Магнитотранспортные явления в тонких пленках и бикристаллических контактах манганитов тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.04, кандидат физико-математических наук Борисенко, Игорь Васильевич

• Борисенко, Игорь Васильевич
• кандидат физико-математических наук
• 2012

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Борисенко, Игорь Васильевич

Введение

Глава 1. Электрофизические и магнитные свойства манганитов и контактов на их основе

1.1 Кристаллическая структура манганитов

1.2 Электрофизические и магнитные свойства манганитов

1.3 Переход металл-изолятор и модель двойного обмена

1.4 Магнитные контакты

Глава 2. Методика изготовления тонких пленок и бикристаллических контактов из манганитов

2.1 Рост эпитаксиальных пленок манганитов и методы

их исследования

2.2 Исследование кристаллической структуры напряженных

пленок манганитов на подложках ШваОз и 8гТЮ3

2.3 Методика изготовления бикристаллических контактов

из манганитов

2.4 Автоматизированная система для измерения электрофизических параметров пленок манганитов и бикристаллических контактов

Глава 3. Исследование магнитной анизотропии и планарного эффекта Холла в напряженных пленках манганитов

3.1 Влияние структурных напряжений на электрофизические и магнитные свойства эпитаксиальных пленок Ьао.бб$го.ззМпОз, выращенных на подложках МсЮаОз, БгТЮз и ЬаАЮ3

3.2 Угловая зависимость магнитной анизотропии пленок Ьао.бб8г0.ззМпОз, выращенных на подложках ИсЮаОз с наклонной осью

3.3 Планарный эффект Холла в напряженных эпитаксиальных пленках Ьа0.бб8г0.ззМпОз на подложках ИсЮаОз и 8гТЮ3

Глава 4. Исследование магнитных контактов из манганитов на бикристаллических подложках N60803 с разворотом базовых

плоскостей

4.1 Температурная зависимость сопротивления бикристаллических контактов из Ьао.ббСао.ззМпОз. Структура бикристаллической границы

4.2 Экспериментальное исследование магнитосопротивления бикристаллических контактов

4.3 Численное моделирование полевых зависимостей магнитосопротивления бикристаллических контактов. Сравнение с экспериментальными результатами

Основные результаты работы

Список публикаций автора по теме диссертации

Список цитированной литературы

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Магнитотранспортные явления в тонких пленках и бикристаллических контактах манганитов»

Введение.

В последнее время легированные двухвалентными элементами оксиды переходных металлов типа К!.хАхМп03 (где Я - Ьа, Рг, N(1 и др., А - 8г, Са, Вг и др.) являются объектами интенсивных исследований. Концентрация х может варьироваться в диапазоне от 0 до 1 и при этом физические свойства манганитов резко меняются, система проходит через серию фазовых трансформаций с разнообразными типами упорядочения: магнитного, структурного и электронного. Одним из уникальных свойств манганитов является эффект колоссального магнитосопротивления. Этот эффект наблюдается в интервале концентраций х, где существует металлическая ферромагнитная фаза и заключается в том, что сопротивление меняется при приложении магнитного поля. Величина эффекта в полях порядка 1Тл может достигать десятков процентов. Другим интересным свойством манганитов является появление ферромагнитной фазы, совпадающей с переходом металл-изолятор, при этом температура Кюри совпадает с температурой перехода.

Изготовление тонких эпитаксиальных пленок манганитов и структур на их основе является сложной технологической задачей. Стехиометрический перенос состава мишени на подложку и эпитаксиальный рост с высококачественной кристаллической структурой необходим для использования манганитов в устройствах спинтроники и может осуществляться только при высоких температурах напыления до 800°С в атмосфере кислорода. Рост эпитаксиальных пленок приводит к появлению деформаций кристаллической структуры манганитов, которые оказывают существенное влияние как на электрофизические параметры пленок, так и на магнитные свойства. Исследования влияния кристаллических искажений на магнитную анизотропию манганитов могут помочь в разработке новых устройств спинтроники на основе манганитов.

