Исследование влияния примесей Bi, In и Ti на свойства материалов фазовой памяти на основе системы Ge-Sb-Te тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.06, кандидат наук Бабич, Алексей Вальтерович

• Бабич, Алексей Вальтерович
• кандидат наук
• 2017

Оглавление диссертации кандидат наук Бабич, Алексей Вальтерович

Содержание

23

37

42

ВВЕДЕНИЕ

Глава 1. Литературный обзор.

1.1. Перспективы применения электрической фазовой памяти. ^

1.2. Принцип работы электрической фазовой памяти. ^

1.3. Материалы фазовой памяти. ^

1.3.1. Материалы, применяемые в устройствах фазовой памяти. ^

1.3.2. Структура материалов фазовой памяти. ^ ^

1.3.3. Электрофизические свойства материалов фазовой памяти. ^

1.3.4. Термические свойства материалов фазовой памяти

1.3.5. Влияние легирования на свойства материалов фазовой памяти.

1.4. Термические методы анализа.

1.4.1. Термогравиметрия. ^

1.4.2. Дифференциальный термический анализ. ^

1.4.3. Дифференциальная сканирующая калориметрия.

1.5. Постановка задач исследования

1.6. Выводы по главе Глава 2. Методики подготовки материалов, проведения измерений, анализа результатов

2.1. Методика синтеза материалов. ^

2.2. Методика получения тонких пленок материалов. ^

2.3. Методы исследования состава и структуры. ^

2.3.1. Исследования структуры материалов. ^

2.3.1.1. Использованные дифрактометры. ^

2.3.1.2. Обработка результатов РФА ^

2.3.2. Исследование химического состава.

6о

54 59

2.3.3. Исследования морфологии поверхности тонких пленок. ^

2.4. Исследования термических свойств материалов. ^

2.4.1. Термогравиметр Netzsch. ^

2.4.2. Дифференциальный сканирующий калориметр DSC-50. ^

2.4.2.1. Калибровка калориметра DSC-50. ^

2.4.2.2. Методика подготовки образцов для ДСК измерений. ^

2.4.2.3. Методика проведения ДСК измерений. „

/8

2.4.2.4. Методика обработки экспериментальных ДСК данных. ^

2.5. Разработка методики оценки кинетических параметров

82

2.5.1. Безмодельные методы.

2.5.2. Модельные методы.

2.5.3. Разработанная методика оценки кинетических параметров

2.6. Выводы по главе Глава 3. Исследование термических свойств и структуры материалов системы Ge-Sb-Te и влияния легирования Bi, Ti, In.

3.1. Исследование состава материалов фазовой памяти ^q

3.2. Исследование термических свойств материалов фазовой памяти. ^

3.2.1. Исследование термических свойств материалов системы Ge-Sb-Te.

3.2.2. Исследование воспроизводимости и стабильности материалов системы Ge-Sb-Te и тонких пленок на их основе

3.2.2.1 Воспроизводимость термических свойств тонких пленок материалов системы Ge-Sb-Te ^

3.2.2.2 Термоциклирование тонких пленок материалов системы Ge-Sb-Te

3.2.2.3 Исследования термических свойств материалов, близких к эвтектическому в системе Ge-Te

3.2.3 Влияние примесей на термические свойства Ge2Sb2Te5

3.2.3.1 Влияние Bi на термические свойства Ge2Sb2Te5 ^ ^

84

85

89

90

92

94

115

117

3.2.3.2 Влияние ^ на термические свойства Ge2Sb2Te5 ^ ^

3.2.3.3 Влияние In на термические свойства Ge2Sb2Te5

3.2.3.4 Анализ влияния примесей Bi, Ti, In на термические свойства Ge2Sb2Te5

3.3 Исследование структуры материалов методом рентгенофазового анализа. ^о

3.3.1 Исследование структуры Ge2Sb2Te5 у^

3.3.1.1 Исследование структуры синтезированного Ge2Sb2Te5 ^

3.3.1.2 Исследование структуры тонких пленок Ge2Sb2Te5

3.3.2 Исследование структуры материалов системы Ge-Sb-Te-Bi ^^

3.3.2.1 Исследование структуры синтезированных материалов системы Ge-Sb-Te-Bi

126

3.3.2.2 Исследование структуры тонких пленок материалов системы Ge-Sb-Te-Bi ^

3.3.3 Исследование структуры тонких пленок материалов системы Ge-Sb-Te-Ti

3.3.4 Исследование структуры тонких пленок материалов системы

136

137

Ge-Sb-Te-In 3.4 Выводы по главе Глава 4. Исследование кинетики фазовых переходов тонких пленок материалов системы Ge-Sb-Te-(Bi, In) и прогнозирование

параметров ячеек фазовой памяти.

4.1 Исследование кинетики фазовых переходов в тонких пленках Ge2Sb2Te5.

4.1.1 Нахождение кинетических параметров кристаллизации в тонких пленках Ge2Sb2Te5

4.1.2 Оценка времен обработки и хранения данных в устройствах фазовой памяти на основе тонких пленок Ge2Sb2Te5 ^ ^

4.2. Влияние примесей на кинетику фазовых переходов в тонких

пленках Ge2Sb2Te5. 1 ^

225

140

140

4.2.1. Кинетика кристаллизации тонких пленок системы Ge-Sb-Te-Bi

4.2.2. Кинетика кристаллизации тонких пленок системы Ge-Sb-Te-Ti

156

4.2.3. Кинетика кристаллизации тонких пленок системы Ge-Sb-Te-In

4.3 Механизм кристаллизации в тонких пленках на основе системы Ge-Sb-Te

161

4.4. Рекомендации по оптимизации технологии фазовой памяти

4.5. Выводы по главе 167 Общие выводы 169 СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННОЙ ЛИТЕРАТУРЫ 173 ПРИЛОЖЕНИЕ 1

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Исследование влияния примесей Bi, In и Ti на свойства материалов фазовой памяти на основе системы Ge-Sb-Te»

ВВЕДЕНИЕ

Актуальность темы

В настоящее время информационные технологии стремительно развиваются, что требует разработки новых носителей информации, имеющих большую емкость и быстродействие. Сегодня широко распространенным типом памяти является флэш-память. Однако, наряду с достоинствами, обуславливающими высокие объемы производства, у такой памяти существует ряд недостатков: сравнительно низкая скорость записи информации [1], небольшое количество циклов перезаписи [2], низкая радиационная стойкость [3]. Кроме того, на данный момент уже практически достигнут предел миниатюризации [2].

Одним из наиболее перспективных видов энергонезависимых запоминающих устройств нового поколения считается фазовая память [2, 4, 5], которая по ряду показателей либо уже превосходит, либо в перспективе может превзойти существующие и разрабатываемые виды памяти. Более того, она претендует на то, чтобы стать универсальной, сочетающей в себе достоинства энергонезависимой и быстродействующей динамической памятей, обладающей к тому же повышенной радиационной стойкостью. Принцип работы таких запоминающих устройств основан на быстропротекающих обратимых фазовых переходах между двумя состояниями: аморфным и кристаллическим. Проводимость в этих состояниях отличается на несколько порядков, что позволяет четко разделять логические «0» и «1». При этом скорость обработки данных в устройствах фазовой памяти определяется кристаллизацией программируемого материала, как наиболее медленным процессом [2].

Современный этап развития технологии фазовой памяти связан с использованием материалов системы Ge-Sb-Te, в частности, Ge2Sb2Te5. Однако, для успешной коммерческой реализации устройств фазовой памяти необходимо дальнейшее совершенствование технологии. Это

возможно, например, за счет оптимизации свойств материала с помощью легирования. Перспективными примесями для управления свойствами материалов системы Ge-Sb-Te являются Ы, Т1, 1п [6-9].

В связи с вышесказанным, исследование термических свойств материалов фазовой памяти, процесса, механизма и кинетики их кристаллизации, а также влияние на них легирования является актуальной задачей, решение которой имеет важное не только научное, но и практическое значение. Перспективным для этих целей является дифференциальная сканирующая калориметрия, как прямой и точный метод исследования термических свойств и тепловых эффектов в материалах.

Цель диссертационной работы: исследование механизма и кинетики кристаллизации тонких пленок материалов системы Ge-Sb-Te, влияния легирования примесями Ы, 1п, Т на кинетику кристаллизации и оценка времени обработки и хранения информации в устройствах фазовой памяти.

Для достижения поставленных целей необходимо было решить следующие задачи.

1. Исследовать термические свойства тонких пленок Ge2Sb2Te5 и влияние на них легирования Ы, 1п, Тц определить параметры тепловых эффектов фазовых переходов.

2. Исследовать структуру синтезированных материалов и полученных тонких пленок для идентификации фазовых переходов.

3. Разработать методику, позволяющую оценить кинетические параметры фазовых переходов.

4. Исследовать механизм и кинетику кристаллизации тонких пленок материалов системы Ge-Sb-Te.

5. Изучить влияние примесей Bi, М, ^ на кинетику кристаллизации тонких пленок системы Ge-Sb-Te.

6. Оценить время обработки и хранения информации в устройствах фазовой памяти на основе исследованных материалов.

7. Разработать практические рекомендации, направленные на оптимизацию и совершенствование технологии фазовой памяти.

Научная новизна работы состоит в следующем.

1. Исследовано влияние легирования примесями В^ М, ^ (концентрацией от 0 до 5 масс. %) на термические характеристики тонких пленок Ge2Sb2Te5. Показано, что добавление данных примесей позволяет изменять параметры фазовых переходов, в частности, варьировать температуру кристаллизации в пределах от 131°С до 223°С. Впервые на зависимостях температур и величин пиков кристаллизации от концентрации легирующих элементов в тонких пленках Ge2Sb2Te5 выявлены экстремумы при введении малых концентраций примесей Bi, М, ^ (до 1 масс. %).

