчета параметров иммерсионной системы ультрафиолетовой литографической установки представлена на рис. 5.1.1. Основное окно пользовательского интерфейса, которое появляется после открытия данной программы, представлено на рис. 5.1.2.

Пользователь может посмотреть справочную информацию, нажав кнопку «О программе» (где перечислены: краткая аннотация, версия программного продукта, имена разработчиков и их контактные данные (рис. 5.1.3)); или прейти к выбору данных, нажав на кнопку «Задать исходные данные». В этом случае программа предлагает ввести следующие параметры иммерсионной системы ультрафиолетовой литографической установки, необходимые для последующих расчетов (рис. 5.1.4):

1) длину волны электромагнитного излучения источника;

2) иммерсионную жидкость (жидкости в списке расположены в порядке возрастания их показателя преломления);

3) использование методик уменьшения длины волны;

4) коэффициент разрешающей способности проекционной системы.

После внесения в программу всех необходимых параметров пользователю

необходимо нажать кнопку «Произвести расчет параметров».

Система производит расчеты, основываясь на математических выкладках, приведенных в главе 1 данной работы. Параметры иммерсионной системы, рассчитанные с помощью данной программы, представлены на рис. 5.1.5.

После завершения расчетов пользователь может произвести повторный ввод расчетных параметров, нажав на кнопку «Ввод новых параметров», или закончить расчеты, выбрав кнопку «Выход из программы».

Тип ЭВМ: IBM PC-совместимые ПК.

Язык программирования: Delphi XE.

Операционная система: Windows XP/2003/Vista/2008/Seven/8/8.1/10.

Объем программы: 1013 Kb.

Рис. 5.1.1. Блок-схема программы расчета параметров иммерсионной системы ультрафиолетовой литографической установки

Программа расчета параметров иммерсионной системы

ультрафиолетовой литографической установки

Задать исходные данные

О программе

Рис. 5.1.2. Основное окно пользовательского интерфейса программы

Расчет параметров иммерсионной ситемы ультрафиолетовой литографической установки

Настоящая программа позволяет выполнять расчет параметров иммерсионной системы: числовую апертуру проекционной системы, длину волны излучения после прохождения проекционной системы, длину волны после прохождения иммерсионной системы г минимальный размер элемента будущей топологии и соотнести его с проектными нормами, под которые подходит данный технологический процесс.

Product version : LG Developers: Кос

Костомаров П, С.

Ивашов E.H.

Корпчев М. Ю.

Pavel. Kostonnaro V @gnnail. com

e-mail:

Назад

Рис. 5.1.3. Справочная информация о программе

Исходные данные для расчета

Фиксированные параметры системы

Теоретический предел коэффициента разрешающей способности системы 0,25

Размер кадра экспонирования, мм 25 х 30

Диаметр пластины подложки, мм 300

Варьируемые параметры системы

Длина волны электромагнитного излучения, нм

Использование методик уменьшения длины волны Коэффициент разрешающей способности системы

Произвести расчет параметров

1193......................................................................!

| Монобромнафталин 1г6 56 3

|Использовать 3

|0,40 3

Рис. 5.1.4. Ввод необходимых для расчета параметров установки

Рис. 5.1.5. Расчетные параметры иммерсионной системы

Код программы

Примечание: все надписи в программе «Расчет параметров иммерсионной системы ультрафиолетовой литографической установки» выполнены с использованием кодировки UTF-8.

Логика программы:

unit Unit5;

interface uses

Windows, Messages, SysUtils, Variants, Classes, Graphics, Controls, Forms, Dialogs, StdCtrls; type

TForm5 = class(TForm) Label1: TLabel; Label2: TLabel; Button1: TButton; Button2: TButton;

procedure Button1Click(Sender: TObject); procedure Button2Click(Sender: TObject); private

{ Private declarations } public

{ Public declarations } end; var

Form5: TForm5; implementation uses Unit6, Unit7;

{$R *.dfm}

procedure TForm5.Button1Click(Sender: TObject); begin Form5.Hide; Form6.Show; end;

procedure TForm5.Button2Click(Sender: TObject); begin Form5.Hide; Form7.Show; end;

end.

unit Unit6;

interface uses

Windows, Messages, SysUtils, Variants, Classes, Graphics, Controls, Forms, Dialogs, StdCtrls; type

