Исследование структуры интерфейсов многослойных систем методами малоуглового рентгеновского рассеяния тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Вальковский, Глеб Андреевич

• Вальковский, Глеб Андреевич
• кандидат физико-математических наук
• 2013

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Вальковский, Глеб Андреевич

ВВЕДЕНИЕ.

АКТУАЛЬНОСТЬ ТЕМЫ

ЦЕЛЬ И ЗАДАЧИ ДИССЕРТАЦИОННОЙ РАБОТЫ.

МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ.

НАУЧНАЯ НОВИЗНА

ПРАКТИЧЕСКАЯ ЗНАЧИМОСТЬ

НАУЧНЫЕ ПОЛОЖЕНИЯ, ВЫНОСИМЫЕ НА ЗАЩИТУ.

АПРОБАЦИЯ РАБОТЫ.

ПУБЛИКАЦИИ, ВКЛЮЧЕННЫЕ В ДИССЕРТАЦИОННУЮ РАБОТУ.

СТРУКТУРА И ОБЪЕМ РАБОТЫ

1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР.

1.1 ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ МАЛОУГЛОВЫХ РЕНТГЕНОВСКИХ МЕТОДОВ.

1.1.1 pei1тгеновская рефлектометрия (рр).

1.1.1.1 История метода РР. 1.1.2 Определение геометрических параметров из кривой РР. 7.1.3 Определениесум.марной среднеквадратичной амплитуды шероховатости из кривой РР.

1.1.2 Малоугловое диффузное рентгеновское рассеяние (МДР).

1.1.2.1 Диффузное рассеяние от одиночной шероховатой поверхности.

1.1.2.2 Диффузное рассеяние от многослойной структуры с шероховатыми интерфейсами.

1.1.3 Малоугловое рентгеновское рассеяние при скользящем падении (СПМУРР).

1.2 методика проведения рентгеновских измерений.

1.2.1 Эксперимент на лабораторных рентгеновских установках.

1.2.1.1 Конструкция дифрактометра фирмы Bruker.

1.2.1.2 Настройка дифрактометра Bruker в режиме дифрактометрии.

1.2.1.3 Настройка дифрактометра Bruker в режиме малоугловых измерений.

1.2.2 Эксперимент на chhxpoi роне (СПМУРР).

1.3 МНОГОСЛОЙНЫЕ ТВЕРДОТЕЛЬНЫЕ НАНОСИСТЕМЫ.

1.3.1 Многослойные периодические системы (МПС) Mo/Si.

1.3.1.1 Оптические системы для экстремально ультрафиолетовой литографии (ЭУФЛ).

1.3.1.2 Дизайн МПС для ЭУФЛ.

1.3.1.3 Факторы, определяющие отражательные характеристики МПС.

1.3.1.4 Физические механизмы, происходящие при осаждении МПС.

1.3.1.5 Методы осаждения.

1.3.1.6 Осаждение при повышенной температуре подложки.

1.3.1.7 Диагностика МПС.

1.3.1.8 Влияние шероховатости с различными частотами на отражательные характеристики.

1.3.1.9 Классификация шероховатости тонкой пленки по виду PSD-функции.

1.3.2 Многослойные периодические системы CaF2/CaF2.

1.3.3 Многослойные периодические системы inGaN/GaN.

1.3.4 Объекты с островковой морфологией.

1.3.4.1 Островки Со(001).

1.3.4.2 "Микрогофры " Cah.tllüj.

2. МНОГОСЛОЙНЫЕ ПЕРИОДИЧЕСКИЕ СИСТЕМЫ Mo/Si.

2.1 ПОДГОТОВКА ПОДЛОЖЕК ДЛЯ МНОГОСЛОЙНЫХ СИСТЕМ Mo/Si.

2.1.1 Методика эксперимента атомно-силовой микроскопии (АСМ).

2.1.2 Сопоставление PSD - функций различных подложек по данным АСМ.

2.1.3 Исследование подложек методом рр.

2.2 ГЕОМЕТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ И КРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ СТРУКТУРА МПС Mo/Si.

2.2.1 получение МПС Mo/Si.

2.2.2 исследование мь годом просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ).

2.2.3 Исследование методом рентгеновской дифрактометрии (РД).

2.2.4 Исследование методом РР.

2.3 ШЕРОХОВАТОСТЬ ПОВЕРХНОСТИ И ИНТЕРФЕЙСОВ МПС Mo/Si.

2.3.1 Исследование методом АСМ.

2.3.2 Моделирование данных АСМ.

2.3.3 Исследование методом МДР.

2.3.4 Исследование методом СПМУРР.

2.4 ОБСУЖДЕНИЕ РЕЗУЛЬТАТОВ КОМПЛЕКСНОЙ ДИАГНОСТИКИ МПС Mo/Si.

2.5 ИЗМЕРЕНИЕ ОТРАЖАТЕЛЬНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК МПС В ЭУФ ДИАПАЗОНЕ.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Исследование структуры интерфейсов многослойных систем методами малоуглового рентгеновского рассеяния»

Актуальность темы

Многослойные системы являются элементами современных приборов микроэлектроники и широко применяются, в частности, в светодиодах, устройствах записи информации, зеркалах для литографических установок нового поколения. Условия получения многих из них неравновесные и сопровождаются процессами самоорганизации, т. е. процессами формирования регулярных стохастически самоподобных структур. Многослойные системы с толщинами слоев менее 50 нм характеризуются стохастически самоорганизованными интерфейсами, амплитуда шероховатости которых соизмерима с толщинами слоев. Исследование структуры интерфейсов таких наносистем является важной задачей, поскольку морфология интерфейсов в значительной степени предопределяет особенности физических свойств многослойных систем.

