Контактные явления в тонкопленочных структурах на основе аморфных As2S3 и Sb2S3 тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Симашкевич, Андрей Алексеевич

• Симашкевич, Андрей Алексеевич
• кандидат физико-математических наук
• 1984

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Симашкевич, Андрей Алексеевич

ВВЕДЕНИЕ

Глава I. Контактные явления в структурах на основе халь-когенвдных стеклообразных полупроводников. (Обзор литературных данных).

1.1. Электрические свойства сульфида мышьяка и сульфвда сурьмы.

1.2. Контактные явления на границе ХСП-металл.

1.3. Гетеропереходы и гетероструктуры на основе ЖП.

1.3.1 Общие положения.

1.3.2 Кристалл аЩ^-ХСП.

1.3.3 Кристаллический кремний - ХСП.

1.3.4 ЖП-ЖП.

1.4. Выводы и постановка задачи.

Глава П. Технология получения слоев и гетероструктур на основе ЖП.

2.1. Получение слоев и гетероструктур на основе ХСП.

2.2. Аппаратура и медики измерений.

Глава Ш. Электрические и фотоэлектрические характеристики контакта металл-аморфный полупроводник.

3.1. Модель структуры с двойной обедненной областью.

3.2. Вольт-амперные характеристики.

3.3. Емкостные характеристики.

3.3.1 Зависимость емкости структуры от частоты

3.3.2 Зависимость емкости структуры от температуры

3.3.3 Зависимость емкости от напряжения смещения вольт-фарадные характеристики).

3.4. Фото-эдс на контактшх барьерах структур

М-ХСД.

3.5. Обсуждение результатов. III

Выводы по главе

Глава JJ, Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур ХСП-ЖП.

4.1. Пленочные гетероструктуры в системах записи информации.

4.2. Построение энергетической диаграммы гетероструктуры

4.3. Экспериментальные результаты и их обсуздение.

4.3.1 Фото-эдс

4.3.2 Спектры фототока

4.3.3 Нестационарный инжекционный ток в гетерострук-турах.

4.3.4 Вольт-амперные характеристики

4.3.5 Вольт-фарадные характеристики.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Контактные явления в тонкопленочных структурах на основе аморфных As2S3 и Sb2S3»

Открытие в 1954 г. ленинградскими учеными Б. Т.Коломайцем и Н.А.Горюновой халькогенидных стеклообразных полупроводников (ХСП) привело к разработке ряда новых приборов на их основе в таких важных отраслях техники как телевидение, электрофотография, фототермопластинеская запись, электронно-вычислительная техника, интегральная оптика. ХСП присущи высокая фоточувствительность в сочетании с низкой темновой проводимостью, что позволило эффективно использовать эти материалы в мишенях видиконов, в качестве электрофотографических.(ЭФ) и фототермопластических (ФТП) носителей для записи оптической информации. Дальнейшее улучшение параметров достигается путем создания многослойных структур за счет разделения функций между слоями, что значительно расширяет круг применяемых материалов. Использование гетероструктур (ГС) ХСП-ХСП или кристалл-ХСП с тонким слоем стеклообразного полупроводника в качестве фоточувствительного или блокирующего элемента структуры дает положительные результаты при решении задач расширения спектра, повышения фоточувствительности, улучшения темновых характеристик. Приборы должны быть снабжены электрическими контактами, при этом на границах раздела металл-ХСП (М-ХСП), а в случае многослойных структур и между двумя полупроводниками, возникают потенциальные барьеры, которые оказывают влияние на транспортные и генерационно-рекомбинационнне характеристики структур. Однако, контактные явления на границах М-ХСП, ХСП-ХСП, кристалл-ХСП исследованы недостаточно. До настоящего времени сведения о характере контактов М-ХСП остаются противоречивыми.

Нет единства точек зрения я в вопросе о механизме токопереноса через границу между ХСП и кристаллическими полупроводниками, еще в меньшей степени изучены контактные процессы на границе между двумя ХСП. В физической картине контакта с участием ХСП не вполне выяснена роль высокой плотности локализованных состояний, отсутствуют сведения о модуляции барьерной емкости электрическим полем, прямые исследования переноса заряда через границу.

Вышеизложенное характеризует актуальность научной задачи по исследованию границ раздела между металлами и ХСП, между двумя ХСП, а также между ХСП и кристаллическими полупроводниками.

Целью данной работы является изучение электрических и фотоэлектрических явлений на контактных барьерах в тонкослойных структурах ХСП-металл, ХСП-ХСП, ХСП-поликристаллический слой ?nSe > направленное на выяснение их роли в транспортных и ге-нерационно-рекомбинационных процессах в условиях, характерных для работы приборов на основе пленок ХСП.

Научная новизна работы состоит в следующем:

1. Впервые в области инфранизких частот (ICP^-ICH- Гц) обнаружена зависимость емкости барьера М-ХСП от величины напряжения смещения. Характер зависимости - уменьшение емкости с ростом напряжения в запорном направлении, указывает на модуляцию области пространственного заряда электрическим полем.

2. Впервые на основе комплекса данных: асимметрии ВАХ, вида зависимости емкости от напряжения смещения и резкого увеличения емкости барьера при освещении, наличия фото-эдс, а также с учетом литературных данных по внутренней фотоэмиссии показано образование барьера типа Шоттки на границе металл-широкозон-ныи ХСП.

3. Показано, что с энергетической точки зрения явления, возникающие в изотипной гетероструктуре ХСП-ХСП, могут быть объяснены на основании стандартной зонной диаграммы изотипно-го )о-|э гетероперехода. При этом, однако, прохождение тока через гетероструктуру характеризуется широкой дисперсией под-вижностей носителей заряда.

4. Показано, что электрические и фотоэлектрические свойства анизотипных гетеропереходов ZnSe - ХСП определяются процессами рекомбинации и генерации носителей тока поверхностных состояниях, расположенных на границе раздела полупроводников.

