Исследование временных и модуляционных характеристик инжекционных гетеролазеров для световодных систем связи тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 00.00.00, Рудов, Ю.К.

• Рудов, Ю.К.
• 1984

Оглавление диссертации Рудов, Ю.К.

СТР.

ВВЕДЕНИЕ.&

Глава первая. ИШШКЦИОННЫЕ ЛАЗЕШ НА ОСНОВЕ ГЕТЕРОПЕРЕХОДОВ И ИХ ПРИМЕНЕНИЕ В СВЕГОВОДНЫХ СИСТЕМАХ СВЯЗИ И ПЕРЕДАЧИ ИШОШАЦИИ

§ I.I. Анализ требований, предъявляемых к источникам излучения для световодных систем связи и передачи информации г.№

§ 1.2. Применение гетеролазеров в аппаратуре световодных систем связи и передачи информации . ^

§ 1.3. Особенности работы полосковых гетеролазеров . 2!

§ 1.4. Нелинейности ватт-амперных характеристик полосковых гетеролазеров

§ 1.5. Пульсации излучения гетеролазеров

5 1.6. Особенности импульсной модуляции инжекционных гетеролазеров.¿ плава вторая. ВРЕМЕННЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПОЛОСКОВЫХ ГЕТЕРОЛАЗЕРОВ

§2.1. Экспериментальные исследования ватт-амперных характеристик полосковых гетеролазеров

6 2.2. Временная задержка импульса излучения в полосковых гетеролазерах . ^

2.2.1. Влияние токового растекания . ЬЗ

2.2.2. Влияние смещения канала генерации

I 2.3. Экспериментальные установки и методика исследования зависимости временной задержки от тока накачки

§ 2.4. Исследование временной задержки у полосковых гетеролазеров в системе созданных методом кислородной имплантации

2.4.1-. Влияние тока смещения на величину временной задержки.6 <

2.4.2. Экспериментальные результаты, полученные для лазеров созданных методом кислородной имплантации.№

2.4.3. Временная задержка в широком интервале токов накачки . ^

2.4.4. Форма импульса излучения полосковых гетеролазеров с нелинейной характеристикой

2.4.5. Экспериментальные результаты для лазеров с линейной ватт-амперной характеристикой . УЗ

Глава третья. ИССЛЕДОВАНИЕ ОСОБЕННОСТЕЙ РАБОТЫ ИНЖЕКЦИ

ОННЫХ ГЕТЕРОЛАЗЕРОВ В ИМПУЛЬСНОМ РЕЖИМЕ

§ 3.1. Анализ режима импульсной накачки полоскового гетеролазера. У У

§ 3.2. Особенности импульсной модуляции полосковых гетеролазеров, имеющих нелинейности ватт-амперной характеристики

3.2.1. Низкоскоростная импульсная модуляция лазеров с нелинейностями ватт-амперной характеристики

3.2.2. Скоростная импульсная модуляция лазеров, имеющих нелинейную ватт-амперную характеристику

3.2.3. Применение гетеролазеров, имеющих плато на ватт-амперной характеристике

§ 3.3. Импульсная модуляция полосковых гетеролазеров в условиях тока смещения.

§ 3.4. Комплекс требований к полосковым гетеролазерам, предназначенным для использования в аппаратуре с высокой скоростью импульсной модуляции

Глава четвертая. ПРИМЕНЕНИЕ ГЕТЕРОЛАЗЕРОВ В ПЕРЕДАЮЩИХ

УСТРОЙСТВАХ СВЕГОВОДНЫХ СИСТЕМ СВЯЗИ

§4.1. Особенности стабилизации параметров полоскового гетеролазера . .т

§ 4.2. Разработка передающих устройств на основе инжекционных гетеролазеров

4.2.1. Передающее устройство системы телеконтроля и служебной связи . .т

4.2.2. Передающее устройство для аппаратуры со скоростью передачи 8,448 Мбит/с . . . //

4.2.3. Передающее устройство для аппаратуры со скоростью передачи 34,368 Мбит/с.

4.2.4. Передающее устройство для аппаратуры со скоростью передачи 114,048 Мбит/с

4.2.5. Передающее устройство для аппаратуры со скоростью передачи 139,264 Мбит/с

§ 4.3. Выбор критерия отказа инжекционных гетеролазеров в аппаратуре скоростных ССС и ПИ.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Исследование временных и модуляционных характеристик инжекционных гетеролазеров для световодных систем связи»

Успехи в развитии оптоэлектроники и интегральной оптики в значительной степени связаны с быстрым прогрессом физики полупроводниковых структур. Эти успехи позволили создать эффективные и надежные светодиоды, инжекционные лазеры и фотодиоды на основе гетеропереходов, что явилось, наряду с разработкой технологии получения высокопрозрачных волоконных световодов, необходимым условием стремительного развития световодных систем связи и передачи информации (ССС и ПИ) различного назначения.

