Материалы для газовых сенсоров на основе нанокристаллических SnO2 и In2O3, модифицированных фотосенсибилизаторами тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 00.00.00, кандидат наук Насриддинов Абулкосим Фирузджонович

• Насриддинов Абулкосим Фирузджонович
• кандидат наук
• 2022

Оглавление диссертации кандидат наук Насриддинов Абулкосим Фирузджонович

Введение

1. Обзор литературы

1.1. 8и02 и 1п203 как материалы для полупроводниковых газовых сенсоров

1.1.1. Фазовая диаграмма системы Sn - О и кристаллическая структура диоксида олова

1.1.2. Фазовая диаграмма системы 1п - О и кристаллическая структура оксида индия

1.1.3. Зонная структура и точечные дефекты оксидов олова и индия

1.2. Фотоактивация и фотопроводимость широкозонных полупроводниковых оксидов

1.3. Формирование сенсорного отклика полупроводниковых оксидов

1.4. Основные пути улучшения селективности и уменьшения энергопотребления полупроводниковых сенсоров резистивного типа

1.4.1. Фоточувствительные композитные системы типа «металл-полупроводник»

1.4.2. Фоточувствительные композитные системы на основе гетероструктур

1.4.3. Фоточувствительные органо-неорганические гибридные материалы

1.5. Выводы по литературному обзору и постановка задачи

2. Экспериментальная часть

2.1. Синтез образцов для исследования

2.1.1. Синтез нанокристаллического SnO2

2.1.2. Синтез нанокристаллического 1п203

2.1.3. Синтез гетероциклических комплексов Ru(И)

2.1.4. Синтез наночастиц Аи и Ag

2.1.5. Синтез нанокомпозитов SnO2/TiO2@М, где М = Р^ Аи, Ag

2.1.6. Сенсибилизация нанокристаллических оксидов

2.2. Методы исследования состава и микроструктуры

2.2.1. Рентгеновская дифракция

2.2.2. Низкотемпературная адсорбция азота

2.2.3. Просвечивающая и сканирующая электронная микроскопия (ПЭМ и СЭМ)

2.2.4. Рентгенофлуоресцентный анализ (РФлА)

2.2.5. Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия (РФЭС)

2.2.6. Термогравиметрия с масс-спектральным анализом (ТГ-МС)

2.2.7. Термопрограммируемое восстановление водородом (ТПВ-Н2)

2.2.8. Спектроскопия электронного парамагнитного резонанса (ЭПР)

2.2.9. ИК-Фурье спектроскопия

2.2.10. Спектроскопия комбинационного рассеяния света

2.2.11. Спектроскопия поглощения в УФ и видимом диапазоне

2.2.12. Спектральная зависимость фотопроводимости

2.2.13. Исследование электрофизических и сенсорных свойств

3. Результаты и обсуждение

3.1. Органо-неорганические гибридные материалы

3.1.1. Фазовый состав и параметры микроструктуры нанокристаллических оксидов металлов

3.1.2. Оптические свойства комплексов Ru(II) на основе производных Щ-имидазо[4,5-Г][1Д0] фенантролина

3.1.3. Оценка термической устойчивости сенсибилизированных материалов

3.1.4. Сенсорные свойства гибридных материалов при комнатной температуре в условиях периодической подсветки

3.1.5. Исследование процессов, протекающих на поверхности гибридных материалов при взаимодействии с NO и NO2

3.1.6. Исследование влияния влажности атмосферы на сенсорные свойства и процессы, протекающие на поверхности полупроводниковых оксидов и гибридных материалов при взаимодействии с NO и NO2

3.1.7. Исследование влияния микроструктуры полупроводникового оксида на сенсорные свойства гибридных материалов при взаимодействии с NO2

3.1.8. Исследование селективности гибридных материалов

3.1.9. Заключение

3.2. Неорганические нанокомпозиты SnO2/ TiO2@M, где М = Pt, Au, Ag

3.2.1. Фазовый состав, размер частиц и параметры микроструктуры нанокомпозитов

3.2.2. Состав поверхности нанокомпозитов

3.2.3. Исследование сенсорных свойств нанокомпозитов SnO2/TiO2@M (M = Ag, Au, Pt) при детектировании летучих органических соединений

3.2.4. Исследование процессов, протекающих на поверхности нанокомпозитов SnO2/TiO2@M (M = Ag, Au, Pt) при детектировании формальдегида

3.2.5. Заключение

4. Выводы

5. Список литературы:

Список используемых сокращений и условных обозначений

ВЗ - валентная зона ЗП - зона проводимости

ВЗМО - высшая занятая молекулярная орбиталь НСМО - низшая свободная молекулярная орбиталь

MLCT (metal-to-ligand charge transfer) - перенос заряда с металла на лиганд

MC (metal centered charge transfer) - перенос заряда внутри металла

LC (ligand centered charge transfer) - внутрилигандный перенос заряда

LMCT (ligand-to-metal charge transfer) - перенос заряда с лиганда на металл

ПДКрз. - предельная допустимая концентрация в воздухе рабочей зоны

ppm (parts per million) - миллионная доля

ЛОС - летучие органические соединения

RH (relative humidity) - относительная влажность воздуха

НЧ Pt - наночастицы платины

НЧ Au - наночастицы золота

НЧ Ag - наночастицы серебра

ОКР - область когерентного рассеяния

BET (Brunauer-Emmett-Teller) - модель Брунауэра-Эмметта-Теллера BJH (Barret-Joyner-Halenda) - модель Баррета-Джойнера-Халенды ПЭМ - просвечивающая электронная микроскопия СЭМ - сканирующая электронная микроскопия

EDX (energy-dispersive X-ray spectroscopy) - рентгеновская спектроскопия с дисперсией по энергии

РФлА - рентгенофлуоресцентный анализ

РФЭС - рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия

ТГ-МС - термогравиметрия с масс-спектральным анализом газообразных продуктов ТПВ - H2 - термопрограммируемое восстановление водородом ЭПР - спектроскопия электронного парамагнитного резонанса ИК-спектроскопия - инфракрасная спектроскопия Спекроскопия КР - спектроскопия комбинационного рассеяния

DRIFTS (diffuse reflectance infrared Fourier transform spectroscopy) - инфракрасная Фурье-

спектроскопия диффузного отражения

СДО - спектроскопия диффузного отражения

ПГС - поверочные газовые смеси

Введение

Актуальность работы. За последние десятилетия бурное развитие промышленности привело к увеличению количества загрязняющих и токсичных веществ в окружающей среде, в том числе и в атмосфере воздуха. В мегаполисах и промышленных районах уровень загрязнения зачастую превышает предельно допустимые концентрации, что в свою очередь может привести к серьёзным последствиям для здоровья населения. В связи с этим актуальной задачей для системного мониторинга и контроля состояния окружающей среды является детектирование и измерение концентрации загрязняющих, токсичных, горючих и технологических газов. В настоящее время в исследовательских центрах и технологических лабораториях для определения следовых концентраций газов пользуются такими методами исследования, как газовая хроматография, масс-спектрометрия и ИК-спектроскопия поглощения. Однако в силу высокой стоимости самих приборов, габаритных размеров, большого веса, высокой потребляемой мощности и сложного обслуживания, эти методы непригодны для массового применения. Выходом из данной ситуации может служить разработка миниатюрных сенсоров для экспрессного и мобильного детектирования газов.

Газовый сенсор это устройство, предназначенное для качественного или количественного определения состава воздуха окружающей среды. В зависимости от материала чувствительного элемента, физических или химических принципов детектирования аналита газовые сенсоры подразделяют на оптические, пьезоэлектрические, электрохимические, термокаталитические, акустические, кондуктометрические и т.д. При этом благодаря простоте конструкции и дешевизне, высокой чувствительности к низким концентрациям примесей в атмосфере, быстрому отклику и возможности интегрирования в современные приборы, газовые сенсоры резистивного типа представляют особый интерес и являются перспективными для широкого практического применения. В качестве материала чувствительного слоя чаще всего используются широкозонные полупроводниковые оксиды металлов, а аналитический сигнал формируется в результате протекания обратимых процессов при взаимодействии газа с поверхностным слоем полупроводника, которые приводят к изменению сопротивления.

Тем не менее, к существенным недостаткам таких сенсоров можно отнести недостаточную селективность и стабильность, а также высокое энергопотребление вследствие необходимости поддержания высоких рабочих температур (250-500°С),

приводящих к деградации материала чувствительного слоя с течением времени и к определённым рискам, связанным с детектированием в пожароопасной и взрывоопасной атмосфере. С другой стороны, высокая температура позволяет повысить концентрацию свободных носителей заряда, активировать и контролировать кинетику протекающих химических процессов на поверхности полупроводниковых оксидов, а также ускорить процесс десорбции продуктов реакции. Поэтому разработка новых стратегий эффективного обнаружения химических компонентов в окружающей атмосфере при температурах близких к комнатной имеет большой потенциал. В качестве одной из таких стратегий может быть использование фотоактивации как альтернативы термическому нагреву.

Активация светом может способствовать индуцированию фотогенерированных носителей заряда, стимулирующих протекание химических реакций на поверхности раздела «твёрдое тело-газ». С одной стороны, в качестве функциональной структуры могут быть использованы широкозонные полупроводниковые оксиды, что обеспечивает экономические преимущества, массовое производство и высокую стабильность. С другой стороны, стратегия замены термической активации на световую не только реализует высокоэффективное обнаружение газов (особенно горючих и взрывоопасных) при температурах, близких к комнатной, но также способствует разработке и производству портативных, интегрированных, гибких и многофункциональных сенсорных устройств.

В качестве источников излучения определёнными преимуществами обладают маломощные миниатюрные светодиоды. При этом замена УФ-излучения на источник видимого диапазона может дополнительно уменьшить энергопотребление вследствие малой требуемой энергии питания. Более того, на видимый диапазон спектра приходится и максимум интенсивности солнечного излучения, которое может быть дополнительно использовано в качестве источника освещения. Стоит отметить, что широкозонные полупроводниковые оксиды металлов являются оптически прозрачными в видимом диапазоне спектра. Поэтому для детектирования газов в условиях фотоактивации видимым светом необходима разработка новых гибридных материалов на основе нанокристаллических полупроводниковых оксидов, чувствительных к изменению состава газовой фазы, и фотосенсибилизаторов, обеспечивающих поглощение излучения видимого диапазона спектра.

Целью работы является установление закономерностей во взаимодействии широкозонных полупроводниковых оксидов металлов, модифицированных

органическими и неорганическими фотосенсибилизаторами, с газовой фазой в условиях фотоактивации при комнатной температуре, а также в темновых условиях при термическом нагреве. Для достижения поставленной цели в работе были решены следующие задачи:

1. Синтез органо - неорганических гибридных материалов, состоящих из полупроводниковых оксидов SnO2 и 1п203 и комплексов Ru(II) на основе производных 1Н-имидазо[4,5-:£][1Д0] фенантролина, содержащих гетероциклические заместители.

2. Синтез нанокомпозитов Бп02/ТЮ2@М, где М = Р1;, Аи, А§.

;. Исследование состава, параметров микроструктуры, оптических свойств, термической устойчивости и электрофизических свойств полученных материалов комплексом физико-химических методов.

4. Исследование сенсорных свойств синтезированных материалов по отношению к газам-окислителям К02 и N0, газам-восстановителям КН3, Н2Б, СО и летучим органическим соединениям при комнатной температуре в условиях фотоактивации и при термическом нагреве в темновых условиях.

5. Выявление процессов, отвечающих за формирование сенсорного отклика синтезированных материалов при взаимодействии с газовой фазой, с привлечением метода т-Б^и.

Объектами исследования являются нанокристаллические оксиды SnO2 и 1п203, модифицированные органическими и неорганическими фотосенсибилизаторами. В качестве органических фотосенсибилизаторов использованы комплексы Ru(II) на основе производных 1Н-имидазо[4,5-Г][1Д0] фенантролина, содержащих гетероциклические заместители, неорганических - наночастицы диоксида титана и благородных металлов Р1;, Аи, А§.

Научная новизна работы. Впервые получены органо-неорганические гибридные материалы на основе нанокристаллических оксидов Бп02 и 1п203 и комплексов Ru(П) на основе производных 1Н-имидазо[4,5-:£][1,10] фенантролина, содержащих гетероциклические заместители. Установлены взаимосвязи между составом, микроструктурой, фотоэлектрическими и газочувствительными характеристиками гибридных материалов. Результаты исследований методом т-зИи ИК-спектроскопии в атмосфере N0 и NO2 позволили выявить процессы, обеспечивающие низкотемпературное детектирование оксидов азота.

Впервые определены закономерности влияния модификаторов в виде наночастиц Pt, Au, Ag на состав поверхности, реакционную способность и сенсорные свойства нанокомпозитов 8п02/ТЮ2 при детектировании летучих органических соединений. С помощью метода in-situ ИК-спектроскопии был исследован процесс окисления формальдегида на поверхности нанокомпозитов, приводящий к усилению сенсорного отклика.

Практическая значимость обусловлена высокой чувствительностью полученных гибридных материалов по отношению к оксидам азота при комнатной температуре в условиях периодической подсветки синим светом. Синтезированные нанокомпозиты 8nO2/TiO2@Pt и SnO2/TiO2@Au представляют интерес для детектирования формальдегида на уровне ПДК рабочей зоны при низких рабочих температурах 100 - 200 оС.

Достоверность результатов работы обеспечена применением комплекса взаимодополняющих физико-химических методов исследования: рентгеновской дифракции, просвечивающей и сканирующей электронной микроскопии, низкотемпературной адсорбции азота, рентгенофлуоресцентного анализа, рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии, ИК спектроскопии, спектроскопии комбинационного рассеяния, оптической спектроскопии поглощения в УФ и видимой области, измерения спектральной зависимости фотопроводимости, термогравиметрии с масс-спектральным анализом газзобразных продуктов и термопрограммируемого восстановления водородом. Достоверность полученных результатов при определении сенсорных характеристик обеспечена многократными \n-situ исследованиями электрофизических свойств с использованием аттестованных газовых смесей.

Основные положения, выносимые на защиту

1. Воспроизводимые и масштабируемые методики синтеза органо-неорганических гибридных материалов на основе нанокристаллических оксидов 8п02 и 1п203 и комплексов Яи(11) на основе производных 1Н-имидазо[4,5-Г][1,10] фенантролина; нанокомпозитов 8п02/тЮ2, 8п02/тЮ2@р^ SnO2/TiO2@Au, SnO2/TiO2@Ag с равномерным распределением модификаторов на поверхности.

2. Установленные корреляции между составом, параметрами микроструктуры, фотоэлектрическими и газочувствительными характеристиками синтезированных материалов: модификация комплексами Яи(11) на основе производных 1Н-имидазо[4,5-1^[1,10] фенантролина позволяет сместить диапазон оптической чувствительности широкозонных полупроводниковых оксидов в видимую область спектра, что, в свою

очередь, приводит к увеличению воспроизводимого сенсорного сигнала при детектировании N02 и N0 в условиях фотоактивации светом видимого диапазона; совместная модификация Sn02 оксидом титана и наночастицами Аи или Р1 позволяет увеличить чувствительность к летучим органическим соединениям и снизить температуру, отвечающую максимальному сенсорному отклику при детектировании НСНО.

;. Установленные процессы, отвечающие за формирование сенсорного отклика синтезированных материалов, при детектировании оксидов азота (N0 и N0^ и летучих органических соединений на уровне соответствующих пороговых значений при комнатной температуре и в температурном диапазоне 25 - 200 оС, соответственно.