2. Повторные ДСК измерения Ge13Te87; Ge14Te86; Ge15Te85; Ge16Te84; Ge17Te83 позволили уточнить состав и температуру плавления эвтектики в системе GeTe-Te - Ge14Te86 и 384,0±0,6 °С соответственно. Установлено, что многократное термоциклирование приводит к уменьшению пика плавления эвтектики вплоть до полного исчезновения и образованию двух эндотермических пиков в области более низких и более высоких температур, чем температура плавления эвтектики, что может быть связано с фазовым разделением.

3. Разработана методика, основанная на совместном использовании безмодельных и модельных методов. Данная методика позволяет при анализе результатов измерений с помощью дифференциальной сканирующей калориметрии в неизотермических условиях при постоянных скоростях нагрева оценить эффективную энергию активации и

предэкспоненциальный множитель в зависимости от степени преобразования, а так же определить модель реакции. Это дает возможность прогнозировать поведение материалов при различных температурных условиях.

4. Исследованы механизм и кинетика кристаллизации тонких пленок материалов системы Ge-Sb-Te. Установлено, что наблюдается гетерогенное зародышеобразование, которое начинается на поверхности пленки, а дальнейший рост кристаллитов происходит в объем пленки и сопровождается их объединением.

5. Впервые проведена оценка времени обработки и хранения информации в устройствах фазовой памяти с помощью метода дифференциальной сканирующей калориметрии. Показано, что на основе исследованных материалов можно достичь времени записи информации порядка 10 нс при времени хранения данных, превышающем 100 лет.

Практическая значимость заключается в следующем.

1. Разработанная методика оценки кинетических параметров фазовых переходов с помощью дифференциальной сканирующей калориметрии позволяет прогнозировать время записи и хранения информации и оптимальный температурный режим работы ячеек фазовой памяти до их изготовления и проведения длительных измерений. Методика может применяться для исследования кинетики фазовых превращений в различных материалах.

2. Определен наиболее перспективный состав тонких пленок из исследованных материалов для использования в устройствах фазовой памяти. На основе Ge2Sb2Te5+0,5 масс. % Bi могут быть получены ячейки фазовой памяти с наилучшими характеристиками (время записи и хранения информации) по сравнению с другими исследованными составами.

3. Определены оптимальные температурные режимы работы ячеек фазовой памяти. Для ячеек памяти на основе Ge2Sb2Te5+0,5 масс. % Bi оптимальной температурой для записи информации является 240-250 °С.

4. Полученные результаты работы могут быть использованы для целенаправленного совершенствования технологии фазовой памяти и прогнозирования характеристик (времени записи и хранения информации) ячеек фазовой памяти.

На защиту выносятся следующие положения и результаты:

1. Разработанная методика, позволяющая по результатам дифференциальной сканирующей калориметрии оценить эффективную энергию активации и предэкспоненциальный множитель в зависимости от степени преобразования, а так же определить модель реакции.

2. Введение висмута в Ge2Sb2Te5 при концентрациях от 0,2 до 5 масс. % позволяет изменять температуру кристаллизации в широком диапазоне от 138 до 223 °С, что существенно расширяет возможности для оптимизации технологии фазовой памяти. Введение индия в диапазоне концентраций от 0,5 до 3 масс. % позволяет изменять температуру кристаллизации в диапазоне от 138 до 171 °С. Титан по сравнению с остальными примесями сравнительно слабо влияет на температуру кристаллизации. Она может изменяться от 131 до 139°С при концентрациях титана от 0,5 до 3 масс. %.

3. Разработанная модель кристаллизации тонких пленок на основе системы Ge-Sb-Te, согласно которой наблюдается гетерогенное зародышеобразование, которое начинается на поверхности пленки, а дальнейший рост кристаллитов происходит в объем пленки и сопровождается их объединением.

4. На основе Ge2Sb2Te5 можно добиться времени хранения информации в несколько лет, а за счет использования оптимальной

температуры записи (порядка 300°С) можно достичь времени записи данных 100-50 нс и даже меньше при температурах выше 300°С.

5. Используя тонкие пленки Ge2Sb2Te5 с 0,2; 0,5; 1; 3 масс. % Ы и 3 масс. % можно добиться уменьшения времени записи и увеличения времени хранения информации в ячейках фазовой памяти по сравнению с нелегированным материалом. Оптимальная температура для записи информации составляет 240-290 °С.

6. Ge2Sb2Te5 + 0,5 масс. % Bi обладает наилучшими характеристиками из исследованных материалов с точки зрения применения в фазвой памяти. На его основе можно добиться времени записи информации порядка 10 нс и даже меньше и времени хранения информации более 100 лет.

Достоверность результатов исследований обеспечивается использованием современных методов исследования (дифференциальная сканирующая калориметрия (ДСК), рентгенофазовый анализ (РФА), атомно-силовая микроскопия (АСМ), резерфордовское обратное рассеяние (РОР), рентгеноспектральный микроанализ (РСМА), оптическая микроскопия), проведением экспериментальных измерений на научном оборудовании, обеспечивающем высокую точность и воспроизводимость измерений. Для подтверждения полученных результатов были проведены повторные эксперименты, использованы различные независимые методы.

Реализация результатов работы.

Результаты исследований были использованы при выполнении проектов по соглашениям (имеются акты об использовании):

- №14.575.21.0096 «Разработка конструктивно-технологических решений, анализ и исследование элементов перспективных типов памяти нового поколения большой емкости типа фазовой (PCM), сегнетоэлектрической (FRAM), магниторезистивной (MRAM)» ,

проводимого в рамках ФЦП «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014-2020 годы». Уникальный идентификатор RFMEFI57514X0096.

- №14.578.21.0085 «Развитие физико-технологических принципов построения наноразмерных устройств фазовой памяти и разработка прототипа ячейки фазовой памяти», проводимого в рамках ФЦП «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014-2020 годы». Уникальный идентификатор RFMEFI57814X0085.

- №14.575.21.0069 «Разработка конструкции и технологии изготовления инерциальной измерительной системы на основе интегрированных микромеханических акселерометров и гироскопов», проводимого в рамках ФЦП «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014-2020 годы». Уникальный идентификатор RFMEFI57514X0069.

- №14.578.21.0038 «Разработка конструкции и технологии многосекционного термоэлемента для термоэлектрических генераторов, работающих в широкой области температур», проводимого в рамках ФЦП «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014-2020 годы».

- №11-03-00269 «Материалы фазовой памяти Ge - Sb - Те: новые подходы к оптимизации их параметров при использовании в устройствах энергонезависимой памяти» (РФФИ).

- №14.575.21.0032 «Разработка и программная реализация методов предсказательного моделирования процессов радиообмена в зданиях и сооружениях и создание низкопотребляющих приемо-передающих устройств для автоматизированных систем контроля и управления», проводимого в рамках ФЦП «Исследования и разработки по

приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014-2020 годы».

- №14.578.21.0016 «Разработка методов моделирования теплофизических свойств термоэлектрических материалов и структур и создание эффективных термоэлектрических тепловых насосов для преобразования низкопотенциальной тепловой энергии», проводимого в рамках ФЦП «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014-2020 годы».

- №14.575.21.0013 «Термодинамическое моделирование теплофизических параметров термочувствительных элементов и создание высокоточных электронных средств измерения температуры для автоматизированных энергосберегающих систем транспортировки, распределения и учета потребления энергоносителей», проводимого в рамках ФЦП «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014-2020 годы».

- №14-03-00314 «Примесное замещение в материалах фазовой памяти на основе сложных халькогенидов как метод оптимизации их функциональных параметров» (РФФИ).

- №П847 «Исследование физико-химических свойств и повышение стабильности свойств халькогенидных полупроводников системы Ge-Sb-Те при многократных обратимых фазовых переходах «аморфное ^ кристаллическое состояние», проводимого в рамках ФЦП «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России на 2009-2013 годы».

- №16-19-10625 «Развитие физико-технологических основ формирования автономной термоэлектрической батареи с источником тепла на основе термитного материала», проводимого в рамках приоритетного направления деятельности РНФ «Проведение фундаментальных научных исследований и поисковых научных исследований отдельными научными группами».

Разработанная методика исследования термических и кинетических параметров материалов микроэлектроники использована в ООО «Тепломир» при изготовлении герметизированных термоэлектрических модулей, что подтверждено актом о внедрении.

Результаты работы успешно применяются в учебном процессе МИЭТ при подготовке лекционных материалов и лабораторных работ по курсам «Материалы электронной техники», «Физика и химия полупроводников», «Возобновляемые источники энергии», при выполнении курсовых проектов по курсу «Физика и химия полупроводников», а также при выполнении бакалаврских и магистерских выпускных работ студентами, обучающимися по направлениям «Материаловедение и технология материалов» и «Электроника и микроэлектроника» (22.03.01, 22.04.01, 11.03.04, 11.04.04), что подтверждено актом об использовании.

Апробация работы.

Основные результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на российских и международных конференциях и семинарах:

1. 16, 17, 18, 19, 20, 21 Всероссийские межвузовские научно-технические конференции студентов и аспирантов «Микроэлектроника и информатика» (М.: МИЭТ, 2009, 2010, 2011, 2012, 2013, 2014 гг.).

2. III, IV, V, VI, VII, VIII Всероссийские школы-семинары студентов, аспирантов и молодых ученых по направлению «Диагностика наноматериалов и наноструктур» (Рязань: РГРТУ, 2010, 2011, 2012, 2013, 2014, 2015 гг.).

3. VII, VIII, IX, X Международные конференции «Аморфные и микрокристаллические полупроводники» (СПб.: ФИМ им. А. Ф. Иоффе РАН, 2010, 2012, 2014, 2016 гг.).

