Моделирование и оптимизация проектирования аналоговых МЭУ с учетом комплексного влияния дестабилизирующих факторов тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.13.12, кандидат технических наук Обухов, Алексей Анатольевич

• Обухов, Алексей Анатольевич
• кандидат технических наук
• 2008

Оглавление диссертации кандидат технических наук Обухов, Алексей Анатольевич

ВВЕДЕНИЕ.

1. ОБЗОР МЕТОДОВ И СРЕДСТВ МОДЕЛИРОВАНИЯ ПОВЕДЕНИЯ АНАЛОГОВЫХ МЭУ ПРИ КОМПЛЕКСНОМ ВОЗДЕЙСТВИИ ДЕСТАБИЛИЗИРУЮЩИХ ФАКТОРОВ.

1.1. Повышение эффективности автоматизированного проектирования МЭУ при использовании средств учета комплексного влияния дестабилизирующих факторов.

1.2 Обоснование использования расчетно-экспериментального метода моделирования поведения аналоговых МЭУ.

1.3. Анализ состояния и возможностей средств автоматизации проектирования аналоговых МЭУ с учетом комплексного влияния дестабилизирующих факторов.

1.4. Цель и задачи исследования.

2. ФОРМИРОВАНИЕ ОБОБЩЕННЫХ МОДЕЛЕЙ ЭЛЕМЕНТОВ И КОМПОНЕНТОВ МЭУ, ОРИЕНТИРОВАННЫХ НА УЧЕТ КОМПЛЕКСНОГО ВЛИЯНИЯ ДФ.

2.1. Анализ требований к моделям элементов и компонентов МЭУ и источников получения информации о их параметрах.

2.2. Модели пассивных элементов.

2.3. Конструктивно - топологическая модель пленочного резистора.

2.4. Алгоритм моделирования конструктивно — топологических параметров пленочных резисторов.

2.5. Низкочастотная модель активного компонента МЭУ.

2.6. Высокочастотная модель активного компонента МЭУ.

2.7. Алгоритм формирования и расчета параметров обобщенной модели активных компонентов МЭУ, учитывающей комплексное влияние ДФ77 Выводы второй главы.

3. РАЗРАБОТКА АЛГОРИТМОВ ПОВЫШЕНИЯ СТАБИЛЬНОСТИ ПАРАМЕТРОВ МЭУ НА ЭТАПЕ ИХ СХЕМНО-КОНСТРУКТОРСКОГО ПРОЕКТИРОВАНИЯ.

3.1. Методы повышения стабильности МЭУ в условиях комплексного влияния ДФ.

3.2. Постановка и формирование задачи оптимального проектирования МЭУ с учетом комплексного влияния ДФ.

3.3. Выбор и обоснование метода оптимизации.

3.4. Алгоритм расчёта и оптимизации параметров МЭУ по критерию стабильности.

Выводы третьей главы.

4. ОРГАНИЗАЦИЯ ИНФОРМАЦИОННЫХ И ПРОГРАММНЫХ СРЕДСТВ

ПОДСИСТЕМЫ ПРОЕКТИРОВАНИЯ АНАЛОГОВЫХ МЭУ С УЧЕТОМ

КОМПЛЕКСНОГО ВЛИЯНИЯ ДФ.

4.1. Разработка информационного обеспечения подсистемы.

4.2. Программные средства подсистемы.

4.3. Организация взаимодействия пользователя с подсистемой.

4.4 Пример использования разработанных средств проектирования аналоговых МЭУ с повышенной стабильностью в условиях комплексного влияния ДФ.

Выводы четвертой главы.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Моделирование и оптимизация проектирования аналоговых МЭУ с учетом комплексного влияния дестабилизирующих факторов»

Актуальность темы. Широкое использование микроэлектронных устройств (МЭУ) в аппаратуре, предназначенной для работы в условиях комплексного воздействия различных видов дестабилизирующих а факторов (ДФ), определяет особую значимость вопросов обеспечения стабильности их характеристик. Эта задача в первую очередь должна быть решена на этапах схемотехнического и конструкторско-технологического проектирования. Основной проблемой при этом, учитывая все возрастающую сложность МЭУ, неоднозначность изменения их параметров при воздействии различных видов ДФ, является реализация возможности моделирования их поведения и обеспечения стабильности их характеристик в условиях комплексного влияния ДФ. Она может быть решена лишь при дальнейшем развитии и совершенствовании систем автоматизированного проектирования (САПР).