Обобщенный способ описания морфологии интерфейсов заключается во введении набора статистических параметров, характеризующих корреляционные свойства шероховатости. Количественное определение статистических параметров шероховатости является актуальным, поскольку позволяет выявить суть процессов самоорганизации. Определение количественных параметров шероховатости интерфейсов в многослойных наносистемах возможно рентгеновскими методами, являющимися неразрушающими. К таким методам относятся, в частности, методы малоуглового рентгеновского рассеяния, реализуемые с помощью лабораторных и синхротронных установок.

Методы малоуглового рентгеновского рассеяния позволяют исследовать широкий класс многослойных наносистем с различными типами морфологии интерфейсов от сверхгладких до островковых. Примером многослойных наносистем, характеризующихся сверхгладкими интерфейсами, являются периодические структуры Mo/Si. Такие системы служат в качестве отражающих элементов в литографии экстремально дальнего ультрафиолетового диапазона, позволяющей на порядок увеличить разрешение по сравнению с традиционной фотолитографией. Примером объектов с островковой морфологией являются наноразмерные частицы кобальта и протяженные "микрогофры", формирующиеся на поверхности CaF2. Эти объекты представляют интерес для создания устройств магнитной памяти с высокой плотностью записи информации.

Задача изучения свойств самоорганизованных материалов с целью последующей реализации их потенциальных возможностей может быть решена посредством адаптации методов малоуглового рентгеновского рассеяния для количественного описания морфологии интерфейсов многослойных наносистем. Необходимость решения этой задачи определяет актуальность представленной работы.

Цель и задачи диссертационной работы

Целью диссертационной работы является выявление закономерностей в самоорганизации шероховатости многослойных наносисаем с различными типами морфологии интерфейсов, полученных при послойном росте в неравновесных условиях.

Для достижения поставленной цели решались следующие конкретные задачи:

- Разработка комплексной методики анализа многослойных периодических систем (МПС) Mo/Si с свехгладкими наноразмерными слоями, выращенных методом магнетронного распыления. Комплексное исследование шероховатости интерфейсов и кристаллической структуры слоев для набора МПС Mo/Si, полученных при различных технологических условиях.

- Исследование структуры интерфейсов в МПС CaF2/CdF2 с периодами в диапазоне 1.5-К20 нм, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) при 100°С на поверхности CaF2/Si(l 11).

- Исследование структуры интерфейсов в МПС InGaN/GaN с периодом 2 нм, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений (МОС-гидридная эпитаксия) посредством циклического удаления In из слоя 1по i Gao 9N в атмосфере водорода.

- Определение огранки, формы, размера и корреляции в расположении наноразмерных островков Co/Cap2/Si(001) и "микрогофр" CaF2(110)/Si(001), выращенных методом МЛЭ.

Методы исследования

Основными методами, использованными в работе, являлись методы малоуглового рентгеновского рассеяния. К ним относятся: рентгеновская рефлектометрия (РР, Х-гау Reflectometry), малоугловое диффузное рентгеновское рассеяние (МДР, Small-angle diffuse x-ray scattering) и малоугловое рентгеновское рассеяние при скользящем падении (СПМУРР, Grazing-incidence small-angle x-ray scattering). Кроме того, привлекались методы рентгеновской дифрактометрии (РД), рефлектометрии экстремально дальнего ультрафиолетового диапазона, а также фотолюминесценции (ФЛ). Для визуализации 6 шероховатости и микроструктуры использовались: атомно-силовая (АСМ) и просвечивающая электронная микроскопия (ПЭМ).

Научная новизна

Применение комплексного подхода к исследованию различных типов морфологии интерфейсов в многослойных наносистемах, полученных при послойном росте в неравновесных условиях, позволило расширить возможности приложения методов малоуглового рентгеновского рассеяния для определения количественных характеристик шероховатости. Все результаты и выводы работы являются оригинальными. В работе впервые:

- предложена методика определения степени текстурированности поликристаллических слоев Mo в многослойных системах Mo/Si с наноразмерными слоями на основе данных РД;

- выявлена зависимость коэффициента отражения МПС Mo/Si при длине волны 13.5 нм от фрактального параметра шероховатости ишерфейсов;

- определен тип морфологии интерфейсов МПС InGaN/GaN с периодом 2 нм, выращенных посредством циклического удаления In из слоя InoiGao^N в атмосфере водорода;

-определена огранка островков Co/CaF2/Si(001) и установлена корреляция в расположении "микрогофр" CaF2(110)/Si(001).

Практическая значимость

Разработанная комплексная методика анализа периодических систем Mo/Si с сверхгладкими наноразмерными слоями позволяет осуществлять контроль качества многослойных зеркал для элементов оптических систем литографов, работающих на длине волны 13.5 нм.

С применением полученных данных о структуре интерфейсов МПС Ino iGaoçN/GaN, содержащих комбинацию ям и барьерных слоев, была откорректирована технология получения сине-зеленых светодиодов с улучшенной внешней квантовой эффективностью излучения в диапазоне длин волн 53СН-560 нм.

