Исследование вторичного свечения в CdS в условиях акустической неустойчивости тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Акатов, Леонид Леонидович

• Акатов, Леонид Леонидович
• кандидат физико-математических наук
• 1984

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Акатов, Леонид Леонидович

В В Е Д Е Н И Е.

Глава 1 - УСИЛЕНИЕ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛН ДРЕЙФОМ НОСИТЕЛЕЙ В ПЬЕЗОПОЛУПРОВОДНИКАХ И ВЛИЯНИЕ УЛЬТРАЗВУКА

НА ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВ.

§ 1 - Линейный режим акустоэлектронного усиления. -

§ 2 - Нелинейный режим акустоэлектронного усиления

§ 3 - Акустическая неустойчивость.

§ 4 - Рассеяние Манделынтама-Бриллюэна.

§ 5 - Экситоны и эффекты сильного оптического возбуждения в полупроводниках.

Глава П - МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА.

§ 1 - Установка для исследования акустоэлектронных и электронных свойств полупроводников оптическими методами.

1.1 - Общее описание установки.

1.2 - Криостат.

1.3 - Оптические схемы освещения образца и сбора вторичного свечения.;.

1.4 - Двойной монохроматор.

1.5 - Регистрирующая система.

1.6 - Генератор высоковольтных импульсов.

§ 2 « Методика приготовления и характеристики образцов .

Глава Ш - ИССЛЕДОВАНИЕ ОПТИЧЕСКИМИ МЕТОДАМИ АКУСТОЭЛЕКТРОННОГО УСИЛЕНИЯ ПРОДОЛЬНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ

ВОЛН В ДИАПАЗОНЕ 50 ГГЦ В .

§ 1 - Оценка возможности усиления акустических волн в диапазоне 50 ГГц и особенности эксперимента.

§ 2 - Спектры рассеяния Манделыптама-Бриллюэна. -

§ 3 - Исследование линейного участка акустоэлект-ронного усиления продольных АВ с частотой

42 ГГц.

§ 4 - Исследование нелинейного режима акустоэлект-ронного усиления продольных АВ с частотами

42 ГГц.

§ 5 - Оценка абсолютной интенсивности акустических волн, усиленных дрейфом носителей в Со(.£ при

62° К.

Глава 1У- ИНДУЦИРОВАННОЕ ЭФФЕКТОМ ФРАНЦА-КЕЛДЫША АКУС-ТОЭЛЕКТРОННОЕ УСИЛЕНИЕ И ВТОРИЧНОЕ СВЕЧЕНИЕ

В CdS .

§ 1 - Экспериментальные результаты.

§ 2 - Модель акустоэлектронного усиления с учетом эффекта Франца-Келдыша.

§ 3 - Образование ЭДП в условиях акустической неустойчивости w насыщение индуцированного эффектом Франца-Келдыша акустоэлектронного усиления.

Глава У - КОНТРОЛИРУЕМОЕ СТОЛКНОВЕНИЯМИ РАССЕЯНИЕ СВЕТА СВОБОДНЫМИ ЭЛЕКТРОНАМИ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ. -

§ 1 - Рассеяние света полупроводниковой плазмой обзор).

1.1 - Рассеяние света полупроводниковой плазмой в бесстолкновительном режиме.

1.2 - Рассеяние света свободными носителями в полупроводниках с учетом частых столкновений.

1.3 - Рассеяние света генерационно-рекомбинационным шумом в плазме полупроводника.

§ 2 - Экспериментальное исследование контролируемого столкновениями рассеяния света свободными электронами в полупроводниках и влияние на него внешнего электрического поля.

§ 3 - Рассеяние света на генерационно-рекомбинаци<онном шуме. Эксперимент.

3 А К Л Ю Ч Е Н И Е.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Исследование вторичного свечения в CdS в условиях акустической неустойчивости»

Интенсивное развитие народного хозяйства стимулирует поиск и исследование новых физических явлений и новых материалов, обладающих заданными свойствами.В част но сти,прогресс в электронике требует расширения диапазонов частот и мощностей усиливаемых и генерируемых электрических,акустических и оптических сигналов,разработки новых перспективных методик измерения и контроля параметров полупроводников.

