Модели и алгоритмы проектирования микросхем преобразователей напряжения тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.13.12, кандидат наук Глухов, Александр Викторович

• Глухов, Александр Викторович
• кандидат наук
• 2013

Оглавление диссертации кандидат наук Глухов, Александр Викторович

ОГЛАВЛЕНИЕ

ВВЕДЕНИЕ

1 СРЕДСТВА АВТОМАТИЗАЦИИ ПРОЕКТИРОВАНИЯ ИМС ППН

1.1 Автоматизация проектирования ИМС

1.2 Автоматизация проектирования топологии ИМС ППН

1.3 Постановка задачи исследования

2 АВТОМАТИЗИРОВАННОЕ ПРОЕКТИРОВАНИЕ ИМС ППН

2.1 Маршрут проектирования ППН

2.2 Модель КМОП- транзистора

2.3 Математические модели ППН

2.4 Выводы по главе 2

3 ПАРАМЕТРИЗАЦИЯ ФУНКЦИОНАЛЬНЫХ БЛОКОВ ИМС НА СТАДИИ ПРОЕКТИРОВАНИЯ

3.1 Параметризация блоков ИМС с использованием пакета

MULTISIM 10

3.2 Параметризация блоков ИМС посредством имитационного моделирования в OrCAD и MATLAB

3.3 Выводы по главе 3

4 МАРШРУТЫ ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО ПРОЦЕССА

ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИМС ППН

4.1 Выбор технологии изготовления компонентов ИМС ППН

4.2 Разработка топологии ИМС ППН

4.3 Методы проведения испытаний для выявления скрытых дефектов

ИМС ППН

4.4 Алгоритм испытаний по оценке производственных и

конструктивно-технологических запасов

4.5 Оценка показателей надёжности ИМС ППН

4.6 Оценка показателей технологичности БИС

4.7 Выводы по главе 4

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

СПИСОК СОКРАЩЕНИЙ

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

ПРИЛОЖЕНИЕ А Справка о внедрении в ФГОБУ ВПО «НГТУ»

ПРИЛОЖЕНИЕ Б Справка о внедрении в ФГОБУ ВПО «СибГУТИ»

ПРИЛОЖЕНИЕ В Акт внедрения на ОАО «НЗПП с ОКБ»

ПРИЛОЖЕНИЕ Г Акт внедрения на ФГУП «НПП Восток»

ПРИЛОЖЕНИЕ Д Акт внедрения на ОАО «НИИПП»

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Модели и алгоритмы проектирования микросхем преобразователей напряжения»

ВВЕДЕНИЕ

Актуальность темы исследования и степень её разработанности.

Сложность решения схемотехнических, конструкторских и технологических задач подготовки производства интегральных микросхем (ИМС) заключается в том, что при бурном развитии микро- и наноэлектроники значительно возросла плотность компоновки элементов на кристалле. При этом возрастает влияние помех за счёт ёмкостных связей, сопротивлений шин питания (земли) и индуктивностей проводов на физические процессы в ИМС. Итерационные, процессы проектирования, связанные с варьированием электрических характеристик компонентов ИМС на схемотехническом уровне и анализом проектных решений на заключительном этапе верификации с учётом названных эффектов, значительно увеличивает время проектирования и, следовательно, стоимость изделий. Возникает необходимость в создании новой методологии автоматизированного проектирования с интеграцией системного, логического, схемотехнического и топологического уровней, которая позволит существенно сократить временные и финансовые затраты на разработку большинства ИМС, повышая точность расчётов и сокращая объём экспериментальных исследований. Продуктивное использование современного прикладного программного обеспечения позволяет быстро и адекватно моделировать физические процессы, протекающие в ИМС, оптимизировать схемотехнические и топологические решения, проверять их работоспособность при внешних воздействиях и вариациях технологических параметров на нижних уровнях проектирования.

Процесс проектирования ИМС является многоуровневым и каждый уровень требует своего математического аппарата для моделирования и анализа. Эти функции обеспечиваются соответствующими программными продуктами, такими как ОгСАХ),

MAX+PLUS II, MATLAB, TCAD и т.д. Однако, при использовании названных программных средств возникают проблемы, связанные с отсутствием достоверных SPICE-моделей отечественных полупроводниковых приборов и ограниченности средств тестирования полученных ИМС. Для решения этих проблем необходима разработка моделей отечественных полупроводниковых компонентов, тестирующих алгоритмов и программ для создания систем автоматизации проектирования и технологической подготовки производства (САПР и АСТПП), что служит основой производства современных ИМС.

Большой вклад в формирование и развитие САПР ИМС внесли отечественные учёные: И.П. Норенков, В.А. Трапезников, В.Н. Ланцов, A.B. Костров, И.Е. Жигалов и др. Вместе с тем, ряд вопросов связанных с оценкой эксплуатационных характеристик, отладкой производственных цепочек и прогнозированием скрытых дефектов ИМС не достаточно глубоко исследованы и являются предметом постоянного внимания схемотехников, конструкторов, технологов. Требуется интеграция уровней проектирования (логического, схемотехнического и топологического), создание АСТПП с расширением числа контролируемых параметров. Это особенно важно для ИМС, работающих в условиях специальных воздействий. Поэтому разработка маршрута проектирования ИМС (на примере микросхемы двухполярного преобразователя напряжения постоянного тока) предусматривает создание совокупности математических и имитационных моделей для исследования динамических характеристик ИМС при вариации параметров КМОП- транзисторов, включая топологию.

Снижение энергоёмкости, обеспечение надёжности и бездефектности функциональных узлов ИМС являются сложными задачами, а процесс их производства требует постоянного совершенствования. Из-за высокой функциональной сложности решение этих задач возможно только посредством использования САПР и АСТПП на основе мощной вычислительной базы. Таким образом, рациональное сочетание математического, имитационного и приборно-технологического моделирования позволит максимально достоверно оценить

технико- экономические характеристики и надёжность ИМС для решения производственной проблемы - сохранение высокого процента выхода годной продукции при уменьшении топологических размеров и повышении сложности изделий, а также сократить время на запуск в производство посредством предварительной оптимизации топологии и отладки технологических процессов.

Объектом исследования являются проектные и технологические процессы подготовки к серийному производству интегральных микросхем преобразователей напряжения постоянного тока.

Предметом исследования являются модели и алгоритмы автоматизации проектирования интегральных микросхем преобразователей напряжения постоянного тока.

Цели и задачи. Основной целью настоящей работы является разработка моделей и алгоритмов автоматизированного проектирования микросхем двухполярных преобразователей напряжения постоянного тока, обеспечивающих повышение энергетических, технико- экономических показателей и надёжности.

В соответствие с поставленной целью в диссертационном исследовании были поставлены и решены следующие задачи:

1. Проведён анализ современных программных средств автоматизированного проектирования ИМС и сделан вывод о необходимости разработки САПР и АСТПП.

2. Созданы математические модели для функционального описания структур преобразователей напряжения постоянного тока (1111Н).

3. Разработаны имитационные модели для анализа динамических процессов в ППН при внешних воздействиях на схемотехническом уровне с учётом топологии и особенностей технологии.

4. Разработана подсистема моделирования характеристик функциональных блоков ИМС и алгоритм структурно — параметрического синтеза для повышения энергетических, технико-экономических показателей и надёжности.

5. Разработана АСТПП, включающая алгоритм автоматизированного проектирования топологии микросхем ППН в среде ТСАО с применением новой

технологии формирования КМОП транзисторов «карман в кармане» и методику проведения испытаний с оптимальным набором контролируемых параметров для выявления скрытых дефектов в процессе производства посредством приборно-технологического моделирования.

Научная новизна. На основании выполненных соискателем исследований: разработаны имитационные, приборно-технологические модели, алгоритмы автоматизированного схемотехнического, конструкторско-

технологического проектирования и программно-технические средства, позволяющие повысить технико-экономические показатели и надёжность микросхем;

предлоэ/сен новый метод автоматизированного проектирования топологии микросхем преобразователей в среде ТСАБ с применением новой технологии формирования КМОП транзисторов «карман в кармане»; новый метод конструкторско-технологического проектирования с применением программно-технических средства, позволяющий прогнозировать возможные скрытые дефекты на верхних уровнях проектирования микросхем;

доказана возможность применения разработанной САПР при проектировании преобразователей напряжения постоянного тока и других устройств функциональной микроэлектроники при серийном производстве;

введён учёт физических характеристик микросхем на более раннем, системном уровне в маршруте проектирования и тесты для диагностики скрытых дефектов на уровне топологического проектирования.