В основе теоретического рассмотрения магнитных и транспортных свойств легированных манганитов лежит модель двойного обмена. Эта модель рассматривает только марганцевую подрешетку кристаллической структуры перовскита, в которой интеграл перескока eg электрона между ближайшими ионами марганца зависит от взаимного упорядочения их локальных магнитных моментов, образованных тремя Xig электронами. Электроны проводимости в ферромагнетиках можно рассматривать с разбивкой на две подзоны, соответствующие направлению спинов электронов. Соотношение плотности состояний в этих подзонах на уровне Ферми будет определять спиновую поляризацию носителей тока. Некоторые материалы имеют плотность состояний на уровне Ферми одной из подзон равную нулю. Такие материалы называют полуметаллическими ферромагнетиками и к ним относятся манганиты с концентрацией допирующего элемента вблизи х=03. Полуметаллические ферромагнетики особенно интересны для приложений в области спинтроники как источник полностью поляризованного по спину тока.

Высокая степень поляризации свободных носителей в манганитах с уровнем допирования х=0.3 была подтверждена в экспериментах с туннельным магнитными контактами, в которых при низких сопротивлениях величина магнитосопротивления в слабых магнитных полях превосходила 1000%. Однако в экспериментах с бикристаллическими контактами при развороте кристаллографических осей в плоскости подложки максимальные полученные значения магнитосопротивления не превышали 30-40%.

Поэтому исследование спин-зависимого транспорта и магнитных свойств в пленок манганитов и структур на их основе является актуальной задачей.

Цели работы

• Разработка технологии роста тонких эпитаксиальных пленок манганитов. Оптимизация процессов роста на монокристаллических

подложках с различной степенью рассогласования постоянных решетки. Разработка технологии изготовления многослойных металлоксидных структур и бикристаллических переходов на основе манганитов.

• Разработка методики исследования магнитных свойств

тонкопленочных структур из манганитов на основе магниторезистивных эффектов и планарного эффекта Холла.

• Определение влияния кристаллических напряжений на

электрофизические и магнитные свойства эпитаксиальных пленок из манганитов.

• Выявление взаимосвязи спин-зависимого транспорта и структуры

границы в бикристаллических контактах из манганитов на бикристаллических подложках с наклоном базовых плоскостей.

Заключение диссертации по теме «Физическая электроника», Борисенко, Игорь Васильевич

Основные результаты работы

1. Создана установка и разработана методика травления оксидных пленок в ионном пучке малых энергий, позволяющая получать без отклонения от стехиометрического состава из тонких пленок нанометровой толщины структуры микронных размеров.

2. Создана установка и разработана технология роста эпитаксиальных пленок манганитов методом магнетронного распыления при высоком давлении до 0.15 мБар на подложках с рассогласованием постоянных решетки от 0.8% до 4% (подложки 8гТЮ3, ШОа(Э3, Ь8АТ и ЬаА103). Получены пленки манганитов Ьао.бб^го.ззМпОз толщиной 10-50 нм с температурой ферромагнитного перехода 360К.

3. Проведено исследование планарного эффекта Холла в напряженных эпитаксиальных пленках манганитов Ьаобб8го.ззМп03 на подложках (001)8гТЮ3 и (1 Ю)Ш0а03. Было показано, что симметрия возникающей магнитной анизотропии определяется симметрией кристаллических искажений, внесенных при эпитаксиальном росте. Впервые было обнаружено, что нормированная на сопротивление величина планарного эффекта Холла постоянна в диапазоне температур от 4.2К до 0.8ТС, что указывает на взаимосвязь механизма рассеяния носителей заряда в Ьа0.бб8г0.ззМпО3 и планарного эффекта Холла.

4. Проведены исследования зависимости величины магнитной анизотропии в пленках Ьао.бб8го.33Мп03, выращенных на подложках ЫсЮа03 с наклоном плоскости (1Ю)Ш0а03. Была предложена модель и рассчитана зависимость величины одноосной магнитной анизотропии в эпитаксиальных пленках манганитов от угла наклона базовой плоскости подложки. Проведенные экспериментальные исследования магнитной анизотропии хорошо согласуются с расчетной зависимостью.