TForm6 = class(TForm) Label1: TLabel; Label2: TLabel; Label3: TLabel; Label4: TLabel; Label5: TLabel; Label6: TLabel;

Label7: TLabel; Label8: TLabel; Button1: TButton; Label9: TLabel; Label10: TLabel; Label11: TLabel; Label12: TLabel; Label13: TLabel; Label14: TLabel; Label15: TLabel;

procedure Button1Click(Sender: TObject); procedure FormClose(Sender: TObject); private

{ Private declarations } public { Public declarations } {задать переменные для запоминания} end; var

Form6: TForm6; implementation {$R *.dfm}

uses Unit5;

procedure TForm6.Button1Click(Sender: TObject); begin Form6.Close; Form5.Show;

procedure TForm6.FormClose(Sender: TObject); begin Form6.Close; Form5.Show; end; end.

unit Unit7;

interface uses

Windows, Messages, SysUtils, Variants, Classes, Graphics, Controls, Forms, Dialogs, StdCtrls; type

TForm7 = class(TForm) Label1: TLabel; Label2: TLabel; Label3: TLabel; Label4: TLabel; Label5: TLabel; Label6: TLabel; Label7: TLabel; Label8: TLabel; Label9: TLabel; ComboBox1: TComboBox; ComboBox2: TComboBox; Label10: TLabel; Label11: TLabel;

ComboBox3: TComboBox; Label12: TLabel; ComboBox4: TComboBox; Button1: TButton;

procedure Button1Click(Sender: TObject);

private

{ Private declarations } public { Public declarations }

NA:real; {числовая апертура системы}

dlvpro:real; {длина волны после прохождения проекционной системы} dlvimm:real; {длина волны после прохождения иммерсионной

системы}

К:геа1; {разрешение проекционной системы} razmer:real; {минимальный размер элемента} normy:integer; {проектные нормы техпроцесса} Ksystem:real; {коэффициент оптической системы}

end;

const sinO=0.973;

var

Form7: TForm7;

dlv:integer; {длина волны электромагнитного излучения} pokprel:real; {показатель преломления иммерсионной жидкости} koef:real; {коэффициент разрешающей способности системы}

implementation

uses Unit5, Unit8;

{$R *.dfm}

procedure TForm7.Button1Click(Sender: TObject); begin

if ((ComboBox1.ItemIndex=-1) or (ComboBox2.ItemIndex=-1)

or (ComboBox3.ItemIndex=-1) or (ComboBox4.ItemIndex=-1)) then begin

showmessage('Не все параметры определены!'); end else begin

if ((ComboBox1 .Text='157')) then dlv:=157

else if ((ComboBox1 .Text='193')) then dlv:=193;

if ((ComboBox2.Text='Деионизированная вода 1,445')) then pokprel:=1.445

else if ((ComboBox2.Text='Вазелиновое масло 1,503')) then pokprel:=1.503

else if ((ComboBox2.Text='Монобромнафталин 1,656')) then pokprel:=1.656

else if ((ComboBox2.Text='Йодистый метилен 1,741')) then

pokprel:=1.741;

if (ComboBox3.Text=,Не использовать') then begin

dlvpro:=dlv; end

else if (ComboBox3.Text='Использовать') then begin

dlvpro:=dlv*0.4; end;

if ((ComboBox4.Text='0.30')) then koef:=0.3

else if ((ComboBox4.Text='0.35')) then koef:=0.35

else if ((ComboBox4.Text='0.40')) then koef:=0.4;

NA:=sinO*pokprel;

Form8.Label8.Caption:=floattostr(NA);

Form8.Label9.Caption:=floattostr(dlvpro);

dlvimm:=dlvpro/pokprel;

Form8.Label10.Caption:=floattostr(dlvimm);

razmer:=(koef*dlvimm)/NA;

if ((razmer>63) and (razmer<=88)) then

normy:=90

else if ((razmer>43) and (razmer<=63)) then normy:=65

else if ((razmer>31) and (razmer<=43)) then normy:=45

else if ((razmer>27) and (razmer<=31)) then normy:=32

else if ((razmer>23) and (razmer<=27)) then normy:=28

else if ((razmer>21) and (razmer<=23)) then normy:=24

else if ((razmer>18) and (razmer<=21)) then normy:=22

else if ((razmer>6) and (razmer<=17)) then normy:=20;

Form8.Label11 .Caption:=floattostr(razmer);