Личный вклад автора

В работе приведены результаты научных исследований, выполненных непосредственно автором в лаборатории химии и физики полупроводниковых и сенсорных материалов Химического факультета МГУ имени М.В. Ломоносова в период 2018 - 2022 гг. Вклад автора заключается в критическом анализе литературных данных, в выполнении синтеза всех образцов (за исключением комплексов Ru(II) на основе производных 1Н-имидазо[4,5-:£][1Д0] фенантролина), исследовании состава, фотоэлектрических и газочувствительных свойств образцов физико-химическими методами, обработке и обобщении результатов. Синтез комплексов Ru(П) на основе производных 1Н-имидазо[4,5-:{][1,10] фенантролина и определение энергий молекулярных орбиталей ВЗМО и НСМО методом циклической вольтамперометрии проведены к.х.н. Токаревым С.Д. под руководством проф., д.х.н. Федоровой О.А. в лаборатории фотоактивных супрамолекулярных систем ИНЭОС РАН. Часть экспериментальных исследований выполнена при участии к.х.н. Платонова В. Б. (рентгеновская дифракция), к.х.н. Гаршева А.В., к.т.н. Абрамчука С.С. и к.ф.-м.н. Максимова С.В. (просвечивающая электронная микроскопия, центр коллективного пользования МГУ имени М.В.Ломоносова), к.х.н. Герасимова Е. Ю. (просвечивающая электронная микроскопия, ИК СО РАН, г. Новосибирск), к.х.н. Баранчикова А.Е. и к.х.н. Платонова В.Б. (сканирующая электронная микроскопия, ИОНХ им. Н.С. Курнакова РАН), к.х.н. Шаталовой Т. Б. (термический анализ), к.х.н. Графова О.Ю. (рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия, ИФХЭ РАН). Автор лично проводил обработку, анализ и интерпретацию полученных данных. Работа выполнена в рамках проектов РНФ № 19-1900357 и РФФИ №

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Материалы для газовых сенсоров на основе нанокристаллических SnO2 и In2O3, модифицированных фотосенсибилизаторами»

Апробация работы

Основные результаты работы были представлены на 11 российских и международных конференциях в виде устных и стендовых докладов: XVII Конференция молодых ученых "Актуальные проблемы неорганической химии: низкоразмерные функциональные материалы ", (Звенигород, Россия, 2018 г.); 8th GOSPEL Workshop - Gas Sensors Based on Semiconducting Metal Oxides: Basic Understanding & Application Fields, (Ferrara, Италия, 2019); 5th Euchems Inorganic Chemistrty Conference (EICC-5), (Москва, Россия, 2019); Международная научная конференция студентов, аспирантов и молодых ученых "Ломоносов - 2019", "Ломоносов - 2020", "Ломоносов - 2021", (МГУ имени М.В.Ломоносова, Москва, 2019-2021); VII Всероссийская конференция по наноматериалам НАН0-2020 (ИМЕТ РАН, Москва, 2020); TCM/TOEO 2021 Conference, (Virtual meeting, Греция, 2021); XX Всероссийская конференция молодых ученых "Актуальные проблемы неорганической химии: материалы с функционально активной поверхностью", (Красновидово, Россия, 2021); XII Конференция молодых ученых по общей и неорганической химии (ИОНХ РАН, Москва, 2022); PhD GOSPEL workshop - Gas Sensors Based on Semiconducting Metal Oxides: Basic Understanding and Application Fields (Virtual event, Германия, 2022).

Публикации по теме диссертации

По результатам исследований опубликовано 17 работ, в том числе 8 статей в международных научных журналах, индексируемых Web of Science и/или Scopus, и тезисы 9 докладов в сборниках тезисов конференций.

Объём и структура диссертации

Работа состоит из введения, основной части (обзора литературы, экспериментальной части, результатов и их обсуждения), заключения, списка использованной литературы. Работа изложена на 162 страницах машинописного текста, содержит 16 таблиц, 76 рисунков и 326 ссылок на литературные источники.

1. Обзор литературы

1.1. SnO2 и In2O3 как материалы для полупроводниковых газовых сенсоров

Оксид олова (IV) со структурой касситерита (SnO2) и оксид индия со структурой биксбиита (In2O3) являются широкозонными полупроводниками n-типа проводимости. Благодаря относительно высокой концентрации и подвижности носителей заряда, а также оптической прозрачности в видимом диапазоне спектра, эти оксиды применяются в различных областях науки и технологии, в том числе в качестве материалов для прозрачных проводящих электродов [1, 2], оптических электронных устройств [3, 4], солнечных ячеек [5-7] и в производстве литиевых аккумуляторов [8]. С другой стороны, SnO2 и In2O3 являются идеальными кандидатами в качестве чувствительных материалов для газовых сенсоров резистивного типа в силу своих фундаментальных физических и химических свойств, таких как высокая химическая стабильность, наличие свободных электронов в зоне проводимости, поверхностных кислородных вакансий, а также активного хемосорбированного кислорода [9-11].

В последнее десятилетие наблюдается значительное увеличение числа научных публикаций (Рис.1), посвященных исследованиям сенсорных свойств в условиях фотоактивации, которые показали эффективность этого подхода при детектировании различных токсичных газов [12-14].

(а) Газовые сенсоры при (g) Газовые сенсоры в

комнатной температуре условиях фотоактивации

fil ч i:: ~

ГшЛи

2011 2012 2013 2014 2015 2016 2017 2018 2019 2020 2011 2012 2013 2014 2015 2016 2017 2018 2019 2020

Год Год

Рисунок 1. Статистика публикаций относительно газовых сенсоров, работающих (а) при низких температурах и (б) в условиях фотоактивации, с 2011 г. по июль 2020 г [15].

Исследование резистивных газовых сенсоров, функционирующих при фотоактивации, начались ещё в 1994 году. J. Saura обнаружил, что ультрафиолетовое (УФ) освещение может улучшить чувствительность газового сенсора на основе SnO2 придетектировании ацетона и трихлорэтилена за счёт увеличения концентрации

фотогенерированных носителей заряда и уменьшения высоты межзёренных барьеров [16]. В 2001 году Е. Сошт и др. показали, что освещение УФ-светом при комнатной температуре может улучшить сенсорные характеристики датчиков на основе тонких пленок 8п02 при детектировании диоксида азота по сравнению с сенсорами, работающих в условиях термоактивации, вследствие сокращения времени релаксации и отсутствия отравления поверхности [17]. Вскоре после этого 1.Б. РгаёеБ и др. предложили теоретическую модель, описывающую конкурентную адсорбцию между молекулами 02 и N02 в воздухе на одних и тех же адсорбционных центрах на поверхности 8п02, которая была использована для количественного определения роли фотонов, попадающих на поверхность оксидов металлов при световой активации при комнатной температуре [18, 19]. Соответствующие результаты показали, что: (1) электронно-дырочные пары, индуцируемые межзонным переходом, играют важную роль в фотоактивируемой адсорбции и десорбции молекул газа; (2) молекулы К02 легче адсорбировались на поверхностных кислородных вакансиях оксидов металлов, чем молекулы 02, что вскоре было подтверждено также и другим исследованием [20]; (3) поток фотонов, также как и концентрация газов, влияет на распределение двух типов молекул на поверхности.

Для 1п203 характерна специфическая чувствительность к газам-окислителям (03 или N0^ в низкотемпературном диапазоне (Т < 150°С) [21, 22], по сравнению с газами-восстановителями, такими как СО, МН3, углеводороды [23]. Однако, низкие рабочие температуры приводят к длительному времени стабилизации и релаксации сигнала, и слабому сенсорному отклику. Эти недостатки частично могут быть преодолены путём замены термического нагрева фотоактивацией с использованием света УФ или видимого диапазона [24].

1.1.1. Фазовая диаграмма системы Sn - О и кристаллическая структура диоксида олова

Система 8п-0 в температурном интервале до 1000°С характеризуется экспериментальной фазовой диаграммой (Рис. 2), установленной ОН. МоИ [25]. Автор указывает на то, что оксид олова (II) 8п0 существует в стабильном состоянии в температурном интервале от 25 до 270°С и кристаллизуется в тетрагональной структуре. При повышении температуры 8п0 разлагается на 8п и 8п02. Согласно диаграмме, 8п304, кристаллическая структура которого отвечает триклинной сингонии, является стабильным соединением в температурном интервале ниже 450°С. В этом соединении олово находится в смешанном валентном состоянии - 8п(11) и 8п(1у): 8п304(8) ^ 2 8п0(8) + 8п02(8). Оксид

олова (IV) 8п02 с тетрагональной структурой является стабильным, начиная с комнатной температуры. Стоит отметить, что состав диоксида олова характеризуется отклонением от стехиометрического в широком интервале температур вследствие образования кислородных вакансий, поэтому чаще всего обозначается в виде 8п02-5.

Рис.2. Фазовая диаграмма системы $п-0 в температурном интервале 100 - 500°C

[25].

В таблице 1 представлены кристаллографические данные твердых фаз в системе 8п -О. Оксиды в этой таблице представлены как стехиометрические.

Таблица 1. Кристаллографические данные твердых фаз в системе Sn - O [26].

Фаза Состав (О, ат.%) Пространственная группа Структурный тип Лит. источник

а - Sn 0 Fd3m C (алмаз) [27]

ß - Sn < 0,01 I41/amd ß - Sn [27]

SnO 50 P4/nmm PbO [27]

Sn3O4 57,1 P (не определена) Sn3O4 [28]

SnO2 66,7 P42/mnm TiO2 [27]

В температурном диапазоне 1000 - 3000°C фазовая диаграмма, описывающая систему Sn - O, является теоретической. Эта диаграмма была разработана D.J. McPherson и M. Hanson [27] и представлена T.B. Massalski [28] (рис. 3). На этой диаграмме можно

отметить, что БпО2 конгруэнтно плавится при 2000°С. В интервале 1040 - 1700°С наблюдается большая область смешивания жидких фаз 1 и 2.

Рис.3. Фазовая диаграмма системы Sn-O в температурном интервале 0 - 3000^

[27].

БпО2 имеет несколько полиморфных модификаций со структурными типами рутила (P42/mnm), СаС12 (Pnnm), а-РЬО2 ^Ыи), пирита (Pa3), 2гО2 (Pbca) с орторомбической фазой I, флюорита (Fm3m), котуннита (Pnam) с орторомбической фазой II [28-32]. Все эти модификации могут быть получены тогда, когда наиболее распространенная и стабильная фаза рутила подвергается высокому механическому давлению. Наиболее важной формой БпО2 природного происхождения является минерал касситерит с тетрагональной структурой рутила, пространственной группой P42/mnm (№136) и симметрией БЦ [33].

Рис.4. Элементарная ячейка SnO2 со структурой касситерита.

Для стехиометрического диоксида олова со структурой касситерита элементарная ячейка с постоянными решетки a = b = 4.7374(1) Ä и c = 3.1864(1) Ä содержит два атома олова и четыре атома кислорода со степенями окисления (+4) и (-2), соответственно [34]. Шесть атомов кислорода находятся в узлах правильного октаэдра, внутри которого расположен атом олова, а каждый атом кислорода окружен тремя атомами олова в плоскости (рис.4).

1.1.2. Фазовая диаграмма системы In - O и кристаллическая структура оксида индия

Фазовая диаграмма системы In-O включает одно стехиометрическое соединение -In203, соединения In20 и InO являются метастабильными фазами [35]. В диапазоне температур 650 - 820°C было проведено исследование растворимости кислорода в жидком индии K. Fitzner и Y.A. Chang [36], а температура точки плавления In203 была оценена О. Knacke и др. [37]. С использованием этой информации была проведена термодинамическая оценка системы In-0 [38, 39] (рис.5).

Рис.5. Фазовая диаграмма системы 1п-0 [38].

Наиболее термодинамически стабильной формой 1п203 является кубическая фаза со структурой биксбиит (пространственная группа 1а3, симметрия Гй7, № 206) [40, 41]. Существуют и другие полиморфные модификации, например, ромбоэдрическая со структурой корунда (пространственная группа Я3с, №167), синтезированная под высоким давлением 5-57 ГПа и при высоких температурах 800-1250°С. Однако такие

метастабильные структуры при нормальных условиях переходят в структурный тип биксбиита [42, 43]. Поэтому можно утверждать, что при типичных условиях работы полупроводниковых газовых сенсоров In2Oз существует только в структурном типе биксбиита, что согласуется с результатами, полученными при исследованиях методом рентгеновской дифракции [44]. При отжиге выше температуры 250°С In2O3 формирует кристаллическую кубическую структуру, при меньших значениях температуры отжига соединение является аморфным.

Элементарная ячейка биксбиита - кубическая объемно-центрированная с постоянной решетки 10.117 А. Элементарная ячейка состоит из 40 атомов, но обычно используется кубическая элементарная ячейка, включающая 80 атомов - 32 атома индия и 48 атомов кислорода (рис. 6 (а)). Атомы индия расположены в двух неэквивалентных позициях - d (24 атомов) и Ь (8 атомов) (эти позиции на рисунке 6 (а) окружены зеленым и коричневым многогранниками, соответственно). Для обоих типов атомов индия координационное число равно 6, а для атомов кислорода равно 4. В положении d атом индия окружен шестью атомами кислорода, образующих тригональную антипризму, а в положении Ь -образующих октаэдр. Вдоль направления (001) кристалл можно представить как набор из трех разных слоев: смешанный слой, состоящий из атомов 1п-Ь и (М-слой), слой, содержащий только атомы ^-слой), и кислородный слой [45].

Рис.6. Элементарная ячейка Ы203 (а) и иллюстрация двух неэквивалентных позиций индия в кристаллической решетке (б) [46].

В кристаллической структуре также встречаются дефекты - атомы кислорода, находящиеся в междоузельных позициях. В ё положении они находятся на лицевой диагонали куба, а в Ь положении - в объемной диагонали куба (рис. 6 (б)).

1.1.3. Зонная структура и точечные дефекты оксидов олова и индия

Электронная структура Бп02 и 1п203 даёт представление об электронных свойствах, влияющих на физико-химические характеристики и возможное применение этих оксидов в различных областях. Для обоих оксидов дно зоны проводимости (ЗП) преимущественно образовано 8п-5б и 1п-5б орбиталями, а вершина валентной зоны (ВЗ) в основном образована разрыхляющими 0-2р орбиталями, тогда как нижняя часть ВЗ образована в результате перекрывания 0-2б и М-ё (М = металл) орбиталей.

Валентную зону SnO2 можно разделить на три различные энергетические области. Максимум валентной зоны (от 0 до -2 эВ) имеет доминирующий характер 0-2р состояний. Центральная область (от -2 до -5 эВ) является результатом гибридизации Sn-5p и 0-2р орбиталей, а в нижней части ВЗ (от -5 до -9 эВ) состояния Sn-5s имеют большую долю гибридизации с состояниями 0-2р, чем с состояниями Sn-5p [47]. Зона проводимости имеет лишь небольшой вклад 0-2р орбиталей, её дно (от 3.6 до 8 эВ) имеет доминирующий характер Sn-5s состояний, а по мере увеличения энергии (от 8 до 12) эВ -доминирующий характер приобретают Бп 5р-состояния (Рис.7).

(а)

Бп 5р

Бп 5б

2t

1и

(б)10

5

^=Чи ^О 2р

1а

1е

Рис. 7. Диаграмма молекулярных орбиталей (а) и рассчитанная методом DFTзонная структура $п02 [48].

В случае 1п203 заполненные 4ё-орбитали индия расположены почти на 10 эВ ниже, чем потолок ВЗ, и могут взаимодействовать с О^ орбиталями (Рис.8). В структуре

е

в

оксида олова Sn-4d орбитали расположены даже ниже, чем уровни О^ орбиталей, и не могут оказать влияние на положение края ВЗ. Следствием такого расположения О-2р и Sn-4d или In-4d орбиталей по энергии является плоская и локализованная ВЗ, что приводит к большой эффективной массе дырки и, следовательно, к низкой подвижности дырок и высоким значениям потенциала ионизации. С другой стороны, перекрывание s-орбиталей катионов, у которых относительно большой размер, приводит к сильной дисперсии и делокализованности зоны проводимости. Поэтому дно ЗП опускается до относительно низких значений энергий по сравнению с другими ковалентными полупроводниками или оксидами с ЗП, образованной d-орбиталями металлов. Это приводит к уменьшению значения эффективной массы электрона, что способствует увеличению подвижности электронов и увеличению сродства к электрону этих оксидов (Таблица 2).

Таблица 2. Электрофизические данные SnO2 и In2O3 [49, 50].