Практическая значимость работы:

1. Разработаны рекомендации по созданию тонкослойных фотоносителей для ФТП-записи на основе стеклообразных ГС с высоким поверхностным сопротивлением и термостойкостью и широкой областью спектральной чувствительности (0,4-0,9 мкм).

2. Показано, что использование тонкопленочных гетеропереходов ZttSe -ХСП позволяет достичь увеличения катодопроводи-мости более чем на два порядка величины по сравнению с отдельными слоями, составляющими гетеропереход.

На защиту выносятся следующие основные положения:

I. На контакте металла с пленкой ХСП (ХСП: K^Sj jS^Sj) образуется потенциальный барьер типа Шоттки; область обеднения в ХСП находится в соответствий с высотой барьера и составляет величину 0,2-0,3 мкм в зависимости от материалов ХСП и контактов. Пространственный заряд обусловлен освобождением носителей, захваченных на глубокие ловушки, расположенные вблизи уровня Ферми.

2. Энергетические характеристики ГС ХСП-ХСП (величина фото-эдс, положение пика фотопроводимости, возникающего за счет эффективной полевой инжекции из сульфида сурьмы в сульфид мышьяка) могут быть объяснены на основании зонной диаграммы изотипного |р-|э 'гетероперехода с потенциальным барьером около 0,15 эБ для дырок при переходе из сульфида сурьмы в сульфид мышьяка. С другой стороны, токоперенос через ГС контролируется захватом носителей на локализованные состояния, распределенные по энергии в запрещенной зоне ХСП.

3. На границе раздела между поликристаллической пленкой ZnSe и слоями ХСП образуется анизотипный h-(D гетеропереход, перенос заряда через который происходит посредством рекомбинации (или генерации) основных носителей на поверхностных состояниях, расположенных на границе раздела между двумя полупроводниками. Величина изгиба зон селенида цинка в области гетероперехода не зависит от материала ХСП и составляет 0,75 эВ, а область пространственного заряда практически полностью расположена в селенвде цинка.

Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения и приложения.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Симашкевич, Андрей Алексеевич

Основные результаты исследования электрических и фотоэлектрических характеристик контактов между металлами и ХСП (ХСП: сульфид мышьяка и сульфид сурьмы), между двумя ХСП, а также между поликристаллическим селенидом цинка и ХСП сводятся к следующему:

1. Особенности емкостных характеристик - наличие зависимости 3 (v)f существование прямолинейных участков в коор2 динатах С. -V, возрастание емкости при освещении и нагревании, а также наличие гоото-эдс, возрастание обратного тока при освещении указывает на образование потенциальных барьеров типа Шоттки на границах между металлами С А£ , Аи) и ХСП (As^, S\>aS3 ). Их величина, оцененная по температурным зависимостям дифференциального сопротивления, а также из измерений фотоэдс (A£fe-Sb2$3 = 1,20 эВ, А£н -$Ьг£3 = 1,37 эВ, Аи - 6ЬА = 1,13 эВ, f\iH- Аб2£\з = 1,79 эВ, Аи- f\bzbs = 1,22 эВ) находится в согласии с данными, полученными из измерений внутренней фотоэмиссии [35].

2. Дифференциальная емкость структур М-ХСП-М определяется областью пространственного заряда, распространяющемся вглубь полупроводника на десятые доли микрометра. Большие времена отклика барьера на изменение внешнего напряжения говорят о том, что заряженные состояния, создающие емкость являются глубокими центрами захвата, расположенными вблизи уровня Ферми.

3. В области полей до I04 В/см при комнатной температуре перенос тока в структурах с сульфидом мышьяка ограничивается объемом. Сопротивление контактов начинает играть решающую роль начиная с Т - 70 С. В структурах с сульфидом сурьмы в указанной области полей перенос тока ограничивается приконтактными барьерами уже при комнатной температуре.

4. Фото-эдс наблюдается на всех рассмотреных структурах, как симметричных, так и несимметричных. Величина фотоэде насыщения соответствует разнице в величинах барьеров, образуемых верхним и нижним электродами. В случае симметричных структур с электродами из алюминия, разница в величине барьеров создается окислением нижнего электрода в технологическом процессе.

5. Описание электрических и фотоэлектрических свойств структур типа М-ХСП-М укладывается в рамки модели с последовательным соединением двух встречно включенных диодов и послед овательным сопротивлением объема ХСП.

6. С энергетической точки зрения физические явления, имеющие место в ГС 6Ьг53 -А^з , могут быть описаны на основании модели изотипного |р-|р гетероперехода, тогда как перенос заряда через границу контролируется дисперсионным характером транспорта носителей через слои ХСП.

7. Использование ГС - Аь2$3 позволяет значительно расширить область спектральной юоточувствительности (0,9-0,4 мкм) не только за счет аддитивности вклада слоев ГС, но также и за счет генерации на границе раздела ХСП-ХСП, что позволяет получить дополнительную чувствительность в промежуточной области энергий. При этом в ГС реализуется инкекционная сенсибилизация слоя сульфида мышьяка, дырками из слоя сульфида сурьмы. Инжекционный барьер на границе ХСП-ХСП не-высок(около 0,15 эВ) и не создает значительных потерь заряда 10%) при переносе через границу.

8. Слой сульфида мышьяка является достаточно надежным блокирующим слоем в ГС M-Sb^Ss -As^s и обеспечивает та т требуемую низкую темновую проводимость 6 - 1,25-10 Ом • см"^ для работы в системах регистрации оптической информации. При этом фотоэлектрические характеристики ГС практически не зависят от материала электрода, на который затем наносится ГС. Материалами подстилающих контактов служили Ли . . SviO^.

