Методика проектирования мощных стабильных, перестраиваемых по частоте транзисторных каскадов высокочастотных автогенераторных устройств тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.12.04, кандидат наук Лищишин, Виктор Петрович

• Лищишин, Виктор Петрович
• кандидат наук
• 2013

Оглавление диссертации кандидат наук Лищишин, Виктор Петрович

ОГЛАВЛЕНИЕ

Введение

1 Обзор и анализ методов построения транзисторных автогенераторов

1.1 Современное состояние и перспективы развития транзисторных активных приборов генераторных устройств

1.2 Использование составных активных приборов

для проектирования мощных автогенераторных устройств

1.3 Анализ эквивалентных схем

современных автогенераторных устройств

1.4 Способы перестройки частоты автогенераторов

2 Составные активные приборы с контролируемой в полосе рабочих частот устойчивостью и генераторные устройства на их основе

2.1 Частотные свойства нелинейных резонансных усилителей мощности ВЧ, ОВЧ-диапазонов с низко добротными цепями согласования

2.2 Частотные свойства каскадов с разделенной

нагрузкой, работающих в диапазоне рабочих частот

2.3 Фазовые соотношения токов в общей нагрузке генераторных каскадов на составных активных приборах,

при работе последних в пределах рабочей полосы частот

2.4 Перспективные схемы генераторов с внешним возбуждением

на составных активных приборах

3 Построение мощных стабильных, перестраиваемых по частоте автогенераторов с линией задержки на поверхностных акустических волнах на составных активных приборах

3.1 Математическая модель линии задержки на поверхностных акустических волнах

3.2 Перестраиваемые по частоте автогенераторы с линией задержки на поверхностных акустических волнах на составном активном приборе с контролируемой в полосе рабочих частот устойчивостью

3.3 Укороченные уравнения. Энергетические соотношения в цепях мощных стабильных, перестраиваемых по частоте автогенераторов с линией задержки на поверхностных акустических волнах на составном активном приборе с контролируемой

в полосе рабочих частот устойчивостью

3.4 Расширение полосы перестройки частоты автогенераторов

с линией задержки на поверхностных акустических волнах на составном активном приборе с контролируемой в полосе рабочих частот устойчивостью

3.5 Методика и пример инженерного расчета мощных стабильных, перестраиваемых по частоте автогенераторов с линией задержки на поверхностных акустических волнах на составном активном приборе

с контролируемой в полосе рабочих частот устойчивостью

4 Экспериментальные исследования мощных стабильных, перестраиваемых по частоте автогенераторов, построенных на составных активных приборах

4.1 Моделирование составных активных приборов

в среде Micro-Cap

4.2 Моделирование автогенератора с запаздывающей

обратной связью в среде Micro-Cap

4.3 Результаты натурного моделирования автогенератора с запаздывающей обратной связью на составном активном приборе с контролируемой в полосе рабочих частот устойчивостью

Заключение

Библиографический список

Приложения:

Приложение А. Сокращения и аббревиатуры,

встречающиеся в тексте диссертации

Приложение Б. Блок-схема алгоритма вычислений, соответствующих методике расчета транзисторного резонансного

усилителя мощности, работающего в нелинейном режиме

Приложение В. Программа расчета параметров нелинейного резонансного усилителя мощности, построенного по схеме с общим эмиттером, работающего в полосе частот, равной полосе пропускания его

колебательных систем в среде MatLab

Приложение Г. Блок-схема алгоритма методики расчета каскада с

разделенной нагрузкой, работающего в полосе рабочих частот

Приложение Д. Программа расчета параметров каскада с разделенной нагрузкой, работающего в полосе частот, равной полосе пропускания

его колебательных систем в среде MatLab

Приложение Е. Перечень параметров, характеризующих транзистор в

среде схемотехнического моделирования Micro-Cap

Приложение Ж. Протокол испытаний лабораторного образца мощного автогенератора с линией задержки на поверхностных

акустических волнах

Приложение И. Патент РФ на изобретение «Автогенератор»

Приложение К. Акты внедрения результатов диссертации

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Методика проектирования мощных стабильных, перестраиваемых по частоте транзисторных каскадов высокочастотных автогенераторных устройств»

ВВЕДЕНИЕ

При разработке радиотехнических устройств, в том числе средств подвижной и фиксированной связи, ВЧ и ОВЧ-диапазонов большое внимание уделяется улучшению энергетической эффективности, надежности мощных каскадов радиопередающих устройств, а также снижению их массогабаритных показателей.

В технической литературе описываются стабильные по частоте автогенераторы (АГ), используемые в генераторных и радиопередающих устройствах, выполняемые на различных типах транзисторных активных приборов [1...12].

Вопросам разработки генераторных устройств, в том числе, стабильных АГ, посвятили свои работы С.И. Евтянов, М.С. Нейман, О.В. Алексеев, Г.Б. Альтшуллер, М.В. Благовещенский, В.М. Богачев, С.И. Бычков, А.А. Дворников, С.А. Дробов, В.И. Каганов, В.Н. Кулешов, А.Ф. Плонский, Ю.И. Судаков, Г.М. Уткин, В.В. Шахгильдян, Г.Т. Шитиков, М. Левис, Р. Митчелл, Т. Паркер, П. Хартманн и другие.

Выходная мощность автогенераторов на одиночных транзисторах (ОТ), со стабилизирующим частоту кварцевым резонатором (КР) на объемных типах колебаний, составляет, как правило, единицы мВт (ограничивается допустимой мощностью рассеивания на КР). Также при использовании АГ с таким КР в генераторных устройствах ВЧ и ОВЧ-диапазонов требуется включать в состав аппаратуры умножители частоты, что нарушает чистоту спектра сигнала, повышает массогабаритные показатели и снижает КПД генераторных устройств в целом.

При использовании для стабилизации частоты АГ резонатора или линии задержки на поверхностных акустических волнах (ПАВ) решается задача повышения вибропрочности и, частично, снижения массогабаритных показателей (из-за отсутствия умножителей частоты) [13], но при этом выходная мощность АГ остается на уровне десятков мВт при условии использования одиночного транзистора в качестве его активного прибора.

Таким образом, для создания генераторного устройства с мощными высокостабильными выходными колебаниями необходимо использовать в нём большое количество усилительных каскадов, что приводит к увеличению габаритов аппаратуры и сложности ее настройки.

Одним из способов улучшения вышеприведённых параметров является использование в источниках стабильных колебаний составных активных приборов (САП), представляющих собой два и более ОТ, соединенных по составной схеме с нарастающей от входа к выходу структуры номинальной мощностью [14]. Это позволяет существенно повысить выходную мощность таких автогенераторных каскадов, как следствие, значительно сократить количество промежуточных каскадов усиления в таких генераторных трактах и, таким образом, улучшить энергетические показатели генераторной и радиопередающей аппаратуры, снизить ее габариты, повысить надежность, упростить настройку и уменьшить затраты на ее эксплуатацию.