Известные отечественные и зарубежные программные комплексы и системы, предназначенные для автоматизированного проектирования аналоговых МЭУ, или не позволяют прогнозировать поведение и обеспечивать стабильность МЭУ в условиях комплексного воздействия таких ДФ, как ионизирующие излучения (ИИ), температура, нестабильность режима или прогнозируют их не достаточно адекватно, что определяет необходимость разработки проблемно-ориентированных подсистем с соответствующими математическим и программным обеспечением и информационной базой.

Одной из основных областей применения САПР в микроэлектронике является проектирование на их основе аналоговых МЭУ, в частности аналоговых микросборок (МСБ), которые по номенклатуре и точности электрических параметров, области использования, принципу действия, технологии изготовления, требованиям стабильности могут существенно отличаться от МЭУ общего применения.

Следует отметить, что вопросы влияния различных видов ДФ, в том числе радиационных, на параметры МЭУ в последнее время нашли отражение в литературе и в функционирующих САПР имеются соответствующие инструментальные средства. Но задача автоматизации проектирования, моделирования поведения и обеспечения стабильности характеристик аналоговых МЭУ, выполненных в виде МСБ, в условиях комплексного влияния ДФ в рамках специализированной подсистемы, в которой должны быть реализованы разработанные модели, алгоритмы и программные средства, требует своего решения, что определяет ее актуальность.

Диссертационная работа выполнена в рамках НИР ГБ 2004.01 «Моделирование процессов принятия оптимальных проектных решений при автоматизированной разработке технических устройств и систем» и в соответствии с научным направлением ВГТУ «Интеллектуальные информационные системы».

Цель и задачи исследования. Цель работы заключается в разработке комплекса методов, моделей, оптимизационных алгоритмов и программных средств проектирования аналоговых МЭУ с повышенной стабильностью в условиях комплексного влияния ДФ и практическая их реализация в виде специализированной подсистемы, ориентированной на использование в составе промышленной САПР.

Для ее достижения необходимо решение следующих задач: провести анализ и обзор современного состояния методов и средств автоматизации проектирования МЭУ, учитывающих комплексное влияние ДФ с обоснованием возможности их доработки и использования; выполнить разработку обобщенных моделей элементов и компонентов аналоговых МЭУ, учитывающих влияние ДФ, для различных диапазонов частот; разработать комплекс алгоритмов, реализующих автоматизированные процедуры формирования обобщенных моделей компонентов МЭУ и расчета их параметров в условиях комплексного влияния ДФ и различные этапы проектирования МЭУ: прогнозирование характеристик, их оптимизацию по критерию стабильности; сформировать состав, структуру и осуществить разработку программного обеспечения специализированной подсистемы проектирования МЭУ с повышенной стабильностью параметров в условиях комплексного влияния ДФ, ориентированной на интеграцию в промышленную САПР; провести экспериментальную проверку адекватности разработанных инструментальных средств проектирования МЭУ и оценить их эффективность.

Методы исследования. При решении поставленных задач использован аппарат теории системного анализа; методы вычислительной математики, математического моделирования и оптимизации; структурного программирования; элементы теории электрических цепей и полупроводниковых приборов; физические методы исследования поведения МЭУ в условиях комплексного влияния ДФ.

Научная новизна. В результате проведенных исследований получены следующие результаты, характеризующиеся научной новизной: обобщенная модель активных компонентов МЭУ, отличающаяся учетом комплексного влияния ДФ на ее параметры и позволяющая моделировать характеристики устройств в этих условиях в широком диапазоне частот; алгоритм автоматизированного построения модели активного компонента МЭУ и расчета ее параметров, отличающийся возможностью учета как одного из видов ДФ, так и их комплексного влияния; алгоритм оптимизации параметров МЭУ по критерию стабильности, отличающийся использованием и реализацией схемотехнического принципа повышения стабильности, основанного на выборе оптимальных режимов активных компонентов и обеспечивающих их конструктивно-топологических параметров элементов; специализированное программное обеспечение подсистемы анализа аналоговых МЭУ, отличающееся возможностью расчета и оптимизации их параметров в условиях комплексного влияния ДФ, и в котором реализованы предложенные методы, модели и алгоритмы.

Практическая значимость работы. На основе предложенных математических моделей, алгоритмов разработано информационное и программное обеспечение подсистемы моделирования комплексного влияния ДФ на параметры аналоговых устройств и оптимизации их по критерию стабильности, ориентированной на интеграцию в промышленную САПР МЭУ Design Lab.

