Исследование твердотельных микро- и наноструктур методом спектроскопии отраженных электронов тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.01, кандидат технических наук Лукашевский, Михаил Владимирович

• Лукашевский, Михаил Владимирович
• кандидат технических наук
• 2007

Оглавление диссертации кандидат технических наук Лукашевский, Михаил Владимирович

Введение.

Глава 1. Области применения, технологии получения и методы исследования твёрдотельных микро- и наноструктур.

1.1 Приемники радиоизлучения субмиллиметрового диапазона на основе гетеродинных смесителей.

1.2 Технологические аспекты формирования композиционной пленки Nb/Al-AlQf/Nb.

1.3 Вольт-амперная характеристика туннельного сверхпроводящего перехода и ее зависимость от структуры границы раздела. Постановка задачи исследования.

1.4 Технологические аспекты формирования покрытий методом микродугового оксидирования.

Постановка задачи исследования.

1.5 Выбор метода анализа микро- и наноструктур.

Глава 2. Экспериментальная установка по спектроскопии отраженных электронов.

2.1 Описание установки.

2.2 Схема подключения измерительных приборов.

2.3 Стабилизированный двухполярный источник питания.

2.4 Выбор методики измерения силы тока электронов на выходе из энергоанализатора.

2.5 Механизм перемещения исследуемых образцов около входной диафрагмы энергоанализатора. Проверка отсутствия влияния изменения положения блока с образцами на получаемые энергетические спектры.

2.6 Схема регистрации тока с образца и ускоряющего напряжения электронной пушки.

2.7 Схема управления ускоряющим напряжением электронной пушки.

2.8 Измерение тока первичного пучка электронов с помощью дополнительного цилиндра Фарадея.

2.9 Система автоматического управления экспериментальной установкой.

Глава 3. Программа имитационного моделирования процессов взаимодействия электронов и ионов средних энергий с твердым телом.

3.1 Общие сведения о созданной программе.

3.2 Описание алгоритма SPIM-L.

3.3 Апробация программы.

Глава 4. Метод расчета энергетических спектров электронов, отраженных от многокомпонентных мишеней.

4.1 Основное уравнение.

4.2 Рассеяние в однородной мишени.

4.3 Многослойная модель рассеивающей среды.

4.4 Апробация метода.

Глава 5. Результаты послойного анализа образцов микро- и наноразмеров и их обсуждение.

5.1 Экспериментальное определение состава Nb/Al микроструктур.

5.2 Экспериментальное определение состава микроструктур, полученных методом микродугового оксидирования.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Исследование твердотельных микро- и наноструктур методом спектроскопии отраженных электронов»

Важным результатом интенсивного развития физики и технологии туннельных сверхпроводящих и нормально-металлических структур стало создание таких информационно-измерительных приборов и их элементов, как: Джозефсоновский эталон напряжения, датчики магнитного поля, самые чувствительные из существующих, детекторы частиц и излучений, датчики температуры в диапазоне от сотых долей до десятков Кельвина. Для дальнейшего совершенствования подобных приборов актуально применение сверхпроводящих (ниобиевых) туннельных переходов, выполненных в виде композиционной пленки Nb/Al-AIQ/Nb, с толщинами слоев не более сотен нанометров. Необходимые электрофизические свойства такого туннельного перехода обеспечиваются достаточно резкой границей раздела Nb/Al. В связи с этим возникает потребность неразрушающего контроля послойного элементного состава таких структур с нанометровой точностью на ранней стадии их создания. Однако, до настоящего времени не было надежного и доступного метода оценки этого структурного параметра. Методы оже-электронной спектроскопии и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии обладают необходимой чувствительностью, но их информационная глубина настолько мала, что для построения профилей концентрации требуется применение ионного распыления. Однако, селективность распыления, а также стимулированные облучением изменения исследуемой структуры снижают достоверность полученных результатов. Широко используемый метод резерфордовского обратного рассеяния (POP) практически не чувствителен к наличию слоя легкого элемента в тяжелой матрице. Разрешение по глубине составляет в лучшем случае 15 - 20 нм. Метод POP эффективно используется для анализа микроструктур, но связан с необходимостью использования сложного и дорогостоящего оборудования (необходимо получение частиц МэВ-ных энергий).

