Многокомпонентные твердые растворы на основе GaSb и InAs, полученные из растворов-расплавов, обогащенных сурьмой тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Смирнов, Валерий Михайлович

• Смирнов, Валерий Михайлович
• кандидат физико-математических наук
• 2000

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Смирнов, Валерий Михайлович

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1. ТВЕРДЫЕ РАСТВОРЫ АЮаБЬ, 1пСаАз8Ь, АЮаАэБЬ И ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ НА ИХ ОСНОВЕ. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ.

1.1 Твердые растворы АЮаБЬ, 1пОаАз8Ь и АЮаАзЗЬ.

1.1.1 Характеристика систем твердых растворов.

1.1.2 Области несмешиваемости твердых растворов 1пСаАз8Ь и

АЮаАвЗЬ.

1.1.3 Диаграммы состояния.

1.1.4 Методы получения твердых растворов АЮаЭЬ, 1пОаАз8Ь и АЮаАяБЬ. а). Жидкофазная эпитаксия АЮа8Ь. б). Жидкофазная эпитаксия 1пОаАз8Ь. в). Жидкофазная эпитаксия АЮаАзБЬ. г). Другие методы эпитаксиального выращивания.

1.2 Гетероструктуры в системах АЮаБЬ, 1пОаАз8Ь и АЮаАзБЬ.

1.2.1 Особенности гетеропереходов 1пОаАз8Ь и АЮаАз8Ь/Оа8Ь.

1.2.2 Люминесцентные свойства твердых растворов АЮа8Ь, 1пОаАз8Ь и АЮаАвЗЬ.

1.2.3 Излучательные приборы на основе гетеропереходов тройных и четверных твердых растворов АЮа8Ь, 1пОаАз8Ь и АЮаАз8Ь.

1.2.4 Фотоприемники на основе гетеропереходов твердых растворов АЮа8Ь, 1пОаА88Ь и АЮаАвЗЬ.

1.2.5 Термофотоэлектрические элементы.

1.3 Выводы.

ГЛАВА 2. МЕТОДИКИ ВЫРАЩИВАНИЯ И ИССЛЕДОВАНИЯ

ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ И ГЕТЕРОСТРУКТУР.

2.1 Получение эпитаксиальных слоев АЮаБЬ, АЮаАзЗЬ, 1пваА88Ь и 1пОаРАБ8Ь.

2.2 Определение характеристик жидкой фазы Т1' и АТкр.

2.3 Получение двойных гетероструктур.

2.4 Методики исследования эпитаксиальных слоев и гетероструктур.

2.4.1 Фотолюминесценция и электролюминесценция.

2.4.2 Определение НГТР и состава эпитаксиальных слоев.

ГЛАВА 3. ПОЛУЧЕНИЕ МЕТОДОМ ЖФЭ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ

СЛОЕВ АЮа8Ь, ЫгаАвЗЬ, АЮаАвЗЬ и 1пОаАзР8Ь.

3.1 Преимущества сурьмы как растворителя при ЖФЭ АЮаБЬ, Ый^Ь, АЮаАвЗЬ и МгаАвРЗЬ.

3.2 Выращивание слоев твердых растворов АЮа8Ь и АЮаАзБЬ из растворов - расплавов на основе сурьмы.

3.3 Моделирование процессов выращивания твердых растворов

ГпОаАзБЬ из растворов - расплавов на основе сурьмы.

3.4 ЖФЭ слоев твердых растворов 1пхОа)хА8у8Ь1-у из растворов-расплавов, обогащенных 8Ь.

3.5 Теоретическое моделирование и практическая реализация жидкофазного эпитаксиального роста пятикомпонентных твердых растворов Са1пАзР8Ь.

3.6 Исследование влияния технологических условий выращивания на кристаллическое совершенство гетероструктур.

ГЛАВА 4. ИССЛЕДОВАНИЕ ЛЮМИНЕСЦЕНТНЫХ СВОЙСТВ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ 1пОаАз8Ь И ПРИБОРОВ НА ИХ ОСНОВЕ.

4.1 Особенности фотолюминесценции эпитаксиальных слоев 1пОаАз8Ь, соответствующих по составу области несмешиваемости.

4.2 Инжекционные лазеры с резонатором Фабри-Перо в системе ОаГпАзЗЬ/АЮаЬъАзБЬ/ОаЗЬ.

4.3 Светодиодные ДГС Оа1пАз8Ь/Оа8Ь для спектрального диапазона

4-5 мкм.

4.4 Фотоприемники на основе ДГС Са1пА58Ь/Оа8Ь.

4.5 Выводы.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Многокомпонентные твердые растворы на основе GaSb и InAs, полученные из растворов-расплавов, обогащенных сурьмой»

В последнее время исследователями в нашей стране и за рубежом проявляется большой интерес к проблеме создания полупроводниковых опто-электронных приборов, в первую очередь лазеров и фотоприемников, работающих в среднем инфракрасном (ИК) спектральном диапазоне. Как известно, вначале для волоконно-оптических линий связи (ВОЛС) использовался диапазон длин волн 0,8-0,9 мкм, в котором применялись лазеры на гетеропереходах АЮаАБ-ОаАз, подобные созданным впервые лауреатом Нобелевской и Ленинской премий академиком Ж.И. Алферовым с сотрудниками в 1960-70 гг. в ФТИ им. А.Ф. Иоффе. В дальнейшем в ВОЛС на основе кварцевых стекловолокон применялись источники излучения, работающие в спектральном диапазоне 1,3-1,6 мкм, так как ему соответствуют минимум оптических потерь и нулевая дисперсия в данном стекловолокне. Толчком к освоению более длинноволнового участка спектра послужило открытие в 1984 г. того факта [1], что в флюоридных стеклах в среднем ИК диапазоне спектра 2,0-4,5 мкм оптические потери составляют менее 0,01 дБ/км, что на порядок ниже, чем в кварцевых волокнах в диапазоне 1,3-1,6 мкм.

Для создания элементной базы ВОЛС в этой области спектра подходят приборы на основе гетеропереходов в системах четырехкомпонентных твердых растворов АЮаАзБЬ и Оа1пАз8Ь, а также пятикомпонентных твердых растворов (ПТР) 1пОаРА88Ь, изопериодических с Оа8Ь, позволяющие перекрыть спектральную область 1,7-5,0 мкм. Данный класс приборов важен также для решения глобальных экологических задач, прежде всего для экспрессного мониторинга окружающей среды, так как в среднем ИК диапазоне спектра находится большинство линий поглощения промышленных и природных газов (этилена - 3,17 мкм, метана - 2,3 и 3,3 мкм, ацетона - 3,4 и 4,6 мкм, диоксида азота - 3,9 и 4,5 мкм, сернистого ангидрида - 4,0 мкм, углекислого газа - 4,27 мкм, оксида углерода (II) - 4,7 мкм и других) [133,137]. Еще одним направлением применения полупроводниковых систем на основе ва8Ь является создание термофотоэлектрических генераторов (ТФЭГ), являющихся экологически чистыми источниками энергии, интерес к которым заметно возрос в последние годы [134].

