Моделирование малосигнальных параметров мощных ВЧ и СВЧ МОП транзисторов с вертикальной и горизонтальной структурой тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.01, кандидат технических наук Меньшиков, Павел Александрович

• Меньшиков, Павел Александрович
• кандидат технических наук
• 2004

Оглавление диссертации кандидат технических наук Меньшиков, Павел Александрович

ОГЛАВЛЕНИЕ.

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1. МАЛОСИГНАЛЬНЫЕ ПАРАМЕТРЫ И ПАРАМЕТРЫ БОЛЬШОГО СИГНАЛА МОЩНЫХ ВЧ И СВЧ МОП ТРАНЗИСТОРОВ

1.1. Конструкции и особенности физических основ работы мощных ВЧ и СВЧ МОП транзисторов.

1.2. Вольт-амперные характеристики мощных МОП-транзисторов.

1.3. Короткоканальные эффекты в МОП-транзисторах.

1.4. Малосигнальные эквивалентные схемы ВЧ и СВЧ ДМОП транзисторов.

- 1.5. Малосигнальные параметры Спи, С22и, С^и, гс и методы их расчетов.

1.6. Параметры большого сигнала Рь Кур, г\с, для усилителей мощности на ДМОП транзисторах и их связь с малосигнальными параметрами.

ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ 1.

2.1. Аналитическая модель для расчета зависимости проходной емкости С12 и от напряжения сток-исток Uch для ДМЮП-транзисторов с вертикальной структурой.

2.2. Аналитическая модель для расчета зависимости входной емкости Спи от напряжения сток-исток Uch для ДМОП транзисторов с вертикальной структурой. 2.3. Аналитическая модель для расчета зависимости выходной емкости С22и от напряжения сток-исток Uch для ДМОП транзисторов с вертикальной структурой.

ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ 2. i

ГЛАВА 3. МОДЕЛИ ДЛЯ РАСЧЕТА СОПРОТИВЛЕНИЯ СТОКА В ДМОП ТРАНЗИСТОРАХ С ВЕРТИКАЛЬНОЙ СТРУКТУРОЙ.

3.1. Модель расчета сопротивления стока гс в ДМОП транзисторах с затворным окислом переменной толщины между истоковыми ячейками.

3.2. Сопротивление стока в мощных МОП СВЧ транзисторах с двойной диффузией и горизонтальной структурой.

3.3. Сравнение рассчитанных значений сопротивления стока гс с паспортными значениями Яси для разработанных ДМОП транзисторов с вертикальной структурой.

ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ 3.

ГЛАВА 4. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ ЗАВИСИМОСТЕЙ ВХОДНОЙ, ВЫХОДНОЙ И ПРОХОДНОЙ ЕМКОСТЕЙ ОТ НАПРЯЖЕНИЯ СТОК-ИСТОК ДЛЯ СВЧ ДМОП ТРАНЗИСТОРОВ РАЗНЫХ ТИПОВ.

4.1. Методика измерения входной, выходной и проходной - СцИ, С22 и, С12 и, емкостей СВЧ МОП транзисторов.

4.2. Сравнительный анализ экспериментальных зависимостей Сци(иси), C22h(Uch), C12H(Uch) с теоретически рассчитанными аналитическими зависимостями для СВЧ ДМОП транзисторов.

4.3. Применение предложенных моделей расчета малосигнальных параметров Си и, Сгги, С12 и и гс при проектирования топологии мощных ВЧ и СВЧ ДМОП транзисторов с вертикальной структурой.

ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ 4.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Моделирование малосигнальных параметров мощных ВЧ и СВЧ МОП транзисторов с вертикальной и горизонтальной структурой»

Актуальность темы

Среди многообразных направлений современной полупроводниковой электроники важное место занимает разработка и производство кремниевых транзисторов, предназначенных для работы в ВЧ диапазоне (на частотах от 30 до 300 МГц) и СВЧ диапазоне (при частотах выше 300 МГц), и высоких уровнях мощности (десятки-сотни Ватт) — так называемых мощных ВЧ и СВЧ транзисторов. Область применения таких транзисторов в специальных устройствах весьма широка. Они используются в предоконечных и выходных каскадах усилителей мощности, в средствах связи, в системах телевизионного приема, в космической телеметрии и других устройствах.

В последнее время в различных радиоэлектронных СВЧ устройствах наряду с мощными биполярными транзисторами начали широко использоваться и мощные полевые транзисторы с изолированным затвором, так называемые МДП (МОП) транзисторы.

