Механические свойства полупроводниковых кристаллов и слоев оксида и нитрида галлия тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 00.00.00, кандидат наук Гузилова Любовь Игоревна

• Гузилова Любовь Игоревна
• кандидат наук
• 2024

Оглавление диссертации кандидат наук Гузилова Любовь Игоревна

Введение

Глава 1 Основные свойства объектов исследования: оксида и нитрида галлия

(литературный обзор)

Выводы по главе

Глава 2 Материалы и методики

2.1 Исследуемые материалы

2.2 Испытания материалов методами локального нагружения

2.3 Трибологические испытания материалов

2.4 Акустический поход к измерению амплитудно-зависимого внутреннего

трения и модуля упругости

Глава 3 Микро- и наноиндентирование объемных кристаллов Р-0а203 и

эпитаксиальных слоев а-, Р-, е(к)-0а203

Выводы по главе

Глава 4 Испытания на трение эпитаксиальных слоев оксида галлия

Выводы по главе

Глава 5 Упругость и неупругость объемных кристаллов нитрида галлия

Выводы по главе

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Механические свойства полупроводниковых кристаллов и слоев оксида и нитрида галлия»

Введение

Актуальность темы исследования. Начало промышленного использования полупроводников для производства электронных приборов во второй половине XX века способствовало развитию технологии получения полупроводниковых кристаллов. Рост объемов производства, в свою очередь, накладывал свои требования, что приводило к неуклонному увеличению размера (диаметра) полупроводниковых кристаллов. Фактически все полупроводниковые пластины, используемые в производстве, имеют диаметр не менее 2 дюймов. Заметим, что все они вблизи комнатной температуры являются хрупкими, т.е. обладают ограниченной пластичностью. Вопрос о механической прочности тонких полупроводниковых пластин встает особенно остро в случае чипов большой площади, которые, например, используются в приборах фотовольтаики. Кроме того, о прочности и механических напряжениях вспоминают при росте кристаллов. Слитки Ge, Si, GaAs, SiC, и др. в процессе роста и охлаждения подвергаются воздействию термонапряжений, что определяет их дефектную структуру. В случае кристаллов (например, GaN и Л1К), полученных гетероэпитаксией, их напряженное состояние и дефектность определяются их деформацией из-за несоответствия параметров решетки слоя и кристалла подложки. Из перечисленного следует, что механические свойства полупроводников заслуживают не меньшнго внимания чем их электронные и оптические. Включение в производство новых полупроводниковых материалов требует своевременного исследования и развития наших представлений об их механических свойствах.

В данной работе внимание сконцентрировано на двух относительно новых широкозонных полупроводниковых кристаллах, к которым в настоящий момент существует большой интерес как у ученых, так и промышленных технологов: нитриде галлия (GaN) и оксиде галлия (Ga203) [1-5]. Эти кристаллы востребованы для развития высокочастотной и высоковольтной электроники. Надо отметить, что GaN уже широко применяется в оптоэлектронике в конструкциях светодиодов и лазерных диодов. Революционным явился переход к светодиодному освещению на

основе ОаК эмиттеров, что позволило добиться колоссального энергосбережения [6-9]. Также ОаЫ широко применяется в транзисторах с высокой подвижностью электронов, высокомощных и высокочастотных усилителях мощности в области высокооскоростной беспроводной передачи данных, в военной промышленности в качестве радиолакационных систем [10-12]. Приборы на основе Ga2O3 находятся пока еще в стадии разработок, однако, уже сейчас можно отметить успешные попытки применения этого кристалла в диодах Шоттки, полевых транзисторах, УФ-фотодетекторах и газовых датчиках [3-5; 13-17].

Стоит отметить, что электронные, оптические и транспортные свойства GaN и 0а203 изучены в большей степени, чем их механические свойства [18-21]. Заметим, что исследование механических свойств классическими методами (на растяжение и сжатие) ограниченно достижимыми размерами объемных кристаллов. В данной работе были впервые получены и исследованы рекордно большие кристаллы ОаЫ, толщиной 0,5 см и длинной несколько сантиметров.

Степень разработанности темы исследования. Ранее для оценки упругих и свойств кристаллов и эпитаксиальных слоев GaN и Ga203, как правило, использовали либо чисто расчетные методики, либо методики, позволяющие определить изменения параметра решетки, такие как методы рентгеновской дифракции и брюллюэновского рассеяния [1; 22-39].

Определение твердости, модуля упругости и трещиностойкости проводилось методами локального нагружения (микро- и наноиндентирование), которые не требуют специальной подготовки образцов, и поэтому часто используются для экспресс-анализа [40-52]. Значения, полученные экспериментально, твердости Н и модуля упругости Е эпитаксиальных слоев, моно- и поликристаллов GaN, выращенных разными методами, а также расчетные результаты, довольно близки друг к другу и, несмотря на различие в методах роста и кристаллографических направлениях, укладываются в интервал значений Н = 15,5 - 20,2 ГПа, и Е = 284 - 305 ГПа. В то время, как результаты микро- и наноиндентирования поверхностей (100), (010) и (2 01) эпитаксиальных слоев и объемных кристаллов термостабильного P-Ga203 показывают ярко выраженную анизотропию его

механических свойств. Так, при нормальных условиях, для различных кристаллографических ориентаций значение твердости Н варьируются от 6 до 12 ГПа, а модуль упругости Яр^] находится в диапазоне 225 - 234 ГПа [48-54]. Критический коэффициент интенсивности напряжений, характеризующий трещиностойкость для плоскости (010) объемного кристалла P-Ga203 составляет 0,78 МПам1/2 [55].

Однако, заметим, что данные о механических характеристиках P-Ga203 имелись далеко не для всех основных кристаллографических направлений. Экспериментальные работы, посвященные изучению механических свойств других, метастабильных полиморфов Ga203, к началу данной работы вовсе отсутствали, хотя а- и s(к)-Ga203 благодаря более плотной упаковке структур, как можно было предпожить, имеют более высокие механические характеристики.

Как нам известно, имеется совсем небольшое количество работ по изучению механических свойств объемных кристаллов GaN [56-58]. Одной из причин этого является то, что технология получения этих кристаллов недостаточно развита, и большие качественные кристаллы остаются все еще дорогостоящей редкостью. Информация о неупругом поведении кристаллов и пластичности GaN вовсе отсутствует. Ограниченность сведений о механических характеристиках данного промышленно важного полупроводникового материала стимулирует интерес к их изучению.

Целью работы являлось исследование механических свойств кристаллов GaN и Ga203, влияния их кристаллической структуры на твердость, упругость, трещино-и износостойкость.

Для достижения поставленной цели решались следующие задачи:

1. Исследование особенностей деформации при микро- и наноиндентировании кристаллов и эпитаксиальных слоев а-, Р-, s(к)-Ga203, определение значений твердости (Н) в различных кристаллографических направлениях. Определение модуля упругости Е из диаграмм нагружения, полученных при наноиндентировании. Исследование условий появления трещин вблизи остаточных отпечатков индентора, оценка критического коэффициента вязкости разрушения Кс для полиморфов: а-, Р-, s(к)-Ga203.

2. Исследование поведения кристаллов оксида галлия при сухом трении в паре с сапфиром. Определение коэффициентов трения (р) и износа (к) слоев а- и P-Ga20з.

3. Изучение упругих и неупругих свойств квази-объемных кристаллов нитрида галлия акустическим методом измерения внутреннего трения. Определение значений модуля упругости (Е) и декремента затухания (8)

Методы исследования. В работе использовались, как типовые разрушающие методы контроля (микро-, наноиндентирование, тесты на истирание материалов при сухом трении), так и неразрушающие, позволяющие изучать внутреннее трение, с помощью оригинальной акустической методики составного пьезоэлектрического вибратора.

Объекты исследования. Объёмные кристаллы P-Ga203, квазиобъемный GaN и эпитаксиальные слои на сапфировых подложках: GaN/Al20з, а-Ga20з/Al20з, P-Ga20з/Al20з и s(к)-Ga20з/Al20з.

Методология и методы исследования:

1. по данным микроиндентирования с помощью метода Виккерса были рассчитаны значения твердости (Ну) объёмных кристаллов и эпитаксиальных слоев Ga20з;

2. по данным наноиндентирования были рассчитаны твердость Н и модуль упругости Е кристаллов и эпитаксиальных слоев Ga203 (по методу Оливера-Фарра): (0001) а^03; (100), (010), (201) Р^03; (001) s(к)-Ga20з.

3. сделана оценка трещиностойкости, вычислены критические коэффициенты вязкости разрушения Кс эпитаксиальных слоев Ga203 (с использованием модели Палкмвиста);

4. по данным трибологических испытаний были получены коэффициенты сухого трения и рассчитаны (с использованием модели Арчарда) величины износостойкости эпитаксиальных слоев Ga203;

5. с помощью акустической методики измерения внутреннего трения были исследованы упругие (модуль упругости Е) и неупругие свойства (логарифмический декремент 8) объемных кристаллов GaN.

Предмет исследования. Неупругие и упругие свойства, модуль упругости, микро- и нанотвердостъ, трещиностойкостъ и сопротивление истиранию эпитаксиальных слоев и объемных кристаллов нитрида и оксида галлия.

В результате выполнения поставленных в диссертационной работе задач были сформулированы следующие научные положения, выносимые на защиту:

1. Твердость Н, определенная по данным микро- и наноиндентирования, метастабильной фазы а-Ga203 выше, чем термостабильной P-Ga203, и варьируется в зависимости от кристаллографических направлений, в пределах 17 - 20 ГПа, твердость P-Ga203 составляет 9 - 12 ГПа. Данное отличие обусловлено более плотной упаковкой кристаллической решетки а-Ga203. Разница между коэффициентами упаковки (доля пространства, занимаемого атомами элементарной ячейки от объема ячейки) а-Ga203 и P-Ga203 составляет 8 %, что коррелирует с разницей в их плотности (6,4 и 5,9 г/см3 соответственно).

