Лазерная генерация структурных дефектов и твердофазное разрушение поверхности кремния тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.03, кандидат физико-математических наук Кремнев, Алексей Юрьевич

• Кремнев, Алексей Юрьевич
• кандидат физико-математических наук
• 2003

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Кремнев, Алексей Юрьевич

СОДЕРЖАНИЕ.

ГЛАВА 1. ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 2. ГЕНЕРАЦИЯ ДИСЛОКАЦИЙ И РАЗРУШЕНИЕ ПОВЕРХНОСТИ КРЕМНИЯ ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ ИМПУЛЬСНО-ПЕРИОДИЧЕСКОГО ИЗЛУЧЕНИЯ YAG:Nd ЛАЗЕРА.

2.1. Генерация дислокаций при лазерном воздействии и многоимпульсное лазерное разрушение поверхности кремния (введ. к гл. 2).

2.2. Эксперимент. Экспериментальная установка.

2.3. Исследование разрушения поверхности образцов при лазерном воздействии одиночных импульсов.

2.4. Экспериментальные результаты полученные при импульсно-периодическом лазерном воздействии в вакууме.

2.5. Результаты исследования поверхности облученных образцов после обработки в травителе.

2.6. Интерпретация полученных результатов и оценки размера образующихся дислокаций.

2.7. Выводы по гл. 2.

ГЛАВА 3. ВЛИЯНИЕ ВНЕШНЕЙ АТМОСФЕРЫ НА ПРОЦЕССЫ ОБРАЗОВАНИЯ СТРУКТУРНЫХ ДЕФЕКТОВ И РАЗРУШЕНИЯ ПОВЕРХНОСТИ КРЕМНИЯ ПРИ ЛАЗЕРНОМ ВОЗДЕЙСТВИИ.

3.1. Диффузия газов в обогащенном дефектами поверхностном слое материала при лазерном воздействии (введ. к гл. 3).

3.2. Экспериментальные результаты, полученные при воздействии одиночных лазерных импульсов в на образцы в атмосфере газов

3.3. Экспериментальные результаты, полученные при импульсно-периодическом лазерном воздействии на воздухе.

3.4. Интерпретация наблюдаемых в эксперименте аномальных изменений сигнала рассеяния луча пробного лазера.

3.5. Выводы по гл. 3.

ГЛАВА 4. СВЕЧЕНИЕ, НАБЛЮДАЕМОЕ ПРИ ЛАЗЕРНОМ ТВЕРДОФАЗНОМ РАЗРУШЕНИИ ПОВЕРХНОСТИ КРЕМНИЯ.

4.1. Эмиссия частиц, сопровождающая начальные стадии разрушения материалов (введ. к гл. 4).

4.2. Экспериментальная установка и диагностика свечения при лазерном твердофазном разрушении поверхности кремния.

4.3. Результаты регистрации свечения в плоскости, касательной к поверхности образца.

4.4. Результаты свечения поверхности.

4.5. Интерпретация наблюдаемых экспериментальных фактов свечения в надповерхностной области образца.

4.6. Интерпретация зарегистрированного в эксперименте свечения поверхности при воздействии лазерных импульсов.

4.5. Выводы по гл. 4.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Лазерная генерация структурных дефектов и твердофазное разрушение поверхности кремния»

Итак, существует множество работ, посвященных воздействию лазерного пучка на поверхность полупроводников. Выше была перечислена только малая их часть. Однако, в данной области существуют малоисследованные вопросы, актуальность которых несомненна как с точки зрения фундаментальных аспектов, так и с точки зрения технологических приложений. Данная диссертация посвящена таким малоисследованным и актуальным вопросам.

Целью данной работы являлось экспериментальное исследование процессов твердофазного разрушения поверхности монокристаллического кремния при импульсном и импульсно-периодическом воздействии субмикросекундных импульсов YAG:Nd лазера.

На основании данной цели работы были поставлены задачи исследования:

1. Определение типа, размеров и концентрации структурных дефектов, с генерацией которых в поверхностном слое при лазерном воздействии, связано разрушение материала.

2. Исследование динамики лазерного твердофазного разрушения поверхности материала при импульсно-периодическом лазерном воздействии (при различном периоде повторения и плотности мощности лазерных импульсов).

3. Исследование влияния внешней атмосферы на процессы твердофазного лазерного разрушения поверхности кремния.