Обладая рядом преимуществ, МОП - транзисторы могут успешно конкурировать с мощными биполярными ВЧ и СВЧ транзисторами. Так серийные СВЧ МОП-транзисторы работая в непрерывном режиме при напряжении питания 28 В значения выходной мощности Рвых составляют до 250 Вт на частоте 400 МГц и до 75 Вт на 1ГГц, а у биполярных транзисторов в аналогичном режиме работы значения мощности составляют до 150 Вт на 400МГц, и до 100 Вт на 1ГГц.

К достоинствам МОП- транзисторов стоит отнести:

- отсутствие накопления и рассасывания избыточных зарядов неосновных носителей,

- небольшая вероятность тепловой нестабильности и вторичного пробоя из-за отрицательного температурного коэффициента тока стока.

Стимулами по созданию более мощных МОП- транзисторов послужили в первую очередь проблемы радиосвязи. Исследования, проведенные под руководством СоповаО.В. и БачуринаВ.В., позволили создать первые отечественные мощные МОП- транзисторы - КП901 и КП902. Приборы КП901, КП902, КП904, продемонстрированные на международных выставках в начале 70-х годов ХХ-го века, опередили на 4-5 лет появление подобных приборов за рубежом и дали толчок к развитию этого класса приборов в технически развитых зарубежных странах. В дальнейшем интерес к этому направлению в нашей стране ослабел, а, следовательно, и исследования в этой области практически прекратились.

На сегодняшний день можно констатировать тот факт, что строгая теория, которая описывала бы процессы внутри транзистора, возникающие при протекании тока, и их влияние на энергетические параметры мощных СВЧ МОП транзисторов, отсутствует, а существующие теории либо устарели, либо являются приблизительными, использующими эмпирические "подгоночные" коэффициенты и ограничиваются лишь узким кругом конструкций транзисторных структур.

При проектировании мощных ВЧ и СВЧ МОП транзисторных структур, а именно, при выборе конструкции и расчете топологии, исходят, прежде всего, из требуемых значений энергетических параметров- Рвых, КУР, г|с. Энергетические параметры, в свою очередь, в значительной степени ограничиваются малосигнальными параметрами - входной - Свх = СцИ, выходной - Свых== С22 и? проходной - Спрох = С(2и емкостями и сопротивлением растекания стока в высокоомной гГ-области стока - гс. Соответственно при разработке новых типов транзисторных кристаллов необходима методика расчета, позволяющая предсказать значения малосигнальных параметров, лишь задав основные параметры прибора (периметр канала, концентрации и глубины диффузионных слоев, площади истоковой и затворной металлизации и т.п.), а не определять методом проб и ошибок требуемые значения емкостей и сопротивления стока. Стоит также отметить, что создание подобной методики позволит получать транзисторные структуры с изначально оптимизированными значениями малосигнальных, а, следовательно, и энергетических параметров.

Цель работы

Целью диссертации является разработка физических моделей для расчета малосигнальных параметров СцИ, С22и, С\2 и и гс в зависимости от напряжения сток-исток Uch, топологических параметров, параметров диффузионных слоев и конфигурации затворного окисла современных конструкций мощных ВЧ и СВЧ МОП транзисторов с вертикальной (ДМОП) и * горизонтальной структурой (LDMOS). Поставленная цель определяет следующие задачи:

1. Разработка физических моделей для определения зависимости входной, выходной и проходной емкостей современных мощных СВЧ ДМОП-транзисторов от приложенного напряжения Uch.

2. Разработка методика расчета зависимости границ области пространственного заряда, боковой и плоской частей стокового р-п перехода, от приложенного напряжения сток-исток Uch.

3. Разработка физических моделей для расчета сопротивления стока гс с ■ учетом переменной толщины затворного окисла и цилиндрического растекания тока в ДМОП транзисторах с вертикальной структурой, а также с горизонтальной структурой.

4. Экспериментальная проверка расчета зависимостей Си и (Uch), Сг2и(иси) и С12 и (Uch) на основе предложенных моделей для разных типов мощных ВЧ и СВЧ ДМОП транзисторов по предложенным моделям.

5. Экспериментальная проверка предложенной модели расчета сопротивления стока гс для разных типов мощных ВЧ и СВЧ ДМОП транзисторов.