4. 17, 18, 19, 20 Международные научно-технические конференции студентов и аспирантов «Радиоэлектроника, электроника и энергетика» (М.: МЭИ, 2011, 2012, 2013, 2014 гг.).

5. Научная молодежная школа «Физика и технология микро- и наносистем» (СПб.: СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2012 г.).

6. Всероссийская межвузовская научно-практическая конференция молодых ученых, студентов и аспирантов «Инновации. Энергосбережение. Право.» (М.: МИЭТ, 2013 г.).

7. 25th & 26th International Conferences on Amorphous nad Nanocrystalline Semiconductors «ICANS-2013», «ICANS-2015» (Toronto, Canada (2013 г.); Aachen, Germany (2015 г.)).

8. II International conference on modern problems in physics of surfaces and nanostructures (Ярославль, 2012 г.).

9. International Conferences «Micro- and nanoelectronics» (Звенигород, 2012, 2014, 2016 гг.).

10. XIV, XV Международные конференции по термическому анализу и калориметрии в России (RTAC, СПб., СПбГПУ, 2013, 2016 гг.).

тЛ

11. 3 Central and Eastern European Conference on Thermal Analysis and Calorimetry (Любляна, Словения, 2015 г.).

12. 6th, 7th International Conferences on Amorphous and Nanostructured Chalcogenides (Romania - 2013, 2015 гг.).

13. The international Symphosium on Non Oxide Glasses and New Optical Glasses (2012 г. - Saint-Malo, France; 2014 г. - Jeju, South Korea; 2016 г. - Nizhny Novgorod, Russia).

14. The 23rd International Congress on Glass "ICG-2013" (Czech Republic - 2013 г.).

15. 15th and 16th IEEE International Conference on Nanotechnology, IEEE-NANO (Rome, Italy, 2015 г.; Sendai, Japan, 2016 г.).

16. 17th Russian Youth Conference on Physics of Semiconductors and Nanostructures, Opto- and Nanoelectronics, RYCPS 2015 (СПб., 2015 г.).

г Л

17. 3 Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials, 2015 (Владивосток, 2015 г.).

18. 5th International Advances in Applied Physics and Materials Science Congress & Exhibition (Oludeniz, Turkey 2015 г.).

19. 3rd International Symposium on Energy Efficiency and Energy Related Materials (Oludeniz, Turkey 2015 г.).

20. International Conference on Computer Science and Information Engineering (Bangkok, Thailand, 2015 г.).

21. II Российско-Белорусская научно-техническая конференция «Элементная база отечественной радиоэлектроники: импортозамещение и применение» им. О.В. Лосева (Нижний Новгород, 2015 г.)

22. International Conference on Mechanics, Materials and Structural Engineering (Jeju Island, South Korea, 2016 г.).

23. 2-я научная конференция «Интегральные схемы и микроэлектронные модули» (Крым, Алушта, 2016 г.).

24. XIII Международная конференция «Перспективные технологии, оборудование и аналитические системы для материаловедения и наноматериалов» (Курск, 2016).

25. Международная научная конференция «Современные проблемы физики конденсированного состояния, нанотехнологий и наноматериалов» (Алматы, Казахстан, 2016 г.).

Кроме того, результаты диссертационной работы были представлены и отмечены дипломами на следующих конкурсах:

1. Диплом победителя программы «Участник молодежного научно-инновационного конкурса 2013» (УМНИК)

2. Всероссийский конкурс научно-исследовательских работ студентов и аспирантов в области технических наук: материалы работ победителей и лауреатов конкурса (СПб.: СПбГПУ, 2013), диплом лауреата конкурса.

3. Диплом за 3-е место в конкурсе работ аспирантов по секции «Материалы микро- и наноэлектроники» 20-й Всероссийской межвузовской научно-технической конференции студентов и аспирантов «Микроэлектроника и информатика - 2013».

4. Диплом лауреата конкурса на лучшую научную работу студентов и аспирантов (2-е место) во Всероссийской межвузовской конференции «Инновации. Энергосбережение. Право».

5. Диплом за лучший доклад на VII Всероссийской научно-технической конференции студентов, аспирантов и молодых ученых «Нанодиагностика-2014».

Публикации.

Основные научные результаты диссертации опубликованы в 104 научных работах, включая 19 статей в журналах из списка ВАК, 31 -WoS/Scopus/РИНЦ, 80 тезисов докладов на российских и международных конференциях, 1 учебно-методическое пособие и 3 свидетельства о государственной регистрации результатов интеллектуальной деятельности (РИД).

Личный вклад автора.

В ходе выполнения диссертационной работы автором была разработана методика оценки кинетических параметров по результатам дифференциальной сканирующей калориметрии. Изготовление образцов проходило при его активном участии. Все исследования термических характеристик и кинетики фазовых переходов в материалах, анализ результатов, полученных с помощью ДСК, РФА, АСМ, осуществлялись непосредственно автором.

Результаты, выносимые на защиту и составляющие научную новизну диссертационной работы, получены автором лично на кафедре «Материалы функциональной электроники» МИЭТ.

Благодарности.

Автор выражает глубокую благодарность и признательность сотруднику ИОНХ РАН, д.х.н. Козюхину С.А. за ценные консультации и всестороннюю помощь.

Структура диссертации.

Диссертация состоит из введения, четырех глав, основных результатов и выводов по работе, содержит 1 97 страниц машинописного текста, включая 20 таблиц, 97 рисунков, 15 формул, 1 приложение и список литературы из 168 наименования.

Во введении обосновывается актуальность диссертации, сформулирована цель работы и перечислены задачи, решение которых было необходимо для ее достижения. Представлены научная новизна, практическая значимость, положения и результаты работы, выносимые на защиту. Приводятся сведения о реализации и апробации результатов работы.

В первой главе представлен литературный обзор, посвященный электрической фазовой памяти и термическим методам анализа. Рассмотрена перспективность электрической фазовой памяти, показано, что в последнее время возрос интерес к устройствам фазовой памяти. Однако, несмотря на успехи в технологии фазовой памяти за последние несколько лет, она не стала широко распространенной. Объясняется это неотработанностью технологии и наличием ряда нерешенных научно -технических проблем. Халькогенидные полупроводники системы Ge-Sb-Te являются перспективными материалами для изготовления устройств фазовой памяти благодаря быстрому и стабильному фазовому переходу. По совокупности свойств наибольший интерес представляет соединение Ge2Sb2Te5, которое уже используется для изготовления приборов. Для оптимизации технологии фазовой памяти необходима возможность варьировать свойства материала, что можно сделать, например, с помощью

легирования. Однако легирование халькогенидных стеклообразных полупроводников является сложной задачей, тем не менее, некоторые примеси могут повлиять на свойства материалов, в том числе и термические. Перспективными примесями являются Bi, М. В то же время информация по их влиянию на материалы фазовой памяти достаточно скудна. Кроме того, практически отсутствуют исследования их влияние на кинетику кристаллизации, что является важной задачей. Показано, что дифференциальная сканирующая калориметрия является одним из оптимальных методов изучения термических процессов в халькогенидных стеклообразных полупроводниках. С ее помощью можно изучать фазовые переходы, их кинетику.

Вторая глава диссертации посвящена методической составляющей работы: показаны методики синтеза материалов фазовой памяти и нанесения тонких пленок, исследования термических свойств и оценки кинетических параметров. Методика синтеза материалов заключалась в плавлении шихты из материалов полупроводниковой степени чистоты в запаянных кварцевых ампулах. Тонкие пленки получали с помощью термического испарения и конденсации. Контроль состава полученных пленок проводился с помощью методов обратного Резерфордовского рассеяния и рентгеновского микрозондового анализа. Структура синтезированных материалов и тонких пленок исследовалась с помощью рентгенофазового анализа. Для исследования термических процессов и их кинетики был использован метод дифференциальной сканирующей калориметрии. Измерения проводились на калориметре DSC-50, который обладает высокой чувствительностью, что важно при исследовании тонкопленочных образцов. Представлена разработанная методика исследования кинетики термических процессов, которая позволяет одновременно найти зависимости энергии активации и предэкспоненциального множителя от степени преобразования и модель

реакции. Суть данной методики заключается в совместном использовании модельных и безмодельных методов.

В третьей главе диссертации представлены результаты исследования состава, структуры и термических свойств материалов фазовой памяти. Показано, что составы тонких пленок, полученных методом термического испарения в вакууме, близки к составам испаряемых синтезированных материалов.

Кристаллизация в тонких пленках Ge2Sb2Te5 наблюдается при температуре 139,4°С, плавление - при температуре 616,1°С.

Повторные ДСК измерения Ge13Te87; Ge14Te86; Ge15Te85; Ge16Te84; Ge17Te83 позволили уточнить состав и температуру плавления эвтектики в системе GeTe-Te - Ge14Te86 и 384,0±0,6 °С соответственно. Установлено, что многократное термоциклирование приводит к уменьшению пика плавления эвтектики вплоть до полного исчезновения. При этом происходит образование двух дополнительных эндотермических пиков: один в области более низких температур (обусловлен твердофазной реакцией), а второй - в области более высоких температур, чем температура плавления эвтектики. С увеличением количества измерений высокотемпературный пик увеличивается и смещается в сторону больших температур с насыщением вблизи температуры 460°С, что обусловлено смещением начала кристаллизации по линии ликвидуса в сторону чистого теллура.

Исследовано влияние легирования примесями В^ 1п, Т (концентрацией от 0 до 5 масс. %) на термические характеристики тонких пленок Ge2Sb2Te5. Введение висмута (от 0,2 до 5 масс. %) позволяет варьировать температуру кристаллизации в диапазоне от 138 до 223 °С. Введение индия (от 0,5 до 3 масс. %) позволяет изменять температуру кристаллизации в диапазоне от 138 до 171 °С. Титан по сравнению с остальными примесями сравнительно слабо влияет на температуру

кристаллизации, с его помощью (от 0,5 до 3 масс. %) можно варьировать температуру кристаллизации от 131 до 139°С.

