Кинетика и механизмы взаимодействия неравновесной низкотемпературной плазмы хлора и хлороводорода с медью и алюминием тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 02.00.04, кандидат химических наук Пивоваренок, Сергей Александрович

• Пивоваренок, Сергей Александрович
• кандидат химических наук
• 2008

Оглавление диссертации кандидат химических наук Пивоваренок, Сергей Александрович

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР.

1.1. Неравновесная низкотемпературная плазма в технологии микроэлектроники.

1.2. Закономерности образования и гибели активных частиц в плазме СЬ.

1.3. Закономерности образования и гибели активных частиц в плазме НС1.

1.4. Общая характеристика процессов плазменного травления и подходы к их анализу.

1.5. Закономерности плазменного травления металлов и полупроводников в хлорсодержащих газах.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Кинетика и механизмы взаимодействия неравновесной низкотемпературной плазмы хлора и хлороводорода с медью и алюминием»

Актуальность темы. Технологические процессы с использованием неравновесной низкотемпературной газоразрядной плазмы (ННГП) играют ведущую роль в производстве изделий микро- и наноэлектроники при очистке поверхности полупроводниковых пластин, нанесении функциональных слоев и их размерном травлении. Многостадийность и многоканальность гетерогенных процессов, протекающих при взаимодействии активных частиц плазмы с обрабатываемой поверхностью, обуславливают тот факт, что оптимизация и адаптация технологии к постоянно возрастающим требованиям по чистоте, разрешающей способности, скорости, селективности и др. параметрам требуют глубоких научных исследований механизмов взаимодействия в системе «плазма-твердое тело».

Одним из ключевых процессов в технологии современных интегральных микросхем (ИМС) является плазменное травление. Для травления кремния и его соединений традиционно используется фторсодержащая плазма (CF4, SF6, фреоны CxHyFz), основными недостатками которой являются: 1) разрушения озонового слоя атмосферы отходящими газами плазмохимических реакторов; 2) высаживание твердых углеродсодержащих полимерных пленок на поверхностях, контактирующих с плазмой; и 3) невозможность травления широкого круга металлов (Си, Al, Аи, Pt) и полупроводников (GaAs, AlGaAs InP, InGaP), образующих нелетучие соединения с фтором. Последний недостаток представляется наиболее критичным, так как медь и алюминий являются основными материалами для формирования межэлементных соединений и разводок в кремниевых ИМС. Кроме того, медь находит широкое применение при создании гибких печатных плат и многослойных гибридных ИМС на основе полиимида.

Альтернативой фторсодержащим плазмообразующим средам при травлении меди и алюминия служат хлорсодержащие газы и смеси на их основе. Подобно фреонам, CCI4, BCI3 и SiCl4 часто страдают от полимеризации и/или высаживания твердых продуктов плазмохимических реакций на стенках реактора. Использование С1г решает эти проблемы, но в ряде случаев осложнено высокими степенями диссоциации молекул, затрудняющими получение анизотропного профиля травления. Известно, что при разряде в НС1 концентрации атомов хлора ниже по сравнению с плазмой СЬ, что дает преимущество в анизотропии и селективности процесса при незначительной потере в скорости травления. Кроме этого, плазма НС1 обеспечивает лучшую равномерность и чистоту процесса травления благодаря эффективному удалению поверхностных окислов и углеродсодержащих загрязнений за счет химических реакций атомов водорода. Поэтому, интерес к использованию плазмы хлора и хлороводорода в технологии микро- и наноэлектроники остается стабильно высоким.

В настоящее время технологические воплощения процессов плазменного травления для большого числа систем «плазма-твердое тело» основывается только на эмпирическом материале. Это объективно обусловлено общей сложностью, физико-химических явлений в неравновесных химически реагирующих системах, а также отсутствием надежных данных по кинетике и механизмам плазмохимических процессов. Хотя некоторые аспекты кинетики взаимодействия активных частиц хлорсодержащей ННГП с медью и алюминием изучены достаточно подробно, комплексное рассмотрение взаимосвязей стационарных параметров и состава плазмы как с брутто-эффектами гетерогенного взаимодействия, так и с его механизмами, отсутствует. Очевидно, что такая ситуация не обеспечивает оптимальных режимов проведения технологических процессов и не определяет путей их оптимизации как по условиям проведения, так и по типу плазмообразующего газа.

Работа выполнена в рамках гранта РФФИ (№ 06-07-89115-а) и при финансовой поддержке гранта "Развитие научного потенциала высшей школы" РНП 2.2.1.1.7280.

Цель работы. Установление кинетических закономерностей и механизмов физико-химических процессов, определяющих стационарные параметры и состав неравновесной низкотемпературной плазмы С1г и НС1, а также анализ кинетики и механизмов взаимодействия активных частиц плазмы с медью и алюминием. Работа выполнялась по следующим основным направлениям:

1) Математическое моделирование плазмы, включающее расчеты функции распределения электронов по энергиям (ФРЭЭ), интегральных характеристик электронного газа и констант скоростей процессов при электронном ударе; анализ механизмов образования и гибели активных частиц, расчеты массового состава плазмы и потоков активных частиц на поверхность, ограничивающую зону разряда.

2) Исследование влияния условий проведения процесса на скорость травления меди и алюминия, накопление и анализ данных по кинетическим характеристикам (вероятности, коэффициенты скоростей) гетерогенного взаимодействия. Анализ механизмов травления, выявления лимитирующих стадий взаимодействия и условий их реализации.

Научная новизна работы. При выполнении работы получены следующие новые данные и результаты:

1) Проведен сравнительный анализ стационарных параметров плазмы, кинетики процессов образования-гибели нейтральных и заряженных частиц их концентраций в С12 и НС1 при одинаковых внешних параметрах разряда. Показано, что плазма СЬ обеспечивает более высокие степени диссоциации исходных молекул, концентрации атомов хлора и суммарные плотности потоков положительных ионов. Установлено, что в формировании стационарных концентраций нейтральных частиц в плазме HCI заметная роль принадлежит объемным атомно-молекулярным реакциям Н + НС1 -» Н2 + CI, Н + С\2 -» HCI + С1 и CI + Н2 -> НС1 + Н.

