Конструкции и технология СВЧ GaN транзисторов X-диапазона для систем радиолокации тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.01, кандидат технических наук Курмачев, Виктор Алексеевич

• Курмачев, Виктор Алексеевич
• кандидат технических наук
• 2013

Оглавление диссертации кандидат технических наук Курмачев, Виктор Алексеевич

Содержание

Стр.

ВВЕДЕНИЕ

Глава 1. АНАЛИЗ КОНСТРУКЦИЙ,

ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ И МЕТОДОВ КОНТРОЛЯ ТЕХНОЛОГИИ СОЗДАНИЯ GaN СВЧ ТРАНЗИСТОРОВ И МИС

1.1 Основные требования к СВЧ транзисторам 10 импульсных СВЧ передатчиков Х-диапазона и

пути их реализации

1.2 СВЧ транзисторы на широкозонных мате- 12 риалах и гетероструктурах

1.2.1 Структуры СВЧНЕМТ на основе АЮаЫ/СаИ

1.3 Технология создания НЕМТ на основе GaN

1.3.1 Конструктивные особенности АЮаЫ/СаЫ гетеро- 17 структур и методы их выращивания

1.3.2 Омические контакты НЕМТ на основе СаК

1.3.3 Полевые затворы в НЕМТ: барьеры Шоттки

1.3.4 Изоляция поверхности

1.3.5 Особенности фотолитографических процес- 31 сов

1.4 Методы контроля параметров гетероэпи- 32 таксиальных структур, транзисторов и ИС в процессе разработки и производства

1.4.1 Оптические методы контроля

1.4.2 Рентгеновские методы контроля

1.4.3 Электронно-микроскопические методы исследования 35 структурного совершенства широкозонных полупроводников и гетеро структур

1.4.4 Растровая электронная микроскопия (РЭМ)

1.4.5 Примеры методов контроля гетероструктур

1.5 Некоторые примеры отечественных разработок в 37 области создания элементов СВЧ-устройств

1.6 Применение алмазных пленок в технологии GaN

НЕМТ

1.6.1 Транзисторы на алмазных подложках

1.6.2 Возможности использования алмазных слоев для вы- 42 равнивания температуры поверхности АЮаЫ/ОаЫ НЕМТ

1.7 Цель и основные задачи диссертационной

работы

ГЛАВА 2. МОДЕЛИРОВАНИЕ И

ИССЛЕДОВАНИЕ КОНСТРУКЦИЙ И ТЕХНОЛОГИИ МОЩНЫХ GaN СВЧ ГЕТЕРОТРАНЗИСТОРОВ

2.1 Тепловые режимы мощных GaN СВЧ гете- 47 ротранзисторов в импульсных передатчиках

2.1.1 Тепловые режимы мощных СаМ СВЧ гетеро- 47 транзисторов

2.1.2 Моделирование и исследование тепловых ре- 58 жимов СаЫ СВЧ транзисторов в импульсных передатчиках

2.2 Исследование и моделирование электриче- 60 ского пробоя GaN СВЧ транзисторов при работе

в режиме максимальной импульсной выходной мощности

2.3 Исследование влияния конструкции и тех- 63 нологии металлизации барьеров Шоттки на надежность GaN СВЧ транзисторов

2.4 Выводы 68 ГЛАВА 3. ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ

МАРШРУТ СОЗДАНИЯ СВЧ

ГЕТЕРОТРАНЗИСТОРОВ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ НА ИХ ОСНОВЕ И МЕТОДЫ КОНТРОЛЯ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ

3.1 Технологический маршрут создания СВЧ 69 транзисторов и интегральных схем

3.2 Выбор контрольных точек и методов кон- 72 троля технологического процесса создания СВЧ транзисторов

3.2.1 Контроль качества подложек 57С

3.2.2 Контроль качества гетероструктур А1- 73 СаЫ/0аЫ/81С или аналогичных

3.2.3 Электрические и оптические методы кон- 75 троля параметров элементов транзисторных структур

3.3 Контроль качества металлизации

3.4 Методы обеспечения совместных процессов 79 производства кремниевых полевых транзисторов и А1-Са1Ч/Са1Ч/81С-НЕМТ

3.4.1 СВЧ приборы и устройства на основе критических 80 технологий

3.4.2 Сопоставление технологических операций совмест- 82 но го производства 57 и АI ОаМ/СаЫ/БЮ приборов

3.4 Выводы

ГЛАВА 4. РЕЗУЛЬТАТЫ

ПРАКТИЧЕСКОГО ПРИМЕНЕНИЯ КОНСТРУКТИВНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ РЕШЕНИЙ СОЗДАНИЯ GaN СВЧ ГЕТЕРОТРАНЗИСТОРОВ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ ДЛЯ РАДИОЛОКАЦИОННЫХ СИСТЕМ Х-ДИАПАЗОНА

4.1 Реализация технологического процесса со- 88 здания GaN СВЧ транзисторов и интегральных схем

4.2 GaN СВЧ транзисторы для радиолокацион- 94 ных систем Х-диапазона

4.3 Твердотельные СВЧ модули на GaN СВЧ 97 транзисторах для радиолокационных систем X-диапазона

4.4 Выводы 99 ЗАКЛЮЧЕНИЕ

ЛИТЕРАТУРА

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Конструкции и технология СВЧ GaN транзисторов X-диапазона для систем радиолокации»

ВВЕДЕНИЕ

Актуальность

Анализ основных направлений работ по созданию нового поколения радиолокационных систем показывает, что в настоящее время в X-диапазоне наиболее перспективным является применение в них СВЧ транзисторов на основе новых широкозонных полупроводниковых материалов, таких как нитрид галлия [Л1].