Теоретическая и практическая значимость работы обоснована тем, что: доказана перспективность развития и внедрения автоматизированного проектирования на основе схемотехнического, конструкторско-технологического проектирования и программно-технические средства интегральных микросхем с учётом статических и динамических режимов работы и расширенным числом контролируемых параметров;

применительно к проблематике диссертации результативно использованы современные достижения в области автоматизированного проектирования

электронных устройств, математическое программирование и компьютерные технологии, методология системного подхода с использованием теории нелинейных электрических цепей, теории автоматического регулирования, методов системного анализа и структурно-параметрической оптимизации, имитационное схемотехническое моделирование и приборно-технологическое с использованием современных программных продуктов;

изложен маршрут изготовления интегральных микросхем преобразователей напряжения постоянного тока; последовательность проектных процедур структурно-параметрического синтеза и анализа динамических характеристик микросхем; последовательность проведения граничных испытаний микросхем; раскрыты особенности решения проблемы снижения энергоёмкости, обеспечения надёжности и бездефектности функциональных узлов интегральных схем в процессе автоматизированного проектирования;

изучены подходы и методы создания имитационных моделей, тестирования посредством экспериментальных измерений, создания сценариев проведения анализа с учётом особенностей предложенного метода автоматизированного проектирования;

проведена модернизация БРГСЕ-моделей для производства отечественных полупроводниковых приборов, алгоритмов анализа в динамических режимах работы и тестов для контроля скрытых дефектов.

Методология и методы исследования. В работе использованы современные достижения в области САПР устройств микроэлектроники, математическое программирование и компьютерные технологии. Общей методологической основой является системный подход с использованием теории нелинейных электрических цепей, теории автоматического регулирования, методов системного анализа и структурно-параметрической оптимизации. Схемотехническое моделирование проведено с использованием программных продуктов ОгСАБ, МАТЬАВ, МШЛ181М 10, а приборно- технологическое -посредством пакета ТСАБ Бе^аигиз.

Положения, выносимые на защиту:

1. Способ организации технологического маршрута изготовления ИМС преобразователя напряжения постоянного тока, позволяющего совершенствовать параметры и характеристики получаемых интегральных микросхем.

2. Математические и имитационные модели ИМС 111 1Н для анализа физических процессов в переходных, динамических режимах и параметризации преобразователей.

3. Алгоритм автоматизированного технологического проектирования ИМС в среде TCAD Sentaurus, включающий новую технологию «карман в кармане» формирования КМОП транзисторов.

4. Алгоритм проведения граничных испытаний преобразователей напряжения постоянного тока для выявления возможных дефектов на верхних уровнях проектирования и результаты их тестирования посредством САПР.

Степень достоверности и апробация результатов. Достоверность научных положений и выводов подтверждается корректным использованием математического аппарата при проведении исследований и совпадением результатов имитационного моделирования с данными натурных испытаний преобразователей напряжения постоянного тока. Результаты диссертации были использованы в хоздоговорных работах на «Новосибирском заводе полупроводниковых приборов с ОКБ» («Н31111 с ОКБ»): «Разработка базовой технологии создания унифицированных электронных модулей - защитных устройств РЭА от перенапряжений в сетях электропитания» (отчет по ОКР «Защита-ВК», № гос. per. У90540, 2009 г., «Разработка базовой технологии создания радиационно-стойкого, высоконадежного сверхстабильного, аттестуемого прецизионного стабилитрона» (отчет по ОКР «Союз»), № гос. per. У91737, 2011 г., «Разработка базовой технологии создания многофункциональных сетевых защитных устройств на основе модулей полупроводниковых ограничителей напряжения высокой импульсной мощности до 150 кВт и специализированных микросхем» (отчет по ОКР «Нож 2»), № гос. per. У92098, 2011 г., «Разработка базовой технологии создания серии модулей

полупроводниковых ограничителей напряжения для защиты от сетевых помех средств электропитания и преобразователей электроэнергии» (отчет по ОКР «Серия ПОН»), № гос. per У920097, 2011 г., «Разработка и освоение производства радиационно-стойкой микросхемы двухполярного DC-DC преобразователя» (отчет по ОКР «Питание 4»), № гос. per. У92378, 2012 г.

В диссертации приведены акты внедрения результатов работы:

Научно-производственное предприятие «Восток», г. Новосибирск по разработке и освоению производства ИМС регистрового ЗУ на КМДП-структурах;

«Научно - исследовательский институт полупроводниковых приборов», г. Томск по разработке основ конструкции и базовой технологии КМОП микросхемы интерфейса управления СВЧ модулями, а также интегрального драйвера светодиодов с управлением по среднему току;

«НЗПП с ОКБ», г. Новосибирск по разработке и освоению производства радиационно-стойкой микросхемы двухполярного DC-DC преобразователя, а также по разработке технологии изготовления конструкции квадратурного модулятора-преобразователя.

Результаты, полученные в работе на разных этапах её выполнения, докладывались и обсуждались на:

- Международной научно-технической конференции «Системы проектирования, технологической подготовки производства и управления этапами жизненного цикла промышленного продукта», Москва, 2013;

- Международной научно-технической конференции «Актуальные проблемы электронного приборостроения», Новосибирск, 2012;

- Российской научно-технической конференции «Информатика и проблемы телекоммуникаций», Новосибирск, 2008, 2011;

- Межотраслевой научно-практической конференции, организованной Ассоциацией «Электропитание», Москва, 2011 и Санкт-Петербург, 2012.

1 СРЕДСТВА АВТОМАТИЗАЦИИ ПРОЕКТИРОВАНИЯ ИМ С ППН

1.1 Автоматизация проектирования ИМС

Современные программы моделирования ИМС представляют собой виртуальные лаборатории, которые включают обширные библиотеки компонентов. Такие программы предоставляют возможность проверить удовлетворяет ли спроектированное устройство требованиям технического задания (ТЗ) при использовании реальных компонентов с характеристиками, отличными от идеальных. Во многих программах автоматизированы все стадии проектирования, включая разработку принципиальных схем, моделирование процессов в установившихся и переходных режимах а также редактирование и расширение библиотек компонентов. В настоящее время предлагается довольно много специализированных пакетов программного обеспечения, предназначенных для проектирования интегральных микросхем (ИМС), в том числе и преобразователей напряжения постоянного тока (ППН).

Одной из ведущих компаний на рынке сквозного автоматизированного схемотехнического проектирования аналоговой, цифровой и смешанной радиоэлектронной аппаратуры является корпорация Microsim. Первая программа схемотехнического моделирования SPICE (Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis) была разработана в начале 70-х годов прошлого столетия в Калифорнийском университете. Эта программа продолжает интенсивно развиваться и является эталоном моделирования для аналоговых устройств. Модификация этой программы — PSPICE стала основой для схемотехнического моделирования. В 1990 году компанией Microsim на основе вычислительного ядра

PSPICE был создан программный пакет - Design Center в среде Windows, позволяющий реализовывать не только текстовый, но и графический ввод электрических принципиальных схем, а также проектировать аналоговые и цифровые устройства (счётчики, вентили, триггеры, запоминающие устройства и т.п.). Последующие версии Design Center 6.0, 6.1 и 6.2 дополнялись программами, предназначенными для проектирования программируемых логических матриц и разработки топологии печатных плат. Начиная с 1996 г, корпорация Microsim занялась разработкой нового поколения моделирующих программ под названием DesignLab 8.0 с целым рядом дополнительных возможностей, таких как, моделирование ПЛИС фирмы Xilinx; синтез аналоговых и аналого-дискретных фильтров на переключаемых конденсаторах; создание новых моделей компонентов; повышение надёжности алгоритмов расчета переходных процессов. В 1998г. корпорации Microsim и OrCAD объединились, что явилось стимулом для развития таких проектов как DesignLab и OrCAD. Далее фирма выпустила новую версию OrCAD 9.2, позволяющую производить моделирование аналоговых, цифровых и смешанных устройств, параметрическую оптимизацию, разработку топологии и трассировку печатных плат, т.е. сквозное проектирование.

Другая система схемотехнического проектирования типа Micro-Cap (Microcomputer Circuit Analysis Program), разработанная компанией Spectrum Software также развивалась на основе вычислительного ядра SPICE. Первая версия этой программы (МС-1), позволяла осуществлять графический ввод линейных и нелинейных схем, аналоговых устройств, проводить моделирование, а также получать динамическое отображение графиков. Более поздняя версия МС-7 (2001г.) обладает такими возможностями, как графическое редактирование принципиальных схем; параметрическая оптимизация; расчёт устройств по постоянному току; анализ во временной и частотной областях; синтез пассивных и активных аналоговых фильтров; статистический анализ методом Монте-Карло и др. В этой версии имеется большая библиотека компонентов,

включающая в себя наиболее популярные цифровые и аналоговые компоненты, интерфейс с программами разработки печатных плат OrCAD, P-CAD и др. Пакет Micro-Cap7 предназначен для платформ IBM, NEC и Macintosh.