2) Впервые проведено детальное сравнение кинетики плазменного травления меди в С12 и НС1, получены данные по вероятностям взаимодействия и их температурным зависимостям. Установлено, что различия скоростей травления в СЬ и НС1 связаны с различиями состава плазмы и вероятностей взаимодействия. Найдено, что при температуре ~ 520 К в плазме С1г и ~ 600 К в плазме НС1 происходит смена режима травления, предположительно из-за изменения лимитирующей стадии процесса от диффузии активных частиц в слое продуктов реакции и/или десорбции продуктов к химической реакции на относительно чистой поверхности. Проанализированы особенности кинетики травления «объемных» образцов (фольга) и тонких пленок (медные покрытия на полиимиде). 3) Впервые проведено сравнительное исследование кинетики газового и плазменного травления алюминия в С1г и НС1, получены данные по вероятностям взаимодействия и их температурным зависимостям. Показано, что в диапазоне температур 393-543 К реализуются два режима травления, предположительно обусловленные изменением типа доминирующего продукта реакции. Установлено, что наблюдаемая кинетика травления как в газовом, так и в плазменном процессах отражает взаимодействие атомов и молекул хлора с AI2O3, при этом различия абсолютных скоростей плазменного травления в С1г и НС1 согласуются с различиями состава плазмы.

Практическая значимость работы. Полученные результаты могут использоваться при разработке, автоматизации, оптимизации процессов плаз-мохимического травления, а также при анализе механизмов и построении моделей физико-химических процессов в неравновесной низкотемпературной плазме хлора и хлороводорода.

Личный вклад автора. Работа выполнена на кафедре «Технология приборов и материалов электронной техники» (ТПиМЭТ) ГОУ ВПО "Ивановский государственный химико-технологический университет". Все экспериментальные результаты получены лично автором. Автор принимал участие в обсуждении результатов по диагностике и моделированию плазмы. Моделирование плазмы проводилось с использованием готового программного обеспечения, разработанного ранее на кафедре ТПиМЭТ.

Апробация работы. Основные положения, результаты и выводы диссертационной работы докладывались на IV Международном симпозиуме по теоретической и прикладной плазмохимии (ISTAPC 2005) (Иваново, 2005), Всероссийской научной и научно-технической конференции, IX ВНТК "Современные промышленные технологии" (Нижний Новгород, 2007), XIII Международной научно-технической конференции "Высокие технологии в промышленности России", XX Международном симпозиуме "Тонкие пленки в электронике". (Москва, 2007), V Международном симпозиуме по теоретической и прикладной плазмохимии (ISTAPC 2008) (Иваново, 2008).

Публикации. По теме диссертации опубликовано 7 работ, из них 4 тезисов доклада на конференциях, 3 статьи в журналах перечня ВАК.

Структура и объем работы. Диссертационная работа состоит из введения, пяти глав, выводов и списка использованных литературных источников. Общий объем диссертации составляет 136 страниц, включая 56 рисунков и 20 таблиц. Список использованных источников содержит 168 наименований.

Заключение диссертации по теме «Физическая химия», Пивоваренок, Сергей Александрович

выводы:

1. Проведен сравнительный анализ электрофизических параметров плазмы, кинетики и концентраций нейтральных и заряженных частиц в С12 и НС1 при одинаковых внешних параметрах разряда. Показано, что плазма С12 обеспечивает более высокие степени диссоциации молекул, концентрации атомов хлора и суммарные плотности потоков положительных ионов. Установлено, что в формировании стационарных концентраций нейтральных частиц в плазме НС1 заметная роль принадлежит объемным атомно-молекулярным реакциям Н + HCI Н2 + CI, Н + С12 HCI + С1 и С1 + Н2 ->НС1 + Н.

2. Проведено сравнительное исследование кинетики и анализ механизмов газового и плазменного взаимодействия С12 и НС1 с медью, определены эффективные энергии активации и вероятности взаимодействия. Найдено, что при температуре ~ 520 К в плазме С12 и ~ 600 К в плазме НС1 происходит смена режима травления, предположительно из-за изменения лимитирующей стадии процесса от диффузии активных частиц в слое продуктов реакции и/или десорбции продуктов к химической реакции на относительно чистой поверхности. Установлено, что различия скоростей травления меди в С12 и НС1 связаны с различиями состава плазмы и вероятностей взаимодействия.

3. Найдено, что абсолютные значения скоростей травления Cu/ПИ систематически превышают величины для Си (ф.), при этом в области температур до 520 К в плазме С12 и до 600 К в плазме НС1 кинетика травления структур Cu/ПИ соответствует кинетическому режиму процесса. Вероятно, это связано особенностями структуры тонких пленок меди (меньшая плотность, поверхностные и объемные дефекты).

4. Проведено сравнительное исследование кинетики и анализ механизмов газового и плазменного взаимодействия СЬ и НС1 с алюминием, определены эффективные энергии активации и вероятности взаимодействия. Найдено, что при температурах 393-463 К скорость плазменного травления А1 в CI2 в среднем в 2.5 раза выше скорости газового процесса, однако при температуре ~ 463 К скорости обоих процессов выравниваются. Это может означать, что реакции атомов и молекул хлора с А1 имеют различные энергии активации

5. Показано, что в диапазоне температур 393-543 К реализуются два режима травления алюминия, предположительно обусловленные изменением типа доминирующего продукта реакции. Установлено, что наблюдаемая кинетика травления как в газовом, так и в плазменном процессах отражает взаимодействие атомов и молекул хлора с А12Оз, при этом различия абсолютных скоростей плазменного травления в С12 и НС1 согласуются с различиями состава плазмы.

5.3. Заключение

Проведено исследование кинетики и механизмов газового и плазменного травления А1 в хлоре и хлороводороде. Найдено, что при Ts <470-480 К процесс газового травления А1 в СЬ протекает стационарно, в кинетической области и имеет первый кинетический порядок по концентрации химически активных частиц в газовой фазе. Эффективная энергия активации газового травления А1 в хлоре (0.50-0.29 эВ при р =20-100 Па) существенно выше величин, наблюдаемых при травлении чистого (не окисленного) А1 в С12 (0.020.04 эВ) и ВС1з (0.09 эВ). Это позволяет предположить, что наблюдаемая кинетика процесса отражает взаимодействие хлора с AI2O3, а не с алюминием. Наличие зависимости Еа от давления может быть связано с конкурентной адсорбцией и химической реакцией молекул С12 на двух типах активных центров - А1203 и А1. Эксперименты по газовому травлению А1 в НС1 показали отсутствие взаимодействия в аналогичном диапазоне условий. Это позволяет рассматривать атомы хлора в качестве основных химически активных частиц в плазменном процессе.

