Математическое моделирование процессов получения кластерных наноструктур тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.13.18, кандидат наук Замотин, Кирилл Юрьевич

• Замотин, Кирилл Юрьевич
• кандидат наук
• 2015

Оглавление диссертации кандидат наук Замотин, Кирилл Юрьевич

Оглавление

Введение

1. Обзор современного состояния теоретических исследований и технологий по получению наноматериалов в газовых средах

1.1. Технологии получения тонких слоев наноматериалов

1.1.1. Химическое осаждение из газовой фазы

1.1.2. Методики плазмохимического осаждения

1.1.3. Метод физического осаждения из газовой фазы и другие методы получения наноматериалов

1.2. Исторический обзор теоретических исследований в области технологий получения наноматериалов и роль и место в них подходов математического моделирования

1.3. Методы математического моделирования молекулярных кластеров и малых нанообьектов, структур, возникающих на поверхности получаемого материала и физико-химических процессов, протекающих при осаждении материала из газовой фазы

1.3.1. Математические модели, описывающих процессы, протекающие на микро - (атомно-молекулярный) уровне

1.3.2. Математические модели, описывающих процессы, протекающие на, поверхностном уровне (организация нанокластеров, поверхностных структур)

1.3.3. Математические модели, описывающих процессы, протекающие на макро уровне (физико-химические процессы на уровне реактора)

2. Моделирование структуры нанопокрытия, возникающего в результате низкотемпературного плазмохимического осаждения

2.1. Введение

2.2. Выделение возможных типов агломерации

2.3. Объемная агломерация I типа. Цепочки

2.3.1. Описание условий получения агломератов

2.3.2. Построение математической модели процесса агломерации I типа

2.3.3. Математическая постановка задачи. Основные допущения, начальные и граничные условия

2.3.4. Численный эксперимент по определению структуры нанопокрытия

2.3.5. Некоторые результаты численного эксперимента агломерации I типа

2.4. Выводы по результатам раздела

3. Агломерация пылевых частиц II типа. Шары

3.1. Введение

3.2. Постановка задачи

3.3. Модель движения частиц. Определение баланса сил, действующих на пылевую частицу

3.4. Распределение поля потенциала вдоль оси реактора

3.5. Решение задачи в рамках модели агломерации

3.6. Моделирование движения со столкновениями заряженных и нейтральных наночастиц

3.7. Численный эксперимент по определению размеров частиц, поступающих на подложку

3.8. Аналитическое решение задачи распределения потенциала в пролетном промежутке при атмосферном давлении

3.9. Выводы по результатам раздела

4. Поверхностная агломерация III типа. Дендриты

4.1. Введение

4.2. Постановка задачи

4.3. Математическая постановка задачи. Приведение уравнений к безразмерным параметрам

4.4. Задача пробоя диэлектрика

4.5. Моделирование формирования мультифракталов. Определение размерности Хаусдорфа - Безинковича для получаемых структур

4.5.1. Некоторые свойства спектра обобщенных фрактальных размерностей

4.5.2. Мультифрактальный спектр

4.5.3. Связь результатов моделирования с экспериментом

4.6. Выводы по результатам раздела

Заключение

Список цитированных источников

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Математическое моделирование процессов получения кластерных наноструктур»

Введение

Актуальность темы исследования

Научно-технический прогресс в большинстве отраслей промышленности определяется, в значительной степени, новыми подходами к созданию и применению передовых типов материалов, таких как: нано пленки, нано порошки нанотрубки и др. В настоящий момент в экономически развитых странах доля таких материалов в общей структуре изделий составляет порядка 25% и постоянно увеличивается.

Нанопокрытия различных материалов находят все более широкое применение в различных областях техники для получения современных композиционных материалов, керамики, катализаторов и т.д. Для синтеза нанопорошков чистых металлов, нитридов и оксидов широко используются плазмохимические технологии. Эти технологии, преимущественно, основаны на использовании низкотемпературной плазмы, создаваемой при пониженном давлении. Процессы, происходящие при атмосферном давлении, сравнительно мало изучены, и в тоже время представляют особый интерес для получения наноматериалов в результате протекания реакций в плазме атмосферного давления. Для таких процессов характерны приблизительно на три порядка более высокие парциальные давления реагентов по сравнению с процессами, осуществляемыми при пониженных давлениях, что позволяет ожидать более высоких скоростей протекания химических реакций и, соответственно, более быстрое формирование покрытия из осаждаемого материала.

При этом для исследования таких материалов все большую значимость приобретают теоретические подходы, основанные на математическом моделировании, поскольку физический эксперимент, при всей его значимости, не всегда позволяет ответить на многие важные вопросы, очень часто затруднен или принципиально невозможен и весьма дорог. Для успешного моделирования рассматриваемых процессов необходимы строгие представления о схемах, используемых на практике установок, технологических параметрах и их влиянии

на условия синтеза; о химии, физике первичных явлений и процессов, сопровождающих синтез, о характере их взаимодействий. Конечно важно иметь и какие-либо экспериментальные данные о происходящих процессах и возможностях управления ими. Как правило, совокупность моделей, описывающих вышеперечисленные явления и процессы, заполняет всю пространственную масштабную шкалу. При этом существуют различные подходы и множество отвечающих им математических моделей, описывающих процессы, протекающие на микроуровне (атомно-молекулярный уровень), поверхностном уровне (нанокластерные, поверхностные структуры) и макроуровне (реакторы). В случае, когда требуется исследовать динамику взаимодействия частиц, вычислить траектории движения атомов, молекул или их цепочек, применяются методы молекулярной динамики (МД). МД методы характеризуются высоким разрешением по времени при исследовании процессов, проходящих в атомно-молекулярных масштабах длительностью порядка наносекунды, что особенно актуально, т.к. связано с трудностью экспериментальной регистрации подобных процессов. На поверхностном уровне могут происходить образования упорядоченных (и неупорядоченных) структур, кристаллизация и фазовые переходы. В этом случае используемые методы моделирования базируются на МД - подходах, совокупности методов агрегации ограниченной диффузией (ДОА, в англоязычных источниках - Diffusion Limited Aggregation, DLA), стохастических методах и моделях, методах неравновесной агрегации и фрактальном анализе (понятие фрактала было введено в научный оборот математиком Б. Мандельбротом). Переход на макроуровень требует рассмотрения элементарных процессов в газовой среде: движение заряженных частиц в потенциальном поле; взаимодействие между частицами; явления тепло- и массопереноса; учета влияния внешних сил, действующих на такие частицы. Учет всей совокупности рассматриваемых явлений, объединяющих множество различных теоретических и прикладных дисциплин, является, по своей сути, междисциплинарной задачей. При этом следует отметить, что при наличии большого количества работ, связанных с образованием крупных (пылевых) частиц в плазме, практически полностью

отсутствуют теоретические или экспериментальные работы, отвечающие случаю атмосферного давления в реакторах.

Настоящая работа посвящена моделированию движения, агломерации и сборке объектов из наночастиц, синтезируемых в высокочастотном емкостном разряде атмосферного давления, при установившемся распределения электрического потенциала в области дрейфа.