Керамикоподобные модифицированные слои, полученные методом микродугового оксидирования (МДО) обладают обширным набором свойств, таких как износостойкость, коррозионностойкость, теплостойкость, электроизоляционность. В «МАТИ»-РГТУ им.К.Э. Циолковского тонкие (толщиной около 5 мкм) покрытия, получаемые методом МДО, используются для создания электродов электролитических конденсаторов.

Существует острая потребность в создании неразрушающего метода, работающего в режиме реального времени, который одинаково эффективно может быть применен для исследования как наноструктур, так и микроструктур.

На кафедре Общей физики и ядерного синтеза МЭИ(ТУ) разработан неразрушающий метод послойного анализа нано- и микро структур, основанный на интерпретации спектров отраженных электронов средних энергий. Для реализации этого метода необходимо измерение абсолютной величины дифференциальной функции отражения электронов от набора «чистых» мишеней и исследуемых образцов и их интерпретация в широком диапазоне потерь энергии электронов. Решение этих проблем позволит получить количественные данные о составе анализируемой мишени с точностью по глубине не превышающей 1 нм.

Цели работы и задачи исследования состояли в определении послойного и компонентного состава элементов твердотельной электроники с нанометровым разрешением.

Для достижения поставленных целей были решены следующие задачи:

- разработан и создан рабочий участок экспериментальной установки; разработана методика проведения эксперимента для измерения абсолютной величины дифференциальной функции отражения электронов от поверхности твердых тел с учетом постоянного геометрического множителя;

- развит неразрушающий метод экспериментального определения послойного компонентного состава поверхности твердых тел на основе интерпретации спектров отраженных электронов в широком диапазоне потерь их энергии с помощью разработанной программы имитационного моделирования рассеяния электронов средних энергий в твердом теле;

- определены толщины слоев и профили концентраций слоистых Nb/Al наноструктур',

- определены профили концентрации кислорода в образцах, полученных методом микродугового оксидирования, с толщиной модифицированного слоя около 5 мкм.

Объекты и методы исследования.

Объектами исследования являлись слоистые наноструктуры, полученные методом магнетронного напыления слоев А1 и Nb на подложку из полированного кремния; слоистые микроструктуры, полученные методом микродугового оксидирования алюминиевой фольги с толщиной модифицированного слоя порядка нескольких мкм.

Комплексный подход к исследованию включал в себя:

- исследование послойного состава образцов неразрушающим методом при помощи варьирования начальной энергии зондирующих электронов в диапазоне от 3 до 20 кэВ;

- исследование послойного состава образцов чередованием метода спектроскопии отраженных электронов с ионным травлением.

Научная новизна работы заключается в следующем:

1. Впервые реализована методика интерпретации экспериментальных спектров отраженных электронов в широком диапазоне потерь их энергии путем совместного применения методов имитационного моделирования и аналитического расчёта процессов рассеяния электронов в твердом теле.

2. Впервые определены толщины слоев и исследованы границы раздела слоистых Nb/Al наноструктур с точностью до 1 нм без использования послойного ионного травления.

3. Впервые с помощью электронной спектроскопии определены профили концентрации кислорода в образцах, полученных методом МДО с разрешением 300 нм до глубины 5 мкм.

4. Создана универсальная программа имитационного моделирования процессов рассеяния электронов и ионов средних энергий в веществе.

Практическая ценность работы заключается в следующем:

1. Разработан метод, который может быть использован для контроля технологического процесса получения наноструктур на основе сверхпроводящих туннельных переходов. Получено минимальное значение толщины промежуточного слоя А1 в композиционной пленке, необходимое для достижения наивысшего качества туннельного барьера.

