Комплексная характеризация кристаллов CdTe и GaAs для создания технологии полупроводниковых детекторов рентгеновского и гамма излучений тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Артёмов, Владимир Викторович

• Артёмов, Владимир Викторович
• кандидат физико-математических наук
• 2005

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Артёмов, Владимир Викторович

ГЛАВА 1. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ

1.1. Конструкция и основные типы полупроводниковых детекторов

1.2. Материалы для полупроводниковых детекторов

1.3. Обзор методов исследования полупроводниковых кристаллов методами растровой и просвечивающей электронной микроскопии

ГЛАВА 2. ОПИСАНИЕ МЕТОДИК ИССЛЕДОВАНИЯ

2.1. Растровая электронная микроскопия

2.2. Просвечивающая электронная микроскопия

2.3. Технология получения монокристаллов CdTe. Конструкция печи. Метод Обреимова-Шубникова

ГЛАВА 3. ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛУЧЕННЫХ КРИСТАЛЛОВ CdTe

3.1. Образцы, выращенные в кварцевом тигле. Монотонное охлаждение

3.2. Образцы, выращенные в кварцевом тигле. Ступенчатое охлаждение

3.3. Образцы, выращенные в тигле из стеклоуглерода и нитрида бора. Ступенчатое охлаждение

3.4. Исследование микровключений в кристаллах CdTe

3.5. Определение транспортных характеристик монокристаллов CdTe

3.6. Получение и свойства детекторных структур, полученных на основе монокристаллов CdTe

ГЛАВА 4. ИССЛЕДОВАНИЕ ДЕТЕКТОРОВ РЕНТГЕНОВСКОГО И ГАММА ИЗЛУЧЕНИЙ НА ОСНОВЕ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ

4.1. Образцы с подложкой, легированной теллуром (ЭТ-379Т)

4.2. Образцы с подложкой, легированной углеродом (ЭТ-388)

4.3. Образцы с подложкой, легированной оловом (ЭТ-379)

4.4. Образцы с подложкой, легированной углеродом (ЭТ-380)

4.5. Исследование влияния приложенного смещения на размер и форму ОПЗ детекторной структуры (образец ЭТ-380) и эффективность сбора носителей

ВЫВОДЫ

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Комплексная характеризация кристаллов CdTe и GaAs для создания технологии полупроводниковых детекторов рентгеновского и гамма излучений»

Актуальность проблемы

В последнее время проявляется значительный интерес к полупроводниковым материалам типа АПВУ1 и АШВУ, применяемым для изготовления детекторов рентгеновского и гамма излучений, которые используются в медицине, биологии, для неразрушающего контроля и анализа, а также в космической физике и других областях техники. К таким материалам в первую очередь относятся СсГГе и ваАз. Радиационные детекторы на их основе работают при комнатной температуре, это выгодно отличает их от детекторов, работающих лишь при температуре жидкого азота. Следует отметить, что не менее важным является применение СсГГе в электрооптических приборах.

Несмотря на видимое сходство (кристаллическое строение, ширина запрещенной зоны), проблема получения детекторных приборов на кристаллах ваАэ и СсГГе различна. За последние десятилетия были разработаны надежные методы получения однородного бездефектного монокристаллического ОаАэ, чего нельзя сказать о С(1Те. Тем не менее, СсГГе в перспективе видится более привлекательным вследствие более высоких значений атомного номера и диффузионной длины неосновных носителей заряда. Однако чисто технологические ограничения в достижении большой диффузионной длины носителей заряда и высокого сопротивления этих кристаллов затрудняют их широкое применение в качестве детекторов. К тому же монокристаллы СсГГе, выращенные существующими методами, характеризуются неоднородностью микроструктуры (двойники, преципитаты, малоугловые границы и др.), а также электрических и физических свойств, что также снижает качество детекторов.

Можно выделить два основных направления решения проблемы получения детекторных кристаллов с необходимыми свойствами:

1. отработка режимов роста и посткристаллизационного охлаждения кристаллов с высоким структурным совершенством (особенно для С(1Те);

2. выращивание толстых эпитаксиальных слоев высокого качества с низким содержанием примесей, дефектов структуры и высоким сопротивлением (особенно для СаАз).

Поэтому выбор в качестве исследуемых объектов полуизолирующих монокристаллов СёТе, которые получены новым, принципиально отличным методом и для которых нехарактерны классические дефекты микроструктуры, и гомоэпитаксиальных структур типа р+-п-п'-п+ на основе ваАБ отвечает упомянутым основным направлениям и актуален.