Структура диссертационной работы:

Диссертация состоит из введения, трех глав и заключения. В каждой главе (кроме введения) представлены результаты оригинальных экспериментальных иссследований. Во введении (гл.1) дан краткий обзор научной литературы по рассматриваемой проблеме, приведено содержание работы по главам, изложена научная новизна, актуальность и практическая ценность полученных результатов.

Заключение диссертации по теме «Квантовая электроника», Кремнев, Алексей Юрьевич

Основные результаты и выводы диссертационной работы могут быть сформулированы следующим образом:

1. Показано, что твердофазное разрушение поверхности монокристаллического кремния при импульсно-периодическом воздействии субмикросекундных импульсов Nd:YAG лазера (tp=300 ns, А=1,06 цт, /=2.5-г3.4 MW/cm) связано с генерацией и увеличением размеров дислокационных петель, образующихся в поверхностном слое материала.

2. Установлена зависимость Nc=f(I, t) критического числа лазерных импульсов Nc , приводящих к разрушению поверхности, от интенсивности (плотности мощности) лазерного импульса I и периода следования импульсов t.

3. Установлено, что при воздействии лазерных импульсов на кремний в присутствии окружающего газа образуются неоднородности рельефа поверхности, релаксирующие через аномально продолжительное время по-окончании лазерного импульса. Измерены пороги появления времена релаксации данных неоднородностей.

4. Показано, что образование таких неоднородностей связано с диффузией атомов газа в насыщенном дефектами поверхностном слое образца.

5. Установлено, что твердофазное разрушение поверхности кремния при лазерном воздействии может сопровождаться нетепловым свечением.

В заключении автор выражает глубокую благодарность своим научным руководителям, доктору физ.-мат. наук, профессору B.C. Голубеву и кандидату физ. - мат. наук А. Ф. Банишеву за предоставленную интересную и актуальную тему диссертационной работы, постоянное внимание, помощь и поддержку в работе.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В данной диссертационной работе были исследованы актуальные вопросы взаимодействия мощного лазерного излучения с поверхностью непрозрачных твердых тел, связанные с генерацией в тонком поверхностном слое материала высокой концетрации структурных дефектов. Экспериментально исследовалось твердофазное разрушение поверхности^ монокристаллического кремния под действием субмикросекундных импульсов YAG:Nd лазера.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Кремнев, Алексей Юрьевич, 2003 год

1. У. Дьюли. Лазерная технология и анализ материалов. - М., Мир, 1986.

2. В.П. Вейко, С.М. Метев. Лазерные технологии в микроэлектронике.- София, изд. Б АН, 1991.

3. Аратюнян Р.В., Баранов В.Ю.,Большов Л.А., Малюта Д.Д.,Сербант А.Ю. Воздействие лазерного излучения на материалы.-М.: Наука, 1989.

4. Карлов Н.В., Кириченко Н.А., Лукьянчук Б.С. Лазерная термохимия.-М: Наука, 1992.

5. А.А. Веденов, Г.Г. Гладуш., Физические процессы при лазерной обработке материалов. М., Энергоатомиздат, 1985.

6. Хайбуллин И.Б., Смирнов Л.С., Импульсный лазерный отжиг полупроводников. Состояние проблемы и нерешенные вопросы., ФТП, т. 19, №4, с.569-591, 1985.

7. С.Ю. Карпов, Ю.В. Ковальчук, Ю.В. Погорельский. Итоги науки и техники, серия "Физические основы лазерной и пучковой технологии", т. 1, с.5-48., 1988

8. Бобырев В.А., Бойко В.И., Бункин Ф.В., и др., Генерация и отжиг неравновесных дефектов под действием лазерного излучения \\ Известия АН СССР.Сер.Физ., 1987, т.51, №6,с.1180

9. Бункин Ф.В., Кирченко Н.А., Лукъянчук Б.С., Термохимическое действие лазерного излучения: фундаментальные проблемы, кинетйка, технология, \\ Известия АН СССР.Сер.Физ., 1987, т.51, №6,c.l 116

10. Ю.Бункин Ф.В., Кирченко Н.А., Лукъянчук Б.С., Термохимическое действие лазерного излучения, УФН, т.138, №1, 1982, с.45.

11. П.В.И.Бойко, Б.С.Лукьянчук, Е.Р.Царев. Лазерная генерация неравновесных дефектов в твердом теле, Труды ИОФАН, т.ЗО, 6(1991).