В настоящее время в технической литературе описаны мощные АГ на САП с КР, как на объемных типах колебаний, так и на ПАВ, работающие на фиксированных частотах [15, 16]. Однако, в радиотехнических устройствах и системах часто необходимо осуществлять перестройку частоты задающих АГ для обеспечения их диапазонных свойств.

До настоящего времени вопросы проектирования и расчета основных параметров мощных стабильных, перестраиваемых по частоте автогенераторов на САП с устройством на ПАВ в качестве стабилизирующего частоту элемента изучены не были.

В связи с этим работа по исследованию мощных стабильных, перестраиваемых по частоте транзисторных каскадов высокочастотных автогенераторных устройств безусловно актуальна.

Целью данной работы является разработка новых схемотехнических решений транзисторных высокочастотных автогенераторных каскадов с расширенным диапазоном перестройки, повышенной температурной стабильностью частоты и выходной мощностью, составляющей единицы Вт.

Поставленная цель предполагает решение следующих задач:

1) разработка методики, позволяющей анализировать нелинейные однокаскадные транзисторные резонансные усилители мощности (ТРУМ) с низкодобротными цепями согласования (ЦС) в полосе рабочих частот;

2) проведение анализа фазовых соотношений токов в общей нагрузке генераторных каскадов на САП при работе последних в пределах рабочей полосы частот;

3) проведение частотного анализа каскадов на составных активных приборах. Разработка структуры составных активных приборов с контролируемой в полосе рабочих частот устойчивостью (САП с КУ), предназначенных для использования в ТРУМ и АГ;

4) исследование энергетических соотношений в цепях автогенератора с линией задержки на ПАВ на САП с КУ в установившемся режиме;

5) проведение теоретического анализа эффектов расширения полосы перестройки и уменьшения относительной температурной нестабильности частоты генерируемых колебаний мощных автогенераторов с линией задержки на ПАВ на САП с КУ;

6) разработка методики расчета мощного стабильного, перестраиваемого по частоте автогенератора с линией задержки на ПАВ на САП с КУ;

7) проведение численного моделирования и экспериментального исследования усилителей мощности и автогенераторов на САП с КУ.

Для проведения теоретических исследований в диссертационной работе использовались матричный метод, методы нелинейной теории колебаний, теории электрических цепей. Численное математическое моделирование осуществлялось в программе MatLab, а схемотехническое - в среде Micro-Cap.

Результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на следующих конференциях:

1) 38-й научно-технической конференции РГРТА, Рязань, РГРТА, 2004г;

2) Научно-технической конференции молодых ученых, аспирантов и

студентов, посвященной 100-летию со дня рождения М.С. Неймана, Москва, МАИ, 2005г.;

3) Всероссийском научно-практическом семинаре «Сети и системы связи», Рязань, Рязанское высшее военное командное училище связи, 2005 г.;

4) 5-ой Международной конференции «Авиация и космонавтика - 2006», Москва, МАИ, 2006 г.;

5) Межвузовской научно-технической конференции студентов, аспирантов и молодых ученых «Системы управления и передачи информации», СПб, Балтийский гос. техн. университет, 2007г.;

6) 2-ой Международной конференции «Акустооптические и радиолокационные методы измерений и обработки информации», Москва, РНТО РЭС им. А. С. Попова, 2007г.;

7) Межвузовской научно-технической конференции студентов, аспирантов и молодых ученых «Системы управления и передачи информации», СПб, Балтийский гос. техн. университет, 2009г.;

8) 41-й научно-технической конференции РГРТУ, Рязань, РГРТУ, 20 Юг;

9) Научно-технической конференции молодых специалистов ОАО ГРПЗ, Рязань, ОАО «Государственный Рязанский приборный завод», 2012г.;

По теме диссертационной работы опубликовано 13 работ, из них 2 статьи в центральной печати, 3 статьи в сборниках научных трудов, 1 депонированная статья, 6 тезисов докладов на научно-технических конференциях, получен патент РФ на изобретение (см. Приложение И).

Результаты диссертационной работы внедрены в производственный процесс Государственного Рязанского приборного завода, учебный процесс Рязанского Государственного радиотехнического университета, что подтверждается соответствующими актами (см. Приложение К).

Диссертационная работа состоит из введения, четырех глав, заключения, библиографического списка из 124 наименований и 9 приложений. Она содержит 285 листов, в том числе 152 листа основного текста, 78 рисунков, 7 таблиц.

1 ОБЗОР И АНАЛИЗ МЕТОДОВ ПОСТРОЕНИЯ ТРАНЗИСТОРНЫХ АВТОГЕНЕРАТОРОВ

1.1 Современное состояние и перспективы развития транзисторных активных приборов генераторных устройств

За последнее десятилетие достигнут значительный прогресс в совершенствовании характеристик полупроводниковых приборов [17...22].

В настоящее время в радиотехнике в области диапазонов частот от единиц мегагерц до десятков гигагерц и мощностей от милливатт до сотен Ватт используются разнообразные полупроводниковые технологии и материалы. Основными типами транзисторов, применяемых для усиления и генерации колебаний в этой области, являются традиционные полевые и биполярные транзисторы, полевые транзисторы с затвором Шотки, а также полевые (НЕМТ) и биполярные (НВТ) транзисторы с гетеропереходом [23...29].

Основными тенденциями развития современных транзисторов являются:

а) снижение напряжения питания при сохранении на прежнем уровне или увеличении выходной мощности;

б) повышение рабочих частот;

в) расширение полосы рабочих частот.

Данные задачи успешно решаются за счет применения новых технологий и материалов.

Современные биполярные и полевые транзисторы, изготовленные на основе кремния, обладают приемлемыми характеристиками в области диапазонов частот до 3 ГГц и успешно конкурируют с транзисторами на арсенид галлии в этом диапазоне частот. Достоинства кремниевых приборов заключаются в низкой стоимости пластин, отработанности технологии производства, относительной простоте интеграции аналоговых и цифровых схем на одном кристалле, а недостатки - в низкой плотности мощности и

низкой линейности характеристик. Приборы на основе арсенида галлия успешно применяются в СВЧ диапазоне, так как данный материал обладает более высокой подвижностью электронов (8500 см /(В-с)) по сравнению с кремнием (1350 см /(В-с)), большей шириной запрещенной зоны и напряженностью поля пробоя — 1,42 эВ и 4-105 В/см соответственно.

В области мощных кремниевых полевых транзисторов лидируют приборы, произведенные по технологии «МОП с боковой диффузией» [17]. Принципиальное ее отличие от традиционной МОП-технологии состоит в несимметричной структуре транзистора. Такие транзисторы обладают повышенным напряжением пробоя и минимальной паразитной емкостью. В 2000 г. компания Motorola представила транзистор, изготовленный по технологии «МОП с боковой диффузией», с пробивным напряжением исток-подложка - 65 В. На частоте 2,12 ГГц выходная мощность составила 220 Вт при КПД, равном 46 %. Типичным современным транзистором, изготовленным по технологии «МОП с боковой диффузией», является прибор SLD-2083CZ компании Sirenza Microdevices. Он предназначен для работы в диапазоне частот от 300 МГц до 2,2 ГГц с усилением 18 дБ и выходной мощностью 10 Вт, при этом его пороговое напряжение затвор-сток составляет 3,8 В, а напряжение пробоя - 65 В.