Цель и основные задачи работы:

1. комплексное исследование методами растровой и просвечивающей электронной микроскопии микроструктуры полученных методом Обреимова-Шубникова полуизолирующих кристаллов Сс1Те и их транспортных характеристик;

2. оптимизация технологии выращивания кристаллов на основе результатов данных исследований;

3. изучение диффузионных р-п переходов с целью получения детекторов рентгеновского и гамма излучений на базе монокристаллов СсГГе;

4. локальное качественное исследование внутреннего встроенного поля гомоэпитаксиальных р+-п-п'-п структур на основе ваАБ для определения его характера и эффективности сбора инжектированных носителей.

Научная новизна работы заключается в том, что монокристаллы СсГГе, полученные методом Обреимова-Шубникова с применением техники самозатравления и ступенчатого посткристаллизационного охлаждения, основанного на фазовых переходах в этих кристаллах, впервые были исследованы методами катодолюминесценции (КЛ) и наведенного тока (ИТ). Благодаря этим исследованиям выявлены принципиальные преимущества ступенчатого охлаждения. Были получены новые данные о совершенстве микроструктуры кристаллов СсГГе нетипичные для кристаллов, выращенных из раствора. Также методом КЛ и НТ впервые исследовались гомоэпитаксиальные структуры на основе ваАэ, работающие в качестве детекторов рентгеновского и гамма излучений. Проведенные исследования позволили впервые оценить характер распределения электрического поля в данном типе структур и предложить модель лавинного умножения.

Практическое значение

На основе комплексного исследования методами КЛ, НТ, просвечивающей электронной микроскопии монокристаллов СсГГе, полученных в разных экспериментальных условиях, отработан режим посткристаллизационного охлаждения. Это позволило воспроизводимо получать кристаллы с улучшенными структурными, транспортными и оптическими характеристиками, что способствовало, наряду с получением полупроводниковых слитков большого диаметра, разработке промышленной технологии получения монокристаллов СсГГе. Создана методика локального исследования детекторных фотовольтаических эпитаксиальных структур на основе ваАБ методами НТ и КЛ, выявляющая картину распределения встроенных в обедненной области полей и позволяющая повысить выход годных детекторов.

• Результаты исследований методами КЛ и НТ полуизолирующих монокристаллов Сс1Те, выращенных методом Обреимова-Шубникова. Полученные данные по распределению дефектов в монокристаллах СсГГе, выращенных в различных условиях, способствовали усовершенствованию методики получения кристаллов теллурида кадмия с совершенной структурой и высокими стабильными электрофизическими параметрами.

• Разработка измерительного стенда для исследования полупроводниковых детекторных кристаллов.

• Закономерности образования дефектов, выявляемых методом КЛ. При применении ступенчатого охлаждения и управления отклонением состава от стехиометрии концентрация дефектов уменьшается на два порядка, дислокации не собираются в малоугловые границы и границы блоков, отсутствуют преципитаты.

• Результаты исследования гомоэпитаксиальной структуры на основе ваАз методами НТ и КЛ. Встроенное поле занимает всю активную область п-ваАБ, оно неоднородно и обладает высокой эффективностью сбора неосновных носителей заряда.

Апробация работы

Основные результаты работы докладывались и обсуждались на молодёжном конкурсе научных работ ИКР АН, в 2001 году; международных и национальных конференциях: X Национальной конференции по росту кристаллов, ИКР АН, Москва, 2002 г.; XIX Российской конференции по электронной микроскопии, Черноголовка, 2002 г.; 60М Международном совещании по оценке и контролю полупроводниковых соединений и технологий (ЕХМАТЕС 2002),

Будапешт, Венгрия, 2000 г.; XIII Российском симпозиуме по растровой электронной микроскопии и аналитическим методам, Черноголовка, 2003 г.; X Международной конференции по дефектам: поиск, отображение и физика в полупроводниках (DRIP X), Бац-сюр-Мер, Франция, 2003 г; XX Российской конференции по электронной микроскопии, Черноголовка, 2004 г.; XI Национальной конференции по росту кристаллов, Москва, 2004 г.

Основные результаты диссертации опубликованы в следующих работах:

1. Артёмов В.В, Каневский В.М., Иванов Ю.М. Исследование структуры кристаллов CdTe методами просвечивающей и растровой электронной микроскопии // Тезисы докладов XIX Российской конференции по электронной микроскопии. Черноголовка. 2002. С. 134.