На основе полученных данных о параметрах наноразмерных островков Со(001) и "микрогофр" Сар2(110) обоснованы практические рекомендации по выбору режимов в технологии выращивания обменно-смещенных наногетероструктур, содержащих комбинацию ферромагнитного и антиферромагнитного материалов, с целью создания устройств магнитной памяти с высокой плотностью записи информации.

Научные положения, выносимые на защиту

1. Тип морфологии и фрактальные параметры шероховатости интерфейсов, такие как латеральная и вертикальная длины корреляции, и фрактальная размерность, определенные с помощью комплекса методов малоуглового рентгеновского рассеяния, полностью характеризуют процессы самоорганизации в периодических твердотельных наносистемах, полученных при послойном росте в неравновесных условиях.

2. Увеличение фрактального параметра (с 0.3 до 1) и латеральной длины корреляции шероховатости интерфейсов (с 10 нм до 50 нм) для многослойных периодических систем Mo/Si с периодом ~ 7 нм, выращенных методом магнетронного распыления, сопровождается уменьшением коэффициентов отражения при длине волны 13.5 нм.

3. Интерфейсы в многослойных периодических системах CaF2/CdF2 с периодом менее 7 нм, полученных методом МЛЭ при 100°С на поверхности буферного слоя CaF2, характеризуются топологической шероховатостью, коррелированной в вертикальном направлении.

4. Многослойные системы InGaN/GaN, полученные посредством циклического удаления In в атмосфере водорода из слоя Ino iGao.gN толщиной 2 нм, характеризуются шероховатостью, обусловленной градиентным изменением концентрации In в пределах периода.

5. Распределение интенсивности малоуглового рентгеновского рассеяния в обратном пространстве от наноразмерных островков Со, полученных методом МЛЭ на поверхности CaF2/Si(001) с сохранением ориентации буферного слоя, зависит от огранки, формы и размера этих островков.

Апробация работы

Результаты исследований, составляющих основу диссертационной работы, докладывались и обсуждались на следующих научных конференциях и школах: Национальная конференция «Рентгеновское, Синхротронное излучение, Нейтроны и Электроны для исследования материалов (РСНЭ-НБИК)» (Москва 2007, 2009, 2011); Международный научный семинар и школа-семинар «Современные методы анализа дифракционных данных и актуальные проблемы рентгеновской оптики» (Великий 8

Новгород 2008, 2011); Второй международный форум по нанотехнологиям (Москва 2009); Biennal Conference on High Resolution X-ray Diffraction and Imaging (XTOP) (Линц, Австрия 2008; Варвик, Великобритания 2010; Санкт-Петербург, Россия 2012); 13 International Conference on Defects-Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors (DRIP) (Вилинг, США 2009); 25 International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS-25) (Санкт-Петербург, Россия 2009); 10 International Conference on Nanostructured Materials (NANO 2010) (Рим, Италия 2010); EMRS 2011 Spring Meeting, (Ницца, Франция

2011); 11 International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN) (Санкт-Петербург, Россия 2011); 2 International Conference on nanomaterials «Synthesis, Characterization and Application (ICN 2012)» (Керала, Индия

2012); 7 Leptos User Meeting (Минск, Белоруссия 2010); 45 Школа ПИЯФ РАН (Санкт-Петербург 2011); Международная зимняя школа по физике полупроводников (Санкт-Петербург - Зеленогорск 2009, 2010), а также на Низкоразмерном семинаре ФТИ им. А.Ф. Иоффе и семинарах лаборатории диагностики материалов и структур твердотельной электроники.

Публикации, включенные в диссертационную работу

Основные результаты работы опубликованы в 19 тезисах российских и международных конференций, а также в четырех статьях в ведущих рецензируемых журналах, перечень которых представлен ниже:

1. Г. А. Вальковский, М. В. Байдакова, П. Н. Брунков, С. Г. Конников, А. А. Ситникова, М. А. Яговкина, Ю. М. Задиранов. Комплексная диагностика многослойных систем с наноразмерными слоями на примере структур Mo/Si // ФТТ. -2013.-Т. 55-Вып. З.-С. 591-601.

2. G. A. Valkovskiy, М. V. Baidakova, Р. N. Brunkov, S. G. Konnikov, М. А. Yagovkina, Ju. М. Zadiranov. Study of roughness in multilayer Mo-Si mirrors // Phys. Stat. Sol. A - 2011. - Vol. 208. - P. 2623-2628. D01:10.1002/pssa.201184274.

3. W. V. Lundin, A. E. Nikolaev, A. V. Sakharov, E. E. Zavarin, G. A. Valkovskiy, M. A. Yagovkina, S. O. Usov, N. V. Kryzhanovskaya, V. S. Sizov, P. N. Brunkov, A. L. Zakgeim, A. E. Cherniakov, N. A. Cherkachin, M. J. Hytch, E. V. Yakovlev, D. S. Bazarevskiy, M. M. Rozhavskaya, A. F. Tsatsufnikov. Single quantum well deep-green LEDs with buried InGaN/GaN short-period superlattice // J. Cryst. Growth. - 2011. -Vol. 315.-P. 267-271.

4. Н. В. Крыжановская, В. В. Лундин, А. Е. Николаев, А. Ф. Цацульников, А. В. Сахаров, М. М. Павлов, Н. А. Черкашин, М. I. Ну1с1д, Г. А. Вальковский, М. А. Яговкина, С. О. Усов. Исследование оптических и структурных свойств короткопериодных сверхрешеток ЫЗаМ/ОаЫ для активной области светоизлучающих диодов // ФТП. - 2010. - Т. 44. - Вып. 6. - С. 857-863.

