Микроструктурированные стеклообразные и кристаллические оптические материалы тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.21, кандидат физико-математических наук Поволоцкий, Алексей Валерьевич

• Поволоцкий, Алексей Валерьевич
• кандидат физико-математических наук
• 2006

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Поволоцкий, Алексей Валерьевич

Введение

1 Микроструктурированные материалы

1.1 Микроструктурированные материалы в современной науке и технике.

1.2 Методы создания тонких пленок.

1.3 Импульсное лазерное осаждение тонких пленок.

1.3.1 Материалы для получения пленок методом ИЛО

1.3.2 Лазерные источники для ИЛО.

1.4 Халькогенидные стеклообразные тонкие пленки.

1.5 Фотоиндуцированные изменения в тонкопленочных структурах ХГС.

1.6 Кристаллические пленки LiNbOs.

1.7 Выводы.

2 Экспериментальные установки

2.1 Экспериментальная установка по импульсному лазерному осаждению

2.1.1 Оптическая схема установки по импульсному лазерному осаждению.

2.1.2 Вакуумная схема установки по импульсному лазерному осаждению

2.2 Методы и оборудование по исследованию структуры.

2.2.1 Комбинационное рассеяние света.

2.2.2 Рентгеновская дифрактометрия

2.3 Методы и оборудование по исследованию оптических свойств

2.3.1 Спектроскопия поглощения и отражения.

2.3.2 Измерение показателя преломления.

2.4 Выводы.

3 Импульсное лазерное осаждение стеклообразных пленок

3.1 Исследование свойств мишени состава 15(Ga2Ss) - 85(GeS2) для импульсного лазерного осаждения.

3.2 Импульсное лазерное осаждение стеклообразных халькоге-нидных пленок.

3.2.1 Образование дефектов в пленках при импульсном лазерном осаждении.

3.2.2 Исследование структуры халькогенидных стеклообразных пленок.

3.2.3 Оптические свойства халькогенидных пленок.

3.2.4 Фотоиндуцированные изменения в пленках ХГС

3.3 Выводы.

4 Импульсное лазерное осаждение кристаллических пленок

4.1 Исследование свойств мишени состава ЫЫЬОз для импульсного лазерного осаждения.

4.2 Импульсное лазерное осаждение LiNbC^Fe тонких пленок

4.2.1 Напыление на аморфную Si02 подложку.

4.2.2 Напыление на Si (111) подложку.

4.3 Выводы.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Микроструктурированные стеклообразные и кристаллические оптические материалы»

Объект исследования и актуальность темы. Микроструктурированные оптические материалы представляют собой широкий класс оптических диэлектриков и полупроводников, стекол и кристаллов, на основе которых построена элементная база интегральной оптики. Хорошо изучены и широко применяются в интегральной оптике планарные волноводы, развет-вители, источники оптического излучения (планарные лазеры), усилители, линзы и т.д. Все большую популярность обретают оптические планарные микрочипы, на основе которых создаются датчики изменения давления, селективного обнаружения элементов в атмосфере. Интересным и многообещающим представляется развитие химических и биологических микролабораторий на основе планарных интегральных оптических схем.

В последние годы одними из наиболее интересных и важных областей знания в области физики, химии, биологии и медицины являются нано-технологии, открывающие принципиально новые возможности применения известных и, казалось бы, уже давно хорошо изученных веществ. Связующим звеном, объединяющим макромир и наночастицы, выступают микроструктурированные материалы, в которые и осуществляется интеграция наноразмерных источников оптического излучения, нано-детекторов, нано-сенсоров.

Микроструктурированные материалы широко используются в современной науке и технике. Поэтому актуальными задачами на сегодняшний день являются как разработка новых видов оптических стекол и кристаллов, так и разработка и усовершенствование методов создания и новых, и достаточно хорошо изученных микроструктурированных материалов. Одним из наиболее привлекательных методов создания тонких пленок представляется импульсное лазерное осаждение (ИЛО). Метод широко известен и достаточно хорошо изучен, чтобы рекомендовать его для создания сложных многокомпонентных многослойных тонко пленочных структур. Однако, учитывая широкие возможности управления процессом напыления пленок, а так же многообразие оптических материалов, необходим систематический подход к вопросу о создании различных микроструктурированных материалов методом импульсного лазерного осаждения.

В связи с вышеизложенным, целью диссертационной работы является развитие метода создания многокомпонентных микроструктурированных стеклообразных и кристаллических оптических материалов методом импульсного лазерного осаждения. Исследование оптических свойств полученных стеклообразных и кристаллических пленок.

