Исследование процессов направленного силицирования углеволокнистых материалов и практическое применение полученных результатов тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.02.01, кандидат технических наук Кузнецов, Николай Николаевич

• Кузнецов, Николай Николаевич
• кандидат технических наук
• 2004

Оглавление диссертации кандидат технических наук Кузнецов, Николай Николаевич

Стр. ВВЕДЕНИЕ.

Глава 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР

1.1. Углеграфитовые материалы.

1.1.1. Графит.

1.1.2. Пиролитический углерод.

1.1.3. Углеволокнистые материалы.

1.1.4. Термически расщепленный графит.

1.1.5. Ультрадисперсный коллоидно-графитовый препарат.

1.2. Материалы, контактирующие с расплавом кремния.

1.3. Изделия из композиционных кремний-углеродных материалов.

1.4. Методы получения листового кремния на подложках.

1.4.1. Кремний на керамике.

1.4.2. Лента против капли.

1.4.3. Горизонтально поддерживаемая сетка.

1.4.4. Рост ленты на подложке.

1.4.5. Два формообразующих элемента.

1.5. Выводы.

Глава 2. ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ РАСПЛАВЛЕННОГО КРЕМНИЯ С УГЛЕВОЛОКНИСТЫМИ МАТЕРИАЛАМИ

2.1. Контактное взаимодействие расплава кремния с углеволокнистыми материалами. f 2.2. Контактное взаимодействие расплава кремния с термически расщепленным графитом и новыми видами высокопористых углеграфи-товых материалов.

2.3. Структурные и электрофизические характеристики композиционных материалов на основе силицированных углеволокон.

2.4. Выводы.

Глава 3. РАЗРАБОТКА ТЕХНОЛОГИИ И ОБОРУДОВАНИЯ ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ ИЗДЕЛИЙ НА ОСНОВЕ СИЛИЦИРОВАННЫХ УГЛЕВОЛОКНИСТЫХ МАТЕРИАЛОВ

3.1. Разработка технологии и оборудования для получения полых • резистивных нагревателей на основе силицированных углеволокнистых материалов.

3.2. Разработка технологии и оборудования для получения слоев кремния на углеродной сетке.

3.3. Выводы.

Глава 4. ПРАКТИЧЕСКОЕ ПРИМЕНЕНИЕ ПОЛУЧЕННЫХ РЕЗУЛЬТАТОВ

4.1. Мобильная установка для получения графитового терморасщепленного сорбента.

4.2. Фотопреобразователи на основе слоев кремния на углеродной сетке.

4.3. Выводы.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Исследование процессов направленного силицирования углеволокнистых материалов и практическое применение полученных результатов»

Кремний, второй по распространенности в природе после кислорода элемент, используется на протяжении всей истории развития человечества, начиная с изготовления каменных (обычно из обсидиана, кремня) орудий.

Переработка соединений кремния началась за 3000 лет до н.э. (производство стекла в древнем Египте).

Углерод также используется человечеством с древнейших времен. Использование угля в паровых машинах в XIX позволило резко изменить облик цивилизации, что дает основание называть этот век веком углерода.

Производство твердотельных приборов на основе кремния со второй половины XX века также привело к полному изменению техники и технологии.

Есть все основания полагать, что развитие технологий получения приборов, конструкций и изделий на основе карбида кремния окажет весьма существенное влияние на техническую цивилизацию текущего столетия.

Актуальность темы. Расширение круга проблем, стоящих перед современными электроникой, энергетикой, машиностроением, полупроводниковой металлургией, и их усложнение рождают новые задачи в области синтеза материалов с уникальными физико-химическими и механическими свойствами. Композиционные материалы на основе карбида кремния относятся к их числу.

Промышленность нуждается в недорогих резистивных нагревателях, способных работать на воздухе при температурах, превышающих температуры эксплуатации хромоникелевых сплавов.

Изделия из материалов на основе силицированных углеволокон могут эффективно заменить плиты, термопарные чехлы, трубы из силицированного графита, либо керамического SiC.