Структура и объем работы

Диссертация состоит из введения, шести глав, заключения и списка цитируемой литературы. Общий объем работы составляет 128 страницы текста, включая 42 рисунка, 10 таблиц и список литературы из 112 наименований.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Вальковский, Глеб Андреевич

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В результате, комплексом методов малоуглового рентгеновского рассеяния проведено исследование многослойных периодических наносистем, полученных при послойном росте в неравновесных условиях и отличающихся типами морфологии интерфейсов: от сверхгладких до островковых. Определены количественные парамефы, характеризующие корреляционные свойства шероховатости стохастически самоорганизованных интерфейсов. Основные полученные параметры приведены в Таблице.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Вальковский, Глеб Андреевич, 2013 год

1. Гинье, А. Рентгенография кристаллов Текст. / А. Гинье. Пер. с франц. под ред. Н. В. Белова М.: Гос. изд. физ.-мат. лит., 1961. - 604 с.

2. Parratt, L. G. Surface Studies of Solids by Total Reflection of X-rays Text. / T. G. Parratt. // Phys. Rev. В 1954. - Vol. 95. - No. 2. - P. 359-369.

3. Beckmann, P. The scattering of electromagnetic waves from rough surfaces Text. / P. Beckmann, A. Spizzichino. New-York: Pergamon Press, 1963. - 420 p.

4. Nevot, T. Caract'erisation des surfaces par r'eflexion rasante de rayons X. Application 'a l'etude du polissage de quelques vcrres silicates Text. / L. Nevot, P. Croce // Rev. Phys. Appl. 1980. - Vol. 15. - P. 761-779.

5. Kozhevnikov, I. V. Physical analysis of the inverse problem of X-ray reflectometry Text. / I. V. Kozhevnikov // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A. -2003.-Vol. 508.-P. 519-541.

6. Birkholz, M. Thin Film Analysis by X-Ray Scattering Text. / M. Birkholz. -Weinheim: WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA., 2006. 356 p.

7. Виноградов, А. В. Зеркальная рентгеновская оптика Текст. / А. В. Виноградов, И. А. Брытов, А. Ю. Грудский [и др.] -- JI.: Машиностроение, 1989. 464 с.

8. Sinha, S. K. X-ray and neutron scattering from rough surfaces Text. / D. E. Sinha, E. B. Sirota, S. Garoff// Phys. Rev. В 1988. - Vol. 38. - No. 4. - P. 2297-2336.

9. Savage, D. E. Determination of roughness correlations in multilayer films for x-ray mirrors Text. / D. E. Savage, J. Kleiner, N. Schlimke [et al.] // J. Appl. Phys. 1991. -Vol. 69.-No. 3.-P. 1411-1424.

10. Schlomka, J.-P. X-ray diffraction from Si/Ge layers: Diffuse scattering in the region of total external reflection Text. / J.-P. Schlomka, M. Tolan, L. Schwalowsky [et al.] // Phys. Rev. В 1995. Vol. 51. No. 4.-P. 2311-2321.

11. Holy, V. X-ray reflection from rough layered systems Text. / V. Holy, J. Kubena, I. Ohlidal [et al.] // Phys. Rev. В 1993. - Vol. 47. - No. 23. - P. 15896-15903.

12. Holy, V. Nonspecular x-ray reflection from rough multilayers Text. / V. Holy, T. Baumbach //Phys. Rev. В 1994.-Vol. 49.-No. 15. -P. 10668 10676.

13. Pietsch, U. High-Resolution X-ray Scattering from Thin Films and Multilayers Text. / U. Pietsch, V. Holy, Г. Baumbach. Second edition. - New-York: Springer, 2004. -408 p.

14. Palasantzas, G. Roughness spectrum and surface width of self-affme fractal surfaces via the K-correlation model Text. / G. Palasantzas // Phys. Rev. В 1993. - Vol. 48. -No. 19.-P. 14472-14478.

15. Romanov, V. P. Information on in- and out-of-plane correlated roughness in multilayers from x-ray specular reflectivity Text. / V. P. Romanov, S. V. Ulyanov, V. M. Uzdin [et al.] // J. Appl. Phys. D: Appl. Phys. 2008. Vol. 41. -P. 115401115407.

16. Stepanov. S. A. X-ray diffuse scattering from interfaces in semiconductor multilayers Text. / S. A. Stepanov // Exploration of Subsurface Phenomena by Particle Scattering IASI Press, - 2000. -P. 119-137.

17. Phang, Y. H. X-ray diffraction determination of interfacial roughness correlation in SixGei.x/Si and GaAs/AlxGaj.xAs superlattices Text. / Y. H. Phang, D. E. Savage, T. F. Kuech [et al.] // J. Appl. Phys. Lett. 1992. Vol. 60. - No. 24. -P. 2986 2988.

18. Phang, Y. H. Diffraction from multilayer with partially correlated interfacial roughness Text. / Y. H. Phang, R. Kariotis, D. E. Savage [et al.] // J. Appl. Phys.- 1992. Vol. 72.-No. 10.-P. 4627^1633.