9. На границе раздела n-Zvi'oe.- (р-ХСП образуется гетеропереход, токоперенос через который осуществляется за счет рекомбинации (или генерации) основных носителей на поверхностных состояниях, расположенных на границе раздела меяду двумя полупроводниками. Область объемного заряда шириной 0,4-0,5 мкм практически полностью расположена в поликристаллическом полупроводнике, а величина изгиба зон на контакте полупроводников не зависит от материала ХСП и равняется 0,75 эВ.

10. На ВАХ гетеропереходов Sv\02. -2и5е.-ХСП-А£ как в темноте, так и при облучении их пучком электронов с энергией

40 кэВ наблюдаются ТОПЗ, обусловленные накоплением объемного заряда в ХСП, что позволило оценить концентрацию ловушек в Т7 Я сульфиде мышьяка и сульфиде сурьмы 10 см . При этом проводимость структур в случае облучения их электронами возрастает более чем на три порядка величины по сравнению с ее темновым значением.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Симашкевич, Андрей Алексеевич, 1984 год

1. Андриеш A.M., Иову M.G., Шутов С.Д., Циуляну Д.И. Стеклообразный сульфид мышьяка и его сплавы.- Кишинев: Штиинца,1981, 212 с.

2. Budinas Т., Mackus P., Smilga A., Viscakas J. Space-charge-limited currents in vitreous antimony trisulfide films.-Phys. stat. solidi(a), 1969, v.31, U. 1, p.p.375-380.

3. Коломиец Б.Т., Лебедев Э.А., Рогачев H.A. Особенности электропроводности стеклообразных халькогенидных полупроводников в высоких электрических полях.- В кн.: Proc. of the conf. "Amorph. Semicond.'78"- Pardubice, p.p.273-276.

4. Казакова ji.П., Лебедев Э.А., Рогачев Н.А. Исследование проводимости халькогенидных стекол в сильных электрических полях.- В кн.: Электронные явления в некристаллических полупроводниках.- Л: Наука, 1976, с.240-243.

5. Архипов В.И., Руденко А.И. Перенос заряда, контролируемый захватом на локализованные состояния, в аморфных полупроводниках.- В кн.: Физические явления в некристаллических полупроводниках.- Кишинев: Штиинца, 1980, с.45-48.

6. Андриеш A.M., Шутов С.Д. Особенности явлений переноса в стеклообразном сульфиде мышьяка.- В кн.: Физические явления в некристаллических полупроводниках.- Кишинев: Штиинца, 1980, с.57-63.

7. Andriesh A.M., Iovu M.S., Kolomeyko E.P., Tsiulyanu D.I., Shutov S.D. Investigation of hole transport in vitreous

8. J.Hon-Cryst. Solids, 1980* v.35-36, p.981.

9. Tsiulyanu D.I., Andriesh A.M., Kolomeyko E.P. Arsenic tri-sulphide in isotype amorphous-crystalline heterojjunctions.

10. Phys. Stat. Solidi (a), 1982, v.74, p.p. k79-k82.

11. X4. Andriesh A.M., Busdugan A.I., Zelenina L.I., Shutov S.D.

12. Dare decay of surface potential in vitreous 5 Phys. Stat, solidi (a), 1982, v.74, Л 1, p.p. k79~k82.

13. Монтримас Э., Пожера А. Перенос носителей заряда в аморфных слояхз . В кн.: II Всесоюзн. конф. "Бессеребрян, и необычные фотографич. процессы." Электрофотография.-Кишинев: Штиинца, 1975, с.6-10.

14. Лукацкая А., Монтримас Э., Пожера А., Тамошунас С. Зависимость электрофотографических свойств слоев сульфида сурьмы от технологии их изготовления.- В кн.: II Всесоюзн. конфер.

15. Бессеребрян, и необычн. фотографич. процессы." Электрофотография." Кишинев: Штиинца, 1975, с.28-30.

16. Борисова З.У. О взаимодействии металлов с халькогенидными стеклами. В кн.: Структура, физ.-хим. св-ва и применение некрист. полупров.Кишинев: Штиинца, 1980, с.158-164.

17. Gazso J., Kocka J., Kosek F. Influence of Те doping on the AC properties of 5 glasses.- Proc. of the conf. "Amorph. Semicond.'78"- Pardubice, 1978, p.p.293-296.

18. Сарсембинов Ш.Ш., Абдулгафаров E.E., Полещук С.В. Влияние электронного облучения на некоторые фотоэлектрические свойства стеклообразного

19. В кн.: Proc. of the conf. "Amorph. Semicond.'78м- Pardubice, 1978, p.p.499-502.

20. Сарсембинов Ш.Ш., Абдулгафаров E.E., Полещук С.В. Элек-тростимулированные изменения свойств халькогенидных стеклообразных полупроводников.- В кн.: Структура, физ.хим. св-ва и применение некристаллич. полупроводников.-Кишинев: Штиинца, 1980, с.216-219.

21. Kolomiets В.Т., Averyanov У.Ъ., Lyubin V.M., Prikhodko O.J. Modification of vitreous Solar Energy Materials, 1982, v.8, N. 1-3, p.p.1-8.

22. Kolomiets B.T., Lyubin V.M. Photoelectric phenomena in amorphous chalcogenide semiconductors.- Phys. Stat, solidi (a), 1973, v.17, p.p.11-46.

23. Мотт H., Дэвио Э. Электронные процессы в некристаллических веществах.- М: Мир, 1982, 658 с.

24. Аморфные полупроводники (под ред. М.Бродски).- М: Мир, 1982, 419 с.

25. Schlutter М. Theoretical models of Shottky barriers.lr > Thin films and interfaces.- New-York, 1982, p.p.3-19.

26. Kadlec J., Gundlach K.N. Result and problems of internal photoemission in sandwich structures.- Phys. stat. solidi (a), 1976, v.37, N 1, p.p.11-27.

27. Eisele K., Schulz M. Metal-semiconductor junctions related to deposition of thin films.- Vacuum, 1977, v.27, N.3, p.p.181-187.

