Исследование работоспособности сегнетокерамических конденсаторов при повышенных электрических нагрузках тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.09.02, кандидат наук Плотников Андрей Павлович

• Плотников Андрей Павлович
• кандидат наук
• 2019

Оглавление диссертации кандидат наук Плотников Андрей Павлович

Введение

1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР

1.1. Основные сведения о многослойных керамических конденсаторах

1.2. Технология производства и основные конструкции многослойных керамических конденсаторов

1.3. Основные сведения о сегнетоэлектриках и сегнетоэлектрических материалах

1.4. Температурные и полевые нелинейные зависимости характеристик сегнетокерамических конденсаторов

1.5. Выводы и постановка задач исследования

2. МЕТОДИКИ ИССЛЕДОВАНИЯ

2.1. Объекты исследования

2.2. Исследование температурно-частотных характеристик сегнетокерамических конденсаторов

2.3. Исследование температурно-полевых характеристик сегнетокерамических конденсаторов

2.4. Исследование температурной зависимости удельной проводимости сегнетоэлектрика

2.5. Исследование кратковременной электрической прочности сегнетокерамических конденсаторов

2.6. Исследование работоспособности сегнетокерамических конденсаторов при повышенных электрических нагрузках

2.6.1. Экспериментальный стенд

2.6.2. Измерение температуры поверхности конденсаторов

2.6.3. Расчет эффективных параметров сегнетокерамических конденсаторов

2.7. Статистическая обработка экспериментальных данных

Выводы

3. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ НЕЛИНЕЙНЫХ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК СЕГНЕТОКЕРАМИЧЕСКИХ КОНДЕНСАТОРОВ

3.2. Температурно-частотные характеристики относительной диэлектрической проницаемости и фактора потерь

3.3. Температурно-полевые характеристики относительной диэлектрической проницаемости и фактора потерь

3.4. Температурная зависимость удельной проводимости сегнетоэлектрика .. 79 Выводы

4. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ КРАТКОВРЕМЕННОЙ ЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПРОЧНОСТИ СЕГНЕТОКЕРАМИЧЕСКИХ КОНДЕНСАТОРОВ

4.2. Функции распределения электрической прочности исследуемых конденсаторов

4.3. Влияние повышенной температуры на среднюю электрическую прочность

сегнетокерамических конденсаторов

Выводы

5. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ РАБОТОСПОСОБНОСТИ СЕГНЕТОКЕРАМИЧЕСКИХ КОНДЕНСАТОРОВ ПРИ ПОВЫШЕННЫХ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ НАГРУЗКАХ

5.2. Изучение зависимости среднего срока службы от напряжения на конденсаторе

5.3. Изучение зависимостей эффективных параметров конденсатора в условиях

воздействия испытательного напряжения

Выводы

6. ТЕОРЕТИЧЕСКОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ

6.2. Точные решения уравнений заряда-разряда нелинейной емкости

6.3. Методика определения зависимости емкости от напряжения импульсным

разрядом испытуемого конденсатора

Выводы

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

118

Список сокращений и условных обозначений

ТУ - технические условия;

ТСЕ - температурная стабильность емкости;

MLCC - многослойный керамический конденсатор (англ. multilayer ceramic capacitor)

ТКЕ - температурный коэффициент емкости

ТКе - температурный коэффициент диэлектрической проницаемости;

EIA - Альянс отраслей электронной промышленности (англ. Electronic Industries

Alliance)

МЭК - Международная электротехническая комиссия;

PME - электрод из драгоценного металла (англ. precious metal electrode);

NME - электрод из драгоценного металла (англ. noble metal electrode);

BME - электрод из цветного метала (англ. base metal electrode);

REE - редкоземельные элементы (англ. rare earth elements);

ESL - эквивалентная последовательная индуктивность (англ. equivalent series inductance);

ESR - эквивалентное последовательное сопротивление (англ. equivalent series resistance);

РФП - размытый фазовый переход; ЗОС - зонально-оболочечная структура;

SMD - устройство для поверхностного монтажа (англ. surface-mount device);

кп - коэффициент перегрузки;

Цном - номинальное напряжение конденсатора;

тсл - срок службы конденсатора;

Ps - спонтанная поляризованность сегнетоэлектрика;

Едеп - электрическое поле деполяризации;

№деп - энергия электрического поля деполяризации;

- остаточная поляризованность сегнетоэлектрика; Ее - коэрцитивная сила; Тс - температура фазового перехода (Кюри); исм - напряжение постоянного смещения; Сном - номинальная емкость конденсатора;

Траб - рабочая температура конденсатора (интервал рабочих температур);

ка - коэффициент активного объема конденсатора;

ипр - пробивное напряжение конденсатора;

Епр - электрическая прочность конденсатора;

Сэфф - эффективная емкость конденсатора;

tgЬЭфф - эффективный тангенс угла диэлектрических потерь конденсатора; Жа - энергия активации проводимости диэлектрика; Квар - коэффициент вариации электрической прочности конденсатора; £пр - средняя электрическая прочность;

Ес - действующее значение напряженности электрического поля на конденсаторе.

Введение

Одной из важных тенденций развития радиоэлектронной и электрофизической аппаратуры является миниатюризация. Уменьшение массогабаритных показателей может быть достигнуто за счет использования новых типов интегральных схем, повышения плотности монтажа, использования новых конструкций пассивных элементов в составе аппаратуры. Сегнетокерамические многослойные конденсаторы широко применяются в современной аппаратуре в силу ряда преимуществ: высокая удельная емкость на единицу поверхности и объема, широкий диапазон номинальных емкостей, напряжений и рабочих температур. В последние десятилетия наметилась тенденция вытеснения сегнетокерамическими конденсаторами электролитических и, в ряде случаев, пленочных конденсаторов из электронной аппаратуры. Область применения сегнетокерамических конденсаторов также расширяется в сторону высоковольтной импульсной преобразовательной техники - силовых инверторов и выпрямителей, отличающихся высокими токовыми нагрузками. В силу различных причин сегнетокерамические конденсаторы в составе указанной аппаратуры могут испытывать кратковременные и длительные перегрузки, что негативно сказывается на сроке службы конденсатора и аппаратуры в целом. Между тем доля конденсаторов в современной аппаратуре достигает 25 - 30 % от всех элементов схемы. Срок службы сегнетокерамических конденсаторов в обычных режимах эксплуатации достигает 10 - 20 тыс. ч. Технические условия (ТУ) не позволяют оценить работоспособность конденсаторов в условиях повышенных электрических и тепловых нагрузок. Вместе с тем имеются такие виды электронной и электротехнической аппаратуры, которые эксплуатируются в течение относительно коротких сроков службы. В условиях сокращенных сроков службы использование сегнетокерамических конденсаторов в составе такой аппаратуры благодаря их высоким удельным характеристикам могло бы существенно повысить массогабаритные и технико-экономические характеристики оборудования за счет увеличения нагрузки на конденсатор относительно регламентируемой ТУ. Прогнозирование работоспособности сегнетокерамических конденсаторов при

повышенных нагрузках затруднено практическим отсутствием литературных сведений по данному вопросу и сильными нелинейными зависимостями электрофизических параметров конденсаторов от температуры и напряжения. В этой связи представляется актуальным проведение соответствующих экспериментальных и теоретических исследований.

На основании изложенных рассуждений была определена цель работы:

Обосновать возможность применения сегнетокерамических конденсаторов при повышенных электрических нагрузках в условиях коротких сроков службы.

Для достижения поставленной цели были сформулированы следующие задачи:

1) Разработать необходимые методики и установки для изучения работоспособности сегнетокерамических конденсаторов в условиях повышенных нагрузок;

2) Экспериментально исследовать нелинейные электрофизические характеристики сегнетокерамических конденсаторов в широком диапазоне температур, частот и напряженностей электрического поля;

3) Экспериментально исследовать влияние параметров нагрузки на срок службы различных типов сегнетокерамических конденсаторов;

4) Провести соответствующее математическое моделирование режимов работы исследуемых конденсаторов.

Научная новизна:

1) Получены температурно-частотные и температурно-полевые характеристики сегнетокерамических конденсаторов в широком диапазоне воздействующих факторов: частот 0.1 Гц - 5 МГц, напряженностей электрического поля 0.1 - 20 кВ/мм, температур 20 - 300 °С. Обнаружена спадающая полевая зависимость фактора потерь, пропорциональная Е'2 при температурах до 240 °С, и ее последующий степенной рост;

2) Получены температурные зависимости удельной проводимости сегнетокерамических конденсаторов в диапазоне температур 20 - 300 °С,

обнаружено два характерных участка проводимости, соответствующих разным энергиям активации. Анализ полученных зависимостей выявил существование механизма резкого роста потерь в высокотемпературной области, который обусловлен термоактивационным характером удельной проводимости сегнетоэлектрика;

3) Установлены закономерности зависимостей среднего срока службы для исследуемых типов конденсаторов от напряжения в диапазоне 20 - 700 с для коэффициента перегрузки £п = 2 - 11 относительно ином и частот 100 Гц, 400 Гц, 1 кГц. Обнаружено, что срок службы исследуемых конденсаторов описывается степенным законом вида тсл ~Л ■ ип, с характерными значениями п = 1 - 2, при этом &п обратно пропорционален частоте приложенного напряжения;

4) Предложена и теоретически обоснована математическая модель нелинейной зависимости емкости сегнетокерамического конденсатора от напряжения;

5) Получены точные аналитические решения и энергетические соотношения характеристик процессов заряда-разряда нелинейной емкости. Результаты расчета подтверждаются экспериментальными данными.

