Излучательная рекомбинация дырок на уровнях размерного квантования в дельта- ρ-легированном арсениде галлия тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Гилинский, Александр Михайлович

• Гилинский, Александр Михайлович
• кандидат физико-математических наук
• 1999

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Гилинский, Александр Михайлович

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1. Дельта-легирование полупроводников и рекомбинация в дельта-легированных структурах

§ 1.1. Методы дельта-легирования и размерное

квантование носителей

§ 1.2. Рекомбинация носителей заряда в дельта-

легированных структурах

ГЛАВА 2. Методические вопросы исследования

§ 2.1. Методики получения исследуемых образцов

§ 2.3. Регистрация кинетики и эволюции спектра нестационарной фотолюминесценции со временем

ГЛАВА 3. Исследование фотолюминесценции

8-р-легированного баАэ

§ 3.1. Экспериментальное обнаружение люминесценции размерно-квантованных дырок в

Б-р-легированном СаАв

§ 3.2. Исследование зависимости фотолюминесценции дырок в 5-слое от интенсивности возбуждения и температуры

§ 3.3. Кинетика и поляризация фотолюминесценции

8-слоя

§ 3.4. Механизм излучательной рекомбинации фотоэлектронов с размерно-квантованными дырками в потенциальной яме 5-слоя

ГЛАВА 4. Исследование кинетики нестационарной фотолюминесценции СаАэ

§ 4.1. Эффект длительного затухания нестационарной фотолюминесценции мелких акцепторов в СаАэ. Сравнение с кинетикой фотолюминесценции 5-р-легированного СаАв

§ 4.2. Механизм рекомбинации, обуславливающий длительное затухание фотолюминесценции

мелких акцепторов в СаАэ

§ 4.3. Метод «задержанной ФЛ» для исследования состава мелких акцепторов в СаАэ и примеры его применения

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Излучательная рекомбинация дырок на уровнях размерного квантования в дельта- ρ-легированном арсениде галлия»

- 5 -ВВЕДЕНИЕ

Развитие в последние годы технологии выращивания многослойных полупроводниковых структур с • толщинами слоев вплоть до моноатомных привело к появлению квантоворазмерных структур - квантовых ям и сверхрешеток, а в последнее время также и квантовых проволок и квантовых точек, отличающихся от традиционных «объемных» материалов искусственной локализацией носителей заряда на размерах, меньших длины волны носителей, и обладающих благодаря этому транспортными и рекомбинационными параметрами, значительно отличающимися от параметров объемных полупроводников. Значительное превосходство в целом ряде случаев характеристик приборов на основе квантоворазмерных структур привело к тому, что в настоящее время они уже широко применяются на практике при создании биполярных и полевых транзисторов и полупроводниковых источников, модуляторов и приемников излучения [1, 2] . Принципиальное отличие характеристик системы носителей заряда в квантоворазмерных структурах от их свойств в объемных материалах и значительные перспективы их применения на практике, очевидно на исчерпывающиеся уже реализованными приборами, обуславливают большой интерес к свойствам структур пониженной размерности. При этом основное внимание при исследовании свойств и разработке приборов уделялось структурам с композиционным принципом формирования потенциальной ямы для носителей заряда, представляющим собой последовательность слоев определенной толщины с различной шириной запрещенной зоны.

Кроме композиционного, используется также другой способ создания потенциальной ямы, приводящей к квантованию движения

носителей заряда - планарное, или 5-легирование [3], состоящее в формировании при росте структуры слоя примесей толщиной менее боровского радиуса соответствующих носителей и концентрацией

выше порога вырождения носителей на примесях, и приводящее к созданию «самосогласованной» системы ионизованных примесных атомов и квантованных носителей. Принципиальные отличия структур с 8-легированным слоем от композиционных состоят в наличии системы вырожденных свободных носителей и монополярности потенциальной ямы, квантующей движение носителей одного знака и отталкивающей носители другого. Вследствие этого транспортные и рекомбинационные свойства носителей в 8-легированном материале значительно отличаются от свойств носителей в композиционных структурах. Так, было показано, что носители в потенциальной яме 8-слоя при высоких значениях слоевой концентрации обладают подвижностью большей, чем при однородном легировании, что в частности позволило использовать такие структуры для создания мощных высокочастотных полевых транзисторов. Значительно менее изучены рекомбинационные свойства системы носителей, создаваемой при 8-легировании. К моменту начала данной работы в литературе имелись сообщения об исследовании рекомбинации носителей заряда в образцах 8-п-легированного СаАэ методом фотолюминесценции (ФЛ) . Было показано, что электронная система 8-п-легированного слоя практически не проявляется в спектрах ФЛ [ 4 ], что связывалось с отталкивающим действием потенциала 8-слоя для неосновных носителей и, как следствие, близкой к нулю вероятностью рекомбинации с участием электронов, локализованных в потенциальной яме. Осталось неясным, однако, является ли рекомбинация размерно-квантованных носителей в 8-яме принципиально невозможной. Вместе с тем, не была исследована комплементарная система носителей - дырки в 8-р-легированном материале.

Целью диссертационной работы являлось экспериментальное исследование рекомбинационных свойств системы носителей, формируемой при 8-р- легировании арсенида галлия, методом ФЛ. Для

достижения этой цели при выполнении работы необходимо было решить следующие задачи:

1. Исследовать фотолюминесценцию 8-р-легированных структур и изучить ее зависимости от параметров 8-слоя, интенсивности возбуждения и температуры, а также поляризационные характеристики излучения.

2. Исследовать кинетические характеристики нестационарной ФЛ 8-р-легированного СаАэ для выяснения механизма наблюдаемых переходов .

3. Для решения задачи п.2 и проведения сравнительного исследования нестационарной ФЛ объемного материала разработать методику регистрации кривых затухания нестационарной ФЛ и спектров ФЛ со временным разрешением, обеспечивающую разделение прямых и непрямых в пространстве излучательных переходов по их кинетическим характеристикам и изучение эволюции спектра нестационарной ФЛ со временем после возбуждения.

Диссертационная работа состоит из введения, четырех глав и заключения.

Первая глава является обзорной. В ней рассматриваются литературные данные по способам создания 8-образного профиля концентрации легирующей примеси, характеристики системы носителей заряда, формируемой в 8-слое, и использование 8-легирования при разработке новых приборных структур. Приводятся данные по излучатель ной рекомбинации в 8-легированном СаАэ с одиночными 8-

слоями и сверхрешетками 8-слоев.

Во второй главе описаны условия получения исследованных в

работе образцов 8-легированных структур, а также структур, не

содержащих 8-слоев, использованных при проведении сравнения результатов. Здесь же описаны экспериментальные установки, ис-

пользованные для регистрации спектров стационарной и нестационарной ФЛ и кинетики ФЛ.

Третья глава посвящена результатам исследования ФЛ 6-р-легированного СаАэ. В главе сообщается об экспериментальном обнаружении излучательной рекомбинация дырок, размерно-квантованных в потенциальной яме 5-слоя. Исследованы зависимости ФЛ размерно-квантованных дырок от концентрации носителей в дырочном газе, степени искусственного уширения 8-слоя, температуры образца и интенсивности возбуждения, кинетика и поляризация ФЛ. Предложена модель процесса рекомбинации носителей в 8-легированных структурах.

В четвертой главе приводятся результаты изучения вклада

процессов захвата и транспорта носителей в С а Аэ -обкладках 8-слоя в формирование наблюдаемого длительного затухания ФЛ. Сообщается об экспериментальном обнаружении длительного затухания низкотемпературной нестационарной ФЛ мелких акцепторов в нелегированном и слаболегированном СаАв, рассмотрены зависимости этого эффекта от уровня легирования материала и способа его получения и температуры. Разработана модель процесса рекомбинации, объясняющая наблюдаемый степенной закон затухания ФЛ свободных электронов. Предложена новая методика спектроскопии мелких акцепторов в СаАэ и близких соединениях, обеспечивающая значительное улучшение разделения линий в спектре ФЛ по сравнению со стандартными способами измерения и простоту определения природы линий.

В заключении диссертации сформулированы основные результаты и выводы работы и указан личный вклад автора.

На-защиту выносятся следующие результаты:

1. Экспериментальное обнаружение излучательной рекомбинации системы размерно-квантованных носителей в 8-р-легированном СаАэ и результаты исследования зависимостей ФЛ дырочной системы от уровня легирования 8-слоя и степени его искусственного уширения, интенсивности возбуждения и температуры.

2. Результаты экспериментального исследования кинетики нестационарной ФЛ и модель процесса излучательной рекомбинации размерно-квантованных дырок в 8-р-легированном баАэ.

3. Экспериментальное обнаружение длительного затухания нестационарной низкотемпературной ФЛ мелких акцепторов в слаболегированном баАэ и твердых растворах, результаты исследования этого эффекта в материале с различным уровнем легирования, полученным различными методами выращивания, и модель механизма рекомбинации, обуславливающего длительное затухание ФЛ.

4. Новый метод фотолюминесцентной спектроскопии мелких акцепторов в СаАэ и близких' соединениях, основанный на анализе эволюции спектра нестационарной ФЛ со временем после возбуждения, обеспечивающий значительно лучшее разделение линий в многокомпонентных спектрах ФЛ по сравнению со стандартными способами измерения и простоту идентификации линий и определения их природы.

