Исследование проводимости полупроводниковых структур методом импедансной спектроскопии тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Галеева, Александра Викторовна

• Галеева, Александра Викторовна
• кандидат физико-математических наук
• 2011

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Галеева, Александра Викторовна

Введение.

Глава 1. Импедансная спектроскопия и метод эквивалентных схем.

Глава 2. Методика эксперимента.

2.1. Экспериментальные установки и измерительные камеры.

2.2. О влиянии контактного сопротивления на результаты исследования проводимости в переменных электрических полях.

Глава 3. Особенности и механизмы транспорта в 'полупроводниковых структурах в переменных электрических полях.Т.

3.1. Проводимость по объему зерна и межкристаллитной границе в керамике на основе Zro.84Yo.l601.92.

3.2. Проводимость поликристаллических полупроводниковых клатратов ЗпгдРилз^Вг^х, 0 < х < 8 в переменных электрических полях.

3.3. Вклад примесной подсистемы в комплексную проводимость монокристаллов РЬо.92Сео.о8Те(Са).

Глава 4. Электрофизические свойства сложных оксидов.

8го.75-хСахУо.25Соо.25Мпо750з.5 (0 < X <0.6).

4.1. Исследованные образцы и методика эксперимента.

4.2. Электрофизические свойства сложных оксидов 8го.75-хСахУо.25Соо.25Мпо.750з-й.

4.2.1. Проводимость в постоянных электрических полях.

4.2.2. Проводимость в переменных электрических полях.

4.2.3. Высокотемпературная импеданс-спектроскопия структур на основе сложных оксидов и

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Исследование проводимости полупроводниковых структур методом импедансной спектроскопии»

Моделирование, синтез и исследование новых функциональных материалов является одним из актуальных научных направлений. Нередко новые материалы по характеру температурной зависимости сопротивления относят к полупроводникам. Однако в связи с возможным влиянием особенностей микроструктуры на транспорт носителей заряда такая формальная классификация может быть не вполне корректной и требует более детального рассмотрения. Вследствие сложного химического состава и микроструктуры функциональных материалов проблема оптимизации их параметров для прикладных целей также связана с определением механизмов переноса носителей заряда. Поэтому исследование электрофизических свойств полупроводников и полупроводниковых структур с учетом их реальной микроструктуры является важной и актуальной задачей.

Метод импедансной спектроскопии, в ряде случаев позволяющий разделить и определить вклады от различных элементов микроструктуры в полную приводимость образца, широко применяется как в прикладных, так и в фундаментальных исследованиях [1]. Эффективность этого метода обусловлена, в том числе, тем, что большинство синтезируемых функциональных материалов являются керамиками. Получать сложные соединения в виде монокристаллов трудно, и, как правило, нецелесообразно с прикладной точки зрения.

Известно, что транспорт носителей заряда в структурно неоднородных образцах, которыми, в частности, могут быть керамики, имеет ряд существенных особенностей [2,3]. Модуляция зонного рельефа как результат искривления зон на границах сред в ряде случаев приводит к формированию дрейфовых и рекомбинационных барьеров в энергетическом спектре образца. Поэтому нельзя исключать того, что наблюдаемая в эксперименте активационная температурная зависимость сопротивления полупроводникового материала и соответствующая ей величина энергии активации связаны не с характеристикой энергетического спектра соединения, а явлением активации на порог подвижности носителей, определяемый дрейфовым барьером. Использование метода импеданс-спектроскопии дает возможность получить прямую информацию об электрофизических свойствах поликристалла, качественно и количественно описать вклады в его проводимость от объема зерна, его поверхности и межкристаллитной границы [4], учесть влияние эффектов Максвелла-Вагнера, обычно наблюдаемых в неоднородных структурах [5-7].