К моменту начала выполнения настоящей работы (1993 г.) твердые растворы АЮаАзБЬ и СаГпАяЗЬ были получены методами жидкофазной эпи-таксии (ЖФЭ), молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ), газофазной эпитак-сией из металл-органических соединений (МОГФЭ) и другими. Жидкофаз-ный рост производился в основном из растворов - расплавов на основе легкоплавких металлов - галлия и индия. Однако, особенности процессов эпи-таксиального роста в данном случае приводили к невысокому качеству гетеропереходов и низкой воспроизводимости структур, что не позволяло достичь уровня характеристик приборов, полученных для других соединений

3 5

А В . Вместе с тем в системе Оа1х1пхА8у8Ь1-у существует довольно протяженная область несмешиваемости, что также является значительным препятствием на пути создания оптоэлектронных приборов, действующих в среднем ИК диапазоне. В литературе отсутствовали сведения о получении методом ЖФЭ качественных эпитаксиальных слоев с составами твердой фазы более х=0,26. ПТР 1пОаРА88Ь также не были получены до настоящего времени. Разработка технологии выращивания, которая позволила бы решать эти задачи делает данную работу актуальной, как с фундаментально научной, так и с практической точки зрения.

Целью настоящей работы являлся поиск новых методов в технологии ЖФЭ и исследование в этих условиях особенностей кристаллизации твердых растворов АЮаБЬ, Оа1пАз8Ь, АЮаАз8Ь и 1пОаРАз8Ь на ваЗЬ, которые позволили бы качественно усовершенствовать, либо разработать (для ПТР) процессы выращивания, обеспечивая воспроизводимое получение изоперио-дических слоев заданного состава с высоким кристаллическим совершенством, проникнуть в область несмешиваемости, что позволит получить эпитак-сиальные слои с уникальными свойствами, и в целом более детально исследовать свойства и характеристики эпитаксиальных слоев и гетероструктур.

Диссертационная работа состоит из введения, четырех глав и заключения.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Смирнов, Валерий Михайлович

Основные результаты, полученные в настоящей главе заключаются в следующем.

1. Экспериментально изучены спектры фотолюминесценции эпитаксиаль-ных слоев 1пхОа1хА8у8Ь1у в широком диапазоне составов (0,04<х<0,4). Показано, что в спектрах ФЛ твердых растворов, выращенных из жидких фаз, обогащенных сурьмой отсутствует полоса, связанная со стехиомет-рическими дефектами, присущими антимониду галлия. Форма спектров ФЛ твердых растворов, соответствующих по составу области несмешиваемости зависит от толщины эпитаксиального слоя; в слоях толщиной более 200 А наблюдалось уменьшение интенсивности излучения и увеличение ширины полосы межзонной рекомбинации.

2. Созданы инжекционные лазеры на основе ДГС Оа8Ь/Са1пА58Ь/АЮа1пА88Ь. В данных приборах реализована генерация при комнатной температуре, длина волны излучения А,=1,95-2,05 мкм, характеристическая температура Т0=66 К. Плотность порогового тока лазеров составляла 0,9 кА/см , что является одним из лучших результатов для подобных ДГС структур.

3. Предложена и реализована методика выращивания эпитаксиальных слоев 1пхОа1хА8у8Ь1у, близких по составу к 1пАз (0,9<х<0,98) на подложках Оа8Ь. Разработанная методика позволила создать светодиодные ДГС Оа1пАз8Ь/Оа8Ь, излучающие на длине волны А,=3,7-3,9 мкм при Т=77 К.

4. Созданы эффективные фотоприемники на основе структуры Оа1пА88Ь/Са8Ь, обладающие быстродействием т=1 мкс и имеющие максимум чувствительности на длине волны 1,88 мкм.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ.

В результате выполнения диссертационной работы получены следующие основные результаты.

1. Изучена когерентная диаграмма состояния системы Ga-In-As-Sb и на основании модели регулярных растворов с учетом процессов массопереноса в приближении полного перемешивания компонентов произведен теоретический расчет составов и температур ликвидуса жидких фаз, обогащенных сурьмой. Расчетные величины температуры ликвидуса уточнялись экспериментально методом прямого визуально-термического анализа in situ. Это позволило получить данные для проведения процессов жидко-фазной эпитаксии твердых растворов GalnAsSb, близких к изопериодиче-ским с GaSb.

2. Изучены особенности кристаллизации твердых растворов AlGaSb, А1-GaAsSb, GalnAsSb из растворов-расплавов на основе сурьмы, разработаны методики, позволяющие получать эпитаксиальные слои, приближающиеся по кристаллическому совершенству к монокристаллам бинарных соединений А3В5.

3. Определен диапазон когерентного роста, изучено влияние несоответствия параметров кристаллических решеток на люминесцентные свойства гете-роструктур AlGaSb/GaSb, а также уточнено положение точки перехода от прямой к непрямой структуре энергетических зон в твердом растворе AlxGabxSb.

4. Теоретически рассчитаны положение и протяженность области несмешиваемости в системе InGaAsSb.

5. Впервые практически синтезированы твердые растворы InGaAsSb с составами, лежащими в области спинодального распада, исследованы их кристаллические и люминесцентные свойства. Определены условия, необходимые для получения однородных по составу эпитаксиальных слоев в области спинодального распада.

6. Проведен теоретический расчет равновесной диаграммы состояния пяти-компонентной системы Ga-In-As-P-Sb. На основании полученных данных впервые синтезированы такие твердые растворы, изучены некоторые их свойства.

7. С помощью разработанных технологий созданы низкопороговые инжек-ционные гетеролазеры, работающие на длине волны ~2 мкм при комнатной температуре, длинноволновые светодиоды, излучающие в диапазоне 3,7-3,9 мкм при Т=77 К и эффективные быстродействующие фотоприемники для регистрации излучения вблизи 2 мкм.

Основные материалы диссертации опубликованы в следующих работах.

1. В.И.Васильев, А.Г.Дерягин, В.И.Кучинский, А.В.Лунев, В.М.Смирнов. Низкопороговые лазерные двойные гетероструктуры GaSb/GalnAsSb/AlGalnAsSb, полученные методом жидкофазной эпитаксии из сурьмянистых растворов-расплавов.//Письма в ЖТФ,1996,т.22, в.2, с. 1518.

2. Deryagin A.G., Faleev N.N., Smimov V.M., Sokolovskii G.S., VasiTev V.I. High quality AlGaSb, AlGaAsSb, InGaAsSb epitaxial layers grown by LPE from Sb-rich melts.//Abstracts of Int.Conf. on Mid-infrared Optoelectronics. Materials&Devices. Lancaster,England, 17-18 September 1996, p.57-58.

3. V.M.Smirnov, D.Akhmedov, V.I.Vasirev, T.S.Tabarov and I.A.Zhebulev. GalnAsSb/GaSb double heterojunction room temperature photodetec-tors.//Abstracts of Int.Conf. on Mid-infrared Optoelectronics. Materials&Devices. Lancaster,England,17-18 September 1996, p.55-56.

4. D.Akhmedov, V.I.Vasirev, N.N.Faleev, V.M.Smirnov, A.G.Deryagin, T.S.Tabarov. Growth and characterisation of GalnAsSb/GaSb double het-erostructures for optoelectronic devices operating in infrared range.//Abstracts of the Int. Workshop on New Approaches to Hi-Tech Materials 97. St.-Petersburg,Russia,9-13 June 1997.