Теоретическая и практическая значимость:

1) Разработаны методики определения температурно-частотных и температурно-полевых характеристик сегнетокерамических конденсаторов в диапазоне частот от 0.1 Гц до 5 МГц, температур от 20 до 300 °С и напряжений до 120 В;

2) Разработаны методики изучения удельной проводимости сегнетоэлектрика и кратковременной электрической прочности конденсаторов на постоянном напряжении и их температурных зависимостей в диапазоне температур от 20 до 300 °С;

3) Создан экспериментальный стенд для исследования работоспособности конденсаторов при повышенных электрических нагрузках

вплоть до 12 ином, в том числе разработана методика измерения температуры поверхности конденсатора с помощью метода радиационной пирометрии;

4) Установлено, что функции распределения электрической прочности для всех конденсаторов подчиняются нормальному закону, при этом средняя электрическая прочность конденсаторов X7R и Y5V линейно спадает с температурой, уменьшаясь на 67 и 64 % относительно комнатной температуры соответственно, а конденсаторов Z5U и Н50 - остается практически постоянной вплоть до 240 ° , уменьшаясь на 24 и 22 % относительно комнатной температуры соответственно;

5) Получены зависимости эффективных емкости и тангенса угла диэлектрических потерь исследуемых конденсаторов от напряженности электрического поля и от величины перегрева поверхности конденсатора. Обнаружено, что конденсаторы типа X7R обладают максимальным кп относительно рабочей напряженности электрического поля;

6) Предложена и обоснована методика определения нелинейной зависимости емкости сегнетокерамического конденсатора от напряжения с помощью импульсного разряда испытуемого конденсатора.

Методология и методы исследования

Для исследования работоспособности сегнетокерамических конденсаторов при повышенных электрических нагрузках был создан специальный испытательный стенд, отличающийся возможностью получать напряжения различной формы с действующим значением до 600 В и частотой от 45 Гц до 1 кГц в условиях непрерывного мониторинга температуры конденсаторов. Для проведения экспериментальных исследований были разработаны методики изучения температурно-частотных и температурно-полевых характеристик конденсаторов, методики изучения температурной зависимости удельной проводимости сегнетоэлектрика и кратковременной электрической прочности конденсаторов, а также методика измерения температуры поверхности конденсатора с помощью радиационной пирометрии.

Исследования проводились на серийно выпускаемых конденсаторах как отечественного, так и импортного производства различных групп температурной стабильности емкости (ТСЕ) емкостью 0.47 - 1 мкФ и номинальным напряжением 50 В.

Положения, выносимые на защиту:

1) Полученный комплекс экспериментальных данных нелинейных электрофизических характеристик сегнетокерамических конденсаторов позволяет прогнозировать их работоспособность в диапазоне частот 0.1 Гц - 5 МГц, температур 20 - 300 °С и напряжений до 120 В.

2) Полученные температурные зависимости электрической прочности исследуемых конденсаторов типа Х7Я и У5У спадают линейно с температурой, в то время как для конденсаторов типа 75и и Н50 - меняются незначительно.

3) Выявленная зависимость срока службы сегнетокерамических конденсаторов при повышенных нагрузках подчиняется степенному закону тсл ~ Л-и'п, где п =

4) Механизм отказа сегнетокерамических конденсаторов в исследованных режимах - тепловой пробой, обусловленный термоактивационным характером удельной проводимости и ее полевой зависимостью в области высоких температур.

5) Предложенная математическая модель нелинейной зависимости емкости сегнетокерамического конденсатора от напряжения и полученные на ее основе точные аналитические решения адекватно описывают экспериментальные результаты для режимов заряд-разряд.

6) Результаты расчета по разработанной методике определения нелинейной зависимости емкости сегнетокерамического конденсатора от напряжения с помощью импульсного разряда испытуемого конденсатора удовлетворительно согласуются с данными прямых измерений.

Реализация результатов работы

Результаты диссертационной работы были использованы в АО «НИИ «ГИРИКОНД», а также в учебном процессе кафедры «Техника высоких напряжений, электроизоляционная и кабельная техника» ФГАОУ ВО «СПбПУ» для студентов, обучающихся по направлению 13.04.02 «Электроэнергетика и электротехника» (акты использования прилагаются).

Достоверность полученных результатов обеспечивается использованием современной измерительной аппаратуры, большим объемом экспериментальных данных и их корректной статистической обработкой, а также использованием современных программных пакетов MathCAD и MATLAB для выполнения математических расчетов и численного моделирования электрофизических процессов.

Личный вклад автора определяется участием в постановке задач исследования, разработке и создании экспериментальных установок, а также методик измерения, проведении экспериментальных и теоретических исследований, обработке и анализе полученных данных. Основные результаты работы получены автором лично.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Исследование работоспособности сегнетокерамических конденсаторов при повышенных электрических нагрузках»

Апробация работы

Результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на:

■ XLI, XLII, XLIII, XLIV Научно-практических конференциях «Неделя науки СПбПУ» с международным участием (Санкт-Петербург, 2012 - 2015 гг.);

■ 1ой международной конференции по диэлектрикам 1st IEEE International Conference on Dielectrics ICD 2016 (Montpellier, 2016 г.);

■ 2ой международной конференции по диэлектрикам 2nd IEEE International Conference on Dielectrics ICD 2018 (Budapest, 2018 г.).

Структура и объем диссертационной работы

Работа состоит из введения, шести глав, заключения, списка литературы из 166 наименований. Диссертация изложена на 133 страницах, содержит 77 рисунков и 11 таблиц.

Публикации

По теме диссертации опубликовано 15 печатных работ, в том числе 9 в изданиях, рекомендованных ВАК, из них 7 - индексируемые в базах Scopus и Web of Science:

1. Плотников, А. П. Экспериментальное исследование и анализ процессов заряда-разряда нелинейных керамических конденсаторов / А. П. Плотников, О. А. Емельянов // Научно-технические ведомости СПбПУ. Естественные и инженерные науки. - 2016. - №. 2 (243). - С. 80-87. (рекомендовано ВАК)

2. Emelyanov, O. Ferroelectric capacitors in pulsed modes: Experimental study and analytical calculations / O. Emelyanov, A. Plotnikov // IEEE 1st International Conference on Dielectrics. - 2016. - Vol. 2. - P. 893-896. (рекомендовано ВАК, индексируется в Scopus и Web of Science)

3. Emel'yanov, O. A. Determining the Dependence of the Capacitance of Ferro-Ceramic Capacitors on Voltage by the Pulse Discharge Method / O. A. Emel'yanov, A. P. Plotnikov // Measurement Techniques. - 2017. - Vol. 60. - I. 9. -P. 922-927. (рекомендовано ВАК, индексируется в Scopus и Web of Science)

4. Belko, V. Current pulse polarity effect on metalized film capacitors failure / V. Belko, D. Glivenko, O. Emelyanov, I. Ivanov, A. Plotnikov // IEEE Transactions on Plasma Science. - 2017. - Vol. 45, No. 6. - P. 1020-1025. (рекомендовано ВАК, индексируется в Scopus и Web of Science)

5. Belko, V. Influence of current overload mode on metal-film capacitor parameters / V. Belko, O. Emelyanov, I. Ivanov, A. Plotnikov // IEEE 58th International Scientific Conference on Power and Electrical Engineering of Riga

Technical University (RTUCON). - 2017. P. 1-5. (рекомендовано ВАК, индексируется в Scopus и Web of Science)

6. Plotnikov, A. Performance of BaTiO3-based multilayer ceramic capacitors under high AC loads / A. Plotnikov, O. Emelyanov, V. Belko // IEEE 2nd International Conference on Dielectrics. - 2018. P. 1-4. (рекомендовано ВАК, индексируется в Scopus и Web of Science)

7. Плотников, А.П. Исследование импульсной электрической прочности современных чип-конденсаторов: I. Основные экспериментальные результаты / А. П. Плотников, О. А. Емельянов, В. О. Белько, Р. А. Курьяков // Научно-технические ведомости СПбПУ. Естественные и инженерные науки. - 2018. № 1. - С. 50-59. (рекомендовано ВАК)

8. Belko, V. Performance of Metal-Film Capacitors in Current Overload Mode / V. Belko, O. Emelyanov, I. Ivanov, A. Plotnikov, D. Glivenko // IEEE 2nd International Conference on Dielectrics. - 2018. P. 1-4. (рекомендовано ВАК, индексируется в Scopus и Web of Science)

9. Feklistov, E. G. Study of frequency-and temperature-dependent electric conductivity of polypropylene-carbon black nanocomposites / E. G. Feklistov, A. P. Plotnikov, E. S. Tsobkallo // IEEE Conference of Russian Young Researchers in Electrical and Electronic Engineering. - 2017. - P. 1148-1151. (рекомендовано ВАК, индексируется в Scopus и Web of Science)

10. Плотников, А. П. Изучение динамических и энергетических характеристик дугового разряда в субмиллиметровых промежутках / А. П. Плотников, В. О. Белько // Сборник XLI Неделя науки СПбГПУ: Ч. II. - СПб.: Изд-во Политехн. Ун-та, 2012. С. 68 - 69.

11. Плотников, А. П. Экспериментальное изучение вольт-амперной характеристики дугового разряда в субмиллиметровых промежутках / А. П. Плотников, В. О. Белько // Сборник XLII Неделя науки СПбГПУ: Ч. 1. - СПб.: Изд-во Политехн. Ун-та, 2014. С. 26 - 28.

12. Плотников, А. П. Изучение процесса инициации микродуговых разрядов при самовосстановлении в металлопленочных конденсаторах / А. П.

Плотников // Сборник ХЬШ Неделя науки СПбПУ: ИЭиТС СПбПУ. Ч.1. - СПб.: Изд-во Политехн. Ун-та, 2015. - 272 с.

13. Плотников, А. П. Изучение характеристик современных керамических конденсаторов с нелинейным диэлектриком / А. П. Плотников, О. А. Емельянов // Сборник ХЫУ Неделя науки СПбПУ: материалы научного форума с международным участием. Институт энергетики и транспортных систем. Часть 2. - СПб.: Изд-во Политехн. Ун-та, 2015. - 250 с.

14. Плотников, А. П. Изучение энергоэффективности современных керамических конденсаторов с нелинейным диэлектриком / А. П. Плотников, О. А. Емельянов // Сборник ХЫУ Неделя науки СПбПУ: материалы научного форума с международным участием. Лучшие доклады. - СПб.: Изд-во Политехн. Ун-та, 2016. - 408 с.