Сравнивая данные по биполярным и полевым транзисторам, выделим основные преимущества последних [17 ...19]:

1) в управляющей цепи полевых транзисторов практически не происходит потерь энергии;

2) более низкий уровень собственных шумов, что связано с отсутствием инжекции и свойственных ей флуктуаций. В создании тока участвуют заряды только одного знака, что также исключает появление рекомбинационного шума;

3) более высокое быстродействие, так как в них нет инерционных процессов накопления и рассасывания носителей заряда;

4) высокая помехоустойчивость;

5) более высокое входное сопротивление, поэтому на основе полевых транзисторов можно создать схемы с крайне низким потреблением энергии в статическом режиме. Полевые транзисторы более пригодны для построения широкополосных схем;

6) нет ограничения на нижнюю рабочую частоту.

Также отметим у полевых транзисторов меньшую зависимость их свойств от температуры, отрицательный температурный коэффициент тока стока, отсутствие вторичного пробоя, низкую чувствительность к токовым перегрузкам, что значительно повышает надежность схем [17].

В результате, все большое число разработчиков отдает предпочтение мощным полевым транзисторам.

Одними из самых распространенных в настоящее время типов СВЧ-транзисторов являются транзисторы с гетеропереходом: биполярный (НВТ) и полевой (НЕМТ), при этом такие транзисторы могут работать в области частот, начиная с 50 МГц.

Достоинствами транзисторов с гетеропереходом являются:

а) высокие значения граничной частоты;

б) большая на 15 ... 20 % по сравнению с арсенид-галлиевыми транзисторами с барьером Шотки крутизна вольт-амперной характеристики;

в) низкое управляющее напряжение базы;

г) малый уровень шумов;

д) малая выходная проводимость,

при этом собственный коэффициент усиления по напряжению может достигать 50 единиц и более [17].

Вследствие своей конструкции НВТ обладают сниженными сопротивлением базы, емкостями база-эмиттерного перехода и участка коллектор-подложка. Основными преимуществами НВТ по сравнению с обычным биполярным транзистором являются подавление инжекции неосновных носителей в эмиттер, более высокое быстродействие.

Биполярные транзисторы с гетеропереходом применяются на частотах до 6 ГГц в тех случаях, когда не требуется высокая линейность передаточных характеристик. Отметим, что на частотах до 1 ГГц выходная мощность биполярных транзисторов значительно выше мощности, которую могут обеспечить полевые транзисторы. Например, при работе в режиме АВ, выходная мощность биполярных транзисторов может составлять несколько сот Ватт, а полевых - до 90 Вт. Однако, даже при их более высокой стоимости, по сравнению с биполярными, полевые транзисторы с гетеропереходом нашли широкое применение в каскадах усилителей в диапазонах частот до 32 ГГц и выходными мощностями до десятков Ватт, обеспечивая большую линейность характеристик и обладая достаточным коэффициентом усиления [18].

Отметим, что на частотах от 6 до 18 ГГц хорошо показали себя полевые транзисторы с барьером Шотки, которые превосходят биполярные транзисторы по уровню выходной мощности [17].

Одним из лидеров в развитии промышленной ЯЕМГ-технологии выступает компания TriQuint Semiconductor, которая уже создала НЕМТ с граничной частотой ft - 52 ГГц при напряжении пробоя - 13 В. Оптимальное рабочее напряжение данного транзистора - 6 В.

Более лучшие характеристики НЕМТ можно получить, используя новые материалы: фосфид индия InP, карбид кремния SiC, нитрид галлия GaN. Использование этих материалов в транзисторах приводит к увеличению пробивного напряжения, росту граничной частоты и крутизны, повышению линейности характеристик и уменьшению размеров кристалла [19].

Фосфид индия InP имеет более высокую по сравнению с арсенид галлия GaAs теплопроводность, что важно при использовании в мощных устройствах. Одним из важных преимуществ таких транзисторов по сравнению с изготовленными на основе арсенид галлия GaAs является увеличение оптимального импеданса стока, что значительно облегчает его согласование с нагрузкой. Недостатком транзисторов, изготовленных на

основе широкозонных материалов, является высокая стоимость и недостаточная промышленная освоенность.

В настоящее время в некоторых радиотехнических приложениях достаточно широко применяются транзисторы Дарлингтона. Они находят свое применение в качестве коммутирующих устройств (ключевых каскадов), не требующих высокой скорости переключений, мощных усилительных каскадах с большими выходным токами на низких частотах.

Транзисторы Дарлингтона имеют ряд преимуществ по сравнению с обычными транзисторами:

а) большой коэффициент усиления по току - 100 ... 1000 единиц (у обычных транзисторов - 10 ... 100 единиц);

б) большое входное сопротивление;

в) высокую линейность характеристик;

г) меньшие габариты каскада на транзисторе Дарлингтона, чем у двухкаскадного усилителя.

Но также транзисторы Дарлингтона обладают и недостатками:

а) вследствие высокого коэффициента усиления необходимо осторожно использовать обратную связь (например, при использовании в АГ) из-за возможности паразитного самовозбуждения;

б) невозможность работы на высоких частотах, так как выходные токи первого и второго транзисторов в связке Дарлингтона в этом случае складываются в нагрузке не синфазно (ток второго транзистора отстает от тока первого приблизительно на 80 °). В результате выходная мощность получается ниже расчетной; по этой же причине транзистор Дарлингтона не может эффективно работать в полосе частот, равной полосе пропускания согласующих цепей каскада, где он используется или стабилизирующего частоту элемента при использовании транзистора Дарлингтона в АГ.

В настоящее время выпускается более 1000 различных типов монолитных транзисторов Дарлингтона более, чем 50 зарубежными и российскими производителями.

Транзисторы Дарлингтона серийно выпускаются не только на основе обычных транзисторов, но и на основе НВТ.

Например, компания Freescale Semiconductor представила семейство усилительных приборов на основе InGaP НВТ, включенных по схеме Дарлингтона. Один из представителей семейства - прибор MMG3013NT1 имеет коэффициент усиления до 20 дБ и позволяет получить выходную мощность в 110 мВт в диапазоне частот от 0 до 6 ГГц.

Исходя из изложенного, в настоящее время на частотах до 1 ГГц целесообразно применять традиционные биполярные и полевые транзисторы, (хорошо отработанные в производстве, имеющие приемлемую стоимость, удовлетворяющие предъявляемым требованиям) и, только при невозможности использования в схемах обычных транзисторов, вследствие их ограничений, применять транзисторы с гетеропереходом.