При 393 К<Г?<463 К скорость плазменного травления А1 в С12 в среднем в 2.5 раза выше скорости газового процесса, однако при Т= 463 К скорости обоих процессов выравниваются. Это подтверждает литературные данные о том, что реакции атомов и молекул хлора с А1 имеют различные энергии активации. Скорость плазменного травления А1 в НС1 в 3—3.5 раза ниже аналогичных значений для плазмы С12 что согласуется с различиями в плотностях потоков химически активных частиц.

С ростом тока разряда и давления газа скорость убыли массы образца в обеих системах возрастает практически линейно, при этом линейные зависимости наблюдаются и в координатах «скорость травления-плотность потока химически активных частиц». Это свидетельствует о том, что реакции взаимодействия активных частиц плазмы С12 и НС1 с А1 протекают стационарно, в кинетическом режиме по первому кинетическому порядку относительно их концентрации в газовой фазе. Температурные зависимости скоростей и вероятностей плазменного травления А1 в СЬ и НС1 подчиняются закону Арре-ниуса. В области ts ~465-475 К происходит смена механизма травления, при этом значения Ts в точке перегиба соответствуют температуре смены основного продукта реакции с А12С16 на AICI3. Величины эффективных энергий активации высокотемпературных участков в обеих системах характерны для гетерогенных реакций, лимитируемых адсорбционно-десорбционными процессами.

Список литературы диссертационного исследования кандидат химических наук Пивоваренок, Сергей Александрович, 2008 год

1. Полак, J1.C. Теоретическая и прикладная плазмохимия / JI.C. Полак, А.А. Овсянников, Д.И. Словецкий, Ф.В. Вурзель. - М.: Наука, 1975. - 304 с.

2. Lieberman, М.А. Principles of plasma discharges and materials processing / M.A. Lieberman, A.J. Lichtenberg; John Wiley & Sons Inc. New York, 1994. ~ 450 p.

3. Словецкий, Д.И. Механизмы химических реакций в неравновесной плазме / Д.И. Словецкий. М: Наука, 1980. - 310 с.

4. Wolf, S. Silicon Processing for the VLSI Era / S Wolf, R. N. Tauber; Prosess Technology, Lattice Press. New York, 2000. - V. 1. - 890 p.

5. Rossnagel, S.M. Handbook of plasma processing technology / S.M. Rossnagel, J.J. Cuomo, W.D. Westwood (Eds.); Park Ridge. -NJ: Noyes Publications, 1990.

6. Coburn, J.W. Plasma etching and reactive ion etching. / J.W. Coburn. New York, AVS Monograph Series, 1982.

7. Sugano, T. Applications of plasma processes to VLSI technology / T. Sugano. -New York, Wiley, 1990.

8. Biederman, H. Deposition of polymer films in low pressure reactive plasmas / H. Biederman // Thin Solid Films. 1981. - V. 86 - P. 125.

9. Seebocka, R. Surface modification of polyimide using dielectric barrier discharge treatment // R. Seebocka, H. Esroma, M. Charbonnierb, M. Romandb, U. Kogelschatzc // Surface and Coatings Technology, 2001. - V. 142-144. - P. 455-459.

10. Моро, У. Микролитография / У. Моро. M.: Мир, 1990. - Т. 2. - 600 с.

11. Орликовский, А.А. Проблемы плазмохимического травления в микроэлектронике / А. А. Орликовский, Словецкий Д. И. // Микроэлектроника -1987.-Т. 16.-№6.-С. 497.

12. Плазменная технология в производстве СБИС; под редакцией Н. Айнс-прука, Д. Брауна. М.: Мир, 1987. - 420 с.

13. Rooth, J.R. Industrial plasma engineering / J.R. Rooth; IOP Publishing LTD, Philadelphia, 1995. 730 p.

14. Данилин, Б.С. Рабочие газы и их влияние на параметры процесса травления / Б.С. Данилин, В.Ю. Киреев, В.И. Кузнецов // Электр, техн. 1982. -Сер. 6. №4.-С. 3-10.

15. Смирнов, Б.М. Ионы и возбужденные атомы в плазме / Б.М. Смирнов. — М.: Атомиздат, 1974. 420 с.

16. Смирнов, Б.М. Физика слабоионизованного газа / Б.М. Смирнов. М.: Наука, 1978.-410 с.

17. Райзер, Ю.П. Основы современной физики газоразрядных процессов / Ю.П. Райзер М.: Наука, 1980. - 416 с.

18. Браун, С. Элементарные процессы в плазме газового разряда / С. Браун. — М.: Атомиздат, 1961. 324 с.

19. Мак-Даниэль, И. Процессы столкновений в ионизованных газах / И. Мак-Даниэль. М.: Мир, 1967. - 832 с.

20. Conrads, Н. Plasma generation and plasma sources / H. Conrads, M. Schmidt // Plasma Sources Sci. Technol. 2000. V. 9. - P. 441-454.

21. Lister, G.G. Low pressure gas discharge modeling / G.G. Lister // J. Phys. D: Appl. Phys. 1999. -V. 25. - P. 1649.

22. Braithwaite, N.SJ. Introduction to gas discharges / N.S.J. Braithwaite // Plasma Sources Sci. Technol. 2000; - V. 9. - P. 517-527.

23. Ferreira, C.M. Electron kinetics in atomic and molecular plasmas / C.M. Ferreira, J. Loureiro // Plasma Sources Sci. Technol. 2000. - V. 9. - P. 528-540.

24. Keller, J.H. Inductive plasmas for plasma processing / J.H. Keller // Plasma Sources Sci. Technol. 1996. -V. 5 - P. 166-172.

25. Tsendin, L.D. Current trends in electron kinetics of gas discharges / L.D. Tsen-din // Plasma Sources Sci. Technol. 2003. - V. 12 - S51-S63.

26. Franklin, R.N. The plasma-sheath boundary region / R.N. Franklin // J. Phys. D: Appl. Phys. 2003. - V. 36. - P. R309-R320.

27. Franklin, R.N. Basic relationships in electronegative plasmas with a multiplicity of negative and positive ion species / R.N. Franklin // J. Phys. D: Appl. Phys. -2003.-V. 36.-P. 823-827.

28. Ефремов, A.M. Параметры плазмы и кинетика образования и гибели активных частиц в разряде в хлоре / A.M. Ефремов, В.И. Светцов, Д.В. Ситанов // ТВТ. 2008. - Т. 46. - № 1 - С. 1-8.