2. При сухом трении в паре с сапфиром при равных условиях слои а-Ga203 менее подвержены износу (истиранию), чем P-Ga203, что обусловлено также более плотной упаковкой решетки а-Ga203. Впервые для оксида галлия определены коэффициенты износа к: для (201) P-Ga203 к = 3,7-10-4 мм3/Н-м, для (0001) а-Ga203 к = 4,6-10-6 мм3/Н-м при нормальных условиях.

3. В квазиобъемных кристаллах GaN при деформациях ^ 10-8 кривая деформирования б-е имеет нелинейный характер, а амплитудные зависимости модуля упругости Е и декремента упругих колебаний 3 кристаллов обладают гистерезисом, что может быть обусловлено нежестким закреплением дислокаций комплексами точечных дефектов и/или развитием микротрещин в образах под нагрузкой.

Научная и практическая значимость. Экспериментально исследовано влияние кристаллической структуры на упругие и неупругие свойства хрупких при комнатной температуре широкозонных полупроводниковых кристаллов: 2H-GaN и а, Р, s(к)-Ga203. Проведенные исследования выявили ранее неизвестные особенности деформирования [53; 54; 59-65]. Это представляет интерес как для

улучшения процессов роста кристаллов, так и модернизации полупроводниковых приборов на их основе.

Экспериментальные данные, полученные при микро-, наноиндентировании и трибологических испытаниях, показали, что эпитаксиальные слои метастабильного a-Ga2O3 со структурой корунда превосходят по своим механическим свойствам другие фазы Ga2O3, твердость их выше, а сопротивление износу при истирании по поверхности (0001) близко к сапфиру (4,6-10-6 мм3/Н-м) [54; 61-65]. Таким образом, a-Ga2O3 можно рассматривать не только, как перспективный полупроводниковый материал, но и в качестве защитного покрытия наравне с Al2O3, в том числе с корундом. Важно, что в отличии от a-Al2O3, его можно наносить при относительно низких температурах 450 - 500 °С.

Личный вклад автора. Личное участие автора состояло в изучении и анализе литературы по теме диссертации, планировании и выполнении экспериментов, обработке и анализе полученных данных, участии в написании научных статей и тезисов докладов, представлении результатов на ведущих российских и международных конференциях.

Обоснованность и достоверность научных результатов, представленных в диссертационной работе, обусловлена применением современных взаимодополняющих экспериментальных методов, воспроизводимостью и согласованностью полученных результатов между собой и с литературными данными, а также системностью проводимых исследований используемых материалов. Полученные результаты получили квалифицированную апробацию на международных и российских конференциях и симпозиумах, были опубликованы в рецензируемых изданиях, входящих в перечень Scopus, Web of Science, РИНЦ, ВАК.

Апробация результатов исследования. Основные результаты научной работы докладывались и обсуждались на следующих научных конференциях и симпозиумах: Международная молодежная конференция ФизикА.СПб/2016, Санкт-Петербург, 1-3 ноября, 2016; 11-я Всероссийская конференция "Нитриды галлия, индия и алюминия - структуры и приборы", Москва, 1-3 февраля, 2017; Международный симпозиум "Перспективные материалы и технологии", Витебск,

Беларусь, 22-26 мая, 2017; 2nd International Workshop on Оа2Оз and Related Materials. Parma, Italy, 12-15 September, 2017; XXIII Петербургские чтения по проблемам прочности, посвященные 100-летию ФТИ им. А.Ф. Иоффе и 110-летию со дня рождения чл.-корр. АН СССР А.В. Степанова, Санкт-Петербург, 10-12 апреля, 2018; 60-я Международная научная конференция "Актуальные проблемы прочности", Витебск, Беларусь, 14-18 мая, 2018; Международная молодежная конференция ФизикА/2018, Санкт-Петербург, 23-25 октября, 2018; Четвертый междисциплинарный научный форум с международным участием "Новые материалы и перспективные технологии", Москва, 27-30, ноября 2018; Международный симпозиум "Перспективные материалы и технологии", Брест, Беларусь, 27-31 мая, 2019; International Conference "Advanced Materials Week", Saint-Petersburg, 17-21 September, 2019; Восьмая Международная конференция "Кристаллофизика и деформационное поведение перспективных материалов", Москва, 5-8 ноября, 2019; LXII Международная конференция "Актуальные проблемы прочности", Минск, Беларусь, 25-29 мая, 2020; Х Международная школа "Физическое материаловедение" (ШФМ-2021), Тольятти, 13-17 сентября, 2021; Всероссийская научная конференция "Неделя науки ФизМех", Санкт-Петербург, 3-7 апреля, 2023; International Conference on Crystal Growth and Epitaxy, Neaples, Italy, 30 July - 4 August 2023.

Публикации по теме диссертации. Основные результаты по теме диссертации изложены в 9 научных работах, опубликованных в рецензируемых журналах, индексируемых Web of Science и Scopus и/или входящих в перечень ВАК:

1) Исследование эпитаксиальных слоёв и монокристаллов P-Ga2O3 методом наноиндентирования / Л.И. Гузилова, А.С. Гращенко, А.И. Печников, [и др.] // Materials Physics and Mechanics. - 2016. - Т. 29. - № 2. - С. 166-171.

2) Growth and characterization of P-Ga2O3 crystals / V.I. Nikolaev, V. Maslov, S.I. Stepanov [et al.] // Journal of Crystal Growth. - 2017. - V. 457. - P. 132-136.

3) Микротвердость и трещиностойкость оксида галлия / В.И. Николаев, А.В. Чикиряка, Л.И. Гузилова, А.И. Печников // ПЖТФ. - 2019. - Т. 45. - № 21. -С. 51-54.

Перевод: Microhardness and Crack Resistance of Gallium Oxide / V.I. Nikolaev,

A.V. Chikiryaka, L.I. Guzilova, A.I. Pechnikov // Technical Physics Letters. - 2019. -V. 45. - P. 1114-1117.

4) Гузилова, Л.И. Упругость и неупругость объемных кристаллов нитрида галлия / Л.И. Гузилова, Б.К. Кардашев, А.И. Печников, В.И. Николаев // ЖТФ. - 2020. -Т. 90. - № 1. - С. 138-142.

Перевод: Elasticity and Inelasticity of Bulk GaN Crystals / L.I. Guzilova, Kardashev

B.K., Pechnikov A.I., Nikolaev V.I. // Technical Physics. - 2020. - V. 65. - P. 128-132.

5) Wear resistance of a- and P-gallium oxide coating / P.N. Butenko, L.I. Guzilova, A.V. Chikiryaka [et al.] // Materials Physics and Mechanics. - 2020. -V. 47. - № 1. - P. 52-58.

6) Трибологические исследования слоев a- и P-Ga2O3 в паре с сапфировым контртелом / П.Н. Бутенко, Л.И. Гузилова, А.В. Чикиряка [и др.] // ЖТФ. - 2021. - Т. 91. - № 9. - С. 1354-1362.

Перевод: Tribological Studies of a-P-Ga2O3 Layers Paired with a Sapphire Counterface / P.N. Butenko, L.I. Guzilova, A.V. Chikiryaka [et al.] // Technical Physics. - 2021. - V. 66. - P. 1186-1193.

7) Исследование механических свойств эпитаксиальных слоев метастабильных a-и s- фаз Ga2O3 методом наноиндентирования / Л.И. Гузилова, А.С. Гращенко, П.Н. Бутенко [и др.] // ПЖТФ. - 2021. - Т. 47. - №. 14. - С. 3-7.

Перевод: Mechanical Properties of Epilayers of Metastable a- and s-Ga2O3 Phases Studied by Nanoindentation / L.I. Guzilova, A.S. Grashchenko, P.N. Butenko, [et al.] // Technical Physics Letters. - 2021. - V. 47. - P. 709-713.

8) Гузилова, Л.И. Исследование сопротивления механической деформации эпитаксиальных слоев a-Ga2O3 методом наноиндентирования / Л.И. Гузилова, А.С. Гращенко, В.И. Николаев // Frontier Materials&Technologies. - 2021. - № 4. - С. 7-16.

9) Impact on the subsurface layers of the single-crystal P-Ga2O3 wafers induced by a mechanical wear / P.N. Butenko, L.I. Guzilova, A.V. Chikiryaka [et al.] // Materials Science in Semiconductor Processing. - 2022. - V. 143. - P. 106520.

Структура диссертации. Диссертация изложена на 104 страницах машинописного текста, состоит из введения, описания результатов исследования, обсуждения, выводов и заключения. Работа иллюстрирована 35 рисунками, содержит 13 таблиц. Список литературы включает 194 публикации.

Глава 1 Основные свойства объектов исследования: оксида и нитрида

галлия (литературный обзор)

Как и многие кристаллические материалы, оксид (Оа2О3) и нитрид (ОаЫ) галлия обладают полиморфизмом. Так, Оа2О3 известен в виде: а-, Р-, е(к)-, 5- и у-фазы (Рисунок 1.1) В Таблице 1.1 представлены параметры решеток полиморфных модификаций Оа2О3, полученные по данным расчетов из первых принципов и по данным рентгеновской дифракции [22, 23, 33, 34].