Научная новизна

В диссертации получены следующие результаты, имеющие научнотехническую новизну:

1. Предложены физические модели для расчета зависимости входной емкости - Спи, выходной емкости - Сгги, проходной емкости - С12и от напряжения сток-исток - Uch, современных конструкций мощных ВЧ и СВЧ ДМОП транзисторов с вертикальной структурой с учетом наличия толстого окисла между истоковыми р-ячейками. В этих моделях

• учитывается наличие двухслойного конденсатора (Si02 - обедненный слой Si), длина и толщина которого меняется в зависимости от напряжения сток-исток Uch.

2. Разработана методика расчета влияния расширяющейся боковой части цилиндрического стокового р-n перехода с учетом Гауссова закона распределения примеси на проходную емкость С12 и мощных ВЧ и СВЧ МОП транзисторов.

3. Разработаны физические модели для расчета сопротивления стока гс ВЧ и СВЧ МОП-транзисторов с вертикальной структурой с учетом

• цилиндрического растекания тока стока и отсутствия слоя накопления на поверхности под толстым затворным окислом.

4. На основании расчетов по предложенным моделям установлено, что при длинах слоя обогащения А/<хсо (хсо - глубина металлургического перехода р-истоковых ячеек) сопротивление стока гс мощных ВЧ и СВЧ МОП транзисторов практически не меняется (с точностью ~ 10 %)

5. Предложена физическая модель для определения электрофизических параметров rf-стокового слоя СВЧ МОП-транзисторов с горизонтальной структурой (LDMOSFET's).

Практическая значимость

Методика расчета малосигнальных параметров (входной емкости стока - гс) была применена при разработке новых типов мощных ВЧ и СВЧ МОП транзисторных структур в ходе выполнения ОКР "Пастила", "Подшипник", "Поток", "Прорыв" в ФГУП "НИИЭТ" г.Воронеж, что подтверждается соответствующим Актом о внедрении результатов диссертации.

Данная работа проводилась в рамках ГБ НИР кафедры физики полупроводников и микроэлектроники Воронежского госуниверситета.

Основные результаты и положения, выносимые на защиту:

1. Физические модели для расчета зависимости входной емкости - Сц и> выходной емкости - С22и> проходной емкости - Спи от напряжения сток-исток - Uch, современных конструкций мощных ВЧ и СВЧ ДМОП транзисторов с вертикальной структурой с учетом наличия толстого окисла между истоковыми р-ячейками. В этих моделях учитывается наличие двухслойного конденсатора (Si02 - обедненный слой Si) длина и толщина которого меняется в зависимости от напряжения сток-исток Uch.

2. Методика расчета влияния расширяющейся боковой части цилиндрического стокового р-n перехода с учетом Гауссово закона распределения примеси на проходную емкость С12 и мощных СВЧ МОП транзисторов.

3. Физические модели для расчета сопротивления стока гс в ВЧ и СВЧ МОП-транзисторах с вертикальной структурой с учетом цилиндрического растекания тока стока и отсутствия слоя накопления на поверхности под толстым затворным окислом.

4. Сопротивление стока гс мощных ВЧ и СВЧ МОП транзисторов практически не меняется (с точностью ~ 10 %) при длинах слоя обогащения А/ < хсо (хсо - глубина металлургического перехода р-истоковых ячеек)

5. Физическая модель для определения электрофизических параметров п стокового слоя СВЧ МОП-транзисторов с горизонтальной структурой

LDMOSFET's).

Апробация работы

Основные результаты диссертации докладывались и обсуждались на VIII и IX международных научно-технических конференцях «Радиолокация. Навигация. Связь» (Воронеж, 2002,2003 г.г.) и на научно-техническом семинаре «Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах» (Москва, 2004г.).

Публикации

По результатам исследований, представленных в диссертации, опубликовано 6 печатных работ, в том числе 3 статьи и 3 доклада на научно-технических конференциях. В совместных работах автору принадлежат: вывод аналитических выражений и расчет малосигнальных параметров (входной емкости - СцИ, выходной емкости - С22и, проходной емкости -С12 и? сопротивления растекания стока - гс) в зависимости от приложенного напряжения сток-исток Цси и проведение экспериментальных исследований зависимости малосигнальных параметров от напряжения Uch.

Структура и объем работы

Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и списка цитируемой литературы, содержащего 45 наименований. Объем диссертации составляет 113 страниц, включая 43 рисунка и 3 таблицы.