5. Разработана технология изготовления бикристаллических контактов из манганитов Ьао.ббСао.ззМпОз на бикристаллических подложках с наклоном базовых плоскостей (110) КсЮа03 вокруг бикристаллической границы. Было получено рекордное значение магнитосопротивления для Ьао.ббСа0.ззМпОз бикристаллических переходов (150%) в полях до 1кЭ. Показано, что структура бикристаллической границы включает в себя как диэлектрический барьер, определяющий сопротивление при низких температурах, так и слой с пониженной температурой Кюри, который проявляется в виде дополнительного пика на зависимости сопротивления от температуры.

Список публикаций автора по теме диссертации

А1. И.В. Борисенко, Г. А. Овсянников "Магнитосопротивление и проводимость бикристаллических контактов из манганитов". ФТТ 51, в. 2, с. 292-296 (2009).

А2. Г.А. Овсянников, A.M. Петржик, Борисенко И.В., Климов А.А., Демидов В.В., Никитов С.А. «Магнитно-транспортные характеристики напряженных эпитаксиальных магнитных пленок», ЖЭТФ 135, Вып. 1, стр. 56-64 (2009).

A3. В.В. Демидов, И.В. Борисенко, А.А. Климов, Г.А. Овсянников, A.M. Петржик, С.А. Никитов."Магнитная анизотропия напряженных эпитаксиальных манганитных пленок" ЖЭТФ 139, 943-952 (2011).

А4. A.M. Петржик, И.В. Борисенко, К.И. Константинян, Г.А. Овсянников "Оксидные манганитные тонкоплёночные структуры для детектирования электромагнитного излучения терагерцового диапазона длин волн", Нелинейный мир №4, т.6, стр. 280-281 (2008).

А5. И.В. Борисенко, А. В. Шадрин, Г. А. Овсянников, И. М. Котелянский, Ф.В. Комиссинский «Джозефсоновские параметры бикристаллических переходов нового типа из металлоксидных сверхпроводников» Письма в ЖТФ т.31, в.8, с. 38-46, 2005.

А6. I.V. Borisenko, I.M. Kotelyanski, A.V. Shadrin, P.V. Komissinski, G.A. Ovsyannikov, "Characterization and Dynamics of [100]-Tilted Y-B-C-0 Bicrystal Junctions on Nd-Ga-03" IEEE Transactions on Applied Superconductivity, Volume 15, Issue 2, Page(s):165 - 168, 2005.

A7. I.V. Borisenko, G.A. Ovsyannikov, A.M. Peterzhik, V.A. Shakhunov "Manganite Based magnetic tunnel junction on grain boundary of [100]-tilt type:magnitoresistance and microwave dynamics" Proc. of Intern. Conf. on Nanoscale Magnetism (ICNM2007), Istanbul, Turkey, p. 153, 2007.

A8. G.A. Ovsyannikov, A.M. Petrzhik, I.V. Borisenko, A.A. Klimov, V.V. Demidov, S.A. Nikitov "Electron- and magneto-transport in epitaxial manganite film under substrate indiced strain", Moscow International Symposium of Magnetism (MISM), Book of Abstracts, p. 634 (2008).

A9. I.V. Borisenko, G.A. Ovsyannikov, A.M. Peterzhik and V.A. Shakhunov "Magnetoresistance and transport properties of manganite-based magnetic junctions on grain boundary of [100]-tilt type" Proc. of 17th Int. Symp. Nanostructures: Physics and Technology, Minsk, Belarus, pp. 320-321, 2009.

A10. I.V. Borisenko "Planar Hall Effect in strained epitaxial manganite thin films" Proc. of International conference "Functional Materials" ICFM-2009, Ukraine, Crimea, p. 254, 2009.