Целью данной работы является разработка математических моделей, структуры осаждаемых материалов на основе выявления физических закономерностей их формирования, а также вычислительных методов и программного обеспечения для получения количественных соотношений рассматриваемых явлений и процессов. Для достижения поставленной цели необходимо было решить следующие задачи:

1. Разработать математические модели для определения качественных и количественных закономерностей образования цепочек нановещества, сферических крупных частиц и разветвленных поверхностных объектов.

2. Разработать вычислительные процедуры и программное обеспечение для получения количественных соотношений рассматриваемых явлений и процессов.

3. Провести исследование параметров и характеристик получаемого тонкого слоя материала в зависимости от изменяющихся технологических условий работы реактора.

4. Провести сравнение результатов моделирования с данными имеющихся физических экспериментов, и определить границы применимости численного эксперимента.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Математическая модель роста поверхностных базирующаяся на подходах молекулярной динамики.

цепочек наночастиц,

2. Математическая модель пылевых плазменных частиц, основанная на решении уравнений движения частиц со столкновениями, обладающими зарядом в неоднородном электрическом поле.

3. Математическая модель формирования поверхностных разветвленных структур, в основу которой легла гипотеза о возникновении пробойных явлений в диэлектрике.

4. Численные методы и алгоритмы решения задачи определения структуры покрытия на основе предложенных моделей цепочек нановещества, сферических крупных частиц и разветвленных поверхностных объектов.

5. Впервые полученные реализации многопроцессорного программного обеспечения для решения задачи определения структуры осаждаемых материалов, учитывающие особенности разработанных моделей и численных методов.

6. Результаты моделирования каждого вида агломерирования продуктов синтеза, осаждаемых на поверхности подложки.

7. Установленные в результате моделирования закономерности свойств агломератов в зависимости от параметров работы реактора.

Научная новизна

В диссертации представлен разработанный комплексный подход к решению задачи получения неоднородных покрытий из наночастиц при использовании низкотемпературного плазмохимического осаждения при атмосферном давлении, базирующийся на технологиях математического моделирования. Разработанные модели позволили подтвердить гипотезу об электрической природе коагуляции частиц диоксида кремния, а также произвести качественное согласование между всеми тремя типами поверхностных структур, наблюдаемых экспериментально.

В ходе работы было рассмотрено решение задачи изменения потенциала в вакууме в области между катодом и анодом при фиксированной плотности тока заряженных ионов, поступающих из плазмы. Аналитическое решение было обобщено для случая среды с атмосферным давлением.

При исследовании поверхностных структур (сложные геометрически разветвленные структуры, обладающие свойствами самоподобия называемые фракталами) на основе подхода Нимейера, Пьетронеро и Висманна был проведен переход к рассмотрению физических мультифракталов (мультифрактал -комплексный объект, состоящий из паттерна фракталов, паттерн- шаблон, модель). Построен мультифрактальный спектр как функция показателя Липшица-Гёльдера. Выполнена связь мультифраткальной размерности с технологическими параметрами работы реактора.

Автором впервые:

1. Выполнено оригинальное комплексное исследование совокупности процессов, протекающих при физико-химическом осаждении покрытий из наночастиц на основе подходов математического моделирования.

2. Разработана многомасштабная математическая модель формирования получаемого материала.

3. Разработано многопроцессорное программное обеспечение, предназначенное для исследования характеристик и свойств покрытия.

4. Выполнена визуализация процессов осаждения, протекающих как на микро, так и на макро уровнях.

5. Построены и проанализированы зависимости получаемых неоднородностей покрытия в широком диапазоне изменения режимов работы реактора.

Практическая значимость заключается в возможности дальнейшего использования совокупности разработанных моделей, алгоритмов и их программных реализаций для определения условий и параметров образования дефектов структуры осаждаемого материала при использовании плазмохимической установки при атмосферном давлении.

Всестороннее исследование протекающих процессов позволит внедрить указанные перспективные технологии получения материала в машиностроении, приборостроении, авиационной, химической и других отраслях промышленности.

Благодаря исключению из процесса получения материала системы вакуумирования, удастся поддерживать в реакторе на три порядка более высокие парциальные давления реагентов по сравнению с процессами, осуществляемыми при пониженных давлениях. Указанное обстоятельство позволяет ожидать более высоких скоростей протекания гомогенных химических реакций, т.е. в конечном итоге, большую чистоту (отсутствие примесных компонентов) и большие скорости осаждения нано материалов.

Достоверность изложенных в работе результатов подтверждается системным подходом к исследуемым явлениям и процессам с позиций современной концепции математического моделирования, интерпретацией полученных результатов моделирования с точки зрения современных теоретических знаний. Обоснованность результатов расчетов контролировались путем сравнения с данными из различных литературных источников, аналитически или эмпирически полученными соотношениями, а также с накопленной базой экспериментальных данных, полученных на кафедре «Физическая химия, микро- и нанотехнологии» (ФХМиНТ СПбГТУ). Особо отметим, что результаты численного эксперимента не только хорошо согласуются с экспериментальными данными, полученными при помощи сканирующего электронного микроскопа (СЭМ), но и дают представление об исследуемых объектах, которые на сегодняшний день не доступны для физического эксперимента.

Объем и структура работы. Диссертация состоит из введения, 4 глав, заключения. Полный объем диссертации 193 страницы, включая 69 рисунков и 6 таблиц. Библиографический список источников содержит 193 наименования.

В первой главе диссертации дано описание существующих методов получения наноматериалов. Особое внимание уделено методикам плазмохимического осаждения с точки зрения физических процессов и явлений, присущих данным способам формирования покрытия. Приводится обзор теоретических исследований в области технологий получения наноматериалов как междисциплинарной области фундаментальной и прикладной наук, говорится о

роли и месте в них подходов математического моделирования. Большое внимание уделено вопросам применимости различных математических моделей с целью предсказания результатов и закономерностей протекания физических, химических и технологических процессов при некоторых заданных условиях в подобных установках. Приводится классификация моделей по характеру решаемых задач, описывающих технологические параметры и их влияние на условия синтеза, физико-химию элементарных явлений, сопровождающих синтез, и характер их взаимодействий классифицируется по пространственной масштабной шкале. Приведены соответствующие подходы и математические модели описывающие процессы, протекающие на микро, мезо и макро уровнях.

Во второй главе на основании многочисленных экспериментальных данных различных авторов проанализированы закономерности образования структур из продуктов синтеза. Вводится понятие типа агломерата, при этом определяются три типа агломерата. Первый тип представляет собой цепочки, состоящие из отдельных наночастиц, заполняющих произвольный объем выпадающего осадка. Второй тип проявлялся в формировании двухмерных структур случайной конфигурации, имеющих характерные размеры в микрометровом диапазоне. Третий тип представляет собой шары практически идеальной формы диаметром 1-3 мкм, образованные деформированными наночастицами.