Из других систем схемотехнического моделирования следует выделить следующие пакеты программ:

Electronics Workbench [1, 2] - отличительной особенностью программы является отображение на экране дисплея измерительных приборов (осциллографов, вольтметров и др.) с органами управления, которые максимально приближенны к реальным приборам. При этом пользователь освобождается от изучения абстрактных правил составления заданий на моделирование. Достаточно подключить к схеме двухканальный осциллограф или генератор сигналов и программа анализирует переходные процессы. При подключении анализатора спектра, сначала выполняется расчёт режима по постоянному току, линеаризация нелинейных компонентов, а затем производится расчёт характеристик схемы в частотной области. Диапазон анализируемых частот, коэффициент усиления и характер оцифровки данных в линейном, либо логарифмическом масштабе устанавливаются на лицевой панели прибора. Программа нашла применение при разработке новых схемотехнических решений ППН. Так, например, для повышения технико-экономических показателей однотактных импульсных преобразователей путём имитационного моделирования электромагнитных процессов [3] получено новое техническое решение, где сокращено число элементов, а также уменьшена токовая нагрузка силовых транзисторных ключей в моменты коммутаций и снижены возникающие при этом коммутационные перенапряжения (рисунок 1.1). Ещё одним примером является разработка устройства формирования опорного напряжения [4] с пониженным уровнем шумов (рисунок 1.2), содержащего источник опорного напряжения, конвертор положительного сопротивления и повторитель напряжения. Анализ выходных параметров источника также выполнялся посредством программы Electronics Workbench.

ZOOM

GROUND

TRIGGER

LEVEL 1 ООО I-А В EXT

CHANNEL A

CHANNEL В

2 WOiv

2 V/Div V P05 [O.QQ AC 0

Рисунок 1.1 — Модель импульсного преобразователя напряжения в

Electronics Workbench

Рисунок 1.2 - Модель источника опорного напряжения

К недостатком моделирования в Electronics Workbench относятся:

- ограничения, накладываемые на измерительные приборы: одновременно можно наблюдать не более двух осциллограмм напряжений;

— ограниченный набор проектных процедур;

- усечённые SPICE-модели полупроводниковых приборов;

— не высокая точность расчётов.

Эти недостатки ограничивают область её использования.

1) Protei DXP [5...7] - интенсивно развивающаяся система сквозного проектирования аналоговых и цифровых электронных устройств, разработанная фирмой Protei International (новое название Altium). Это система представляет собой 32-разрядное приложение, которое предназначено для работы под управлением операционных систем Windows NT/XP. В её составе имеются все необходимые инструменты для разработчиков печатных плат. Основу данной системы составляет программная оболочка Design Explorer, интегрирующая в себе различные модули, выполняющие определенные функции проектирования: редактор принципиальных схем, печатных плат, автотрассировщик, программа моделирования, интерфейсы импорта и экспорта.

Данная программа получила широкое распространение при разработке вторичных источников [8]. Так при разработке DC/DC преобразователя на основе ИМС LM5008 (рисунок 1.3) все объекты схемы разделяются на

Рисунок 1.3 - Модель DC/DC преобразователя Altium Designer

графические и электрические. Для размещения графических объектов используется панель Utilities, а для электрических - Wiring. Основным объектом являются библиотечные компоненты. В отличие от аналогичных систем проектирования, программа Altium Designer позволяет организовывать библиотеки тремя способами:

а) библиотеки проекта, где условные графические обозначения хранятся в библиотеках *.SchLib, а посадочные места - в библиотеке *.PcbLib (рисунок 1.4).

Рисунок 1.4 - Библиотеки проекта

При этом схема строится из символов, а посадочное место привязывается к ним вручную, после чего схема передаётся в редактор плат. Это требует создание индивидуальных библиотек для каждого проекта и вся ответственность возлагается на разработчика, что сложно осуществлять на больших предприятиях;

б) интегрированные библиотеки, для создания которых необходим отдельный проект- проект библиотеки *.ЫЬРк£ (рисунок 1.5). К преимуществам этого способа можно отнести: компактность, так как пользователь имеет один файл (*.М1лЬ), внутри которого будут храниться все используемые символы и в посадочные места; архивация и простота. Главный недостаток заключается том,

" .........

v/fffcipacel Derfw/fc - jWûlkipacej

UPVç | йцее*

« F*Vu» SiiuckjtE«» S1S3

Integrated Library InUgr jited_Lil {Recompile Integrated Library Inlegritei.Libf^iXibPkg Add Wtw to Project fcjl Add Lusting to P/ojïcL . Save Project Save Project As._

Open Project Documents №de Ail In Project Clou Project Documents, Clou Project Ex ploie

Locate and Instal Missing Ptugms Differences... J) Version Control iJ Local History $1 Project Packager...

5VN Database Librwy Maker.-3d Project Options..,

Рисунок 1.5 - Создание интегрированной библиотеки

что символ и компонент в интегрированной библиотеке - это единое целое, поэтому, существенно увеличивается объём библиотеки и отсутствует необходимая гибкость в её использовании;

в) библиотека в виде базы данных (БД), в которой содержатся записи о компонентах, где для каждой записи указан применяемый символ, посадочное место и другие модели, а также набор атрибутов (рисунок 1.6).

Рисунок 1.6 - Библиотека в виде БД

Составные части компонента хранятся отдельно, при этом желательно разделить их на отдельные каталоги (символы, посадочные места, модели и т.д.). Библиотека в виде БД может быть в двух форматах - Database Library и SVN Database Library, которые отличаются только способом хранения символов и посадочных мест. Использование БД имеет ряд преимуществ, главное из них заключается в том, что в библиотеках *.SchLib хранятся именно символы, которые могут быть многократно использованы в различных компонентах. Имеется возможность интегрировать БД в другие системы. В качестве недостатка можно отметить увеличение трудоёмкости создания библиотек и то, что в ней нельзя заполнить таблицу соответствия выводов символа и посадочного места, что особенно непривычно для пользователей, которые работали в программе Р-CAD [9].

2) VisSim [10] - пакет предназначен для моделирования процессов в системах управления, которые можно описать дифференциальными уравнениями. Работа пакета базируется на интегрировании дифференциальных уравнений, которые вводятся посредством графических символов (блоков структурных схем с соответствующими значениями параметров). Имеется библиотека вспомогательных блоков, позволяющих анализировать динамические системы управления. VisSim — это симулятор систем с инструментальной средой визуального проектирования. В нем представлены инструменты для частотных, корневых, вариационных оценок качества, устойчивости, синтеза, коррекции, оптимизации, линеаризации и отладки объектов в контуре модели. В состав пакета VisSim включены следующие модули: явные решатели — для решения дифференциальных уравнений; неявные решатели — для решения алгебраических уравнений и оптимизаторы - для итерационного подбора параметров. Интерпретатор пакета VisSim позволяет автоматически генерировать код на языке Си. На основе результатов линеаризации модели, VisSim обеспечивает выполнение корневого и частотного анализов. Базовая библиотека блоков не требует дальнейшего расширения, но пользователь может создать собственную

библиотеку моделей. Пакет содержит библиотеки с моделями устройств электропривода и систем связи.

Программа Л^Бт нашла широкое применение для проектирования преобразователей, где регуляторы напряжения или тока представлены в виде блоков передаточных функций «transferFunction». Широтно-импульсный модулятор (ШИМ) обычно включает генератор опорного напряжения (ГОН) и компаратор (рисунок 1.7 а). На рисунке 1.7 б представлена реализация ШИМ с пилообразным опорным напряжением в пакете Л/ЪБт.

—д

гон 1--Г

и.

и

о

Я)

( 1Л, »».

6}

' и

Рисунок 1.7 - Моделирование ШИМ- сигнала в У^т

На рисунке 1.8 а приведена схема моделирования понижающего импульсного ППН [11] с входным фильтром и параметрами преобразователя: Е=12 В, Ш=5 В, Ь = Ы = 5 мкГн, Я = 0,01 Ом, ЕЛ = 0,02 Ом, С = 2000 мкФ, С1 = 1000 мкФ, номинальный ток нагрузки - 40 А, частота коммутации ключа — 200 кГц. Шаг интегрирования выбран равным 50 не. ППН представлен передаточной функцией:

Список литературы диссертационного исследования кандидат наук Глухов, Александр Викторович, 2013 год

СПИСОК ЛИТЕРАТУРА

1. Карлащук, В.И. Электронная лаборатория на IBM PC. Программа Electronics Workbench и ее применение [Текст] / В.И. Карлащук. - Издательство: Солон-Р, 1999.-506 с.

2. Хернитер, Марк Е. Electronics Workbench Multisim [Текст] / М. Е. Хернитер. -М.: Издательский дом ДМК пресс, 2006. - 488 с.

3. Сидоров, С.Н. Импульсный преобразователь сетевого напряжения и способ упроавления им [Текст] / С.Н. Сидоров // Патент РФ № 2265948 С1, 2009.

4. Бондарь, М.С. Устройство формирования опорного напряжения с пониженным уровнем шумов [Текст] / М.С. Бондарь// Патент РФ №2416815 С1, 2010.

5. Потапов, Ю.В. Система проектирования печатных плат Protei [Текст]/ Ю.В. Потапов. - М.: Горячая линия - Телеком, 2009. - 704с.