Новизна полученных результатов. Все основные результаты и выводы работы получены впервые. Впервые наблюдалось и исследовано рекомбинационное излучение дьрок, размерно-квантованных потенциалом 8-слоя в 8-р-легированном СаАэ; показано, что при этом рекомбинирующие носители пространственно разделены, и предложена модель механизма рекомбинации, объясняющая наблюдаемые в эксперименте зависимости. Впервые обнаружено длительное затухание нестационарной ФЛ мелких акцепторов в СаАэ. Показано,

что независимо от типа проводимости материала и уровня его легирования мелкими примесями в диапазоне ЫА, Ы0 < 1016 см"3 затухание ФЛ происходит по существенно неэкспоненциальному закону, близкому к степенному, и контролируется захватом на мелкие доноры. На основе этого эффекта предложена новая люминесцентная методика спектроскопии мелких акцепторов в СаАэ и близких соединениях, обеспечивающая значительно лучшее разделение линий в спектре по сравнению со стандартными способами измерения и простоту определения природы линий.

Практическая важность результатов работы состоит в разработке методики люминесцентной спектроскопии мелких акцепторов в СаАэ и близких соединениях, обеспечивающей значительное улучшение разделения линий в спектрах акцепторной ФЛ по сравнению со стандартными методами измерения и простоту определения природы линий в спектре. Методика основывается ' на наблюдении эволюции спектров ФЛ, регистрируемых с временным разрешением в микросекундном диапазоне, в функции времени задержки после импульса возбуждения, и может применяться для исследования материала с уровнем легирования ЫА, < 1016 см""3, полученному в широком диапазоне условий выращивания. Благодаря,значительному сужению линий в задержанных спектрах ФЛ предложенная методика позволяет наблюдать акцепторы, присутствующие в исследуемом образце в количествах, значительно (до 10 раз) меньших по сравнению с доминирующими .

Апробация работы. Результаты, полученные в данной работе, докладывались на 1-ой Всесоюзной конференции «Физические основы твердотельной электроники» (Ленинград, 1989), ХХ-ой конференции по сверхрешеткам и микроструктурам (Берлин, 1990), ХИ-й Всесоюзной конференции по физике полупроводников (Киев, 1990), 1-й Международной конференции по физике низкоразмерных структур (Черноголовка, 1993), Международной конференции по методам ха-

рактеризации полупроводников (Гейзесбург, США, 1995), 1-й, 2-й и 3-й Российских конференциях по физике полупроводников, (Нижний Новгород, 1993; Зеленогорск, 1996; Москва, 1997), 16-й Общей конференции отделения твердого тела Европейского физического общества (Лювен, Бельгия, 1997), а также докладывались и обсуждались на семинарах Института физики полупроводников СО РАН.

Публикации. По результатам, полученным в данной работе, опубликовано 16 печатных работ [5-20].

ГЛАВА 1. Дельта-легирование полупроводников и рекомбинация в дельта-легированных структурах.

В этой главе приводится обзор литературных данных по дельта-легированию полупроводниковых структур. В первом параграфе

главы рассматриваются способы создания 8-образного профиля концентрации легирующей примеси, характеристики системы носителей заряда, формируемой в 5-слое, и использование 8-легирования при разработке новых приборных структур. Во втором параграфе приводятся данные по излучательной рекомбинации носителей заряда в

8-легированных структурах с одиночными 8-слоями и сверхрешетками 8-слоев. Поскольку, как уже упоминалось во Введении, исследование рекомбинации носителей в 8-легированных структурах ко времени начала нашей работы только началось, а основная часть работ была проведена позже, для соблюдения полноты изложения существенных результатов здесь не будет проводиться отбор излагаемых данных по времени их появления.

§ 1.1. Методы дельта - лехмров ания и размерное квантование носителей.

Легирование полупроводников в виде тонких слоев сильнолегированного материала либо, в предельном случае, слоя примесных

атомов, располагающихся в одной атомной плоскости («8-легирование»), стало возможным после наблюдения быстрого встраивания легирующей примеси на ростовой поверхности в СаАэ при остановленном росте основного материала, проводимом методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ). На основе этого наблюдения в работе [21] было указано на возможность реализации произвольного профиля легирующей примеси при использовании метода

«приостановленного роста» (suspended growth), или легировании при остановке роста основного материала, и отмечено, что использование такого режима позволяет раздельно оптимизировать условия роста (в частности, соотношение потоков элементов при МЛЭ) для легируемого и легирующего слоев и может обеспечить оптимизацию встраивания и увеличение степени активации примеси. При проведении легирования примесью, дающей мелкие уровни, в виде слоя малой толщины - менее длины волны свободных носителей заряда - и достаточно высоком уровнем легирования (выше порога вырождения) в полупроводнике формируется система носителей нового типа [3, 22, 23], не наблюдаемая при однородном легировании полупроводников или в структурах с «традиционными» квантовыми ямами, синтезируемыми из слоев материалов с различной шириной запрещенной зоны. Как и в трехмерном случае, благодаря взаимодействию носителей на уровнях близкорасположенных примесных атомов в легированном слое вырождение уровней снимается, уровни выталкиваются в разрешенную зону, а движение носителей в направлении поперек слоя квантуется потенциалом плоскости ионов; при этом в свою очередь свободные носители экранируют V-образный потенциал ионов, приводя к формированию самосогласованной системы зарядов. Для расчета хода потенциала и положения уровней квантования в такой системе необходимо выполнить совместное решение уравнения Пуассона, учитывающего заряды плоскости ионов и свободных носителей и модификацию потенциальной ямы при смещении последних, и уравнения Шредингера. Для GaAs, исследованию 5-легирования которого посвящена настоящая работа, наиболее просто провести такой расчет для случая 8-легирования донорами, поскольку закон дисперсии для зоны проводимости в этом случае может быть с достаточной точностью аппроксимирован параболическим. Рассчитанная структура электронных уровней в потенциальной яме 8-л-легированного слоя с уровнем легирования

А7е=5'1012 см-2 показана на рис.1 (приводится по работе [24]). При увеличении металлургической ширины легированного слоя из-за, например, диффузии примеси будет наблюдаться уменьшение глубины потенциальной ямы и понижение энергий залегания уровней по сравнению с показанным на рисунке. Обратим здесь также внимание

на большую величину электрического поля, отталкивающего от 8-слоя неосновные носители - дырки (при координате 2=30 и 90 нм, т.е. уже вне области расположения максимумов волновых функций электронов, электрическое поле составляет «10 кВ/см). Для 8-легирования акцепторами ход потенциала качественно аналогичен показанному на рис.1, где теперь следует считать потенциальную яму дырочной, однако количественный расчет зонной диаграммы при

8-р-легировании значительно затрудняется сложной структурой валентной зоны; по этой причине такой расчет был выполнен лишь недавно [25] .

Экспериментально характеристики системы основных носителей на уровнях размерного квантования в потенциальной яме 8-слоя изучалась с помощью магнитотранспортных методик [26] , методом резонансного туннелирования [27-29], ИК-поглощением на межпод-зонных переходах [29, 30], а также методом фотолкминесценции, о

чем речь пойдет в следующем параграфе; при этом во всех случаях исследовалась система квантованных электронов, а комплементарная система дырок в потенциальной яме 8-р-легированного слоя рассмотрена не была. Наблюдение эффекта Шубникова-де Гааза в магнитном поле до 43 Тл позволило количественно изучить распределение электронов по уровням размерного квантования в потенциальной яме 8-л-легированного слоя с уровнем легирования

Х2 _2

Ые=5,6'10 см [26] и показать, что исследованный авторами образец в действительности имеет ширину легированного слоя «3 нм.

200

180

- 160 v

¿ 140 ш

5 120 £E Ui

z 100

liJ

80 60 40 20 0

0 200 400 600 800 1000 (200 DEPTH z (Á)

Рис.1. Энергетическая диаграмма 8-л-легированного слоя с уровнем легирования А7е=5'1012 см-2 (приводится по работе [24]) . Электроны располагаются на четырех уровнях размерного квантования. Показано распределение квадратов модулей волновых функций ц/ (z) электронов на различных уровнях; амплитуды кривых отражают полные концентрации электронов на соответствующих уровнях, указанные сверху. Ef - уровень Ферми.

8-D0PED n-GoAs

Т= 4.0К

* 2.5 х 1020cm-5х 2 Á * 5x1012cm"2

п0 = 3.05 х1012спГ2 n, = 1.18 x 1012cm"2 n2 =0.531 x 10,2cm~2

n3 =0.188 x1012cm"2

Иллюстрируемое рис.1 увеличение среднего расстояния между электронами и ионами, ограничивающими подвижность электронов, по сравнению с однородным легированием приводит к возрастанию подвижности электронов в 5-л-легированном канале в пересчете на ту же концентрацию [31-33]. Было предложено использовать 8-

легирование для создания высокочастотных полевых транзисторов на СаАэ [22, 34] и [35]. Другое направление практического

применения 8-легирования обусловлено возможностью управления ходом потенциала в структуре при введении в область пространственного заряда тонкого (с толщиной много менее длины экранирования) слоя примесей, ионизованных при рассматриваемых температурах; в этом случае возможно добиться изменения эффективной высоты барьера Шоттки, потенциального барьера на гетерогранице или величины эффективного разрыва зон [36-38], а также понизить

сопротивление электрического контакта к области структуры или реализовать низкоомные контакты, не требующие проведения вжига-

ния. При введении сильнолетированного 8-слоя акцепторов (в действительности, слоя толщиной 10 нм) в структуру вида р+-п~-8 (р+) -п~-п+ были получены регенеративные переключатели с возможностью управления их характеристиками внешним сигналом [39] .