Чрезвычайно перспективна разработка дешевых солнечных элементов удовлетворительного качества со структурой слой поликремния — подложка из силицированной углеродной сетки. Согласно решению Европарламента к 2010 году доля возобновляемых источников энергии в странах Евросоюза должна достигнуть 24%. Прогнозируемый в 2010 году годовой уровень производства солнечных фотоэлектрических модулей составляет 3000 МВт. Без существенного снижения стоимости 1 Вт установленной мощности солнечных батарей эта задача не может быть решена.

Цель работы. Исследование новых технологических процессов получения крупногабаритных изделий на основе силицированных углеволокнистых материалов, их структуры и характеристик, разработка опытно-промышленного оборудования на основе подобных изделий, создание технологии получения слоев поликремния на поверхности углеродной сетки, исследование структурных, электрофизических и оптических свойств материалов данного класса.

Новизна и научная значимость работы заключаются в следующем:

- исследована кинетика силицирования углеродных волокон как в текстильной форме ткани, так и в форме нитей;

- получена температурная зависимость проводимости материала и определен ее механизм;

- исследована тонкая структура силицированных углеволокон;

- доказано, что неомичность внешних контактов к нагревателям на основе силицированных углеволокон для установок термического расщепления графита позволяет обеспечивать темп нагрева до 2500 град/сек при относительно низкой температуре;

- впервые получены ориентированные слои поликремния на поверхности углеродной сетки по способу двух формообразующих элементов.

Практическая значимость полученных результатов:

• созданы установка и технология получения профильных изделий на основе силицированных углеволокон в форме труб;

• разработана и внедрена в производство мобильная установка для получения термически расщепленного графита в полевых условиях;

• созданы опытная установка и технология получения слоев кремния солнечного качества на сетчатых подложках, выработаны технические требования для разработки промышленной аппаратуры.

На защиту выносятся следующие основные положения:

1. Структура и фазовый состав кремний-углеродного композиционного материала определяются типом исходных углеродных волокон, степенью их модифицирования пироуглеродом и продолжительностью контакта с расплавом. От температуры синтеза эти данные не зависят.

2. Комплексное решение задач по технологии получения резистивных нагревателей на основе силицированных углеволокон и исследованию их характеристик открывает перспективы создания нового класса термостойких резистивных материалов, способных заменить материалы на основе платины.

3. Мобильная установка для получения графитового терморасщепленного графитового сорбента может стать базовой для МЧС РФ при условии доработки систем нанесения сорбента на загрязненную поверхность и съема адсорбированных продуктов.

4. Непрерывное выращивание ориентированных слоев кремния на поверхности углеродной сетчатой ткани позволяет получать композиционный планарный полупроводниковый материал с характеристиками, соответствующими требованиям к кремнию солнечного класса.

Личный вклад автора заключается в постановке цели и формировании направлений исследований, непосредственном участии во всех этапах работы, систематизации, интерпретации и обсуждении полученных результатов, подготовке публикаций к печати. Все результаты, изложенные в диссертации, получены совместно с авторами опубликованных работ.

Апробация работы

Основное содержание работы отражено в 5 публикациях. В ходе выполнения работы ее результаты докладывались на Второй Российской конференции по материаловедению и физико-химическим основам технологии получения легированных кристаллов кремния («Кремний-2000»), объединенном семинаре РАН и ОАО «Русский Алюминий», Всероссийском Совещании «Выращивание кристаллических изделий способом Степанова, пластичность и прочность кристаллов» (Санкт-Петербург, 2003), Всероссийской школе — семинаре по структурной макрокинетике для молодых ученых (Черноголовка, 2003).

Порядок изложения материала Диссертация состоит из введения, четырех глав и выводов по каждой главе, основных результатов и выводов, списка литературы и приложений.

