Исследование влияния пространственно-временного распределения энергии на фазовые переходы при импульсных энергетических воздействиях на полупроводники тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Антонова, Ландыш Халяфовна

• Антонова, Ландыш Халяфовна
• кандидат физико-математических наук
• 1998

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Антонова, Ландыш Халяфовна

СОДЕРЖАНИЕ

стр.

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1. ХАРАКТЕРНЫЕ ОСОБЕННОСТИ ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ РАЗЛИЧНЫХ ВИДОВ ИЗЛУЧЕНИЯ С ПОЛУПРОВОДНИКАМИ

1.1. Модификация ионно-легированных слоев полупроводников им-пульсно-энергетическими пучками

1.2. Взаимодействие лазерных, электронных и ионных пучков с полупроводниками

1.2.1. Поглощение света и передача энергии решетке

1.2.2. Взаимодействие ионов и электронов с веществом

1.3. Изменение структуры и электрических свойств кремния и арсе-нида галлия при импульсно-энергетических обработках

ГЛАВА 2. ТЕХНИКА И МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА

2.1. Подготовка образцов, техника ионного легирования и термического отжига

2.2. Техника импульсно-лазерной обработки образцов

2.3. Техника импульсно-ионной обработки образцов

2.4. Методика исследований электрофизических параметров, структуры ИЛС, элементного состава приповерхностных областей

ГЛАВА 3. МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ВЫДЕЛЕНИЯ ЭНЕРГИИ, НАГРЕВА, ДИФФУЗИИ ПРИМЕСЕЙ И ФАЗОВЫХ ПЕРЕХОДОВ ПРИ ИМПУЛЬСНО-ЭНЕРГЕТИЧЕСКИХ ВОЗДЕЙСТВИЯХ

3.1. Моделирование процессов нагрева и фазовых переходов с учетом пространственно-временного выделения энергии излучения в полупроводниках

3.2. Перераспределение примеси в и СаАэ при импульсных воздействиях

3.3. Нарушение стехиометрии ваАБ при импульсных воздействиях

ГЛАВА 4. ВЛИЯНИЕ ИМПУЛЬСНО-ЭНЕРГЕТИЧЕСКИХ ВОЗДЕЙСТВИЙ НА СТРУКТУРУ И ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ ИМПЛАНТИРОВАННЫХ СЛОЕВ КРЕМНИЯ И АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ

4.1. Импульсно-ионная и лазерная обработка ИЛС кремния и ареени-да галлия

4.1.1. Формирование сильнолегированных слоев при ИИО

4.1.2. Формирование сильнолегированных слоев п-ваАз при ИИО

4.1.3. Термостабильность полученных наносекундной ИИО пересыщенных твердых растворов и ваАБ

4.1.4. Трансформация структуры и микрорельеф поверхности при ИИО

4.2. Особенности исследования динамики процессов плавления и кристаллизации ваАз с использованием двойной имплантации при импульсной лазерной обработке

4.3. Низкотемпературный сдвиг поглощения кремния при воздействии лазерным излучением, направленным со стороны подложки

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

ЛИТЕРАТУРА

ОСНОВНЫЕ УСЛОВНЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ И СОКРАЩЕНИЯ

1. Характеристики режимов ионной бомбардировки и импульсного излучения Е - энергия внедряемого иона;

Д - доза облучения; ] - плотность тока ионного пучка;

- плотность энергии импульса; N - плотность потока ионов;

I - интенсивность падающего излучения;

С> - плотность мощности поглощенной энергии излучения;

т - длительность импульса излучения;

Я - длина волны излучения;

Т0 - начальная температура.

2. Характеристики материалов р - плотность;

с - удельная теплоемкость; X - коэффициент теплопроводности; Б - коэффициент диффузии; Н - скрытая теплота плавления;

Ко - равновесный коэффициент распределения примеси; к' - эффективный коэффициент распределения примеси; К - коэффициент отражения света; А - поглощательная способность пленки; а - коэффициент поглощения света;

- слоевая концентрация носителей заряда; N0 - объемная концентрация носителей заряда; а8 - слоевая проводимость легированного слоя; а0 - объемная проводимость легированного слоя; |ы - подвижность носителей заряда;

|Ыэфф - эффективная (усредненная по слою) подвижность носителей заряда;

d - глубина расплава. 3. Сокращения

ИЛС - ионно-легированный слой;

ТО - термический отжиг;

ИЛО - импульсная лазерная обработка;

ИИО - импульсная ионная обработка;

ЭФП - электрофизические параметры;

TRIM - Transport of Ions in Matter;

OPP - обратное резерфордовское рассеяние.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Исследование влияния пространственно-временного распределения энергии на фазовые переходы при импульсных энергетических воздействиях на полупроводники»