28. Родерик Э.Х. Контакты металл-полупроводник,- M: Радио и связь, 1982, 209 с.

29. Стриха В.И. Контактные явления в полупроводниках.- Киев: Вища школа, 1982, 223 с.

30. Tran Chot. On the location of the interface Fermi level in metal-semiconductor Schottky-barrier contacts.- Phys. stat. solidi (a), 1982, v.73, N.2, p.p.551-558.

31. Иову M.A., Иову M.C., Шутов С.Д. Фотоэлектрические свойства контакта металл-стеклообразные и Письмав ГО, 1978 т. с Л246-1250.

32. Иову М.А., Иову М.С., Шутов С.Д. Исследование фотоэлектрических характеристик контакта халькогенидного стеклообразного полупроводника с металлом.- Изв. АН МССР, сер. физ.-техн. и матем. наук, 1979, № 3, с.77-81.

33. Burman М. et all. Hole transport in vapour-deposited J.Phys.Сi Solid State Phys. 1981, v.14, p.p.117-127.

34. Андриеш A.M., Сунцова С.П. Вольт-амперные характеристики системы металл-аморфный слой сульфида мышьяка-металл.- В кн.: Исследование сложных полупроводников.- Кишинев: РИО АН МССР, 1970, с.17-22.

35. Андриеш A.M., Черний М.Р. Исследование контактных явлений в системе А£ As^Sj - А(> . - в кн. : Физические процессы в гетеропереходах.- Кишинев: Изд.-во КГУ, 1974, с.145-146.

36. Андриеш A.M., Черний М.Р. Проводимость аморфных слоев сульфида мышьяка в нелинейной области.- В кн.: Новые полупроводниковые соединения и их свойства.- Кишинев: Штиинца, 1975,с.88-94.

37. Манушевич Г.И., Мшенский В.А. Особенности продольной фотопроводимости в пленочных системах металл-халькогенидное стекло-металл.- В кн.: Физические процессы в гетероструктурах и некоторых соединениях Кишинев: Штиинца, 1974,с.71-76.

38. Доморяд И.А. и др. Влияние контактов и полярности напряжения на проводимость сэндвич структур A.- Деп. в ВИНИТИ2310.-1983, № 6245-83 Деп.

39. Stoianova Р., Andreichin R. Photovoltaic effect in arsenicchalcogenides.- Proc. of the conf. "Amorph. Semicond.*78".-Pardubice, 1978, p. p. 643-64-6.

40. Стоянова П.И., Маркова.Д.М., Андрейчин Р.Е.о механизме фо-товольтаического эффекта в высокоомных халькогенидных стеклообразных полупроводниках.- В кн.: Физич. процессы в не-кристаллич. полупров.- Кишинев: Штиинца, 1980, с.252-253.

41. Стоянова П., Андрейчин Р. О механизме появления фото-эдс в сульфиде мышьяка.- В кн.: Proc. of the conf. "Amorph. Semicond. »82"- Bucharest, 1982,p.p.111-113.

42. Адирович Э.И. Фотоэлектретное состояние в полупроводниках с -переходами. ФТП, 1970, т4, в.4, с.745-753.

43. Будинас Т.Ю. и др. Влияние инжекции носителей тока на параметры видиконовых мишеней.- В кн.: Физические основы электрофотографии.- Вильнюс, 1969, с.49-51.

44. Коломиец Б.Т., Лебедев Э.А. Изучение локальных центров в стеклообразном селениде мышьяка методом токов ограниченных пространственным зарядом.- ФТП, 1967, т.1, с.815-817.

45. Kasakova L.P., Lebedev Е.А., Kolomiets В.Т. The hole drift mobility of vitreous A<=>2>>e5 • "-Proc. of the conf. "Amorph. Semicond.'76"- Budapest, 1977, p.p.512-517.

46. Любин B.M., Майдзинский B.C. Контактные явления и подвижность носителей тока в аморфных слоях трехселенистой сурьмы.- ФТТ, т.6, с.3740-3758, 1964.

47. Любин В.М., Майдзинский B.C. Особенности прохождения тока и фотоэлектрических процвссов в аморфной трехселенистой сурьме при наличии инжектирующих контактов,- ФТП, 1969, т.3, в.II, с.1675-1679.

48. Панасюк Л.М. и др. Влияние температуры на вольт-амперныехарактеристики тонких слоев As2Se5.- ФТП, 1980, т.14, в.1, с.62-68.

49. Сарсембинов Ш.Ш., Максимова С.Я., Федоренко Т.А. Исследование контакта металл-аморфный Изв. АН Каз. ССР, сер. физ.-мат., 1982, в.4, с.58-62.

50. Yoshida О. Photoelectric properties of кЬоЪ 5 layers.-Jap. J. of Appl. Phys., 1967, v.6, U. 7, p.p.875-882.

51. Ганин B.M., Любин B.M. Фотостимулированное изменение контактных свойств халькогенидных стеклообразных полупроводников.- ФТП, 1977, т.II, в.6, с.1206-1208.

52. Leimer P., Stotzel Н., Kottwitz A. Isotermal electrical polarisation of amorphous GeSe. films with blocking contacts influenced by Poole-Prencel conduction.- Phys. stat. solidi (a), 1975, v.29, N. 2, p.p. k129-k132.

53. Stotzel H., Kottwitz A., Leimer P. Electrical behaviour of amorphous (reSe films with blocking contacts. В кн.:Электрон, явлен, в некрист. полупров.- Л:Наука, 1976, с.315-319.

54. Shiraishi Т., Kurosu Т., Iida М. Some properties of Schot-tky barrier formed on chalcogenide amorphous semiconductor.-Jap. J. of Appl. Phys., 1978, v.17, N.10, p.p,1883-1884.

55. С van Opdorp. Isotype heterojunctions.- Philips Research Reports, 1969, suppl.10, p.p.1-104.