Form8.Label12.Caption:=inttostr(normy);

Ksystem :=(razmer*NA)/dlvimm;

if ((Ksystem<0.25) or (Ksystem>0.4)) then Form8.Label15.Caption:='Не соответствует'

else

Form8.Label15.Caption:='Cоответствует';

Form8.Label17.Caption:=floattostr(Ksystem);

Form7.Hide;

Form8.Show;

end; end;

end.

unit Unit8;

interface uses

Windows, Messages, SysUtils, Variants, Classes, Graphics, Controls, Forms, Dialogs, StdCtrls; type

TForm8 = class(TForm) Labell: TLabel; Label2: TLabel; Label3: TLabel; Label4: TLabel; Label5: TLabel; Label6: TLabel; Label7: TLabel; Buttonl: TButton; Button2: TButton; Label8: TLabel; Label9: TLabel; LabellO: TLabel; Labelll: TLabel; Label12: TLabel; Labell3: TLabel; Labell4: TLabel; Labell5: TLabel;

Label16: TLabel; Label17: TLabel;

procedure Button1Click(Sender: TObject); procedure Button2Click(Sender: TObject); private

{ Private declarations } public { Public declarations } end; var

Form8: TForm8;

implementation

uses Unit5, Unit6, Unit7;

{$R *.dfm}

procedure TForm8.Button1Click(Sender: TObject); begin Form8.Close; Form7.Show;

Form7. ComboBox1 .ItemIndex:=-1; Form7.ComboBox2.ItemIndex:=-1; Form7.ComboBox3.ItemIndex:=-1; Form7.ComboBox4.ItemIndex:=-1; end;

procedure TForm8.Button2Click(Sender: TObject); begin Form8.Close;

Form7.Close; Form5.Close; end;

end.

Описание используемых форм:

object Form5: TForm5 Left = 0 Top = 0 Caption =

#1056#1072#1089#1095#1077#1090' '#1087#1072#1088#1072#1084#1077#1090#1088#1086#1074' '#1080#1084#1084#1077#1088#1089#1080#1086#1085#1085#1086#1081' '#1089#1080#1089#1090#1077#1084#1099'

'#1091#1083#1100#1090#1088#1072#1092#1080#1086#1083#1077#1090#1086#10 74#1086#1081' '#1083#1080#1090#1086#1075#1088#1072#1092 +

#1080#1095#1077#1089#1082#1086#1081' '#1091#1089#1090#1072#1085#1086#1074#1082#1080' ' ClientHeight = 310 ClientWidth = 500 Color = clBtnFace

Font.Charset = DEFAULT_CHARSET

Font.Color = clWindowText

Font.Height = -11

Font.Name = 'Tahoma'

Font.Style = []

OldCreateOrder = False

Position = poScreenCenter PixelsPerInch = 96 TextHeight = 13 object Label1: TLabel Left = 59 Top = 56 Width = 395 Height = 18

Caption = #1055#1088#1086#1075#1088#1072#1084#1084#1072' '#1088#1072#1089#1095#1077#1090#1072' '#1087#1072#1088#1072#1084#1077#1090#1088#1086#1074' ,#1080#1084#1084#1077#1088#1089#1080#1086#1085#1085#1086#1081' '#1089#1080#1089#1090#1077#1084#1099' '

Font.Charset = DEFAULT_CHARSET Font.Color = clWindowText Font.Height = -15 Font.Name = 'Tahoma' Font.Style = [] ParentFont = False end

object Label2: TLabel Left = 88 Top = 91 Width = 332 Height = 18

Caption =

#1091#1083#1100#1090#1088#1072#1092#1080#1086#1083#1077#1090#1086#10 74#1086#1081'

'#1083#1080#1090#1086#1075#1088#1072#1092#1080#1095#1077#1089#1082#10 86#1081' '#1091#1089#1090#1072#1085#1086#1074#1082#1080 Font.Charset = DEFAULT_CHARSET Font.Color = clWindowText Font.Height = -15 Font.Name = 'Tahoma' Font.Style = [] ParentFont = False end

object Button1: TButton Left = 192 Top = 224 Width = 105 Height = 33

Caption = #1054' '#1087#1088#1086#1075#1088#1072#1084#1084#1077 TabOrder = 0 OnClick = Button1Click end

object Button2: TButton Left = 152 Top=152 Width = 185

object Form6: TForm6 Left = 0 Top = 0

Caption = #1054' '#1087#1088#1086#1075#1088#1072#1084#1084#1077 ClientHeight = 350 ClientWidth = 500