Третье направление применения 8-легирования состоит в использовании 8-слоев в гетероструктурах с селективным легированием вместо однородного легирования широкозонного слоя АЮаАэ. В этом случае благодаря более высоким максимальным концентрациям носителей, достижимым при 8-легировании, и модификации формы потенциала в легированном слое гетероструктуры удается повысить концентрацию и подвижность носителей в двумерном канале [40,

41] и получить высокую дифференциальную проводимость и низкое сопротивление во включенном состоянии транзистора на такой

структуре [23]. Было также предсказано, что частичное упорядочение расположения атомов примеси в сильно легированном 8-слое может дополнительно понизить рассеяние носителей, что может быть применено для повышения быстродействия гетеробиполярных транзисторов [41].

Создание и использование 8-легированных слоев потребовало разработки средств контроля реализуемого в действительности профиля концентрации легирующей примеси и оптимизации методов выращивания и легирования для получения наиболее точно контролируемых профилей. Основным методом синтеза 8-легированных структур является МЛЭ, обеспечивающая наилучшую резкость ростовых профилей, достигающую монослойного разрешения. Эпитаксия из газовой фазы проигрывает здесь методу МЛЭ, что в частности связано с использованием легко диффундирующих примесей [36, 42],

однако оптимизация режимов роста требуется и при МЛЭ. Была изучена диффузия основных на сегодняшний день примесей, применяемых при эпитаксии СаАэ и А1СаАэ методом МЛЭ, - кремния и бериллия, а также олова [24, 43-47]. При этом для регистрации профилей легирования в действительности использовалась запись профилей концентрации свободных носителей в специально приготовленных структурах методом С-Ч, для чего было показано, что этот метод позволяет регистрировать различие профилей слоев с толщинами в 5 и 0,2 нм [24] . В качестве прямого метода контроля профилей концентрации примесей использовалась профилирующая масс-спектроскопия вторичных ионов [41]. Путем выполнения отжига 5-

слоев были измерены коэффициенты диффузии примесей в зависимости от температуры, удалось впервые определить коэффициент диффузии атомарного кремния. Было показано, что важную роль в определении профиля легирующего слоя играют сегрегация примеси в направлении роста, вызванная электростатическим притяжением ио-

нов примеси в процессе роста к поверхности из-за закрепления уровня Ферми в GaAs на поверхности, а при высоких уровнях легирования - электростатическое расталкивание ионов на ростовой поверхности и уже встроенных в растущую пленку, приводящие к уширению профиля [41]. Было показано, что олово наиболее подвержено действию механизмов уширения легированного слоя, и потому наименее подходит для получения 5-слоев при МЛЭ. При выращивании образца методом МЛЭ в его традиционной модификации, - с использованием твердотельного источника мышьяка, подаваемого в зону роста в виде As4, - при температуре подложки 15=500 °С наблюдается увеличение ширины профиля бериллия до «30-40 нм для концентрации 2-1014 см-2 и 100 нм при 4-1014 см-2, а сам профиль становится несимметричным, вытягиваясь в направлении поверхности; для уменьшения влияния этого эффекта необходимо снизить температуру эпитаксии [41]. Оказалось, что использование газового источника элементного мышьяка, получаемого термическим разложением арсина, предотвращает уширение профиля примеси при температуре подложки до 500-520°С [47], по крайней мере при использованном авторами умеренном уровне легирования в 8-1012 см-2. Этот подход был применен ими для создания гетеробиполярных транзисторов с толщиной р-базы 10 нм и ее легированием в виде монослоя бериллия (6*1014 ат/см2) [48]. Методом просвечивающей

электронной микроскопии высокого разрешения было показано, что при высоких уровнях легирования бериллием (0,5-2)-1014 см-2 толщина легированного слоя равна «1,5 нм при росте из газового источника As и на порядок выше при использовании молекулярного источника As4 [49]. В противовес результатам Cunningham'а и соавторов [47], их коллеги по AT&T Bell Laboratories [50] заключили, что при уровне легирования 8-слоя бериллием или крем-12 _2

нием 5-10 см различия в ширине профилей слоя при использова-

нии молекулярного источника Аб4 или газового источника атомарного Аэ нет. Наконец, недавно возможность легирования тонкими слоями бериллия, получаемыми при оптимизации условий роста в МЛЭ, была продемонстрирована прямым наблюдением атомарной

структуры 8-слоев на сколе образцов методом сканирующей туннельной микроскопии [51]; толщины полученных слоев составили

«2 нм для концентраций <1*1013 см-2, 6-7 для концентрации З-Ю13 см-2, и 15 нм для концентрации 1-1014 см-2, что находится в соответствии с результатами [49].

Еще один эффект, затрудняющий применение 8-слоев, легируемых при МЛЭ кремнием, - связанное с деталями механизма встраивания (кластеризацией) ограничение концентрации атомов кремния в слое, наблюдаемое при повышении уровня легирования свыше

«1013 см-2. Это ограничение удалось недавно преодолеть [52], модифицировав механизм встраивания путем проведения роста на подложках, отклоненных от направления (100) на 2°; в этом случае

1 о

удалось получить концентрацию электронов в слое до 8-10 см (при этом плотность легирующих атомов составила 4-1014 см-2, или 0, 61 монослоя).

§ 1.2. Рекомбинация носителей заряда в дельта-легированных структурах.

Кроме изучения транспортных характеристик системы носителей заряда, формируемой при создании 8-легированного слоя, было предпринято исследование процесса рекомбинации с участием размерно-квантованных носителей. Наиболее удобным для изучения рекомбинации является метод фотолюминесценции, позволяющий дифференцировать наблюдаемые переходы по энергетическому положению в спектре и их характеристикам. Как уже упоминалось, ко времени

начала нашей работы при исследовании ФЛ структур 8-п-легированного ОаАв был получен отрицательный результат, подтвержденный впоследствии, - переходы с участием размерно-квантованных электронов в спектрах обнаружены не были [4, 53],

что связано, по-видимому, с отталкиванием фотодырок от 8-слоя. Несколько позже переходы электронов на уровнях размерного квантования удалось обнаружить,, поместив 8-легированныи ОаАБ между широкозонными обкладками АЮаАв, блокирующего дрейф неравновесных дырок (расстояние от 8-слоя до обкладок составляло 20 нм) [54] . Позже такие же результаты были получены сперва при 8-п-легировании [55] и впоследствии при 8-р-легировании области потенциальной ямы АЮаАв/ОаАз-гетероструктуры [56, 57] . Другим

способом локализации дырок вблизи 8-слоя, позволившим наблюдать люминесценцию электронов на уровнях квантования, явилось создание в гомоэпитаксиальной структуре, не содержащей широкозонных

барьеров периодической последовательности 8-слоев, или п±п1-сверхрешетки [58, 59]; в таких структурах наблюдается ФЛ самых верхних уровней в потенциале сверхрешетки. Наконец, в 1985-88 годах были предложены и изучены т. наз. 8-л1р1-сверхрешетки, представляющие собой периодическую последовательность донорных и акцепторных 8-слоев с равными уровнями легирования, разделенных нелегированным 1-материалом [60-63]. В равновесии в таких

сверхрешетках происходит компенсация донорных и акцепторных слоев, в результате чего формируется «пилообразный» потенциал. Аналогично случаю плавного модулированного потенциала в л!р1-

сверхрешетках со сплошным «объемным» легированием л- и р-областей [64, 65], носители двух знаков, генерируемые при освещении структуры либо при инжекции через р-п-переход, разделяют-

ся электрическим полем «пилообразного» потенциала. При малых периодах сверхрешетки (до «10-15 нм) при этом возможно также туннелирование носителей в соседнюю потенциальную яму того же знака, что приводит к 'образованию минизон (сверхрешетки «типа

А»), а при больших («50 нм) носители остаются в той яме, куда были захвачены (сверхрешетки «типа Б»). Разделенные пространственно носители, тем не менее, находятся друг от друга на фиксированном расстоянии, задаваемым периодом сверхрешетки, поэтому наблюдается эффективная люминесценция нескольких уровней размерного квантования в треугольных потенциальных ямах сверхрешетки [66-68]. Благодаря пространственному разделению носителей

в сверхрешетках типа Б положение линии ФЛ в спектре может перестраиваться изменением интенсивности возбуждения; в сверхрешетках типа А, напротив, положение линии практически постоянно, однако благодаря сравнительно высокой вероятности рекомбинации удается получить стимулированное излучение и реализовать полупроводниковый лазер нового типа, линия излучения которого сдвинута в длинноволновую сторону по отношению к стандартным конструкциям [61, 67, 68] .