5. Deryagin A.G., Faleev N.N., Smirnov V.M., Sokolovskii G.S., Vasil'ev V.I. High quality AlGaSb, AlGaAsSb, InGaAsSb epitaxial layers grown by LPE from Sb-rich melts.//IEE Proceedings, Optoelectronics, 1997,v. 144, N6, p.438-440.

6. В.И.Васильев, А.Г.Дерягии, В.И.Кучинский, В.М.Смирнов, Г.С.Соколовский, Н.Н.Фалеев. Получение твердых растворов GalnAsSb, изопериодических с GaSb вблизи границы зоны несмешиваемости методом ЖФЭ из растворов-расплавов, обогащенных Sb.//Труды 3-ей Российской Конференции по Физике Полупроводников,Москва,1-5 декабря 1997, с.286.

7. Д.Ахмедов, В.И.Васильев, А.Г.Дерягин, В.М.Смирнов, Г.С.Соколовский, Н.Н.Фалеев. Получение методом ЖФЭ высококачественных гетерострук-тур GalnAsSb/GaSb из растворов-расплавов, обогащенных Sb.//Y4. Зап. Худжандского Гос. Университета им. акад. Б.Гафурова (Таджикистан), 1997, N1, с. 18-23.

8. V.A.Mishournyi, F.de Anda, A.Yu.Gorbatchev, V.LVasil'ev, V.M.Smirnov and N.N.Faleev. Multicomponent Sb-based solid solutions grown from Sb-rich liquid phases.//Proc. of 24-th IEEE Int. Symp. on Compound Semiconductors. San Diego,USA,8-11 September 1997, p.37-40.

9. Akhmedov D., Deryagin A.G., Karandashov S.A., Kuchinskii V.I., Smirnov V.M., Sokolovskii G.S., Vasil'ev V.I. GalnAsSb/GaSb double heterostructure light emitting diodes fabricated by LPE from Sb-rich melts.//Proc.SPIE, 1998,v.3316, p. 162-164.

10. В.И.Васильев, А.Г.Дерягин, В.И.Кучинский, В.М.Смирнов, Г.С.Соколовский, Д.Н.Третьяков, Н.Н.Фалеев. Свойства твердых растворов GalnAsSb в области спинодального распада, полученных из сурьмянистых растворов-расплавов методом жидкофазной эпитаксии.//Письма в ЖТФ,1998,т.24, в.6, с.58-62.

11. V.I.Vasirev, A.G.Deryagin, V.I.Kuchinskii, I.P.Nikitina, V.M.Smirnov, G.S.Sokolovskii, D.N.Tretyakov, M.P.Scheglov. Isoperiodical heterostructures GalnAsSb/GaSb LPE-grown from Sb-rich melts in spinodal decomposition area.//Abstracts of 2-nd Int.Conf. on Mid-infrared Optoelectronics. Materi-als&Devices. Prague,Czech Republic,26-27 March 1998, p.42.

12. V.A.Mishournyi, F.de Anda, A.Yu.Gorbatchev, V.I.Vasirev, V.M.Smirnov and N.N.Faleev. AlGaAsSb and AlGalnAsSb growth from Sb-rich solu-tions.//Cryst.Res.&Technol.,1998,v.33, N3, p.457-464.

13. V.I.Vasirev, D.Akhmedov, A.G.Deryagin, V.I.Kuchinskii, I.P.Nikitina, V.M.Smirnov, D.N.Tretyakov. GalnAsSb/GaSb heterostructures LPE-grown from Sb-rich melts in spinodal decomposition area.//Abstracts of Int. Conf. "Physics at the Turn of the 21-st Century". September 28-October 2,1998,St. Petersburg,Russia, p. 103.

14. Vasil'ev V.I., Losev S.N., Smirnov V.M., Kuznetsov V.V., Kognovitskaya E.A., Rubtsov E.R. The study of Sb-rich regions in the phase diagrams of GaIn-As-Sb, Ga-In-P-As-Sb and Al-Ga-In-As-Sb multicomponent systems.//Proc. of 5-th Int. Conf. on Intermolecular Interactions in Matter. Lublin, Poland, 1999, p.96-100.

15. V.I.Vasil'ev, I.P.Nikitina, V.M. Smirnov, D.N.Tretyakov. Isoperiodical heterostructures GalnAsSb/GaSb grown by LPE from Sb-rich melts in spinodal decomposition area.//Materials Science and Engineering, 1999,V.B66, N1-3, p.67-69.

16. В.И.Васильев, Д.Ахмедов, А.Г.Дерягин, В.И.Кучинский, И.П.Никитина, В.М.Смирнов, Д.Н.Третьяков. Гетероструктуры GalnAsSb/GaSb, выращенные в области спинодального распада методом ЖФЭ из растворов-расплавов, обогащенных 8Ь.//ФТП,1999,т.ЗЗ, N9, с.1134-1136.

17. V.I.Vasil' ev, M.V.Baidakova, Е.A.Kognovitskaya, V.I.Kuchinskii,

153

I.P.Nikitina, V.M.Smirnov. Growth and characterization of GalnAsPSb pen-tanary solid solutions, isoperiodic to GaSb substrates.//Abstracts of 3-rd Int. Conf. on Mid-infrared Optoelectronics. Materials&Devices. Aachen,Germany, 5-7 September 1999, paper P-9.

В заключение я хочу выразить глубокую благодарность за руководство и неоценимую поддержку при проведении работы моему научному руководителю Владиславу Изосимовичу Васильеву.

Я также глубоко благодарен Д. Ахмедову, В.И. Кучинскому и Д.Н. Третьякову за плодотворное обсуждение результатов работы и полезные консультации; А.Г. Дерягину, С.А. Карандашову, Г.С. Соколовскому за проведение люминесцентных исследований; М.В. Байдаковой, Д.А. Васюкову, И.П. Никитиной, Н.Н. Фалееву за рентгеновские измерения; С.Ю. Беловой, Б.Я. Беру, Т.Б. Поповой за измерения состава и анализ качества поверхности полученных слоев, а также всем сотрудникам лаборатории квантово-размерных гете-роструктур ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН за доброжелательное отношение и дружескую поддержку.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Смирнов, Валерий Михайлович, 2000 год

1. D.C.Tran, G.H.Sigel and B.Bendow. Heavy metal fluoride glasses and fi-bers./ЯЕЕЕ J.Lightwave Technol.,1984,v.2, N5, p.566-586.

2. Cheng K.Y., Pearson G.L., Bauer R.S., Chadi D.J. Energy band gap of AlxGaixSb ternary solid solution.//Bull.Amer.Phys.Soc.,1976,v.21, p.365-370.

3. T.K.Glisson, J.R.Hauser, M.A.Littlejohn and C.K.Williams. Energy band gap and lattice constant contours of III-V quaternary alloys.//J.Electron.Mater.,1978,v.7, N1, p.1-16.

4. Долгинов Л.М., Дракин A.E., Дружинина Л.В., Елисеев П.Г., Мильвидский М.Г., Свердлов Б.Н., Скрипник В.А. Инжекционные лазеры на основе гетеро-структур AlGaAsSb/GaSb и InGaAsSb/GaSbV/Труды ФИАН,1983,т.141, с.46-61.

5. Zh.I.Alferov, V.M.Andreev, S.G.Kormikov, V.G.Nikitin and D.N.Tretyakov. Het3 5erojunctions on the base of А В semiconductors and their solid solutions.//Proc. Int. Conf. on the Physics of Heterojunctions, Academial Kiado, Budapest, 1971,v. 1, p.93-106.