2. Иванов Ю.М., Каневский В.М., Чудаков B.C., Артёмов В.В., Пашаев Э.М., Поляков А.Н. Получение беспреципитатных полуизолирующих монокристаллов CdTe оптического качества // Тезисы докладов X Национальной конференции по росту кристаллов. Москва. ИК РАН. 2002. С.79.

3. Ivanov Yu. М, Kanevsky V.M., Artemov V.V., Polyakov A.N., Abramets Yu. V., Pashaev E.M., Dvoryankin V.F., Kudryashov A.A., and Horvath Zs. J. Preparation of the CdTe Single Crystal Wafers for X-ray Detectors // Book of Abstracts 6th International Workshop on Expert Evaluation & Control of Compound Semiconductor Materials & Technologies. Budapest, Hungary. 2002. P.68.

4. Ivanov Yu. M., Kanevsky V.M.,. Dvoryankin V.F, Artemov V.V., Polyakov A.N., Kudryashov A.A., Pashaev E.M., and Horvath Zs. J. The possibilities of using semi-insulating CdTe ciystals as detecting material for X-ray imaging radiography // Phys. Stat. Sol. (c). No. 3. 2003. P. 840844

5. Артёмов B.B., Каневский B.M., Иванов Ю.М. Исследование структуры кристаллов CdTe методами просвечивающей и растровой электронной микроскопии // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2003. №3. С. 96-98.

6. Артёмов В.В., Иванов Ю.М., Дворянкин В.Ф., Телегин А.А. Исследование структур на основе CdTe и GaAs, используемых в качестве детекторов рентгеновского и гаммам излучений, методами сканирующей катодолюминесценции и наведенного тока // Тезисы докладов XIII Российского симпозиума по растровой электронной микроскопии и аналитическим методам. Черноголовка. 2003. С.89.

7. Артёмов В.В., Иванов Ю.М., Каневский В. М., Поляков А.Н. Исследование дефектов в кристаллах CdTe методом интегральной катодотолюминесценции // Тезисы докладов XX Российской конференции по электронной микроскопии. Черноголовка. 2004. С.71.

8. Ivanov Yu. М., Artemov V. V., Kanevsky V. М., Polyakov A. N., Chudakov V. S., Pashaev E. M. and Senin R. A. Production of structurally perfect single crystals of CdTe and CdZnTe // The European Physical Journal Applied Physics. Special Issue: DWP X. 2004. V. 27 No. 1-3 (July-September) P. 371

9. Иванов Ю.М., Артёмов B.B., Каневский B.M., Поляков А.Н., Чудаков B.C., Пашаев Э.М., Сенин Р.А. Получение структурно-совершенных кристаллов CdTe. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2004. №9. С. 12-16.

10. Иванов Ю.М., Каневский В.М., Поляков А.Н., М.Д. Зенкова, Артёмов В.В., Бычков Е.Б., Чудаков B.C., Пашаев Э.М., Акчурин

М.Ш., Асадчиков В.Е. Рост и исследование монокристаллов СёТе // Тезисы докладов XI Национальной конференции по росту кристаллов. Москва, ИК РАН. 2004. С. 135.

Диссертационная работа состоит из введения, четырех глав, заключения и списка литературы. В первой главе производится обзор литературы, посвященный полупроводниковым детекторам рентгеновского и гамма излучений, их свойствам и методам исследования структур на их основе на базе электронного сканирующего и просвечивающих микроскопов. Во второй главе описаны экспериментальная установка на базе растрового электронного микроскопа и методики приготовления образцов. В третьей и четвертой главах приведены экспериментальные результаты. В заключении сформулированы основные выводы, сделанные по работе.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Артёмов, Владимир Викторович

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

1. На базе коммерческого РЭМ Philips SEM 515 создан специальный измерительный автоматизированный комплекс для исследования полупроводниковых кристаллов методами KJI и HT.

2. Методом KJI исследована микроструктура монокристаллов CdTe, полученных модифицированным методом Обреимова-Шубникова. Установлены закономерности формирования дефектов при различных условиях роста: применение ступенчатого охлаждения кристаллов значительно улучшает микроструктуру (отсутствуют блочные границы, сетка дислокаций носит хаотичный характер).

3. Исследование структуры этих кристаллов методом ВРЭМ не выявило преципитатов теллура нанометрового размера, которые характерны для кристаллов CdTe, полученных другими методами. При нарушении условий роста и стехиометрии в кристаллах обнаружены преципитаты микронного размера, декорирующие двойниковые границы.

