Моделирование электрических и оптических характеристик светоизлучающих диодов на основе многокомпонентных гетероструктур AlGaInN тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Рабинович, Олег Игоревич

• Рабинович, Олег Игоревич
• кандидат физико-математических наук
• 2008

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Рабинович, Олег Игоревич

Условные обозначения и сокращения.

Введение.

Глава 1. Аналитический обзор литературы.

1.1. Характерные черты многокомпонентных гетероструктур AlGalnN.

1.2. Технологии получения многослойных гетероструктур и тонких плёнок.

1.2.1. Общая характеристика.

1.2.2. Метод молекулярно-лучевой эпитаксии.

1.2.2.1. Механизмы эпитаксиального роста тонких плёнок.

1.2.3. Метод эпитаксиального выращивания гетероструктур из металлоорганических соединений (МОС-гидридный метод).

1.2.3.1. Описание технологического режима МОС-гидридного метода.

1.2.3.2. Последовательность технологических операций и их характеристики.

1.2.3.3. Схемы основных типов установок для МОС-гидридного метода.

1.2.3.4. Технология эпитаксиального поперечного разрастания - Epitaxial lateral overgrowth (ELOG/LEO).

1.3. Влияние деградационных явлений на рабочие характеристики светоизлучающих диодов.

1.3.1. Общая характеристика.

1.3.2. Процессы деградации рабочих характеристик светоизлучающих диодов.

1.3.3. Обзор исследований в области деградации светоизлучающих диодов.

1.3.4. Обзор работ по воздействию ультразвуковых колебаний на материалы и приборы.

Глава 2. Описание теоретических основ моделирования многокомпонентных гетероструктур AlGalnN и ультразвукового воздействия на светоизлучающие диоды на основе GaP и AlGalnN.

2.1. Описание теоретических основ моделирования многокомпонентных гетероструктур AlGalnN.

2.1.1. Общая характеристика программного продукта Sim Windows.

2.1.2. Основные понятия и физические модели, использующиеся в программном продукте Sim Windows.

2.2. Метод ультразвукового воздействия на светоизлучающие диоды.

2.2.1. Общая характеристика ультразвуковых колебаний.

2.2.2. Различные виды ультразвуковых волн.

2.2.3. Стоячие ультразвуковые волны.

2.2.4. Резонансное возбуждение стоячих волн.

2.2.5. Пьезоэлектрические излучатели.

2.2.6. Упругие волны в пьезоэлектрических кристаллах.

2.2.7. Упругие колебания пьезоэлектрического стержня.

Глава 3. Описание методик проведения экспериментов и компьютерного моделирования.

3.1. Методика проведения моделирования многокомпонентных гетероструктур АЮа1пМ для светоизлучающих диодов синего и зелёного цветов свечения.

3.1.1. Определение оптимальной конструкции многокомпонентной гетероструктуры для светоизлучающих диодов в зависимости от количества и размеров квантово-размерных ям с фиксированным содержанием атомов индия в квантово-размерных ямах.

3.1.2. Определение влияния содержания атомов индия в квантово-размерных ямах на электрические и оптические характеристики светоизлучающих диодов синего и зелёного цветов свечения с однородным распределением атомов индия, но различным по величине в квантово-размерных ямах.

3.1.3. Уточнение характеристик светоизлучающих диодов синего и зелёного цветов свечения с неоднородным содержанием атомов 1п в квантово-размерных ямах.

3.2. Методика исследования механизмов деградации светоизлучающих диодов.

3.2.1. Исследование зависимости внешнего квантового выхода от плотности тока.

3.2.2. Ультразвуковое воздействие на ваР и АЮаШЧ светоизлучающие диоды.

3.2.2.1. Описание и характеристики исследованных ваР и АЮа1пЫ светоизлучающих диодов.

3.2.2.2. Техника эксперимента по ультразвуковому воздействию на светоизлучающие диоды.

Метод составного пьезоэлектрического осциллятора.

3.2.2.3. Установка для осуществления ультразвукового воздействия на светоизлучающие диоды.

Глава 4. Анализ результатов моделирования многокомпонентных гетероструктур для светоизлучающих диодов и исследования механизмов деградации светоизлучающих диодов.

4.1. Описание и анализ результатов моделирования многокомпонентных гетероструктур для светоизлучающих диодов синего и зелёного цветов свечения и светоизлучающих диодов на основе твёрдых растворов 1пхОа1.х1Ч.

4.1.1. Оптимизация конструкции многокомпонентных гетероструктур для светоизлучающих диодов в зависимости от количества и размеров квантово-размерных ям с фиксированным содержанием атомов индия в квантово-размерных ямах.

4.1.2.Влияние содержания атомов индия в квантово-размерных ямах на электрические и оптические характеристики светоизлучающих диодов синего и зелёного цветов свечения с однородным распределением атомов индия, но различным по величине в квантово-размерных ямах.

4.1.3 Уточнение характеристик светоизлучающих диодов синего и зелёного цветов свечения с неоднородным содержанием атомов индия в квантово-размерных ямах.

4.1.4. Исследование зависимости внешнего квантового выхода светоизлучающих диодов от величины плотности тока.

4.2. Исследование ультразвукового воздействия на светоизлучающие диоды.

4.2.1. Исследование ультразвукового воздействия на GaP светоизлучающие диоды.

4.2.2. Исследование ультразвукового воздействия на AlGalnN светоизлучающие диоды.

4.2.3. Воздействие ультразвука при производстве светоизлучающих диодов.

Выводы.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Моделирование электрических и оптических характеристик светоизлучающих диодов на основе многокомпонентных гетероструктур AlGaInN»

За последнее десятилетие произошёл прорыв в исследованиях и производстве нитридных многокомпонентных гетероструктур, а также приборов на их основе. Нитриды, соединения III группы, такие как GaN, InN, AIN и их твёрдые растворы InxGai.xN и AlyGa¡.yN являются очень интересными для оптоэлектронных приборов [1-5]. Одно из наиболее значимых преимуществ этих материалов - это широкий диапазон изменения ширины запрещённой зоны от 1,95 до 6,3 эВ в зависимости от состава твёрдого раствора. Именно поэтому у данных материалов существует значительный потенциал для использования их в коротковолновой, электролюминесцентной, высокотемпературной, высокомощной и высокочастотной электронике. Обширный диапазон изменения ширины запрещённой зоны, сильные связи взаимодействия и высокая теплопроводность GaN и его твёрдых растворов делают их особенно интересными для применения в оптоэлектронике.

Прогресс, достигнутый в разработках и производстве оптоэлектронных полупроводниковых приборов в настоящее время, в первую очередь связан с использованием соединений и твёрдых растворов типа АШВУ [6, 7]. Яркими представителями этого класса приборов являются светоизлучающие диоды (СИД).'.

Систематические исследования начались в области СИД, только со второй половины ХХ-века, хотя эпоха создания СИД имеет почти столетнюю историю. i

В 1963 г. Ж. И. Алфёров (прил. А рис. 1) выдвинул идею использования в излучателях гетеропереходов, а в 1970 г. он с соавторами предложил использовать четырёхкомпонентные соединения для получения гетеропереходов [8]. Преимуществом этого является возможность изменять параметр решётки, оставляя постоянной ширину запрещённой зоны; изменять ширину запрещённой зоны, оставляя неизменным параметр решётки, или оба эти параметра изменять одновременно.

В 1966 г. Н. Холоньяк (Nick Holonyak) (прил. А рис. 2) продемонстрировал метод эпитаксиального выращивания кристаллов [9]. В 1969 г. X. П. Мару ска (Herbert Paul Ма-ruska) (прил. А рис. 3) и Дж. Тиджен (James Tietjen) впервые смогли вырастить монокристалл GaN на сапфировой подложке методом гидридной газофазной эпитаксии [10,11].

Первые СИД синего цвета свечения со структурой металл-диэлектрик-полупроводник (МДП) были созданы Ж. Панковым с соавторами (Jacques I Pankove) в 1971 г. (прил. А рис. 4) [10, 11] и уже в 1974 г. была исследована фотоэмиссия из GaN [12], хотя результаты первых экспериментов в области СИД и открытие понятия «электролюминесценция» (ЭЛ) были опубликованы в начале прошлого века

О.В. Лосевым (прил. А рис. 5 [13]), а также X. Раундом (HJ. Round) [14, 15, 16].