Резюмируя результаты по структурам с одиночными 8-слоями и 8-п1л1- и 8-л1р1-сверхрешетками, можно заключить, что электрическое поле, разделяющее носители разных знаков, препятствует рекомбинации электронов на уровнях размерного квантования в потенциальной яме 8-л-слоя. Оставалось неясным, однако, является

ли рекомбинация размерно-квантованных носителей в 8-легированной потенциальной яме принципиально невозможной; комплементарная система носителей - размерно-квантованные дырки в

8-р-легированных структурах - исследована не была. В то же время в системе носителей с качественно аналогичным ходом потенциала, формирующейся в поверхностных каналах структур металл-

оксид-полупроводник на кремнии и структур с гетеропереходом СаАз/МСаАз, а также на границе раздела полупроводника (Се, Эл., СаАг) с электролитом, наблюдалась и была изучена фотолюминесценция [69-82], связанная с переходами носителей в потенциальной яме области поверхностного заряда (ОПЗ). Как было показано авторами работ [69-82], при захвате в ОПЗ некоторого количества

неравновесных носителей одного знака, генерируемых при межзонной подсветке, энергетически выгодным может быть образование второго слоя носителей обратного знака, притягивающихся к носителям первого типа в потенциальной яме у поверхности, благодаря чему становится возможной излучательная рекомбинация. Следовательно, можно предположить, что при некоторых условиях система размерно-квантованных носителей в 5-легированных структурах может наблюдаться в излучательной рекомбинации. В связи с этим нами было предпринято исследование фотолюминесценции 8-р-легированных структур СаАэ, результаты которого, подтверждающее это предположение, излагаются далее в третьей главе.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Гилинский, Александр Михайлович

Основные результаты и выводы диссертационной работы состоят в следующем:

1. Обнаружена излучательная рекомбинация размерно-квантованных носителей заряда в 5-легированном арсениде галлия. Показано, что 8-легирование баАэ акцепторной примесью приводит к появлению в спектрах низкотемпературной фотолюминесценции интенсивных линий, обусловленных излучательной рекомбинацией размерно-квантованных дырок, находящихся в потенциальной яме 8-слоя. Данный вывод основывается на исследовании зависимостей ФЛ 8-легированных структур от уровня легирования и степени уширения 8-слоя, интенсивности возбуждения и температуры измерения .

2. Методом нестационарной фотолюминесценции показано, что излучательная рекомбинация дырок в 8-р-легированном СаАэ обусловлена непрямыми в пространстве переходами. Предложена модель процесса рекомбинации неравновесных носителей, состоящая в образовании, благодаря притяжению электронов к избыточным дыркам, захватываемым в потенциальную яму 8-слоя, «плоскостей» неравновесных электронов, параллельных 8-слою.

- 155

3. Обнаружено, что затухание нестационарной ФЛ мелких акцепторов в слаболегированном GaAs и близких соединениях при низких температурах, в отличие от распространенной точки зрения, происходит по существенно неэкспоненциальному закону, близкому к степенному I (t) ~ l/ta, где показатель степени сс=0,3-1,5 для переходов зона-акцептор и а=0,7-1,0 для переходов донор-акцептор. Показано, что эффект длительного затухания не зависит от типа проводимости и концентрации мелких примесей в материале в диапазоне ND, NA < 1016 см-3, а также способа его выращивания и концентрации ловушек и глубоких центров рекомбинации. Предложена модель процесса рекомбинации, основанная на учете многократных эмиссии и перезахвата неравновесных электронов мелкими донорами, выступающими в роли ловушек для электронов, объясняющая наблюдаемые закономерности кинетики ФЛ мелких акцепторов.

4. Предложен новый метод фотолюминесцентной спектроскопии мелких акцепторов в GaAs и родственных соединениях, основывающийся на регистрации эволюции спектра нестационарной ФЛ со временем после возбуждения в микросекундном диапазоне и обеспечивающий значительное улучшение разделения линий в спектре по сравнению со стандартными способами измерения и простоту определения природы наблюдаемых линий.

Диссертационная работа выполнена в Институте физики полупроводников Сибирского Отделения РАН. Личный вклад автора состоит в подготовке и проведении экспериментов, анализе полученных данных, разработке модели и проведении расчетов, разработке и построении системы регистрации ФЛ со временным разрешением.

Автор выражает искреннюю признательность научному руководителю за постоянное руководство и помощь при выполнении работы, В.П.Мигалю, Д.И.Лубышеву, В.В.Преображенскому и

Б.Р.Семягину за предоставление образцов 8-легированных и нелегированных структур GaAs, Н.Т.Мошегову, А.И.Торопову и А.К.Калагину за возможность исследования выращенных ими структур GaAs и AlGaAs, использованных в работе при проведении сравнительного исследования, Н.С.Рудой, Н.А.Якушевой и Ю.Б.Болховитянову за предоставление образцов GaAs, выращенных методом ЖФЭ, Е.Х.Хайри за проведение отжига 8-легированных образцов, В.А.Самойлову за предоставление данных C-V исследований на ряде структур, выращенных методом МЛЭ на установке Riber-32Р, и коллегам по Сектору люминесцентных методов контроля параметров полупроводниковых структур ИФП СО РАН - Т. С. Шамирзаеву и О.А.Шегаю - за постоянное сотрудничество. Кроме этого, автор искренне благодарит всех коллег по своей работе в Институте физики полупроводников, благодаря постоянному плодотворному взаимодействию с которыми только и могла состояться эта работа, и выражает признательность за финансовую поддержку Российскому фонду фундаментальных исследований и Международному научному фонду (The International Science Foundation) за поддержку участия в работе Конференции по методам исследования полупроводников .

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В настоящей работе было проведено экспериментальное исследование излучательной рекомбинации размерно-квантованных дырок в 8-р-легированном СаАэ. Изучены зависимости ФЛ 5-легированных структур от уровня легирования и степени уширения 5-слоя, интенсивности возбуждения и температуры измерения, кинетика и поляризация ФЛ 5-слоя. Исследована кинетика ФЛ намеренно не легированного и слаболегированного СаАэ, проведено моделирование процесса рекомбинации.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Гилинский, Александр Михайлович, 1999 год

- 157 -СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

[1] Cho A. Twenty years of molecular beam epitaxy. - J. Crystal Growth, 1995, v.150, p.1-6.

[2] Herman M.A. Semiconductor superlattices in optoelectronic devices. - Opto-Electronics Review, 1993, № 3, p.83-94.

[3] Ploog K., Hauser M., Fischer A. Fundamental studies and device application of 8-doping in GaAs layers and in AlxGai_xAs/GaAs heterostructures. - Appl. Phys. A, 1988, v.45, p.233-244.

[4] Perry C.H., Lee K.S., Zhou W., Worlock J.M., Zrenner A., Koch F., Ploog K. Magneto-optical studies of a silicon delta-doping layer in л-GaAs. - Surf. Sci., 1988, v.196, p.677-682.

[5] Гилинский A.M., Журавлев К.С., Мигаль В.П., Лубышев Д.И., Семягин Б.Р. Фотолюминесценция 5-р-легированного арсенида галлия. - Письма в ЖЭТФ, 1989, т.50, № 3, с.141-143.

[6] Гилинский A.M., Журавлев К.С., Мигаль В.П., Лубышев Д.И.,

Семягин Б.Р. Фотолюминесценция S-р-легированного арсенида галлия. - Тезисы 1-й Всес. Конф. "Физические основы твердотельной электроники", Ленинград, 1989, с.255.

[7] Gilinsky A.M., Zhuravlev K.S., MigalV.P., Lubyshev D.I., Preobrazhenskii V.V., Semiagin B.R. Photoluminescence of holes in delta-p-doped gallium arsenide. - Abstracts of XX Internat. Conf. on Superlattices and Microstructures, Berlin, 1990, p.Tu-Po-25.

[8] Gilinsky A.M., Zhuravlev K.S., Migal V.P., Lubyshev D.I., Preobrazhenskii V.V., Semiagin B.R. Photoluminescence of holes in delta-p-doped gallium arsenide. - Superlatt. and Microstruct., 1991, v.10, № 4, p.399-402.

- 158 -

[9] Гилинский A.M., Журавлев К.С., Мигаль В.П., Лубышев Д.И., Преображенский В.В., Семягин Б.Р. Температурная зависимость фотолюминесценции дельта-р-легированного арсенида галлия. -Тезисы XII Всесоюзной конф. по физике полупроводников, Киев, 1990, часть 1, с.178-179.

[10] Gilinsky A.M., Zhuravlev K.S., MigalV.P., Lubyshev D.I., Preobrazhenskii V.V., Semiagin B.R. Nonequilibrium electronic planes in delta-p-doped gallium arsenide. - Тезисы 1-й Междун. конф по физике низкоразмерных структур, Черноголовка, 1993, с.76.

[11] Гилинский A.M., Журавлев К.С., Мигаль В.П., Лубышев Д.И., Преображенский В.В., Семягин Б.Р. Долговременная кинетика фотолюминесценции дельта-р-легированного арсенида галлия. - Тезисы 1-й Российской конференции по физике полупроводников, Нижний Новгород, 1993, т.1, с.56.

[12] Gilinsky A.M., Zhuravlev K.S., Migal V.P., Lubyshev D.I., Preobrazhenskii V.V., Semiagin B.R. Nonequilibrium electronic planes in delta-p-doped gallium arsenide. - Phys. Low-Dim. Struct., v.3, 1994, p.53-58.

[13] Gilinsky A.M., Zhuravlev K.S. New photoluminescence technique for investigation of shallow acceptors in GaAs and related compounds. - Proceedings of Internat. workshop on semiconductor characterization: Present status and future needs, Gaithersburg, MD, USA, January 30 - February 2,

1995, p.PP61.

[14] Gilinsky A.M., Zhuravlev K.S. Identification of shallow acceptors in GaAs using time-delayed photoluminescence spectroscopy. - В кн. «Semiconductor Characterization: Present Status and Future Needs», AIP press, New York,

1996, p.649-652.

- 159 -

[15] Gilinsky A.M., Zhuravlev K.S. Characterization of shallow acceptors in GaAs by microsecond-scale time-resolved photo luminescence . - Appl. Phys. Lett., 1996, v.68, № 3, p.373-375.