15. Феклистов, Е. Г. Экспериментальное исследование механизма электропроводности композиционных материалов на основе полипропиленовой матрицы и углеродных наполнителей / Е. Г. Феклистов, Е. С. Цобкалло, А. П. Плотников // Неделя науки СПбПУ: материалы научной конференции с международным участием. Институт энергетики и транспортных систем. Ч. 2. -СПб.: Изд-во Политехн. Ун-та, 2016. - 216 с

1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР

1.1. Основные сведения о многослойных керамических конденсаторах

Многослойные керамические конденсаторы (англ. MLCC - multilayer ceramic capacitors) являются одним из наиболее массово выпускаемых пассивных электронных компонентов. Из общего количества выпускаемых сегодня в мире конденсаторов около 90% являются керамическими. Мировой объем производства MLCC достигает порядка триллиона (1012) штук ежегодно [1-3]. В современной электронной аппаратуре MLCC находят широкое и разнообразное применение в цепях блокировки, развязки, фильтрации и пр. Столь широкое распространение MLCC обусловлено рядом их важных преимуществ [4-7]:

1) возможность реализации широкого диапазона емкостей от 0.1 пФ до 100 мкФ;

2) разнообразие электрических характеристик: широкий частотный диапазон, возможность задать определенный температурный коэффициент емкости (ТКЕ);

3) простота конструкции, не требующей специального корпуса, как следствие, низкая трудоемкость, материалоемкость и стоимость, т.е. высокая технологичность конструкции;

4) высокая надежность и работоспособность в разнообразных эксплуатационных условиях;

5) конструктивная совместимость с гибридными интегральными схемами, плоскими модулями и другими узлами радиоэлектронной аппаратуры.

На рисунке 1.1. показаны диапазоны рабочих напряжений и емкостей конденсаторов, применяемых в современной электронной аппаратуре: алюминиевых и танталовых электролитических, пленочных полимерных и многослойных керамических. Видно, что MLCC выгодно отличаются от других типов конденсаторов, уступая, однако, пленочным конденсаторам по

максимальному рабочему напряжению и электролитическим конденсаторам по

максимальном емкости.

Рисунок 1.1 - Сравнение диапазонов емкостей и рабочих напряжений конденсаторов различных типов [8-10]

Для производства МЬСС используется большое количество различных керамических материалов с разнообразными электрическими свойствами. Относительная диэлектрическая проницаемость е' применяемых материалов лежит в широких пределах от 5 до 100000 [11,12], а температурный коэффициент диэлектрической проницаемости ТКе варьирует от нескольких миллионных долей до процента на один градус. Современные коммерчески доступные керамические конденсаторные материалы разделяются на три типа по областям применения.

I Тип - диэлектрики с относительно низкой диэлектрической проницаемостью е' = 5 - 150 и небольшим тангенсом диэлектрических потерь tg5 = (1 - 5)-10-4 [13]. Обычно обладают линейной зависимостью е' от температуры, характеризующейся постоянным температурным коэффициентом. Конденсаторы на основе диэлектриков этого типа классифицируются по температурному коэффициенту емкости. ТКЕ конденсаторов определяется следующим образом [14]

ТКЕ = —1—(11)

С АТ

С20оС АТ

где С20°с - емкость конденсатора при комнатной температуре, АС - разность емкостей при комнатной и повышенной (или пониженной температуре), АТ -разность температур.

В отечественной практике принята кодировка ТКЕ с помощью букв «М» и «П», соответствующих отрицательному и положительному ТКЕ, и цифры, обозначающей номинальный ТКЕ в миллионных долях обратного градуса. Так, конденсаторы с ТКЕ = -750-10"6 К-1 имеют кодировку М750 [15]. Конденсаторы с номинальным значением ТКЕ = 0 кодируются символом МП0. В таблице 1.1 приведен ряд керамических материалов для конденсаторов I типа и их свойства. Не следует путать ТКЕ и ТКе, так как последний является характеристикой материала, а не конденсатора в целом.

Таблица 1.1 - Керамические материалы конденсаторов I типа и их свойства [4]

Группа ТКе е' при 20° и f = 1 МГЦ Интервал рабочих температур, °С Основная кристаллическая фаза

М1500 150 -60 - +155 CaTiÜ3

М750 100 -60 - +315 CaTiÜ3 - LaAlÜ3

80 -60 - +85 TiÜ2

М75 - МП0 40 - 50 -60 - - +315 CaTiÜ3 - LaAlÜ3

17 - 20 -60 - - +155 CaSnÜ3 - CaZnÜ3 - CaTiÜ3

М47 - МП0 80 -60 - - +125 Ba(NdBi)2Ti4Ü12

П33 35 -60 - - +315 CaTiÜ3 - LaAlÜ3

15 -60 - - +155 CaSnÜ3 - CaZnÜ3 - CaTiÜ3

В зарубежной практике принята другая система обозначения, определенная стандартом EIA (Альянс отраслей электронной промышленности, англ. Electronic Industries Alliance) № 198 [16]. Первый буквенный символ в этой системе обозначает величину ТКе в миллионных долях на обратный градус (ppm/°C), второй в виде цифры обозначает множитель, а третий буквенный символ -допустимое отклонение ТКе. В таблице 1.2 приведена система EIA с расшифровкой обозначений.

Таблица 1.2 - Система обозначений Е1А для керамических материалов I типа [3]

Первый символ Второй символ Третий символ

Обозначение ТКе, ррт/°С Обозначение Множитель Обозначение Допуск, ррт/°С

С 0 0 -1 О ±30

В 0.3 1 -10 н ±60

ь 0.8 2 -100 I ±120

А 0.9 3 -1000 к ±250

м 1 5 +1 ь ±500

р 1.5 6 +10 м ±1000

я 2.2 7 +100 N ±2500

Б 3.3 8 +1000

т 4.7

V 5.6

и 7.5

Конденсаторы на основе керамических диэлектриков I типа применяются в тех приложениях, в которых критически важны стабильность ёмкости и малые потери, таких как резонансные контуры, времязадающие цепи и т.п.

II Тип - сегнетоэлектрики с высокими значениями е' > 1000 и характерными значениями tg5 = (1 - 3)-10"2. Они отличаются нелинейной температурной и полевой зависимостями диэлектрической проницаемости. В случае керамических материалов II типа ТКе неприменим в силу нелинейной зависимости емкости от температуры. В отечественной литературе используется понятие температурной стабильности емкости (ТСЕ), определяемой следующим образом [1]

ТСЕ = -100%, (1.2)

С20 оС

где АС - разность емкостей при комнатной и повышенной (или пониженной) температуре, С20°с - емкость конденсатора при комнатной температуре. Таким образом, ТСЕ является относительным изменением ёмкости в рабочем интервале температур.

Сложилось несколько систем кодировки керамических материалов II типа и конденсаторов на их основе. В отечественной практике используется система обозначений в виде буквы «Н» и цифры, обозначающей допустимый процент относительного изменения емкости в интервале рабочих температур [17]. Интервал

рабочих температур при этом задается отдельно, поэтому, например, конденсатор группы ТСЕ Н30 в интервале рабочих температур (-60 + +85°С) в расширенном интервале температур (-60 ++125°) может уже не удовлетворять этой группе ТСЕ и относиться к группе Н50.

За рубежом применяются две системы кодировки ТСЕ керамических материалов II типа. Первая весьма распространенная система, определенная стандартом Е1А №198, основана на трехзначном символе, в котором закодирован интервал рабочих температур и допустимая ТСЕ [18]. В отличие от отечественной системы, ТСЕ в этой системе привязана к интервалу рабочих температур. Первый буквенный знак определяет нижнюю границу интервала рабочих температур, второй, в виде цифры - верхнюю границу интервала рабочих температур, третий буквенный знак - допустимое изменение емкости в интервале рабочих температур [19]. В таблице 1.3 приведена система Е1А для керамических материалов II типа с расшифровкой обозначений.

Таблица 1.3 - Система обозначений Е!А для керамических материалов II типа [3]

Первый символ Второй символ Третий символ

Обозначение Нижний температурный предел, °С Обозначение Верхний температурный предел, °С Обозначение Допустимое изменение емкости, %

Ъ +10 4 +65 А ±1

У -30 5 +85 В ±1.5

X -55 6 +105 С ±2.2

7 +125 Б ±3.3

8 +150 Е ±4.7

Б ±7.5

Р ±10

Я ±15

Б ±22

Т +22/-33

и +22/-56

V +22/-82

Более совершенной системой кодировки, учитывающей зависимость емкости от напряжения, является классификация, введенная Международной электротехнической комиссией (МЭК) в стандарте !ЕС/ЕК 60384-8/21. Как и в

стандарте Е!А используется трехзначный символ из букв и цифр. В таблице 1.4 приведена система МЭК для керамических материалов II типа с расшифровкой обозначений. Точками в таблице обозначены предпочтительные группы по ТСЕ.

Таблица 1.4 - Система обозначений МЭК для керамических материалов II типа [1]

Подкласс Допустимое изменение емкости, % Интервал рабочих температур, °С

-55 -+125 -55 -+85 -40 -+85 -25 -+85 -10 -+85

Без напряжения При ^ном постоянного тока 1 2 3 4 5

2B ±10 +10/-15 • • •

2C ±20 +20/-30 • • •

2D +20/-30 +20/-40 •

2E +22/-56 +22/-70 • • • •

2F +30/-80 +30/-90 • • • •

2R ±15 +15/-40 •

2X ±15 +15/-25 •

Из таблицы 1.4 видно, что обозначение, к примеру, группы ТСЕ X7R (интервал рабочих температур от -55 до +125°С при допустимом изменении емкости ±15%) по классификации EIA будет соответствовать двум группам ТСЕ по классификации МЭК - 2R1 или 2X1, в зависимости от изменения емкости при номинальном напряжении [/ном.

Конденсаторы на основе керамических диэлектриков II типа применяются в тех случаях, когда стабильность емкости не имеет большого значения: цепи фильтрации, блокировки, развязки, сглаживание формы выпрямленного напряжения, некоторые демпфирующие цепи и т.д.

III тип керамических материалов представляет собой полупроводниковую керамику с оксидными слоями, получаемую в ходе процессов многократного окисления-восстановления. Каждое зерно в такой керамике состоит из проводящего ядра и тонкого слоя оксида, являющегося диэлектриком [3]. За счет тонкого слоя диэлектрика достигается большая удельная емкость конденсаторов на основе материалов данного типа, однако, рабочие напряжения обычно невелики

(<25 В). В настоящее время материалы III типа практически вытеснены II типом и не стандартизируются [4].