Результаты внедрения работы. Результаты исследований используются в практике проектных работ в научно-исследовательском институте электронной техники (ФГУП НИИЭТ) г. Воронежа и в учебном процессе кафедры СА-ПРИС ВГТУ при подготовке специалистов по специальности 220300 «Системы автоматизированного проектирования».

Апробация работы. Основные научные результаты и положения диссертационной работы докладывались и обсуждались на следующих конференциях: Всероссийских конференциях «Интеллектуальные информационные системы» (Воронеж; 2004, 2005, 2006 г.г.), Международных научно-технических конференциях «Системные проблемы надежности, качества, информационных и электронных технологий» (Москва-Сочи; 2004, 2005, 2006 г.г.), Всероссийских конференциях «Новые технологии в научных исследованиях, проектировании, управлении, производстве» (Воронеж; 2005, 2006 г.г.), X Международной открытой научной конференции «Современные проблемы информатизации в технике и технологиях» (Воронеж; 2005г.); Международной школе-конференции «Высокие технологии энергосбережения» (Воронеж; 2005 г.).

Публикации результатов работы. По теме диссертационной работы опубликовано 14 научных работ, в том числе 1 - в издании, рекомендованном

ВАК РФ. В работах, опубликованных в соавторстве, соискателем разработаны модели активных компонентов МЭУ, учитывающие комплексное влияние ДФ [78,80,88]; обосновано использование расчетно-экспериментального метода моделирования на основе системного подхода [82,83,85]; сформирована задача оптимального проектирования аналоговых МЭУ с учетом комплексного влияния ДФ и предложены алгоритмы ее решения [79,84,86]; обоснован выбор базовой системы для моделирования поведения МЭУ [84] и разработаны структура и программное обеспечение специализированной подсистемы комплексного влияния ДФ [87].

Структура и объем работы. Диссертационная работа состоит из введения, четырех глав, заключения, изложенных на 126 страницах, 2 приложений, содержит 25 рисунков и 10 таблиц, список литературы из 125 наименований.

Заключение диссертации по теме «Системы автоматизации проектирования (по отраслям)», Обухов, Алексей Анатольевич

Выводы четвёртой главы

1.С учётом специфики разработанных и используемых в практике проектирования аналоговых МСБ с повышенной стабильностью в условиях комплексного влияния ДФ математических моделей их элементов и АК создано информационное обеспечение.

2.Разработаны структура и состав программного обеспечения подсистемы моделирования характеристик МСБ с учётом комплексного влияния ДФ, ориентированного на интеграцию в ПО промышленной системы DesignLab.

3. Обоснована структура и реализована последовательность процедур диалогового взаимодействия пользователя с подсистемой проектирования аналоговых МСБ с повышенной стабильностью.

4.Рассмотренные примеры схемно-конструкторского проектирования стабильных в условиях комплексного влияния ДФ МСБ говорят о адекватности информационного и надёжности программного обеспечения разработанной подсистемы.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

1 .На основе анализа схемотехнических и конструктивных методов повышения стабильности характеристик аналоговых МЭУ в условиях комплексного влияния ДФ разработана методика их проектирования, в основу которой положены процедуры оптимального выбора электрических режимов АК и параметров пассивных элементов.

2. Обоснованы требования и выбор структуры проблемно-ориентированной программной подсистемы проектирования аналоговых МЭУ с повышенной стабильностью, адаптированной на интеграцию в промышленную систему DesignLab.

3. Разработаны обобщённые электрические модели пассивных элементов и активных компонентов МЭУ, ориентированные на учёт комплексного влияния ДФ и позволяющие моделировать их поведение в этих условиях.

4. С учётом взаимосвязи этапов схемотехнического и конструкторско-топологического проектирования аналоговых МЭУ с повышенной стабильностью обоснована модель и алгоритм моделирования контруктивно-топологических параметров плёночных элементов, являющийся основой процедур оптимизации топологии.

5. Разработан алгоритм автоматизированного построения обобщённых моделей АК и расчёта их параметров, который программно реализован в виде модуля подсистемы проектирования высокостабильных МЭУ.

6. Разработан экономичный алгоритм расчёта и оптимизации параметров аналоговых МЭУ по критерию стабильности, реализующий метод минимизации относительных изменений схемных функций, заключающийся в выборе оптимальных значений параметров пассивных элементов и основанный на преемственности этапов схемотехнического и конструкторско-топологического проектирования.

