Малошумящий полевой транзистор на основе гетероструктуры (Al, In)GaAs/GaAs тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.01, кандидат наук Козловский, Эдуард Юрьевич

• Козловский, Эдуард Юрьевич
• кандидат наук
• 2013

Оглавление диссертации кандидат наук Козловский, Эдуард Юрьевич

СОДЕРЖАНИЕ

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1. ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ НА ваАБ ДЛЯ СВЧ ЭЛЕКТРОНИКИ

1.1. История появления гетероструктур и основные направления их развития и применения

1.2. Основные конструкции гетероструктур, применяемые в СВЧ электронике

1.2.1. СаАвНЕМТ

1.2.2. ОаАврНЕМТ

1.2.3.1пРНЕМТ

1.2.4. ваАв шНЕМТ

1.2.5. Основные прототипы конструкций НЕМТ

1.2.6. Основная номенклатура применений гетероструктур в сравнении с другими технологиями

1.3. Методы диагностики гетероструктур

1.3.1. Метод дифракции быстрых электронов

1.3.2. Фотолюминесцентная спектроскопия

1.3.3. Измерение электрофизических параметров материалов. Метод эффекта Холла

1.3.4. Эллипсометрия

1.3.4.1. Основное уравнение эллипсометрии

1.3.4.2. Однослойная модель

1.4. Технология изготовления МИС СВЧ

1.4.1. Формирование омического контакта

1.4.2. Формирование изоляции

1.4.3. Формирование субмикронного затвора

1.4.4. Формирование углубления под затвор

1.5. Выводы. Постановка основных задач исследования

ГЛАВА 2. МЕТОДЫ ДИАГНОСТИКИ В ТЕХНОЛОГИИ ИЗГОТОВЛЕНИЯ рНЕМТ И СВЧ МИС НА ИХ ОСНОВЕ

2.1. Диагностика гетероструктур GaAs/AlGaAs/GaAs

2.2. Атомно-силовая микроскопия в технологии рНЕМТ

2.3. Исследование конструкции затворной области рНЕМТ транзистора

2.4. Диагностика диэлектрических пленок в технологии изготовления

СВЧМИС

ГЛАВА 3. ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОФИЛЕЙ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ТОКА ПО ГЛУБИНЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ (Al, In)GaAs/GaAs В ПРОЦЕССЕ ТРАВЛЕНИЯ

3.1. Профиль распределения тока по глубине структуры в процессе травления гетероструктуры (Al, In)GaAs/GaAs рНЕМТ

3.2. Влияние параметров ДЭГ на параметры транзистора рНЕМТ

3.3. Влияние операции углубления под затвор на параметры транзистора

рНЕМТ

ГЛАВА 4. МАРШРУТ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МАЛОШУМЯЩЕГО

рНЕМТ ТРАНЗИСТОРА

4.1. Особенности формирования омического контакта и межприборной изоляции для структур рНЕМТ

4.2. Особенности конструкции и технологии формирования затвора малошумящего транзистора рНЕМТ

4.3. Формирование разводки и минимизация паразитных емкостей в цепи

затвора

ГЛАВА 5. МОДЕЛИРОВАНИЕ МАЛОШУМЯЩЕГО рНЕМТ ТРАНЗИСТОРА И СВЧ МИС НА ЕГО ОСНОВЕ

5.1. Построение линейных и нелинейных моделей рНЕМТ транзистора

5.2. Практическая реализация результатов исследований по построению маршрута изготовления транзистора рНЕМТ и его линейных и нелинейных

моделей

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Малошумящий полевой транзистор на основе гетероструктуры (Al, In)GaAs/GaAs»

ВВЕДЕНИЕ

Актуальность темы. Развитие современной твердотельной СВЧ электроники в значительной степени определяется успехами, достигнутыми в области материаловедения сложных полупроводниковых соединений и структур на их основе. При этом, несмотря на широкие лабораторные исследования, проводимые в этой области ведущими отечественными и зарубежными специалистами, наиболее широкое распространение и практическое применение в сфере серийного производства малошумящих приборов микро- и наноэлектроники, по-прежнему остается за арсенидом галлия и гетероструктурами (Al, In)GaAs/GaAs на его основе.. Транзисторы, изготавливаемые на таких структурах, и сами структуры, получили название НЕМТ, от английского High Electron Mobility Transistor, т.е. транзистор с высокой подвижностью электронов. Совершенствование технологий эпитаксиального роста и, в первую очередь, развитие молекулярно-лучевой эпитаксии, сделало возможным появление более сложных композиций гетероструктур: pHEMT (pseudomorphic - псевдоморфный) и тНЕМТ (metamorphic - метаморфный).

Базовая технология изготовления малошумящих транзисторов на GaAs с учетом особенностей материалов и транспорта электронов в гетероструктурах (Al, In)GaAs/GaAs позволяет получать малошумящие транзисторы и СВЧ МИС на их основе со значительно лучшими характеристиками в широком частотном диапазоне, по сравнению с аналогичными приборами, изготовленными на гомоэпитаксиальных или ионно-легированных структурах GaAs. Использование рНЕМТ структур позволяет создавать малошумящие транзисторы с минимальным коэффициентом шума не более 0,4 дБ и 1,0 дБ на частотах 12 ГГц и 30 ГТц соответственно.

По сравнению с малошумящими приборами на GaAs, промышленная технология которых уже широко реализована, технология аналогичных приборов на НЕМТ и рНЕМТ структурах постоянно развивается и совершенствуется. Это

связано с тем, что достижение требуемых параметров транзисторов очень сильно зависит от ряда факторов, которые необходимо учитывать при изготовлении, а именно: во-первых, качество исходного материала: электрофизические характеристики носителей заряда в слое двумерного электронного газа, качество интерфейсов, уровни легирования и толщины отдельных слоев и, во-вторых, технологические обработки, в процессе которых создается непосредственно транзисторная структура: формирование омического контакта, межприборная изоляция, травление подзатворной области и формирование Т-образного затвора. Следует также отметить, что на качество выращенной гетероструктуры существенным образом влияет качество исходной подложки (плотность дефектов, концентрация примесей, термостабильность, чувствительность к свету и др.) и состав переходных слоев между полуизолирующей подложкой и гетероструктурой - буфера, функционально предназначенного для маскирования негативных свойств подложки.