[16] Журавлев К.С., Гилинский A.M. Длительное затухание фотолюминесценции мелких акцепторов в GaAs. - Тезисы 2-й Российской Конф. по физике полупроводников, Зеленогорск, 1996, т.1, с.61.

[17] Гилинский A.M., Журавлев К.С. Характеризация мелких акцепторов в GaAs методом фотолюминесценции с микросекундным временным разрешением. - Тезисы 2-й Российской Конф. по физике полупроводников, Зеленогорск, 1996, т.1, с.129.

[18] Журавлев К.С., Гилинский A.M. Подвижная линия акцепторной фотолюминесценции «чистого» GaAs. - Письма в ЖЭТФ, 1997, т.65, № 1, с.81-85.

[19] Гилинский A.M., Журавлев К.С. Шамирзаев Т.С., Моше-гов Н.Т., Торопов А.И. Длительное затухание нестационарной краевой фотолюминесценции прямозонных твердых растворов AlGaAs. - Тезисы 3-й Российской конференции по физике полупроводников, Москва, 1997, с.207.

[20] Gilinsky A.M., Zhuravlev К.S., Shamirzaev T.S., Moshe-gov N.T., Toropov A.I. Long decay of transient photoluminescence of shallow impurities in direct-gap AlGaAs. - Abstracts of the 16th General Conference of the Condensed Matter Division of the European Physical Society, August 25-28, 1997, Leuven, Belgium, p.143.

[21] Wood C.E.C., Metze G.M., Berry J.D., Eastman L.F. Complex free-carrier profile synthesis by «atomic-plane» doping of MBE GaAs. - J. Appl. Phys., 1980, v.51, № 1, p.383-387.

- 160 -

[22] Ploog K. Molecular beam epitaxy of artificially layered III-V semiconductors: ultrathin-layer (GaAs)m(AlAs)n super-lattices and delta (8-) doping in GaAs. - Physica Scripta, 1987, v.T19, p.136-146.

[23] Schubert E.F. Delta-doping of III-V compound semiconductors: fundamentals and device applications. - J. Vac. Sci. Technol. A, 1990, v.8, № 3, p.2980-2996.

[24] Schubert E.F., Stark J.B., Ullrich B., Cunningham J.E. Spatial localization of impurities in S-doped GaAs. Appl. Phys. Let., 1988, v.52, № 18, p.1508-1510.

[25] Sipahi G.M., Enderlein R., Scolfaro L.M.R., Leite J.R., da Silva E.C.F., Levine A. Theory of luminescence spectra

from S-doping structures: application to GaAs. - Phys. Rev. B, 1998, v.57, № 15, pp.9168-9178.

[26] Zrenner A., Koch F., Galibert J., Goiran M., Leotin J., Ploog K., Weimann G. Caracterisation par magnetotransport d'une couche electronique bidimensionelle dans une structure GaAs a dopage Si dans un plan (100) . - Revue Phys. Appl., 1989, v.24, № 1, p.31-35.

[27] Bending S., Zhang C., von Klitzing K., Ploog K. Magneto-

tunelling measurement of space-charge accumulation in 5e

doped quantum wells. - Phys. Rev. B, 1989, v.39, № 2, p.1097-1103.

[28] Eisele I. Quantized states in delta-doped Si layers. Su-perlat. Microstruct., 1989, v.6, № 1, p.123-128.

[28] Eisele I. Delta-type doping profiles in silicon. Appl. Surf. Sci., 1989, v.36, p.39-51.

[29] Huant S., Stepniewski R., Martinez G., Thierry-Mieg V., Etienne B. Magneto-optical properties of shallow donors in

- 161 -

planar-doped GaAs-GaAlAs multi-quantum-wells. - Superlat. Microstruct., 1989, v.5, № 3, p.331-334.

[30] Schwartz N., Muller F., Tempel G., Koch F., Weimann G. Resonant excitation of a layer of Si donors in GaAs. -Semicond. Sci. Technol., 1989, v.4, p.571-573.

[31] Schubert E.F., Cunningham J.E., Tsang W.T. Electron-mobility enhancement and electronic-concentration enhancement in 5-doped л-GaAs at T=300 K. - Sol. State Commun., 1987, v.63. № 7, p.591-594.

[32] Мигаль В.П., Лубышев Д.И., Преображенский В.В., Ов-сюк В.Н., Семягин Б.Р., Стенин С.И. Молекулярно-лучевая эпитаксия модулированных структур GaAs. - Электронная промышленность, 1989, № б, с.6-8.

[33] Masselink W.T. High differential mobility of hot electrons in delta-doped quantum wells. - Appl. Phys. Lett., 1991, v.59, № 6, p.694-696.

[34] Schubert E.F., Ploog K. The 5-doped field-effect transistor. - Japanese J. Appl. Phys., pt.2, 1985, v.24, № 8, p.L608-L610.

[35] Zeindl H.P., Bullemer В., Eisele I., Tempel G. Delta-doped MESFET with MBE-grown Si. - J. Electrochem. Soc., 1989, "v.136, № 4, p.1129-1131.

[36] Pearton S.J., Fen F., Abernathy C.R., Hobson W.S., Chu S.N.G., Kovalchik J. Carbon and zinc delta doping for Schottky barrier enhancement on л-type GaAs. - Appl. Phys. Lett., 1989, v.55, № 13, p.1342-1344.

[37] Muller G., Zrenner A., Koch F., Ploog K. Barrier tuning by means of a quantum interface-induced dipole in a doping layer. - Appl. Phys. Lett., 1989, v.55, № 15, p.1564-1566.

- 162 -

[38] Shen T.-H., Elliot M., Williams R.H., Westwood D. Effective barrier height, conduction-band offset, and the influence of p-type 8 doping at heterojunction interfaces: the case of the InAs/GaAs interface. - Appl. Phys. Lett., 1991, v.58, №8, p.842-844.

[39] Wang Y.H., Yarn K.F., Chang C.Y. Current-injection three-terminal GaAs regenerative switches. - Int. J. Electronics, 1990, v.68, № 5, p.693-704.

[40] Cunningham J.E., Timp G., Chang A.M., Chiu T.H., Jan W., Schubert E.F., Tsang W.T. Spatial localization of Si in selectively 5-doped AlxGa!_xAs/GaAs heterostructures for high mobility and density realization. J. Cryst. Growth, 1989, v.95, p.253-256.

[41] Schubert E.F., Pfeiffer L., West K.W., Izabelle A. Dopant distribution for maximum carrier mobility in selectively doped Al0.3oGa0.7oAs/GaAs heterostructures. - Appl. Phys. Let., 1989, v.54, № 14, p.1350-1352.

[41] Levi A.F.J., McCall S.L., Platzman P.M. Nonrandom doping and elastic scattering of carriers in semiconductors. Appl. Phys. Let., 1989, v.54, № 10, p.940-942.

[42] Hobson W.S., Pearton S.J., Schubert E.F., Cabaniss G. Zinc delta doping of GaAs by organometallic vapor phase epitaxy. - Appl. Phys. Lett., 1989, v.55, № 15, p.1546-1548.

[43] Schubert E.F., Stark J.B., Chiu T.H., Tell B. Diffusion of atomic silicon in gallium arsenide. - Appl. Phys. Lett., 1988, v.53, № 4, p.293-295.

[44] Schubert E.F., Kuo J.M., Kopf R.F., Luftman H.S., Hopkins L.C., Sauer N.J. Beryllium 5-doping of GaAs grown by

- 163 -

molecular beam epitaxy. - J. Appl. Phys. 1990, v.67, № 4, p.1969-1979.

[45] Harris J.J., Clegg J.B. Beall R.B., Castagne J., Woodbridge K., Roberts C. Delta-doping of GaAs and Alo.33Gao.67As with Sn, Si and Be: a comparative study. - J. Cryst. Growth, 1991, v.Ill, p.239-245.

[46] Yamauchi Y., Makimoto T., Horikoshi Y. Annealing properties of Si-atomic-layer-doped GaAs. - Japanese J. Appl. Phys., 1989, pt.2, v.28, № 10, p.L1689-1692.

[47] Cunningham J.E., Chiu T.H., Ourmazd A., Jan W., Kuo T.Y. Diffusion limited 8-doping profiles in GaAs grown by gas source molecular beam epitaxy. - J. Cryst. Growth, 1990, v.105, p.111-115.

[48] Cunningham J.E., Kuo T.Y., Ourmazd A., Goosen K., Jan W., Storz F., Ren F., Fonstad C.G. Gas source molecular beam epitaxy growth of - heterojunction bipolar transistors containing 1 monolayer S-Be. - J. Cryst. Growth, 1991, v.Ill, p.515-520.

[49] Ourmazd A., Cunningham J., Jan W., Rentschier J.A., Schröter W. Direct imaging of S-doped layers in GaAs. - Appl. Phys. Lett., 1990, v.56, № 9, p.854-856.

[50] Asom M.T., Livescu G., Geva M., Swaminathan V., Luther L.C., Leibenguth R.E., Mattera V.D., Schubert E.F., Kuo J.M., Kopf R. Comparison of delta doped GaAs grown by MBE and GSMBE using different arsenic species. - J. Cryst. Growth, 1991, v.lll, p.246-251.

[51] Koenraad P.M., Johnson M.B., Pfister M., Salemink H.W.M. Chemical identification on the atomic scale in MBE-grown III-V alloy semiconductors. - Proceedings of the 18th In-

- 164 -

ternat. Confer, on defects in semiconductors ICDS-18, 1995 July 23-28, Sendai, Japan.