На зависимостях температур и величин пиков кристаллизации от концентрации легирующих элементов в тонких пленках Ge2Sb2Te5 выявлены аномалии при введении малых концентраций примесей Bi, М, ^ (до 1 масс. %), которые согласуются с данными измерений электрофизических и оптических свойств. Такое поведение можно объяснить с позиций теории перколяции, согласно которой при некоторой критической концентрации происходит формирование бесконечного кластера, что сопровождается существенным изменением свойств материала, проявляющееся как аномалии на концентрационных зависимостях.

Проведен анализ структуры тонких пленок Ge2Sb2Te5, легированного примесями В^ Т^ 1п. Синтезированный Ge2Sb2Te5 представляет собой поликристаллический материал. Осажденные тонкие пленки являются аморфными, их термообработка выше 140 °С приводит к кристаллизации с образованием кубической фазы. При температурах выше 200 °С происходит переход из кубической фазы в гексагональную. Показано, что Bi замещает Sb в матрице основного материала, что наблюдается как в синтезированном материале, так и в тонкопленочных образцах, в то время как 1п может замещать и Sb и Ge.

Список литературы диссертационного исследования кандидат наук Бабич, Алексей Вальтерович, 2017 год

СПИСОК СИПОЛЬЗОВАННОЙ ЛИТЕРАТУРЫ

1. Charentenay, Y. Emerging Non-Volatile Memory (NVM) 2016 [Электронный ресурс] / Yole Development, 2016. - Режим доступа: http://www.i-micronews.com/category-listing/product/emerging-non-volatile-memory-2016.html#description (дата обращения 11.11.2016).

2. Burr, G. W. Phase change memory technology / G. W. Burr et al. // Journal of Vacuum Science and Technology B. - 2010. - V. 28. - № 2. - P. 223262.

3. Wang, W. Investigation of RRAM Devices for Radiation Harden Applications [Электронный ресурс] / College of Nanoscale Science and Engineering Albany. - Sep. 22, 2010. - Режим доступа: http://www.sematech.org/meetings/archives/fep/9064/Pres/30%20W%20Wang.pdf (дата обращения 11.11.2014).

4. Raoux, S. Phase Change Materials and Their Application to Nonvolatile Memories / S. Raoux, W. Welnic, D. Ielmini // Chem. Rev. - 2010. - V. 110. - P. 240-267.

5. Козюхин, С.А. Материалы фазовой памяти на основе сложных халькогенидов и их применение в устройствах оперативной памяти / С.А. Козюхин, А.А. Шерченков, В.М. Новоторцев, С.П. Тимошенков // Российские нанотехнологии. - 2011. - Т. 6. - № 3-4. - C. 73-81.

6. Babich, A. Effect of doping on the crystallization kinetics of phase change memory materials on the basis of Ge-Sb-Te system. / A. Babich, A. Sherchenkov, S. Kozyukhin et al. // Journal of Thermal Analysis and Calorimetry. - 2017. - Vol. 127. - P. 283-290.

7. Sherchenkov, A. Estimation of kinetic parameters for the phase change memory materials by DSC measurements. / A. Sherchenkov., S. Kozyukhin, A. Babich. // Journal of Thermal Analysis and Calorimetry. - 2014. - Vol. 117 (3). -P. 1509-1516.

8. Sherchenkov, A. Influence of doping on the crystallization kinetics of Ge-Sb-Te thin films for phase-change memory application / A. Sherchenkov, S. Kozyukhin, A. Babich, Y. Shtern, R. Mironov // Proc. SPIE. - 2014. - Vol. -9440. - P. 944005.

9. Sherchenkov, A.A. Influence of doping on the properties of Ge-Sb-Te thin films for phase - change memory devices / A.A. Sherchenkov, S.A. Kozyukhin, A.V. Babich, P.I. Lazarenko // II International conference on Modern Problems in Physics of Surface and Nanostructures. Book of abstracts. - 2012. - P. 21.

10. Andreev, V.V. Modification and reduction of defects in thin gate dielectric of MIS devices by injection-thermal and irradiation treatments. / V.V. Andreev, G.G. Bondarenko, V.M. Maslovsky et al // Phys. Status Solidi C. -2015. - Vol. 12, No 1-2. - P. 126-130.

11. Такиев, А.С. Будущие технологии памяти: FeRAM изнутри [] / А.С. Такиев // - 2003. - Режим доступа: http://www.3dnews.ru/cpu/feram-memory/ (дата обращения: 07.05.2014).

12. Гавриченков, И. Революция на пороге: MRAM-память готовится прийти на смену привычной DRAM [Электронный ресурс] / И. Гавриченков - 2013 - Режим доступа: http://www.3dnews.ru/782029 (дата обращения: 07.05.2014).

13. Lee, D. Resistance switching of copper doped MoOx films for nonvolatile memory applications / D. Lee, D-j. Seong, I. Jo et al // Applied Physics Letters. - 2007. - Vol. 90. - P. 122104.

14. Goodson, K. Thermal Phenomena in Electronic Nanostructures / K.

тЛ

Goodson // 3 ASME Micro/Nanoscale Heat & Mass Transfer International Conference. March 3-6, 2012 - Atlanta, Georgia, USA.

15. Neale, R. Nonvolatile and reprogrammable, the read mostly memory is here / R.G. Neale, D.L. Nelson, G.E. Moore // Electronics. - 1970. - Vol. 43. - P. 56-60.

16. Богословский, Н.А. Физика эффектов переключения и памяти в халькогенидных стеклообразных полупроводниках. / Н.А. Богословский, К.Д. Цэндин. // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 5. - С. 577-608.

17. Lazarenko, P. Influence of Bi doping on electrical and optical properties of phase change material Ge2Sb2Te5 / P. Lazarenko, A. Sherchenkov, H.P. Nguyen, S. Kozyukhin // Journal of Optoelectronics and Advanced Materials. - 2011. - Vol. 13. - № 11-12. - P. 1400-1404.

18. Шерченков, А.А. Фазовая память: современное состояние и перспективы использования. Учебно-методическое пособие / А.А. Шерченков, П.И. Лазаренко, А.В. Бабич, С.П. Тимошенков. - М.: МИЭТ, 2016. - 136 с.

19. Hudgens, S. Overview of phase-change chalcogenide nonvolatile memory technology / S. Hudgens, B. Johnson // MRS Bulletin. - 2004. - Vol. 29. - Р. 829-832.

20. Lacaita, A.L. Phase - change memories: State-of-the-art, challenges and perspectives / A.L. Lacaita // Solid - State Electronics. - 2006. - Vol.50. - P. 24-31.

21. Redaelli, A. Threshold switching and phase transition numerical models for phase change memory simulations / R A.edaelli, A. Pirovano, A. Benvenuti, A. L. Lacaita // Journal of Applied Physics. - 2008. - Vol. 103. - P. 111101-1 - 111101-18.

22. Neale, R. Amorphous non-volatile memory: the past and the future / R. Neale // Electronic Engineering. - April 2001. - Р. 61-74.

23. Yamada, N. High Speed Overwritable Phase Change Optical Disk Material / N. yamada, E. Ohno, N. Akahira, K. Nishiuchi, K. Nagata, M. Takao // Japanese Journal of Applied Physics. - 1987. - Vol. 26 (Suppl. 26-4). - P. 61-66.

24. Meinders, E.R. Optical Data Storage Phase-Change Media and Recording / E.R. Meinders, A.V. Mijiritskii, L. van Pieterson, M. Wuttig - Berlin: Springer-Verlag, Philips Research Book Series. V. 4, 2006.

25. Yamada, N. Erasable Phase Change Optical Materials / N. Yamada // MRS Bulletin. - 1996. - Vol. 21, No. 9. - P. 48-50.

26. Пасынков, В.В. Материалы электронной техники / В.В. Пасынков, В.С. Сорокин - СПб.:Издательство «Лань», 2003. - 368 с.

27. Tsafack, T. Electronic, optical and thermal properties of the hexagonal and rocksalt-like Ge2Sb2Te5 chalcogenide from first-principle calculations / T. Tsafack, E. Piccinini, B.-S. Lee, E. Pop, M. Rudan // Journal of Applied Physics. -2011. - Vol. 110. - P. 063716-1 - 063716-9

28. Yamada, N. Origin, secret, and application of the ideal phase-change material GeSbTe / N. Yamada // Physica Status Solidi (B). - 2012. - Vol. 249 (10). - P 1837-1842.

29. Paesler, M.A. Bond constraint theory and EXAFS studies of local bonding structures of Ge2Sb2Te4, Ge2Sb2Te5 and Ge2Sb2Te7 / M.A. Paesler, D.A. Baker, G. Lucovsky, P.C. Taylor, J.S. Washington // Journal of Optoelectronics and Advanced Materials. - 2007. - Vol. 9, No. 10. - P.2996-3001.

30. Kolobov, A.V. Nanometer-scale mechanism of phase - change in Ge-Sb-Te alloys probed by XAFS / A.V. Kolobov, P. Fons, J. Tominaga, T. Uruga, J. Haines // European Phase Change and Ovonics Symposium. 2005. Cambridge (England) (source: www.epcos.org).

31. Kolobov, A.V. Understanding the phase-change mechanism of rewritable optical media / A.V. Kolobov, P. Fons, A.I. Frenkel, A.I. Ankudinov, J. Tominaga, T. Uruga // Nature Materials - 2004. - Vol. 3. - P.703-708.