Заключение диссертации по теме «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника на квантовых эффектах», Меньшиков, Павел Александрович

Основные результаты диссертации состоят в следующем:

1. Предложены физические модели для расчета зависимости входной емкости - Си и, выходной емкости - С22 и, проходной емкости - С12и от 4 напряжения сток-исток - Uch, современных конструкций мощных ВЧ и СВЧ ДМОП транзисторов с вертикальной структурой с учетом наличия толстого окисла между истоковыми р-ячейками, двухслойного конденсатора (Si02 - обедненный слой Si) длина и толщина которого меняется в зависимости от напряжения сток-исток Uch.

2. На основе решения уравнения Пуассона для боковой и плоской частей цилиндрического р+-п перехода и Гауссова закона распределения акцепторной примеси в р~-ячейках была разработана методика расчета влияния расширяющейся боковой части цилиндрического стокового р-п перехода на проходную емкость мощных СВЧ МОП транзисторов. 3. Разработаны физические модели для расчета сопротивления стока гс ВЧ и СВЧ МОП-транзисторов с вертикальной структурой с учетом цилиндрического растекания тока стока и отсутствия слоя накопления на поверхности п~-области стока под толстым затворным окислом. Рассмотрены три характерных случая растекания тока стока в зависимости от размеров (АГ) тонкого подзатворного окисла над гГ-слоем стока: А/ < 0,1 мкм, А/ < 0,5 мкм и А/ ~ хс0 = 1,5-2 мкм.

4. Предложена физическая модель для определения электрофизических параметров rf-стокового слоя, обеспечивающих протекание заданного тока стока, пробивные напряжения Uch max и сопротивление растекания стока СВЧ МОП-транзисторов с горизонтальной структурой (LDMOSFET's).

5. На основе проведенных измерений зависимостей емкостей СцИ(иси), С22h(Uch), C12H(Uch), установлено:

- рассчитанные по предложенным моделям значения емкостей демонстрируют совпадение с измеренными с точностью ~ 10-15%, что подтверждает правильность выбранных физических моделей;

- получено хорошее совпадение 5%) рассчитанных значений емкостей с экспериментальными данными при напряжении сток-исток Uch = 28 В (напряжении питания), это является крайне важным результатом, поскольку именно эти значения емкостей (С п и(иси=Шит), С22 и(иси=ипит), С]2 и(иси=ипит)) используются при расчете электрических схем; 6. Расчеты сопротивления стока, с учетом радиального растекания, проведенные по предложенной модели на основе параметров современных мощных СВЧ ДМОП транзисторов с вертикальной структурой и переменной толщиной затворного окисла над rf-стоковым слоем, показали хорошее совпадение (до 5-10%) полученных значений сопротивления растекания стока гс с паспортными значениями Леи. Это подтверждает корректность предложенных физических моделей.

7. Показана возможность применения предложенных моделей расчета малосигнальных параметров СцИ, С22и, CJ2 и и гс для повышения КУР при проектировании топологии мощных ВЧ и СВЧ ДМОП транзисторов с вертикальной структурой при наличии толстого окисла между истоковыми р-ячейками в рамках существующей методики проектирования. 8. Предложенные модели расчета малосигнальных параметров (входной емкости - Сци> выходной емкости - С22 и, проходной емкости - С12 и, сопротивления стока - гс) применялись при разработке новых типов мощных ВЧ и СВЧ МОП транзисторных структур, с повышенными значениями КУР, в ходе выполнения ОКР "Пастила", "Подшипник", "Поток", "Прорыв" в ФГУП "НИИЭТ" г. Воронеж

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Меньшиков, Павел Александрович, 2004 год

1. Окснер Э.С. Мощные полевые транзисторы и их применение / Э.С. Окснер. М. : Радио и связь, 1985. - 288 с.

2. Спиридонов Н.С. Основы теории транзисторов / Н.С. Спиридонов. Киев : Техшка, 1975. - 359 с.

3. Блихер А. Физика силовых биполярных и полевых транзисторов /

4. A. Блихер ; пер. с англ. Л.: Энергоатомиздат, 1986. - 248 с.

5. Кремниевые полевые транзисторы / О.В. Сопов и др.. // Электронная промышленность. 2003. - № 2. - С. 176-188.