Color = clBtnFace

Font.Charset = DEFAULT_CHARSET Font.Color = clWindowText Font.Height = - ll Font.Name = 'Tahoma' Font.Style = [] OldCreateOrder = False Position = poScreenCenter PixelsPerlnch = 96 TextHeight = l3 object Labell: TLabel Left = 24 Top = l6 Width = 43l Height = l8

Caption = #l056#l072#l089#l095#l077#l090'

'#l087#l072#l088#l072#l084#l077#l090#l088#l086#l074' '#l080#l084#l084#l077#l088#l089#l080#l086#l085#l085#l086#l08l' '#l089#l080#l090#l077#l084#l099'

Wl09l#l083#ll00#l090#l088#l072#l092#l080#l086#l083#l077#l090#l086#l0 74#l086#l08l

Font.Charset = DEFAULT_CHARSET Font.Color = clWindowText Font.Height = -l5 Font.Name = 'Tahoma' Font.Style = [] ParentFont = False end

object Label2: TLabel

Left = 24 Top = 40 Width = 195 Height = 18

Caption =

#1083#1080#1090#1086#1075#1088#1072#1092#1080#1095#1077#1089#1082#10 86#1081' '#1091#1089#1090#1072#1085#1086#1074#1082#1080 Font.Charset = DEFAULT_CHARSET Font.Color = clWindowText Font.Height = -15 Font.Name = 'Tahoma' Font.Style = [] ParentFont = False end

object Label3: TLabel Left = 72 Top=184 Width = 95 Height = 13

Caption = 'Product version :' Font.Charset = DEFAULT_CHARSET Font.Color = clWindowText Font.Height = -11 Font.Name = 'Tahoma' Font.Style = [fsBold] ParentFont = False end

object Label4: TLabel Left = 173

Top=l84 Width = l6 Height = l3 Caption = 'l.0' end

object Label5: TLabel Left = 72 Top = 203 Width = 67 Height = l3 Caption = 'Developers:' Font.Charset = DEFAULT_CHARSET Font.Color = clWindowText Font.Height = -ll Font.Name = 'Tahoma' Font.Style = [fsBold] ParentFont = False end

object Label6: TLabel Left = l73 Top = 203 Width = 88 Height = l3

Caption = #l050#l086#l089#l090#l086#l084#l072#l088#l086#l074' '#l055'. '#l057'.' end

object Label7: TLabel Left = 72 Top = 256

Width = 42 Height = 13 Caption = 'e-mail :'

Font.Charset = DEFAULT_CHARSET Font.Color = clWindowText Font.Height = -11 Font.Name = 'Tahoma' Font.Style = [fsBold] ParentFont = False end

object Label8: TLabel Left = 173 Top = 256 Width = 144 Height = 13

Caption = '[e-mail]' end

object Label9: TLabel Left = 24 Top = 80 Width = 455 Height = 13 Caption =

#1053#1072#1089#1090#1086#1103#1097#1072#1103' '#1087#1088#1086#1075#1088#1072#1084#1084#1072' '#1087#1086#1079#1074#1086#1083#1103#1077#1090' '#1074#1099#1087#1086#1083#1085#1103#1090#1100' '#1088#1072#1089#1095#1077#1090'

'#l087#l072#l088#l072#l084#l077#l090#l088#l086#l074' '#l080#l084#l084#l077#l088 +

#l089#l080#l086#l085#l085#l086#l08l' '#l089#l080#l089#l090#l077#l084#l099':' end

object Labell0: TLabel Left = 24 Top = 99 Width = 454 Height = l3 Caption =

#l095#l080#l089#l083#l086#l074#l09l#ll02' '#l072#l087#l077#l088#l090#l09l#l088#l09l' '#l087#l088#l086#l077#l082#l094#l080#l086#l085#l085#l086#l08l' '#l089#l080#l089#l090#l077#l084#l099', '#l076#l083#l080#l085#l09l'

'#l074#l086#l083#l085#l099'