В 1977 г. советскими учёными В.П. Сушковым (прил. А рис. 6) и

B.C. Абрамовым с соавторами было сделано открытие возможности получения СИД белого цвета свечения [17].

Однако сложности в получении качественных и бездефектных GaN гетерост-руктур р-типа не позволили наладить регулярные и комплексные исследования этих материалов и приборов на их основе. Только в 1985 г. И. Акасаки (Isamu Aka-saki) (прил. А рис. 7 [18]), X. Амано (Hiroshi Amano) с соавторами смогли вырастить высококачественную бездефектную многокомпонентную гетероструктуру (MKT) GaN на сапфировой подложке с помощью технологии низкотемпературного буферного слоя, используя метод органометаллической газофазной эпитаксии [11, 19]. Впервые они получили GaN р-типа с малым сопротивлением методом обработки слоя пучком электронов низкой энергии (low energy electron beam irradiation (LEEBI)) [20]. В 1989 г. они продемонстрировали первый УФ ИД с р-п-переходом, а в 1991 г. вырастили AlGaN р-типа и InGaN в 1994 г. В 1992

C. Накамура (Shuji Nakamura) (прил. А рис. 8) успешно получил GaN р-типа отжигом Mg-GaN в атмосфере азота, используя в качестве источника примеси Cp2Mg [11].

Количество областей применения СИД неуклонно растёт. Сегодня тщательно разработанные и проверенные технологические методы производства полупроводниковых материалов, прогресс и усовершенствования в создании СИД и появление СИД на основе многокомпонентных гетероструктур AlInGaN, позволили решить проблему низкого светового выхода, а также ограниченного диапазона цветов, что ранее препятствовало применению СИД в освещении. Яркость, квантовый выход и многообразие цветов свечения СИД достигли такого уровня, что это может привести к революции в освещении [21] и в других областях применения СИД.

СИД используют и в полноцветных экранах, и в индикаторно-информационных табло [21]; в освещении и в оборудовании автомобилей (прил. А рис. 9) [21, 22]; приборных панелях и в освещении кабины пилотов и пассажирских мест в авиалайнерах (прил. А рис. 10 и 11), в опознавательных огнях (прил. А рис. 12 и 13) [23-25], что способствует увеличению безопасности движения, т.к. у СИД моментальное время срабатывания (время задержки менее 3 мс), нет неожиданных поломок, экономически выгодны; в сигнально-аварийных знаках, в бакенах (прил. А рис. 14) [26]; в светофорах; в качестве подсветки ЖК-экранов [27]; в мобильных телефонах (прил. А рис. 15 [28]; для рекламных целей и в декоративном освещении сооружений (прил. А рис. 16) [29]; в медицине [30] (в частности при лечении физиологической желтухи новорожденных и шпербилирубинемии у новорожденных [31] и в освещении операционного оборудования [32-34]); в сельском хозяйстве [35,36].

В последние 10 лет возможный световой поток, испускаемый одним СИД, например, белого цвета свечения, вырос с 0,5 лм в 1996 г. до 400 лм в настоящее время, а стоимость одного люмена снизилась с 3 евро до 0,1 за тот же период времени. Внутренний квантовый выход (ВнКВ) СИД белого цвета свечения увеличился с 10 до 60 % за последнее десятилетие, подтверждая значительное увеличение эффективности СИД во всём спектральном диапазоне. Высокая излучательная эффективность и световой поток позволили высокоярким (ВЯ) СИД конкурировать с традиционными источниками освещения [21]. По прогнозам компании Avago европейский рынок СИД будет увеличиваться, основываясь на двух столпах - многокомпонентных гетероструктурах AlGalnN и AlGalnP и приборах на их основе (прил. А рис. 17) [37]. Компания Strategies Unlimited прогнозирует рост рынка ВЯ СИД с 4,2 млрд. долларов США в 2006 г. до более 9 млрд. долларов США к 2011 г. [38]. Данный прогноз основывается на темпах роста рынка с 2001 по 2007 г.г. (прил. А рис. 18). По предположению ассоциации Optoelectronics Industry Development Association (OIDA) предыдущие прогнозы сбудутся при условии достижения значений светового потока 220 лм/Вт к 2016 г., увеличения ВнКВ до 90 %, а внешнего до 70-80 % [39]. Этому также будет способствовать уменьшение стоимости 1 люмена света (прил. А рис. 19).

Однако остаются некоторые проблемы, требующие решения: увеличение эффективности и срока эксплуатации СИД, т.е. изучение и прогнозирование постепенной деградации рабочих характеристик СИД при длительном использовании или влиянии различных внешних воздействий. Поэтому учёту и изучению влияния тока, температуры и других факторов придаётся большое значение.

Для решения проблемы получения СИД белого цвета свечения существует несколько способов, но наиболее экономичным и простым в настоящее время считается смешение голубого излучения СИД с излучением либо жёлто-зелёного люминофора, либо зелёного и красного люминофоров, возбуждаемых этим голубым излучением. Состав кристалла с MKT на основе InGaN/GaN подбирается так, чтобы его спектр излучения соответствовал спектрам возбуждения люминофоров [6].

В связи с расширяющимся-количеством областей применения СИД появляются новые факторы отрицательного внешнего воздействия на рабочие характеристики СИД, требующие тщательного изучения, например ультразвук (УЗ). Рассматриваемый фактор важен и интересен для изучения с одной стороны, потому что УЗ применяется при производстве СИД, а с другой - в связи с расширением области применения СИД, в которых возможно УЗ воздействие (УЗВ) (например, аэрокосмическая область, медицина и т.д.).

Получение СИД белого цвета свечения очень важно и актуально при осуществлении перехода освещения помещений на применение приборов, использующих СИД. Было проведено много исследований и работ по изучению свойств материала AlGalnN. Материал AlGalnN очень интересен тем, что его отличительными характерными чертами являются сильно выраженный пьезоэлектрический эффект (ПЭ) и спонтанная поляризация (СП), которые усиливают эффект воздействия внешних факторов, таких как ультразвук [40-42] и ток. Данный эффект важен, т.к. существенно влияет на рабочие характеристики СИД во время производства приборов и их эксплуатации, но в то же время мало изучен.

Эффективность преобразования электричества в свет — основная проблема при создании ламп высокой яркости на основе СИД. Эффективность лучших промышленных СИД на основе GaN достигает 15-35 %, и, следовательно, 65-85 % электроэнергии уходит в тепло [43]. Увеличение рабочего тока с целью повысить яркость светодиодной лампы приводит к увеличению тепловыделения и, как следствие, к повышению температуры активной области светодиодной структуры. Перегрев СИД уменьшает квантовый выход света и ограничивает максимальную оптическую мощность и срок службы.

Результаты исследований выходят за рамки чисто научных программ и становятся необходимыми непосредственно на производстве, где уже сейчас всё больше требуется достоверная оценка не только параметров произведённых СИД, но и прогнозирование их надёжности и срока службы.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Рабинович, Олег Игоревич

Выводы диссертационной работы

1. На основе результатов исследований характеристик ИД, используя разработанные методики для исследования изменений электрических и оптических характеристик АЮа1пЫ-излучающих диодов при воздействии длительной токовой нагрузки и ультразвуковых колебаний, был предложен возможный механизм "медленной" деградации рабочих характеристик ИД.

2. Разработана методика компьютерного моделирования электрических и излучательных характеристик МКГ АЮа1пЫ с квантово-размерными ямами (КЯ), позволяющая учитывать структуру, физические процессы и параметры слоев кристаллов с различным содержанием атомов 1п и А1. Методика позволяет рассчитывать вольт-амперные характеристики (ВАХ), внешний квантовый выход мощности и спектры излучения в зависимости от плотности прямого тока, учитывать степень неоднородности состава в КЯ и может быть использована при конструировании МКГ для диодов, излучающих в видимой и ультрафиолетовой областях спектра.