Заключение диссертации по теме «Материаловедение (по отраслям)», Кузнецов, Николай Николаевич

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

1. Исследована кинетика силицирования углеволокнистых материалов. Получены расчетные и экспериментальные зависимости степени силицирования от времени контакта с расплавом для различных типов углеволокон. Показано, что формирование углеродно-карбидокремниевой составляющей композита происходит в области контакта УВМ с расплавом в результате совместного протекания процессов пропитки и карбидообразования. В материалах 1 типа («звездообразные» волокна диаметром 8 мкм с низким содержанием пироуглерода) скорость пропитки достаточна, чтобы обеспечить разделение нитей на единичные волокна, «плавающие» в расплаве. В этом случае в течение примерно 8-10 мин контакта образуется кремний-карбидо-кремниевый материал с приблизительно равным содержанием компонентов и остаточным содержанием свободного углерода менее 1 мас.%.

Модифицирование УВМ пироуглеродом затрудняет процесс разделения волокон нити расплавом. При достижении 60%-ного силицирования слои карбида кремния начинают перекрываться: увеличение эффективных диффузиионных барьеров приводит к замедлению процесса карбидообразования, который в этом случае также полностью завершается, но за 15 - 20 мин.

Структура 2 типа свойственна силицированным УВМ на основе вискозного корда содержанием пироуглерода на уровне 10-25 мас.%. Вследствие худшей смачиваемости этого материала расплавом в кремниевой матрице образуются поры, неплотно заполненные углеволокнами. В пропитавшейся области нити волокна объединены в группы со степенью превращения 0,7 - 0,9, а в целом по образцу степень превращения не превышает 0,7.

При повышении содержания пироуглерода свыше 25% смачиваемость УВМ возрастает. Это приводит к образованию структуры 3 типа: матрица сплошная, а сцепленные между собой пироуглеродом волокна на поперечном шлифе выглядят связанными в цепочки.

На основе проведенных исследований создан новый резистивный материал на основе силицированных углеволокон и нагреватели на его основе, позволяющие достигать температуры 1300 °С в окислительных средах. Детально исследованы структурные и электрофизические особенности материала. Показано, что углеродная фаза практически не вносит вклада в проводимость материала, что подтверждает практические выводы о значительном эксплуатационном ресурсе разработанных нагревателей.

2. На основе разработанных нагревателей создана и внедрена мобильная установка для получения графитового терморасщепленного сорбента (СТРГ), способная функционировать в полевых условиях и обеспечивающая получение высококачественного сорбента. Впервые в практике электротермии выпрямляющие свойства металлических внешних контактов к полупроводниковому нагревателю были использованы для обеспечения сверхвысоких (до 2500 град/сек) темпов нагрева поступающего в нагреватели порошка расширенного графита.

3. Разработаны технологии и опытно-промышленная аппаратура для пиролитического уплотнения УВМ, получения покрытий пирографита на поверхности УГМ, термохимической очистки исходных УГМ и УВМ, а также направленного силицирования длинномерных заготовок из перечисленных материалов.

4. В связи с задачей разработки эффективной технологии непрерывного выращивания ориентированных слоев кремния солнечного класса на подложках были детально исследованы капиллярные и гидродинамические условия формирования слоев кремния на поверхности углеродной подложки при выращивании по способу двух формообразующих элементов. Полученные данные легли в основу конструкции экспериментальной установки, разработанной для этих целей. Применение тепловой схемы нагрева капиллярного питателя исключительно сверху позволило избежать воспроизведения кристаллическим слоем структуры углеродной сетчатой подложки. Подача расплавленного кремния к каналам капиллярного питателя по жгуту углеродной ткани позволила избежать проникновения микрокристаллов SiC из исходной шихты к растущему слою, снизить стоимость оснастки и общее энергопотребление технологической установки.

5. Сочетание развитого в данной работе способа двух формообразующих элементов с использованием модифицированной пироуглеродом и термохимически очищенной углеродной сетчатой подложки позволило создать эффективную технологию получения композиционных структур: ориентированный слой поликремния на силицированной углеродной сетке.