1.2. Технология производства и основные конструкции многослойных

керамических конденсаторов

Конструкция многослойного керамического конденсатора была разработана в 1960-х гг. и приобрела массовое распространение в 1980-х гг. [20-22]. В отечественной литературе MLCC называются многослойными керамическими конденсаторами монолитной конструкции, в отличие от однослойных конденсаторов плоской конструкции (дисковые, пластинчатые). Керамические многослойные конденсаторы представляют собой спеченный монолитный пакет из чередующихся слоев керамического диэлектрика и слоев электродов, соединенных параллельно. Разработка многослойной конструкции позволила преодолеть ограничение по толщине диэлектрика, существующее из-за низкой механической прочности, присущей тонким слоям керамики, увеличить количество параллельно соединенных электродов конденсатора до нескольких десятков - сотен штук, существенно расширить диапазон номинальных емкостей керамических конденсаторов и на несколько порядков увеличить их удельную емкость. Конструкция MLCC показана на рисунке 1.2.

Внутренние электроды (Ni/Ag-Pd)

Рисунок 1.2 - Базовая конструкция MLCC [23]

Несмотря на относительную простоту конструкции, процесс производства МЬСС (см. рисунок 1.3) довольно сложен технически и включает в себя множество этапов, сопряженных с разнообразными технологическими вопросами. Производство МЬСС начинается с подготовки керамической массы, представляющей собой смесь тонкодисперсных порошков одного или нескольких синтезированных заранее соединений и добавок, вводимых также в виде порошков. Такие характеристики порошков, идущих на приготовление керамической массы, как дисперсность (размер частиц) и морфология (форма и взаимное положение частиц порошка), имеют очень важное значение для этапов последующего производства [24-27]. В современном производстве используются высокодисперсные порошки с характерным размером частиц 1 мкм и менее. Для достижения высокой дисперсности ключевое значение имеет качество помола исходного сырья. Используются различные помольные агрегаты: ротационные шаровые мельницы, вибрационные мельницы сухого и мокрого помола, струйные мельницы.

Рисунок 1.3 - Схема основных этапов производства МЬСС [3]

Следующими этапами в производстве МЬСС являются приготовление литьевого шликера и литье керамических пленок. Шликером называется жидкая гомогенная суспензия на водной или органической основе с преобладанием в составе твердых частиц керамической массы (до 98% от общей массы). Наиболее массовое применение в отечественной промышленности находит шликер на основе поливинилбутираля [28]. В процессе приготовления литьевой суспензии из керамической массы и органического растворителя крайне важным является достижение дезагрегации твердых частиц и их равномерного распределения в объеме высокомолекулярного полимера. Литье керамических пленок осуществляется с помощью свободного разлива шликера на движущуюся гладкую антиадгезионную подложку через фильеру. Также применяется метод отливки с использованием специального ножа, выравнивающего слой шликера, отлитого из фильеры. Толщина отливаемой пленки определяется размером щели фильеры, скоростью движения подложки и вязкостью шликера. Готовые отливки подсушиваются, отделяются от подложки, разрезаются на куски, на которые наносятся металлические электроды в виде пасты, состоящей из порошка металла и органического связующего. Затем слой за слоем происходит сборка пленок с нанесенными электродами в монолитный пакет-матрицу. Монолитный пакет подпрессовывается и подсушивается, после чего происходит резка пакета на индивидуальные заготовки.

Ключевой технологической операцией при производстве МЬСС является обжиг. Керамические материалы только после обжига приобретают требуемую структуру, характеризующуюся нулевой открытой пористостью, плотностью и монолитностью [29]. Заготовки сначала подвергают предварительному («утильному») обжигу в сушильных шкафах при температуре 300 - 400 °С для удаления органического связующего. Финальный обжиг при высоких температурах является второй стадией обжига. Температура зависит от вида керамического материала и металла электродов. Обжиг керамики на основе титанатов щелочноземельных металлов, таких как Ва, Бг, Са должен проходить в окислительной среде при температурах 1000 - 1400 °С в зависимости от состава

керамики. В противном случае, при обжиге в нейтральной или восстановительной среде керамика существенно теряет свои диэлектрические свойства. Однако при обжиге в воздушной среде металлы, не являющиеся благородными, окисляются и не могут быть использованы в качестве материалов электродов. В этой связи при высокотемпературном обжиге применяются такие драгоценные металлы как палладий, платина и серебро. Широкое распространение получили смеси Ag-Pd благодаря тому, что регулированием процентного содержания компонентов смеси можно менять температуру плавления смеси [25].

Использование в качестве электродов драгоценных металлов (англ. PME, NME - precious metal electrode, noble metal electrode) в настоящее время ограничено в силу дороговизны последних. Широко применяются электроды из цветных металлов (англ. BME - base metal electrode), особенно из никеля. Применение электродов из никеля позволило существенно удешевить производство MLCC и привело к его стремительному росту и бурному развитию технологии. Поскольку никель является ферромагнетиком = 100 - 600), его применение в конденсаторах, предназначенных для работы в области высоких и сверхвысоких частот, ограничено повышенной индуктивностью электродов конденсатора и ростом их сопротивления в силу скин-эффекта. Использование Ni в качестве электродов требует присутствия при обжиге восстановительной атмосферы, применения специальных керамических составов, обладающих низкой (<1000 °С) температурой спекания [30-34], и специальных добавок [35-37], уменьшающих эффект негативного влияния восстановительной атмосферы на диэлектрические свойства керамики. В качестве таких добавок выступают оксиды редкоземельных элементов (англ. REE - rare earth elements): иттрия, диспрозия, гольмия, эрбия, лантана, гадолиния и т.д. [38-44].

После обжига на заготовки наносятся внешние электроды из серебра или меди. Серебро наносится на торцы заготовок в виде пасты, которая затем вжигается в керамику при температуре около 800 °. В случае меди может быть использовано нанесение электродов с помощью магнетронного ионно-плазменного распыления. На внешние электроды также наносится барьерный слой из никеля,

предотвращающий взаимодействие серебра или меди с оловянным припоем, который наносится в процессе лужения, завершающего производство MLCC.

Основная конструкция MLCC показана схематично на рисунке 1.2. Сечение реального конденсатора показано на рисунке 1.4. Базовая конструкция может быть усовершенствована с целью улучшения тех или иных параметров конденсатора. Основные параметры конденсатора, которые возможно изменить, меняя конструкцию MLCC - это рабочее напряжение, эквивалентная последовательная индуктивность (англ. ESL - equivalent series inductance) и эквивалентное последовательное сопротивление (англ. ESR - equivalent series resistance).

Рисунок 1.4 - Поперечное сечение MLCC стандартной конструкции. Пунктиром показана область перекрытия электродов (активный объем) [45]

Рабочее напряжение конденсатора можно повысить, применяя конструкцию с так называемым плавающим электродом (рисунок 1.5) [46,47]. «Плавающие» электроды (англ. floating electrode) применяют с целью увеличить однородность электрического поля у краев электродов. В конструкции MLCC острый край электрода толщиной порядка одного - нескольких микрометров является концентратором напряженности электрического поля по отношению к торцевому электроду. Конструкция монолитного конденсатора с плавающим электродом

представляет собой несколько конденсаторных секций в объеме одного керамического пакета, соединенных последовательно (рисунок 1.5). Как известно, при последовательном соединении конденсаторов одинаковой емкости на каждый из конденсаторов падает напряжение, во столько раз меньшее, сколько конденсаторов соединено. Однако, суммарная емкость также уменьшается пропорционально числу соединенных конденсаторов. Применение плавающих электродов позволяет снизить толщину диэлектрика, тем самым повышается емкость и нивелируется этот негативный эффект при незначительном уменьшении удельной емкости конденсатора.

\ General Spec. Mid-voltage rang e

Straight structure Straight structure Dual cascade Triple cascade

ш "(Ч £ f——3 /?-S тш ft*-^ 7»-- r.

^-^¿J

Equivalent circuit i iiiiii TTTTTT Ul'lU TTT,TTT lililí IIIIII TTTTTT lll'lll TTTTTT

Рисунок 1.5 - Схемы конструкций MLCC с плавающим электродом [48]

Для современных высоковольтных MLCC доступны номинальные напряжения 500 - 1000 В постоянного тока при емкостях в диапазоне 10 пФ - 0.047 мкФ для конденсаторов I типа (группа ТКЕ - C0G, см. таблицу 1.2) и емкостях в диапазоне 10 пФ - 0.56 мкФ для конденсаторов II типа (группа ТСЕ - X7R, см. таблицу 1.3). При этом размеры корпусов конденсаторов меняются от 2*1.25 мм (длина * ширина) до 9.14*10.2 мм, большему размеру при прочих равных соответствует большая емкость. На рисунке 1.6 показано поперечное сечение высоковольтного монолитного конденсатора с плавающим электродом.

Cap. 1 Floating Cap. 2 Overlap Electrode Overlap

Рисунок 1.6 - Поперечное сечение МЬСС с плавающим электродом. Пунктиром показаны области перекрытия электродов (активный объем) [45]

Дальнейшая миниатюризация высоковольтных МЬСС упирается в проблему развития электрических разрядов между наружными электродами по поверхности конденсатора по мере роста напряжения, приводящих к дуговому перекрытию и разрушению поверхности конденсатора. Эта научно-техническая проблема решается с помощью введения в конструкцию конденсатора дополнительных экранирующих внутренних электродов и применения специальных покрытий поверхности, препятствующих развитию разрядов [45].

Эквивалентная последовательная индуктивность конденсатора является его нежелательным, паразитным параметром, обуславливающим возникновение такого явления, как собственный резонанс конденсатора. Максимальная частота, на которой конденсатор обладает емкостным сопротивлением, ограничена его ЕБЬ. В области частот, превышающих частоту собственного резонанса, конденсатор обладает индуктивным сопротивлением и его использование неэффективно. Таким образом, чем меньше ЕБЬ конденсатора, тем в более широком частотном диапазоне он может функционировать в качестве электрической емкости. Особенно актуально снижение ЕБЬ до минимально возможных значений для конденсаторов,

работающих в импульсных и высокочастотных схемах. При импульсном разряде конденсатора в апериодическом и колебательных режимах скорость изменения тока достигает значительной величины, что эквивалентно эксплуатации в высокочастотных схемах. Даже небольшая индуктивность на высоких частотах приводит к большому индуктивному сопротивлению, что искажает форму разрядного тока и снижает его амплитуду.