Эти приборы могут работать при более высоких температурах по сравнению с приборами, созданными на основе кремния или арсенида галлия. Более высокие пробивные напряжения в БаИ СВЧ транзисторах позволяют реализовать более высокие рабочие напряжения, большие рабочие токи насыщения и больший уровень импульсной СВЧ мощности по сравнению с ваАз СВЧ транзисторами.

Отмеченные преимущества ОаИ СВЧ транзисторов позволяют создавать твердотельные СВЧ блоки и модули, предназначенные для антенных фазированных решеток РЛС и других радиоэлектронных систем с учётом требований по минимизации массо-габаритных характеристик аппаратуры при обеспечении устойчивости к внешним дестабилизирующим факторам [Л1].

Решению актуальной задачи создания конструкций и технологии мощных ОаЫ СВЧ транзисторов на основе совокупности новых научно-обоснованных технических и технологических решений посвящена настоящая диссертация.

Целью данной работы является разработка конструкций и технологии ОаИ СВЧ транзисторов, обеспечивающих необходимый отвод тепла от активной области транзистора и защиту от электрического пробоя при воздействии мощных импульсных СВЧ сигналов.

Для достижения поставленной цели в работе:

1) проведен анализ конструкций, технологических процессов создания GaN СВЧ транзисторов и технологического оборудования для разработки и производства СВЧ транзисторов;

2) проведены исследования и моделирование тепловых процессов в ОаЫ СВЧ транзисторах при воздействии СВЧ мощности;

3) проведена оптимизация технологического процесса создания мощных СВЧ транзисторов Х-диапазона;

4) изложены результаты экспериментальных исследований и практического применения предложенных теплоотводящих конструкций и технологических процессов в GaN СВЧ транзисторах для радиолокационных систем Х-диапазона.

Научная новизна

1. Разработана теоретическая модель для расчета тепловых потоков в многослойных наногетероструктурах СВЧ транзисторов А1-GaN/GaN, основанная на численном решении нестационарного уравнения теплопроводности для цилиндрической симметрии. Модель позволяет рассчитывать тепловые потоки и перегревы в области канала транзистора между истоком и стоком в зависимости от мощности, длительности и скважности радиоимпульсов. На основе решения нестационарного уравнения теплопроводности показано, что применение в GaN СВЧ транзисторе теплопроводящих полиалмазных подложек, выращенных на кремнии, может позволить исключить из технологического процесса создания AlGaN/GaN НЕМТ подложки на основе карбида кремния при условии, что толщина слоя кремния, расположенного между полиалмазом и GaN слоем, не превышает 10 мкм.

2. Показано, что уменьшение импульсного теплового сопротивления AlGaN/GaN СВЧ транзисторов, по крайней мере, в 1,5 раза можно реализовать, нанося слой полиалмаза на поверхность СВЧ транзистора. При этом, нанося слой полиалмаза толщиной порядка 1мкм, можно уменьшить неравномерность температуры поверхности кристалла транзистора с 70°С до 40°С при работе транзистора в импульсном режиме за счет изменения пространственного распределения потока тепла. Это позволяет реализовать выходную мощность СВЧ транзистора 8 Вт, при длительности импульса т=300мкс для значений скважности Q=50 и при длине затвора L=0.5 мкм.

Показано, что после нанесения на поверхность кристалла СВЧ транзистора суспензии алмазного порошка в декане величина пробивных напряжений СВЧ транзисторов Х-диапазона возрастает на 20%.

3. Предложен новый полупроводниковый наногетеротранзистор, включающий подложку из монокристаллического кремния р-типа проводимости с выполненным на ней буферным слоем из A1N, поверх которого выполнена теплопроводящая подложка в виде осажденного слоя поликристаллического алмаза, на другой стороне подложки

выполнена эпптаксиальная структура полупроводникового прибора на основе широкозонных III-нитридов, исток, затвор и сток, при этом между истоком, затвором и стоком выполнен слой изолирующего поликристаллического алмаза. Указанная конструкция защищена патентом на полезную модель.

4. Предложена новая конструкция мощного СВЧ наногетеротран-зистора, содержащего базовую подложку из кремния, теплопроводящий поликристаллический слой алмаза, эпитаксиальную структуру на основе широкозонных III-нитридов, буферный слой (A1N или HfN), отличающийся тем, что базовая подложка из кремния выполнена толщиной менее 10 мкм, слой теплопроводящего поликристаллического алмаза имеет толщину, по меньшей мере, равную 0,1 мм, а на поверхности эпитакси-альной структуры последовательно размещены дополнительный слой теплопроводящего поликристаллического алмаза и барьерный слой из двуокиси гафния толщиной 1,0-4,0 нм. На конструкцию получено положительное решение при ее оформлении на полезную модель.

5. При создании омических контактов на основе Ti, Al, Ni и Au к истоку и стоку СВЧ транзисторов на AlGaN/GaN гетероструктурах требования к разбросу толщины металлизированных слоев являются жесткими (10-20%), поэтому необходим контроль неоднородности толщины металлизированных слоев по площади при их осаждении. Обычный метод контроля толщины по кварцевым датчикам не дает информации о разбросе толщины по площади. Показано, что для этой цели может быть использована аппаратура, обеспечивающая контроль неоднородности поверхностного сопротивления по площади напыляемых слоев. Экспериментальные результаты показывают, что для всех указанных металлов неоднородность поверхностного сопротивления не превышает 6% при нанесении пленок на подложки диаметром 4 дюйма.