[52] Daweritz L., Kostial Y., Hey R., Ramsteiner M., Wagner J., Maier M., Behrend J., Horicke M. Atomic-scale controlled incorporation of ultrahigh-density Si doping sheets in GaAs. - J. Cryst. Growth, 1995, v.150, p.214-220.

[53] Henning J.C.M., Kessener Y.A.R.R., Koenraad P.M., Leys M.R., van der Vleuten W., Wolter J.H., Frens A.M. Photoluminescence study of Si delta-doped GaAs. - Semicond. Sci. Technol., 1991, v.6, p.1079-1087.

[54] Васильев A.M., Копьев П.С., Надточий М.Ю., Устинов В.М. Переходы с участием размерно-квантованных подзон в спектре фотолюминесценции S-легированного GaAs. - ФТП, 1989, т.23, № 12, с.2133-2137.

[55] Wagner J., Fischer A., Ploog К. Photoluminescence from the quasi-two-dimensional electron gas at a single silicon 8-doped layer in GaAs. - Phys. Rev. B, v.42, № 11, p.7280-7283.

[56] Wagner J., Ruiz A., Ploog K. Fermi-edge singularity and band filling effects in the luminescence spectrum of Be-S-doped GaAs. - Phys. Rev. B, 1991, v.43, № 14, p.12134-12138.

[57] Richards D., Wagner J., Schneider H., Hendorfer G., Maier M., Fischer A., Ploog K. Two-dimensional hole gas

and Fermi-edge singularity in Be S-doped GaAs. - Phys. Rev. B, 1993, v.47, № 15, p.9629-9640.

[58] Альперович В.JI., Журавлев К.С., Лубышев Д.И., Мигаль В.П., Семягин Б.Р. Излучательная рекомбинация фотодырок, локали-

зованных в потенциале 5-легированных л1л1-сверхрешеток. -Письма в ЖЭТФ, 1989, т.50, № 11, с.476-478.

[59] Shibli S.M., Scolfaro L.M.R., Leite J.R., Mendoca С.А.С., Plentz F., Meneses E.A. Hole confinement effects on multiple Si 8-doping in GaAs. - Appl. Phys. Lett., 1992, v. 60, № 23, p.2895-2897.

[60] Schubert E.F., Cunningham J.E., Tsang W.T. Realization of the Esaki-Tsui-type doping superlattice. - Phys. Rev. B, 1987, v.36, № 2, p.1348-1351.

[61] Schubert E.F., Cunningham J.E., Tsang W.T. Perpendicular electronic transport in doping superlattices. - Appl. Phys. Lett., 1987, v.51, № 11, p.817-819.

[62] Schubert E.F., Ullrich В., Harris T.D., Cunningham J.E. Quantum-confined interband absorption in GaAs sawtooth-doping superlattices. - Phys. Rev. B, 1988, v.38, № 12, p.8305-8308.

[63] Ullrich В., Zhang C., Schubert E.F., Cunningham J.E., v.Klitzing K. Transmission spectroscopy on sawtooth-doping superlattices. - Phys. Rev. B, 1988, v.39, № 6, p.3776-3779.

[64] Dohler G.H. Semiconductor superlattices - a new material for research and application. - Physica . Scripta, 1981, v.24, p.430-439.

[65] Dohler G.H. Doping superlattices («п-i-p-i crystals»). -IEEE J. Quantum Electron., 1986, v.QE-22, № 9, p.1682-1695.

[66] Schubert E.F., Harris T.D., Cunningham J.E., Jan W. Multi-subband photoluminescence in sawtooth doping superlattices. - Phys. Rev. B, 1989, v.39, № 15, p.11011-11015.

- 166 -

[67] Schubert E.F., van der Ziel J.P., Harris T.D., Cunningham J.E., Harris T.D. Tunable stimulated emission of radiation in GaAs doping superlattices. - Appl. Phys. Lett., 1989, v.55, № 8, p.757-759.

[68] Schubert E.F., Fischer A., Horikoshi Y., Ploog K. GaAs in sawtooth superlattices laser emitting at wavelengths

A>0.9 ¡am. - Appl. Phys. Lett., 1985, v.47, № 3, p.219-221.

[69] Пикус Г.Е. Поляризация экситонного излучения кремния под действием магнитного поля при одноосной деформации. - ФТТ, 1977, т.19, № 6, с.1653-1664.

[70] Алтухов П.Д., Иванов А.В., Ломасов Ю.Н., Рогачев А.А. Ре-комбинационное излучение неравновесных электронно-дырочных пар, связанных со слоем поверхностного заряда в кремнии. -Письма в ЖЭТФ, 1983, т.38, № 1, с.5-8.

[71] Алтухов П.Д., Иванов А.В., Ломасов Ю.Н., Рогачев А.А. Двумерная электронно-дырочная система на поверхности кремния. - Письма в ЖЭТФ, 1984, т.39, № 9, с.432-436.

[72] Алтухов П.Д., Монахов A.M., Рогачев А.А., Харциев В.Е. Стабильность квазидвумерных электронно-дырочных систем. -ФТТ, 1985, т.27, № 2, с.576-578.

[73] Алтухов П.Д., Иванов А.В., Ломасов Ю.Н., Рогачев А.А. Двумерное состояние неравновесных электронно-дырочных пар, связанных со слоем поверхностного заряда в кремнии. - ФТТ, 1985, т.27, № 6, с.1690-1696.

[74] Алтухов П.Д., Рогачев А.А. Оптическая спектроскопия двумерных электронов и дырок на поверхности кремния. - ФТТ, 1985, т.27, № 11, с.3443-3446.

[75] Аснин В.М., Рогачев А.А., Силов А.Ю. Магнитопроводимость неравновесных электронов и дырок, связанных со слоем по-

- 167 -

верхностного заряда в кремнии. - ФТТ, 1986, т.28, № 4, с.1212-1215.

[76] Аснин В.М., Рогачев A.A., Степанов В.И., Чурилов А.Б. Двумерная электронно-дырочная плазма на границе раздела германий-электролит. - Письма в ЖЭТФ, 1986, т.43, № 6, с.284-287.

[77] Алтухов П.Д., Бакун A.A., Крутицкий A.B., Рогачев A.A., Рубцов Г.П. Экситоны, связанные со слоем поверхностного заряда в кремнии. - Письма в ЖЭТФ, 1987, т. 46, № 11, с.427-430.

[78] Алтухов П.Д., Бакун A.A., Медведев Б.К., Мокеров В.Г., Рогачев A.A., Рубцов Г.П. Двумерная электронно-дырочная система в области гетероперехода в структурах GaAs-AlGaAs с модулированным легированием. - ФТП, 1987, т.21, № 3, 449455.

[79] Аснин В.М., Рогачев A.A., Степанов В.И., Чурилов А.Б. Двумерные электронно-дырочные слои границе раздела германий-электролит. - ФТТ, 1987, т.29, № 6, 1713-1722.

[80] Алтухов П.Д., Бакун A.A., Концевой Ю.А., Кузнецов Ю.А., Рогачев A.A., Романова T.JI., Рубцов Г.П. Квантовые размерные эффекты в системе неравновесных электронов и дырок на поверхности кремния. - ФТТ, 1987, т.29, № 8, 2412-2419.

[81] Алтухов П.Д., Бакун A.A., Рогачев A.A., Рубцов Г.П. - Эк-ситонный резонанс на уровне Ферми двумерных электронов на поверхности кремния. - ФТТ, 1988, т.30, № 12, 3560-3564.

[82] Аснин В.М., Рогачев A.A., Силов А.Ю., Степанов В.И. Двумерная электронно-дырочная плазма на межфазной границе ар-сенид галлия-электролит. - Письма в ЖТФ, 1988, т.14, № 23, с.2183-2187.

- 168 -

[83] Enquist P., Wicks G.W., Eastman L.F., Hitzman C. Anomalous redistribution of beryllium in GaAs grown by molecular beam epitaxy. - J. Appl. Phys., 1985, v.58, № 11, p.4130-4134.

[84] Мигаль В.П., Лубышев Д.И., Преображенский В.В., Ов-сюк В.Н., Семягин Б.Р., Стенин С.И. Молекулярно-лучевая эпитаксия модулированных структур GaAs. - Электронная промышленность, 1989, № б, с.6-8.

[85] Журавлев К.С., Лубышев Д.И., Мигаль В.П., Преображенский В.В., Стенин С.И., Терехов А.С. Сильнолегированный бериллием GaAs, полученный методом молекулярно-лучевой эпитаксии. - Известия АН СССР, серия Неорганические материалы, 1990, т.26, № 8, с.1977-1978.

[86] Госсард А.С. Модулированное легирование полупроводниковых гетероструктур. В кн. : Молекулярно-лучевая эпитаксия и ге-тероструктуры. - М.: Мир, 1989, 584 с. Стр.403-427.

[87] Henini M., Rodgers P.J., Crump P.A., Gallagher B.L., Hill G. The growth and physics of ultra-high-mobility two-dimensional hole gas on (311)A GaAs surface. - J. Cryst. Growth, 1995, v.150, p.451-454.

[88] Shastry S.K., Zemon S., Kenneson D.G., Lambert G. Control of residual impurities in very high purity GaAs grown by organometallic vapor phase epitaxy. - Appl. Phys. Lett., 1988, № 2, p.150-152.

[89] Журавлев К.С., Принц В.Я., Лубышев Д.И., Семягин Б.Р., Мигаль В.П., Гилинский A.M. Электронные свойства буферных слоев GaAs, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии при температурах роста от 360 до 640°С. - ФТП, 1994, т.28, № 11, с.1937-1946.