6. Долгинов Л.М., Елисеев П.Г., Мильвидский М.Г. Многокомпонентные полупроводниковые твердые растворы и их применение в лазерах (об-зор).//Квантовая электроника, 1976,т.З, N7, с.1381-1393.

7. S.Adachi. Band gaps and refractive indices of AlGaAsSb, GalnAsSb, and InPAsSb: Key properties for a variety of the 2-4 fim optoelectronic device applications.//;. Appl.Phys., 1987,v.61, N10, p.4869-4876.

8. Sasaki A., Nishiuma M. and Takeda Y. Energy band structure and lattice constant chart of III-V mixed semiconductors, and AlGaSb/AlGaAsSb semiconductor lasers on GaSb substrates.//Jap.J.Appl.Phys.,1980,v.l9, N9, p. 1695-1702.

9. Dewinter J.C., Pollack M.A., Srivastava A.K., Zyskind J.L. Liquid phase epitaxial

10. Gai.xInxAsySbi-y lattice-matched to (100) GaSb over the 1.71 to 2.33 цт wavelength range.//J.Electron.Mater.,1985,v.l4, N6, p.729-747.

11. M.P.Mikhailova and A.N.Titkov. Type II heterojunctions in the GalnAsSb/GaSb system (review).//Semicond.Sci.Technol.,1994,v.9, p. 1279-1295.

12. R.E.Nahory, M.A.Pollack, W.D.Johnston and R.L.Barns. Band gap versus composition and demonstration of Vegard's law for Ini.xGaxAsyPi.y lattice matched to InP.//Appl.Phys.Lett.,1978,v.33, N7, p.659-663.

13. Кейси X., Паниш M. Лазеры на гетероструктурах.//М.,Мир,1981,т.1-2.

14. E.K.Muller, J.L.Richards. Miscibility of III-V semiconductors studied by flash evaporation.//J.Appl.Phys., 1964,v.35, N4, p.1233-1241.

15. Gratton M.F., Wooley J.C. Phase diagram and lattice parameter data for GaAsySbi.y system.//J.Electron.Mater.,1973,v.2, N3, p.455-463.

16. Gratton M.F., Goondchild R.C., Juravel L.Y., Wooley J.C. Miscibility gap in the GaAsySbi-y system.//J.Electron.Mater.,1979,v.8, N1, p.25-29.

17. Onabe K. Unstable region of quaternary In!xGaxAsySbiy calculated using strictly regular solution approximation.//Jap.J.Appl.Phys.,1982, v.21, N6, p.964

18. Stringfellow G.B. Miscibility gaps in quaternary III-V alloys.//J. Cryst.Growth,1982,v.58, p. 194-202.

19. Pesseto J.R. and Stringfellow G.B. Ali.xGaxAsySbiy phase dia-gram.//J.Cryst.Growth, 1983,v.62, N1, p. 1-6.

20. Гусейнов A.A., Джуртанов Б.Е., Литвак A.M., Мирсагатов M.A., Чарыков Н.А., Шерстнев В.В., Яковлев Ю.П. Высокоточный метод расчета фазовых3 5равновесий расплав-твердое тело в системах А В (на примере InGaAsSb).//IlHCbMa в ЖТФ,1989,т.15, в. 12, с.67-73.

21. Баранов А.Н., Гусейнов А.А., Литвак A.M., Попов А.А., Чарыков Н.А., Шерстнев В.В., Яковлев Ю.П. Получение твердых растворов GalnAsSb, изопери-одных с GaSb, вблизи границы области несмешиваемости.//Письма в ЖТФ,1990,т.16, в.5, с.33-38.

22. Именков А.Н., Капранчик О.П., Литвак A.M., Попов А.А., Чарыков Н.А., Шерстнев В.В., Яковлев Ю.П. Длинноволновые светодиоды на основе GalnAsSb вблизи области несмешиваемости (2,4-2,6 мкм, Т=300К).//Письма в ЖТФ,1990,т.16, в.24, с.19-24.

23. Nakajima К., Osamura К., Jasuda К., Murakami J. The pseudoquaternary phase diagram of the Ga-In-As-Sb system.//J.Cryst.Growth,1977,v.41, p.87-92.

24. E.Tournie, J.-L.Lazzari, F.Pitard, C.Alibert, A.Joullie and B.Lambert. 2.5 |im GalnAsSb lattice-matched to GaSb by liquid phase epitaxy.//J. Appl.Phys., 1990,v.68, N11, p.5936-5938.

25. E.Tournie, F.Pitard, A.Joullie and R.Fourcade. High temperature liquid phase epitaxy of (100) oriented GalnAsSb near the miscibility gap boundary. //J. Cry st. Growth, 1990,v. 104, p.683-694.

26. Андреев B.M., Долгинов Л.М., Третьяков Д.Н. Жидкостная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов.//М., Советское радио, 1975, с.44-64.

27. Т.Т.Дедегкаев, И.И.Крюков, Т.П.Лидейкис, Б.В.Царенков, Ю.П.Яковлев. Фазовая диаграмма Ga-Al-Sb для жидкостной эпитаксии.//ЖТФ,1978,т.48, в.З, с.599-605.

28. A.S.Jordan, M.Ilegems. Solid-liquid equilibria for quaternary solid solutions involving compound semiconductors in the regular solution approxima-tion.//J.Phys.Chem.Solids, 1975,v.36, N4, p.329-342.

29. Blom G.M., Plaskett T.S. Indium-gallium-antimony ternary phase dia gram.//J.Electrochem.Soc.,l971,v. 118, N11, p. 1831 -1834.

30. Stringfellow G.B. Calculation of ternary and quaternary III-V phase dia-grams.//J.Cryst.Growth, 1974,v.27, p.21 -34.

31. T.Y.Wu, G.L.Pearson. Phase diagram, crystal growth and band structure of InxGai.xAs.//J.Phys.Chem.Solids,1972,v,33, N2, p.409-415.

32. G.A.Antypas, J.Edgecumbs. Distribution coefficientes of Ga, As and P during growth of InGaAsP layers by liquid-phase epitaxy.//J.Cryst.Growth 1976,v.34, p.132-138.

33. M.Astles, H.Hill, A.J.Williams, P.J.Wright and M.L.Young. Studies of the GaixInxAsiySby quaternary alloy system. Liquid-phase growth and as-sessment.//J.Electron.Mater., 1986,v. 15, N1, p.41-49.

34. Вигдорович B.H., Долгинов JI.M., Млинин А.Ю., Селин А.А. Расчет составачетырехкомпонентных систем с помощью ЭВМ на примере Al-Ga-As-Sb.//,ZJAH СССР, Серия физическая химия, 1978,т.243, N1, с.125-128.

35. M.Ilegems, M.B.Panish. Phase equilibria in III-V quaternary systems application to Al-Ga-P-As.//J.Phys.Chem.Solids,1974,v.35, N2, p.409-420.

36. L.M.Dolginov, P.G.Eliseev, A.N.Lapshin, M.G.Milvidskii. A study of phase equilibria and heterojunctions in Ga-In-As-Sb quaternary system.// Kristall und Tech-nik,1978,v.l3, N6, p.631-650.