В соответствии с целью исследования были поставлены следующие конкретные задачи:

I] Развить метод импульсного лазерного осаждения для создания многокомпонентных стеклообразных тонких пленок;

II] На основе полученного метода создать тонкопленочные структуры системы Ga-Ge-S и исследовать их оптические свойства;

III] Развить метод импульсного лазерного осаждения для создания многокомпонентных кристаллических тонких пленок;

IV] На основе полученного метода создать тонкопленочные структуры кристалла LiNbOs:Fe и исследовать их оптические свойства.

Научная новизна:

I] В диссертации впервые получены стеклообразные пленки 15(Ga2Ss)-85(GeS2), химический состав которых идентичен составу мишени, высокого оптического качества методом импульсного лазерного осаждения.

II] Показано, что при облучении стеклообразных халькогенидных пленок состава 15(Ga2Ss)-85(GeS2) лазерным излучением в атмосфере кислорода происходит их окисление.

III] Продемонстрирована возможность создания многокомпонентных ориентированных поликристаллических пленок состава LiNb03):Fe высокого оптического качества методом импульсного лазерного осаждения.

Научная и практическая ценность. В настоящей работе развиты методы создания микроструктурированных стеклообразных и кристаллических материалов импульсным лазерным осаждением. Предложено два типа материалов для оптической записи информации. Положения, выносимые на защиту:

I] Усовершенствован метод импульсного лазерного осаждения тонких пленок, что позволило решить проблемы неоднородности потока вещества, полученного в результате абляции, и формирования микроскопических капель вследствие взрывного характера лазерного испарения.

II] Получены тонкие пленки полупроводникового халькогенидного стекла системы Ga-Ge-S, химический состав которых идентичен составу мишени, методом импульсного лазерного осаждения.

III] Обнаружен эффект модификации структуры и изменения оптических свойств полученных стеклообразных пленок под воздействием лазерного излучения при нормальных атмосферных условиях. Показано, что в результате модификации структуры сульфидная матрица стекла становится оксидно-сульфидной, показатель преломления уменьшается на 0.3, положение края оптического поглощения смещается в сторону УФ длин волн на 100 нм.

IV] Показана возможность использования метода импульсного лазерного осаждения для формирования ориентированных поликристаллических оксидных пленок на основе LiNbOs.'Fe.

Апробация работы. Результаты работы докладывались и обсуждались на следующих конференциях:

I] На международной конференции "First International Conference on Laser Optics for Young Scientists" (Санкт-Петербург, Россия, 2000 г.);

II] На всероссийской конференции "2 всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и полупроводниковой опто- и на-ноэлектронике" (Санкт-Петербург, Россия, 2000 г.);

III] На всероссийской конференции "7 Всероссийская научная конференция студентов-физиков" (Санкт-Петербург, Россия, 2001 г.);

IV] На международной конференции "International Conference for Young Scientists and Engineers IQEC/LAT-YS" (Москва, Россия, 2002 г.);

V] На международной конференции "13 international symposium on non-oxide glasses and new optical glasses" (Пардубице, Чешская Республика, 2002 г.);

VI] На международной конференции "Tulip Graduate School Modern Developments in Spectroscopy" (Нурдвайг, Голландия, 2003 г.);

VII] На международной конференции "2 International Conference on Laser Optics for Young Scientists" (Санкт-Петербург, Россия, 2003 г.);

VIII] На международной конференции "Third Russian-French Laser Symposium" (Москва, Россия, 2003 г.);

IX] На международной конференции "The 5th Italian-Russian Laser Symposium" (Санкт-Петербург, Россия, 2003 г.);

X] На международной конференции "First Russian-French Laser Physics Workshop for Young Science" (Санкт-Петербург, Россия, 2004 г.);

XI] На международной конференции "3d International Symposium on Ultrafast Intense Laser Science" (Палермо, Италия, 2004 г.);

XII] На международной конференции "ICONO/LAT School for Young Scientists" (Санкт-Петербург, Россия, 2005 г.);

По теме диссертации опубликованы 5 статей и 12 тезисов докладов.

Список основных публикаций приведен в конце диссертации.

Структура диссертации. Диссертация состоит из введения, четырех глав, основных результатов и выводов и списка литературы. В первой главе диссертации описывается современные тенденции в использовании микроструктурированных материалов и обсуждаются методы их изготовления. На основе литературных данных систематизированы методики создания тонкопленочных структур. Показана перспективность использования метода импульсного лазерного осаждения для формирования тонкопленочных материалов. Вторая глава посвящена описанию методов и экспериментальных установок для создания и исследования тонкопленочных структур.