Использование транзисторов Дарлингтона в усилительных и генераторных каскадах позволило бы получить радиотехнические устройства с меньшими габаритами (что соответствует современной тенденции уменьшения массогабаритных показателей) и лучшими характеристиками, чем при использовании обычных транзисторов. Такие устройства с выходной мощностью в десятки Ватт в диапазоне частот до 2 ГГц можно было бы использовать, например, в базовых станциях сотовой связи.

Однако данные перспективы ограничиваются имеющимися недостатками транзисторов Дарлингтона, а также тем, что в современных разработках оба транзистора связки Дарлингтона работают в режиме класса А, что энергетически не эффективно.

Поэтому несомненную актуальность представляет решение следующих задач:

1) перевод обоих транзисторов связки Дарлингтона или хотя бы выходного в режим с отсечкой выходного тока (режим класса В);

2) получение схемотехнических решений, позволяющих повысить устойчивость усилительных каскадов построенных на основе связки

Дарлингтона, во всем диапазоне рабочих частот;

3) получение инженерной методики расчета усилителей мощности на транзисторе Дарлингтона при работе данного усилителя во всем диапазоне рабочих частот, позволяющая контролировать устойчивость в данном диапазоне.

В настоящее время в литературе появляются сведения о работах по модернизации транзистора Дарлингтона с целью использования его в диапазоне частот вплоть до нескольких десятков гигагерц [20, 21].

Транзистор Дарлингтона здесь используется в режиме класса В, а для увеличения диапазона рабочих частот в коллекторную цепь введен фильтр нижних частот (ФНЧ). Работоспособность усилителя на таком транзисторе подтверждается компьютерным моделированием и натурным экспериментом.

Однако при использовании такой схемы в широкой полосе частот фазовая характеристика контура изменяется на я/2, что приведет к неоптимальному сложению выходных токов обоих транзисторов связки Дарлингтона в общей нагрузки каскада, особенно на краях полосы пропускания фильтра и, соответственно, снижению выходной мощности на данных частотах в нагрузке.

1.2 Использование составных активных приборов для проектирования мощных автогенераторных устройств

Теоретические и экспериментальные исследования генераторных ВЧ каскадов, выполненных на основе мощных составных транзисторов, проводились на кафедре радиотехнических устройств Рязанского Государственного радиотехнического университета под руководством профессора Ю.И. Судакова. В ходе этих исследований были получены схемы структур САП - биполярных и гибридных составных транзисторов (СТ) с

дополнительными режимными элементами, обеспечивающими возможность их работы на частотах ВЧ и ОВЧ-диапазонов, разработаны методы проектирования и расчёта генераторных каскадов на таких САП, в том числе, генераторов с внешним возбуждением, умножителей частоты и автогенераторов с элементами на поверхностных акустических волнах, была осуществлена экспериментальная проверка этих каскадов. Основные результаты проделанных в этой области исследований были опубликованы в работах [4, 14... 16, 22, 30...64].

Использование САП в генераторных и радиопередающих устройствах позволяет достаточно эффективно решать вопросы уменьшения габаритов аппаратуры за счёт сокращения числа каскадов усиления и умножения частоты, а иногда и исключения их.

Однако, проведенные исследования охватывают только АГ на САП, работающие на фиксированной частоте.

Создание устройств с использованием САП можно вести на:

1) биполярных составных транзисторах (БСТ);

2) полевых составных транзисторах (ПСТ);

3) гибридных составных транзисторах (ГСТ), в которых входным является менее мощный полевой транзистор, а выходным - более мощный биполярный транзистор.

Широкая номенклатура возможных вариантов СТ удовлетворяет самым различным требованиям, предъявляемым к активным приборам (АП). Применение одиночных транзисторов в качестве АП для мощных АГ не целесообразно по следующим причинам [45, 51]:

а) ОТ на средних, по сравнению с граничной, частотах обладают невысокими значениями коэффициента усиления по мощности - КР (как

ОТ

правило, КР не более 10... 30 единиц) при удовлетворительной устойчивости. Это заставляет делать достаточно большой величину положительной обратной связи (ПОС), необходимую для возбуждения автогенератора, то есть требуется подача значительной доли мощности из

коллекторной цепи автогенератора в базовую цепь. Данное обстоятельство приводит к росту мощности, рассеиваемой на стабилизирующем частоту элементе и превышению ей предельно допустимых значений, предусмотренных [65, 66], уже при мощности, отдаваемой автогенератором в нагрузку порядка долей и единиц Ватт. При этом ухудшается стабильность частоты, снижается надежность всего автогенератора в целом;

б) вследствие низкого КПД, так как коэффициент усиления ОТ по мощности мал;

в) входная проводимость транзистора увеличивается с ростом мощности. ОТ шунтирует резонатор (в схемах осцилляторного типа) и, таким образом, снижает его стабилизирующие свойства;

г) в мощных автогенераторах на ОТ часто более трудно, чем в маломощных автогенераторах, решаются вопросы выполнения условий их мягкого самовозбуждения.

Вышеперечисленные обстоятельства приводят к одному из возможных решений: выполнять мощные источники радиочастотных колебаний на САП [38]. САП схемно представляет собой составное соединение двух и более отдельных транзисторов с нарастающей у каждого из них к выходу структуры СТ номинальной мощностью, причем транзисторы подбираются с примерно равными граничными частотами. Возможные варианты построения структур САП подробно рассмотрены в [35]. При рассмотрении усилительных свойств БСТ и оценки их использования в однокаскадных автогенераторах повышенной и большой мощности и в каскадах усиления доказано, что перспективными для применения в названных каскадах являются сдвоенные БСТ со структурами: общий эмиттер (ОЭ) - ОЭ (рисунок 1.1а), общий коллектор (ОК) - ОЭ и строенные БСТ со структурами: ОЭ - ОЭ - ОЭ (рисунок 1.16) и ОК - ОЭ - ОЭ. При рассмотрении полевых транзисторов (ПТ) и САП на них, пригодными для использования являются структуры: общий исток (ОИ) — ОИ (рисунок 1.1 в) и общий сток (ОС) - ОИ для сдвоенных полевых СТ и ОИ - ОИ - ОИ и ОС -

ОИ - ОИ для строенных ПСТ (рисунки 1.1 г и 1 Лд). Для гибридных составных транзисторов перспективны структуры: ОИ - ОЭ и ОС - ОЭ для сдвоенных ГСТ и ОИ - ОЭ - ОЭ и ОИ - ОЭ - ОЭ для строенных ГСТ (рисунок l.le) [35].