Исследование акустоэлектронного взаимодействия является актуальной задачей, так как решение ее дает много ценной информации о свойствах самих полупроводников, механизмах взаимодействия акустических волн со свободными носителями, кроме того, на базе физических явлений, сопровождающих такое взаимодействие, могут быть построены уникальные приборы и устройства.

В последнее время, пожалуй, большую актуальность приобрела проблема сильновозбузденных полупроводников, а именно: изучение перехода Мотта в системе неравновесных носителей, исследование процесса образования электронно-дырочной жидкости и ее свойств. Анализ этих задач затрагивает такие важные разделы физики твердого тела, как проблема многих тел, неравновесные фазовые переходы и т.д.

На основании вышесказанного нам показалось интересным провести исследование взаимного влияния акустоэлектронных и оптических явлений.

Целью настоящей работы является исследование оптическими методами акустоэлектронных и электронных явлений в пьезополупроводниках,возникающих при использовании экстремально высоких электрических полей и интенсивностей возбуждения^ также изучение взаимного влияния акустоэлектронных и оптических явлений на физические процессы в CctS.

Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения и списка литературы.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Акатов, Леонид Леонидович

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В настоящей работе впервые получены следующие результаты:

1. Методом 180°-РМБ показано, что в возможно усиление дрейфом носителей продольных акустических волн, лежащих в диапазоне 50 ГГц, и измерены их коэффициенты акустоэлектронного усиления и решеточного затухания. Эта частота на порядок больше ранее известной граничной частоты усиления АВ в . Показано, что абсолютная интенсивность усиленных АВ в диапазоне десятков гигагерц может достигать и превышать 10 кВт/см2.

2. Обнаружено влияние эффекта Франца-Келдыша на акусто-электронное усиление. Построена модель этого явления. Показано, что в этом случае возможен неограничиваемый решеточным поглощением лавинообразный рост акустических волн. Рассчитаны пороговые условия, необходимые для такого роста. Экспериментально полученные пороговые условия лавинообразного нарастания интенсивности акустических волн под влиянием эффекта Франца-Келдыша совпали с рассчитанными.

Также обнаружено, что это явление приводит в своем развитии к экспоненциальной зависимости интенсивности 180°-РМБ от интенсивности возбуждающего света, характерной для вынужденных. процессов. Показано, что положительная обратная связь, приводящая к росту РМБ, не зависит от рассеянного света, в отличие от известных процессов вынужденного рассеяния.

3. Установлено, что под влиянием эффекта Франца-Келдыша в условиях акустической неустойчивости происходит образование слоистой вырожденной электронно-дырочной плазмы. Исследованы свойства рекомбинационного излучения этой ЭДП и показано, что именно перестройка в электронно-дырочной системе полупроводника приводит к насыщению индуцированного эффектом Франца-Келдыша акустоэлектронного усиления.

4. Экспериментально обнаружено и изучено контролируемое столкновениями рассеяние света свободными электронами в полупроводниках и влияние на него электрического поля. Наблюдавшиеся зависимости полуширины крыла рассеяния от величины исследуемого волнового вектора флуктуаций концентрации и от величины концентрации свободных носителей совпали с полученными теоретически зависимостями. Обнаружен допплеров-ский сдвиг спектра в электрическом поле. Показано, что метод КРС на свободных электронах в гидродинамическом режиме является бесконтактным методом измерения локальных кинетических коэффициентов полупроводников и может быть использован практически.

5. Создана методика для исследования акустоэлектронного усиления в экстремально высоких электрических полях и ин-тенсивностях возбуждающего света, а также для исследования комбинационного рассеяния света на свободных электронах. Эта методика включает разработку и изготовление прозрачных омических контактов, позволяющих прикладывать электрические поля вдоль направления оптического возбуждения,и разработку и сооружение высокочувствительного импульсного спектрометра с цифровой системой регистрации.

Основной материал, использованный в диссертации, докладывался на всесоюзных конференциях и семинарах и опубликован в научных журналах, трудах конференций и семинаров /1, 2,3,4,5,6,7, 52,53,54,55,56/.