37. Бочкарев А.Э., Гульгазов B.H., Долгинов JI.M., Селин A.A. Кристаллизация твердых растворов Ini.xGaxAsySbiy на подложках из GaSb и InAsV/Изв.АН СССР, Неорганические материалы, 1987,т.23, N10, с.1610-1614.

38. А.Н.Именков, Т.П.Лидейкис, Б.В.Царенков, Ю.М.Шерняков, Ю.П.Яковлев. Варизонные GaixAlxSb р-n структуры и их свойства.//ФТП,1976,т.10, в.7, с.1260-1265.

39. Motosugi G., Kagawa Т. Dependence of surface flatness on LPE condition of Al-GaSb.//Jap.J.Appl.Phys.,1979,v.l7,Nll, p.2061-2062.

40. H.Kuwatsuka, T.Tanahashi, C.Anayama, S.Nishiyama, T.Mikawa and K.Nakajima. Liquid phase epitaxial growth of AlixGaxSb from Sb-rich solu-tion.//J.Cryst.Growth, 1989,v.94, p.923-928.

41. W.-J.Jiang, Y.-M.Sun and M.-C.Wu. Electrical and photoluminescent properties of high-quality GaSb and AlGaSb layers grown from Sb-rich solutions by liquidphase epitaxy.//J.Appl.Phys.,1995,v.77, N4, p. 1725-1728.

42. Blom G.M. The In-Ga-P ternary phase diagram and its application to liquid phase epitaxial growth.//J.Electrochem.Soc., 1971,v. 118, N11, p. 1834 -1836.

43. Т.Т.Дедегкаев, И.И.Крюков, Т.П.Лидейкис, Б.В.Царенков, Ю.П.Яковлев. Жидкостная эпитаксия варизонных GaixAlxSb структур.//ЖТФ,1980,т.50, в.5, с.1056-1066.

44. А.Н.Баранов, А.Н.Именков, Т.П.Лидейкис, Б.В.Царенков, Ю.М.Шерняков, Ю.П.Яковлев. Широкополосный фотоэлектрический эффект в варизонных Gai.xAlxSb р-n структурах.//ФТП,1978,т.12, в.7, с.1414-1417.

45. J.-M.Wang, Y.-M.Sun, M.-C.Wu. High quality GaixInxAsySbby quaternary layers grown from antimonide-rich solutions by liquid-phase epitaxy.//J.Cryst.Growth, 1997,v. 172, p.514-520.

46. R.Sankaran, G.A.Antypas. Liquid phase epitaxial growth of InGaAsSb on (111)B InAs.//J.Cryst.Growth,1976,v.36, p. 198-204.

47. Долгинов Л.М., Дружинина Л.В., Мильвидский М.Г. Контактные явления при жидкофазной эпитаксии./УИзв.АН СССР, Физика, Математика,1984,т.ЗЗ, N1, с.95

48. Вигдорович В.Н., Селин А.А., Шутов С.Г., Батура В.П. Термодинамический анализ устойчивости кристаллов соединений А3В5 в четырехкомпонентной жидкой фазе./УИзв. АН СССР, Неорганические материалы, 1981,т. 17, N1, с.104

49. Селин А.А., Вигдорович В.Н., Ханин В.А. Оценка устойчивости кристаллов при контакте с неравновесной жидкой фазой.//ДАН СССРД983,т.271, с.1174-1178.

50. Болховитянов Ю.Б. Контактные явления на границе раздела фаз перед жидкофазной гетероэпитаксией соединений А3В5.//Препринт 2-82,Новосибирск, 1982, с.1-51.

51. Болховитянов Ю.Б., Чикичев С.И. Устойчивость неравновесной границыраздела расплав-кристалл перед жидкостной гетероэпитаксией соединений А3В5.//Препринт 5-82,Новосибирск,!982, с. 1-50.

52. A.Joullie, F.Jia Hua, F.Karouta, H.Mani. LPE growth of GalnAsSb/GaSb system: the importance of the sign of the lattice mismatch.//J.Cryst.Growth,1986,v.75, p.309-318.

53. Васильев В.И., Кузнецов B.B., Мишурный B.A. Эпитаксия GaixInxAsySbi-y с использованием сурьмы в качестве растворителя.//Изв.АН СССР,Неорганические материалы, 1990,т.26, N1, с.23-27.

54. N.Kobayashi, Y.Horikoshi, C.Uemura. Liquid-phase phase epitaxial growth of InGaAsSb/GaSb and InGaAsSb/AlGaAsSb DH wafers.//Jpn.J.Appl.Phys.,1979, v.18, N11, p.2169-2170.

55. H.Kano, Sh.Niyazawa, K.Suyiyama. Liquid-phase epitaxy of Gai.xInxAsySbiy quaternary alloys on GaSb.//Jpn.J.Appl.Phys.,1979,v.l8, N11, p.2183-2184.

56. Бочкарев А.Э., Долгинов JI.M., Дружинина Л.В., Мильвидский М.Г. Жидко-фазная эпитаксия Gai-xInxAsySby.//h3b.AH СССР,Неорганические материалы, 1983,т.19, N1, с.13-15.

57. N.Kobayashi, Y.Horikoshi. Liquid phase epitaxial growth of InxGaixAsySbiy with InAs enriched compositions on InAs.//Jpn.J.Appl.Phys.,1981, v.20, N11, p.2253-2254.

58. Акимова H.B., Бочкарев А.Э., Долгинов Л.М., Дракин А.Е., Дружинина Л.В., Елисеев П.Г., Свердлов Б.Н., Скрипкин В.А. Инжекционные лазеры спектрального диапазона 2,0-2,4 мкм, работающие при комнатной температу-ре.//ЖТФ, 1988,т.58, в.4, с.701-707.

59. C.Caneau, J.L.Srivastava, J.W.Sulhoff, Т.Е.Glower, C.A.Burrus, M.

60. Pollack. 2.2 цш GalnAsSb/AlGaAsSb injection lasers with low threshold current density.//Appl.Phys.Lett., 1987,v.51, N10, p.764-766.

61. Баранов A.H., Джуртанов Б.Е., Именков A.H., Тимченко И.Н., Яковлев Ю.П. Проявление самосогласованных квантово-размерных потенциальных ям вэлектролюминесцентных свойствах лазеров на основе GaInAsSb.//IlHCbMa в ЖТФ, 1987,т.13, в.8, с.459-464.

62. A.N.Baranov, A.N.Imenkov, M.P.Mikhailova, A.A.Rogachev, Yu.P.Yakovlev. Lasers and avalanche photodiodes for IR fiber optic in the spectral range of 2-2.5 |am.//Proc.SPIE,1989,v.l048, p. 188-194.

63. Баранов A.H., Валацка К., Лидейкис Т.П., Яковлев Ю.П. Особенности взаимодействия насыщенных расплавов с твердой фазой в системе Ga-Al-Sb.//H3B.AH СССР,Неорганические материалы, 1981,т.17, N3, с.402-406.

64. B.V.Dutt, H.Temkin, E.D.Kobb, W.A.Sunder. Room-temperature operation of optically pumped InGaAsSb/AlGaAsSb double hetero structure laser at 2 |^m.//Appl.Phys.Lett.,1985,v.47, N2, p. 111-113.

65. Долгинов Л.М., Дружинина Л.В., Мильвидский М.Г. Исследование условий получения совершенных гетероструктур в системе AlxGai.xAsySbiy/GaSb. //Кристаллография,!984,т.29, в.1, с.144-149.