6. Разработанные новые приемы проведения кристаллизационного процесса позволяют использовать в качестве сырья содержащие микровключения SiC отходы кремния, в также формировать крупнокристаллическую структуру, оптимальную для фотопреобразователей. Плотность дислокаций в получаемом материале намного ниже, чем в зарубежных его аналогах. Доказано, что фотоэлектрические характеристики композиционного материала «кремний-на-сетчатой углеткани» (в первую очередь, время жизни неосновных носителей заряда) могут быть в 1,5-2 раза повышены путем использования приемов т.н. «инженерии дефектов», т.е. фосфорного и алюминиевого геттерирования с последующей пассивацией в водородной плазме. Выполненные в данном направлении эксперименты доказывают, что на основе получаемого материала могут производиться фотопреобразователи с к.п.д. на уровне 12-14% и повышенной механической прочностью.

Автор благодарен своему научному руководителю д.т.н. Брантову С.К. за постановку задач, участие в экспериментах и обработке их результатов, ведущему инженеру ИФТТ РАН Колчину А.А. за постоянное содействие в разработке нестандартного технологического оборудования, сотрудникам лаборатории спектроскопии дефектных структур ИФТТ РАН профессору Кведеру В.В. и к.ф.-м.н. Орлову В.И. за эффективную помощь в диагностике слоев кремния на подложках, к.т.н. П.А. Гуржиянцу, а также всем сотрудникам лаборатории кристаллизации из высокотемпературных растворов за постоянное дружественное участие в обсуждении возникавших в ходе выполнения настоящей работы научных проблем.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Кузнецов, Николай Николаевич, 2004 год

1. Мармер Э.Н. Углеграфитовые материалы. М.: Металлургия, 1973. -136 с.

2. Гуртлер Р., Дребен А. Исследования при высоких температурах: Пер. с англ. / Под ред. В.А. Кириллина и А.Е. Шейндлина. М.: ИЛ, 1962. -480 с.

3. Wlodarsky R., Nowiski A., Pekalska L. Preparation of highly oriented pyrographite structure for neutronography. Warshawa: Institute of nuclear chemistry and technology, 1988. - 25 p.

4. Фиалков A.C. Углерод, межслоевые соединения и композиты на его основе. М.: Аспект пресс, 1997. - 718 с.

5. Blackman L.C., Saunders G.J, Ubbelohde A.R. Radiation damage in well oriented pyrolitic graphites. // Proc. Phys. Soc. 1959. - V.78. - P.503 -505.

6. Получение и свойства пирографита / С.Е. Вяткин, Ю.В. Орловцев, А.И. Кротов, Л.Б. Непомнящий // Конструкционные углеграфитовые материалы. М.: Металлургия, 1964. - С.31 - 33.

7. Diefendorf R.G. The deposition of pyrolitic graphite // J. Chem. Phys. and Chem. Biology. 1960. - V.57. - P. 567 - 573.

8. Теснер П.А. Образование углерода из углеводородов газовой фазы. -М.: Химия, 1972.- 136 с.

9. Композиционные материалы: Справочник/ В.В. Васильев, В.Д. Протасов, В.В. Болотин и др.; Под общей ред. В.В. Васильева, Ю.М. Тарнопольского. М.: Машиностроение, 1990. — 512 с.

10. Ю.Колпашников А.И., Мануйлов В.Ф., Ширяев Е.В. Армирование цветных металлов и сплавов волокнами. — М.: Металлургия, 1974. — 248 с.

11. И.Акио С. Карбонизация полимеров и получение карбоновых волокон //Успехи химии. 1973.- Т.13,вып.2.- С.301-312.

12. Рогайлин М.И., Чалых Е.Ф. Справочник по углеграфитовым материалам. М.: Химия, 1974. - 194 с.

13. Армирующие химические волокна для композиционных материалов / Г.У. Кудрявцев, В.Я. Варшавский, A.M. Щетинин и др. М.: Химия, 1992.-328 с.

14. Калнин И.Л. Поверхность углеродных волокон, ее модифицирование и влияние на разрушение высокомодульных углепластиков // Механика композитных материалов. 1979. — №3. - С.397 - 406.

15. Морфологические особенности углеродных волокон / А.С. Фиалков, Н.В. Полякова, Н.В. Бондаренко, и др. // Механика полимеров. — 1976.- №1.- С.158 160.