29. Горохов, А.В. Ионизационные процессы и диссоциация молекул в столбе тлеющего разряда в хлоре и парах воды / А.В. Горохов, А.И. Максимов, В.Д. Сизов, А.А. Степанова // ЖТФ. 1972. - Т. 42. - № 10. - С. 2176-2179.

30. Куприяновская, А.П. Диссоциация молекул и концентрации заряженных частиц при разряде в хлоре / А.П. Куприяновская, В.И. Светцов // Изв. ВУЗов. Химия и хим. технология. 1987. - Т. 30. - Вып. 9. - С. 71-74.

31. Куприяновская, А.П. Расчет кинетических коэффициентов в положительном столбе тлеющего разряда в хлоре / А.П. Куприяновская, В.И. Светцов,

32. B.В. Рыбкин // Изв. ВУЗов. Химия и хим. технология. 1986. - Т. 33. - № 9.1. C. 31-35.

33. Куприяновская, А.П. Влияние условий разряда и температуры стенки на электрические характеристики и излучение положительного столба тлеющего разряда в хлоре / А.П. Куприяновская, В.И. Светцов, Д.В. Ситанов; г. Черкассы. Деп. в НИИТЭХИМ, № 59-хп93.

34. Зимина, И.Д. О сравнении диссоциации аммиака, хлора и брома в тлеющем и высокочастотном разрядах / И.Д. Зимина, А.И. Максимов, В.И. Светцов // ЖФХ. 1976. - Т. 50. - № 5. - С. 1209-1212.

35. Ahlrichs, P. Spatially averaged model for plasma etch processes: Comparison of different approaches to electron kinetics / P. Ahlrichs, U. Riedel, J. Warnatz // J . Vac. Sci. Technol. A. 1998. -V. 16. - P. 1560.

36. Malyshev, M.V. Diagnostics of chlorine inductively coupled plasmas. Measurement of electron temperatures and electron energy distribution functions / M.V. Malyshev, V.M. Donnelly // J.Appl.Phys. 2000. - V. 87. - P. 1642.

37. Yonemura, S. Electron energy distributions in inductively coupled plasma: comparison of chlorine discharge with argon discharge / S. Yonemura, K. Nanbu, K. Sakai // Jpn. J. Appl. Phys. 2002. - V. 41. - P. 6189.

38. Efremov, A.M. Volume and heterogeneous chemistry of active species in chlorine plasma / A.M. Efremov, D.P. Kim, C.I. Kim // Thin Solid Films. 2003. - V. 435.-P. 83.

39. Meeks, E. Modeling of plasma etch processes using well stirred reactor approximations and including complex gas-phase and surface reactions / E. Meeks, J.W. Shon // IEEE Transactions on Plasma Science. 1995. - V. 23. - P. 539.

40. Куприяновская, А.П. Механизм образования и разрушения активных частиц в галогенной плазме / А.П. Куприяновская, В.И. Светцов // Изв. ВУЗов. Химия и хим. технология. 1983. - Т. 26. - № 12. - С. 1440-1444.

41. Efremov, A.M. Applicability of self-consistent global model for characterization of inductively coupled Cl2 plasma / A.M. Efremov, Gwan-Ha Kim, Jong-Gyu Kim, A.V. Bogomolov, Chang-II Kim // Vacuum. 2007. - V. 81. - P. 669-675.

42. Stafford, L. Characterization of neutral, positive, and negative species in a chlorine high-density surface-wave plasma / L. Stafford, J. Margot, M. Chaker, O. Pauna // J. Appl. Phys. 2003. - V. 93. - P. 1907.

43. Lee, Y.T. Global model for high pressure electronegative radio-frequency discharges / Y.T. Lee, M.A. Lieberman, A.J. Lichtenberg, F. Boseand, H. Baltes, R. Patrick//J. Vac. Sci. Technol. A-1997. V. 15.-P. 113.

44. Lide, D.R. Handbook of Chemistry and Physics / D.R. Lide; CRC Press, New York, 1998-1999.-940 p.

45. Lee, C. Global model of Ar, 02, Cl2, and Ar/02 high-density plasma discharges / C. Lee, M.A. Lieberman // J. Vac. Sci. Technol. A 1995. - V. 13. - P. 368.

46. Светцов, В.И. Неравновесная плазма хлора химия и применение / В.И. Светцов, A.M. Ефремов // Тезисы докладов 2 Международного симпозиума по теоретической и прикладной плазмохимии. - Иваново, 1995. - С. 31.

47. Lichtenberg, A.J. Modeling plasma discharges a thigh electronegativity / A.J. Lichtenberg, I.G. Kouznetsov, Y.T. Lee, M.A. Lieberman // Plasma Sources Sci. Technol. 1997. - V. 6. - P. 437-449.

48. Елецкий, А.В. Диссоциативное прилипание электрона к молекуле / А.В. Елецкий, Б.М. Смирнов // Успехи физических наук. 1985. — Т. 147. - № 3. —1. C. 459-484.

49. Ashida, S. Spatially averaged (global) model of time modulated high density chlorine plasmas / S. Ashida, M.A. Lieberman // Jpn. J. Appl. Phys. 1997. - V. 36.-P. 854.

50. Jle6, JI. Основные процессы электрических разрядов в газах / Л. Леб. — М.-Л.: ГИТТЛ, 1950. 672 с.

51. Bozin, S.E. Measurements of ionization and attachment coefficients in chlorine / S.E. Bozin, C.C. Goodyear // Brit. J. Appl. Phys. 1969. - V. 18. - P. 49.

52. Malyshev, M.V. Diagnostics of inductively coupled chlorine plasmas: Measurement of electron and total positive ion densities / M.V. Malyshev, V.M. Donnelly // J. Appl. Phys. 2001. - V. 90. - P. 1130.

53. Kouznetsov, I.G. Modeling electronegative discharges at low pressure / I.G. Kouznetsov, A.J. Lichtenberg, M.A. Lieberman // Plasma Sources Sci. Technol. -1996.-V. 5.-P. 662.

54. Ahn, Т.Н. Negative ion measurements and etching in a pulsed-power inductively coupled plasma in chlorine / Т.Н. Ahn, K. Nakamura, H. Sugai // Plasma Sources Sci. Technol. A 1996. -V. 14. - P. 139-144.