Построена математическая модель формирования осадка (агломерата первого типа), основанная на решении уравнения движения заряженных и нейтральных наночастиц в области дрейфа в окрестности подложки, на которую происходит осаждение. Движение заряженных частиц в потенциальном поле моделировалось методом Монте-Карло, используя эмпирические потенциалы взаимодействия Леннарда-Джонса, Кулона и Штокмайера.

В третьей главе выявляются основные механизмы формирования агломератов второго типа, то есть частиц диоксида кремния микрометрового диапазона, поступающих в виде осадка на поверхность подложки, а также приводится физико-математическая модель, описывающая процесс такой агломерации.

Учитываются силы, оказывающие наиболее значимое влияние на движение частиц: сила сопротивления потоку, гравитационное воздействие, термофоретическая сила (термофорез - явление отталкивания частиц со стороны газообразной фазы из области с большей температурой в область с меньшей), сила Кулона и сила, действующая на частицу - диэлектрический шар в неоднородном электрическом поле. Для субмикронных частиц закон Стокса был уточнен поправкой Коннингхэма. В качестве модели агломерации был выбран вероятностный подход О'Рурка. Для корректного учета вклада электростатических сил была рассмотрена задача о распределении поля потенциала вдоль оси реактора. В работе приводится обобщенное аналитическое решение, как для случая вакуума, так и впервые полученное для воздушной среды с атмосферным давлением. В главе три сделан вывод, что крупные сферические объекты не могут формироваться из нейтрально заряженных частиц. Причиной возникновения агломератов микронного размера является приобретение исходно нейтральной частицей электрического заряда в области максимума пространственного потенциала, где наблюдается повышенная концентрация положительных ионов, инжектированных из разрядного промежутка. Баланс сил, из-за которого частица левитирует в области потенциальной ямы имеет место благодаря электростатическому взаимодействию.

Агломерация третьего типа, которой посвящена четвертая глава, реализуется при формировании двухмерных структур случайной конфигурации с характерными размерами в микрометровом диапазоне. В качестве ключевой гипотезы предполагалось, что формируемые структуры будут проявлять свойства аффинного самоподобия. Таким образом, становится возможным рассчитывать дробную метрическую размерность Хаусдорфа-Безинковича. Использование дробной размерности позволяет проводить количественные оценки сложности образующихся в результате агломерации второго уровня поверхностных структур. При проведении таких оценок, первоначально рассматривалась диффузионная природа агломератов и использовалась, соответственно, модель диффузионно-

ограниченной агрегации, предложенная Виттеном и Сандером. Затем, базируясь на выводах второй главы, был сделан переход к рассмотрению диэлектрического пробоя в соответствии с моделью Нимейера, Пьетронеро и Висманна.

Важным представляется сделанный в работе переход к рассмотрению мультифракталов. Показано, что получаемые в результате моделирования агломерации фракталы являются неоднородными и представляет из себя мультифракталы. Для их характеристики необходим целый спектр обобщенных фрактальных размерностей. Построен спектр сингулярностей мультифрактала -величины, равной хаусдорфовой размерности некоторого однородного фрактального подмножества из исходного множества, которое дает доминирующий вклад в статистическую сумму. Проведены аналогии между экспериментально полученной зависимостью дробной метрической размерности Хаусдорфа-Безинковича от технологических параметров эксперимента и показателя Липшица-Гёльдера.

1. Обзор современного состояния теоретических исследований и технологий по получению наноматериалов в газовых средах

В главе дается описание существующих методов получения наноматериалов. Особое внимание уделено методикам плазмохимического осаждения с точки зрения физических процессов и явлений, присущих данным способам формирования покрытия. Приводится обзор теоретических исследований в области технологий получения наноматериалов как междисциплинарной области фундаментальной и прикладной наук, анализируется роль и место в них подходов математического моделирования. Большое внимание уделяется посвящен вопросам применимости различных математических моделей с целью предсказания результатов и закономерностей протекания физических, химических и технологических процессов при некоторых заданных условиях в подобных установках.

1.1.Технологии получения тонких слоев наноматериалов

К тонким слоям наноматериалов относятся такие слои материала, толщина которых находится в диапазоне 0.1 нм ~ 20 мкм. Структура и свойства таких объектов обычно существенно отличаются от исходных материалов. Методы, связанные с созданием таких наноматериалов, особенно многослойных металлических, достаточно хорошо изучены [1-10], технологически отработаны и широко применяются на практике. Такие методы позволяют создавать наноразмерные и/или наноструктурные слои на поверхности материалов, композиционные материалы с нанокомпонентами, а в ряде случаев и нанообъекты: нано и микро изделия. Также тонкопленочные технологии активно используются при обработке поверхности материалов, что на сегодняшний день является одной из востребованных задач в сфере высоких технологий и являются важной и одной из передовых областей науки о материалах [9].

В целом совокупность технологий осаждения тонких слоев материала базируется на сложных междисциплинарных физико-химических процессах и применении различных материалов-реагентов (металлов, полупроводников и

диэлектриков). С точки зрения собственно методов получения пленок важнейшими являются:

- физическое осаждение (конденсация из газовой фазы) на холодные подложки (термовакуумное испарение, катодное распыление);

- химическое осаждение из газовой фазы (пиролиз, реактивное распыление);

- электролитическое или гальваническое осаждение из растворов солей металлов (нанесение гальванических покрытий, химическое меднение);

- анодное или термическое окисление поверхности;

- трафаретная печать, «окунание».

Методы получения тонких пленок можно разделить на два класса: основанные на физических процессах напыления и осаждения:

- (PVD - Physical Vapour Deposition, напыление конденсацией из паровой/газовой фазы) [3,8];

- (CVD - Chemical Vapor Deposition, химическое осаждение паровой/газовой фазы) [1,9].

Как правило, температурное воздействие на материалы, получаемые такими методами минимальны, а полученные слои характеризуются высокой адгезией к подложке.

При использовании CVD или PVD методов возникает ряд сопутствующих задач - это определение толщины, равномерности и состава получаемых пленок. Для решения этих задач, ввиду слабого развития методов моделирования, как правило, применяют экспериментальные методы, включающие электронную микроскопию, рентгеновскую спектроскопию, эллипсометрию и измерения изменений интенсивности падающего и отраженного света, методы определении емкости и проводимости тонких пленок и ряд других.

Получение тонких пленок и тонкопленочных покрытий лежит в основе ряда высокотехнологичных отраслей промышленности, прежде всего микроэлектроники, приборостроения и других.