В настоящей работе были исследованы методом импедансной спектроскопии различные полупроводниковые структуры. В частности, были выбраны оксидные керамики, среди которых как новые материалы Sro.75-xCaxYo.25Coo.25Mno.75O3.ii, 0 < х <0.6, перспективные для энергетических приложений, так и образцы хорошо известного базового материала энергетической отрасли Zro84YoлбOl 92, изученные в данной работе как элементы сложных структур. Помимо керамики на основе оксидов были исследованы поликристаллические полупроводниковые клатраты 5п24Р19.з1хВг8.х, 0 < х < 8, — новые перспективные материалы для создания термоэлектрических устройств. Наряду с перечисленными керамиками объектами изучения являлись монокристаллы узкощелевого полупроводника РЬо.920ео.ояТе(Оа), перспективного материала инфракрасной оптоэлектроники. Ранее в теллуриде свинца-германия, легированном галлием, наблюдались низкотемпературные диэлектрические аномалии [8], природа которых осталась до конца не понятой. На этом примере показано, что применение метода импеданс-спектроскопии позволяет получить важную дополнительную информацию о характере проводимости в легированных полупроводниках, о возможных процессах перезарядки в системе примесных центров и проводимости по примесной зоне.

Работа состоит из введения, четырех глав и заключения. В первой главе коротко представлены теоретические аспекты метода импеданс-спектроскопии, обсуждается применение приближения эквивалентных схем и возможности его использования для исследования диэлектрических свойств полупроводников, рассмотрен эффект Максвелла-Вагнера. Во второй главе рассказано о реализации различных экспериментальных методик, описаны экспериментальные установки и измерительные камеры, с помощью которых были получены приведенные в работе данные, обсуждаются вопросы, связанные с исследованием возможного влияния контактов на экспериментальные даннь^. В третьей главе представлены основные результаты, полученные для ряда полупроводниковых структур: керамических образцов твердого электролита керамики на основе полупроводникового клатрата варьируемого состава 8п24Р19з1хВг8.х, 0<х<8, монокристаллов РЬо.920ео.о8Те(Оа). В связи с разнообразием исследованных объектов, краткий литературный обзор по соответствующему материалу приведен во введении к каждому пункту главы. Результаты, приведенные в третьей главе, демонстрируют информативность метода импеданс-спектроскопии. Четвертая глава посвящена исследованию электрофизических свойств сложных оксидов Зго.7з-хСахУо гзСос .МП0.75О3.5, О < х <0.6. В заключении обобщены основные результаты и приведены выводы работы.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Галеева, Александра Викторовна

Основные результаты диссертации опубликованы в следующих работах.

1. A.B. Якимчук, Ю.В. Заикина, JI.H. Решетова, Л.И.Рябова, Д.Р. Хохлов, A.B. Шевельков. Импеданс полупроводниковых клатратов Sn24Pi9.3lxBr8.x (0 < х < В) // Физика низких температур, 2007, т. 33, вып. 2-3, стр.369

2. A.B. Галеева, Ф.С. Напольский, С .Я. Истомин, Л.И. Рябова, Д.Р. Хохлов. Транспортные свойства сложных оксидов Sro.75-xCaxYo.25Coo.2sMno.7503-s, 0 < х <0,6 // Научно-технические ведомости СПбГПУ: физико-математические науки, 2010, вып.1, стр. 12

3. A. Galeeva, Ph.Napolsky, S. Istomin, A. Gippius, D. Khokhlov. Structure a- Transport Properties of Complex Oxides Sr0.75-xCaxYo.25Coo.25Mn0.75 03.5, 0 < x <0.6. // Materials Research Society Symposium Proceedings, 2010, Vol. 1256E, N06-31

4. A.B. Якимчук, Ю.В. Заикина, Л.И. Рябова, A.B. Шевельков. Импеданс полупроводниковых клатратов Sn24Pi9.3lxBrs-x (0<х<8) // Седьмая всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и полупроводникойаой опто- и наноэлектронике, Санкт-Петербург, 5-9 декабря 2005, стр. 18.