12. J.F. Ready. Effects of High Power Laser Radiation. Academic Press, NY-London, 1971.

13. M. Von Allmen. Laser Beam Interaction with Materials. Springer-Verlag, 1987.

14. C.A. Ахманов, В.И. Емельянов, Н.И. Коротеев, В.Н. Семиногов, Воздействие мощного лазерного излучения на поверхность полупроводников и металлов: Нелинейно-оптические эффекты и нелинейно-оптическая диагностика \\ УФН, т. 147, вып.4, 1985, с.675.

15. Вьюков Л.А., Емельянов А.В., Ермолов А.В., Лазерные процессы в технологии микроэлектроники, Известия АН СССР. Сер.Физ., 1987, т.51, №6, с. 1203.

16. Ф.Х. Мирзоев, В.Я. Панченко, Л.А. Шелепин, Лазерное управление процессами в твердом теле, УФН, т.166,№1, с. 1-32, 1996.

17. Вавилов B.C., Кекелидзе Н.П., Смирнов Л.С. Действие излучений на полупроводники: Учебное руководство.-М.: Наука, 1988.

18. В.Л. Комолов, Электронно-тепловая генерация дефектов в' слабопоглощающем полупроводнике под действием света, ЖТФ, 1994, т.64, №7, с. 64.

19. И.Е. Поюровская, В.Л. Комолов, Динамика оптического пробоя прозрачных конденсированных сред. \\ ЖТФ, Т. 54, №3, 1984, 583.

20. В.И.Емельянов, П.К.Кашкаров, Дефектообразование в приповерхностном слое полупроводников при лазерном воздействии, Шоверхность, 1990, №2, с.77.

21. Кашкаров П.К., Тимошенко В.Ю., Дефектообразование в полупроводниках под действием импульсного лазерного облучения, \\Поверхность, 1995, №5, с.5-34.

22. Ефимова А.И., Кашкаров П.К., Петров В.И., Тимошенко В.Ю., Лазерно-индуцированное образование дефектов в приповерхностных слоях материалов АШВУ\\ Поверхность, 1990, №8, с.94.

23. Emel'yanov V.I., Kashkarov Р.К., Laser Induced Defect Formation in Semiconductors, \\ Appl. Phys., A, 1992, Vol.55, p.161.

24. Кашкаров П.К., Киселев В.Ф., Петров A.B., Влияние лазерного облучения на поверхностные состояния германия \\ Поверхность, 1982, №12, с.47

25. J. Borgoin, M.Lannoo: Point Defects in Semiconductors. II Experimental Aspects. Springer Berlin, Heidelberg, 1983.

26. M. Ramamoorthy, E.L. Briggs, J. Bernholc, Defect energetics and impurity incorporation mechanisms at the arsenic-passivated Si(100) surface, Phys Rev. В., v.60, pp. 8178-8184, 1999.

27. В.Л. Комолов, M.H. Либенсон, Г.Д. Шандыбина, Разогрев и лазерное разрушение полупроводников, Изв. АН СССР, Сер. физ.,т.49, №6, с.1103-1110, 1985.

28. Кашкаров П.К., Киселев В.Ф., Нетермические процессы в полупроводниках при лазерном облучении, Изв. АН СССР, Сер. физ.,т.50, №3, с.435-440, 1986.

29. Bagratashvili V.N., Banishev A.F., Emel'yanov V.I. et al., Formation of periodic ring structures of defect and voids under laser vapour deposition of metallic films, \\ Appl. Phys. A, 1991, 52, 438.

30. Mogyorosi P., Piglmayer K. and Bauerle D., "Ar+ Laser-Induced Chemical Etching of Molibdenium in Clorine Atmosphere" \\ Surface Science, 1989, 208, 232-244.

31. Шлыков Ю.Г. Образование структур дефектов на поверхности полупроводников под действием мощного лазерного излучения. Диссертация на соискание уч. степени канд. физ-мат. наук, спец. 01.04.10, Москва-МГУ, 1997.