All. I.V. Borisenko, G.A. Ovsyannikov "Manganite-based magnetic tunnel junctions on grain boundary of [100]-tilt type: Magnetoresistance and transport properties" Proc. of International Conference on Magnetism (ICM'09), Germany, Karlsruhe, p. Tu-D-1.7-61, 2009.

A12. V.V. Demidov, I.V. Borisenko, G.A. Ovsyannikov, A.M. Petrzhik. "Magnetic anisotropy of manganite La0.7Sr0.3MnO3 films investigated by microwave resonance methods" Proc. of Moscow International Symposium on Magnetism (MISM'l 1), Moscow, p.501, 2011.

A13. I.V. Borisenko, G.A. Ovsyannikov, V.A. Shakhunov "Planar Hall effect in strained manganite thin films" Proc. of Moscow International Symposium on Magnetism (MISM'l 1), Moscow, p.670, 2011.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Борисенко, Игорь Васильевич, 2012 год

Список цитированной литературы

[1] Jonker, G. Н., and van Santen, J. H., Physica, XVI (3), 337-349, (1950).

[2] van Santen, J. H., and Jonker, G. H., Physica, XVI (7-3), 599-600, (1950).

[3] Zener, C., Phys. Rev., 81 (4), 440-444, (1951).

[4] Zener, C., Phys. Rev., 82 (3), 403-405, (1951).

[5] Anderson, P. W., and Hasegawa, H., Phys. Rev., 100 (2), 675-681, (1955).

[6] de Gennes, P.-G., Phys. Rev., 118 (1), 141-154, (1960).

[7] Chahara, K., Ohno, Т., Kasai, M., and Kozono, Y., Appl. Phys. Lett., 63 (14), 1990-1992,(1993).

[8] von Helmolt, R., Wecker, J., Holzapfel, В., Schultz, L., and Samwer, K., Phys. Rev. Lett., 71 (14), 2331-2333 (1993).

[9] Jin, S., Tiefei, Т., McCormack, M., Fastnacht, R. A., Ramesh, R., and Chen, L. H., Science 264, 413-415 (1994).

[10] Jahn, H. A., and Teller, E., Proc. R. Soc. London, Ser A, CLXI, 220-235 (1937).

[11] van den Brinck, J., Khaliullin, G., and Khomskii, D. I., Phys. Rev. Lett., 83 (24), 5118-5121 (1999).

[12] Zhong, F., and Wang, Z. D., Phys. Rev. B, 61 (5), 3192-3195 (2000).

[13] Kawano, H., Kajimoto, R., Kubota, M., and Yoshizawa, H., Phys. Rev. B, 53 (22), R14709-R14712 (1996).

[14] Tokura, Y., and Tomioka, Y., J. Magn. Magn. Mater., 200, 1-23 (1999).

[15] Kikuchi, K., Chiba, H., Kikuchi, M., and Syono, Y, J. Solid State Chem., 146, 1-5 (1999).

[16] Paraskevopoulos, M., Mayr, M., Hartinger, C., Pimenov, A., Hemberger, J., Lunkenheimer, Р., Loidl, A., Mukhin, А. A., Ivanov, V. Y., and Balbashov, А. M., J. Magn. Magn. Mater., 211, 118-127 (2000).

[17] Dho, J., Kim, W. S., and Hur, N. H., Phys. Rev. Lett., 87 (18), 187201 (2001).

[18] Hwang, H. Y., Cheong, S.-W., Ong, N. P., and Batlogg, В., Phys. Rev. Lett., 77 (10), 2041-2044 (1996).

[19] Нагаев Э. Л. Физика магнитных полупроводников (М.: Наука, 1979).

[20] Millis A. J., Littlewood Р. В., Shraiman В. I., Phys. Rev. Lett. 74 5144 (1995).

[21] Edwards D. M., Green А. С. M., Kubo K., J. Phys.: Condens. Mat. 11 2791 (1999).

[22] Narimanov E. E., Varma С. M., cond-mat/0002191 (2000).