Рисунок 1.1 - Схематическое изображение кристаллической структуры различных полиморфных модификаций Оа2О3: (а) - а-Оа2О3, (б) - Р-Оа2О3, (в) - е(к)-Оа2О3 [66]. Атомы, отмеченные синим и зеленым цветом, обозначают атомы галлия, красные

атомы обозначают атомы кислорода

Таблица 1.1 - Структура и параметры решетки различных полиморфов Оа2Оз

Фаза Сингония Пространст-веная группа Параметры решетки Примечание

а Триклинная (решетка корунда) Ю3с а = 5,33 А; а = 55,90°; агекс = 4,994 А; сгекс = 13,45 А Расчет [22]

а = 5,39 А; а = 55,89°; агекс = 5,06 А; сгекс = 13,62 А Расчет [33]

а = 5,32 А; а = 55,79°; агекс = 4,98 А; сгекс = 13,43 А Эксперимент [23]

в Моноклинная С2/т а = 12,48 А; Ь = 3,09 А; с = 5,894 А; в = 103,71° Расчет [34]

а = 12,29 А; Ь = 3,05 А; с = 5,81 А; в = 103,77° Расчет [22]

а = 12,44 А; Ь = 3,08 А; с = 5,88 А; в = 103,71 ° Расчет [33]

а = 12,23 А; Ь = 3,04 А; с = 5,81 А; в =103,82° Эксперимент [23]

8(к) Ромбическая (псевдогексагональная) Рпа21 а = 5,05 А; Ь = 8,67 А; с = 9,30 А Расчет [22]

а = 5,12 А; Ь = 8,79 А; с = 9,41 Расчет [33]

Метастабильный при атмосферном давлении а-Оа2О3 при нагреве превращается в термостабильный Р-Оа2О3 при температурах порядка 600 °С [35, 67-70]. Обратное превращение (Р-Оа2О3 ^ а-Оа2О3) возможно при давлении

6,5 - 7,0 ГПа в атмосфере азота [23]. Возможен также переход при давлениях в диапазоне 2,6 - 22,0 ГПа [71-73]. Другими словами, обратный переход возможен только при достаточно высоком давлении, что в лабораторных условиях труднодостижимо. Отметим, что, в связи с этим осложнено и получение объемных кристаллов а-Оа2О3. е-Оа2О3, так же как и а-фаза, при нормальных условиях метастабилен, и переход е-Оа2О3 ^ Р-Оа2О3 возможен только при нагреве до температур порядка 800 °С (Рисунок 1.2).

Рисунок 1.2 - Схематическое изображение кристаллической структуры основных полиморфов Ga2O3 с указанием характеристических температур и направления

фазовых превращений. По данным [70, 71]

Различают две кристаллические модификации Оа№ гексогональная (со структурой вюрцита) и кубическая типа сфалерит (цинковая обманка) (Рисунок 1.3). ОаЫ кубической сингонии термодинамически метастабилен и при нагреве способен превращаться в ОаЫ гексогональной сингонии [74]. В Таблице 1.2 представлены параметры решетки ОаЫ типа вюрцит и сфалерит. Параметры решеток рассчитаны при помощи теории функционала плотности и данных рентгеновской дифракции [1, 25, 26].

(в)

с г

о|_у [оно]

а Ь /[ою]

[2110]/[ 100]

Рисунок 1.3 - Схематическое изображение кристаллографической структуры нитрида галлия типа (а) вюрцита и (б) сфалерита и (в) их кристаллографических направлений в зависимости от типов решетки [1]

Таблица 1.2 - Постоянные решетки кристаллов нитрида галлия ^аК), А

Структура Пространственная группа а = Ь с Примечание

Типа вюрцит Р63тс 3,242 5,280 Расчет [1]

3,156 5,145 Расчет [1]

3,189 5,185 Эксперимент [25]

Типа сфалерит Б43т 4,582 4,582 Расчет [1]

4,461 4,461 Расчет [1]

4,490 4,490 Эксперимент [26]

Среди способов получения кристаллов Ga2O3 и ОаЫ можно выделить две группы: газофазные и жидкофазные методы. Объемные кристаллы Р-Оа2О3 выращивают методом Бриджмена [75; 76], методом свободной кристаллизации [59] и из расплава методом [77-79], а также методом Чохральского [80-84]. Объемные монокристаллы а-Оа2О3 жидкофазными методами при нормальном давлении не могут быть получены, необходимыми условиями для их синтеза являются давление около 4.4 ГПа и температура 1000 °С [85]. Причиной этому является метастабильность а-фазы, о которой отмечалось выше.

(а)

(б)

Объемные кристаллы ОаЫ в настоящее время получают несколькими способами:

1. путем химического синтеза из азотного раствора, превращение металлического Оа в ОаК происходит при давлении 1 - 2 ГПа и температуре 1400 - 1500 °С [86]. Площадь поверхности синтезированных кристаллов составляет около 100 мм2;

2. расплав-расплавным методом. № используется как катализатор диссоциации N молекул. Синтез GaN происходит при давлении 5 - 10 МПа и температуре 700-800 °С [87-90];

3. аммонотермическим методом с использованием ^ЫН3 в качестве растворителя [91-94];

4. квазиобъемный GaN выращивают методом хлоридной газовой эпитаксии (ХГЭ) на подложке, с последующим ее отделением [95, 96].

В процессе роста объемных кристаллов и слоев из-за рассогласования решетки и коэффициентов термического расширения (КТР) возникают термомеханические напряжения. Они могут оказывать огромное влияние на структурное качество кристаллов и слоев путем увеличения количества возникающих дефектов различных типов: дислокаций, двойниковых границ и микротрещин [46, 47, 97, 98]. Остаточные напряжения после завершения формирования кристаллов также играют значительную роль, например, они приводят к деградации гетероструктур электронных устройств на основе GaN и Оа2О3, особенно при экстремальных условиях их эксплуатации (при высокой температуре, высоком давлении, в полях высоких энергий). В [46, 47] установлено, что доминирующими дефектами, возникающими в объеме монокристаллической пластины в-Оа2О3 при механической деформации, являются краевые дислокации с вектором Бюргерса Ь || [010], дефекты упаковки, параллельные плоскости (100), и двойниковые границы, параллельные (201) [46, 47]. Для монокристаллов GaN характерны У-образные дефекты (питы) [99]. Эти дефекты представляют собой объемные полости в виде шестигранных пирамид с вершиной на границе слой-подложка и осью вдоль [0001].

Высококачественные кристаллические слои Ga2O3 и GaN могут быть получены газотранспортными методами, например хлоридной газофазной эпитаксией (ХГЭ) [101-108], химическим осаждением из газовой фазы (ХОГФ),

или металлоорганическим осаждением из газовой фазы (МОГФЭ) [109-114], молекулярно-лучевой эпитаксией (МЛЭ) [115, 116], и лазерным осаждением [117-119].

Рисунок 1.4 - Типичная дефектная структура в эпитаксиальных слоях а-0а203/А1203, полученных методом ХГЭ: (а-в) - изображения прорастающих дислокаций различной ориентации, полученные при помощи просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ), (г) - увеличенное изображение выделенной области на рисунке (в) (красный пунктир), (д) - граница раздела слоя а-0а203 и сапфировой подложки (желтый пунктир на рисунке (в)) [100]

При гетероэпитаксиальном росте параметры решетки и КТР слоя и подложки могут сильно отличаться друг от друга, вследствие этого могут в интерфесном слое могут возникать достаточно большие механические напряжения. Последнее является причиной зарождения большого числа таких дефектов, как прорастающие дислокации (Рисунок 1.4) [99, 100, 120-122]. Другими словами, в эпитаксиальном слое сжимающие или растягивающие напряжения стремятся к релаксации через образование дефектов (как один из каналов такой релаксации) и, как следствие, к снижению упругих

искажений решетки. Так, в эпитаксиальных слоях ОаЫ, полученных на подложках А12О3, БЮ и Б1, плотность прорастающих дислокаций может составлять около 108 см-2 [99, 120, 121]. Для эпитаксиальных слоев а-Оа2О3 на подложках А12О3 характерна плотность прорастающих дислокации порядка 1010 см-2 [122].

В свою очередь, прорастающие дислокации не могут обеспечить полной релаксации напряжений, и при увеличении толщины слоя происходит его растрескивание [123]. При увеличении плотности прорастающих дислокаций происходит изменение полей напряжений, в результате чего в наиболее слабых (в прочностном смысле) направлениях может происходить растрескивание, таким образом слой сбрасывает упругие напряжения. В работе [123] показано, что микротрещины в эпитаксиальном слое ОаЫ, выращенном на сапфире, распространяются вдоль {1120}. Растрескивание в данном случае может происходить как во время эпитаксии (микротрещины зарождаются в подложке вблизи границы раздела из-за рассогласования параметров решеток слоя и подложки, так и во время охлаждения (макрокрещины растут одновременно в подложке и эпитаксиальном слое из-за растягивающих напряжений, вызванных разницей КТР слоя и подложки) [40, 123].

Известно, что химические связи между атомами в приповерхностных слоях слабее, что способствует образованию большего количества дефектов. Вместе с тем исследование приповерхностного слоя позволяет дать адекватные оценки поведения материала в целом. В частности, с помощью микро- и наноиндентирования поверхности образца получают значения твердости (Н) и модуля упругости (Е), являющиеся одними из основных механических показателей, присущих материалу. В работах [40-45, 48-53] приведены результаты экспериментального измерения Н и Е объемных кристаллов и эпитаксиальных слоев ОаЫ и Р-Оа2О3, полученных разными технологиями (Таблица 1.3).