В настоящей работе, посвященной исследованию возможных путей решения ряда актуальных проблем технологии изготовления малошумящих транзисторов на основе рНЕМТ структур, проведен анализ влияния качества исходного материала и отдельных этапов формирования транзисторной структуры на параметры конечного прибора. Проведенные исследования позволяют создавать малошумящие транзисторы с заданными параметрами на гетероструктурах, отобранных в соответствии с требованием достижения на них наилучших параметров прибора. Применение результатов исследования позволяет создать рНЕМТ транзистор с минимальным коэффициентом шума не более 1,5 дБ и максимальным коэффициентом усиления 10 дБ на частоте 30 ГГц. Максимальная величина удельной крутизны составляет 400 мА/(В-мм). Актуальность достигнутых результатов подтверждается их использованием при разработке и изготовлении полевых транзисторов и модулей СВЧ, серийно изготавливаемых на предприятии ЗАО "Hi111 "Планета-Аргалл", а также применением серийной продукции предприятия в составе собственных изделий сторонними организациями, занимающимися разработкой и изготовлением

радиоэлектронной аппаратуры СВЧ диапазона (ЗАО "НПП "Салют-27", г. Нижний Новгород; ОАО "УПКБ "Деталь", г. Каменск-Уральский; ОАО "НПО НИИИП-НЗиК", г. Новосибирск; ОАО "НПО "ЛЭМЗ", г. Москва и ДР-)-

Целью работы является выявление доминирующих факторов в технологии изготовления рНЕМТ на гетероструктурах (А1, 1п)ОаАБ/ОаАз, определяющих параметры транзисторов и разработка маршрута их изготовления с последующим построением линейных и нелинейных моделей активного элемента с возможностью их дальнейшего использования при разработке СВЧ устройств на основе рНЕМТ транзисторов.

Достижение поставленной цели обеспечивается решением следующих задач:

• исследование конструктивных особенностей гетероструктур на ОаАэ, сравнительный анализ их параметров и рассмотрение физических принципов работы полевого транзистора с барьером Шоттки на рНЕМТ структурах;

• анализ методов диагностики гетероструктур: разрушающие и неразрушающие средства контроля параметров;

• разработка технической методики по исследованию параметров двумерного электронного газа (ДЭГ) в структурах СаАз/А^ва^Ая/СаАз;

• построение профилей распределения тока по глубине гетероструктуры в процессе травления рНЕМТ с различными параметрами ДЭГ и установление соответствия отдельных участков профиля с реальными слоями полупроводниковой гетероструктуры;

• установление требований к исходным гетероструктурам, а именно: к концентрации и подвижности электронов в ДЭГ, обеспечивающим достижение наилучших статических и динамических характеристик транзисторов;

• исследование влияния глубины травления на этапе формирования углубления под затвор на параметры транзистора, в первую очередь на напряжение отсечки и крутизну вольтамперной характеристики (ВАХ),

выступающей, как правило, в качестве основного критерия при отборе кристаллов транзисторов для использования в составе СВЧ усилительных модулей;

• разработка маршрута изготовления рНЕМТ транзистора и исследование статических, динамических и СВЧ характеристик экспериментальных образцов транзисторов;

• построение линейных и нелинейных моделей рНЕМТ транзисторов и апробация полученных результатов при разработке модулей СВЧ.

Научная новизна представляемых в работе результатов заключается в следующем:

1. Предложена комплексная методика по определению параметров ДЭГ и конфигурации слоев в гетероструктурах . типа ОаА8/А1хОа1.хА8/ОаА8 с использованием селективного травления, а также холловских и эллипсометрических измерений.

2. Установлена связь параметров ДЭГ и качества гетероструктур, характеризуемого профилями распределения тока по глубине гетероструктуры в процессе травления, с параметрами конечного прибора и выработаны критерии по отбору исходных структур на их основе.

3. Выявлено существенное влияние глубины травления на этапе формирования углубления под затвор на крутизну ВАХ и напряжение отсечки готового транзистора. Этот фактор позволяет управлять величинами данных параметров на этапе изготовления транзисторов и может быть использован при создании приборов с заданными характеристиками.

Научные положения, выносимые на защиту:

1. Комплексная методика селективного послойного травления структуры GaAsM.lxGai.xAs/ваАБ с применением холловских и эллипсометрических измерений позволяет определить параметры двумерного электронного газа и установить состав слоя А^Оа^Аэ.

2. Профили распределения тока по глубине гетероструктуры в процессе травления могут выступать в качестве критерия качества исходных структур и использоваться при отборе пластин для изготовления приборов. Максимальное

значение крутизны ВАХ достигается для структур, на профиле которых в явном виде присутствует пологий участок с практически полным отсутствием изменения тока на протяжении нескольких итераций травления.

3. Прецизионное управление режимами корректировок токов при формировании углубления под затвор позволяет получать транзисторы с заданными параметрами (напряжение отсечки и крутизна ВАХ транзистора) в широком диапазоне значений без изменения конструкции рНЕМТ.

4. Измеренные 8-параметры и нелинейные вольтамперные характеристики активного элемента в совокупности с применением САПР позволяют реализовать алгоритм для экстракции параметров линейной и нелинейной моделей рНЕМТ транзистора с уточненными параметрами шумовой модели, которые адекватно описывают СВЧ характеристики прибора и могут быть использованы при разработке СВЧ МИС в широком частотном диапазоне.

Практическая значимость работы:

1. Проведенные в рамках данной работы исследования позволяют установить связь между параметрами готового прибора и характеристиками исходных полупроводниковых структур. Данный факт является важным на этапе взаимодействия предприятия-разработчика конечных изделий и специалистов в области полупроводникового роста, обеспечивающих разработчика исходным материалом на основе выработанных им требований к параметрам структур. Оценка качества гетероструктур по профилям распределения тока по глубине гетероструктуры в процессе травления может проводиться на контрольных образцах до запуска рабочих партий, позволяя тем самым исключить материальные и временные затраты на запуск исходного материала, не обеспечивающего требуемых параметров конечных изделий.

2. Исследование влияния профилей распределения тока по глубине гетероструктуры в процессе травления и величины углубления затвора на параметры транзистора позволяет получать приборы с заданным напряжением отсечки и крутизной ВАХ. Данный факт является крайне важным, поскольку позволяет даже для одной конструкции прибора получать транзисторы с

предсказуемыми и значимо отличными параметрами. Это важно при использовании транзисторов в составе усилительных модулей различного частотного диапазона и с существенно различными требованиями по коэффициенту шума, коэффициенту усиления по мощности, току потребления и выходной мощности. Кроме того, возможность получать на одной пластине приборы нормально закрытого и нормально открытого типа является актуальной в части реализации цифровых схем и таких устройств, как драйвер управления, широко используемый в составе СВЧ МИС (коммутаторы, аттенюаторы, фазовращатели).

3. Результаты проведенных исследований включены в базовый маршрут изготовления рНЕМТ транзисторов и используются при изготовлении серийно выпускаемых транзисторов и модулей СВЧ диапазона.

4. Разработанные с использованием результатов диссертационной работы транзисторы, а также их линейные и нелинейные модели нашли применение при проектировании и изготовлении в настоящий момент уже серийных изделий (311397, ЗГО98, М421301, М52125, М44228, М44229), выпускаемых предприятием ЗАО "НПП "Планета-Аргалл" и применяемых в составе собственных изделий сторонними организациями, занимающимися разработкой и изготовлением радиоэлектронной аппаратуры СВЧ диапазона.

Немаловажным перспективным результатом проделанной работы может стать возможность использования методики с оценкой структур по профилям распределения тока по глубине гетероструктуры в процессе травления на этапе усовершенствования технологии создания исходных структур рНЕМТ, в первую очередь, при внедрении технологии стоп-слоев, широко применяемой в мире, но пока не нашедшей широкого распространения в России (за исключением лабораторных исследований на базе научных организаций и производственных подразделений, занимающихся материаловедением полупроводников).