В заключение считаю своим приятным долгом выразить благодарность научному руководителю кандидату физико-математических наук старшему научному сотруднику В.М.Рысакову за постоянный интерес к работе и ценные замечания. Я хочу также выразить искреннюю благодарность доктору физико-математических наук В.Л.Гуревичу, кандидатам физико-математических наук С.В.Ганцевичу и Р.Катилюсу за плодотворные дискуссии, которые во многом способствовали развитию данной работы. Приношу благодарность всем сотрудникам лаборатории оптики твердого тела ФТИ им.А.Ф.Иоффе АН СССР за всестороннюю помощь и полезные обсуждения.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Акатов, Леонид Леонидович, 1984 год

1. Акатов Л.Л,,Ганцевич С.В.,Катилюс Р.,Рысаков В.М. Контролируемое столкновениями рассеяние света свободными электронами в полупроводниках и влияние на него электрического поля. - Письма ЖЭТФ,1978,т.27,в.11,с.663-666.

2. Акатов Л.Л.,Рысаков В.М. Рекомбинационное излучение эк-ситонов и электронно-дырочной плазмы в (Гс/5> в условиях акустической неустойчивости. ФТТ,1981,т.23,в.11,с.3343-3348.

3. Акатов Л.Л.,Аристов Ю.В.,Рысаков В.М. Контролируемое эффектом Франца-Келдыша вынужденное рассеяние света в Со1£в условиях акустической неустойчивости в диапазоне 50 ГГц. ФТТ,1983,т.25,в.5,с.1517-1519.

4. Акатов Л.Л.,Ганцевич С.В.,Катилюс Р.,Рысаков В.М. Наблюдение гидродинамических флуктуаций электронной плотности в полупроводниках методом КРС. В сб.:Труды П конференции "Флуктуационные явления в физических системах"-Вильнюс : Изд. ВГУ, 1979, с. 34-35.

5. Акатов Л.Л.,Рысаков В.М. Влияние акустической неустойчивости на экситоны и образование ЭДП в кристаллах . ~ В сб.:Труды Всесоюзного семинара "Экситоны в полупроводниках 82и- Ленинград:Изд.ЛИЯФ,1982,с.78.

6. Акатов Л.Л.,Аристов Ю.В.,Рысаков В.М. Контролируемое эффектом Франца-Келдыша усиление акустических шумов в кристалле в диапазоне 50 ГГц. В кн. :Материалы ХП Всесоюзной конференции по акустоэлектронике и квантовой аку-стике.-Саратов, 1983, с. 56-57.

7. Аснин В.М.,Рогачев А.А. Конденсация экситонного газа в германии. Письма в ЖЭТФ,1969,т.9,в.7,с.415-419.

8. Аронов А.Г. Рассеяние света на генерационно-рекомбинационном шуме в полупроводниках. ФТТ,1969,т.11,№ 8,с.2219-2222.

9. Багаев В.С.,Галкина Т.И.,Гоголин 0.В.,Келдыш JI.B. Движение электронно-дырочных капель в германии. Письма в ЖЭТФ,1969,т.10,в.7,с.307-313.

10. Бир Г.Л.,Пикус Г.Е. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках. М.:Наука,1972. - 584 с.

11. Бонч-Бруевич В.JI.,Калашников С.Г. Физика полупроводников. М.:Наука,1977. - 672 с.

12. Бонч-Бруевич В.J1.,Миронов А.Г. Доменная электрическая неустойчивость в полупроводниках. М.:Наука,1972. -414 с.

13. Брозер И. Процессы переноса энергии.-В кн.:Химия соединения А2В6./Ред.Медведев С.А. М.:Мир,1970,с.370-417.

14. Волф Дж. Термодинамика экситонов в полупроводниках.-В сб.:Физика за рубежом. М.:Мир,1983,с.125-153.

15. Ганцевич С.В.,Гуревич В.Л.,Катилюс Р. Флуктуации в полупроводниках в сильном электрическом поле и рассеяние света "горячими" электронами. ЖЭТФ,1969,т.57,№ 2,с.503-519.

16. Гросс Е.Ф.,3ахарченя Ю.П.,Рейнов И.М. Эффекты Штарка и Зеемана у экситонов кристалла закиси меди. ДАН СССР, 1954,т.97,Р 2,с.221-223.

17. Гросс Е.Ф.,Пермогоров С.А.,Разбирин Б.С. Аннигиляция эк-ситонов и экситон-фононное взаимодействие. УФН,1971, т.103,в.3,с.431-446.

18. Гуляев Ю.В.,Проклов В.В.,Шкердин Г.Н. Дифракция света на звуке в твердых телах. УФН,1978,т.124,в.1,с.61-111.