55. Hebner, G.A. Negative ion density in inductively coupled chlorine plasmas / G.A. Hebner // J. Vac. Sci. Technol. A 1996. - V. 14. - P. 2158.

56. Meyyppan, M. A spatially-averaged model for high density discharges / M. Meyyppan, T.R. Govindan // Vacuum. 1996. - V. 47. - P. 215.

57. Kawano, S. Systematic simulations of plasma structures in chlorine radio frequency discharges / S. Kawano, K. Nanbu, J. Kageyama // J. Phys. D: Appl. Phys. 2000. - V. 33. - P. 2637-2646.

58. Pyerminoff, S.D. Electronically exited and ionized states of chlorine molecule / S.D. R.J. Buenker// J. Chem. Phys. 1981. - V. 57. - P. 279.

59. Midha, V. Spatio-temporal evolution of a pulsed chlorine discharge / V. Midha,

60. D.J. Economou // Plasma Sources Sci. Technol. 2000. - V. 9. - P. 256-269.125

61. Ефремов, A.M. Параметры плазмы и кинетика образования и гибели активных частиц в смесях хлора с азотом / A.M. Ефремов, Д.В. Ситанов, В.И. Светцов // ТВТ. 2008. - Т. 46. - № 4 - С. 1-8.

62. Кондратьев, В.Н. Константы скоростей газофазных реакций. Справочник. / В.Н. Кондратьев. -М.: Наука, 1971. 351 с.

63. Boyd, R.K. Halogen recombination-dissociation reactions: current status / R.K. Boyd, R. Burns // J. Phys. Chem. 1979. - V. 83. - № 1. - P.88-93.

64. Stace, A.J. Calculations of recombination of halogen atoms in the presence of various inert gas atoms and molecules / A.J. Stace // J. Chem. Sos. Faraday Trans. 1979. — V. 75.-№ 12.-P. 1657-1660.

65. Hutton, E. Recombination of halogen atoms / E. Hutton // Nature. 1964. - V. 203. -№ 4977. - P. 835-840.

66. Clyne, M.A.A. Recombination of ground state halogen atoms. Part 2. Kinetics of overall recombination of chlorine atoms / M.A.A. Clyne, D.H. Stedmane // Trans. Faraday Sos. 1988. - V. 64. - № 550. - Part 10. - P. 2968-2975.

67. Clark, T.S. The nitric oxide catalized recombination of chlorine atoms / T.S. Clark, M.A.A. Clyne // Chem. Communs. 1966. - V. 10. - P. 287-291.

68. Lloyd, A.C. A critical rewiev of the kinetics of dissociation-recombination reactions in fluorine and chlorine / A.C. Lloyd // Int. J. Chem. Kinetics. 1971. - V. 3. -№ 1. - P. 39-43.

69. Chantry, P.J. A simple formula for diffusion calculations involving wall reflection and low density / P.J. Chantry // J. Appl. Phys. 1987. - V. 62. - P. 1141.

70. Martisovits, V. Transport of chemically active species in plasma reactors for etching / V. Martisovits, M. Zahoran // Plasma Sources Sci. Technol. 1997. - V. 6.-P. 280-297.

71. Киреев, В.Ю. Плазмохимическое и ионно-химическое травление микроструктур / В.Ю. Киреев, Б.С. Данилин, В.И. Кузнецов. М.: Радио и связь, 1983.-128 с.

72. Bader, L.W. Recombination of chlorine atoms / L.W. Bader, E.A. Ogryslo //

73. Nature. 1964. - V. 201. - № 4918. - P. 491-498.126

74. Ogryslo, E.A. Halogen atom reactions. 1. Electrical discharge as a source of halogen atoms / E.A. Ogryslo // Canad. J. Chem. 1961. - V. 39. - № 16. - P. 2556-2561.

75. Herron, J.F. Mass-spectrometry study of recombination atoms bromine and chlorine in pyrex / J.F. Herron // J. Phys. Chem. 1963. - V. 67. - № 12. - P. 2864-2868.

76. Kota, G.P. The recombination of chlorine atoms at surfaces / G.P. Kota, J.W. Coburn, D.B. Graves // J. Vac. Sci. Technol. A 1998. - V. 16. - P. 270.

77. Kota, G.P. Heterogeneous recombination of atomic bromine and fluorine / G.P. Kota, J.W. Coburn, D.B. Graves // J. Vac. Sci. Technol. A 1999. - V. 17. - P. 282.

78. Malyshev, M.V. Percent dissociation of Cl2 in inductively coupled chlorine-containing plasmas / M.V. Malyshev, V.M. Donnelly, A. Kornblit, N.A. Ciampa // J. Appl. Phys. 1998. -V. 84. - P. 137.

79. Donnelly, V.M. A simple optical emission method for measuring percent dissociations of feed gases in plasmas: Application to Cl2 in a high-density helical resonator plasma / V.M. Donnelly // J. Vac. Sci. Technol. A 1996. - V. 14. - P. 1076.

80. Malyshev, M.V. Diagnostics of inductively coupled chlorine plasmas: Measurement of Cl2 and CI number densities / M.V. Malyshev, V.M. Donnelly // J. Appl. Phys. 2000. - V. 88. - P. 6207.

81. Светцов, В.И. Применение абсорбционной спектроскопии для исследования диссоциации хлора в ВЧ безэлектродном разряде / В.И. Светцов, А.П. Куприяновская, А.Б. Марышев // ЖПС. 1981. - Т. 35. - № 2. - С. 205-208.

82. Опо, К. Measurement of the CI atom concentration in RF chlorine plasmas by two-photon laser-induced fluorescence / К. Ono, T. Oomori, M. Tuda // Jpn. J. Appl. Phys. 1992. - V. 31. - P. L269.

83. Neuilly, F. Chlorine dissociation fraction in an inductively coupled plasma measured by ultraviolet absorption spectroscopy / F. Neuilly, J.-P. Booth, L. Val-lier // J. Vac. Sci. Technol A 2002. - V. 20. - P. 225.127

84. Зимина, И.Д. Диссоциация хлора в тлеющем и высокочастотном разрядах / И.Д. Зимина, А.И. Максимов, В.И. Светцов // ХВЭ. 1973. - Т. 7. - № 6. -С. 486-490.

85. Fuller, N.C.M. Optical actinometry of Cl2 CI, Cl+, and Ar+ densities in inductively coupled Cb-Ar plasmas / N.C.M. Fuller, I.P. Herman, V.M. Donnelly // J. Appl. Phys. -2001. -V. 90. P. 318.