1.1.1. Химическое осаждение из газовой фазы

Процессы химического осаждения из газовой фазы (ХОГФ) относятся к одной из основных высоких технологий XXI века в области материаловедения и являются универсальными нанотехнологическими процессами, позволяющими получать тонкие пленки нанометровой толщины, нанопорошки, наностержни, нановолокна и даже нанокомпозиционные материалы [11]. Сущность таких процессов состоит в получении веществ в твердом состоянии за счет химических превращений нескольких реагентов, одновременно подаваемых в газообразном или плазменном состоянии в реакционный объем [12] . Общепризнано [1,2,11,13], что такие процессы относятся к наиболее сложным химическим процессам. Экспериментальное исследование их основных физических и химических закономерностей чрезвычайно трудно в силу многих обстоятельств из которых в первую очередь назовем многомаршрутность химических реакций и длительность процесса, включая подготовительные стадии, с одной стороны, и высокие требования к чистоте подаваемых реагентов, а также дорогостоящее вакуумное оборудование, с другой стороны. Вместе с тем, к настоящему времени в мировой практике накоплен большой экспериментальный материал по результатам исследования разнообразных процессов ХОГФ тонких пленок, нанопорошков, нановолокон, наностержней и наноструктур [12-14]. Однако, несмотря на тот факт, что исследованию некоторых конкретных технологических процессов посвящены сотни и даже тысячи публикаций, их детерминированные модели, достоверно и однозначно описывающие физико-химические закономерности, отсутствуют [11]. Это обусловлено чрезвычайной сложностью механизма процессов ХОГФ, характеризующихся многомаршрутностью химических реакций, присутствием нескольких гомогенных и гетерогенных стадий, а также многоступенчатостью превращений. Используя современные методы математического моделирования, сегодня удается надежно описывать лишь процессы массо - и теплопереноса, что в ряде случаев позволяет успешно разрабатывать и оптимизировать конструкции реакционных камер, применяемых для реализации процессов ХОГФ. Именно на основе таких расчетов, принимая во внимание экспериментально полученные

сведения о кинетических закономерностях некоторых конкретных процессов ХОГФ, осуществляется проектирование промышленных реакторов в крупных международных корпорациях, в первую очередь, для микроэлектронной промышленности (Applied Materials, Samsung Electronics и др.).

Основные причины отсутствия надежных детерминированных математических моделей связаны с многовариантностью и многофакторностью рассматриваемых процессов [1,11,13]. Разнообразные физические, химические и физико-химические явления в этих гетерогенных системах с реагирующими средами идут последовательно друг за другом, и каждый из них может определять конечный результат осаждения. Кроме того, в одном процессе практически всегда существует множество разветвленных этих последовательностей. Итогом физико-химических превращений, осуществляемых по этим каналам, накладываемым друг на друга, является сложный в интерпретации экспериментальный результат.

Учитывая отмеченную выше сложность экспериментальных исследований в области изучения физико-химических закономерностей процессов химического осаждения из газовой фазы различных наноматериалов, и, как следствие, отсутствие в достаточной степени адекватных моделей, описывающих поведение этих процессов, предполагается на основе теоретического анализа построить обобщенные абстрактные модели наиболее важных с практической точки зрения случаев. Такие обобщенные математические модели могут быть успешно созданы на основе опубликованных экспериментальных данных. В частности, теоретический анализ позволяет выявить характер влияния различных технологических параметров некоторого обобщенного процесса ХОГФ, не осложненного гетерогенным протеканием химических реакций, на скорость образования продукта (на примере осаждения порошков) и на этой основе представляется возможным разработать алгоритм определения режима протекания процесса и выявления оказывающей наибольшее влияние стадии [15].

Имеющиеся в литературе сведения о закономерностях процессов химического осаждения из газовой фазы при пониженных давлениях вполне достаточны для построения их обобщенной многопараметрической математической модели для

реакторов, наиболее широко используемых в промышленности [16,17]. Такая модель может учитывать относительную роль гомогенных и гетерогенных процессов.

Также накоплен большой опыт по математическому моделированию процессов тепло - и массопереноса в реакторах различной конфигурации, используемых для реализации процессов ХОГФ. В совокупности с задаваемыми представлениями (допущениями) о реакционных схемах процессов для таких реакторов, это дает возможность построения детерминированных моделей [1].

Список литературы диссертационного исследования кандидат наук Замотин, Кирилл Юрьевич, 2015 год

Список цитированных источников

1. Yan Х.-Т., Xu Y. Chemical vapour deposition: an integrated engineering design for advanced materials. Springer, 2010.

2. Edelstein A.S., Cammaratra R.C. Nanomaterials: synthesis, properties and applications. CRC Press, 1998.

3. Аксёнов И.И., Белоус В.А. Высокопроизводительная вакуумно-дуговая установка для осаждения покрытий // ВАНТ, Сер. Физ. радиац. повреждений и радиац. материаловедение. 2008. № 2(92). Р. 108-118.

4. Кнунянц И.Л. Краткая химическая энциклопедия. Рипол Классик, 2013.

5. Макаров В., Великасов С., Календ еров А. Магнетронная распылительная система. 1998.

6. Кемибелл Д.С. Механические свойства тонких пленок/Технология тонких пленок: под ред. Л. Майссела, Р. Глэнга// М.: Сов. радио. 1977. Р. 246-266.

7. Никитин М.М. Технология и оборудование вакуумного напыления // М. 1992. Vol. 8.

8. Комник Ю.Ф. Физика металлических пленок: Размерные и структурные эффекты. Атомиздат, 1979.

9. Зефиров Н.С. Химическая энциклопедия // М.: Большая Российская энциклопедия. 1995. Vol. 4. Р. 596-597.

10. Береснев В.М., Перлов Д.Л., Федоренко А.И. Экологически безопасные вакуумно-плазменное оборудование и технологии нанесения покрытий // Харьков: ХИСПИ. 2003.

11. Jones A.C., Hitchman M.L. Chemical vapour deposition: precursors, processes and applications. Royal Society of Chemistry, 2009.

12. Александров C.E. Технология материалов электронной техники. Процессы химического осаждения из газовой фазы. СПб: Политехи, ун-т, 2005. 92 р.

13. Hampden-Smith M.J., Kodas Т.Т. Chemical vapor deposition of metals: Part 1. An overview of CVD processes // Chemical Vapor Deposition. 1995. Vol. 1, № 1. P. 8-23.

14. Гусев А.И. Наноматериалы, наноструктуры, нанотехнологии // М.: Физматлит. 2005. Vol. 416. Р. 1.

15. Шубников A.B. Как растут кристаллы. Рипол Классик, 2013.

16. Васильев В.Ю., Репинский С.М. Осаждение диэлектрических слоев из газовой фазы // Успехи химии. 2005. Vol. 74, № 5. Р. 452^83.

17. Васильев В.Ю. Применение методов химического осаждения тонких слоёв из газовой фазы для микросхем с технологическими нормами 0, 35-0, 18 мкм. // Полупроводниковые приборы. 2012. № 1 (228). Р. 3.

18. Kern W. Thin film processes II. Academic press, 1991. Vol. 2.

19. Дубровский В.Г., Сибирев H.B. Рост нанометровых нитевидных кристаллов по обобщенному механизму „пар- жидкость-кристалл" // Письма в ЖТФ. 2006. Vol. 32, № 5. Р. 1-7.

20. Герасименко H.H., Пархоменко Ю.Н. Кремний-материал наноэлектроники // М.: техносфера. 2007. Vol. 352.

21. Сошников И.П. et al. Некоторые особенности формирования нанометровых нитевидных кристаллов на подложках GaAs (100) методом МПЭ // Письма в ЖТФ. 2004. Vol. 30, № 18. Р. 28-35.