Таблица 1.3 - Механические свойства объемных кристаллов и слоев оксида и

нитрида галлия, полученные по данным индентирования

Материал Твердость, ГПа Модуль упругости, ГПа

Монокристалл Р-Оа2О3, полученный расплав-расплавным методом [48] (100) 6,5 - 7,7

Монокристалл Р-Оа2О3, выращенный методом свободной кристаллизации [53] (100) 8,9 234,0

Монокристаллы Р-Оа2О3, выращенные из расплава методом Степанова (2 01) [49] 12,5 230,0

(100) [51] 8,5

(010) [51] 6,5

(001) [51] 10,3

ХГЭ-слои GaN/Al2O3 [40] 20,2 328,5

Слои ОаК/БЮ, полученные атомным осаждением на буферный слой БЮ на подложку [41] 21,1 317,0

МОГФЭ-слои ОаК/АЬО3 [42] 19,0 286,0

МОГФЭ-слои ОаК/АЬО3 [43] 19,3 314,9

Слои ОаК/АЬО3, полученные методом МЛЭ [44] 15,5 25,0

МОГФЭ-слои ОаК/АЬО3 [45] 15,9 394,0

Выводы по главе 1

1. Выполнен обзор распостраненных способов получения, кристаллической структуры, полиморфных превращений, физико-механических свойств объемных кристаллов и эпитаксиальных слоев ОаЫ и Ga20з.

2. Показано, что в слоях а-0а20з и квазиобъемных кристаллах ОаЫ, выращенных гетероэпитаксией на сапфировой подложке, формируются проростающие дислокации, обусловленные рассогласованием слоя и подложки. В толстых слоях ОаЫ в процессе эпитаксии образуются и увеличиваются в сечении макроскопические дефекты в виде шестигранных пирамид, так называемых "пит", распространяюшиеся через весь образец перпендикулярно плоскости подложки. В объемных кристаллах р-0а203 наблюдаются характерные дефекты - краевые дислокации с вектором Бюргерса Ь || [010], дефекты упаковки в плоскости (100), и двойниковые границы, параллельные плоскости (2 01).

Список литературы диссертационного исследования кандидат наук Гузилова Любовь Игоревна, 2024 год

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

1. Mechanical, Thermodynamic and Electronic Properties of Wurtzite and Zinc-Blende GaN Crystals / H. Qin, X. Luan, C. Feng [et al.] // Materials. - 2017. - V. 10. - N. 12. - P. 1419.

2. Udabe, A. Gallium Nitride Power Devices: A State of the Art Review / A. Udabe, I. Baraia-Etxaburu, D. Garrido Diez // IEEE Access. - 2023. - V. 11. - P. 8628-48650.

3. Chapter 14. Gallium oxide / V.I. Nikolaev, S.I. Stepanov, A.E. Romanov, V.E. Bougrov; ed. by R. Fornari // Single Crystals of Electronics Materials. Growth and Properties. - Woodhead Publishing, 2019. - P. 487-521.

4. Stepanov, S.I. Gallium Oxide: Properties and Applications - a Review / S.I. Stepanov, V.I. Nikolaev, V.E. Bougrov, A.E. Romanov // Reviews On Advanced Materials Science. - 2015.

- v. 44. - N. 1. - P. 63-86.

5. A review of Ga2O3 materials, processing, and devices / S.J. Pearton, J. Yang, P.H. Cary [et al.] // Applied Physics Review. - 2018. - V. 5. - N. 1. - P. 011301.

6. Fasol G. Room-Temperature Blue Gallium Nitride Laser Diode / G. Fasol // Science.

- 1996. - V. 272. - N. 5269. - P. 1751-1752.

7. Enhanced temperature characteristic of InGaN/GaN laser diodes with uniform multiple quantum wells / P. Wen, S. Zhang, D. Li [et al.] // Semiconductor Science and Technology. - 2015. - V. 30. - N. 12. - P. 125015.

8. GaN-based ultraviolet microdisk laser diode grown on Si / J. Wang, M. Feng, R. Zhou [et al.] // Photonics Research. - 2019. - V. 7. - N. 6. - P. B32-B35.

9. GaN-based LED micro-displays for wearable applications / Z. Liu, W.C. Chong, K.M. Wong, K.M. Lau // Microelectronic Engineering. - 2015. - V. 148. - P. 98-103.

10. Augustine Fletcher, A.S. A survey of Gallium Nitride HEMT for RF and high power applications / A.S. Augustine Fletcher, D. Nirmal // Superlattices and Microstructures. -2017. - V. 109. - P. 519-537.

11. GaN in different dimensionalities: Properties, synthesis, and applications / Y. Chen, J. Liu, K. Liu [et al.] // Materials Science and Engineering: R: Reports. - 2019. - V. 138. - P. 60-84.

12. Review of recent progresses on gallium nitride transistor in power conversion application / J. Tian, C. Lai, G. Feng [et al.] // International Journal of Sustainable Energy. - 2020. - V. 39. - N. 1. - P. 88-100.

13. Hasan, M.N. Recent Progress in Gallium Oxide and Diamond Based High Power and High-Frequency Electronics / M.N. Hasan, E. Swinnich, J.-H. Seo // International Journal of High Speed Electronics and Systems. - 2019. - V. 28. - N. 01n02. - P. 1940004.

14. Progress of Ultra-Wide Bandgap Ga2O3 Semiconductor Materials in Power MOSFETs / H. Zhang, L. Yuan, X. Tang [et al.] // IEEE Transactions on Power Electronics. - 2020. - V. 35. - N. 5. - P. 5157-5179.

15. Gallium oxide-based solar-blind ultraviolet photodetectors / X. Chen, F.F. Ren, J. Ye, S. Gu // Semiconductor Science and Technology. - 2020. - V. 35. - N. 2. - P. 023001.

16. Gallium Oxide for Gas Sensor Applications: A Comprehensive Review / J. Zhu, Z. Xu, S. Ha [et al.] // Materials. - 2022. - V. 15. - N. 20. - P. 7339.

17. A review of gallium oxide-based power Schottky barrier diodes / X. Ji, C. Lu, L. Shan [et al.] // J. Phys. D: Appl. Phys. - 2022. - V. 55. - N. 44. - P. 443002.

18. Zhang, Y. Anisotropic optical and electric properties of ß-gallium oxide / Y. Zhang, F. Xing // J. Semicond. - 2023. - V. 44. - N. 7. - P. 071801.

19. Lyons, J.L. Electronic properties of Ga2O3 polymorphs / J.L. Lyons // ECS Journal of Solid State Science and Technology. - 2019. - V. 8. - N. 7. - P. Q3226-Q3228.

20. McCluskey, M.D. Point defects in Ga2O3 / M.D. McCluskey // Journal of Applied Physics. - 2020. - V. 127. - N. 10. - P. 101101.

21. Free-standing 2D gallium nitride for electronic, excitonic, spintronic, piezoelectric, thermoplastic, and 6G wireless communication applications / T.K. Sahu, S.P. Sahu, K.P.S.S. Hembram [et al.] // NPG Asia Mater. - 2023. - V. 15. - P. 49.

22. Furthmuller, J. Quasiparticle bands and spectra of Ga2O3 polymorphs / J. Furthmuller, F. Bechstedt // Phys. Rev. B. - 2016. - V. 93. - N. 11. - P. 115204.

23. Equation of state of gallium oxide to 70 GPa: Comparison of quasihydrostatic and nonhydrostatic compression / K.E. Lipinska-Kalita, P.E. Kalita, O.A. Hemmers, T. Hartmann // Phys. Rev. B. - 2008. - V. 77. - P. 094123.

24. Preparation and characterization of mesoporous y-Ga2O3 / C.O. Arean, A.L. Bellan, M.P. Mentruit [et al.] // Microporous Mesoporous Mater. - 2000. - V. 40. - P. 35-42.

25. Crystal growth of GaN by ammonothermal method / A. Yoshikawa, E. Ohshima, T. Fukuda [et al.] // J. Cryst. Growth. - 2004. - V. 260. - P. 67-72.

26. Epitaxial growth of zinc blende and wurtzitic gallium nitride thin films on (001) silicon / T. Lei, M. Fanciulli, R.J. Molnar [et al.] // Appl. Phys. Lett. - 1991. - V. 59. -P. 944-946.

27. Structure and Debye temperature of wurtzite GaN / X. Chen, J. Liang, Y. Xu [et al.] // Mod. Phys. Lett. B. - 1999. - V. 13. - P. 285-290.

28. Xia, H. High-pressure structure of gallium nitride: Wurtzite-to-rocksalt phase transition / H. Xia, Q. Xia, A.L. Ruoff // Phys. Rev. B. - 1993. - V. 47. - P. 12925-12928.

29. Yonenaga, I. Hardness, Yield Strength, and Dislocation Velocity in Elemental and Compound Semiconductors / I. Yonenaga // Materials Transactions. - 2005. - V. 46. -N. 9. - P. 1979-1985.

30. Elastic and plastic properties of GaN determined by nano-indentation of bulk crystal / R. Nowak, M. Pessa, M. Suganuma, [et al.] // Appl. Phys. Lett. - 1999. - V. 75. - N. 14. - P. 2070-2072.

31. Strain-related phenomena in GaN thin films / C. Kisielowski, J. Krüger, S. Ruvimov [et al.] // Phys. Rev. B. - 1996. - V. 54. - P. 17745-17753.

32. Vurgaftman, I. Band parameters for III-V compound semiconductors and their alloys / I. Vurgaftman, J.R. Meyer, L.R. Ram-Mohan // J. Appl. Phys. - 2001. - V. 89. - P. 5815-5875.

33. Structures and energetics of Ga2O3 polymorphs / S. Yoshioka, H. Hayashi, A. Kuwabara [et al.] // J. Phys.: Condens. Matter. - 2007. - V. 19. - P. 346211.