7. Установлено, что использование металлизации для контакта Шоттки на основе системы Ir/Au с последующей обработкой в азоте при температуре порядка 500°С обеспечивает значения токов утечки барьера Шоттки в 4 раза меньшие, чем для традиционно используемой системы Ni/Au. Это связано с тем, что коэффициент диффузии иридия в AlGaN меньше, чем коэффициент диффузии никеля в том же материале, а высота барьера на границе Ir-AlGaN больше, чем высота барьера Ni-AlGaN.

Практическая полезность

1 .Разработаны и внедрены технологические процессы создания мощных АЮаМ/ОаЫ СВЧ гетеротранзисторов, предназначенных для создания блоков радиолокационных станций, работающих в Х-диапазоне (8-12 ГГц).

2. Для создания твердотельных модулей, включающих АЮаШОаМ-НЕМТ и 81-МИС, предложен мультисистемный производственный процесс на основе трехуровневой структуры, состоящей из раздельных производственных помещений (кластеров) для операций создания барьеров Шоттки и омических контактов для АЮаШОаЫ/^С-НЕМТ, диффузии, нанесения металлов и диэлектриков для 81-МИС, общих кластеров литографии, «мокрого» и «сухого» травления и отмывки пластин и общих производственных участков корпусирования, присоединения выводов и измерений параметров приборов.

2. Основные результаты исследований, проведенных в данной работе, использованы при разработке технологии СВЧ транзисторов: ЗПШ 997А, ЗПШ 997Б, ЗПШ 997В, ЗПШ 988А. Указанные транзисторы использовались при создании твердотельных СВЧ модулей БКВП.468714.033, БКВП.4681 73.020 БКВП.468714.030.

Основные положения, выносимые на защиту

1. Применение в ОаЫ СВЧ транзисторе теплопроводящих подложек на основе полиалмаза, выращенного на кремнии, может позволить исключить из технологического процесса создания АЮаШваЫ НЕМТ дорогостоящие и дефицитные подложки на основе карбида кремния в мощных СВЧ транзисторах при условии, что толщина слоя кремния не превышает 10 мкм.

2. Уменьшение импульсного теплового сопротивление СВЧ транзисторов, по крайней мере, в 1,5 раза можно реализовать, нанося слой полиалмаза на поверхность СВЧ транзистора. При этом, нанося слой полиалмаза толщиной порядка 1мкм, можно уменьшить неравномерность температуры поверхности кристалла транзистора с 70°С до 40°С при работе транзистора в импульсном режиме при выходной мощности СВЧ транзистора 8 Вт, при длительности импульса т=300мкс для значений скважности (^=50 и при длине затвора Ь=0.5 мкм.

3. Предложены новые конструкции мощных СВЧ транзисторов, основанные на использовании полиалмаза, тонких слоев кремния, буферных слоев из A1N или HfN.

4. Для создания твердотельных модулей, включающих AlGaN/GaN-НЕМТ и Si-МИС, предложен мультисистемный производственный процесс на основе трехуровневой структуры, состоящей из раздельных производственных помещений (кластеров) для операций создания барьеров Шоттки и омических контактов для AlGaN/GaN/SiC-HEMT, диффузии, нанесения металлов и диэлектриков для Si-МИС, общих кластеров литографии, «мокрого» и «сухого» травления и отмывки пластин при соблюдении дополнительных условий очистки, исключающих влияние газов и загрязнений, в первую очередь, на кристаллы AlGaN/GaN-HEMT и общих производственных участков корпусирования, присоединения выводов и измерений параметров приборов.

Апробация работы

Содержание и результаты работы доложены и обсуждены:

-на VII международной научно-технической конференции «Вакуумная техника, материалы и технология», Москва, КВЦ «Сокольники» 10-12 апреля 2012 г.;

-на XIX научно-технической конференции с участием зарубежных специалистов «Вакуумная наука и техника», Республика Украина, Судак, сентябрь 2012 г.

- на XI научно-технической конференции «Твердотельная электроника, Сложные функциональные блоки РЭА - «Пульсар-2012», Дубна 1719 октября 2012 г.

- на Всероссийской научной конференции - Научной Сессии НИЯУ МИФИ, Москва 1-6 февраля 2013 г.

Публикации

По материалам диссертации опубликовано 16 печатных работ, в том числе 7 работ - в рецензируемых журналах, установленных ВАК по выбранной специальности. Получен патент на полезную модель и положительное решение по заявке второго патента на полезную модель.

Структура и объем диссертации

Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и списка использованных источников, включающего 167 наименований. Работа содержит 111 страниц текста, включая 86 рисунков и 10 таблиц.

Заключение диссертации по теме «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника на квантовых эффектах», Курмачев, Виктор Алексеевич

6. Основные результаты исследований, проведенных в данной работе, внедрены, при модернизации и техническом перевооружении производственного комплекса НПП «Пульсар» и в технологический процесс создания GaN СВЧ транзисторов и использованы при разработке СВЧтранзисторов: ЗПШ 991 А, ЗПШ 997Б. ЗПШ 997В, ЗПШ988А и СВЧ твердотельных модулей БКВП.468714.03 3, БКВП.468 1 73.020

БКВП.468714.030 на их основе.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Курмачев, Виктор Алексеевич, 2013 год

Литература

1. Куэй Р. Электроника на основе нитрида галлия. Пер. с англ. под ред. А.Г. Васильева. М.: Техносфера, 201 1. - 592с.

2. И. Шахнович. Твердотельные СВЧ приборы и технологии. Состояние и перспективы. //Электроника НТБ. - 2005. - №5. -С.58-64.