6. Сабунин, А.Е. Altium Designer. Новые решения в проектировании электронных устройств [Текст] / А.Е. Сабунин. -М.: Солон-Пресс, 2009. - С. 432.

7. Суходольский, В.Ю. Altium Designer. Проектирование функциональных узлов РЭС на печатных платах [Текст] / В.Ю. Суходольский. -СПб.: БХВ-Петербург, 2010. - С. 480.

8. Пранович, В. Система проектирования Altium Designer 6 [Текст] /В. Пранович // Технологии в электронной промышленности. - 2006. - № 5. -С.16-21.

9. Сабунин, А. Altium Designer: преимущества и недостатки организации библиотеки в виде базы данных [Текст] /А. Сабунин // Современнея электроника. — 2012. — № 8. — С.2-5.

10. Дьяконов, В. VisSim+Mathcad+MATLAB. Визуальное математическое моделирование [Текст] / В. Дьяконов. - Солон-пресс, 2009. - 384 с.

11. Волович, Г. Моделирование однотактных DC/DC-преобразователей в пакете VisSim [Текст] /Г. Волович // Современнея электроника.-2005.-№ 3 - С.56-61.

12. Разевиг, В. Д. Схемотехническое моделирование с помощью Micro-САР 7[Текст] / В.Д. Разевиг. - Горячая линия-Телеком, 2003. - 368 с.

13. Разевиг, В.Д. Система моделирования Micro-Cap 6 [Текст] / В.Д. Разевиг. -М.: Горячая линия-Телеком, 2001. - 344 с.

14. Середжинов, Р.Т. Анализ процессов в источниках служебного питания за счёт выходных каскадов однотактных импульсных преобразователей [Текст] / Р.Т. Середжинов // Известия высших учебных заведений. Электромеханика. Новочеркасск. - 2008. - № 5. - С. 37-42.

15. Середжинов, Р.Т. Анализ процессов источников служебного питания за счет повышающего индуктора корректора коэффициента мощности [Текст] / Р.Т. Середжинов // Вестник Рязанского государственного радиотехнического университета. - 2008. - № 4. - С. 94-97.

16. Макаренко, В. Моделирование радиоэлектронных устройств с помощью программы M Multisim, Часть 5 [Текст] / В. Макаренко // ЭКиС - Киев: VD MAIS. - 2008.-№ 6. - С. 46-53.

17. Макаренко, В. Моделирование DC/DC-преобразователей в N1 Multisim [Текст]/В. Макаренко //ЭКиС- Киев: YD MAIS. -2011.--№ 11.-С. 3844.

18. Браун, М. Источники питания. Расчет и конструирование.: Пер. с англ. [Текст] / М. Браун. - К.: "МК-Пресс", 2007.-288 с.

19. Герман-Галкин, С.Г. Компьютерное моделирование полупроводниковых систем в MATLAB 6.0/С.Г. Герман-Галкин. - Корона принт., 2001.-320 с.

20. Дьяконов, В. MATLAB. Анализ, идентификация и моделирование систем: специальный справочник / В. Дьяконов, В. Круглов. -Питер., 2001.-448 с.

21. Герман-Галкин, С. Г. Школа MATLAB. Урок 6. Программные и инструментальные средства представления результатов моделирования [Текст] / С.Г. Герман-Галкин // Силовая электроника. - 2007. - № 4. - С.96-99.

22. Герман-Галкин, С. Г. Школа MATLAB. Виртуальные лаборатории устройств силовой электроники в среде MATLAB-Simulink. Урок 11. Виртуальные лаборатории импульсных источников питания [Текст] / С.Г. Герман-Галкин // Силовая электроника. - 2010. - № 1. - С.62-67.

23. Болотовский, Ю.И. OrCAD Моделирование [Текст] / Ю.И. Болотовский. - "Поваренная" книга. -М.: СОЛОН-Пресс, 2009. -254с.

24. Афанасьев, А. О. OrCAD 7.0.9.0. Проектирование электронной аппаратуры и печатных плат [Текст] / А. О. Афанасьев, С. А. Кузнецова. - Наука и Техника, 2001.-448с.

25. Афанасьев, А.О. OrCad 10. Проектирование печатных плат [Текст] / А.О. Афанасьев, С.А. Кузнецова, A.B. Нестеренко. — М.: Горячая линия. Телеком, 2005.-454с.

26. Силкин, В. Эскизный проект системы статических преобразователей напряжения [Текст] / В. Силкин // Современная электроника. - 2005. - № 3. — С.44-50.

27. Стешенко, В. Б. ПЛИС фирмы ALTERA: элементная база, система проектирования и языки описания аппаратуры [Текст] / В. Б. Стешенко. - М.: Додэка-ХХ1, 2007. - 483с.

28. Комолов, Д.А. Системы автоматизированного проектирования фирмы Altera - MAX+PLUS II и QUARTUS II [Текст] / Д.А. Комолов, P.A. Мяльк, A.A. Зобенко, A.C. Филиппов - М.: Радио СОФТ, 2003. - 361с.

29. Строгонов, А. Проектирование топологии КМОП заказных БИС [Текст] / А. Строганов //Компоненты и технологии. - 2007. - №2. - С.206-209.

30. Иванова, Н. Ю. Технология проектирования печатных плат в САПР Р-CAD-2006 [Текст] / Н. Ю. Иванова, А. С. Петров, В. И. Поляков, Е. Б. Романова. -СПб: СПбГУ ИТМО, 2009. - 168с.

31. Еркин, А. Обзор современных САПР для ПЛИС [Текст] / А. Еркин // ChipNews. -2008. -№10-11(134-135) . - С. 17-29.

32. Иванов, А. Среда проектирования компании Cadence. Общий обзор. [Текст] / А. Иванов // ЭЛЕКТРОНИКА: Наука, Технология, Бизнес5. - 2003. -С. 28-30.

33. Лобанов, В.И. Технический минимум пользователя САПР MAX+PLUS II [Текст] / В.И. Лобанов // Chip News. - 2001. - № 1. - С. 56-58.

34. Грушвицкий, Р.И. Проектирование систем на микросхемах программируемой логики [Текст] / Р.И. Грушвицкий, А.Х. Мурсаев, Е.П. Угрюмов. - СПб: БХВ-Петербург, 2002. - 607 с.

35. Бибило, П.Н. Основы языка VHDL [Текст] / П.Н. Бибило. - М.: Солон-Р, 2000. (четвертое издание 2009 г.) - 200 с.

36. Бибило, П.Н. Синтез логических схем с использованием языка VHDL [Текст] / П.Н. Бибило. - М.: Солон-Р, 2002. - 384 с.

37. Лопаткин, A. P-CAD 2004 [Текст] / А. Лопаткин. - СПб: БХВ -Петербург, 2006. - 555 с.

38. Кузнецова, С.A. OrCAD 10. Проектирование печатных плат. Серия: Современная электроника [Текст] / С. А. Кузнецова, А. В. Нестеренко, А. О. Афанасьев. - Издательство: Горячая Линия - Телеком, 2005. — 454 с.

39. Деньдобренко, Б.Н. Автоматизация конструирования РЭА [Текст] / Б.Н. Деньдобренко, A.C. Малика. - М.: Высш. школа, 1980. - 384 с.

40. Стешенко, В. EDA. Практика применения САПР в проектировании радиоэлектронных устройств [Текст]/ В. Стешенко. -М.: "Нолидж", 2001. - 560 с.

41. Хайнеман, P. PSpice. Моделирование работы электронных схем [Текст] / Р. Хайнеман. - "ДМК Пресс", 2005. - 336 с.

42. Амелина, М. А. Программа схемотехнического моделирования Micro-Cap 8 [Текст] / М. А. Амелина, С. А. Амелин. - Издательство: Горячая линия-Телеком, 2007. - 464 с.

43. Пушкарев, M. Программа схемотехнического моделирования SwitcherCAD III [Текст] / M. Пушкарев //Компоненты и технологии. - 2008. — №11. — С.130-136.

44. Bassak, G. Formal Verification [Electronic resource]/ G. Bassak//EE Times. -1999. — Режим доступа http://www.eetimes.com/search.asp.

45. Бухтеев, А. Методы и средства проектирования систем на кристалле [Текст] / А. Бухтеев // Chip News. - 2003. - № 4(77). - С. 4-14.

46. Электроника СБИС [Текст] / Под ред. Н.Айспрука. - М.: Мир. — 1989.-256 с.

47. IEEE1149.1 JTAG and Boundary Scan Tutotial [Electronic resource] // Режим доступа: http://www.asset-intertech.com/

48. Haberl, О. Self Testable Boards with Standard IEEE 1149.5 Module Test and Maintenance (MTM) Bus Interface [Electronic resource] / O. Haberl, T. Krop// Proc. of the European Design and Test Conference. -1994. - P.220-225. Режим доступа: http://ieeexplore.ieee.org/xpl/login.isp.