Полупро водник Структурный тип Ширина запрещённой зоны, [эВ] Эффективная масса электрона, [me] Эффективная масса дырки, [me] Концентрация электронов, [см-3] Подвижность электронов, [см2/(В*с)] Электропро водность, [См/см]

SnÜ2 Рутил 3.6 0.26-0.35 1.6 1015-1018 150-260 > 103

In2Ü3 Биксбиит 2.9 0.2-0.3 2.87 1017-1019 100-270 > 104

Величина запрещённой зоны является предметом бурных обсуждений, теоретически и экспериментально полученные результаты разнятся [45]. Вершина ВЗ и дно ЗП расположены в точке Г зоны Бриллюэна, что делает SnO2 и In2O3 прямозонными полупроводниками. В случае In2O3 ВЗ в точке Г является трижды вырожденной и возникает в результате гибридизации O-2p и In-4d (Г4, симметрия Tg) орбиталей, в то время как ЗП представляет собой комбинацию орбиталей In-5s и O-2s. (Г1, Ag-симметрия). Поскольку кристаллическая структура In2O3 содержит центр инверсии, а оператор электрического диполя является нечетным, то прямые оптические переходы разрешены только между двумя состояниями противоположной четности. Эти ограничения по симметрии приводят к исчезновению прямого оптического перехода из ВЗ в ЗП. [51, 52]. Согласно исследованиям фотоэмиссии с угловым разрешением (ARPES), проведенным C. Janowitz и др. [53], разрешенные переходы начинаются с уровней,

расположенных на 0.8 эВ ниже максимума ВЗ, и энергия этого перехода составляет 3.7 эВ.

-18-

Экспериментально полученное значение ширины запрещённой зоны для 1п203 составляет 2.9 эВ [51, 53-56], а для Бп02 - 3.6 эВ [57, 58].

Рис.8. Диаграмма молекулярных орбиталей (а) и рассчитанная методом DFT зонная структура In203 [49, 59].

Недопированные SnO2 и In2O3 со стехиометрическим составом являются фактически диэлектриками, но при нормальных условиях наблюдается отклонение состава от стехиометрического с недостатком по кислороду. Такое отклонение связано с наличием междоузельных атомов олова (Sni) или индия (Ini) и кислородных вакансий VO. Эти дефекты ответственны за то, что оксиды олова и индия обладают свойствами полупроводников n-типа проводимости. Основной причиной возникновения таких дефектов в структуре является низкая энергия их образования [60]. Так как настоящая работа посвящена композитным материалам, в которых в качестве матрицы были использованы недопированные SnO2 и In2O3, то в данном разделе будут рассматриваться только собственные дефекты, образующиеся в этих оксидах.

В работе [61] подробно исследована энергия образования различных дефектов в SnO2 и In2O3 с использованием моделей потенциалов межатомных взаимодействий. При вычислениях было использовано предположение о том, что максимум валентной зоны

может быть представлен дыркой, локализованной на анионе (0о ), а минимум зоны

проводимости может быть представлен электроном на катионе ( Sn'Sn или In'In ), а разница в энергии между ними даёт ширину запрещённой зоны. В частности, был предложен механизм ионного разупорядочения в объёме и образования дефектов по Френкелю и Шоттки. Рассчитанные значения соответствующих энергий образования дефектов в

сравнении с другими теоретическими работами приведены в таблице 3, а квазихимические реакции на примере SnO2 представлены в уравнениях (1) - (4).

Таблица 3. Энергия образования точечных дефектов в кристалличесской структуре

$п02 и 1п203 [61].

Тип дефекта Энергия образования дефекта, эВ

Sn02 1П2О3

[61] [62] [63] [61] [64]

Френкель (анион) 6.33 5.54 7.99 3.67 3.19

Френкель (катион) 9.26 9.63 7.0 6.85

Шоттки 7.92 5.19 11.32 6.16 4.44

анти- Шоттки 6.69 8.61 3.83 4.87

ЕФренкель( анион) Е ] + Е ]

(1)

ЕФренкель{катион) Е] + Е [] ()

Ешоттк« = Е №'] + 2 Е _¥"] + Е \ 8пв2 ] (3)

Еанти—Шоттки = Е [ 5ПТ] + 2 Е\0] - Е \ ] (4)

По результатам расчётов можно заметить, что энергии образования дефектов разнятся для SnO2 и 1п203, но в целом тенденция сохраняется. Таким образом, основным типом дефектов, приводящих к разупорядочению в структуре этих оксидов, является анионная пара дефектов по Френкелю, а энергии образования дефектов в Sn02 выше, чем у 1п203, что указывает на более низкий уровень концентрации термически генерируемых дефектов.

Результаты экспериментальных исследований по измерению зависимости проводимости Sn02 от парциального давления кислорода показали, что основным типом дефектов, приводящих к отклонению состава от стехиометрического, являются кислородные вакансии [65]. Это равновесие в рамках квазихимической реакции может быть записано в следующем виде:

Snxsn + 2O ~ Snxsn + IVO' + 4e' + O2 (5)

Для изучения природы образующихся дефектов на поверхности диоксида олова было проведено исследование Sn02 методом электронного парамагнитного резонанса (ЭПР) после его взаимодействия с CO в атмосфере аргона [47, 66]. Полученные результаты показали наличие полосы с g-фактором равным 1.89, который связан с

однократно-ионизованными вакансиями кислорода V о . Эта полоса проявляется при

взаимодействии СО с поверхностным кислородом с образованием С02 и нейтральной вакансии кислорода, которая подвергается ионизации, а электрон переносится в зону проводимости Sn 5 s [67].

со+о ^ cO + (6)

у0х ^ в' (7)

Было сделано предположение, что У, переносит электроны на ионы олова с образованием [У0 ] посредством реакции (8):

Бпх5п + 2 У,^ + 2 V,' (8)

Зависимость энергии образования точечных дефектов от энергии Ферми Е^ в структуре 8п02 в обеднённых кислородом условиях показана на рис.9 [60]. Нулевое значение Ее соответствует краю ВЗ. Заполненные символы обозначают положение донорного (сплошная линия) или акцепторного (пунктирная линия) уровня.

Рис.9. Энергии образования точечных дефектов в структуре $п02.

В случае если ЕР находится вблизи края ВЗ, дефекты Бщ и У0 могут образоваться спонтанно, т.к. энергии образования Бп4+ и У^+ являются отрицательными, что приведет к отклонению состава от стехиометрического. С другой стороны, когда ЕЕ находится посередине запрещенной зоны, энергия образования Бп4+ остаётся отрицательной, а У^+ становится положительной, в этом случае дефект Бщ может образоваться в больших

количествах. Самый низкий уровень перехода дефектов у Бщ находится в ЗП, поэтому он полностью ионизируется, а также может формировать неглубокие донорные уровни из-за слабой связи внешних электронов в атоме олова. У кислородной вакансии У0, наоборот, донорный уровень лежит ниже края ЗП, поэтому он ионизируется только тогда, когда Е находится ниже этого уровня. По мере приближения Е к ЗП, энергия образования акцепторных дефектов, таких, как 0г и У5п, уменьшается. Высокая энергия образования Уп обусловлена большим электростатическим отталкиванием между анионами кислорода, находящимися в вершинах октаэдра, в центре которого располагается Би. В силу высокой энергии образования дефекта Бп , он не способствует отклонению состава диоксида олова от стехиометрического.

Таким образом, кислородные вакансии (У0 ) и междоузельные атомы олова (Бщ )

являются доминирующими типами точечных дефектов в структуре SnO2, определяющими

-22-

отклонение его состава от стехиометрического. Такие дефекты могут образовать неглубокие донорные уровни, обеспечивающие проводимость и-типа в нелегированном

Бп02. Электроны, высвобождаемые из донорных дефектов ^^ и У0 , с одной стороны, не могут быть скомпенсированы акцепторными дефектами (У5п и О ), так как у последних большая энергия образования, а с другой стороны, не могут совершать прямые оптические переходы в видимом диапазоне спектра из-за большого значения ширины запрещенной зоны. Это позволяет диоксиду олова быть прозрачным в видимом диапазоне спектра и в то же время иметь большую концентрацию носителей заряда.

Для 1п203 основные типы дефектов также были экспериментально определены по измерениям электропроводности в зависимости от температуры и парциального давления кислорода [68-70]. Соответствующее равновесие реакции может быть приведено в следующем виде:

21пхы + ЭОо ^ 21пх1п + ЗУ" + 6е' + 3 / 2О2 (9)

В работе [71] авторы провели исследование различных возможных конфигураций точечных дефектов в структуре 1п203 с помощью вычислений в рамках формализма псевдопотенциала плоской волны теории функционала плотности. На рисунке 10 приведены зависимости энергии образования точечных дефектов от энергии Ферми ЕР в

структуре 1п203 для двух разных условий - обеднённои (а) и обогащённои (б) кислородом среды, а также энергии перехода дефектов (в). Символы (кружки), расположенные ниже и выше уровней перехода, обозначают заселенность соответствующего дефектного уровня относительно энергии Ферми. Электроны занимают дефектное донорное состояние, тогда как акцепторные уровни заселены дырками. Энергии перехода для доноров сдвигаются вверх, следуя за зоной проводимости, а акцепторные уровни смещаются вниз, при этом сдвиги акцепторных уровней меньше по сравнению со сдвигами, характерными для донорных уровней.

Область белого цвета представляет собой расчетную ширину запрещенной зоны, равную 1.81 эВ (на рис.10в она обозначена пунктирной линией в серой области), а область серого цвета - её экспериментальное значение, равное 2.8 эВ. Край валентной зоны находится при ЕР = 0.

In-b

(в)

2 3 0 1 2

Энергия Ферми, эВ

m 2.8 fll

, 2.5

5

§ 2.0 a

0 1.5

5 1.0

6 0.5 X

(T) 0

Donors Acceptors

( + 1/0) / <+1/°> •1* Г .. — •• — / ¡— **-.....— .................J......... ...........»............ CB

Г ^ц ; (+2/+1) _ /:' (+2/+1); •• 1 / / • _(+2 / +1)/ ^ / , / j . • \ (-3 / -2) \ - pGCA+U (-2/-1)___ tg • • '— —

а / (+з~ (+1/0) -_(+3 / +2) p5GA i 1-2/-1) '•— • ♦ _

lni-a/c lnO V0 °i,db Oi-c Vln-b VB

Рис.10. Энергия образования точечных дефектов в структуре 1п203 в условиях а) обеднённой кислородом среды и б) обогащенной кислородом среды; (в) энергии

перехода дефектов [71].

В обеднённой кислородом среде кислородные вакансии У являются донорными дефектами с наименьшей энергией образования и имеют относительно малую энергию перехода вблизи края зоны проводимости. Кроме того, междоузельные атомы индия 1п1с

и 1п_а, а также атомы кислорода в узлах индия 01п_ь и 0ы_а могут дополнительно обеспечить переход электронов в зону проводимости, однако энергия их образования высока. Акцепторные дефекты, такие как междоузельные атомы кислорода 0г_с и

вакансии атомов индия У и У обладают высокими энергиями образования, так что носители заряда в зоне проводимости остаются некомпенсированными. В обогащённой

кислородом среде в диапазоне расчетной запрещенной зоны нейтральные междоузельные атомы кислорода О¿ъ имеют наименьшую энергию образования.

Таким образом, собственные донорные дефекты в структуре 1п203 обеспечивают высокую проводимость и-типа оксида индия без дополнительного легирования. При этом кислородные вакансии представляются более вероятными преобладающими дефектами, чем междоузельные атомы индия, из-за более низкой энергии их образования. В работе [72] было показано, что нанокристаллический 1п203, полученный при низкой температуре отжига, является высокодефектным. При этом основные дефекты - вакансии кислорода играют роль рекомбинационных центров фотоэлектронов, тем самым препятствуют их переходу в зону проводимости. В результате сильно снижается фототок материалов на основе широкозонных оксидов металлов, используемых в фотовольтаике.

1.2. Фотоактивация и фотопроводимость широкозонных полупроводниковых оксидов

В отличие от равновесных носителей заряда, возникающих в полупроводниках в результате тепловой генерации, при инжекции либо при облучении квантом света, энергия которого равна или превышает ширину запрещённой зоны (Ьу > Бё), происходит генерация неравновесных носителей заряда. На рис.11 этот процесс обозначен как (1). Для таких носителей заряда не соблюдается условие электронейтральности.

Рис.11. Схематическая иллюстрация образования фотогенерированных носителей заряда в полупроводнике и основные пути их рекомбинации [73].

Фотогенерированные электронно-дырочные пары склонны к объемной рекомбинации внутри полупроводникового домена (2) или могут мигрировать к поверхности (3) путём диффузии. В результате они дополнительно могут подвергнуться

поверхностной электронно-дырочной рекомбинации (4) или вступить в окислительно-восстановительные реакции с адсорбированными молекулами (5 и 6). В таких случаях рекомбинация протекает с излучением фотона, однако в результате захвата электронов и дырок структурными дефектами возникает безызлучательная рекомбинация. С помощью время-разрешённой лазерной спектроскопии было установлено, что значительное количество электронно-дырочных пар рекомбинирует в течение первых 30 пс после облучения, хотя время жизни сильно зависит и от других факторов [74].

Список литературы диссертационного исследования кандидат наук Насриддинов Абулкосим Фирузджонович, 2022 год

5. Список литературы:

1. Chopra, K.L.; Major, S.; Pandya, D.K. Transparent conductors - a status review // Thin Solid Films, 1983, v. 102, p. 1-46.

2. Wagner, F. Transparent electronic // Science, 2003, v. 300, p. 1245-1246.

3. Arnold, M.S.; Avouris, P.; Pan, Z.W.; Wang, Z.L. Field-effect transistors based on single semiconducting oxide nanobelts // J. Phys. Chem. B, 2002, v. 107 p. 659-663.

4. Marques de Sousa Almeida, J.R. Fabrication and Functionalization of In2O3. Thin Film Transistors for Biosensing Applications // Universidade Nova de Lisboa, 2017.

5. Ayllon, J.A.; Cantu, M.L. Application of MEH-PPV/SnO2 bilayer as hybrid solar cell // Appl. Phys. A, 2008, p. 249-255.

6. Ibrahim, A.E.; Aadim, K.A.; Abduljabbar, Q.A. Annealing Effect on (SnO2)0.3 : (In2O3)0.7 Solar Cell Prepared by PLD Technique // Int. J. of Physics, 2017, v. 5, p. 110-115.

7. Prathap, P.; Dahiya, A.S.; Srivastava, M.; Srivastava, S.K.; Sivaiah, B.; Haranath, D.; Vandana; Srivastava, R.; Rauthan, C.M.S.; Singh, P.K. Anti-reflection In2O3 nanocones for silicon solar cells // Sol. Energy, 2014.

8. Chen, J.S.; (David) Lou, X.W. SnO2 and TiO2 nanosheets for lithium-ion batteries // Materials Today, 2012, v. 15, p. 246-254.

9. Carpenter, M.A.; Mathur, S.; Kolmakov, A. Metal Oxide Nanomaterials for Chemical Sensors // Springer Science+Business Media, 2013, p. 15-17.

10. Kohl, C-D; Wagner, T. et al. Gas Sensing Fundamentals // Springer-Verlag, 2014, p. 176177.

11. Korotcenkov, G.; Brinzari, V.; Cho, B.K. In2O3- and SnO2-based Ozone Sensors: Design and Characterization // Critical Reviews in Solid State and Materials Sciences, 2017, p. 83-132.

12. B.P.J. de Lacy Costello; Ewen, R.J.; Ratcliffe, N.M.; Richards, M. Highly sensitive room temperature sensors based on the UV-LED activation of zinc oxide nanoparticles // Sens.Actuators B, 2008, v. 134, p. 945-952.

13. Wu, T.; Wang, Zh.; Tian, M.; Miao, J.; Zhang, H.; Sun, J. UV excitation NO2 gas sensor sensitized by ZnO quantum dots at room temperature // Sens.Actuators B, 2018, v. 259, p. 526-531.

14. Lu, G.; Xu, J.; Sun, J.; Yu, Y.; Zhang, Y.; Liu, F. UV-enhanced room temperature NO2 sensor using ZnO nanorods modified with SnO2 nanoparticles // Sens.Actuators B, 2012, v. 162, p. 82-88.

15. Suh, J.M.; Eom, T.H.; Cho, S.H.; Kim, T.; Jang, H.W. Light-activated gas sensing: a perspective of integration with micro-LEDs and plasmonic nanoparticles // Mater. Adv., 2021, v. 2, p. 827.

16. Saura, J. Gas-sensing properties of SnO2 pyrolytic films subjected to ultrviolet radiation // Sens. Actuators B, 1994, v. 17, p. 211-214.