В силу целого ряда преимуществ, таких как

- малые габариты и вес;

- большая длина ретрансляционного участка;

- высокое качество работы в условиях воздействия мощных электромагнитных полей;

- отсутствие взаимных помех между соседники световодами;

- слабое влияние параметров окружающей среды на коэффициент передачи волоконного световода;

- экономия цветных металлов световодные линии связи выгодно отличаются от традиционных (проводных и кабельных). Следует отметить, что в настоящее время далеко еще не полностью реализовано одно из основных преимуществ ССС и ПИ - потенциально большая их широкополосность, обеспечивающая высокую скорость передачи информации. Повышение скорости передачи дает возможность заметно улучшить важнейший технико-экономический показатель линии связи - стоимость канало-кило-метра.

В настоящее время как в нашей стране, так и за рубежом широко развернулись работы, направленные на создание аппаратуры для световодных систем связи. При этом исследования оптоэлектронных излучателей различного типа с точки зрения возможности использования их в передающих устройствах ССС и ПИ является актуальной и хфезвычайно валеной задачей. Актуальность задачи связана с тем, что правильный выбор источника излучения и режима его эксплуатации во многом определяет полноту реализации преимуществ ССС и ПИ. Наиболее перспективными источниками излучения для многих систем передачи являются инжекционные гетеролазеры, обладающие простотой модуляции излучения 37 ] необходимой надежностью, высоким быстродействием [ 52 J и малыми потерями при вводе излучения в волоконный световод. Важнейшую роль при этом сыграло создание гетеропереходов в системе JJt&aJfs JCetJJs- Лазеры на основе этой системы характеризуются низким значением пороговой плотности тока и способны работать в непрерывном режиме в широком диапазоне температур £ /з,2о J. Успешные работы над лазерами в данной системе, а также достижения в области создания волоконных световодов со сверхмалыми потерями (менее I дБ/км), стимулировали разработки гетеролазеров на основе других систем, в том числе 1п &а Л s Р /1п Р £ 6 J. Успешное решение задачи повышения времени наработки гетеролазеров до уровня 10^ и более [ 791 /OD J а также достижение малых рабочих токов £б, 96] делает их практически идеальными источниками излучения для све-товодных систем. Между тем, недостаточная изученность ряда характеристик реальных лазеров с учетом особенностей их работы в составе аппаратуры явилась препятствием для их широкого применения и не позволяла полностью реализовать преимущества применения световодов в системах связи, в первую очередь, их высокую широкополо сность.

Данная работа посвящена исследованию временных и модуляционных характеристик гетеролазеров с точки зрения оптимального использования их в передающих устройствах световодных систем связи. С этой целью:

- детально исследовались временные характеристики выходного излучения при импульсной модуляции током инжекции в полосковых лазерах на основе гетероструктуры Мх полученных, в основном, методом глубокой кислородной имплантации;

- изучалась взаимосвязь нелинейности ватт-амперных характеристик и временных зависимостей излучения инжекционных гетерола-зеров;

- разрабатывались конкретные рекомендации по импульсной накачке полосковых инжекционных гетеролазеров в широком диапазоне длительностей импульсов;

- были определены перспективы и особенности использования таких приборов в аппаратуре световодных систем связи.

В ходе работы проведены комплексные исследования временных и модуляционных характеристик полосковых гетеролазеров на основе структуры -Л(Их: &а Лз , полученных с помощью глубокой имплантации ионов кислорода. Были установлены особенности нелинейно стей ватт-амперных характеристик в зависимости от условий имплантации, а также связь этих нелинейностей с временными характеристиками излучения гетеролазеров.

Разработана методика исследования временной задержки излучения с учетом характерных для полосковых гетеролазеров процессов и выявлены причины искажений формы импульсов излучения. Показано, что при определении спонтанного времени жизни инжектированных носителей по токовой зависимости временной задержки излучения необходимо учитывать аномалии, вызванные перестройкой канала генерации.

Впервые обоснована и экспериментально подтверждена возможность линеаризации ватт-амперных характеристик инжекционных юлосковых гетеролазеров при уменьшении длительности импульсов сока накачки.