56. Takeda Ш., Hogami G. Effect of № electrodes on dc and ac current-voltage characteristics in chalcogenide glass films.- J.Appl.Phys., 1983, v.54, p.p.2119-2120.

57. Wey H.-Y., Fritzsche H. Photovoltaic effect and space-charge capacitance of amorphous semiconductor-metal contacts.-J.Non-Cryst. Solids, 1972, v.10-8, p.p.336-340.

58. Герасименко Л.А., Дементьев И.В., Панасюк Л.М. Фотовольтаи-ческий эффект в структурах металл-аморфный полупроводник.-В кн.: Физика полупроводников и диэлектриков.- Кишинев: Штиинца, 1982, с.77-80.

59. Marshall J.M. Charge screeng length in amorphous chalcoge-nide semiconductors.-Phil.Mag.B, 1978, v.38, p.p.407-417.

60. Wallace A.M., Owen A.E., Robertson J.M. Electrical contact properties of semiconducting chalcogenide glasses.- Phil. Mag. B, 1978, v.38, N.1, p.p.57-70.

61. Okano S., Suzuki M., Suzuki M. Electrical contact properties of metal-chalcogenide amorphous semiconductor sistems.-Jap.J.of Appl.Phys., 1981, v.20, N.9, p.p.1635-1640.

62. Shuichi 0. et all. Conductivity control and photovoltaic effects in chalcogenide amorphous semiconductor.- Jap.J. of Appl.Phys., 1982, v.21, N.2, p.p.185-189.

63. Wey H-Y. Surface of amorphous semiconductors and their contacts with metals.- Phys. Rev. B, 1976, v. 13, N. 8, p.p.3495-3505.

64. Ema Y., Hayashi T. Aging effect of capacitance and related effects in Au-aSe-Ad structures. Jap. J. of Appl. Phys., 1982, v.21, N. 12, p.p.1665-1670.

65. Fitzgerald A.G.,Electron diffraction studies of contact reaction in amorphous /\$28з thin films.- Thin solid films, 1982, v.98, p.p.101-107.

66. Kolomiets B.T., Grigorovici G., Croitoru N., Vescan L.- Rec-tifing properties of junction between vitreous Se. А&2.Тез and , bi and single crystals.- Rev. Roum. Phys., 1970, v.15, N.2, p.p.129-131.

67. Brodsky M.H., Dohler G.H. A new type of junctions amorphous/crystalline.- Crit. Rev. in Solid State Sciences, 1975, v.5, N.4, P.P.591-595.

68. Dunn В., Mackenzie J.D. Transport properties of glass-silicon hetero junctions.- J. Appl. Phys., 1977, v.47, N.3,p.p.1010-1014.

69. Берман Jl.С., Любин В.М., Федорова Г.А.,Электрические и фотоэлектрические свойства пленочной гетероструктуры селенид кадмия-аморфный полупроводник.- Электронная техника, сер.4. Электровакуумные и газоразрядные приборы, 1973, в.9, с.26-33.

70. Карпова Л.Н., Любин В.М., Федорова Г.А., Федорова Е.И. Телевизионные передающие трубки, основанные на использовании аморфных пленочных гетероструктур.- В кн.: Физические процессы в гетеропереходах.- Кишинев: Изд. КГУ, 1974, с.135-136.

71. Любин В.М., Федорова Г.А., Федорова Е.И. , Цырлин Л.Э. Электрические и фотоэлектрические свойства некоторых аморфных гетероструктур.- В кн.: Электронные явления в некристаллических полупроводниках.- Л: Наука, 1976, с.348-352.

72. Барба Н.А. и др. Фотоэлектрические свойства гетероструктур, пригодных для ФТПЗ.- В кн.: III Всесоюзн. конф. "Бессеребрян, и необычн. фотографич. процессы." Фототермопластика.- Вильнюс: ИРС MB ССО Лит.ССР, 1980, с.22-24.

73. Cimpl Z. et all. Electrical properties of CdSe. -amorphous chalcogenide heterostructure.- Proc. of the conf. "Amorph. Semicond.'78'1- Pardubice, 1978, p.p.635-638.

74. Cimpl Z. et all. C<ASe. -amorphous chalcogenide layer heterostructure.- Proc. Int. Symp. Tech. Comm. Photon-Detect., Int. Meas. Confed., 1978, v.8, N.1, p.p.54-62.

75. Schauer P. et all. Influence of Cd^ layer air-backing on physical properties of Cc\£>e Аь26ез heterostructures.-Phys. stat. solidi (a), 1980, v.61, U.1, p.p.349-356.

76. Schauer P., Zmeskal 0. On injection current interpretation in Abz^s films. В кн.: Физические явления в некристаллических полупроводниках.- Кишинев: Штиинца, 1980, с.72-75.

77. Zajic J. et all. Electrical properties of GJSe -amorphous chalcogenide heterostructure.- Proc. of the conf. "Amorph. Semicond.•80"- Bucharest, 1980, p.p.237-239.

78. Schauer P., Jedlicka M., Polcer J. Amorphous-crystalline heterojunction with built-in interface charge.- Phys. stat. solidi (a), 1982, v.70, U.2, p.p.755-762.

79. Schauer P., Zmeskal 0., BTespurek S. A new approach to theanalysis of steady-state space-charge-limited current using their activation energies.- Phys. Stat. Solidi (a), 1983, v.75, H.2, p.p.591-594.

80. Zmeskal 0., Schauer P., Smid V. Interpretation of space charge limited currents in amorphous semiconductors. -Proc. of the conf. "Amorph. Semicond.'80n Bucharest,1982, p.p.243-245.

81. Spear W.E. Drift mobility techniques for the study of electrical transport properties in insulating solids.- J.Non -Cryst. Solids, 1969, v.1, p.p.197-214.

82. Komura H. et all. Photoelectric properties of crystalline-amorphous (СчА'ое ) he t его junctions. Jap. J, of Appl. Phys., 1970, v.9, p.p.1546-1547.