17. Comini, E.; Faglia, G.; Sberveglieri, G. UV light activation of tin oxide thin films for NO2 sensing at low temperatures // Sens. Actuators B, 2001, v. 78, p. 73.

18. Prades, J.D.; Jimenez-Diaz, R.; Hernandez-Ramirez, F.; Barth, S.; Cirera, A.; Romano-Rodriguez, A.; Mathur, S.; Morante, J.R. Equivalence between thermal and room temperature UV light-modulated responses of gas sensors based on individual SnO2 nanowires // Sens. Actuators B, 2009, v. 140, p. 337-341.

19. Prades, J.D.; Jimenez-Diaz, R.; Manzanares, M.; Hernandez-Ramirez, F.; Cirera, A.; Romano-Rodriguez, A.; Mathur, S.; Morante, J.R. A model for the response towards oxidizing gases of photoactivated sensors based on individual SnO2 nanowires // Phys. Chem. Chem. Phys., 2009, v.11, p.10881.

20. Zhang, Q.; Xie, G.; Du, H.; Yang, J.; Su, Y.; Tai, H.; Xu, M.; Zhao, K. Adsorption behaviors of gas molecules on the surface of ZnO nanocrystals under UV irradiation // Sci. China Technol. Sci., 2019, v. 62, p. 2226-2235.

21. Ivanovskaya, M.; Gurlo, A.; Bogdanov, P. Mechanism of O3 and NO2 detection and selectivity of In2O3 sensors. Proceeding of the eighth international meeting on chemical sensors IMCS-8 - part 2. // Sens.Actuators B, 2001, v. 77, p. 264-267.

22. Yang, Q.; Cui, X.; Liu, J. et al. A low temperature operating gas sensor with high response to NO2 based on ordered mesoporous Ni-doped In2O3 // New Journal of Chemistry, 2016, v. 40.

23. Bari, R.H.; Patil, P.P.; Patil, S.B.; Bari, A.R. Detection of H2S gas at lower operating temperature using sprayed nanostructured In2O3 thin films // Bull. Mater. Sci., 2013, v. 36, p. 967-972.

24. Wang, C.Y.; Cimalla, V.; Kups, T. et al. Integration of In2O3 nanoparticle based ozone sensors with GaInN/GaNlight emitting diodes // Appl. Phys Lett, 2007, v.91, p. 103509.

25. Moh, G.H. Tin containing mineral systems. Part I: The Sn-Fe-S-O system and mineral assemblages in ores // Chem. Erde, 1974, v. 33, p. 243-275.

26. Cahen, S.; David, N.; Fiorani, J.M.; Maitre, A.; Vilasi, M. Thermodynamic modelling of the O-Sn system // Thermochimica Acta, 2003, v. 403, p. 275-285.

27. McPherson, D.J.; Hanson, M. The system zirconium-tin // Trans. ASM, 1953, v. 45, p. 915-931.

28. Massalski, T.B. Binary Alloy Phase Diagram // American Society for Metals, 1990, v. 3, p. 2920.

29. Gracia, L.; Beltran, A.; Andres, J. Characterization of the high pressure structures and phase transformation of SnO2: a density functional theory study // J.Phys.Chem B., 2007, v. 111, p. 6479.

30. Tsuchiya, T.; Caracas, R.; Tsuchiya, J. First principles determination of the phase boundaries of high-pressure polymorphs of silica // Geophys.Res.Lett, 2004, v.31, p. 1-4.

31. Oganov, A.R.; Gillan, M.J.; Price, G.D. Structural stability of silica at high pressures and temperatures // Phys.Rev B, 2005, v. 71, p. 064104(1)- 064104(8).

32. Hamad, B.A. First-principle calculaions of structural and electronic properties of rutile-phase dioxides (MO2), M = Ti, V, Ru, Ir and Sn // Eur Phys JB, 2009, v. 70, p. 163.

33. Hahn, Th. International Tables for Crystallography, 2006, Space group 136, p. 468-469.

34. Bolzan, A.A.; Fong, C.; Kennedy, B.J.; Howard, C.J. Structural studies of rutile-type metal dioxides // Acta Crystallogr. Sect. B—Struct. Sci., 1997, v. 53, p. 373.

35. White, C.E.T.; Okamoto, H. Phase Diagrams of Indium Alloys and Their Engineering Applications // Indium Corporation of America, Materials Information Soc., 1992.

36. Fitzner, K.; Chang, Y.A. The Solubility of Gases in Liquid Metals and Alloys // Progress in Materials Science, 1988, vol. 32, p. 143-158.

37. Knacke, O.; Kubaschewski, O.; Hesselmann, K. Thermochemical Properties of Inorganic Substances // Springer, 1991, v.1.

38. Isomaki, I.; Hamalainen, M.; Gierlotka, W.; Onderka, B.; Fitzner, K. Thermodynamic evaluation of the In-Sn-O system // Journal of Alloys and Compounds, 2006, v. 422, p. 173-177.

39. Andersson, J-O.; Helander, T.; Höglund, L.; Shi, P.; Sundman, B. Thermo-Calc & DICTRA, computational tools for materials science // Calphad, 2002, v. 26, p. 273-312.

40. Prewitt, C.T.; Shannon, R.D.; Rogers, D.B. et al. The C rare earth oxide-corundum transition and crystal chemistry of oxides having the corundum structure // Inorg Chem, 1969, v. 8, p. 1985-1993.

41. Hahn, Th. International Tables for Crystallography, 2006, Space group 206, p. 632-633.

42. Gurlo, A.; Kroll, P.; Riedel, R. Metastability of corundum-type In2O3 // Chem.Eur.J., 2008, v. 14, p. 3306-3310.

43. Chu, D.; Zeng, Y.; Jiang, D. et al. Tuning the phase and morphology of In2O3 nanocrystals via simple solution routes // Nanotechnology, 2007, v. 18, p. 1-6.

44. Majeed Khan, M.A.; Khan, W.; Ahamed, M.; Alhoshan, M. Structural and optical properties of In2O3 nanostructured thin film // Materials Letters, 2012, v. 79, p. 119-121.

45. Spencer, J.A.; Mock, A.L.; Jacobs, A.G. et al. A review of band structure and material properties of transparent conducting and semiconducting oxides: Ga2O3, Al2O3, In2O3, ZnO, SnO2, CdO, NiO, CuO, andSc2O3 // Appl. Phys. Rev., 2022, v. 9, p. 011315.

46. Kohl, C-D.; Wagner, Th. et al. Gas Sensing Fundamentals // Springer-Verlag, 2014, p. 177-180.

47. Godinho, K.G.; Walsh, A.; Watson, G.W. Energetic and electronic structure analysis of intrinsic defects in SnO2 // J.Phys.Chem., 2009, v. 113, p. 439-448.

48. Trani, F.; Causa, M.; Ninno, D.; Cantele, G.; Barone, V. Density functional study of oxygen vacancies at the SnO2 surface and subsurface sites // Physical Review B, 2008, v. 77, 245410(1)-(8).

49. Shi, J.; Zhang, J.; Yang, L.; Qu, M.; Qi, D.C.; Zhang, K.H.L. Wide Bandgap Oxide Semiconductors: from Materials Physics to Optoelectronic Devices. Review. // Adv.Mater., 2021, p. 2006230 (1-30).

50. Hu, Y.; Hwang, J.; Lee, Y.; Conlin, P.; Schlom, D.G.; Datta, S.; Cho, K. First principles calculations of intrinsic mobilities in tin-based oxide semiconductors SnO, SnO2 and Ta2SnOö // J. Appl. Phys., 2019, v. 126, p. 185701.

51. Walsh, A.; Da Silva, J.L.F.; Wei, S.-H.; K^ber, C.; Klein, A.; Piper, L.F.J.; DeMasi, A.; Smith, K.E.; Panaccione, G.; Torelli, P.; Payne, D.J.; Bourlange, A.; Egdell, R.G. Nature of the Band Gap of In2O3 Revealed by First-Principles Calculations and X-Ray Spectroscopy // Phys. Rev. Lett., 2008, v. 100, p. 167402 (1-4).

52. King, P.D.C.; Veal, T.D.; Fuchs, F.; Wang, Ch.Y.; Payne, D.J.; Bourlange, A.; Zhang, H.; Bell, G.R.; Cimalla, V.; Ambacher, O.; Egdell, R.G.; Bechstedt, F.; McConville, C.F. Band gap, electronic structure, and surface electron accumulation of cubic and rhombohedral In2O3 // Phys. Rev. B, 2009, v. 79, p. 205211 (1-10).

53. Janowitz, C.; Scherer, V.; Mohamed, M.; Krapf, A.; Dwelk, H.; Manzke, R.; Galazka, Z.; Uecker, R.; Irmscher, K.; Fornari, R.; Michling, M.; Schmeiber, D.; Weber, J.R.; Varley, J.B.; Van de Walle, C.G. Experimental electronic structure of In2O3 and Ga2O3 // New J. Phys. 2011, v. 13, p. 085014.

54. Bourlange, A.; Payne, D.J.; Egdell, R.G.; Foord, J.S.; Edwards, P.P.; Jones, M.O.; Schertel, A.; Dobson, P.J.; Hutchison, J.L. Growth of In2O3(100) on Y-stabilizedZrO2(100) by O-plasma assisted molecular beam epitaxy // Appl. Phys. Lett., 2008, v. 92, p. 092117 (1-3).

55. Fuchs, F.; Bechstedt, F. Indium-oxide polymorphs from first principles: Quasiparticle electronic states // Phys. Rev. B, 2008, v. 77, p. 155107 (1-10).

56. King, P.D.C.; Veal, T.D.; Payne, D.J.; Bourlange, A.; Egdell, R.G.; McConville, C.F. Surface Electron Accumulation and the Charge Neutrality Level in In2O3 // Phys. Rev. Lett. 2008, v. 101, p. 116808 (1-4).

57. Batzill, M.; Diebold, U. The surface and materials science of tin oxide // Prog. Surf. Sci., 2005, v. 79, p. 47-154.

58. Jorzebski, Z.; Marton, J. // Physical Properties of SnO2 Materials - III Optical Properties // J. Electrochem. Soc., 1976, v. 123, p. 333C-346C.

59. Tang, L.M.; Wang, L.L.; Wang, D.; Liu, J.Z.; Chen, K.Q. Donor-donor binding in In2O3: Engineering shallow donor levels // Journal of Applied Physics, 2010, v. 107, p. 083704.

60. Kiliç, C.; Zunger, A. Origins of coexistence of conductivity and transparency in SnO2 // Phys.Rev.Lett, 2002, v. 88 (9), p. 095501 (1-4).

61. Hou, Q.; Buckeridge, J.; Lazauskas, T.; Mora-Fonz, D.; Sokol, A.A.; Woodley, S.M.; Richard C.; Catlow, A. Defect formation in In2O3 and SnO2: a new atomistic approach based on accurate lattice energies // J. Mater. Chem. C, 2018, v. 6, p. 12386.

62. Freeman, C.M.; Catlow, C.R.A. A computer modeling study of defect and dopant states in SnO2 // J. Solid State Chem., 1990, v. 85, p. 65-75.

63. Hines, R.I.; Allan, N.L.; Flavell, W.R. Oxidation catalysts: a comparative simulation study of the lattice, defect and surface structure of the stannates ASnO3 (A = Ca, Sr and Ba) and SnO2 // J. Chem. Soc., Faraday Trans., 1996, v. 92, p. 2057-2063.

64. Walsh, A.; Catlow, C.R.A.; Sokol, A.A.; Woodley, S.M. Physical Properties, Intrinsic Defects, and Phase Stability of Indium Sesquioxide // Chem. Mater., 2009, v. 21, p. 49624969.

65. Samson, S.; Fonstad, C.G. Defect structure and electronic donor levels in stannic oxide crystals // J. Appl. Phys. 1973, v. 44, p. 4618-4621.

66. Sun, S.H.; Meng, G.W.; Zhang, G.X.; Gao, T.; Geng, B.Y.; Zhang, L.D. Raman scattering study of rutile SnO2 nanobelts synthesized by thermal evaporation of Sn powders // J. Chem. Phys. Lett., 2003, v. 376, p. 103-107.

67. Ningthoujam, R.; Lahiri, D.; Sudarsan, V. et al. Nature of Vn+ ions in SnO2: EPR and photoluminescence studies // Mater. Res. Bull., 2007, v. 42, p. 1293-1300.

68. De Wit, J.H.W. Structural aspects and defect chemistry in In2O3 // J. Solid State Chem., 1973, v. 8, p. 142-149.

69. De Wit, J.H.W. The high temperature behavior of In2O3 // J. Solid State Chem., 1975, v. 13, p. 192-200.

70. De Wit, J.H.W. Electrical properties of In2O3 // J. Solid State Chem., 1977, v. 20, p. 143148.

71. Agoston, P.; Erhart, P.; Klein, A.; Albe, K. Geometry, electronic structure and thermodynamic stability of intrinsic point defects in indium oxide // Journal of Physics: Condensed Matter, 2009, v. 21, p. 455801 (1-11).

72. Gan, J.; Lu, X.; Wu, J.; Xie, Sh.; Zhai, T.; Yu, M.; Zhang, Z.; Mao, Y.; Wang, Sh.Ch.I.; Shen, Y.; Tong, Y. Oxygen vacancies promoting photoelectrochemical performance of In2O3 nanocubes // Scientific Reports, 2013, v. 3, p. 1021.

73. Choi, W.; Choi, J.Y.; Song, H. Regulation of electron-hole recombination kinetics on uniform metal-semiconductor nanostructures for photocatalytic hydrogen evolution // APL Mater., 2019, v. 7, p. 100702.

74. Zhang, L.; Mohamed, H.H.; Dillert, R.; Bahnemann, D. Kinetics and mechanisms of charge transfer processes in photocatalytic systems: A review // J. Photochem. Photobiol. C Photochem. Rev. 2012, v. 13, p. 263-276.

75. Setka, M.; Claros, M.; Chmela, O.; Vallejos, S. Photoactivated materials and sensors for NO2 monitoring // J. Mater. Chem. C, 2021, v. 9, p. 16804.

76. Giberti, A.; Fabbri, B.; Gaiardo, A.; Guidi, V.; Malagu, C. Resonantphotoactivation of cadmium sulfide and its effect on the surface chemical activity // Appl. Phys. Lett., 2014, v. 104, p. 222102.

77. Cavallini, A.; Polenta, L. Chapter 3 - Electrical characterization of nanostructures and Nanostructures // Characterization of Semiconductor Heterostructures, Elsevier B.V., 2008.

78. Ryvkin, S.M. Photoelectric Effects in Semiconductors // Consultant Bureau (New York) 1964.

79. Рывкин, С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках // Государственное издательство физико-математической литературы, Москва, 1963, стр. 104-122.

80. Fine, G.F.; Cavanagh, L.M.; Afonja, A.; Binions, R. Metal Oxide Semi-Conductor Gas Sensors in Environmental Monitoring // Sensors, 2010, v. 10, p. 5469-5502.

81. Shankar, P.; Rayappan, J.B.B. Gas sensing mechanism of metal oxides: The role of ambient atmosphere, type of semiconductor and gases - A review // ScienceJet, 2015, v. 4, p. 126.

82. Esser, P.; Gopel, W. Physical adsorption on single crystal zinc oxide // Surf. Sci., 1980, v. 97, p. 309-318.

83. Takata, M.; Tsubone, D.; Yanagida, H. Dependance of electrical conductivity of ZnO on degree of sensing // J. Am. Ceram. Soc., 1976, v. 59, p. 4-8.

84. Williams, D.E. Conduction and gas response of semiconductor gas sensor // Solid state gas sensors, 1987.

85. Barsan, N.; Weimar, U. Conduction model of metal oxide gas sensors // J. Electrocer., 2001, v .7, p. 143-167.

86. Barsan, N.; Koziej, D.; Weimar, U. Metal oxide-based gas sensor research: How to? // Sensors and Actuators B, 2007, v. 121, p. 18-35.

87. Mirzaei, A.; Lee, J.-H.; Majhi, S.M.; Weber, M.; Bechelany, M.; Kim, H.W.; Kim, S.S. Resistive gas sensors based on metal-oxide nanowires // J. Appl. Phys., 2019, v. 126, p. 241102.