3. А. Васильев. Интегрированная элементная база СВЧ, силовой и фотоэлектроники. НПП Пульсар в борьбе за рынок высоких технологий.// Электроника НТБ. -2008. - Вып.№3. - С.70-75.

4. Васильев А.Г., Колковский Ю.В., Концевой Ю.А. СВЧ приборы и устройства на широкозонных полупроводниках. М.: Техносфера, 2011. - 416с.

5. Triquint Semiconductors, Triquint Semiconductor and Lockheed Martin Announce Advanced Gallium Nitride Process with Improved Power, Efficiency, Stability (2003), http://www.triQuint.com/investors/ press/dspPressRelease.

6. D. Dumka, C. Lee, H. Tserng et al.// P. Saunier, M. Kumar, Electron. Lett. 40, 1023 (2003).

7. A. P. Zhang, L. Rowland, E. Kaminsky et al.// Electron. Lett. 39, 245 (2003).

8. M. Drory, J. Ager, T. Suski et al.// J. Appl. Phys. 69, 4044 (1996).

9. J. Moon, D. Wong, M. Antcliffe et al.,// in IEDM Technical Digest, San Francisco, 2006, pp. 423—424.

10. Compound Semiconductor, Cap Wireless to use GaN Chips in X-Band Amplifiers. Сотр. Semicond. 1 1, (2005).

11. Compound Semiconductor, Cree Announces 40W GaN Amplifier, First GaN MMIC// Сотр. Semicond. 6, 15 (2000).

12. А.А. Кищинский . Микроволновые транзисторные усилители мощности - состояние и перспективы развития. //-14th Int/ Crimean Cjnfer-ence @Microwave&Telecommunication Technology. - Sevastopol, Crimea, Ukraine.: - 2004.

13. А.Г. Васильев, Ю.В, Колковский, С.В.Корнеев, А.А.Дорофеев. СВЧ приборы на SiGe и GaN - основа нового поколения СВЧ элементной базы для приемопередающих модуля АФАР.// 4-я Международная научная конференция по военно-техническим проблемам, проблемам обороны и безопасности, использованию технологий двойного применения. - Минск. -2009. - с.91-93.

14. А.Г. Васильев, А.А. Дорофеев, Ю.В. Колковский, С.В. Корнеев, В.М. Миннебаев. SiGe и GaN СВЧ приборы для приемопередающих (ППМ) и передающих модулей. //Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. - 2009.

15. М. Rosker, in Proceedings of the International Conference on GaAs Manufacturing Technology, New Orleans, 2005, p. 1.2.

16. G. Sullivan, M. Chen, J. Higgins et al.// IEEE Electron Device Lett. 19, 198 (1998).

17. Y. Wu, B. Keller, S. Keller et al.// IEEE Electron Device Lett. 18, 438 (1997).

18. Y. Wu, D. Kapolnek, J. Ibbetson et al.// IEEE Trans.Electron Devices 48, 586 (2001).

19. R. Trew, in IEEE International Microwave Symposium Digest, Seattle, 2002, pp. 1811 — 1814.

20. R. Trew // Proc. IEEE 90, 1032 (2002).

21. R. Trew, M. Shin, V. Gatto// Solid-State Electron. 41, 1561 (1997).

22. L. Eastman, V. Tilak, J. Smart et al.// IEEE Trans. Electron Devices 48, 479 (2001)

23. L. Eastman, in IEEE International Microwave Symposium D 2.98. dygest, Seattle, 2002, pp. 2273—2275.

24. В. Green, V. Tilak, V. Kaper et al.// IEEE Trans. Microwave Theory Tech. 51, 618 (2003).

25. V. Tilak, B. Green, V. Kaper, et al.//IEEE Electron Device Lett. 22, 504 (2001).

26. А.А. Арендаренко, А.Г. Васильев, B.H. Данилин, Т.А. Жукова, В.И. Конов, В.Г. Ральченко, А. В. Петров, Ю. В. Колковский. A.J1. Филатов. - Новое поколение полупроводниковых материалов и приборов с использованием микро- и нанокристаллических алмазных пленок и пластин. - Нитриды галлия, индия и алюминия - структуры и приборы,- Тезисы докладов 5-й Всероссийской конференции.- СПб.:- 2007.- С. 48-49.

27. А.А. Арендаренко, В.И. Конов, В.Г. Ральченко, В.Н. Данилин,

A.В. Петров, А.Г. Васильев, Ю.В. Колковский, Т.А. Жукова,

B.А.Сидоров. Способ изготовления полупроводникового прибора. //Патент №2368031. Приоритет от 01.04.2008.

28. Васильев А.Г., Колковский Ю.В., Концевой Ю.А. СВЧ транзисторы на широкозонных полупроводниках. М.: Техносфера, 2011. - 416с.