Заключение диссертации по теме «Лазерная физика», Поволоцкий, Алексей Валерьевич

Основные результаты и выводы

I] Усовершенствован метод напыления тонкопленочных структур с помощью импульсного лазерного испарения. Метод позволяет создавать однородные по толщине и химическому составу пленки из многокомпонентных мишеней: - с химической структурой идентичной структуре мишени; - с однородными по площади пленки оптическими свойствами; - с оптическими свойствами, близкими к свойствам мишени.

II] Разработана методика получения тонких пленок халькогенидных стекол состава 15(Ga2S3) - 85(GeS2) методом импульсного лазерного осаждения. Полученные пленки характеризуются однородными по площади оптическими свойствами, хорошей адгезией к подложке и высокой степенью воспроизводимости при серийном изготовлении.

III] Исследованы оптические свойства и химическая структура пленок халькогенидных стекол состава 15(Ga2S3) - 85(GeS2) методами спектроскопии поглощения и колебательной спектроскопии. Показатель преломления полученных пленок определялся методом призмы. Показано, что оптические свойства пленок близки к свойствам мишени.

IV] Проведено исследование фотоиндуцированных изменений свойств пленок ХГС при облучении азотным и аргоновым лазерами.

V] Показано, что воздействие лазерного излучения приводит к окислению халькогенидных пленок. При этом наблюдается эффект фотопросветления (сдвиг края оптического поглощения в коротковолновую область на величину до 100 нм) и уменьшение показателя преломления (до 14 %).

VI] Разработана методика получения ориентированных поликристаллических пленок LiNb03:Fe методом импульсного лазерного осаждения. Использование методики позволило создать на основе LiNbC>3:Fe аморфные пленки на стеклообразных подложках и кристаллические пленки на кристаллических подложках.

VII] Исследованы оптические свойства пленок LiNbC^Fe. Показано, что пленки характеризуются однородными по площади оптическими свойствами.

VIII] На основе анализа данных рентгеновской дифрактометрии показано, что полученные поликристаллические пленки LiNb03:Fe содержат кристаллическую фазу Nb02- Причиной появления фазы NbC>2 в продуктах лазерного распыления LiNbC>3:Fe является изменение степени окисления ниобия в условиях высокого вакуума.

Автор выражает благодарность основателю института "Российский центр лазерной физики" Смирнову Валерию Борисовичу, под влиянием которого сформировался интерес автора к лазерной физике; научному руководителю доктору химических наук, профессору Тве-рьяновичу Юрию Станиславовичу; коллегам по работе Борисову Е.Н., Курочкину А.В., Маныниной А.А., Ивановой Т.Ю., Иванову Д.А.; сотрудникам кафедры общей физики I СПбГУ; сотрудникам химического факультета СПбГУ Тверьяновичу А.С., Григорьеву Я.Г. за предоставление образцов для исследования; сотрудникам кафедры кристаллографии геологического факультета СПбГУ Грунскому О.С., Денисову А.В., Трофимову В.В. за помощь в проведении кристаллографических исследований и интерпретации результатов; руководителям и сотрудникам лабораторий, где проводились совместные исследования - Бивона С. (департамент физики и технологий университета Палермо, Италия), Челино В., Фазио Б. (институт физико-химических процессов, Мессина, Италия).

Работы с участием автора

Al. Ivanova T.Yu., Povolotskiy A.V, Manshina A.A. Crosss-relaxation processes and structural modifications in Ga-Ge-S:Er3+// Journal of Non-Cryst. Solids, 351, 2005, p. 1403-1409.

A2. Курочкин А.В., Иванова Т.Ю., Манынина A.A., Поволоцкий А.В. Исследование халькогенидных стекол, активированных редкоземельными ионами, методом комбинационного рассеяния света //2 всерос. молодежная конф. по физике полупровдников и полупроводниковой опто- и нано-электронике, С-Петербург, 2000, с. 99.

A3. Иванова Т.Ю., Манынина А.А., Поволоцкий А.В. Исследование халькогенидных стекол методом комбинационного рассеяния света //7 Всерос. научн. конф. студентов-физиков, С-Петербург, 2001, с. 490-491.