5. Л.И. Рябова, A.B. Шевельков, A.B. Якимчук, Ю.В. Заикина. Исследование импеданса керамики на основе полупроводниковых клатратов Sn24Pi9.3lxBr8.x (í < х < 8) в низкочастотных электрических полях // XVI Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников, Екатеринбург - Кыштым, 27февраля - 4 марта 2006, стр.170

6. A.B. Якимчук, Ю.В. Заикина, Л.И. Рябова, A.B. Шевельков. Явления переноса в керамике на основе клатрата Sn24Pi9.3lxBr8-x (0<х<8) // 34-ое совещание по физике низких температур, Ростов-на-Дону, 26 - 30 сентября 2006, т.2, стр.109

7. A.B. Галеева, С .Я. Истомин, Д.Р. Хохлов. Транспортные свойства сложных оксидов Sro.75-xCaxYo.25Coo.25Mno.7503-5 (0 < X <0,6) // XI всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике, Санкт-Петербург, 5-9 декабря 2009, стр.7

8. A.B. Галеева, Ф.С. Напольский, С.Я. Истомин, Д.Р. Хохлов. Структура и транспортные ' свойства сложных оксидов Sro.7s-xCaxY0.25Coo.25Mno.7503.6 (0 < х <0,6) // XVIII Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников, Екатеринбург, 15-20 февраля 2010, стр.235

9. A. Galeeva, Ph. Napolsky, S. Istomin, A. Gippius, D. Khokhlov. Structure a.:- Transport Properties of Sro.75.xCaxYo.25Coo.25Mno.7503.s (0<x<0,6) // MRS Spring Meeting, San Francisco, California, April 5 - 9 2010

10. A.B. Галеева. Явления переноса в сложных оксидах переходных металлов// Ломоносов 2010, Москва, 12-15 апреля 2010

11. Galeeva, Ph. Napolsky, S. Istomin, D. Khokhlov. Hopping Conductivity in Manganese-Cobalt-based Complex Oxides // Inorganic Materials Conference 2010, Biarritz, September 12-142010

В заключение выражаю благодарность:

Моим научным руководителям, доктору физико-математических наук Людмиле Ивановне Рябовой и доктору физико-математических наук, профессору Дмитрию Ремовичу Хохлову за представление интересной темы, внимание к работе и помощь в ней;

Кандидату химических наук Сергею Яковлевичу Истомину за предоставленные образцы сложных оксидов, а также за предоставленные данные по характеризации их структуры и обсуждение экспериментальных результатов.

Доктору химических наук, профессору Андрею Владимировичу Шевелькову за предоставленные образцы полупроводниковых клатратов и обсуждение результатов работы.

Доктору физико-математических наук, профессору Андрею Андреевичу Гиппиусу за предоставленную возможность проведения высокотемпературных измерений проводимости и оказанную помощь при проведении эксперимента.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Галеева, Александра Викторовна, 2011 год

1. Е. Barsoukov, J.R. Macdonald. Impedance Spectroscopy. Theory, Experiment and Applications. // John Wiley & Sons, Inc., 2005

2. M.K. Шейнкман, А.Я. Шик. Долговременные релаксации и остаточная проводимость в полупроводниках. // ФТП, 1976, т. 10, вып. 2, с. 209 232

3. JI.H. Неустроев, В.В. Осипов. К теории физических свойств фоточувствительных-поликристаллических пленок типа PbS. // ФТП, 1986, т. 20, вып. 1, с. 59 72

4. J .J. Roberts, J.A. Tyburczy. Impedance Spectroscopy of Single and Polycrystalline Olivine: Evidence for Grain Boundary Transport. // Phys. Chem. Minerals, 1993, vol. 20, iss. 1, pp. 19 -26

5. J. Liu, C.-G. Duan, W.-G. Yin, W.N. Mei, R.W. Smith, J.R. Hardy. Large dielectric constant and Maxwell-Wagner relaxation in Bi2/3Cu3Ti40i2. // Phys. Rev. B, 2004, vol. 70,pp. 144106-1 144106-7

6. B.D. Chin, Y.S. Lee, H.J. Lee, S.M. Yang, O.O. Park. Electrorheological Behavioi. and Interfacial Polarization of Semi-conductive Polymer-based Suspensions. The Korean Journal of Rheology, 1998, vol. 10, pp. 195 -201

7. T.JT. Челидзе, А.И. Деревянко, О.Д. Куриленко. Электрическая спектроскопия гетерогенных систем. // Наукова думка, 1977