22. Лойцянский Л. Механика жидкости и газа. Рипол Классик, 1973.

23. Novozhilov V. Computational fluid dynamics modeling of compartment fires // Progress in Energy and Combustion science. 2001. Vol. 27, № 6. P. 611-666.

24. НТЦ «Нанотехнология». 2006.

25. Передовые плазменные технологии. 2008.

26. Maeda Н. et al. Effect of substrate pretreatment on diamond deposition in a microwave plasma // Journal of materials science. 1993. Vol. 28, № 1. P. 129-137.

27. Shenderova O.A., Gruen D.M. Ultrananocrystalline diamond: synthesis, properties and applications. William Andrew, 2012.

28. Кривченко B.A. et al. Исследование поликристаллических алмазных пленок, легированных бором, методами спектроскопии рамановского рассеяния и спектроскопии оптического поглощения // ЖТФ. 2007. Vol. 77, №11.

29. Lee В.-J., Ahn В.-Т., Baik Y.-J. Variations of morphology and electrical property of diamond with doping using diborane in a methane-hydrogen gas mixture // Diamond and related materials. 1999. Vol. 8, № 2. P. 251-256.

30. Gheeraert E. et al. n-Type doping of diamond by sulfur and phosphorus // Diamond and related materials. 2002. Vol. 11, № 3. P. 289-295.

31. Kromka A. et al. Seeding of polymer substrates for nanocrystalline diamond film growth // Diamond and Related Materials. 2009. Vol. 18, № 5. P. 734-739.

32. Kohmura N. et al. Diamond growth on the high purity iron substrate using hot-filament CVD method // Diamond and related materials. 2005. Vol. 14, № 3. P. 283-287.

33. Dvorkin V.V. et al. Nanocrystalline graphite films nucleation by the radio frequency bias pretreatment // Journal of nanoscience and nanotechnology. 2011. Vol. 11, № 10. P. 8912-8916.

34. Teii K. et al. Synthesis and electrical characterization of n-type carbon nanowalls // Journal of Applied Physics. 2009. Vol. 106, № 8. P. 084303-084303.

35. Malesevic A. et al. Synthesis of few-layer graphene via microwave plasma-enhanced chemical vapour deposition // Nanotechnology. 2008. Vol. 19, № 30.

36. Kondo S. et al. Initial growth process of carbon nanowalls synthesized by radical injection plasma-enhanced chemical vapor deposition // Journal of Applied Physics. 2009. Vol. 106, № 9. P. 094302-094302.

37. Wang J. et al. Synthesis of carbon nanosheets by inductively coupled radio-frequency plasma enhanced chemical vapor deposition // Carbon. 2004. Vol. 42, № 14. P. 2867-2872.

38. Choi Y.C. et al. Controlling the diameter, growth rate, and density of vertically aligned carbon nanotubes synthesized by microwave plasma-enhanced chemical vapor deposition // Applied physics letters. 2000. Vol. 76, № 17. P. 2367-2369.

39. Esconjauregui S., Whelan C.M., Maex K. The reasons why metals catalyze the nucleation and growth of carbon nanotubes and other carbon nanomorphologies // Carbon. 2009. Vol. 47, № 3. P. 659-669.

40. Аверкин С.Н., Валиев К.А. Микроволновый широкоапертурный источник плотной плазмы // Микроэлектроника. 1999. Vol. 28, № 6. Р. 427-433.

41. Григорьев Ф.И. Осаждение тонких пленок из низкотемпературной плазмы и ионных пучков в технологии микроэлектроники. Москва: Моск. гос. ин-т электроники и математики, 2006.

42. Данилин Б.С. Применение низкотемпературной плазмы для нанесения тонких пленок. Энергоатомиздат, 1989.

43. Zhang Н. et al. Growth of carbon with vertically aligned nanoscale flake structure in capacitively coupled rf glow discharge // Vacuum. 2008. Vol. 82, № 8. P. 754759.

44. Lieberman M.A., Lichtenberg A.J. Principles of plasma discharges and materials processing//MRS Bulletin. 1994. Vol. 30. P. 899-901.

45. Голишников А.А., Путря М.Г. Лабораторный практикум по дисциплине «Плазменные технологии в наноэлектронике». М: МИЭТ, 2011.

46. Калюжный С. Словарь нанотехнологических и связанных с нанотехнологиями терминов // Москва: ФИЗМАТЛИТ. 2010.

47. Кипарисов С.С., Падалко О.В. Оборудование предприятий порошковой металлургии // М.: Металлургия. 1988. Vol. 447. Р. 2-1.

48. Карлов Н.В., Кириченко Н.А., Лукьянчук Б.С. Макроскопическая кинетика термохимических процессов при лазерном нагреве: состояние и перспективы // Успехи химии. 1993. Vol. 62, № 3. Р. 223-248.

49. Леонтьева О.Н., Алымов М.И., Теплов О.А. Гетерофазный синтез железомедных порошков // Физика и химия обработки материалов. 1996. № 5. Р. 105-109.

50. Касаткин А.Г. Основные процессы и аппараты химической технологии. Рипол Классик, 2005.

51. Ruska Е. The development of the electron microscope and of electron microscopy // Bioscience reports. 1987. Vol. 7, № 8. P. 607-629.

52. Williams D.B., Carter C.B. The Transmission Electron Microscope. Springer, 1996.

53. Hochella Jr M.F. There's plenty of room at the bottom: Nanoscience in geochemistry // Geochimica et Cosmochimica Acta. 2002. Vol. 66, № 5. P. 735743.

54. Feynman R.P. There's plenty of room at the bottom // Engineering and science. 1960. Vol. 23, № 5. P. 22-36.

55. Binnig G. et al. Tunneling through a controllable vacuum gap // Applied Physics Letters. 1982. Vol. 40, № 2. P. 178-180.

56. Binnig G. et al. Surface studies by scanning tunneling microscopy // Physical review letters. 1982. Vol. 49, № 1. P. 57.

57. Kroto H.W., Allaf A.W., Balm S.P. C60: Buckminsterfullerene // Chemical Reviews. 1991. Vol. 91, № 6. P. 1213-1235.

58. Drexler K.E., Minsky M. Engines of creation. Fourth Estate London, 1990.

59. Toumey C. 35 atoms that changed the nanoworld // Nature nanotechnology. 2010. Vol. 5, №4. P. 239-241.

60. Садовский И. Реферативный обзор нанотехнологий // Успехи физических наук.

61. Drexler К.Е. Nanosystems: molecular machinery, manufacturing, and computation. John Wiley & Sons, Inc., 1992.

62. Kreupl F. et al. Carbon nanotubes in interconnect applications // Microelectronic Engineering. 2002. Vol. 64, № 1. P. 399^108.

63. Kalaugher L. Infineon forges ahead with nanotube applications // Published on World Wide Web at nanotechweb. org. 2002.

64. Fennimore A., Yuzvinsky Т., Zettl A. Rotational NEMS using multi-walled carbon nanotubes // APS Meeting Abstracts. 2004. Vol. 1. P. 14004.