66. A.Joullie, C.Alibert, H.Mani, F.Pitard, E.Toumie, G.Boissier. Charakteristic temperature T0 of Ga0.83In0.17As0.15Sb0.85/Al0.27Ga0.73As0.02Sb0.98 injection la-sers.//Electron.Lett.,1988,v.24, N17, p.1076-1077.

67. Lazzari J.L., Leclercq J.L., Grunberg P., Joullie A., Lambert В., Barbusse D. and Fourcade R. Liquid phase epitaxial growth of AlGaAsSb on GaSb.//J.Cryst.Growth,1992,v. 123, p.465-478.

68. P.S.Dutta, H.L.Bhat, V.Kumar, N.V.Sochinski and E.Dieguez. Influence of arsenic concentration on the surface morfology and photoluminescence of LPE grown AlGaAsSb/GaSb with high aluminium content.//J.Cryst.Growth,1996,v.l60, p. 177185.

69. Капо H., Sugiyama K. 2.0 (am cw operation of GalnAsSb/GaSb DH lasers at 80

70. K.//Electron.Lett., 1980,v. 16, N4, p. 146-147.

71. Яковлев Ю.П. Инфракрасная оптоэлектроника на основе многокомпонентных твердых растворов антнмонида галлня.//Автореферат докторской диссертации, СПб, ФТИ им. А.Ф.Иоффе, 1995.

72. Баранов А.Н., Конников С.Г., Попова Т.Б., Уманский В.Е., Яковлев Ю.П. Эффект стабилизации состава жидкой фазы в Ga-Al-As-Sb.//nHCbMa в ЖТФ,1982,т.8, в.7, с.432-436.

73. H.K.Choi, S.J.Eglash, and G.W.Turner. Double-heterostructure diode lasers emitting at 3 |im with a metastable GalnAsSb active layer and AlGaAsSb cladding layers.//Appl.Phys.Lett.,1994,v.64, N19, p.2474-2476.

74. W.T.Tsang, Т.Н.Chin, D.W.Kisker, J.A.Ditzenberger. Molecular beam epitaxial growth of InixGaxAsiySby lattice matched to GaSb.//Appl.Phys.Lett.,1985,v.46, N3, p.283-285.

75. Choi H.K. and Eglash S.J. Room temperature cw operation at 2.2 pm of GalnAsSb/AlGaAsSb diode lasers grown by molecular beam epi-taxy.//Appl.Phys.Lett.,1991,v.59, N10, p.l 165-1166.

76. B.Lambert, Y.Toudic, Y.Rouillard, M.Gauneau, M.Baudet, F.Alard, I. Valiente and I.C.Simon. High reflectivity 1.55 pm (Al)GaAsSb/AlAsSb Bragg reflector lattice matched on InP substrates.//Appl.Phys.Lett.,1995,v.66, N4, p.442-444.

77. T.H.Chiu, W.T.Tsang, J.A.Ditzenberger, J.P.van der Ziel. Room temperature operation of GalnAaSb/AlGaAsSb DH lasers near 2.2 prn prepared by molecular beam epitaxy.//Appl.Phys.Lett.,1986,v.49, N8, p. 1051-1052.

78. C.A.Wang, K.F.Jensen, A.C.Jones and H.K.Choi. n-AlGaSb and GaSb/AlGaSbdouble-heterostructure lasers grown by organnometallic vapor phase epi-taxy.//Appl.Phys.Lett., 1996,v.68, N3, p.400-402.

79. S.Li, Y.Jin, T.Zhou, B.Znang, Y.Ning, H.Jiang, G.Yuan, X.Zhang, J. Yuan. Growth of GalnAsSb alloys by metallorganic chemical vapor deposi-tion.//J.Cryst.Growth,1995,v. 156, p.39-44.

80. M.J.Cherng, G.B.Stringfellow, D.W.Kisker, A.K.Srivastava and J.L.Zyskind. GalnAsSb metastable alloys grown by organnometallic vapor phase epitaxy .//Appl.Phys.Lett., 1986,v.48, N6, p.419-421.

81. W.G.Oldham, A.G.Milnes. Interface states in abrupt semiconductor heterojunc-tions.//Sol.St.Electron.,1964,v.4, N2, p.513-517.

82. Hornstra J., Bartles W.J. Determination of the lattice constant of epitaxial layers of III-V compounds.//J.Cryst.Growth, 1978,v.44, p.513-517.

83. K.Nakajiama, S.Yamazaki, S.Komya, K.Akita. Misfit dislocation-free Inj.xGaxAsi.yPy/InP heterostructure wafers grown by liquid phase epi-taxy.//J.Appl.Phys.,1981,v.52, N7, p.4575-4582.

84. Берт H.A., Гарбузов Д.З., Гореленок A.T., Конников С.Г., Мдивани В.Н., Ти-билов В.К., Чалый В.Н. Квантовый выход электролюминесценции в двойных InGaAsP гетероструктурах.//ФТПД980,т.14, в.4, с.680-685.

85. Воронков В.В., Долгинов JI.M., Лапшин А.Н., Мильвидский М.Г. Эффект стабилизации состава в эпитаксиальном слое твердого раство-ра.//Кристаллография,1977,т.22, в.2, с.375

86. Хансен К.Р., Типп Х.Л., Красильников B.C. Рентгеновское высокотемпературное исследование гетероструктур на основе GaAlAsSb, GalnAsSb и GaInAsP.//B сб."Полупроводники и гетеропереходы",Таллин,1987, с.34-36.

87. Бублик В.Т., Вдовин В.И., Красильников B.C., Югова Т.Г. Особенности процессов генерации дислокаций в эпитаксиальных слоях многокомпоненто сных твердых растворах соединений А В (GaAlAsSb, GalnAsSb и

88. GaAsP).//Тезисы докладов VII конференции по процессам роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок, Новосибирск, 1986,т.2, с.157-158.

89. Вдовин В.И., Красильников B.C., Югова Т.Г. Дислокационная структура эпитаксиальных слоев твердых растворов GaAlSb и GaAlAsSb.//B сб."Полупроводники и гетеропереходы",Таллин,1987, с.48-50.

90. Долгинов JI.M., Елисеев П.Г., Исмаилов И. Инжекционные излучательные приборы на основе многокомпонентных полупроводниковых твердых рас-творов.//В кн. "Успехи науки. Радиотехника",М., ВИНИТИ, 1980,т.21, с.3-52.

91. Крюкова И.В., Лескович В.И., Матвиенко Г.В. Механизмы рекомбинации неравновесных носителей заряда в твердом растворе GalnAsSb при электронной накачке в области 1,6-3,0 мкм.//Письма в ЖТФ,1979,т.5, в.12, с.717-721.

92. Effer D., Etter P.J. Investigation into apparent purity limit in GaSb //J.Phys.Chem.Sol.,1964,v.25, p.451-460.

93. Van der Meulen Y.J. Growth properties of GaSb. The structure of residual acceptor center.//J.Phys.Chem.Sol.,1967,v.28, p.25-32.

94. Баграев H.T., Баранов A.H., Воронина Т.И., Толпаров Ю.Н., Яковлев Ю.П. Подавление природных акцепторов в GaSb.Z/Письма в ЖТФ,1985,т.11, в.2, с.117-121.