34. Luan, S. Analysis of the structural, anisotropic elastic and electronic properties of ß-Ga2O3with various pressures / S. Luan, L. Dong, R. Jia // Journal of Crystal Growth. -2019. - V. 505. - P. 74-81.

35. Roy, R. Polymorphism of Ga2O3 and the System Ga2O3—H2O / R. Roy, V.G. Hill, E.F. Osborn // J. Amer. Chem. Soc. - 1952. - V. 74. - P. 719.

36. Mechanical and thermodynamic properties of two-dimensional monoclinic Ga2O3 / J. Su, J. Zhang, R. Guo [et al.] // Materials and Design. - 2019. - V. 184. - P. 108197.

37. Shimada, K. First-principles study on electronic and elastic properties of BN, AlN, and GaN / K. Shimada, T. Sota, K. Suzuki // J. Appl. Phys. - 1998. - V. 84. - P. 4951-4958.

38. Wright, A.F. Elastic properties of zinc-blende and wurtzite AlN, GaN, and InN / A.F. Wright // J. Appl. Phys. - 1997. - V. 82. - P. 2833-2839.

39. Polian, A. Elastic constants of gallium nitride / A. Polian, M. Grimsditch, I. Grzegory // J. Appl. Phys. - 1996. - V. 79. - N. 6. - P. 3343-3344.

40. Anisotropic Fracture Toughness of Bulk GaN / Y. Cheng, D. Cai, H. Wang [et al.] // Phys. Status Solidi B. - 2018. - V. 255. - P. 1700515.

41. Nanoindentation of GaN/SiC thin films on silicon substrate / A.S. Grashchenko, S.A. Kukushkin, A.V. Osipov, A.V. Redkov // J. Phys. Chem. Solids. - 2017. - V. 102.

- P. 151-156.

42. Tsai, C.H. Berkovich nanoindentation and deformation mechanisms in GaN thin films / C.H. Tsai, S.R. Jian, J.Y. Juang // Appl. Surf. Sci. - 2008. - V. 254. - P. 1997-2002.

43. Jian, S.R. Analysis of physical properties of III-nitride thin films by nanoindentation / S.R. Jian, T.H. Fang, D. Chuu // J. Electron. Mater. - 2003. - V. 32. - P. 496-500.

44. Effect of in implantation and annealing on the lattice disorder and nano-mechanical properties of GaN / K. Filintoglou, P. Kavouras, M. Katsikini [et al.] // Thin Solid Films.

- 2013. - V. 531. - P. 152-159.

45. Nanoindentation characterization of GaN epilayers on a-plane sapphire substrates / M.H. Lin, H.C. Wen, C.Y. Huang [et al.] // Appl. Surf. Sci. - 2010. - V. 256. - P. 3464-3467.

46. Subsurface damage pattern and formation mechanism of monocrystalline ß-Ga2O3 in grinding process / X. Yang, R. Kang, S. Gao [et al.] // Front. Mech. Eng. - 2022. - V. 17. - N. 2. - P. 21.

47. Deformation patterns and fracture stress of beta-phase gallium oxide single crystal obtained using compression of micro-pillars / Y.Q. Wu, S. Gao, R.K. Kang, H. Huang // J. Mater. Sci. - 2019. - V. 54. - P. 1958-1966.

48. Okada, S. Growth of ß-Ga2O3 Single Crystals by the Tin-Flux Method / S. Okada, K. Kudou, I. Higashi // Nippon Kagaku Kaishi. - 1991. - N. 10. - P. 1426-1430. (In Japanese)

49. ß-Ga2O3 and single-crystal phosphors for high-brightness white LEDs and LDs, and ß-Ga2O3 potential for next generation of power devices / E.G. Villora, S. Arjoca, K. Shimamura [et al.] // Proc. of SPIE. - 2017. - V. 8987. - P. 89871U.

50. p-Ga2O3 Substrates [Electronic resource] / URL: https://www.tamuracorp.com/products/gao/index.html (дата обращения 19.11.2020).

51. High quality crystal growth and anisotropic physical characterization of P-Ga2O3 single crystals grown by EFG method / W. Mu, Z. Jia, Y. Yin [et al.] // Journal of Alloys and Compounds. - 2017. - V. 714. - P. 453-458.

52. Исследование анизотропных упругопластических свойств пленок P-Ga2O3, синтезированных на подложках SiC/Si / А.С. Гращенко, С.А. Кукушкин, В.И. Николаев, [и др.] // Физика твердого тела. - 2018. - Т. 60. - №2 5. - С. 851-856.

53. Исследование эпитаксиальных слоёв и монокристаллов P-Ga2O3 методом наноиндентирования / Л.И. Гузилова, А.С. Гращенко, А.И. Печников, [и др.] // Materials Physics and Mechanics. - 2016. - Т. 29. - № 2. - С. 166-171.

54. Николаев, В.И. Микротвердость и трещиностойкость оксида галлия / В.И. Николаев, А.В. Чикиряка, Л.И. Гузилова, А.И. Печников // ПЖТФ. - 2019. - Т.45. - №№ 21. - С. 51-54.

55. Research on Testing Method for Fracture Toughness of Gallium Oxide Crystals Based on Nanoindentation / J. Zhang, H. Zhou, Y. Xu, [et al.] // Journal of Synthetic Crystals. - 2020. - V. 49. - N. 6. - P. 1064-1070. (In-Chinese)

56. Elastic-plastic transition during nanoindentation in bulk GaN crystal / M. Fujikane, M. Leszczynski, S. Nagao [et al.] // J. Alloys Compd. - 2008. - V. 450. - N. 1-2. - P. 405-411.

57. Dislocation cross-slip in GaN single crystals under nanoindentation / J. Huang, K. Xu, X.J. Gong [et al.] // Appl. Phys. Lett. - 2011. - V. 98. - N. 22. - P. 221906.

58. Dislocation luminescence in GaN single crystals under nanoindentation / J. Huang, K. Xu, Y.M. Fan [et al.] // Nanoscale Research Letters. - 2014. - V. 9. - P. 649.

59. Growth and characterization of P-Ga2O3 crystals / V.I. Nikolaev, V. Maslov, S.I. Stepanov [et al.] // Journal of Crystal Growth. - 2017. - V. 457. - P. 132-136.

60. Гузилова, Л.И. Упругость и неупругость объемных кристаллов нитрида галлия / Л.И. Гузилова, Б.К. Кардашев, А.И. Печников, В.И. Николаев // ЖТФ. - 2020. - Т. 90. - № 1. - С. 138-142.

61. Impact on the subsurface layers of the single-crystal P-Ga2O3 wafers induced by a mechanical wear / P.N. Butenko, L.I. Guzilova, A.V. Chikiryaka [et al.] // Materials Science in Semiconductor Processing. - 2022. - V. 143. - P. 106520.

62. Wear resistance of a- and ß-gallium oxide coating / P.N. Butenko, L.I. Guzilova, A.V. Chikiryaka [et al.] // Materials Physics and Mechanics. - 2020. - V. 47. - N. 1. - P. 52-58.

63. Исследование механических свойств эпитаксиальных слоев метастабильных а- и s-фаз Ga2O3 методом наноиндентирования / Л.И. Гузилова, А.С. Гращенко, П.Н. Бутенко, [и др.] // ПЖТФ. - 2021. - Т. 47. - № 14. - С. 3-7.

64. Бутенко, П.Н. Трибологические исследования слоев а и ß-Ga2O3 в паре с сапфировым контртелом / П.Н. Бутенко, Л.И. Гузилова, А.В. Чикиряка, А.И. Печников, В.И. Николаев // ЖТФ. - 2021. - Т. 91. - № 9. - С. 1354-1362.

65. Гузилова, Л.И. Исследование сопротивления механической деформации эпитаксиальных слоев a-Ga2O3 методом наноиндентирования / Л.И. Гузилова, А.С. Гращенко, В.И. Николаев // Frontier Materials&Technologies. - 2021. - №2 4. - С. 7-16.

66. Hassa, A. Progression of group-Ш sesquioxides: epitaxy, solubility and desorption / A. Hassa, M. Grundmann, H. von Wenckstern // J. Phys. D: Appl. Phys. - 2021. - V. 54. - N. 22. - P. 22300.

67. Playford, H.Y. Structures of uncharacterised polymorphs of gallium oxide from total neutron diffraction / H.Y. Playford, A.C. Hannon, E.R. Barney, R.I. Walton // Chem. Eur. J. - 2013. - V. 19. - N. 8. - P. 2803-2813.

68. Lee, S.-D. Thermal stability of single crystalline alpha gallium oxide films on sapphire substrates / S.-D. Lee, K. Akaiwa, S. Fujita // Phys. Status Solidi. - 2013. -V.10. - N. 11. - P. 1592-1595.

69. Lee, S.-D. Enhanced thermal stability of alpha gallium oxide films supported by aluminum doping / S.-D. Lee, Y. Ito, K. Kaneko, S. Fujita // Jpn. J. Appl. Phys. - 2015. - V. 54. - P. 030301.

70. Crystal Structure and Ferroelectric Properties of s-Ga2O3 Films Grown on (0001)-Sapphire / F. Mezzadri, G. Calestani, F. Boschi [et al.] // Inorg. Chem. - 2016. - V. 55. - N. 22. - P. 12079.

71. First-principles study of the structural, electronic, and optical properties of Ga2O3 in its monoclinic and hexagonal phases / H. He, R. Orlando, M.A. Blanco [et al.] // Phys. Rev. B. - 2006. - V. 74. - N. 19. - P. 195123.