7. Сформированы состав, структура и разработаны информационное и программное обеспечения специализированной подсистемы проектирования МЭУ с повышенной стабильностью в условиях комплексного влияния ДФ, интегрированной в промышленную систему DesignLab . Информационные и программные средства подсистемы использованы при оптимизации схемно-конструктивных вариантов реализации ряда аналоговых МСБ по критерию стабильности.

Научные и практические результаты, полученные в работе, использованы при выполнении проектных исследований в научно-исследовательском институте электронной техники (НИИЭТ) г.Воронежа, а также внедрены в учебный процесс кафедры САПРИС ВГТУ при подготовке специалистов в области автоматизированного проектирования (специальность 220300 - «САПР»).

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Обухов, Алексей Анатольевич, 2008 год

1. Автоматизация проектирования КМОП ИС с учетом радиации / В.Е. Ме-жов, А.Н. Зольникова, В.Н. Ачкасов, В.П. Крюков. Воронеж: ВГТУ, 2002. 178 с.

2. Автоматизация схемотехнического проектирования / В.Н. Ильин, В.Т. Фролкин, А.И. Бутков и др. М.: Радио и связь, 1987. 405 с.

3. Автоматизированная система обеспечения надежности и качества аппаратуры / Ю.Н. Кофанов и др. М.: Советское радио, 1982. 354 с.

4. Автоматизированное проектирование цифровых устройств / С.С. Барулин, Ю.М. Барнаулов, В А. Бердышов и др. М.: Радио и связь, 1981. 240 с.

5. Аврашков П.П., Баталов В.В., Егоров Ю.Б. и др. Система автоматизированного моделирования и расчета интегральных схем САМРИС 2 II Электронная промышленность. 1979. №4. С. 47-50.

6. Агаханян Т.М., Аствацатурьян Е.Р., Скоробогатов П.К. Радиационные эффекты в интегральных микросхемах / Под. ред. Т.М. Агаханяна. М.: Энергоатом-издат. 1989. 256 с.

7. Анализ электронных схем на ЭВМ с учетом радиационных воздействий / Е.Р. Аствацатурьян, О.Н. Голотюк, Ю.А. Попов, Ю.В. Самойлов и др. М.: Изд-во МИФИ, 1986.92 с.

8. Е.Р. Аствацатурьян, О.Н. Голотюк, Ю.А. Попов, Ю.В. Проектирование электронных схем с учетом радиационных воздействий. М.: МИФИ, 1984. 76 с.

9. Белл Д. Дж. Трудности и успехи на пути автоматизации проектирования аналоговых схем // Электроника. 1988. №22. С. 22-23.

10. Бененсон З.М., Елистратов М.Р., Ильин J1.K. Комплекс программ анализа и оптимизации электронных схем КАПР // Обмен опытом в радиопромышленности. 1978. Вып. 4-5 С. 61-64.

11. Батаковский П.Д. Исследование и разработка подсистемы информационного обеспечения САПР аналоговых электронных схем: Дис. канд .техн. наук. Л.: ЛЭТИ, 1989. 320 с.

12. Батаковский П.Д., Максимович В.А. Структура подсистемы информационного обеспечения САПР аналоговых электронных схем / Тр. Ленинград, элек-тротехн. ин-т им. В.И. Ульянова (Ленина) 1981. Вып. 296. С. 7-12.

13. Баталов В.В. Система схемотехнического моделирования АРНС // Управляющие системы и машины. 1988. №1. С. 94-96.

14. Батищев Д.И. Методы оптимального проектирования. М.: Радио и связь. 1984. 248 с.

15. Батищев Д.И., Львович Я.Е., Фролов В.Н. Оптимизация в САПР. Воронеж: Изд-во ВГТУ, 1997. 416 с.

16. Баюков А.В. Методы прогнозирования и оценки стойкости и надежности изделий электронной техники в условиях длительного ИИ: Методическое руководство / А.В. Баюков и др.; РНИИ "Электростандарт"; С-Пб, 1995. 453 с.

17. Бескорпусные полупроводниковые приборы / А.А. Чернышов, А.И. Аксёнов, В.И. Иванов, Ю.М. Кутыркин. М.: Энергия, 1973. 152 с.