Апробация работ. Основные результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на следующих конференциях, семинарах и школах: 18-ая Международная конференция "СВЧ-техника и телекоммуникационные

технологии", 8-12 сентября 2008 г., Севастополь, Крым, Украина; 6-ой Международный семинар «Карбид кремния и родственные материалы» (^СЫМ -2009), 27-30 мая 2009 г., Великий Новгород, Россия; 3-я Научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ электроники «Мокеровские чтения», 23-24 мая 2013 г, Москва, Россия.

Достоверность и обоснованность научных положений и выводов подтверждается:

• самим фактом реализации малошумящего полевого транзистора на рНЕМТ структурах с характеристиками на уровне мировых аналогов;

• использованием достигнутых результатов в части прогнозирования параметров транзистора и .современных средств расчета схем (САПР) для разработки СВЧ устройств и хорошим совпадением характеристик экспериментальных образцов и результатов моделирования;

• соответствием результатов анализа данных, полученных в работе, с имеющимися в литературе (когда такое сравнение возможно).

Публикации. По теме диссертации опубликована 21 работа. Список работ приведен в конце диссертации.

ГЛАВА 1. ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ НА ваАв ДЛЯ СВЧ ЭЛЕКТРОНИКИ

1.1. История появления гетероструктур и основные направления их развития и применения ••••

Современная физика твердого тела неразрывно связана с полупроводниковыми гетероструктурами, которые на протяжении нескольких последних десятилетий выступают объектом изучения огромного количества исследовательских групп в области физики полупроводников. Достижения физики и технологии полупроводниковых гетероструктур дают возможность решить проблему управления фундаментальными параметрами в полупроводниковых кристаллах и приборах: шириной запрещенной зоны, эффективными массами носителей и их подвижностями, показателем преломления, электронным энергетическим спектром и т. д.

В настоящее время электронные устройства на основе гетероструктур широко используются во многих областях человеческой деятельности: телекоммуникационные системы, основанные на лазерах с двойной гетероструктурой, гетероструктурные светодиоды и биполярные транзисторы, малошумящие полевые транзисторы с высокой подвижностью электронов, применяющиеся в высокочастотных устройствах, в том числе в системах спутникового телевидения, солнечные элементы на гетероструктурах, как для космических, так и для земных сфер применения и многое другое.

Исторически, первыми важными преимуществами полупроводниковых гетероструктур, выделенными специалистами, выступили явления суперинжекции носителей из широкозонного эмиттера и электронное и оптическое ограничение, которые могут быть реализованы в двойных гетероструктурах (ДГС) [1-3]. Теоретические изыскания в этих направлениях послужили основой для формулировки принципов работы лазеров на ДГС -основе полупроводниковых лазеров. Практическая реализация и подтверждение теории шли в направлении поиска "идеальной" гетеропары, материалы которой

для достижения "совместимости" должны иметь одну и ту же кристаллическую структуру и близкие значения постоянных решетки. Наиболее перспективными на первый момент считались системы GaP-GaAs и AlAs-GaAs. Однако по-настоящему "идеальной" гетероструктурой стала система AlxGai-xAs-GaAs, создание и исследование свойств которой было проведено независимо лабораторией ФТИ под руководством Ж.И. Алферова и X. Руппрехтом и Дж. Вудолом в исследовательском центре им. Т. Уотсона корпорации IBM [4, 5]. Дальнейшее развитие теории гетероструктур и их практическая реализация стали возможны благодаря разработке двух основных методов эпитаксиального роста: молекулярно-лучевая эпитаксия (МЛЭ) [6] и газофазная эпитаксия из паров металлоорганических соединений [7]. Технология МЛЭ и в настоящее время остается основным способом получения сложных гетероструктур на основе соединений А3В5, позволяя выращивать сверхтонкие структуры со сложными профилями состава и (или) легирования при минимальном количестве дефектов и контролируемой толщине отдельных слоев.

Получение совершенных структур со сверхтонкими слоями сделало возможным наблюдение эффектов размерного квантования в таких структурах [8] и послужило теоретической и практической базой для создания и исследования модулированно-легированных сверхрешеток AlxGai.xAs-GaAs [9], которые продемонстрировали возможность увеличения подвижности по сравнению с объемными кристаллами и стимулировали развитие по использованию двумерного электронного газа (ДЭГ) с высокой подвижностью для микроволнового усиления. Все эти исследования послужили основой для создания первого гетероструктурного полевого транзистора [10], получившего название High Electron Mobility Transistor (HEMT) - транзистор с высокой подвижностью электронов.

Начиная с этого момента, повышенный интерес со стороны специалистов, занятых в области твердотельной электроники, ориентированной на создание устройств СВЧ диапазона, в первую очередь малошумящих усилителей (МШУ),

переключился на широкие исследования гетероструктур и транзисторы на их основе.

Фактически, НЕМТ транзистор позволяет полноценно использовать возможности высокой подвижности электронов в ваАБ, по сравнению с классическими полевыми транзисторами с барьером Шоттки (ПТШ), поскольку идеология модулированного легирования предполагает реализацию канала транзистора в слое нелегированного полупроводника и, как следствие, носители заряда не испытывают рассеяния при движении на примесных центрах, как в случае ПТШ, что существенно увеличивает их подвижность. Все это, в конечном счете, приводит к улучшению СВЧ характеристик приборов: увеличению граничной частоты, расширению частотного диапазона, уменьшению коэффициента шума, увеличению коэффициента усиления по мощности и выходной мощности [11,12].

Вследствие особенностей локализации подвижных носителей заряда и их транспорта в канале НЕМТ, данный тип прибора позволяет реализовать большие удельные плотности тока при сохранении высоких пробивных напряжений, имеет меньшие паразитные сопротивления в структуре и, соответственно, обладает меньшим напряжением насыщения по сравнению с ПТШ, что, по совокупности, позволяет его использовать также при реализации транзисторов и усилителей малой и средней мощности с достаточно высоким КПД [13].

Высокая подвижность носителей заряда и скорость их перемещения в канале обусловливают высокую крутизну ВАХ, увеличению которой способствует также близкое расположение ДЭГ к барьеру Шоттки, что позволяет модулировать большой заряд носителей посредством приложения малого напряжения к затвору транзистора. Малое расстояние между затвором и каналом приводит к увеличению барьерной емкости, однако увеличение емкости происходит медленнее, чем увеличение крутизны с уменьшением расстояния затвор-канал, вследствие чего скорость переключения транзистора, в значительной степени определяемая отношением крутизны к величине барьерной емкости остается крайне высокой, что позволяет реализовать на НЕМТ

транзисторах инверторы с рекордными временами переключения, тем самым, делая данный тип прибора крайне интересным для использования в цифровых МИС [14]. Дополнительным преимуществом НЕМТ в данном аспекте применения по сравнению с 111Ш является возможность реализации на гетероструктурах нормально закрытых транзисторов и даже более того, совмещение на одном кристалле нормально закрытых и нормально открытых транзисторов, что делает возможным реализацию сложных схемотехнических решений при меньшем количестве кристаллов, а соответственно снижает массогабаритные параметры изделий. Следствием применения нормально закрытых транзисторов является существенное уменьшение токов потребления и, соответственно мощностей рассеяния, как в непрерывном режиме работы, так и в режиме переключения.