ВВЕДЕНИЕ

Наиболее широко и успешно используемым методом модифицирования приповерхностных слоев в полупроводниковой технологии до настоящего времени остается ионная имплантация [1-4], являющаяся универсальным методом введения в любой материал любых легирующих примесей в строго контролируемом количестве. В результате имплантации в тонком приповерхностном слое могут быть достигнуты весьма высокие концентрации примесных атомов. Вместе с тем, в этом же слое образуется большое число радиационных дефектов. Поэтому одной из основных проблем в технологии ионной имплантации остается поиск способов проведения отжига ионно-легированных слоев (ИЛС) с целью восстановления кристаллической структуры и обеспечения максимальной электрической активации внедренной примеси без ухудшения параметров подложки. В ходе таких исследований в Казанском физико-техническом институте в 1974 году был предложен один из самых первых методов импульсной обработки имплантированных слоев - "лазерный отжиг". Высокие скорости нагрева и кристаллизации при импульсно-лазерном облучении [5-17] приводят к проявлению целого ряда уникальных особенностей, в частности, к формированию сильнолегированных субмикронных бездефектных слоев с концентрацией примеси, значительно превышающей предельную равновесную растворимость. Высокая плотность энергии, когда за несколько десятков наносекунд реализуется несколько джоулей на см2 и малая длительность импульсов обеспечивают возможность воздействия на поверхностные слои без изменения физических свойств полупроводника в целом. При этом характер плавления и кристаллизации существенным образом отличается от аналогичных процессов, протекающих в стационарных условиях. Энергия излучения, выделяемая в кристалле, передается в виде тепла атомам решетки за очень короткие промежутки времени, что приводит к выделению большого количества теплоты в тонком поверхностном слое и расплавлению его. Распределение выделенной энергии самым существенным образом влияет на результаты импульсного отжига. Сильное и нерав-

номерное поглощение светового излучения поверхностью зачастую приводит к эрозии поверхности ИЛС, существенно ограничивает толщину модифицируемого слоя, уменьшает воспроизводимость результатов обработки. В связи с этим интенсивно исследуются новые методы обработки ИЛС, лишенные этих недостатков и с целью придания обрабатываемым материалам требуемых свойств. Исследуется влияние режимов (длительность импульса, энергия импульса и т.д.) лазерной обработки на структуру и электрические свойства ИЛС, изучаются их физические механизмы.

Перспективным способом обработки имплантированных полупроводников является метод импульсной лазерной обработки излучением, направленным со стороны подложки при пониженных значениях температуры окружающей среды. На момент начала над данной работой этот метод являлся новым и совершено неизученным. Для его успешного применения необходимо было изучить его физические основы, получить систематизированные данные по влиянию режимов лазерной обработки на структуру и электрофизические параметры. Работы, проводимые в этом направлении ранее, осуществлялись при комнатных температурах, однако эффективность отжига была низкой, так как подложка кремния при комнатной температуре сильно поглощает излучение на длине волны технологических лазеров (Х,=1.06 мкм).

Другим альтернативным методом стало использование импульсных корпускулярных пучков [18-34] (ионов, электронов) микро- и наносекундных длительностей, характер взаимодействия которых с поверхностью материала значительно отличается от лазерного излучения: глубиной проникновения высокоэнергетических ионов, профилем распределения выделенной в полупроводник энергии и, соответственно, распределением температурного поля по глубине области легирования. При этом энергетические возможности мощных ионных пучков значительно выше, чем электронных. Ускорительная техника способна получить пучки с плотностью потока энергии на уровне 1013-1014Втхсм"2 [34].

В отличие от лазерного или электронного отжигов на момент начала данной диссертационной работы имелось очень мало данных об импульсно-

ионной обработке (ИИО) кремния, о поведении при этом имплантированной примеси, и практически отсутствовали данные о возможностях применения метода к соединениям А3В5, поэтому развитие исследований в этой области является весьма актуальным. Также остается актуальным вопрос повышения степени электрической активации внедренной примеси в соединениях А3В5 особенно для создания подконтактных областей и активных слоев приборов СВЧ электроники. Вместе с тем вопросы о пространственно-временном распределении энергии ионов и его влиянии на фазовые переходы, на диффузионное перераспределение имплантированной примеси и ее электрическую активацию остаются малоизученными.

В связи с этим целью настоящей диссертационной работы явилось изучение основных закономерностей протекания структурных и фазовых переходов, поведения имплантированной примеси при облучении полупроводников мощными импульсами, а также их зависимостей от пространственно-временного распределения поглощенной энергии различных видов излучения (лазерного, ионного). Конкретно были поставлены следующие задачи.

1. Исследовать влияние параметров импульсных световых и ионных пучков на-носекундной длительности на фазовые переходы и трансформацию структуры имплантированного кремния и арсенида галлия.