2. Разработан метод неразрушающего контроля толщины и структуры МДО-покрытий. Сформулированы рекомендации по выбору режима МДО-обработки электродов, для повышения рабочих характеристик электролитических конденсаторов.

3. Показана эффективность предложенного неразрушающего метода послойного анализа твердотельных структур, глубина зондирования которого варьируется от единиц нанометров до десятков микрометров относительная точность по глубине составляет не менее 6 %.

4. Создана программа, позволяющая рассчитывать угловые и энергетические распределения атомных частиц, рассеянных твердым телом.

Обоснованность научных положений основывается на проведенном комплексном анализе полученных результатов и согласовании выполненных расчетов с экспериментальными данными.

Достоверность результатов подтверждается согласованностью результатов анализа металлических наноструктур и покрытий, полученных методом МДО, с результатами других исследований. Обработка результатов выполнена как на основе аналитического метода, так и методом имитационного моделирования.

Основные результаты и положения, выносимые на защиту

1. Теоретическая интерпретация энергетического спектра отраженных электронов в широком диапазоне потерь их энергии на основе совместного применения методов имитационного моделирования и аналитического расчета процессов рассеяния электронов в твердом теле.

2. Результаты исследования толщин слоев и структуры границ раздела слоистых Nb/Al наноструктур и их взаимосвязь с качеством получаемых Nb/Al-AlCX/Nb сверхпроводящих туннельных переходов. Наилучшая достигнутая точность составила 1 нм (6 %).

3. Результаты анализа микроструктур, полученных методом МДО, толщиной до 5 мкм. Разрешение по глубине составило около 300 нм (6 %).

4. Зависимость толщины переходного слоя Nb/Al от последовательности напыления слоев А1 и Nb на подложку Si{100}. Указанная толщина больше в конфигурации Si/Al/Nb, чем в Si/Nb/Al.

5. Преобладание влияния на структуру покрытия длительности обработки образцов МДО-методом на ранней стадии формирования покрытия над влиянием геометрии эксперимента.

Апробация работы. Основные результаты работы докладывались и обсуждались на 5-ой Всероссийской научно-технической конференции «Быстрозакаленные материалы и покрытия» (Москва, 2006 г.), 36-ой Международной конференции по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами (Москва, 2006 г.), 4-ой Курчатовской молодежной научной школе (Москва, 2006 г.), 12-ой, 13-ой Международной научно-технической конференции студентов и аспирантов «Радиоэлектроника, электротехника и энергетика» (Москва, 2006, 2007 г.г.), 32-ой, 33-ей Международной молодёжной научной конференции «Гагаринские чтения» (Москва, 2006, 2007 г.г.).

Вклад автора заключается в модернизации экспериментальной установки по спектроскопии отраженных электронов, проведении экспериментов по регистрации энергетических спектров отраженных электронов от исследуемых образцов, разработке программы имитационного моделирования процессов переноса электронов и ионов средних энергий в веществе, интерпретации полученных спектров методом имитационного моделирования. Все результаты, вынесенные на защиту, получены соискателем самостоятельно, либо на паритетной основе с соавторами.

Публикации. Основное содержание работы отражено в 9 печатных работах', из них 3 - в рекомендуемых ВАК журналах, 4 доклада на международных конференциях, 1 депонированная работа.

Заключение диссертации по теме «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника на квантовых эффектах», Лукашевский, Михаил Владимирович

1. Результаты работы позволяют сделать вывод о возможности успешного применения стандартного аналитического оборудования (например, оже-спектрометр) для реализации разрабатываемого метода послойного анализа. В тоже время, использование подобной техники имеет ряд ограничений, не позволяющих реализовать в полной мере все возможности нового метода.