32. Emel'yanov V.I., "Generation-Diffusion-Deformational Instabilities and Formation of Ordered Defect Structures on Surfaces of Solids under the Action of Strong Laser Beams", \\ Laser Physics, 1992, 2, 4, 390

33. Б.Л.Володин, В.И.Емельянов, "Дефектно-деформационный механизм образования пор, дислокационных петель и дислокационных структур и его экспериментальные проявления", \\Известия акад. наук, сер.физ., 1991, 55, №7, с.1274-1285

34. Emel'yanov V.I., Shlykov Yu.G. "Entropy Barrier of Diffusion-Strain Nucleation of Clusters of Point Defect in Laser-Irradiated Solids", \\ Laser Physics, 1996, v.6, 4, pp.712-720

35. Емельянов В.И., Кашкаров П.К., Шлыков Ю.Г., "Диффузионно-деформационная нуклеация кластеров точечных дефектов. Сравнение с экспериментом", \\ Препринт физического факультета МГУ, 1997г., № 15 /1997,14 с

36. Eshelby J.D., 1956, The Continuum Theory of Lattice Defects, Solid State Physics,3, (New York: Academic Press)

37. Вейко В.П., Шахно E.A., Индуцированное лазером локальное осаждение тонких пленок, Оптический журнал, т. 65, № 10, с. 102, 1998.

38. Ю.Т. Левицкий. Макроскопические дефекты структуры и свойства материала.: М., Наука, 1988 200 с.

39. А.Я. Нашельский Технология полупроводниковых материалов.: М., Метуллургия, 1972 432 с.

40. Н. Baumgart, F. Phillipp and H.J. Leamy, Defect formation in CW CO2 laser annealed silicon. Proc. Laser and Electron-Beam Interaction With Solids, Elsevier Sc. Publ. Сотр., 1982, pp. 355-360.

41. G.EJ. Eggermont, D.F. Allison, S.A. Gee and all, Characterization of Laser Induced Backside Damage For Gettering Purposes. Proc. Laser and Electron-Beam Interaction With Solids, Elsevier Sc. Publ. Сотр., 1982, pp. 615-620.

42. J. Narayan, Pulsed Laser Anealing of Al, Ni, and MgO Containing Nickel Precipitates. Proc. Laser and Electron-Beam Interaction With Solids, Elsevier Sc. Publ. Сотр., 1982, pp. 389-394.

43. C.B. Винценц, С.Г. Дмитриев, О.Г. Шагимуратов. Мгновенные профтли квазистатических деформаций и смещений поверхностей твердых тел пр локальном импульсном лазерном облучении., ФТТ, Т. 38, № 4, с. 993,N1996.

44. Банишев А.Ф., Новиков М.М. Образование обратимых и необратимых структурных дефектов на поверхности кремния под действием лазерного импульса, ФХОМ, 1992, №4, с. 55-58.

45. Физико-химические . методы обработки ' поверхности полупроводников. Под ред. Луфт Б.Д., М.:'Радио и связь, 1982, 136 с.

46. Банишев А.Ф., Емельянов В.И., Володин Б.Л., Мерзляков К.С., "Образование периодических структур дислокаций при лазерном воздействии на поверхность полупроводников" \\ Физ. Тверд. Тела, 1990, Т.32, С.2529.

47. Вейко В.П., Дорофеев И.А., Либенсон М.Н. и др., "Образование периодических структур на поверхности кремния под действием импульса неодимового лазера миллисекундной длительности", \\ Письма в ЖТФ, Т.10, вып.1,с.15, 1984

48. Вейко В.П., Либенсон М.Н., Яковлев Е.Б., "Формирование регулярных структур на поверхности кремния под действием миллисекундного импульса неодимового лазера", \\Известия Акад. наук сер. Физ.,1985, Т.49, N 6, С.1236

49. Banishev A.F., Emel'yanov V.I. and Novikov M.M., "Defect Oredering and Changes in Silicon Surface Morphology under Linearly Polarized Millisecond Pulsed Laser Irradiation" \\ Laser Physics, 1992, 2,2,178-189

50. Emel'yanov V.I., "Generation-Diffusion-Deformational Instabilities and Formation of Ordered Defect Structures on Surfaces of Solids under the Action of Strong Laser Beams", \\ Laser Physics, 1992, 2, 4, 390

51. J. Lauzeral, D. Walgraef, and N.M. Ghoniem, Rose Deformation Patterns in Thin Films Irradiated by Focuced Laser Beams, Phys. Rev. Lett., V. 79, N 14, pp. 2706-2706.

52. C.S.Lee, N.Koumvakalis, M.Bass. Single and Multiple Pulse Catastrophic Damage in Diamond-Turned Cu and Ag Mirrors at 10.6, 1.06, and 0.532 pm, Opt. Eng., Vol. 22, N 4, 1983, pp. 419-423.