3. Моделирование позволило развить ряд представлений о свойствах МКГ АЮа1п№

- показано, что излучательные характеристики МКГ с множественными квантово-размерными ямами (МКЯ) и барьерами ¡-типа, п-типа и р-типа проводимости отличаются незначительно, поэтому существующий экспериментальный выбор МКГ вида р+ОаК/р+А10,2Оа0,8Щ2-4)-(п"1пхОа1.хК—п"ОаН)/п+ОаТЧ, позволяет получать оптимальные рабочие характеристики ИД при изменении содержания атомов 1п в активной области от Х=0,05-0,3 и плотности прямого тока в практически важном интервале 3=0,1-500 А/см2. Экспериментальные ВАХ и спектры излучения СИД синего и зелёного цвета свечения, измеренные в настоящей работе в импульсном режиме, исключающем нагрев МКГ, хорошо согласуются с рассчитанными характеристиками, что является подтверждением работоспособности методики компьютерного моделирования;

- установлено, что на основе модели термоэлектронной природы тока между КЯ и барьерами, вольт-амперные характеристики (ВАХ) с содержанием атомов 1п в КЯ Х=0,05+0,35 могут быть описаны одним единственным выражением е-Ц у ' , где п(Х, ^-коэффициент неидеальности, увеличивающийся с ростом содержания атомов 1п в КЯ и с увеличением плотности тока j в наиболее

• 1 9 практически важном диапазоне j=l 0" -5-500 А/см";

- показано, что, хотя бы частично, уменьшение квантового выхода мощности излучения при увеличении плотности тока возможно происходит из-за перераспределения концентраций инжектированных носителей заряда между КЯ при неравенстве характеристических времён жизни электронов и дырок в ШХР механизме безызлучательной рекомбинации. Этот эффект получил качественное экспериментальное подтверждение.

4. Обнаружено, по результатам экспериментов, отрицательное влияние УЗ колебаний в диапазоне частот 57-106 кГц на В АХ и спектры СИД синего и зелёного цветов свечения даже при отсутствии токовой нагрузки. Механизм воздействия возможен в виде последовательного процесса: генерация сильного электрического поля за счёт пьезоэлектрического эффекта и спонтанной поляризации, приводящего к увеличению энергии носителей заряда, взаимодействие которых с атомами решётки приводит к образованию дефектов структуры и возможно к изменению состава квантово-размерной активной области. Данная точка зрения подтверждена измерениями распределения концентрации зарядовых центров в активной области СИД.

5. Экспериментально установлено, что величина деградации светового потока ЛЮаМЫ СИД синего цвета свечения при длительном воздействием тока, в производстве которых использовалась технология УЗ-сварки омических контактов, существенно превышает величину деградации СИД, собранных без использования ультразвука.

Автор считает своей приятной обязанностью поблагодарить своего научного руководителя д.т.н. Валерия Петровича Сушкова кафедра "Технологии Материалов Электроники" ФГОУ ВПО ГТУ МИСиС и д.ф.-м.н. Евгения Кадыровича Наи-ми кафедра "Физика" ФГОУ ВПО ГТУ МИСиС за постоянное внимание во время подготовки работы и участие в обсуждении результатов исследований; д.ф.-м.н. Фёдора Ивановича Маняхина кафедра "Электротехника и Микропроцессорная электроника" ФГОУ ВПО ГТУ МИСиС и к.т.н. Сергея Григорьевича Никифорова за постоянные консультации и помощь в проведении экспериментов.

Отдельная искренняя благодарность моим родственникам Маргарите Ефимовне и Полине Зиновьевне Рабинович без поддержки которых эта работа была бы невозможна.

Хотелось бы также выразить благодарность всем сотрудникам кафедр "Технологии Материалов Электроники" и "Материаловедение Полупроводников и Диэлектриков" ФГОУ ВПО ГТУ МИСиС, особенно д.т.н. Льву Васильевичу Кожито-ву, д.ф.-м.н. Алексею Николаевичу Ковалёву, д.ф.-м.н. Владимиру Тимофеевичу Бублику. Также хотелось бы сказать огромное спасибо д.ф.-м.н. Александру Эм-мануиловичу Юновичу (МГУ им. М.В. Ломоносова); к.ф.-м.н. Юрию Васильевичу Осипову кафедра "Полупроводниковая электроника и физика полупроводников"1 ФГОУ ВПО ГТУ МИСиС, к.т.н. Людмиле Алексеевне Щепетиловой, к.т.н. Виктору Алексеевичу Евсееву кафедра "Технологии Материалов Электроники", к.т.н. Людмиле Олеговне Мокрецовой кафедра "Начертательная геометрия"' ФГОУ ВПО ГТУ МИСиС, к.х.н. Вере Геннадьевне Лобановой кафедра "Общая и неорганическая химия" ФГОУ ВПО ГТУ МИСиС, Эллоне Ивановне Алливердиевой ст. преподавателю кафедры "Математика" ФГОУ ВПО ГТУ МИСиС; президенту международной ассоциации содействия оптоэлектронной промышленности - "Optoelectronics Industry Development association" (OIDA) Michael Lebby; издателю/редактору журнала "LEDs Magazine" и зам. директора компании Penn Well Tim Whitaker; сотрудникам международного научного общества "SPIE-The International Society for Optical Engineering" Mike Stiles, Rob Whitner, Dirk Fabian; главного редактора журнала "Compound Semiconductor" Mike Hatcher и профессору Department of Electrical and Computer Engineering. School of Engineering. Virginia Commonwealth University. Richmond-USA Hadis Morkoc и всем моим друзья (Галине Дмитриевне Кривоносовой, семье Афанасьевых-Наконечных-Монаховых - Си-ренко, Максиму и Николаю Романовым, Сергею Сизову и Светлане Бакумовой).

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Рабинович, Олег Игоревич, 2008 год

1. Soh С.В., Chua S.J., Lim H.F. et al. Identification of deep levels in GaN associated with dislocations // J. Phys.: Condens. Matter. 2004. - v. 16. - P. 6305-6315.

2. Off J., Kniest A., Vorbeck C. et al. Influence of buffer layers on the In content of GalnN layers // J. Ciyst. Growth. 1998. - v. 195. - P. 286-290.

3. Zaldivar M.H., Fernandez P., Piqueras J. Influence of deformation on the luminescence of GaN epitaxial films // Semicond. Sci. Technol. 1998. - v. 13.1. P. 900-905.

4. Jhou Y.D. et al. Nitride-based light emitting diode and photodetector dual function devices with InGaN/GaN multiple quantum well structure // Sol. State Electr. 2005. -v. 49.-P. 1347-1351.

5. Gao F., Bylaska E.J., Weber W.J. Intrinsic defect properties in GaN calculated by ab initio and empirical potential methods // Phys. Rev. B. 2004. — v. 70.1. P. 2452081-2452088.

6. Сушков В.П. Светодиоды и лазеры это СиЛа // Светодиоды и лазеры - 2002. -№ 1-2.-С. 4.

7. Steele R.V. The story of a new light source // Nature photonics. 2007. - v. 1. -P. 25-26.

8. В.И. Осинский, В.И. Привалов, О.Я. Тихоненко Оптоэлектронные структуры на многокомпонентных полупроводниках. Минск: Наука и техника, 1981. - 208с.

9. Holonyak N. Jr. From transistors to lasers and light-emitting diodes // MRS Bulletin. -2005. v. July. -P. 509-517.

10. Maruska H.P., Tietjen J.J. The preparation and properties of vapor-deposited single-crystal line GaN // Appl. Phys. Lett. 1969. - v. 15. - P. 327-329.

11. Akasaki I. Nitride semiconductors impact on the future world // J. Cryst. Growth.2002. v. 237-239. - P. 905-911.

12. Pankove J.I., Schade H. Photoemission from GaN // Appl. Phys. Lett. -1974.v. 25.-P. 53-55.

13. Новиков M.A. Олег Владимирович Лосев пионер полупроводниковой электроники // Ф.Т.Т. - 2004. - т. 46 - № 1. - С. 5-9.