65. Novoselov K.S. et al. Electric field effect in atomically thin carbon films // science. 2004. Vol. 306, № 5696. P. 666-669.

66. Wang X. et al. Direct-current nanogenerator driven by ultrasonic waves // Science. 2007. Vol. 316, № 5821. P. 102-105.

67. Introdution to intels 32nm process technology [Electronic resource]. URL: http://www.intel.com/content/www/us/en/performance/performance-intro-to-intels-32nm-process-technology-paper.html.

68. Гольцова M. Самые быстрые, самые небольшие, самые необычные микросхемы // Электроника: Наука, Технология, Бизнес. Vol. 1, № 21012.

69. Данилина Г. AMD и IBM сообщают подробности о предварительных результатах применения иммерсионной литографии и диэлектриков со сверхнизкой проницаемостью в 45-нм чипах [Electronic resource]. URL: http://engbul.bmstu.ru/doc/71111.html.

70. Просочившийся слайд Intel указывает на 10-нм техпроцесс в 2018 году [Electronic resource]. URL: http://www.3dnews.ru/news/614699.

71. Евсеев A.M., Николаева JI.C. Математическое моделирование химических равновесий. МГУ, 1988.

72. Кафаров В.В., Глебов М.Б. Математическое моделирование основных процессов химических производств. 1991.

73. Слинько М.Г. Моделирование химических реакторов // Изд." Наука. 1968. Vol. 9.

74. Пушкарева Т.П., Перегудов А.В. Математическое моделирование химических процессов. 2-е стереотип. Краснорск: Краснояр. гос. пед. ун-т им. В.П. Астафьева, 2013. 116 р.

75. Allen М.Р., Tildesley D.J., others. Computer simulation of liquids. 1987.

76. Балабаев HK Г.А., Шноль Э.Э. Численное моделирование движения линейной полимерной цепочки II Докл // АН СССР. 1975. Vol. 220, № 5. P. 1096А1098.

77. Лагарьков А.Н., Сергеев В.М. Метод молекулярной динамики в статистической физике // Успехи физических наук. 1978. Vol. 125, № 7.

78. Stillinger F.H., Weber Т.А. Computer simulation of local order in condensed phases of silicon // Physical Review B. 1985. Vol. 31, № 8. P. 5262.

79. Ihara S., Itoh S., Kitakami J. Mechanisms of cluster implantation in silicon: A molecular-dynamics study//Physical Review В. 1998. Vol. 58, № 16. P. 10736.

80. Cheng H.-P. Cluster-surface collisions: Characteristics of Xe55-and C20-Si [111] surface bombardment // The Journal of chemical physics. 1999. Vol. 111, № 16. P. 7583-7592.

81. Cleveland C.L., Landman U. Dynamics of cluster-surface collisions // Science. 1992. Vol. 257, № 5068. P. 355-361.

82. Qi L., Young W.L., Sinnott S.B. Effect of surface reactivity on the nucleation of hydrocarbon thin films through molecular-cluster beam deposition // Surface science. 1999. Vol. 426, № 1. P. 83-91.

83. Narumi T. et al. Molecular dynamics machine: Special-purpose computer for molecular dynamics simulations // Molecular Simulation. 1999. Vol. 21, № 5-6. P. 401—415.

84. Pan Z. Molecular dynamics simulation of slow gold clusters impacting on gold // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section В: Beam Interactions with Materials and Atoms. 1992. Vol. 66, № 3. P. 325-332.

85. Qi L., Sinnott S.B. Effect of cluster size on the reactivity of organic molecular clusters: Atomistic simulations // Nuclear Instruments and Methods in Physics: Beam Interactions with Materials and Atoms. 1998. Vol. 140, № 1. P. 39^46.

86. Dapprich S. et al. A new ONIOM implementation in Gaussian98. Part I. The calculation of energies, gradients, vibrational frequencies and electric field derivatives // Journal of Molecular Structure: THEOCHEM. 1999. Vol. 461. P. 121.

87. Rapaport D.C. The art of molecular dynamics simulation. Cambridge university press, 2004.

88. Stinnett J.A., Madix R.J. Molecular adsorption of alkanes on platinum surfaces: A predictive theoretical model // The Journal of chemical physics. 1996. Vol. 105, № 4. P. 1609-1620.

89. Smith W., Forester T.R. Parallel macromolecular simulations and the replicated data strategy: I. The computation of atomic forces // Computer physics communications. 1994. Vol. 79, №1. P. 52-62.

90. Журкин В.Б., Полтев В., Флорентьев B.J1. Атом-атомные потенциальные функции для конформационных расчетов нуклеиновых кислот // Молекуляр. биология. 1980. Vol. 14, № 6. Р. 1116-1130.

91. Lewis J.P., Sankey O.F. Geometry and energetics of DNA basepairs and triplets from first principles quantum molecular relaxations // Biophysical journal. 1995. Vol. 69, №3. P. 1068-1076.

92. Alfonso D.R., Ulloa S.E., Brenner D.W. Hydrocarbon adsorption on a diamond (100) stepped surface // Physical Review B. 1994. Vol. 49, № 7. P. 4948.

93. Brenner D.W. Empirical potential for hydrocarbons for use in simulating the chemical vapor deposition of diamond films // Physical Review B. 1990. Vol. 42, № 15. P. 9458.

94. Darden Т., York D., Pedersen L. Particle mesh Ewald: An N- log (N) method for Ewald sums in large systems // The Journal of chemical physics. 1993. Vol. 98, № 12. P. 10089-10092.

95. Smith W., Forester T.R. DL POLY 2. 0: A general-purpose parallel molecular dynamics simulation package // Journal of Molecular Graphics. 1996. Vol. 14, № 3. P. 136-141.

96. Erko? Empirical many-body potential energy functions used in computer simulations of condensed matter properties // Physics Reports. 1997. Vol. 278, № 2. P. 79-105.

97. Verlet L. Computer" experiments" on classical fluids. I. Thermodynamical properties of Lennard-Jones molecules // Physical review. 1967. Vol. 159, № 1. P. 98.

98. Каплан И.Г. Введение в теорию межмолекулярных взаимодействий. Наука. Гл. ред. физ.-мат. лит., 1982.

99. Гантмахер Ф.Р. Лекции по аналитической механике // М.: Физмат. 2005.

100. Tuckerman М.Е., Martyna G.J. Understanding modern molecular dynamics: techniques and applications // The Journal of Physical Chemistry B. 2000. Vol. 104, №2. P. 159-178.

101. Фейнман P., Лейтон P., Сэндс M. Фейнмановские лекции по физике. Рипол Классик, 2013. Vol. 6.

102. Rahman A. Correlations in the motion of atoms in liquid argon // Physical Review. 1964. Vol. 136, № 2A. P. A405.

103. Shimizu A., Tachikawa H. Molecular dynamics simulation on diffusion of lithium atom pair in C150H30 cluster model for glassy carbon at very low temperatures // Electrochimica acta. 2003. Vol. 48, № 12. P. 1727-1733.