Обнаружена высокая температурная стабильность выходной мощ-■юсти у полоскового гетеролазера, полученного методом глубокой кислородной имплантации и имеющего протяжённый нелинейный участок затт-амперной характеристики в виде плато.

Основные положения, выносимые на защиту

1. В гетеролазерах полоскового типа на основе структуры Лх » полУ461®^ методом глубокой имплантации ионов кислорода, внедрение имплантированных ионов на глубину большую глу-5ины залегания активного слоя приводит к существенным изменениям дзлучательных характеристик, выражающимся в том, что:

1.1. Уровень выходной мощности, соответствующий появлению нелинейного участка на ватт-амперной характеристике, резко возрастает при ширине полосковой области И/ менее 12 мкм. При отсутствии внедрения такое возрастание наблюдается при И/ менее 8 мкм.

1.2. Протяженность нелинейного участка увеличивается с уменьшением ширины полосковой области. При отсутствии внедрения такое увеличение не наблюдается.

1.3. Спонтанное время жизни инжектированных в активную область носителей уменьшается при сужении полосковой области.

2. Временные и модуляционные характеристики инжекционных петеролазеров тесно связаны с нелинейностями ватт-амперных характеристик, обусловленными перестройкой канала генерации:

2.1. Искажение формы импульса излучения вблизи нелинейных участков определяется временной задержкой при перестройке канала генерации.

2.2. Уменьшение длительности импульса тока накачки приводит к линеаризации ватт-амперной характеристики.

2.3. При определении спонтанного времени жизни инжектированных носителей тока по зависимостивремени задержки излучения ~t з от тока накачки -L н ~£з (j~ f^^ ) t необходимо учитывать аномалии, вызванные перестройкой канала генерации.

3. При глубокой имплантации ионов кислорода могут быть созданы полосковые гетеролазеры, имеющие ватт-амперную характеристику с протяженным нелинейным участком в виде плато. В области плато обеспечивается высокая температурная стабильность выходной мощности.

Кроме того, на защиту выносятся:

1. Методика исследования временных характеристик с учетом свойственных полосковым гетеролазерам процессов токового растекания, перестройки канала генерации и токового разогрева.

2. Рекомендации по выбору оптимального режима импульсной накачки полосковых инжекционных гетеролазеров.

3. Комплекс требований, которым должен удовлетворять гетеро-лазер, предназначенный для использования в аппаратуре ССС и ПИ с высокой скоростью импульсной модуляции.

4. Практическая реализация передающих устройств на основе полосковых инжекционных гетеролазеров на различные скорости передачи.

Работа выполнена в лаборатории контактных явлений в полупроводниках Физико-технического института имени А.Ф.Иоффе АН СССР.

Заключение диссертации по теме «Другие cпециальности», Рудов, Ю.К.

Основные результаты диссертационной работы докладывались на Всесоюзной научно-технической конференции по полупроводниковым лазерам (г.Саратов, июнь 1975 г.), на I Всесоюзной конференции по волоконно-оптическим линиям связи (г.Москва, апрель 1976 г.), на П Всесоюзной конференции по физическим процессам в полупроводниковых гетероструктурах (г.Ашхабад, октябрь 1978 г.), на П Всесоюзной конференции по волоконно-оптическим линиям связи (г.Москва, декабрь 1978 г.), на Всесоюзной конференции "Применение лазеров в народном хозяйстве" (г.Ленинград, сентябрь 1980 г.), на 10-й Зимней школе ШТИ по физике полупроводников (г.Ленинград, февраль 1981 г.), на Ш Всесоюзной конференции по волоконно-оптическим линиям связи (г.Москва, июнь 1981 г.), на Всесоюзной конференции "ССС и ПИ-84" (г.Москва, май 1984 г.) и опубликованы в следующих работах:

1. Ж.И.Алферов, Е.Л.Портной, Е.В.Принцев, Ю,К.РУдов

Выбор режима накачки инжекционного лазера в оптических линиях связи"

Ю, 46, 2398, (1976).

2. Ю.К.БУдов, О.В.Румянцева

Температурная зависимость энергии импульса излучения инжекционного лазера и ее компенсация"

Техника средств связи" серия ТПС, 1(П), 34, (1977).

3. Ю.С.Воробьев, О.И.Горбунов, Ю.К.БУдов, В.Т.Хрыкин "Опытная аппаратура волоконно-оптических линий связи" Тезисы докладов I Всесоюзной конференции по волоконно-оптическим линиям связи т.1 Москва 1977.