18. Бубенников А.Н., Садовников А.Д. Физико-технологическое проектирование биполярных элементов кремниевых БИС. М.: Радио и связь, 1991. 288 с.

19. Бубенников А.Н. Моделирование интегральных микротехнологий, приборов и схем: Учеб. пособие для спец. "Физика и технология материалов и компонентов электронной техники". М.: Высш. шк., 1989. 320 с.

20. Вавилов B.C. Действие излучений на полупроводники. М.: Физматиздат, 1963. 264 с.

21. Вавилов B.C. Радиационные эффекты в полупроводниках и полупроводниковых приборах. М.: Атомиздат, 1969. 311 с.

22. Вермишев Ю.Х. Основы автоматизации проектирования. М.: Радио и связь, 1988. 288 с.

23. Влах И., Сингхан К. Машинные методы анализа и проектирования электронных схем / Пер. с англ. М.: Радио и связь, 1988. 560 с.

24. Войшвилло Г.В. Усилительные устройства, учебник для вузов. М.: Связь, 1975. 384 с.

25. Глориозов E.JL, Ссорин В.Г., Сыпчук П.П. Введение в автоматизацию схемотехнического проектирования. М.: Советское радио, 1976. 222 с.

26. Горячев Г.А., Шапкин А.А., Шаршев Л.Г. Действие проникающей радиации на радиодетали. М.: Атомиздат, 1971.113 с.

27. Гребен А.Б. Проектирование аналоговых интегральных схем: Пер. с англ. / Под ред. Е.Х. Караерова. М.: Энергия, 1976. 256 с.

28. Действие проникающей радиации на изделия электронной техники / Кулаков В.М., Ладыгин В.А., Шаховцев В.И. и др. М.: Советское радио, 1980. 552 с.

29. Диалоговые системы схемотехнического проектирования / В.И. Анисимов, Г.Д. Дмитревич, К.Б. Скобельцин и др. М.: Радио и связь, 1988. 288 с.

30. Зольников В.К., Зольникова А.Н. Комплекс программ расчета показателей параметрической надежности ИС при воздействии ИИ малой мощности. // Оптимизация и моделирование в автоматизированных темах: межвуз. сб. научн. трудов. Воронеж: ВГТУ, 1999. С. 77-80.

31. Зольников В.К., Крюков В.П. Моделирование реакции ИС при воздействии ИИ в САПР ИЭТ // Влияние внешних воздействующих факторов на элементную базу аппаратуры авиационной и космической техники: тр.междунар. практ. конф. Королев.Изд-во М. РАКА,2002. С. 69.

32. Зольникова А.Н. Межов В.Е. Комплекс программ расчета работоспособности ИС при воздействии ионизирующих излучений. // Вопросы атомной науки и техники. Сер. Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. 2000. Вып. 1-2. С. 93-96.

33. Зольников В.К. / Программное обеспечение для моделирования работоспособности ИМС в полях гамма-излучений малой мощности // Вопросы атомной науки и техники. Сер. Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. 1998. Вып. 1. С. 38-39.

34. Зольникова А.Н. Математическая модель расчета изменения параметров ИС при воздействии дозы ИИ / А.Н. Зольникова, В.Н. Ачкасов, В.П. Крюков // Радиационная стойкость электронных систем: Науч.-техн. сб. Вып. 5. М.: СПЭЛС-НИИП, 2002. С. 107-108.

35. Зольникова А.Н., Ачкасов В.Н., Крюков В.П. Математическая модель расчета изменения параметров ИС при воздействии дозы ИИ // Радиационная стойкость электронных систем: науч.-техн. сб. Вып. 5. М.: СПЭЛС-НИИП, 2002. С. 107-108

36. Зыков В.М. Моделирование и экспериментальные исследования долговременных изменений параметров кремниевых структур при ионизирующем воздействии. / В.М. Зыков // Диссертация на соискание ученой степени доктора технических наук. Томск. 2002.

37. Ильин В.Н., Бахов В.А., Камнева Н.Ю., Коган B.JI. Комплекс программ СПРОС для расчета и оптимизации схем // Изв. вузов. Сер. Радиоэлектроника. 1982. Т.25. №6. С. 14-19.

38. Ильин В.Н., Коган B.JI. Разработка и применение программ автоматизации схемотехнического проектирования. М.: Радио и связь, 1984. 340 с.

39. Ильин В.Н. Основы автоматизации схемотехнического проектирования. М.: Энергия, 1989. 392 с.