19. Phang, Y. H. X-ray diffraction measurements of partially correlated interfacial roughness in multilayers Text. / Y. H. Phang, D. E. Savage, R. Kariotis [et al.] // J. Appl. Phys.- 1993. Vol. 74. - No. 5. -P. 3181-3188.

20. Wang, J. Diffuse x-ray scattering study of interfacial structure of self-assembled conjugated polymers Text. / J. Wang, Y. J. Park, K.-B. Lee [et al.] // Phys. Rev. B-2002. Vol. 66.-P. 16201-16204.

21. Ming, Z. N. Microscopic structure of interfaces in Sii-xGex/Ge heterostructures and superlattices studied by x-ray scattering and fluorescence yield Text. / Z. N. Ming, A. Krol, Y. L. Soo [et. al.] //Phys. Rev. B- 1993. Vol. 47. P. 16373-16381.

22. Revenant, C. Quantitative analysis of grazing-incidence small-angle x-ray scattering: Pd/Mg0(001) growth Text. / C. Revenant, F. Leroy, R. Lazzari [et. al.] // Phys. Rev. B- 2004. Vol. 69.-P. 035411-035427.

23. Делоне, Б. Математические основы структурного анализа кристаллов Текст. / Б. Делоне, Н. Падуров, А. Александров Л.: ОНТИ ГТТИ, 1934. 328 с.

24. Уманский, Я. С. Кристаллография, рентгенография и электронная микроскопия Текст. / Я. С. Уманский, Ю. А. Скаков, А. Н. Иванов [и др.] М.: Металлургия. 1982.-632 с.

25. Бокий, Г. Б. Рентгеноструктурный анализ Текст. / Г. Б. Бокий, М. А. Порай-Кошиц. под ред. Н. В. Белова -- Второе издание - М.: Изд. Моск. университета, 1964.-489 с.

26. Горелик, С. С. Рентгенографический и электроннооптический анализ Текст. / С. С. Горелик, Jl. Н. Расторгуев, Ю. А. Скаков,- Второе издание М.: Металлургия, 1970. - 366 с.

27. Fewster, P. F. X-ray Scattering from Semiconductors Text. / P. F. Fewster. Second edition. - London: Imperial College Press, 2003. - 299 p.

28. Tarey, R. D. Characterization of thin films by glancing incidence x-ray diffraction Text. / R. D. Tarey, R. S. Rastogi, K. L. Chopra [et al.] //The Rigaku J. 1987. -Vol. 4.-No. 1/2.-P. 11-15.

29. Dosch, H. Evanescent absorption in kinematic surface Bragg diffraction Text. / H. Dosch//Phys. Rev. B- 1987. Vol. 35. -P. 2137-2143.

30. Боуэн, Д. К. Высокоразрешающая рентгеновская дифрактометрия и топография Текст. / Д. К. Боуэн, Б. К. Таннер. Пер. с англ. под ред. И. JI. Шульпиной -СПб:Наука, 2002.-274 с.

31. Renaud, G. Probing surface and interface morphology with Grazing-Incidence Small Angle X-Ray Scattering Text. / G. Renaud, R. Lazzari, F. Leroy // Surf. Sci. Reports -2009.-Vol. 64.-P. 255-380.

32. Renaud, G. Real-time monitoring of growing nanoparticles Text. / G. Renaud, R. Lazzari, C. Revenant [et al.] // Sci. Reports 2003. - Vol. 300. ~ P. 1416-1419.

33. Metzger, Т. H. Grazing incidence x-ray scattering: an ideal tool to study the structure of quantum dotsText. / Т. H. Metzger, I. Kegel, R. Paniago [et al.] // J. Phys. D: Appl. Phys. 1999. - Vol. 32. - P. 202-207.

34. Григорьева H. А., Изучение гетероструктуры Si02(Co)/GaAs методами поверхностного рассеяния синхротронного излучения Текст. / Н. А. Григорьева, А. А. Воробьев, В. А. Уклеев [и др.] // Письма в ЖЭТФ. 2010. - Т. 92 - Вып. И. -С. 848-854.

35. Wu, В. Extreme ultraviolet lithography: a review Text. / B. Wu, A. Kumar // J. Vac. Sci. Technol. В 2007. - Vol. 25. - No. 6. - P. 1743-1761.

36. Сейсян, P. П. Нанолитография СБИС в экстремально дальнем вакуумном ультрафиолете (Обзор) Текст. // ЖТФ. 2005. - Т. 75. Вып. 5. С. 1-13.

37. Louis, Е. Nanometer interface and materials control for multilayer EUV-optical applications / E. Louis, A. E. Yakshin, T. Tsarfati et al. // Prog. Surf. Sci. 2011. -Vol. 86.-No. 11-12.-P. 255-294.

38. Bakshi, V. EUV Lithography Text. / V. Bakshi. Bellingham: SPIE Press, 2009. -673 p.

39. Schroder, S. EUV reflectance and scattering of Mo/Si multilayers on differently polished substrates Text. / S. Schroder, T. Feigl, A. Duparrc [ct. al.] // Optical Express 2007. -Vol. 15.-P. 13997 14012.

40. Hector S. D. Multilayer coating requirements for extreme ultraviolet lithography masks Text. / S. D. Hector, E. M. Gullikson, P. Mirkarimi [et. al] // Proc. SPIE- 2002. -Vol. 4562.-P. 863-882.