2. Исследовать процессы неравновесной растворимости имплантированной в Б! и ваАз примеси, индуцированные последующей обработкой мощными импульсами ионов наносекундной (т=50 не) длительности, а также процессы формирования и термического распада пересыщенных твердых растворов.

3. Провести анализ процессов поглощения света в монокристаллическом и имплантированном кремнии при высоких уровнях возбуждения в широком интервале температур для создания физических основ нового способа управления пространственным распределением поглощенной энергии - импульсной лазерной обработки излучением, направленным со стороны подложки.

4. Провести расчеты температурных полей и перераспределения примеси в 81 и ОаАэ при импульсно-энергетических воздействиях с учетом специфики про-

странственно-временного распределения энергии, выделяемой в объеме кристалла для каждого вида используемого излучения (свет, ионы).

5. Исследовать возможность формирования р-п переходов на кремнии с использованием импульсно-ионных пучков и лазерного излучения, направленного со стороны монокристаллической подложки.

Научная новизна работы.

1. Изучено влияние пространственно-временного распределения поглощенной энергии излучения на температурные поля и кинетические параметры образующейся границы раздела кристалл - расплав.

2. Детально изучены процессы трансформации кристаллической структуры и перераспределения имплантированных примесей в Б! и ОаАБ в зависимости от пространственно-временного распределения поглощенной энергии используемых излучений.

3. Исследованы процессы электрической активации примесей в ИЛС при обработке наносекундными энергетическими импульсами, а также при последующих термических воздействиях.

4. Обнаружена аномально высокая контрастность поглощения лазерного излучения в кристаллическом и аморфном кремнии при низких температурах, что позволяет управлять пространственным распределением поглощения излучения при импульсной лазерной обработке (ИЛО).

Практическая значимость.

1. Изучены возможности и установлены оптимальные режимы импульсно-ионной обработки имплантированных слоев и ОаАэ с целью создания сильнолегированных слоев и формирования резких глубокозалегающих р-п переходов.

2. На основе обнаруженной аномально высокой контрастности в коэффициентах поглощения имплантированного и неимплантированного слоев кремния, наблюдающейся при низких (<100К) температурах образца изучены возможности импульсного лазерного отжига имплантированных слоев излучением, на-

правленным со стороны подложки, с длиной волны лазерного излучения, лежащей вблизи края собственного поглощения полупроводника.

3. Установлены оптимальные температурные и спектральные диапазоны для использования промышленных лазеров при обработке кремния с импульсным лазерным излучением со стороны подложки.

4. Определены области термической стабильности пересыщенных ИЛС на и ваАз, сформированных с использованием импульсных обработок, что особенно важно для разработки низкотемпературных технологий изготовления полупроводниковых приборов.

5. Результаты численных расчетов температурных полей использованы для выбора и оптимизации режимов импульсно-ионной и лазерной обработок.

Основные положения, выносимые на защиту.

1. При низких (<100К) температурах образца обнаружена аномально высокая контрастность в коэффициентах поглощения мощного лазерного излучения с длиной волны вблизи края собственного поглощения для имплантированной и кристаллической областей кремния.

2. При импульсно-ионной и лазерной обработке излучением, направленным со стороны подложки, обеспечивается значительно более глубокое плавление и перекристаллизация ИЛС кремния и арсенида галлия по сравнению с им-пульсно-лазерным излучением, направленным с имплантированной стороны .

3. При оптимальных режимах ИИО достигаются рекордно высокие концентрации электронов в п-ОаАз (Пе=8х1019см"3).

4. Изменение характера пространственно-временного распределения поглощенной энергии в зависимости от вида излучения (лазерного, ионного) существенным образом влияет на распределение температурных градиентов в приповерхностных областях, на скорость кристаллизации и, соответственно, на степень совершенства кристаллической структуры и поведение имплантированной примеси.

5. Электрофизические параметры ИЛС кремния и арсенида галлия определяются режимами импульсно-энергетических воздействий.

Результаты работы позволят выработать рекомендации для импульсных обработок конкретных полупроводниковых материалов и структур.

Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и списка литературы.

Первая глава посвящена литературному обзору работ по модификации ИЛС при импульсно-энергетических воздействиях, рассмотрен характер выделения энергии при воздействии различных видов излучения.

Во второй главе описана экспериментальная методика ионного легирования, лазерной и ионно-импульсной обработок ИЛС, подготовки образцов, методов исследования отожженных структур.

В третьей главе проведено моделирование процессов выделения энергии, нагрева, фазовых переходов, диффузионного и сегрегационного перераспределения примеси при импульсно-энергетических воздействиях (с применением компьютерных расчетов) с учетом пространственно-временного характера выделения энергии излучения в полупроводниках.

В четвертой главе исследовано влияние импульсно-ионного и светового излучения на структуру и электрофизические параметры ИЛС кремния, арсенида галлия. Исследована термостабильность полученных ИИО пересыщенных слоев кремния и арсенида галлия. Исследована динамика процессов плавления и кристаллизации при ИЛО в ваЛв с использованием двойной имплантации (СаАв^Г+Р4).