104. Spear K.E., Wang M.S. Thermochemical calculations on the LPCVD of Si sub 3 N sub 4 and SiO sub 2 // Solid State Technology. 1980. Vol. 23, № 7. P. 63-68.

105. Pierson H.O. Handbook of chemical vapor deposition: principles, technology and applications. William Andrew, 1999.

106. Carlsson J.-O., Boman M. Selective deposition of tungsten—prediction of selectivity // Journal of Vacuum Science & Technology A. 1985. Vol. 3, № 6. P. 2298-2302.

107. Pons M. et al. Combined thermodynamic and mass transport modeling for material processing from the vapor phase // Thin solid films. 2000. Vol. 365, № 2. P. 264274.

108. Соболь И.М. Метод Монте-Карло. Наука. Гл. ред. физ.-мат. лит., 1985.

109. Stuart G., Spruston N., Hausser M. Dendrites. Oxford University Press New York, 2008.

110. Witten T. t, Sander L.M. Diffusion-limited aggregation // Physical Review B. 1983. Vol. 27, № 9. P. 5686.

111. Медведев Д.A. et al. Моделирование физических процессов и явлений на ПК. Новосибирск, 2003.

112. Mandelbrot В.В. The fractal geometry of nature/Revised and enlarged edition // New York, WH Freeman and Co., 1983, 495 p. 1983. Vol. 1.

113. Niemeyer L., Pietronero L., Wiesmann H.J. Fractal dimension of dielectric breakdown // Physical Review Letters. 1984. Vol. 52, № 12. P. 1033.

114. Wiesmann H.J., Zeller H.R. A fractal model of dielectric breakdown and prebreakdown in solid dielectrics // Journal of applied physics. 1986. Vol. 60, № 5. P. 1770-1773.

115. Barclay A.L. et al. Stochastic modelling of electrical treeing: fractal and statistical characteristics // Journal of Physics D: Applied Physics. 1990. Vol. 23, № 12. P. 1536.

116. Кухта B.P., Лопатин B.B., Носков М.Д. Применение фрактальной модели к описанию развития разряда в конденсированных диэлектриках. ЖТФ, 1995.

117. Карпов Д.И., Лопатин В.В., Носков М.Д. Влияние высокопроводящих барьеров на развитие дендритов в диэлектрике // Электричество. 1995. № 7. Р. 59-61.

118. Dissado L.A., Sweeney P.J.J. Physical model for breakdown structures in solid dielectrics // Physical review B. 1993. Vol. 48, № 22. P. 16261.

119. Dissado L.A. et al. A deterministic model for branched structures in the electrical breakdown of solid polymeric dielectrics // Journal of Physics D: Applied Physics. 2000. Vol. 33, № 19. P. L109.

120. Kupershtokh A.L. Propagation of streamer top between electrodes for fluctuation model of liquid dielectrics breakdown // Conduction and Breakdown in Dielectric Liquids, 1996, ICDL'96., 12th International Conference on. IEEE, 1996. P. 210213.

121. Kupershtok A.L. Fluctuation model of the breakdown of liquid dielectrics // soviet technical physics letters c/c of pis'ma v zhurnal tekhnicheskoi fiziki. 1992. Vol. 18. P. 647-647.

122. Biller P. Fractal streamer models with physical time // Conduction and Breakdown in Dielectric Liquids, 1993., ICDL'93., IEEE 11th International Conference on. IEEE, 1993. P. 199-203.

123. Мандельброт Б. Фрактальная геометрия природы // М.: Институт компьютерных исследований. 2002. Vol. 656. Р. 62.

124. Морозов А.Д. Введение в теорию фракталов // Москва-Ижевск: Институт компьютерных исследований. 2002. Vol. 160.

125. Шакирова О.В. Фракталы-геометрия природы.

126. Crownover R.M. Introduction to fractals and chaos. Jones and Bartlett Boston, 1995. Vol. 39.

127. Торхов H.A. et al. Определение фрактальной размерности поверхности эпитаксиального n-GaAs в локальном пределе // Физика и техника полупроводников. 2009. Vol. 43, № 1. Р. 38^17.

128. Четверикова А.Г. Фрактальная размерность поверхности разрушения кремнеземистой керамики после термоудара // Вестник ОГУ. 2013. № 9 (158).

129. Gwyddion [Electronic resource]. URL: http://gwyddion.net.

130. Фортов B.E. et al. Пылевая плазма (Обзоры актуальных проблем) // Успехи физических наук. Vol. 174, № 5. Р. 495-544.

131. Liu В., Goree J. Superdiffusion and non-Gaussian statistics in a driven-dissipative 2D dusty plasma // Physical review letters. 2008. Vol. 100, № 5. P. 055003.

132. Жаховский В.В. et al. Аномальный нагрев системы пылевых частиц в газоразрядной плазме // Письма в ЖЭТФ. 1997. Vol. 66, № 6. Р. 392-397.

133. Hitchman M.L., Jensen K.F. Chemical vapor deposition: principles and applications. Academic Press London, 1993. Vol. 21.

134. Штиллер В. Уравнение Аррениуса и неравновесная кинетика. Мир М., 2000.

135. Stull D.R., Prophet Н. JANAF thermochemical tables. DTIC Document, 1971.

136. Kintecus, страница разработчика, http://www.kintecus.com/ [Electronic resource].

137. Kintech Khimera, http://www.kintech.ru/ [Electronic resource].

138. Chemical WorkBench, http://www.kintechlab.com/ [Electronic resource].

139. CHEMKIN, страница разработчика http://www.reactiondesign.com/ [Electronic resource].

140. MTDATA, http://www.npl.co.uk/advanced-materials/materials-areas/thermodynamics/mtdata/ [Electronic resource].

141. Thermo-Calc, http://www.thermocalc.com/ [Electronic resource].

142. ИВТАНТЕРМО. http://www.chem.msu.su/rus/handbook/ivtan/ [Electronic resource].

143. CEA, страница разработчика. http://www.grc.nasa.gov/WWW/CEAWeb/ [Electronic resource].

144. Снегирёв А.Ю. et al. Расчёты турбулентных течений с помощью программных систем Fluent и CFX. СПбГПУ, 2008.

145. OpenFoam, страница разработчика, http://www.openfoam.com/ [Electronic resource].

146. Ansys Inc. http://www.ansys.com/ [Electronic resource].

147. Мишин M.B., Протопова B.C., Александров C.E. Плазмохимический синтез, основанный на использовании низкотемпературной плазмы атмосферного давления // Российский химический журнал - ЖРХО им. Д.И. Менделеева. 2013.

148. Alexandrov S.E. et al. Formation of Fractal Structures from Silicon Dioxide Nanoparticles Synthesized by RF Atmospheric Pressure Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition // Journal of nanoscience and nanotechnology. 2011. Vol. 11, №9. P. 7969-7973.

149. Chen M. et al. Surface modification of several dental substrates by non-thermal, atmospheric plasma brush // Dental Materials. 2013. Vol. 29, № 8. P. 871-880.

150. Chen C. et al. Continuous generation of TiO 2 nanoparticles by an atmospheric pressure plasma-enhanced process // Aerosol Science and Technology. 2007. Vol. 41, № 11. P. 1018-1028.