53. C.S.Lee, N.Koumvakalis, M.Bass. A Theoretical Model For Multiple-Pulse Laser-Induced Damage to Metal Mirrors, J. Appl. Phys, Vol. 54, N 10, 1983, pp. 5727-5731.

54. P.M.Fauchet, "Gradual surface transitions on semiconductors induced by multiple picosecond laser pulses", WPhys. Lett., 1983, 93A, 3, 155-162

55. Jones S.C., Braunlich P et al., "Recent Progres on Laser-Induced Modification and Intristic Bulk Damage of Wide-Gap Optical Materials", \\ Opt. Eng., 1989, Vol. 28, p. 1039

56. Володин Б.Л., Емельянов В.И., Шлыков Ю.Г., "Взрывное накопление точечных дефектов как механизм многоимпульсного разрушения поглощающих сред" \\ Квантовая электроника, 1993, Т.20, 1, С.57

57. Р.М. Fauchet, А.Е. Siegman. Appl. Phys., А32, р.135-140.,1983

58. S.C.Jones, P.Braunlich, R.T.Casper, P.Kelly, F-center accumulation as amechanism of multiple-pulse, laser-induced bulk damage in KBr and KI at 532 nm, WNucl. Instrum. Meth.Phys. Res., Beam Interact. Mat., 1990, В 46, 231-234

59. Колдунов М. Ф., Маненков А.А. Механизмы взаимодействия мощных сверхкоротких лазерных импульсов с прозрачными твердыми телами.\\ Известия АН сер. фяз. Т.63, №4, 1999, с.786-796.

60. Колдунов М. Ф., Маненков А.А., Покотило И.Л. Взаимосвязь характеристик лазерного излучения в статистической теории \\ Квантовая электроника, т. 30, №7, 2000, с. 592-597.

61. Демчук А.В., Пристрем A.M., Данилович Н.И., Лабунов В.А., Образование периодических структур на кремнии при воздействии лазерного излучения миллисекундной длительности \\ ЖТФ, т.56. вып.4., 1986, с. 810.

62. Демчук А.В., Лабунов В.А., Поверхностные периодические структуры в перекристаллизованных слоях поликристаллического кремния импульсным лазерным излучением наносекундной длительности \\ Поверхность, 1992, №4, с.85.

63. Демчук А.В., Лабунов В.А., Образование дендритных структур прилазерной перекристаллизации слоев поликристаллического кремния на монокристаллических кремниевых подложках. \\ Поверхность, 1991, №7, с.82.

64. В.В. Воронов, С.И. Долгаев, С.В. Лаврищев и др. Формирование конических микроструктур при импульсном лазерном испарении твердых тел \\ Квантовая электроника, т.30, № 8, 2000, с. 710-714.

65. А.Ф. Банишев, В.С.Голубев, А.Ю.Кремнев, Генерация и накопление дислокаций на поверхности кремния при воздействии импульсно-периодического излучения YAG:Nd^a3epa. ЖТФ, т. 71, № 8, 33,2001.

66. А. F. Banishev, V.S. Golubev, A.Yu. Kremnev, Investigation of structural defect accumulation and relaxation on silicon surface under periodic-pulse laser radiation, Proc. SPIE, V. 4429, p. 88-95, 2001.

67. G.H. Gilmer, Т. Diaz de la Rubia, D.M. Stock, M. Jaraiz, Diffusion and interactions of point defects in silicon: molecular dynamics simulations, Nucl. Ins. and Meth. in Phys. Res. В, V. 102, pp. 247-255, 1995.

68. Г.В.Гадияк, Г.А.Качурин, И.Е.Тысченко. Влияние конкурирующих стоков на эволюцию профилей распределения имплантируемого в кремний азота: численное моделирование \\ ФТП, т.30, вып.11, 1996, с. 1960

69. В.В.Михнович, Т.В.Фирсова. Модель кинетики формирования радиационных дефектов в кремниевых диодных структурах \\ ФТП, т.24, вып.1, 181(1990).

70. Дж.Кристиан. Теория фазовых превращений в металлах и сплавах. М.:Мир, 1978, Ч.1,с.806.

71. А.Ф. Банишев, В.С.Голубев, А.Ю.Кремнев, Инициируемая воздействием лазера аномальная диффузия кислорода в обогащенном дефектами поверхностном слое кремния. Письма в ЖТФ, Т.26, вып.2, с. 8, 2000.