А4. Ivanova T.Yu., Vorobev D.A., Povolotskiy A.V. Ga-Ge-S:Er3+ glasses and film investigation by the Raman scattering methods // International Conference for Young Scientists and Engineers IQEC/LAT-YS, Moscow, 2002, p. 68.

A5. Ivanova T.Yu., Manshina A.A., Povolotskiy A.V., Tveryanovich Yu.S. Chalcogenide glasses: multifunctional properties and practical application // The 5th Italian-Russian Laser Symposium, St. Petersburg, 2003, p. 191-194.

A6. Иванова Т.Ю., Курочкин А.В., Маньшина A.A., Поволоцкий А.В., Смирнов В.В., Тверьянович Ю.С. Процессы безызлучательной передачи энергии в стеклах системы Ga-Ge-S:Er3+ // Лазерные исследования в

Санкт-Петербургском государственном университете. 2-й выпуск. - СПб.: НИИ "Российский центр лазерной физики 2003.

А7. Tverjanovich A.,Grigoriev Ya.G., Degtyarev S.V., Kurochkin A.V., Manshina A.A., Ivanova T.Yu., Povolotskiy A.V., Tveryanovich Yu.S. Up-conversion luminescence efficiency in Er-doped chalcogenide glasses // Journal of Non-Cryst. Solids, 326&327, 2003, p. 311-315.

A8. Иванова Т. Ю., Курочкин А. В., Манынина А.А., Поволоцкий А.В., Тверьянович Ю.С. Полупроводниковые свойства халькогенидной системы Ga-Ge-S-Se:Er3+ // Лазерные исследования в Санкт-Петербургском государственном университете. 3-й выпуск. - СПб.: НИИ "Российский центр лазерной физики 2005, с. 213-221.

А9. Tverjanovich A., Grigoriev Ya.G., Degtyarev S.V., Kurochkin A.V., Man'shina A.A., Ivanova T.Yu., Povolotskiy A.V., Tveryanovich Yu.S. The increasing of the up-conversion luminescence efficiency for chalcogenide glasses //13 international symposium on non-oxide glasses and new optical glasses, Czech Republic, 2002, p. 585.

A10. Povolotskiy A.V. Investigation of the chalcogenide glass and film structure // Tulip Graduate School Modern Developments in Spectroscopy, Netherlands, 2003, p.57.

All. Sokolova O.A., Borisov E.N., Ivanova T.Yu., Povolotskiy A.V., Tverjanovich A.S. Pulsed laser deposition of erbium-doped Ga-Ge-S chalcogenide thin films //2 International Conference on Laser Optics for Young Scientists, St. Petersburg, 2003, p. 126.

A12. Borisov E.N., Ivanova T.Yu., Tverjanovich A.S., Manshina A.A., Povolotskiy A.V. Integrated optical elements: laser deposition, photobleaching and photoconductivity // Third Russian-French Laser Symposium, Moscow,

2003.

A13. Povolotskiy A.V., Borisov E.N., Ivanova T.Yu., and Manshina A.A. Photoinduced phenomena in thin films of chalcogenide system Ga-Ge-S: a role of oxidation // Laser Phys. Lett. 1-5 (2005) / DOI 10.1002/lapl.200510083.

A14. Povolotskiy A.V., Borisov E.N., Grigoriev Ya.G., Man'shina A.A. Chalcogenide thin films: UV laser deposition and photobleaching // First Russian-French Laser Physics Workshop for Young Science, St. Petersburg,

2004, p. 35.

A15. Povolotskiy A.V., Ivanova T.Yu., Man'shina A.A. Integrated optical elements: laser deposition and photobleaching //3d International Symposium on Ultrafast Intense Laser Science, Palermo, Italy, 2004.

A16. Povolotskiy A., Shimko A., Ferrante G., Manshina A. Laser writing of 2D and 3D structures in chalcogenide glassy materials // International conference ICONO/LAT, St. Petersburg, 2005.