16. Chung D.D.L. Rewiew: exfoliation of graphite // Journal of Material Science. 1989. - Vol.22. - P. 4190 - 4198.

17. Фиалков A.C., Малей JI.C. Некоторые аспекты технологии изготовления расширенного графита // Электроугольные и металлокерамические изделия для электротехники: Сб. — М.: Энергоатомиздат, 1985. С. 65 - 72.

18. Юрковский И.М., Смирнова Т.Ю., Малей JI.C. Структурные особенности расширенного графита // Химия твердого топлива. — 1986.- №1.- С. 127-131.

19. Изменение свойств графитовых порошков в процессе обработки жидкими окислителями и последующего нагрева / JI.C. Малей, А.С. Фиалков, Н.Н. Опак и др. // Новые электроугольные материалы и изделия: Сб. М.: Энергоиздат, 1982. - С. 26 - 29.

20. Хлесткин Р.И., Самойлов Н.А. Концептуальные основы подбора сорбентов для сбора нефти и нефтепродуктов с места аварии

21. Экологические проблемы промышленных зон Урала: Тезисы докладов межд. научно-техн. конф. Магнитогорск, 1977. — С. 47 - 49.

22. Патент 2031849 РФ, МПК C02F1/28. Способ извлечения нефти и нефтепродуктов из воды / И.Г. Гафаров, А.Н. Садыков, В.Н. Мазур и др. -№5017327/26; заявл. 18.12.91; опубл. 27.03.95.

23. Abbery W.J., Fredlein R.A., Kneebone G.R. The kinetics of colloidal deposition under conditions of controlled potential // Colloid and Surfaces. -1990. Vol. 44. - P. 337 - 356.

24. Chadha B.R., Dobhab D.P., Gubta L.R. Development of colloidal graphite lubricant // Industrial Lubrication and Tribology. 1989. - Vol.41. - P. 4 -6.

25. Leipold M.H., O'Donnel T.P., Hagan M.A. Materials of construction for silicon crystal growth // J. Crystal Growth. 1980. - V.50. - P.366 - 369.

26. Fisher H., Pschunder W. Impact of material and junction properties on silicon solar cell efficiency // Proc. 11-th IEEE Photovolt. Conf. Orlando, 1975.-P.25.

27. Hopkins R.H., Seidensticker R.G., Devis J.H. Crystal growth consideration in the use of "solar grade" silicon // J.Crystal Growth. 1977. - V.42. -P.493 - 499.

28. Нисневич Я.Д. Термодинамика окисления кремния в кислороде и парах воды // Изв. АН СССР. Сер. Неорг. Мат. 1981. - В. 17, № 11. - С. 1947 -1503.

29. Endo Y., Yatsurugi Y., Terai Y. Equilibrium of carbon and oxygen in silicon with carbon monoxide in ambient atmosphere // J. Electrochem. Soc. -1979. V. 126. - P. 1422 - 1427.

30. Nosaki Т., Yatsurugi Y., Akiama N. Concentration and behavior of carbon in semiconductor silicon // J. Electrochem. Soc. 1970. - V.l 17. - P. 1566 -1569.

31. Scace R.J., Slack G.A. Solubility of carbon in silicon and germanium // J.

32. Chem. Phys.- 1959.- V.30.- P.1551 1556. 31 .Куликов И.С. Об углетермическом восстановлении кремния // Изв. АН СССР. Сер. Металлы. - 1977. - №2. - С. 19 - 20.

33. К вопросу о механизме пропитки графита жидким кремнием / Е.Ф. Аникеев, В.И. Костиков, В.Я. Левин, Г.М. Лейдерман // Химия твердого топлива. — 1970. — №4. — С. 143 147.

34. Бобковский В.Н., Костиков В.И., Тарабанов А.С. Кинетика образования карбида кремния в процессе силицирования графита // Химия твердого топлива. 1969. - №6. - с. 111 - 115.

35. Францевич Н.И. Карбид кремния. Киев: Наукова Думка, 1966. - 317 с.