Обобщая кратко изложенные выше особенности НЕМТ структур в части их свойств и областей применения, можно однозначно говорить о крайней привлекательности указанного типа структур для создания сложных многофункциональных устройств [15], в том числе и на одном кристалле, интегрирующих в своем составе как элементы аналоговой, так и цифровой электроники. Более того, крайне перспективным направлением развития твердотельной электроники на гетероструктурах может стать объединение в одном кристалле элементов опто- и микроэлектроники [16], что позволит, в конечном счете, существенно снизить массогабаритные параметры изделий и значительно повысить степень интеграции элементов при создании устройств микро- и наносистемной техники [17], в том числе с использованием приборов на квантовых эффектах [18].

Развитие гетероструктурной СВЧ электроники в настоящее время является крайне важным направлением в комплексе мероприятий по развитию и становлению конкурентоспособной радиоэлектронной промышленности. Исторически, двигателем развития высокотехнологичных отраслей в России был и является оборонно-промышленный комплекс. Однако в существующих условиях крайне высокой конкуренции в сфере высоких технологий, следует

существенное внимание обратить на мировой опыт развития в данном направлении и системный подход в достижении поставленных целей [19,20,21].

Всесторонние исследования первых GaAs НЕМТ, реализованных на "идеальной" гетеропаре AlxGai.xAs/GaAs, открыли ряд проблем, как технологического плана, так и связанных с конструктивными особенностями структуры, существенным образом влияющими на параметры ДЭГ.

В связи с этим, а также благодаря совершенствованию технологий эпитаксиального роста, традиционная конструкция GaAs НЕМТ AlxGai_xAs/GaAs претерпела целый ряд изменений, как в части состава слоев, так и профиля их легирования.

Результатом эволюции структуры GaAs НЕМТ AlxGai.xAs/GaAs стало появление конструкций псевдоморфного GaAs НЕМТ (рНЕМТ) AlxGai_xAs/InyGai.yAs/GaAs, InP НЕМТ InxAli,xAs/InyGai.yAs/InP и метаморфного GaAs НЕМТ (mHEMT) InxAli.xAs/InyGai.yAs/GaAs.

1.2. Основные конструкции гетероструктур, применяемые в СВЧ электронике

1.2.1. GaAs НЕМТ

В основе традиционной гетероструктуры GaAs НЕМТ лежит принцип модулированного легирования слоев AlxGai_xAs/GaAs [9].

Структуры с модулированным легированием имеют один или несколько периодов, каждый из которых состоит из легированного слоя AlxGai_xAs и нелегированного слоя GaAs. Электроны переходят из слоя (слоев) AlxGai.xAs в слой (слои) нелегированного GaAs, локализуются вблизи гетерограницы. Будучи пространственно отделены от доноров, электроны даже при очень больших концентрациях не испытывают рассеяния на ионизированных примесях, благодаря чему достигается очень высокая подвижность. Особенно большой эффект получается при низких температурах, когда ионизированные примеси дают доминирующий вклад в рассеяние. В отсутствие рассеяния на

ионизированных примесях характер зависимости подвижности от температуры решетки изменяется, а именно подвижность непрерывно растет при понижении температуры. Если гетерограница достаточно совершенна, то остаточный фон рассеяния связан с кулоновским взаимодействием между электронами и -донорами, а также с рассеянием на фоновых ионизированных примесях (в слое ваАз). При выращивании ОаАэ методом МЛЭ концентрация фоновых примесей, как показывает опыт, близка к 1014-1015 см"3. В структурах с модулированным легированием это должно сказаться на уменьшении подвижности при температурах ниже примерно 50 К. Но такое падение подвижности не наблюдается в эксперименте, поскольку электроны, обладающие высокой подвижностью, очень эффективно экранируют остаточные ионизированные примеси. Эффект экранировки подробно рассмотрен в работе [22].

Несмотря на то, что в структурах с большим числом периодов образуется много параллельных каналов и поэтому проводимость может быть велика, структуры такого типа не используются в приборах. Причина заключается в асимметрии свойств ваАэ, выращенного до и после А1хОа1_хАз. Когда ОаАэ выращивается на А1хОа1.хАБ, качество гетерограницы, как правило, не очень высокое. Поэтому "инвертированные" и "периодические" структуры с модулированным легированием не получили практического применения.

Поперечное сечение традиционной ОаАэ НЕМТ структуры и ее зонная энергетическая диаграмма представлены на рисунках 1 и 2 соответственно.

Исток Затвор Сток

Контактный слой п+-СаАз

Донорный слой п+-АЮаАз

Спейсер ьАЮаАэ

Буфер ьОаАэ | ДЭГ

Подложка БЛ-ваАз

Рисунок 1 - Поперечное сечение традиционной ваАэ НЕМТ структуры

Функционально в НЕМТ структуре можно выделить следующие слои:

• Контактный слой. Предназначен для обеспечения омического контакта с малым сопротивлением к областям истока и стока транзисторной структуры. Представляет собой сильнолегированный слой п+-ОаАэ толщиной

1 Я "5

(0,01-5-0,15) мкм с концентрацией примеси (Кб)-10 см .

Контактный слой п+-ОаАБ, кроме уменьшения сопротивлений истока и стока транзистора, также выполняет функцию защиты последующего слоя АЦСа^хАэ от поверхностного окисления и обеднения.

Толщина и уровень легирования для каждого конкретного случая выбираются из необходимости получения минимальных контактного сопротивления и паразитных сопротивлений стока и, в первую очередь, истока, а также исходя из технологических возможностей и особенностей выполнения отдельных операций в процессе формирования транзисторной структуры (химические обработки, травление мезы и др.).

• Донорный слой. Представляет собой сильнолегированный слой п+-А1хОа1_хАз. Параметры данного слоя: толщина, профиль легирования и состав в значительной степени определяют плотность носителей заряда и их подвижность в ДЭГ. Для обеспечения максимальной подвижности носителей заряда в канале в гетероструктуре должна полностью отсутствовать параллельная ДЭГ (каналу транзистора) проводимость по донорному слою, то есть он должен быть полностью обеднен подвижными носителями заряда под воздействием

Список литературы диссертационного исследования кандидат наук Козловский, Эдуард Юрьевич, 2013 год

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

1. Kroemer, H. Theory of a wide-gap emitter for transistors / H. Kroemer // Proc. JRE. - 1957. - V. 45. - P. 1535-1537. -

2. Полупроводниковый лазер с электрической накачкой : а. с. №181737 от 27.02.1966 / Ж.И. Алферов, Р.Ф. Казаринов ; заявл. 30.03.1963 ; опубл. 1975, Бюл. №14. - С. 147.

3. Kroemer, H. A proposed class of heterojunction injection lasers / H. Kroemer // Proc. IEEE. - 1963. - Vol. 51. -P. 1782-1784 (Submitted October 14,1963).