40. Инструментальные средства автоматизации проектирования изделий микроэлектроники дизайн центра / П.Р. Машев, В.К. Зольников, К.И. Таперо. Воронеж: ВГТУ, 2006. 179 с.

41. Керниган Б., Ритчи Д. Язык программирования Си: Пер. с англ. М.: Финансы и статистика, 1992. 272 с.

42. Комплекс программ расчета работоспособности ИС при воздействии ионизирующих излучений / Зольников В.К., Соловьев Д.Е., Зольникова А.Н., Земля-нухин Р.А. // Радиационная стойкость электронных систем: научн. сб. М.: СПЭЛС-НИИП, 2000. С. 45-46.

43. Коршунов Ф.П., Богатырев Ю.В., Вавилов В.А. Воздействие радиации на интегральные микросхемы. Мн.: Наука и техника, 1986. 254 с.

44. Коршунов Ф.П., Гатальский Г.В., Иванов Г.М. Радиационные эффекты в полупроводниковых приборах. Мн: Наука и техника, 1987. 232 с.

45. Корячко В.П., Курейчик В.М., Норенков И.П. Теоретические основы САПР. М.: Энергоиздат. 1987. 380 с.

46. Кофанов Ю.Н. Теоретические основы конструирования, технологии и надежности радиоэлектронных средств: Учебник для вузов. М.: Радио и связь. 1991. 360 с.

47. Кренкель Т.Э., Коган А.Г., Тараторкин A.M. Персональные ЭВМ в инженерной практике. М.: Радио и связь. 1989. 337 с.

48. Крюков Ю.Г., Питолин В.М., Шишкин В.М. К расчету радиационной стойкости низкочастотных гибридных интегральных схем // Межвуз. сб. науч. тр. "Методы и устройства передачи информации по каналам связи". Воронеж, 1979. С. 109-114.

49. Крюков Ю.Г., Питолин В.М., Шишкин В.М. Прогнозирование радиационной стойкости высокочастотных гибридных интегральных схем // Техника средств связи. Сер. Техника радиосвязи. 1984. Вып. 4. С. 144-148.

50. Лубянов С.Н., Карумен О.В., Курнаев С.А., Стенин В.Я. Радиационные эффекты в линейных интегральных операционных усилителях // Дцерная электроника / Под ред. Т.М. Агаханяна. М.: Атомиздат, 1975. Вып.2. С. 21-35.

51. Лурье О.Б. Интегральные микросхемы в усилительных устройствах. Анализ и расчет. М.: Радио и связь, 1988. 176 с.

52. Львович Я.Е., Рыднин А.А. Оптимальная интеграция алгоритмов и программ проектирования и контроля для разработки эффективных САПР ИЭТ // Изв. вузов. Сер. Радиоэлектроника. 1990. Т.ЗЗ. №6. С. 66-70.

53. Львович Я.Е., Фролов В.Н. Теоретические основы конструирования, технологии и надежности РЭА. Учеб. пособие для вузов. М.: Радио и связь, 1986. 176 с.

54. Малинин В.Г. Радиационно-стойкие и надежные изделия электронной техники для народного хозяйства // Петербургский журнал электроники. 1993. №1. С. 76-78.

55. Машевич П.Р. Современная методика и средства автоматизации проектирования микроэлектронных компонентов / П.Р. Машевич, В.Н. Ачкасов, В.М.

56. Антимиров, Ю.К. Фортинский // Информационные ресурсы России 2005. №6(82). С. 29-36.

57. Межов В.Е., Питолин В.М., Плотников В.В., Харин В.Н. Проектирование САПР и АРМ изделий электронной и вычислительной техники: Учеб. пособие. Воронеж: ВПИ, 1989. 101 с.

58. Межов В.Е., Питолин В.М., Чевычелов Ю.А., Кононыхина Н.А. Интерактивные графические средства поддержки проектирования МЭА: Учеб. пособие. Воронеж: ВГТУ. 1994. 104 с.

59. Методы повышения радиационной стойкости электронных схем и устройств вычислительной техники / Е.Р. Аствацатурьян, О.Н. Голотюк, Ю.А. Попов, Ю.В. Самойлов и др. М.: Изд-во МИФИ, 1986. 88 с.

60. Миллер Ю.М., Гуров К.П. Влияние температуры в условиях низкоинтенсивного гамма-излучения на электрические параметры микросхем // Радиационно-надежностные характеристики ИЭТ в экстремальных условиях эксплуатации. Спб, 1994. С. 36-40.