4. ГО.С.Воробьев, О.И.Горбунов, ГО.К.1^дов, В.Т.Хрыкин "Приборы квантовой электроники в опытных установках волоконно-оптических линий связи"

Квантовая электроники" 4, 8, 1796, 1977.

5. О.И.Горбунов, Ю.К. ГУдов, Е.М.Сресели "Экспериментальное исследование временных характеристик ПКГ и использование их при разработке оптических линий связи"

Тезисы докладов I Всесоюзной конференции по волоконно-оптическим линиям связи т.З, II, Москва 1977.

6. Ж.И.Алферов, В.И.Колышкин, Е.Л.Портной, ГО.К.БУдов, Е.М.Сресели

Временные характеристики полосковых гетеролазеров в системе ^¿Яз ~~ Ga.fiз цри имплантации ионов киелорода"

- Тезисы докладов П Всесоюзной конференции "Физические процессы в полупроводниковых гетероструктурах" т.1, 116, "Ылым", Ашхабад, 1978.

7. А.И.Осипов, Н.Н.Петрова, Е.В.Принцев, Ю.К.БУдов "Стабилизация выходной мощности передающего устройства

ВОЛС"

Техника средств связи", серия ТПС, 3(36), 72 1979.

8. Н.Н.Петрова, ГО.К.Т^дов

О влиянии теплового режима работы полупроводникового лазера на качество передачи информации"

Техника средств связи", серия ТПС, 3(48), 32 1980.

9. А.В.Николаев, А.И.Осипов, Ю.К.БУдов

Передающие устройства для одноканальных волоконно-оптичесо м ких линии связи"

Техника средств связи серия ТПС, 12(57), 58, 1980.

10. В.И.Колышкин, И.В.Пузанов, Ю.К.ГУдов, Е.М.Сресели "Возможность применения гетеролазеров с сильной нелинейностью ватт-амперной характеристики" Письма в ЖЗФ, 7, 197, 1981.

11. Е.В.Принцев, Ю.К.РУдов

Волоконно-оптические системы передачи информации и требования, предъявляемые к элементам квантовой электроники"

Материалы X зимней школы по физике полупроводников т.1, 64, Ленинград, 1982.

12. В.П.Дураев, А.И.Осипов, Ю.К.БУдов, Е.М.Сресели "Передающее устройство с длиной волны излучения 1,3 мкм для многоканальных световодных систем связи"

Техника средств связи" серия ТПС, 9(7), 49, 1982.

13. Ю.К.БУдов, Е.М.Сресели

Критерии использования полупроводниковых лазеров в световодных системах дальней связи"

Тезисы докладов 1У Всесоюзной конференции "Световодные системы связи и передачи информации", Москва, 1984.

14. Л.Б.Резник> Ю.К.БУдов, Е.М.Сресели

Особенности построения передающих устройств со спектральным уплотнением"

Тезисы докладов 1У Всесоюзной конференции "Световодные системы связи и передачи информации", Москва, 1984.

Разработанные на основе гетеролазеров образцы передающих устройств для ССС и ПИ демонстрировались на Межотраслевой выставке "Волоконная оптика-74" (г.Москва, октябрь-ноябрь 1974 г.), на Международной выставке "Связь-75" (г.Москва, май 1975 г.), на

Всесоюзной выставке "Просвязь-77" (г.Москва, июнь-«оябрь 1977 г.), на Мевдународной выставке «ТЕ 1-Е КОМ-79« (г .Женева, сентябрь 1979 г.), на Международной выставке "Связь-81" (г.Москва, сентябрь 1981 г.), на Мевдународной выставке "ТЕСЕКОМ'&Ъ" (г.Женева, октябрь 1983 г.). Передающие устройства, разработанные на основе результатов проведенных автором исследований успешно функционируют в составе аппаратуры целого ряда световодных линий связи.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Список литературы диссертационного исследования Рудов, Ю.К., 1984 год

1. С.А.Алавердян, Н.Д.Щуков, А.Ф.Пашков "Аномальное поведение характеристик излучения инжекционных гетеролазеров полосковой геометрии". ГО, 1980, 50, 657-659.

2. Ж.И.Алферов, "Инжекционные гетеролазеры", в сб. "Полупроводниковые приборы и их применение", под ред. Я.А.Федотова, М., "Сов.радио", 1971, вып.25, 204-225.

3. Ж.И.Алферов, В.М.Авдреев, Д.З.Гарбузов, В. Д. Румянцев "100%-й внутренний квантовый выход излучательной рекомбинации в трехслойных гетеросветодиодах на основе системы1. ФТП, 1975, 9, 462-469.