32. Welnic, W. Unravelling the interplay of local structure and physical properties in phase-change materials / W. Welnic, A. Pamungkas, R. Detemple, C. Steimer, S. Blugel, M. Wuttig // Nature Materials. - 2006. - Vol. 5. - P.56-62.

33. Wang, G. Phase change behaviors of Zn-doped Ge2Sb2Te5 films / G. Wang, Q. Nie, X. Shen, R.P. Wang, L. Wu, J. Fu, T. Xu, S. Dai // Applied Physics Letters. - 2012. - Vol. 101. - P. 051906-1 - 051906-5.

34. Чабан, И.А. Эффект переключения в халькогенидных стеклах / И.А. Чабан // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, вып. 3. - С. 405-410.

35. Ovshinsky, S.R. Reversible Electrical Switching Phenomena in Disordered Structures / S.R. Ovshinsky // Physical Review Letters. - 1968. - Vol. 21 (20). - P. 1450-1453.

36. Ovshinsky, S.R. An introduction to ovonic research / S.R. Ovshinsky // Journal of Non-Crystalline Solids. - 1970. - Vol. 2. - P. 99-106.

37. Абрикосов, Н.Х. Исследование диаграммы состояния Sb2Te3-GeTe / Н.Х. Абрикосов, Г.Т. Данилова-Добрякова // Неорганические материалы. - 1965. - Т. 1, №2. - С. 204-208.

38. Legendre, B.// Phase diagram of the ternary system Ge-Sb-Te / B. Legendre, B. Hancheng, S. Bordas, M.T. Clavaguera-Mora // Thermochimica Acta. - 1984. - Vol. 78. - P. 141-157.

39. Косяков, В.И. Топология фазовой диаграммы Ge-Sb-Te / В.И. Косяков, В.А. Шестаков, Л.Е. Шелимова, Ф.А. Кузнецов, В.С. Земсков // Неорганические материалы. - 2000. - Т. 36, № 10. - С. 1196-1209.

40. Privitera, S. Advanced Data Storage Materials and Characterization Techniques. / S. privitera, C. Bongiorno, R. Rimini et al. // Materials Research Society Symposium Proceedings. - 2004. - Vol. 803. - P. 83.

41. Yamada, N. Rapid-phase transitions of GeTe-Sb2Te3, pseudobinary amorphous thin films for an optical disk memory / N. Yamada, E. Ohno, K. Nishiuchi, N. Akahira // Journal of Applied Physics. - 1991. - Vol. 69 (5). - P. 2849-2856.

42. Krusin-Elbaum, L. Evidence for segregation of Te in Ge2Sb2Te5 thin films: Effect of the "phase-change" stress / L. Krusin-Elbaum, C. Jr. Cabral, K.N. Chen et al // Applied Physics Letters. - 2007. - Vol. 90. - P. 141902-1 - 141902-3.

43. Козюхин, С.А. Структурные превращения в аморфных пленках Ge2Sb2Te5 для фазовой памяти / С.А. Козюхин, А.А. Шерченков, Е.В. Горшкова // Неорганические материалы. - 2009. - Т. 45, № 4. - С. 408-413.

44. Friedrich, I. Structural transformations of Ge2Sb2Te5 films studied by electrical resistance measurements / I. Friedrich, V. Weidenhof, W. Njoroge et al // Journal of Applied Physics. - 2000. - Vol. 87. - P. 4130-4134.

45. Jeong, T.H. Crystallization behavior of sputter-deposited amorphous Ge2Sb2Te5 thin films / T.H. Jeong, M.R. Kim, H. Seo et al // Journal of Applied Physics. - 1999. - Vol. 86. - P. 774-778.

46. Cabral, C.Jr. Irreversible modification of Fe2Sb2Te5 phase change material by nanometer-thin Ti adhesion layers in a device-compatible stack / C. Jr. Cabral, K.N. Chen, L. Krusin-Elbaum et al. // Applied Physics Letters. - 2007. -Vol. 90. - P. 051908-1 - 051908-3.

47. Zhang, T. Phase transition phenomena in ultra-thin Ge2Sb2Te5 films / T. Zhang, B. Liu, Z.-T. Song et al // Chinese Physics Letters. - 2005. - Vol. 22. -P. 1803-1805.

48. Kalb, J. Calorimetric measurements of phase transformations in thin films of amorphous Te alloys used for optical data storage / J. Kalb, F. Spaepen, M. Wuttig // Journal of Applied Physics. - 2003. - Vol. 93. - P. 2389-2393.

49. Seo, H. Investigation of crystallization behavior of sputter-deposited nitrogen-doped amorphous Ge2Sb2Te5 thin films / H. Seo, T.-H. Jeno, J.-W. Park // Japanese Journal of Applied Physics. - 2000. - Vol. 39. - P. 745-751.

50. Kalb, J. Calorimetric measurements of structural relaxation and glass transition temperatures in sputtered films of amorphous Te alloys used for phase change recording / J.A. Kalb, M. Wuttig, F. Speapen // Journal of Materials Research. - 2007. - Vol. 22 (3). - P. 748-754.

51. Kim, Y.T. Microstructural failure in Ge2Sb2Te5 phase change memory cell / Y.T. Kim, Y.H. Kim // Physica Status Solidi (B). - 2013. - Vol. 251 (2). - P. 435-438.

52. Kozyukhin, S.A. Phase Separation in Chalcogenide Semiconductors of the Ge-Te System upon Thermal Cycling. / S.A. Kozyukhin, A.A. Sherchenkov, A.V. Babich // Semiconductors. - 2013. - Vol. 47 (13). - P. 1680-1683.

53. Айвазов, А.А. Неупорядоченные полупроводники: учебное пособие / А.А. Айвазов, Б.Г. Будагян, С.П. Вихров, А.И. Попов. - М. : МЭИ, 1995. - 352 с.

54. Kim, S.-K. Holographic Video System using Fourier Transform and Data Reduction / S.-K. Kim, J.-Y. Son, J.-H. Chun et al. // Japanese Journal of Applied Physics. - 1999. - Vol. 38, part 1, number 11. - P. 6379-6384.

55. Wang, K. Influence of Bi doping upon the phase change characteristics of Ge2Sb2Te5 / K. Wang, D. Wamwangi, S. Ziegler, C. Steimer, M. Wuttig // Journal of Applied Physicsro - 2004. - Vol. 96, Issue 10. - P. 5557-5562.

56. Park, T.-J. Phase transition characteristics of Bi/Sn doped Ge2Sb2Te5thin film for PRAM application / T.-J. Park, S.-Y. Choi, M.-J. Kang // Thin Solid Films. - 2007. - Vol. 515, Issue 12. - P. 5049-5053.

57. Wang, K. Effect of indium doping on Ge2Sb2Te5 thin films for phase-change optical storage / K. Wang, C. Steamer, D. Wamwangi, S. Ziegler, M. Wuttig // Applied Physics A. - 2005. - Vol. 80. - P. 1611-1616.

58. Wang, K. Influence of doping upon the phase change characteristics of Ge2Sb2Tes / K. Wang, C. Steimer, D. Wamwangi, S. Ziegler, M. Wuttig, J. Tomforde, W. Bensch // Microsystem Technologies. - 2007. - Vol. 13. - P. 203206.

59. Xu, C. Characteristics of Sn-Doped Ge2Sb2Te5 Films Used for Phase-Change Memory / C. Xu, B. Liu, Z.-T. Song, S.-l. Feng, B. Chen // Chinese Physics Letters. - 2005. - Vol. 22, No. 11. - P. 2929-2932.

60. Kojima, R. Acceleration of Crystallization Speed by Sn Addition to Ge-Sb-Te Phase-Change Recording Material / R. Kojima, N. Yamada // Japanese Journal of Applied Physics. - 2001. - Vol. 40. - P. 5930-5937.

61. Park, T.J. Phase Transition Characteristics and Device Performance of Sn-doped Ge2Sb2Te5 in Phase Change Random Access Memory / T.J. Park, D.H. Kim, S.M. Yoon, K.J. Choi, N.Y. Lee, B.G. Yu, S.Y. Choi. // Japanese Journal of Applied Physics. - 2006. - Vol. 45. - P. L1273-L1276.

62. Zhu, M. The effect of titanium doping on the structure and phase change characteristics of Sb4Te / M. Zhu, L. Wu, F. Rao, Z. Song, X. Ji, D. Yao, Y. Cheng, S. Lv, S. Song, B. Liu, L. Xu // Journal of Applied Physics. - 2013. -Vol. 114. - P. 124302.

63. Raoux, S. Influence of Dopants on the Crystallization Temperature, Crystal Structure, Resistance, and Threshold Field for Ge2Sb2Te5 and GeTe Phase Change Materials [Электронный ресурс] / S. Raoux, D. Cabrera, A. Devasia, S. Kurinec, H.-Y. Cheng,Y. Zhu, C.M. Breslin, J. Jordan-Sweet. // European Phase Change and ovonic Science Symphosium, Zurich. - 2011. Режим доступа: http://www.epcos.org/library/papers/pdf_2011/Oral-Papers/S4-03.pdf (дата обращения: 11.11.2014).

64. Venugopal, V. A. Compatibility study of Ti and Ge2Sb2Te5 for phase-change memory applications / V.A. Venugopal, G. Ottaviani , R. Tonini, M. Bersani. // Radiation Effects & Defects in Solids. - 2012. - Vol. 167, No. 7. - P. 487-495.