САП работает в режиме усиления или генерации ВЧ колебаний следующим образом. На входные электроды САП подаются напряжение смещения и ВЧ колебание, в момент действия положительной полуволны которого VT1 открывается и через базу VT2 начинает протекать отпирающий ток, вызывающий накапливание в слое базы VT2 неосновных носителей заряда и появление коллекторного тока VT2, который во много раз превышает ток через транзистор VT1. Отрицательная полуволна входного ВЧ колебания запирает VTI, что препятствует удалению остаточного заряда неосновных носителей из базы VT2 и его запиранию. После запирания VT\ начинает работать режимная цепь, удаляющая из цепи базы VT2 остаточный заряд неосновных носителей и, тем самым, надежно его закрывающая. Режимная цепь может быть выполнена с использованием резисторов, диодов, диодно-дроссельных цепей, дополнительного маломощного источника питания, полярность которого противоположна полярности источника питания коллекторной цепи САП, а также с использованием маломощного полевого или биполярного транзистора, который в этом случае называется режимным транзистором [22, 30...64]. Из сказанного выше следует, что работу БСТ и ГСТ можно рассматривать как процесс управления зарядом неосновных носителей в базе VT2 при помощи транзистора VT1 (накапливание заряда) и режимной цепи (принудительное удаление заряда). Так, например, в указанных выше работах теоретически и экспериментально показано, что отсутствие режимной цепи даже на низких частотах (по сравнению с рабочими частотами используемых в САП одиночных транзисторов) приводит к резкому падению амплитуды первой гармоники и увеличению постоянной составляющей тока коллектора VT2 и всего САП в целом. В то же время использование режимной цепи для управления

Список литературы диссертационного исследования кандидат наук Лищишин, Виктор Петрович, 2013 год

БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК

1. Плонский А.Ф., Медведев В.А., Якубец-Якубчик Л.Л. Транзисторные автогенераторы метровых волн, стабилизированные на механических гармониках кварца. - М.: Связь, 1969;

2. Шитиков Г.Т., Цыганков П.Я., Орлов О.М. Высокостабильные кварцевые автогенераторы. Под ред. Шитикова Г.Т. - М.: Сов. Радио, 1974;

3. Дворников А.А., Уткин Г.М. Автогенераторы в радиотехнике. - М.: Радио и связь, 1991. - 224 е.: ил.;

4. Судаков Ю.И., Елистратов Н.Ф., Чистяков И.Н. Мощные однокаскадные кварцевые автогенераторы на составных транзисторах // Вопросы радиоэлектроники. Серия общетехническая. - М., 1978. Вып. 9;

5. Огурцов В.И., Брицын К.И., Акпамбетов В.Б., Карпеев Д.В. Экспериментальное исследование автогенератора с линией задержки АПВ в цепи обратной связи // Труды МЭИ. Вып. 397 / Моск. энергет. ин-т, 1979;

6. Завражнов Ю.В. Мощный автогенератор для лабораторных исследований // Теория и техника радиосвязи - М., 2010, №2;

7. Montress G.K., Parker Т.Е., and Andrea D. Review of SAW Oscillator Performance, in Pros. 1994 IEEE Ultrason. Symp., pp. 43-54;

8. Rhea, Randall W. Discrete Oscillator Design: Linear, Nonlinear, Transient, and Noise Domains, Norwood, MA: Artech House, Inc, 2010;

9. Westra, Jan R., Verhoeven, Chris J.M., van Roermund, Arthur H.M., Oscillators and Oscillator Systems: Classification, Analysis and Synthesis, Published by Kluwer Academic Publishers, The Netherlands, 1999;

10. Furuhata M., Yajima A., Goto K., Sato H., Funasaka Т., Kawano S., Fujii S., Higuchi Т., Ueno M. Development of Monolithic CMOS-SA W Oscillator, in Pros. 2005 IEEE Ultrason. Symp., pp. 2194-2197;

11. Головков А.А., Рагозин A.B. Математическое и схемотехническое моделирование генераторов и частотных модуляторов с вариантами включения последовательного соединения трехполюсного нелинейного элемента и цепи обратной связи перед резистивным четырехполюсником и

после него//Электромагнитные волны и электронные системы-М., 2012, № 1;

12. Кмита A.M., Кундин А.П., Мальцев О.А. Перестраиваемый ВЧ генератор на основе ПАВ резонатора // Радиотехника. — 1984, №7. — с. 63-64;

13. Дворников А.А., Огурцов В.И., Уткин Г.М. Стабильные генераторы с фильтрами на поверхностных акустических волнах. — М.: Радио и связь, 1983.- 136 е., ил.;

14. А. с. 1424115 СССР. Высокочастотный составной транзистор / Ю.И. Судаков, А.С. Богданов, Д.Я. Нагорный. № 4135391/24-09; Заявл. 17.10.86; Опубл. 1988. Бюл. № 34;

15. Судаков Ю.И., Петров Е.А. Гибридные составные транзисторы в каскадах мощных кварцевых генераторов // Радиотехника. - М. 1988. № 2;

16. Судаков Ю.И., Богданов А.С. Мощные автогенераторы с элементами на ПАВ // Стабилизация частоты: Тез. докл. Всесоюзной школы-совещания. М.: ВНИМИ, 1989;

17. Светцов В.И. Физическая электроника и электронные приборы: учеб. пособие / В.И. Светцов, И.В. Холодков; Иван. гос. хим.-технол. ун-т. -Иваново, 2008. - 494с.;

18. Юрков Р.И. Электронные компоненты для беспроводной связи на базе кремниево-германиевой технологии // Компоненты и технологии - М., 2006. №11;

19. Кищинский А.А. Микроволновые транзисторные усилители мощности - состояние и перспективы развития // 14th Int. Crimean Conference "Microwave and Telecommunication Technology" - Ukraine, 13-17 September 2004. - Sevastopol;

20. Стукач O.B. Форсирование характеристик сверхширокополосного усилителя // Известия Томского политехнического университета, 2005. -т.308 - № 6. - с. 150-152;

21. Stukach O.V. A Novel Darlington Amplifier Optimized for Wideband //In the Proceedings of the 1st European Wireless Technology Conference -Netherlands, 28-29 Oct. 2008. - Amsterdam: TU Amsterdam, 2008. - c. 155-157;

22. Мощные каскады современных генераторных устройств на сложных активных приборах типа составной транзистор // Судаков Ю.И., Нагорный Д.Я., Богданов А.С., Другов С.А., Степашкин В.А., Дворянинов С.М. / Сб. науч. тр. /Моск. энерг. ин-т. 1988. № 180. с. 103-110;

23. Advances in Surface Acoustic Wave Technology, Systems and Applications: Volume 2, edited by Clemens C. W. Ruppel, Tor A. Fjeldly, World Scientific Publishing Co. Pte. Ltd, 2001;

24. Vuolevi Joel, Rahkonen Timo. Distortion in Rf Power Amplifiers. Norwood, MA: Artech House, Inc, 2003;

25. Hollister, Allen L. Wideband amplifier design /Allen L. Hollister, Scitech Publishing, Inc., USA, 2007;

26. Advanced design techniques for RF power amplifiers. A. Rudiakova, V. Krizhanovski, Springer, The Netherlands, 2006;

27. Cripps S. C., Advanced Techniques in Rf Power Amplifier Design, Norwood, MA: Artech House, Inc, 2002;

28. Raghavan Arvind, Srirattana Nuttapong, Laskar Joy. Modeling and Design Techniques for RF Power Amplifiers. Published by John Wiley & Sons, Inc, Hoboken, New Jersey, Canada, 2008;

29. Lewis M. The surface acoustic wave oscillator — A natural and timely development of the quartz crystal oscillator. — Proc. 28-th annual frequency control symp. - Atlantic City, 1974. —p. 304;

30. Судаков Ю.И., Нагорный Д.Я. Мощные транзисторные LC-автогенераторы на основе фазированных усилителей мощности // Радиотехника, 1989. № 4. С. 26-28;

31. Судаков Ю.И. Транзисторные кварцевые автогенераторы повышенной мощности и пути миниатюризации и оптимального конструирования транзисторных радиопередатчиков / Рязан. радиотехн. ин-т., Рязань, 1978. 22 с. Деп. РЖ «ВТЭ», Сер. О, 1978. Вып. 4. № Д03292;

32. Петров Е.А. Разработка и исследование мощных однокаскадных кварцевых автогенераторов на гибридных составных транзисторах: Дисс...