'#l080#l079#l083#l09l#l095#l077#l085#l080#ll03' '#l087#l086 +

#l089#l083#l077' '#l087#l088#l086#l093#l086#l078#l076#l077#l085#l080#ll03 end

object Labelll: TLabel Left = 24 Top =ll8 Width = 456 Height = l3 Caption =

#l087#l088#l086#l077#l082#l094#l080#l086#l085#l085#l086#l08l' '#l089#l080#l089#l090#l077#l084#l099', '#l076#l083#l080#l085#l09l'

'#1074#1086#1083#1085#1099' '#1087#1086#1089#1083#1077'

'#1087#1088#1086#1093#1086#1078#1076#1077#1085#1080#1103' ' +

#1080#1084#1084#1077#1088#1089#1080#1086#1085#1085#1086#1081' '#1089#1080#1089#1090#1077#1084#1099',' end

object Label12: TLabel Left = 24 Top=137 Width = 454 Height = 13 Caption =

#1084#1080#1085#1080#1084#1072#1083#1100#1085#1099#1081' '#1088#1072#1079#1084#1077#1088' '#1101#1083#1077#1084#1077#1085#1090#1072' '#1073#1091#1076#1091#1097#1077#1081'

'#1090#1086#1087#1086#1083#1086#1075#1080#1080' '#1080'

'#1089#1086#1086#1090#1085#1077#1089#1090#1080 +

' '#1077#1075#1086' '#1089'

'#1087#1088#1086#1077#1082#1090#1085#1099#1084#1080 end

object Label13: TLabel Left = 24 Top=156 Width = 348 Height = 13

Caption = #1085#1086#1088#1084#1072#1084#1080', '#1087#1086#1076' '#1082#1086#1090#1086#1088#1099#1077' '#1087#1086#1076#1093#1086#1076#1080#1090'

'#l076#l072#l085#l085#l099#l08l'

'#l090#l077#l093#l085#l086#l083#l086#l075#l080#l095#l077#l089#l082#l0 80#l08l' '#l087#l088#l086#l094#l077#l089#l089'.' end

object Labell4: TLabel Left = l73 Top = 220 Width = 66 Height = l3

Caption = #l048#l074#l072#l096#l086#l074' '#l045'. '#l053'.' end

object Labell5: TLabel Left = l73 Top = 237 Width = 75 Height = l3

Caption = #l050#l086#l088#l087#l095#l077#l074' '#l052'. '#l070'.' end

object Buttonl: TButton Left = l89 Top = 288 Width = l05 Height = 33

Caption = #l053#l072#l079#l072#l076 TabOrder = 0 OnClick = ButtonlClick end end

object Form7: TForm7 Left = 0 Top = 0

Caption = #1048#1089#1093#1086#1076#1085#1099#1077'

'#1076#1072#1085#1085#1099#1077' '#1076#1083#1103'

'#1088#1072#1089#1095#1077#1090#1072 ClientHeight = 350 ClientWidth = 500 Color = clBtnFace

Font.Charset = DEFAULT_CHARSET Font.Color = clWindowText Font.Height = -11 Font.Name = 'Tahoma' Font.Style = [] OldCreateOrder = False Position = poScreenCenter PixelsPerInch = 96 TextHeight = 13 object Label1: TLabel Left = 20 Top = 16 Width = 216 Height = 13

Caption =

#1060#1080#1082#1089#1080#1088#1086#1074#1072#1085#1085#1099#1077' '#1087#1072#1088#1072#1084#1077#1090#1088#1099' '#1089#1080#1089#1090#1077#1084#1099

Font.Charset = DEFAULT_CHARSET Font.Color = clWindowText

Font.Height = -ll Font.Name = 'Tahoma' Font.Style = [fsBold] ParentFont = False end

object Label2: TLabel Left = l5 Top = 48 Width = 382 Height = l3 Caption =

#l058#l077#l086#l088#l077#l090#l080#l095#l077#l089#l082#l080#l08l' '#l087#l088#l077#l076#l077#l083'

'#l082#l086#ll0l#l092#l092#l080#l094#l080#l077#l085#l090#l072' '#l088#l072#l079#l088#l077#l096#l072#ll02#l097#l077#l08l' '#l089#l087#l086#l089#l086#l073#l085#l086#l089#l090#l080' '#l089#l080#l089#l090#l077#l084 + #l099 end

object Label3: TLabel Left = 432 Top = 48 Width = 22 Height = l3 Caption = '0,25' end

object Label4: TLabel Left = l5

Top = 74 Width = 173 Height = 13

Caption = #1056#1072#1079#1084#1077#1088'