[23] Yunoki S. et al., Phys. Rev. Lett. 80 845 (1998).

[24] Бойков Ю.А., Клаесон T, Данилов В.А., ФТТ 47, 2189 (2005).

[25] Dey P., Nath Т.К., Tarapher A., Appl. Phys. Lett. 91, 012511 (2007).

[26] F. Tsui, M.C. Smoak, Т.К. Nath, C.B. Eom, Appl. Phys. Lett. 76, 2421 (2000).

[27] A.J. Millis, T.Darling, A. Migliori, J. Appl. Phys. 83, 1588 (1998).

[28] Ю.А. Бойков, B.A. Данилов. Письма в ЖТФ 31, 50 (2005).

[29] G.J. Snyder, R. Hiskes, S. DiCarolis, M.R. Beasley, Т.Н. Geballe, Phys. Rev. В 53, 14434(1996).

[30] P. Schiffer, A.P. Ramirez, W. Bao, et al., Phys. Rev. Lett. 75, 3336 (1995).

[31] M. Ziese, Rep. Prog. Phys. 65, 143-249 (2002).

[32] Ю.А. Изюмов, Ю.Н. Скрябин, УФН 171, 121 (2001).

[33] Ю.А. Бойков, B.A. Данилов, ФТТ 50, 92-96, Т1, (2008).

[34] M.J. Calderon, L. Brey, Phys. Rev. В 64, 140403 (2001).

[35] Y.P. Lee, S.Y. Park, Y.H. Hyun et al., Phys. Rev. В 73, 224413 (2006).

[36] N.G. Bebenin, R.I. Zainuliina, V.V. Mashkautsan et al., Phys. Rev. В. 69, Ю4434 (2004).

[37] Yan Wu, Y. Suzuki, U. Rudiger, et al., Appl. Phys. Lett. 75, 2295 (1999).

[38] B.C. Chakoumakos, D.G. Schlom, M. Urbanik, J. Luine, J. Appl. Phys., 83, 1979(1998).

[39] Y.Suzuki, H.Y. Hwang, S-W. Cheong et al, J. Appl. Phys. 83, 7064 (1998).

[40] K.Steenbeck, R.Hiergeist, Appl. Phys Lett., 75, 17778 (1999).

[41] N. D. Mathur, G. Burnell, S. P. Isaac, T. J. Jackson, B.-S. Teo, J. L. MacManus-Driscoll, L. F. Cohen, J. E. Evetts, M. G. Blamire, Nature 387, 266 (1997).

[42] J. Klein, C. Hofener, S. Uhlenbruck, L. Alff, B. Büchner and R. Gross, Europhys. Lett. 47, 371 (1999).

[43] R. Gunnarsson, M. Hanson, Phys. Rev. В 73, 014435 (2006).

[44] А.Г. Гуревич, Магнитный резонанс в ферритах и антиферромагнетиках, «Наука», Москва (1973), с. 91 и с. 139.

[45] Т. М. Василевская, Д. И. Семенцов, ФММ 108, 339 (2008).

[46] М. Mathews, R. Jansen, G. Rijnders et al., Phys. Rev. B80, 064408 (2009).

[47] H. Boschker, M. Mathews, E. P. Houwman et al., Phys. Rev. В 79, 214425 (2009).

[48] B.B. Волков, В.A. Боков, ФТТ 50, 193 (2008).

[49] Z.-H. Wang, G.Cristiani, H.-U. Habermeire, Appl. Phys. Lett. 82, 3731 (2003).

[50] M. Mathews, F. M. Postma, J. C. Lodder, et al., Appl. Phys. Lett. 87, 242507 (2005).

[51] R.K. Kawakami, E.J. Escorcia-Aparicio, and Z.Q. Qui, Phys. Rev. Lett. 77, 2570(1996).

[52] Y.Z. Wu, C. Won, and Z.Q. Qui, Phys. Rev. B65, 184419 (2002).

[53] C.B. Вонсовский, Магнетизм, Наука, Москва (1971), с. 774.