канд. техн. наук. Рязань: РРТИ, 1987. 283 с;

33. Чистяков И.Н. Разработка и исследование осцилляторных кварцевых автогенераторов повышенной мощности на составных транзисторах: Дисс... канд. техн. наук. Рязань: РРТИ, 1984. 273 с;

34. Богданов A.C. Мощные однокаскадные автогенераторы с элементами на поверхностных акустических волнах: Дис... канд. техн. наук. Рязань: РРТИ, 1989. 281 с;

35. Судаков Ю.И., Елистратов Н.Ф., Чистяков И.Н. Анализ и оценка схем структур составных транзисторов, пригодных для мощного генераторо-и радиопередатчикостроения / Рязан. радиотехн. ин-т. Рязань, 1982. 38 с. Деп. вВИМИ, 1983. № 3-7210;

36. A.c. № 1748252 СССР. Синхронизированный автогенератор/ Ю.И. Судаков, Е.А. Петров. Опубл. 15.07.92. Бюл. №26;

37. Судаков Ю.И., Чистяков И.Н. Предельные (граничные) частоты и основные высокочастотные генераторные параметры сдвоенного транзистора // Вопросы радиоэлектроники. Сер. Общие вопросы радиоэлектроники. 1985. Вып. 2. с.79-87;

38. Судаков Ю.И., Чистяков И.Н. Анализ мощных однокаскадных кварцевых автогенераторов-осцилляторов на составном транзисторе и вывод формул для электрического расчета элементов его колебательной системы / Рязан. радиотехн. ин-т. Рязань, 1983. 40 с. Деп. в НИИЭИР № 3-7887;

39. A.c. № 1046901 СССР. Кварцевый автогенератор / Ю.И. Судаков, И.Н. Чистяков. Опубл.: 1983. Бюлл. № 37;

40. Судаков Ю.И., Чистяков И.Н., Дворянинов С.М. Анализ и электрический расчет элементов специальных схем смещения биполярных составных транзисторов, используемых в каскадах ВЧ и СВЧ радиопередатчиков / Рязан. радиотехн. ин-т. Рязань, 1984. 22 с. Деп. в ВИМИ, 1984. №3-7581;

41. Судаков Ю.И., Чистяков И.Н., Елистратов Н.Ф. Обобщенные (эквивалентные) генераторные параметры составных транзисторов и

инженерный метод их расчета по параметрам входящих в них одиночных транзисторов / Рязан. радиотехн. ин-т. Рязань, 1982. 31 с. Деп. в НИИЭИР, 1983. №3-7212;

42. Судаков Ю.И. Расчет мощных кварцевых автогенераторов на биполярных составных транзисторах: Методические указания для курсового и дипломного проектирования. Рязань: РРТИ, 1989. 72 с;

43. A.c. № 1059656 СССР. Кварцевый автогенератор/ Ю.И. Судаков, И.Н. Чистяков, Н.Ф. Елистратов. Заявл. 11.01.82. Опубл.: 1983. Бюлл. № 45;

44. A.c. № 1394392 СССР. Генератор/ Ю.И. Судаков. Опубл.: 1988. Бюлл. № 17;

45. Судаков Ю.И., Петров Е.А. Экспериментальные исследования и выявления генераторных свойств сдвоенного гибридного составного транзистора / Рязан. радиотехн. ин-т. Рязань, 1985. 51 с. Деп. в НИИЭИР, 1986. №3-7905;

46. Судаков Ю.И., Петров Е.А. Особенности работы сдвоенного гибридного составного транзистора с дополнительным режимным транзистором / Рязан. радиотехн. ин-т. Рязань, 1985. 51 с. Деп. в НИИЭИР, 1986. №3-7904;

47. Судаков Ю.И., Богданов A.C., Васильев Е.В. О явлении автостабилизации параметров колебаний в мощном автогенераторе на составном транзисторе // Вестник РГРТА. 2000. Вып. 7. с.

48. A.c. № 1337984 СССР. Кварцевый генератор / Ю.И. Судаков, Е.А. Петров. Опубл.: 1987. Бюлл. № 34;

49. Судаков Ю.И., Петров Е.А. Расчет энергетических характеристик мощных кварцевых автогенераторов на гибридных составных транзисторах // Вопросы радиоэлектроники. Сер. Общие вопросы радиоэлектроники. 1986. Вып. 1. с. 89-99;

50. Судаков Ю.И., Петров Е.А. Температурная стабильность и КПД мощных кварцевых автогенераторов на гибридных составных транзисторах // Радиотехника. 1988. Вып. 6. с. 38-40;

51. Судаков Ю.И. Мощные кварцевые автогенераторы, генераторы и умножители частоты на гибридных составных транзисторах: Методические указания для курсового и дипломного проектирования. Рязань: РРТИ, 1991. 72 с;

52. Судаков Ю.И. Основы проектирования мощных кварцевых автогенераторов на составных транзисторах: Методические указания для курсового и дипломного проектирования. Рязань: РРТИ, 1989. 72 с;

53. A.c. № 1298829 СССР. Кварцевый автогенератор/ Ю.И. Судаков, Е.А. Петров. Опубл.: 1987. Бюлл. №11;

54. Анализ и расчет мощных кварцевых автогенераторов, генераторов и умножителей частоты на гибридных составных транзисторах / Ю.И. Судаков, Е.А. Петров; Под ред. Ю.И. Судакова. Рязань, РРТИ. 1992. 89 с;

55. Богданов A.C., Васильев Е.В. Исследование мощного синхронизированного автогенератора на сложном активном приборе в качестве выходного каскада радиопередатчика // Проблемы передачи и обработки информации в сетях и системах телекоммуникаций: Материалы 9-й Международной науч.-техн. конф. Рязань: Ряз. обл. ин-т. Развития образования, 2000. С. 98-100;

56. Судаков Ю.И., Богданов A.C., Васильев Е.В. Исследование мощного синхронизированного автогенератора на сложном активном приборе // Электросвязь. 2001. № 4;