36. Beckman G.E. The growth of silicon carbide from molten silicon. //J.Electrochem Soc. 1963. - V.l 10. - P.84 - 89.

37. Scace R.I., Slack G.A. Silicon Carbide a High Temperature Semiconductor.- L.-N.Y: Pergamon Press, 1960. 243 p.

38. Таиров Ю.М., Цветков В.Ф. Технология полупроводниковых и диэлектрических материалов. М.: Высшая школа, 1990. - 273 с.

39. Исследование кинетики кристаллизации карбида кремния / Ф. Райхель, Ю.М. Таиров, М.Г. Траваджян и др. // Изв. АН СССР. Сер. Неорган. Материалы.- 1980. -Т. 16.- С. 1011.

40. Knippenberg W.F. Growth Phenomena in silicon carbide // Philips Res. Repts. 1963. - V.l8. - P.161.

41. Таиров Ю.М., Цветков В.Ф. Современное состояние и перспективы получения монокристаллов и эпитаксиальных слоев карбида кремния // Проблемы физики и технологии широкозонных полупроводников.- Л.: Наука, 1979. С. 122 - 131.

42. Bathey B.R., Hurley M.C., Bates H.E. Observation of EFG die material interactions with liquid silicon // J. Mater. Science. 1980. - V.15. - P. 2192.

43. Kalejs J.P., Cretella M.C., Wald E.F. Effect of ambient gas changes during growth on the properties of EFG silicon ribbon // J. Electrochem. Soc. -1980.-V.127.-P.113.

44. Brantov S.K., Epelbaum B.M., Tatarchenko V.A. Shaped crystal growth using Two Shaping Elements (TSE): physical features of the method and it's applications to the silicon-carbon materials production // J. Crystal Growth. 1987. -P.122- 125.

45. Patent № 4,243.471 USA, Int. Class С 30 В 11/02. Method of growth of silicon-ribbon crystals / T.F. Ciszek, G.H. Shwuttke // 1980.

46. Series R.W., Barrachough K.G. Carbon contamination during growth of Czochralski silicon // J. Crystal Growth. 1982. - V.60. - P. 212 - 219.

47. Carlsberg T. A quantative model for carbon incorporation in Czochralski Silicon melts //J. Electrochem. Soc. 1983. - V. 130. - P. 168 - 173.

48. Schmid F., Khattak C.P., Digges T.G. Origin of SiC impurities in silicon crystals grown from melt in vacuum // J. Electrochem. Soc. 1979. — V.126. -P. 935-941.

49. Patent № 4, 256.530 USA, Int. Class С 30 В 9/04. The device for growth of volumetric silicon crystals/ F. Schmid, C.P. Khattak// 1981.

50. Белов C.T., Добровенский B.B. Загрязнение кремния углеродом при кристаллизации методом бестигельной зонной плавки // Изв. АН СССР. Сер. Неорг. Мат. 1987. - Т. 17. - С.762 - 765.

51. Влияние атмосферы выращивания на содержание углерода в монокристаллах кремния, полученных методом Чохральского / О.А. Ремизов, М.А. Ильин, Г.П. Воронина и др. // Цветные металлы. -1982.-№9.-С. 62-63.

52. Yatsurugi Y., Akiama N., Endo Y. Concentration, solubility and equilibrium distribution coefficient of nitrogen and oxygen in semiconductor silicon // J. Electrochem. Soc. 1973. - V.120. - P.975 - 977.

53. Nowotny N., Parthe E., Kieffer R. Investigation of silicon carbide by a traveling solvent method // Monatsh. Chemie. 1954. - V.85. - P.225.

54. Брохин И.С., Функе В.Ф. Выращивание монокристаллов методом вытягивания // ЖНХ. 1958. - Т.З, вып.4. - С.847 - 851.

55. Mitchell E.W., Salisbury С. Physical properties of diamond. Oxford: Clarendon Press, 1965. - 411 p.

56. Взаимодействие углерода с тугоплавкими металлами / B.C. Дергунова, Ю.В. Левинский, А.Н. Шуршаков и др. М.: Металлургия, 1974. - 288 с.