4. Высоковольтные р-п-переходы в кристаллах GaxAli.xAs / Ж. И. Алфёров, В. М. Андреев, В. И. Корольков и др. // ФТП. - 1967. - Т. 1. - С. 1579-1581.

5. Rupprecht H.S. Efficient visible electroluminescence at 300 К from Gai.xAlxAs p-n junctions grown by liquid-phase epitaxy / H.S. Rupprecht, I.M. Woodall,

G.D. Pettit // Appl. Phys. Lett. - 1967. - V. 11. - P. 81-83.

6. Cho, A.J. Film deposition by molecular beam techniques / A J. Cho // J. Vac. Sci. Technol. - 1971. - vol. 8. -P. 31-38.

7. Manasevit, H.M. Single-Crystal Gallium Arsenide on Insulating Substrates /

H.M. Manasevit // Appl. Phys. Lett. - 1968. - vol. 12. - P. 156-159.

8. Dingle, R., Wiegmann W., Henry C.H. Quantum states of confined carriers in very thin AlxGai.xAs-GaAs- AlxGai.xAs heterostructures / R. Dingle, W. Wiegmann, C.H. Henry // Phys. Rev. Lett. - 1974. - vol. 33. - P. 827-830.

9. Electron mobilities in modulation doped semiconductor heterojunction superlattice / R. Dingle, H.L. Stormer, H.L. Gossard et al. // Appl. Phys. Lett. -1978.-vol. 33.-P. 665-666.

10.A new field-effect transistor with selectively doped GaAs/n-AlxGai_xAs heterojunctions / T. Mimura, S. Hiyamizu, T. Fuji et al. // Jpn. J. Appl. Phys. -1980.-vol. 19.-L225.

11.An overview of microwave component requirements for future space applications / A. R. Barnes, A. Boetti, L. Marchand et al. // Proc. 13th GAAS Symposium. - 2005. - P. 5-12.

12.Pavlidis, D. HBT vs. PHEMT vs. MESFET: What's best and why / D. Pavlidis // Proc. GaAs MANufacturing TECHnology. - 1999. - P. 157-160.

13.Ezzeddine, A.K. Advances in Microwave & Millimeter-wave Integrated Circuits / A.K. Ezzeddine // Proc. Radio Science Conference. - 2007. - P. 1-8.

14.Арсенид галлия в микроэлектронике: пер. с англ. с сокращ. и доп./ Под ред. Н. Айнспрука, У. Уиссмена. — М.: Мир, 1988. - 555 с.

15.Быстрое, Р.П. Функциональные устройства и элементная база радиолокационных систем / Р.П. Быстров, А.А. Потапов // Радиоэлектроника. Наносистемы. Информационные технологии. - 2009. — №1,2.-С. 43-58.

16.Quantum devices, МВБ technology for the 21st century / A.Y. Cho, D.L. Sivco, H.M. Ng et al. // J. Cryst. Growth. - 2001. - vol. 227-228, issue 1-4. - P. 1-7.

17.Иванов, А.А. Микросистемная техника - основа научно-технической революции в военном деле / А.А. Иванов, П.П. Мальцев // Микросистемная техника. - 2004. - № 10. - С. 2-7.

18.Демиховский, В.Я. Физика квантовых низкоразмерных структур /

B.Я. Демиховский, Г.А. Вугальтер. - М.: Логос, 2000. - 248 с.

19.Концерн «РТИ Системы». Рожденный на рубеже столетий / Под общ. ред.

C.Ф. Боева. - М.: (ООО "МедиаЛайн", отпечатано в типографии ООО "Полиграфический комплекс Локус Станди"), 2010.-160 с.

20.0сновные подходы и особенности управления реализацией системных проектов в высокотехнологичных отраслях / С.Ф. Боев, Д.Д. Ступин, А.А. Кочкаров и др. // Наукоемкие технологии. - 2013. - т. 14, № 9. - 11-20.

21.Боев, С.Ф. «Наукоемкие технологии и инновации ОАО «РТИ»: перспективы государственно-частного партнерства» / С.Ф. Боев // Материалы X отраслевой научно-практической конференции «Комплексная программа развития радиоэлектронной промышленности», Великий Новгород.— 2011.-С. 41-45.

22.Price, J.P. Two-dimensional electron transport in semiconductor layers. I. Phonon scattering / J.P. Price // Ann. Phys. - 1981. - v. 133. - P. 217-239.

23.Schubert, E.F. Delta doping of III-V compound semiconductors: fundamentals and device applications / E.F. Schubert // J. Vac. Sci. Technol. - 1990. - A 8(3). -P. 2980-2996.

24.Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры.: Пер. с англ. / Под ред. JI. Ченга, К. Плога. -М.: Мир, 1989. - 584 с.

25.Шур, М. Современные приборы на основе арсенида галлия.: Пер. с англ. / Под ред. М.Е. Левинштейна, В.Е. Челнокова. - М.: Мир, 1991. - 632 с.

26.Negative Charge, Barrier Heights, and the Conduction-Band Discontinuity in AlxGai.xAs Capacitors / T. W. Hickmott, P. M. Solomon, R. Fischer et al. // Journal of Applied Physics. - 1985. - vol. 57. - P. 2844-2853.

27. Camnitz, L. Design Principles and Performance of Modulation-Doped Field Effect Transistors for Low-Noise Microwave Amplification / L. Camnitz. -Cornell University, 1986. - 386 P.

28.Mooney, P.M. Deep Donor Levels (DX Centers) in III-V Semiconductors / P.M. Mooney // Journal of Applied Physics. - 1990. - vol. 67, issue 3. — P. R1-R26.

29.Two-Dimensional Electron Gas at a Semiconductor-Semiconductor Interface / H. L. Stormer, R. Dingle, A. C. Gossard et al. // Solid State Communications. -1979. - vol. 29. - P. 705-709.

30.Bias Dependence and Light Sensitivity of (Al,Ga)As/GaAs MODFETs at 77 К / Т. J. Drummond, R. J. Fischer, W. F. Kopp et al. // IEEE Transactions on Electron Devices. - 1983. -ED-30.-P. 1806-1811.

31.Si-delta doping and spacer thickness effects on the electronic properties in Si-delta-doped AlGaAs/GaAs HEMT structures / M. Daoudi, I. Dhifallah, A. Ouerghi et al. // Superlattices and Microstructures. - 2012. - vol. 54, issue 4. -P. 497-505.

32.Влияние температурного роста спейсерного слоя на подвижность двумерного электронного газа в РНЕМТ-структурах / Г.Б. Галиев, И.С. Васильевский, Е.А. Климов и др. // Физика и техника полупроводников. — 2006. - том. 40, вып. 12. - С. 1479-1483.

33.32-GHz Cryogenically Cooled HEMT Low-Noise Amplifiers / K.H.G. Duh, W.F. Kopp, P. Ho et al. // IEEE Transactions on Electron Devices. - 1989. -vol. 36, no. 8.-P. 1529-1535.