29. Inoue Т., Ando Y., Miyamoto Н. et al. // IEEE Trans. Microwave Theory and Techniques. - 2005. - V.53.- No 1,- p.p. 74-79

30. Makiyama et al.//IWN-2006

31. // IEEE Trans. Electron Dev.- 2005. - V. 26. - No 6. - p. 406

32. Kiiawa et al.//IWN-2008

33. Makiyama et al.//IWN-2008

34. Khan M.A., Simin G., Yang J. et al. // IEEE Trans. Microwave Theory and Techniques. 2003. - V. 51. - No 2. - p.p. 635-633

35. Masuda et al.//EuMC-2009

36. Wong M.H. et al.// PSS (a). - V.204. - 2049,- (2007)

37. Mishra Umesh K. EUROPEAN MICROWAVE WEEK , FOUR CONFERENCES. CNIT Paeis 24 September-1 October 1010. WFS01_6.pdf

38. Chung J.W., Lee D-S., Ryu K. et al. // EUROPEAN MICROWAVE WEEK , FOUR CONFERENCES. CNIT Paeis 24 September-1 October 1010. WFS01_7.pdf

39. Yi Pei, Siddharth Rajan, Masataka Higashiwaki et al.// IEEE ELECTRON DEVICE LETT., 2009. V. 30, NO. 4, p.313.

40. Desmaris V., Shiu Jin-Yu., Lu Chung-Yu et al. // J. Appl. Phys.- 2006. - V. 100. - P. 034904

41. Dora Y., Chakraborty A., Heikman S.et al. // IEEE Electron. Dev. Lett.- 2006. -V. 27.-No 7.-p.p. 529-531

42. Desmaris V., Eriksson J., Rorsman N., Zirath H. // Electrochem.Solid-State Lett.

- 2004. - V.7. p. G72

43. Roccaforte F., Iucolano F., Giannazzo F et al. // Appl. Phys. Lett. - 2006. - V. 89.-p. 022103

44. HU Cheng-Yu, AO Jin-Ping, OKADA Masaya, OHNO Vasuo // IEICE TRANS. ELECTRON. - 2008. - V.E91-C. - NO 7. - p.p. 1020-1024

45. Gila В., Lamberts E., Luo B. et al. // Mater. Res. Soc. Symp. Proc. - 2003. - V. 743.-L. 11.40

46. Qiao D., Jia L., Yu L.S. et al.// J. Appl. Phys., 2001, V.89, No 10, p.p. 5543-5546

47. Y Kribes, I Harrison, В Tuck, T S Cheng, С T Foxon// Semicond. Sci. Technol. V.12 (1997) p.p. 913-916.

48. Lei Wang, M. I. Nathan, TH. Lim, M. A. Khan, and Q. Chen // Appl. Phys. Lett. V.68, p. 1267(1996).

49. Lin Fang et al. // Chin. Phys. В V. 19, No. 12 (2010).

50. Macherzyrnski W. et al // Journal of ELECTRICAL ENGINEERING, V. 60, NO. 5, 2009, 276-278.

51. Q. Z. Liu, L. S. Yu, S. S. Lau, J. M. Redwing, N. R. Perkins et al. // Appl. Phys. Lett. V.70, 1275 (1997).

52. L. Zhou et al. Characterization of rhenium Schottky contacts on n-type AlxGai_xN //Electronic Letters 28th April 1999 V. 35, №9.

53. V. Kumar, D. Selvanathan, A. Kuliev, S. Kim, J. Flynn and I. Adesida// ELECTRONICS LETTERS 1st May 2003 V. 39, No. 9.

54. Chang Min Jeon, Ho Won Jang, Jong-Lam Lee // Appl. Phys. Lett. V.82, 391

(2003).

55. S.C. Binari, H.B. Dietrich, G. Kelner, L.B. Rowland, K. Doverspike and D.K. Gaskill // ELECTRONICS LETTERS 26th May 1994 V. 30 No. II.

56. Az. Ahaitouf, J. C. Gerbedoen , A. Soltani Process // J. Mater. Environ. Sci. 1 (SI) (2010) p.p. 309-312.

57. C. S. Lee, E. Y. Chang, D. Biswas, Li Chang, J. S. Huang. // Japanese Journal of Applied Physics, Volume 42, Issue 7A, p.p. 4193 (2003).

58. Liu Fang et al. // Chin. Phys. В, V. 20, No. 6 (2011).

59. Jihyun Kim, F. Ren, A. G. Baca, S. J. Pearton // Appl. Phys. Lett. V.82, p.3263

(2003).

60. Q. DIDUCK et al. // International Journal of High Speed Electronics and Systems V. 20, No. 3 (2011) 417^422.

61. N NANDA KUMAR REDDY et al. .// Bull. Mater. Sci., Vol. 35, No. 1, February 2012, p.p. 53-61.

62. Hashizume, Tamotsu; Kotani, Junji; Basile, Alberto; Kaneko, Masamitsu. // Japanese Journal of Applied Physics. Pt. 2, Letters & express letters, 45(4-7): L 111-L 113.

63. Zhaojun Lin, Hyeongnam Kim, Jaesun Lee, Wu Lu // Appl. Phys. Lett. V.84, p. 1585 (2004).

64. K. Suzue, S. N. Mohammad, Z. F. Fan, W. Kim, O. Aktas et al. //J. Appl. Phys. 80, 4467(1996).

65. T. N. Oder, P. Martin, J. Y. Lin, H. X. Jiang, J. R. Williams et al. // Appl. Phys. Lett. V.88, 183505 (2006).

66. А С Schmitz, A T Ping, M Asif Khan, Q Chen, J W Yang and I Adesida // Semicond. ci. Technol. 11 (1996) 1464-1467.

67. Khan M A, Chen Q, Shur M S, et al. // Electron. Lett. - 1996. - V.32. - p.357

68. Wu Y-F., Keller B. P., Keller S. et al. //IEEE Electron.Device Lett. - 1997. - V. 18,-p. 438 .

69. Compound Semicondustors. - 2000. - V.6. - No. l.-p. 13.

70. Pengelly R. // Compound Semiconductors. - 2000. -V. 6. - No. 4. - p.p. 36—40.

71. Nuttinck S., Pinel S., Gevara. E. et al. // In: 11 GAAS Symp. - Munich. -2003. -p.p. 213-215.

72. Swye B. S., Schlup J. R. and Edgar J. H. // Chem. Mater. - 1991,- V. 3. -

p. 1093

73. Кларк Эшли P., Эберхард Колин H.// Микросокпические методы исследования материалов. Пер. с англ. C.JI. Баженова. М.: Техносфера, 2007. - 376 с.