88. Weisz, P.B. Effects of electronic charge transfer between adsorbate and solid on chemisorbtion and catalysis // Journal of Chemical Physics, 1953, v. 21, p. 1531-1539.

89. Wolkenstein, T.; Morrison, R. (Ed.), Electronic Processes on Semiconductor Surfaces During Chemisorption // Consultants Bureau, New York, 1991, p. 240.

90. Rothschild, A.; Komem, Y. The effect of grain size on the sensitivity of nanocrystalline metal-oxide gas sensors // J. Appl. Phys. 2004, v. 95, p. 6374-6380.

91. Xu, C.N.; Tamaki, J.; Miura, N.; Yamazoe, N. Grain-size effects on gas sensitivity of porous SnO2-basedelements // Sens. Actuat. B, 1991, v. 3, p. 147-155.

92. Sun, Y.F.; Liu, S.B.; Meng, F.L.; Liu, J.Y.; Jin, Zh.; Kong, L.T.; Liu, J.H. Metal Oxide Nanostructures and Their Gas Sensing Properties: A Review // Sensors 2012, v. 12, p. 261263.

93. Zhang, Q.; Chen, Ch.; Liu, Y.; Xu, M.; Xie, G.; Tai, H.; Du, X.; Jiang, Y.; Su, Y. Room-temperature light-activated chemical sensors for gas monitoring and applications: a review // J. Phys. D: Appl. Phys. 2022, v. 55, p. 213001 (1-26).

94. Shatalov, M.; Lunev, A.; Hu, X.; Bilenko, O.; Gaska, I.; Sun, W.; Yang, J.; Dobrinsky, A.; Bilenko, Y.; Gaska, R.; Shur, M. Performance and applications of deep UV LED // Int.J. High Speed Electron. Syst., 2012, p. 93-107.

95. Zhang, C.; Geng, X.; Li, J.; Luo, Y.; Lu, P. Role of oxygen vacancy in tuning of optical, electrical and NO2 sensing properties of ZnO1-x coatings at room temperature // Sens. Actuators B, 2017, v. 248, p. 886-893.

96. Han, L.; Wang, D.; Lu, Y.; Jiang, T.; Chen, L.; Xie, T.; Lin, Y. Influence of annealing temperature on the photoelectric gas sensing of Fe-doped ZnO under visible light irradiation // Sens. Actuators B, 2013, v. 177, p. 34-40.

97. Varechkina, E.N.; Rumyantseva, M.N.; Vasiliev, R.B.; Konstantinova, E.A.; Gaskov, A.M. UV-Vis photoconductivity of nanocrystalline tin oxide // J. Nanoelectron. Optoelectron.

2012, v. 7, p. 623-628.

98. Chizhov, A.; Rumyantseva, M.; Vasiliev, R.; Filatova, D.; Drozdov, K.; Krylov, I.; Marchevsky, A.; Karakulina, O.; Abakumov, A.; Gaskov, A. Visible light activation of room temperature NO2 gas sensors based on ZnO, SnO2 and In2O3 sensitized with CdSe quantum dots // Thin Solid Films, 2016, v. 618, p. 253-262.

99. Geng, X.; Zhang, C.; Debliquy, M. Cadmium sulfide activated zinc oxide coatings deposited by liquid plasma spray for room temperature nitrogen dioxide detection under visible light illumination // Ceram. Int., 2016, v. 42, p. 4845-4852.

100. Vasiliev, R.; Babynina, A.; Maslova, O.; Rumyantseva, M.; Ryabova, L.; Dobrovolsky, A.; Drozdov, K.; Khokhlov, D.; Abakumov, A.; Gaskov, A. Photoconductivity of nanocrystalline SnO2 sensitized with colloidal CdSe quantum dots // J. Mater. Chem.,

2013, v. 1, p. 1005-1010.

101. Yang, Z.; Guo, L.; Zu, B.; Guo, Y.; Xu, T.; Dou, X. CdS/ZnO Core/ShellNanowire-Built Films for Enhanced Photodetecting and Optoelectronic Gas-Sensing Applications // Adv. Opt. Mater., 2014, v. 2, p. 738-745.

102. Zhang, C.; Wang, J.; Olivier, M.-G.; Debliquy, M. Room temperature nitrogen dioxide sensors based on N719-dye sensitized amorphous zinc oxide sensors performed under visible-light illumination // Sens. Actuators B, 2015, v. 209, p. 69-77.

103. Peng, L.; Qin, P.; Zeng, Q.; Song, H.; Lei, M.; Mwangi, J.J.N.; Wang, D.; Xie, T. Improvement of formaldehyde sensitivity of ZnO nanorods by modifying with Ru(dcbpy)2(NCS)2 // Sens. Actuators B, 2011, v. 160, p. 39-45.

104. Paolesse, R.; Nardis, S.; Monti, D.; Stefanelli, M.; Natale, C.D. Porphyrinoids for Chemical Sensor Applications // Chem. Rev., 2017, v. 117, p. 2517-2583.

105. Zhang, Q.; Xie, G.; Xu, M.; Su, Y.; Tai, H.; Du, H.; Jiang, Y. Visible light-assisted room temperature gas sensing with ZnO-Ag heterostructure nanoparticles // Sensors and Actuators B, 2018, v. 259, p. 269-281.

106. Gogurla, N.; Sinha, A.K.; Santra, S.; Manna, S.; Ray, S.K. Multifunctional Au-ZnO Plasmonic Nanostructures for Enhanced UV Photodetector and Room Temperature NO Sensing Devices // Scientific Reports, 2014, v. 4, p. 6483 (1-9).

107. Berger, F.; Sanchez, J.B.; Heintz, O. Detection of hydrogen fluoride using SnO2-based gas sensors: Understanding of the reactional mechanism // Sens. Actuators B, 2009, v. 143, p. 152-157.

108. Vladimirova, S.A.; Rumyantseva, M.N.; Filatova, D.G. et al. SnO2 (Au0, Co II,III) Nanocomposites: A Synergistic Effect of the Modifiers in CO Detection // Inorganic Materials, 2016, v. 52, p. 94-100.

109. Zhukova, A.A.; Shatokhin, A.N.; Putilin, F.N.; Petukhov, I.A.; Rumyantseva, M.N.; Gaskov, A.M. Effect of Surface Modification with Palladium on the CO Sensing Properties of Antimony- DopedSnO2 Whiskers // Inorganic Materials, 2013, v. 49, p. 1005-1010.

110. Смит, Р. Полупроводники. Перевод с английского Л.Л.Коренблита и В.А.Петрусевича // Издательство иностранной литературы, Москва, 1962, стр. 237304.

111. Tyagi, M.S. Physics of Schottky Barrier Junctions // Metal-semiconductor Schottky barrier junctions and their applications, Springer, US, 1984, p. 1-60.

112. Su, T.; Shao, Q.; Qin, Z.; Guo, Z.; Wu, Z. Role of Interfaces in Two-Dimensional Photocatalyst for Water Splitting // ACS Catal., 2018, v. 8, p. 2253-2276.

113. Devi, L.G.; Kavitha, R. A review on plasmonic metal-TiO2 composite for generation, trapping, storing and dynamic vectorial transfer of photogenerated electrons across the Schottky junction in a photocatalytic system // Appl. Surf. Sci., 2016, v. 360, p. 601-622.

114. Kumar, V.; O'Donnell, S.; Zoellner, B.; Martinez, J.; Wang, G.; Maggard, P. A. Interfacing Plasmonic Nanoparticles with Ferroelectrics for Hot-Carrier-Driven Photocatalysis: Impact of Schottky Barrier Height // ACS Appl. Energy Mater., 2019, v. 2, p. 7690-7699.

115. Clavero, C. Plasmon-induced hot-electron generation at nanoparticle/metal-oxide interfaces for photovoltaic and photocatalytic devices // Nat. Photonics, 2014, v. 8, p. 95103.

116. Kumar, R.; Liu, X.; Zhang, J.; Kumar, M. Room-Temperature Gas Sensors under Photoactivation: From Metal Oxides to 2D Materials // Nano-Micro Lett., 2020, v. 12, p. 1-37.

117. Khan, M R.; Chuan, T.W.; Yousuf, A.; Chowdhury, M.N.K.; Cheng, C.K. Schottky barrier and surface plasmonic resonance phenomena towards the photocatalytic reaction: Study of their mechanisms to enhance photocatalytic activity // Catal. Sci. Technol., 2015, v. 5, p. 2522-2531.

118. Wang, J.; Fan, S.; Xia, Y.; Yang, C.; Komarneni, S. Room-temperature gas sensors based on ZnO nanorod/Au hybrids: Visible-light-modulated dual selectivity to NO2 and NH3 // J. Hazard. Mater., 2020, v. 381, p. 120919.

119. Chen, C.; Zhang, Q.; Xie, G.; Yao, M.; Pan, H.; Du, H.; Tai, H.; Du, X.; Su, Y. Enhancing visible light-activated NO2 sensing properties of Au NPs decorated ZnO nanorods by localized surface plasmon resonance and oxygen vacancies // Mater. Res. Express, 2020, v. 7, p. 015924.

120. Langhammer, C.; Yuan, Z.; Zoricr, I.; Kasemo, B. Plasmonic properties of supported Pt andPdnanostructures // Nano Lett., 2006, v. 6, p. 833-838.

121. Han, C.H.; Hong, D.W.; Han, S.D.; Gwak, J.; Singh, K.C. Catalytic combustion type hydrogen gas sensor using TiO2 and UV-LED // Sens. Actuators B, 2007, v. 125, p. 224228.

122. Saboor, F.H.; Ueda, T.; Kamada, K.; Hyodo, T.; Mortazavi, Y.; Khodadadia, A.A.; Shimizu, Y. Enhanced NO2 gas sensing performance of bare and Pd-loaded SnO2 thick film sensors under UV-light irradiation at room temperature // Sens. Actuators B, 2016, v. 223 p. 429 - 439.

123. Hyodo, T.; Urata, K.; Kamada, K.; Ueda, T.; Shimizu, Y. Semiconductor-type SnO2-based NO2 sensors operated at room temperature under UV-light irradiation // Sens. Actuators B, 2017, v. 253, p. 630-640.

124. John, R.A.B.; Kumar, A.R. A review on resistive-based gas sensors for the detection of volatile organic compounds using metal-oxide nanostructures // Inorganic Chemistry Communications, 2021, v. 133, p. 108893.

125. Itoh, T.; Nakashima, T.; Akamatsu, T.; Izu, N.; Shin, W. Nonanal gas sensing properties of platinum, palladium, and gold-loaded tin oxide VOCs sensors // Sens. Actuators B, 2013, v. 187, p. 135 -141.

126. Shao, Sh.; Chen, Y.; Huang, Sh.; Jiang, F.; Wang, Y.; Koehn, R. A tunable volatile organic compound sensor by using PtOx/GQDs/TiO2 nanocomposite thin films at room temperature under visible-light activation // RSC Adv., 2017, v. 7, p. 39859.

127. Low, J.; Yu, J.; Jaroniec, M.; Wageh, S.; Al-Ghamdi, A.A. Heterojunction Photocatalysts // Adv. Mater., 2017, v. 29, p. 1601694.

128. Huang, D.; Chen, S.; Zeng, G.; Gong, X.; Zhou, C.; Cheng, M.; Xue, W.; Yan, X.; Li, J. Artificial Z-scheme photocatalytic system: What have been done and where to go? // Coord. Chem. Rev., 2019, v. 385, p. 44-80.

129. Zhang, L.; Jaroniec, M. Toward designing semiconductor-semiconductor heterojunctions for photocatalytic applications // Appl. Surf. Sci., 2018, v. 430, p. 2-17.

130. Wang, H.; Zhang, L.; Chen, Z.; Hu, J.; Li, S.; Wang, Z.; Liu, J.; Wang, X. Semiconductor heterojunction photocatalysts: Design, construction, and photocatalytic performances // Chem. Soc. Rev., 2014, v. 43, p. 5234-5244.

131. Jang, J.S.; Kim, H.G.; Lee, J.S. Heterojunction semiconductors: A strategy to develop efficient photocatalytic materials for visible light water splitting // Catal. Today, 2012, p. 270-277.

132. Walker, J.M.; Akbar, S.A.; Morris, P.A. Synergistic effects in gas sensing semiconducting oxide nano-heterostructures: A review // Sens. Actuators B, 2019, v. 286, p. 624-640.

133. Yang, P.; Liu, Y. Au/Co3O4/CeO2 heterostructures: Morphology controlling, junction formation and enhanced catalysis performance // J. Ind. Eng. Chem., 2017, v. 53, p. 317324.

134. Li, S.; Zhu, H.; Qin, Z.; Wang, G.; Zhang, Y.; Wu, Z.; Li, Z.; Chen, G.; Dong, W.; Wu, Z. et al. Morphologic effects of nano CeO2-TiO2 on the performance of Au/CeO2-TiO2 catalysts in low-temperature CO oxidation // Appl. Catal. B, 2014, v. 144, p. 498-506.

135. Marikutsa, A.; Novikova, A.; Rumyantseva, M.; Khmelevsky, N.; Gaskov, A. Comparison of Au-functionalizedsemiconductor metal oxides in sensitivity to VOC // Sens. Actuators B, 2021, v. 326, p. 128980.

136. Gütner, A.T.; Koren, V.; Chikkadi, K.; Righettoni, M.; Pratsinis, S.E. E-Nose Sensing of Low-ppb Formaldehyde in Gas Mixtures at High Relative Humidity for Breath Screening of Lung Cancer? // ACS Sensors 2016, v. 1, p. 528-535.

137. Kemmler, J.A.; Pokhrel, S.; Birkenstock, J.; Schowalter, M.; Rosenauer, A.; Barsan, N.; Weimar, U.; Mädler, L. Quenched, nanocrystalline In4Sn3O12 high temperature phase for gas sensing applications // Sens. Actuators B, 2012, v. 161, p. 740- 747.

138. Park, H.J.; Choi, N.J.; Kang, H.; Jung, M.Y.; Park, J.W.; Park, K.H.; Lee, D.S. Appb-level formaldehyde gas sensor based on CuO nanocubes prepared using a polyol process // Sens. Actuators B, 2014, v. 203, p. 282-288.

139. Lv, P.; Tang, Z.; Wei, G.; Yu, J.; Huang, Z. Recognizing indoor formaldehyde in binary gas mixtures with a micro gas sensor array and a neural network // Meas. Sci. Technol. 2007, v. 18, p. 2997-3004.

140. Fang, F.; Bai, L.; Sun, H.; Kuang, Y.; Sun, X.; Shi, T.; Song, D.; Guo, P.; Yang, H.; Zhang, Zh.; Wang, Y.; Luo, J.; Zhu, J. Hierarchically porous indium oxide nanolamellas with ten-parts-per-billion-level formaldehyde-sensing performance // Sens. Actuators B, 2015, v. 206, p. 714-720.

141. Zhang, Sh.; Lei, T.; Li, D.; Zhang, G.; Xie, Ch. UV light activation of TiO2 for sensing formaldehyde: How to be sensitive, recovering fast, and humidity less sensitive // Sens. Actuators B, 2014, v. 202, p. 964-970.

142. Lv, P.; Tang, Z.A.; Yu, J.; Zhang, F.T.; Wei, G.F.; Huang, Z.X.; Hu, Y. Study on a microgas sensor with SnO2-NiO sensitive film for indoor formaldehyde detection // Sens. Actuators B. 2008, v. 132, p. 74-80.

143. Zhang, Y.; Liu, Q.; Zhang, J.; Zhu, Q.; Zhu, Z. A highly sensitive and selective formaldehyde gas sensor using a molecular imprinting technique based on Ag-LaFeO3 // J. Mater. Chem. C, 2014, v. 2, p. 10067-10072.

144. Zhang, Y.M.; Lin, J.Y.T.; Chen, L.; Zhang, J.; Zhu, Z.Q.; Liu, Q.J. A high sensitivity gas sensor for formaldehyde based on silver doped lanthanum ferrite // Sens. Actuators B 2014, v. 190, p. 171-176.

145. Li, X.; Li, X.; Wang, J.; Lin, Sh. Highly sensitive and selective room-temperature formaldehyde sensors using hollow TiO2 microspheres // Sens. Actuators B, 2015, v. 219, p. 158-163.