2. Определены толщины слоев и профили концентраций слоистых наноструктур методом спектроскопии отраженных электронов. Наилучшая достигнутая точность составила 1 нм (6 %). Проанализирована зависимость толщины переходного слоя Nb/Al от последовательности напыления слоев А1 и Nb на подложку Si {100}. Получено минимальное значение толщины промежуточного слоя А1 в пленке Nb/Al-A10^/Nb, необходимое для достижения наивысшего качества туннельного барьера.

3. Выполнен анализ структуры МДО-покрытий, разрешение по глубине составило около 300 нм (6 %). Проанализировано влияние геометрии МДО-процесса и времени обработки на толщину и структуру покрытий. По результатам работы сформулированы рекомендации по выбору режима МДО-обработки электродов, позволяющего увеличить толщину границы раздела оксид алюминия-алюминий, для повышения рабочих характеристик электролитических конденсаторов.

143

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

1. Развит неразрушающий метод послойного анализа микро- и наноструктур на основе спектроскопии отраженных электронов в широком диапазоне потерь энергии путем совместного применения методов имитационного моделирования и аналитического расчёта процессов рассеяния электронов в твердом теле.

2. Определены толщины слоев и профили концентраций слоистых наноструктур методом спектроскопии отраженных электронов. Наилучшая достигнутая точность составила 1 нм (6 %). Проанализирована зависимость толщины переходного слоя Nb/Al от последовательности напыления слоев А1 и Nb на подложку Si{100}. Получено минимальное значение толщины промежуточного слоя А1 в пленке Nb/Al-A10^/Nb, необходимое для достижения наивысшего качества туннельного барьера.

3. Выполнен анализ структуры МДО-покрытий, разрешение по глубине составило около 300 нм (6 %). Проанализировано влияние геометрии МДО-процесса и времени обработки на толщину и структуру покрытий. По результатам работы сформулированы рекомендации по выбору режима МДО-обработки электродов, позволяющего увеличить толщину границы раздела оксид алюминия-алюминий, для повышения рабочих характеристик электролитических конденсаторов.

4. Разработан и создан рабочий участок экспериментальной установки, позволяющий измерить абсолютную величину дифференциальной функции отражения электронов с учетом постоянного геометрического множителя.

5. Создана и апробирована универсальная программа имитационного (Монте-Карло) моделирования рассеяния атомных частиц в веществе. В результате обработки энергетических спектров отраженных электронов получены данные о параметрах неупругого рассеяния электронов.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Лукашевский, Михаил Владимирович, 2007 год

1. Niemeyer J., Hinken J.H., Kautz R.L. Microwave induced constant-voltage steps at one volt from a series array of Josephson junctions // Appl. Phys. Lett.- 1984.- V. 45.- P. 478-480.

2. Кларке Дж. Сверхпроводящие квантовые интерференционные приборы для низкочастотных измерений // В сб.: Слабая сверхпроводимость. Квантовые интерферометры и их применения / Под ред. Б.Б. Шварца и С. Фонера.- М.: Мир, 1980.- С. 7-65.

3. Tucker J.R., Feldman MJ. Quantum detection at millimeter wavelength // Reviews of Modern Physics- 1985.- V. 57.- P. 1055-1113.

4. Pecola J.P., Hirvi K.P., Kuppinen J.P. Thermometry by arrays of tunnel junctions // Phys.Rev.Lett. -1994,- V. 73.- P. 2903-2906.

5. Time-correlated single-electron tunneling in one-dimensional arrays of ultrasmall tunnel junctions / P. Delsing, K.K. Likharev, L.S. Kuzmin and T. Claeson // Physical Review Letters- 1989,- V. 63,- P. 1861-1866.

6. Experimental study of the RSFQ logic elements / V.K. Kaplunenko, M.I. Khabipov, V.P. Koshelets et al. // IEEE Transactions on Magnetics- 1998.- V. 25.- P. 861-864.