95. Бочкарев А.Э., Колесник Л.И., Лошинский A.M., Мильвидский М.Г. Фотолюминесцентные свойства эпитаксиальных слоев GaSb и твердых растворов GaInAsSby/ФТП, 1982,т. 16, в.Ю, с.1886-1888.

96. Долгинов Л.М., Дружинина Л.В., Ибрахимов Н., Рогулин В.Ю. Электролюминесценция гетеропереходов на основе GaInAsSb./УФТП, 1976,т. 10, с.847-850.

97. L.K.Tomasetta, H.D.Law, K.Nakano, J.S.Harris. GaAlAsSb/GaSb lattice matched semiconductor lasers operating at 1.25-1.4 |jm.//Semicond. Laser Conf.,San-Francisco, 1978, p.D-2.

98. Долгинов Л.М., Дружинина Л.В., Мильвидский М.Г., Мухитдинов М., Му-саев Э.С., Рожков В.М., Шевченко Е.Г. Применение светодиодов на основе гетеропереходов четверных твердых растворов для измерения влажности .//Измерительная техника, 1981,т.4, с.481

99. Лебедев А.И., Стрельникова И.А., Юнович А.Э. Исследование фотолюминесценции тройных твердых растворов GaixInxSb./Ai>Tn,1977,T.l 1,в.11, с.2123-2127.

100. Васильев В.И., Ильинская Н.Д., Куксенков Д.В., Кучинский В.И., Мишурный В.А., Сазонов В.В., Смирницкий В.Б., Фалеев Н.Н. Инжекционные лазеры с РОС в системе InGaAsSb/GaSb./ZTtacbMaB ЖТФ,1990,т.16,в.2, с.58-62.

101. Баранов А.Н., Джуртанов Б.Е., Именков А.Н., Рогачев А.А., Шерняков Ю.М., Яковлев Ю.П. Генерация излучения в квантово-размерной структуре на одном гетеропереходе.//ФТП,1986,т.20, в. 12, с.2217-2221.

102. C.Caneau, A.K.Srivastava, A.G.Dentai, J.L.Zyskind, G.A.Burrus, M.A. Pollack. Reduction of threshold current density of 2.2цт GalnAsSb/AlGaAsSb injection lasers.//Electron.Lett.,1986,v.22, p.992-993.

103. P.Brosson, J.Benoit, A.Joullie, B.Sermage. Analysis of threshold current density in 2.2(im GalnAsSb/AlGaAsSb DH lasers.//Electron.Lett., 1987,v.23, p.418-419.

104. P.Grunberg, A.Baranov, G.Fouilant, J.L.Lazzari, P.Grech, G.Boissier, C.Alibert,

105. A.Joullie. High-power low-threshold Gao.88lno.12Aso.10Sbo.90/Alo.47Gao.53Ino.04Sbo.96 double heterostructure lasers grown by liquid phase epitaxy .//Electron.Lett. ,1994,v.30, p.312-314.

106. M.Morosini, J.-L.Herrera-Peres, M.Loural, A.von Zuben, A.Da Silveira and N.Patel. Low-threshold GalnAsSb/GaAlAsSb double heterostructure lasers grown by LPE.//1EEE J.Quantum Electron., 1993,v.29, p.2103-2108.

107. H.K.Choi, G.W.Turner and S.J.Eglash. High-power GalnAsSb-AlGaAsSb multiple-quantum-well diode lasers emitting at 1.9 pm.//IEEE Photonics Tech-nol.Lett.,1994,v.6, p.7-9.

108. H.Lee, P.K.York, R.J.Menna, R.U.Martinelli, D.Z.Garbuzov, S.Y.Narayan and J.C.Connolly. Room-temperature 2.78 pm AlGaAsSb/InGaAsSb quantum-well lasers.//Appl.Phys.Lett.,1995,v.66, N15, p. 1942-1944.

109. Баранов A.H., Джуртанов Б.Е., Именков A.H., Рогачев А.А., Шерняков Ю.М., Яковлев Ю.П. Квантово-размерный лазер с одиночным гетеропереходом. //Письма в ЖТФ,1986,т.12, в.11, с.664-668.

110. Андаспаева А.А., Баранов А.Н., Гусейнов А.А., Именков А.Н., Литвак A.M., Филаретова Г.М., Яковлев Ю.П. Высокоэффективные светодиоды на основе InGaAsSb (1=2,0 мкм, ц=4%, Т=300 К).//Письма в ЖТФ,1988,т.14, в.9, с.845-849.

111. Андаспаева А.А., Баранов А.Н., Гусейнов А.А., Именков А.Н., Колчанова Н.Н., Сидоренкова Е.А., Яковлев Ю.П. Высокоэффективные светодиоды на основе InGaAsSb для спектрального диапазона 1,8-2,5 мкм.//Письма в ЖТФ, 1989, т.15, в.18, с.71-75.

112. L.R.Tomasseta, H.D.Law, K.Nakano, J.S.Harris. 1.0-1.4 |im high speed avalanche photodiodes.//Appl.Phys.Lett.,1978,v.33, p.416-417.

113. Law H.D., Chin R., Nakano K., Milano R.A. The GaAlAsSb quaternary and

114. GaAlSb ternary alloys and their application to infrared detectors.//IEEE J.Quantum Electron.,1981,v. 17, N2, p.275-283.

115. Андреев И.А., Афраилов M.A., Баранов A.H., Мирсагатов М.А., Михайлова М.П., Яковлев Ю.П., Хайдаров А.В. Особенности лавинного умножения фототока в диодных структурах на основе GaInAsSb.//B сб. "Полупроводники и гетеропереходы",Таллин,1987, с.51-53.

116. Андреев И.А., Афраилов М.А., Баранов А.Н., Данильченко В.Г., Мирсагатов М.А., Михайлова М.П., Яковлев Ю.П. Фотодиоды на основе твердых растворов GaInAsSb/GaAlAsSb.//TbiCbMa в ЖТФ,1986,т.12, в.21, с. 1311-1315.

117. Андреев И.А., Афраилов М.А., Баранов А.Н., Мирсагатов М.А., Михайлова М.П., Яковлев Ю.П. Лавинное умножение в фото диодных структурах на основе твердых растворов GaInAsSby/Письма в ЖТФ,1987,т.13, в.8, с.481-485.

118. A.N.Baranov, A.N.Imenkov, M.P.Mikhailova, Yu.P.Yakovlev. Type II hetero-junctions in GaSb-InAs solid solutions: physics and applica-tions.//Proc.SPIE, 1990,v. 1361, p.675-685.

119. Андреев И.А., Баранов A.H., Михайлова М.П., Моисеев К.Д., Пенцов А.В., Сморчкова Ю.В., Шерстнев В.В., Яковлев Ю.П. Длинноволновое излучение в фотодиодах InGaAsSb/AlGaAsSb.//Письма в ЖТФ,1992,т.18, в. 17, с.50-54.

120. Bowers J.E., Srivastava А.К., Burrus G.A., Dewinter J.C., Pollack M.A., Zy-skind J.L. High-speed GalnAsSb/GaSb p-i-n photodetectors of wavelength to 23 (im.//Electron.Lett., 1986,v.22, N3, p.137-138.