14. Round H.J. A Note on Carborundum // Electrical World. 1907. - v. 49. - P. 309.

15. Schubert E.F. Light-emitting diodes. Cambridge: Cambridge University Press, 2006.-422 p.

16. Loebner E.E. Subhistories of the Light Emitting Diode // IEEE Trans, on Elect. Dev.- 1976. v. ED-23. - P. 675-699.

17. Авторское свидетельство. Способ изготовления многоэлементных электролюминесцентных полупроводниковых источников света / Сушков В.П., Абрамов B.C. и др. № 635813. - Москва.- 1978.

18. Akasaki I., Wetzel Ch. Future Challenges and Directions for Nitride Materials and Light Emitters // Proc. of the IEEE. 1997. - v. 85. - P. 1750-1751.

19. Amano H., Sawaki N. Akasaki I., Toyoda Y. Metalorganic vapor phase epitaxial growth of high quality GaN film using an A1N buffer layer // Appl. Phys. Lett. -1986.-v. 48.-P. 353-355.

20. Бахтизин Р.З. Голубые диоды // Соросовский образовательный журнал. 2001.-т. 7. № 3. - С. 75-83.

21. Zukauskas A., Shur M.S., Gaska R. Light-emitting diodes: Progress in Solid-State Lighting // MRS Bulletin. 2001. - v. October. - P. 764-769.

22. Whitaker T. News // Compound Semiconductor. 2005. - v. 11. - № 4. - P. 8.

23. Whitaker T. Boeing turns to LED lighting for its new 787 Dreamliner // LEDs Magazine. 2006. - v. June. - P. 25-28.

24. Whitaker T. Japan sets white LED targets as technology improves // Compound Semiconductor. 2004. - v. 10. - № 9. - P. 20-23.

25. Landau S., Erion J. Car makers embrace LED signals // Nature Photonics. 2007.v. 1.-P. 31-32.

26. Mills A. From buoys to boats HB-LED for navigation // III-Vs Rev. 2003.v. November. P. 34-35.

27. Hatcher M. Samsung's new televisions use LED-based backlights // Compound Semiconductor. 2006. - v. 12. - № 1. - P. 8.

28. Hatcher M. Osram develops tiny thin-GaN white LED // Compound Semiconductor.-2005. v. 11. - № 3. - P. 13.

29. Whitaker T. LED snowflakes descend on New York City // LEDs Magazine. -2005.- № 1. P. 4-5.

30. Bertini G., Perugi S., Elia S. et al. Transepidermal water loss and cerebral hemodynamics in preterm infants: conventional versus LED phototherapy // Eur. J. Pediatr. -2007.

31. Jones G., Barnett G. High-power LEDs provide illumination and treatment in medical applications // LEDs Magazine. 2006. - is. 8. - P. 33-35.

32. Whitaker T. Dentistry boosts blue LED market // Compound Semiconductor. 2003.-v. 9. № l.-P. 11.

33. Whitaker T. Surgical lamp uses LEDs // Compound Semiconductor. 2003. — v. 9.3. — P. 13.

34. Hu Y. Li P. Jiang J. Development a new supplement lighting device with ultra-brightwhite LED for vegetables // Light-Emitting Diodes: Research, Manufacturing and Application X. SPIE, 24-25 January 2007. - San Jose. USA. -P. 64861A1-64861A9.

35. Tamulaitis G., Duchovskis P., Bliznikas Z., Breive K., Ulinskaite R., Brazaityte A.,

36. Novickovas A., Zukauskas A. High-power light-emitting diode based facility for plant cultivation // J. Phys. D: Appl. Phys. -2005. v. 38. - P. 3182-3187.

37. Whitaker T. Avago joins high-power market with one watt InGaN LEDs // LEDs Magazine. 2006. - is. 8. - P. 7-10.

38. Whitaker T. LED market ready for accelerated growth in lighting, display backlightsand automotive applications // LEDs Magazine. 2007. - is. 12. - P. 5-8.

39. Lebby M. OIDA outlines SSL roadmap // LEDs Magazine. 2007. - is. 13. - P. 11,20.

40. Наими Е.К., Рабинович О.И., Сушков В.ГГ. Влияние ультразвукового воздействия на характеристики светодиодов зелёного свечения на основе GaP // Известия ВУЗов, сер. Матер. Электр. Тех. 2004. - № 4. - С. 61-63.

41. Ефремов А.А., Бочкарёва Н.И., Горбунов Р.И. Влияние джоулева разогрева наквантовую эффективность и выбор теплового режима голубых InGaN/GaN светодиодов // Ф. Т. П. 2006. - т. 40. - № 5. - С. 621-627.

42. Остроумов А.Г., Рогачёв А.А. О.В. Лосев-пионер полупроводниковой электроники. // Сб. научн. тр. Физика: проблемы, история, люди, (под ред. Тучкевича В.М.): Л., 1986.

43. Розеншер Э., Винтер Б. Оптоэлектроника / пер. с франц. Ермаков О.Н. М.: Техносфера, 2004. - 590 с.

44. Bernardini F., Fiorentini V., Vanderbilt D. Spontaneous polarization and piezoelectric constants of III-V nitrides // Phys. Rev. В 1997. - v. 56. - P. R10024-R10027.

45. Shimada K., Sota Т., Sazuki K. first-principles study on electronic and elastic properties of BN, A1N and GaN // J. Appl. Phys. 1998. - v. 84. - P. 4951-4958.

46. Hsu LWalukiewicz W. Effects of piezoelectric field on defect formation, chargetransfer and electron transport at GaN/AlxGaixN interfaces // Appl. Phys. Lett. -1998.-v. 73. -P. 339-341.

47. Park S.-H., Chung S.-L. Piezoelectric effects on electrical and optical properties ofwurtzite GaN/AlGaN quantum well lasers // Appl. Phys. Lett. 1998. - v. 72. -P. 3103-3105.

48. Grandjean N., Damilano В., Dalmasso S., et al. Built-in electric-field effects in wurtzite AlGaN/GaN quantum wells // J. Appl. Phys. 1999. - v. 86.1. P. 3714-3720.

49. Im J.S., Kollmer H., Off J. et al. Reduction of oscillator strength due to piezoelectricfields in GaN/AlxGaj.xN quantum wells // Phys. Rev. B. 1998. - v. 57. -P. R9435-R9438.

50. Ponce F.A., Bour D.P. Nitride-based semiconductors for blue and green light-emitting devices // Nature. 1997. - v. 386. - P. 351-359.

51. Piprek J. Nitride Semiconductor Devices. Principles and Simulation. WeinheimBerlin: Wiley-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, 2007. - 497 p.

52. Osinski M. Gallium-Nitride-based Technologies. A Critical Review Bellingham-Washington: SPIE-Optical Engineering Press, 2002. — 270 p.

53. Al-Yacoub A., Bellaiche L. Piezoelectricity of ordered (Gao.sIno^N alloys // Appl. Phys. Lett. 2001. - v. 79. - P. 2166-2168.

54. Ambacher O., Majewski J., Miskys C. et al. Pyroelectric properties of Al(In)GaN/GaN hetero- and quantum well structures // J. Phys.: Condens. Matter. -2002. v. 14. - P. 3399-3434.

55. Grahn H.T., Ploog K.H. Polarization properties of nonpolar GaN films and (In, Ga)N/GaN multiple quantum wells // Appl. Phys. A. 2004. - v. 78. - P. 447-451.

56. Katzir Sh. The discovery of the Piezoelectric Effect // Arch. Hist. Exact. Sci. 2003.-v. 57.-P. 61-91.

57. DenBaars S., Nakamura Sh., Speck J. Non-polar GaN reaches tipping point // Compound Semiconductor. 2007. - v. 13. - № 6. - P. 21-23.

58. Kim K-Ch., Schmidt M.C., Sato H. et al. Improved electroluminescence on nonpolar w-plane InGaN/GaN quantum wells LEDs // Phys. Stat. Sol. Rapid Res. Lett. -2007.-v. l.-P. 125-127.