8. Л.И. Рябова, Д.Р. Хохлов. Проблема примесных состояний в узкощелевых полупроводниках на основе теллурида свинца. // Письма в ЖЭТФ, 2004, т. 80, вып. 2, с. 143 -149

9. Б.М. Графов, Е.А. Укше. Электрохимические цепи переменного тока. // Изд-во «Наука», 1973

10. Е.А. Укше, Н.Г. Букун. Твердые электролиты. // Изд-во «Наука», 1977

11. В.Н. Чеботин, М.В. Перфильев. Электрохимия твердых электролитов. // Изд-во Химия, 1978

12. А.К. Иванов-Щиц, И.В. Мурин. Ионика твердого тела. // Изд-во СПбГУ, т. 1, 2000

13. D.L. Sidebottom, Understanding ion motion in disordered solids from impedance spectroscopy scaling. // Rev. Mod. Phys., 2009, vol. 81, pp. 999 1014

14. J.-B. Jorcin, M.E. Orazem, N. Pebere, B. Tribollet. CPE analysis by local electrochemical impedance spectroscopy. // Electrochimica Acta, 2006, vol. 51, pp. 1473-1479

15. Y. Huang, H. Shih, F. Mansfeld. Concerning the use of constant phase elements (CPEs) in the analysis of impedance data. // Materials and Corrosion, 2010, vol. 61, pp. 302 305

16. J.R. Macdonald. Impedance spectroscopy: old problems and new developments. //' Electrochimica Acta, 1990, vol. 35, pp. 1483 1492

17. A. Doi. Comment on Warburg impedance and related phenomena. // Solid State Ionics, 1990, vol. 40-41, pp. 262-265

18. V.V. Nikonenko, A.E. Kozmai. Electrical equivalent circuit of an ion-exchange embrane system. // Electrochimica Acta, 2011, vol. 56, pp. 1262 1269

19. Р.Б. Васильев, С.Г. Дорофеев, M.H. Румянцева, Л.И. Рябова, A.M. Гаськов. Импеданс-спектроскопия ультрадисперсной керамики SnCb с варьируемым размером кристаллитов. // ФТП, 2006, т. 40, вып. 1, с. 108 11 Г

20. Z.-G. Liu, J.-H. Ouyang, K.-N. Sun, Y. Zhou. Electrical Conductivity of 5 mol.% Yb203 and 5 mol.% Gd203 co-doped Sm2Zr207. // Materials Letters, 2011, vol. 65, pp. 385 38 /

21. P. Lunkenheimer, V. Bobnar, A.V. Pronin, A.I. Ritus, A.A. Volkov, A. Loidl. Origin of apparent colossal dielectric constants. // Phys. Rev. B, 2002, vol. 66, pp. 052105-1 052105-4

22. T.B. Adams, D.C. Sinclair, A.R. West. Characterization of grain boundary impedances in fine- and coarse-grained СаСизТцОп ceramics. // Phys. Rev. B, 2006, vol. 73, pp. 094124-1 -094124-9

23. P.K. Jana, S. Sarkar, B.K., Chaudhuri. Maxwell-Wagner polarization mechanism in potassium and titanium doped nickel oxide showing giant dielectric permittivity. // J. Phys. D: Appl. Phys., 2007, vol. 40, pp. 556 560

24. G.A. Samara, W.F. Hammetter, E.L. Venturini. Temperature and frequency dependences of the dielectric properties of YBa2Cu306+* (x ~ 0). // Phys. Rev. B, 1990,vol. 41, pp. 8974 8980

25. C.M. Rey, H. Mathias, L.R. Testardi, S. Skirius. High dielectric constant and nonlinear electric response in nonmetallic УВа2СизОб+<1. U Phys. Rev B, 1992, vol. 45, pp. 10639 10646

26. G. Chern, L.R. Song, J.B. Shi. Observation of high dielectric permittivity in single-crystal Bi2Sr2Co06^. // Physica C, 1995, vol. 253, pp. 97-101

27. G.P. Mazzara, S. Skirius, G. Cao, G. Chem, R.J. Clark, J.E. Crow, H. Mathias, J.W. O'Reilly, L.R. Testardi. High dielectric permittivity of ceramic and single-crystal PrBa2Cu3Ox. // Phys. Rev. B, 1993, vol. 47, pp. 8119 8123