74. Koide Y. J., Itoh Н., Khan М. R. Н., et al. // J. Appl. Phys. - 1987. - V. 61. - p.

4540.

75. Groczyca I., Christensen N. E., Perlin P. et al.// Solid State Commun. — 1991. — V. 79.-p.1033.

76. Smith A. R„ Feenstra R. M., Greve D. W. et al. // Phys. Rev. Lett.- 1997. - V. 79.-p. 3934.

77. Sasaki T. and Zembutzu S. // J. Appl. Phys. - 1987. -V. 61. - p. 2533.

78. Ambacher O., Angerer H., Dimitrov R. et al. // Phys. Status Solidi, a. - 1997. -V.159. - p. 105.

79. . Zhong W., King-Smith R. D., and Vanderbilt D. // Phys. Rev. Lett. - 1994. -V.72. -p. 3618.

80. Кларк Эшли P., Эберхардт Колин H. // Микроскопические методы исследования материалов. М.: Техносфера, 2007.

81.Лютцау A.B., Крымко М.М., Енишерлова K.JL, Темпер Э.М., Разгуляев И.И.// Материалы электронной техники. №3. 2012, с.72-78.

82. Журавлев К.С., Мансуров В.Г., Преображенский В.В. и др. // В кн. Нано-технологии в полупроводниковой электронике/ Отв. ред. A.JI. Асеев. - Новосибирск: Издательство СО РАН. - 2004. - с.298-307.

83. Akasaki I., Amano Н.М., Kito M. et al. // J. Luminescence. - 1991. - V.48 & 49. - p. 666.

84. Batten T., Pomeroy J.W., Uren M.J. et al.// J. Appl. Phvs. - 2009. - V.106. -p. 094509 (1-4).

85. Свешников Ю.А. // Электронная техника. Сер.2. Полупроводниковые приборы. Вып. 1,(2011).

86. Dieter К., Schroder. // Semiconductor material and device characterixation. - Second edition. - NY.: Chichester/Weinheim/Brisbane/Singapore/Toronto. - 1998. - 760 p.

87. Афанасьев A.M., Александров П.А., Имамов P.M. // Рентгеноструктурная диагностика субмикронных слоев. M.: Наука. - 1989. - 152 с. ил.

88. Schiesser R., Dalmau R., Yakimova R., Sitar Z. //Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 2002.-V. 693.-p.545.

89. Микроанализ и растровая электронная микроскопия .Ред. Ф. Морис, J1. Мени, Р. Тиксье. - М.: Металлургия. 1985. - 408 с.

90. Барышников Ф.М., Зайцев A.A., Концевой Ю.А. // Электронная техника. Сер.2. Полупроводниковые приборы. Вып.2. 2010. стр. 8-12.

91. www.powdec.c0.ip

92. А.О. Герасимов и др. Импульсный усилитель мощности Х-диапазона на GaN СВЧ транзисторах: опыт изготовления,- М.: Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы, 2012, вып. 1 (228), с.41-49.

93. В.М. Миннебаев, A.B. Тихомиров, A.B. Ушаков. Материалы XI Всероссийской научно-технической конференции «твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА». «Пульсар-2012», M.: МНТОРС им. A.C. Попова, 2012, стр. 18-19.

94. И.М. Аболдуев, A.M. Зубков, В.М. Миннебаев, Ан.В. Редька. Материалы XI Всероссийской научно-технической конференции «твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА». «Пульсар-2012», М.: МНТОРС им. A.C. Попова, 2012, стр.20-21.

95. A.A. Глыбин, В.Е. Акинин, Ан.В. Редька. Материалы XI Всероссийской научно-технической конференции «твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА». «Пульсар-2012», М.: МНТОРС им. A.C. Попова, 2012, стр.22-23

96. Вендик О.Г., Парнес М.Д. Антенны с электронным движением луча (введение в теорию) // М. - 2001. С. - 250.

97. Full 360 Vector-Sum Phase-Shifter for Microwave System Applications/ Zheng Y., Saavedra C.E. // IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers. - 2010. -Vol. 57, №4. -PP. 752-758.

98. Ионов П.Л., Малышев И.В., Мухин И.И., Репин В.В. / Методы построения МИС векторных фазовращателей // Электроника, микро- и наноэлектроника. Сб. науч. тр.: НИЯУ МИФИ. 2011.С. 117-122.

99. Мухин И.И., Репин В.В. / Проектирование полупроводниковых БИС активных фазовращателей с использованием SiGe-БиКМОП-технологии // Известия высших учебных заведений. Электроника. Вып. 8. 2012. С. 54-59.

100. Елесин В.В., Назарова Г.Н., Чуков Г.В. / Маршрут исследований ИС многоразрядных фазовращателей и аттенюаторов для АФАР СВЧ диапазона // Известия высших учебных заведений. Электроника. Вып. 4. 2011. С. 78-85.

101. Hashemi Н., Guan X., Komijani A., Hajimiri А. / A 24-GHz SiGe Phased-Array Receiver - LO Phase-Shifting Approach // IEEE TMTT. vol. 53. № 2. 2005. pp. 614-626.