4. Ж.И.Алферов, А.Т.Гореленок, П.С.Копьев, В.Н.Мдивани, В.К.Тиби-лов "Низкопороговые лазеры на основе гетероструктур в системе Зп-^-Ав-Р Письма в Ю, 1977 , 22, 1169-1171.

5. Ж.И.Алферов, В.И.Колышкин, Е.Л.Портной, Ю.К.ГУдов, Е.М.Сресели "Временные характеристики полосковых гетеролазеров в системе

6. АВД-б — при имплантации ионов кислорода". Тезисы докладов П Всесоюзной конференции "Физические процессы вполупроводниковых гетероструктурах", 1978, т.1, 116-117, Ашхабад, "Ылым".

7. Ж.И.Алферов, Е.Л.Портной, Е.В.Принцев, Ю.К. РУдов "Выбор режима накачки инжекционного лазера в оптических линиях связи" Ю, 1976 , 46 , 2398-2402.

8. А.П.Богатов, П.Г.Елисеев, 0.Г.Охотников, Г.Т.Пак. "Гистерезис выходной мощности излучения непрерывных гетеролазеров на основе ". "Квантовая электроника", 1978 , 5 , 2493

9. О.В.Богданкевич, С.А.Дарзнек, П.Г.Елисеев. "Полупроводниковые лазеры". М., "Наука", 1976.

10. Д.Ботез, Дйс.Херсковиц. "Компоненты оптических систем связи" ТИИЭР, 1980, 6, 57-108.

11. Ю.С.Воробьев, О.И.Горбунов, Ю.К.БУцов, В.Т.Хрыкин. "Приборы квантовой электроники в опытных установках волоконно-оптических линий связи". "Квантовая электроника", 1977, 8, 1796-1799.

12. О.И.Горбунов, ГО.К.БУдов, Е.М.Сресели. "Экспериментальное исследование временных характеристик ПКГ и использование их при разработке оптических линий связи". Тезисы докладов

13. Всесоюзной конференции по волоконно-оптическим линиям связи, Москва, 1977, т.З, 11-16.2495.зоне 1,3 мкм в гетеролазере на основе

14. В.П.Грибковский "Теория поглощения и испускания света в полупроводниках". Минск. "Наука и техника" 1975.

15. Даймент, Д'Асаро, Норт, Миллер, Риппер. "Получение протонной бомбардировкой гетероструктурных лазеров в полосковой геометрии, работающих в непрерывном режиме при ТИИЭР, 1972, 60, 90-91.

16. В. Джончер, Бойл. "Поток носителей и его влияние на пространственное распределение излучения инжекциоиного лазера", в сб. "Арсенид галлия. Труды международного симпозиума", "Сов.радио", 1972, 14, 102-109.

17. П.Г.Елисеев "Проблема надежности и физика деградационных процессов в полупроводниковых лазерах". "Итоги науки и техники ВИНИТИ" АН СССР, сер. "Радиотехника", 1978, 14, 25-66.

18. Ю. П.Г.Елисеев, В.Н.Лавров. "Применение инжекционных гетеролазе-ров в ВОСС". "Квантовая электроника", 1980, 7, 1845-1868.

19. П.Г.Елисеев, В.Н.Лавров, Е.Г.Сухов. "Особенности генерации в инжекционных лазерах при коротких импульсах накачки". "Радиотехника и электроника", 1977, 8, 1645-1652.

20. Ю.П.Захаров, И.М.Компанеец, В.В.Никитин, А.С.Семенов. "Исследование работы инжекционного ПКГ на в режиме пульсации излучения". 3>ТП, 1969 , 3 , 864.

21. Х.Кейси, М.Пашин. "Лазеры на гетеро структурах". М. "Мир" 1981.

22. В.И.Колышкин. Кандидатская диссертация. Ленинград. 3>ТИ им. А.Ф.Иоффе, 1978.

23. В.И.Колышкин, Е.Л.Портной. "Относительная пороговая плотность тока полосковых гетеролазеров в системе1. А*при имплантации кислорода". Письма в ЖГФ, 1977, 3, 947-951.

24. В.И.Колышкин, И.В.Пузанов, Ю.К.РУдов, Е.М.Сресели. "Возможность применения гетеролазеров с сильной нелинейностьюватт-амперной характеристики". Письма в ЖШ>, 1981, 7, 197200. •

25. Г.Крессел "Светодиоды для волоконно-оптических линий связи", Сб. "Фотоника", М. "Мир", 1978, 11-36.

26. Л.Н.Курбатов "Исследование сверхлюминесценции из диода на арсениде галлия". §ТП, 1970, 4, 2025-2031.