28. J. B. Shi. Dielectric Studies in T* and T Structures of (La, Gd)2Cu04. // Physica C, 1998, vol. 305, pp 35-45;

29. G. Chem, W.K. Hsieh, M.F. Tai, K.S. Hsung. High dielectric permittivity and hole-doping effect in Lai.,Sr,Fe03. // Phys. Rev. B, 1998, vol. 58, pp. 1252 1260

30. M.A. Subramanian, D. Li, N. Duan, B.A. Reisner, A.W. Sleight. High Dielectric Constant in ^Cu3Ti40i2 and yiCu3Ti3FeOi2 Phases. // J. Solid State Chem., 2000, vol. 151, pp. 323 325

31. A.P. Ramirez, M.A. Subramanian, M. Gardel, G. Blumberg, D. Li, T. Vogt, S.M. Shapiro. Giant dielectric constant response in a copper-titanate. // Solid State Commun., 2000, vol. 115, pp. 217-220

32. C.C. Homes, T. Vogt, S.M. Shapiro, S. Wakimoto, A.P. Ramirez. Optical Response of High-Dielectric-Constant Perovskite-Related Oxide. // Science, 2001, vol. 293, pp. 673 676

33. Agilent Impedance Measurement Handbook. Agilent Technologies. 2003

34. A.E. Кожанов. Явления переноса в твердых растворах Pbi.xSnxTe(In) в переменных электрических полях // Канд. дисс., МГУ, физический факультет, 2006

35. С.Н. Чесноков. Фотоэлектрические явления в твердых растворах PbixSnxTe(In).// Канд. дисс., МГУ, физический факультет, 1988

36. A.V. Chadwick. Solid progress in ion conduction. // Nature, 2000, vol. 408, pp. 925 926

37. J.A. Kilner. Ionic Conductors. //Nature Materials, 2008, vol. 7, pp. 838 839

38. J.B. Goodenough. Oxide-ion electrolytes. //Annual Reviews of Materials Research, 2003, vol. 33, pp.91 128

39. B.C.H. Steele, A. Heinzel. Materials for fuel-cell technologies. // Nature, 2001, vol. 414, pp. 345-352

40. S.C. Singhal. // Advances in solid oxide fuel cell technology. // Solid State Ionics, 2000, vol. 135, pp. 305-313

41. Ф.С. Напольский. Получение газоплотных мембран на основе YSZ и нанесение на них GDC-слоя. // VII Конференция молодых учёных «Актуальные проблемы современной неорганической химии и материаловедения», ноябрь 2007, Звенигород, с.36

42. К.А. Ковнир, А.В. Шевельков. Полупроводниковые клатраты: синтез, строение и свойства. // Успехи химии, 2004, т.73, вып. 9, с. 999 1015

43. М.А.White. Properties of Materials. // Oxford University Press, Oxford, 1999

44. G.S. Nolas, J.L. Cohn, G.A. Slack, S.B. Schjuman. // Appl. Phys. Lett., 1998, vol. 73, pp. 178-180

45. А.В. Шевельков. Создание термоэлектрических материалов на основе супрамолекулярных клатратов. // Вестник Московского университета., Сер.2. Химия, 2003, т. 44, вып. 3, с. 163 171

46. М.М. Shatruk, К.А. Kovnir, A.V. Shevelkov, I.A. Presnyakov, В.А. Popovkin. First in pnictide halides Sn24Pi9.3l8 and Sn24Asi9,3l8: synthesis and the clathrate-I type of the crystal structure. // Inorg. Chem., 1999, vol. 38, pp. 3455 3457

47. L.N. Reshetova, J.V. Zaikina, A.V. Shevelkov, K.A. Kovnir, M. Lindsjo, L. Kloo. Tin Polycationic Clathrates: Interrelationship between Composition and Crystal and Electronic Structure. // Z. Anorg. Allg. Chem, 2002, vol. 628, pp. 2145

48. Ч. Киттель. Введение в физику твердого тела. // Наука, 1978

49. Г.И. Сканави. Физика диэлектриков. // Изд-во технико-теоретической литературы, 1949