4. С помощью метода HT определена диффузионная длина неосновных носителей заряда, исследованы барьерные и диодные структуры, применяемые в качестве детекторов. Исследована глубина залегания диффузионных р-n переходов, позволившая установить аномально большую скорость диффузии, что объясняется междоузельной диффузией в компенсированном кристалле.

5. Методами HT и KJI изучена электрическая активность принципиально новой р+-п-п -п+ - структуры на основе GaAs. Исследована конфигурация встроенного поля этой структуры, позволяющая ей работать без приложенного обратного смещения. Установлено, что во всех образцах поле распределено неравномерно, но занимает всю активную область п.

6. Методом НТ оценена эффективность сбора неосновных носителей заряда. Установлено, что величина обратного смещения для данной структуры не превышает 20 В. При больших значениях возникает пробой данной структуры. Подача обратного смещения приводит к увеличению области объемного заряда в 1,5 раза, что ведет к увеличению эффективности сбора.

7. На р+-п-п -п+ - структуре на основе ваАБ с подложкой, легированной теллуром, выявлена причина их плохой работы — активная область п-ваАз очень неоднородна и содержит области с практически нулевым сбором заряда. Выявлено большое количество электрически активных дефектов в подложке, легированной теллуром.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Артёмов, Владимир Викторович, 2005 год

1. Дирнли Дж., Нортон Д. Полупроводниковые счетчики ядерных излучений. М.: Мир. 1966. 360 с.

2. Breskin A. Photon detectors for the 21st century // Nuclear Instruments and Methods in Physics Reseach A. 1997. V.387. P. 1-18.

3. Eisen Y., Shor. A. CdTe and CdZnTe materials for room-temperature X-ray and gamma ray detectors // Journal of Crystal Growth. 1998. V. 184/185 P. 1302-1312.

4. Limousin O. New trends in CdTe and CdZnTe detectors for X-ray and gamma-ray applications // Nuclear Instruments and Methods in Physics Reseach A. 2003. V.504. P. 24-37.

5. Физическая энциклопедия. Т.4. M: Большая Российская энциклопедия. 704 с.

6. Зи С. Физика полупроводниковых приборов (в двух книгах). М.: Мир. 1984.

7. Asahi Т., Oda О., Taniguchi Y., Koyama A. Characterization of 100 mm diameter CdZnTe single crystals grown by vertical gradient freezing method // J. Crystal Growth. 1995. V. 149. P. 23-29.

8. Thomas R.N., Hobgood H.M., Ravishankar P.S. and Braggis T.T. Meeting device needs through melt growth of large-diameter elemental and compound semiconductors //J. Ciystal Growth. 1990. V. 99. P. 643.

9. Wald F.V, Bell R.O. Natural and forced convection during solution growth of CdTe by traveling heater method // J. Crystal Growth. 1975. V. 30. P. 29-36.

10. Bruder M., Nitsche R. Seeded vapor growth of cadmium telluride using focused radiation heating // J. Crystal Growth. 1985. V. 72. P. 705-710.

11. Triboulet R., Marfaing Y. CdTe growth by multipass THM and sublimation THM //J. Crystal Growth. 1981. V. 51. P. 89-96.

12. Minoru Funaki, Tsutomu Ozaki, Kazuyu Satoh, Ryoichi Ohno. Growth and characterization of CdTe single crystals for radiation detectors // Nuclear Instruments and Methods in Physics Reseach A. 1999. V.436. P. 120-126.

13. Khan A.A., Allred W.P, Dead B. et al. Growth and structural propeties of low defect, sub-grain free CdTe substrates growth by the horizontal bridgman technique. //J. Electronic Materials. 1986. V. 15, N 3. P. 181-184.

14. Rudolph Peter and Muhlberg Manfred. Basic problems of vertical Bridgman growth of CdTe // Material Science and Engineering. В16. 1993. P. 8-16.

15. Shen J., Aidun D.K., Regel L. and Wilcox W.R. Characterization of precipitates in CdTe and CdixZnxTe grown by vertical Bridgman-Stockbatger Technique // J. Crystal Growth. 1993. V. 132. P. 250-260.

16. Szeles Csaba, Eissler Elgin E. Current Issue of High-Pressure Bridgman Growth of Semi-Insulating CdZnTe // Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 1998. V. 484. P.309.

17. Sato K., Seki Y., Matsuda Y., Oda O. Recent developments in II-VI substrates //J. Crystal Growth. 1999. V.197. P. 413-422.

18. Иванов Ю.М. Выращивание монокристаллов с использованием эффекта самозатравления // Неорганические материалы. 1998. Т. 34. №9. С. 1062-1068.