59. Metzger R. New GaN faces offer brighter emitters // Compound Semiconductor.2006. v. 12. - № 7. - P. 20-23.

60. Bemardini F., Fiorentini V. Polarization fields in nitride nanostructures: 10 points tothink about // Appl. Sur. Sci. 2000. - v. 166. - P. 23-29.

61. Morkoc H., Cingolani R., Gil B. Polarization effects in nitride semiconductor devicestructures and performance of modulation doped field effect transistors // Sol. State Electr. 1999. - v. 43. - P. 1753-1771.

62. Morkoc H., Strite S., Gao G.B., et al. Large-band-gap SiC, III-V nitride, and II-VI

63. ZnSe-based semiconductor device technologies // J. Appl. Phys. 1994. - v. 76. -P. 1363-1398.

64. Okamoto K., Kaneta A., Kawakami Y., Mukai T. et al. Confocal microphotolumi-nescence of InGaN-based light-emitting diodes // J. Appl. Phys. 2005. - v. 98. -P. 0645031-0645033

65. Lai Y-L., Liu Ch-P., Chen Zh-Q. Tuning the emitting wavelength of InGaN/GaN superlattices from blue, green to yellow by controlling the size of InGaN quasiquantum dot // Thin solid films. 2006. - v. 488. - P. 128-132.

66. Shapiro N.A., Perlin P., Kisielowski Ch. et al The effects of indium concentration and well-thickness on the mechanisms of radiative recombination in InxGai.xN quantum wells // MRS Internet Journal. N. S. R. 2000. - v. 5. - № 1. - P. 1-6.

67. Lin Y-Sh. Study of various strain energy distribution in InGaN/GaN multiple quantum wells // J. Mater. Sci. 2006. - v. 41. - P. 2953-2958.

68. Hangleiter A., Im J.S., Kollmer et al. The role of piezoelectric field in GaN-basedquantum wells // MRS Internet Journal. N. S. R. 1998. - v. 3. - № 15. - P. 1-8.

69. Wetzel Ch., Nitta Sh., Takeuchi T. et al. On the bandstructure in GalnN/GaN heterostructures strain, band gap and piezoelectric effect // MRS Internet Journal. N. S. R. - 1998. - v. 3. - № 31. - P. 1-10.

70. Widmann F., Simon J., Daudin B. et al. Blue-light emission from GaN self-assembled quantum dot due to giant piezoelectric effect // Phys. Rev. B. 1998. -v. 58.-P. R15989-R15992.

71. Natali F., Byrne D., Leroux M. et al. Inhomogeneous broadening of AlxGaixN/GaNquantum wells // Phys. Rev. B. 2005. - v. 71. - P. 0753111-0753116.

72. Kaplar R.J., Kurtz S.R., Koleske D.D., Fischer A J. Electroreflectance studies of Stark shifts and polarization-induced electric field in InGaN/GaN single quantum wells // J. Appl. Phys. 2004. - v. 95. - P. 4905-4913.

73. Chen C.H., Chen W.H., Chen Y.F., Lin T.Y. Piezoelectric, electro-optical and pho-toelastic effects in InxGa!.xN/GaN multiple quantum wells // Appl. Phys. Lett. -2003.-v. 83.-P. 1770-1772.

74. Panish M.B. Molecular Beam Epitaxy // Science.-1980. v. 208. -P. 916-922.

75. Ковалёв A.H. Эпитаксиальные гетероструктуры AlGaN/GaN для полевых транзисторов // Известия ВУЗов, сер. Матер. Электр. Тех. — 2001. № 2. -С. 4-10.

76. Ковалёв А.Н. Тенденции в развитии полевых транзисторов на основе GaN // Светодиоды и лазеры. 2002. - № 2. - С. 15-20.

77. Уфимцев В.Б., Акчурин Р.Х. Физико-химические основы жидкофазной эпитаксии. — М.: Металлургия, 1983. 222 с.

78. Luth Н. Surface and Interfaces of Solids. Springer Series in Surface Science 15. -Berlin-Heidelberg: Springer-Verlag, 1993. — 356 p.

79. Херман M. Полупроводниковые сверхрешётки / Пер. с англ. Шик А .Я.1. М.: Мир, 1989.-240 с.

80. Morkoc Н. Wurzite GaN-based heterostmctures by Molecular Beam Epitaxy // IEEE

81. J. Selec. Top. Quant. Electr. v. 4. - P. 537-549.

82. Morkoc H. Ill-Nitride semiconductor growth by MBE: Recent issues // J. Mater. Sci.: Mater. Electr. v. 12. - P. 677-695.

83. Нашельский А.Я. Технология спецматериалов электронной техники.

84. М.: Металлургия, 1993. 366 с. 84 Металлоорганические соединения в электронике / Г.А. Разувалов, В.Г. Грибов, Г.Я. Домрачев, Б.А. Саламатин. -М.: Высшая школа, 1972. - 480 е.,

85. Bedair S.M., Mcintosh F.G., Roberts J.C. et al. Growth and characterization of Inbased nitride compounds // J. Cryst. Growth. 1997. - v. 178. - P. 32-44.

86. Stringfellow G.B., Craford M.G. High Brightness Light Emitting Diodes. San Diego:

87. Academic Press, 1997. 470 p.

88. Davis R.F., Gehrke Т., Linthieum K.J. et al. Review of pendeo-epitatial growth andcharacterization of thin films of GaN and AlGaN alloys on 6H~SiC (0001) and Si (111) substrates // MRS Internet Journal. N. S. R. 2001. - v. 6. - № 14. - P. 1-12.

89. Kaschner A., Hoffmann A., Thomson C. et al. Optical microscopy of electronic andstructural properties of epitaxial laterally overgrowth GaN // Appl. Phys. Lett. -1999. v. 74. - P. 3320-3322.

90. Gallium Nitride Materials Growth // J. Cryst. Growth. 2002. - v. 245. - P. 1-179.

91. Habel F.S. Dislocation Reduction by GaN MOVPE Growth on Structured Substrates

92. Annual Report. Optoelectronics Department, University of Ulm. 2002.

93. Henning Ch., Richer E.} Zeimer u. et al. Bowing of thick GaN layers grown by HVPE using ELOG // Phys. Stat. Sol. (c). 2006. - v. 3. - P. 1466-1470.

94. Ермаков O.H., Сушков В.П. Полупроводниковые знакосинтезирующие индикаторы. М.: Радио и связь, 1990. - 240 с.

95. Маняхин Ф.И. Подпороговый механизм образования дефектов инжектированными носителями заряда в полупроводниковых структурах // Известия ВУЗов, сер. Матер. Электр. Тех. 1998. - № 1. - С. 63-69.

96. Абрамов B.C., Никифоров С.Г., Сушков В.П. и др. Особенности конструирования мощных белых светодиодов // Светодиоды и лазеры. 2003. - № 1-2. -С. 10-12.

97. Гребнев А.К., Гридин В.Н. Оптоэлектронные элементы и устройства. —

98. М.: Радио и связь, 1998. 240 с.

99. Сушков В.П., Щепетилова Л.А. Изучение механизма деградации GaAs электролюминесцентных диодов // Ф. Т. П. 1969. - т. 3. - № 7. - С. 788-790.

100. Ковалёв А.Н., Маняхин Ф.И. Эффективные светодиоды на основе

101. AlGaN/InGaN/GaN гетероструктур // Известия ВУЗов, сер. Матер. Электр. Тех. 1998. - № 1. - С. 57-63.

102. Золина К.Г., Кудряшов В.Е., Туркин А.Н. и др. Спектры люминесценции голубых и зелёных светодиодов на основе многослойных гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN с квантовыми ямами // Ф. Т. П. 1997. - т. 31. - № 9. -С. 1055-1061.

103. Yunovich А.Е., Kovalev A.N., Kudryashov V.E. et al. // MRS Symp. Proc. 1998. -v. 82.-P. 1041-1046.

104. Manyakhin F.I., Kovalev A.N., Kudryashov V.E. et al. Avalanche breakdown luminescence of InGaN/AlGaN/GaN heterostructures // MRS Internet Journal.