41. Stearns D. G. Nonspecular x-ray scattering in a multilayer-coated imaging system Text. / D. G. Stearns, D. P. Gaines, D. W. Sweeney [et. al.] // J. Appl. Phys.- 1998. -Vol. 84.-P. 1003-1028.

42. Baj't, S. Investigation of the amorphous-to-crystalline transition in Mo/Si multilayers Text. / S. Bajt, D. G. Stearns, P. A. Kearney // J. Appl. Phys. 2001. - Vol. 90. P. 1017-1025.

43. Andreev, S. S. The microstructure and X-ray reflectivity of Mo/Si multilayers Text. / S. S. Andreev, S. V. Gaponov, S. A. Gusev [et al.] // Thin Solid Films 2002. - Vol. 415. P. 123-132.

44. Maury, H. Analysis of periodic Mo/Si multilayers: Influence of Mo thickness Text. / H. Maury, J.-M. Andre, K.L. Guen [et al.] // Surf. Sci. 2009. - Vol. 603. - P. 407411.

45. Patelli, A. Structure and interface properties of Mo/B4C/Si multilayers deposited by rf-magnetron sputtering Text. / A. Patelli, J. Ravagnan, V. Rigato [et al.] // Appl. Surf. Sci. 2004. - Vol. 238. - P. 262-268.

46. Spiller, A. High-performance Mo-Si multilayer coatings for extreme ultra-violet lithography by ion-beam deposition Text. / E. Spiller, S. Baker, P. Mirkarimi [et al.] // Appl. Opt. 2003. - Vol. 42. - P. 4049-4058.

47. Yakshin, A. E. Enhanced reflectance of interface engineered Mo/Si multilayers produced by thermal particle deposition Text. / A. E. Yakshin, R. W. E. van de Kruijs, I. Nedelcu [et al.] // Proc. SPIE. 2007. - Vol. 6517. - P. 6517.

48. Louis, E. Enhancement of reflectivity of multilayer mirrors for soft x-ray projection lithography by temperature optimization and ion bombardment Text. / E. Louis, H. J. Voorma, N. B. Koster [et al.] // Microelectronic Engineering 1994. P. 215-218.

49. Востоков, H. В. Послойный элементный анализ многослойных структур Mo/Si методом Оже-электронной спектроскопии Текст. / И. В. Востоков, М. Н. Дроздов, Д. В. Мастеров [и др.] // Поверхность 2001. Т. 1. С. 43 47.

50. Paul, A. Interface roughness correlation due to changing layer period in Pt/C multilayers Text. / A. Paul, G.S. Lodha // Phys. Rev. В 2002. - Vol. 65. -P. 245416-245424.

51. Nedelcu, I. Temperature-dependent nanocrystal formation in Mo/Si multilayers Text. / I. Nedelcu, R.W.E. van de Kruijs, A.E. Yakshin [et al.] // Phys. Rev. В 2007. -Vol. 76. - P. 245404-245411.

52. Вальковский, Г. А. Комплексная диагностика многослойных систем с нано-размерными слоями на примере структур Mo/Si Текст. / Г. А. Вальковский, М. В. Байдакова, П. Н. Брунков [и др.] // ФТТ. 2013. Т. 55 Вып. 3.

53. Valkovskiy, G. A. Study of roughness in multilayer Mo-Si mirrors Text. / G. A. Valkovskiy, M. V. Baidakova, P. N. Brunkov [et al.] // Phys. Stat. Sol. A 2011. -Vol. 208.-P. 2623-2628.

54. Ulyanenkov, A. X-ray scattering study of interfacial roughness correlation in Mo/Si multilayers fabricated by ion-beam sputtering Text. / A. Ulyanenkov, R. Matsuo, K. Omote [et al.] // J. Appl. Phys. 2000. - Vol. 87. - P. 7255-7260.

55. Freitag, J. M. Nonspecular x-ray reflectivity study of roughness scaling in Si/Mo multilayers Text. / J. M. Freitag, В. M. Clemens // J. Appl. Phys. 2001. - Vol. 89. -No. 2.-P. 1101-1107.

56. Maury, H. Non-destructive x-ray study of the interphases in Mo/Si and Mo/B4C/Si/B4C multilayers Text. / H. Maury, P. Jonnard, J.-M. Andre [et al.] // Thin Solid Films 2006. Vol. 514. - P. 278-286.

57. Jakobs, S. Interfacial roughness and related scatter in ultraviolet optical coatings: a systematic experimental approach Text. / S. Jakobs, A. Duparre, H. Truckenbrodt // Appl. Opt.- 1998.-Vol. 37.-No. 7.-P. 1180-1193.

58. Кютт, P. H. Сравнительный анализ дифракции Брэгга и Лауэ от сверхрешеток CdF2-CaF2 на Si (111) Текст. / Р. Н. Кюгт, А. 10. Хилько, II. С. Соколов [и др.] // ФТТ- 1998.-Т. 40,-Вып. 8,- С. 1563 1569.

59. Сутурин, С. М. Эпитаксиальные фториды кальция и кадмия на Si(l 11) и Si(001): рост и свойства низкоразмерных гетероструктур. Текст. / С. М. Сутурин канд. диссер. - СПб, 2002.

60. Kyutt, R. N. Laue x-ray diffraction from heterostructures: CdFjrCaF? superlattices on Si(l 11) Text. / R. N. Kyutt, A. Yu. Khilko, N. S. Sokolov // Appl. Phys. Lett. 1997.- Vol. 70. No. 12. - P. 1563-1565.