19. Seto S., Tanaka A., Masa Y. and Kawashima M. Chlorine-related photoluminescence line in high-resistivity Cl-doped CdTe // J. Crystal Growth. 1992. V. 117. P. 271-275.

20. Magee T.J., Peng J., Bean J. Microscopic defects and infra-red absorption in CdTe // Phys. Stat. Sol. (a). 1975. V.27. P. 557-564.

21. Williams D.J. Precipitation in CdTe, CdZnTe and CdTeSe // Propeties of narrow gap cadmium-based compounds. London: INSPEC. 1994. P. 510-515.

22. Vere A.W., Steward V., Jones C.A. at al. Growth of CdTe by solvent evaporation // J. Crystal. Growth. 1985. V. 72. N 1- 2. P. 97-101.

23. Wada M., Suzuki J. Characterization of Te precipitates in CdTe crystals // Jap. J. Appl. Phys. Lett. 1988. V. 27, N 6. P. L972-L975.

24. Shin S.H., Bajaj J., Moudy L.A., Cheung D.T. Characterization of Te precipitates in CdTe crystals. // Appl. Phys. Lett. 1983. V.43, N 1. P. 68-70.

25. Schwarz R., Benz K.W. Thermal field influence on the formation of Te inclusion in CdTe grown by the travelling heater method // J. Cryst Growth. 1994. V. 144. P. 150-156.

26. Rudolph P., Neubert M., Muhlberg M. Defects in CdTe Brigman monocrystals caused by nonstoichiometric growth-conditions // J. Cryst. Growth. 1993. V. 128, N 1-4. P. 582-587.

27. Loginov Y.Y., Brown P.D., Durose K., Thomson N., Alnajjar A.A., Brinkman A.W. and Woods J. Transmission electron microscopic studies of n-and p-type doped CdTe // J. of Crystal Growth. 1992. V. 117. P. 259-265.

28. Khusainov A. Kh, Dudin A.L, lives A.G, Morozov V.F., Pustovoit A.K., Arlt R.D. High performance p-i-n CdTe and CdZnTe detectors // Nuclear Instruments and Methods in Physics Reseach A. 1999. V.428. P.58-65.

29. Giboni Karl-Ludwig, Aprile Elena. Evaluation of CdTe detectors with Schottky contacts for imaging applications // Nuclear Instruments and Methods in Physics Reseach A. 1998. V.416. P. 319-327.

30. Niraula M., Mochizuki D., Aoki T., Tomota Y., Hatanaka Y. Perfomance of CdTe gamma-ray detectors fabricared in a new M-7t-n design // Journal of Crystal Growth. 2000. V. 214/215. P. 1116-1120.

31. Lachnish Uri. CdTe and CdZnTe semiconductors gamma detectors equipped with ohmic contacts. // Instruments and Methods in Physics Reseach A. 1999. V.436. P. 146-149.

32. Buttar M. GaAs detectors A review // Nuclear Instruments and Methods in Physics Reseach A. 1997. V.395. P. 1-8.

33. Cola A., Vasanelli L., Reggiani L., Cavallini A., Nava F. Microscopic modelling of semi-insulating GaAs detectors // Nuclear Instruments and Methods in Physics Reseach A. 1999. V.395. P. 98 -100.

34. Tyazhev A.V., Budnitsky D.L., Koretskaya O.B. et al. GaAs radiation imaging detectors with an active layer thckness up to 1 mm // Instruments and Methods in Physics Research A. 2003. V.509. P. 34-39.

35. Markov A.V., Mezhennyi M.V., Polyakov A.Y. et al. Semi-insulatiog LEC GaAs as a material for radiation detectors: materials science issue. // Instruments and Methods in Physics Research A. 2001. V.466. P. 14-24.

36. Bourgoin J.C., Sun G.C. GaAs Schottky versus p/i/n diodes for pixellated X-ray detectors // Instruments and Methods in Physics Research A. 2002. V.487. P. 47-49.

37. Beaumont S.B., Bertin R., Booth C.N. et al. Gallium Arsenide detectors for minimum ionizing particles // Nuclear Physics В (Proc. Suppl.). 1993. V.32. P. 296-299.

38. Ayzenshtat G.I., Budnitsky D.L., Koretskaya O.B. et al. GaAs resistor structure for X-ray imaging detectors // Instruments and Methods in Physics Research A. 2002. V.487. P. 96-101.

39. Breelle E., Samic H., Sun G.C., Bourgoin J.C. Perfomances of epitaxial GaAs detectors // Instruments and Methods in Physics Research A. 2003. V.509. P. 26-29.