105. N. S. R. 1997. - v. 2.-№ 11.-P. 1-7.

106. Leitner J., Steikal J., Vonka P. Thermodynamic aspects of the GaN deposition from the gaseous phase // Mater. Lett. 1996. - v. 28. - P. 197-201.

107. Van de Walle C.G., Stampfl C., Neugebauer J. // Proc. Of International Conference of Nitride Semiconductors. Tokushima. Jap. 1997. - v. W 1-1. - P. 386-388.

108. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках / B.C. Вавилов, А.Е. Кив, О.Р. Ниязова. — М.: Наука, 1981. 368 с.

109. Вавилов B.C. Миграция атомов в полупроводниках и изменение числа и структуры дефектов, инициируемых возбуждением электронной подсистемы // Успехи физ. наук. 1997. - т. 167. - № 4. - С. 407-410.

110. Cao Х.А., Sandvik P.M., LeBoeuf S.F. Arthur S.D. Defect generation in In-GaN/GaN light-emitting diodes under forward and reverse electrical stresses // Microelectronics Reliability. 2003. - v. 43. - P. 1987-1991.

111. Бочкарёва Н.И., Ефремов А.А., Ребане Ю.Т. и др. Неоднородность инжекции носителей заряда и деградация голубых светодиодов // Ф. Т. П. 2006. - т. 40. -К» 1.-С. 122-127.

112. Бочкарёва Н.И., Zhirnov Е.А., Ефремов А. А. и др. Туннельно-рекомбинационные токи и эффективность электролюминесценции InGaN/GaN светодиодов // Ф. Т. П. 2005. - т. 39. - № 5. - С. 627-632.

113. Бочкарёва Н.И., Жирнов Е.А., Ефремов A.A. и др. Влияние состояний на границах раздела на ёмкость и эффективность электролюминесценции InGaN/GaN светодиодов // Ф. Т. П. - 2005. - т. 39. - № 7. - С. 829-833.

114. Hibbard D.L., Jung S.P., Wang С. et al. Low resistance high reflectance contacts to p-GaN using oxidized Ni/Au and Al or Ag // Appl. Phys. Lett. 2003. - v. 83.1. P. 311-313.

115. Arai T., Sueyoshi H., Koide Y. et al. Development of Pt-based ohmic contacts materials for p-type GaN // J. Appl. Phys. 2001. - v. 89. - P. 2826-2831.

116. Ковалёв A.H., Маняхин Ф.И., Кудряшов B.E. и др. Изменение люминесцентных электрических свойств светодиодов из структур InGaN/AlGaN/GaN при длительной работе // Ф. Т. П. 1999. - т. 33. - № 2. - С. 224 - 232.

117. Никифоров С.Г. Разработка методик контроля деградации характеристик светодиодов на основе твёрдых растворов AlGalnP и AlGalnN: Диссертация на соиск. уч. ст. канд. тех. н. М., 2007. - 158 с.

118. Маняхин Ф.И., Кодак А. Метод контроля технологии светодиодных структур // Компоненты и технологии 2005. - № 6. - С. 236 - 238.

119. Кудряшов В.Е., Мамакин С.С., Туркин А.Н. и др. Спектры и квантовый выход излучения светодиодов с квантовыми ямами на основе гетероструктур из GaN -зависимость от тока и напряжения// Ф. Т. П. -2001. т. 35. - № 7.1. С. 861 868.

120. Абрамов B.C., Никифоров С.Г., Соболь П.А., Сушков В.П. Свойства зелёных и синих InGaN светодиодов // Светодиоды и лазеры. - 2002. - № 1-2. - С. 30 - 33.

121. Никифоров С.Г. Температура в жизни и работе светодиодов // Компоненты и технологии 2005. - № 9. - С. 48 - 54.; 2006 - № 1. - С. 42-50.

122. Николаев Ю.Н., Кулешов В.М. Зависимость температурного коэффициента излучения светодиодов от тока питания // Тез. докл. на 5 Всесоюз. конф. «Фотометрия и её метрологическое обеспечение». М., 1984. - С. 164.

123. Баринова Э.Ю., Вишневская Б.И., Коган JI.M. Температурная зависимость зелёного светодиода из GaP в интервале температур от 60 до + 60 °С // Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. - 1982. - вып. 7.1. С. 46-53.

124. Никифоров С.Г. Теперь электроны можно увидеть: светодиоды делают электрический ток очень заметным // Компоненты и технологии 2006. - № 3. — С. 20-30.

125. Зи С. Физика полупроводниковых приборов / Пер. с англ. Герделя В.А., Рака-тина В.В., Суриса P.A. М.: Мир, т. 1-2, 1984.

126. Ермаков О.Н., Сушков В.П. Влияние дислокационной структуры и характера примесного легирования на излучательные характеристики твёрдых раствол сров AB // Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. -1987. вып.4 (190). - С. 27-34.

127. Закгейм A.JI. Особенности работы светодиодов сине-зеленого диапазона на основе InGaN- структур с квантово-размерной активной областью при высоких уровнях возбуждения // Электроника. 1999. - № 3. - С. 16.

128. Туркин А.Н. Механизмы излучательной рекомбинации в гетероетруктурах на основе InGaN/AlGaN/GaN с одиночными квантовыми ямами: Дис. на соиск. уч. ст. канд. тех. н., М., 1998.

129. Ермаков О.Н. Излучательные характеристики гетероструктур на основе широкозонных четырёхкомпонентных твёрдых растворов А3В5 // Электроннаятехника. Сер^2. Полупроводниковые приборы. 1984. - вып. 6. - С. 16-26.

130. Laubsch A., Sabathil М., Bruederl G. et al. Measurement of the internal quantum efficiency of InGaN quantum wells // Light-Emitting Diodes: Research, Manufacturing and Application X. SPIE, 24-25 January 2007. - San Jose. USA.1. P. 64860J1-64860J9.

131. Маняхин Ф.И. Образование неравновесных точечных дефектов в кристаллической решётке полупроводниковых структур, инициированное горячими электронами // Известия ВУЗов, сер. Матер. Электр. Тех. 1998. - № 4.1. С. 56-60.

132. Ponce F.A. Defects and interfaces in GaN epitaxy // MRS Bulletin. 1997. v. 22. -P. 51.

133. Ambacher O. Growth and application of group Ill-nitride // J. Phys. D: Appl. Phys.- 1998.-v. 31. -P. 2653-2710.

134. Oldham W.G., Milnes A.G. // Sol. Stat. Electron. 1964. - v. 7. - P. 153-155.

135. Donnelly J.P., Milnes A.G. the capacitance of p-n heterojunctions including the effects of interface states // IEEE Trans. Electron. Dev. 1967. - v. ED-14. - P. 63-68.

136. Oila J., Saarinen К., A.E. Wickenden A.E. et al. Ga vacancies and grain boundaries in GaN // Appl. Phys. Lett. 2003. - v. 82. - P. 1021-1023.

137. Butcher K.S.A., TimmersH., Afifiiddin, Chen P.P.-T. et al. Crystal size and oxygen segregation for polycrystalline GaN // J. Appl. Phys. 2002. - v. 92.1. P. 3397-3403.

138. Arslan I., Browning N.D. Role of oxygen at screw dislocatins in GaN // Phys. Rev.-Lett. 2003. - v. 91. - P. 1655011-1655014.

139. Eisner J., Jones R., Heggie M.I. et al. Deep acceptors trapped at threading-edge dislocations in GaN // Phys. Rev. B. 1998. - v. 58. - P. 12 571-12574 .

140. Takeuchi Т., Wetzel C., Amano H., Akasaki I. et al. Determination of piezoelectric fields in strained GalnN quantum wells using the quantum-confined Stark effect // Appl. Phys. Lett. 1998. - v. 73. - P. 1691-1693.

141. Rebane Y.T., Bochkareva N.I., Bougrov V.E. et al. // Proc. SPIE. 4996. 2003. -P. 113.

142. Liu 1., Edgar J.H. Substrates for gallium nitride epitaxy 11 Mater. Sci. Eng. A Rev. J.- 2002. v. 37.-P. 61-127.

143. McClusky M.D., Johnson N.M., Van de Walle C.G. et al. Metastability of oxygen donor in AlGaN // Phys. Rev. Lett. 1998. - v. 80. - P. 4008-4011.