86. Wang, Y. Mass spectrometric measurement of molecular dissociation in inductively coupled plasmas / Y. Wang, R.J. Van Brunt, J.K. Olthoff // J. Appl. Phys. -1998.-V. 83.-P. 703.

87. Samukawa, S. Effect of degree of dissociation on aluminum etching in high-density Cl2 plasma / S. Samukawa, V.M. Donnelly // Jpn. J. Appl. Phys. 1998. -V. 37. - P. L1036.

88. Хьюбер, К.Г. Константы двухатомных молекул / К.Г. Хьюбер, Г. Герц-берг. -М.: Мир, 1984.-Т. 1.-260 с.

89. Spence, D. Electron structure of Cl2 from 5 to 15 eV by electron energy loss spectrometry / D. Spence, R.M. Huebner, N. Tanaka // J.Chem.Phys. 1964. - V. 80.-№7.-P. 2989-2996.

90. Moeller, T. Spectroscopic investigation of the electronic structure of chlorine molecule in VUV / T. Moeller, B. Jordan // J. Chem. Phys. 1983. - V. 76. - № 1. -P. 295.

91. Ефремов, A.M. Параметры плазмы и кинетика образования и гибели активных частиц при разряде в HCI / A.M. Ефремов, В.И. Светцов // ТВТ. -2006. Т. 44. -№ 2. С. 195-204.

92. Efremov, A.M. A self-consistent model for the HCI dc glow discharge: plasma parameters and active particles kinetics / A.M. Efremov, V.I. Svetsov // Proceedings SPIE "Micro- and nanoelectronics". 2005. - V. 6260. - P. 626009-1626009-8.

93. Efremov, A.M. Plasma parameters and chemical kinetic in an HCI DC glow discharge /A.M. Efremov, G.H. Kim, D.I. Balashov, C.I. Kim //Vacuum. 2006. -V. 81. - P. 244-250.

94. Efremov, A.M. Compilation of cross section data of elementary processes of HCI applicable for plasma modeling // A.M. Efremov, V.I. Svetsov, D.I. Balashov // Contrib. Plasma Phys. 1999. - V. 39. - № 3 - P. 247-250.

95. Turner, М.М. Modeling of the self-sustained, discharge-excited xenon-chlorine laser / M.M. Turner, P.W. Smith // IEEE Transaction on Plasma Sci. 1991. - V. 19.-P. 350.

96. Sommerer, T.J. Monte-Carlo-fluid model of chlorine atom production in Cl2, HCI and CCI4 radio-frequency discharges for plasma etching / T.J. Sommerer, M.J. Kushner // J. Vac. Sci. Technol. В 1992. - V. 10. - P. 2179.

97. Денисов, E. Т. Кинетика гомогенных химических реакций / Е.Т. Денисов. — М.: Высшая школа, 1988. 392 с.

98. Ефремов, A.M. Вероятности гибели атомов и концентрации активных частиц в плазме хлора / A.M. Ефремов, В.И. Светцов // Изв. ВУЗов. Химия и хим. технология. 2004. - Т. 47. - № 2. - С. 104-107.

99. Данилин, Б.С. Применение низкотемпературной плазмы для травления и очистки материалов / Б.С. Данилин, В.Ю. Киреев. — М.: Энергоатомиздат, 1987.-264 с.

100. Ивановский, Г.Ф. Ионно-плазменная обработка материалов / Г.Ф. Ивановский, В.И. Петров. М.: Радио и Связь, 1986. - 232 с.

101. Winters, H.F. Surface processes in plasma assisted etching environments / H.F. Winters, J.W. Coburn, T.G. Chuang // J. Vac. Sci. Technol. B. 1983. - V. 1. - P. 469.

102. Graves, D.B. Plasma processing / D.B. Graves // IEEE Transaction on Plasma Science. 1994. - V. 22. - P. 31.

103. Prasad, V. Modelling and simulation of plasma enhanced processing for integrated circuits fabrication / V. Prasad, M.O. Bloomfield, D.F. Richards, H. Liang, T.S. Cale // Vacuum. 2002. -V. 65. - P. 443.

104. Paul, A.K. Plasma etch models based on different plasma chemistry for micro-electro-mechanical-systems application / A.K. Paul, A.K. Dimri, R.P. Bajpai // Vacuum. 2003. - V. 68. - P. 191-196.

105. Coburn, J.W. Plasma etching A discussion on mechanisms / J.W. Coburn, H.F. Winters // J. Vac. Sci. Technol. - 1979. - V. 10. - № 2. - P. 391.

106. Flamm, D.L. Basic chemistry and mechanisms of plasma etching / D.L. Flamm, V.M. Donnelly, D.E. Ibbotson // J. Vac. Sci. Technol. B. 1983. - V. 1. -P. 23.

107. Hahn, Y.B. Dry etching mechanism of copper and magnetic materials with UV illumination / Y.B. Hahn, S.J. Pearton, H. Cho, K.P. Lee // Materials Science and Engineering. B. 2001. - V. 79. - P. 20-26.

108. Chapman, B. Glow Discharge Processes: Sputtering and Plasma Etching / B. Chapman; John Wiley & Sons. New York, 1980. - P. 287.

109. Senga, T. Chemical dry etching mechanisms of GaAs surface by HCI and Cl2 / T. Senga, Y. Matsumi, M. Kawasaki // J. Vac. Sci. Technol. B. 1996. - V. 14. -P. 3230.

110. Jenichen, A. Etching of GaAs(100) surfaces by HCI: density functional calculations to the mechanisms / A. Jenichen, C. Engler II Surf. Sci. 2001. - V. 475. -P. 131.

111. Engelhardt, M. Patterning of aluminum nitride films with Si02 hard mask in an MERIE diode reactor / M. Engelhardt // Meeting Abstracts of 197th Meeting of the Electrochemical Society. Toronto, Canada, May 14-18, 2000. - P. 301.

112. Словецкий, Д.И. Гетерогенные реакции в неравновесной галогенсодер-жащей плазме. В кн. «Химия плазмы» / Д.И. Словецкий. М.: Энергоатомиз-дат, 1989. - Вып. 15. - С. 208.

113. Светцов, В.И. Об эффективности взаимодействия хлора с различными металлами / В.И. Светцов, Т.А. Чеснокова // ЖФХ. 1984. - Т. 58. - № 14. -С.2706-2709.