146. Chung, F.-C.; Zhu, Z.; Luo, P.-Y.; Wu, R.-J.; Li, W. Au@ZnO core-shell structure for gaseous formaldehyde sensing at room temperature // Sens. Actuators B, 2014, v. 199, p. 314-319.

147. Chen, T.; Liu, Q.J.; Zhou, Z.L.; Wang, Y.D. The fabrication and gas-sensing characteristics of the formaldehyde gas sensors with high sensitivity // Sens. Actuators B, 2008, v. 131, p. 301-305.

148. Wang, Y.Q.H.; Chen, H.; Lin, Z.; Dai, K. Highly selective n-butanol gas sensor based on mesoporous SnO2 prepared with hydrothermal treatment // Sens. Actuators B, 2014, v. 201, p. 153-159.

149. Liu, L.; Li, X.; Dutta, P.K.; Wang, J. Room temperature impedance spectroscopy-based sensing of formaldehyde with porous TiO2 under UV illumination // Sens. Actuators B, 2013, v. 185, p. 1- 9.

150. Hu, R.; Wang, J.; Chen, P.; Hao, Y.; Zhang, C.; Li, X. Preparation of Cd-loaded In2O3 hollow nanofibers by electro spinning and improvement of formaldehyde sensing performance // J. Nanomater. 2014, p. 7.

151. Liu, D.; Pan, J.; Tang, J.; Liu, W.; Bai, Sh.; Luo, R. Ag decorated SnO2 nanoparticles to enhance formaldehyde sensing properties // J. Phys. Chem. Solids, 2019, v. 124, p. 36-43.

152. Du, H.; Wang, J.; Su, M.; Yao, P.; Zheng, Y.; Yu, N. Formaldehyde gas sensor based on SnO2/In2O3 hetero-nanofibers by a modified double jets electro spinning process // Sens. Actuators B, 2012, v. 166, p. 746-752.

153. Castro-Hurtado, I.; Herrán, J.; Mandayo, G.G.; Castaño, E. SnO2-nanowires grown by catalytic oxidation of tin sputtered thin films for formaldehyde detection // Thin Solid Films, 2012, v. 520, p. 4792-4796.

154. Sun, P.; Zhou, X.; Wang, C.; Shimanoe, K.; Lu, G.; Yamazoe, N. Hollow SnO2/a-Fe2O3 spheres with a double-shell structure for gas sensors // J. Mater. Chem. A, 2014, v. 2, p. 1302-1308.

155. Wang, J.; Zhang, P.; Qi, J.-Q.; Yao, P.-J. Silicon-based micro-gas sensors for detecting formaldehyde // Sens. Actuators B, 2009, v. 136, p. 399-404.

156. Lee, C.-Y.; Chiang, C.-M.; Wang, Y.-H.; Ma, R.-H. A self-heating gas sensor with integrated NiO thin-film for formaldehyde detection // Sens. Actuators B, 2007, v. 122, p. 503-510.

157. Lin, Sh.; Li, D.; Wu, J.; Li, X.; Akbar, S.A. A selective room temperature formaldehyde gas sensor using TiO2 nanotube arrays // Sens. Actuators B, 2011, v. 156, p. 505- 509.

158. Zhang, G.; Zhang, S.; Yang, L.; Zou, Z.; Zeng, D.; Xie, C. La2O3-sensitized SnO2 nanocrystalline porous film gas sensors and sensing mechanism toward formaldehyde // Sens. Actuators B, 2013, v. 188, p. 137-146.

159. Castro-Hurtado, I.; Herrán, J.; Mandayo, G.G.; Castaño, E. Studies of influence of structural properties and thickness of NiO thin films on formaldehyde detection // Thin Solid Films, 2011, v. 520, p. 947-952.

160. Peng, L.; Zhai, J.; Wang, D.; Zhang, Y.; Wang, P.; Zhao, Q.; Xie, T. Size- and photoelectric characteristics-dependent formaldehyde sensitivity of ZnO irradiated with UV light // Sens. Actuators B, 2010, v. 148, p. 66-73.

161. Zeng, W.; Liu, T.; Zang, Z. Sensitivity improvement of TiO2-doped SnO2 to volatile organic compounds // Physica E, 2010, v. 43, p. 633-638.

162. Yao, P.J.; Wang, J.; Chu, W.L.; Hao, Y.W. Preparation and characterization of La¡_ xSrxFeO3 materials and their formaldehyde gas-sensing properties // J. Mater. Sci., 2013, v. 48, p. 441-450.

163. Wang, J.; Liu, L.; Cong, S.-Y.; Qi, J.-Q.; Xu, B.-K. An enrichment method to detect low concentration formaldehyde // Sens. Actuators B, 2008, v. 134, p. 1010-1015.

164. Chung, F.-C.; Wu, R.-J.; Cheng, F.-C. Fabrication of a Au@SnO2 core-shell structure for gaseous formaldehyde sensing at room temperature // Sens. Actuators B, 2014, v. 190, p. 1-7.

165. Li, Y.; Chen, N.; Deng, D.; Xing, X.; Xiao, X.; Wang, Y. Formaldehyde detection: SnO2 microspheres for formaldehyde gas sensor with high sensitivity, fast response/recovery and good selectivity // Sens. Actuators B, 2017, v. 238, p. 264-273.

166. Zeng, W.; Liu, T.; Wang, Z.; Tsukimoto, S.; Saito, M.; Ikuhara, Y. Selective detection of formaldehyde gas using a Cd-doped TiO2-SnO2 sensor // Sensors, 2009, v. 9, p. 9029.

167. Tian, H.; Fan, H.; Li, M.; Ma, L. Zeolitic Imidazolate Framework Coated ZnO Nanorods as Molecular Sieving to Improve Selectivity of Formaldehyde Gas Sensor // ACS Sens. 2016, v. 1, p. 243-250.

168. Li, Y.; Jin, H.; Sun, G.; Zhang, B.; Luo, N.; Lin, L.; Bala, H.; Cao, J.; Zhang, Zh.; Wang, Y. Synthesis of novel porous ZnO octahedrons and their improved UV-light activated formaldehyde-sensing performance by Au decoration // Physica E, 2019, v. 106, p. 40-44.

169. Huang, K.; Kong, L.; Yuan, F.; Xie, C. In situ diffuse reflectance infrared Fourier transform spectroscopy study of formaldehyde adsorption and reactions on nano y-Fe2O3 films // Appl. Surf. Sci., 2013, v. 270, p. 405-410.

170. Mondal, B.; Mukherjee, K.; Das, P. Facile synthesis of pseudo-peanut shaped hematite iron oxide nano-particles and their promising ethanol and formaldehyde sensing characteristics // RSC Adv., 2014, v. 4, p. 31879-31886.

171. Han, N.; Wu, X.; Zhang, D.; Shen, G.; Liu, H.; Chen, Y. CdO activated Sn-doped ZnO for highly sensitive, selective and stable formaldehyde sensor // Sens. Actuators B, 2011, v. 152, p. 324-329.

172. Xie, C.; Xiao, L.; Hu, M.; Bai, Z.; Xia, X.; Zeng, D. Fabrication and formaldehyde gas-sensing property of ZnO-MnO2 coplanar gas sensor arrays // Sens. Actuators B, 2010, v. 145, p. 457-463.

173. Han, N.; Tian, Y.; Wu, X.; Chen, Y. Improving humidity selectivity in formaldehyde gas sensing by a two-sensor array made of Ga-doped ZnO // Sens. Actuators B, 2009, v. 138, p. 228-235.

174. Zhang, H.; Song, P.; Han, D.; Wang, Q. Synthesis and formaldehyde sensing performance of LaFeO3 hollow nanospheres // Physica E, 2014, v. 63, p. 21-26.

175. Chu, X.; Chen, T.; Zhang, W.; Zheng, B.; Shui, H. Investigation on formaldehyde gas sensor with ZnO thick film prepared through microwave heating method // Sens. Actuators

B, 2009, v. 142, p. 49-54.

176. Holder, E.; Tessler, N.; Rogach, A.L. Hybrid nanocomposite materials with organic and inorganic components for opto-electronic devices // J. Mater. Chem., 2008, v. 18, p. 10641078.

177. Peng, L.; Qin, P.; Zeng, Q.; Song, H.; Lei, M.; Mwangi, J.J.N.; Wang, D.; Xie, T. Improvement of formaldehyde sensitivity of ZnO nanorods by modifying with Ru(dcbpy)2(NCS)2 // Sens. Actuators B, 2011, v. 160, p. 39-45.

178. Dongare, P.; Myron, B.D.B.; Wang, L.; Thompson, D.W.; Meyer, T.J. [Ru(bpy)3]2+* revisited. Is it localized or delocalized? How does it decay? // Coord. Chem. Rev., 2017, v. 345, p. 86-107.

179. Aghazad, S.; Nazeeruddin, M.K. Ruthenium Complexes as Sensitizers in Dye-Sensitized Solar Cells // Inorganics, 2018, v. 6, p. 52.

180. Balasingam, S.K.; Lee, M.; Kang, M.G.; Jun, Y. Improvement of dye-sensitized solar cells toward the broader light harvesting of the solar spectrum // Chem. Commun., 2013, v. 49, p. 1471-1487.

181. World Health Organization. WHO Guidelines for Indoor Air Quality: Selected Pollutants, Geneva. 2010. Available online: http://www.euro.who.int/__data/assets/pdf_file/0009/128169/e94535.pdf (accessed on 12 August 2018).

182. Halliwell, B.; Hu, M.L.; Louie, S.; Duvall, T.R.; Tarkington, B.K.; Motchnikc, P.; Cross,

C.E. Interaction of nitrogen dioxide with human plasma: antioxidant depletion and oxidative damage // FEBS Letters, 1992, v. 313, p. 62-66.

183. Olker, C.; Siese, A.; Stumpf, S.; Müller, B.; Gemsa, D.; Garn, H. Impaired superoxide radical production by bronchoalveolar lavage cells from NO(2)-exposed rats // Free Radical Biology and Medicine, 2004, v. 37, p. 977-987.

184. Rasmussen, R.E.; Mannix, R.C.; Oldham, M.J.; Phalen, R.F. Effects of nitrogen dioxide on respiratory tract clearance in the ferret // Journal of Toxicology and Environmental Health, 1994, v. 41, p. 109-120.

185. Witschi H. Ozone, nitrogen dioxide and lung cancer: a review of some recent issues and problems // Toxicology, 1988, v. 48, p. 1-20.

186. Morgenstern, V.; Zutavern, A.; Cyrys, J.; Brockow, I.; Koletzko, S.; Krämer, U.; Behrendt, H.; Herbarth, O.; A. von Berg; Bauer, C.P.; Wichmann, H-E.; Heinrich, J.; GINI Study Group; LISA Study Group. Atopic diseases, allergic sensitization, and exposure to traffic-related air pollution in children // American Journal of Respiratory & Critical Care Medicine, 2008, v. 177, p. 1331-1337.

187. Seinfeld, J.H.; Pandis, S.N. Atmospheric Chemistry and Physics: From Air Pollution to Climate Change (2nd rev. ed.). Hoboken, New Jersey: John Wiley & Sons, 2006.

188. Peter, Warneck. Chemistry of the natural atmosphere (2nd ed.). San Diego: Academic Press, 2000.

189. Kharitonov, S.A.; Barnes, P.J. Biomarkers of some pulmonary diseases in exhaled breath // Biomarkers, 2002, v. 7, p. 1-32.

190. Baraldi, E.; Carraro, S. Exhaled NO and breath condensate // Paediatric Respiratory Reviews, 2006, v. 7S, p. S20-S22.

191. Lu, Z.; Huang, W.; Wang, L.; Xu, N.; Ding, Q.; Cao, C. Exhaled nitric oxide in patients with chronic obstructive pulmonary disease: a systematic review and meta-analysis // International Journal of COPD, 2018, v. 13, p. 2695-2705.

192. Righettoni, M.; Amann, A.; Pratsinis, S.E. Breath analysis by nanostructuredmetal oxides as chemo-resistive gas sensors // Materials Today, 2015, v. 18, p. 163-171.

193. Hong, L.Y.; Lin, H.N. NO gas sensing at room temperature using single titanium oxide nanodot sensors created by atomic force microscopy nanolithography // Beilstein J. Nanotechnol., 2016, v. 7, p. 1044-1051.

194. Gogurla, N.; Sinha, A.K.; Santra, S.; Manna, S.; Ray, S.K. Multifunctional Au-ZnO Plasmonic Nanostructures for Enhanced UV Photodetector and Room Temperature NO Sensing Devices // Sci. Rep., 2014, v. 4, p. 6483.

195. Chinh, N.D.; Quang, N.D.; Lee, H.; Hien, T.T.; Hieu, N.M.; Kim, D.; Kim, C.; Kim, D. NO gas sensing kinetics at room temperature under UV light irradiation of In2O3 nanostructures // Sci. Rep., 2016, v. 6, p. 35066.

196. Madhaiyan, G.; Tung, T.W.; Zan, H.W.; Meng, H.F.; Lu, C.J.; Ansari, A.; Chuang, W.T.; Lin, H.C. UV-enhanced room-temperature ultrasensitive NO gas sensor with vertical channel nano-porous organic diodes // Sens. Actuators B. Chem., 2020, v. 320, p. 128392.

197. Wagner, T.; Kohl, C.D.; Malagù, C.; Donato, N.; Latino, M.; Neri, G.; Tiemann, M. UV Light-Enhanced NO2 Sensing by Mesoporous In2O3: Interpretation of Results by a New Sensing Model // Sens. Actuators B Chem., 2013, v. 187, p. 488-494.

198. Ilin, A.; Martyshov, M.; Forsh, E.; Forsh, P.; Rumyantseva, M.; Abakumov, A.; Gaskov, A.; Kashkarov, P. UV Effect on NO2 Sensing Properties of Nanocrystalline In2O3 // Sens. Actuators B Chem., 2016, v. 231, p. 491-496.

199. Zhang, C.; Boudiba, A.; De Marco, P.; Snyders, R.; Olivier, M.G.; Debliquy, M. Room Temperature Responses of Visible-Light Illuminated WO3 Sensors to NO2 in Sub-Ppm Range // Sens. Actuators B Chem., 2013, v. 181, p. 395-401.

200. Mun, Y.; Park, S.; An, S.; Lee, C.; Kim, H.W. NO2 Gas Sensing Properties of Au-Functionalized Porous ZnO Nanosheets Enhanced by UV Irradiation // Ceram. Int., 2013, v. 39, p. 8615-8622.

201. Karaduman, I.; Yildiz, D.E.; Sincar, M.M.; Acar, S. UV Light Activated Gas Sensor for NO2 Detection // Mater. Sci. Semicond. Process., 2014, v. 28, p. 43-47.

202. Park, S.; Kim, S.; Ko, H.; Lee, C. Light-Enhanced Gas Sensing of ZnS-Core/ZnO-Shell Nanowires at Room Temperature // J. Electroceramics, 2014, v. 33, p. 75-81.

203. Park, S.; Ko, H.; Lee, S.; Kim, H.; Lee, C. Light-Activated Gas Sensing of Bi2O3-Core/ZnO-ShellNanobelt Gas Sensors // Thin Solid Film., 2014, v. 570, p. 298-302.

204. Zhang, C.; Wang, J.; Olivier, M.G.; Debliquy, M. Room Temperature Nitrogen Dioxide Sensors Based on N719-Dye Sensitized Amorphous Zinc Oxide Sensors Performed under Visible-Light Illumination // Sens. Actuators B Chem., 2015, v. 209, p. 69-77.

205. Park, S.; Sun, G.J.; Kheel, H.; Ko, T.; Kim, H.W.; Lee, C. Light-Activated NO2 Gas Sensing of the Networked CuO-Decorated ZnS Nanowire Gas Sensor // Appl. Phys. A Mater. Sci. Process., 2016, v. 122, p. 1-8.

206. Chizhov, A.S.; Rumyantseva, M.N.; Vasiliev, R.B.; Filatova, D.G.; Drozdov, K.A.; Krylov, I.V.; Abakumov, A.M.; Gaskov, A.M. Visible Light Activated Room Temperature Gas Sensors Based on Nanocrystalline ZnO Sensitized with CdSe Quantum Dots // Sens. Actuators B Chem., 2014, v. 205, p. 305-312.