7. A 275-370 GHz Receiver SIS Mixer With Novel Probe Structure / C. Risacher, V. Belitsky, V. Vassilev et al. // International Journal of Infrared and Millimeter Waves- 2005.- V. 26.- P. 867-874.

8. A Sideband Separating Mixer for 85-115 GHz / Vassilev, V. Belitsky, C. Risacher et al. // IEEE Microwave and HWireless Components Letters- 2004,-V. 14.-P. 256-258.

9. Josephson B.D. Possible new effects in superconductive tunnelling // Phys. Lett.- 1962.- V. 1.- P. 251-253.

10. Rowell J.M., Gurvitch M., Geerk J., Modification of tunneling barriers on Nb by a few monolayers of Al // Phys. Rev. В.-1981.- V. 24.- P. 2278-2281.

11. APEX: project status and goals / P. Schilke, R. Gusten, K.M. Menten, D. Murders // Proceedings of SPIE- 2004.- V. 5498,- P. 21-25.

12. Integrated sub-mm receivers / V. P. Koshelets et al. // IEEE Transactions on Applied Superconductivity- 1995.- P. 3057-3060.

13. Gurvitch M., Washington M.A. and Huggins H.A. High quality refractory Josephson tunnel junctions utilizing thin aluminium layers // App. Phys. Lett.- 1983.- V. 42.- P. 472-479.

14. Novel Method for Fabricating Deep submicron Nb/AlCVNb Tunnel junctions based on Spin-on glass planarization / A.B. Pavolotsky, Th. Weimann, H. Scherer et al. // IEEE Transactions On Applied Superconductivity- 1999.- V. 9.-P. 3251-3254.

15. Imamura Т., Shiota Т., Hasuo S. Fabrication of high quality Nb/Al-AlOj/Nb josephson junctions: I Sputtered Nb films for junction electrodes. // IEEE Transactions on Applied Superconductivity.- 1992.- V. 2.- P. 1-14.

16. Паволоцкий А.Б. Разработка метода и технологии получения субмикронных сверхпроводящих туннельных переходов для низкотемпературных информационно-измерительных приборов. Дисс. . кандидата техн. наук,- М. 2003. 182 с.

17. Imamura Т. and Hasuo S. Cross-sectional transmission electron microscopy observation of Nb/Al-AlO^/Nb josephson junction // Appl. Phys. Lett.-1991.-V. 58.-P. 645-647.

18. Huggins H.A. and Gurvitch M. Preparation and characteristics of Nb/Al-oxide-Nb tunnel junctions // J. of Appl. Phys.- 1985.- V. 57.- P. 2103-2109.

19. Kleinsasser A.W., Miller R.E., Mallison W.H. Dependence of critical current density on oxygen exposure in Nb/AlO^/Nb tunnel junctions // IEEE Transactions on Applied Superconductivity.- 1999.- V. 5.- P. 26-30.

20. Микродуговое оксидирование (теория, технология, оборудование) / И.В. Суминов, А.В. Эпельфельд, В.Б. Людин и др. М.: ЭКОМЕТ, 2005.368 с.

21. Романовский Е.А. Применение методов обратного рассеяния для исследования покрытий, получаемых микродуговым оксидированием // Поверхность.- 1999.- № 5-6.- С.106-109.

22. Анодные оксидные покрытия на металлах и анодная защита / И.Н. Францкевич, А.Н. Пилянкевич, В.А. Лаврененко, А.И. Волфсон Киев: Науковая думка, 1985.- 280 с.

23. Ларина О.Д., Тимошенко P.P. Количественный анализ оксидных и нитридных включений в сталях и сплавах М.: Металлургия, 1978.- 256 с.

24. M.P. Seah Quantification and measurement by Auger electron -spectroscopy and X-ray photoelectron spectroscopy // Vacuum- 1986,- V. 36.-Р. 399-407.

25. A new ESCA instrument with improved surface sensitivity, fast imaging properties and excellent energy resolution / U. Geliusl, B. Wannberg, P. Baltzer et al. // Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena.- 1990.- V. 52.-Р 747-785.