72. A.F. Banishev, V.S. Golubev, A.Yu. Kremnev. Abnormal increase of time of oxygen diffusion with oxidation of silicon surface under action of powerful laser pulses. Proc. SPIE, Vol. 3888, p. 339, 2000. AHPLA' 99, 1-5 November 1999, Osaka, Japan.

73. Шипатов Э.Т. Имплантация ионов в полупроводники: Учеб. пособие.-Ульяновск:УлГУ, 1998.-199 с.

74. Палатник JI.C., Черемской П.Г., Фукс М.Я.- Поры в пленках. М.:Энергоиздат, 1982. 214с.

75. Вавилов B.C., Челядинский А.Р. Ионная имплантация примесей в монокристаллы кремния: эффективность метода и радиационные нарушения. УФН, 1997, т. 153, №3, с. 347-358.

76. Свойства элементов: Справ, изд. В 2-кн. Кн. 1. Под ред. Дрица М.Е.-М.: Металлургия, 1997, 432 с.

77. B.Burton and M.V. Speight., The coarsening and annigilation kinetics of dislocation loops. Phil. Mag. A, 1986, Vol. 53, N 3, pp. 385-402.

78. И.В.Крылова, Экзоэмиссия. Химический аспект., Успехи химии, 1976, т.55, №12, с.2138.

79. И.В.Крылова, Экзоэмиссия, сопровождающая адсорбцию, десорбцию и фазовые переходы на поверхности., Изв. АН. Сер. Физ., Т.62., №10, 1998, с.2009.

80. Конюшкина Н.И., Крылова И.В., Алексеев В.А., Ашурлы З.И. О возможности применения метода экзоэмиссии для контроля состояния поверхности материалов ИК- оптики \\ Поверхность, 1990, №8, с.67

81. Р.И.Минц, И.И.Мильман, В.И.Крюк, Экзоэлектронная эмиссия полупроводников., УФН, 1976, т.119, №4, с.750.

82. J.T.Dickinson, L.B. Brix, L.C. Jensen, Electron and Positive Ion Emission Accompanyng Fracture of Wint-o-green Lifesavers and Single-Crystal Sucrose, J.Phys.Chem., 1984, Vol.88, pp. 1698-1701.

83. J. Т. Dickinson, A. Jahan-Latibari, L. S. Jensen. Electron emission and acoustic emission from the fracture of graphite/epoxy composites., J. of Material Sciences, vol.20, p. 229-236, 1985.

84. B .Н.Смирнов, Оптико-механическая промышленность, №7, с. 1, 1986.

85. В.П.Крутякова, В.Н.Смирнов. Свечение щелочно-галлоидных кристаллов под действием импульсов излучения с А,=10.6 мкм., ЖТФ,т. 48, №.4, с. 844, 1978.

86. В.Н.Смирнов, Вл.Н.Смирнов. Анализ характера напряженного состояния прозрачного диэлектрика, обусловленного нагревом поглощающих включений импульсами оптического излучения., ЖТФ, т. 48, №.4, с. 860, 1978.

87. В.П.Крутякова, В.Н.Смирнов, Исследование природы свечения щелочно-галоидных кристаллов под действием импульсов излучения с А,=10.6мкм., Письма в ЖТФ, т.З, №22, с.1190.

88. Э.Ф. Лазнева, И.Н. Федоров., Исследование испарения и десорбции с поверхности никеля при лазерном воздействии \\ Письма в ЖТФ, том 12, вып. 7, с. 393, 1986.

89. А.Ф.Банишев, Е.А.Балыкина, "Разрушение поверхности кремния и меди при импульсном и импульсно-периодическом воздействии YAG:Nd-лазера", Квантовая электроника, N6, с. 557, 1997.

90. А.Ф. Банишев, В.С.Голубев, А.Ю.Кремнев, Разрушение поверхности кремния в твердой фазе при воздействии импульсов YAG:Nd-лазера. Квантовая электроника, Т. 25, №10, с. 941, 1998.

91. A.F.Banishev, V.S.Golubev, A.Yu.Kremnev. Emission of particles by solid-phase laser-induced destruction of silicon surface. Proc. SPIE, vol.3734, p. 271, 1999.

92. М. Ф. Колдунов, А.А. Маненков, И.Л. Покотило., Теория лазерного разрушения диэлектрических покрытий, обусловленного поглощающими включениями, Оптический журнал, 1996, № 2, с. 31.