102. Амбуркин K.M., Чуков Г.В. / Разработка логического генератора-анализатора для испытаний СВЧ электрорадиоизделий с цифровым управлением // Электроника, микро- и наноэлектроника. Сб. науч. тр.: НИЯУ МИФИ. 2011. С. 123127.

103. В.В. Елесин, В.В. Репин, Г.Н. Назарова, И.И. Мухин, Н.А. Усачёв,Г.В. Чуков, К.М. Амбуркин. Материалы XI Всероссийской научно-технической конференции «твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА». «Пульсар-2012», М.: МНТОРС им. А.С. Попова, 2012, стр.29-33.

104. Ming Su, Xiaobin Xin: Materials Science Forum Vols. 527-529 (2006) pp. 1371-1374.

105. С.У. Солтаханов, А.Б. Полянов, А.В. Черных, В.В. Вейц. Материалы XI Всероссийской научно-технической конференции «Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА». «Пульсар-2012», М.: МНТОРС им. А.С. Попова, 2012, стр.38-39.

106. Kelson D. Chabak, James К. Gillespie, , Virginia Miller et al// IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, VOL. 31, NO. 2, FEBRUARY 2010, p.99-101.

107. G. H. Jessen, J. K. Gillespie, G. D. Via et al.// Proc. IEEE Compound Semicond. Ingter. Circuit Symp. Tech.Dig., 2006, pp. 271-274.

108. A.K. Ратникова. Автореферат диссертации «Создание высокоэффективных теплотводов на основе поликристаллического алмаза для мощных полупроводниковых приборов». ФГУП НПП «Исток», 2012 г.

109. М.В. Байдакова, А.Я. Вуль, В.Г. Голубев и др.// Физика и техника полупроод-ников, 2002, том 36, вып.6, с.651.

110 Vikharev A.L., Gorbachev A.M., Kozlov A.V. et al., //Diamond and Related Materials, 15, 502 (2006).

111 Vikharev A.L., Gorbachev A.M., Kozlov A.V. et al.//Diamond and Related Materials, 17, 1055 (2008).

112. www.intactive.ru/ru/brands/sekirus/ax5200rus/

113. www.gpi.ru/innov/b30.pdf

114. M. Seelmann-Eggebert et al.// Diamond Relat. Mater. 2001,10, p.744-749.

115 D. Floriot et al.// Pros, of relater Compounds application symposium Gaas. Paris. 2005. pp.541-544.

116. M. Füner, С. Wild, and P. Koidl, // Appl. Phys. Lett., V. 72, p. 1149, 1998.

117. M. Belmonte, A.J.S. Fernandes, F.M. Costa, F.J. Oliveira andR.F. Silva// Diam. Relat. Mater. 12 (2003) 733.

118. H. Buchkremer-Hermanns , H. Ren, G. Kohlschein, H. Wei// Surface and Coatings Technology 98 ( 1998) 1038-1046.

119. Yue Hao, Ling Yang, Xiaohua Ma et al.//IEEE Electron Device Lett. 2011. V32, No5, p.626.

120. Hyung-Seok Lee, Dong Seup Lee, Tomas Palacios // IEEE ELECTRON DEVICE LETT., 2011. V. 32, NO. 5, p.623.

121. F. Medjdoub, M. Zegaoui, D. Ducatteau et al.// IEEE ELECTRON DEVICE LETT., 2011. V. 32, NO. 7, p.874.

122. Man Hoi Wong, Yi Pei, David F. Brown // IEEE ELECTRON DEVICE LETT., 2009 V. 30, NO. 8, p.802.

123. Jinwook W. Chung, Edwin L. Piner, Tomás Palacios // IEEE ELECTRON DEVICE LETT., 2009. V. 30, NO. 2, p. 113

124. Schwierz, F., O. Ambacher. //Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications, 2003. EDMO 2003. The 11th IEEE International Symposium on. 2003.

125. Darwish АН M., Bayba A., Hung H.A. //2004 IEEE MTT-S Digest, p.2039-

2042.

126. Воробьев A.A., Воробьева E.B., Галдецкий А.В. // Электронная техника. Сер. 1. СВЧ-техника. вып.3(510). С.42-54.

127. Боголюбов А.Н., Кравцов В.В. Задачи по математической физике// Изд-во Московского университета. 1998 - С.90-95.

128. Боголюбов А.Н., Кравцов В.В. Задачи по математической физике// Изд-во Московского университета. 1998 - С. 157-169; см. также www.stu.semam.ru/bookemp.php.id

129. Физические величины. Справочник. Под ред. И.С. Григорьева, Е.З. Мей-лихова. -М.: Энергоатомиздат - 1991. 1232 с.

130. Глыбин A.A., Иванов К.А., Курмачев В.А., Филатов A.J1.// Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы.2012. Вып. 1. Стр.86-89.

131. Иванов К.А., Курмачев В.А., Филатов A.JI.// Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы.2012. Вып. 1. Стр.82-85.

132. Аветисян Г.Х., Гладышева Н.Б., Дорофеев A.A., Курмачев В.А. Полупроводниковый прибор (варианты). Патент на полезную модель № 126509, приоритет 24 сентября 2012 г.

133. Крымко М.М., Колковский Ю.В., Миннебаев В.М., Синкевич В.Ф., Курмачев В.А., Глыбин A.A., Борисов О.В., Легай Г.В. // Материалы XI Всероссийской научно-технической конференции. М.: МНТОРЭА им. A.C. Попова, 2012, с.9-12..

134. Борисов О.В., Герасимов А.О., Колковский Ю.В., Курмачев В.А., Минеба-ев В.М., Редька Ал. В., Синкевич В.Ф., Таран П.В. // Материалы XI Всероссийской научно-технической конференции. М.: МНТОРЭА им. A.C. Попова, 2012, с.13-17.