В заключении изложены основные результаты работы и сформулированы выводы. Даны рекомендации для практического применения.

Основные результаты диссертации докладывались на семинарах и конференциях КФТИ КНЦ РАН, КГУ, КАИ, на 3-й Европейской конференции по вакууму (Австрия, Вена, 1991), на Международной конференции по применению передовых лазерных технологий - Ак'92 (Москва, 1992), на Международной конференции по исследованиям материалов - МК.8-1993 (Бостон, Масачусетс, 1993), на 13-й Международной конференции по применению ускорителей для исследований и промышленности (Техас, Дентон, 1994), на 8-й Всесоюзной

конференции, по взаимодействию оптического излучения с веществом (Ленинград, 1990), на 3-й Всесоюзной .конференции "Ионно-лучевая модификация полупроводников и других материалов микроэлектроники" (Новосибирск, 1991), на 10-й 11-й Всесоюзных конференциях "Взаимодействие ионов с поверхностью" (Звенигород, 1991; 1993), на 2-м семинаре России и стран СНГ "Структурно-морфологические основы модификации материалов методами нетрадиционных технологий" (Обнинск, 1993), на 3-й Всесоюзной конференции по физике полупроводников "Полупроводники - 97" (Москва, 1997) и опубликованы в печати [59-60, 65-66, 73, 81-83, 87-88].

13

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Антонова, Ландыш Халяфовна

Основные результаты, полученные автором в ходе таких исследований, сводятся к следующему.

1. Апробирован новый способ повышения эффективности процесса импульсного отжига разупорядоченных (в том числе имплантированных) полупроводников, основанный на управлении профилем пространственного распределения поглощенной в полупроводнике энергии. Способ практически реализован на примере двух видов наносекундного импульсного отжига: импульсно-ионного отжига и импульсно-лазерного отжига излучением, направленным со стороны монокристаллической подложки.

2. Изучено влияние профилей распределения поглощенной энергии излучения на процессы рекристаллизации, электрической активации, диффузионного и сегрегационного перераспределения имплантированной примеси в системах 8гР+, В4,1п+; СаАв^Г, Те+, подвергнутых импульсно-лазерному и импульсно-ионному воздействиям в наносекундном диапазоне длительностей импульса.

3. Проведено численное моделирование процессов выделения энергии, нагрева, фазовых переходов, диффузионного и сегрегационного перераспределения примеси в имплантированных слоях 81, ваАв при лазерных и ионно-импульсных воздействиях в наносекундном диапазоне длительностей импульса. Результаты расчетов использованы для выбора и оптимизации режимов ИИО и ИЛО.

4. Впервые с использованием ионно-импульсного отжига сформированы сильнолегированные слои п-ваАз с рекордно высокими концентрациями электронов

19 3 проводимости (Пс = 8x10 см"), что на порядок по величине, превышает уровень, достигаемый традиционными методами.

5. Исследована термическая стабильность полученных ИИО пересыщенных твердых растворов замещения как для кремния, так и для арсенида галлия. Установлены экспериментально температуры, при которых начинается распад ме-тастабильных растворов: 300°С для 81 и 200°С для ОаАэ.

6. Обнаружена аномально высокая контрастность в коэффициентах поглощения имплантированного и неимплантированного кремния, наблюдающаяся при низких (Т<100К) температурах образца и облучении импульсом лазерного излучения с длиной волны, лежащей вблизи края собственного поглощения полупроводника. На основе обнаруженного эффекта изучены возможности импульсного лазерного отжига имплантированных слоев излучением, направленным со стороны монокристаллической подложки.

В заключение автор выражает глубокую признательность д.ф.-м.н. И.Б.Хайбуллину и к.ф.-м.н. Р.М.Баязитову за постоянное внимание и руководство работой, д.ф.-м.н. В.А. Жихареву за консультацию при проведении теоретических расчетов, Ю.Н.Осину за проведение электронно-микроскопических и электронографических исследований, сотрудникам лаборатории И.А.Файзрахманову, М.И.Ибрагимовой за критические замечания по данной работе.

104

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Пространственно-временное распределение поглощенной энергии различных видов излучения существенным образом определяет процессы рекристаллизации, нагрева, фазовые переходы, диффузионное и сегрегационное перераспределение примеси, электрическую активацию внедренной примеси в ионно-легированных слоях полупроводников. В соответствие с этим в данной работе были проведены исследования влияния пространственно-временного распределения поглощенной энергии различных видов излучения на указанные особенности при проведении импульсно-энергетических обработок.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Антонова, Ландыш Халяфовна, 1998 год

ЛИТЕРАТУРА

1. Мейер Дж., Эриксон JL, Дэвис Дж. Ионное легирование полупроводников / Пер. с англ. -М.: Мир, 1970. -296с.