27. Л.С.Левин, М.А.Плоткин. "Основы построения цифровых систем передачи". М. "Связь", 1975.

28. Т.Ли, Р.Дерозьер. "Эффект накопления заряда в инжекционных лазерах и его влияние на высокоскоростную импульсную модуляцию излучения лазера". ТИИЭР, 1974, 62, 155.

29. А.С.Логгинов, А.В.Семянистый, В.Е.Соловьев, Ю.Ф.Юльбердин, "К вопросу об оптимальном режиме импульсно-кодовой модуляции излучения инжекционных лазеров". "Квантовая электроника,1978, 5, 2060-2064.

30. А.С.Логгинов, В.Е.Соловьев. "Инжекционные лазеры для волоконно-оптических линий связи". "Зарубежная радиоэлектроника", 1980, 3, 41-46.

31. Миллер, Маркатили, Тинг Ли. "Исследование световодных систем связи"• ТИИЭР, 1973, 61, 46-104.

32. А.В.Николаев, А.И.Осипов, ГО.К.^/дов. "Передающие устройства для одноканальных волоконно-оптических линий связи", "Техника средств связи", серия ТПС, 1980, 12(57), 58-65.

33. А.И.Осипов, Н.Н.Петрова, Е.В.Принцев, Ю.К.БУдов. "Стабилизация выходной мощности передающего устройства волоконно-оптических линий связи". "Техника средств связи", серия ТПС,1979, 3(36), 72-77.

34. Ж.Панков "Оптические процессы в полупроводниках". М. "Мир", 1973.

35. Паоли, Риппер. "Внутренняя модуляция полупроводниковых лазеров". ТИИЭР, 1970, 58, 59-68.

36. М.Б.Пейниш "Инжекционные лазеры". ТИИЭР, 1976 , 64 , 68-101.

37. Н.Н.Петрова, Ю.К.БУдов. "О влиянии теплового режима работы полупроводникового лазера на качество передачи информации". "Техника средств связи", серия ТПС, 1980, 3(48), 32-36.

38. Е.В.Принцев, Ю.К. ГУдов. "Волоконно-оптические системы передачи информации и требования, предъявляемые к элементам квантовой электроники". Материалы X школы по физике полупроводников. Ленинград 1962, 63-96.

39. Ю.К.Г^дов, О.В.Румянцева. "Температурная зависимость энергии импульса излучения инжекционного лазера и ее компенсация". "Техника средств связи", серия ТПС, 1977, КII), 34-38.

40. Суэмацу, Акиба. "Высокоскоростная импульсная модуляция ин-жекционных лазеров при условии отсутствия смещения". Труды института инженеров электроники и связи Японии, 1976, 59-С, 73.

41. Такусагава, Осака, Такати, Ишикова, Таканаши. "Планарный лазер с внутренней полоской, имеющий область когерентного излучения шириной 3 мкм и работающий на одной поперечноймоде". ТИИЭР, 1973, 61, I09-III.

42. M.J.Adams, "Atheoiy of oscillations in the output of GaAs junction lasers", Phys. Stat. sol., 1970,1,143

43. M.J. Adams, "Rate équations and, transient phenomena in semiconductor lasers", Opto-Electronics, 1973, 5, 201

44. K.Aiki, M.Nakamura, T.Kuroda, J.Umeda, "Charmeled-substrate planar structure (AlGa)As injectubn lasers", Appl. Phys. Lett., 1977, 30, 649-651

45. K.Aiki, M.Nakamura, Ï.Kuroda, I Umtsa "Channeles-subs-strate-planar structure (AlGa)As diode lasers" Appl. Phys. Lett. 1977, 48, 649-671

46. K.Aiki, M.Nakamura, T.Kuroda, J.Umeda, R.Ito, N.Chinone, M.Maeda, "Transverse mode stadilized A1 Ga^^Ls injection lasers with channeled substrate - planafr - structure", IEEE J. Quantum Electron., 1978, QE-14, 89-94

47. S.Akida, K.Sakai, T.Yamamoto, "Direct modulation of InGaAsP/IriP double heterostructure lasers" Electron.Lett., 1978, 14, 197-198

48. G.Arnold, K.Petermann, "Self-pulsing phenomena in (GaAl)As double-heterostructure injection lasers", "Optical-and Quantum Electronics", 1978, 10, 311-322