93. М.Н. Либенсон, B.C. Макин, В.А. Ширяев, М. Дж. Сволоу., Поверхностные периодические структуры при оптическом пробое прозрачных диэлектриков, Оптический журнал, 1996, № 2, с. 27.

94. Л.Я. Минько, Ю.А. Чивель., Исследование характера начального разрушения металлов при импульсном лазерном воздействии, Оптический журнал, 1996, № 2, с. 60.

95. М.Н. Либенсон, B.C. Макин, Ю.И. Пестов, В.В. Трубаев., Образование регулярного рельефа на поверхности кремния под действием поляризованного лазерного излучения, Оптический журнал, 1996, № 2, с. 78.

96. Емельянов В.И., Макин В. С., Уварова И.Ф., Образование упорядоченных вакансионно деформационных структур на поверхности металла при лазерном облучении., ФХОМ, 1990, № 2, с. 12.

97. Демчук А.В., Лабунов В.А., Формирование поверхностных периодических структур при лазерной перекристаллизации кремниевых слоев с неоднородным рельефом поверхности., ФХОМ, 1990, № 2, с.31.

98. Железный B.C., Логинов В. А., Плотников А.И., Рембеза С.И., Особенности локального плавления кремния при электронно-лучевом нагреве., ФХОМ, 1990, № 2, с.138.

99. А.П. Петраков, В.А. Бушуев., Рентгенодифракционные методы исследования точечных дефектов образующихся в монокристаллах кремния при импульсном лазерном воздействии., Письма в ЖТФ, том 19, вып. 19, с. 92.

100. В.И. Емельянов, А.В. Рогачева., Рекомбинационно-стимулированный рост дислокационной петли в полупроводнике приинтенсивной лазерной накачке электрон дырочных пар., Письма в ЖТФ, том 28, вып. 11, 2002, с.91.

101. Chaplanov A.M., Tochitsky E.L., Thin Solid Films, 1984, vol. 116, p. 117-128.

102. В. А. Бушуев, А. П. Петраков., Рентгенодифрактометрическая диагностика лазерной диффузии алюминия в кремний., ЖТФ, Т. 70, вып. 5,2000, с. 92-96.

103. А. П. Петраков, Е.А. Голубев., Рентгенодифрактометрические исследования изменений структуры приповерхностных слоев кремния в процессе лазерной диффузии бора., ФТТ, 1998, т.40, № 1, с. 156-160.

104. В. А. Бушуев, А.П. Петраков., Исследование влияния лазерного отжига на структуру приповерхностных слоев ионно-имплантированного кремния методом рентгеновской дифрактометрии, ФТТ, 1993, т. 35., № 2, с. 355-364.

105. В.И. Фистуль, A.M. Павлов., Лазерная имплантация примесей в кремний, ФТП, 1983, т. 17, вып. 5, с. 854-857.

106. Стрекалов В.Н., Диффузия в условиях лазерного отжига полупроводников., ФТП, 1986, т. 20, вып. 2, с. 361-363.

107. В. Л. Винецкий, Г.Е. Чайка., Диффузия атомов в неметаллических кристаллах, стимулированная рекомбинацией носителей тока., ФТТ, 1982, т.24., вып. 7, с. 2170-2176.

108. Атомная диффузия в полупроводниках. Под ред. Д.Шоу, М.:Мир, 1975,688 с.

109. Ю.А. Чивель, B.C. Чирвоный, И. В. Сазанович., Пикосекундная лазерная абляция металлов и кремния., Изв. РАН, сер. физ,2001, т. 65, №4, с. 555-557.

110. Е.А. Шахно., Лазерная абляция тонкой пленки под действием термических напряжений., Изв. РАН, сер. физ, 2001, т. 65, № 4, с. 562-565.

111. С. В. Винценц, А.В. Зотеев, Г.С. Плотников., О порогах возникновения неупругих деформаций в поверхностных слоях Si и GaAs при многократном импульсном лазерном облучении., ФТП, 2002, т.36, вып. 8, с. 902-906.

112. С.В. Винценц, А.В. Зайцева, Г.С. Плотников., Самоорганизация лазерноиндуцированных точечных дефектов на начальных стадиях неупругих фотодеформаций германия., ФТП, 2003, т. 37, вып. 2, с. 134-141.