2. Риссел X., Руге И. Ионная имплантация / Пер. с нем. -М.: Наука, 1983. -360с.

3. Аброян И.А., Андронов А.Н., Титов А.И. Физические основы электронной и ионной технологии. -М.: Высш.шк., 1984. -320с.

4. Вильяме Дж.С., Поут Дж.М., Ионная имплантация и лучевая технология / Пер. с англ. -Киев: Наук.думка, 1988. -360с.

5. Хайбуллин И.Б., Штырков Е.И., Зарипов М.М., Галяутдинов М.Ф., Баязитов P.M. Отжиг ионно-легированных слоев под действием лазерного излучения. -Казань: Деп. в ВИНИТИ, 1974. №2061-74.

6. Cullis A.G. Transient annealing of semiconductors by laser, electron beam and radiant heating techniques // Rep.Prog. Phys. -1985. -V.48, -P. 1155-1233.

7. Поут Дж.М., Фоти Г., Джекобсон Д.К. Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками / Пер. с англ. -М.: Машиностроение, 1987. -424с.

8. Двуреченский А.В., Качурин Г.А., Нидаев Е.В., Смирнов JI.C. Импульсный отжиг полупроводниковых материалов. -М.: Наука, 1982. -208с.

9. Атаев Б.М. Импульсный лазерный отжиг полупроводников // Физика и химия обработки материалов. -1988. -№4, -С.5-15.

10.Baeri P., Campisano S.U., Grimaldi M.G., Rimini Е. Experimental investigation of the amorphous silicon melting temperature by fast heating processes // J.Appl.Phys. -1982. -V.53, -№12, -P.8730-8733.

П.Карпов С.Ю., Ковальчук Ю.В., Погорельский Ю.В. Плавление

полупроводников под действием импульсного лазерного излучения // ФТП. -1986. -Т.20, №11, -С. 1889-1896.

12.Baeri P., Campisano S.U., Foti G., Rimini E. A melting model for pulsed-laser annealing of implanted semiconductors // J.Appl.Phys. -1979. -V.50, -№2, -P.788-797.

13. Андреева В.Д., Джумамухамбетов Н.Г., Дмитриев А.Г. Термический отжиг кристаллов GaAs, модифицированных лазерным излучением//ФТП.-1981. -Т.25, №9, -С. 1624-1627.

14.Демчук А.В., Данилович Н.И., Лабунов В.А. Модификация морфологии поверхности кремниевых слоев под действием импульсного лазерного излучения наносекундной длительности // Поверхность. Физ.Хим.Мех. -1988. -№8, -С.84-88.

15.Auston D.H., Golovchenko J.A., Simons A.L., Surko C.M., Venkatesan T.N.C. Dynamics of Q-switched laser annealing // Appl. Phys. Lett. -1979. -V.34, -№11, -P.777-779.

16.Ивлев Т.Д., Малевич В.Л. Тепловые процессы в арсениде галлия при наносекундном лазерном облучении // ЖТФ. -1990.-Т.60, -№2, -С. 199-201.

17.Гиппиус Н.А., Куземченко Т.А., Клечковская В.В., Маненков А.А., Михайлова Т.Н., Сеферов А.С., Соколов С.Ю., Семилетов С.А., Тиходеев С.Г. Влияние начальной температуры образца на процесс импульсного лазерного отжига ионно-легированного кремния // Поверхность. Физ.Хим.Мех. -1988. -№6, -С.32-37.

18. Durupt P., Barbier D., Laugier A. Annealing of high dose С implanted Si by pulsed electron beam//Mat.Res.Soc.Symp.Proc. -1984. -V.23, -P.747-752.

19.Двуреченский A.B., Кашников Б.П., Смирнов Л.С. Перестройка дефектов в аморфизованных ионной бомбардировкой слоях Si и GaAs под действием мощных электронных импульсов // ФТП. -1980. -Т. 14, -№9, -С. 1837-1839.

20.Lau S.S., Tseng W., Golecki I., Kennedy E.F., Mayer J.W. A comparison of laser and electron beam pulsed annealing of deposited layers // AIP Conf.Proc. -1978. -Y.50, -P.503-508.

21.Kennedy E.F., Lau S.S., Golecki I., Mayer J.W., Tseng W., Minnucci J.A., Kirkpatrick A.R. Pulsed electron beam annealing of ion implanted Si layers // Rad.Eff.Letters. -1979. -V.43, -P.31-36.

22.Greenwald A.C., Kirkpatrick A.R., Little R.G., and Minnucci J.A. Pulsed-electron beam annealing of ion-implanted damage // JAppl.Phys. -1979, -V.50, -№2, -P.783-787.

23.Kamins T.I., Rose P.H. Electron-beam annealing of ion-implantion damage in integrated-circuit devices//J.Appl.Phys. -1979. -Y.50, -№3, -P. 1038-1311.