Собственная индуктивность МЬСС определяется соотношением длины к ширине электрода, по которому протекает ток, а также взаимной индуктивностью между электродами [49]. По этой причине выводы низкоиндуктивных МЬСС располагаются по длине конденсатора, как показано на рисунке 1.7. Эта мера позволяет снизить ЕБЬ с характерных для МЬСС величин порядка 1 нГн до величины около 0.1 нГн.

Рисунок 1.7 - Внешний вид низкоиндуктивных МЬСС [50]

Дополнительной мерой снижения ЕБЬ является расположение электродов таким образом, чтобы магнитные потоки, создаваемые токами, втекающими на положительную обкладку конденсатора и вытекающими из отрицательной обкладки, были противоположно направлены. Конденсаторы такой конструкции обладают повышенным количеством выводов (4, 8 штук) и называются ультранизкоиндуктивными. Их собственная индуктивность имеет характерные значения 25 - 60 пГн в зависимости от емкости. Внешний вид и схема расположения электродов этих конденсаторов представлены на рисунках 1.8 - 1.9.

Список литературы диссертационного исследования кандидат наук Плотников Андрей Павлович, 2019 год

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

1. Ротенберг, Б. А. Керамические конденсаторные диэлектрики / Б. А. Ротенберг. - СПб.: ОАО НИИ "Гириконд", 2000. - 245 с.

2. Kishi, H. Base-metal electrode-multilayer ceramic capacitors: past, present and future perspectives / H. Kishi, Y. Mizuno, H. Chazono // Japanese Journal of Applied Physics. - 2003. - Vol. 42. - No. 1R. - P. 1-15.

3. Pan, M-J. A brief introduction to ceramic capacitors / M-J. Pan, C.A. Randall // IEEE electrical insulation magazine. - 2010. - Vol. 26. - No. 3. - P. 44-50.

4. Ханин, С. Д. Пассивные радиокомпоненты. Часть 1. Электрические конденсаторы / С. Д. Ханин, А. И. Адер, В. Н. Воронцов, О. В. Денисова, В. Ю. Холкин. - СПб.: СЗПИ, 1998. - 86 с.

5. Чигиринский, С. Особенности и преимущества производства многослойных структур на основе керамики (LTCC, HTCC, MLCC) / С. Чигиринский // Компоненты и технологии. - 2009. - №. 100.

6. Kaiser, C. J. The Capacitor Handbook / C. J. Kaiser. - New York: Van Nostrand Reinhold, 1999. - 126 p.

7. Deshpande, R. P. Capacitors / R. P. Deshpande. - New Delhi: - McGraw-Hill Education, 2015. - 342 p.

8. Herbert, J. M. Ceramic Dielectrics and Capacitors / J. M. Herbert. - New York: Gordon and Breach, 1985. - 264 p.

9. Pushkar, J. Thin-film Capacitors for Packaged Electronics / J. Pushkar, E. J. Rymaszewski. - New York: Springer US, 2004. - 158 p.

10. Беленький, Б. Технологические и материаловедческие проблемы развития конденсаторов и нелинейных полупроводниковых резисторов / Б. Беленький, Н. Горбунов // Современная электроника. - 2008. - №1. - С. 10-13.

11. Moulson, A. J. Electroceramics: Materials, Properties, Applications, Second Edition / A. J. Moulson, J. M. Herbert. - Chichester: John Wiley & Sons, 2003. - 576 p.

12. Ye, Z-G. Handbook of Advanced Dielectric, Piezoelectric and Ferroelectric Materials: Synthesis, Properties and Applications / Z-G. Ye. - Cambridge: Woodhead Publishing, 2008. - 1096 p.

13. Полонский, Ю. А. Неорганические диэлектрики для конденсаторостроения: Учеб. пособие / Ю. А. Полонский, П. А. Ротенберг, С. Д. Ханин. - СПб.: Изд-во СПбГТУ, 1993. - 79 с.

14. Берзан, В. П. Справочник по электрическим конденсаторам / В. П. Берзан, Б. Ю. Геликман, М. Н. Гураевский и др; под ред. В. В. Ермуратского. - Кишинев: Штиинца, 1982. - 310 с.

15. Ануфриев, Ю. А. Эксплуатационные характеристики и надежность электрических конденсаторов / Ю. А. Ануфриев, В. Н. Гусев, В. Ф. Смирнов. - М.: Энергия, 1976. - 224 с.

16. Deshpande, R. P. Capacitors: technology and trends. / R. P. Deshpande. - New Delhi: - Tata McGraw-Hill Education, 2012. - 319 p.

17. Верещагин, В. И. Функциональная керамика / В. И. Верещагин, П. М. Плетнев, А. П. Суржиков, В. Е. Фёдоров, И. И. Рогов. - Новосибирск: ИНХ СО РАН, 2004. - 350 с.

18. Buchanan, R. C. Ceramic Materials for Electronics: Processing, Properties, and Applications / R. C. Buchanan. - New York: CRC Press, 1991. - 532 p.

19. Nalwa, H. S. Handbook of Low and High Dielectric Constant Materials and Their Applications / H. S. Nalwa. - Elsevier Science, 1999. - 1108 p.

20. Окадзаки, К. Технология керамических диэлектриков / К. Окадзаки; пер. с яп. М. М. Богачихина, Л. Р. Зайонца. - М.: Энергия, 1976. - 335 с.

21. Handa, K. High volume efficiency multilayer ceramic capacitor / K. Handa, T. Watanabe, Y. Yamashita, M. Harata // IEEE Transactions on Consumer Electronics. -1984. - No. 3. - P. 342-347. - P. 342-347.

22. Takamizawa, H. Large capacitance multilayer ceramic capacitor / H. Takamizawa, K. Utsumi, M. Yonezawa, T. Ohno // IEEE Transactions on Components, Hybrids, and Manufacturing Technology. - 1981. - Vol. 4. - No. 4. - P. 345-349.

23. SMD Multilayer Ceramic Chip Capacitors. X7R Dielectric, 6.3 - 250 VDC (Commercial Grade) [Электронный ресурс] / KEMET Corporation. - Режим доступа: http://www.kemet.com/Lists/ProductCatalog/Attachments/53/KEM_C1002_X7R_SMD .pdf

24. Плетнев, П. М. Современные керамические материалы функционального назначения / П. М. Плетнев. - Новосибирск: Изд-во СГУПСа, 2010. - 190 с.

25. Мурашкевич, А. Н. Химическая технология материалов и изделий электронной техники: электронный конспект лекций для студентов специальности 1-48 01 01 "Химическая технология неорганических веществ, материалов и изделий" специализации 1-48 01 01 13 "Химическая технология квантовой и твердотельной электроники". Раздел I: Физико-химические основы и технология электронной керамики / А. Н. Мурашкевич. - Минск: БГТУ, 2013. - 297 с.

26. Поляков, А. А. Технология керамических радиоэлектронных материалов / А. А. Поляков. - М.: Радио и связь, 1989. - 200 с.

27. Wang, S. F. Dielectric Properties of Fine-Grained Barium Titanate Based X7R Materials / S. F. Wang, G. O. Dayton // Journal of the American Ceramic Society. - 1999. - Vol. 82. - No. 10. - P. 2677-2682.

28. Дмитриева, А. В. Оптимизация технологии приготовления литьевых шликеров для внутренних электродов многослойных керамических конденсаторов [Электронный ресурс]: магистерская диссертация: 22.04.01 / А. В. Дмитриева; СПбПУ Петра Великого, Институт металлургии, машиностроения и транспорта; науч. рук. В. П. Пышков. СПб, 2016. URL: http://doi.org/10.18720/SPBPU/2M6-3036

29. Панич, А. Е. Физика и технология сегнетокерамики / А. Е. Панич, М. Ф. Куприянов. - Ростов н/Д: Изд-во Ростовского ун-та, 1989. - 180 с.

30. Hennings, D. F. K. Dielectric materials for sintering in reducing atmospheres / D. F. K. Hennings // Journal of the European Ceramic Society. - 2001. - Vol. 21. - No. 1011. - P. 1637-1642.

31. Haertling, G. H. Ferroelectric ceramics: history and technology / G. H. Haertling // Journal of the American Ceramic Society. - 1999. - Vol. 82. - No. 4. - P. 797-818.

32. Chen, G. F. Low firing Y5V relaxor multilayer ceramic capacitors / G. F. Chen, S. L. Fu // IEEE Transactions on Components, Hybrids, and Manufacturing Technology. -1989. - Vol. 12. - No. 1. - P. 91-95.

33. Chen, G. F. Low firing Z5U relaxor multilayer ceramic capacitor / G. F. Chen, S. L. Fu // IEEE Transactions on Components, Hybrids, and Manufacturing Technology. -1988. - Vol. 11. - No. 4. - P. 600-603.

34. Yonezawa M. New Low-Firing materials for multilayer capacitors / M. Yonezawa // Ferroelectrics. - 1986. - Vol. 68. - No. 1. - P. 181-189.

35. Kishi, H. Occupational sites and dielectric properties of rare-earth and Mn substituted BaTiO3 / H. Kishi, N. Kohzu, Y. Iguchi, J. Sugino, M. Kato, H. Ohsato, T. Okuda // Journal of the European Ceramic Society. - 2001. - Vol. 21. - No. 10-11. - P. 1643-1647.

36. Alam, M. A. Economics of rare earth elements in ceramic capacitors / M. A. Alam, L. Zuga, M. G. Pecht // Ceramics International. - 2012. - Vol. 38. - No. 8. - P. 60916098.

37. Sakabe, Y. Effects of rare-earth oxides on the reliability of X7R dielectrics / Y. Sakabe, Y. Hamaji, H. Sano, N. Wada // Japanese Journal of Applied Physics. - 2002. -Vol. 41. - No. 9R. - P. 5668.

38. Lu, D. Y. A novel high-k 'Y5V'barium titanate ceramics co-doped with lanthanum and cerium / D. Y. Lu, X. Y. Sun, M. Toda // Journal of Physics and Chemistry of Solids. - 2007. - Vol. 68. - No. 4. - P. 650-664.

39. Lu, D. Y. Novel X7R BaTiO3 ceramics co-doped with La3+ and Ca2+ ions / D. Y. Lu, Y. Yue, X.Y. Sun // Journal of Alloys and Compounds. - 2014. - Vol. 586. - P. 136141.