50. Lead Chalcogenides: Physics and Application, edited by D Khokhlov. // Taylor&f rancis, 2003

51. S. Takaoka, K. Murase. Anomalous resistivity near the ferroelectric phase transition in (Pb, Ge, Sn)Te alloy semiconductors. // Phys. Rev. B, 1979, vol. 20, pp. 2823 2833

52. Б.А. Волков, Л.И. Рябова, Д.Р. Хохлов. Примеси с переменной валентность! в твердых растворах на основе теллурида свинца. // УФН, 2002, т. 172, вып. 8, с. 875 906

53. Б.А. Акимов, В.В. Прядун, Л.И. Рябова, Е.И. Слынько, Д.Р. Хохлов, В.И. Штанов. Неравновесные процессы и сегнетоэлектрический фазовый переход в кристаллах PbGeTe(Ga). // ФНТ, 2004, т. 30, вып. 11, с. 1209 1213

54. Е.Р. Skipetrov, Е.А. Zvereva, L.A. Skipetrova, V.V. Belousov, A.M. Mousalitin. Gallium-induced Defect States in Pb^GeJe Alloys. // J. Cryst. Growth, 2000, vol. 210, pp. 292 295

55. E.P. Skipetrov, Е.А. Zvereva, O.S. Volkova, E.I. Slynko. A.M. Mousalitin. On Fermi level pinning in lead telluride based alloys doped with mixed valence impurities. // Materials Sci. Eng. B, 2002, vol. 91-92,416-420

56. E.P. Skipetrov, E.A. Zvereva, V.V. Belousov, L.A. Skipetrova, E.I. Slynko. Effect of Negative Photoconductivity in Pbi-xGexTe Alloys Doped with Gallium. // Phys. Status Solidi B, 2000, vol. 221, pp. 549-552

57. Л.И. Рябова, Д.Р. Хохлов. Проблема примесных состояний в узкощелевых полупроводниках на основе теллурида свинца. // Письма в ЖЭТФ, 2004, т. 80, гтлп. 2, с. 143 -149

58. Б.А. Акимов, В.В. Прядун, Л.И. Рябова, Д.Р. Хохлов. Импеданс твердых растворов на основе теллурида свинца, легированного галлием. // ФТП, 2004, .т. 38, вып. 3, с. 293 295

59. G.H. Jonker and J.H. Van Santen. Ferromagnetic compounds of manganese with perovskite structure. // Physica, 1950, vol. 16, pp. 337 349

60. Н.Б. Иванова, С.Г. Овчинников, M.M. Коршунов, И.М. Еремин, Н.В. Казак. Особенности спинового, зарядового и орбитального упорядочений в кобальтитах. // УФН, 2009, т. 179, вып. 8, с. 837 860

61. М. Imada, A. Fujimori, Y. Tokura. Metal-insulator transitions. // Reviews of Mc ;rn Physics, 1998, vol. 70, pp. 1039 1263

62. S.C. Singhal. Solid oxide fuel cells for stationary, mobile, and military applications. // Solid State Ionics, 2002, vol. 405, pp. 152-153

63. A. Thiu'sfield, I.S. Metcalfe. The use of dense mixed ionic and electronic conducting membranes for chemical production. // J. Mater. Che'm., 2004, 14, 2475 2485

64. A.J. Jacobson. Materials for Solid Oxide Fuel Cells. // Chem. Mater., 2010, vol. 22, pp. 660 -674

65. N.L. Ross, R.M. Hazen. Single crystal X-ray diffraction of MgSiOa perovskite from 77 to 400 K. // Phys. Chem. Minerals, 1989, vol. 16, pp. 415 420

66. Y. Zhao, D.J. Weidner. Thermal expansion of SrZrO;, and BaZr03 perovskites. // Phys. Chem. Minerals, 1991, vol. 18, pp. 294 301

67. Y. Zhao, D.J. Weidner, J.B. Parise, D.E. Cox. Critical phenomena and phase transition of perovskite data for NaMgF3 perovskite. // Physics of The Earth and Planetary Interiors, 1993, vol. 76, pp. 17-34