26. Imamura Т., Hasuo S. Cross-sectional ТЕМ observation of Nb/AlQr Al/Nb junction structures // IEEE Transactions on magnetics.- 1991.- V. 27.-Р. 3172-3175.

27. Фелдман Л., Майер Д. Основы анализа поверхности и тонких пленок М.: Мир, 1989.- 344 с.

28. Pay Э.И., Савин В.О., Сеннов P.A. Пространственное разрешение, информационная глубина и контраст изображений подповерхностныхструктур, визуалируемых в отраженных электронах в РЭМ // Поверхность.-2000.-№ 12.-С. 4-8.

29. Niedrig Н., Rau E.I. Information depth and spatial resolution in BSE microtomography in SEM // Nucl. Instr. and Meth. B- 1998.- V. 142.- P. 523-534.

30. Энергетические спектры электронов, отраженных от многослойных мишеней с «резким» и «размытым» интерфейсом. Послойный анализ / В.П.Афанасьев, ., М.В. Лукашевский, А.Б. Паволоцкий и др. // Поверхность.- 2005.- № 3.- С. 24-28.

31. Машкова Е.С., Молчанов В.А. Применение рассеяния ионов для анализа твердых тел М.: Энергоатомиздат, 1995,- 175 с.

32. Соболева Н.А., МеламидА.Е. Фотоэлектронные приборы М.: Высш. шк., 1974.- 375 с.

33. Афанасьев В.П., ЯворС.Я. Электростатические энергоанализаторы для пучков заряженных частиц М.: Наука, 1978.- 224 с.

34. Vidal R., Baragiola R.A., Ferron J. Monte Carlo model for the deposition of electronic energy in solid argon thin films by keV electrons // J. Appl. Phys.-1996.- V. 80.- P. 5653-5658.

35. Jablonski A. Modeling of elastic and inelastic electron backscattering from surfaces // Prog. Surf. Sci.- 2005.- V. 79.- P. 3-27.

36. Reflection electron energy loss spectrum of surface plasmon excitation of Ag: A Monte Carlo study / R. Shimizu, J. Ding, H.M. Li et al. // Phys. Rev. B-2002.-V 66.- P. 5411-5418.

37. Differential cross sections for plasmon excitations and reflected electron-energy-loss spectra / C.J. Tung, Y.F. Chen, C.M. Kwei et al. // Phys. rev. B.-1994. v. 49.-P. 16684-16693.

38. Monte Carlo simulation of x-ray emission by kilovolt electron bombardment / E. Acosta, X. Liovet, F. Salvat et al. // J. Appl. Phys.- 1998.-V. 83.-P. 6038-6049.

39. Лукашевский М.В. Программа имитационного моделирования процессов переноса электронов, ионов и фотонов в веществе SPIM-L.- М., 2004,- 1 е.- Деп. в ФГУП «ВНТИЦ» 10.02.2004, № 73200400014.

40. Экштайн В. Компьютерное моделирование взаимодействия частиц с поверхностью твердого тела М.: Мир, 1995.- 320 с.

41. АккерманА.Ф. Моделирование траекторий заряженных частиц в веществе М.: Энергоатомиздат, 1991.- 200 с.

42. LiljequistD. Simplified models for the Monte Carlo simulation of energy distributions of keV electrons transmitted or back-scattered in various solids // J. Phys. D: Appl. Phys.- 1978.- V. 11.- P. 839-859.

43. JablonskiA., Salvat F., Powell C.J. NIST Electron Elastic-Scattering Cross-Sections Database Version 3.0 Gaithersburg: National Institute of Standards and Technology MD.- 2002.

44. Соболев B.B. Рассеяние света в атмосферах планет М.: Наука, 1972.-335 с.