49. G.Arnold, P.Russer, "Modulation behaviour of semiconductor injection lasers", Appl. Phys., 14, 255-268 (1977)

50. C.Baack, G.Elze, B.Enning, G, Waif, "Modulation behaviour in the Gbit/s range of several GaAlAfi lasers", Fre^uenx, 1978, 32, 346-350

51. R.W.Berry, I.A.Eaverscroft, "Optical-fiber transmission systems the 140 Mbit/s feasibility trial", The Poste Office Electrical Engineer's Journal, 1978, 10, 261-265

52. J.M.Blum, J.C.McGraddy, P.G.McMullin, K.K.Shih, A.W.Smith, J.F.Ziegler, "Oxygen implanted double - hetero junction GaAs/GaAlAs injection lasers", IEEE J. Quantum Electron., 1975, QE-11, 413-418

53. C.A.Burrus, B.I.Miller, "Small-area double heterostructure aluminum-gallium arsenide electroluminescent diode sources for optical-fiber transmission lines", Opt.Commun, 1971, 4, 307-309

54. M.Chown, A.R. Goodwin, D.P.Lovelace, G.H.B.Thomson, P.R.Selway, "Direct modulation of double-heterostructure lasers at rates up to 1 Gbit/s", Electron. Lett., 1973, 9, 34-36

55. D.D.Cook, P.R.Nfsh, "Gain-induced guidung and astigmatic output beam of GaAs lasers", J.Appl., Phys., 1975, 46, 1660- 1672

56. M.Gross, "A theory of the transient evolution and self-focusing behaviour of lasing filaments in injection lasers", Phys. Stat. Solidi, 1973, 16, 167-179

57. L.A.D'Asare, "Advances in GaAs junction lasers with stripe geometry", J. Luminescense, 1973, 7, 310-337

58. P.J. De Waard, "Stripe-geometry dh lasers with limar output/current characteristics", Electron. Lett., 1977, 13, 400-401

59. R.W.Dixon, F.R. Nash, R.L Hartman, R.T.Hepplewtite, "Improved light-output linearity in stripe-geometry double-he-terostructure (ALGa)As lasers", Appl. Phys. Lett., 1976, 29, 373-374

60. J.C.Dyment "Hermite Gaussian mode patterns in GaAs junction lasers", Appl., Phys. Lett., 1967, 10, 84-86

61. J.C.Dyment, J.E.Ripper, T.P.Lee, "Measurement and interpretation of long spontaneons lifetimes in double hetero-structure lasers", J.Appl. Phys., 1972, 43, 452

62. M.Ettenberg, C.J.Nuese, H.Kressel, "The temperature dependence of threshold current for double -hetero structiiion lasers", J.Appl. Phys., 1979, 50, 2949-2950

63. M.Ettenberg, H.Kressel, "Reability of ALGaAs CW lases diodes", IEEE J. Quantum Electr., 1980, 16, 186-196

64. B.W.Hakki, "Carrier and gain spatial profiles in Ga&s stripe geometry lasers", J.Appl. Phys., 1973, 44, 5021-5028

65. B.W.Hakki, "Striped GaAs lasers: Mode size and efficiency"; J.Appl. Phys., 1975, 2723-2730

66. I.Hayashi, M.B.Panish, P.W.Foy, "A low-threshold room-temperature injection laser", IEEE J. Quantum Electron., 1969, 5, 211-212

67. I.Hayashi, M.B.Panish, P.W.Foy, S.Sunashx, "Junction lasers which operate continuously at room temperature", Appl. Phys. Lett., 1970, 17, 109-111

68. T.Kajimura, K.Saito, N.Shige, R.Ito, "Dependence of degradation rate of buried heterostructure injection lasers on optical flux density", Jap. J. Appl. Phys., 197918, 693-694

69. H.Kan, H.Namiraki, M.Ishii, R.Ito, "Continuous operation over 10000 h of GaAs/GaAlAs double heterostructure laser without lattice mismatch compensation", Appl. Phys. Lett 1975, 27, 138-139

70. M.Kawachi, A.Kawana, T.Miyashita "Low-loss single-mode fibre at the material-dispersion-free wavelength of 1,27 mm", Electron. Lett., 1977, 13, 422

71. T.Kobayashi, H.Kawagushi, Y.Furukawa, "Lasijig characteristics of very narrow planar stripe lasers", Jap. J.Appl. Phys., 1977, 16, 601-609

72. K.Kohayashi, R.Lang, K.Minemura, "Invited Novel Optical methods for high speed direct modulation of semiconductor lasers", Jap. J. Appl. Phys., 1976, 15, 281-287