57. Marinkovic S., Surnjevick С., Dezarov I. Metallurgy Semiconductors // Carbon. 1970. - V.8, №3. - P.283 - 285.

58. Гнесин Г.Г. Карбидокремниевые материалы. M.: Металлургия, 1977.- 216 с.5 8.Костиков В.И., Варенков А.Н. Взаимодействие металлических расплавов с углеродными материалами. М.: Металлургия, 1981. - 187 с.

59. Chang С., Siekhaus W.J. Auger anylysis of silicon thin films deposited on carbon at high temperature // J. Appl. Phys. 1975. - V.46. - P.3402 -3407.

60. Rai-Choundry P., Formigoni N. Silicon carbide films // J. ElectroChem. Soc.- 1969. V. 116. - P. 1440 - 1445.61 .Ghoshtagore R.N., Coble R.L. Self-diffusion in silicon carbide // Phys. Rev.- 1966. V.143. - P.623 - 629.

61. Меткалф А.Ф. Поверхности раздела в металлических композитах. М.: Мир, 1978.-363 с.

62. Контактное взаимодействие расплава кремния с волокнистыми углеродными материалами / С.К. Брантов, Ю.Н. Захаров, В.А. Татарченко, Б.М. Эпельбаум // Изв. АН СССР. Сер. Неорг. Мат. 1985. - №2. — С.139- 145.

63. Выращивание из расплава кремний-углеродных материалов с применением формообразующих элементов / С.К. Брантов, В.А. Татарченко, Б.М. Эпельбаум // Рост кристаллов: Сборник. М.: Наука, 1986.- С.176- 181.

64. Брантов С.К., Татарченко В.А., Эпельбаум Б.М. Направленная кристаллизация кремния на углетканевой основе // Поверхность. Физика, химия, механика. 1985. - №2. - С. 139 - 143.

65. Композиционные кремний-углеродные материалы конструкционного назначения / С.К. Брантов, П.А. Гуржиянц, В.А. Татарченко и др. // Изв. АН СССР. Сер. Физ. 1988. - Т.52. - С.2029 - 2035.

66. Брантов C.K., Татарченко B.A., Эпельбаум Б.М. Применение углеграфитовых материалов при выращивании профилированных кристаллов кремния из расплава. — Черноголовка, 1987. — 32 с. (Препринт Института физики твердого тела АН СССР).

67. Silicon-carbon composite shaped-article production using two-shaping elements (TSE) technique / S.K. Brantov, P.A.Gurjiantz, K.N. Filonov, B.M. Epelbaum // J. Ciystal Growth. 1990. - V. 104. - P. 126 - 131.

68. Недопекина C.A., Рефман М.Б., Суровцева И.А. Высокотемпературные покрытия пористых графитов // Карбид кремния / Под ред. Н.И. Францевича. Киев, 1966. - С.207 - 216.

69. Цукерман С.А., Квин В.Е., Кравченко А.Т. Порошковая металлургия в новой технике. — М.: Наука, 1968. — 121с.

70. Federer J.I. Presentation to the waste heat recovery contractors information exchange meeting. — Los Angeles: Bridge Publications. 1982. - 31 p.

71. Тарабанов A.C., Костиков В.И. Силицированный графит. — М.: Металлургия, 1977. 155 с.

72. Dietze W., Hunt L.P., Sawyer D.H. The preparation and properties of CVD-silicon tubes and boats for semiconductor device technology // J. Electrochem. Soc. 1974. - V. 121. - №8. - P. 1112.

73. Patent №495939 USA, CO 1 В 31/36. The device for impregnation by silicon of cartridges from silicon carbide / C.W. Forest // 1970.

74. Брантов C.K., Ефремов A.B. Полые нагреватели сопротивления на основе силицированных углеволокон // Материаловедение. 1999. — №2.-С.48-51.

75. Брантов С.К., Кузнецов Н.Н. Электрофизические свойства композиционного материала на основе силицированной углеграфитовой ткани // Материаловедение. — 2002. №5. — С.25-27.

76. Heaps L.D., Schuldt S.B., Grung B.L. Continuous coating of silicon-on-ceramic // 14 IEEE Photovolt. Spec. Conf.: Proc. rep. Berlin, 1980. - P.39.