114. Максимов, А.И. Роль атомов при плазмохимическом травлении металлов и углеродсодержащих соединений / А.И. Максимов, В.И. Светцов // Изв. ВУЗов. Химия и хим. технология. 1983. - Т. 2.,-№ 5. - С. 571-575.

115. Светцов, В.И. Плазменное травление металлов в хлоре / В.И. Светцов, Т.А. Чеснокова // Тез. докл. Всесоюзн. конф. по плазменной технике. Казань, 1981.-С. 65-67.

116. Светцов, В.И. Исследование термически активированного взаимодействия хлора с некоторыми металлами при пониженных давлениях / В.И. Светцов, Т.А. Чеснокова // ЖФХ. 1984. - Т. 58. - № 7. - С. 1774-1777.

117. Светцов, В.И. Сухое травление меди / В.И. Светцов, Т.А. Чеснокова // Изв. ВУЗов. Химия и хим. технология. 1988. - Т. 31. - № 10. - С. 3.

118. Broszeit, Е. Plasma surface engineering / Е. Broszeit, W.D. Manz, H. Oech-sner, K.-T. Rie, G.K. Wolf, Verlag. Berlin, 1989. - 668 p.

119. Sugawara, M. Plasma etching. Fundamentals and applications / M. Sugawara; Oxford University Press Inc. New York, 1992. - 304 p.

120. Winters, H.F. Etch products from the reaction on Cl2 with Al(100) and Cu(100) and XeF2 with W(111) and Nb / H.F. Winters // J. Vac. Sci. Technol. B. -1985. -V. 3. — № l.-P. 9.

121. Park, S. Effect of inert ion bombardment on chemisorption and etching of aluminum films in Cl2, Br2, CC14 and CBr4. / S Park, L.C. Rathbun, T.N. Rhodin // J. Vac. Sci. Technol. A. 1985. - V. 3. - № 3.

122. Словецкий, Д.И. Школа по плазмохимии для молодых ученых России и стран СНГ «Механизмы плазмохимического травления материалов» / Д.И.

123. Словецкий; Институт Нефтехимического Синтеза им. А.В. Топчиева РАН — http://www.isuct.ru/konf/plasma/LECTIONS/Slov lect.html (26.05.08).

124. Tachi, Shinichi. Near-surface interactions and their etching-reaction model in metal plasma-assisted etching / Shinichi Tachi, Masaru Izawa, Kazunori Tsujimoto et al. //. J. Vac. Sci. Technol. A. 1998. -V. 16. - № 1.

125. Энциклопедия низкотемпературной плазмы; под ред. В.Е. Фортова. Вводный том III. -М.: «Наука», 2000. 222 с.

126. Lochte-Holtgreven, W. Plasma Diagnostics / W. Lochte-Holtgreven; AIP Press. New York, 1995. - 928 p.

127. Парфенов, О.Д. Технология микросхем / О.Д. Парфенов. М.: Высшая школа, 1986.-320 с.

128. Ни, С.К. Copper interconnection integration and reliability / C.K. Ни, В. Luther, F.B. Kaufman, J. Hummel, C. Uzoh,. D.J. Pearson // Thin Solid Films.1995.-V. 262.-P. 84.

129. Winters, H.F. The etching of Cu(100) with Cl2 / H.F. Winters // J. Vac. Sci. Technol. A. 1985. - V. 3. - P. 786.

130. Hampden-Smith, M.J. Copper Etching: New Chemical Approaches / M.J. Hampden-Smith, T.T. Kodas // Materials Research Society (MRS). Bulletin,1996.-№6.-P. 39.

131. Miyazaki, H. Copper dry etching with precise wafer-temperature control using Cl2 gas as a single reactant / H. Miyazaki, K. Takeda, N. Sakuma, S. Kondo, Y. Homma, K. Hinode // J. Vac. Sci. Technol. B. 1997. - V. 15. - P. 237.

132. Bailer, T.S. The role of chlorinated surface films in eximer laser etching of Си at low Cl2 pressures / T.S. Bailer, G.N.A. Van Veen, J. Dieleman // J. Vac. Sci. Technol. A. 1988. -V. 6. - P. 1409.

133. Tang, H. Laser-induces and room temperature etching of copper films by chlorine with analysis by Raman spectroscopy / H. Tang, I.P. Herman // J. Vac. Sci. Technol. A. -1990.- V. 8.-P. 1608.

134. Ritsko, J.J. Laser-assisted chemical etching of copper / J.J. Ritsko, F. Ho, J. Hurst // Appl. Phys. Letters. 1984. - V. 53. - № 1. - P. 78.132

135. Farkas, J. Low-temperature copper etching via reactions with Cl2 and Pet3 under ultrahigh vacuum conditions / J. Farkas, K.-M. Chi, M.J. Hampden-Smith, T.T. Kodas // J. Appl. Phys. 1993. - V. 73. - P. 1455.

136. Jain, A. Thermal dry etching of copper using hydrogen peroxide and hexafluoroacetilacetone / A. Jain, T.T. Kodas, M.J. Hampden-Smith // Thin Solid Films. 1995. -V. 269. - P. 51.

137. Ефремов, A.M. Суммарные вероятности взаимодействия хлора с медью в низкотемпературной плазме / A.M. Ефремов, В.И. Светцов, H.JI. Овчинников // Изв. ВУЗов. Химия и хим. технология. 1995. — Т. 38. - № 1-2. - С. 45.

138. Ефремов, A.M. Закономерности травления меди в плазме смеси хлора с аргоном / A.M. Ефремов, В.И. Светцов // Химия высоких энергий. 1995. -Т. 29.-№4.-С. 330.

139. Ефремов, A.M. Травление меди в хлоре / A.M. Ефремов, В.И. Светцов // Микроэлектроника. 2002. - Т. 31.-№3.-С. 211-226.

140. Светцов, В.И. Катодное распыление меди в тлеющем разряде в хлоре / В.И. Светцов, А.Н. Тростин, Т.А. Чеснокова // ЭОМ. -1981. № 1. - С. 56.

141. Куприяновская, А.П. Закономерности образования активного -хлора и его взаимодействия со стеклом и некоторыми металлами: дис. . канд. химических наук / Куприяновская Анна Павловна. М., 1985. - 233 с.

142. Корякин, Ю.В. Чистые химические вещества / Ю.В. Корякин, И.И. Ангелов. М.: Химия, 1974. - 408 с.