34.Improvement of the Inverted GaAs/AlGaAs Heterointerface / R. Fisher, T. Masselink, Y.L. Sun et al. // Journal of Vacuum Science and Technology B. — 1984. - vol. 2, issue 2 - P. 170-174.

35.High performance 0.15 pm gate length pHEMTs enhanced with a low temperature grown GaAs buffer / R. Actis, K.B. Nichols, W.F. Kopp et al. // IEEE MTT-S Int. Microwave Symp. Dig. - 1995. - P. 445.

36.Pereiaslavets, B. GalnP/InGaAs/GaAs graded barrier MODFET grown by OMVPE: design, fabrication, and device results / B. Pereiaslavets // IEEE Transactions on Electron Devices. - 1996. vol. 43, no. 10. - P. 1659-1664.

37.Ross, R.L. Pseudomorphic HEMT Technology and Applications / R.L. Ross, Stefan P. S., P. Lugli. - 1996. - 350 P.

38.Pseudomorphic Ino^Alo^As/InojGao^As HEMTs with an ultrahigh fT of 562 GHz / Y. Yamashita, A. Endoh, K. Shinohara et al. // IEEE Electron Device Lett.-2002.-№ 10.-P. 573-575.

39.Взаимосвязь конструкции метаморфных наногетероструктур InAlAs/InGaAs с содержанием InAs в активном слое 76-100% с морфологией их поверхности и электрофизическими свойствами / И.С. Васильевский, Г.Б. Галиев, Е.А. Климов // Физика и техника полупроводников. - 2011. -том 45, вып. 9. - С. 1203-1208.

40. High indium metamorphic HEMT on a GaAs substrate / W.E. Hoke, T.D. Kennedy, A. Torabi et al. // Journal of Crystal Growth. - 2003. - vol. 251. -827-831.

41.Александров, P. Монолитные интегральные схемы СВЧ: взгляд изнутри / Р. Александров // Компоненты и технологии. - 2005. - № 9. - С. 174-182.

42.Викулов, И. Технология GaAs-монолитных схем СВЧ в зарубежной военной технике / И. Викулов, Н. Кичаева // Электроника: наука, технология, бизнес. - 2007. — № 2. - С. 56-61.

43 .Алферов, Ж. Перспективы электроники в России: гетероструктурная электроника и акустоэлектроника / Ж. Алферов // Электроника: наука, технология, бизнес. - 2004. - № 6. - С. 90-93.

44.Шахнович, И. Твердотельные СВЧ приборы и технологии: невоспетые герои беспроводной революции / И. Шахнович // Электроника: наука, технология, бизнес. - 2005. - № 4. - С. 12-18.

44а. Александров С.Б. Сверхвысокочастотные транзисторы на основе нитридов III группы / С.Б. Александров и др. // Физика и техника полупроводников. -2004. - т. 38, вып. 10. - С. 1275-1279.

446. Александров С.Б. Многослойные AlN/(Al,Ga)N/GaN/(Al,Ga)N гетероструктуры с каналом на основе квантовой ямы для мощных полевых транзисторов / С.Б. Александров и др. // Международная научно -техническая конференция «Наноструктуры: Физика и Технология», Санкт -Петербург. - 2006. - С. 246-249.

45.Комплекс для регистрации и компьютерной обработки картин дифракции быстрых электронов на отражение / В.Н. Петров, В.Н. Демидов, Н.П. Корнеева и др. // Журнал технической физики. - 2000. - том 70, вып. 5.-С. 97-101.

46.Система регистрации и анализа картин дифракции быстрых электронов на отражение / Г.М. Гурьянов, В.Н. Демидов, Н.П. Корнеева и др. // Журнал технической физики. - 1997. - том 67, вып. 8. - С. 111-116.

47. Точное определение мольной доли In в слое InxGai„xAs рНЕМТ наногетероструктур при МЛЭ с помощью снятия интенсивности осцилляций зеркального рефлекса ДБЭО / A.C. Бугаев, А.Н. Виниченко, А.П. Сеничкин и др. // Научная сессия МИФИ-2008. - том 8. - С. 105-107.

48.Субструктура и люминесценция низкотемпературных гетероструктур AlGaAs/GaAs (100) / П.В. Середин, A.B. Глотов, Э.П. Домашевская и др. // Физика и техника полупроводников. - 2010. - том 44, вып. 2. - С. 194-199.

49.Карпович, И.А. Диагностика гетероструктур с квантовыми ямами методом спектроскопии конденсаторной фотоэдс / И.А. Карпович, Д.О. Филатов //

Физика и техника полупроводников. - 1996. - том 30, вып. 10. -С. 1745-1755.

5 О.Павлов, Л.П. Методы определения основных параметров полупроводниковых материалов / Л.П. Павлов. - М. : Высшая школа, 1975.-206 с.

51.Физические измерения в микроэлектронике / В. А. Пилипенко,

B.Н. Пономарь, В.А. Горушко и др. - Мн. : БГУ, 2003. -171 с.

52.Кучис, Е.В. Гальваномагнитные эффекты и методы их исследования / Е.В. Кучис. - М. : Радио и связь, 1990 - 264 с.

53.Зубков, В.И. Диагностика гетероструктур с квантовыми ямами InxGai.xAs/GaAs методом вольт-фарадных характеристик: разрыв зон, уровни квантования, волновые функции / В.И. Зубков // Физика и техника полупроводников. - 2007, том 41, вып. 3. - С. 331-337. 54.Электрохимическое вольт-емкостное профилирование концентрации свободных носителей заряда в НЕМТ-гетероструктурах на основе соединений InGaAs/AlGaAs/GaAs / П.Н. Брунков, A.A. Гуткин, М.Э. Рудинский и др. // Физика и техника полупроводников. - 2011. -том 45, вып. 6. - С. 829-835. 55.Асеев, А.Л. Наноматериалы и нанотехнологии для современной полупроводниковой электроники / А.Л. Асеев // Российские нанотехнологии. - 2006. - том 1, № 1-2. - С. 97-110. 56,Основы эллипсометрии / A.B. Ржанов, К.К. Свиташев, А.И. Семененко

и др. - Новосибирск: Наука, 1979. - 424 с. 57.Азам, Р. Эллипсометрия и поляризованный свет / Р. Азам, Н. Башара. -

М. : Мир, 1981.-583 с. 58.Эллипсометрия - прецизионный метод контроля тонкопленочных структур с субнанометровым разрешением / В.А. Швец, Е.В. Спесивцев, C.B. Рыхлицкий и др. // Российские нанотехнологии. - 2009. - том 4, № 3-4. -

C. 72-84.

59.Горшков, М.М. Эллипсометрия / М.М. Горшков. - М. : Советское радио,

1974.-200 с.

60.Батавин, B.B. Измерение параметров полупроводниковых материалов и структур / В.В. Батавин, Ю.А. Концевой, Ю.В. Федорович. - М. : Радио и связь, 1985.-264 с.

61.Двойченко, В.В. Влияние толщины слоя никекля на сопротивление омического контакта AuGe/Ni-GaAs / В.В. Двойченко, Б.В. Маркин, В.В. Чикун // Электронная техника. Сер. Электроника СВЧ - 1991. вып. 3(437). — С. 57-59.