49. Бюргер, IO А Применение распределительного генетического алгоритма при решении задач об упаковке в контейнеры [Текст] / Ю. А. Бюргер, В.М. Гнапок, B.JI. Литвиненко, АА. Ткачук // Перспективные информационные технологии и интеллектуальные системы. - 2002. - №2. - С. 11-15.

50. Возыка, В.В. Построение дерева Штейнера генетическим алгоритмом [Текст] / В.В. Возыка // Известия ТРТУ, Материалы Международной конференции "Интеллектуальные САПР",-2003. -№ 3. - С. 213- 214.

51. Гальченко, В.Я. Использование генетических алгоритмов в структурном синтезе источников магнитных полей с заданными свойствами [Текст] / В.Я. Гальченко, М.А. Воробьев // Информационные технологии. - 2003. — № 7. — С. 7-12.

52. Куликов, O.A. Процедура сингулярного разложения матриц специального вида в системах схемотехнического моделирования СБИС [Текст] / O.A. Куликов, C.B. Макаров, В.Н. Перминов. - Изв. ВУЗОВ. Электроника. — 1999.-№4.-149 с.

53. Ланцов, В. H. Проектирование заказных интегральных схем на КМОП [Текст] : учеб. пособие / В. Н. Ланцов. - Владимир, 2009. - 223 с.

54. Ланцов, В.Н. Проектирование ПЛИС на VHDL [Текст] / В. Н. Ланцов. - Владимир, ВлГУ, 2000. - 117 с.

55. Костров, А. В. Основы автоматизации организационного проектирования: Монография [Текст] / Д. В. Александров, А. В. Костров, С. А. Морев, Е. В. Шишкин; Под общей ред. А. В. Кострова. - Владимир, Демиург,

2003. -111 с.

56. Жигалов, И.Е. Теория и методы автоматизированного функционально-схемотехнического проектирования нелинейных радиотехнических устройств: автореферат диссертации доктора технических наук: 05.13.12 Моск. государственный авиационный институт [Текст] / Жигалов Илья Евгеньевич. - М., 1997. - 35 с.

57. Билибин, К.И. Конструктивно-технологическое проектирование электронной аппаратуры [Текст] / К.И. Билибин, А.И. Власов, Л.В. Журавлева и др. Под общ. ред. В.А. Шахнова . - М., Изд-во МГТУ им. Н.Э Баумана, 2002. — 528 с.

58. Суворова, Е.А. Проектирование цифровых систем на VHDL [Текст] / Е.А. Суворова, Ю.Е. Шейнин. - БХВ-Петербург, 2003. - 576 с.

59. Романова, М.П. Проектирование гибридно-пленочных интегральных микросхем: учебное пособие [Текст] / М.П. Романова. — Издательство: УлГТУ, Ульяновск, 2006. - 72 с.

60. Гейтенко, E.H. Источники вторичного электропитания. Схемотехника и расчёт: учебное пособие [Текст] / E.H. Гейтенко. - М., 2008. - 448 с.

61. Зиновьев, Г. С. Основы силовой электроники: учебное пособие [Текст] / Г. С. Зиновьев. - Изд. 3-е, испр. и доп. - Новосибирск: Изд-во НГТУ,

2004. - 672 с.

62. Березин, O.K. Источники электропитания радиоэлектронной аппаратуры [Текст] / O.K. Березин, В.Г. Костиков, В.А. Шахнов. - М.: «Три Л», 2000.-400 с.

63. Виленкин, А. Г. Импульсные транзисторные стабилизаторы напряжения [Текст] / А. Г. Виленкин. - Оникс, 2012. - 67с.

64. Полищук, А. Схемотехника современных мощных источников электропитания для телекоммуникационного оборудования и систем промышленной автоматики [Текст] /А. Полищук// Силовая электроника. -2005. — № 2. - С.70-74.

65. Васильев, А. Анализ современных методов и технических средств коррекции коэффициента мощности у импульсных устройств [Текст] / А. Васильев, В. Худяков, В. Хабузов // Силовая электроника. -2004. № 2. - С. 72-77.

66. Cobos, J. A. Synchronous rectification. Study of the applicability of self-driven synchronous rectification to resonant topologies [Text] / J.A. Cobos, J. Sebastian, J Uceda, more authors// Proc. of the IEEE. - 1992. - P. 933-940.

67. Muakami, N. A simple and efficient synchronous rectifier for forward dc-dc converters [Text] / N. Muakami, H. Namiki, K. Sakakibara // Proc. of the IEEE. -1993.-P. 463-468.

68. Rozman, A. Low loss synchronous rectifier for application to clamped-mode power convertors [Text] / A. Rozman // Патент США № 4625541, фирма Lusent Technologies, 1997.

69. Shinada, Y. Synchronous rectification type converters [Text] /Y. Shinada // Патент США № 5734563, фирма NEC, 1988.

70. Yee, H. A balanced review of synchronous rectifiers in DC/DC converters [Text] / H. Yee, S. Sawahata // Proc. of the IEEE. 1999. - P.582-588.

71. Panov, Y. Design and performance of low-voltage/high-current dc/dc onboard modules [Text] / Y. Panov, M. Jovaanovic // Proc. of the IEEE. 1999. - P.59-65.

72. Cobos, J. A new driving scheme for self driven synchronous rectifiers [Text] / J. Cobos, P. Abu, O. Garcia // Proc. of the IEEE. - 1999. - P. 840-846.

73. Интегральные импульсные стабилизаторы напряжения фирмы National Semiconductor (Texas Instruments) [Электронный ресурс] // Режим доступа: http://www.kosmodrom.com.ua/data/nscstab.php

74. SEPIC Equations and Component Ratings. Application Note 1051. Материал с сайта фирмы Maxim-Dallas [Электронный ресурс] // Режим доступа: http://www.maxim-ic.com/.

75. Штрапенин, Г. Интегральные импульсные стабилизаторы напряжения фирмы National Semiconductor [Текст] / Г. Штрапенин/ЯСомпоненты и технологии. — 2005. - №1. — С.50-53.

76. Штрапенин, Г. Интегральные стабилизаторы с малым падением напряжения фирмы National Semiconductor [Текст] / Г. Штрапенин//Компоненты и технологии. - 2004. - №7. - С.58-61.

77. Эраносян, С. Интеллектуальные силовые модули для источников электропитания - один из путей возрождения отечественной микроэлектроники XXI века [Текст] / С. Эраносян, В. Ланцов // Электрическое питание. - 2005. -№1-2.

78. Эраносян, С. Пути развития и архитектура отечественных интегрированных силовых модулей для импульсных источников вторичного электропитания [Текст] / С. Эраносян, В. Ланцов // Электрическое питание. -2005.-№3-4.

79. Миронов, А. Применение синхронных выпрямителей в импульсных стабилизаторах напряжения [Текст] / А. Миронов // Радио. - 2001. - №10. - С.38-39.

80. Jack Palczynski. Versatile Low Power SEPIC Converter Accepts Wide Input Voltage Range. Материал с сайта фирмы Texas Instruments [Электронный ресурс] // Режим доступа: http://www.ti.com/.

81. Неизолированные импульсные DC/DC стабилизаторы. [Электронный ресурс] // Режим доступа: http://www.catagle.com/24-42/book 1 l.htm

82. Онышко, Д. Преобразователи постоянного напряжения на коммутируемых конденсаторах [Текст] / Д. Онышко // Chip News. - 2002. - № 3 (66). - С. 22-26.

83. Kimball, J. W. Modeling of Capacitor Impedance in Switching Converters [Text] / J. W. Kimball, P. T. Krein, and K. R. Cahill //IEEE Power Electronics Letters. -2005.-Vol. 3, №4. - P. 136-140.

84. Диоды Шоттки. [Электронный ресурс] // Режим доступа: http://www.chipdip.ru/catalog/diodes-schottky/

85. Полупроводниковые приборы. Диоды выпрямительные, стабилитроны, тиристоры: Справочник / А.Б. Гитцевич, A.A. Зайцев, В.В. Мокряков и др. Под ред. A.B. Голомедова. -М.,1996. - 528с.

86. Автушенко, К. Ключ на плечо! Особенности применения высоковольтных драйверов производства ГО.[Текст] / К. Автушенко, А. Булачев // Новости электроники. - 2013. - №5. - С.20-26.

87. Симин, А. Проблемы проектирования аналоговых устройств с входными полевыми транзисторами [Текст]/ А. Симин, Д. Холодняк, О. Дворников//Компоненты и технологии. - 2005. - №50. - С.218-221.

88. Рева, В.П. Сравнительный анализ технологий изготовления кремниевых схем считывания информации с ИК- фотодиодов [Текст]/ В.П. Рева, C.B. Коринец, JI.A. Писаренко, С.Е. Духнин, H.A. Барсукова // Технологические процессы и оборудование. - 2007. - №5. - С.46-49.