19. Гуревич В.Л. К теории поглощения звука в пьезоэлектриках. ФТТ,1962,т.4,в.4,с.909-917.

20. Гуревич В.Л.,Каган В.Д. Поглощение ультразвука в пьезоэлектрических полупроводниках. ФТТ,1962,т.4,в.9,с.2441-2446.

21. Гуревич В.Л. Теория акустических свойств пьезоэлектрических полупроводников. ФТП,1968,т.2,в.11,с.1557-1593.

22. Гуревич В.Л.,Катилгос Р. Расеяние света свободными носителями в полупроводниках в режиме частых столкновений.-В кн.:Материалы X зимней школы ФТИ АН СССР по физике полупроводников. Л.:Изд.ЛИЯФ,1982,с.156-167.

23. Днепровский В.С.,Климов В.И.,Мартыненко Е.Д. Спектрально-временные свойства экситонной люминесценции сильно возбужденных кристаллов С^ . ФТТ,1981,т.23,в.3,с.819-825.

24. Дьяконов A.M.,Илисавский Ю.В.,Кулакова Л.А. Исследование акустоэлектрической неустойчивости в С<Л$ методом рассеяния света на звуке. ФТТ,1972,т.14,№ 1,с.95-102.

25. Дьяконов A.M.,Леманов В.В.,Саттикулов М. ВРМБ впри усилении акустических фононов. Письма в ЖЭТФ,1980, т.31,в.8,с.460-463.

26. Зайдель А.Н.,Островская Г.В.,Островский Ю.И. Техника и практика спектроскопии. М.:Наука,1972. - 375с.

27. Зиновьев Н.Н.,Иванов Л.П.,Ланг И.Г.,Павлов С.Т.,Проказников А.В.,Ярошецкий И.Д. Диффузия экситонов и механизмырассеяния их импульса в полупроводниках. ЖЭТФ,1983, т.84,в.6,с.2153-2167.

28. Илисавский 2D.В.,Кулакова Л.А. Влияние температуры на решеточное поглощение звука в С. ФТТ,1974,т.16, в.11,с.3417-3421.

29. Келдыш J1.В.,Козлов A.M. Коллективные свойства экситонов в полупроводниках. ЖЭТФ,1968,т.54,в.3,с.978-993.

30. Келдыш J1.В.,Тиходеев С.Г. Поглощение ультразвука электронно-дырочными каплями в полупроводнике. Письма в ЖЭТФ,1975,т.21,в.10,с.582-585.

31. Клейн М.В. Электронное комбинационное рассеяние света.-В кн.:Рассеяние света в твердых телах./Ред.Кардона М.-М.:Мир,1969,с.174-238.

32. Лифшиц Е.М.,Питаевский Л.П. Физическая кинетика. М.: Наука,1979, - 528 с.

33. Лысенко В.Г.,Ревенко В.И.Дратас Т.Г.,Тимофеев В.Б. Из-лучательная рекомбинация в условиях экранирования ку-лоновского взаимодействия в кристаллах СсА.^ . Письмав ЖЭТФ,1974,т.20,в.3,с.180-185.

34. Лысенко В.Г.,Ревенко В.И.,Тратас Т.Г.,Тимофеев В.Б. Из-лучательная рекомбинация неравновесной электронно-дырочной плазмы в кристаллах С<Х$ . ЖЭТФ, 1975,т.68,в>1,с. 335-345.

35. Мак-йи Дж. Распространение и усиление звуковых волн в пьезоэлектрических полупроводниках. В кн.:Физическая акустика./Ред.Мезон У. - М.:Мир,1969,т.4,с.13-62.

36. Марков В.Е.,Давыдов А.А. Выращивание ориентированных монокристаллов сульфида кадмия из паровой фазы. Изв.АН СССР,сер.Неорг.Материалы,1975,т.11,в.10,с.1755-1762.

37. Меркулов И.А. Влияние экситонного эффекта на электропоглощение в полупроводниках. ЖЭТФ,1974,т.66,в.6,с.2314-2324.

38. Мышкис А.Д.,Зельдович Я.Б. Элементы прикладной математики. М.:Наука,1972. - 592 с.

39. Насибов А.С.,Ломакин В.Л. Генератор прямоугольных импульсов. ПТЭ,1965,№ 3,с.120-122.