83. Коломиец Б.Т., Любин B.M., Майдзинский B.C. и др. Электрические и фотоэлектрические свойства некоторых пленочных аморфных гетероструктур.- ФТП, 1971, т.5, № 8, с.1533-1540.

84. Дементьев И.В., Панасюк Л.М. Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктуры CJS — J^— в кн.: Физические процессы в гетеропереходах.- Кишинев: Изд-во КГУ, 1974, с.93-94.

85. Дементьев И.В., Коротков В.А. Влияние толщины составляющих слоев на свойства контакта некристаллического и аморфного полупроводников.- В кн.: Физич. процессы в гетероструктурах1. ТТ 7Ти некот. соед. АааВ Кишинев: Штиинца, 1974, с.53-57.

86. Prye R.C., Adler D., Shaw M.P. Properties of chalcogenide glass/n-heterojunctions.- J. Appl. Phys., 1979, v.50, H.7, p.p.4866-4871.

87. Erye R.C., Adler D., Schaw M.P. Fabrication and characterisation of heterojunctions between chalcogenide glasses HI-Y crystals.- J. Non-Cryst. Sol., 1980, v.35-36, p.p. 1099-1Ю4.

88. Mares J., Kristofic J., Smid V. Transport properties of a-Ge/с-GoiAs heterojunctions.- Proc. of the intern, conf. " Amorph. Semicond.•82"- Bucharest, 1982, p.p.219-221.(E)

89. Petersen K.E., Adler D. A model for the on-state of amorphous chalcogenide threshold swiches.- J. Appl. Phys., 1979, v.50, N.2, p.p.925-932.

90. Reinhard D.K., Arntz P.O., Adler D. Properties of chalgo-genide glass-silicon heterojunctions.- Appl. Phys. Lett.,1973, v.23, ИГ.4, p.p.186-188.

91. Petersen K.E., Adler D. On-state characteristics of amorphous/crystalline heterоjunctions.- Appl. Phys. Lett.,1974, v.25, IT.4, p.p. 211-213.

92. Chandra S., Pandey R.K. Photoelectrochemical cell for solar energy conversion using electrodeposited CASe, films.

93. Phys. stat. solidi (a), 1980, v. 59, IT. 2, p.p.787-794.

94. Орешкин П.Т., Живодеров А.И., Глебов А.С. Зонная структураи электрическая неустойчивость гетеропереходов кристалл-стеклообразный полупроводник.- В кн.: Физические явления в некристаллических полупроводниках.- Кишинев: Штиинца, 1980, с.115-118.

95. Alonso В., Piqueras J., Munoz E. Electro-optical properties of amorphous A 52^5" -silicon het его junctions.- Appl. Phys. Lett., 1976, v.28, И.1, p.p.41-43.

96. Андриеш A.M., Циуляну Д.И., Коломейко Э.П. Электрофизические свойства гетеропереходов монокристалл кремния-аморфный As2S3 -Ge. ад, 1977, т. II, ЪЛ, С. 664-668.

97. Андриеш A.M., Циуляну Д.И. Электрофизические свойства гетеропереходов стеклообразный полупроводник-кристалл.- В кн.: Proc. of the conf. "Amorph. Semicond.*78"- Pardubice, 1978, p.p.601-608.

98. Андриеш A.M., Циуляну Д.И., Коломейко Э.П. Инжекционные токи в халькогенидных стеклообразных полупроводниках системы3 -G-e.- В кн.: Proc. of the conf. "Amorph. Semicond.1 78"- Pardubice, 1978, p.p.360-363.

99. Коркинова Ц.Н., Андрейчин Р.Е. Свойства перехода аморфный сульфид мьппьяка-кристаллический кремний.- В кн.: Proc. of the internet, conf. "Amorph. Semicond.'82"- Bucharest, 1982, p.p.253-255.

100. Dunn В., Mackenzie J.D., Clifton J.K., Masi J.V. Hetero-junction formation using amorphous materials. Appl. Phys. Lett., 1975, v. 26, ИГ.З» p.p.85-86.

101. Chung C.M., Dunn B. Construction of energy-band diagrams for amorphous/crystalline heterojunctions.- J. Appl.Phys., 1977, v.48, H.4, p.p.1751-1752.

102. Tonge N., Minami Т., Tanaka M. The electrical and photovoltaic properties of het его junctions between an amorphous Gre-Te-Se film and crystalline silicon.- Thin Solid Films, 1979, v.56, p.p.377-382.

103. Persin M., Ultra V. Electrical and photovoltaic properties of a het его junctions between A$-Te -G-e film and crystalline silicon.- Thin Solid Films, 1980, v.70, p.p.85-90.

104. Krupanidhi S.B. et all. I-V and C-V studies of evaporated amorphous arsenic telluride film on crystalline silicon.

105. J, Appl. Phys., 1983, v.54, H.3, p.p.1383-1389.

106. ИЗ. Кикути и др. Свойства аморфных полупроводников типа$е,хТе* • Фотогальванический эффект и выпрямляющее действие переходов типа Se,X|TeXl Ъе. ,.ХгТе Дэнси цусин гак-кай ромбун-си, 1980, т.бЗ-с, с.186-190.

107. Акимов И.А., Черкасов Ю.А., Черкашин М.И. Сенсибилизированный фотоэффект.- М: Наука, 1980, 384 с.115.-Дементьев И.В., Панасюк Л.М., Тарабукина Н.Б. Некоторые фотоэлектрические свойства тонкопленочных гетеропереходов

108. У>-Ьъ^Зз-|р As^bej .- В кн.: Физические процессы в гетеро-структурах и некот. соед. Кишинев: Штиинца, 1974,с.47-53.

109. Бойко А.Г. и др. Фотоэлектрические свойства гетероструктур на основе аморфных сульфида и селенида мышьяка.- В кн.: Фи-зич. процессы в гетеропереходах.- Кишинев: Изд-во КГУ, 1974, с. 91-93.