89. Матавкин, В. Микромощные операционные усилители [Текст] / В. Матавкин // Электронные компоненты. - 2005. - №5. - С.1-5.

90. Безверхний, И. Маломощные усилители фирмы Linear Technology. Обзор микросхем и их параметров [Текст] / И. Безверхний // Компоненты и технологии. - 2005. - №47. - С.78-81.

91. Глухов, A.B. Конструкция кварцевой ампулы для диффузии легирующих примесей в кремний (диффузии мышьяка) с встроенным приспособлением для управления скоростью последиффузионного охлаждения кремниевых р-п- структур [Текст] / A.B. Глухов, С.П. Скорняков, Г.В. Перов // Заявка на изобретение № 2012121928 от 28.05.12 г.

92. Глухов, A.B. Способ управления и стабилизации скорости последиффузионного (диффузия мышьяка) охлаждения низковольтных (~6В)

кремниевых планарных структур прецизионных стабилитронов и устройство для его осуществления [Текст] / A.B. Глухов, С.П. Скорняков, Г.В. Перов // Заявка на изобретение № 2012121929 от 28.05.12 г.

93. Болотовский, Ю.И. OrCAD Моделирование [Текст] / Ю.И. Болотовский. - "Поваренная" книга. -М.: СОЛОН-Пресс, 2009. -254с.

94. Афанасьев, А. О. OrCAD 7.0.9.0. Проектирование электронной аппаратуры и печатных плат [Текст] / А. О. Афанасьев, С. А. Кузнецова. — Наука и Техника, 2001. -448с.

95. Афанасьев, А.О. OrCad 10. Проектирование печатных плат [Текст] / А.О. Афанасьев, С.А. Кузнецова, A.B. Нестеренко. -М.: Горячая линия. Телеком, 2005.-454с.

96. Денисенко, В.В. Компактные модели МОП-транзисторов для SPICE в микро- и наноэлектронике [Текст] /В.В. Денисенко. — Издательство: ФИЗМАТ ЛИТ. - 2010. - 408 с.

97. Петров, Ю.В. Моделирование радиоэлектронных и телекоммуникационных устройств и систем в САПР ORCAD. Часть 2. Программа моделирования ORCAD PSpice / Ю.В. Петров, В.А. Рогожин, С.Н. Аникин. -Балт. гос. техн. ун-т. - СПб. - 2008. - 80 с.

98. Златин, И.Л. Схемотехническое и системное проектирование радиоэлектронных устройств в OrCAD 10.5 [Текст] / И.Л. Златин. - Телеком, 2008. - 352 с.

99. Глухов, A.B. Автоматизированное проектирование драйверов в среде OrCAD [Текст] / A.B. Глухов, Л.Ю. Рогулин // Вестник Тамбовского государственного технического университета. —2013. — Том 19, №2. - С. 291-297.

100. Глухов, A.B. Устройство защиты светодиодов от перегрузок [Текст] / A.B. Глухов, Л.Ю. Рогулин // Заявка на изобретение № 2013109498 от 04.03.13 г.

101. Глухов, A.B. Устройство управления освещением по среднему значению тока [Текст] / A.B. Глухов, Л.Ю. Рогулин // Заявка на изобретение №2013104855 от 05.02.13 г.

102. Миронов, С. Интегральные драйверы для светодиодного освещения. Чассть LAC/DC-драйверы [Текст] /С. Миронов // Новости электроники. — 2010. — №10.-С. 3-7.

103. Евстифеев, А. Практический опыт применения микросхемы Supertex HV9910 [Текст] / А. Евстифеев // Компоненты и технологии. - 2009. — №12. -С.78-80.

104. Медник, А. Взаимозаменяемость и функциональные различий между импульсными драйверами светодиодов HV9910B и HV9961 производства Sypertes Inc. [Текст] / А. Медник, JI. Краснополянский // Полупроводниковая светотехника. - 2009. - №1. - С.26-29.

105. Константинов, В.И. Выбор оптимального режима работы светодиодных излучателей [Текст] / В.И. Константинов, Е.В. Вставская, Т. А. Барбасова, В.О. Волков // Вестник ЮУрГУ. Серия «Компьютерные технологии, управление, радиоэлектроника», выпуск 11. - 2010. - № 2. - С.46-51.

106. Местечкина, Г. Способы подключения мощных светодиодов к драйверам серии RCD-24, часть 1 [Текст] / Дисплеи и оптоэлектронные устройства - 2010.-№ 8. -С.26-38.

107. Джонатан, В. Светодиодное освещение. Справочник. [Текст] / Вейнерт Джонатан. - Philips. -2010. - 156 с.

108. Петропавловский, Ю. Новые драйверы светодиодов и светодиодных дисплеев фирмы Holtek Semiconductor [Текст] / Ю. Петропавловский. - 2011. -№ 3. - С.20-26.

109. Волович, Г.И. Драйверы силовых ключей [Текст] / Г.И. Волович //Современная электроника. - 2007. -№ 8. - С.32-41.

110. Волович, Г.И. Устойчивость импульсных стабилизаторов напряжения [Электронный ресурс] /Г.И. Волович// Режим доступа: http://www.platan.ru/shem/pdfyosnovshemo2.pdf.

111. Суреш, Харихаран. Формирователь ШИМ-тока с постоянным размахом для питания светодиодов [Текст] / X. Суреш // Chip News. - 2007. - № 6 (119).-С. 41-45.

112. Найвельт, Г.С. Источники электропитания радиоэлектронной аппаратуры: Справочник / Г.С. Найвельт. - М.:Радио и связь. - 1986. - 576 с.

113. Глухов, A.B. Моделирование рабочих процессов цифровых фильтров высокоскоростного модулятора для PLC модемов [Текст] / A.B. Глухов, A.A. Алексеев, Г.В. Перов, В.И. Сединин // Вестник СибГУТИ. -2013. -№3. - С. 78-85.

114. Глухов, A.B. Оптимизация параметров цифровых фильтров высокоскоростного модулятора для PLC модемов [Текст] / A.B. Глухов // Вестник Тамбовского государственного технического университета. —2013. - Том 19, №4. - С. 244-252.

115. Алексеев, A.A. Проектирование цифровых интерполирующих фильтров высокоскоростного цифрового квадратурного модулятора для PLC модемов [Текст] / A.A. Алексеев, A.B. Глухов, Г.В. Перов // Электропитание. — 2012. -№3,- С. 46-50.

116. Алексеев, A.A. Проектирование программируемого интерполирующего фильтра для СБИС цифрового модулятора-преобразователя [Текст] / A.A. Алексеев, A.B. Глухов, Л.Г. Рогулина // Актуальные проблемы электронного приборостроения: Материалы XI международной конференции АПЭП - 2012, Т.З Новосибирск ,2-4 октября , 2012. - Новосибирск: НГТУ, 2012.-С.116- 119.

117. Глухов, A.B. Буферное запоминающее устройство [Текст] / A.B. Глухов // Патент РФ № 1462421 AI, 1986.

118. Глухов, A.B. Постоянное запоминающее устройство [Текст] / A.B. Глухов // Патент РФ № 1635219 AI, 1989.

119. Глухов, A.B. Цифровая линия задержки [Текст] / A.B. Глухов // Патент РФ № 1709517 AI, 1989.

120. Строганов, А. Проектирование топологии КМОП заказных БИС [Текст] / А. Строганов // Компоненты и технологии. - 2007. - №4. - С.206-209.

121. Дворников, О. Увеличение радиационной стойкости аналого-цифровых компонентов микроэлектронных систем [Текст] / О. Дворников, В. Гришков, О. Громыко // Современная электроника. — 2010. - №5. - С.54-61.

122. Глухов, A.B. Разработка маршрута технологического процесса изготовления микросхем DC/DC преобразователей [Текст] / A.B. Глухов // Вестник СибГУТИ. -2013. -№4. - С. 78-85.

123. Глухов, A.B. Разработка маршрута проектирования микросхем DC-DC преобразователей [Текст] / A.B. Глухов, В.И. Сединин, Л.Г. Рогулина // XIII-международная конференция. Тезисы XIII - международной конференции. Под ред. Е.И. Артамонова. М.: Институт проблем управления РАН. - 2013. С. 41.

124. Synopsys Official Site [Электронный ресурс]. - Режим доступа: http:// www.synopsys.com.

125. Глухов, A.B. Метрологическое обеспечение при моделировании проводимости ультратонких диэлектриков с неоднородной границей в среде TCAD SETAURUS [Текст] / Г.В. Перов, A.B. Глухов, A.A. Алексеев, В.И. Сединин // Актуальные проблемы электронного приборостроения: Материалы XI международной конференции АПЭП - 2012, Т.З Новосибирск ,2-4 октября , 2012. - Новосибирск: НГТУ, 2012. - С.112 - 115.