57. Васильев Е.В. Математическое моделирование мощного синхронизированного автогенератора на сложном активном приборе // Вестник молодых ученых. Сер. Технические науки. 2001. № 6;

58. Васильев Е.В. Обеспечение устойчивости системы автоматического регулирования в радиопередатчиках с модулятором класса DII Сб. науч. тр. По материалам 4-го Международного форума «Радиоэлектроника и молодежь в XXI веке». Часть 1. Харьков: ХТУРЭ, 2000. с. 51-52;

59. Патент №2155445 РФ. Способ формирования однополосного сигнала в транзисторном передатчике и устройство для его осуществления / Судаков Ю.И., Васильев Е.В. Опубл.: 2000. Бюл. № 24;

60. Судаков Ю.И., Васильев Е.В. Способ повышения энергетической эффективности однополосных транзисторных передатчиков // Радиотехника, телевидение и связь: Межвуз. сб. науч. тр. Муром: Муромский институт (филиал) ВлГУ, 1999. с. 26-29;

61. Судаков Ю.И., Васильев Е.В. Перспективный способ формирования однополосного сигнала в транзисторном передатчике // Проблемы передачи и обработки информации в сетях и системах телекоммуникаций: Материалы 8-го Международного семинара. Рязань: РГРТА, 1999. с. 144-146;

62. Васильев Е.В. О возможности построения радиопередатчиков с улучшенными энергетическими и массогабаритными характеристиками// XXVI Гагаринские чтения: Материалы Международной молодежной науч. конф. Часть 2. М.: ЛАТЭМС, 2000. с. 369-370;

63. Богданов A.C., Другов С.А., Судаков Ю.И. Транзисторный генератор с разделенной нагрузкой // Радиотехника. - 1989. - №2;

64. Судаков Ю.И., Богданов A.C. Теория и расчет каскада с разделенной нагрузкой как части составного транзистора / Рязан. Радиотех. Ин-т. — Рязань, 1987. - 22 с. - Деп. в НИИЭИР № 8289;

65. ГОСТ 21712-83. Резонаторы пьезоэлектрические. Основные параметры. -М.: Издательство стандартов, 1983;

66. Справочник по кварцевым резонаторам / Андросова В.Г., Банков В.Н., Дикиджи А.Н. и др.; Под ред. П.Г. Позднякова.-М.: Связь, 1978.-288 е., ил;

67. Радиопередающие устройства: Учебник для вузов / Л.А. Белов, М.В. Благовещенский, В.М. Богачев и др.; Под ред. М.В. Благовещенского, Г.И. Уткина. -М.: Радио и связь, 1982-408с.: ил.;

68. Капранов М.В., Кулешов В.Н., Уткин Г.М. Теория колебаний в радиотехнике. - М.: Наука, 1984;

69. Петров Б.Е., Романюк В.А. Радиопередающие устройства на полупроводниковых приборах: Учеб. пособие для радиотехн. спец. вузов. -М.: Высш. шк., 1989 -232 е.: ил.;

70. Шитиков Г.Т. Стабильные автогенераторы метровых и дециметровых волн. - М.: Радио и связь, 1983. - 256 е.: ил.;

71. Пахлавян А. Н. Радиопередающие устройства. - 2-е изд., перераб. и доп. - М. : Связь, 1974. - 496 е.: ил.;

72. Гоноровский И.С. Радиотехнические цепи и сигналы. - М.: Сов. радио, 1977. - 608 е.;

73. Волгов В.А. Детали и узлы радиоэлектронной аппаратуры. Изд. 2-е, перераб. и доп. - М.: Энергия, 1977. - 656 е.: ил.;

74. Шитиков Г.Т. Стабильные диапазонные автогенераторы. - М.: Сов. радио, 1965. - 614 е.;

75. Радиопередающие устройства / Под. ред. В.В. Шахгильдяна. - М.: Связь, 1980. -328с.: ил.;

76. Богачев В.М., Никифоров В.В. Транзисторные усилители мощности. -М.: Энергия, 1978. -344с.;

77. Лищишин В.П., Богданов A.C.. Методика частотного анализа резонансного усилителя мощности ОВЧ-диапазона. Сборник научных трудов «Системы управления и передачи информации» / Балтийский гос. техн. университет. — СПб. 2008г. - 136 е.;

78. Лищишин В.П., Богданов A.C. Частотные свойства мощного резонансного усилителя с низкодобротными колебательными системами / Труды Российского научно-технического общества радиотехники, электроники и связи имени A.C. Попова / РНТО РЭС им. А. С. Попова, Ин-т радиотехники и электроники РАН, Рос. секция IEEE. - М., 2007.- 204 е.;

79. Проектирование усилительных устройств / Под ред. Н.В. Терпугова. -М.: Высшая школа, 1982. - 190 с.

80. Богданов A.C., Лищишин В.П. Частотные свойства резонансного усилительного каскада с разделенной нагрузкой. Научно-технический

журнал «Вестник Рязанского Государственного радиотехнического университета», выпуск 23, 2008;

81. Баранов A.A., Богданов A.C., Лищишин В.П. Диапазонные свойства генераторных каскадов на сложном активном приборе типа составной транзистор // Тез. докл. научн.-техн. конф. Москва, МАИ, март 2005;

82. Атабеков Г.И. Основы теории цепей: Учебник для вузов. - М.: Энергия, 1969.-424 е.;

83. Давыдов Г.Б. Основы теории и расчета фазокорректирующих цепей. - М.: Гос. издательство лит-ры по вопросам связи и радио, 1958. - 293 е.;

84. Панкратов В.П. Фазовые искажения и их компенсация в каналах тч при передаче дискретных сигналов. -М.: Связь, 1974. - 344 е.;

85. Белецкий А.Ф. Теория линейных электрических цепей: Учебник для вузов. - М.: Радио и связь, 1986. - 544 е., ил.;

86. Трифонов И.И. Расчет электронных цепей с заданными частотными характеристиками. - М.: Радио и связь, 1988. - 304 е., ил.;

87. Трифонов И.И. Синтез реактивных цепей с заданными фазовыми характеристиками. -М.: Связь, 1969. -216 е., ил.;

88. Сильвинская К.А., Голышко З.И. Расчет фазовых и амплитудных корректоров. - 2-е изд., доп. и перераб. - М.: Связь, 1980. - 104 е., ил.;

89. Авраменко В.Л., Галямичев Ю.П., Ланнэ A.A. Электрические линии задержки и фазовращатели. Справочник. Под ред. А.Ф. Белецкого. - М.: Связь, 1973.- 111 е.;

90. Справочник по расчету и проектированию ARC-схем / Букашкин С.А., Власов В.П., Змий В.Б. и др.; Под ред. A.A. Ланнэ. - М.: Радио и связь, 1984.-368 е., ил.;

91. Усов B.C., Груздев A.B. Широкополосное согласование ВШП ПАВ с электрической нагрузкой // Вопросы радиоэлектроники. — Сер. ТПО. — 1980. -№3. -с.44-49;