24.Hodgson R.T., Baglin J.E.E., Pal R., Neri J.M., Hammer D.A. Ion beam annealing of semiconductors // Appl.Phys.Lett. -1980. -V.37, -№2, -P.187-189.

25.Chu W.K., Mader S.R., Gorey E.F., Baglin J.E.E., Hodgson R.T., Neri J.M., Hammer D.A. Pulsed ion beam irradiation of silicon//Nucl.Instr. andMeth. -1982. -V.194, -P.443-447.

26.Baglin J.E.E., Hodgson R.T., Chu W.K., Neri J.M., Hammer D.A., Chen L.J. Pulsed proton beam annealing: semiconductors and silicides // Nucl.Instr. and Methods in Phys. Res. -1982. -V.191, -P. 169-176.

27.Fastov R., Marón Y., Mayer J. Pulsed ion-beam melting of silicon // Phys.Review B. -1985. -V.31, -№2, -P.893-898.

28.Piekoszewski J., Werner Z., Langner J., Jakubowski L., Pochrybniak C., Harasiewicz A. Pulse implantation properties and surface morphology // Nucl.Instr. andMeth. -1983. -V.209/210, -P.477-482.

29.Piekoszewski J., Gryzinski M., Langner J., Werner Z. Pulse ion implantation -New single step doping technique // Phys.Stat.Solidi (a). -1981. -V.67, -№2, -K163-K166.

30.Gyulai J., Krafcsik I. Comparative status of pulsed ion implantation // Nucl.Instr. andMeth. in Phys. Research. -1989. -V.B37/38, -P.275-279.

31.Комаров Ф.Ф., Новиков А.П., Соловьев B.C., Ширяев С.Ю. Дефекты структуры в ионно-имплантироваином кремнии. -Мн.: Университетское, 1990. -320с.

32.Isakov I.F., Kolodii V.N., Opekunov M.S., Matvienko V.M., Pechenkin S.A., Remnev G.E., Usov Yu.P. Sources of high ion beams for technological applications // Vacuum. -1990. -V.42, -№1/2, -P. 159-162.

33.Altudov Y.K., Bykovskii Yu.A., Nevolin V.N. Some features of defects of implanted silicon by powerful ion pulse // Rad.Eff. -1982. -V.62, -P.85-87.

34.Диденко A.H., Лигачев A.E., Куракин И.Б. Воздействие пучков заряженных частиц на поверхность металлов и сплавов.-М.: Энергоатомиздат, 1987. -184с.

35.Кумахов М.А., Комаров Ф.Ф. Энергетические потери и пробеги ионов в твердых телах. -Мн: БГУ им. Ленина, 1979. -319с.

36. Лейман К. Взаимодействие излучения с твердым телом и образование элементарных дефектов / Пер. с англ. -М.: Атомиздат, 1979. -296с.

37.Biersack J.P., Haggmark L.G. A Monte Carlo computer program for the transport of energetic ions in amorphous targets // Nucl.Instr. and Methods. -1980. -V. 174, -P.257-269.

38.Gaivin G.J., Thompson Michael O., Mayer J.W., Peercy P.S., Hammond R.B., Paulter N. Time-resolved conductance and reflectance measurements of silicon during pulsed-laser annealing// Phys. Review B. -1983. -V.27, -№2, -P. 10791087.

39.Pearton S.J., Poate J.M., Sette F., Gibson J.M., Jacobson D.C., Willams J.S. Ion implantation in GaAs //Nucl. Instr. and Meth. in Phys. Research. -1987. -B19-20, -P.369-380.

40.Golovchenko J.A., Venkatesan T.N.C. Annealing of Te-implanted GaAs by ruby laser irradiation //Appl.Phys.Lett. -1978. -V.32, -№3, -P. 147-149.

41.Pianetta P.A., Stolte C.A., Hansen J.L. Nonalloyed ohmic contacts to electron-beam-annealed Se-ion-implanted GaAs // Appl.Phys.Lett. -1980. -V.36, -№7, -P.597-599.

42.Черняев A.B. Метод ионной имплантации и технологии приборов и интегральных схем на арсениде галлия. -М.: Радио и связь, 1990. -88с.

43.Гусаков Г.М., Кондратова Т.Н., Канский К.С., Ларюшин А.И. Влияние импульсного лазерного облучения на профиль подвижности и проводимости эпигаксиальных слоев GaAs // ФТП. -1989. -Т.23, -№10, -С.1864-1868.

44.Hyuga F., Yamasaki H., Watanabe K., Osaka J. Activation efficiency improvement in Si-implanted GaAs by P-coimplantation // Appl.Phys.Lett. -1987. -V.50, -№22, -P. 1592-1594.