62.Ерофеев, Е.В. Исследование возможности улучшения параметров AuGeNi омических контактов к n-GaAs / E.B. Ерофеев, В.А. Кагадей // 18-ая Международная Крымская конференция "СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии", Севастополь. - 2008. - С. 562-564.

63.Иващук, A.B. Омические контакты СВЧ полевых транзисторов с барьером Шоттки при глубоком охлаждении / A.B. Иващук // Техника и приборы СВЧ. - 2010. - №1. - С. 52-54.

64.Kyoung, J.C. Au/Ge/Ni/Au and Pd/Ge/Ti/Au ohmic contacts to AlxGai.xAs/InGaAs (x=0,75) pseudomorphic high electron mobility transistor / J.C. Kyoung, Y.H. Sang, L.Jong-Lam // Journal of the Korean Physical Society. — 2003.-no. 2.-P. 253-258.

65. Biddle, J. Rapid thermal annealing of Ni/Au/Ge ohmic contacts to GaAs/AlGaAs heterostructures with two dimensional electron gases / J. Biddle. — 2003. - 6 P.

66.Иващук, A.B. Тепловые режимы формирования омических контактов к арсениду галлия / A.B. Иващук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. - 2000. - № 5-6. - 43-45.

67.Комаров, Ф.Ф. Применение протонных пучков в технологиях микро-, нано-и оптоэлектроники в ядерно-физических методах анализа материалов и приборных структур / Ф.Ф. Комаров, О.В. Мильчанин // Электроника Инфо. - 2013. - № 3. -С. 10-19.

68.Комбинационное рассеяние света в приповерхностном слое n-GaAs при имплантации ионов бора / Л.П. Авакянц, B.C. Горелик, Э.М. Темпер и др. //

Физика твердого тела. - 1999. - том 41, вып. 8. - С. 1495-1498.

69.Малошумящие транзисторы с высокой подвижностью электронов (рНЕМТ) на псевдоморфных AlGaAs/InGaAs/GaAs гетероструктурах / Н.А. Малеев, А.Е. Жуков, А.Р. Ковш и др. // 12-ая Международная Крымская конференция "СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии", Севастополь. - 2002. - С. 155-156.

70.TQP13-Foundry-Process-Brochure[l] [Электронный ресурс] : брошюра. — URL: http ://www.triquint.com/foundry/processes/tqp 13.

71.40 nm InGaAs HEMT's with 65% strained channel fabricated with damage-free Si02/SiNx Side-wall gate process / Dae-Hyun Kim, Suk-Jin Kim, Young-Ho Kim et al. // Journal of semiconductor technology and science. - 2003. - vol. Зг no. l.-P. 27-32.

72.Способ изготовления полупроводникового прибора с Т-образным управляющим электродом субмикронной толщины : пат. 2192069 Рос. Федерация / К.А. Валиев, А.А. Горбацевич, А.Д. Кривоспицкий, А.А. Окшин, А.А. Орликовский, Ю.Ф. Семин, С.С. Шмелев ; заявитель и патентообладатель Физико-технологический институт РАН. — № 2000117926/28 ; заявл. 10.07.2000 ; опубл. 27.10.2002.

73.Ерофеев, Е.В. Способ формирования наноразмерного затвора для GaAs СВЧ-транзисторов с высокой подвижностью электронов / Е.В. Ерофеев, А.И. Казимиров, И.В. Кулинич // Доклады ТУСУРа. - 2012. - № 2(26), часть 1. - С. 53-56.

74.Lepore, JJ. An Improved Technique for Selective Etching of GaAs and AlxGai.xAs / J.J. Lepore // Journal of Applied Physics. - 1980. - vol. 51. -P. 6441-6442.

75.Hikosaka, K. Selective Dry Etching of AlGaAs/GaAs Heterojunction / K. Hikosaka, T. Mimura K. Joshin // Japanese Journal of Applied Physics. — 1981. - vol. 20. - P. L847-L850.

76.Hiroyuki, U. Plasma-Induced Fluorine Damage in P-HEMT caused by C2F6/CHF3 RIE plasma / Hiroyuki Uchiyama, Takafumi Taniguchi // IEICE

Electronics Express. - vol. 1, no. 2. - 46-50.

77.Hiroyuki, U. Suppression of plasma-induced fluorine damage in P-HEMTs using strained InSb barrier / Hiroyuki Uchiyama, Takafumi Taniguchi, Makoto Kudo // IEICE Electronics Express, - vol. 1, no. 16.-513-517.

78.Effect of the low-temperature heating on formation and evolution of defects in PHEMT AlGaAs/InGaAs structures exposed by CF4 plasma / T.S. Shamirzaev, K.S. Zhuravlev, A.I. Toropov et al. // Physica B: Physics of condensed matter. -vol. 340.-P. 1099-1102.

79.Химическое формирование субмикронных элементов в GaAs / Е.П. Гроо, Т.С. Петрова, О.А. Дедкова и др. // Химия и химическая технология на рубеже тысячелетий: Материалы III Всероссийской научной конференции, Томск.-2004.-С. 58.

80.А comparative study of wet and dry selective etching processes for GaAs/AlGaAs/InGaAs pseudomorphic MODFETs / M. Tong, D.G. Ballegeer, A. Ketterson et al. // Journal of Electronic Materials. 1992. - vol. 21, no. 1. -P. 9-15.

81.Зубков, В.И. Спектроскопия адмиттанса - эффективный метод диагностики полупроводниковых квантоворазмерных структур / В.И. Зубков // Вестник Рязанского государственного радиотехнического университета. - 2009. -№ S30. - С. 66-72.

82.3убков, В.И. Моделирование вольт-фарадных характеристик гетероструктур с квантовыми ямами с помощью самосогласованного решения уравнений Шредингера и Пуассона / В.И. Зубков // Физика и техника полупроводников. - 2006. - том 40, вып. 10. - 1236-1240.

83.Селезнев, Б.И. Зондовые и оптические исследования микро- и наноструктур на основе арсенида галлия / Б.И. Селезнев, А.С. Ионов, А.В. Петров, Э.Ю. Козловский, Т.О. Тимофеев // Вестник Новгородского государственного университета. - Серия: Технические науки. - 2011. -Вып. 65.-С. 31 -36.

84.Козловский, Э.Ю. Диагностика гетероэпитаксиальных структур типа

GaAs/AlGaAs/GaAs /Э.Ю. Козловский, Б.И. Селезнев // Сборник статей по материалам научной молодежной школы «Технология и дизайн микросхем». - Санкт-Петербург, 2006.

85.Козловский, Э.Ю. Диагностика эпитаксиальных и ионно-легированных структур на арсениде галлия / Э.Ю. Козловский // Сборник докладов 12-й Всероссийской межвузовской научно-технической конференции студентов и аспирантов «Микроэлектроника и информатика - 2005». - М.: МИЭТ, 2005.-С. 72.