151. Alexandrov S., Kretusheva I., Mishin M.V. Atmospheric pressure plasma enhanced CVD of Fe nanoparticles // ECS Transactions. 2009. Vol. 25, № 8. P. 943-951.

152. Shanefleld D.J. Organic additives and ceramic processing: with applications in powder metallurgy, ink, and paint. Kluwer Academic Publishers, 1996.

153. Александров C.E. et al. Разработка технологии получения нанодисперсных порошков в плазме высокочастотного емкостного разряда при атмосферном давлении // НТВ СПбГПУ. 2008. № 54. Р. 116-121.

154. Арнольд В.И., Козлов В.В., Нейштадт А.И. Математические аспекты классической и небесной механики // Итоги науки и техники. Серия «Современные проблемы математики. Фундаментальные направления». 1985. Vol. 3, № 0. Р. 5-290.

155. Lennard- Jones J.E. The equation of state of gases and critical phenomena // Physica. 1937. Vol. 4, № 10. P. 941-956.

156. Сивухин Д.В. Общий курс физики. Рипол Классик, 2005.

157. Stockmayer W.H. Second virial coefficients of polar gases // The Journal of Chemical Physics. 1941. Vol. 9, № 5. P. 398^102.

158. Гулд X., Тобочник Я. Компьютерное моделирование в физике: часть 2. 1990.

159. Никифоренко Н.Н., Лабуда А.А. Микроэлектроника. 2012.

160. Прудников А.П., Брычков Ю.А., Маричев О.И. Интегралы и ряды. Элементарные функции. 1981.

161. Шешин Е.П. Вакуумные технологии: учеб. пособие/Е. П. Шешин // Долгопрудный: Интеллект. 2009.

162. Мишин М.В., Александров С.Е. Распределение электрического потенциала в реакторе с удаленной плазмой атмосферного давления // НТВ СПбГПУ. Р. 123.

163. Михайлов Е.Ф., Власенко С.С. Образование фрактальных структур в газовой фазе // Успехи физических наук/Обзоры актуальных проблем. 1995. Vol. 165, №3. Р. 263-283.

164. Pelletier J. Dusty Plasmas: Physics, Chemistry and Technological Impacts in Plasma Processing // Plasma Physics and Controlled Fusion. 2000. Vol. 42, № 2. P. 227.

165. Boufendi L. et al. Dusty plasma for nanotechnology // Journal of Physics D: Applied Physics. 2011. Vol. 44, № 17. P. 174035.

166. Michau A. et al. Modeling carbonaceous particle formation in an argon graphite cathode dc discharge // Plasma Physics and Controlled Fusion. 2010. Vol. 52, № 12. P. 124014.

167. Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Теоретическая физика. Том 6. Гидродинамика // М: Наука. 1986.

168. Ounis Н., Ahmadi G., McLaughlin J.B. Brownian diffusion of submicrometer particles in the viscous sublayer // Journal of Colloid and Interface Science. 1991. Vol. 143, № 1. P. 266-277.

169. Савельев И.В. Курс общей физики, том II. Электричество. Наука, Москва, 1982.

170. Карасев В.Ю. et al. Движение и дрейф заряженных частиц, учебное пособие. Санкт-Петербургский государственный университет, 2012.

171. Амангалиева Р.Ж. Определение электростатической силы и силы ионного увлечения, действующих на пылевую частицу в газоразрядной пылевой плазме // Хабаршысы Вестник. 2008. Р. 27.

172. Talbot L. et al. Thermophores is of particles in a heated boundary layer // Journal of fluid mechanics. 1980. Vol. 101, № 04. P. 737-758.

193 Х

173. Chapman B.N. Glow discharge processes: sputtering and plasma etching. New York, NY: Wiley, 1980. 406 p.

174. Парселл Э. Берклеевский курс физики. Рипол Классик, 1983.

175. O'Rourke P.J. Collective drop effects on vaporizing liquid sprays. Los Alamos National Lab., NM (USA), 1981.

176. Cash J.R., Karp A.H. A variable order Runge-Kutta method for initial value problems with rapidly varying right-hand sides // ACM Transactions on Mathematical Software (TOMS). 1990. Vol. 16, № 3. P. 201-222.

177. FLUENT A. ANSYS FLUENT Theory Guide // ANSYS Inc., USA. 2011.

178. Бобровский Ю.Л., Зарембский C.P. Определение максимальной (по Бурсиану) плотности тока в многомерном электронном промежутке // Известия высших учебных заведений MB и ССО СССР. 1986. Vol. 29, № 1-5. Р. 219.

179. Измайлов С.В. Курс электродинамики // М.: Государственное учебно-педагогическое издательство министерства просвещения РСФСР. 1962.

180. Арцимович Л.А., Сагдеев Р.З. Физика плазмы для физиков. Атомиздат, 1979.

181. Цветков И.В. Физическая электроника: физика плазмы, учебный курс, кафедра физики плазмы: Нацональный исследовательский ядерный университет "МИФИ," 2012.

182. Бурсиан В., Павлов В. Журн. рус. физ.-хим. общества. // Журн. рус. физ.-хим. общества. 1923. Vol. 55, № 1-3. Р. 71-80.

183. Forrester А.Т. Large ion beams: fundamentals of generation and propagation // New York, Wiley-Interscience, 1988, 338 p. 1988. Vol. 1.

184. Божокин C.B., Паршин Д.А. Фракталы и мультифракталы // Ижевск: НИЦ «Регулярная и хаотическая динамика. 2001. Vol. 17.

185. Кретушева И.В., Мишин М.В., Александров С.Е. Некоторые закономерности получения наночастиц диоксида кремния в низкотемпературной плазме атмосферного давления // Научно-технические ведомости СПбГПУ. 2013. № 2(171). Р. 158-164.

186. Смирнов Б.М. Физика фрактальных кластеров. Наука. Гл. ред. физ.-мат. лит., 1991. Vol. 83.

187. Сук А.Ф., Синельник И.В., Синельник А.В. Компьютерный лабораторный практикум по физике/Учеб.-метод, пособие // Харьков: Изд-во «Точка. 2011.

188. Федер Е. Фракталы/Пер. с англ. ЮА Данилова, AM Шукурова // М.: Мир. 1991. Vol. 254. Р.З.

189. Mandelbrot В.В., Frame М. Fractals, Encyclopedia of Physical Science and Technology // Academic Press, Inc., San Diego CA, 1987. 2002. P. 579-593.

190. Meakin P. Fractals // Encyclopedia Of Polymer Science and Technology. 1998.

191. Mandelbrot B.B. Self-affine fractals and fractal dimension // Physica Scripta. 1985. Vol. 32, № 4. P. 257.

192. Mandelbrot B. Fractals: a geometry of nature: fractal goemetry is the key to understanding chaos. It is also the geometry of mountains, clouds and galaxies // New Scientist. 1990. Vol. 127, № 1734. P. 38^13.

193. Falconer K.J. The geometry of fractal sets. Cambridge university press, 1986. Vol. 85.