72. Kroll, P. Spinel-type gallium oxynitrides attainable at high pressure and high temperature / P. Kroll // Phys. Rev. B. - 2005. - V. 72. - N. 14. - P. 144407.

73. Machon, D. High-pressure study of the -to- transition in Ga2O3 / D. Machon, P.F. McMillan, B. Xu, J. Dong // Phys. Rev. B. - 2006. - V. 73. - N. 9. - P. 094125.

74. Yu, P.Y. Fundamentals of Semiconductors Physics and Materials properties / P.Y. Yu, M. Cardona. - Berlin: Springer, 2001. - 775 p.

75. 2-inch diameter (100) P-Ga2O3 crystal growth by the vertical Bridgman technique in a resistance heating furnace in ambient air / K. Hoshikawa, T. Kobayashi, Y. Matsuki [et al.] // Journal of Crystal Growth. - 2020. - V. 545. - P. 125724.

76. Ohba, E. Growth of (100), (010) and (001) p-Ga2Os single crystals by vertical Bridgman method / E. Ohba, T. Kobayashi, T. Taishi, K. Hoshikawa // Journal of Crystal Growth. - 2021. - V. 545. - P. 125990.

77. Growth of P-Ga2O3 single crystals by the edge-defined, film fed growth method / A. Hideo, N. Kengo, T. Hidetoshi [et al.] // Jpn. J. Appl. Phys. - 2008. - V. 47. - N. 11R. - P. 8506.

78. Braescu, L. Effect of buoyancy and Marangoni forces on the dopant distribution in a single crystal fiber grown from the melt by edge-defined film-fed growth (EFG) method / L. Braescu, T. Duffar // J. Cryst. Growth. - 2008. - V. 310. - N. 2. - P. 484-489.

79. Bunoiu, O. Fluid flow and solute segregation in EFG crystal growth process / O. Bunoiu, I. Nicoara, J.L. Santailler, T. Duffar // J. Cryst. Growth. - 2005. - V. 275. -N. 1-2. - P. e799-e805.

80. Galazka, Z. A novel crystal growth technique from the melt: levitation-assisted self-seeding crystal growth method / Z. Galazka, R. Uecker, R. Fornari // J. Cryst. Growth. -2014. - V. 388. - P. 61-69.

81. Shimamura, K. Czochralski-Based growth and characteristics of selected novel single crystals for optical applications / K. Shimamura, E.G. Villora // Acta Phys. Polon A. -2013. - V. 124. - P. 265-273.

82. Czochralski growth and characterization of P-Ga2O3 single crystals / Z. Galazka, R. Uecker, K. Irmscher [et al.] // Cryst. Res. Technol. - 2010. - V. 45. - N. 12. - P. 1229-1236.

83. Tomm, Y. Czochralski grown Ga2O3 crystals / Y. Tomm, P. Reiche, D. Klimm, T. Fukuda // Jpn. J. Appl. Phys. - 2000. - V. 220. - N. 4. - P. 510-514.

84. Scaling-up of bulk P-Ga2O3 single crystals by the Czochralski method / Z. Galazka, R. Uecker, D. Klimm [et al.] // ECS J. Solid State Sci. Technol. - 2017. - V. 6. - N. 2. - P. Q3007.

85. Remeika, J.P. Growth of a-Ga2O3 single crystals at 44 kbars / J.P. Remeika, M. Marezio // Applied Physics Letters. - 1966. - V. 8. - N. 4. - P. 87-88.

86. Porowski, S. High pressure crystallization of III-V nitrides / S. Porowski // Acta Physica Polonica. - 1995. - V. 87. - N. 2. - P. 295-302.

87. Preparation of GaN single crystals using a Na flux / H. Yamane, M. Shimada, S.J. Clarke, F.J. Disalvo // Chem. Mater. - 1997. - V. 9. - N. 2. - P. 413-416.

88. Increase in the growth rate of GaN crystals by using gaseous methane in the Na flux method / M. Imade, M. Maruyama, M. Yoshimura, Y. Mori // Jpn. J. Appl. Phys. - 2014. - V. 53. - N. 5. - P. 05FA06.

89. Centimeter-Sized Bulk GaN Single Crystals Grown by the Na-Flux Method with a Necking Technique / M. Imade, K. Murakami, D. Matsuo [et al.] // Cryst. Growth Des. -2012. - V. 12. - N. 7. - P. 3799-3805.

90. A new system for sodium flux growth of bulk GaN. Part I: System development / P. Von Dollen, S. Pimputkar, M.A. Alreesh [et al.] // J. Cryst. Growth. - 2016. - V. 456. - P. 58-66.

91. Excellent crystallinity of truly bulk ammonothermal GaN / R. Dwilin'ski, R. Doradzin'ski, J. Garczyn'ski [et al.] // J. Cryst. Growth. - 2008. - V. 310. - N. 17. - P. 3911-3916.

92. Ammonothermal growth of bulk GaN / T. Hashimoto, F. Wu, J.S. Speck, S. Nakamura // J. Cryst. Growth. - 2008. - V. 310. - N. 17. - P. 3907-3910.

93. Improved growth rates and purity of basic ammonothermal GaN / S. Pimputkar, S. Kawabata, J.S. Speck, S. Nakamura // J. Cryst. Growth. - 2014. - V. 403. - P. 7-17.

94. Highly transparent ammonothermal bulk GaN substrates / W. Jiang, D. Ehrentraut, B.C. Downey [et al.] // J. Cryst. Growth. - 2014. - V. 403. - P. 18-21.

95. Bulk GaN crystals grown by HVPE / K. Fujito, S. Kubo, H. Nagaoka [et al.] // J. Cryst. Growth. - 2009. - V. 311. - N. 10. - P. 3011-3014.

96. Пластины кристаллического GaN большой площади / М.Г. Мынбаева, А.И. Печников, А.А. Ситникова [и др.] // Письма ЖТФ. - 2015. - Т. 41. - №№ 84. - С. 84-90.

97. Characterization of defects in p-Ga2O3 single crystals / K. Nakai, T. Nagai, K. Noami, T. Futagi // Jpn. J. Appl. Phys. - 2015. - V. 54. - N. 5. - P. 051103.

98. Structural evaluation of defects in p-Ga2O3 single crystals grown by edge-defined film-fed growth process / O. Ueda, N. Ikenaga, K. Koshi [et al.] // Jpn. J. Appl. Phys. - 2016. -V. 55. - N. 12. - P. 1202B.

99. Microstructure of GaN Deposited by Lateral Confined Epitaxy on Patterned Si (111) / F. Wu, S. Zamir, B. Meyler [et al.] // Journal of Electronic Materials. 2002. - V. 31. - P. 88-93.

100. On the origin of dislocation generation and annihilation in a-Ga2O3 epilayers on sapphire / T.C. Ma, X.H. Chen, Y. Kuang [et al.] // Appl. Phys. Lett. - 2019. - V. 115. - N. 18. - P. 182101.

101. HVPE Growth and Characterization of s-Ga2O3 Films on Various Substrates / V.I. Nikolaev, S.I. Stepanov, A.I. Pechnikov [et al.] // ECS Journal of Solid State Science and Technology. - 2020. - V. 9. - N. 4. - P. 045014.

102. Halide Vapor Phase Epitaxy a- and s-Ga2O3 Epitaxial Films Grown on Patterned Sapphire Substrates / S. Shapenkov, O. Vyvenko, E. Ubyivovk [et al.] // Phys. Status Solidi A-Appl. Mat. - 2020. - V. 217. - N. 14. - P. 1900892.

103. Structural characteristics of a-Ga2O3 films grown on sapphire by halide vapor phase epitaxy / S.H. Kim, M. Yang, H.Y. Lee [et al.] // Materials Science in Semiconductor Processing. - 2021. - V. 123. - P. 105534.

104. The growth of HVPE a-Ga2O3 crystals and its solar-blind UV photodetector applications / M. Lee, M. Yang, H.Y. Lee [et al.] // Materials Science in Semiconductor Processing. - 2021. - V. 123. - P. 105565.

105. Хлоридная эпитаксия слоев P-Ga2O3 на сапфировых подложках базисной ориентации / В.И. Николаев, А.И. Печников, С.И. Степанов [и др.] // ФТП. - 2016. - Т. 50. - № 7. - С. 997-1000.

106. HVPE Growth of GaN Layers on Cleaved p-Ga2O3 Substrates / V.I. Nikolaev, A.I. Pechnikov, S.I. Stepanov [et al.] // Key Engineering Materials. - 2016. - V. 674. -P. 302-307.

107. GaN growth via HVPE on SiC/Si substrates: growth mechanisms / S.S. Sharofidinov, A.V. Redkov, A.V. Osipov, S.A. Kukushkin // J. Phys.: Conf. Ser. -2017. - V. 917. - N. 3. - P. 032028.

108. Halide vapor phase epitaxy of thick GaN films on ScAlMgO4 substrates and their self-separation for fabricating freestanding wafers / K. Ohnishi, M. Kanoh, T. Tanikawa [et al.] // Applied Physics Express. - 2017. - V. 10. - N. 10. - P. 101001.

109. Yao, Y. Growth and Characterization of a-, P-, and s-Ga2O3 Epitaxial Layers on Sapphire / Y. Yao, L.A.M. Lyle, J.A. Rokholt // ECS Transactions. - 2017. - V. 80. - N. 7. - P. 191.

110. Epitaxial growth of y-Ga2O3 films by mist chemical vapor deposition / T. Oshima, T. Nakazono, A. Mukai, A. Ohtomo // Journal of Crystal Growth. - 2012. - V. 359. - P. 60-63.