92. Орлов B.C., Бондаренко B.C. Фильтры на поверхностных акустических волнах. - М.: Радио и связь, 1984. - 272 е., ил.;

93. А.с. № 1293825 СССР. Усилитель / Ю.И. Судаков, И.Н. Чистяков. № 3868972/09; Заявл. 18.03.85; Опубл.: 1987. Бюлл. № 8;

94. ГОСТ 25960-89. Генераторы кварцевые высокостабильные. Общие технические требования и методы измерения параметров. — М.: Издательство стандартов, 1989;

95. ГОСТ Р 51903-2002. Передатчики радиосвязи стационарные декаметрового диапазона волн. Основные параметры, технические требования и методы измерений. - М.: Издательство стандартов, 2002;

96. Расчет и конструирование АПВ фильтров / Под ред. И.Б. Яковкина. — Новосибирск: Наука, 1982;

91. Parker Т.Е., Greer J.A., and Montress G.K. SAW Oscillators with Low Vibration Sensitivity, in Proceedings of the 45th Annual Symposium on Frequency Control, 1991, pp. 321-329;

98. Andres D. and Parker Т.Е. Designing Smaller SAW Oscillators for Low Vibration Sensitivity, in Proceedings of the IEEE Frequency Control Symposium, 1994, pp. 352-358;

99. Parker Т.Е. and Montress G.K. Frequency Stability of High Performance SAW Oscillators, in Proceedings of the IEEE Ultrasonics Symposium, 1989, Vol. l,pp. 37-45;

100. Parker Т.Е. and Montress G.K., Precision Surface Acoustic Wave (SAW) Oscillator, IEEE Transactions on Ultrasonics, Ferroelectrics, and Frequency Control, Vol 35, No. 3, pp. 342-364, May 1988;

101. OCT 4Г 0.206.219-84. Узлы акустоэлектронные на поверхностных акустических волнах. Методы измерений параметров, 1985;

102. А.с. 1136300 СССР, Н03В 5/32. Перестраиваемый генератор на линии задержки на поверхностных акустических волнах / В .Я. Баржин, Е.С. Колесник, Е.М. Коропец. - №3483952; Заявл. 09.08.82; Опубл. 23.01.85, Бюл. №3.-4 е.;

103. А.с. 1159149 СССР, Н03В 5/32. Перестраиваемый генератор на линии задержки на поверхностных акустических волнах / В.Я. Баржин,

А.С. Василенко, Е.С. Колесник, Е.М. Коропец. - №3586343; Заявл. 27.04.83; Опубл. 30.05.85, Бюл. №20. - 3 е.;

104. А.с. 1164856 СССР, НОЗВ 5/32. Генератор с линией задержки на поверхностных акустических волнах / А.С. Василенко, Е.С. Колесник, Е.М. Коропец и др. - №3580122; Заявл. 11.04.83; Опубл. 30.06.85, Бюл. №24. - 3 е.;

105. А.с. 1190454 СССР, НОЗВ 5/32. Генератор с линией задержки на поверхностных акустических волнах / А.С. Василенко, Е.С. Колесник, B.JI. Сорокопут, Е.М. Коропец и др. - №3586341; Заявл. 27.04.83; Опубл. 07.11.85, Бюл. №41. - 3 е.;

106. А.с. 1202012 СССР, НОЗВ 5/32. Генератор на линии задержки на поверхностных акустических волнах / В.Р. Реут. - №3610784; Заявл. 29.06.83; Опубл. 30.12.85, Бюл. №48. - 3 е.;

107. Patent 5043681 A US, НОЗВ5/30. Voltage controlled oscillator including a saw resonator / Takehiko Sone, Takeshi Tanemura; Filed 27.08.1991;

108. Patent 4011526 A US, H03B5/32. Temperature compensated surface acoustic wave oscillator / Robert Guy Kinsman; Filed 8.03.1977;

109. Patent 4193045 A US, H03H9/00. Temperature compensated surface acoustic wave oscillators /Kouji Houkawa; Filed 11.03.1980;

Patent 4581592 A US, H03B5/32. Saw stabilized oscillator with controlled pull-range / Ralph C. Bennett; Filed 8.04.1986;

111. Patent EP1901423 Al, H03B5/32. Surface acoustic wave oscillator and method of varying frequency thereof7 Aritsugu Yajima; Filed 19.03.2008;

112. Рогашков А.И., Дихтярь В.Б., Рогашков C.A. Спектр колебаний в автогенераторе с запаздывающей обратной связью // Радиотехника и электроника. - 1973. - №5. - с. 1075 - 1077;

113. Перепелятник П.А. Автоколебания в генераторе с запаздыванием // Радиотехника и электроника. - 1961. - №10. - с. 1601 - 1608;

114. Попов В.Н., Щербак В.Н. Многочастотный автоколебательный режим в генераторе с задержанной обратной связью // Изв. ЛЭТИ. - Вып. 158.-Л.: 1974.-е. 75-83;

115. Большаков И.М., Дворников А.А., Огурцов В.И. Анализ переходных процессов в автогенераторе на линии задержки ПАВ // Радиотехника и электроника. - 1985. - №6. - с. 1145 - 1150;

116. Auld В.А. and Thompson D.F. Temperature compensation of surface transverse waves for stable oscillator applications, in Pros. 1987 IEEE Ultrason. Symp., pp. 305-312;

Wl.Montress G.K. and Parker Т.Е. State-of the- Art SAW Oscillators: Design and Performance, in Proceedings of the 7th European Frequency and Time Forum, 1993, pp. 439-454;

118. Montress G.K. and Parker Т.Е. Design Techniques for Achieving State-of-the-Art Oscillator Performance, in Proceedings of the 44th Annual Symposium on Frequency Control, 1990, pp. 522-535;

119. Речицкий В.И. Радиокомпоненты на поверхностных акустических волнах. — М.: Радио и связь, 1984. — 112 е.;

120. Речицкий В.И. Акустоэлектронные радиокомпоненты. Схемы, топология, конструкция. - М.: Радио и связь, 1987. - 192 е.: ил.;

121.Лищишин В.П. Мощный перестраиваемый по частоте автогенератор с линией задержки на поверхностных акустических волнах в цепи положительной обратной связи. Методы и устройства формирования и обработки сигналов в информационных системах: межвуз. сб. науч. тр. / под ред. Ю.Н. Паршина. - Рязань: РГРТУ, 2013. - 134 е., с. 68-73.;

122. Патент РФ №2394356 на изобретение «Автогенератор» / В.П. Лищишин, А.С. Богданов. Заявка 2009105100. Зарегистрирован в Гос. реестре изобретений Р.Ф. 10.07.2010г. Опубл. 10.07.2010г., Бюл. №19;

123. Разевиг В.Д. Система схемотехнического моделирования Micro-Cap V. - М.: Солон, 1997. 273 е.;

124. ГОСТ РВ 20.57.416-98. Комплексная система контроля качества. Изделия электронной техники, квантовой электроники и электрические военного назначения. Методы испытаний. — М.: Издательство стандартов, 2000.