A17. Povolotskiy A. Research of LiNbOs crystals by Raman scattering //First international conference on laser optics for young scientists, St. Petersburg, 2000, p.48.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Поволоцкий, Алексей Валерьевич, 2006 год

1. N. М. Jokerst, М. A. Brooke, S.-Y. Cho et al. // Optics & Photonics News. - 2003. - Vol. 14, no. 2. - Pp. 26-31.

2. R. Zia, J. A. Schuller, A. Chandran, M. L. Brongersma // Materials Today. 2006. - Vol. 9, no. 7-8. - Pp. 20-27.

3. Li L. // Optics & Photonics News. 2003. - Vol. 14, no. 9. - Pp. 24-30.

4. J. Sheuer, G. T. Paloczi, J. K. S. Poon, A. Yariv // Optics & Photonics News. 2005. - Vol. 16, no. 2. - Pp. 36-40.

5. Mork J., Nielsen M. L., Berg T. W. // Optics & Photonics News.— 2003. Vol. 14, no. 7. - Pp. 42-48.

6. Melloni A., Morichetti F., Martinelli M. // Optics & Photonics News. — 2003,- Vol. 14, no. 11.- Pp. 44-48.

7. Okayama H. // Optics & Photonics News. 2003,- Vol. 14, no. 12.— P. 29.

8. Oikawa M. // Optics & Photonics News.- 2003.- Vol. 14, no. 9,-Pp. 38-41.

9. Shah J. // Optics & Photonics News. 2003. - Vol. 14, no. 4. - Pp. 4247.

10. Peyghambarian N., Norwood R. A. // Optics & Photonics News.— 2005. Vol. 16, no. 2. - Pp. 30-35.

11. Samuel I. D. W., Turnbull G. A. // Materials Today. 2004. - September. - Pp. 28-35.

12. C. Reese, M. Roberts, M. Ling, Z. Bao // Materials Today. 2004,-September. - Pp. 20-27.

13. Reed G. Т., Png С. E. // Materials Today. 2005. - January. - Pp. 4050.

14. Carey J. E., Crouch С. H., Mazur E. // Optics & Photonics News.— 2003. Vol. 14, no. 2. - Pp. 32-36.

15. Farg E.-S. M. // Opt. & Laser Tech. 2006. - Vol. 38. - Pp. 14-18.

16. V. Vassilev, C. Popov, S. Boycheva et al. // Materials Lett — 2004. — Vol. 58. Pp. 3802-3806.

17. E. Marquez, T. Wagner, J. M. Gonzalez-Leal et al. //J. Non-Cryst. Solids. 2000. - Vol. 274. - Pp. 62-68.

18. H. Yang, X.-j. Zhang, Z. Jiang et al. // Thin Solid Films. 2006. - Vol. 514. - Pp. 344-349.

19. Batzill M., Burst J. M., Diebold U. // Thin Solid Films.- 2005.- Vol. 484. Pp. 132-139.

20. Lee S., Dobrowolska M., Furdyna J. // J. Crystal Growth. — 2006. — Vol. 292.-Pp. 311-314.

21. J. Son, Y. Yuen, S. S. Orlov et al. 11 J. Crystal Growth. 2005. - Vol. 280.-Pp. 135-144.

22. D. Callejo, S. Manotas, M. D. Serrano et al. // J. Crystal Growth.— 2001. Vol. 226. - Pp. 488-492.

23. M. Li, A. Kursumovic, X. Qi, J. L. MacManus-Driscoll // J. Crystal Growth. 2006. - Vol. 293. - Pp. 128-135.

24. Poti В., Tagliente M. A., Passaseo A. // J. Non-Cryst. Solids. 2006. -Vol. 352. - Pp. 2332-2334.

25. X. Wang, T. Yang, G. Du et al. // J. Crystal Growth.- 2005,- Vol. 285.-Pp. 521-526.

26. E. Chikoidze, Y. Dumont, F. Jomard et al. // Materials Research Bulletin. 2006. - Vol. 41. - Pp. 1038-1044.

27. Sirghi L., Hatanaka Y., Aoki T. // Appl. Surf. Science. — 2005.— Vol. 244.-Pp. 408-411.

28. K. A. Abdullin, A. B. Aimagambetov, N. B. Beisenkhanov et al. // Materials Science and Engineering B. — 2004. — Vol. 109. — Pp. 241-244.

29. S. Venkataraj, H. Kittur, R. Drese, M. Wuttig // Thin Solid Films.— 2006. Vol. 514. - Pp. 1-9.

30. С. А. Кулинич, Т. Yamaki, H. Miyazoe и др. // Физика твердого тела. 2006. - Т. 48. - С. 658-665.

31. Yamamoto Н., Kulinich S. A., Terashima К. // Thin Solid Films.— 2001.-Vol. 390.-Pp. 1-6.

32. W. M. M. Kessels, I. J. Houston, K. Nadir, M. С. M. van de Sanden // J. Non-Cryst. Solids. 2006. - Vol. 325. - Pp. 915-918.