144. Wetzel C., Suski Т., Ager J.W. et al. Pressure induced deep gap state of oxygen in GaN // Phys. Rev. Lett. 1997. - v. 78. - P. 3923-3926.

145. Shiojiri M., Chuo C.C., Hsu J.T. et al. Structure and formation mechanism of

146. V defects in multiple InGaN/GaN quantum well layers // J. Appl. Phys. 2006. -v. 99. - P. 07350511-0.735056.

147. Pecz В., Makkai Zs., di Forte-Poisson M.A. et al. V-shaped defects connected to inversion domains in AlGaN layers // Appl. Phys. Lett. 2001. - v. 78.1. P. 1529-1531.

148. Cherns D., Henley S.J., Ponce F.A. Edge and screw dislocations as nonradiative centers in InGaN/GaN quantum well luminescence // Appl. Phys. Lett. 2001.v. 78.- P. 2691-2693.

149. Rossi F., Armani N., Salviati G. et al. The role of Mg complexes in the degradation-" of InGaN-based LEDs // Superlattices and Microstructures. 2004. - v. 36.1. P. 859-868.

150. Кладько В.П., Чорненький C.B., Наумов A.B. и др. Структурные дефекты на гетерограницах и фотолюминесцентные свойства эпитаксиальных слоев GaN и AlGaN/GaN, выращенных на сапфире // Ф. Т. П. 2006. - т. 40. - № 9.1. С. 1087-1093.

151. Маняхин Ф.И. Природа сопротивления компенсированного слоя и механизмы рекомбинации в светодиодных структурах // Известия ВУЗов, сер. Матер. Электр. Тех. 2006. - № 4. - С. 20-25.

152. Luxeon Reliability: Reliability Datasheet RD25 / Philips Lumileds Lighting Company. My 2006.- 18 p.

153. Гонтарук A.H., Корбутяк Д.В., Корбут E.B. и др. Деградационно-релаксационные явления в светоизлучающих р-п-структурах на основе фосфида галлия, стимулированные ультразвуком // Письма в ЖТФ. 1998.т. 24. № 15.-С. 64-68.

154. Brantley W.A., Lorimor O.I., Dapkus P.D. et al. effect of dislocations on green electroluminescence efficiency in GaP grown by liquid phase epitaxy // J. Appl. Phys. 1975. - v. 46. - P. 2629 -2637.

155. Олих Я.М., Шавлюк Ю.Н. Акустостимулированное подавление шума 1/F в "субблочных" кристаллах Cd0)2Hg0)8Te // Ф. Т. Т. 1996. - т. 38. - № 11.1. С. 3365-3371.

156. Воеводин В.Г., Степанов В.Е. Взаимодействие ультразвука с макроскопическими дефектами в твёрдых телах // Известия ВУЗов, сер. Физика. 1994.т. 37.-№ 11.-С. 3-9.

157. Филатов А.В., Невский О.Б., Каган И.Б. и др. Примесные дефекты в монокристаллах CdxHgi.xTe // Кристаллография. 1988. - т. 33. - № 5. - С. 1232-1238.

158. Mymrin V.F., Bulashevich К.A., Podolskaya N.I. et al. Modelling study of MQW LED operation // Phys. Stat. Sol. (c). 2005. - v. 2. - P. 2928-2931.

159. Рабинович О.И., Сушков В.П., Шишов А.В. Компьютерное моделирование InGaN светодиодов / 5-я Всероссийская конференция "Нитриды галлия, индия и алюминия структуры и приборы" С.-Пб: Политехнический университет. - С. 83-84. - 2007.

160. Piprek J, Nakamura S. Physics of high-power InGaN/GaN lasers // IEE Proc.-Optoelectron. -2002. v. 149. - P.l45-151.

161. Tomczyk A., Sarzala R.P., Czyszanowski T. et al. Fully self-consistent three-dimensional model of edge-emitting nitride diode lasers // Opto-Electron. Rev. —2003. v. 11. - P. 65-75. — -----

162. Winston D.W. Sim Windows Semiconductor. Device Simulator. Version 1.5. User's Manual. Optoelectronics Computing Systems Center at the University of Colorado, Boulder, USA. 1999. - 40 p.

163. Winston D.W. Physical simulation of optoelectronic semiconductor devices: The Thesis for the Doctor of Philosophy degree. Department of Electrical and Computer Engineering. Faculty of the Graduate School of the University of Colorado, 1996. -186 p.

164. Сушков В.П., Кузнецов Г.Д., Рабинович О.И. Микроэлектроника. Компьютерное моделирование параметров полупроводниковых компонентов микроэлектроники: Учеб. метод, пособие -М: Учеба, 2005. - 126 с.

165. Бергман JI. Ультразвук и его применение в науке и технике / Пер с нем. -Григорьева B.C., Розенберга Л.Д. М.: Иностранная литература, 1957. - 728 с.

166. Труэлл Р., Эльбаум Ч., Чик Б. Ультразвуковые методы в физике твёрдого тела / Пер с англ. Михайлова И.Г., Леманова В.В. М.: Мир, 1972, - 308 с.

167. Радж Б., Раджендран В., Паланичами П. Применение ультразвука / Пер с англ. Ширшова А. М.: Техносфера, 2006. - 576 с.

168. Таблицы свойств материалов Электронный ресурс. / Физико-Технический Институт им. А.Ф. Иоффе РАН — Режим доступа: http://www.ioffe.rssi.rn. -Загл. с экрана. Яз. рус., англ.

169. Таблицы свойств материалов Электронный ресурс. / National Compound' Semiconductor Roadmap — Режим доступа: http://www.onr.navy.mil/sci tech/31/312/ncsr. Загл. с экрана. - Яз. англ.

170. Технические данные и характеристики СИД и MKT Электронный ресурс. компания Cree Inc. - Режим доступа: http://www.cree.com. - Загл. с экрана. - Яз. англ.

171. Технические данные и характеристики СИД и МКГ Электронный ресурс. -компания Nichia Chemical Ind. Ltd Режим доступа: http://www.nichia.com. -Загл. с экрана. - Яз. англ.

172. Технические данные и характеристики СИД и МКГ Электронный ресурс. компания Kingbright - Режим доступа: http://www.kingbriaht.com. - Загл. с экрана - Яз. англ.

173. Тяпунина Н.А., Наими Е.К, Зиненкова Г.М. Действие ультразвука на кристаллы с дефектами М.: Московский государственный университет им.

174. М.В. Ломоносова, 1999. 240 с.

175. Adelmann С., Simon J., Feuillet G. et al. Self-assembled InGaN quantum dots grown by molecular-beam epitaxy // Appl. Phys. Lett. 2000. - v. 76. - P 1570-1572.

176. Kim J., Samiee K., White J.O. et al. Near-field photoluminescence spectroscopy of InGaN films grown by molecular-beam epitaxy // Appl. Phys. Lett. 2002. - v. 80. - P. 989-991.

177. Northrup J.E. Oxygen-rich GaN (101 0) surfaces: First-principles total energy calculations//Phys. Rev. B. 2006.-v. 73.-P. 1153041-1153044.

178. Eliseev P.G., Perlin P., Lee J., Osinski M. "Blue" temperature-induced shift and band-tail emission in InGaN-based light sources // Appl. Phys. Lett. 1997. - v. 71. -P. 569-571.

179. Кудряшов B.E., Мамакин C.C., Туркин A.H. и др. Спектры и квантовый выход излучения светодиодов с квантовыми ямами на основе гетероструктур из GaN — зависимость от тока и напряжения. // Ф. Т. П. — 2001. т. 35. - вып. 7. - С. 861-868.

180. Кудряшов В.Е., Туркин А.Н., Юнович А.Э. и др. Люминесцентные и электрические свойства светодиодов с множественными квантовыми ямами //

181. Ф. Т. П. 1999. - т. 33. - № 4. - С. 445 - 450.