77. Belouet C. Growth of silicon ribbons by the RAD process. // J. CrystGrowth. 1980. - V.50, № 1. - P. 110 - 115.

78. Falcenberg R., Grabmayer J.G., Hediger F. Finite element analisis of horizontal silicon sheet growth from the melt // J. Cryst. Growth. 1987. -V.82, №2. - P. 107 — 110.

79. Schoneker A., Geerligs L.G. and Muller A. Casting technologies for solar silicon wafers: block casting and ribbon-growth-on substrate // Solid State Phenomena. 2004. - V.95 - 96. - P. 149-158.

80. А.С. 949979 СССР, МКИ СЗОВ 15/34. Устройство для выращивания ориентированных кристаллических слоев / С.К. Брантов, В.А. Татарченко, И.Б. Хлесткин, Б.М Эпельбаум // ДСП. 1980.

81. А.с. 1313028 СССР, МКИ СЗОВ 15/34. Устройство для выращивания ориентированных кристаллических слоев / С.К. Брантов, В.А. Татарченко, К.Н. Филонов и др. // ДСП. 1987.

82. А.С. 1313028 СССР, МКИ СЗОВ 15/34. Устройство для непрерывного выращивания слоев кремния на подложке из углеграфитовой ткани / С.К. Брантов, В.А. Татарченко, B.C. Ефремов // ДСП. 1985.

83. А.с. 1505085 СССР, МКИ СЗОВ 15/34. Способ выращивания кремниевых пластин и питатель для его осуществления / С.К. Брантов, В.А. Татарченко, Б.М. Эпельбаум // ДСП. 1985.

84. А.с. 1340474 СССР, МКИ H01L 21/22. Устройство для непрерывного изготовления кремниевой фотодиодной структуры / С.К. Брантов, О.С. Колесникова, В.А. Татарченко // ДСП. 1985.

85. Киреев П.А. Физика полупроводников. М.: Высшая школа, 1969. -639 с.

86. Калашников С.Г. Электричество. М.: Наука, 1964 — 665 с.

87. А resistive composite material based on siliconized carbon fibres / A.V.Bazhenov, S.K.Brantov, A.A.Kolchin, N.N.Kuznetzov et al. // Composites: Science and Technology. 2004. - V.64, №9. - P. 1203 -1207.

88. Брантов C.K., Колчин A.A., Кузнецов H.H. Мобильная установка для получения терморасщепленного графитового сорбента // Материаловедение. 2001. - №5. - С.46 - 48.

89. Левич В.Г. Физико-химическая гидродинамика. — М.: Изд-во АН СССР, 1952.-435 с.

90. С.К. Брантов, Н.Н.Кузнецов. Резистивные нагреватели на основе силицированной углеродной ткани // Известия вузов. Материалы электронной техники. 2002. — №3. — С.29 — 32.

91. Развитие способа двух формообразующих элементов применительно к получению изделий из кремний-углеродных композитов / С.К. Брантов, В.В. Кведер, А.А. Колчин, Н.Н. Кузнецов // Техника машиностроения.- 2004. Т.48, №2. - С. 9 - 16.

92. Физические величины: Справочник / А.П. Бабичев, Н.А. Бабушкина, A.M. Братковский и др.; Под.ред. И.С. Григорьева, Е.З. Мейлихова. -М.: Энергоатомиздат, 1991. 1232 с.

93. Свойства, получение и применение тугоплавких соединений: Справ.изд. / Под ред. Т.Я. Косолаповой М.: Металлургия, 1986. - 928 с.

94. Newberger М. Handbook of Electronic Materials. — New York: IFI Plenum, 1957.-187 p.

95. Долгополов A.C., Порхунов E.B., Тарукина T.JI. Свойства элементов: Справочник. М.: Металлургия, 1976. — 367 с. •

96. Но C.Y., Powell R.W., Liley Р.Е. The erosion of materials in molten silicon // J. Phys. 1974. - V.3, №7 - P.3 - 9.