45. Sugitani S., Hyuga F., Yamasaki K. Phosphorus coimplantation effects on optimum annealing temperature in Si-implanted GaAs //J.Appl.Phys. -1990. -V.67, -№1, -P.552-554.

46.Morrow R. Electrical activation of silicon coimplanted with nitrogen, phosphorus, or arsenic in semi-insulating GaAs substrates grown by the liquid encapsulated Czochralski method//J. Appl. Phys. -1988. -V.64, -№4, -P. 1889-1896.

47.1vlev G.D., Malevich V.L. On phase transitions stimulated in amorphized silicon by nanosecond pulsed laser annealing//Phys. Stat. Sol(a). -1987. -V.103, -K.87-91.

48.Павлов JI.П. Методы определения основных параметров полупроводниковых материалов. -М.: Высш. шк., 1987. -239с.

49.Батавин В.В. Контроль параметров полупроводниковых материалов и эпитаксиальных слоев. -М.: Сов. радио, 1976. -103с.

50. Vaughan D.E. Four-probe resistivity measurements on small circular specimens // Brit. J.of Appl. Phys. -1961. -V.12, -№.8, -P.414-416.

51.Батавин B.B., Концевой Ю.А., Федорович Ю.В. Измерение параметров полупроводниковых материалов и структур. -М.: Радио и связь, 1985. -264с.

52.Воробьев Ю.В., Добровольский В.Н., Стриха В.И. Методы исследования полупроводников. -К.: Выщашк., 1988. -232с.

53.Двуреченский А.В., Серяпин В.Г. Анодное окисление кремния. -Новосибирск: препринт, 1977. -25с.

54.Файнштайн С.М. Обработка поверхности полупроводниковых приборов. -М.-Л. Энергия, 1966. -256с.

55.Баязитов P.M., Ибрагимова М.И., Хайбуллин И.Б. -Методы расчетов температурных полей при импульсном световом облучении полупроводниковых ионно-легированных слоев. -Казань:. Деп. в ВНИИТИ 1981,-N.4716-81,-20с.

56.Самарский А.А. Введение в теорию разностных схем. -М.: Наука, 1971.-550с.

57.Kucirkova A. Optical reflectance study of damage produced by nitrogen and tellurium ion implanted into silicon // Scripta Facultatis Scientiarum Naturalium Universitas Purkynianae Brunensis, Physica 2. -1974. -V.4, -P.65-74.

58.1Пварев K.M., Баум Б.А., Гельд П.В. Оптические свойства жидкого кремния //ФТТ. -1974. -Т. 16, -№11, -С.3246-3248.

59.Bayazitov R.M., Zakirzyanova (Antonova) L.Kh., Khaibullin I.B., Remnev G.E. Formation of heavily doped semiconductor layers by pulsed ion beam treatment //Nuclear Instr. and Meth. in Phys. Res.(B). -1997. -V.122, -P.35-38.

60.Bayazitov R.M., Zakirzyanova (Antonova) L.Kh., Khaibullin I.B., Isakov I.F., Chachakov A.F. Pulsed partical beam treatment of implanted Silicon // Vacuum. -1992. -V.43, -№5-7. -P.619-622.

61.Meyer J.R., Kruer M.R., Bartoli F.J. Optical heating in semiconductors: Laser damage in Ge, Si, InSb, and GaAs // J. Appl. Phys. -1980. -V.51, -№10, -P.5513-5522.

62.Handbook of Chem. and Phys. 51ed. -1970-1971. The Chem. Rubber Co,Ohio. бЗ.Охотин A.C., Пушкарский A.C., Горбачев B.B. Теплофизические свойства

полупроводников. -М.; Атомиздат, 1972. -200с.

64.Ред. Григорьева И.С., Мейлихова Е.З. Физические величины. -Справочник. -М.: Энергоатомиздат, 1991. -1232с.

65.Bayazitov R.M., Antonova L.Kh., Khaibullin I.B., Remnev G.E. Pulsed ion beam formation of highly doped GaAs layers // Nuclear Instr. and Meth. in Phys. Res.(B). -1998. Publ.

66.Баязигов P.M., Антонова JI.X., Хайбуллин И.Б., Латыпов Р.Г., Ремнев Г.Е. Плавление и перекристаллизация имплантированного кремния мощными ионными пучками//Неорганические материалы. -1998. -Т.34, -№9, -С. 1-6.

67.Павлов П.В., Хохлов А.Ф. -Физика твердого тела. -М.:Высш.шк., 1985.-384с.

68.Туровский Б.М. -Методы оценки коэффициентов диффузии примесей в полупроводниковом кремнии. -Ж.Физ.Хим. -1962, -Т.36, -№.8, -С.1815-1818.

69.Шашков Ю.М., Гуревич В.М. -Диффузия примесей в расплавленном кремнии. -Ж.Физ.Хим. -1968, -Т.42, -№.8, -С.2058-2060.