135. Глыбин A.A., Синкевич В.Ф., Курмачев В.А.// .// Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. 2012. Вып. 2. Стр.18-21.

136. Vashchenko V.A., Kozlov N.A., Martynov Y.B., Sinkevich V.F., Tager A.S.//IEEE transaction on electron devices. - 1996. - V.43. - N4. -p.513- 518

137. Kozlov N.A. , Sinkevich V.F., Vashchenko V.A. // Electronics letters. - 1992. - V.28. - N13. - p. 1265-1267

138. Концевой Ю.А., Курмачев В.A.II Интеграл. 2012. №2. Стр. 10-11.

139. Колковский Ю.В., Концевой Ю.А. //Электрические методы контроля параметров материалов и структур микроэлектроники. М:. МИРЭА. 2011, 32 с.

140. Анфимов И.М., Ванюхин К.Д., Курмачев В.А., Сейдман Л.А.// Материалы XI Всероссийской научно-технической конференции. М.: МНТОРЭА им. A.C. Попова, 2012, с. 147-149

141. Ванюхин К.Д. , Кобелева С.П., Концевой Ю.А., Курмачев В.А., Сейдман Л.А.// Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2012. №4 с.33-36

142.Енишерлова-Вельяшева К.Л., Концевой Ю.А., Курмачев В.А., Митрофанов Е.А., Симакин С.Б.// «Вакуумная наука и техника». Материалы XIX научно-технической конференции. Под ред. д.т.н., профессора Д.В. Быкова. М,- МИЭМ. 2012. с.159-160

143. Енишерлова-Вельяшева К.Л., Концевой Ю.А., Курмачев В.А., Митрофанов Е.А., Симакин С.Б.//Вакуумная техника, материалы и тех-

нология. Материалы VII международной научно-технической конференции (Москва, КВЦ «Сокольники» 2012, 10-12 апреля, с.87-89

144. Курмачев В.А.// Интеграл. 2012. №4. Стр.28-31

145. Vandermissen R., Das J., Ruythooren W. et al.// Proceedings of the Internat. Conf. on GaAs Manufacturing Technology, New Orleans, 2005, p. 13

146. Chini A., Wittich J., Heikman S. et al. // IEEE Electron Device Lett. 25, 55

(2004)

147. Сайт фирмы «Теег Coatings Ltd» http://www.teerC0atinqs.CQ.uk

148. Cooke K.E., Hamsphire J., Southall W., Teer D.C. // Surface & Coatings Technology 201 (2006), p.p. 3959-3963.

149. Mileham J., Pearton S., Abernathy С et al. // Appl. Phys. Lett. 67, 1119 (1995).

150. Pearton S., Shul R., Ren F. // MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 5, 11

(2000).

151. Плазменная технология в производстве СБИС. Под ред. Н. Айнспруке и Д. Брауна // Пер. с англ. под ред. Е.С. Машковой. М.: «Мир», 1987, 470 с

152. Берлин Е.В., Сейдман JI.A. Ионно-плазменные процессы в тонкопленочной технологии // Москва: Техносфера, 2010. - 528 с

153. Kikuta J.A.D., Kubota N., Naoi Y., Ohno Y, // IEEE Electron Device Lett. 24, 500 (2003)

154. Берлин E.B., Воробьёв Л., Сейдман Л.А. // ЭЛЕКТРОНИКА: Наука, технология. Бизнес. 2002, вып.5, с. 50-52.

155. Гуськов Б.Л., Завадский Ю.И., Концевой Ю.А., Курмачев В. А., Резвый P.P.// Электронная промышленность. 2012. №1. Стр.29-43

156. Проспект фирмы NITRONEX, 2006.

157. Joshi R., Neudeck P., Fazi C.//J. Appl. Phys. V.88, p. 265 (2000).

158. Аветисян Г.Х., Адонин А.С., Дорофеев А.А. Колковский Ю.В., Курмачев B.A., Миннебаев В.М. Мощный транзистор. Положительное решение Роспатента от 11 марта 2013 г. по заявке на полезную модель № 2012156270/28(088986) с приоритетом 25.12.2012.

159. Ванюхин К.Д., Захарченко Р.В., Концевой Ю.А., Курмачев В.А., Сейдман Л.А..Исследование однородности поверхностного сопротивления металлических пленок, полученных термическим испарением. Тезисы доклада на Всероссийской научной конференции - Научной Сессии НИЯУ МИФИ - 2013, г. Москва, проводимой в НИЯУ МИФИ с 01 по 06 февраля 2013 г.

160. LARS FREDRIK VOSS. //A DISSERTATION. UNIVERSITY OF FLORIDA.

2008.

161. Lossy R., Blanck H., Wurfl J//Microelectronics Reliab. V52, No 9,10, p.2144

(2012.)

162. Chin Lin, Kao Fu// Microelectronics Reliab. V.51 No 5 (2011)

163. Morkoc Hadis Handbook of Nitride Semiconductors and Devices. // WILEY-VCH Verlag Gmb H&Co.K Ga, 2008. P.40

164. Мак L.K., Rogers C.Y., Northrop D.C.// J. Phys. E. Sci Instr. V22, p.p. 317321, May 1989.

165. Курмачев В.А. Иридиевые контакты для гетероструктур AlGaN/GaN // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. 2013. Вып. 1.

[166]. Патент РФ № 2463685, опубликован 10.10.2012

[167] Патент США № 2006113545, опубликован 01.06.2006