207. Espid, E.; Taghipour, F. Development of Highly Sensitive ZnO/In2O3 Composite Gas Sensor Activated by UV-LED // Sens. Actuators B Chem., 2017, v. 241, p. 828-839.

208. Zhou, Y.; Zou, C.; Lin, X.; Guo, Y. UV Light Activated NO2 Gas Sensing Based on Au Nanoparticles Decorated Few-Layer MoS2 Thin Film at Room Temperature // Appl. Phys. Lett., 2018, v. 113, p. 2-7.

209. Casals, O.; Markiewicz, N.; Fabrega, C.; Gracia, I.; Cane, C.; Wasisto, H.S.; Waag, A.; Prades, J.D. A Parts per Billion (ppb) Sensor for NO2 with Microwatt (MW) Power Requirements Based on Micro Light Plates // ACS Sens., 2019, v. 4, p. 822-826.

210. Paolucci, V.; Emamjomeh, S.M.; Ottaviano, L.; Cantalini, C. Near Room Temperature Light-Activated WS2-DecoratedRGo as NO2 Gas Sensor // Sensors, 2019, v. 19, p. 2617.

211. Chizhov, A.; Vasiliev, R.; Rumyantseva, M.; Krylov, I.; Drozdov, K.; Batuk, M.; Hadermann, J.; Abakumov, A.; Gaskov, A. Light-activated sub-ppm NO2 detection by hybrid ZnO/QD nanomaterials vs. charge localization in core-shell QD // Front. Mater., 2019, v. 6, p. 1-14.

212. Espid, E.; Noce, A.S.; Taghipour, F. The Effect of Radiation Parameters on the Performance of Photo-Activated Gas Sensors // J. Photochem. Photobiol. A Chem., 2019, v. 374, p. 95-105.

213. Tian, X.; Yang, X.; Yang, F.; Qi, T. A Visible-Light Activated Gas Sensor Based on Perylenediimide-Sensitized SnO2 for NO2 Detection at Room Temperature // Colloids Surfaces A Physicochem. Eng. Asp., 2019, v. 578, p. 123621.

214. Feng, C.; Wen, F.; Ying, Z.; Li, L.; Zheng, X.; Zheng, P.; Wang, G. Polypeptide-Assisted Hydrothermal Synthesis of ZnO for Room Temperature NO2 Gas Sensor under UV Illumination // Chem. Phys. Lett., 2020, v. 754, p. 137745.

215. Chen, C.; Zhang, Q.; Xie, G.; Yao, M.; Pan, H.; Du, H.; Tai, H.; Du, X.; Su, Y. Enhancing Visible Light-Activated NO2 Sensing Properties of Au NPs Decorated ZnO Nanorods by Localized Surface Plasmon Resonance and Oxygen Vacancies // Mater. Res. Express, 2020, v. 7, p. 015924.

216. Zhang, Q.; Xie, G.; Xu, M.; Su, Y.; Tai, H.; Du, H.; Jiang, Y. Visible Light-Assisted Room Temperature Gas Sensing with ZnO-Ag Heterostructure Nanoparticles // Sens. Actuators B Chem., 2018, v. 259, p. 269-281.

217. Kumar, R.R.; Murugesan, T.; Dash, A.; Hsu, C.H.; Gupta, S.; Manikandan, A.; Anbalagan, A. kumar; Lee, C.H.; Tai, N.H.; Chueh, Y.L.; et al. Ultrasensitive and Light-Activated NO2 Gas Sensor Based on NetworkedMoS2/ZnO Nanohybrid with Adsorption/Desorption Kinetics Study // Appl. Surf. Sci., 2021, v. 536, p. 147933.

218. Chizhov, A.S.; Rumyantseva, M.N.; Drozdov, K.A.; Krylov, I.V.; Batuk, M.; Hadermann, J.; Filatova, D.G.; Khmelevsky, N.O.; Kozlovsky, V.F.; Maltseva, L.N.; et al. Photoresistive gas sensor based on nanocrystalline ZnO sensitized with colloidal perovskite CsPbBr3 nanocrystals // Sens. Actuators B Chem., 2021, v. 329, p. 129035.

219. Liu, Y.; Zhang, J.; Li, G.; Liu, J.; Liang, Q.; Wang, H.; Zhu, Y.; Gao, J.; Lu, H. nOs-ZnO Nanotubes for the Sensitive and Selective Detection of Ppb-Level NO2 under UV Irradiation at Room Temperature // Sens. Actuators B Chem., 2022, v. 355, p. 131322.

220. Tokarev S.D., Sotnikova Yu.A., Anisimov A.V., Fedorov Yu.V., Jonusauskas G., Lypenko D.A., Malov V.V., Tameev A.R., Maltsev E.I., Fedorova O.A. Donor-acceptor (E)-2-(2-(2,2'-bithiophen-5-yl)vinyl)benzo[d]thiazole: synthesis, optical, electrochemical studies and charge transport characteristics // Mend. Comm., 2019, v. 29, p. 567-569.

221. Tokarev, S.; Rumyantseva, M.; Nasriddinov, A.; Gaskov, A.M.; Moiseeva, A.A.; Fedorov, Y.V.; Fedorova, O.; Jonusauskas, G. Electron injection effect in In2O3 and SnO2 nanocrystals modified by ruthenium heteroleptic complexes // Phys. Chem. Chem. Phys., 2020, v. 22, p. 8146-8156.

222. Turkevich, J.; Stevenson, P.C.; Hillier, J. A study of the nucleation and growth processes in the synthesis of colloidal gold // Trans. Faraday Soc., 1951, v. 11, p. 55-74.

223. Solomon, S.D., Bahadory, M., Jeyarajasingam, A.V., Rutkowsky, S.A., Boritz, C., Mulfinger, L. Synthesis and study of silver nanoparticles // Journal of Chemical Education, 2007, v. 84(2), p. 322-325.

224. Минздрав России, 2.2.5. Химические факторы производственной среды, Предельно допустимые концентрации (пдк) вредных веществ в воздухе рабочей зоны. Гигиенические нормативы-ГН 2.2.5.686-98. Москва, 1998.

225. Peercy, P.S.; Morosin, B. Pressure and temperature dependences of the Raman-active phonons in SnÜ2 // Phys. Rev. B, 1973, v. 7, p. 2779-2786.

226. Garcia-Tecedor, M.; Maestre, D.; Cremades, A.; Piqueras, J. Growth and characterization of Cr doped SnÜ2 microtubes with resonant cavity modes // J. Mater. Chem. C, 2016, v. 4, p. 5709-5716.

227. Caoshui, X.; Yonghong, X.; Hong, Z.; Yuheng, Z.; Yulong, L. Investigation of Raman spectrum for nano-SnÜ2 // Sci. China (Ser. A), 1997, v. 40, p. 1222-1227.

228. Zuo, J.; Xu, C.; Liu, X.; Wang, C.; Wang, C.; Hu, Y.; Qian, Y. Study of the Raman spectrum of nanometer SnÜ2 // J. Appl. Phys., 1994, v. 75, p. 1835-1836.

229. Abello, L.; Bochu, B.; Gaskov, A.; Koudryavtseva, S.; Lucazeau, G.; Roumyantseva, M. Structural characterization of nanocrystalline SnÜ2 by X-ray and Raman spectroscopy // J. Solid State Chem., 1998, v. 135, p. 78-85.

230. Dieguez, A.; Romano-Rodriguez, A.; Vila, A.; Morante, J.R. The complete Raman spectrum of nanometric SnÜ2particles // J. Appl. Physics., 2001, v. 90, p. 1550-1557.

231. Liu, L.Z.; Li, T.H.; Wu, X.L.; Shen, J.C.; Chu, P.K. Identification of oxygen vacancy types from Raman spectra of SnÜ2 nanocrystals // J. Raman Spectrosc., 2012, v. 43, p. 14231426.

232. Zhurbina, I.A.; Timoshenko, V.Yu.; Rumyantseva, M.N.; Gaskov, A.M. Structural and Üptoelectronic Properties of Tin Üxide Nanocrystals Prepared by Wet Chemistry Methods // J. Nanoelectron. Optoelectron., 2011, v. 6, p. 514-518.

233. Rumyantseva, M.N.; Gaskov, A.M.; Rosman, N.; Pagnier, T.; Morante, J.R. Raman surface vibration modes in nanocrystalline SnÜ2 prepared by wet chemical methods: Correlations with the gas sensors performances // Chem. Mater., 2005, v. 17, p. 893-901.

234. White, W.B.; Keramidas, V.G. Vibrational spectra of oxides with the C-type rare earth oxide structure // Spectrochim. Acta, 1972, v. 28, p. 501-509.

235. Kranert, C.; Schmidt-Grund, R.; Grundmann, M. Raman active phonon modes of cubic InO // Phys. Status Solidi RRL, 2014, v. 8, p. 554-559.

236. Garcia-Domene, B.; Ortiz, H.M.; Gomis, O.; Sans, J.A.; Manjon, F.J.; Munoz, A.; Rodriguez-Hernandez, P.; Achary, S.N.; Errandonea, D.; Martinez-Garcia, D.; et al. High-pressure lattice dynamical study of bulk and nanocrystalline In2O3 // J. Appl. Phys., 2012, v. 112, p. 123511.

237. Arooj, S.; Xu, T.; Hou, X.; Wang, Y.; Tong, J.; Chu, R.; Liu, B. Green emission of indium oxide via hydrogen treatment // RSC Adv., 2018, v. 8, p. 11828-11833.

238. Yin, W.; Su, J.; Cao, M.; Ni, C.; Cloutier, C.G.; Huang, Z.; Ma, X.; Ren, L.; Hu, C.; Wei, B. In(OH)3 and In2O3 micro/nanostructures: Controllable NaOAc-assisted microemulsion synthesis and Raman properties // J. Phys. Chem. C, 2009, v. 113, p. 19493-19499.

239. Baszczuk, A.; Jasiorski, M.; Nyk, M.; Hanuza, J.; Maczka, M.; Streek, W. Luminescence properties of europium activated SrIn2O4 // J. Alloy. Compd., 2005, v. 394, p. 88-92.

240. Kim, W.J.; Pradhan, D.; Sohn, Y. Fundamental nature and CO oxidation activities of indium oxide nanostructures: ID-wires, 2D-plates and 3D-cubes and donuts // J. Mater. Chem. A, 2013, v. 1, p. 10193.

241. Cychosz, K.A.; Thommes, M. Progress in the Physisorption Characterization on Nanoporous Gas Storage Materials // Engineering, 2018, v. 4, p. 559-566.

242. Juris, A.; Balzani, V.; Barigelletti, F.; Campagna, S.; Belser, P.; A. von Zelewsky. Ru(II) polypyridine complexes: photophysics, photochemistry, eletrochemistry, and chemiluminescence // Coordination Chemistry Reviews, 1988, v. 84, p. 85-277.

243. Calzaferri, G.; Rytz, R. Electronic Transition Oscillator Strength by the Extended Hueckel Molecular Orbital Method // The Journal of Physical Chemistry, 1995, v. 99, p. 1214112150.

244. Jing, B.; Wu, T.; Tian, C.; Zhang, M.; Shen, T. pH-dependent luminescence of ruthenium (II) polypyridine complexes // Bulletin of the Chemical Society of Japan, 2000, v. 73. p. 1749-1755.

245. Tan, L.F.; Wang, F.; Chao, H. Synthesis, DNA Binding, and DNA Photocleavage of the Ruthenium (II) Complexes [Ru(bpy)(btip)]2+ and[Ru(dmb)(btip)]2+ (bpy=2, 2'-Bipyridine;

btip=2-Benzo[b]thien-2-yl-1H-imidazo[4,5-f][1,10]phenanthroline; dmb=4, 4'-Dimethyl-2, 2'-bipyridine) // Helvetica chimica acta, 2007, v. 90, p. 205-215.

246. Messias, F.; Vega, B.; Scalvi, L.; Li, M.; Santilli, C.; Pulcinelli, S. Electron scattering and effects of sources of light on photoconductivity of SnÜ2 coatings prepared by sol-gel // J. Non-Cryst. Solids, 1999, v. 247, p. 171-175.

247. Kornblit, L.; Ignatiev, A. Photodesorption threshold energies in semiconductors // Surf. Sci. Lett., 1984, v. 136, p. L57-L66.

248. Zhou, Z.; Gao, H.; Liu, R.; Du, B. Study of structure and property for the NÜ2+NÜ2 electron transfer system // J. Mol. Struct. Theochem, 2001, v. 545, p. 179-186.

249. Sulka, M.; Pitonâk, M.; Neogrâdy, P.; Urban, M. Electron affinity of the Ü2 molecule: CCSD(T) calculations using the optimized virtual orbitals space approach // Int. J. Quantum Chem., 2008, v. 108, p. 2159-2171.

250. Ilin, A.; Martyshov, M.; Forsh, E.; Forsh, P.; Rumyantseva, M.; Abakumov, A.; Gaskov, A.; Kashkarov, P. UV effect on NÜ2 sensing properties of nanocrystalline In2Ü3 // Sens. Actuators B, 2016, v. 231, 4p. 91-496.

251. Чижов Артём Сергеевич. «Нанокомпозиты на основе полупроводниковых оксидов металлов и квантовых точек CdSe для газовых сенсоров», Диссертация на соискание учёной степени кандидата химических наук, Москва, 2016.

252. Forsh, E.A.; Abakumov, A.M.; Zaytsev, V.B.; Konstantinova, E.A.; Forsh, P.A.; Rumyantseva, M.N.; Gaskov, A.M.; Kashkarov, P.K. Üptical and photoelectrical properties of nanocrystalline indium oxide with small grains // Thin Solid Films, 2015, v. 595, p. 25-31.

253. Yang, L.; Marikutsa, A.; Rumyantseva, M.; Konstantinova, E.; Khmelevsky, N.; Gaskov, A. Quasi similar routes of NÜ2 and NÜ sensing by nanocrystalline WÜ3: Evidence by in situ drift spectroscopy // Sensors, 2019, v. 19, p. 3405.

254. Токарев С.Д. «Синтез, физико-химические характеристики и фотоиндуцированные внутримолекулярные процессы производных имидазо[4,5-Ё][1,10]фенантролина и их металлокомплексов», Диссертация на соискание ученой степени кандидата химических наук, Москва, 2019.

255. Shaw J. R., Webb R. T., Schmehl R. H. Intersystem crossing to both ligand-localized and charge-transfer excited states in mononuclear and dinuclear ruthenium (II) diimine complexes // Journal of the American Chemical Society, 1990, v. 112, p. 1117-1123.

256. Hadjiivanov, K.I. Identification of neutral and charged NxOy surface species by IR spectroscopy // Catal. Rev. Sci. Eng, 2000, v. 42, p. 71-144.

257. B. Azambre, L. Zenboury, F. Delacroix, J.V. Weber. Adsorption of NO andNO2 on ceria-zirconia of composition Ceo.69Zro.31O2: A DRIFTS study // Catalysis Today, 2008, v. 137, p. 278-282.

258. Hess, Ch.; Ozensoy, E.; Yi, Ch-W.; Goodman, D.W. NO Dimer andDinitrosyl Formation on Pd(111): From Ultra-High-Vacuum to Elevated Pressure Conditions // Journal of American Chemical Society, 2006, v. 128, p. 2988-2994.

259. Xu, G.; Zhang, L.; He, C.; Ma, D.; Lu, Z. Adsorption and oxidation of NO on various SnO2(110) surfaces: A density functional theory study // Sens. Actuators B, 2015, v. 221, p. 717-722.

260. Coates, J. Interpretation of Infrared Spectra, a Practical Approach, R.A. Meyers (Ed.), // Encyclopedia of Analytical Chemistry, John Wiley & Sons Ltd, Chichester, 2000, p. 10815-10837.

261. Hadjiivanov, K.; Knozinger, H.; Tsyntsarski, B.; Dimitrov, L. Effect of water on the reduction of NOx with propane on Fe-ZSM-5. An FTIR mechanistic study // Catal. Lett., 1999, v. 62, p. 35-40.

262. Kantcheva, M.; Bushev, V.; Hadjiivanov, K. Nitrogen dioxide adsorption on deuteroxylated titania (anatase) // J. Chem. Soc., Faraday Trans., 1992, v. 88, p. 30873089.