45. DarlinskiA. Measurements of angular distribution of backscattered electrons in the energy range of 5 to 30 keV // Phys. Stat. Sol.- 1981.- V. 63.-P. 663-667.

46. Хлупин С.И., Аккерман А.Ф. Средние пробеги электронов с энергией (0,1 100) кэВ до неупругого рассеяния в веществе - Алма-Ата: Изд. ИФВЭ, 1985.- 43 с.

47. Powell C.J. Characteristic energy losses of 8-keV electrons in liquid Al, Bi, In, Ga, Hg and Au // Phys. rev. В.- 1979.- V. 175.- P. 972-982.

48. Casslett V.E., Thomas R.N. Multiple scattering of 5-30 kev electrons in evaporated metal films // Brit. J. Appl. Phys.- 1964.- V. 15.- P. 883-907.

49. Лубенченко A.B. Теория отражения излучения средами с анизотропным законом рассеяния на основе принципов инвариантности. Дисс. доктора техн. наук.- М. 2006. 269 с.

50. Будак В.П., Козельский А.В., Савицкий Е.Н. Улучшение сходимости метода сферических гармоник при сильно анизотропном рассеянии // Оптика атмосферы и океана.- 2004.- № 1.- С. 36-41.

51. Лубенченко А.В. Функция распределения отраженных электронов по пробегам // Краткие содержания докладов XXIII Конференции по эмиссионной электронике. Ташкент: Ин-т электроники.- 1997.- Т. 1.- С. 164.

52. Роль флуктуаций толщины тонких углеродных фольг в формировании энергетического спектра прошедших через них ионов водорода / Е.А. Гриднева, В.А. Курнаев, В.Х. Лихтенштейн и др. // Материалы 14-ой Межд. Конф. «ВИП»- М.: МАИ, 1999.- Т. 1.- С. 226-229.

53. Афанасьев В.П., Лубенченко А.В., Лукашевский М.В. Расчет энергетических спектров ионов, рассеянных плоско-параллельными слоями твердого тела. Последовательный учет флуктуаций потерь энергии // Поверхность.- 2004,- № 8.- С. 23-27.

54. Флорес Ф. Динамика взаимодействия зарядов с конденсированным веществом. Взаимодействие заряженных частиц с твердым телом. М.: Высш. шк., 1994.- 744 с.

55. Калашников Н.П., Ремизович B.C., Рязанов М.И. Столкновения быстрых заряженных частиц в твердых телах М.: Атомиздат, 1980.- 272 с.

56. Afanas'ev V.P., Naujoks D. Energy spectra of electrons reflected from layered targets // Z. Phys. B. Cond. Mat.-1991.- V. 84.- P. 397-402.

57. Лубенченко А.В. Приближенная аналитическая формула для энергетических спектров электронов, обратно рассеянных в единичный телесный угол // Изв. АН. Серия физич.- 1994.- Т. 58.- С. 28-31.

58. Отражение электронов киловольтных энергий от многослойных мишеней / В.П. Афанасьев, А.В. Лубенченко, А.Б. Паволоцкий, С.Д. Федорович // ЖТФ- 2002.- Т. 72,- С. 100-108.

59. Study of Al/Nb interface by spectroscopy of reflected electrons / V.P.Afanas'ev, ., M.V. Lukashevsky, M.Norell et al. // J. Appl. Phys.- 2007.-V. 101.-P. 64912-64917.

60. Радциг А.А., Смирнов Б.М. Параметры атомов и атомных ионов -М.: Энергоатомиздат.- 1986.- 344 с.

61. Powell C.J. and Jablonski A. NIST Electron Inelastic-Mean-Free-Path Database-Version 1.1, National Institute of Standards and Technology, Gaithersburg, MD 2000.

62. Лукашевский М.В., Федорович С.Д, Лубенченко А.В. Электронная спектроскопия покрытий, полученных способом микродугового оксидирования // Вестник МЭИ.- 2007.- № 2.- С. 62-69.151