182. Aoki Т., Nishikawaa Y., Kuwata-Gonokamib М. Room-temperature random telegraph noise in luminescence from macroscopic InGaN clusters // Appl. Phys. Lett. 2001. - v. 78. - P. 1065-1067.

183. Jinschek J.R., Erni R., Gardner N.F. et al. Local indium segregation and band gap variations in high efficiency green light emitting InGaN/GaN diodes // Sol. State Com. 2006. - v. 137. - P. 230-234.

184. Chichibu Sh.F., Uedono A., OnumaT. et al. origin of defect-insensitive emission probability in In-containing (Al, In, Ga)N alloy semiconductors // Nature materials. -2006.- v. 5.-P. 810-816.

185. Eisert D., Harle V. Simulation in the development process of GaN-based LEDs and laser diodes. Opto Semiconductors - OSRAM. — 2002. - 33 p.

186. Lepkowski S.P., Teisseyre H., Suski T. et al. Piezoelectric field and its influence on the pressure behavior of the light emission from GaN/AlGaN strained quantum wells // Appl. Phys. Lett. 2001. - v. 79. - P. 1483-1485.

187. Lancefield D., Crawford A., Beaumont B. et al. Temperature dependent electroluminescence in GaN and InGaN/GaN LEDs // Mater. Sci. Eng. B. 2001. - v. 82. - P. 241-244.

188. Kim K., Kim Ch.S., Lee J.Y. The In compositional effect on photoluminescence in InGaN/GaN multi-quantum-well structures // J. Phys: Condens. Matter. 2006.v. 18.-P. 3127-3140.

189. Lymperakis L., Neugebauer J., Albrecht M. et al. Strain induced deep electronic states around threading dislocations in GaN //Phys. Rev. Lett.-2004.-v. 93.-P. 1964011-1964014

190. Cherns D., Henley S.J., Ponce F.A. Edge and screw dislocations as nonradiative centers in InGaN/GaN quantum well luminescence // Appl. Phys. Lett. 2001.v. 78.-P. 2691-2993.

191. Marona L., Wisniewski P., Prystawko P. et al. Degradation mechanisms in InGaN laser diodes grown on bulk GaN crystals // Appl. Phys. Lett. 2006. - v. 88.1. P.2011111-2011113.

192. Pavesi M., Manfredi M., Salviati G. et al. Optical evidence of an electrothermal degradation of InGaN-based light-emitting diodes electrical stress // Appl. Phys. Lett. 2004. - v. 84. - P. 3403-3405.

193. Xia R., Harrison I., Larkins E.C. et al. Spatial inhomogeneity investigation of QW emission in InGaN MQW LEDs //Mater. Sci. Eng. Bl 2002. - v. 93. - P. 234-238.

194. Бочкарёва Н.И., Тархин Д.В., Ребане Ю.Т. и др. Квантовая эффективность и формирование линии излучения в; светодиодных структурах с квантовыми ямами InGaN/GaN // Ф. Т. П.- 2007. т. 41. - № 1. - С. 88-94.

195. Narukava Y., Kawakami Y., Funato М. et'al. Role of self-formed InGaN quantum dots- for exciton localization in the purple laser diode emitting at 420 nm // Appl. Phys. Lett. 1997. - v. 70. - P. 981-983.

196. Narukava Y., Kawakami Y., Fujita.S., Nakamura Sh. Recombination dynamics of localized excitons in Ino.2Gao.8N-Ino.05Gao.95N multiple quantumiwells // Phys. Rev. B. 1997. - v. 55. - P. R1938-R1941.

197. Рожанский И.В., Закгейм Д.А. Анализ причин падения эффективности электролюминесценции светодиодных гетероструктур AlGalnN при большой плотности тока накачки // Ф. Т. П. 2006. - т. 40. - № 7. - G. 861-867.

198. Guan Z.P., Li J.Z., Zhang G.Y. et al. Minority electron mobility in a p-n GaN photodetector//Semicond. Sci. Technol. 2000. - v. 15. - P. 51-54;

199. Li. J, Oder T.N., Nakarmi M.L. et al. Optical and electrical properties of Mg-doped/7-type AlxGa,.xN//Appl; Phys. Lett. -2002. v. 80. -P. 1210-1212.

200. Gartwright A.N., Sweeney P.M., Prunty Th. Et al. Electric field distribution in strained p-i-n GaNЯnGaN multiple quantum well structures // MRS Internet Journal. N. S. R. 1999. - v. 4. - P. 1-9.

201. Van de Walle Ch.G., Neugebauer J. Small valence-band offsets at GaN/InGaN het-erojunctions // Appl: Phys. Lett. 1997. - v. 70. - P. 2577-2579.

202. Kimerling L.C. Recombination enhanced defect reactions // Sol. State Elect. —1978.—v. 21.-P. 1391-1401.

203. Берг А., Дин П; Светодиоды / Пер с англ. под ред. Юновича А.Э. М.: Мир,1979.-686 с.

204. Вишневская Б.И., Корнеев В.М., Коган JI.M., Юнович А.Э: Зависимость спектров электролюминесценции GaP; легированного: азотом, от температуры //

205. Ф. Т. П. 1972. - т. 6. - № 8. - С. 1591-1594.

206. Dapkus P.D., Hackett W.H., Lorimor O.G., Bachrack R.Z. Kinetics of recombination in nitrogen-doped Gap // J. Appl. Phys. 1974.- v. 45. - P. 4920-4930.

207. Davidson J.A., Dawson P., Wang T. et al. Photoluminescence studies of In-GaN/GaN multi-quantum wells // Semicond. Sci. Technol. 2000. - v. 15.1. P. 497-505.

208. Shi J.-J., Xia С.-Х., Wei Sh.-X. Liu Z.-X. Exciton states in wurtzite InGaN strained coupled quantum dots: Effects of piezoelectricity and spontaneous polarization // J. Appl. Phys.-2005.-v. 97.-P. 0837051-0837058.

209. Wang Т., Sugahara Т., Sakai S., Orton J. The influence of the p-n-junction induced electric field on the optical properties of InGaN/GaN/AlGaN lightemitting diode // Appl. Phys. Lett. 1999. - v. 74. - P. 1376-1378.

210. Гриняев C.H., Разжувалов A.H. Резонансное туннелирование электронов в напряжённых структурах с учётом спонтанной поляризации и пьезоэффекта // Ф. Т. Т. 2001. - т. 43. - № 3. - С. 529-535.

211. Leroux М., Grandjean P., Laugt М. et al. Quantum confined Stark effect due to built-in internal polarization field in (Al, Ga)N/GaN quantum wells // Phys. Rev. В 1998. - v. 58. - P. R13371-R13374.

212. Simon J., Langer R., Barski A., Pelekanos N.T. Spontaneous polarization effects in GaN/AlxGai.xN quantum wells // Phys. Rev B. 2000. - v. 61. - P. 7211-7214.

213. Fiorentini V., Bemardini F., Sala F.D. et al. Effects of macroscopic polarization in III-V nitride multiple quantum wells // Phys. Rev. B. 1999. - v. 60. - P. 8849-8858.

214. Hangleiter A., Im J.S., Kollmer H. et al. The role of piezoelectric fields in GaN-based quantum wells // MRS Internet Journal. N. S. R. -1998. v. 3. - P. 1-8.

215. Mattila Т., Nieminen R.M. Point-defect complexes and broadband luminescence in GaN and A1N // Phys. Rev. B. 1997. - v. 55. - P. 9571-9576.

216. Bernardini F., Fiorentini V. First-principles calculation of the piezoelectric tensor d of III-V nitride // Appl. Phys. Lett. 2002. - v. 80. - P. 4145-4147.

217. Нельсон Д.К., Якобсон M.A., Каган В.Д. Ударная ионизация экситонов в электрическом поле в GaN и квантовых ямах GaN/AlGaN // Ф. Т. Т. т. 43. -№ 12.-С. 2223-2229.

218. Никифоров С.Г. Исследование параметров семейства светодиодов Сгее XLamp // Компоненты и технологии. 2006. - № 11. - С. 42-49.