33. S. Kulinich, J. Shibata, H. Yamamoto et al. // Appl. Surf. Sci. — 2001. — Vol. 182. Pp. 150-158.

34. T. Majima, H. Yamamoto, S. Kulinich, K. Terashima //J. Cryst. Growth. 2000. - Vol. 220. - Pp. 336-340.

35. Gonzalo J., Afonso C. N., Ballesteros J. M. // Appl. Surf. Science.— 1997. Vol. 109-110. - P. 473-477.

36. J. A. Chaos, A. Perea, J. Gonzalo et al. // Appl. Surf Science. — 2000. — Vol. 154-155. Pp. 915-918.

37. Ballesteros J. M., Afonso C. N., Perriere J. // Appl. Surf Science.— 1997. Vol. 109-110. - P. 322-326.

38. R. del Coso, A. Perea, R. Serna et al. // Appl. Phys. A.— 1999. — Vol. 69. Pp. 553-556.

39. A. Perea, J. Gonzalo, C. N. Afonso et al. // Appl. Surf. Science. — 1999. — Vol. 138-139. P. 533-537.

40. X. Wang, Z. Ye, G. Wu et al. // Materials Letters. 2005. - Vol. 59. -Pp. 2994-2997.

41. A. Heinrich, A. L. Horner, A. Wixforth, B. Stritzker // Thin Solid Films. 2006. - Vol. 510. - Pp. 77-81.

42. Jackson T. J., Palmer S. B. // Physica D. 1994. - Vol. 27. - Pp. 15811594.

43. Sun X. W., Kwok H. S. // J. Appl. Phys. 1999. - Vol. 86. - Pp. 408411.

44. B. Major, R. Ebner, P. Zieba, W. Wolczynski // Appl. Phys. A. 1999. -Vol. 69. - Pp. S921-S924.

45. H. Kim, J. S. Horwitz, G. P. Kushto et al. // Appl. Phys. Lett. 2001. -Vol. 79. - Pp. 284-286.

46. Z. M. Ren, Y. F. Lu, H. Q. Ni et al. // J. Phys. Lett. 2000. - Vol. 88. -Pp. 7346-7350.

47. R. D. Vispute, R. Enck, A. Patel et al. // Materials Science Forum. — 2000. Vol. 338. - Pp. 1503-1506.

48. M. B. Guseva, V. G. Babaev, V. S. Guden et al. // Diamond and Related Materials. 2001. - Vol. 10. - Pp. 1385-1389.

49. T. Szorenyi, F. Antoni, E. Fogarassy, I. Bertoti // Appl. Surf. Science. — 2000. Vol. 168. - Pp. 248-250.

50. M. Yoshimoto, K. Yoshida, H. Maruta et al. // Nature. 1999.- Vol. 399. - Pp. 340-342.

51. F. Kokai, K. Takahashi, M. Yudasaka, S. Ijima // J. of Phys. Chem. В.— 1999. Vol. 103. - Pp. 8686-8693.

52. Radhakrishnan G., Adams P.M. Ц Appl Phys. A. 1999. - Vol. 69. -Pp. S33-S38.

53. Andreic Z., Aschke L., Kunze H. J. // Appl. Surf. Science. — 2000. — Vol. 153. Pp. 235-239.

54. Y. G. Mourzina, M. J. Schoning, J. Schubert et al. // Analytica Chimica Acta. 2001. - Vol. 433. - Pp. 103-110.

55. M. Weinelt, S. Schwarz, H. Baier et al. // Phys. Rev. B. 2001. - Vol. 63, no. 20. - P. 5413.

56. Rubahn H. G. in Laser Applications in Surface Science and Technology. — John Wiley and Sons, England, 1999.

57. Тарасенков В. Ф., Яковленко С. И. // Квантовая Электроника.— 1997. Т. 24, № 12. - С. 1145-1153.

58. Kik P. Energy transfer in erbium doped optical waveguides based on silicon. — Universiteit Utrecht, 2000. — Ph.D. thesis.

59. Тверьянович Ю. С. // Петербургский журнал электроники. — 1993. № 6. - С. 66-72.

60. Татка К. // Физ. и Техн. Полупр. 1998. - Т. 32, № 8. - С. 964-969.