- 169 -

[90] Журавлев К.С., Калагин А.К., Мошегов Н.Т., Торопов А.И., Шамирзаев Т.С., Шегай О.А. Влияние температуры зоны крекинга твердотельного источника мышьяка на состав фоновых примесей в GaAs, полученном методом МЛЭ. - ФТП, 1996, т.30, № 9, с.1704-1717.

[91] Bolkhovityanov Yu.B., Bolkhovityanova R.I., Hairi E.H., Chikichev S.I., Yudaev V.I. A multipurpose graphite boat for LPE growth of multilayer heterostructure. - Gryst. Res. Technol., 1982, v.17, № 12, p.1491-1499.

[92] Yakusheva N.A., Zhuravlev K.S., Chikichev S.I., She-gaj О .A. Liquid phase epitaxial growth of undoped gallium arsenide from bismuth and gallium melts. - Cryst. Res. Technol., 1989, v.24, № 2, p.235-246.

[93] Рудая H.C., Болховитянов Ю.Б., Журавлев К.С., Шегай О.А., Якушева Н.А. Высокочистый GaAs, выращенный из раствора GaAs в Bi, легированного иттербием. - Письма в ЖТФ, 1990, т.16, № 9, с.37-40.

[94] Журавлев К.С. Излучательная рекомбинация в эпитаксиальном p-GaAs с примесными комплексами. Диссертация на соискание степени кандидата физ.-мат. наук. - Новосибирск, 1991, 161 с.

[95] Шамирзаев Т.С. Центры рекомбинации в нелегированном и сильно легированном акцепторами эпитаксиальном GaAs. Диссертация на соискание степени кандидата физ.-мат. наук. -Новосибирск, 1998, 158 с.

[96] Перцев А.Н., Писаревский А.Н. Одноэлектронные характеристики ФЭУ и их применение. - М.: Атомиздат, 1971, 210 с.

[97] Ветохин С.С., Гулаков И.Р., Перцев А.Н., Резников И.В. Одноэлектронные фотоприемники. - М. : Энергоатомиздат, 1986, 160 с.

- 170 -

[98] Гилинский A.M., Молодцов Р.В., Терехов А.С., Федотов М.Г. Система топографирования фотолюминесценции полупроводниковых гетероструктур со спектральным разрешением. - ПТЭ, 1995, № 1, с.151-155.

[99] Малышев В.И. Введение в экспериментальную спектроскопию. -М: Наука, 1979, 480 с.

[100] Гучмазов А.Б., Родригес Х.-А., Румянцев В.Д. Бесконтактное измерение электрических и фотоэлектрических параметров гетероструктур с р-п-переходом в люминесцирующем материале. - ФТП, 1991, т.25, № 1, с.143-151.

[101] Henry С.Н., Logan R.A. The origin of large dark spots in AlxGai_xAs-GaAs heterostructure photoluminescence. - Appl. Phys. Lett., 1977, v.31, № 3, p.203-205.

[102] Candy B.H. Photomultiplier characteristics and practice relevant to photon counting. - Rev. Sci. Inst rum., 1985, v.56, № 2, p.183-193.

[103] Candy B.H. Photon counting circuits. - Rev. Sci. Inst rum., 1985, v.56, № 2, p.194-200.

[104] Kinoshita S., Ohta H., Kushida T. Subnanosecond fluorescence-lifetime measuring system using single photon counting method with mode-locked laser excitation. - Rev. Sci. Instrum., 1981, v.52, № 4, p.572-575.

[105] Yamazaki I., Tamai N., Kume H., Tsuchiya H., Oba K. Microchannel-plate photomultiplier applicability to the time-correlated photon counting method. - Rev. Sci. Instrum., 1985, v.56, № 6, p.1187-1194.

[106] Мелешко E.A. Наносекундная электроника в эксперименталь-ной физике. - М.: Энергоатомиздат, 1987, 216 с.

[107] Bimberg D., Munzel Н., Steckenborn A., Christen J. Kinetics of relaxation and recombination of nonequilibrium

- 171 -

charge carriers in GaAs: carrier capture by impurities. -Phys. Rev. B, 1985, v.31, № 12, p.7788-7799.

[108] Ashen D.J., Dean P.A., Hurle D.T.J., Mullin J.В., White A.M., Green P.D. The incorporation and characterization of acceptors in epitaxial GaAs. - J. Phys. Chem. Sol. 1975, v.36, N 10, p.1041-1053.

[109] Бродовой В.А., Пека Г.П. Излучательная рекомбинация носителей через многозарядные центры в GaAs (Си) . - ФТТ, 1971, т.13, № 8, с.2406-2412.

[110] Glinchuk K.D., Prokhorovich A.V. The characteristics of the copper-induced 1.35 eV emission band in p-GaAs. Phys. Stat. Solidi (a), 1975, v.29, p.339-345.

[111] Williams E.W., Bebb H. Barry. Photoluminescence II: Gallium arsenide. - В кн.: Semiconductors and semimetals, v.8, p.321-392. Academic Press, New York, 1972.

[112] Chand N. MBE growth of high-quality GaAs. - J. Cryst. Growth, 1989, v.97, p.415-429.

[113] Титков A.H., Чайкина Е.И., Комова Э.М., Ермакова Н.Г. Низкотемпературная люминесценция вырожденных р-типа кристаллов прямозонных полупроводников. - ФТП, 1981, т.15, № 2, с.345-352.

[114] Nagle J., Malik R.J., Gershoni D. A comparison of atomic carbon versus berillium acceptor doping in GaAs grown by molecular beam epitaxy. - J. Cryst. Growth, 1991, v.Ill, p.264-268.

[115] Kim Seong-II, Kim Moo-Sung, Kim Yong, Eom Kyong Sook, Min Suk-Ki, Lee Choochon. Low temperature photoluminescence characteristics of carbon doped GaAs. - J. Appl. Phys., 1993, v.73, № 9, p.4703-4705.

- 172 -

[116] Look D.C., Pomrenke G.A. A study of the 0.1-eV conversion acceptor in GaAs. - J. Appl. Phys., 1983, v.54, № 6, p.3249-3254.

[117] Алешкин В.Я., Антон А.В., Бутанова JI.M., Демидов Е.В., Демидова Е.Р., Звонков В.Н., Карпович И.А., Малкина И.Г. Фотолюминесценция в 8-легированных углеродом сверхрешетках в арсениде галлия. - ФТП, 1993, т.26, № 10, с.1848-1849.

[118] Damen Т.е., Fritze М., Kastalsky A., Cunningham J.E., Pathak R.N., Wang H., Shah J. Time-resolved study of carrier capture and recombination in monolayer Be delta-doped GaAs. - Appl. Phys. Lett. 1995, v.67, № 4, p.515-517.

[119] Buyanova I.A., ChenW.M., Henry A., Ni W.-X., Hans-son G.V., Monemar B. Photoluminescence of the two-

dimensional hole gas in p-type S-doped Si layers. - Phys. Rev. B, 1996, v.53, № 15, p.9587-9590.

[120] Manoogian A., Wooley J.C. Temperature dependence of the energy gap in semiconductors. - Canad. J. Phys., 1984, v.62, № 3, p.285-287.

[121] Stillman G.E., Wolfe C.M. Electrical characterization of epitaxial layers. - Thin Solid Films, 1976, v.31, № 1/2, p.69-88.

[122] Берг А., Дин П. Светодиоды. - M: Мир, 1979, 686 с.

[123] Dingle R. Radiative lifetimes of donor-acceptor pairs in p-type gallium arsenide. - Phys. Rev., 1969, v.184, № 3, p.788-796.

- 173 -

[124] Nelson R.J., Sobers R.G. Minority-carrier lifetime and internal quantum efficiency of surface-free GaAs.

J. Appl. Phys., 1978, v.49, № 12, p.6103-6108.

[125] Гарбузов Д.З., Халфин В.Б., Трукан М.К., Агафонов В.Г., Абдулаев А. Температурная зависимость эффективности и времен жизни излучательных переходов в ■ прямозонном полупроводнике типа GaAs. - ФТП, 1978, т.12, № 7, с. 13681379.

[126] Casey Н.С., Stern F. Concentration-dependent absorption and spontaneous emission of heavily doped GaAs.

J. Appl. Phys., 1976, v.47, № 2, p.631-643.

[127] Аавиксоо Я.Ю., Рейманд И.Я., России В.В., Травников В.В. Кинетика образования и энергетической релаксации эксито-нов в GaAs. - Письма в ЖЭТФ, 1991, т.53, № 7, с.377-381.

[128] Дьяконов М.И., Перель В.И. О спиновой ориентации электронов при межзонном поглощении света в полупроводниках. -ЖЭТФ, 1971, т.60, № 5, с.1954-1965.

[129] Wagner J., Schneider Н., Richards D., Fischer A., Ploog K. Observation of extremely long electron spin relaxation time in p-type 5-doped GaAs/AlxGai_xAs double het-erostructures. - Phys. Rev. B, 1993, v.47, № 8, p.4786-4789.

[130] Hoogenstraaten W. Electron traps in zinc-sulphide phosphors. - Philips Research Reports, 1958, v.13, № 6, p.515-693.

[131] Адирович Э.И. Некоторые вопросы теории люминесценции кристаллов . - Гос. Изд. Технико-теоретической литературы, М., 1956, 350 с.