65. Wei, S.J. Phase change behavior in titanium-doped Ge2Sb2Te5 films / S.J. Wei, H.F. Zhu, K. Chen, D. Xu, J. Li, F.X. Gan, X. Zhang, Y. J. Xia,

G. H. Li. // Applied Physics Letters. - 2011. - Vol. 98. - P. 231910-1-231910-3.

66. Jeong, S.-M. Influence of Silicon Doping on the Properties of Sputtered Ge2Sb2Te5 Thin Film / S.-M. Jeong, K.-H. Kim, S.-M. Choi,

H.-L. Lee. // Japanese Journal of Applied Physics. - 2009. - Vol. 48. - P. 045503.

67. Ling, Y. Effects of Si Doping on Phase Transition of Ge2Sb2Te5 Films by in situ Resistance Measurements / Y. Ling, Y. Lin, B. Qiao, Y. Lai, J. Feng, T. Tang, B. Cai, B. Chen. // Japanese Journal of Applied Physics. - 2006. - Vol. 45. -P. L349-L351.

68. Cho, E. Ab initio study on influence of dopants on crystalline and amorphous Ge2Sb2Te5 / E. Cho, S. Han, D. Kim, H. Horii, H.-S. Nam // Journal of Applied Physics. - 2011. - Vol. 109. - P. 043705.

69. Oh, J.H. Phase Transition Characteristics of Nitrogen-Doped Antimony-Telluride (N-Sb2Te3) Thin Films for a Phase Change Random Access Memory / J.H. Oh, S.W. Ryu, B.J. Choi, S. Choi, C.S. Hwang, H.J. Kim // Journal of the Korean Physical Society. - 2006. - Vol. 49, No. 3. - P. 1173-1179.

70. Privitera, S. Effects of dopants on the amorphous-to-fcc transition in Ge2Sb2Te5 thin films / S. Privitera, E. Rimini, C. Bongiorno, A. Pirovano, R. Bez //

Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B. - 2007. - Vol. 257. - P. 352-354.

71. Wang, G. Improved thermal and electrical properties of Al-doped Ge2Sb2Te5 films for phase-change random access memory / G. Wang, X. Shen, Q. Nie, R. Wang, L. Wu, Y. Lv, F. Chen, J. Fu, S. Dai, J. Li. // Journal of Physics D: Applied Physics. - 2012. - Vol. 45. - P. 375302.

72. Нгуен, Х.Ф.. Влияние висмута на оптические свойства тонких пленок Ge2Sb2Te5. / Х.Ф. Нгуен, С.А. Козюхин, А.Б. Певцов // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 5. - С. 597-603.

73. Muenov, D.V. Vaporization, thermodynamics and structures of species in the tellurium + oxygen systems / D.V. Muenov, J.W. Hastie, R. Hauge, R. Bautista, J.L. Margrave // Transactions of the Faraday Society - 1969. - Vol. 65, № 12. - P. 3210-3214

74. Уэндландт, У. Термические методы анализа. (Thermal Methods of Analysis) / Пер. с англ. под ред. В. А. Степанова и В. А. Берштейна. / У. Уэндландт. - М.: МИР, 1978. - 526 c.

75. Основы дифференциальной сканирующей калориметрии. Кафедра физики полимеров и кристаллов [Электронный ресурс] - Режим доступа: nano.msu.ru/files/systems/4_2010/practical/02_full.pdf (дата обращения 17.03.2017). - М.: МГУ, 2010. - 17 с.

76. Brown, M.E. Handbook of thermal analysis and Calorimetry / M.E. Brown. - Amsterdam : Elsiever Science B.V, 1998. - 691 p.

77. Шестак, Я. Теория термического анализа: Физико-химические свойства твёрдых неорганических веществ (Thermophysical properties of solids: Therir measurements and theoretical thermal analysis) / Пер. с англ. / Я. Шестак. - М.: Мир, 1987. - 456 с.

78. Шаталова, Т.Б. Методы термического анализа. Методическая разработка. / Т.Б. Шаталова, О.А. Шляхтин, Е. Веряева - М.: МГУ им. М.В. Ломоносова. Факультет наук о материалах, 2011. - 72 с.

79. Емелина, А.Л. Дифференциальная сканирующая калориметрия / А.Л. Емелина. - М.: МГУ, 2009. - 42 с.

80. Будагян, Б.Г. Материалы электронной техники. Лабораторный практикум. Часть 1./ Б.Г. Будагян, А.А. Шерченков. - М.:МИЭТ, 2001. - 56 с.

81. Шерченков, А.А. Материалы электронной техники (лабораторный практикум) / А.А. Шерченков, Ю.И. Штерн. - М.: МИЭТ, 2007.

82. Горбачук, В.В. Руководство к спецпрактикуму по химической термодинамике / В.В. Горбачук, М.А. Зиганшин, В.Б. Новиков и др. Руководство к спецпрактикуму по химической термодинамике. - Казань.: КГУ, 2005. - 59 с.

83. Sherchenkov, A. Thermal properties of phase change material Ge2Sb2Te5 doped with Bi / A. Sherchenkov, S. Kozyukhin, A. Babich, P. Lazarenko // Journal of Non-Crystalline Solids. - 2013. - Vol. 377. - P. 26-29.

84. Kozyukhin, S. Thermal effects in Ge-Sb-Te phase-change memory materials during multiple thermal cycling / S. Kozyukhin, A. Sherchenkov, E. Gorshkova, V. Kudoyzrova, A. Vargunin // Physica Status Solidi (c). - 2010. -Vol. 7. - № 3-4. - P. 848-851.

85. Park, T.-J. Phase transition characteristics of Bi/Sn doped Ge2Sb2Te5 thin film for PRAM application / T.-J. Park, S.-Y. Choi, M.-J. Kang // Thin Solid Films. - 2007. - Vol. 515. - P. 5049-5053.

86. Lazarenko, P. Electrical properties and transport mechanisms in Ge-Sb-Te thin films / P. Lazarenko, A. Sherchenkov, S. Kozyukhin, A. Babich, S. Timoshenkov, A. Shuliatyev, V. Kudoyarova // Journal of optoelectronics and advanced materials. - 2016. - Vol. 18, Iss. 1-2. - P. 50-55.

87. Lazarenko, P.I. Influence of the Composition on the Thermoelectric and Electro-physical Properties of Ge-Sb-Te Thin Films for Phase Change Memory Application / P.I. Lazarenko, A.A. Sherchenkov, S.A. Kozyukhin, D.Y. Terekhov, A.O. Yakubov, A.V. Babich, A.S. Shuliatyev, I.V. Sagunova, E.N. Redichev // Journal of Nano- and Electronic Physics. - 2016. - Vol. 8 (3). - P. 03033-1 - 03033-4.

88. Sherchenkov, A. Influence of Ti doping on the properties of Ge-Sb-Te thin films for phase change memory / A. Sherchenkov, S. Kozyukhin, P. Lazarenko, A. Babich // Solid State Phenomena. - 2016. - Vol. 247. - P. 30-38.

89. Lazarenko, P.I. Electrophysical Properties of Ge-Sb-Te Thin Films for Phase Change Memory Devices / P.I. Lazarenko, S.A. Kozyukhin, A.A. Sherchenkov, A.V. Babich, S.P. Timoshenkov, D.G. Gromov, A.V. Zabolotskaya, V.V.Kozik // Russian Physics Journal. - 2017. - Vol. 59 (8). - P. 1417-1424.

90. X-ray diffraction (XRD) products [Электронный ресурс]. Режим доступа: http://www.rigaku.com/en/products/xrd (дата обращения 11.11.2014)

91. D8 Advance [Электронный ресурс]. Режим доступа: http://www.bruker.com/ru/products/x-ray-diffraction-and-elemental-analysis/x-ray-diffraction/d8-advance/overview.html (дата обращения 11.11.2016)

92. Introduction to ICSD Web [Электронный ресурс]. Режим доступа: http://www.fiz-karlsruhe.de/icsd.html?&L=aaddihsq (дата обращения 11.11.2014)

93. Коркишко, Ю.Н. «Методы исследования состава и структуры материалов электронной техники», Ч. 1 / Ю.Н. Коркишко, А.Г. Борисов, Н.Г. Никитина, Л.С. Суханова, В.З. Петрова - М.: МГИЭТ(ТУ), 1997. - 256 с.

94. Фелдман, Л. Основы анализа поверхности тонких пленок / Л. Фелдман, Д. Майер. - М.: Мир, 1989. - 344 с.

95. Лебедев, В.М. Аналитический комплекс для исследования материалов методами ядерного микроанализа. / В.М. Лебедев, Ю.Г. Лукьянов, В.А. Смолин // Труды XIII Международной конференции по электростатическим ускорителям. г. Обнинск Калужской обл. - г. Обнинск, Изд-во ФЭИ. - 25-28 мая 1999. - С. 60-66.

96. Бордовский, Г.А. Определение состава многокомпонентных халькогенидных полупроводников методом рентгенофлюоресцентного анализа / Г.А. Бордовский, А.В. Марченко, А.В. Николаева, П.П. Серегин, Е.И. Теруков // Физика и техника полупроводников. - 2014. - т. 48. - № 2. -С. 272-277.

97. Исследование физико-химических свойств и повышение стабильности свойств халькогенидных полупроводников системы Ge-Sb-Te при многократных обратимых фазовых переходах "Аморфное-кристаллическое состояние": отчет о НИР П847 (промежуточ.) / НИУ МИЭТ ; рук. А.А. Шерченков, исполн.: А.В. Бабич [и др.]. - М.:2011. - Т. 3. - 115 с.

98. Исследование физико-химических свойств и повышение стабильности свойств халькогенидных полупроводников системы Ge-Sb-Te при многократных обратимых фазовых переходах "Аморфное-кристаллическое состояние": отчет о НИР П847 (промежуточ.) / НИУ МИЭТ ; рук. А.А. Шерченков, исполн.: А.В. Бабич [и др.]. - М.:2011. - Т. 1. - 72 с.