[54] Bibes M., Barthélémy A. IEEE Tr. on El. Dev. 2007. V.54. P. 1003.

[55] C. Thiele, К. Dörr, О. Bilani et al., Phys. Rev. В. 2007. V.75. Р.054408.

[56] H. X. Tang, R. K. Kawakami, D. D. Awschalom, and M. L. Roukes, Phys. Rev. Lett. 2003. Y.90. P. 107201.

[57] 3.M.3niirreiiH, OTT. 2002. V.44. P. 1269.

[58] Y. Bason, L. Klein, J.-B. Yau et al., J. Appl. Phys. 2006. V.99. P.08R701.

[59] K. Dorr, J. Phys. D: Appl. Phys. 2006. V. 39. P. R125.

[60] X. Hong, J.-B. Yau, J. D. Hoffman et al., Phys. Rev. B. 2006. V.74. P. 174406.

[61] M. Ziese, Phys. Stat. Sol. (b). 2001. V. 228. P. Rl.

[62] I. Zutic., Rev. Mod. Phys 76, 323 (2004).

[63] M. Bowen, M. Bibes, A. Barthelemy, J.-P. Contour, A. Anane, Y. Lemaitre, and A. Fert., Appl. Phys. Lett. 82, 233 (2003).

[64] T. K. Nath, R. A. Rao, D. Lavric, C. B. Eom, L. Wu and F. Tsui., Appl. Phys. Lett. 74, 1615 (1999).

[65] N.F. Mott., Proc.R.Soc.London, Ser.A 153, 699-717 (1936).

[66] N.F. Mott., Proc.R.Soc.London, Ser.A 156, 368-382 (1936).

[67] Campbell, I. A., A. Fert, and A. R. Pomeroy, Philos. Mag. 15, 977-983 (1967).

[68] Fert, A., and I. A. Campbell, Phys. Rev. Lett. 21, 1190-1192 (1968).

[69] Valet, T., and A. Fert, Phys. Rev. B 48, 7099-7113 (1993).

[70] Kasuya, T., and A. Yanase, Rev. Mod. Phys. 40, 684-696 (1968).

[71] Nagaev, E. L., 1983, Physics of Magnetic Semiconductors (Mir, Moscow).

[72] Esaki, L., P. Stiles, and S. von Molnar, Phys. Rev. Lett. 19, 852-854 (1967).

[73] Moodera, J. S., X. Hao, G. A. Gibson, and R. Meservey, Phys. Rev. B 42, 8235-8243 (1988).

[74] Hao, X., J. S. Moodera, and R. Meservey, Phys. Rev. B 42, 8235-8243 (1990).

[75] P.M. Tedrow and R. Meservey., Phys.Rev.Lett. 26, 192-195 (1971).

[76] P.M. Tedrow and R. Meservey., Phys.Rev. B 7, 318-326 (1973).

[77 [78

[79 [80 [81

[82 [83 [84 [85

[86

[87 [88

[89 [90

[91

[92 [93

Tedrow, P. M., and R. Meservey, Phys. Rep. 238, 173-243 (1994). Tedrow, P. M., R. Meservey, and P. Fulde, Phys. Rev. Lett. 25, 1270-1272(1970).

Fulde, P., Adv. Phys. 22, 667-719 (1973). Julliere, M, Phys. Lett. 54A, 225-226 (1975).

Baibich, M. N., J. M. Broto, A. Fert, F. Nguyen Van Dau, F. Petroff, P. Eitenne, G. Creuzet, A. Friederich, and J. Chazelas, Phys. Rev. Lett. 61, 2472-2475 (1988).

Binasch, G., P. Gru" nberg, F. Saurenbach, and W. Zinn, Phys. Rev. B 39, 4828-4830 (1989).

Hartman, U., , Ed., Magnetic Multilayers and Giant Magnetoresistance Springer, Berlin (2000).

Hirota, E., H. Sakakima, and K. Inomata, Giant Magneto-Resistance Devices Springer, Berlin (2002).