126. Калинин, C.B. Развитие функциональных возможностей TCAD ФАКТ с целью расчета электрофизических параметров и расширения графического интерфейса [Текст] / C.B. Калинин, A.B. Глухов, Д.О. Кузнецов // Российская научно-техническая конференция. Материалы. Т. 1. Новосибирск : СибГУТИ, 2008. С. 416-417.

127. Глухов, A.B. Моделирование характеристик и параметров КМОП транзисторов на основе TCAD SenTaurus [Текст] / A.B. Глухов, C.B. Калинин, A.C. Черкаев // Российская научно—техническая конференция. Материалы. Т. 1. Новосибирск : СибГУТИ, 2011. С. 448-449.

128. Шевердин, А. Технологические инновации КМОП- камер Omnivision — оптимальный выбор для высокообъемных применений [Текст] / А. Шевердин // Компоненты и технологии. -2008. -№1. - С. 46-49.

129. Голиков, М. В. Метод определения препятствий для трассировки внутри стандартных ячеек [Текст] / М. В. Голиков, А. М. Марченко, В. П. Розенфельд, С. В. Стоянов // Тр. Международных научно-технических конференций «Интеллектуальные системы (IEEE AIS'03)» и «Интеллектуальные САПР» (CAD-2003). - М.: Физматлит, 2003. - Т. 2. - С. 47-52.

130. Горлов, М. Качество и надёжность полупроводниковых изделий [Текст] / М. Горлов, А. Строганов // Технологии в электронной промышленности. -2005. —№2. - С. 54-57.

131. Дорошевич, В.К. Экономические аспекты критериев точности и настроенности технологических процессов [Текст] / В.К. Дорошевич, А.Н. Перязев // Международная научно-практическая конференция «Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения». Материалы. — М.: Часть 3, 2004. -253 с.

132. Романов, В. Количественная оценка надёжности интегральных микросхем с учётом математической модели отказов [Текст] / В. Романов// Надёжность и контроль качества. - 2005. - №4. - С. 4-7.

133. Горлов, М. Отбраковочные испытания как средство повышения надёжности партий ИС [Текст] / М. Горлов, А. Строганов // Технологии в электронной промышленности. -2006. -№1. - С. 70-75.

134. Reliability prediction of electronic equipment. MIL-HDBK-217F [Электронный ресурс]. - Режим доступа: http://www.weibull.com/mil std/mil_hdbk_217f.pdf

135. РД 11 0755-90. Микросхемы интегральные. Методы ускоренных испытаний на безотказность и долговечность.—М.: Электронстандарт, 1990.— 30 с.

136. ГОСТ 27.301-95. Надежность в технике. Расчет надежности. Основные положения. — М.: Электронстандарт, 1995.— 12 с.

137. ГОСТ РВ 20.57.412-97. Комплексная система контроля качества. Изделия электронной техники, квантовой электроники и электротехнические военного назначения. Требования к системе качества. — М.: Электронстандарт, 1997.- 121с.

138. ГОСТ РВ 20.39.413-97. Комплексная система общих технических требований. Изделия электронной техники, квантовой электроники и электротехнические военного назначения. Требования к надежности. — М.: Электронстандарт, 1997.- 87с.

139. ГОСТ 25359-82. Изделия электронной техники. Общие требования по надёжности и методы испытаний. — М.: Электронстандарт, 1982.— 7 с.

140. Глухов, A.B. Электронные компоненты высокой мощности для систем защиты РЭА от импульсных перенапряжений [Текст] / A.B. Глухов, А.Г. Цветиков, А.Н. Акулов, С.П.Скорняков, Г.В. Перов // Электропитание. -2011. -№4.-С. 17-22.

141. Цветиков, А.Г. Установка контроля импульсного напряжения ограничения систем защиты источников электропитания высокой мощности [Текст] / А.Г. Цветиков, A.B. Глухов, Г.В. Перов // Электропитание. -2011. — №4. - С. 23-26.

142. Глухов, A.B. Электронные компоненты высокой мощности для систем защиты РЭА от импульсных перенапряжений [Текст] / A.B. Глухов, А.Г. Цветиков, А.Н. Акулов, С.П.Скорняков, Г.В. Перов // Силовая электроника. -2012.-№3.-С. 28-33.

143. Норенков, И.П. Информационная поддержка наукоемких изделий. CALS-технологии / И. П. Норенков, П. К. Кузьмик. - М.: Изд-во МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2002. - 320 с.

144. Аникин, A.C. Виртуальное предприятие Томского политехнического университета на базе ERP-системы MBS Axapta 3.0 [Текст] / A.C. Аникин, Е.А. Дмитриева, Г.П. Цапко, С.Г. Цапко // Известия ТРТУ. Тематический выпуск:

«Компьютерные технологии в науке, инженерии и управлении». — Таганрог: Изд-во ТРТУ- 2007. - №3. - С. 165-168.

145. Дэниел, СГЛири. ERP системы. Современное планирование и управление ресурсами предприятия. Выбор, внедрение, эксплуатация [Текст] / СГЛири Дэниел. -М.: ООО «Вершина», 2004. - 272 с.

146. Колчин, А.Ф. Управление жизненным циклом продукции [Текст]/А.Ф. Колчин, М.В. Овсянников, А.Ф. Стрекалов, C.B. Сумароков:- М.: Анахарсис,

2002. - 304 с.

147. Соломенцев, Ю.М. Информационно-вычислительные системы в машиностроении. CALS-технологии [Текст]/ Ю.М. Соломенцев. - М.: Наука,

2003.-292 с.

148. Литвак, Б. Г. Экспертные технологии в управлении: Учеб. пособие. -2-е изд., испр. и доп. [Текст]/ Б. Г. Литвак. - М.: Дело, 2004. - 400 с.

149. ГОСТ 14.201-83. Обеспечение технологичности конструкции изделий. Общие требования. -М.: Госстандарт, 1983. - 11. с.

150. Билибин, К.И. Конструкторско-технологическое проектирование электронной аппаратуры: Учебник для вузов [Текст] / К.И. Билибин, А.И.Власов, Л.В. Журавлева, Э.В.Мысловский, О.Д. Парфенов, Е.В.Пирогова, В.А.Шахнов, В.В.Шерстнев; Под общ. ред. В.А.Шахнова. - М.: Изд-во МГТУ им. Н.Э.Баумана, 2002. - 528 с.

.<> гвкеждлю»

Прорек п<р по нлччнпН paöorc ФКЖУ ШЮ«ШТУ»

.UJ. il.> »JlrtfiLXXOp

_i\,1 , BuCTpcium

'<'1-й --"% !•

г. ~;

v-ч- -Л* k* ' %

СПРАВКА О BHIf/U'lilllill Н.игтнщая сиранкп tuumep.K iaei iu. '¡w чашриалм п«\ чпип рмюiw l.ivxoba А В im ешшканне \четш ек-тлш кандидат технических ма_\к по tcvie «Модели и илнфшчы лрасшфда.ншч микросхем нр«гобракадк\1сй н.шрмжения» itciivvn.nioiCH и учебном nponcice Ф11>0У НПО ЦПУ полкшшнм uieun.uitcn® по илмраилсншо: 2НМ00 Олемрипика н «.ниилснроиика». ни клфелрах флмльши 1*")Ф: «Полупроьолнимжие ираоиры п микро нгктршшкз», •< Xli.k~ip»IHlK<! II »ЛСКТрШСМИПСЛ", i )лио ронпые upnoiipi,»»:

1. ijitu.tiHHCKit rji\mc!iiH>ii.LM.ti!.!\ а скишшых олокоп IXYDC проойраиншиелсй комцопетов (операционный >енл1пел!>, нчпшпрдгор, icucpatop мряхпп тлшых импульсов и т.п.) с 1шрм.пш;ио-1с\11имеской Гшои ограничений в раипчных пршрлммных ерелпх (MUI.I ISIM 10. OiCAl) и MAI LAB).

2. 1£Ч1)шш1ИЧсскнй маршрут пл ai оилепн« UO'DC нрсоиракшаипеи н ил!Ltptuм САШ' для расчет шфнчегрик .иекчропныч компопси кт и ере.ю IС \П

3. Нммкмшошнле модели комтженит IX' i)C прсчЛрланшсден « MUL'ilSIM 10, OrCAD и МАТ1 AFi и icl-iu выявления сцч.пмч дефектов,

Сщшкл mi;uis,i л ik прелыилемня и лисссришипмныи Совет Д 2I2.u25.0l Ф1ЬОУ НИ!) В ы (нмирский rr>cjit<ipciiteiiiiUH > iiinsepcniei имени Александра Григорьевича и Николая Григорьевича Столетовых,

Декан ф.1к>л1.1сп» ЮФ, профессор ~~ ' Хруеиле» В.Л

СЕДЕР'Ч" ЬНСЕ AI EHTCTBO СВЯЗИ

«УТВЕРЖДАЮ» Проректор по научной работе ФГОКУ RTIO «ГиоГУТИ»

\ д.т.н., профессор А.Н. Фионов

СибГУШ

ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ ОБРАЗОБАТЕЛЬНОЕ ЕХЭДЖЕТНС? УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫС1ШО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ

2013 г.

«СИБИРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ТЕЛЕКОММУНИКАЦИЙ и ИНФОРМАТИКИ» (ФГОБУ ВПО «СибГУТИ»)

Кирою ул А 86 г Новосибирск МО',02

•(Ф (383> 265-82-02 269-62-03

елю!1 rectcTO1S5lt»u» ru

Ttp f/wwW UCSUtlS !U

/ (H 5<0M01527 l<m 540501001

ОКНО 011800*0

20_

'справка о внедрении

с1

Выдана A.B. Глухову для предъявления в диссертационный Совет Д 212.025.01 при ФГБОУ ВПО Владимирский государственный университет имени Александра Григорьевича и Николая Григорьевича Столетовых, свидетельствующая о том, что результаты диссертационной работы «Модели и алгоритмы проектирования микросхем преобразователей напряжения», включая математические и имитационные модели базовых элементов микросхем преобразователей напряжения постоянного тока для анализа в динамических режимах и при деструктивных воздействиях посредством вычислительной среды MATLAB, OrCAD и САПР технологического проектирования БИС, используются в учебном процессе по направлению: 210200 «Конструирование и технология производства электронных средств» на кафедре САПР ФГБОУ ВПО «СибГУТИ».

Заведующий кафедрой САПР, д.т.н., проф.

/ В.И. Сединин /

УТВЕРЖДАЮ пк инженер ОАО «НЗПП с ОКБ»

Емельянов С.В.

Датаu££_*j2JL2013 г.

ГОСУДАРСТВЕННАЯ КОРПОРАЦИЯ «РОСТЕХНОЛОГШЬ ХОЛДИНГОВАЯ КОМПАНИЯ ОАО «РОСЭЛЕКТРОНИКА»

ОТКРЫТОЕ АКЦИОНЕРНОЕ ОБЩЕСТВО

«НОВОСИБИРСКИЙ ЗАВОД ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ с ОКБ»

630082, г. Новосибирск, ул. Дачная, 60 юл. [phone], факс [phone] email: secretar^nz pp.ru. www.nzpp.ru

АКТ

о внедрении результатов диссертационной работы иа соискание ученой степени кандидата технических паук

Глухива Александра Викторовича

Комиссия в составе:

Председатель комиссии -гл. инженер ОАО «НЗПП с ОК!>» Емельянов С.В.

Члены комиссии:

Зам.нач. ОКБ по научной работе - нач. ПОЦ, к.т.н. Перов Г.В.

Нач. НТО-Попов Б.В.

составили настоящий акт и том. что результаты диссертационной работы «Модели н алгоритмы проектирования микросхем преобразователей напряжения». представленной на соискание ученой степей» кандидата технических наук, использованы в проектах «Разработка и освоение производства радиационно-стойкон микросхемы двухполярного DC-DC преобразователя», «Способы и технология изготовления. конструкции квадратурного модулятора-преобразова1еля»», выполненных в особом КБ нашего предприятия.

При выполнении проектов изготовлены действующие образцы современных ИМС, разработана принципиальная электрическая схема, топология, конструкторская и технологическая докл менгаиия для изготовления микросхемы. Подготовлены условия для промышленного освоения устройств.

Обеспечены технические параметры изделий на уровне зарубежных образцов.

Радиацнонно-стойкие DC/DC преобразователи 1307ГИ ИТ: Входное напряжение: IX...36 В Выходное напряжение: * 15 В и -15 В Ток потребления не более 18мА.

Радиацношю-стойкая микросхема двухполярного DC-DC преобразователя предназначена для применения в импульсных исючпиках питания радиоэлектронной аппаратуры специального назначения Квадратурный преобразоиа гель-модулятор 1307ПП1Т: Напряжение шпанки 1.8,3.3 В Разрядность ЦАП 14 бит Частота работы до I ГГц Диапазон рабочих температур -60...85 °С

Микросхема цифровою квадратурного модулятора-преобразователя может применяться в проводных и беспроводных устройствах связи, в качестве модулятора ein налов. однотонального профилируемого генератора, интерполирующего ЦАП.

По результатам разработок опубликованы стшьи:

1. Глухов A.B. и лр- Проектирование профаммируечого интернолируюшего фильтра для СВИС цифрового модулятора-преобразователя.// Актуальные проблемы электронного приборостроения: Материалы XI международной конференции АПЭГ1 - 2012, Т.З Новосибирск ,2-4 октября . 20!2.-Новосибирск: 11ГТУ. 2012. -С.116 - 119.

2. Глухов. A.B. и др. Моделирование рабочих процессов цифровых фильтров высокоскоростного модулятора для PLC модемов» // Вестник СибГУТИ. -.2013. С. 78-85.

Находится в печати статья:

3. Глухов A.B. «Оптимизация иарамстров цифровых фильтров высокоскоростного модулятора для PLC модемов». Вестник Тамбовского Государственного технического университета.-2013, - т. 19, .N14.

/

Члены комиссии: - _ ' 11еров I .В./

/11опов Ь.В. i

УТВЕРЖДАЮ Глаы^^^илюОАО «НПП «Восток» ^Й^тШ^Ч Хромов В.П.

¿$'.11 " М 2013 г.

АКТ

о внедрении результатов диеесрташшнной рабош на соискание ученой пенсии кандидата технических наук Глухоим Александра Викторовича

Комиссия в составе:

Председатель комиссии - гл. инженер ОАО «1II111 «Восток» Хромоп В.Н„

Члены комиссии:

Заместитель директора по пронзнодешу - Летенко А.В.

Нач. отдела оитшлектроники - Гаилее В.М. составили настоящий акт л том. что результаты диссертационной работ «Модели и алгоритмы проектирования микросхем преобразователей напряжения», представленной на соискание ученой степени кандидата технических наук:, использованы в проектах' «Разработка двухканального операционного уенлкгеля напряжением питания ±15 В с возможностью работы от однмюлярного питания от 5В до ЗОВ», «Разработка едноенного прецизионного операционного усилителя», выполненных в отделе микроэлектроники нашего предприятия.

При выполнении п рос ктоп использованы результаты моделирования электронных компонентов для действующих образной современных ИМС. разработаны принципиальная электрическая схема, топология микросхем, начато их серийное производство.

Разработанные микросхемы имеют следующие характеристики: Сдвоенный прецизионный быстродействующий операционный усилитель с расширенным диапазоном питающих напряжений п корпусе для поверхностного монтажа 544УД15УЗ: Входной ток - 25иА,

Напряжение смешения -0.5 мВ.

Коэффициент усиления Ш*.

Диапазон напряжения ишания ог-Ьг5 В до-*- 16,5 В.

Универсальный сдвоенный двухканадьнын операционный усилитель 5-14УД15 е молевыми транзисторами на входе предназначен для применения в аппаратных средствах аналоювой оораСннки сигналов при управлении реальными объектами.

Лвухканальный операционный усилитель с малым временем » высокой точностью выходного еш нала 544УД 1.7У1,

11анряжение ни 1акня в двухиолярном режиме - от ± 5 В до т ] ь,5 В,

большой ко >ффн11не|гг усиления, йодная внутренняя частотная коррекция.

Универсальный сдвоенный (двухканальный) операционный усиди ie.ii, предназначен для применения н порта!ивном (слскомчуннкшшонмоч оборудовании с батарейным питанием, входных буферах АЦП. выходных усилителях ЦАП, схемах активных филыров.

в одпонолярном режиме - от 13.5 В до 33 В

/ В.М. Гайлес /

УТВЕРЖДАЮ

Директор по научной работе ОАО «НИИПП»

"сКЛ. Пономарев « 10 » 03 2013 г.

АКТ

о внедрении результатов диссертационной работы на соискание ученой степени кандидата технических наук

Глухова Александра Викторовича

Комиссия в составе: Председателя комиссии - директора по научной работе ОАО «НИИПП» -А.А. Пономарева

Членов комиссии:

Монастырева Е.А..- заместитель директора по научной работе;

- Кеврух C.JI. - заместитель начальника 101 отдела составили настоящий акт в том, что результаты диссертационной работы «Модели и алгоритмы проектирования микросхем преобразователей напряжения». представленной на соискание ученой степени кандидата технических наук, использованы при разработках драйверов питания ряда SLED-Standart.

В разработках применялись результаты моделирования электрических процессов электронных компонентов драйвера, расчет их электрических параметров средствами электронного проектирования MATLAB, OrCAD с использованием модели DC/DC преобразователя.

По результатам работы Глухова A.B. выданы рекомендации по обеспечению малого энергопотребления, оптимальной цветопередачи, устойчивости к внешним воздействиям, отсутствие световых пульсаций блока питания светильника.

Результаты, полученные в научной работе Глухова A.B. могут быть использованы в современных разработках предприятия по светодиодным светильникам типа «Кобра», предназначенных для освещения дорог, улиц,

2