40. Николаевский И.Ф.,Игумнов Д.В. Параметры .и предельные режимы работы транзисторов. М.:Советское радио,1971, 351 с.

41. Островский И.В.,Рожко А.Х., Влияние УЗ-волн Лэмба на экситонные спектры в ЗД . УФЖ,1979,т,24,№ 9, с.1404-1405.

42. Островский И.В.,Рожко А.X.,Лысенко В.Н. Ионизация ультразвуком локальных состояний в Сс1$ . ФГТ, 1981,т.23, в.5,с.1548-1550.

43. Плацман Ф.,Вольф П. Волны и взаимодействия в плазме твердого тела. М.:Мир,1975. - 436 с.

44. Покровский Я.Е.,Свистунова К.И. Возникновение конденсированной фазы неравновесных носителей заряда в германии.-Письма в ЖЭТФ,1969,т.9,в.7,с.435-438.

45. Рабинович В.А.,Хавин З.Я. Краткий химический справочник. Л.:Химия,1978. - 392с.,

46. Райе Т.,Хенсел Дж.,Филлипс Т.,Томас Г. Электронно-дырочная жидкость в полупроводниках. М.:Мир,1980. - 349 с.

47. Резницкий А.Н.Рассеяние экситонов на фононах в чис2 6тых и дефектных кристаллах А В .-Дис.канд.ф.-м.н. Ленинград , 1978. - 213 с.

48. Роуз А. Основы теории проводимости. М.:Мир,1966.-192с.

49. Рывкин С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. М.:Наука,1963. - 496 с.

50. Рысаков В.М. Рассеяние Манделынтама-Бриллюэна с усилением звуковых волн. ФТТ,1968,т.10,в.9,с.2829-2831.

51. Рысаков В.М.,Акатов J1.JI.,Аристов Ю.В.,Казеннов Б.А.Уси-ление акустических шумов в СсЯД вдоль оси Сg. ФТТ, 1977,т.19,в.4,с.1158-1161.

52. Рысаков В.М.,Акатов Л.Л.,Аристов Ю.В. О пороге контролируемого эффектом Франца-Келдыша вынужденного рассеяния света в пьезополупроводниках с акустической неустойчивостью. Письма ЖТФ,т.9,в.10,с.621-624,1983.

53. Рысаков В.М.,Акатов Л.Л. Рассеяние света электронами проводимости в С©1{1 . В сб. :Материалы П Всесоюзной конференции по КРС. - М.:Изд.МГУ,1978,с.233-234.

54. Рысаков В.М.,Акатов Л.Л. Высокочувствительный импульсный спектрометр КРС. В сб.:Материалы П Всесоюзной конференции по КРС. - М.:Изд.МГУ,1978,с.235-236.

55. Рысаков В.М.,Акатов Л.Л.,Аристов Ю.В. Исследование усиления акустических шумов в С<Л£ методом рассеяния Ман -дельштама-Бриллюэна. В сб.:Материалы X Всесоюзной конференции по квантовой акустике и акустоэлектронике.-Ташкент:Изд.ТашГУ,1978,с.168-169.

56. Соболева Н.А.,Меламид А.Е. Фотоэлектронные приборы. -М.:Высшая школа,1974, 376 с.

57. Таунс Ч.,Чао Р.,Стойчев Б. Вырожденное рассеяние Мандель-штама-Бриллюэна и когерентная генерация интенсивных гиперзвуковых волн. В сб.:Действие лазерного излучения.-М.:Мир,1968,с.279-286.

58. Тимофеев В.Б. Излучательная рекомбинация в условиях экранирования кулоновского взаимодействия. Известия АН СССР,197 9,т.43,в.6,с.1233-1239.

59. Тягай В.А.,Снитко О.В. Электроотражение света в полупроводниках. Киев:Hayкова думка,1980, - 302 с.

60. Фикс В.Б. О движении электрон-дырочных капель,экситонов и экситонных молекул под действием электронного ветра.-Письма в ЖЭТФ,1974,т.20,№ 2,с.33-36.

61. Флери П. Рассеяние света как метод исследования фононов и других возбуждений. В кн.:Физическая акустика./Ред. Мэзон У.Терстон Р. - М.:Мир,1973,т.6,с.13-89.