61. Мырова JLO. Анализ стойкости систем связи к воздействию излучений / Мырова JI.O., Попов В.Д., Верхотуров В.И. Под ред. Кука К.И. М.: Радио и связь, 1993. 268 с.

62. Мырова Л.О., Чепиженко А.З. Обеспечение радиационной стойкости аппаратуры связи. М.: Радио и связь, 1983. 216 с.

63. Мырова Л.О., Чепиженко А.З. Обеспечение стойкости аппаратуры связи к ионизирующим и электромагнитным излучениям. М.: Радио и связь, 1988. 296 с.

64. Николаевский И.Ф., Игумнов Д.В. Параметры и предельные режимы работы транзисторов. М.: Связь, 1971. 212 с.

65. Норенков И.П., Маничев В.Б. Основы теории и проектирования САПР. М: Высш. шк., 1990. 335 с.

66. Носов Ю.Р., Петросянц К.О., Шилин В.А. Математические модели элементов интегральной электроники. М.: Советское радио, 1976. 304 с.

67. Обухов А.А. Автоматизация прогнозирования характеристик аналоговых МЭУ при комплексном воздействии дестабилизирующих факторов // Интеллектуальные информационные системы: Труды Всерос. конф. Воронеж: ВГТУ, 2005. Часть 1. С. 163.

68. Обухов А.А., Питолин В.М. Разработка моделей и этапов оценки комплексного влияния дестабилизирующих факторов на параметры МЭУ // Интеллектуальные информационные системы: Труды Всерос. конф. Воронеж: ВГТУ, 2005. Часть. 1. С. 16-17.

69. Обухов А.А., Питолин В.М. Формирование алгоритмов моделирования комплексного влияния дестабилизирующих факторов на параметры МЭУ // // Интеллектуальные информационные системы: Труды Всерос. конф. Воронеж: ВГТУ, 2005. Часть. 1. С. 17-18.

70. Обухов А.А., Питолин В.М. Выбор базовой системы для подсистемы моделирования комплексного влияния дестабилизирующих факторов на параметры

71. МЭУ// Прикладные задачи моделирования и оптимизации: межвуз. сб. научн. тр. Воронеж: ВГТУ, 2004. С. 56-61.

72. Обухов А.А., Питолин В.М. Разработка обобщенных моделей элементов и компонентов МЭУ, ориентированных на учет комплексного влияния дестабилизирующих факторов / Вестник ВГТУ. 2007.Т.З. № 4. С. 49-51.

73. Пакет прикладных программ автоматизации схемотехнического проектирования для персональных компьютеров / Баталов В.В. и др. // Микропроцессорные средства и системы. 1988. №4. С. 63-66.

74. Патрикеев Л.Н., Подлесный Б.И., Попов В.Д. Радиационная стойкость полупроводниковых приборов и интегральных схем. М.: изд-во МИФИ, 1975.

75. Песков М.И., Крыжановский Ю.М., Помазанов Ю.М., Бурин Л.И. Архитектура и состав системы автоматизированного проектирования радиоэлектронной аппаратуры // Вопросы радиоэлектроники. Сер Общетехническая. 1986. Вып. 2. С. 2-7.

76. Питолин В.М., Аникеев Е.З., Крюков Ю.Г. К расчету Y-параметров бескорпусных транзисторов на ЭВМ // Сб. научн. тр. "Радиотехнические и электронные устройства". Воронеж: ВПИ, 1987. С. 126-128.

77. Питолин В.М., Крюков Ю.Г. Линейная модель биполярного транзистора, учитывающая влияние ионизирующего излучения // Межвуз. сб. научн. тр. "Оптимизация и имитационное моделирование сложных систем". Воронеж, 1984. С. 136-140.

78. Питолин В.М. Организация пользовательского интерфейса системы надежностного схемотехнического проектирования аналоговых МСБ // Межвуз. сб. научн. тр. "Оптимизация и моделирование в автоматизированных системах". Воронеж, ВГТУ, 1994. С. 105-111.

79. Питолин В.М. Моделирование влияния внешних факторов при оптимальном схемотехническом проектировании МЭУ // Межвуз. сб. научн. тр. "Оптимизация и моделирование в автоматизированных системах". Воронеж, ВГТУ, 1992. С. 158-163.

80. Полак Э. Численные методы оптимизации / Пер. с англ. М.: Мир, 1974. 376 с.