40. Практическая растровая электронная микроскопия. Под ред. Голстейна и X. Яковица. М.: Мир. 1978. 656 с.

41. Inoue Morio, Teramoto Iwao, and Takayanagi Shigetoshi. Cd and Те Dislocations in CdTe // Journal of Applied Physics. 1963. V. 34. P. 404.

42. Inoue Morio, Teramoto Iwao, and Takayanagi Shigetoshi. Etch Pits and Polarity in CdTe Crystals // Journal of Applied Physics. 1962. V. 33. P. 2578.

43. Watson C.C.R., Durose K., Banister A.J., O'Keefe E., Bains S.K. Qualification of a new defect revealing etch for CdTe using cathodoluminescence microscopy // Materials Science and Engineering. 1993. V.B16. P. 113-117.

44. Hahnert I. and Schenk M. New defect etchants for CdTe and Hg!xCdxTe // J. Crystal Growth. 1990. V. 101. P. 251-255.

45. D. Rose, K. Durose, W. Palocz, A. Szczerbakow and K. Graza. " Methods of dislocation distribution analysis and inclusion identification with application to CdTe and (Cd,Zn)Te. J.Phys D Appl. Phys. V.31 1998 pp. 1009-1016.

46. Дюков В.Г., Непийко С.А., Седов Н.Н. Электронная микроскопия локальных потенциалов. Киев. Наукова Думка. 1991. 200 с.

47. Leamy H.J. Charge Collection scanning electron microscopy // J. Appl. Phys. 1982. V.53 P. R51-R79

48. Селезнева M.A., Филиппов C.C. Решения стационарного уравнения диффузии с точечным источником для электронно-зондового метода исследования полупроводников // Препринт №38 за 1975. ИПМ АН СССР.

49. Капауа К. and Okayama S. Penetration and energy-loss theory of electrons in solid targets // J. Phys. D: Appl. Phys. 1972.V.5. P. 43-58.

50. Niedring H. Electron backscattering from thin films // J. Appl. Phys. 1982. V. 53. P. R15-R49.

51. Everhart Т.Е. and Hoff P.H. Determination of kilovolt electron energy dissipation vs penetration distance in solid materials // J.Appl. Phys. 1971.V.42 P. 5837- 5846.

52. Конников С.Г., Соловьев B.A., Уманский B.E., Чистяков В.М., Хусаинов А.А., Чистяков В.М., Яссиевич И.Н. Ток, индуцированный электронным зондом в полупроводниковых гетероструктурах // Физика и техника полупроводников. 1987. Т. 21. вып. 9. С. 1648.

53. Конников С.Г., Соловьев В.А., Уманский В.Е., Чистяков В.М. Функция генерации электронно-дырочных пар в полупроводниках АШВУ при возбуждении электронным пучком // Физика и техника полупроводников. 1987. Т. 21. С. 2029.

54. Franc J., Belas Е., Toth A.L., Ivanov Yu. M., Sitter H., Moravec P.and Hoschl P. Determination of diffusion lengths of minority carriers in CdixZnxTe (x « 0.04) by the EBIC method // Semicond. Sci. Technol. 1998. V.13. P. 314317.

55. Wu C.J. and. Witty D.B Investigation of minority-carrier diffusion lengths by electron bombardment of Schottky barriers // J. Appl.Phys. 1978. V. 49(5) P. 2877.

56. Yakimov E.B. Electron-beam-induced-current study of Defects in GaN: experiments and simulation // J.Phys.: Condens. Matter. 2002. V.14. P. 1306913077.

57. Sirotkin V.V., Yakimov E.B. and Zaitsev S.I. Numerical Simulation of the signal Formation in a scanning electron microscope with remote electrodes. // J. Phys.: Condens. Matter. 2002. V.14 P. 13147-13152.

58. Якимов Е.Б. Определение локальных электрических параметров полупроводниковых материалов методами растровой электронной микроскопии (обзор) // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. 2002. №1.Том 68. С. 63.

59. Бондаренко И.Е., Панин Г.Н., Якимов Е.Б. Возможности использования метода наведенного тока для изучения распределения точечных дефектов // Известия Академии Наук СССР. Серия Физическая. 1988. Т.52. №7. С.1380.

60. Donolato С. Charge collection in a Schottky diode as a mixed boundary value problem // Solid-State Electronic. 1985. V.28. P. 1143.

61. Макеев M.A., Якимов Е.Б. Исследование электрических неоднородностей кремниевых структур с лавинным умножением в режиме наведенного тока // Известия Академии Наук СССР. Серия Физическая. 1990. Т.54. №2. С. 293.