40. Wang, Y. Phase composition, microstructure, and dielectric properties of dysprosium-doped Ba(Zr0.1Ti0.9)O3-based Y5V ceramics with high permittivity / Y. Wang, B. Cui, L. Zhang, Z. Hu, Y. Wang // Ceramics International. - 2014. - Vol. 40. -No. 8. - P. 11681-11688.

41. Lu, D. Y. Defect chemistry of a high-k 'Y5V' (Baa9sEu0.05)TiO3 ceramic / D.Y. Lu, L. Zhang, X. Y. Sun // Ceramics International. - 2013. - Vol. 39. - No. 6. - P. 63696377.

42. Qi, J. Doping behavior of ytterbium oxide in Ba(Ti1-yZry)O3 dielectric ceramics / J. Qi, Z. Gui, Y. Wang, Q. Li, T. Li, L. Li // Journal of Materials Science Letters. - 2002. - Vol. 21. - No. 5. - P. 405-406.

43. Saito, H. X7R multilayer ceramic capacitors with nickel electrodes / H. Saito, H. Chazono, H. Kishi, N. Yamaoka // Japanese Journal of Applied Physics. - 1991. - Vol. 30. - No. 9S. - P. 2307-2310.

44. Kim, H. D. Dielectric and electrical properties of a X7R multilayer ceramic capacitor / H. D. Kim, J. T. Song // Journal of Ceramic Processing Research. - 2011. -Vol. 12. - No. 3. - P. 322-326.

45. Bultitude, J. Miniaturization of High Voltage BME X7R Multi-Layer Ceramic Capacitors for use in Automotive Applications [Электронный ресурс] / J. Bultitude, J. Magee, L. Jones, B. Xu, C. Antoniades, R. Phillips,A. Gurav. - Режим доступа: https://www.digikey.com/en/pdf/k/kemet/miniaturization-high-voltage-bme-x7r-mlcc

46. Bultitude, J. Application Considerations for High Voltage BME Multi-Layer Ceramic Capacitors [Электронный ресурс] / J. Bultitude, J. Magee, M. Laps, C. Nender, L. Jones, B. Sloka, A. Gurav. - Режим доступа: http://www.kemet.com/ProductCatalog%20Documents/TestPDF1%202%20June.pdf

47. Nair, K. M. Ceramic Materials and Multilayer Electronic Devices / K. M. Nair, A. S. Bhalla, S.-I. Hirano, D. Suvorov, R. W. Schwartz, W. Zhu. - Westerville: Wiley-American Ceramic Society, 2004. - 496 p.

48. Multilayer Ceramic Chip Capacitors. CF Series [Электронный ресурс] / Kyocera Corporation. - Режим доступа: https://global.kyocera.com/prdct/electro/product/capacitor/ceramic/cf.html

49. Boser, O. High frequency behavior of ceramic multilayer capacitors / O. Boser, V. Newsome // IEEE Transactions on Components, Hybrids, and Manufacturing Technology. - 1987. - Vol. 10. - No. 3. - P. 437-439.

50. LW Reversed Low ESL Chip Multilayer Ceramic Capacitors for General Purpose [Электронный ресурс] / Murata Manufacturing Co., Ltd. - Режим доступа: https://psearch.en.murata.com/capacitor/lineup/lll/

51. AVX Low Inductance Capacitors [Электронный ресурс] / AVX Corporation. -Режим доступа: https://www.mouser.com/catalog/supplier/library/pdf/AVXLowInductanceCaps.pdf

52. 3 Terminals Low ESL Chip Multilayer Ceramic Capacitors for General Purpose [Электронный ресурс] / Murata Manufacturing Co., Ltd. - Режим доступа: https: //psearch.en.murata.com/capacitor/lineup/nfm/

53. Togashi, M. ESR Control Multilayer Ceramic Capacitors [Электронный ресурс] / M. Togashi. - Режим доступа: https://product.tdk.com/en/products/emc/guidebook/eemc_product_02.pdf

54. Желудев, И. С. Основы сегнетоэлектричества / И. С. Желудев. - М.: Атомиздат, 1973. - 472 с.

55. Coondoo, I. Ferroelectrics / I. Coondoo. - Rijeka: InTech, 2010. - 450 p.

56. Борисова, М. Э. Физика диэлектриков. Физические основы активных диэлектриков: учеб. пособие / М. Э. Борисова. - СПб: Изд-во Политехн. ун-та, 2014. -120 с.

57. Поплавко, Ю. М. Физика активных диэлектриков: учеб. пособие / Ю. М. Поплавко, Л. П. Переверзева, И. П. Раевский. - Ростов н/Д: Изд-во ЮФУ, 2009. -480 с.

58. Gonzalo, J. A. Ferroelectricity: The Fundamentals Collection / J. A. Gonzalo, B. Jimenez. - Weinheim: Wiley-VCH, 2005. - 194 p.

59. Lallart, M. Ferroelectrics - Physical effects / M. Lallart. - Rijeka: InTech, 2011. -654 p.

60. Setter, N. Ferroelectric Ceramics: Tutorial reviews, theory, processing, and applications / N. Setter, E. L. Colla. - Basel: Birkhauser Basel, 1993. - 383 p.

61. Барфут, Д. Введение в физику сегнетоэлектрических явлений / Пер. с англ. Н. Р. Иванова. - М.: Мир, 1970. - 352 с.

62. Смоленский, Г. А. Физика сегнето-электрических явлений / Г. А. Смоленский, В. А. Боков, И. А. Исупов и др. - Л.: Наука, 1985. - 396 с.

63. Смоленский, Г. А. Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики / Г. А. Смоленский, Н. Н. Крайник. - М.: Наука, 1968. - 184 с.

64. Сидоркин, А. С. Доменная структура в сегнетоэлектриках и родственных материалах / Сидоркин А. С. - М.: Физматлит, 2000. - 239 с.

65. Барфут, Дж. Полярные диэлектрики и их применения / Дж. Барфут, Дж. Тейлор; пер. с англ. под ред. Л. А. Шувалова. - М.: Мир, 1981. - 526 с.

66. Иона, Ф. Сегнетоэлектрические кристаллы: Пер. с англ. / Ф. Иона, Д. Ширане. - М.: Мир, 1965. - 555 с.

67. Струков, Б. А. Физические основы сегнетоэлектрических явлений в кристаллах: учеб. пособие для вузов. / Б. А. Струков, А. П. Леванюк. - М.: Наука. Физматлит, 1995. - 301 c.

68. Лайнс, М. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы / М. Лайнс, А. Гласс. - М.: Мир, 1981. - 736 с.

69. Поплавко, Ю. М. Физика диэлектриков: учеб. пособие для вузов / Ю. М. Поплавко. - Киев: Вища школа, 1980. - 400 с.

70. Борисова, М. Э. Физика диэлектриков: учеб. пособие / М. Э. Борисова, С. Н. Койков. - Л.: Изд-во ЛГУ, 1979. - 240 с.

71. Ландау, Л. Д. Теоретическая физика: в 10 т.: учеб. пособие для физ. специальностей вузов. Т. 8: Электродинамика сплошных сред / Л. Д. Ландау, Е. М. Лифшиц. - М.: Физматлит, 2001. - 651 с.

72. Рабе, К. М. Физика сегнетоэлектриков: современный взгляд / К. М. Рабе, Ч. Г. Ан, Ж.-М. Трискон. - М.: БИНОМ. Лаборатория знаний, 2011. - 440 с.

73. Холоденко, Л. П. Термодинамическая теория сегнетоэлектриков типа титаната бария / Л. П. Холоденко. - Рига: Зинатне, 1971. - 227 с.

74. Lallart, M. Ferroelectrics: Characterization and Modeling / M. Lallart. - Rijeka: InTech, 2011. - 586 p.

75. Johnson, K. M. Variation of dielectric constant with voltage in ferroelectrics and its application to parametric devices / K. M. Johnson // Journal of Applied Physics. -1962. - Vol. 33. - No. 9. - P. 2826-2831.

76. Qiu, J. Dielectric tunability transition in Bao.6Sr04TiO3-based capacitors / J. Qiu, G. Liu, J. Sakai, F. Gervais, J. Wolfman //Journal of Applied Physics. - 2011. - Vol. 110. -No. 6. - P. 064114.

77. Curecheriu, L. P. Nonlinear dielectric properties of Ba1-xSrxTiO3 ceramics / L. P. Curecheriu, L. Mitoseriu, A. Ianculescu // Journal of Alloys and Compounds. - 2009. -Vol. 482. - No. 1-2. - P. 1-4.

78. Tkach, A. Nonlinear dc electric-field dependence of the dielectric permittivity and cluster polarization of Sr1- xMnxTiO3 ceramics / A. Tkach, P. M. Vilarinho, A. L. Kholkin // Journal of Applied Physics. - 2007. - Vol. 101. - No. 8. - P. 084110.

79. Рез, И. С. Диэлектрики: основные свойства и применения в электронике / И. С. Рез, Ю. М. Поплавко. - М.: Радио и связь, 1989. - 286 с.

80. Рудяк, В. М. Процессы переключения в нелинейных кристаллах / В. М. Рудяк.

- М.: Наука, 1986. - 248 с.

81. Блинц, Р. Сегнетоэлектрики и анти-сегнетоэлектрики: динамика решетки / Р. Блинц, Б. Жекш; пер. с англ. Л. А. Шувалова. - М.: Мир, 1975. - 398 с.

82. Вакс, В. Г. Введение в микроскопическую теорию сегнетоэлектриков / В. Г. Вакс. - М.: Наука, 1973. - 327 с.

83. Rupprecht, G. Nonlinearity and microwave losses in cubic strontium-titanate / G. Rupprecht, R. O. Bell, B. D. Silverman // Physical Review. - 1961. - Vol. 123. - No. 1.

- P. 97.

84. Jura, V. Dielectric and ferroelectric properties of multilayer ceramic capacitors with X7R characteristics / V. Jura, C. Harnagea, L. Mito§eriu, D. Ricinschi // Analele §tiintifice Ale Universita|ii" Al. I. Cuza" Din Ia§i, Tomul XLI-XLII, slb fasc. - 1996. -Vol. 2. - P. 1995-1996.

85. Вендик, О. Г. Сегнетоэлектрики в технике СВЧ / О. Г. Вендик, Н. Н. Антонов, И. М. Бузин и др. - М.: Советское радио, 1979. - 272 с.