61. Hamanaka Н., Тапака К., Isima S. // Sold State Commun. — 1977.— Vol. 23. Pp. 63-65.

62. Hasakuni H., Тапака K. // Opt. Lett. 1995. - Vol. 20. - Pp. 958-960.

63. M. Vlcek, C. Raptis, T. Wagner et al. // J. Non.-Cryst. Solids. 1995. -Vol. 192 & 193. - Pp. 669-673.

64. Shimakawa K., Kolobov A., Elliott S. R. // Adv. Phys.- 1995.-Vol. 44. Pp. 475-588.

65. Zallen R. The Physics of Amorphous Solids. — N.Y.: John Wiley&Sons, 1983.

66. К. Shimakawa, N. Yoshido, A. Ganjoo et al. // Philos. Mag. Lett.— 1998. Vol. 77. - Pp. 153-158.

67. P. Nemec, J. Jedelsky, M. Frumar, M. Munzar et al. //J. Non-Cryst. Solids. 2003. - Vol. 326 к 327. - Pp. 53-57.

68. Ston R., Vlcek M., Jain H. // J. Non-Cryst. Solids.- 2003,- Vol. 326 к 327. Pp. 220-225.

69. I. Noiret, J. Lefebvre, J. Schamps et al. //J. Phys.: Condens. Matter.— 2000. Vol. 12. - P. 2305-2316.

70. Ниобат лития / H. Сидоров, Т. Волк, Б. Маврин, В. Калинников.— Наука, 2003.