81. Проектирование приемно-усилительных устройств с применением ЭВМ / Бурин Л.И., Мельников Л.Я., Топурия В.З., Шелковников Б.Н. М.: Радио и связь, 1981. 176 с.

82. Проектирование устройств вычислительной техники с учетом радиационных воздействий / Аствацатурьян Е.Р., Голотюк О.Н., Попов Ю.А. и др. М.: Изд-во МИФИ. 1985. 84 с.

83. Радиационная обработка полупроводниковых приборов и интегральных схем // Чернышов А.А., Ведерников В.В., Галлеев А.П. и др. // Зарубежная электронная техника. М.: Радио и связь, 1997. Вып. 5 (200) С. 3-25.

84. Радиационные эффекты в КМОП-ИС / Никифоров А.Ю., Телец В.А., Чумаков А.И. М.: Радио и связь, 1994. 164 с.

85. Разевиг В.Д., Блохин С.М. Система P-CAD 8.5. Руководство пользователя. М.: ДМК, ЗНАК, 1997. 288 с.

86. Разевиг В.Д. Применение программ P-CAD и PSpice для схемотехнического моделирования на ПЭВМ. Вып. 3. Моделирование аналоговых устройств. М.: Радио и связь, 1992.120 с.

87. Разевиг В.Д. Система проектирования печатных плат ACCEL EDA (Р-CAD для Windows). М.: СК Пресс., 1997. 368 с.

88. Разевиг В.Д. Система сквозного проектирования электронных устройств DesignLab 8.0 М.: Солон, 1999. 789 с.

89. Разевиг В.Д. Система сквозного проектирования электронных устройств DesignLab / В.Д. Разевиг Москва: Издательство "Солон-Р", 2000. 702 с.

90. Разработка средств автоматизации проектирования специализированных микросхем для управляющих вычислительных комплексов двойного назначения / В.Н. Ачкасов, В.М. Антимиров, В.Е. Межов, В.К. Зольников. Воронеж: ВГУ, 2005. 240 с.

91. Реклейтис Г., Рейвиндран А., Рэгсдел К. Оптимизация в технике: А 2-х кн. Кн. 1. Пер. с англ. М.: Мир, 1986. 301 с.

92. Селютин В.А. Автоматизация проектирования топологии БИС. М.: Радио и связь, 1983. 112 с.

93. Сигорский В.П., Петренко А.И. Алгоритмы анализа электронных схем. М.: Советское радио, 1976. 608 с.

94. Система проектирования биполярных радиационно-стойких ИМС / В.Е. Межов, В.К. Зольников, Д.Е. Соловьев, А.В. Межов. Воронеж. ВГЛТА, 1998. 258 с.

95. Системы автоматизированного проектирования в радиоэлектронике: Справочник / А.В. Авдеев, А.Т. Еремкин, И.П. Норенков и др. М.: Радио и связь, 1986.368 с.

96. Современные линейные интегральные микросхемы и их применение: Пер. с англ. Под ред. М.В. Гальперина. М.: Энергия, 1980. 273 с.

97. Степаненко И.П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем. М.: Энергия, 1977. 672 с.

98. Транзисторы: Параметры, методы измерений и испытаний / Под ред. И.Г. Бергельсона и др. М.: Советское радио, 1968. 504 с.

99. Утюжанинов В.Н., Чепиженко А.З. Радиационные эффекты в биполярных интегральных микросхемах. М.: Радио и связь, 1989. 144 с.

100. Уточкин Г.В. Интегральные и многотранзисторные каскады избирательных усилителей. М.: Энергия, 1978. 80 с.

101. Шило B.JI. Линейные интегральные схемы. М.: Советское радио, 1979. 368 с.

102. Hornew Е., Folson I.A. Fatal-dos survival probability for bipolar transistor // IEEE Tpans. Nucl. Sci. 1970, №6. P. 124-129.

103. Larin F. Radiation Effects in Semiconductor devices. N.Y.: Yohn Wiley and Sons Inc., 1968. 292 p.

104. Program brings analog CAE to personal computer level / Seter Charles // Electron. Des. 1987. V.35. №20. P. 99-102.

105. PSPICE User.s guid. Microsim Corporation // La Cadena Drive, Laguna hills. 1989. 450 p.

106. Un simulatear analogique pour systems multitechnologies / Benhagoun Eric // Electron Ind. 1987. №132. P. 54-57.