121. А.А.Попов, В.В.Шерстнев, Ю.П.Яковлев. 2.2 мкм одномодовые диодные лазеры, работающие в непрерывном режиме с термоэлектрическим охлаж-дением.//Письма в ЖТФ,1997,т.23, в.15, с.39-45.

122. V.A.Mishournyi, F.De Anda, A.Yu.Gorbachev, V.I.Vasirev and N.N.Faleev. InGaAsSb growth from Sb-rich solutions.//J.Cryst.Growth, 1997,v. 180, p.34-39.

123. H.K.Choi and G.W.Turner. InAsSb/InAlAsSb strained quantum-well diode lasers emitting at 3.9 |im.//Appl.Phys.Lett.,1995,v.67, N3, p.332-334.

124. B.A.Matveev, G.A.Gavrilov, V.V.Evstropov, N.V.Zotova, S.A.Karandashov, G.Yu.Sotnikova, N.M.Stus', G.N.Talalakin, J.Malinen. Mid-infrared (3-5 jam) LEDs as sources for gas and liquid sensors.//Sensors & Actuators B,1997,v.38-39, p.339-343.

125. Абрамов A.B., Арсентьев И.Н., Мишурный B.A., Румянцев В.Д., Третьяков Д.Н. Люминесцентные свойства и некоторые особенности выращивания из растворов-расплавов твердых растворов GaxInixP.//Письма в ЖТФ,1976,т.2, в.5, с.204-207.

126. I.E.Berishev, F.De Anda, V.A.Mishournyi, J.Olvera, N.D.Ilyinskaya, V.I.Vasirev. Н202:С406Нб (tartaric acid):H20 etching system for chemical polishing of GaSb.//J.Electrochem.Soc., 1995,v. 142, N10, p.L189-L191.

127. Skelton J.K., Knight J.R. Liquid-phase epitaxy of In(As,Sb) on GaSb substrates using antimony-rich melts.//Sol.State Electronics,1985,v.28, N11, p.l 166-1170.

128. Болховитянов Ю.Б., Юдаев В.И. Начальные стадии формирования новой фазы при жидкофазной эпитаксии соединений А3В5.//Препринт, Новосибирск, 1986, с. 112.

129. Кузнецов В.В., Москвин П.П., Сорокин B.C. Неравновесные явления при жидкостной гетероэпитаксии полупроводниковых твердых растворов.//М., "Металлургия", 1991, с. 175.

130. V.V.Kuznetsov, P.P.Moskvin, and V.S.Sorokin. Coherent phase diagram and interface relaxation processes during LPE of AniBv solid solu-tions.// J. Cry st. Growth, 1988,v. 88, p.241 -262.

131. Gertner E.R., Andrews A.M., Babulac L.O. Liquid-phase epitaxial growth of InAsi.xSbx on GaSb.//J.Electron.Mater.,1979,v.8, N4, p.545

132. Т.И.Воронина, Б.Е.Джуртанов, Т.С.Лагунова, М.А.Сиповская, В.В.Шерстнев, Ю.П.Яковлев. Электрические свойства твердых растворов на основе GaSb (GalnAsSb, GaAlSb, GaAlAsSb) в зависимости от соста-ва.//ФТП, 1998,т.32, N3, с.278-284.

133. Груздов В.Г., Косогов А.О., Фалеев Н.Н. Ультратонкие слои в системе InGaAsP/InP, полученные жидкофазной эпитаксией.//Письма в ЖТФ,1994,т.20, в.14, с.1-7.

134. H.Luquet, L.Gouskov, M.Perotin, A.Jean, A.Rjeb, T.Zarouri and G.Bougnot. Liquid-phase-epitaxial growth of Ga0.96Al0.04Sb: Electrical and photoelectrical characterizations.//J.Appl.Phys.,1986,v.60, N10, p.3582-3591.

135. Martinelli R.U. Mid-infrared wavelengths enhance trace-gas sensing.//Laser Focus World,1996,v.33, N3, p.77-81.

136. Y.S.Sundaram, M.D.Morgan, W.E.Horne and S.B.Saban. Thermophotovoltaic (TPV): An old concept whose time has come.//Proc.SPDE,1998,v.3316, p.410-419.

137. Бочкарев А.Э., Долгинов Л.М., Дружинина Л.В., Капанадзе З.Б. Жидкофаз-ная эпитаксия InGaAsSb вблизи границ области несмешиваемости твердых растворов.//В сб. "Полупроводники и гетеропереходы", Таллин,1987, с.3-5.

138. P.S.Dutta, H.L.Bhat, V.Kumar. The physics and technology of gallium antimonide: An emerging optoelectronic material.//J.Appl.Phys.,1997,v.81, N9, p.5821-5870.

139. A.A.Popov, V.V.Sherstnev, Y.P.Yakovlev, A.N.Baranov and C.Alibert. Powerful mid-infrared light emitting diodes for pollution monitor-ing.//Electron.Lett., 1997,v.33, N1, p.86-88.

140. Э.Р.Рубцов, В.С.Сорокин, В.В.Кузнецов. Прогнозирование свойств гетероструктур на основе пятикомпонентных твёрдых растворов А3В5.//ЖФХ, 1997,т.71, N3, с.415-420.

141. Э.Р.Рубцов, В.В.Кузнецов, О.А.Лебедев. Фазовые равновесия пятерных систем из Аш и Ву.//Неорганические материалы, 1998,т.34, N5, с.525-530.

142. K.Shim, H.Rabitz. Electronic and structural properties of the pentanary alloy GaxIn1xPySbzAs1y.z.//J.Appl.Phys.,1999,v.85, N11, p.7705-7715.

143. A.G.Norman, T.Y.Seong, I.T.Ferguson, G.R.Booker and B.A.Joyce. Structural studies of natural superlattices in group III-V alloy epitaxial lay-ers.//Semicond.Sci.Technol.,l993,v.8, p.S9-15.

144. Баранов A.H., Литвак A.M., Моисеев К.Д., Шерстнев B.B., Яковлев Ю.П. Получение твердых растворов In-Ga-As-Sb/GaSb и In-Ga-As-Sb/InAs в области составов, прилегающих к 1пА8.//ЖПХ,1994,т.67, в. 12, с. 1951-1956.

145. B.A.Matveev, M.Aidaraliev, N.V.Zotova, S.A.Karandashov, N.M.Stus', G.N.Talalakin. Midwave (3-5 ¡im) III-V infrared LEDs and diode lasers as a source for gas sensors.//Proc.SPIE,1995,v.2506, p.796-802.

146. V.I.Vasil'ev, V.V.Kuznetzov, V.A.Mishournyi, V.V.Sazonov, N.N.Faleev. Epitaxial growth of InGaAsSb and AlGaAsSb from Sb-riched solutions.//Proc. of 1st Int. Conf. on Epitaxial Growth, Budapest, 1990,v.2, p.659-663.

147. V.M.Andreev, V.P.Khvostikov, S.V.Sorokina, V.I.Vasil'ev. GaSb based PV cells with Zn-difiused emitters.//Proc.SPIE,1998,v.3316, p.420-423.170

148. Z.A.Shellenbarger, M.G.Mauk, L.C.Di Netta, G.W.Charache. Recent progress in InGaAsSb/GaSb TPV devices.//Conf. Rec. of 25-th IEEE Photovoltaics Specialists Conf., IEEE Press, Piscataway, NJ,1996, p.81-84.