86. Vendik, O. G. Dielectric nonlinearity of the displacive ferroelectrics at UHF / O. G. Vendik // Ferroelectrics. - 1976. - Vol. 12. - No. 1. - P. 85-90.

87. Вендик, О. Г. Моделирование и расчет емкости планарного конденсатора, содержащего тонкий слой сегнетоэлектрика / О. Г. Вендик, С. П. Зубко, М. А. Никольский // Журнал технической физики. - 1999. - Т. 69. - №. 4. - С. 1-7.

88. Вендик, О. Г. Размерный эффект в слоистых структурах: сегнетоэлектрик-нормальный металл и сегнетоэлектрик-ВТСП / О. Г. Вендик, Л. Т. Тер-Мартиросян // Физика твердого тела. - 1994. - Т. 36. - №. 11. - С. 3343-3351.

89. Вендик, О. Г. Корреляционные эффекты в сегнетоэлектрическом тонкопленочном конденсаторе / О. Г. Вендик, С. П. Зубко, Л. Т. Тер-Мартиросян // Физика твердого тела. - 1996. - Т. 38. - №. 12. - С. 3654-3664.

90. Vendik, O. G. Modeling the dielectric response of incipient ferroelectrics / O. G. Vendik, S. P. Zubko // Journal of Applied Physics. - 1997. - Vol. 82. - No. 9. - P. 44754483.

91. Вендик, О. Г. Феноменологическое описание зависимости диэлектрической проницаемости титаната стронция от приложенного электрического поля и температуры / О. Г. Вендик, С. П. Зубко // Журнал технической физики. - 1997. -Т. 67. - №. 3. - С. 29-33.

92. Vendik, O. G. Experimental evidence of the size effect in thin ferroelectric films / O. G. Vendik, S. P. Zubko, L. T. Ter-Martirosyan //Applied Physics Letters. - 1998. -Vol. 73. - No. 1. - P. 37-39.

93. Юдин, П. Н. Применение метода Монте-Карло для моделирования диэлектрического отклика сегнетоэлектриков / П. Н. Юдин, М. А. Никольский, С. П. Зубко // Журнал технической физики. - 2003. - Т. 73. - №. 8. - С. 56-61.

94. Зубко, С. П. Размерный эффект в слоистой сегнетоэлектрической структуре / С. П. Зубко, Н. Ю. Медведева // Письма в Журнал технической физики. - 2014. - Т. 40. - №. 11. - С. 30-37.

95. Тумаркин, А. В. Сверхвысокочастотные свойства сегнетоэлектрических варикондов на основе пленок BaxSr1-xTiO3 с Mg-содержащей добавкой / Е. Р. Тепина, Е. А. Ненашева, Н. Ф. Картенко, А. Б. Козырев // Журнал технической физики. - 2012. - Т. 82. - №. 6. - С. 53-57.

96. Вербицкая, Т. Н. Вариконды / Т. Н. Вербицкая. М.-Л.: Госэнергоиздат, 1958. - 62 с.

97. Nenasheva, E. A. Low loss microwave ferroelectric ceramics for high power tunable devices / E. A. Nenasheva, N. F. Kartenko, I. M. Gaidamaka, O. N. Trubitsyna,

S. S. Redozubov, A. I. Dedyk, A. D. Kanareykin // Journal of the European Ceramic Society. - 2010. - Vol. 30. - No. 2. - P. 395-400.

98. Kazakov, S. Y. Fast ferroelectric phase shifters for energy recovery linacs / S. Y. Kazakov, S. V. Shchelkunov, V. P. Yakovlev, A. Kanareykin, E. Nenasheva, J. L. Hirshfield // Physical Review Special Topics - Accelerators and Beams. - 2010. - Vol. 13. - No. 11. - P. 113501.

99. Kozyrev, A. B. Observation of an anomalous correlation between permittivity and tunability of a doped (Ba,Sr)TiO3 ferroelectric ceramic developed for microwave applications / A. B. Kozyrev, A. D. Kanareykin, E. A. Nenasheva, V. N. Osadchy, D. M. Kosmin // Applied Physics Letters. - 2009. - Vol. 95. - No. 1. - P. 012908.

100. Tagantsev, A. K. Ferroelectric materials for microwave tunable applications / A. K. Tagantsev, V. O. Sherman, K. F. Astafiev, J. Venkatesh, N. Setter //Journal of Electroceramics. - 2003. - Vol. 11. - No. 1-2. - P. 5-66.

101. Sengupta, L. C. Breakthrough advances in low loss, tunable dielectric materials / L. C. Sengupta, S. Sengupta // Materials Research Innovations. - 1999. - Vol. 2. - No. 5. - P. 278-282.

102. Богородицкий, Н. П. Высоковольтные керамические конденсаторы / Н. П. Богородицкий, В. А. Гедзюн, Н. А. Мандрыка. - М.: Радио, 1970. - 206 с.

103. Uchino, K. Ferroelectric Devices / K. Uchino. - Boca Raton: CRC Press, 2009. -367 p.

104. Xu, Y. Ferroelectric Materials and Their Applications / Y. Xu. - Amsterdam: North Holland, 1991. - 391 p.

105. Bain, A. K., Chand, P. Ferroelectrics: Principles and Applications / A. K. Bain, P. Chand. - New York: Wiley-VCH, 2017. - 321 p.

106. Cain, M. G. Characterisation of Ferroelectric Bulk Materials and Thin Films / M. G. Cain. - Dordrecht: Springer, 2014. - 283 p.

107. Бурсиан, Э. В. Нелинейный кристалл: титанат бария / Э. В. Бурсиан - М.: Наука, 1974. - 295 с.

108. Ролов, Б. Н. Физика размытых фазовых переходов / Б. Н. Ролов, В. Э. Юркевич. - Ростов н/Д: Изд-во Ростовского ун-та, 1983. - 320 с.

109. Topolov, V. Yu. Heterogeneous Ferroelectric Solid Solutions: Phases and Domain States / V. Yu. Topolov. Berlin: - Springer International Publishing AG, 2018. - 201 p.

110. Wen, H. Modeling of the core-shell microstructure of temperature-stable BaTiO3 based dielectrics for multilayer ceramic capacitors / H. Wen, X. Wang, Z. Gui, L. Li // Journal of Electroceramics. - 2008. - Vol. 21. - No. 1-4. - P. 545-548.

111. Morita, K. Electric conduction of thin-layer Ni-multilayer ceramic capacitors with core-shell structure BaTiO3 / K. Morita, Y. Mizuno, H. Chazono, H. Kishi, G-Y. Yang, W-E. Liu, E. C. Dickey, C. A. Randall // Japanese Journal of Applied Physics. - 2007. -Vol. 46. - No. 5R. - P. 2984.

112. Chazono, H. DC-electrical degradation of the BT-based material for multilayer ceramic capacitor with Ni internal electrode: impedance analysis and microstructure / H. Chazono, H. Kishi // Japanese Journal of Applied Physics. - 2001. - Vol. 40. - No. 9S. -P. 5624.

113. Zhang, X. Polarization Response and Thermally Stimulated Depolarization Current of BaTiO3-based Y5V Ceramic Multilayer Capacitors / X. Zhang, Z. Yue, B. Peng, Z. Xie, L. Yuan, J. Zhang, L. Li // Journal of the American Ceramic Society. - 2014. - Vol. 97. - No. 9. - P. 2921-2927.

114. Kim, C. H. Formation of Core-Shell Structure of BaTiO3 Grains in MLCC / C. H. Kim, K. J. Park, Y. J. Yoon, J. O. Hong, D. S. Sinn, K. H. Hur // 16th IEEE International Symposium on Applications of Ferroelectrics. - 2007. - P. 543-546.

115. Xu, X. High Reliability Thin Layer BME X7R Dielectric with Only Few Core-Shell Grains / X. Xu, P. Pinceloup, A. Gurav, M. Randall, A. Tajuddin, G.Y. Yang // 15th IEEE International Symposium on the Applications of Ferroelectrics, 2006. - IEEE, 2006. - P. 17-20.

116. Park, Y. The dielectric temperature characteristic of additives modified barium titanate having core-shell structured ceramics / Y. Park, Y. Kim // Journal of Materials Research. - 1995. - Vol. 10. - No. 11. - P. 2770-2776.

117. Wu, Y. C. Microstructure analysis of the Y5V multilayer ceramic capacitors based on BaTiO3 / Y. C. Wu, J. S. Lee, H. Y. Lu, C. L. Hu // Journal of Electroceramics. - 2007. - Vol. 18. - No. 1-2. - P. 13-24.

118. Surface-Mount Multilayer Ceramic Chip Capacitors for Non-Magnetic Applications [Электронный ресурс] / Vishay Intertechnology, Inc. - Режим доступа: https://www.vishay.com/docs/49003/_non-magnetic_series_vmn-pl0441-1603.pdf

119. AVX Surface Mount Ceramic Capacitors Products [Электронный ресурс] / AVX Corporation. - Режим доступа: http://catalogs.avx.com/SurfaceMount.pdf

120. AVX Multilayer Ceramic Leaded Capacitors [Электронный ресурс] / AVX Corporation. - Режим доступа: http://catalogs.avx.com/MultilayerLeaded.pdf

121. Multilayer Ceramic Capacitors Catalog No. E1002 x [Электронный ресурс] / Nippon Chemi-Con Corporation. - Режим доступа: https://www.chemi-con.co.jp/e/catalog/pdf/ce-e/ce-all-e 1002x-2018.pdf

122. Multilayer Ceramic Chip Capacitors. CM Series [Электронный ресурс] / Kyocera Corporation. - Режим доступа: https: //global. kyocera.com/prdct/electro/product/pdf/cm_e.pdf

123. Multilayer Ceramic Chip Capacitors. Commercial grade, general (Up to 75V). C Series [Электронный ресурс] / TDK Corporation. - Режим доступа: https://product.tdk.com/info/en/catalog/datasheets/mlcc_commercial_general_en.pdf

124. Chip Multilayer Ceramic Capacitors for General [Электронный ресурс] / Murata Manufacturing Co., Ltd. https://www.murata.com/~/media/webrenewal/support/library/catalog/products/capacito r/mlcc/c02e.ashx?la=en-gb

125. Commercial Chip - X7R 16Vdc to 10kVdc [Электронный ресурс] / Knowles Corporation. - Режим доступа: http://www.knowlescapacitors.com/getattachment/ddd08fe0-16c1-4f86-944e-edc3fc04fb57/X7R.aspx

126. NMC High Cap Series Page [Электронный ресурс] / NIC Components Corp. -Режим доступа: https://www.niccomp.com/products/pSeries.php?pSeries=NMC%20High%20Cap

127. Ceramic Chip Capacitors Type NPO, X5R, X7R, Y5V [Электронный ресурс] / Koa Speer Electronics, Inc. - Режим доступа: http://www.koaspeer.com/pdfs/TN-196R14NPO-Y5V.pdf

128. Multilayer Ceramic Capacitors - Performance Characteristics [Электронный ресурс] / Cornell Dubilier Electronics, Inc. - Режим доступа: http://www.cde.com/resources/catalogs/ceramperf.pdf

129. Multilayer Ceramic Capacitors/Axial & Radial Leaded. Application Notes for Multilayer Ceramic Capacitors [Электронный ресурс] / KEMET Corporation. - Режим доступа: http://www.kemet.com/Lists/FileStore/Ceramic%20Molded%20Axial-Radial%20X7R.pdf

130. Prymak, J. Why that 47 uF capacitor drops to 37 uF, 30 uF, or lower / J. Prymak, M. Randall, P. Blais, B. Long // Proc. of the CARTS USA Conference. - 2008.