71. Lee S., Feigelson R. // J. Cryst. Growth. 1998. - Vol. 186. - Pp. 594606.

72. Bornand V., Gautier В., Pa-pet P. // Mater. Chem. Phys.- 2004. — Vol. 86. Pp. 340-346.

73. M. Ishihara, T. Nakamura, F. Kokai, Y. Koga // Diamond Relat. Mater. —2002,-Vol. 11.-Pp. 408-412.

74. Bornand V., Papet P. // Mater. Chem. Phys.- 2005.- Vol. 92.-Pp. 424-430.

75. Bornand V., Huet /., Papet P. // Mater. Chem. Phys.- 2002. — Vol. 77. Pp. 571-577.

76. M. Ishihara, T. Nakamura, F. Kokai, Y. Koga // Diamond Relat. Mater. —2003.-Vol. 12.-Pp. 1809-1813.

77. D. Lim, В. Jang, S. Moon et al. // Solid-State Electron.- 2001.— Vol. 45.-Pp. 1159-1163.

78. X. Wen, X. Jiang, L. Han, Y. Tan // Vacuum.- 2004,- Vol. 75.-Pp. 99-104.

79. D. Callejo, S. Manotas, M. Serrano et al. // J. Cryst. Growth. — 2001.— Vol. 226. Pp. 488-492.

80. Kim R.-H., Park H.-H., G.-T. J. // Appl. Surf. Sci. 2001. - Vol. 169170. - Pp. 564-569.

81. M. Takahashi, K. Yamauchi, T. Yagi et al. // Thin Solid Films. 2004. -Vol. 458.-Pp. 108-113.

82. Schwartz R., Schneller Т., Waser R. // C. R. Chimie. 2004. - Vol. 7. -P. 433-461.

83. V. Joshkin, K. Dovidenko, S. Oktyabrsky et al. // J. Cryst. Growth. — 2003. Vol. 259. - Pp. 273-278.

84. V. Bouquet, E. Leite, E. Longo et al. // J. Eur. Ceram. Soc.— 2001. — Vol. 21.-Pp. 1521-1524.

85. S. Hirano, T. Yogo, W. Sakamoto et al. Ц J. Eur. Ceram. Soc. — 2004. — Vol. 24. Pp. 435-440.

86. A. Simoes, A. Gonzalez, A. Ries et al. // Mater. Charact.— 2003. — Vol. 50. Pp. 239-244.

87. A. Simoes, M. Zaghete, B. Stojanovic et al. // Mater. Lett.— 2003.— Vol. 57. Pp. 2333-2339.

88. S. Hirano, Y. Takeichi, W. Sakamoto, T. Yogo Ц J. Cryst. Growth.2002. Vol. 237-239. - Pp. 2091-2097.

89. A. Simoes, M. Zaghete, B. Stojanovic et al. // J. Eur. Ceram. Soc. — 2004. Vol. 24. - Pp. 1607-1613.

90. N. Vasconcelos, J. Vasconcelos, V. Bouquet et al. // Thin Solid Films.—2003. Vol. 436. - Pp. 213-219.

91. Lam H., Dai J., Chan H. // J. Cryst. Growth.- 2004,- Vol. 268,-Pp. 144-148.

92. Lee G., Aiyer H. // Solid State Commun. 2001. - Vol. 118. - Pp. 441444.

93. R. Tomov, T. Kabadjova, P. Atanasov et al. // Vacuum.— 2000.— Vol. 58. Pp. 396-403.

94. A. Boulle, L. Canale, R. Guinebretiere et al. // Thin Solid Films.— 2003. Vol. 429. - Pp. 55-62.

95. Z. Ye, J. He, L. Ye et al. // Mater. Lett. 2002. - Vol. 55. - Pp. 265-268.

96. Lee G., Shin В., Min B. // Mater. Sci. Eng., В. 2002,- Vol. 95.-Pp. 137-140.

97. J. Chaos, A. Perea, J. Gonzalo et al. // Appl. Surf. Sci 2000.- Vol. 154-155. - Pp. 473-477.

98. M. Tagliente, L. De Caro, A. Sacchetti et al. // J. Cryst. Growth.— 2000. Vol. 216. - Pp. 335-342.

99. Hamanaka H., Tanaka К., Isima S. // Solid State Commun. — 1977. — Vol. 23. Pp. 63-65.

100. Galeener F. L., Leadbetter A. Y., Stringfellow M. W. // Phys. Rev. B. — 1983. Vol. 27. - Pp. 1052-1078.

101. Efimov A. M. // J. Non-Cryst. Solids. 1999. - Vol. 253. - Pp. 95-118.

102. Shuker R., Gammon R. W. // Phys. Rev. Lett.- 1970,- Vol. 25.-Pp. 222-225.

103. Kharlamov A. A., Almeida R. M., Heo J. // J. Non-Cryst. Solids.— 1996. Vol. 202. - Pp. 223-240.

104. M. Kruger, M. Soltwisch, I. Petscherizin, D. Quitmann // J. Chem. Phys. 1992. - Vol. 96. - Pp. 7352-7363.

105. Todorov R., Iliev Т., Petkov K. // J. Non-Cryst. Solids.- 2003.- Vol. 326 & 327. Pp. 263-267.

106. J. J. Ruiz-Perez, J. M. Gonzalez-Leal, D. A. Minkov, E. Marquez // J. Phys. D: Appl. Phys. 2001. - Vol. 34. - Pp. 2489-2496.

107. T. Wagner, J. Gutwifth, M. Krbal et al. // J. Non-Cryst. Solids. 2003. -Vol. 326 к 327. - Pp. 238-242.

108. Введение в интегральную оптику / Под ред. М. Барноски. — М.: Мир, 1977.

109. Heo J., Yoon J. М., Ryou S.-Y. // J. Non-Cryst. Solids.- 1998.- Vol. 238.-Pp. 115-123.

110. S. Amoruso, M. Armenante, R. Bruzzese et al. // Appl. Surf. Science.— 2003. Vol. 208-209. - Pp. 39-44.

111. Labazan I., Milosevic S. // Chem. Phys. Lett.- 2002,- Vol. 352.~ Pp. 226-233.

112. Duffour E., Malfreyt P. // Polymer. 2004. - Vol. 45. - Pp. 4565-4575.

113. Анисимов С.И. Лукъянчук Б. С. // Успехи физических наук.— 2002. Т. 172, № 3. - С. 301-333.

114. Волоконно оптические линии связи / Под ред. С. В. Свечникова, JI. М. Андрушко. — Киев: Техника, 1988.

115. Oeffner R. D., Elliott S. R. // Phys. Rev. B. 1998. - Vol. 58, no. 22. -P. 14791-14803.

116. Mernagh T. P., Liu L. g. // Phys. Chem. Minerals.- 1997.-Vol. 24.-Pp. 7-16.

117. Kim Y., Saienga J., Martin S. // J. Non-Cryst. Solids. 2005,- Vol. 351.-Pp. 1973-1979.

118. B. Mihailova, I. Savatinova, I. Savova, L. Konstantinov // Solid State Comm. 2000. - Vol. 116. - Pp. 11-15.

119. Bornand V., Gautier В., Papet P. // Mat. Chem. Phys.- 2004,-Vol. 86. Pp. 340-346.

120. Bornand V., Huet I., Papet P. // Mat. Chem. Phys. 2002. - Vol. 77. -Pp. 571-577.

121. Natl. Bur. Stand. 1968. - Vol. 6, no. 25. - P. 22.

122. Schweizer H., Gruehn R. // Z. Naturforsch., B: Anorg. Chem., Org. Chem. 1982. - Vol. 37. - Pp. 1361-1368.

123. West A. ICDD Grant in Aid. Old Aberdeen, Scotland: University of Aberdeen, 1985.