111. Heteroepitaxial growth of a-Ga2O3 thin films on a-, c- and r-plane sapphire substrates by low-cost mist-CVD method / Y. Cheng, Y. Xu, Z. Li [et al.] // Journal of Alloys and Compounds. - 2020. - V. 831. - P. 154776.

112. MOCVD growth of GaN on porous silicon substrates / H. Ishikawa, K. Shimanaka, F. Tokura [et al.] // Journal of Crystal Growth. - 2008. - V. 310. - N. 23. - P. 4900-4903.

113. MOCVD growth of GaN on SEMI-spec 200 mm Si / L. Zhang, K.H. Lee, I.M. Riko [et al.] // Semicond. Sci. Technol. - 2017. - V. 32. - P. 065001.

114. GaN epitaxial layers grown on multilayer graphene by MOCVD / T. Li, C. Liu, Z. Zhang [et al.] // AIP Advances. - 2018. - V. 8. - N. 4. - P. 045105.

115. Homo-epitaxial growth of high crystal quality GaN thin films by plasma assisted-molecular beam epitaxy / Y.Z. Wu, B. Liu, Z.H. Li [et al.] // Journal of Crystal Growth. - 2019. - V. 506. - P. 30-35.

116. Growth of high-quality N-polar GaN on bulk GaN by plasma-assisted molecular beam epitaxy / C. Wurm, E. Ahmadi, F. Wu [et al.] // Solid State Communications. -2020. - V. 305. - P. 113763.

117. Tin-assisted heteroepitaxial PLD-growth of K-Ga2O3 thin films with high crystalline quality / M. KneiB, A. Hassa, D. Splith [et al.] // APL Materials. - 2019. - V. 7. - N. 2. - P. 022516.

118. Twin-induced phase transition from p-Ga2O3 to a-Ga2O3 in Ga2O3 thin films / B. Choi, B. Allabergenov, H.K. Lyu, S.E. Lee // Applied Physics Express. - 2018. - V. 11. - P. 061105.

119. Epitaxial growth of P-Ga2O3 thin films on Ga2O3 and Al2O3 substrates by using pulsed laser deposition / Y. An, L. Dai, Y. Wu [et al.] // Journal of Advanced Dielectrics. - 2019. -V. 9. - N. 04. - P. 1950032.

120. Gallium nitride epitaxy on (0001) sapphire / V. Narayanan, K. Lorenz, W. Kim, S. Mahajan // Philos. Mag. A. - 2002. - V. 82A. - N. 5. - P. 885-912.

121. Behavior of Threading Dislocations from GaN Substrate to Epitaxial Layer / S. Inotsume, N. Kokubo, H. Yamada [et al.] // Phys. Status Solidi B. - 2020. - V. 257. - P. 1900527.

122. Evaluation of Misfit Relaxation in a-Ga2O3 Epitaxial Growth on a-A^O3 Substrate / K. Kaneko, H. Kawanowa, H. Ito, S. Fujita // Jpn. J. Appl. Phys. - 2012. - V. 51. - N. 2R. - P. 020201.

123. Study of cracking mechanism in GaN/a-Al2O3 structure / N. Itoh, J.C. Rhee, T. Kawabata, S. Koike // J. Appl. Phys. - 1985. - V. 58. - N. 5. - P. 1828-1837.

124. Толстые слои alpha-Ga2O3 на сапфировых подложках, полученные методом хлоридной эпитаксии / А.И. Печников, С.И. Степанов, А.В. Чикиряка, [и др.] // ФТП. - 2019. - Т. 53. - № 6. - С. 789-792.

125. Выращивание кристаллов beta-Ga2O3 из собственного расплава / В.Н. Маслов, В.М. Крымов, М.Н. Блашенков [и др.] // Письма в ЖТФ. - 2014. - Т. 40. - В. 7. - С. 56-61.

126. Thick GaN Films Grown on Patterned Sapphire Substrates / V. Voronenkov, A. Tsyuk, R. Gorbunov [et al.] // ECS Transactions. Montreal. - 2011. - V. 35. - N. 6. - P. 91-97.

127. International Standard ISO 14577-1:2015. Metallic Materials- Instrumented lndentation Test for Hardness and Materials Parameters. - ISO, 2015.

128. ГОСТ Р 8.748-2011. Государственная система обеспечения единства измерений. Металлы и сплавы. Измерение твердости и других характеристик материалов при инструментальном индентировании. Часть 1. Метод испытаний. -Стандартинформ, 2013.

129. Боярская, Ю.С. Деформирование кристаллов при испытаниях на микротвердость / Ю.С. Боярская. - Кишинев: Штиинца, 1972. - 235 с.

130. Головин, Ю.И. Введение в нанотехнику / Ю.И. Головин. - М.: Машиностроение, 2007. - 496 с.

131. Головин, Ю.И. Наноиндентирование и его возможности / Ю.И. Головин. - М.: Машиностроение, 2009. - 312 с.

132. Fischer-Cripps A.C. Nanoindentation / A.C. Fischer-Cripps. - NY: Springer, 2011. - 266 p.

133. Tiwari, A. Applied Nanoindentation in Advanced Materials / A. Tiwari, S. Natarajan. - John Wiley & Sons, 2017. - 680 p.

134. Ohashi, Y. Reactivity in Molecular Crystals / Y. Ohashi. - Tokyo: Kodansha Ltd, 1993. - 348 p.

135. Oliver, W.C. An improved technique for determining hardness and elastic modulus using load and displacement sensing indentation experiments / W.C. Oliver, G.M. Pharr // Journal of Materials Research. - 1992. - V. 7. - N. 6. - P. 1564-1583.

136. Oliver, W.C. Measurement of hardness and elastic modulus by instrumented indentation: Advanced in understanding and refinements to methodology / W.C. Oliver // Journal of Material Research. - 2004. - V. 19. - N. 1. - P. 3-20.

137. ISO 12737:2005. Metallic materials. Determination of plane-strain fracture toughness. - Geneva, Switzerland: International Organization for Standardization, 2013.

138. ISO 17281:2002. Plastics. Determination of fracture toughness (GIC and KIC) at moderately high loading rates (1 m/s). - Geneva, Switzerland: International Organization for Standardization, 2002.

139. Lawn, B.R. Elastic/Plastic Indentation Damage in Ceramics: The Median/Radial Crack System / B.R. Lawn, A.G. Evans, D.B. Marshall // J. Am. Ceram. Soc. - 1980. -V. 63. - N. 9-10. - P. 574-581.

140. Marshall, D. An indentation technique for measuring stresses in tempered glass surfaces / D. Marshall, B. Lawn // Journal of the American Ceramic Society. - 1977. -V. 60. - P. 86-87.

141. Ucisik, A.H. Fracture toughness of boride formed on low-alloy steels / A.H. Ucisik, C. Bindal // Surface and Coatings Technology. - 1997. - V. 94. - N. 5. - P. 561-565.

142. Microhardness and toughness of the TiN coating prepared by reactive plasma spraying / W. Feng, D. Yan, J. He [et al.] // Applied Surface Science. - 2005. - V. 243. -N. 1-4. - P. 204-213.

143. Cantera, E.L. Fracture toughness and crack morphologies in eroded WC-Co-Cr thermally sprayed coatings / E.L. Cantera, B. Mellor // Materials Letters. - 1998. - V. 37. - N. 4-5. - P. 201-210.

144. Lanthanum-titanium-aluminum oxide: a novel thermal barrier coating material for applications at 1300°C / X. Xie, H. Guo, S. Gong, H. Xu // Journal of the European Ceramic Society. - 2011. - V. 31. - N. 9. - P. 1677-1683.

145. Li, X.D. Fracture mechanisms of thin amorphous carbon films in nanoindentation / X.D. Li, D.F. Diao, B. Bhushan // Acta Materialia. - 1997. - V. 45. - N. 11. - P. 4453-4461.

146. Analysis on multiple ring-like cracks in thin amorphous carbon film on soft substrate under nanoindentation / K.K. Fu, Y.B. Yin, L. Chang [et al.] // Journal of Physics D: Applied Physics. - 2013. -V. 46. - P. 505314.

147. Fu, K. Toughness Assessment and Fracture Mechanism of Brittle Thin Films Under Nano-Indentation / K. Fu, Y. Tang, L. Chang; ed. by L. Alves // Fracture Mechanics -Properties, Patterns and Behaviours. - IntechOpen, 2016. - P. 1518-1952.

148. Fracture toughness measurements of LPS-SiC: a comparison of the indentation technique and the SEVNB method / K. Strecker, S. Ribeiro, M.J. Hoffmann // Materials Research. - 2005. - V. 8. - P. 121-124.

149. A Critical Evaluation of Indentation Techniques for Measuring Fracture Toughness: I, Direct Crack Measurements / G.R. Anstis, P. Chantiklul, B.R. Lawn, D.B. Marshall // J. Am. Ceram. Soc. - 1981. - V. 64. - N. 9. - P. 533-538.

150. Chen, J. Assessment of the toughness of thin coatings using nanoindentation under displacement control / J. Chen, S.J. Bull // Thin Solid Films. - 2006. - V. 494. - N. 1-2. - P. 1-7.

151. Khurshudov, A.G. Wear of the AFM diamond tip sliding against silicon / A.G. Khurshudov, K. Kato, H. Koide // Wear. - 1997. - V. 203-204. - P. 22-27.

152. Laugier, M.T. Palmqvist indentation toughness in WC-Co composites / M.T. Laugier // J. Mater. Sci. Letters. - 1987. - V. 6. - N. 8. - P. 897-900.