6. Бачурин В.В. Новый класс полупроводниковых приборов -мощные высокочастотные МДП-транзисторы / В.В. Бачурин,

7. B.C. Либерман, О.В. Сопов // Микроэлектроника и полупроводниковые приборы : сб. ст. М., 1976. - Вып.1. - С. 291.

8. Бачурин В.В. Исследование переходной характеристики полевых транзисторов с изолированным затвором / В.В. Бачурин, О.В. Сопов, В.М. Иевлев. // Электронная техника. Сер. 2, Полупроводниковые приборы. 1971. - Вып. 6. - С. 42-54.

9. Проектирование и технология производства мощных СВЧ транзисторов / В.И. Никишин и др.. М. : Радио и связь, 1989. -145 с.

10. Мощные высокочастотные МДП- транзисторы / В.В. Бачурин и др.. // Электронная техника. Сер. 2, Полупроводниковые приборы. 1974. - Вып. 8. - С. 3-16.

11. Power FETs from the USSR // Radio Communication. 1973. -September. - P. 614.

12. Бессарабов Б.Ф. Диоды, тиристоры, транзисторы и микросхемы широкого применения : Справочник. /Б.Ф. Бессарабов, В.Д. Федюк, ДБ. Федюк. Воронеж : ИПФ"Воронеж", 1994. - 720 с.

13. Product Specification. Data Sheet BLF861A UHF power LDMOS transistor / Philips Semiconductors. 2001. - 16 p. -(http ://www.semiconductors. philips .com/pip/BLF 861 A.html).

14. Схемотехника устройств на мощных полевых транзисторах : справочник / под. ред. В.П. Дьяконова. -М. : Радио и связь, 1994. 280 с.

15. Мощные ВЧ и СВЧ МДП-транзисторы импульсные приборы наносекундного диапазона / О.В. Сопов и др.. // Электронная техника. Сер. 2, Полупроводниковые приборы. - 1978. - Вып. 5-6.-С. 103-116.

16. Исследование динамических параметров мощных МДП-транзисторов / В.В. Бачурин и др.. // Электронная техника. Сер. 2, Полупроводниковые приборы. 1983. - Вып. 5. - С. 48-52.

17. Сопов О.В. Мощные кремниевые ВЧ и СВЧ МДП- транзисторы / О.В. Сопов, В.В. Бачурин, В.К. Невежин // Электронная техника. Сер. 2, Полупроводниковые приборы. 1978. - Вып. 5-6. - С. 1625.

18. Корнеев JI.A. Каскады радиопередающих устройств СВЧ на полевых транзисторах / JI.A. Корнеев. М. : МЭИ, 1984. - 68 с.

19. Зи С. Физика полупроводниковых приборов : в 2 кн. /С. Зи; пер. с англ. -М. : Мир, 1984. 456 с.

20. Сагайдак O.J1. Модель полевого МДП-транзистора на основе монополярного полупроводника / O.JI. Сагайдак, Д.Л.Василевский, В.В. Сердюк // Электронная техника. Сер. 2, Полупроводниковые приборы. 1990. - Вып. 3. - С. 38-42.

21. Кочетов Ю.А. Квазидвумерная аналитическая модель короткоканального МДП-транзистора / Ю.А. Кочетов, Е.А. Макаров // Электронная техника. Сер. 2, Полупроводниковые приборы. 1990. - Вып. 3. - С. 50-54.

22. Крылова И.И. Численные методы расчета транзисторов / И.И. Крылова // Электронная техника. Сер. 2, Полупроводниковые приборы. 1971. - Вып. 6. - С. 100-118.

23. Taylor G. W. The Effects of Two-Dimensional Charge sharing on the Above Threshold Characteristics of Short-Channel IGFET's / G.W Taylor // Solid State Electronics. 1979. - Vol. 22. - P. 701.

24. Yau L.D. Simple I-V Model for Short-Channel IGFET in the Triode Region / L.D. Yau // Electron. Lett. 1975. - Vol. 11, N 5. - P. 44.

25. Fukuma M. A Simple Model for Short-Channel MOSFET's / M. Fukuma, M. Matsumura // Proc. IEEE. 1976. - Vol. 65. - P. 1127.

26. Бачурин В.В. Исследование электрических параметров СВЧ мощных кремниевых МДП-транзисторов КП905А, КП905Б / В.В. Бачурин, А.К. Бельков, B.C. Либерман // Электронная техника. Сер. 2, Полупроводниковые приборы. 1979. - Вып. 5. - С. 7288.