143. Иванов, Ю.А. Методы контактной диагностики в неравновесной плаз-мохимии / Ю.А. Иванов, Ю.А. Лебедев, JI.C. Полак. М.: Наука, 1981. - 142 с.

144. Максимов, А.И. . Измерение температуры газа в тлеющем разряде термопарным методом / А.И. Максимов, А.Ф. Сергиенко, Д.И. Словецкий // Физика плазмы. 1978. - Т. 4. - № 2. - С. 347-351.

145. Балашов, Д.И. Физико-химические процессы образования активных частиц и их взаимодействие с медью в плазме хлороводорода: дис. . канд. физ.мат. наук : 02.00.04 : защищена 15.12.03 : утв. 15.03.04 / Балашов Дмитрий Игоревич. -М., 2003. 135 с.

146. Рохлин, Г.Н. Газоразрядные источники света / Г.Н. Рохлин. M.-JL: Энергия. - 560 с.

147. Ефремов, A.M. Математическое моделирование разряда в хлороводоро-де / A.M. Ефремов, Д.И. Балашов, В.И. Светцов // Изв. ВУЗов. Химия и хим. технология. 2003. - Т. 46. - С. 118-122.

148. Бабичев, А.П. Физические величины: справочное издание. / А.П. Бабичев, Н.А. Бабушкина, A.M. Братковский; под ред. И.С. Григорьева, Е.З. Мей-лихова. -М.: Энергоатомиздат, 1991. 1232 с. - ISBN 5-283-04013-5.

149. Таблицы физических величин. Справочник. / под ред. И.К. Кикоина. — М.: Атомиздат, 1976. 1008 с.

150. Efremov, A.M. A comparative study of plasma parameters and gas phase compositions in Cl2 and HCI direct current glow discharges / A.M. Efremov, Y.I. Svettsov, D.V. Sitanov, D.I. Balashov // Thin Solid Films. 2008. - V. 516. - P. 3020.

151. Efremov, A.M. Inductively coupled СЬ/Аг plasma: Experimental investigation and modeling / A.M. Efremov, D.P. Kim, C.I. Kim // J. Vac. Sci. Technol. A. -2003.-V. 21.-P. 1568.

152. Morgan, W.L. A critical evaluation of low energy electron impact cross sections for plasma processing modeling. I: Cl2, F2 and HCI / W.L. Morgan // Plasma Chemistry and Plasma Processing. 1992. V. 12. - P. 449.

153. Куприяновская, А.П. Компиляция данных по сечениям элементарных процессов для расчетов коэффициентов скоростей процессов в неравновесных системах / А.П. Куприяновская, В.В. Рыбкин, Ю.А. Соколова, А.Н. Тростин-Деп. ВИНИТИ, 1990, № 921-В90. с.2-60.134

154. Gorse, С. Non-equilibrium dissociation of HCI and H2 molecules under electrical discharges: The role of dissociative attachment / C. Gorse, M. Capitelly // J. Chem. Phys.- 1986. V. 102. № 1-10.-P. 1.

155. Gorse, C. Non-equilibrium dissociation of diatomic species of laser interest: HCI / C. Gorse, M. Dilonardo, M. Capitelly // 4th Int. Symp. Plasma Chem. 1979. -V.2.-P. 454.

156. Tawara, H. / H. Tawara, Y. Itikawa, H. Nishimura, M. Yoshino // J. Phys. Chem. Ref. Data. 1990. - V. 19. - P. 617.

157. Gallaher, I.W. An annotated compilation and appaicel of electron swarm data in electronegative gases / I.W. Gallaher, E.C. Beaty, J. Dutton // J. Phys. Chem. Res. Data. 1983. - V. 2. - P. 108.

158. Brown, S.C. Basic Data of Plasma Physics / S.C. Brown; MIT Press. Cambridge, 1967.

159. Ullaland, S.J. Effect of chamber wall conditions on CI and Cl2 concentrations in an inductively coupled plasma reactor / S.J. Ullaland, A.R. Godfrey, E. Edel-berg, L. Braly, V. Vahedi, E. Aydil // J. Vac. Sci. Technol. A. 2002. - V. 20. - P. 43.

160. Ефремов, A.M. Плазмохимическое травление арсенида галлия в смесях хлор-водород / A.M. Ефремов, А.В. Антонов, В.И. Светцов, H.JI. Овчинников // Физика и химия обработки материалов. 1999. - № 4. - С. 31-34.

161. Ефремов, A.M. Травление арсенида галлия в плазме смеси С12/Н2 / A.M. Ефремов, А.В. Антонов, В.И. Светцов // Микроэлектроника. 2001. - Т. 30. -№ 1.-С. 3-9.

162. Clyne, М.А.А. Recombination of ground state halogen atoms. Part 2. Kinetics of overall recombination of chlorine atoms / M.A.A Clyne, D.H. Stedmane // Trans. Faraday Sos. 1988. - V. 64. - № 550. - Part 10. - P. 2968-2975.

163. Malyshev, M.V. Diagnostics of inductively coupled chlorine plasmas: Measurement of Cl2+ and Cl+ densities / M.V. Malyshev, N.C.M. Fuller, K.H.A. Bogart, V.M. Donnelly // J. Appl. Phys. 2000. - V. 88. - P. 2246.

164. Bossi, P.S. Kinetics of solid state reaction between copper and bromine vapors / P.S. Bossi, I.B. Sharma, N.K. Sharma // Indian J. Chem. A. 1976. -V. 14. -№ 9. — P. 692-693.

165. Choi, Kang-Sik. Low-temperature plasma etching of copper films using ultraviolet irradiation / Kang-Sik Choi, Chul-Hi Han // Jpn. J. Appl. Phys. 1998. - V. 37. -№ 11.-P. 5945.

166. Roosmalen, A.J. Dry etching for VLSI / A.J. Roosmalen, J.A.G. Baggerman, S.J.H. Brader; Plenum Press. New-York, 1991. - P. 450.

167. Keaton, A. Landauer. Temperature and flow effects in aluminum etching using bromine-containing plasmas / A. Landauer Keaton, D.W. Hess. // J. Vac. Sci. Technol. В. 1988.-V. 6.-№ 1.

168. Словецкий, Д.И. Механизмы плазмохимического травления материалов. Энциклопедия низкотемпературной плазмы / Д.И. Словецкий; под редакцией В.Е. Фортова. — М.: Майк «Наука/интерпериодика», 2000. T.III. — 345-374 с.