Parkin, S. S. P. in Spin Dependent Transport in Magnetic Nanostructures, edited by S. Maekawa and T. Shinjo Taylor and Francis, New York, pp. 237-271(2002).

Pratt, W. P., Jr., S.-F. Lee, J. M. Slaughter, R. Loloee, P. A. Schroeder, and J. Bass, Phys. Rev. Lett. 66, 3060-3063 (1991). Gijs, M. A. M., and G. E. W. Bauer, Adv. Phys. 46, 285-445 (1997). Levy, P. M., and I. Mertig in Spin Dependent Transport in Magnetic Nanostructures, edited by S. Maekawa and T. Shinjo (Taylor and Francis, New York), pp. 47-111 (2002).

Mathon, J., and A. Umerski, Phys. Rev. B 56, 11 810-11 819 (1997). Parkin, S. S. P., R. Bhadra, and K. P. Roche, Phys. Rev. Lett. 66, 21522155 (1991).

Parkin, S. S. P., X. Jiang, C. Kaiser, A. Panchula, K. Roche, and M. Samant, Proc. IEEE 91, 661-680 (2003). Berger, L., Phys. Rev. B 54, 9353-9358 (1996). Slonczewski, J. C., J. Magn. Magn. Mater. 159, L1-L7 (1996).

»

[94] Tsoi, M., A. G. М. Jansen, J. Bass, W.-C. Chiang, M. Seck, V. Tsoi, and P. Wyder, Phys. Rev. Lett. 80, 4281-4284 (1998).

[95] Ю. В. Гуляев, П. E. Зильберман, Э. M. Эпштейн, Письма в ЖЭТФ 82, 341-345 (2005).

[96] Katine, J. А., F. J. Albert, R. A. Buhrman, E. B. Myers, and D. Ralph, Phys. Rev. Lett. 84, 3149-3152 (2000).

[97] Bussmann, К., G. A. Prinz, S.-F. Cheng, and D. Wang, Appl. Phys. Lett. 75, 2476-2478 (1999).

[98] Koshihara, S., A. Oiwa, M. Hirasawa, S. Katsumoto, Y. Iye, S. Urano, H. Takagi, and H. Munekata, Phys. Rev. Lett. 78, 4617-4620 (1997).

[99] Oiwa, A., Y. Mitsumori, R. Moriya, T. Supinski, and H. Munekata, Phys. Rev. Lett. 88, 137202 (2002).

[100] Ohno, H., D. Chiba, F. Matsukura, Т. О. E. Abe, T. Dietl, Y. Ohno, and K. Ohtani, Nature (London) 408, 944-946 (2000).

[101] Park, Y. D., A. T. Hanbicki, S. C. Erwin, С. S. Hellberg, J. M. Sullivan, J. E. Mattson, T. F. Ambrose, A. Wilson, G. Spanos, and В. T. Jonker, Science 295, 651-654 (2002).

[102] de Groot, R. A., F. M. Mueller, P. G. van Engen, and К. H. J. Buschow, Phys. Rev. Lett. 50, 2024-2027 (1983).

[103] Pickett, W. E., and J. S. Moodera, Phys. Today 54 (5), 39-44 (2001).

[104] Panguluri, R. P., G. Tsoi, B. Nadgorny, S. H. Chun, N. Samarth, and 1.1. Mazin, Phys. Rev. В 68, 201307 (2003).

[105] T.Miyazaki and N.Tezuka, J. Magn. Magn. Mater. 139, L231-L234 (1995).

[106] S.S.P Parkin et al. J. Appl. Phys. 85, 5828-5833 (1999).

[107] Tanaka, M., Semicond. Sei. Technol. 17, 327-341 (2002).

[108] R. Werner et al. APL 98,162505 (2011).

[109] Chung, S. H., M. Munoz, N. Garcia, W. F. Egelhoff, and R. D. Gomez, Phys. Rev. Lett. 89, 287203 (2002).