68. N.O. Golosova, D.P. Kozlenko, L.S. Dubrovinsky, O.A. Drozhzhin, S.Ya. Istomin,

69. B.N. Savenko. Spin state and magnetic transformations in Sr0.7Y0.3CoO2.62 at high pressures. // Phys. Rev. B, 2009, vol. 79, pp. 104431-1 104431-5

70. P. M. Raccah, J.B. Goodenough. First-Order Localized-Electron <->■ Collective-Electron Transition in LaCo03. // Phys. Rev., 1967, vol. 155, pp. 932 943

71. M.A. Senaris-Rodriguez, J.B. Goodenough. Magnetic and Transport Properties of the System Lai*SiiCo03-s (0 < x < 0.50). // J. Solid State Chem., 1995, vol. 116, 224 231

72. M.A. Korotin, S.Yu. Ezhov, I.V. Solovyev, V.I. Anisimov, D.I. Khomskii, G. A. Sawatzky. Intermediate-spin state and properties ofLaCo03. // Phys. Rev. B, 1996, vol. 54, pp. "309 -5316

73. C. Zobel, M. Kriener, D. Bruns, J. Baier, M. Griininger, T. Lorenz, P. Reutler,

74. A. Revcolevschi. Evidence for a low-spin to intermediate-spin state transition in LaCo03. // Phys. Rev. B, 2002, vol. 66, pp. 020402-1 020402-4

75. D.P. Kozlenko, N.O. Golosova, Z. Jirak, L.S. Dubrovinsky, B.N. Savenko, M.G. Tucker, Y. Le Godec, V.P. Glazkov. Temperature- and pressure-driven spin-state transitions in LaCo03. // Phys. Rev. B, 2007, vol. 75, pp. 064422-1 064422-10

76. D. Emin, N.L.H. Liu. Small-polaron hopping in magnetic semiconductors. // Phys. Rev. B, 1983, vol. 27, pp. 4788 4798

77. S.R. Sehlin, H.U. Anderson, D.M. Sparlin. Semiempirical model for the electrical properties of Lai.xCaxCo03. //Phys. Rev. B, 1995, vol.-52, pp. 11681 11689

78. D. Emin. Correlated Small-Polaron Hopping Motion. // Phys. Rev. Letters, 1970, vol. 25, pp.1751 1755

79. M. Jaime, M.B. Salamon, M. Rubinstein, R.E. Treece, J.S. Horwitz, D.B. Chrisey. High-temperature thermopower in La2/3Cai/3Mn03 films: Evidence for polaronic transport '/ Phys.Rev.B, 1996, vol. 54, pp. 11914- 11917

80. T.T.M. Palstra, A.P. Ramirez, S-W. Cheong, B.R. Zegarski, P. Schiffer. Transport mechanisms in doped LaMn03: Evidence for polaron formation. Phys. Rev. B, 1997, vol. 56, pp. 5104-5107

81. A.S. Moskvin. Disproportionation and electronic phase separation in parent manganite LaMn03. // Phys. Rev. B, 2009, vol 79, pp. 115102-1 115102-19

82. V.L. Kozhevnikov, I.A. Leonidov, E.B. Mitberg, M.V. Patrakeev, A.N. Petrov, K.R. Poeppelmeier. Conductivity and carrier traps in Lai-xSrxCoi-zMn203-d (x = 0.3; z = 0 and 0.25). // J. Solid State Chem., 2003, vol. 172, pp. 296 304

83. G.J. Snyder, C.H. Booth, F. Bridges, R. Hiskes, S. DiCarolis, M.R. Beasley, T.H. Geballe. Local structure, transport, and rare-earth magnetism in the ferrimagnetic perovskite Gdo.evCaosiMnOj. // Phys. Rev. B, 1997, vol. 55, pp. 6453 6459

84. R. Schmidt, J. Wu, C. Leighton, I. Terry. Dielectric response to the low-temperature magnetic defect structure and spin state transition in polycrystalline LaCoOj. // Phys. Rev. B, 2009, vol. 79, pp. 125105-1 125105-8