62. Holt D.B. REBIC Analysis of Grain Boundaries in Semi-Insulating and Ceramic Materials // European Microscopy and Analysis. 2001. November. P. 11-12.

63. Holt D.B., Raza В., Wojcik A. EBIC studies of grain boundaries // Materials Science and Engineering. B42. 1996. P. 14-23.

64. Edwards P.R, Galloway S.A., Durose K. EBIC and luminescence mapping of CdTe/CdS solar cells // Thin Solid Films. 2000. V. 361-362 P. 364-370.

65. Akamatsu В., Henoc J., and Henoc P. Electron beam-induced current in direct band-gap semiconductors //J. Appl. Phys. 1981.V. 52(12). P. 7245-7250.

66. David C. Joy. The interpretation of EBIC images using Monte Carlo simulation//Journal of Microscopy. V. 143. 1986. P. 233-248.

67. Donolato C. A reciprocity theorem for charge collection // Appl. Phys. Lett. 1985. V. 46. P.270.

68. Donolato C. // Scanning Microsc. 1988. V. 2. P. 801.

69. Panin G., Diaz-Guerra C., and Piqueras J. Characterization of Charged defects in CdxHgixTe and CdTe crystals by electron beam induced current and scanning tunneling spectroscopy // Applied Physics Letters. 1998. V. 72. N. 17. P. 2129-2131.

70. Donolato C. Venturi P. Influence of generation distribution on the calculated EBIC contrast of line defects //Phys. Stat. Sol. (a) V.73. P.377.

71. Ioannou D.E., Davidson S.M. Diffusion length evaluation of boron-implanted silicon using the SEM-EBIC/Schottky diode technique // J. Phys. D. 1979. V. 12. P. 1339.

72. Михеев Н.Н., Никоноров И.М., Петров В.И.,. Степович М.А Католюминесценция монокристаллического теллурида кадмия // Известия Академии Наук СССР. Серия Физическая. 1990. Т.54. №2. С. 332.

73. Аль Шаер В. Катодолюминесценция полупроводников в условиях высокого уровня возбуждения // Известия Академии Наук СССР. Серия Физическая. 1990. Т.54. №2. С.267.

74. Panin G., Piqueras J., Sochinskii N.V., Dieguez E. Cathodoluminescence study of the effect of annealing in Hgl2 vapor on the defect structure of CdTe // Materials Science and Engineering B42. 1996. P. 277-283.

75. Петров В.И. Катодолюминесцентная микроскопия //УФН. 1996. Т. 166. №8. с. 859-871.

76. Брук А.С., Говорков А.В., Мильвидский М.Г., Шленский А.А., Югова Т.Г. Микрокатодолюминесцентные исследования переходных слоев в эпитаксиальных структурах арсенида галлия // Известия Академии Наук СССР. Серия Физическая. 1990. Т.54. №2. с.339.

77. Chin А.К. Evaluation of Defects in CdTe Using a Simple Cathodoluminescence Technique // J. Electrochem. Soc.: Solid-State Science and Technology. 1982. V. 129. No.2. P. 369-374.

78. Chin A.K., Temkin H., and Roedel RJ. Transmission Cathodoluminescence: A new SEM technique to study defects in bulk semiconductor sample // Appl. Phys. Lett. 1979. V. 34. P. 476-478.

79. Chin A.K., Temkin H., Mahajan S., and Bonner W.A. Evaluation of defects in InP and InGaAsP by transmission cathodoluminescence // J. Appl. Phys. 1979.V. 50. P. 5707-5709.

80. Cusano D.A. Radiative recombination from GaAs directly excited by electron beams 11 Solid State Communications. V. 2. 1964. P. 353-358.

81. Yacobi B.G, Holt D.B. Cathodoluminescence microscopy of inorganic solids. Plenum Press. New York. 1990. 293 c.

82. Петров В.И. Сканирующая катодолюминесцентная микроскопия // Известия Российской Академии наук. Серия физическая. Т. 56. №3. 1992. С.2-27.

83. Wittry D.B., Kyser D.F. Use of electron probe in the study of recombination radiation//J. Appl. Phys. 1964. V. 35. P.2439.

84. Steyn J. B., Giles P.and. Holt D.B. //J.Microscopy. 1976. V.107. P.107

85. Bond E.F., Haggis G.H. and Beresford D. // J.Microscopy. 1974. V.100. P.271

86. Marek J., Geiss R., Glassman L.M., Scott M.P. A novel scheme for detection of defects in III-V semiconductors by cathodoluminescence // J. Electrochem. Soc. V.132, 1985, P. 1502.