110. Будинас Т., Монтримас Э., Смилга А., Янкаускас А. Многослойные носители записи на основе соединений CJSe(Тбх ),и ).- в кн.: II Всесоюзн. конф. "Бессеребрян, инеобычн. фотографич. процессы.11 Электрофотография.- Кишинев: Штиинца, 1975, с.54-56.

111. Бойко А.Г. и др. Фотографические характеристики фототермопластических носителей.- В кн.: 1У Всесоюзн. конф. "Бессеребрян. и необычн. фотографич. процессы1; т.1 Суздаль: РИО ОИХФ АН СССР, 1984, с Л 47-148.

112. Буздуган А.И., Зеленина Л.И., Постников А.А., Субботин С.С., Шутов С.Д. Фототермопластический материал на основе гетеро-структуры из стеклообразных полупроводников.- Журн. научн.и прикл. фотограф, и кинаматограф., 1983, т.28, с.440-444.

113. Герасименко Л.А., Коротков В.А., Панасюк Л.М. Некоторые электрические характеристики многослойных гетероструктур на основе As^Se^.- в кн.: Физич. процессы в гетеропереходах.- Кишинев: Изд-во КГУ, 1974, с.90-91.

114. Гагара Л.С., Кобзаренко М.Г., Коротков В.А. Фоточувствительные многослойные аморфные гетероструктуры.- В кн.: Фи-зич. процессы в гетероструктурах и некот. соед. Кишинев: Штиинца, 1974, с.57-59.

115. Герасименко Л.А., Коротков В.А.,Кинетика фототока в многослойных аморфных гетероструктурах )р-taa^s У\-Ье . - В кн.: II Всесоюзн. конф. "Бессеребрян, и необычн. фотографич. процессы." Электрофотография.- Кишинев: Штиинца, 1975,с.57-59.

116. Герасименко Л.А., Коротков В.А., Обручков Г.С. Некоторые электрофотографические свойства многослойных аморфных гетероструктур tafc&ej вЬгДз в кн.: II Всесоюзн. конф.

117. Бессеребрян. и необычн. фотографич. процессы." Электрофотография. -Кишинев: Штиинца, 1975, с.60-62.

118. Иову М.А., Иову М.С., Шутов С.Д. Электрические и фотоэлектрические свойства тонких пленок системы

119. В кн.: Физика сложных полупроводниковых соединений.- Кишинев: Штиинца, 1979, c.III-118.

120. Иову М.С. Исследование фотоэлектрических свойств стеклообразных полупроводниковых материалов в системе сульфид мышьяка-сульфид сурьмы.- Автореферат канд. диссерт., Кишинев, 1976.

121. Полтавцев Ю.Г. Структура полупроводников в некристаллических состояниях.- да, 1976, т.120, с.581-612.

122. Захаров В.П., Герасименко B.C. ИК-спектроскопические исследования структуры ближнего порядка некристаллических полупроводников.- Л: Наука, 1976, с.132-138.

123. Nemanich R.J.,et all. Thermally induced effects in evaporated chalcogenide films. 1 Structure. Phys. Rev. B, 1978, v.18, p.p.6900-6914.

124. Totge И., Kimoto M., Tanaka • Infrared spectra of amorphous AsA films deposited at different temperatures.-Jap.J.of Appl.Phys., 1980, v.19, p.p.213-214.

125. Strom U., Martin T.P. Photo-induced changes in the infrared vibrational spectrum of evaporated .- Solid State Communic., 1979, v.29, p.p.527-530.

126. Жданов B.T., Малиновский В.К., Соколов А.П. Фотоиндуциро-ванные изменения структуры пленок халькогенидных стеклообразных полупроводников,- Автометрия, 1981, т.5, с.3-13.

127. Решетников A.M. О структуре аморфных пленок сернистой сурьмы.- Кристаллография, 1959, т.4, с.926-928.

128. Фотопроводниковые слои для инспекционных гетероструктур с высоким поверхностным сопротивлением (НТО). Научн. руков. Андриеш A.M., Шутов С.Д. № ГР8Ю7356, инв.№ 02.82.0071677.-Кишинев, 1982.

129. Симашкевич А.А. Фотоэлектрические свойства структур типа МДП на основе двух аморфных полупроводниковых слоев.- В кн.: II Респ. конф. по фотоэлектр. явлен, в полупроводниках.- Киев: Наукова думка, 1982, с.214-215.

130. Симашкевич А.А., Шутов С.Д. Зависимость емкости контакта металл-стеклообразный полупроводник от напряжения смещения.- Письма в SH, 1983, т.9, в.16, с.974-978.

131. Симашкевич А.А., Шутов С.Д. Исследование контактных явлений на границе ХСП с металлом.- В кн.: Материалы конференции "Аморфные полупроводники-84"- Габрово, 1984, с.71-73.

132. Simashkevich А.А., Shutov S.D. Evidence of Schottky barrier formation at contact of metal with chalcogenide glassy semiconductor.- Phys. stat. solidi(a), 1984, v.84, И.1, p.p.343-352.

133. Fernaridez-Canque H.L., Alison J., Thompson M.J. The capacitance of rf sputtered hydrogenated amorphous silicon Schottky barrier diodes.- J. Appl. Phys., 1983, v.54,1.. 12, p.p.7025-7033.

134. Viktorovitch P., Jousse D. Determination of the electronic density of states in hydrogenated amorphous siliconа — 5i.JH ) from Schottky diode capacitance-voltage and conductance-voltage measurements.- J.Hon -Cryst. Solids, 1980, v.35-36, p.p.569-574.

135. Snell A.J. et all. The metal-amorphous silicon barrier interpretation of capacitance and conductance measurements.-J.Hon-Cryst. Solids, 1980, v.35-36, p.p.593-598.