73. K.Kobayashi, R.Lang. H.Yonezu. Y.Matsumoto, T .Shinohaa?a, I.Sakuma, T.Suzuki, I.Hayashi, "Unstable horizontal transverse modes and their stabilization with a new stripe structure", IEEE J. Quantum Electron, 1977, 13, 631-638

74. K.Kobayashi, R.Lang. H.Yonezu, I.Sakuma, I.Hayashi, "Horizontal mode defoliation and anomalous la sing properties of stripe-geometry injection lasers-experiment", Jap. J.Appl. Phys., 1977, 16, 207-208

75. J.K.Konnerth, C.Lanza, "Delay between current pulse and light Emission of a gallium arsenide injection laser", Appl. Phys., Lenn, 1964, 4, 120-121

76. H.Kressel, M.Ettenberg, "Low-threshold double heterojunction AlGaAs/GaAs laser diodes: theory and experiment", J. Appl. Phys., 1976, 47, 3533-3537

77. H.Kressel, M.Ettenberg, I.Ladany, "Accelerated step-temperature aging of •k1xGaix-ks ketero ¿junction laser diodes", Appl. Phys. Lett.m 1978, 32, 305-308

78. I.Ladany, H.Kressel, "Influence of device fabrication paramétrés on gradual degradation of -fAlGa)As CW laser diodes", Appl., Phys. Lett.m 1974, 25, 708-710

79. R.Laijg, "Horizontal mode deformation and anomalous lasing properties of stripe geometry injection lasers-theoretical model", Jap. J. Appl. Phys.,1977, 16, 205-206

80. C.Lindatrom, P.Tihanyl, T.Andersson, T.Torphammar, ^High bit rate modulation of narrow-stripe proton implanted GaAs/GaAlAs injection lasers", Electron. Lett., 1980, 16, 575-577

81. R.T.Lynch, L.Yang, R.T.Hung, "Therminal-gradient enhanced current spreading in dh lasers", Electron. Lett.v 1978, 14, 769-770

82. T.Miya, Y.Terunuma, T.Hosaka, T.Miyashita, "Ultra low loss single mode fibres at 1,55 mm", Review of the Electrical Communication Laboratories Nippon Telegraph and Telephone Public Corporation, 1979, 27, 497-506

83. I.Mito, M.Kitamula, Ke Kobayashi, Ko Kobayashi "Double -channel planar buried heteragtructure la^cr diode with effective current confiment" Electron, Lett, 1982, 18, 953-954

84. I.Mito, M.Kitamura, K.Kaede. Y.Odagiri, M.Seki, M.Sugimoto, K.Kobayashi, "InGaAsP planar burried heterostructui>e laser diode (PBH-LD) with veiy low threshold cifrrent", Electron. Lett. 1982, 18, 26-27

85. F.R.Hash, "Mode guidance parallel to the ¿junction plane of double-heterostructure GaAs lasers", J. Appl. Phys., 1973, 44, 4696-4706

86. J.E.Ripper, J.C.Dyment, L.A.D'Asaro, T.L.Paoli, "Stripe-geometiy double heterostructure junction lasers: mode structure and CW operation above room temperature", Appl. Phys. Lett., 1971, 18, 155-159

87. P.Russer, G.Arnold, K.Petermann, "HIGH-speed modulation of DHS lasers in the case of coherent light injection", "HTG-Fachber", 1977, 59, 139-141

88. K.Shurahata, W.Susaki, H.Hamizaki, "Recent development in fibres optic devices", IEEE Transactions on Microwave theory and techniques, 1982, 30, 121-131

89. G.H.B.Thompson, "A theory of filamentation in semiconductor lasers", Opto-Electronics, 1972, 4, 257-310

90. W.T.Tsang, "The effects of lateral current spreading, carrier outdiffusion, and optical , v mode losses on the threshold current density of GaAs Ga^^s stripe-geometiy DH lasers", J.Appl. Phys., 1978, 49, ^031-1044

91. T.Tsukada, "GaAs GaixAlxAs buried-heterostructure injection lasers", J.Appl. Phys., 1974, 45, 4899-4906

92. J.P. Wittke, "Lateral mode selection in semiconductor injection lasers", J. Appl. Phys., 1977, 48, 3122-3124

93. I.H.White, G.J. A spin, "Picosecond |iulse gentration by lateral mode switching of (GaAl)As-heterostructure stripe lasers", Electron. Lett., 1981, 17, 541-543

94. P.Van Der Liel, "Self-focusing effects in pulsating AlxGa^-;xAs double-heterostructure lasers", IEEE J. Quantum Electron., 1981r 17, 60-68