87. B.D. Chase, D.B. Holt. Scanning electron microscope studies of electroluminescent diodes of GaAs and GaP // Phys. Stat. Sol. (a) 1973. V.19. P. 467.

88. Balk L.J., Kubalek E., Menzel E. Investigations of As-grown dislocations in GaAs single crystals in the SEM // Scanning Electron Microscopy. 1976. IIT Res. Inst. Chicago. P.257

89. Davidson S.M., Iqbal M.Z., Northrop D.C. SEM cathode-luminescent studies of plastically deformed gallium phosphide // Phys.Stat. Sol. (a). 1975 V. 29 P. 571.

90. Leamy H.J., Kimerling L.C. and Ferris S.D. Silicon single crystal characterization by S.E.M. // Scanning Electron Microscopy. 1976. IIT Res. Inst. Chicago. P.529

91. Durose K.and Russel G.J. Structural defect in CdTe crystals grown by two different vapour phase techniques // Journal of Crystal Growth. 1988. V.86. P. 471-476.

92. Bubulac L.O., Bajaj J., Tennant W.E., Newman P.R. and Lo D.S. Spatial origin of various PL lines in CdTe at 77 K // Journal of Crystal Growth. 1988. V.86. P. 536-541.

93. Sabinina I.V., Gutakovski A.K., Milenov T.I., Lyakh N.N., Sidorov Y.G., Gospodinov M.M. Melt Growth of CdTe Crystals and Transmission Electron

94. Microscopic Investigation of Their Grain Boundaries // Crys. Res. Technol.1991. V. 26. #8. P. 967-972.

95. Milenov T.I., Gospodinov M.M. Melt growth of CdTe crystals and investigation of their grain boundaries // Nuclear Instruments and Methods in Physics Reseach A. 1992. V.322. P. 363-367.

96. Sabinina I.V. and Gutakovsky A.K. Preparation of ТЕМ samples from compound semiconductors by chemomechanical polishing // Ultramicroscopy.1992.V. 45. P. 411-415.

97. Логинов Ю.Ю., Браун П.Д. Образование примесных выделений в CdTe, легированным Ga и С1 // Известия АН. Неорг. Матер. 1995. Т. 31, №9. С. 1177-1179.

98. Хирш П., Хови Ф., Николсон Р., Пэшли Д., Уэлан М. Электронная микроскопия тонких кристаллов. Под редакцией Л.М. Утевского. М.: Мир. 1968.

99. Жаке П. Электролитическое и химическое полирование. М.: Мир. 1959.

100. Chew N.G., Cullis A.G. The Preparation of ТЕМ Specimens From Compound Semiconductors by Ion Milling // Ultramicroscopy. 1987. V.23. P. 175-198.

101. Thompson-Russel K.C. and Edington J.W. Electron microscope specimen preparation techniques in material science in Practical electron microscopy in material science. Vol. 5. Philips Electronic Inst., Inc. Eindhoven. 1977.

102. Lesniak M., Unvala B.A. and Holt D.B. An improved detection system for electrical microharacterization in a scanning electron microscope. // Journal of Microscopy. 1984. V. 135. P. 255-274.

103. Ivanov Yu. M., Polyakov A.N., Kanevsky V.M., Pashaev E.M. and Horvath Zs.J. Detection of polymorphous transformation in CdTe by dilatometry. // Phys. Stat. Sol. (c) N. 3. 2003. P. 889-892.

104. Koyama A., Hirano R. CdTe crystal or CdZnTe crystal and method for preparing the samples // US Patent 6,299,680. 2001.

105. Albers W. in Phisics and Chemistry of II-VI Compounds. // Ed. Aven M., Prener J. S. Amsterdam. 1967. P. 173

106. Ivanov Yu. M. The growth of single crystals by self-seeding technique // J. Crystal Growth. 1998.V. 194. P. 309

107. Potter R.W., Barnes H. L. Phase relations in the binary Hg-S // Amer. Mineralogist. 1978.V.63.P. 1143.

108. Ishiki MM Metals (in Japan). 1997. V. 67. P. 1060.

109. Greenberg J. H. P-T-X phase equilibrium and vapor pressure scanning of non-stoichiometry in CdTe // J. Crystal Growth. 1996. V. 161. P.l.

110. Greenberg J. H. Vapor pressure scanning implications of CdTe crystal growth//J. Crystal Growth. 1999. V. 197. P.406.