99. TG 209 F1 Libra. Вакуум-плотные микро-термовесы для широкого применения [Электронный ресурс]. Режим доступа: http://www.netzsch-thermal-analysis.com/ru/produkty-reshenija/termogravimetricheskii-analiz/tg-209-f1-libra.html#!tabs/obshchee_opisame (дата обращения 11.11.2016).

100. Исследование физико-химических свойств и повышение стабильности свойств халькогенидных полупроводников системы Ge-Sb-Te при многократных обратимых фазовых переходах "Аморфное-кристаллическое состояние": отчет о НИР П847 (промежуточ.) / НИУ МИЭТ; рук. А.А. Шерченков, исполн.: А.В. Бабич [и др.]. - М.:2011. - Т. 1. - 69 с.

101. DSC-50 Differential Scanning Calorimeter. Instruction Manual. Shimadzu.

102. Thermal Analysis Instruments 50 Work Station. Shimadzu.

103. Шерченков, А.А. Физика и техника полупроводниковых преобразователей энергии: учебное пособие. Часть 1 / А.А. Шерченков , Ю.И. Штерн. - М.:МИЭТ, 2006. - 164 с.

104. Глазов, В.М. Структурные превращения при нагреве монокристаллов кремния / В.М. Глазов, В.Б. Кольцов, В.З. Куцова, А.Р. Регель, Ю.Н. Таран, Г.Г. Тимошина, К.И. Узлов, Э.С. Фалькевич // Физика и техника полупроводников. - 1991. - Т. 25, вып. 4. - С. 588-595.

105. Горшкова, Е.В. Термические характеристики и стабильность тонких пленок на основе a-Si:H и его сплавов и халькогенидных полупроводников системы Ge-Sb-Te: дисс. канд. техн. наук: 05.27.06 / Горшкова Екатерина Викторовна. - М., 2010. - 170 с.

106. Шерченков, А.А. Исследование кинетики процесса кристаллизации в тонких пленках материалов системы Ge-Sb-Te-Bi / А.А. Шерченков, С.А. Козюхин, А.В. Бабич // Аморфные и микрокристаллические полупроводники: сборник трудов VIII Междуародной конференции. - СПб.: Издательство Политехнического университета, 2012. - С. 272.

107. Abu El-Oyoun, M. An investigation of the kinetic transformation mechanism of Ge12.5Te87.5 chalcogenide glass under non-isothermal regime / M. Abu El-Oyoun // Journal of Non-Crystalline Solids. - 2011. - Vol. 357. - P. 17291735.

108. Avrami, M. Kinetics of Phase Change. I General Theory / M. Avrami // The Journal of Chemical Physics. - 1939. - Vol. 7. - P. 1103-1112.

109. Koga, N. Data Treatment in Non-isothermal Kinetics and Diagnostic Limits of Phenomenological Models. / N. Koga, J. Malek, J. Shestak, H. Tanaka // Netsu Sokutei. - 1993. - Vol. 20 (4). - P. 210-223.

110. Zsako, J. Thermal Analysis (Zivkovic Z.D. ed) / J. Zsako. -University of Beograd, Bor, Yugoslavia, 1984, - P.167.

111. Flynn, J.H. A general differential technique for the determination of parameters for d(a)/dt=f(a)A exp (-E/RT) / J.H. Flynn // Journal of thermal analysis. - 1991. - Vol. 37. - P. 293-305.

112. Doyle, C.D. Series Approximations to the Equation of Thermogravimetric Data / C.D. Doyle // Nature. - 1965. - Vol. 207. - P. 290-291.

113. Zsako, J. Empirical formula for the exponential integral in non-isothermal kinetics / J. Zsako // Journal of Thermal Analysis. - 1975. - Vol. 8. - P. 593-596.

114. Doyle, C.D. Estimating isothermal life from thermogravimetric data / C.D. Doyle // Journal of Applied Polymer Science. - 1962. - Vol. 6. - P. 639-642.

115. Svoboda, R. Is the original Kissinger equation obsolete today? / R. Svoboda, J. Malek // Journal of Thermal Analysis and Calorimetry. - 2014. - Vol. 115. - P. 1961-1967.

116. Kissinger, H.E. Variation of Peak Temperature With Heating Rate in Differential thermal Analysis / H.E. Kissinger // Journal of Research of the National Bureau of Standards. - 1956. - Vol. 57, №4. - P. 217-221.

117. Kissinger, H.E. Reaction kinetics in thermal analysis / H.E. Kissinger // Analytical Chemistry. - 1957. - Vol. 29. - P. 1702-1706.

118. Akahira, T. Method of determining activation deterioration constant of electrical insulating materials / T. Akahira, T. Sunose // Res. Rep. Chiba Inst. Technol. - 1971. - Vol. 16. - P. 22-23.

119. Du, X. Thermal kinetic study of 1-amino-1,2,3-triazolium nitrate / X. Du, X. Li, M. Zou, R. Yang, S. Pang // Journal of Thermal Analysis and Calorimetry. - 2014. - Vol. 115 (2). - P. 1195-1203.

120. Flynn, J.H. General treatment of the thermogravimetry of polymers / J.H. Flynn, L.A. Wall // Journal of Research of the National Bureau of Standards, Section A. - 1996. - Vol. 70. - P. 487-523.

121. Ozawa, T.A New Method of Analyzing Thermogravimetric Data / T.A. Ozawa // Bulletin of the Chemical Society of Japan. - 1965. - Vol. 38, No. 11. - P. 1881-1886.

122. Badea, M. Thermal decomposition kinetics of bis(pyridine)manganese(II) chloride. / M. Badea, P. Budrugeac, A Cucos, S. Eugen // Journal of Thermal Analysis and Calorimetry. - 2014. - Vol. 115. - P. 1999-2005.

123. Muraleedharan, K. DSC kinetics of the thermal decomposition of copper (II) oxalate by isoconversional and maximum rate (peak) methods. / K. Muraleedharan, S. Kripa. // Journal of thermal Analysis and calorimetry. - 2014. Vol. 115. - P. 1969-1978.

124. Tang, W. New approximate formula for Arrhenius temperature integral / W. Tang, Y. Liu, H. Zhang, C. Wang // Thermochimica Acta. - 2003. -Vol. 408. - P. 39-43.

125. Starink, M.J. The determination of activation energy from linear heating rate experiments: a comparison of the accuracy of isoconversion methods / M.J. Starink // Thermochimica Acta. - 2003. - Vol. 404. - P. 163-176.

126. Starink, M.J. Activation energy determination for linear heating experiments: deviations due to neglecting the low temperature end of the temperature integral / M.J. Starink // Journal of Materials Science. - 2007. - Vol. 42. - P. 483-489.

127. Vyazovkin, S. Evaluation of activation energy of thermally stimulated solid-state reactions under arbitrary variation of temperature / S. Vyazovkin // Journal of Computational Chemistry. - 1997. - Vol. 18. - P. 393-402.

128. Vyazovkin, S. Modification of the integral isoconversional method to account for variation in the activation energy / S. Vyazovkin // Journal of Computational Chemistry. - 2001. - Vol. 22. - P. 178-183.

129. Kennedy, A. A new method for the analysis of non-isothermal DSC and diffraction data / A. Kennedy, S.M. Clark // Thermochimica Acta. - 1997. -Vol. 307. - P. 27-35.

130. Jankovic, B. Application of model-fitting and-free kinetics to the study of non-isothermal dehydration of equilibrium swollen poly (acrylic acid) hydrogel: thermogravimetric analysis / B. Jankovic, B. Adnadevic, J. Jovanovic // Thermochimica Acta. - 2007. - Vol. 452. - P. 106-115.

131. Chen, G. A DSC study on the kinetics of disproportionation reaction of (hfac)Cu:(COD) / G. Chen, C. Lee, Y.-L. Kuo, Y.-W. Yen // Thermochimica Acta. - 2007. - Vol. 456. - P. 89-93.

132. Coats, A.W. Kinetic Parameters from Thermogravimetric Data / A.W. Coats, J.P. Redfern // Nature. - 1964. - Vol. 201. - P. 68-69.

133. Kullyakool, S. Determination of Kinetic Triplet and Thermodynamic Functions of the Synthesized Ni3(PO4)2^8H2O by Non-isothermal and Isothermal

Kinetic Methods / S. Kullyakool, C. Danvirutai, K. Siriwong, P. Noisong // Journal of Thermal Analysis and calorimetry.- 2014. - Vol. 115. - P. 1497-1507.

134. Hu, C. The study of thermal decomposition kinetics of zinc oxide formation from zinc oxalate dehydrate / C. Hu, J. Mi, S. Shang, J. Shangguan // Journal of Thermal Analysis and calorimetry. - 2014. - Vol. 115. - P. 1119-1125.

135. Abu El-Oyoun, M. Effect of wide range of heating rate on the crystallization kinetic parameters of Se77Te20Sb3 glass / M. Abu El-Oyoun // Thermochimica Acta. - 2009. - Vol. 494. - P. 129-135.

136. Al-Khamis, Kh.M. Kinetic Studies of the Non-Isothermal Decomposition of Unirradiated and y-Irradiated Gallium Acetylacetonate / Kh.M. Al-Khamis, Z.A. Al-Othman, R.M. Mahfouz // Progress in Reaction Kinetics and Mechanism. - 2010. - Vol. 35. - P. 131-151.

137. Jankovic, B. Kinetic analysis of the nonisothermal decomposition of potassium metabisulfite using the model-fitting and isoconversional (model-free) methods / B. Jankovic // Chemical Engineering Journal - 2008. - Vol. 139. - 128135.

138. Khawan, A. Solid-State Kinetic Models: Basics and Mathematical Fundamentals / A. Khawan, D.R. Flanagan // The Journal of Physical Chemistry B. - 2006. - Vol. 110. - 17315-17328.