62. Франц В. Туннелирование, сопровождающееся поглощением фотонов (эффект Франца-Келдыша). В кн.Туннельные явления в твердых телах./Ред.Бурштейн Э.,Лундквист С. -М.:Мир,1973,с.199-209.

63. Харкевич А.А. Спектры и анализ. М.:Физматгиз,1962. -236 с.

64. Эбелинг В.,Крефт В.,Кремп Д. Теория связанных состояний<и ионизационного равновесия в плазме и твердом теле. -М.:Мир,1979. 262 с.

65. Baumert R. ,Beckmann E. ,Broser I. Size effect of dense elec•f*Vitron-hole system in CdS. In:Conf.papers of 16 Internet. Conf.on the Physics of Semicond. ,Montpellier,Prance, 1982, p.353-355.

66. Blossey D.P. Wanier exciton in electric field I. Phys. Rev.B,1970,v.2,H 10, p.3976-3990;

67. Blossey D.P. Wanier exciton in electric field II. Phys, Rev.B,1971,v.3,H 4,p.1382-1391.

68. Bohnert K.,Anselment M.,Kobbe G.,Klingshirn C.,Haug H., Kosh S.W.,Schmitt-Rink S.,Abraham P.P. ftonequilibrium properties of electron-hole plasma in direct-gap semiconductor. -Z.Phys.В Condensed Hatter,1981,v.42, p.1-11.

69. Carlson D.G.,Segmuller A.,Mosekilde E.,Cole H.,Armstrong J.A. X-ray diffraction from piezoelectrically amplified shear waves in the 50 GHz range. Appl.Phys.Lett.,1971,v.18,H 8, p.330-332.

70. Cox R.H.,Hasty Т.Е. Metallurgy of alloyed ohmic contacts. -ln:0hmic contacts to semiconductors/Ed. Schwarts,ТГ. Y. ,1969, p. 88-102.

71. Egorov V.D. ,Muller G.0. ,Weber H.H., Jacobson M.A. ,Dite A.P. Control of carrier concentration by stimulated emission in highly excited direct-gap semiconductors. Physica,1983, 117B&118B, p.342-344.

72. Pink M.,Quentin G, Acoustoelectric phenomena in piezoelectric semiconductors influence of minority carriers. Phys. Stat.Sol.(a),1971,v.4,N 2, p.397-407.

73. Gantsevich S.V. ,Gurevich V.L.,Kagan V.D,,Katilus R. Collision-controlled light scattering from hot solid state plasma. InrLight scattering in solids/Ed.Balkanski M.,Paris, 1971, p.94-97.

74. Gelbart U.,Mang A. Brillouin scattering studies of acousto-electric gain and lattice attenuation in semiconducting CdS.-Phya.Rev.B,1973,v.7,U 6, p.2713-2726.

75. Gordon R.L. Stimulated Brillouin scattering in piezoelectric semiconductors. J.Appl. Phys.,1968,v.39,N 1, p.306-313*

76. Gutsche E.,Voigt J. Exciton-phonon interaction in CdS. Inj Conf.papers of Internet.Conf. II-VI Semicond.Compounds/Ed. Thomas D.G,,Benjamin,1967, p.337-348.

77. Hope L.L. Brillouin scattering in birefringent media. -Phys.Rev.,1968,v.166, p.883-892.

78. Hutson A.R. Piezoelectricity and conductivity in ZnO and CdS. Phys. Rev. Lett.,1960,v.4,N 10, p.505-507.

79. Hutson A.R,,McFee J.H.,White D.L. Ultrasonic amplification in CdS. Phys.Rev.Lett.,1961,v.7,U 6, p.237-239.

80. Hutson A.R.,White B.L. Ultrasonic wave amplification in piezoelectric semiconductors. J.Appl.Phys.,1962,v.33»H 1, p.40-47.

81. Ishida A.,Hamaguchi C.,Iniushi J. Current saturation associated with ultrasonic amplification in CdS crystals.

82. J.Phys.Soc.Japan,1965,v.20,N 10, p.1946-1956.

83. Jacobson M.A.,Michailov G.V.,Razbirin B.S.,Ural'tsev I.H., Muller G.O.,Weber H.H. High excitation luminescence of CdS.-In:Conf.papers of 12 Internet.Phys.Semicond,Conf., Stuttgart,1974, p.123-127.