- 174 -

[132] Антонов-Романовский В.В. Кинетика фотолюминесценции кри-сталлофосфоров. - Наука, М., 1966, 324 с.

[133] Blasse G., Grabmaier B.C. Luminescent materials. Springer-Verlag, Berlin Heidelberg, 1994, 232 c.

[134] Захарченя Б.П., Мирлин Д.H. Спектроскопия горячей фотолюминесценции в полупроводниках: исследование энергетического спектра и определение времен релаксации. - Известия АН СССР, серия Физическая, 1988, т.52, № 3, с.649-652.

[135] Алексеев М.А., Карлик И.Я., Мирлин Д.Н., Сапега В.Ф. Спектроскопия горячей фотолюминесценции в полупроводниках. - ФТП, 1989, т.23, № 5, с.761-778.

[136] Fasol G., Ploog К., Bauser Е. Luminescence from hot electrons relaxing by LO phonon emission in p-GaAs and GaAs doping superlattices. - Solid State Commun., 1985, v.54, № 5, p.383-387.

[137] Tersoff J. Recent models of Schottky barrier formation. -J. Vac. Sci. Technol. B, 1985, v.3, № 4, p.1157-1161.

[138] Chadi D.J. Atomic and electronic structures of (111), (211), and (311) surfaces of GaAs. - J. Vac. Sci. Technol. B, 1985, v.3, № 4, p.1127-1169.

[139] Alperovich V.L., Jaroshevich A.S., Scheibler H.E., Terek-hov A.S. Determination of built-in electric fields in delta-doped GaAs structures by phase-sensitive photore-flectance. - Solid State Electron., 1994, v.37, № 4-6, p.657-660.

[140] Scheibler H.E., Alperovich V.L., Jaroshevich A.S., Terek-hov A.S. Fourier resolution of surface and interface contributions to photoreflectance spectra of multilayered structures. - Phys. Stat. Solidi (a), 1995, v.152, p. 113122.

- 175 -

[141] Sipahi G.M., Enderlein R., Scolfaro L.M.R., Leite J.R. Band structure of holes in p-type 5-doping quantum wells and superlattices. - Phys. Rev. B, 1996-1, v.53, № 15, p. 9930-9942.

[142] Enderlein R., Sipahi G.M., Scolfaro L.M.R., Leite J.R. Density functional theory for holes in semiconductors. -Phys. Rev. Lett, 1997, v.79, № 19, p.3712-3715.

[143] Enderlein R., Sipahi G.M., Scolfaro L.M.R., Leite J.R. Diaz I.F.L. Comparative studies of photoluminescence from

n and p 5-doping wells in GaAs. - Mater. Sci. Eng., 1995, v.B35, p.396-400.

[144] Williams F.E. Theory of the energy levels of donor-acceptor pairs. - J. Phys. Chem. Solids, 1960, v.12, p.265-275.

[145] Thomas D.G., Hopfield J.J., Augustyniak W.M. Kinetics of radiative recombination at randomly distributed donors and acceptors. - Phys. Rev., 1966, v.140, № 1A, p.A202-A220.

[146] Thomas D.G., Hopfield J.J., Colbow K. Light from distant pairs. - B kh. : 7th Internat. Confer, on the physics of semiconductors. Radiative recombination in semiconductors . Paris, 1964. Dunod, Paris, 1965, p.67-80.

[147] Dean P.J. Interimpurity recombination in semiconductors. - B kh.: Progress in Solid State Chemistry, v.8, p.1-126. Pergamon Press, New York, 1973.

[148] Harris T.D., Trautman J.K., Colonell J.I. Dynamics of selectively excited donor acceptor pairs in GaAs. - Mater. Sci. Forum, 1990, v.65-66, p.21-28.

- 176 -

[149] Briones F., Collins D.M. Low-temperature photoluminescence of lightly Si-doped and undoped MBE GaAs.

J. Electron. Mater., 1982, v.11, p.847-866.

[150] Szafranek I., Piano M.A., McCollum M.J., Stockman S.A., Jackson S.L., Cheng K.Y., Stillman G.E. Growth-induced shallow acceptor defect and related luminescence effects in molecular beam epitaxial GaAs. - J. Appl. Phys., 1990, v.68, № 2, p.741-754.

[151] Kaminska M., Liliental-Weber Z., Weber E.R., George Т., Kortright J.В., Smith F.W., Tsaur B-Y., Calawa A.R. Structural properties of As-rich GaAs grown by molecular beam epitaxy at low temperatures. - Appl. Phys. Lett., 1989, v.54, № 19, p.1881-1883.

[152] Look D.C., Robinson G.D., Sizelove J.R., Stutz C.E. Donor and acceptor concentrations in molecular beam epitaxial

GaAs grown at 300 and 400°C. - Appl. Phys. Lett., 1993,

v.62, № 23, p.3004-3006.

[153] Петросян С.Г., Шик А.Я. Влияние флуктуаций состава и легирования на неравновесные свойства полупроводника. ФТП, 1988, т.22, № 12, с.2192-2198.

[154] Schubert E.F., Gobel Е.О., Horikoshi Y., Ploog К., Quis-ser H.J. Alloy broadening in photoluminescence spectra of AlxGai_xAs. - Phys. Rev. B, 1984, v. 30, № 2, p. 813-820.

[155] Альперович В.JI., Кравченко А.Ф., Паханов Н.А., . Терехов А.С. Влияние осциллирующей ЭДС Дембера на спектры фо-тоЭДС арсенида галлия. - ФТП, 1980, т.14, № 9, с.1768-1771.

- 177 -

[156] Martin G.M., Mittonneau A., Mircea A. Electron traps in bulk and epitaxial GaAs crystals. - Electron Lett. 1977, v.13, № 7, p.191-193.

[157] Mittonneau A., Martin G.M., Mircea A. Hole traps in bulk and epitaxial GaAs crystals. - Electron Lett. 1977, v. 13, № 22, p.666-668.

[158] Lang D.V. Deep-level transient spectroscopy: a new method to characterize traps in semiconductors. - J. Appl. Phys., 1974, v.45, № 7, p.3023-3032.

[159] Lang D.V. Fast capacitance transient apparatus: application to ZnO and О centers in GaP p-n junctions.

J. Appl. Phys., 1974, v.45, № 7, p.3014-3022.

[160] Бонч-Бруевич В.Jl., Калашников С.Г. Физика полупроводников. 2-е изд. - М.: Наука, 1990, 688 с.

[161] Lax М. Giant traps. - J. Phys. Chem. Solids, 1959, v.8, № 1, p.66-73.

[162] Lax M. Cascade capture of electrons in solids. - Phys. Rev., 1960, v.119, № 5, p.1502-1523.

[163] Калиткин H.H. Численные методы. - M.: Наука, 1978, 512 с.

[164] Годунов С.К., Рябенький B.C. Разностные схемы (введение в теорию). - М.: Наука, 1977, 439 с.

[165] Мак-Кракен Д., Дорн У. Численные методы и программирование на Фортране. - М.: Мир, 1977, 584 с.

[166] Мудров А.Е. Численные методы для ПЭВМ на языках Бейсик, Фортран и Паскаль. - Томск, МП «РАСКО», 1991, 272 с.

[167] Kamiya Т., Wagner Е. Optical determination of impurity compensation in л-type gallium arsenide. - J. Appl. Phys., 1977, v.48, № 5, p.1928-1934.

[168] Зверев B.H. Магнитопримесные осцилляции в арсениде галлия. - Письма в ЖЭТФ, 1983, т.37, № 2, с.89-92.

[169] Зверев В.Н., Шовкун Д.В. Экспериментальное исследование магнитопримесных осцилляций в арсениде галлия. - ЖЭТФ, 1984, т.87, № 5, с.1745-1755.

[170] Мешков С.В., Рашба Э.И. Вероятности безызлучательных переходов в акцепторных центрах. - ЖЭТФ, 1979, т.76, № 6, с.2206-2217.

[171] Dean P.J. Photo luminescence as a diagnostic of semiconductors. - Prog. Crystal Growth Charact., 1982, v.5, p.89-114.

[172] Ashen D.J., Dean P.J., Hurle D.T.J., Mullin J.В., White A.M. The incorporation and characterisation of acceptors in epitaxial GaAs - J. Phys. Chem. Solids, 1975, v.36, № 10, p.1041-1053.

[173] Lu Z.H., Hanna M.C., SzmydD.M., Oh E.G., Majerfeld A. Determination of donor and acceptor densities in high-purity GaAs from photoluminescence analysis. - Appl. Phys. Lett., 1990, v.56, № 2, p.177-179.

[174] Rao E.V.K., Alexandre F., Masson J.M., Allovon M., Goldstein L. Low-temperature photoluminescence properties of high-quality GaAs layers grown by molecular beam epitaxy. - J. Appl. Phys., 1985, v.57, № 2, p.503-508.

[175] Леванюк А.П., Осипов В.В. Краевая люминесценция прямозон-ных полупроводников. - УФЫ, 1981, т.133, № 3, с.427-477.

[176] Redfield D., Wittke J.P., Pankove J.I. Luminescent properties of energy-band tail states in GaAs:Si. Phys. Rev. B, 1970, v.2, № 6, p.1830-1839.

[177] Yu P.W., Stutz C.E., Manasreh M.O., Kaspi R., Capano M.A. Moving photoluminescence bands in GaAsi_xSbx layers grown by molecular beam epitaxy on InP substrates.

J. Appl. Phys., 1994, v.76, № 1, 504-508.