139. Sherchenkov, A. Crystallization Kinetics in Ge-Sb-Te-Bi and Ge-Sb-Te-In Thin Films / A. Sherchenkov, A. Babich, P. Lazarenko, S. Timoshenkov, S. Kozyukhin // Proceedings of the 2016 International Conference on Mechanics, Materials and Structural Engineering (ICMMSE, South Korea, March 18-20, 2016). - 2016. - Vol. 29. - P. 137-142.

140. Sherchenkov, A.A. Integral isoconversional method for evaluating crystallization parameters of thin films of Ge2Sb2Te5 phase change memory materials./ A.A. Sherchenkov, S.A. Kozyukhin, A.V. Babich, P.I. Lazarenko, A.I. Vargunin // Inorganic Materials. - 2017. - Vol. 53 (1). - P. 45-49.

141. Шерченков, А.А. Исследование кинетики кристаллизации в тонких пленках Ge2Sb2Te5, легированных Bi и Ti / А.А. Шерченков, С.А.

Козюхин, Д.Г. Громов, А.В. Бабич // Аморфные и микрокристаллические полупроводники: сборник трудов IX Международной конференции. 7-10 июля 2014 года - СПб.: Издательство Политехнического университета, 2014. - С. 201-202.

142. Разработка конструктивно-технологических решений, анализ и исследование элементов перспективных типов памяти нового поколения большой емкости типа фазовой (PCM), сегнетоэлектрической (FRAM), магниторезистивной (MRAM): отчет о НИР 14.575.21.0096 (промежуточный, 3 этап) / НИУ МИЭТ ; рук. С.П. Тимошенков, исполн.: А.В. Бабич [и др.]. -М.:2015. - 130 с.

143. Разработка конструктивно-технологических решений, анализ и исследование элементов перспективных типов памяти нового поколения большой емкости типа фазовой (PCM), сегнетоэлектрической (FRAM), магниторезистивной (MRAM): отчет о НИР 14.575.21.0096 (промежуточный, 3 этап) / НИУ МИЭТ ; рук. С.П. Тимошенков, исполн.: А.В. Бабич [и др.]. -М.:2015. - 119 с.

144. Разработка конструктивно-технологических решений, анализ и исследование элементов перспективных типов памяти нового поколения большой емкости типа фазовой (PCM), сегнетоэлектрической (FRAM), магниторезистивной (MRAM): отчет о НИР 14.575.21.0096 (промежуточный, 3 этап) / НИУ МИЭТ ; рук. С.П. Тимошенков, исполн.: А.В. Бабич [и др.]. -М.:2014. - 83 с.

145. Bletskan, D.I. Phase Equilibrium in the Systems AIV - BVI./ D. I. Bletskan // Journal of Ovonic Research. - 2005. - Vol. 1, No. 5 (October 2005). -P. 53 - 60.

146. Лякишев, Н.П. Диаграммы состояния двойных металлических систем, Т.2 / Н.П. Лякишев. - М.: Машиностроение,1997. - 1023 с.

147. Хансен, М. Структуры двойных сплавов / М. Хансен, К. Андерко. - М: Металлургиздат, 1962. - 824 с.

148. Вол, А.Е. Строение и свойства двойных металлических систем, том 2 / А.Е. Вол. - М.: Государственное издательство физико-математической литературы, 1962. - 982 с.

149. Эллиот, Р.П. Структуры двойных сплавов, том 2 / Р.П. Эллиот. -М.: Металлургия, 1970. - 472 с.

150. Русанов, А. И. Фазовые равновесия и поверхностные явления / А.И. Русанов. - Ленинград. Издательство «Химия», 1967. -388 с.

151. Бабич, А. В. Исследование составов, близких к эвтектическому в системе Ge-Te, с помощью дифференциальной сканирующей калориметрии и рентгенофазового анализа / А.В. Бабич // Микроэлектроника и информатика - 2012. 19-я Всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов: Тезисы докладов. - М.: МИЭТ, 2012. - С. 22.

152. Babich, A. Investigation of the crystallization kinetics in Ge-Sb-Te-Bi and Ge-Sb-Te-In phase-change memory materials / A. Babich, A. Sherchenkov, S. Kozyukhin, P. Lazarenko, S. Timoshenkov, O. Boytsova // Journal of Optoelectronics and Advanced materials. - 2016. - Vol. 18, Iss. 3-4. - P. 235-239.

153. Kozyukhin, S. Peculiarities of Bi doping of Ge-Sb-Te thin films for PCM devices / S. Kozyukhin, A. Sherchenkov, A. Babich, P. Lazarenko, H.P. Nguyen, O. Prikhodko // Canadian Journal of Physics. - 2014. - Vol. 92. - P. 684689.

154. Lazarenko, P. Influence of indium doping on the electrical properties of Ge2Sb2Te5 thin films for nonvolatile phase change memory devices / P. Lazarenko, A. Sherchenkov, S. Kozyukhin, A. Babich, H.P. Nguyen, S.P. Timoshenkov, D.G. Gromov, A.O. Yakubov, D.Y. Terekhov // Journal of Physics: Conference Series. - 2016. - Vol. 690. - P. 012006.

155. Dean, J.A. Lange's handbook of chemistry (15th edition)] / J.A. Dean. - McGraw-Hill Inc, 4.1-4.84, (1999).

156. Rogacheva, E.I. Critical phenomena in highly doped semiconductor compounds / E.I. Rogacheva // Japanese Journal of Applied Physics. - 1993. -Vol. 32 (Suppl. 32-3). - P. 775-777.

157. Rogacheva, E.I. Self-organization processes in impurity subsystem of solid solutions / E.I. Rogacheva // Journal of Physics and Chemistry Solids. -2003. - Vol. 64. - P.1579-1583.

158. Lazarenko, P.I. Electrical Properties of the Ge2Sb2Te5 Thin Films for Phase Change Memory Application / P.I. Lazarenko, A.A. Sherchenkov, S.A. Kozyukhin, A.V. Babich, S.P. Timoshenkov, D.G. Gromov, A.S. Shuliatyev, E.N. Redichev // Proceedings of the 5th International Congress in Advances in Applied Physics and Materials Science Congress & Exhibition (APMAS '15) (AIP Conference Proceedings). - 2016. - Vol. 1727. - P. 020013-1 - 020013-6.

159. Бабич, А.В. Кинетика кристаллизации тонких пленок Ge-Sb-Te, легированных Bi, Ti, In. / А.В. Бабич, А.А. Шерченков, С.А. Козюхин, П.И. Лазаренко //Аморфные и микрокристаллические полупроводники: сборник трудов междунар. конф. 4-7 июля 2016 года. - СпБ.: Изд-во Политехнического ун-та, 2016. - 396 с.

160. Babich, A.V. Investigation of the Crystallization Kinetics in Ge-Sb-Te-Bi Thin Films for Phase Change Memory Application / A.V. Babich, A.A. Sherchenkov, S.A. Kozyukhin, S.P. Timoshenkov // Acta Physica Polonica A. -

2016. - Vol. 129 (4). - P. 717-720.

161. Sherchenkov, A.A. Electrical Properties and Transport Mechanisms in Phase-Memory Thin Films of Quasi-Binary-Line GeTe-Sb2Te3 Chalcogenide Semiconductors / A.A. Sherchenkov, S.A. Kozyukhin, P.I. Lazarenko, A.V. Babich, N.A. Bogoslovskiy, I.V. Sagunova, E.N. Redichev // Semiconductors. -

2017. - Vol. 51, No. 2. - P. 146-152.

162. Sherchenkov, A. Electrical Properties of Ge-Sb-Te-Bi Thin Films for Phase Change Memory Application / A. Sherchenkov, P. Lazarenko, A. Babich, D. Terekhov, S. Kozyukhin // Advances in Engineering Research. - 2016. - Vol. 29. -P. 238-243.

163. Mehta, N. Studies of crystallization kinetics in a-Se80-xTe20Cdx and a-Se80-xTe20Gex alloys using D.C. conductivity measurements /

N. Mehta, A. Kumar // Journal of Thermal Analysis and Calorimetry. - 2006. -Vol. 83. - P. 669-673.

164. Шерченков, А.А. Исследование особенностей механизма и кинетики кристаллизации в тонких пленках на основе Ge2Sb2Te5 с помощью дифференциальной сканирующей калориметрии. / А.А. Шерченков, С.А. Козюхин, А.В. Бабич // Аморфные и микрокристаллические полупроводники: сборник трудов IX международной конференции. 7-10 июля 2014 года -СПб.: Издательство политехнического университета. - С. 165-166.

165. Шерченков, А.А. Кинетика кристаллизации в тонких пленках на основе Ge2Sb2Te5 и время обработки данных в устройствах фазовой памяти / А.А. Шерченков, С.А. Козюхин, А.В. Бабич, С.П. Тимошенков, П.И. Лазаренко // Труды 5-ой международной научно-практической конференции, Москва, ИНМЭ, 2016. - С. 122-124.

166. Turnbull, D. Rate of Nucleation in Condensed Systems / D. Turnbull, J.C. Fisher // The Journal of Chemical Physics. - 1949. - Vol. 17, Iss. 1. - P. 7173.

167. Privitera, S. Crystal nucleation and growth processes in Ge2Sb2Te5 / S. Privitera, C. Bongiorno, E. Rimini, R. Zonca // Applied Physics Letters - 2004. -Vol. 84. - P. 4448-3350.

168. Шерченков, А.А. Влияние легирования In на свойства тонких пленок Ge2Sb2Te5, применяемых в устройствах фазовой памяти / А.А. Шерченков, А.В. Бабич, П.И. Лазаренко // Вестник РГРТУ. - 2012, №4 (выпуск 42, часть 2). - Стр.81-88.