61. Sokolov, N. S. Molecular beam epitaxy of CdF2 layers on CaF2(lll) and Si(lll) Text. / N. S. Sokolov, S. V. Gastev, S. V. Novikov [et al.] // Appl. Phys. Lett. 1994.- Vol. 64. No. 22. - P. 2964-2966.

62. Sokolov, N. S. CdF2-CaF2 superlattices on Si(lll): MBE growth, structural and luminescence studies Text. / N. S. Sokolov, S. V. Gastev, A. Yu. Khilko [et al.] // J. Cryst. Growth 1999. - Vol. 201/202. P. 1053-1056.

63. Khilko, A. Yu. Structural and luminescence studies of CdF2-CaF2. superlattices on Si(lll) Text. / A. Yu. Khilko, S. V. Gastev, R. N. Kyutt [et al.] // Appl. Surf. Sei. -1998.-Vol. 123/124,-P. 595-598.

64. Sokolov, N. S. MBE growth peculiarities of fluoride (CdF2-CaF2) thin film structures Text. / N. S. Sokolov, S. M. Suturin // Thin Sol. Films 2000. - Vol. 367.- P. 112119.

65. Вальковский, Г. А. Исследование структуры и люминесцентных свойств сверхрешеток CdF2-CaF2 на Si (111) Текст. / Г. А. Вальковский, М. В. Дурнев, М. В. Заморянская [и др.] // ФТТ будет опубликована.

66. Zukauskas, A. Introduction to Solid-State Lighting Text. / A. Zukauskas, M. Shur, R. Gaska. New-York: John Willey&Sons, 2002. 213 p.

67. Cho, Y.-H. Carrier loss and luminescence degradation in green-light-emitting InGaN quantum wells with micron-scale indium clusters Text. / Y.-H. Cho, S. K. Lee, H. S. Kwack [et al.] // Appl. Phys. Lett.- 2003. Vol. 83. - No. 13. -P. 2578 -2580.

68. Lundin, W. V. Single quantum well deep-green LEDs with buried InGaN/GaN short-period superlattice Text. / W. V. Lundin, A. E. Nikolaev, A. V. Sakharov [et al.] // J. Cryst. Growth-2011.-Vol. 315.-P. 267-271.

69. Li, S. Influence of a p-InGaN/GaN short-period superlattice on the performance of GaN-based light-emitting diodes Text. / S. Li, Q. Wu, G. Fan [et al.] // Semicond. Sei. Technol. 2009. - Vol. 24. - No. 8. - P. 085016.

70. Liu, С. II. Tunnelling efficiency of n+-InGaN/GaN short period superlattice tunnelling contact layer for nitride-based light emitting diodes Text. / С. H. Liu, Y. K. Su, L. W. Wu [et al.]//Semicond. Sei. Technol. 2003.-Vol. 18. No. 6. - P. 545.

71. Bae Seongtae. Spin Valves in Spintronics Applications: Materials, Device Applications, and Electrical Text. / Bae Seongtae, Jack II. Judy VDM Verlag Dr. Muller, - 2010. - ISBN: 978-3639234794.

72. Suturin, S. M. Structural properties of (111)-, (110)- and (OOl)-oriented cobalt nanoparticles grown on CaF2/Si Text. / S. M. Suturin, V. V. Fedorov. A. M. Korovin [et. al.] // J. Appl. Cryst. to be published

73. Pasquali, L. Text. / L. Pasquali, S. M. Suturin, N. S. Sokolov [et. al.] // Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. В -2002. Vol. 193. P. 474.

74. Sokolov, N. S. Initial stages of MBE growth and formation of CaF2/Si(001) high-temperature interface Text. /N. S. Sokolov, S. M. Suturin, V. P. Ulin [et. al.] // Appl. Surf. Sei. 2004. - Vol. 234. - No. 1-4. - P. 480-486.

75. Pasquali, L. Formation of CaF2 nanostructures on Si(001) Text. / L. Pasquali, S. D' Addato, G. Selvaggi [et. al.] // Nanotechnology 2001. - Vol. 12. No. 4. P. 403-408.

76. Pasquali, L. Calcium fluoride on Si(001): Adsorption mechanisms and epitaxial growth modes Text. / L. Pasquali, S. M. Suturin, V. P. Ulin [et. al.] // Phys. Rev. B. 2005. Vol. 72. - P. 0454481 0454495.

77. Suturin, S. M. Initial Stages of High-Temperature CaFi/Si(001) Epitaxial Growth Studied by Surface X-Ray Diffraction Text. / S. M. Suturin, N. S. Sokolov, A. G. Banshchikov [et. al.] // J. Nanosci. and Nanotechnol. 2011. Vol. 11. P. 1 7.

78. Suturin, S. M. STM and LED studies of CaF? submonolayer coverage on Si(001) Text. / S. M. Suturin, N. S. Sokolov, J. Roy [et. al.] // Surf. Sei. 2011. - Vol. 605. -P. 153-157.

79. Nanoscope Software User Guide 7.30 Text., Veeco Instruments Inc. 2008. 361 p.

80. Asadchikov, V. E. Application of X-ray scattering technique to the study of supersmooth surfaces Text. / V. E. Asadchikov, I. V. Kozhevnikov, Yu. S. Krivonosov [et al.] // Nucl. Instrum. Methods A 2004. - Vol. 530.-P. 575-595.