27. McGregor P. Small-signal High-frequency Performance of Power MOS Transistors / P. McGregor , J. Mena, C.A.T. Salama // Solid State Electronics. 1984. - Vol. 27, N 5. - P. 419-432.

28. Никифоров В.В. Определение элементов эквивалентной схемы мощных МДП-транзисторов // Полупроводниковая электроника в технике связи / В.В. Никифоров , А.А. Максимчук. М., 1985. -Вып. 25.-С. 163-167.

29. Бачурин В.В. Нелинейная статическая модель мощного МДП-транзистора / В.В. Бачурин, В.П. Дьяконов, Т.А. Самойлова // Изв. вузов. Сер. Радиоэлектроника. 1983. - № 11. - С. 41-45.

30. Энциклопедия устройств на полевых транзисторах. / В.П. Дьяконов и др.. -М.: СОЛОН-Р, 2002. 513 с.

31. Самойлова Т.А. Учет нелинейности емкостей мощного МДП-транзистора в режиме большого сигнала / Т.А. Самойлова // Изв. вузов. Сер. Радиоэлектроника. 1981. -№ 11. - С. 31-35.

32. Копаенко В.К. Эквивалентная схема ПТШ для расчета нелинейных СВЧ-устройств / В.К. Копаенко, В.А. Романюк // Изв. вузов. Сер. Радиоэлектроника. 1987. -№ 1. - С. 47-50.

33. Егудин А.Б. Анализ работы полевого транзистора в пологой области вольт-амперных характеристик / А.Б. Егудин // Электронная техника. Сер. 2, Полупроводниковые приборы. -1975.-Вып. 8.-С. 8-16.

34. Minasian R.A. Power MOSFET Dynamic Large-Signal Model / R.A. Minasian // IEEE Proc. 1983. - Vol. 130, N 2. - P. 73-75.

35. Дьяконов В.П. Нелинейная аппроксимация передаточных и выходных характеристик мощных МДП-транзисторов / В.П. Дьяконов, В.Ю. Смердов, О.А. Фролков // Полупроводниковая электроника в технике связи. М., 1985. - Вып. 25. - С. 163-167.

36. Максимчук А.А. О расчете стационарного режима высокочастотных усилителей на мощных МДП-транзисторах / А.А. Максимчук, В.В. Никифоров, Е.П. Строганова // Полупроводниковая электроника в технике связи. М., 1985. Вып. 25.-С. 184-192.

37. Sun S.C. Modeling of the On-resistance of LDMOS and VMOS Power Transistors / S.C Sun, J.D. Plummer // IEEE Trans. 1980. -Vol. ED-27, N 2. - P. 356-367.

38. Завражнов Ю.В. Характеристики и параметры мощных генераторных приборов / Ю.В. Завражнов // Электронная техника. Сер.2, Полупроводниковые приборы. 1982. - № 1. - С. 17-18.

39. Завражнов Ю.В. Методика определения характеристик и параметров мощных полевых транзисторов /Ю.В. Завражнов, Г.А. Пупыкин // Электронная техника. Сер.2, Полупроводниковые приборы. ~ 1980. -№ 5. С. 72-77.

40. Машуков Е.В. Моделирование ключей на силовых МДП-транзисторах / Е.В. Машуков, Е.М. Хругов, Д.А. Шевцов // Электронная техника в автоматике : сб.ст. М., 1986. - Вып. 17. - С. 72-77.

41. ГОСТ 20398.5-91. Транзисторы полевые. Метод измерения входной, проходной и выходной емкостей. М. : Изд-во стандартов, 1991. - 5 с.

42. Исследование емкостей мощных СВЧ МОП транзисторов / П.А. Меньшиков и др. // Материалы докладов IX международной научно-технической конференции «Радиолокация, навигация, связь». Воронеж, 2003. - Т. 1. - С. 528-535.

43. Петров Б.К. Расчет емкостей Свх, Свых, Спр мощных СВЧ МОП транзисторов / Б.К. Петров, П.А. Меньшиков, Ю.К. Николаенков // Петербургский журн. электроники. 2003.- № 2. - С. 45-48.

44. Исследование нелинейных емкостей в мощных СВЧ МОП транзисторах / П.А. Меньшиков и др. // Вестн. Воронеж, гос. ун-та. Сер. Физика, математика. 2004. - № 1. - С. 45-50.