153. Ultralow wear of gallium nitride / G. Zeng, C.K. Tan, N. Tansu, B.A. Krick // Appl. Phys. Lett. - 2016. - V. 109. - N. 5. - P. 051602.

154. Popov, V.L. Contact Mechanics and Friction / V.L. Popov. - Berlin: Springer, 2010. - 362 p.

155. Archard, J.F. Contact and Rubbing of Flat Surfaces / J.F. Archard // J. Appl. Phys. -1953. - V. 24. - N. 8. - P. 981.

156. Taylor, G.I. The mechanism of plastic deformation of crystals. Part I.—Theoretical / G.I. Taylor // Proc. Royal Soc. - 1934. - V. A145. - N. 855. - P. 362-387.

157. Orowan, E. Zur Kristallplastizität. III. Über den Mechanismus des Gleitvorganges / E. Orowan // Z. Physik. - 1934. - V. 89. - P. 634-659. (In-German)

158. Polyani, M. Über eine Art Gitterstörung, die einen Kristall plastisch machen könnte / M. Polyani // Z. Physik. - 1934. - V. 89. - P. 660-664. (In-German)

159. Внутреннее трение и хрупко-вязкий переход в конструкционных материалах / Б.К. Кардашев, А.С. Нефагин, Г.Н. Ермолаев [и др.] // Письма в ЖТФ. - 2006. -Т. 32. - № 18. - С. 44-49.

160. Кардашев, Б.К. Внутреннее трение, пластические свойства и ударная вязкость сплавов V-Ti-Cr / Б.К. Кардашев, В.М. Чернов // ФТТ. - 2008. - Т. 50. - № 5. -С. 820-825.

161. Read, T.A. The Internal Friction of Single Metal Crystals / T.A. Read // Phys. Rev.

- 1940. - V. 58. - N. 4. - P. 371-380.

162. Лебедев, А.Б. Амплитуднозависимое поглощение ультразвука и акустопластический эффект в процессе активной деформации монокристаллов хлористого натрия / А.Б. Лебедев, С.Б. Кустов, Б.К. Кардашев // ФТТ. - 1982. -Т. 24. - С. 3169.

163. Kardashev, B.K. Internal friction and impact toughness of structural BCC alloys / B.K. Kardashev, V.M. Chernov // Mater. Sci. Eng. A. - 2009. - V. 521-522. - P. 329-334.

164. Кардашев, Б.К. Упругие, микро- и макропластические свойства поликристаллического бериллия / Б.К. Кардашев, И.Б. Куприянов // ФТТ. - 2011. -Т. 53. - С. 2356-2361.

165. Kardashev, B.K. Micro- and Macro-Plastic Properties of Be Polycrystals /

B.K. Kardashev, I.B. Kupriyanov // Sol. Stat. Phenomena. - 2012. - V. 184. - P. 257-262.

166. Marx, J. Use of the Piezoelectric Gauge for Internal Friction Measurements / J. Marx // Rev. Scient. Instr. - 1951. - V. 22. - N. 7. - P. 503-514.

167. Никаноров, С.П. Упругость и дислокационная неупругость кристаллов /

C.П. Никаноров, Б.К Кардашев. - М.: Наука, 1985. - 253 с.

168. Schiffmann, K.I. Determination of fracture toughness of bulk materials and thin by nanoindentation: comparison of different models / K.I. Schiffmann // Phil. Mag. - 2011.

- V. 91. - N. 7-9. - P. 1163-1178.

169. Incipient plasticity and surface damage in LiTaO3 and LiNbO3 single crystals / M. Gruber, A. Leitner, D. Kiener [et al.] // Materials & Design. - 2018. - V. 153. - N. 5.

- P. 221-231.

170. Room-Temperature Creep Behavior and Activation Volume of Dislocation Nucleation in a LiTaO3 Single Crystal by Nanoindentation / Y. Ma, X. Huang, Y. Song [et al.] // Materials. - 2019. - V. 12. - N. 10. - P. 1683.

171. Atomistic origins of the differences in anisotropic fracture behaviour of LiTaO3 and LiNbO3 single crystals / M. Gruber, R. Konetschnik, M. Popov [et al.] // Acta Materialia.

- 2018. - V. 150. - N. 15. - P. 373-380.

172. Comparative nanoindentation of single crystals of hard and superhard oxides / N. Dub, V.V. Brazhkin, V.A. Belous [et al.] // Journal of Superhard Materials. - 2014. -V. 36. - P. 217-230.

173. Colemana, V.A. Mechanical properties of ZnO epitaxial layers grown on a- and c-axis sapphire / V.A. Colemana, J.E. Bradby, C. Jagadish // Applied Physics Letters. - 2005. -V. 86. - N. 20. - P. 203105.

174. Jian, S.R. Mechanical responses of single-crystal ZnO / S.R. Jian // Journal of Alloys and Compounds. - 2010. - V. 494. - N. 1-2. - P. 214-218.

175. Jian, S.R. Nanoindentation-induced interfacial fracture of ZnO thin films deposited on Si(111) substrates by atomic layer deposition / S.R. Jian, Y.H. Lee // Journal of Alloys and Compounds. - 2014. - V. 587. - P. 313-317.

176. Fang, T.H. Nanoindentation characterization of ZnO thin films / T.H. Fang, W.J. Chang, C.M. Lin // Materials Science and Engineering: A. - 2007. - V. 452-453. -N.15. - P. 715-720.

177. A nanoindentation study of the mechanical properties of ZnO thin films on (0001) sapphire / R. Navamathavan, K.K. Kim, D.K. Hwang [et al.] // Applied Surface Science.

- 2006. - V. 253. - N. 2. - P. 464-467.

178. Nanoindentation on a-plane ZnO thin films / S.R. Jian, J.S.C. Jang, G.J. Chen [et al.] // Journal of Alloys and Compounds. - 2009. - V. 479. - N. 1-2. - P. 348-351.

179. Crystallographic orientation effect on the incipient plasticity and its stochastic behavior of a sapphire single crystal by spherical nanoindentation / Y. Ma, L. Cao, W. Hang [et al.] // Ceramics International. - 2020. - V. 46. - N. 10. - P. 15554-15564.

180. Microcantilever investigation of fracture toughness and subcritical crack growth on the scale of the microstructure in Al2O3 / A.D. Norton, S. Falco, N. Young [et al.] // Journal of the European Ceramic Society. - 2015. - V. 35. - N. 16. - P. 4521-4533.

181. Comparative studies of mechanical properties of stishovite and sapphire single crystals by nanoindentation / S.N. Dub, V.V. Brazhkin, N.V. Novikov [et al.] // Journal of Superhard Materials. - 2010. - V. 32. - P. 406-414.

182. Mao, W.G. Nanoscale elastic-plastic deformation and stress distributions of the C plane of sapphire single crystal during nanoindentation / W.G. Mao, Y.G. Shen, C. Lu // Journal of the European Ceramic Society. - 2011. - V. 31. - N. 10. - P. 1865-1871.

183. Ruppi, S. Nanoindentation hardness, texture and microstructure of a-AbO3 and к-AbO3 coatings / S. Ruppi, A. Larsson, A. Flink // Thin Solid Films. - 2008. - V. 516. -N. 18. - P. 5959-5966.

184. Вайнштейн, Б.К. Современная кристаллография (в четырех томах). Том 2. Структура кристаллов / Б.К. Вайнштейн, В.М. Фридкин, В.Л. Инденбом. - М: Наука; 1979. - 360 c.

185. Ahman, J. A Reinvestigation of b-gallium oxide / J. Ahman, G. Svensson, A. Albertsson // Acta Cryst. - 1996. - V. C52. - P. 1336-1338.

186. Marezio, M. Bond Lengths in the a-Ga2O3 Structure and the High Pressure Phase of Ga2-xFexO3 / M. Marezio, J.P. Remeika // J. Chem. Phys. - 1967. - V. 46. - N. 1. - P. 1862-1865.

187. Duwell, E.J. Friction and wear of single-crystal sapphire sliding on steel / E.J. Duwell // J. Appl. Phys. - 1962. - V. 33. - N. 9. - P. 2691- 2697.

188. Кардашев, Б.К. Внутреннее трение и физико-механические свойства твердых тел / Б.К. Кардашев // Кристаллография. - 2009. - Т. 54. - № 6. - C. 1074-1086.

189. Gremaud, G. Dislocation - Point Defect Interactions / G. Gremaud // Sci. Forum. -2001. - V. 366-368. - P. 178-246.

190. Savastenko, V.A. Study of the elastic properties of gallium nitride / V.A. Savastenko, A.U. Sheleg // Physica Status Solidi (A). - 1978. - V. 48. - N. 2. - P. К135-К139.

191. Kim, K. Elastic constants and related properties of tetrahedrally bonded BN, AlN, GaN, and InN / K. Kim, W.R.L. Lambrecht, B. Segall // Physical Review B. - 1996. -V. 53. - N. 24. - P. 16310-16326.

192. Mechanical properties characterization of c-plane (0001) and m-plane (10-10) GaN by nanoindentation examination / M. Fujikane, A. Inoue, T. Yokogawa [et al.] // Phys. Status Solodi C. - 2010. - V. 7. - N. 7-8. - P. 1798-1800.

193. Brillouin scattering study in the GaN epitaxial layer / Y. Takagi, M. Ahart, T. Azuhata [et al.] // Physica B. - 1996. - V. 219&220. - P. 547-549.

194. Influence of growth temperature on laser molecular beam epitaxy and properties of GaN layers grown on c-plane sapphire / R. Dixit, P. Tyagi, S.S. Kushvaha [et al.] // Opt. Mater. (Amst). - 2017. - V. 66. - P. 142-148.