81. Kozhevnikov, I. V. Analysis of X-ray scattering from a rough multilayer mirror in the first-order perturbation theory Text. /1. V. Kozhevnikov // Nucl. Instrum. Methods A 2003. - Vol. 498.-P. 482-495.

82. Asadchikov, V. E. X-ray and AFM studies of ultrathin films for EUV and soft X-ray application Text. / V. E. Asadchikov, A. Duparre, I. V. Kozhevnikov [et al.] // SPIE 1999. -Vol. 3738.-P. 387 393.

83. Asadchikov, V. E. X-ray study of surfaces and interfaces Text. / V. E. Asadchikov. I. N. Bukreeva, A. Duparre [et al.] // Proc. SPIE 1999. - Vol. 4449. -P. 253-264.

84. База данных по порошковым дифрактограммам неорганических и органических веществ ICDD electronic resource., -www.icdd.com. PDF-2. -2005.

85. Kruijs, R. W. E. Nano-size crystallites in Mo/Si multilayer optics Text. / R.W.E. van de Kruijs, E. Zoethout, A.E. Yakshin [et al.] // Thin Solid Films 2006. - Vol. 515. -P. 430-433.

86. Ulyanenkov, A. LEPTOS: a universal software for x-ray reflectivity and diffraction Text. / A. Ulyanenkov // Proc. SPIE 2004. Vol. 5536. - P. 1-15.

87. Erko, A. Modern developments in x-ray and neutron optics Text. / A. Erko, M. Idir, T. Krist [et al.] Berlin: Springer, - 2008. - 534 p.

88. Kaganer, V. M. Bragg diffraction peaks in x-ray diffuse scattering from multilayers with rough interfaces Text. / V. M. Kaganer, S. A. Stepanov, R. Kohler // Phys. Rev. B- 1995.-Vol. 52.-P. 16369-16372.

89. Lee, S. Y. Text. / S. Y. Lee, S. M. Hur, H. J. Kim // Jpn. J. Appl. Phys. 2002. -Vol. 41.-No. 1.-P. 4086.

90. Siffalovic, P. Characterization of Mo/Si soft X-ray multilayer mirrors by grazing-incidence small-angle X-ray scattering Text. / P. Siffalovic, E. Majkova, L. Chitu [et. al.] // Vacuum. 2010. - Vol. 84,- P. 19-25.

91. Salditt, T. Determination of the static scaling exponent of self-affine interfaces by nonspecular x-ray scattering Text. / T. Salditt, T. H. Metzger, Ch. Brandt [et. al.] // Phys. Rev. B. 1995. - Vol. 51. - No. 9. - P. 5617-5627.

92. Salditt, T. Interfacial roughness and related growth mechanisms in sputtered W/Si multilayers Text. / T. Salditt, D. Lott, T. H. Metzger [et. al.] // Phys. Rev. B. 1996. -Vol. 54. - No. 8. - P. 5860-5872.

93. The Center for x-ray optics Electronic resource. / Official web page Berkeley lab - http://www.cxro.lbl.gov. (access 05.11.2012)

94. Farrow, R. F. C. / R. F. C. Farrow, P. W. Sullivan, G. M. Williams // J. Vac. Sei. Techno 1. 1981.-Vol. 19 -No. 3. -P. 415.

95. Hytch, M. J. Quantitative measurement of displacement and strain fields from UREM micrographs Text. / M. J. Hytch, E. Snoeck, R. Kilaas // Ultramicroscopy -1998.-Vol. 74.-No. 3. -P. 131-146.

96. Besyulkin A. I. Surface control of light-emitting structures based on Ill-nitrides Text. / A. I. Besyulkin, A. P. Kartashova, A. G. Kolmakov [et al.] // Phys. stat. sol. (c) -2005.-Vol. 2.-P. 837-840.

97. Sokolov, N. S. Cobalt epitaxial nanoparticles on CaF2 / Si(l 11): growth processes, structure and magnetic properties Text. / N. S. Sokolov, S. M. Suturin, T. Shimada [et. al.] // Phys. Rev. B to be published

98. Lazzari, R. IsGlSAXS software package Electronic resource. / R. Lazzari -Version 2.6, http://ln-www.insp.upmc.fr/axe4/Oxydes/IsGISAXS/isgisaxs.htm

99. Siffalovic, P. Measurements of nanopatterned surfaces by real and reciprocal space techniques Text. / Siffalovic, K. Vegso, M. Jergel [et. al.] // Measurement Science Rev. -2010.-Vol. 10.-No. 5.-P. 153-156.

100. Siffalovic, P. Self-assembly of iron oxide nanoparticles studied by time-resolved grazing-incidence small-angle x-ray scattering Text. / P. Siffalovic, E. Majkova. L. Chitu [et. al.] // Phys. Rev. B 2007. - Vol. 76. - P. 195432-195439.

101. Tong, W. M. Atomic Force Microscope Study of Growth Kinetics: Scaling in the Heteroepitaxy of CuCl on CaF2(lll) Text. / W. M. Tong, S. Williams, A. Yanase [et. al.] // Phys. Rev. Lett. 1994. - Vol. 72. - P. 3374-3377.

102. Kardar, M. Dynamic Scaling of Growing Interfaces Text. / M. Kardar, G. Parisi. Y-C. Zhang // Phys. Rev. Lett. 1986. Vol. 56. P. 889 -892.