263. Hadjiivanov, K.; Klissurski, D.; Bushev, V. IR spectroscopic study of NO2 adsorption on chromia // J. Chem. Soc., Faraday Trans., 1995, v. 91, p. 149-153.

264. Hadjiivanov, K.; Klissurski, D.; Ramis, G.; Busca, G. Fourier transform IR study of NOx adsorption on a CuZSM-5 DeNOx catalyst // Appl. Catal. B: Environ., 1996, v. 7, p. 251267.

265. Djonev, B.; Tsyntsarski, B.; Klissurski, D.; Hadjiivanov, K. IR spectroscopic study of NOx adsorption and NOx-O2 coadsorption on Co2+/SiO2 catalysts // J. Chem. Soc., Faraday Trans., 1997, v. 93, p. 4055-4063.

266. Nakamoto, K. Infrared and Raman spectra of inorganic and Coordination Compounds. Part A: theory and applications in inorganic chemistry, 6th ed.; // John Wiley & Sons, Inc.: New Jersey, USA, 2009.

267. Socrates, G. Infrared and Raman characteristic group frequencies: tables and charts, 3rd ed.; // John Wiley & Sons Ltd: West Sussex, England, 2001.

268. Hyodo, T.; Urata, K.; Kamada, K.; Ueda, T.; Shimizu, Y. Semiconductor-type SnO2-based NO2 sensors operated at room temperature under UV-light irradiation // Sens. Actuators B Chem., 2017, v. 253, p. 630-640.

269. Liu, B.; Luo, Y.; Li, K.; Wang, H.; Gao, L.; Duan, G. Room-Temperature NO2 Gas Sensing with Ultra-Sensitivity Activated by Ultraviolet Light Based on SnO2 Monolayer Array Film. // Adv. Mater. Interfaces, 2019, v. 1900376, p. 1-10.

270. Fomekong, R.L.; Saruhan, B. Influence of Humidity on NO2-Sensing and Selectivity of Spray-CVD Grown ZnO Thin Film above 400 °C // Chemosensors, 2019, v. 7, p. 42.

271. Belghachi, A.; Collins, R.A. The effects of humidity on phthalocyanine NO2 and NH3 sensors // J. Phys. D Appl. Phys, 1990, v. 23, p. 223-227.

272. Ling, Z.; Leach, C. The effect of relative humidity on the NO2 sensitivity of a SnO2/WO3 heterojunction gas sensor // Sens. Actuators B, 2004, v. 102, p. 102-106.

273. Bârsan, N.; Weimar, U. Conduction model of metal oxide gas sensors // J. Electroceram. 2001, v. 7, p. 143-167.

274. Rumyantseva, M.N.; Makeeva, E.A.; Badalyan, S.M.; Zhukova, A.A.; Gaskov, A.M. Nanocrystalline SnO2 and In2O3 as materials for gas sensors: The relationship between microstructure and oxygen chemisorption // Thin Solid Film., 2009, v. 518, p. 1283-1288.

275. Korotcenkov, G.; Brinzari, V.; Golovanov, V.; Blinov, Y. Kinetics of gas response to reducing gases of SnO2 films, deposited by spray pyrolysis // Sens. Actuators B, 2004, v. 98, p. 41-45.

276. Egashira, M.; Nakashima, M.; Kawasuma, S.; Selyama, T. Temperature programmed desorption study of water adsorbed on metal oxides. Part 2. Tin oxide surfaces // J. Phys. Chem., 1981, v. 85, p. 4125-4130.

277. Barsan, N.; Schweizer-Berberich, M.; Gopel, W. Fundamental and practical aspects in the design of nanoscaled SnO2 gas sensors: A status report // Fresenius J. Anal. Chem., 1999, v. 365, p. 287-304.

278. Yamazoe, N.; Sakai, G.; Shimanoe, K. Oxide semiconductor gas sensors // Catal. Surv. Asia, 2003, v. 7, p. 63-75.

279. Davydov, A.A. Chapter 2. The Nature of Oxide Surface Centers. In Molecular Spectroscopy of Oxide Catalyst Surfaces; Sheppard, N.T., Ed.; John Wiley & Sons Ltd.: Chichester, UK, 2003.

280. Heiland, G.; Kohl, D. Chapter 2. Physical and Chemical Aspects of Oxidic Semiconductor Gas Sensors. In Chemical Sensor Technology; Seiyama, T., Ed.; Elsevier Science: Amsterdam, The Netherlands, 1988; v. 1, p. 15-38.

281. Morrison, S.R. Chapter 5. Bonding of Foreign Species at the Solid Surface. In The Chemical Physics of Surfaces, 2nd ed. // Springer Science+ Business Media: New York, NY, USA, 1990; p. 173-220.

282. Henrich, V.A.; Cox, P.A. Chapter 6. Molecular Adsorption on Oxides. In The Surface Science of Metal Oxides // Cambridge University Press: Cambridge, UK, 1994; p. 247370.

283. Gurlo, A. Interplay between O2 and SnO2: Oxygen ionosorption and spectroscopic evidence for adsorbed oxygen // Chem. Phys. Chem., 2006, v. 7, p. 2041-2052.

284. Konstantinova, E.A.; Pentegov, I.S.; Marikutsa, A.V.; Rumyantseva, M.N.; Gaskov, A.M.; Kashkarov, P.K. EPR study of nanocrystalline tin dioxide // Phys. Status Solidi C, 2011, v. 8, p. 1957-1960.

285. Konstantinova, E.A.; Weidmann, J.; Dittrich, T. Influence of adsorbed water and oxygen on the photoluminescence and EPR of por-TiO2 (anatase) // J. Porous Mater., 2000, v. 7, p. 389-392.

286. Weidmann, J.; Dittrich, T.; Konstantinova, E.A.; Lauermann, I.; Uhlendorf, I.; Koch, F. Influence of oxygen and water related surface defects on the sensitized TiO2 solar cell // Sol. Energy Mater. Sol. Cells, 1999, v. 56, p. 153-165.

287. Chao, C.C.; Lunsford, J.H. Adsorption of nitric oxide on Y-type zeolites. Low-temperature infrared study // J. Am. Chem. Soc., 1971, v. 93, p. 6794-6800.

288. Kantcheva, M.; Bushev, V.; Hadjiivanov, K. Nitrogen dioxide adsorption on deuteroxylated titania (anatase) // J. Chem. Soc. Faraday Trans., 1992, v. 88, p. 30873089.

289. Sergent, N.; Epifani, M.; Comini, E.; Faglia, G.; Pagnier, T. Interactions of nanocrystalline tin oxide powder with NO2: A Raman spectroscopic study // Sens. Actuators B, 2007, v. 126, p. 1-5.

290. Mott, N.F.; Devis, E.A. Electron Processes in Non-Crystalline Materials // Clarendon press: Oxford, UK, 1979.

291. Журбина, И.А.; Цетлин, О.И.; Тимошенко, В.Ю. Оптическая генерация свободных носителей заряда в тонких пленках оксида олова // Физика и техника полупроводников, 2011, том 45, стр. 241-244.

292. Forsh, E.A.; Marikutsa, A.V.; Martyshov, M.N.; Forsh, P.A.; Rumyantseva, M.N.; Gaskov, A.M.; Kashkarov, P.K. A Study of the Sensitivity of Nanocrystalline Indium Oxide with Various Sizes of Nanocrystals to Nitrogen Dioxide // Nanotechnologies Russ., 2012, v. 7, p. 164-168.

293. Forsh, E.A.; Marikutsa, A.V.; Martyshov, M.N.; Forsh, P.A.; Rumyantseva, M.N.; Gaskov, A.M.; Kashkarov, P.K. Charge Carrier Transport in Indium Oxide Nanocrystals // J. Exp. Theor. Phys., 2010, v. 111, p. 653-658.

294. Prades, J.D.; Cirera, A.; Morante, J.R. First-Principles Study of NOx and SO2 Adsorption onto SnO2 (110) // J. Electrochem. Soc., 2007, v. 154, p. H675-H680.

295. Prades, J.D.; Cirera, A.; Morante, J.R. Ab initio calculations of NO2 and SO2 chemisorption onto non-polar ZnO surfaces // Sens. Actuators B, 2009, v. 142, p. 179-184.

296. Wang, C.Y.; Becker, R.W.; Passow, T.; Pletsche, W.; Kohler, K.; Cimalla, V.; Ambacher, O. Photon-stimulated sensor based on indium oxide nanoparticles I: Wide-concentration-range ozone monitoring in air // Sens. Actuators B, 2011, v. 152, p. 235-240.

297. Konvalina, G.; Haik, H. Sensors for Breath Testing: From Nanomaterials to Comprehensive Disease Detection // Acc. Chem. Res., 2014, 47, p. 66-76.

298. Moulder, J.F.; Stickle, W.F.; Sobol, P.E.; Bomben, K D. Handbook of X-ray Photoelectron Spectroscopy // Perkin-Elmer Corporation: Eden Prairie, MN, USA, 1992.

299. Rodriguez-Gonzalez, V.; Zanella, R.; Calzada, L.A.; Gomez, R. Low-temperature CO oxidation and long-term stability of Au/In2O3-TiO2 catalysts // J. Phys. Chem. C, 2009, v. 113, p. 8911-8917.

300. Warwick, M.E.A.; Kaunisto, K.; Carraro, G.; Gasparotto, A.; Maccato, C.; Barreca, D. A study of Pt/a-Fe2O3 nanocomposites by XPS // Surf. Sci. Spectra, 2015, v. 22, p. 47.

301. X-ray Photoelectron Spectroscopy (XPS) Reference Pages, Platinum. http://www.xpsfitting.com/2012/01/ platinum.html

302. Nakamoto, K. Infrared and Raman Spectra of Inorganic and Coordination Compounds. Part A: Theory and Ap- plications in Inorganic Chemistry, 6th ed. // Publisher: John Wiley & Sons, Inc.: Hoboken, NJ, USA, 2009.

303. Zyubina, TS.; Zyubin, A.S.; Dobrovol'skii, Y.A.; Volokhoa, V.M.; Bazhanova, Z.G. Quantum-Chemical Modeling of the Hydrogen Spillover Effect in the H/Pt/SnO2 System // Russ. J. Inorg. Chem., 2011, v. 56, p. 1765-1774.

304. Zhu, Y.; Liu, D.; Meng, M. H2 spillover enhanced hydrogenation capability of TiO2 used for photocatalytic splitting of water: A traditional phenomenon for new applications // Chem. Commun., 2014, v. 50, p. 6049.

305. Krivetskiy, V.; Zamanskiy, K.; Beltyukov, A.; Asachenko, A.; Topchiy, M.; Nechaev, M.; Garshev, A.; Krotova, A.; Filatova, D.; Maslakov, K.; et al. Effect of AuPd bimetal sensitization on gas sensing performance of nanocrystalline SnO2 obtained by single step flame spray pyrolysis // Nanomaterials, 2019, v. 9, p. 728.

306. Gulevich, D.; Rumyantseva, M.; Gerasimov, E.; Khmelevsky, N.; Tsvetkova, E.; Gaskov, A. Synergy effect of Au and SiO2 modification on SnO2 sensor properties in VOCs detection in humid air // Nanomaterials, 2020, v. 10, p. 813.

307. Fujita, T.; Horikawa, M.; Takei, T.; Murayama, T.; Haruta, M. Correlation between catalytic activity of supported gold catalysts for carbon monoxide oxidation and metal-

oxygen binding energy of the support metal oxides // Chin. J. Catal., 2016, v. 37, p. 16511655.

308. Green, I.X.; Tang, W.; Neurock, M.; Yates, J.T. Insights into catalytic oxidation at the Au/TiO2 dual perimeter sites // Acc. Chem. Res., 2014, v. 47, p. 805-815.

309. Green, I.X.; Tang, W.; McEntee, M.; Neurock, M.; Yates, J.T. Inhibition at perimeter sites of Au/TiO2 oxidation catalyst by reactant oxygen // J. Am. Chem. Soc., 2012, v. 134, p. 12717-12723.

310. Gurlo, A.; Barsan, N.; Weimar, U. Gas Sensors Based on Semiconducting Metal Oxides. In Metal Oxides: Chemistry and Applications // Fierro, J.L.G., Ed.; Taylor & Francis Group: New York, NY, USA, 2006; p. 683-738.

311. World Health Organization (WHO). WHO Guidelines for Indoor Air Quality: Selected Pollutants. Available online: www.euro. who.int_data/assets/pdf_file/0009/128169/e94535/pdf

312. Charles, K.; Magee, R.J.; Won, D.; Lusztyk, E. Indoor Air Quality Guidelines and Standards. In Final Report 5.1-CMEIAQ-II: Consortium for Material Emission and IAQ ModellingII. // National Research Council Canada: Montreal, QC, Canada, 2005.

313. Gao, H.W.; Yan, T.X.; Zhang, C.B.; He, H. Theoretical experimental analysis on vibrational spectra of formate species adsorbed on Cu-Al2O3 catalyst // J. Mol. Str. Theochem., 2008, v. 857, p. 38-43.

314. Vayssilov, G.N.; Mihaylov, M.; Petkov, P., Sr.; Hadjiivanov, K.I.; Neyman, K.M. Reassignment of the vibrational spectra of carbonates, formates, and related surface species on ceria: A combined density functional and infrared spectroscopy investigation // J. Phys. Chem. C, 2011, v. 115, p. 23435-23454.

315. Kecskes, T.; Rasko, J.; Kiss, J. FTIR and mass spectrometric studies on the interaction of formaldehyde with TiO2 supportedPt and Au catalysts // Appl. Catal. A, 2004, v. 273, p. 55-62.

316. Hadjiivanov, K. Identification and characterization of surface hydroxyl groups by infrared spectroscopy // Adv. Catal., 2014, v. 57, p. 99-318.

317. Hall, W.K.; Spiewak, B.E.; Cortright, R.D.; Dumesic, J.A.; Knzinger, H.; Pfeifer, H.; Kazansky, V.B.; Bond, G.C. Characterization of Solid Catalysts: Sections 3.2.3-3.2.4. In

Handbook ofHeterogeneous Catalysis, 1st ed. // Wiley: Hoboken, NJ, USA, 1997; p. 689770.

318. Marikutsa, A.V.; Vorobyeva, N.A.; Rumyantseva, M.N.; Gaskov, A.M. Active sites on the surface of nanocrystalline semiconductor oxides ZnO and SnO2 and gas sensitivity // Russ. Chem. Bull., 2017, v. 66, p. 1728-1764.

319. Yamazoe, N. New approaches for improving semiconductor gas sensors // Sens. Actuators

B, 1991, v. 5, p. 7-19.

320. Degler, D.; Rank, S.; Mueller, S.; Pereira de Carvalho, H.W.; Grunwaldt, J.-D.; Weimar, U.; Barsan, N. Gold-loaded tin dioxide gas sensing materials: Mechanistic insights and the role of gold dispersion // ACS Sens., 2016, v. 1, p. 1322-1329.

321. Hubner, M.H.; Koziej, D.; Grunwaldt, J.-D.; Weimar, U.; Barsan, N. An Au clusters related spill-over sensitization mechanism in SnO2-based gas sensors identified by operando HERFD-XAS, work function changes, DC resistance and catalytic conversion studies // Phys. Chem. Chem. Phys., 2012, v. 14, p. 13249-13254.

322. Ono, L.K.; Yuan, B.; Heinrich, H.; Cuenya, R.B. Formation and thermal stability of platinum oxides on size-selected platinum nanoparticles: Support effects // J. Phys. Chem.

C, 2010, v. 114, p. 22119-22133.

323. Michaelson, H.B. The work function of the elements and its periodicity // J. Appl. Phys., 1977, v. 48, p. 4729-4733.

324. Benesh, G.A.; Liyanage, L.S.G. The surface electronic structure of oxygen on Pt(001)(1 x 1) // Surf. Sci., 1992, v. 261, p. 207-216.

325. Ganose, A.M.; Scanlon, D.O. Band gap and work function tailoring of SnO2 for improved transparent conducting ability in photovoltaic // J. Mater. Chem. C 2016, v. 4, p. 14671475.

326. Jia, C.; Dong, T.; Li, M.; Wang, P.; Yang, P. Preparation of anatase/rutile TiO2/SnO2 hollow heterostructures for gas sensor // J. Alloy. Compd., 2018, v. 769, p. 521-531.