70.Баязитов P.M. Лазерный отжиг ионно-легированного кремния: Диссертация на соискание ученой степени к.ф.-м.н. -Казань: 1982. -140с.

71. Wesch W., Gotz G. Rapid annealing of ion-implanted GaAs // Phys.Stat.Sol (a). -1986. -V.94, -P.745-766.

72.Стрельченко С., Лебедев B.B. Соединения А3В5. -М.: Металлургия, 1984. -144с.

73.Баязитов P.M., Закирзянова (Антонова) Л.Х., Исаков И.Ф., Хайбуллин И.Б., Чачаков А.Ф. Электронно- и ионноимпульсный отжиг имплантированного кремния //10-я Всес.Конф. "Взаимодействие ионов с поверхностью". Тез.докл. -Звенигород, -1991. -Т.З, -С. 19.

74.Ивлев Г.Д., Баязитов P.M., Гайдук П.И.,Соловьев B.C., Хайбуллин И.Б, Жидков В.В. Модифицирование имплантированных слоев кремния моноимпульсным воздействием лазерного излучения // Поверхность. Физ.,Хим.,Мех. -1990. -№1,-С.65-71.

75.Narayan J. Interface instability and cell formation in ion-implanted and laser-annealed silicon // J.Appl.Phys. -1981. -V.52, -№.3, -P. 1289-1293.

76.Narayan J., Naramoto H., White C.W. Cell formation and interface instability in laser-annealed Si-In and Si-Sb alloys // J.Appl.Phys. -1982. -V.53, -№.2, -P.912-915.

77. Venkatesan T.N.C. Auston D.H., Golovchenko J.A., Surko C.M., Study of surface erystallinity and stoichiometry of laser-annealed GaAs using time-resolved reflectivity and channeling // Appl.Phys.Lett. -1979. -V.35, -№1, -P.88-90.

78.Boerma D.O., Hasper H., Prasad K.G.Evaporation and ripple formation during pulsed laser irradiation of GaAs//J.Phys.Lett. -1983. -V.93A, -№.5, -P.253-256.

79.De Jong Т., Wang Z.L., Saris F.W. An experimental test of GaAs decomposition due to pulsed laser irradiation//J.Phys.Lett. -1982. -V.90A, -№.3,-P. 147-149.

80.Pollock J.T.A., Rose A. Surface temperatures and dissociation loss the pulsed laser annealing of GaAs//Mat.Soc.Symp.Proc. -1984. -V.23, -P.633-638.

81.Bayazitov R.M., Zakirzyanova (Antonova) L.Kh., Khaibullin I.B., Abdrakhmanov R.G., Remnev G.E. The Heavily doped Si and GaAs layers formation by nanosecond laser and ion pulses // Proc. Int. Cong, of advanced and laser technologies (Alt'92). -Moscow. -1992. -№.5. -P.67-68.

82.Баязитов P.M., Закирзянова (Антонова) JI.X., Хайбуллин И.Б., Ремнев Т.Е. Импульсная наносекундная обработка ионными и лазерными пучками имплантированного GaAs // 11-я Всес. Конф."Взаимодействие ионов с поверхностью": Тез.докл. -Звенигород. -1993. -Т.З. -С. 132.

83.Баязитов P.M., Антонова Л.Х., Хайбуллин И.Б., Ремнев Т.Е. Поведение примеси при импульсно-ионном формировании сильнолегированных слоев арсенида галлия // 3-я Всеросс. Конф. По физике полупроводников "Полупроводники - 97": Тез.докл. -Москва. -1997. -С.95.

84. Глазов В.М., Чижевская С.Н., Глаголева Н.Н. -Жидкие полупроводники. М.: Наука, 1967. -244с.

85.1vlev G.D., Zakirzyanova (Antonova) L.Kh., Bayazitov R.M. Peculiarities of melting and crystallization of implanted GaAs in the process of pulsed laser irradiation//MRS. Abstracts. -Boston, Massachusetts. -1993. -A5.33, -P.27.

86.Баязитов P.M., Хайбуллин И.Б., Зарипов M.M. Лазерный нагрев тонких пленок на поглощающих подложках // Физ. и хим. обраб. матер. -1979. -№.2,-С. 14-17.

87.Баязигов P.M., Галяутдинов М.Ф., Хайбуллин И.Б., Закирзянова (Антонова) Л.Х. Температурное управление поглощательной способностью кремния // 8-я Всес.конф. по взаимодействию оптического излучения с веществом: Тез.докл. -Ленинград. -1990. -Т.2, -С.230.

88.3акирзянова (Антонова) Л.Х., Баязитов P.M., Галяутдинов М.Ф.

Низкотемпературный сдвиг поглощения кремния при лазерном отжиге // Конф. молодых ученых КФТИ-90. Тез.докл. -Казань. -1990. -С.32-36.