85. X. Liu, H. Zhu, Y. Zhang. Conductive mechanism in manganite materials. // Phys. Rev. B, 2001, vol. 65, pp. 024412-1 24412-6

86. C. Ang, J.R. Jurado, Z. Yu, M.T. Colomer, J.R. Frade, J.L. Baptista. Variable-range-hopping conduction and dielectric relaxation in disordered Sr0.97(Tii.xFex)O3.d. // Phys. Rev. B, 1998, vol. 57, pp. 11858- 11861

87. Z. Jirak, J. Hejtmanek, K. Knizek, M. Veverka. Electrical resistivity and thermopower measurements of the hole- and electron-doped cobaltites LnC0O3.// Phys. Rev. B, 2008, vol. 78, pp. 014432-1 -014432-8

88. R. Caciuffo, D. Rinaldi, G. Barucca, J. Mira, J. Rivas, M.A. Senaris-Rodriguez, P.G. Radaelli, D. Fiorani, J.B. Goodenough. Structural details and magnetic order of Lai-*Sr*CoC>3 x < 0.3. // Phys.Rev.B, 1999, vol. 59, pp. 1068 1078

89. Л.И. Королева. Магнитные полупроводники. //МГУ, Физический факультет, 2003

90. И.С. Бредихин, Ф.С. Напольский, E.B. Коровкин, С.Я. Истомин, E.B. Антипов,

91. С.И. Бредихин. Кальцийсодержащий катодный материал для ТОТЭ. // Электрохимия, 2009, т. 45, с. 463-467

92. Y. Bréard, A. Maignan, L. Lechevallier, М.-Е. Boulon, J.M. Le Breton. The Sr0.8Yo.2Coi-xFex03-5 oxygen deficient perovskites: modulated structure, magnetic properties andmagnetoresistance. // Solid State Sciences, 2006, vol. 8, pp. 619 624

93. Y.F. Zhanga, S. Sasakia, O. Yanagisawab, M. Izumi. Magnetic Properties of Oxy:;en Deficient Уо.ззБго^СоОз-з. // Acta Physica Polonica A, 2007, vol. 111, pp. 79 86

94. S.Ya. Istomin, J. Grins, G. Svensson, O.A. Drozhzhin, V.L. Kozhevnikov, E.V. Antipov, J.P. Attfield. Crystal Structure of the Novel Complex Cobalt Oxide Sr0.7Y0 3C0O2.62. // Chem. Mater., 2003, vol. 15, pp. 4012-4020

95. T. Maitra, A. Taraphder. Magnetic, orbital, and charge ordering in the electron-doped manganites. // Phys. Rev. B, 2003, vol. 68, pp. 174416-1- 174416-14

96. A.I. Kurbalcov, C. Martin, A. Maignan. Electron-doped Smi.xSrxMn03 perovskite manganites: Crystal and magnetic structures and physical properties. // Journal of Magnetism and Magnetic Materials, 2009, vol. 321, pp. 2601 2606

97. M.B. Salamon, M. Jaime. // The physics of manganites: Structure and transport. // Rev. Mod. Phys, 2001, vol. 73, pp. 583 628

98. N.F. Mott, E.A. Devis. Electronic Processes in Non-crystalline Materials. // Clarendon Press, Oxford, 1971

99. B.JI. Бонч-Бруевич, И.П. Звягин, P. Кайпер, P. Энгдерлайн, Б.-М. Эссер, Электронная теория неупорядоченных полупроводников. // Наука, 1981

100. S.B. Adler. Factors Governing Oxygen Reduction in Solid Oxide Fuel Cell Cathodes. // Chem. Rev., 2004, vol. 104, pp. 4791 4843

101. B. Groger, J. Kulawik, D. Szwagierczak, A. Skwarek. Influence of various lanthanides on the properties of Sr0 gCeo.iLno iMn03 s and Sro gCeo.osLno 05C0O3 - s ceramics and thick film electrodes. // Solid State Ionics, 2009, vol. 180, pp. 872 - 877

102. S.B. Adler. Limitations of charge-transfer models for mixed-conducting oxygen electrodes. // Solid State Ionics, 2000, vol. 135, pp. 603 612