84. Keller 0. A Brillouin scattering study of propagating acous-toelectric domains in semiconducting ZnO and CdS. Lyngby, The Technical University of Denmark,1972, 227p.

85. Kuzmany H.,Leederer. High acoustic flux and acoustelectric domains. Z.Phys.,1971,v.243,U 3, p.266-273.

86. Kuzmany H. Acoustoelectric interaction in semiconductors. -Phys.St.Sol.,1974,v.25,U 1, p.9-67.

87. Langer D.W. Temperature and pressure dependence of index of refraction of CdS. J.Appl.Phys. ,1966,v.37,IT 9,p.3530-3532.

88. Many A.,Gelbart U. Origin of acoustoelectric flux domains in conducting CdS. Appl.Phys.Lett.,1971,v.19,N 6,p.192-194»

89. Meyer U.I.,Jorgensen M.H. Acoustoelectric effects in piezoelectric semiconductors with main emphasison CdS and ZnO. -Festkorperprobleme X,1970, p.21-124.

90. Mita J. Optical probing of acoustic flux associated semiconducting CdS crystals. J.Appl.Phys.,1971,v.42,U 7, p.2886.

91. Mooradian A.,Wright G.B. Observation of the interaction of plasmons with longitudinal optical phonons in GaAs. Phys. Rev.Lett.,1966,v.16,U 22, p.999-1001.

92. Mooradian A. Raman spectroscopy of solids. InsLaser Hand-buch/Ed.Arecchi F.T.,Amsterdam,1972,v.2, p.1409-1456.

93. Mott U.F. The transition to the metallic state. The Philosophical Magazine,1961,v.6,U 62, p.287-309.

94. Muller G.O.,Weber H.H. Acousto-electrically generated phonons influencing the exciton luminescence of CdS. Phys. St.Sol., 1970,v.41,U 1, K1-K4.

95. Nine H.D. Photosensitive ultrasonic attenuation in CdS. -Phys.Rev.Lett.,1960,v.4,U 7, p.359-361.

96. Pine A,S. Thermal Brillouin scattering in CdS. Phys.Rev. B,1972,v.5,U 8,p.2997-3003.9'8. Pine A.S. Resonance Brillouin scattering in CdS. Phys. lev.В,1972, v. 5 8, p.3003-3007.

97. Pugnet M.,Cornet A.,Collet J.,Brousseau M.,Razbirin B.S., Michailov G.V. Time resolved spectroscopy of CdSe, using monopulsed picosecond excitation, Sol.St.Commun.,1980, v.36,Я 1, p.85-88.

98. Rosier M.,Zimmermann R. Phase diagram of electron-hole liquids in polar semiconductor. Phys.Stat.Sol.(Ъ),1977, v.83,H 1, p.85-91.

99. Smith R.W. Current saturation in piezoelectric semiconductors. Phys.Rev.Lett.,1962,v.9,H 3, p.87-90.

100. Spears D.L. Brillouin scattering study of propagating acous-toelectric domains in n-GaAs. Phys.Rev.B,1970,v.2,U 6, p.1931-1951.

101. Spector H.E. Amplification of acoustic waves through interactions with coduction electrons. Phys.Rev.,1963»v.127,1. Ж 6» p.1084-1090.

102. Spector H.H". Solution of the Boltzmann equation for electrons interacting with acoustic waves in strong electric field. Phys.Rev.,1968,v.165,N 2, p.562-565.

103. Tien P.K. Uonlinear theory of ultrasonic wave amplification and current saturation in piezoelectric semiconductors. -Phys.Rev.,1968,v.171,N 3, p.970-986.

104. Weinreich G, Acoustodynamic effects in semiconductors. -Phys.Rev., 1956,v. 104,IT 2, p.321-324.

105. Yamashita J.,Nakamura K. Instability of electron-phonon system in strong electric field. Progr.Th.eoret.Phys,

106. Japan),1965,v.33, p.1022-1025.

107. Zimmexraann R.,Kilimann K.,Kraelf W.D. ,Kremp D. ,Ropke G. Dynamical screening and self energy of excitons in electron-hole plasma, Phys.St.Sol.(b),1978,v.90,N 1, p.175-187.

108. Zucker J.,Zemon S. Frequency spectrum of giant acoustic wave packets generated in CdS by high electric fields. -Appl.Phys.Lett.,1966,v.9,N 11, p.398-400.