131. Керамические конденсаторы К10-67 [Электронный ресурс] / АО «НИИ «Гириконд». - Режим доступа: http://www.giricond.ru/files/k10-67_vp_i_o%D0%82k_2018.pdf

132. Конденсаторы К10-17 а, б, в. Каталог продукции [Электронный ресурс] / ОАО ВЗРД «Монолит». - Режим доступа: http://www.monolit.vitebsk.by/upload/iblock/767/767e24d2f9e0f830be98e664e3eaf226 .pdf

133. Lead Type Ceramic Capacitors [Электронный ресурс] / Murata Manufacturing Co., Ltd. - Режим доступа: http://ds.murata.co.jp/simsurfing/lead.html?lcid=en-us#

134. K-Sim Design Tool [Электронный ресурс] / KEMET Corporation. - Режим доступа: http://ksim.kemet.com/Ceramic/CeramicCapSelection.aspx

135. Taiyo Yuden COMPonent Assist System [Электронный ресурс] / Taiyo Yuden Co., Ltd. - Режим доступа: http://ds.yuden.co.jp/TYCOMPAS/or/specificationSearcher.do?cid=C&u=M

136. Samsung Electro-Mechanics Component Library [Электронный ресурс] / Samsung Electro-Mechanics - Режим доступа: http://weblib.samsungsem.com/LCR_Web_Library.j sp?type=mlcc&lng=en_US

137. High Operating Temperature Radial Leaded Multilayer Ceramic Capacitors for Automotive Applications, 50 VDC, 100 VDC, 200 VDC [Электронный ресурс] / Vishay Intertechnology, Inc. - Режим доступа: https://www.vishay.com/docs/45211/khseries.pdf

138. Huang, H. Ferroelectric Materials for Energy Applications / H. Huang, J.F. Scott.

- Weinheim: Wiley-VCH, 2018. - 376 p.

139. Neumayr, D. Comprehensive large-signal performance analysis of ceramic capacitors for power pulsation buffers / D. Neumayr, D. Bortis, J.W. Kolar, M. Koini, J. Konrad // Control and Modeling for Power Electronics (COMPEL), 2016 IEEE 17th Workshop on. - IEEE, 2016. - P. 1-8.

140. Kwon, S. Nonlinear dielectric ceramics and their applications to capacitors and tunable dielectrics / S. Kwon, W. Hackenberger, E. Alberta, E. Furman, M. Lanagan // IEEE Electrical Insulation Magazine. - 2011. - Vol. 27. - No. 2. - P.43-55.

141. Matthews, E. J. Capacitor evaluation for compact pulsed power / E. J. Matthews, M. Kristiansen, A. A. Neuber // IEEE Transactions on Plasma Science. - 2010. - Vol. 38.

- No. 3. - P. 500-508.

142. Dai, L. Electrical characteristics of high energy density multilayer ceramic capacitor for pulse power application / L. Dai, F. Lin, Z. Zhu, J. Li // IEEE Transactions on Magnetics. - 2005. - Vol. 41. - No. 1. - P. 281-284.

143. Епифанцев, К. А. Расчетно-экспериментальное моделирование воздействия одиночных импульсов напряжения, вызванных электромагнитными импульсами, на интегральных схемах / К. А. Епифанцев, О. А. Герасимчук, П. К. Скоробогатов // Микроэлектроника. - 2009. - Т. 38. - №. 4. - С. 284-301.

144. Герасимчук, О. А. Электротепловое поведение элементов КМОП микросхем по технологии "кремний-на-сапфире" / О. А. Герасимчук, К. А. Епифанцев, Т. В. Павлова, П. К. Скоробогатов // Микроэлектроника. - 2011. - Т. 40. - №. 3. - С. 230240.

145. Герасимчук, О. А. Электротепловое моделирование влияния одиночных импульсов напряжения на КМОП ИС различных технологий / О. А. Герасимчук, П. К. Скоробогатов // Известия высших учебных заведений. Электроника. - 2012. - №. 5. - С. 105-106.

146. Епифанцев, К. А. Анализ влияния температуры на импульсную электрическую прочность КМОП-микросхем / К. А. Епифанцев, П. К.

Скоробогатов, О. А. Герасимчук // Микроэлектроника. - 2015. - Т. 44. - №. 1. - С. 49-49.

147. Скоробогатов, П. К. Электромагнитные воздействия и импульсная электрическая прочность интегральных схем / П. К. Скоробогатов, К. А. Епифанцев, Н. С. Дятлов, О. А. Герасимчук // Безопасность информационных технологий. - 2016. - Т. 23. - №. 3. - С. 69-72.

148. Скоробогатов, П. К. Особенности воздействия электромагнитных излучений на интегральные схемы / П. К. Скоробогатов, О. А. Герасимчук, К. А. Епифанцев, В. А. Телец // Микроэлектроника. - 2017. - Т. 46. - №. 3. - С. 181-186.

149. Плотников, А.П. Исследование импульсной электрической прочности современных чип-конденсаторов: I. Основные экспериментальные результаты / А. П. Плотников, О. А. Емельянов, В. О. Белько, Р. А. Курьяков. // Научно-технические ведомости СПбПУ. Естественные и инженерные науки. - 2018. - Т. 24. - № 1. - С. 50-59.

150. ГОСТ 28885-90. Конденсаторы. Методы измерений и испытаний. - М.: ИПК Издательство стандартов, 1999. - 29 с.

151. Снопко, В. Н. Спектральные методы оптической пирометрии нагретой поверхности / В. Н. Снопко. - Минск: Наука и техника, 1988. - 152 с.

152. Гордов, А. Н. Основы пирометрии / А. Н. Гордов. - М.: Металлургия, 1971. -448 с.

153. Гаррисон, Т. Р. Радиационная пирометрия / Т. Р. Гаррисон. - М.: Мир, 1964. - 248 с.

154. Казарновский, Д. М. Сегнетокерамические конденсаторы / Д. М. Казарновский. - М.; Л.: Госэнергоиздат, 1956. - 222 с.

155. Булыбенко, В. Ю. Вариконды в электронных импульсных схемах / В. Ю. Булыбенко, Т. Н. Вербицкая, В. Ф. Анципарович, В. С. Терпиловский, В. И. Анисимов. - М.: Советское радио, 1971. - 272 с.

156. Р 50.1.037-2002. Рекомендации по стандартизации. Прикладная статистика. Правила проверки согласия опытного распределения с теоретическим. Часть II. Непараметрические критерии. - М.: Изд-во стандартов, 2002. - 64 с.

157. Большев, Л. Н. Таблицы математической статистики / Л. Н. Большев, Н. В. Смирнов. - М.: Наука, 1983. - 416 с.

158. Гуревич, В. М. Электропроводность сегнетоэлектриков / В. М. Гуревич. - М.: Изд-во Комитета стандартов, мер и измерительных приборов при Совете Министров СССР, 1969. - 383 с.

159. Domingos, H. Breakdown in ceramic capacitors under pulsed high-voltage stress / H. Domingos, D. Quattro, J. Scaturro // IEEE Transactions on Components, Hybrids, and Manufacturing Technology. - 1978. - Vol. 1. - No. 4. - P. 423-428.

160. Балыгин, И. Е. Электрические свойства твердых диэлектриков / И. Е. Балыгин. - Л.: Энергия, 1974. - 192 с.

161. Kao, K. C. Dielectric phenomena in solids: with emphasis on physical concepts of electronic processes / K. C. Kao. - San Diego: Elsevier Academic Press, 2004. - 579 p.

162. Воробьев, Г. А. Физика диэлектриков (область сильных полей): Учебное пособие / Г. А. Воробьев, Ю. П. Похолков, Ю. Д. Королев, В. И. Меркулов. - Томск: Изд-во ТПУ, 2003. - 244 с.

163. Plotnikov, A. Performance of BaTiO3-based Multilayer Ceramic Capacitors under High AC Loads / A. Plotnikov, O. Emelyanov, V. Belko // IEEE 2nd International Conference on Dielectrics. - 2018. - P. 1-4.

164. Плотников, А. П. Экспериментальное исследование и анализ процессов заряда-разряда нелинейных керамических конденсаторов / А. П. Плотников, О. А. Емельянов // Научно-технические ведомости СПбПУ. Естественные и инженерные науки. - 2016. - №. 2 (243). - С. 80-87.

165. Emelyanov, O. Ferroelectric capacitors in pulsed modes: Experimental study and analytical calculations / O. Emelyanov, A. Plotnikov // IEEE 1st International Conference on Dielectrics. - 2016. - Vol. 2. - P. 893-896.

166. Emel'yanov, O. A. Determining the Dependence of the Capacitance of Ferro-Ceramic Capacitors on Voltage by the Pulse Discharge Method / O. A. Emel'yanov, A. P. Plotnikov // Measurement Techniques. - 2017. - Vol. 60. - I. 9. - P. 922-927.