136. Cohen J.D., Lang D.V. Calculation of the dinamic response of Schottky barriers with continious distribution of gap states.- Phys. Rev. B, 1982, v.25, p.p.5321-5350.

137. Patel S.M., Varghese G. Dielectric properties of films.- Indian J. of Phys., 1978, V.51A, p.p.77-84.

138. Polanco J.I., Roberts G.G. Conductivity of the chalcogenide semi-insulator system Аъг.^3 "* • Solid State Com-mun., 1972, v.10, p.p.709-715.

139. Johnser A.K. Low-frequency dispersion in carrier-dominated dielectrics.- Phil. Mag., 1978, v.B-38, p.p.587-601.

140. Henisch H.K. et all. Schottky revisited.- Solar Energy Materials,-1982, v.8, p.p.91-100.

141. Алферов I.И. Гетеропереходы в полупроводниковой электронике близкого будущего.- В кн.: Физика сегодня и завтра.- Л: Наука, 1973, с.61-89.

142. Аубакиров К.Н. Фотоэлектрические свойства гетеропереходов

143. A&*S3)0f7(Tt2Se)0f3 * -РЬ0Т.- В кн.: Фотопроводники.- Л: 1983, с.II2-XI6.

144. Muller R.S., Zuleeg К. Vapor deposited thin-films hetero-junctions diodes.- J. Appl. Phys., 1964, v.35, p.p.1550-1556.

145. Шарма Б.Л., Пурохит Р.К. Полупроводниковые гетеропереходы.-М: Советское радио, 1979, 232 с.

146. Иову М.А., Иову М.С., Симашкевич А.А., Циуляну Д.И., Шутов С.Д. Контактные явления в переходах стеклообразный полупроводник-металл (или другой полупроводник).- В кн.: Физические явления в некрист. полупроводниках.- Кишинев: Штиинца, 1980, с. 120-123.

147. Фоточувствительные гетероструктуры для ленточных фототермопластических носителей (НТО). Научн. руков. A.M.Андриеш, С.Д.Шутов, М.С.Иову. HTP0I8300083 инв. № 0284.0068890, Кишинев, 1984.

148. Яснопольский Н.Л., Алексеева А.П., Кофанова Т.И. Некоторые вопросы возбужденной проводимости.- Радиотехн. и электроника, I960, т.5, с.1299-1305.

149. Физико-химические свойства полупроводниковых веществ. Справочник.- М: Наука, 1979, 339 с.

150. Симашкевич А.В. Гетеропереходы на основе полупроводниковыхтт vtсоединений.А В .- Кишинев: Штиинца, 1980, 155 с.

151. Дэвисон С., Левин Дж. Поверхностные (таммовские состояния)?-М: Мир, 1973, 232 с.

152. Ламперт М., Марк П. Инжекционные токи в твердых телах.-М: Мир, 1973, 416 с.

153. В заключение автор выражает искреннюю признательность и благодарность своему научному руководителю лауреату Государственной премии MCGP, старшему научному сотруднику ШУТОВУ СЕРГЕЮ ДМИТРИЕВИЧУ за постоянное внимание и помощь при выполнении данной работы.

154. Автор благодарен также заведующему лабораторией фотоэлектрических свойств полупроводников чл.-корр. АН МССР АНДРИЕШУ АНДРЕЮ МИХАЙЛОВИЧУ за постоянный интерес к работе и поддержку.1. ПРИЛ01ЕНИЕ1. УТВЕРВДАЮ1. УТВЕРВДАЮ

155. Замдиректора по научной работеора ИПФ АН МССР1 А м ч ••^гЛ : В.Ai\ ШЗ^КИНОВti^temMvfC'pm г.исентября 1980 г.1. Ю.Н. ПАУКОВ1. АКТ17 сентября 1980 г.г. Москва

156. О внедрении научных результатов, полученных по теме "Тонкослойные носители на основе стеклообразных полупроводниковых гетерострукненной Институтом прикладной физики АН Молдавской ССР по договору № 60/Ц0254.

157. Изготовленные на основе гетероструктур тонкослойные носители представляют собой новый тип бессеребряного фотоматериала, перспективного для устройств обработки информации в реальном масштабе времени с высоким разрешением.

158. От ГОСНИИХИМФОТОПРОЕКТА ОТ И Ш АН МССР

159. О внедрении научных результатов, полученных по теме "Фотопроводниковые слои для инжекционных гетероструктур с высоким поверхностным сопротивлением", выполненной Институтом прикладной физики АН МОЛДАВСКОЙ ССР по договору № Д-02-ПЗ.

160. Руководитель отдела 8 доктор технических наук

161. Ленинградскому технологическому институту им.Ленсовета переданы научные результаты исследований свойств контакта различных металлов / Щ Тн/ fyf у Pel / с халькогенидными стеклами 4szSez ^ £3 и технологическиерекомендации получения пленок t^k^^ / $$

162. От ЛТИ им.Ленсовета: От щф дн МССР

163. Однородность свойств при изготовлении путем термического вакуумного напыления

164. Расширенная область спектральной фоточувствительности (0,4 0,7 мкм)

165. Возможность многократной записи информации

166. Носители обеспечивают расширенную область спектральной фоточувствительности (0,4 0,7 мкм)

167. Носители обладают повышенной термостойкостью (до 125°С)

168. Носители обеспечивают многократную запись и стирание информации

169. Технология изготовления гетероструктур обеспечивает однородность свойств носителей. Отклонение величины чувствительности по длине образца не превышает на I м и более.

170. Возможность получения носителя на лавсановую основу длиной до 2 м.

171. Зам. директора ГОСНИИХИМФОТОПРОЕКТ печать /подпись/ В.А. Москинов

172. Зам. директора ИПФ АН МССР печать /подпись/ Т

173. Копия верна. Ученый секретарь ИПФ Ж/шШ^^лЩ^• 1канд.техн.