'#1082#1072#1076#1088#1072'

'#1101#1082#1089#1087#1086#1085#1080#1088#1086#1074#1072#1085#1080#11 03', '#1084#1084 end

object Label5: TLabel Left = 418 Top = 74 Width = 36 Height = 13

Caption = '25 '#1093' 30' end

object Label6: TLabel Left = 15 Top=100 Width = 169 Height = 13

Caption = #1044#1080#1072#1084#1077#1090#1088'

'#1087#1083#1072#1089#1090#1080#1085#1099' '#1087#1086#1076#1083#1086#1078#1082#1080', '#1084#1084 end

object Label7: TLabel Left = 436 Top=100 Width = 18 Height = 13

Caption = '300' end

object Label8: TLabel Left = 20 Top =144 Width = 203 Height = 13

Caption =

#1042#1072#1088#1100#1080#1088#1091#1077#1084#1099#1077' '#1087#1072#1088#1072#1084#1077#1090#1088#1099' '#1089#1080#1089#1090#1077#1084#1099

Font.Charset = DEFAULT_CHARSET Font.Color = clWindowText Font.Height = -11 Font.Name = 'Tahoma' Font.Style = [fsBold] ParentFont = False end

object Label9: TLabel Left = 15 Top=176 Width = 244 Height = 13

Caption = #1044#1083#1080#1085#1072' '#1074#1086#1083#1085#1099' '#1101#1083#1077#1082#1090#1088#1086#1084#1072#1075#1085#1080#1090#10 85#1086#1075#1086' '#1080#1079#1083#1091#1095#1077#1085#1080#1103', '#1085#1084 end

object Label10: TLabel

Left = l5 Top = 208 Width = 283 Height = l3

Caption =

#l048#l084#l084#l077#l088#l089#l080#l086#l085#l085#l072#ll03' '#l078#l080#l076#l082#l086#l089#l090#ll00' '#l080' '#l077#l077' '#l087#l086#l082#l072#l079#l072#l090#l077#l083#ll00' '#l087#l088#l077#l083#l086#l084#l083#l077#l085#l080#ll03' ' end

object Labelll: TLabel Left = l5 Top = 240 Width = 259 Height = l3

Caption =

#l048#l089#l087#l086#l083#ll00#l079#l086#l074#l072#l085#l080#l077' '#l084#l077#l090#l086#l076#l080#l082' '#l09l#l084#l077#l085#ll00#l096#l077#l085#l080#ll03' '#l076#l083#l080#l085#l099' '#l074#l086#l083#l085#l099 end

object Labell2: TLabel Left = l5 Top = 272 Width = 257 Height = l3

Caption =

#l050#l086#ll0l#l092#l092#l080#l094#l080#l077#l085#l090' '#l088#l072#l079#l088#l077#l096#l072#ll02#l097#l077#l08l'

'#1089#1087#1086#1089#1086#1073#1085#1086#1089#1090#1080' '#1089#1080#1089#1090#1077#1084#1099 end

object ComboBox1: TComboBox Left = 300 Top=173 Width = 186 Height = 22

Style = csOwnerDrawVariable TabOrder = 0 Items.Strings = ( '157' '193') end

object ComboBox2: TComboBox Left = 300 Top = 205 Width = 186 Height = 22

Style = csOwnerDrawVariable TabOrder = 1 Items.Strings = (

#1044#1077#1080#1086#1085#1080#1079#1080#1088#1086#1074#1072#1085#10 85#1072#1103' '#1074#1086#1076#1072' 1,445'

#1042#1072#1079#1077#1083#1080#1085#1086#1074#1086#1077' '#1084#1072#1089#1083#1086' 1,503'

#l052#l086#l085#l086#l073#l088#l086#l084#l085#l072#l092#l090#l072#l0 83#l080#l085' l,656'

#l049#l086#l076#l080#l089#l090#l099#l08l' '#l084#l077#l090#l080#l083#l077#l085' l,74l') end

object ComboBox3: TComboBox Left = 300 Top = 237 Width = l86 Height = 22

Style = csOwnerDrawVariable TabOrder = 2 Items.Strings = (

#l048#l089#l087#l086#l083#ll00#l079#l086#l074#l072#l090#ll00 #l053#l077'

'#l080#l089#l087#l086#l083#ll00#l079#l086#l074#l072#l090#ll00) end