86.Селезнев, Б.И. Диагностика структур СВЧ полевых транзисторов на GaAs / Б.И. Селезнев, А.П. Штейнгарт, Э.Ю. Козловский // Сборник материалов 4 Международной научно-технической конференции 25-26 мая 2006 года «Проблемы проектирования и производства радиоэлектронных средств». — В 2-х т. - Т. 1. - Новополоцк: ПГУ, 2006. - 320 с.

87.Порус, Г.Б. Эллипсометрия гетероэпитаксиальных структур в системе GaAs-Ga^xAlxAs / Г. Б. Порус, Г.Ф. Лымарь, P.P. Резвый // Электр, техн. -1989. - Сер. 2, вып. 6. - С. 27-33.

88.Диагностика материалов методами сканирующей зондовой микроскопии: Учеб. Пособие / Под ред. проф. В. А. Мошникова. СПб.: Изд-во СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2012. - 172 с.

89.Козловский, Э.Ю. Транзисторные структуры типа рНЕМТ: исследование особенностей полупроводниковой гетероструктуры методами атомно-силовой микроскопии / Э.Ю. Козловский, Ю.М. Спивак, В.А. Мошников, A.A. Пономарева, Б.И. Селезнев, Н.Н Иванов, A.B. Желаннов // Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. - Серия: Физико-математические науки. -2010. -№ 1.-С.18-28.

90.Козловский, Э.Ю. Особенности технологии изготовления и оптимизация конструкции малошумящего рНЕМТ транзистора СВЧ диапазона / Э.Ю. Козловский, Б.И. Селезнев, H.H. Иванов // Вестник Новгородского государственного университета. - Серия: Технические науки. - 2010. -

№60.-С. 69-73.

91.Козловский, Э.Ю. Влияние конструкции РНЕМТ на СВЧ параметры / Э.Ю. Козловский, Б.И. Селезнёв, А.П. Штейнгарт // Сборник материалов 4 Международной научно-технической конференции 25-26 мая 2006 года «Проблемы проектирования и производства радиоэлектронных средств». — В 2-х т. - Т. 1. - Новополоцк: ПГУ, 2006. - 320 с.

92.Селезнев, Б.И. Технологические особенности изготовления МИС на арсениде галлия / Б.И. Селезнев, Э.Ю. Козловский, A.M. Осипов // Проблемы проектирования и производства радиоэлектронных средств: сборник материалов V международной научно-технической конференции: в 3-х т. / под общ. ред. А.П. Достанко, В.А. Груздева. - Новополоцк: ПГУ, 2008.-С. 54-57.

93.Осипов, A.M. СВЧ монолитные интегральные схемы на основе р -НЕМТ структур / A.M. Осипов, Б.И. Селезнев, Э.Ю. Козловский // Сборник материалов 6-го международного семинара «Карбид кремния и родственные материалы». - В. Новгород, 2009. - С. 218-219.

94.Козловский, Э.Ю. СВЧ микроприборы на основе рНЕМТ наногетероструктур / Э.Ю. Козловский, Б.И. Селезнев // Материалы Международной научно-технической конференции «Микро- и нанотехнологии в электронике», Нальчик: КБГУ, 2009. - С. 164-166.

95.Козловский, Э.Ю. Технология СВЧ микроприборов на основе рНЕМТ наногетероструктур / Э.Ю. Козловский, Б.И. Селезнев // Сборник конкурсных научных работ аспирантов и молодых ученых по направлению «Стратегическое партнерство вузов и предприятий радиоэлектронной промышленности». - Санкт-Петербург, 2009. - С. 14-19.

96.Платонов, C.B. Малошумящие арсенид-галлиевые усилители при воздействии электромагнитных помех повышенных интенсивностей / C.B. Платонов, Н.В Пермяков, Б.И. Селезнев, В.А. Мошников, Э.Ю. Козловский, A.M. Осипов // Вестник Новгородского государственного университета. — Серия: Технические науки. - 2012. - № 67. - С. 29-32.

97.0граничитель СВЧ-мощности: пат. №97866 / Осипов A.M., Козловский Э.Ю., Летов Р.С.; заявитель и патентообладатель ЗАО "Hi111 "Планета-Аргалл".-№2010115890 от 21.04.2010.

98.0сипов, A.M. Формирование диодных структур с барьером Шоттки на арсениде галлия / A.M. Осипов, Э.Ю. Козловский, Б.И. Селезнев // Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. - Серия: Информатика. Телекоммуникации. Управление. - 2008. — № 6. — С. 187-190.

99.Козловский, Э.Ю. Низкобарьерные диоды Шоттки на арсениде галлия / Э.Ю. Козловский, А.М. Осипов // Вестник Новгородского государственного университета. - Серия: Технические науки. - 2008. - № 46. - С.16-19.

100. Козловский, Э.Ю. Технология изготовления и моделирование СВЧ малошумящего транзистора на основе рНЕМТ наногетероструктур / Э.Ю. Козловский, Б.И. Селезнев // Вестник СПбО АИН. - 2010. -Вып. № 7. - С.35 - 45.

101. Козловский, Э.Ю. Моделирование СВЧ малошумящего рНЕМТ транзистора с применением САПР Microwave Office / Э.Ю. Козловский, Б.И. Селезнев // Вестник Новгородского государственного университета. -Серия: Технические науки. - 2012. -№ 68. - С. 41-45.

102. Pospieszalski, М. Modeling of Noise Parameters of MESFET's and MODFET's and Their Frequency and Temperature Dependence / M. Pospieszalski // IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques. -

1989. - Vol. 37, No. 9, P. 1340 - 1350.

103. McCantl, A. J. An Improved GaAs FET Model for SPICE / A. J. McCant, G. D. McCormack, D. H. Smith // IEEE Trans. Microwave Theory Tech. -

1990. - Vol. MTT-38, P. 822.

104. Козловский, Э.Ю. СВЧ МИС МШУ на основе наногетероструктур GaAs рНЕМТ / Э.Ю. Козловский, А.М. Осипов, Б.И. Селезнев // Системы и средства связи, телевидения и радиовещания. - 2013. - №1,2. - С. 134-137.

105. Платонов, С.В. Малошумящий усилитель с защитой входных каскадов

©

на арсениде галлия / С.В. Платонов, A.M. Осипов, Э.Ю. Козловский, Б.И. Селезнёв // Материалы III Международной научно-технической конференции «Микро- и нанотехнологии в электронике». — Нальчик: КБГУ, 2010.-С. 260-265.

106. Platonov, S.V. Power Limiter/Low-Noise Amplifier of C-band /

S.V. Platonov, A.M. Osipov, E.Y. Kozlovsky (МШУ С-диапазона с

th

ограничением СВЧ мощности на входе) //И International conference and seminar on micro/nanotechnologies and electron devices, EDM' 2010: Алтай — 2010.-P. 193-196.

107. Козловский, Э.Ю. Малошумящие СВЧ полевые транзисторы на арсениде галлия для систем связи / Э.Ю. Козловский, Б.И. Селезнев, В.А. Дмитриев, А.П. Штейнгарт // Системы и средства связи, телевидения и радиовещания. - 2011. - Вып. 1, 2. — С. 82 — 87.